JP5486951B2 - 蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法 - Google Patents

蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法 Download PDF

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Description

本発明は、蒸着マスク、蒸着装置、薄膜形成方法に関し、特に大型基板に有機ＥＬの発光層を成膜する技術に関する。
現在、有機ＥＬの作製手法としては、蒸着マスクを使った真空蒸着法が一般的である。蒸着マスクは高精細なパターンを転写するために熱伸びを最小にする必要があり、蒸着マスクの材質には主にインバーなどが用いられている。
図１は、蒸着対象物である基板５０の平面図を示している。基板５０上には、赤色の発光層が形成されるべきピクセル５１が、その中心が互いに平行で等間隔の複数の直線５３ａ〜５３ｃ上に位置するように配置され、当該直線５３ａ〜５３ｃのピクセル５１の中心間距離は等しくされている。
図１５は従来のピクセル型の蒸着マスク１１０の平面図を示している。蒸着マスク１１０上には、ピクセル５１と同じ形状かつ同じ大きさの複数の開口部１１１が、互いに平行で前記直線５３ａ〜５３ｃと同じ間隔の複数のマスク基準線１１３ａ〜１１３ｃ上に位置するように設けられ、マスク基準線１１３ａ〜１１３ｃ上の開口部１１１の中心間距離は前記直線５３ａ〜５３ｃのピクセル５１の中心間距離と等しくされている。
図１６は従来のストライプ型の蒸着マスク１１０の平面図を示している。蒸着マスク１１０上には、前記直線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１全体の長さよりも長い帯状の複数の開口部１１１が、同一のマスク基準線１１３上に位置するように設けられ、開口部１１１の中心間距離は前記直線５３ａ〜５３ｃの間隔と等しくされている。
ピクセル型とストライプ型のどちらの蒸着マスク１１０も、蒸着マスク１１０の有するマスクマーク１１２が基板５０の有する基板マーク５２と重なるように、蒸着マスク１１０と基板５０を配置する。その状態では、同色の全てのピクセル５１にそれぞれ開口部１１１が重なるように構成されている。
各発光層領域は、図１に示すように、例えば前記直線５３ａ〜５３ｃに沿った方向の長さが１１０μｍ、それに垂直な方向の長さが７０μｍの長方形の形状であり、隣り合うピクセルは１０μｍの間隔で基板５０上に配置されている。
この大きさの基板５０の蒸着に用いるためには、従来のピクセル型の蒸着マスク１１０では、マスク基準線１１３ａ〜１１３ｃに沿って隣り合う開口部１１１を１０μｍの間隔で形成する必要がある。また従来のストライプ型の蒸着マスク１１０では、隣り合う開口部１１１を１７０μｍの間隔で形成する必要がある。特にピクセル型の蒸着マスク１１０では、隣り合う開口部１１１の間隔が狭いため、開口部１１１を形成する際に強度不足により蒸着マスク１１０が破損する虞があった。
有機ＥＬ製造の生産性を上げるために大型基板で有機ＥＬを製作したいという要望があるが、大型の蒸着マスクを製作することは開口形成時に上述のような破損の虞があるため困難であり、問題となっていた。特にＧ５サイズ以上の大型基板に対応した蒸着マスクを製作することは難しかった。
特開２０００−１８８１７９号公報
本発明は上記従来技術の不都合を解決するために創作されたものであり、その目的は、大型基板に対応可能な蒸着マスク、蒸着装置、蒸着方法を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明は、基板上の同材料が成膜される複数のピクセルに蒸気が到達できるように構成された蒸着マスクであって、一部の前記ピクセルに前記蒸気を通過させる複数の開口部を有し、前記蒸着マスクの一方向に隣り合う前記開口部の中心は一直線のマスク基準線上に配置されて一列に並び、隣接する前記開口部の中心間距離が、同材料で成膜され、かつ前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離の複数倍であり、前記蒸着マスクは、前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離と同じ中心間距離にされた複数のマスクマークを有し、複数の前記マスクマークの中心を結ぶ直線は前記マスク基準線と平行に配置され、前記基板に形成された一の基板マークに対して前記マスクマーク中の第一のマスクマークが位置したときに、前記ピクセル中の第一のピクセル上に位置した前記開口部は、一の前記基板マーク上に、前記第一のマスクマークから前記中心間距離離間した第二のマスクマークが位置したときに、第二のピクセル上に位置するようにされた蒸着マスクである。
本発明は蒸着マスクであって、前記一方向は、同材料で成膜され、かつ隣り合う前記ピクセルの間隔が短い方向である蒸着マスクである。
本発明は蒸着装置であって、前記蒸着マスクと、前記蒸着マスクが内部に配置される真空槽と、前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、前記真空槽内に蒸着材料の蒸気を放出する蒸着源と、前記蒸着マスクと前記基板とを位置合わせする位置合わせ装置と、を有する蒸着装置である。
本発明は蒸着装置であって、前記位置合わせ装置は、前記蒸着マスクの有する前記マスクマークと、前記基板の有する前記基板マークを検出する検出装置と、前記蒸着マスクを、前記蒸着マスク表面に平行な方向に移動させ、かつ前記蒸着マスク表面に垂直な回転軸線の周りに回転させるマスク移動装置と、前記検出装置の検出結果に基づいて、前記マスク移動装置による前記蒸着マスクの移動の向きと移動の量と、前記蒸着マスクの回転の向きと回転の量とを決定する制御装置とを有する蒸着装置である。
本発明は、真空排気された真空槽内に、同一材料で成膜される複数のピクセルを有する基板と、前記真空槽内に蒸着材料の蒸気を放出する蒸着源と、一部の前記ピクセルに前記蒸気を通過させる複数の開口部を有する蒸着マスクとを配置し、前記基板に成膜を行う薄膜形成方法であって、前記蒸着マスクの一方向に隣り合う前記開口部の中心は一直線のマスク基準線上に配置されて一列に並び、隣接する前記開口部の中心間距離が、同材料で成膜され、かつ前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離の複数倍であり、前記蒸着マスクには、前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離と同じ中心間距離にされた複数のマスクマークが設けられ、複数の前記マスクマークの中心を結ぶ直線は前記マスク基準線と平行に配置し、前記基板には、基板マークを設けておき、一の前記基板マーク上に、前記マスクマーク中の第一のマスクマークを位置させて前記ピクセル中の第一のピクセル上に前記開口部中の第一の開口部を位置させ、前記第一のピクセルに前記蒸着材料の蒸気を到達させ、次いで、一の前記基板マーク上に第二のマスクマークを位置させて第二のピクセル上に第二の開口部を位置させ、前記第二のピクセルに前記蒸着材料の蒸気を到達させる薄膜形成方法である。
大型の蒸着マスクの製作が容易となる。したがって、大型基板の成膜を蒸着マスクを使った真空蒸着法で行うことが可能となり、有機ＥＬの生産性を向上できる。
蒸着対象物である基板の平面図 本発明のピクセル型の蒸着マスクの第一例の平面図 （ａ）（ｂ）：第一の状態で偶数個のうち奇数行のピクセルが開口部と対面する場合を説明するための図 （ａ）（ｂ）：第一の状態で奇数個のうち奇数行のピクセルが開口部と対面する場合を説明するための図 （ａ）（ｂ）：第一の状態で偶数個のうち奇数行のピクセルが遮蔽部と対面する場合を説明するための図 （ａ）（ｂ）：第一の状態で奇数個のうち奇数行のピクセルが遮蔽部と対面する場合を説明するための図 本発明のピクセル型の蒸着マスクの第二例の平面図 本発明のストライプ型の蒸着マスクの平面図 本発明の蒸着装置の内部構成図 真空槽内に基板を配置した状態を説明するための図 基板保持枠を持ち上げた状態を説明するための図 基板吸着装置による基板の吸着を説明するための図 基板と蒸着マスクとの間隔調整を説明するための図 蒸着マスク交換方法を説明するための図 従来のピクセル型の蒸着マスクの平面図 従来のストライプ型の蒸着マスクの平面図 本発明のピクセル型の蒸着マスクの第三例の平面図 蒸着対象物である基板の第二例の平面図 第二例の基板の成膜に用いる蒸着マスクの平面図
本発明である蒸着マスクの構造を、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のうちいずれか一色（ここでは赤色）の発光層の有機薄膜を基板上に成膜するために使用する蒸着マスクを例に説明する。
図１は、蒸着対象物である基板５０の平面図を示している。
基板５０は互いに離間して配置された複数の発光層領域を有している。発光層領域には、赤色の発光層が形成されるべき赤発光層領域と、緑色の発光層が形成されるべき緑発光層領域と、青色の発光層が形成されるべき青発光層領域がある。図１では、赤、緑、青の発光層領域にそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの符号を付して示している。
以下、赤発光層領域をピクセルと呼び、符号５１を付して説明する。ピクセル５１は、その中心が互いに平行で等間隔の複数の基板基準線５３ａ〜５３ｃ上に位置するように配置され、各基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の中心間の距離である中心間距離は等しくされている。符号ｄ2は基板基準線５３ａ〜５３ｃの間隔を示し、符号ｄ1は各基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の中心間距離を示している。
基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１は互いに同じ形状かつ同じ大きさで、同じ向きに向けられて形成されている。
図２は本発明であるピクセル型の蒸着マスク１０の平面図を示している。
蒸着マスク１０は、蒸気が通過する開口部１１と、前記蒸気を遮蔽する遮蔽部１９とを有している。遮蔽部１９は、開口部１１を一部のピクセル５１に合せて成膜するときに、同材料（ここでは赤色の発光層の材料）が成膜されるべきピクセル５１の他部に蒸気が到達しないように遮蔽する部分である。
各開口部１１は、その中心が互いに平行で基板基準線５３ａ〜５３ｃの間隔ｄ2と同じ間隔の複数のマスク基準線１３ａ〜１３ｃ上に位置するように、互いに離間して配置される。開口部１１は各ピクセル５１と同じ形状かつ同じ大きさかつ同じ向きで形成され、マスク基準線１３ａ〜１３ｃ上の開口部１１の中心間距離は基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の中心間距離ｄ1の２倍にされている。
基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の数が偶数個（２ｍ個）の場合には、当該基板基準線に対応するマスク基準線１３ａ〜１３ｃ上に開口部１１は少なくともｍ個配置され、基板基準線５３ａ〜５３ｃのピクセル５１の数が奇数個（２ｎ−１個）の場合には、当該基板基準線に対応するマスク基準線１３ａ〜１３ｃ上に開口部１１は少なくともｎ個配置されている（以下ｍ、ｎはいずれも１以上の自然数を示している）。
基板５０の発光層領域の外側の非成膜領域には複数の点形状の基板マーク５２が形成されている（図１）。蒸着マスク１０の外周部には、第一、第二のマスクマーク１２1、１２2が形成されている（図２）。第一、第二のマスクマーク１２1、１２2は、後述のように位置合わせするとき各基板マーク５２と対面する位置を通りマスク基準線１３ａ〜１３ｃに平行な直線上に、それぞれ二つで一組の点形状で、互いにピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ離間して設けられている。すなわち、第一、第二のマスクマーク１２1、１２2は、マスク基準線に平行な直線上に、距離ｄ1だけ離間して配置されている。
以下、一組中の第二のマスクマーク１２2を始点とし、第一のマスクマーク１２1を終点とする方向を移動方向と呼ぶ。符号５は移動方向を示している。また、移動方向５の向く方向を前方、その逆方向を後方と呼ぶ。また、基板５０のピクセル５１の位置を、縦の並びを列、縦方向を列方向、横の並びを行、横方向を行方向と呼び、図の左上を基準に、左から１列、２列・・、上から１行、２行・・・と呼ぶ。
各基板マーク５２上にそれぞれ対応する第一のマスクマーク１２1が位置するように蒸着マスク１０と基板５０を配置したとき（以下第一の状態と呼ぶ）、マスク基準線１３ａ〜１３ｃの最後尾（最上行）の開口部１１は、基板基準線５３ａ〜５３ｃの最後尾（最上行）に位置するピクセル５１ａ1〜５１ｃ1に重なるように構成されている。すなわち、第一の状態では、基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の奇数行が、開口部１１と重なる位置となる。
第一の状態では、マスク基準線１３ａ〜１３ｃの開口部１１の中心間距離は基板基準線５３ａ〜５３ｃのピクセル５１の中心間距離ｄ1の２倍にされているため、各ピクセル５１に対応する位置には、マスク基準線１３ａ〜１３ｃに沿った方向に開口部１１と遮蔽部１９が交互に配置されている。すなわち、基板基準線５３ａ〜５３ｃ上の奇数行のピクセル５１は開口部１１と重なり、偶数行のピクセル５１は遮蔽部１９と重なる。
第一の状態から、蒸着マスク１０を基板５０上で移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ相対的に移動させ、各基板マーク５２上に対応する第二のマスクマーク１２2を位置させると（以下第二の状態と呼ぶ）、各開口部１１はピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ前方（列方向）に移動する。
このとき、奇数行のピクセル５１と重なっていた開口部１１は、偶数行のピクセル５１と重なる。
第一の状態にしたのち、第二の状態にすると、基板５０上の全てのピクセル５１は開口部１１と一度ずつ対面することになる。
本発明の蒸着マスク１０は、第一の状態において、マスク基準線１３ａ〜１３ｃの開口部１１が、基板基準線５３ａ〜５３ｃの最後尾に位置するピクセル５１ａ1〜５１ｃ1又は最後尾の一つ前方のピクセル５１ａ2〜５１ｃ2のいずれか一方と重なるように構成されている限りでは上記構成に限定されず、図１７に示すように、一部のマスク基準線１３ａ〜１３ｃの開口部１１は最後尾のピクセルと重なり、他のマスク基準線１３ａ〜１３ｃの開口部１１は最後尾の一つ前方のピクセルと重なるように構成されていてもよい。ただし、当該他のマスク基準線１３ａ〜１３ｃには、最後尾の一つ前方のピクセルと重なる開口部１１より後方に開口部１１が一つ以上配置されている必要がある。
具体的に説明すると、図３（ａ）は、基板５０の基板基準線５３ａ上にピクセル５１が偶数個（２ｍ個）配置されている場合を示す。各基板マーク５２上に第一のマスクマーク１２1が位置するように蒸着マスク１０を基板５０上に配置したとき、開口部１１が、基板基準線５３ａ上の奇数行に位置するピクセル５１ａに重なるように構成されている。マスク基準線１３ａに開口部１１は少なくともｍ個設けられており、ｍ個の開口部１１はそれぞれ基板基準線５３ａ上で一つおきに位置する（奇数行上の）ピクセル５１ａと対面する。
この状態から、蒸着マスク１０を移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ相対的に移動させ、各基板マーク５２に第二のマスクマーク１２2を対応させると、各開口部１１はピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ前方（列方向）に移動する。図３（ｂ）に示すように、移動前に奇数行のピクセル５１と対面していた各開口部１１は、移動前に遮蔽部１９と対面していた偶数行のピクセル５１と対面する。
また、図４（ａ）は、基板５０の基板基準線５３ａ上にピクセル５１が奇数個（２ｎ−１個）配置されている場合を示す。各基板マーク５２上に第一のマスクマーク１２1が位置するように蒸着マスク１０を基板５０上に配置したとき、開口部１１が、基板基準線５３ａ上の奇数行に位置するピクセル５１ａに重なるように構成されている。マスク基準線１３ａに開口部１１は少なくともｎ個設けられており、ｎ個の開口部１１はそれぞれ基板基準線５３ａ上で一つおきに位置する（奇数行上の）ピクセル５１ａと対面する。
この状態から、蒸着マスク１０を移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ相対的に移動させ、各基板マーク５２上に第二のマスクマーク１２2を位置させると、各開口部１１はピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ前方（列方向）に移動する。図４（ｂ）に示すように、移動前に奇数行のピクセル５１と対面していた開口部１１は移動前に遮蔽部１９と対面していた（偶数行上の）各ピクセル５１と対面する。なお、移動前に最前部（最下行）のピクセル５１ａxと対面していた開口部１１はピクセル５１の外側である非ピクセルと対面する。
また、図５（ａ）に示すように、基板５０の基板基準線５３ａ上にピクセル５１が偶数個（２ｍ個）配置されている場合で、各基板マーク５２上に第一のマスクマーク１２1が位置するように蒸着マスク１０を配置したとき、開口部１１が、基板基準線５３ａの最後尾の一つ前方に位置するピクセル５１ａ2に重なるように構成されている場合には、基板基準線５３ａに開口部１１は少なくともｍ＋１個設けられており、ｍ個の開口部１１は基板基準線５３ａ上で一つおきに位置するピクセル５１ａと対面し、最後尾のピクセル５１ａ1の上方よりもピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ後方に一つの開口部１１が配置される。
この状態から、蒸着マスク１０を基板５０上で移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ相対的に移動させ、各基板マーク５２上に第二のマスクマーク１２2を位置させると、各開口部１１はピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ前方に移動し、図５（ｂ）に示すように、最後尾のピクセル５１ａ1の上方よりもピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ後方に配置されていた開口部１１は最後尾のピクセル５１ａ1と対面し、移動前にピクセル５１と対面していた開口部１１は移動前に遮蔽部１９と対面していた最後尾より前方の各ピクセル５１と対面する。
また、図６（ａ）に示すように、基板５０の基板基準線５３ａ上にピクセル５１が奇数個（２ｎ−１個）配置されている場合で、各基板マーク５２上に第一のマスクマーク１２1が位置するように蒸着マスク１０を基板５０上に配置したとき、開口部１１が、基板基準線５３ａの最後尾の一つ前方に位置するピクセル５１ａ2の上方に位置するように構成されている場合には、基板基準線５３ａに開口部１１は少なくともｎ個設けられており、ｎ−１個の開口部１１は基板基準線５３ａ上で一つおきに位置するピクセル５１ａと対面し、最後尾のピクセル５１ａ1の上方よりもピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ後方に一つの開口部１１が配置される。
この状態から、蒸着マスク１０を基板５０上で移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ相対的に移動させ、各基板マーク５２上に第二のマスクマーク１２2を位置させると、各開口部１１はピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ前方に移動し、図６（ｂ）に示すように、最後尾のピクセル５１ａ1の上方よりもピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ後方に配置されていた開口部１１は最後尾のピクセル５１ａ1と対面し、移動前にピクセル５１と対面していた開口部１１は移動前に遮蔽部１９と対面していた最後尾より前方の各ピクセル５１と対面する。
ここでは図１に示すように、各発光層領域は、赤、緑、青のうち同色の発光層領域だけで並んだ方向の長さが１１０μｍ、三色の発光層領域が赤、緑、青の順で並んだ方向の長さが７０μｍの長方形の形状であり、隣り合う発光層領域は１０μｍの間隔で基板５０上に配置されている。
ここでは赤、緑、青のうち同色の発光層領域だけが並んだ方向で隣り合うピクセル（赤発光層領域）の間隔（１０μｍ）は、三色の発光層領域が赤、緑、青の順に並んだ方向に隣り合うピクセル（赤発光層領域）の間隔（１７０μｍ）より短い。赤、緑、青のうち同色の発光層領域だけが並んだ方向を、同材料で成膜され、かつ隣り合うピクセルの間隔が短い方向と呼ぶことができる。
基板５０の基板基準線を赤、緑、青のうち同色の発光層領域だけが並んだ方向で選んだ場合には、ピクセル型の蒸着マスク１０は、図２に示すように、マスク基準線１３ａ〜１３ｃに沿って隣り合う開口部１１は１３０μｍの間隔で形成されている（第一例）。
基板５０の基板基準線を三色の発光層領域が赤、緑、青の順に並んだ方向で選んだ場合には、ピクセル型の蒸着マスク１０は、図７に示すように、マスク基準線１３ａ〜１３ｆに沿って隣り合う開口部１１は４１０μｍの間隔で形成されている（第二例）。
上記第一例、第二例のどちらの蒸着マスクでも、隣り合う開口部１１の間隔が従来のピクセル型の蒸着マスク（図１５参照）より広いため、蒸着マスク１０に開口部１１を形成する際に強度不足のために蒸着マスク１０が破損する虞が従来より低減する。
図２に示される第一例の蒸着マスク１０のように、同材料で成膜され、かつ隣り合うピクセルの間隔が短い方向に、開口部１１の中心間距離を離すように開口部１１を形成すると、従来の蒸着マスク（図１５）と比べてマスクの細い部分（幅が１０μｍの帯状部分）がなくなるため第二例の蒸着マスク（図３）より好ましい。具体的には、ピクセル５１ａ1とピクセル５１ａ2の間隔が、ピクセル５１ａ1とピクセル５１ｂ1の間隔より狭い。このため、ピクセル５１ａ1とピクセル５１ａ2の中心を結ぶ方向に、開口部１１の間隔を空けると、マスクの開口部１１の間隔が従来のマスクより広くなり、従来の蒸着マスクと比べてマスクの細い部分がなくなる。
蒸着マスク１０上の開口部１１は、図７のように複数のマスク基準線１３ａ〜１３ｆのいずれかのマスク基準線上に配置されている構成に限定されず、図８に示すように同一のマスク基準線１３上に配置されていてもよい。
図８はストライプ型の蒸着マスク１０の平面図を示している。各開口部１１はマスク基準線１３に垂直な方向の長さが赤、緑、青のうち同色の発光層領域だけが並んだ方向のピクセル５１全体の長さよりも長い帯状に形成され、開口部１１の中心間距離は、三色の発光層領域が赤、緑、青の順に並んだ方向の同色のピクセル５１の中心間距離の２倍にされている。
従って上述の大きさの基板５０の蒸着に用いる蒸着マスク１０では、マスク基準線１３に沿って隣り合う開口部１１は４１０μｍの間隔で形成されている。隣り合う開口部１１の間隔が従来のストライプ型の蒸着マスク（図１６参照）より広いため、蒸着マスク１０に開口部１１を形成する際に強度不足のために蒸着マスク１０が破損する虞が従来より低減する。
本発明の蒸着マスク１０は、成膜対象であるピクセルが、図１のように基板５０上に配置されている場合に限定されず、図１８のように基板５０’上に千鳥に配置されている場合にも利用できる。
この場合の蒸着マスク１０も、図１９に示すように、マスク基準線１３ａ〜１３ｃ上の開口部１１の中心間距離が基板基準線５３ａ〜５３ｃ上のピクセル５１の中心間距離ｄ1の２倍にされており、第一の状態において、マスク基準線１３ａ〜１３ｃの開口部１１が、基板基準線５３ａ〜５３ｃの最後尾（奇数行）に位置するピクセル５１ａ1〜５１ｃ1又は最後尾の一つ前方（偶数行）のピクセル５１ａ2〜５１ｃ2のいずれか一方と重なるように構成されていればよい。
次に、上述の蒸着マスク１０を使用する蒸着装置の構成を説明する。図９は蒸着装置４０の内部構成図を示している。
蒸着装置４０は真空槽４１と真空排気装置４９を有している。真空排気装置４９は真空槽４１の外側に配置され、真空槽４１内を真空排気可能に構成されている。
蒸着装置４０は蒸着源４２を有している。
蒸着源４２は供給源４２ａと放出装置４２ｂを有している。ここでは供給源４２ａは真空槽４１の外側に配置され、放出装置４２ｂは真空槽４１内に配置されている。
供給源４２ａと放出装置４２ｂはそれぞれ箱状の筺体を有している。
供給源４２ａの筺体の内部には、固体又は液体の有機材料が配置されるるつぼと、この有機材料を加熱する加熱手段とが配置されている。るつぼに成膜材料である有機材料を配置し、加熱して、有機材料の蒸気を発生させるように構成されている。
供給源４２ａの筺体は配管によって放出装置４２ｂの筺体に接続されており、供給源４２ａから有機材料の蒸気が放出装置４２ｂの筺体に供給される。
放出装置４２ｂの筺体の一面には放出口４２ｃが形成されている。
放出装置４２ｂの放出口４２ｃは鉛直上方に向けられており、放出口４２ｃからは有機材料の蒸気が真空槽４１内の上方に向けて放出されるように構成されている。
放出口４２ｃの上方には「ロ」字形状のマスク保持枠４３が、「ロ」字形状の開口部分が放出口４２ｃと対面するように水平に配置されている。マスク保持枠４３の内周の大きさは蒸着マスク１０の外周の大きさよりも小さく形成されている。
蒸着マスク１０はマスク保持枠４３上に載置され、放出口４２ｃと対面する位置で水平に支持されている。符号１２は一組中の第一、第二のマスクマーク１２1、１２2をまとめて示している。
次に、この蒸着装置４０を使用した成膜形成方法を説明する。
まず、真空槽４１内を真空排気しておく。以後、真空排気を続けて真空槽４１の真空雰囲気を維持する。
蒸着源４２の供給源４２ａで有機材料の蒸気を発生させておく。ただし、放出口４２ｃからはまだ蒸気の発生を開始させないようにする。
真空槽４１内には蒸着マスク１０の真上位置を通る水平な直線上に搬送経路が定められ、搬送経路に沿ってローラー方式の搬送機構６２が設けられている。
搬送機構６２は搬送部材として二つで一組の円筒状のローラー６２ａを複数組有している。ローラー６２ａは組ごとに搬送経路に沿って一列に並んで配置され、一組中の二つのローラー６２ａは搬送経路を中央にして互いに反対側に、それぞれの円筒形の一端部が向かい合うように配置されている。
ローラー６２ａの他端部にはモーター６２ｂが固定されている。モーター６２ｂは不図示の制御装置から制御信号を受けるとローラー６２ａを円筒形の中心軸線の周りに回転させるように構成されている。
基板５０は「ロ」字形状の基板保持枠６１（図９では不図示）に置載されて搬送機構６２上を搬送される。
基板保持枠６１の「ロ」字形状の内周は基板５０表面（成膜面）のピクセル５１全体より大きくかつ基板５０の外周より小さく形成されている。基板保持枠６１の幅は搬送機構６２の互いに向かい合うローラー６２ａの間隔よりも広く形成されている。
まず、真空槽４１の外側で成膜面を下方に向けた状態で基板５０を基板保持枠６１上に載置する。このときピクセル５１全体は「ロ」字形状の開口から下方に露出しかつ基板５０自体は「ロ」字形状の開口から落下しないようになっている。
図１０に示すように、真空槽４１内の真空雰囲気を維持しながら、不図示の搬入装置を使って、真空槽４１内に基板保持枠６１を搬入し、搬送機構６２のローラー６２ａ上に水平に載せる。
ローラー６２ａを回転させて基板保持枠６１を移動させ、基板５０の成膜面がマスク保持枠４３上の蒸着マスク１０と対面する位置で基板保持枠６１を静止させる。
マスク保持枠４３の側方には基板保持枠昇降装置４５が配置されている。
基板保持枠昇降装置４５は接触部４５ａと接触部昇降機構４５ｂを有している。
接触部４５ａは基板保持枠６１の下方を向いた面と対面する位置に配置されている。
接触部昇降機構４５ｂは不図示の制御装置から制御信号を受けると、接触部４５ａを鉛直方向に移動させるように構成されている。
図１１に示すように、接触部４５ａを基板保持枠６１に向かって鉛直上方に移動させ、基板保持枠６１に接触させ、接触部４５ａを介して基板保持枠６１を持ち上げ、基板保持枠６１をローラー６２ａから離間した位置で静止させる。
基板保持枠６１をローラー６２ａから離間させることで、搬送機構６２の振動が基板保持枠６１に伝わることを防止できる。
基板５０の裏面（上側）と対面する位置には基板吸着装置６４が配置されている。基板吸着装置６４は基板吸着板６４ａと接着部材６４ｂを有している。
基板吸着板６４ａの一面（以下表面と呼ぶ）は平面状に形成され、貫通孔が形成されている。貫通孔の形状は周囲を囲まれた孔形状に限定されず、周囲の一部に開口を有する切り欠き形状でもよい。基板吸着板６４ａの裏面には棒状の板吊り下げ棒６４ｄが鉛直に固定されている。
接着部材６４ｂは板部と凸部を有している。凸部は、基板吸着板６４ａの厚みよりも長く、貫通孔よりも径が小さく形成されている。板部の一面（以下表面と呼ぶ）を基板吸着板６４ａの裏面に近づけたときに、凸部は貫通孔から突出する。板部には板吊り下げ棒６４ｄの端部と対面する位置に板吊り下げ棒６４ｄの径よりも大きい開口が形成されている。板部の裏面の開口には管状の部材吊り下げ管６４ｅが連通するように鉛直に固定されている。
部材吊り下げ管６４ｅの径は板吊り下げ棒６４ｄの径よりも大きく形成されている。板吊り下げ棒６４ｄの一端は部材吊り下げ管６４ｅに挿入され、板吊り下げ棒６４ｄの中心軸線と部材吊り下げ管６４ｅの中心軸線は互いに平行にされている。
基板吸着装置６４は、板吊り下げ棒６４ｄの一端が部材吊り下げ管６４ｅに挿入された状態を維持しながら、基板吸着板６４ａと接着部材６４ｂを相対的に近づけるように移動させると、接着部材６４ｂの凸部の先端が基板吸着板６４ａの裏面から貫通孔を通って、基板吸着板６４ａの表面に突出するように構成されている。
基板吸着装置６４は真空槽４１内で、板吊り下げ棒６４ｄと部材吊り下げ管６４ｅの中心軸線が水平面に対して垂直で、基板吸着板６４ａの表面が基板５０の裏面と対面するように配置されている。
板吊り下げ棒６４ｄの一端と部材吊り下げ管６４ｅの一端はそれぞれ真空槽４１の内壁を気密に貫通し、真空槽４１の外側に配置された吸着装置移動機構６４ｃに接続されている。
吸着装置移動機構６４ｃは不図示の制御装置から制御信号を受けると、板吊り下げ棒６４ｄと部材吊り下げ管６４ｅをそれぞれの中心軸線に平行な方向に昇降するように構成されている。
基板吸着板６４ａはポリイミドと、セラミックと、ＳｉＣと、ＢＮのうちいずれか１種類の材質を含有し、内部に電極が設けられて静電吸着機構を構成する。電極には真空槽４１の外側に配置された不図示の電源装置が電気的に接続されている。基板吸着板６４ａは、内部の電極に電源装置から所定の直流電圧を印加されると、吸着対象物との間に静電気力による引力を生じさせるように構成されている。
接着部材６４ｂの凸部の先端には接着剤層が固定されている。
基板保持枠６１上の基板５０は、その縁部で基板保持枠６１と接触して支持されているが、成膜面は基板保持枠６１の開口と対面しているため、重力によって下方に膨らむように変形する場合がある。後述する成膜工程の前に基板５０の成膜面の変形を解消して平面にしておく必要がある。
まず、基板吸着板６４ａを下降させ、基板吸着板６４ａの表面が基板５０の裏面と接触する位置又はごくわずかな隙間を持って離間した位置で静止させる。
接着部材６４ｂを下降させ、凸部先端の接着剤層を基板５０の裏面に接触させ、押圧して、基板５０の裏面を接着剤層を介して接着部材６４ｂの凸部の先端に接着させる。
図１２に示すように、接着部材６４ｂを上昇させ、凸部の先端を貫通孔に進入させながら、凸部の先端に接着された基板５０の裏面を基板吸着板６４ａの表面に接触させる。基板吸着板６４ａ内部の電極に所定の直流電圧を印加して、基板５０との間に静電引力を生じさせる。基板５０の裏面は基板吸着板６４ａの表面に静電吸着される。
基板５０の裏面を基板吸着板６４ａの表面に面で静電吸着することで、以後基板５０を平面の状態に維持できる。
接着部材６４ｂを上昇させ、接着剤層による基板５０裏面との接着を解消させ、凸部先端の接着剤層を基板５０の裏面から離間させる。
マスク保持枠４３にはマスク保持枠移動装置４４が接続されている。
マスク保持枠移動装置４４はここではマスク保持枠移動回転装置４４ａと、マスク保持枠昇降装置４４ｂとを有している。マスク保持枠移動回転装置４４ａはマスク保持枠４３に接続され、マスク保持枠昇降装置４４ｂはマスク保持枠移動回転装置４４ａに接続されている。
マスク保持枠移動回転装置４４ａは、真空槽４１の外側に配置されたマスク保持枠移動制御装置６９から制御信号を受けると、マスク保持枠４３を互いに直交する水平な二方向（ＸＹ方向）に移動させ、かつ水平面に対して鉛直な回転軸線の周り（Θ方向）に回転させるように構成されている。
マスク保持枠昇降装置４４ｂは、マスク保持枠移動制御装置６９から制御信号を受けると、マスク保持枠移動回転装置４４ａと一緒にマスク保持枠４３を上昇又は下降させるように構成されている。
マスク保持枠移動制御装置６９には、マスク保持枠４３上の蒸着マスク１０と、基板５０との相対位置関係を検出する検出装置が接続されている。
ここでは、検出装置は撮像装置６３であり、基板５０上の基板マーク５２の真上位置に、レンズを鉛直下方に向けて配置されている。撮像装置６３は基板マーク５２と、透明な基板５０を介して蒸着マスク１０上のマスクマーク１２の両方を撮像可能に構成されている。
マスク保持枠移動制御装置６９は撮像装置６２の撮像結果から、マスクマーク１２を水平面に正射影した射影マスクマークと、基板マーク５２を水平面に正射影した射影基板マークとの相対位置関係を測定し、射影マスクマークと射影基板マークが一致するように、マスク保持枠移動回転装置４４ａによるマスク保持枠４３の移動の向きと移動の量と、マスク保持枠４３の回転の向きと回転の量とを決定するように構成されている。
またマスク保持枠移動制御装置６９は、蒸着マスク１０表面の高さと基板５０表面の高さをあらかじめ分かっており、蒸着マスク１０表面と基板５０表面との間の間隔が所定の距離（ゼロでもよい）になるように、マスク保持枠昇降装置４４ｂによるマスク保持枠４３の移動の向きと移動の量とを決定するように構成されている。
マスク保持枠４３上の蒸着マスク１０と、基板５０とを位置合わせする装置を位置合わせ装置と呼ぶと、ここではマスク保持枠移動４４と、検出装置と、マスク保持枠移動制御装置６９で位置合わせ装置が構成されている。
図１３に示すように、まず蒸着マスク１０表面と基板５０表面との間の間隔が所定の距離になるように、マスク保持枠４３を上昇させる。蒸着マスク１０表面と基板５０表面との間の間隔は、間隔が開きすぎると基板５０表面に輪郭がぼやけた薄膜が成膜されるため、５０μｍ〜０μｍ（密着）が望ましい。
次いで、撮像装置６３で基板マーク５２とここでは上述の第一のマスクマーク１２1をそれぞれ撮像し、撮像結果に基づいて当該射影マスクマークと射影基板マークが一致するようにマスク保持枠４３を水平方向に移動させ、かつ水平面に対して鉛直な回転軸線の周りに回転させ、上述の第一の状態にする。このとき、例えば図３（ａ）を参照し、ピクセル５１と対面する位置には基板基準線５３ａ〜５３ｃに沿った方向に開口部１１と遮蔽部１９が交互に配置される。
次いで、基板５０と蒸着マスク１０をいずれも静止させた状態で、第一の状態を維持しながら、放出口４２ｃから成膜材料の蒸気を放出させると、蒸気は蒸着マスク１０の各開口部１１を通って、開口部１１と対面するピクセル５１にそれぞれ到達し、当該ピクセル５１に成膜材料の薄膜が成膜される。
基板５０上に所定の時間成膜したのち、放出口４２ｃから蒸気の放出を停止させる。
次いで、蒸着マスク１０をマスク保持枠４３と一緒に上述の移動方向５にピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ移動させる。
撮像装置６３で基板マーク５２と上述の第二のマスクマーク１２2をそれぞれ撮像し、撮像結果に基づいて当該射影マスクマークと射影基板マークが一致するようにマスク保持枠４３を水平方向に移動させ、かつ水平面に対して鉛直な回転軸線の周りに回転させて位置合わせし、上述の第二の状態にする。このとき例えば図３（ｂ）を参照し、第一の状態では遮蔽部１９と対面していた未成膜の各ピクセル５１と対面する位置に開口部１１が配置され、第一の状態では開口部１１と対面していて既に成膜された各ピクセル５１と対面する位置に遮蔽部１９が配置される。
次いで、基板５０と蒸着マスク１０をいずれも静止させた状態で、第二の状態を維持しながら、放出口４２ｃから成膜材料の蒸気を放出させると、蒸気は蒸着マスク１０の各開口部１１を通って、基板５０の未成膜の各ピクセル５１にそれぞれ到達し、当該ピクセル５１のそれぞれに成膜材料の薄膜が成膜される。
このようにして、本発明の蒸着マスク１０を用いて基板５０上の同色のすべてのピクセル５１に薄膜を成膜できる。
基板５０上に所定の時間成膜したのち、放出口４２ｃから蒸気の放出を停止させる。
マスク保持枠４３を下降させ、蒸着マスク１０表面を基板５０表面から離間させる。
基板吸着板６４ａ内部の電極への直流電源の印加を停止して基板５０の静電吸着を解除し、基板５０を基板保持枠６１上に載せる。基板吸着板６４ａと接着部材６４ｂの両方を基板５０から上昇させ、元の位置で静止させる。
基板保持枠昇降装置４５の接触部４５ａを基板保持枠６１と一緒に下降させ、基板保持枠６１をローラー６２ａに載せる。接触部４５ａをさらに下降させ、基板保持枠６１から離間させる。
ローラー６２ａを回転させ、蒸着マスク１０を真空槽４１内に残したまま、基板保持枠６１を蒸着マスク１０と対面する位置から移動させる。真空槽４１内の真空雰囲気を維持しながら不図示の搬出装置を使って基板保持枠６１を真空槽４１の外側に搬出する。
所定の枚数の基板５０を成膜した後に行う蒸着マスクの交換方法を説明する。
図９を参照し、マスク保持枠４３の上方にはマスク交換手段６５が配置されている。マスク交換手段６５は棒状の腕部６５ａと腕部吊り下げ棒６５ｂと腕部移動機構６５ｃを有している。
腕部吊り下げ棒６５ｂは蒸着マスク１０表面と対面する位置の外側に、中心軸線を水平面に対して鉛直な向きで配置されている。
腕部吊り下げ棒６５ｂの一端は腕部６５ａの一端に互いの中心軸線が直角に交差する向きで固定され、腕部吊り下げ棒６５ｂの他端は真空槽４１の内壁を気密に貫通し、真空槽４１の外側に配置された腕部移動機構６５ｃに接続されている。
腕部移動機構６５ｃは不図示の制御装置から制御信号を受けると、腕部吊り下げ棒６５ｂを介して腕部６５ａを、腕部吊り下げ棒６５ｂの中心軸線の周りに回転させ、かつ腕部６５ａを上昇又は下降させるように構成されている。
腕部６５ａが蒸着マスク１０表面と対面しないように腕部吊り下げ棒６５ｂを回転させたのち、腕部６５ａを下降させ、蒸着マスク１０の側方に位置させる。次いで腕部吊り下げ棒６５ｂを回転させて腕部６５ａを蒸着マスク１０の裏面とマスク保持枠４３の間に挿入する。腕部６５ａを上昇させ、蒸着マスク１０をマスク保持枠４３から離間させる。蒸着マスク１０を搬送経路の上方で静止させておく。
図１４に示すように、真空槽４１内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬入装置を使って、蒸着マスク１０を載置可能なマスク搬送板６７を真空槽４１内に搬入し、ローラー６２ａに載せる。ローラー６２ａを回転させてマスク搬送板６７を移動させ、蒸着マスク１０の真下位置で静止させる。
腕部６５ａを下降させ、蒸着マスク１０をマスク搬送板６７上に載せる。腕部吊り下げ棒６５ｂを回転させて腕部６５ａを蒸着マスク１０の裏面とマスク搬送板６７との間から抜き出したのち、上昇させて元の位置で静止させる。
ローラー６２ａを回転させてマスク搬送板６７を移動させ、真空槽４１内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬出装置を使って、マスク搬送板６７を真空槽４１の外側に搬出する。
次いで、真空槽４１内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬入装置を使って、未使用の蒸着マスク１０が載置されたマスク搬送板６７を真空槽４１内に搬入し、ローラー６２ａに載せる。ローラー６２ａを回転させてマスク搬送板６７を移動させ、マスク保持枠４３と対面する位置で静止させる。
腕部６５ａを下降させ、蒸着マスク１０の側方に位置させる。次いで腕部吊り下げ棒６５ｂを回転させて腕部６５ａを蒸着マスク１０の裏面とマスク搬送板６７の間に挿入する。腕部６５ａを上昇させ、蒸着マスク１０をマスク搬送板６７から離間させ、マスク搬送板６７の上方で静止させる。
ローラー６２ａを回転させて空のマスク搬送板６７を移動させ、真空槽４１内の真空雰囲気を維持したまま、不図示の搬出装置を使って、空のマスク搬送板６７を真空槽４１の外側に搬出する。
腕部６５ａを下降させ、蒸着マスク１０をマスク保持枠４３上に載せる。腕部吊り下げ棒６５ｂを回転させて腕部６５ａを蒸着マスク１０の裏面とマスク保持枠４３との間から抜き出したのち、上昇させて元の位置で静止させる。
このようにして図９に示すように未使用の蒸着マスク１０をマスク保持枠４３上に載置できる。
本発明の基板マーク５２とマスクマーク１２の構成は、上述のように、蒸着マスク１０上の基板マーク５２と対面する位置に二つで一組の第一、第二のマスクマーク１２1、１２2が互いにピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ離間して設けられている場合に限定されず、基板５０上のマスクマーク１２と対面する位置に二つで一組の基板マークが基板基準線５３ａ〜５３ｃに沿って互いにピクセル５１の中心間距離ｄ1だけ離間して設けられていてもよい。
本発明の蒸着マスク１０の開口部１１の中心間距離は、上述のように、ピクセル５１の中心間距離ｄ1の２倍にされている場合に限定されず、ピクセル５１の中心間隔ｄ1の３倍以上にされていてもよい。すなわち、蒸着マスクの一方向に隣り合う開口部の中心間距離が、同材料で成膜され、かつ上記一方向に隣り合うピクセルの中心間距離の複数倍であればよい。また、蒸着マスクは、上記一方向に隣り合うピクセルの中心間距離と同じ中心間距離で配置された複数個のマスクマークを有する。上記複数倍の時、基板と蒸着マスクを相対移動する回数は、（複数倍−１）回となる。
蒸着マスク１０を基板５０上に配置すると、ピクセル５１と対面する位置には、基板基準線に沿った方向に一つの開口部１１と二つ以上連続した遮蔽部１９とが交互に配置されるように構成されており、その状態から、基板５０と蒸着マスク１０とを移動方向５にピクセル５１の中心間隔ｄ1だけ相対的に移動させることを二度以上繰り返すと、各ピクセル５１の上方に一度ずつ開口部１１を配置することができる。
この場合、上述のような開口部１１の中心間距離がピクセル５１の中心間距離の２倍にされた蒸着マスクよりも、隣り合う開口部１１の間隔が広いため、蒸着マスク１０に開口部１１を形成するときに強度不足のために蒸着マスク１０が破損する虞をさらに低減することができる。
本発明の蒸着装置４０の搬送機構６２は上記のようなローラー方式に限定されず、真空槽４１内で対象物を水平に搬送できるならばベルトコンベア方式やリニアモーター方式、ロボットアーム方式等でもよい。
本発明の蒸着装置４０は上述のように、放出口４２ｃを鉛直上方に向け、放出口４２ｃの上方にマスク１０と基板５０を順にそれぞれ水平に配置する構造に限定されず、放出口４２ｃを鉛直下方に向け、放出口４２ｃの下方にマスク１０と基板５０を順にそれぞれ水平に配置するように構成してもよいし、水平面に対して鉛直に交差する一面を基準面とし、放出口４２ｃを基準面に向け、放出口４２ｃと対面する位置にマスク１０と基板５０を順にそれぞれ基準面に平行に立てた状態で配置するように構成してもよい。
１０……蒸着マスク
１１……開口部
１２……マスクマーク
１９……遮蔽部
４０……蒸着装置
４１……真空槽
４２……蒸着源
４９……真空排気装置
５０……基板
５１……ピクセル
５２……基板マーク
５３ａ〜５３ｃ……基板基準線

Claims (5)

  1. 基板上の同材料が成膜される複数のピクセルに蒸気が到達できるように構成された蒸着マスクであって、
    一部の前記ピクセルに前記蒸気を通過させる複数の開口部を有し、
    前記蒸着マスクの一方向に隣り合う前記開口部の中心は一直線のマスク基準線上に配置されて一列に並び、隣接する前記開口部の中心間距離が、同材料で成膜され、かつ前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離の複数倍であり、
    前記蒸着マスクは、前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離と同じ中心間距離にされた複数のマスクマークを有し、
    複数の前記マスクマークの中心を結ぶ直線は前記マスク基準線と平行に配置され、
    前記基板に形成された一の基板マークに対して前記マスクマーク中の第一のマスクマークが位置したときに、前記ピクセル中の第一のピクセル上に位置した前記開口部は、一の前記基板マーク上に、前記第一のマスクマークから前記中心間距離離間した第二のマスクマークが位置したときに、第二のピクセル上に位置するようにされた蒸着マスク。
  2. 前記一方向は、同材料で成膜され、かつ隣り合う前記ピクセルの間隔が短い方向である請求項１記載の蒸着マスク。
  3. 請求項１又は請求項２のいずれか１項記載の蒸着マスクと、
    前記蒸着マスクが内部に配置される真空槽と、
    前記真空槽内を真空排気する真空排気装置と、
    前記真空槽内に蒸着材料の蒸気を放出する蒸着源と、
    前記蒸着マスクと前記基板とを位置合わせする位置合わせ装置と、
    を有する蒸着装置。
  4. 前記位置合わせ装置は、
    前記蒸着マスクの有する前記マスクマークと、前記基板の有する前記基板マークを検出する検出装置と、
    前記蒸着マスクを、前記蒸着マスク表面に平行な方向に移動させ、かつ前記蒸着マスク表面に垂直な回転軸線の周りに回転させるマスク移動装置と、
    前記検出装置の検出結果に基づいて、前記マスク移動装置による前記蒸着マスクの移動の向きと移動の量と、前記蒸着マスクの回転の向きと回転の量とを決定する制御装置と
    を有する請求項３記載の蒸着装置。
  5. 真空排気された真空槽内に、同一材料で成膜される複数のピクセルを有する基板と、前記真空槽内に蒸着材料の蒸気を放出する蒸着源と、一部の前記ピクセルに前記蒸気を通過させる複数の開口部を有する蒸着マスクとを配置し、前記基板に成膜を行う薄膜形成方法であって、
    前記蒸着マスクの一方向に隣り合う前記開口部の中心は一直線のマスク基準線上に配置されて一列に並び、隣接する前記開口部の中心間距離が、同材料で成膜され、かつ前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離の複数倍であり、
    前記蒸着マスクには、前記一方向に隣り合う前記ピクセルの中心間距離と同じ中心間距離にされた複数のマスクマークが設けられ、
    複数の前記マスクマークの中心を結ぶ直線は前記マスク基準線と平行に配置し、
    前記基板には、基板マークを設けておき、
    一の前記基板マーク上に、前記マスクマーク中の第一のマスクマークを位置させて前記ピクセル中の第一のピクセル上に前記開口部中の第一の開口部を位置させ、前記第一のピクセルに前記蒸着材料の蒸気を到達させ、次いで、一の前記基板マーク上に第二のマスクマークを位置させて第二のピクセル上に第二の開口部を位置させ、前記第二のピクセルに前記蒸着材料の蒸気を到達させる薄膜形成方法。
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Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6078741B2 (ja) * 2011-11-04 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法及びマスク
JP5899585B2 (ja) * 2011-11-04 2016-04-06 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法
TWI555862B (zh) 2011-09-16 2016-11-01 V科技股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法
CN104160783B (zh) 2012-03-07 2016-06-08 株式会社钟化 发光器件的制造方法及发光器件
TWI486465B (zh) * 2012-08-29 2015-06-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 遮罩以及有機發光材料層的製作方法
CN102956845B (zh) * 2012-10-12 2016-07-13 华映视讯（吴江）有限公司 屏蔽以及有机发光材料层的制作方法
JP5382257B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
CN103305798B (zh) * 2013-05-21 2015-08-26 上海和辉光电有限公司 蒸镀装置及利用该蒸镀装置进行的蒸镀工艺
JP5455099B1 (ja) 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP5516816B1 (ja) 2013-10-15 2014-06-11 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5641462B1 (ja) 2014-05-13 2014-12-17 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
TWI671411B (zh) 2015-02-10 2019-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
KR102411542B1 (ko) * 2015-05-19 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 픽셀 패터닝 및 픽셀 위치 검사 방법과 그 패터닝에 사용되는 마스크
KR102520693B1 (ko) * 2016-03-03 2023-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자의 증착장치
WO2018131474A1 (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの製造方法
JP6376483B2 (ja) * 2017-01-10 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法
CN114015979A (zh) * 2017-11-30 2022-02-08 佳能特机株式会社 蒸镀装置
CN109055892B (zh) * 2018-07-27 2020-01-10 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及蒸镀装置
CN109023236A (zh) * 2018-08-20 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 蒸镀系统以及oled发光器件的制备方法
CN110923633B (zh) * 2019-12-18 2022-11-18 京东方科技集团股份有限公司 掩膜组件、蒸镀装置及蒸镀方法
KR20210086073A (ko) 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 및 이를 이용한 유기발광 표시패널의 제조방법
WO2021199401A1 (ja) * 2020-04-02 2021-10-07 シャープ株式会社 蒸着マスク、表示パネル、及び表示パネルの製造方法
KR20230153052A (ko) * 2022-04-28 2023-11-06 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 전자 디바이스의 제조방법 및 컴퓨터 프로그램 기록매체

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3928823B2 (ja) * 1997-05-09 2007-06-13 パイオニア株式会社 発光ディスプレイパネル、その製造方法、及びその第２電極製造用マスク
JP3517099B2 (ja) * 1997-10-30 2004-04-05 シャープ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP3019095B1 (ja) * 1998-12-22 2000-03-13 日本電気株式会社 有機薄膜ｅｌデバイスの製造方法
JP4928073B2 (ja) * 2004-11-16 2012-05-09 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
JP4510609B2 (ja) * 2004-12-21 2010-07-28 株式会社アルバック 基板とマスクのアライメント方法および有機薄膜蒸着方法ならびにアライメント装置
JP4609756B2 (ja) * 2005-02-23 2011-01-12 三井造船株式会社 成膜装置のマスク位置合わせ機構および成膜装置
CN100587103C (zh) * 2005-08-25 2010-02-03 日立造船株式会社 真空蒸镀用校准装置
JP5103205B2 (ja) * 2008-01-30 2012-12-19 株式会社イシダ 計量装置
KR101453877B1 (ko) * 2008-08-04 2014-10-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 ｅｌ 소자의 발광층을 증착하는 방법, 상기 증착방법을 포함하는 유기 ｅｌ 소자의 제조 방법, 및 상기제조 방법에 의해 제조된 유기 ｅｌ 소자

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