TWI671411B - 有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法 - Google Patents

有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明的課題為提供一種可於第1面上穩定設置窄寬度之抗蝕圖型的金屬板。
本發明的解決手段為一種金屬板之製造方法，其係具備準備由包含鎳之鐵合金所構成之板材的準備步驟。將作為從板材所得之金屬板之第1面的組成分析使用X光光電子分光法實施之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2成為0.4以下。

Description

有機EL顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機EL顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
本發明係關於製造形成複數通孔之蒸鍍遮罩的方法。又本發明係關於為了製作蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法。
近年來，對於在智慧型手機或平板電腦等之可攜帶裝置所使用之顯示裝置，要求高精細，例如像素密度為300ppi以上。又，即使在可攜帶之裝置，對應全高清的需要也跟著提高，此情況下，尋求顯示裝置被要求像素密度為例如450ppi以上。
由於反應性的良好及消費電力較低，使得有機EL顯示裝置受到注目。作為形成有機EL顯示裝置之像素的方法，已知有使用包含以所期望圖型排列之通孔的蒸鍍遮罩，以所期望圖型形成像素之方法。具體而言，首先使蒸鍍遮罩密著於有機EL顯示裝置用之基板，接下來，將經密著之蒸鍍遮罩及基板一起投入蒸鍍裝置，進行有機材料等之蒸鍍。
蒸鍍遮罩一般而言可藉由使用光微影技術之蝕刻，於金屬板形成通孔，而製得(例如參照專利文獻1)。例如首先於金屬板之第1面上形成第1抗蝕圖型，又於金屬板之第2面上形成第2抗蝕圖型。其次，蝕刻金屬板之第2面當中未藉由第2抗蝕圖型被覆之區域，而於金屬板之第2面形成第2凹部。然後，蝕刻金屬板之第1面當中未藉由第1抗蝕圖型被覆之區域，而於金屬板之第1面形成第1凹部。此時，藉由第1凹部與第2凹部彼此互通的方式進行蝕刻，可形成貫通金屬板之通孔。
在使用蒸鍍遮罩之蒸鍍步驟，首先，以蒸鍍遮罩之第2面側面對基板的方式，來配置蒸鍍遮罩及基板。又，於蒸鍍遮罩之第1面側，配置保具有機材料等之蒸鍍材料之坩堝。其次，加熱蒸鍍材料使蒸鍍材料氣化或昇華。經氣化或昇華之蒸鍍材料透過蒸鍍遮罩之通孔附著於基板。此結果，以對應蒸鍍遮罩之通孔的位置之所期望圖型，蒸鍍材料成膜於基板的表面。
[先前技術文獻】 [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2014-148740號公報
隨著有機EL顯示裝置之像素密度提高，蒸鍍 遮罩之通孔之尺寸或排列間距縮小。又，藉由使用光微影技術之蝕刻，於金屬板形成通孔的情況下，設置在金屬板之第1面或第2面之抗蝕圖型的寬度亦變狹小。因此，在用以形成抗蝕圖型之抗蝕膜，尋求具有高度解析度。又，抗蝕圖型的寬度變狹小，係意指抗蝕圖型與金屬板之間的密著面積縮小。因此，在用以形成抗蝕圖型之抗蝕膜中，尋求具有對於金屬板之高度密著力。
本發明係考量如此之課題而完成者，以提供一種製造可於金屬板之表面穩定設置窄寬度之抗蝕圖型的金屬板之方法及金屬板作為目的。又本發明係關於使用如此之金屬板來製造蒸鍍遮罩之方法。
本發明係一種金屬板之製造方法，其係為了形成複數通孔而製造蒸鍍遮罩所使用之金屬板之製造方法，其特徵為具備準備由包含鎳之鐵合金所構成之板材的準備步驟，將從前述板材所得之前述金屬板之前述第1面的組成分析使用X光光電子分光法，作為經實施之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，對前述金屬板照射之X光對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度。
藉由本發明之金屬板之製造方法可進一步包含退火前述板材，而得到前述金屬板之退火步驟。
在藉由本發明之金屬板之製造方法，前述退火步驟可於惰性氣體環境實施。
在藉由本發明之金屬板之製造方法，前述準備步驟，可包含軋製由包含鎳之鐵合金所構成之母材之軋製步驟。
在藉由本發明之金屬板之製造方法，前述準備步驟可包含利用鍍敷液，來製作鍍膜之製箔步驟，該鍍敷液係包含：包含鎳化合物之溶液、與包含鐵化合物之溶液。
在藉由本發明之金屬板之製造方法，前述金屬板之厚度可為85μm以下。
在藉由本發明之金屬板之製造方法，前述金屬板可為將貼附於前述金屬板之前述第1面的乾膜進行曝光及顯影，以形成第1抗蝕圖型，蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述第1抗蝕圖型被覆之區域，用以製造前述蒸鍍遮罩者。
本發明係一種金屬板，其係為了形成複數通孔而製造蒸鍍遮罩所使用之金屬板，作為使用X光光電子分光法，實施前述金屬板之第1面的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光 光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，往前述金屬板照射之X光相對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度。
在藉由本發明之金屬板，前述金屬板之厚度可為85μm以下。
在藉由本發明之金屬板，前述金屬板可為將貼附於前述金屬板之前述第1面的乾膜進行曝光及顯影，以形成第1抗蝕圖型，蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述抗蝕圖型被覆之區域，用以製造前述蒸鍍遮罩者。
本發明係一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係製造形成複數通孔之蒸鍍遮罩的方法，其係具備：準備金屬板之步驟、與於前述金屬板之第1面上形成第1抗蝕圖型之第1抗蝕圖型形成步驟、與蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述抗蝕圖型被覆之區域且於前述金屬板之前述第1面形成以劃成前述通孔的方式形成之第1凹部的蝕刻步驟，將使用X光光電子分光法實施前述金屬板之前述第1面的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，且將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，對前述金屬板照射之X光對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度。
在藉由本發明之蒸鍍遮罩之製造方法，前述金屬板之厚度可為85μm以下。
在藉由本發明之蒸鍍遮罩之製造方法，前述第1抗蝕圖型形成步驟可包含貼合乾膜於前述金屬板之第1面之步驟、與曝光及顯影乾膜而形成前述第1抗蝕圖型之步驟。
本發明係一種蒸鍍遮罩，其係具備包含第1面及位於與前述第1面之相反側的第2面之金屬板、與以從前述金屬板之前述第1面對前述第2面貫通的方式形成於前述金屬板之複數通孔，前述通孔係具有形成於前述金屬板之前述第2面之第2凹部、與以和前述第2凹部連接的方式形成於前述金屬板之前述第1面之第1凹部，將作為使用X光光電子分光法實施前述金屬板之前述第1面的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，且將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，往前述金屬板照射之X光相對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度。
在藉由本發明之蒸鍍遮罩，前述金屬板之厚度可為85μm以下。
根據本發明，可於金屬板之表面穩定設置窄寬度之抗蝕圖型。因此，可穩定獲得用以製作具有高像素密度之有機EL顯示裝置的蒸鍍遮罩。
10‧‧‧蒸鍍遮罩裝置
15‧‧‧框架
20‧‧‧蒸鍍遮罩
20a‧‧‧第1面
21‧‧‧金屬板
21a‧‧‧金屬板之第1面
21b‧‧‧金屬板之第2面
22‧‧‧有效區域
23‧‧‧周圍區域
25‧‧‧通孔
30‧‧‧第1凹部
31、36‧‧‧牆面
35‧‧‧第2凹部
41‧‧‧連接部
42‧‧‧貫通部
43‧‧‧頂端部
55‧‧‧母材
56‧‧‧軋製裝置
56a、56b‧‧‧軋製輥
57‧‧‧退火裝置
61‧‧‧芯
62‧‧‧捲繞體
64X‧‧‧板材
64‧‧‧縱向金屬板
64a‧‧‧縱向金屬板之第1面
64b‧‧‧縱向金屬板之第2面
65a‧‧‧第1抗蝕圖型
65b‧‧‧第2抗蝕圖型
65c‧‧‧第1抗蝕膜
65d‧‧‧第2抗蝕膜
66a‧‧‧孔
67a‧‧‧橋部
69‧‧‧樹脂
70‧‧‧蝕刻裝置
72‧‧‧輸送輥
73‧‧‧切斷裝置
81‧‧‧照射部
82‧‧‧檢出部
90‧‧‧蒸鍍裝置
92‧‧‧基板
94‧‧‧坩堝
96‧‧‧加熱器
98‧‧‧蒸鍍材料
[圖1]圖1係用以說明本發明之一實施形態的圖，表示包含蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置之一例之概略平面圖。
[圖2]圖2係用以說明使用圖1所示之蒸鍍遮罩裝置蒸鍍之方法之圖。
[圖3]圖3係表示圖1所示之蒸鍍遮罩之部分平面圖。
[圖4]圖4係沿著圖3之IV-IV線之截面圖。
[圖5]圖5係沿著圖3之V-V線之截面圖。
[圖6]圖6係沿著圖3之VI-VI線之截面圖。
[圖7]圖7係擴大表示圖4所示之通孔及其附近區域之截面圖。
[圖8]圖8(a)~(c)係表示蒸鍍遮罩之製造方法的概略之圖。
[圖9]圖9(a)係表示軋製母材，而得到具有所期望厚度之金屬板的步驟之圖，圖9(b)係表示退火藉由軋製所得之金屬板之步驟之圖。
[圖10]圖10係表示使用X光光電子分光法，來實施金屬板之第1面之組成分析的樣子之圖。
[圖11]圖11係用以整體說明圖1所示之蒸鍍遮罩之製造方法之一例的模式圖。
[圖12]圖12係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，表示於金屬板上形成抗蝕膜之步驟的截面圖。
[圖13]圖13係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，表示於抗蝕膜使曝光遮罩密著之步驟的截面圖。
[圖14A]圖14A係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖14B]圖14B係表示將圖14A所示之縱向金屬板從第1面側觀看時的部分平面圖。
[圖15]圖15係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖16]圖16係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖17]圖17係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖18]圖18係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖19]圖19係用以說明蒸鍍遮罩之製造方法之一例的圖，在沿著法線方向之截面表示縱向金屬板之圖。
[圖20]圖20係表示包含蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置的變形例之圖。
[圖21]圖21(a)(b)係表示將從第1捲繞體所切出之第1試料，使用XPS裝置進行分析之結果的圖。
[圖22]圖22(a)係表示作為第1標準試料，準備之鎳氧化物利用XPS法進行分析之結果的圖，圖22(b)係表示作為第2標準試料，準備之鎳氧化物利用XPS法進行分析之結果的圖。
[圖23]圖23係表示形成於第1樣品的表面之抗蝕圖型的圖。
[圖24]圖24(a)(b)係表示將從第2捲繞體所切出之第2試料，使用XPS裝置進行分析之結果的圖。
[圖25]圖25(a)(b)係表示將從第3捲繞體所切出之第3試料，使用XPS裝置進行分析之結果的圖。
[圖26]圖26(a)(b)係表示將從第4捲繞體所切出之第4試料，使用XPS裝置進行分析之結果的圖。
[圖27A]圖27A係表示算出關於鐵之2P3/2軌道之鐵的總峰值之背景值線之步驟的圖。
[圖27B]圖27B係表示從鐵的總峰值分離有關鐵單質之峰值之步驟的圖。
[圖27C]圖27C係表示算出有關鐵單質之峰值的面積之步驟的圖。
[圖27D]圖27D係表示將分離有關鐵氧化物及鐵氫氧化物之峰值的結果作為參考的圖。
[圖28A]圖28A係表示算出有關鎳之2P3/2軌道之總峰值的背景值線之步驟的圖。
[圖28B]圖28B係表示從鎳的總峰值分離有關鎳單質之峰值之步驟的圖。
[圖28C]圖28C係表示算出有關鎳單質之峰值的面積之步驟的圖。
[圖28D]圖28D係表示將分離有關鎳氧化物及鎳氫氧化物之峰值的結果作為參考之圖。
[圖29]圖29係表示抗蝕圖型的一部分在顯影液中，從金屬板剝離的狀態之一例的圖。
以下，參照圖面，針對本發明之一實施形態進行說明。尚，在本件說明書所附加之圖面，將適當縮小比例及縱橫之尺寸比等從實物之該等進行變更並誇大，以方便圖示與容易理解。
圖1~圖20係用以說明藉由本發明之一實施形態及其變形例之圖。於以下之實施形態及其變形例，列舉製造有機EL顯示裝置時，為了將有機材料以所期望圖型圖型化在基板上所使用之蒸鍍遮罩之製造方法的例子說明。惟，並不限定於如此之適用，而是對於用在各種用途之蒸鍍遮罩之製造方法，可適用本發明。
尚，在本說明書，「板」、「薄片」、「薄膜」之用語係僅根據呼稱的不同，而並非能彼此區分者。例如「板」亦包含如可被稱為薄片或薄膜之構件的概念，據此，例如「金屬板」與被稱為「金屬薄片」或「金屬薄膜」之構件僅在呼稱上不同並無法作區別。
又，所謂「板面(薄片面、薄膜面)」，係指將 作為對象之板狀(薄片狀、薄膜狀)的構件在整體性且大局所察見的情況下，與作為對象之板狀構件(薄片狀構件、薄膜狀構件)的平面方向成為一致之面。又，所謂對於板狀(薄片狀、薄膜狀)之構件所使用之法線方向，係指相對於該構件之板面(薄片面、薄膜面)的法線方向。
進而，將在本說明書所使用之形狀或幾何學的條件及物理特性以及該等的程度加以特定之例如有關「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等之用語或長度或角度以及物理特性之值等，並非受到嚴格意義上的束縛，而是以包含可期待同樣功能之程度的範圍來進行解釋。
(蒸鍍遮罩裝置)
首先，針對包含蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置之一例，主要參照圖1~圖6進行說明。於此，圖1係表示包含蒸鍍遮罩之蒸鍍遮罩裝置之一例的平面圖，圖2係用以說明圖1所示之蒸鍍遮罩裝置之使用方法的圖。圖3係將蒸鍍遮罩從第1面之側表示之平面圖，圖4~圖6係在圖3之各位置的截面圖。
圖1及圖2所示之蒸鍍遮罩裝置10，係具備由略為矩形狀之金屬板21所構成之複數蒸鍍遮罩20、與安裝在複數蒸鍍遮罩20之周圍部分之框架15。在各蒸鍍遮罩20，大量設置藉由將包含第1面21a及位於第1面21a之相反側的第2面21b之金屬板21，在第1面21a側 及第2面21b側雙方進行蝕刻所形成之通孔25。此蒸鍍遮罩裝置10係如圖2所示，蒸鍍遮罩20即蒸鍍對象物之基板92，例如以面對玻璃基板的下面的方式支撐在蒸鍍裝置90內，使用在對基板之蒸鍍材料的蒸鍍。
於蒸鍍裝置90內，藉由來自未圖示之磁鐵的磁力，使得蒸鍍遮罩20與基板92密著。於蒸鍍裝置90內，於蒸鍍遮罩裝置10之下方，配置有收容蒸鍍材料(作為一例為有機發光材料)98之坩堝94、與加熱坩堝94之加熱器96。坩堝94內之蒸鍍材料98係藉由來自加熱器96的加熱，進行氣化或昇華而附著在基板92的表面。如上述，於蒸鍍遮罩20已形成有多數通孔25，蒸鍍材料98係透過此通孔25附著在基板92。此結果，以對應蒸鍍遮罩20之通孔25的位置之所期望圖型，蒸鍍材料98成膜在基板92的表面。
如上述，於本實施形態，通孔25在各有效區域22以預定之圖型配置。尚，於欲進行彩色顯示的情況下，沿著通孔25之排列方向(前述之其中一方向)使蒸鍍遮罩20(蒸鍍遮罩裝置10)與基板92一點一點地相對移動，可依紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料及藍色用之有機發光材料的順序進行蒸鍍。或者可因應有機發光材料的顏色使用不同之蒸鍍遮罩20，將蒸鍍材料98成膜在基板92的表面。
尚，蒸鍍遮罩裝置10之框架15係安裝在矩形狀之蒸鍍遮罩20的周圍部分。框架15係以不會造成蒸 鍍遮罩20彎曲的方式保持在拉伸蒸鍍遮罩20的狀態。蒸鍍遮罩20與框架15，例如係藉由點(Spot)溶接彼此相對來固定。
蒸鍍處理係於成為高溫環境之蒸鍍裝置90的內部實施。因此，在蒸鍍處理之期間，亦加熱被保持在蒸鍍裝置90之內部的蒸鍍遮罩20、框架15及基板92。此時，蒸鍍遮罩、框架15及基板92則顯示根據個別的熱膨脹係數之尺寸變化的舉動。此情況下，蒸鍍遮罩20及框架15與基板92之熱膨脹係數大幅不同時，產生起因於該等之尺寸變化的差異之位置偏移，此結果，引起附著在基板92上之蒸鍍材料的尺寸精度或位置精度降低。為了解決如此之課題，蒸鍍遮罩20及框架15之熱膨脹係數以與基板92之熱膨脹係數為同等之值較佳。例如，使用玻璃基板作為基板92時，作為蒸鍍遮罩20及框架15之主要材料，可使用含鎳之鐵合金。例如，作為構成蒸鍍遮罩20之金屬板的材料，可使用包含30~54質量%之鎳之鐵合金。作為包含鎳之鐵合金的具體例，可列舉包含34~38質量%之鎳的恒範鋼材料、除了包含30~34質量%之鎳並進一步包含鈷之殷鋼(Super Invar)材料、包含38~54質量%之鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鍍敷合金等。尚，在本說明書，藉由「~」之記號所表現之數值範圍係包含位於「~」符號之前後的數值。例如，藉由「34~38質量%」之表現所劃定之數值範圍，係與藉由「34質量%以上且38質量%以下」之表現所劃定之數值範圍相同。
(蒸鍍遮罩)
其次，針對蒸鍍遮罩20進行詳細說明。如圖1所示，在本實施形態，蒸鍍遮罩20係由金屬板21所構成，在平面圖為略為四角形形狀，更確切地說，在平面圖觀看為具有略為矩形狀之輪廓。蒸鍍遮罩20之金屬板21係包含有以規則排列形成通孔25之有效區域22、與圍繞有效區域22之周圍區域23。周圍區域23係用以支撐有效區域22之區域，並非意圖對基板進行蒸鍍之蒸鍍材料所通過的區域。例如，在有機EL顯示裝置用之有機發光材料的蒸鍍所使用之蒸鍍遮罩20，有效區域22係有機發光材料蒸鍍形成像素之基板92上的區域，亦即，與成為製作之有機EL顯示裝置用基板的顯示面之基板上的區域正對面之蒸鍍遮罩20內的區域。惟，基於各種目的，可於周圍區域23形成通孔或凹部。在圖1所示之例，各有效區域22係在平面圖為略為四角形形狀，更確切地說，在平面圖為具有略為矩形狀之輪廓。
在經圖示之例，蒸鍍遮罩20之複數有效區域22，係沿著與蒸鍍遮罩20之長度方向平行的一方向隔著預定之間隔排列成一列。於圖示之例，係成為一個有效區域22對應一個有機EL顯示裝置。亦即，根據圖1所示之蒸鍍遮罩裝置10(蒸鍍遮罩20)，變成可多面蒸鍍。
如圖3所示，在經圖示之例，各有效區域22所形成之複數通孔25，在該有效區域22，係沿著彼此垂 直之二方向分別以預定之間距排列。針對此金屬板21所形成之通孔25之一例，主要參照圖3~圖6進一步詳述。
如圖4~圖6所示，複數通孔25係從成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的一側之第1面20a，對成為沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的另一側之第2面20b進行貫通。於經圖示之例，如於後詳述，於成為在蒸鍍遮罩之法線方向的一側之金屬板21的第1面21a藉由蝕刻而形成第1凹部30，於成為在金屬板21之法線方向的另一側之第2面21b，形成第2凹部35。第1凹部30係連接於第2凹部35，藉此，第2凹部35與第1凹部30以彼此相通的方式形成。通孔25由第2凹部35以及連接於第2凹部35之第1凹部30構成。
如圖3~圖6所示，從蒸鍍遮罩20之第1面20a側朝向第2面20b側，於沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的各位置之沿著蒸鍍遮罩20之板面之截面的各第1凹部30之截面積，逐漸減小。同樣地，於沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的各位置之沿著蒸鍍遮罩20之板面之截面的各第2凹部35之截面積，從蒸鍍遮罩20之第2面20b側朝向第1面20a側，逐漸減小。
如圖4~圖6所示，第1凹部30之牆面31、與第2凹部35之牆面36，係透過圓周狀之連接部41連接。連接部41係藉由對於蒸鍍遮罩之法線方向經傾斜之第1凹部30的牆面31、與相對於蒸鍍遮罩之法線方向經 傾斜之第2凹部35的牆面36兩者匯合成的外凸部分的稜線來劃成。而且連接部41，在蒸鍍遮罩20之平面圖劃成通孔25的面積成為最小之貫通部42。
如圖4~圖6所示，在沿著蒸鍍遮罩之法線方向的另一側的面，亦即蒸鍍遮罩20之第2面20b上，相鄰之二個通孔25沿著蒸鍍遮罩之板面彼此間隔開。亦即，如後述之製造方法般，在從與蒸鍍遮罩20之第2面20b對應而成之金屬板21的第2面21b側蝕刻該金屬板21，來製作第2凹部35的情況下，於相鄰之二個第2凹部35之間會殘存金屬板21之第2面21b。
同樣，如圖4及圖6所示，即使在沿著蒸鍍遮罩之法線方向的一側，亦即，即使在蒸鍍遮罩20之第1面20a側，相鄰之二個第1凹部30仍舊可沿著蒸鍍遮罩之板面彼此間隔開。亦即，於相鄰之二個第1凹部30之間可殘存金屬板21之第1面21a。在以下之說明，亦將金屬板21之第1面21a的有效區域22當中未經蝕刻而殘留的部分稱為頂端部43。藉由以殘留如此之頂端部43的方式，製作蒸鍍遮罩20，可使蒸鍍遮罩20擁有足夠的強度。藉此，例如可抑制於搬運中等蒸鍍遮罩20破損。另外頂端部43的寬度β過大時，在蒸鍍步驟產生陰影，因此會降低蒸鍍材料98的利用效率。據此，以頂端部43的寬度β不會過於變大的方式來製作蒸鍍遮罩20較佳。例如，以頂端部43的寬度β為2μm以下較佳。尚，頂端部43的寬度β，一般而言係因應切斷蒸鍍遮罩20的方向 而改變。例如，圖4及圖6所示之頂端部43的寬度β有彼此不同的情況。此情況下，亦可以即使在任一方向切斷蒸鍍遮罩20的情況下，頂端部43的寬度β皆成為2μm以下的方式，來構成蒸鍍遮罩20。
尚，如圖5所示，可視地點以連接相鄰之二個第1凹部30的方式實施蝕刻。亦即，可於相鄰之二個第1凹部30之間，存在不殘存金屬板21之第1面21a的部分。
如圖2所示般進行，蒸鍍遮罩裝置10收容至蒸鍍裝置90的情況下，如於圖4以二點鎖線表示般，蒸鍍遮罩20之第1面20a位於保持蒸鍍材料98之坩堝94側，蒸鍍遮罩20之第2面20b面對基板92。據此，蒸鍍材料98逐漸縮小截面積，通過第1凹部30附著在基板92。在圖4，如以從第1面20a側朝向第2面20b的箭頭表示般，蒸鍍材料98不僅從坩堝94朝向基板92而沿著基板92之法線方向移動，而且有時亦往相對於基板92之法線方向大幅傾斜之方向移動。此時，蒸鍍遮罩20之厚度大時，傾斜移動之蒸鍍材料98的多數，在此通過通孔25到達基板92更早之前，即到達並附著在第1凹部30之牆面31。據此，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，故認為縮小蒸鍍遮罩20之厚度t，藉此以縮小第1凹部30之牆面31及第2凹部35之牆面36的高度較佳。亦即，作為用以構成蒸鍍遮罩20之金屬板21，只要是能夠確保蒸鍍遮罩20之強度的範圍內，可說儘可能使用厚度t小 之金屬板21較佳。考慮此點，在本實施形態，較佳為蒸鍍遮罩20之厚度t設定在85μm以下，例如設定在5~85μm的範圍內。
尚厚度t係周圍區域23之厚度，亦即蒸鍍遮罩20當中，未形成第1凹部30及第2凹部35之部分的厚度。據此，厚度t亦可說是金屬板21的厚度。
在圖4，通過成為具有通孔25之最小截面積部分的連接部41、與第1凹部30之牆面31之其他任意位置之直線L1，該直線L1相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而成之最小角度係以符號θ1表示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98不到達牆面31，且儘可能到達基板92，增大角度θ1較為有利。從增大角度θ1的觀點來看，除了縮小蒸鍍遮罩20之厚度t之外，縮小上述之頂端部43的寬度β亦有效。
在圖6，符號β係表示金屬板21之第2面21b的有效區域22當中，未經蝕刻而殘留部分(以下亦稱為肋部)的寬度。肋部的寬度β及貫通部42的尺寸r2係因應有機EL顯示裝置的尺寸及顯示像素數而適當決定。於表1，係表示在5英寸之有機EL顯示裝置中，顯示像素數、及因應顯示像素數所求得之肋部的寬度β及貫通部42的尺寸r2之值之一例。
雖並未限定，但藉由本實施形態之蒸鍍遮罩20，係在製作450ppi以上之像素密度的有機EL顯示裝置的情況特別有效者。以下，參照圖7，針對為了製作如此高之像素密度的有機EL顯示裝置所求得之蒸鍍遮罩20之尺寸之一例進行說明。圖7係擴大表示圖4所示之蒸鍍遮罩20之通孔25及其附近之區域的截面圖。
在圖7，作為與通孔25之形狀相關連之參數，從蒸鍍遮罩20之第2面20b至連接部41為止之在沿著蒸鍍遮罩20之法線方向的方向之距離，亦即第2凹部35之牆面36的高度係以符號r1表示。進而，第2凹部35在連接至第1凹部30的部分之第2凹部35的尺寸，亦即貫通部42的尺寸係以符號r2表示。又，在圖7，直線L2係連結連接部41、與在金屬板21之第2面21b上之第2凹部35之先端緣，該直線L2相對於金屬板21之法線方向N而成之角度係以符號θ2表示。
製作450ppi以上之像素密度的有機EL顯示裝置時，貫通部42的尺寸r2較佳為設定在10~60μm的範圍內。藉此，可提供可製作高像素密度的有機EL顯示裝置之蒸鍍遮罩20。較佳為第2凹部35之牆面36的高 度r1設定在6μm以下。
其次，針對圖7所示之上述之角度θ2進行說明。角度θ2相當於相對於金屬板21之法線方向N傾斜，同時於連接部41附近以通過貫通部42的方式飛來之蒸鍍材料98當中，可到達基板92之蒸鍍材料98之傾斜角度的最大值。這是因為以較角度θ2更大的傾斜角度飛來之蒸鍍材料98，較到達基板92更早之前即附著在第2凹部35之牆面36。據此，藉由縮小角度θ2，可抑制以大的傾斜角度飛來通過貫通部42之蒸鍍材料98附著在基板92，藉此，可抑制基板92當中於較重疊在貫通部42之部分更外側的部分附著蒸鍍材料98。亦即，縮小角度θ2，係引導附著在基板92之蒸鍍材料98的面積或厚度之變異的抑制。從如此之觀點，例如通孔25係角度θ2以成為45度以下的方式形成。尚在圖7，表示在第2面21b之第2凹部35的尺寸，亦即在第2面21b之通孔25的開口尺寸，較在連接部41之第2凹部35的尺寸r2變更大之例。亦即，係表示角度θ2之值為正值之例。然而，雖未圖示，在連接部41之第2凹部35的尺寸r2可較在第2面21b之第2凹部35的尺寸更大。亦即，角度θ2之值可為負之值。
其次，針對製作蒸鍍遮罩20時可產生之課題進行說明。首先參照圖8(a)~(c)，說明蒸鍍遮罩20之製造方法的概略。
在蒸鍍遮罩20之製造步驟，首先如圖8(a)所 示，準備包含第1面21a及第2面21b之金屬板21。又如圖8(a)所示，於金屬板21之第1面21a上形成第1抗蝕圖型65a，又於第2面21b上形成第2抗蝕圖型65b。然後，如圖8(b)所示，蝕刻金屬板21之第2面21b當中未藉由第2抗蝕圖型65b被覆之區域，實施形成第2凹部35之第2面蝕刻步驟。其次，如圖8(c)所示，實施蝕刻金屬板21之第1面21a當中未藉由第1抗蝕圖型65a被覆之區域，形成第1凹部30之第1面蝕刻步驟。
於此，如上述，以於蒸鍍遮罩20具有充分之強度，並且為了提高蒸鍍材料98之利用效率，盡可能殘留具有較小寬度之頂端部43較佳。此情況下，對應頂端部43，金屬板21之第1面21a上所形成之第1抗蝕圖型65a的寬度w亦同樣縮小。尚如圖8(a)及圖8(b)所示，蝕刻步驟時之金屬板21的侵蝕，並非僅向金屬板21之法線方向(厚度方向)進行，亦向沿著金屬板21之板面的方向進行。據此，第1抗蝕圖型65a的寬度w比在沿著金屬板21之板面的方向進行之侵蝕程度更小時，在蝕刻步驟中會變成第1抗蝕圖型65a從金屬板21之第1面21a剝離。推測在沿著金屬板21之板面的方向進行之侵蝕，於單側至少進行3μm左右。考慮此點，第1抗蝕圖型65a的寬度w，以較上述之頂端部43的寬度β至少大6μm的方式設定較佳。例如第1抗蝕圖型65a的寬度w成為20~40μm的範圍內。
但是，為了精度良好地作成窄寬度之第1抗 蝕圖型65a，須要用以形成抗蝕圖型65a之後述抗蝕膜65c具有高解析度。例如作為抗蝕膜65c，以使用包含丙烯酸系光硬化性樹脂之抗蝕膜等，即所謂被稱為乾膜者較佳。作為乾膜之例，例如可列舉日立化成製之RY3310。其他作為乾膜之例，亦可列舉旭化成E-材料製之UFG-052、ATP-053等。
尚，所謂乾膜，係指於金屬板21等之對象物之上為了形成抗蝕膜，被貼附在對象物之薄膜。乾膜亦至少包含由PET等所構成之基底薄膜、與層合於基底薄膜具有感光性之感光層。感光層係包含丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、苯乙烯系樹脂等之感光性材料。
藉由使用具有高解析度之乾膜製作第1抗蝕圖型65a，使得能夠將具有較小寬度w之第1抗蝕圖型65a精度良好形成於金屬板21之第1面21a上。另一方面，第1抗蝕圖型65a的寬度w縮小時，金屬板21之第1面21a與第1抗蝕圖型65a之間的密著面積亦縮小。因此，於用以形成第1抗蝕圖型65a之後述的抗蝕膜65c，須要具有對於金屬板21之第1面21a的高密著力。
然而，本件發明者重複努力研究時，發現乾膜雖對於銅或銅合金牢固地密著，但對於恒範鋼材料等之鐵-鎳合金卻難以密著。因此，在以往之蒸鍍遮罩20之製造步驟，產生第1抗蝕圖型65a及第2抗蝕圖型65b從金屬板21剝離之步驟不良情況。例如，於顯影經曝光之後 述的抗蝕膜65c、65d，形成抗蝕圖型65a、65b之顯影步驟時，已觀察到顯影液沉浸於金屬板21與抗蝕膜65c、65d之間，抗蝕膜65c、65d從金屬板21剝離的問題。又，於顯影步驟之後，至為了使抗蝕圖型65a、65b更強固地密著在金屬板21，在實施燒成抗蝕圖型65a、65b之燒成步驟之期間，亦觀察到抗蝕膜65c、65d從金屬板21剝離的問題。
作為蝕刻用之抗蝕，除了上述之乾膜之外，以具有液體狀等之流動性的狀態塗佈在對象物之液體狀抗蝕材已被廣泛知悉。液體狀抗蝕材，例如為酪蛋白抗蝕。此情況下，將液體狀抗蝕材塗佈在金屬板21等之對象物之上，藉由使液體固化，於對象物之上形成抗蝕膜。液體狀抗蝕材係以液體的狀態與對象物接觸。因此，即使於對象物的表面存在凹凸的情況下，液體亦追隨凹凸後固化液體而成為抗蝕膜。據此，液體狀抗蝕材與對象物之間的密著性高。
另一方面，如上述，乾膜係以包含感光層之薄膜的狀態與對象物接觸。因此，於對象物的表面存在凹凸時，乾膜之感光層無法完全追隨凹凸。此結果，一般而言，乾膜與對象物之間的密著性變成比液體狀抗蝕材與對象物之間的密著性更低。
於以下之表，表示關於解析度、密著性及成本上，將乾膜與液體狀抗蝕材比較後的結果。於此「密著性」係意味著對於恒範鋼材料之乾膜或液體狀抗蝕材的密 著之容易性。如表所示，以往之乾膜與液體狀抗蝕材相比較，具有優異之解析度，另一方面對於恒範鋼材料之密著性貧乏，且成本亦高。
尚，乾膜以往主要是使用在蝕刻印刷基板用之銅箔作成銅配線的用途。此情況下，乾膜係設置在銅箔上。如上述，乾膜由於對於銅或銅合金牢固地密著，有關乾膜之密著性的課題以往並未被特別認知。對於恒範鋼材料等之鐵-鎳合金之乾膜的密著性低的課題，認為係在將如本實施形態之較小寬度的抗蝕圖型精密形成於由鐵-鎳合金所構成之金屬板上的情況下所認知。
為了具有較小寬度w之第1抗蝕圖型65a穩定形成於由鐵-鎳合金所構成之金屬板21的第1面21a上，提高第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力變重要。本件發明者們重複努力研究的結果，發現第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力，被在金屬板21之第1面21a之鎳化合物的存在所左右。以下，針對本件發明者們所得到之見解進行說明。
一般而言，氧化由包含鎳之鐵合金所構成之金屬板的表面時，金屬板係包含有由包含鎳之鐵合金所構 成之本體層(Bulk layer)、與包含鐵氧化物、鐵氫氧化物、鎳氧化物及鎳氫氧化物之表面層。具體而言，於金屬板之最表面存在鐵氧化物及鐵氫氧化物，而且於鐵氧化物及鐵氫氧化物與本體層之間存在鎳氧化物及鎳氫氧化物。
本件發明者們將表面經氧化之金屬板的組成，使用X光光電子分光法(以下亦稱為XPS法)進行分析後，於從金屬板之表面距離數nm以內之位置，觀察到由包含鎳之鐵合金所構成之本體層的存在。由此，可說包含鎳氧化物及鎳氫氧化物之表面層，存在於從金屬板之表面距離數nm以內之位置。
又如後述之實施例所示，進行對於抗蝕圖型之金屬板的密著性評估後，在對於抗蝕圖型之密著性低的金屬板，與對於抗蝕圖型之密著性高的金屬板相比較，於金屬板之表面層存在更多鎳氧化物及鎳氫氧化物。認為存在於金屬板之表面層的化合物為鐵氧化物、鐵氫氧化物、鎳氧化物及鎳氫氧化物時，可以換言之「於金屬板之表面層大量存在鎳氧化物及鎳氫氧化物」的狀況，可以換成說是「在金屬板之表面層，對於鐵氧化物及鐵氫氧化物之鎳氧化物及鎳氫氧化物的比率較高」的狀況。又，如後述之實施例所示，對於各式各樣金屬板，評估對於抗蝕圖型之密著性後，若鎳氧化物及鎳氫氧化物對於鐵氧化物及鐵氫氧化物的比率為0.4以下，則已充分確保對於抗蝕圖型之金屬板的密著性，另一方面，上述之比率超過0.4時，對於抗蝕圖型之金屬板的密著性不夠充分。
又，針對對於抗蝕圖型之密著性高的金屬板、及對於抗蝕圖型之密著性低的金屬板，驗證金屬板之製造步驟的不同點後，瞭解到在對於抗蝕圖型之密著性低的金屬板，於大量包含氫等之還原性氣體的還原環境下實施金屬板之退火步驟。據此，於還原環境之下，可說鎳氧化物及鎳氫氧化物易偏析於金屬板的表面。又，於大量包含氫等之還原性氣體的還原環境之下，如後述之反應式所示，伴隨鎳氧化物之還原反應而生成鎳氫氧化物。由此，認為相較於鎳氧化物，鎳氫氧化物者更會為對於抗蝕圖型之密著性帶來不良影響。
尚，根據上述之考察時，可說可根據在金屬板之表面層之鎳氫氧化物的比率，預測對於抗蝕圖型之金屬板的密著性。然而，如後述之實施例所示，在XPS分析，無法輕易正確分離對應鎳氧化物之峰值與對應鎳氫氧化物之峰值。考慮此點，在本實施形態，採用根據鎳氧化物及鎳氫氧化物相對於鐵氧化物及鐵氫氧化物的比率，得到有關對於抗蝕圖型之密著性的信息之方法。針對具體之存在比率、或在金屬板21之第1面21a之各化合物的檢査方法細節則後述。
其次，針對由如此之構造所構成之本實施形態與其作用及效果進行說明。
於此，首先，針對為了製造蒸鍍遮罩所使用之金屬板之製造方法進行說明。其次，針對使用所得之金屬板製造蒸鍍遮罩之方法進行說明。
然後，針對使用所得之蒸鍍遮罩使蒸鍍材料蒸鍍於基板上之方法進行說明。
(金屬板之製造方法)
首先，參照圖9(a)(b)，針對金屬板之製造方法進行說明。圖9(a)係表示軋製母材，而得到具有所期望厚度之金屬板的步驟之圖，圖9(b)係表示退火藉由軋製所得之金屬板的步驟之圖。
〔軋製步驟〕
首先如圖9(a)所示，準備由包含鎳之鐵合金所構成之母材55，將此母材55朝向包含一對軋製輥56a、56b之軋製裝置56，沿著以箭頭D1所示之搬運方向進行搬運。到達一對軋製輥56a、56b之間的母材55係藉由一對軋製輥56a、56b軋製，此結果，母材55其厚度減少，同時沿著搬運方向拉伸。藉此，可得到厚度t0之板材64X。如圖9(a)所示，可藉由將板材64X捲繞在芯61，以形成捲繞體62。厚度t0之具體之值較佳為如上述成為5~85μm的範圍內。
尚圖9(a)僅為表示軋製步驟的概略者，用以實施軋製步驟之具體構成或順序並未特別限制。例如軋製步驟可包含：以使構成母材55之恒範鋼材料的結晶排列變化之溫度以上的溫度來加工母材之熱軋步驟、或以使恒範鋼材料之結晶排列變化之溫度以下的溫度來加工母材之 冷軋步驟。又，於一對軋製輥56a、56b之間使母材55或板材64X通過時的方向並不限定於單一方向。例如在圖9(a)(b)，於從紙面左側往右側的方向、及從紙面右側往左側的方向，藉由重複使母材55或板材64X通過一對軋製輥56a、56b之間，可慢慢地軋製母材55或板材64X。
[切斷步驟]
然後，可實施將藉由軋製步驟所得之在板材64X的寬度方向之兩端分別在3mm以上且5mm以下的範圍予以切斷之切斷步驟。此切斷步驟係為了去除起因於軋製在板材64X的兩端所產生之裂縫而實施。藉由實施如此之切斷步驟，可防止造成板材64X斷裂的現象，即所謂板破裂係將裂縫作為起點而產生。
[退火步驟]
然後，為了清除藉由軋製而累積於板材64X內之殘留應力，如圖9(b)所示，使用退火裝置57退火板材64X，並藉此得到縱向金屬板64。退火步驟係如圖9(b)所示，可邊將板材64X或縱向金屬板64往搬運方向(長度方向)拉伸邊實施。亦即，退火步驟並非所謂分批式之退火，而是可作為邊搬運之連續退火來實施。實施退火步驟的期間，雖因應縱向金屬板64之厚度或軋製率等適當設定，例如於500℃通過60秒以上來實施退火步驟。尚，上述「60秒」係意指板材64X通過退火裝置57中加熱至 500℃的空間所需要的時間為60秒。
較佳為上述之退火步驟於非還原環境或惰性氣體環境實施。於此所謂非還原環境，係指未包含氫等之還原性氣體的環境。所謂「未包含還原性氣體」，係意指氫等之還原性氣體的濃度為10%以下。又所謂惰性氣體環境，係指氬氣體、氦氣體、氮氣體等之惰性氣體存在90%以上的環境。藉由於非還原環境或惰性氣體環境實施退火步驟，可抑制上述之鎳氫氧化物生成於縱向金屬板64之第1面64a或第2面64b。
藉由實施退火步驟，可得到已去除某程度殘留應變(Residual strain)之厚度t0的縱向金屬板64。尚厚度t0通常等同於蒸鍍遮罩20之厚度t。
尚，可藉由重複複數次上述之軋製步驟、切斷步驟及退火步驟，製作厚度t0之縱向金屬板64。又，在圖9(b)，雖表示退火步驟係邊將縱向金屬板64往長度方向拉伸邊實施之例，但並非被限定於此，可將退火步驟以縱向金屬板64捲繞在芯61的狀態實施。亦即可實施分批式之退火。尚，以縱向金屬板64捲繞在芯61的狀態實施退火步驟時，於縱向金屬板64產生隨著捲繞體62之捲繞直徑翹曲的特性。據此，依照構成捲繞體62之捲繞直徑或母材55的材料，邊將縱向金屬板64往長度方向拉伸邊實施退火步驟較為有利。
[切斷步驟]
然後，將在縱向金屬板64之寬度方向的兩端分別在預定範圍切落，藉此，實施將縱向金屬板64之寬度調整成所期望的寬度之切斷步驟。如此進行，可得到具有所期望厚度及寬度之縱向金屬板64。
[檢査步驟]
然後，實施檢査構成所得之縱向金屬板64之第1面64a之材料的組成之檢査步驟。於此，針對使用XPS法實施縱向金屬板64之第1面64a的組成分析之例進行說明。所謂XPS法，係藉由將X光照射在試料，測定從試料所釋出之光電子的能量分布，而得到有關從試料的表面距離數nm的範圍內之區域之構成元素的種類或存在量的見解之方法。此情況下，各構成元素之存在量與在藉由X光光電子分光法所測定之光譜，藉由將對應各構成元素之峰值的面積予以積分所算出之峰值面積值成比例。據此，首先，算出對應各構成元素之峰值面積值，其次，算出各構成元素之峰值面積值的合計值，然後，藉由將作為對象之構成元素的峰值面積值除以合計值，且乘以100，可算出作為對象之構成元素的原子%。尚，構成元素之存在量與峰值面積值的關係，有時因應對於X光之感度等使每一構成元素有所不同。此情況下，可將用以修正感度的差異之相對感度係數乘上各構成元素之峰值面積值，來算出修正峰值面積值後，再算出上述之合計值或原子%。
圖10係表示使用X光光電子分光法，實施縱 向金屬板64之第1面64a的組成分析的様子之圖。如圖10所示，在縱向金屬板64之第1面64a的組成分析之一例，從照射部81對縱向金屬板64照射X光X1，而且從縱向金屬板64釋出之光電子X2的接受角(Acceptance angle)設定在90度。此情況下，可再現性良好測定在從縱向金屬板64之第1面64a距離數nm例如5nm的範圍內之區域之構成元素的種類及存在量。尚，所謂「接受角」，係如圖10所示，從縱向金屬板64釋出到達檢出部82之光電子X2，從縱向金屬板64釋出時之進行方向、與縱向金屬板64之第1面64a兩者所成的角度。
使用XPS法實施縱向金屬板64之第1面64a的組成分析後，實施將僅滿足以下之條件(1)的縱向金屬板64，在後述之蒸鍍遮罩20的製造步驟使用之所謂縱向金屬板64之篩選。
(1)使用X光光電子分光法，將作為實施縱向金屬板64之第1面64a的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下。
上述之條件(1)係用以充分確保後述之第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力之條件。如上述，鎳氫氧化物及鎳氧化物係以減低第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力的方式作用。據此，如上述之條件(1)所規定，規定鎳氧化物及鎳氧化物之峰值面積值的上限， 在最低限度確保第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間所必須的密著力的前提下為有效。
尚，如後述，在使用X光光電子分光法之分析，對應鎳氧化物之峰值與對應鎳氫氧化物之峰值係存在極為接近，因此明確區別兩者有困難。同樣，對應鐵氧化物之峰值與對應鐵氫氧化物之峰值係存在極為接近，因此明確區別兩者有困難。從如此之分析上的觀點來看，在本實施形態，並非根據鎳氫氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的比，而是根據鎳氧化物之峰值面積值及鎳氫氧化物之峰值面積值的和、與鐵氧化物之峰值面積值及鐵氫氧化物之峰值面積值的和之比，來判定是否可充分確保第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力。
本件發明者們重複努力研究後，發現於退火步驟時之環境包含氫等之還原性氣體的情況下，於縱向金屬板64之第1面64a或第2面64b等之表面易生成鎳氫氧化物，此結果，易降低第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力。又，藉由將退火步驟時之環境成為非還原環境及惰性氣體環境，可抑制於縱向金屬板64之第1面64a及第2面64b等之表面生成鎳氫氧化物，此結果，將上述之A1/A2定為0.4以下，藉此，已可充分確保第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力。
尚，認為於包含氫等之還原性氣體的還原環境之下，例如如以下之反應式表示般，已形成於縱向金屬板64的表面之鎳氧化物的一部分被環原而生成鎳，同時鎳氫氧化 物生成於縱向金屬板64的表面。
2NiO+H2→Ni(OH)2+Ni
為了充分確保第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著力，抑制於縱向金屬板64之第1面64a或第2面64b等之表面產生鎳的還原反應，藉此抑制鎳氫氧化物的生成可說非常重要。
本件發明者們重複努力研究的結果，發現A1/A2越低，第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著性有越高的傾向。據此，在提高第1抗蝕圖型65a與第1面21a之間的密著性的前提下，以A1/A2為0.3以下更佳，以A1/A2為0.2以下再更佳。
尚，在上述之說明，雖表示將根據上述之條件(1)檢査縱向金屬板64之檢査步驟利用於用來進行縱向金屬板64之篩選之例，但條件(1)之利用方法並非被限定於此。
例如，上述之條件(1)可被利用在為了最優化退火溫度或退火時間等之用以製造縱向金屬板64的條件。具體而言，為了以各式各樣之退火溫度或退火時間製造縱向金屬板64，分析所得之各縱向金屬板64之表面的組成，並且對照整理分析結果與條件(1)，設定可滿足條件(1)之適當製造條件之類的作業，可利用條件(1)。此情況下，對於在實際之製造步驟所得之縱向金屬板64的全部，不需要實施根據條件(1)之篩選。例如，僅對於部分之縱向金屬板64，可實施有關條件(1)之抽樣檢査。或一旦設定製 造條件後，有關條件(1)之檢査可完全不實施。
(蒸鍍遮罩之製造方法)
其次，針對使用如上述進行所篩選之縱向金屬板64製造蒸鍍遮罩20之方法，主要參照圖11~圖19進行說明。於以下所說明之蒸鍍遮罩20之製造方法，係如圖11所示，供給縱向金屬板64，於此縱向金屬板64形成通孔25，進而藉由裁斷縱向金屬板64，而得到由片狀之金屬板21所形成之蒸鍍遮罩20。
更具體而言，蒸鍍遮罩20之製造方法包含有：供給拉伸成帶狀之縱向金屬板64之步驟、與將使用光微影技術之蝕刻實施在縱向金屬板64，於縱向金屬板64從第1面64a側形成第1凹部30之步驟、與將使用光微影技術之蝕刻實施在縱向金屬板64而於縱向金屬板64從第2面64b側形成第2凹部35之步驟。而且藉由在縱向金屬板64形成之第1凹部30與第2凹部35彼此相通，於縱向金屬板64製作通孔25。於圖12~圖19所示之例，第2凹部35之形成步驟係於第1凹部30之形成步驟之前實施，且於第2凹部35之形成步驟與第1凹部30之形成步驟之間，進一步設置將經製作之第2凹部35密封之步驟。在以下說明各步驟的細節。
圖11係表示用以製作蒸鍍遮罩20之製造裝置60。如圖11所示，首先，準備將縱向金屬板64捲繞在芯61之捲繞體62。而且藉由旋轉此芯61捲出繞體 62，如圖11所示供給拉伸成帶狀之縱向金屬板64。尚，縱向金屬板64係形成通孔25而形成片狀之金屬板21，進一步成為蒸鍍遮罩20。
經供給之縱向金屬板64係藉由輸送輥72，搬運至蝕刻裝置(蝕刻手段)70。藉由蝕刻手段70，來實施圖12~圖19所示之各處理。尚，在本實施形態，成為於縱向金屬板64之寬度方向分配複數蒸鍍遮罩20。亦即，複數蒸鍍遮罩20係在長度方向，從佔有縱向金屬板64之預定位置的區域來製作。此情況下，較佳為複數蒸鍍遮罩20分配在縱向金屬板64，使蒸鍍遮罩20之長度方向與縱向金屬板64之軋製方向成為一致。
首先，如圖12所示，於縱向金屬板64之第1面64a上及第2面64b上形成包含負型之感光性抗蝕材料之抗蝕膜65c、65d。作為形成抗蝕膜65c、65d之方法，係採用將形成包含丙烯酸系光硬化性樹脂等之感光性抗蝕材料之層的薄膜，即所謂將乾膜貼附在縱向金屬板64之第1面64a上及第2面64b上之方法。於此，如上述，縱向金屬板64係已在第1面64a之鎳氫氧化物的存在量以滿足上述之條件(1)的方式製造，於如此之第1面64a貼附抗蝕膜65c。
其次，準備使光無法透過於抗蝕膜65c、65d當中欲去除之區域的曝光遮罩85a、85b，將曝光遮罩85a、85b分別如圖13所示配置在抗蝕膜65c、65d上。作為曝光遮罩85a、85b，係使用例如使光無法透過於抗蝕 膜65c、65d當中欲去除之區域的玻璃乾板。然後，藉由真空密著使曝光遮罩85a、85b充分密著在抗蝕膜65c、65d。
尚，作為感光性抗蝕材料，可使用正型者。此情況下，作為曝光遮罩，係使用使光透過於抗蝕膜當中欲去除之區域的曝光遮罩。
然後，將抗蝕膜65c、65d隔著曝光遮罩85a、85b進行曝光。進而，為了於經曝光之抗蝕膜65c、65d形成像，而顯影抗蝕膜65c、65d(顯影步驟)。如以上進行，如圖14A所示，可於縱向金屬板64之第1面64a上形成第1抗蝕圖型65a，可於縱向金屬板64之第2面64b上形成第2抗蝕圖型65b。尚顯影步驟可包含為了提高抗蝕膜65c、65d的硬度、或為了使抗蝕膜65c、65d更強固密著於縱向金屬板64之抗蝕熱處理步驟。抗蝕熱處理步驟係在氬氣體、氦氣體、氮氣體等之惰性氣體的環境，例如於100~400℃的範圍內實施。
圖14B係表示將圖14A所示之設有第1抗蝕圖型65a、65b之縱向金屬板64從第1面64a側觀看時的部分平面圖。在圖14B，設有第1抗蝕圖型65a之區域係以網點陰影表示。又，藉由其後之蝕刻步驟所形成之第1凹部30、牆面31、連接部41或頂端部43以點線表示。
其次，如圖15所示，實施將縱向金屬板64之第2面64b當中未藉由第2抗蝕圖型65b被覆之區域使用第2蝕刻液進行蝕刻之第2面蝕刻步驟。例如，第2蝕 刻液係從配置於面對搬運之縱向金屬板64的第2面64b之側的噴嘴，隔著第2抗蝕圖型65b向縱向金屬板64之第2面64b噴射。此結果，如圖15所示，於縱向金屬板64當中未藉由第2抗蝕圖型65b被覆之區域，進行藉由第2蝕刻液之侵蝕。藉此，於縱向金屬板64之第2面64b形成多數之第2凹部35。作為第2蝕刻液，例如使用包含氯化鐵溶液及鹽酸者。
然後，如圖16所示，藉由對於在之後的第1面蝕刻步驟所使用之第1蝕刻液已具有耐性的樹脂69，來被覆第2凹部35。亦即，藉由已具有對於第1蝕刻液之耐性的樹脂69，密封第2凹部35。在圖16所示之例，不僅形成有樹脂69之膜之第2凹部35，第2面64b(第2抗蝕圖型65b)亦被覆蓋形成。
其次，如圖17所示，實施蝕刻縱向金屬板64之第1面64a當中未藉由第1抗蝕圖型65a被覆之區域，於第1面64a形成第1凹部30之第1面蝕刻步驟。第1面蝕刻步驟係第2凹部35與第1凹部30彼此相通，藉此實施直到形成通孔25為止。作為第1蝕刻液，與上述之第2蝕刻液同樣，例如使用包含氯化鐵溶液及鹽酸者。
尚，藉由第1蝕刻液之侵蝕，係在與縱向金屬板64當中之第1蝕刻液接觸的部分進行。據此，侵蝕並非僅往縱向金屬板64之法線方向(厚度方向)前進，亦沿著縱向金屬板64之板面的方向前進。於此，較佳為第1面蝕刻步驟係比於面對第1抗蝕圖型65a之相鄰的二個 孔66a之位置分別形成之二個第1凹部30，在位於二個孔66a之間的橋部67a之背側進行匯合更早之前結束。藉此，如圖18所示，可於縱向金屬板64之第1面64a殘留上述之頂端部43。
然後，如圖19所示，從縱向金屬板64去除樹脂69。樹脂69例如可藉由使用鹼系剝離液去除。使用鹼系剝離液時，如圖19所示，亦可與樹脂69同時去除抗蝕圖型65a、65b。尚，去除樹脂69後，可使用與用以使樹脂69剝離之剝離液不同的剝離液，與樹脂69不同途徑去除抗蝕圖型65a、65b。
如此進行而形成多數通孔25之縱向金屬板64，係藉由在挾持該縱向金屬板64之狀態下旋轉的輸送輥72、72，搬運至切斷裝置(切斷手段)73。尚，藉由此輸送輥72、72的旋轉，透過作用在縱向金屬板64之張力(拉伸應力)，使上述之供給芯61旋轉，成為從捲繞體62供給縱向金屬板64。
然後，藉由將已形成多數通孔25之縱向金屬板64藉由切斷裝置(切斷手段)73切斷成預定之長度及寬度，而得到已形成多數通孔25之片狀金屬板21。
如以上進行，而得到由已形成多數通孔25之金屬板21所構成之蒸鍍遮罩20。於此，根據本實施形態，作為金屬板21之根本的縱向金屬板64，在第1面64a之鎳氫氧化物的存在量係以滿足上述之條件(1)的方式製造。作為上述之第1抗蝕圖型65a、及第1抗蝕圖型 65a之根本的抗蝕膜65c，貼附在如此之第1面64a。因此，可充分確保縱向金屬板64之第1面64a與第1抗蝕圖型65a之間的密著力。又作為抗蝕膜65c，如上述，係採用包含丙烯酸系光硬化性樹脂之抗蝕膜等，即亦被稱為乾膜之具有高解析度者。因此根據本實施形態，可在抑制第1抗蝕圖型65a發生從金屬板21剝離之步驟不良的狀況下的同時，將窄寬度之第1抗蝕圖型65a精度良好形成於縱向金屬板64之第1面64a上。據此，可將為了製作具有高像素密度之有機EL顯示裝置所使用之蒸鍍遮罩20以高產率製造。
又，根據本實施形態，由於可將第1抗蝕圖型65a以所期望的寬度精密形成於縱向金屬板64之第1面64a上，故可製作具備具有所期望的寬度β之頂端部43的蒸鍍遮罩20。因此，可邊使蒸鍍遮罩20具有充分之強度，邊將上述之角度θ1儘可能擴大。
(蒸鍍步驟)
其次，針對使用所得之蒸鍍遮罩20，於基板92上使蒸鍍材料蒸鍍之方法進行說明。首先，如圖2所示，將蒸鍍遮罩20之第2面20b密著在基板92的面。此時，使用未圖示之磁鐵等，可將蒸鍍遮罩20之第2面20b密著在基板92的面。又如圖1所示，藉由將複數蒸鍍遮罩20鋪設在框架15，蒸鍍遮罩20之面成為與基板92的面平行。然後，藉由加熱坩堝94內之蒸鍍材料98，使蒸鍍材 料98氣化或昇華。經氣化或昇華之蒸鍍材料98係通過蒸鍍遮罩20之通孔25附著在基板92。此結果，以對應蒸鍍遮罩20之通孔25的位置之所期望圖型，蒸鍍材料98成膜在基板92的表面。
於此，根據本實施形態，由於可將具有所期望的寬度β之頂端部43殘留在第1面20a側，使得蒸鍍遮罩20可具有足夠的強度。
尚，對於上述之實施形態可加入各式各樣的變更。以下，視須要，邊參照圖面邊針對變形例進行說明。於以下之說明及於以下之說明所使用之圖面，針對可與上述之實施形態同樣所構成之部分，使用與對於在上述之實施形態所對應的部分使用之符號同一符號，故省略重複說明。又，明瞭在上述之實施形態所得之作用效果，即使在變形例亦可獲得的情況下，亦可省略其說明。
在上述之本實施形態，表示在上述之條件(1)所規定之「第1面」，係縱向金屬板64及金屬板21當中，於蒸鍍步驟時在配置蒸鍍材料98側的面之例。然而，在上述之條件(1)所規定之「第1面」，可為縱向金屬板64及金屬板21當中配置基板92側的面。此情況下，可將縱向金屬板64或金屬板21當中貼附在配置基板92側的抗蝕圖型，強固密著在縱向金屬板64或金屬板21。因此，可於縱向金屬板64或金屬板21當中配置基板92側，以高產率精密地形成凹部。
亦即在本實施形態，上述之條件(1)亦可換成如以下 方式敘述。
「將作為使用X光光電子分光法，實施金屬板之一側的面及位在與一側的面相反側之另一側的面之至少一個的面之組成分析的結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下。」
又根據本實施形態，藉由金屬板之一側的面及位在與一側的面相反側之另一側的面中之至少一個的面之組成分析的結果，滿足上述之條件，可於金屬板之面以高產率精密形成凹部。
其他「將鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和設定為A2時，A1/A2為0.4以下」的條件，可滿足縱向金屬板64之第1面64a及第2面64b雙方。
又在上述之本實施形態，係表示於縱向金屬板64之寬度方向分配複數蒸鍍遮罩20之例。又，在蒸鍍步驟，係表示複數蒸鍍遮罩20被安裝在框架15之例。然而，並非被限定於此，如圖20所示，可使用沿著金屬板21的寬度方向及長度方向雙方，配置成格子狀之具有複數有效區域22的蒸鍍遮罩20。
又在上述之本實施形態，係表示在顯影步驟，實施抗蝕熱處理步驟之例。然而，藉由以滿足上述之 條件(1)的方式來製造縱向金屬板64，充分確保縱向金屬板64與抗蝕膜65c之間的密著力時，亦可省略抗蝕熱處理步驟。未實施抗蝕熱處理步驟的情況，與實施抗蝕熱處理步驟的情況相比較，第1抗蝕圖型65a的硬度降低。據此，形成通孔25後，可更容易去除抗蝕圖型65a。
又在上述之本實施形態，係表示具有所期望厚度之板材，係藉由軋製母材以製作板材，然後退火板材而獲得之例。然而，並非被限定於此，可藉由利用鍍敷處理之製箔步驟，製作具有所期望厚度之金屬板。在製箔步驟，例如邊使部分浸漬於鍍敷液之中的不銹鋼製等之滾筒進行旋轉，邊於滾筒的表面形成鍍膜，藉由去剝離此鍍膜，可將縱向狀之金屬板以輥對輥(Roll to Roll)製作。製作由包含鎳之鐵合金所構成之金屬板時，作為鍍敷液，可使用包含鎳化合物之溶液、與包含鐵化合物之溶液的混合溶液。例如，可使用包含磺胺酸鎳之溶液、與包含磺胺酸鐵之溶液兩者的混合溶液。鍍敷液中，可包含丙二酸或糖精等之添加劑。
對於如此進行所得之金屬板，接著，可實施上述之退火步驟。又，於退火步驟之後，為了將金屬板之寬度調整成所期望的寬度，可實施切掉金屬板之兩端的上述之切斷步驟。
即使於利用鍍敷處理製作金屬板的情況，亦與上述之本實施形態的情況相同，然後，藉由實施形成抗蝕圖型65a、65b之步驟、或蝕刻金屬板之第1面及第2 面之步驟，可得到已形成複數通孔25之蒸鍍遮罩20。又，藉由利用條件(1)，可實施金屬板之判別或製造條件的最優化。
[實施例]
接下來，雖將本發明由實施例更具體說明，但本發明只要不超出其要旨，並非被限定於以下實施例之記載。
實施例1 (第1捲繞體)
首先，準備由鐵合金所構成之母材，該鐵合金包含34~38質量%之鎳、與鉻、與殘餘部分之鐵及不可避免的雜質。其次，藉由對於母材實施上述之軋製步驟、切斷步驟及退火步驟，製造捲繞具有20μm厚度之縱向金屬板的捲繞體(第1捲繞體)。
[組成之分析]
然後，使用剪切機(shear)將縱向金屬板64以預定的範圍，例如以30×30mm的範圍切出而得到第1試料。其次，使用XPS法，分析第1試料的表面之組成。作為測定器，使用Thermo Fisher Scientific公司製XPS裝置ESCALAB 220i-XL。
組成分析時之XPS裝置的設定係如以下所述。
入射X光：monochromated Al kα(單色化X光、hv=1486.6eV)
X光出力：10kV．16mA(160W)
光圈開度：F.O.V.=open、A.A.=open
測定區域：700μm
X光入射角 1(參照圖10)：45度
光電子接受角：90度
圖21(a)(b)係表示將從第1捲繞體所切出之第1試料，使用上述之XPS裝置進行分析之結果的圖。在圖21(a)(b)，橫軸已表示對應從第1試料所觀測到之光電子的第1試料之電子軌道的光電子束縛能(Binding Energy)，縱軸係表示從第1試料所觀測到之光電子的強度。在圖21(a)已表示橫軸之值約為700~740eV的情況，在圖21(b)係表示橫軸之值約為850~890eV的情況。
在利用XPS法之組成分析，對應第1試料所包含之構成元素的含量之大的峰值，出現在因應構成元素之特定橫軸上的位置。例如在圖21(a)，被賦予符號P1之峰值係對應第1試料所包含之鐵氧化物及鐵氫氧化物，被賦予符號P2之峰值係對應第1試料所包含之鐵。又在圖21(b)，被賦予符號P3之峰值係對應第1試料所包含之鎳氧化物及鎳氫氧化物，被賦予符號P4之峰值係對應第1試料所包含之鎳。
作為參考，圖22(a)係表示將作為第1標準試 料所準備之鎳氧化物(NiO)利用XPS法進行分析之結果。又於圖22(b)，係表示將作為第2標準試料所準備之鎳氧化物(Ni(OH)2)利用XPS法進行分析之結果。如圖22(a)所示，對應鎳氧化物之峰值出現在橫軸之值成為第1值E1=853.8eV的位置。另一方面，如圖22(b)所示，對應鎳氫氧化物之峰值出現在橫軸之值成為第2值E2=855.9eV的位置。
於圖21(b)，作為參考，將出現對應鎳氧化物之峰值之第1值E1的位置、及出現對應鎳氫氧化物之峰值之第2值E2的位置以點線表示。E1及E2之值接近，因此如圖21(b)所示，在第1試料之測定結果，於峰值P3包含對應鎳氧化物之光電子的檢出結果、及對應鎳氫氧化物之光電子的檢出結果雙方。從圖21(b)所示之峰值P3，正確分離對應鎳氧化物之峰值與對應鎳氫氧化物之峰值並不容易。考慮此點，在上述之條件(1)，利用合計對應鎳氧化物之光電子的檢出結果與對應鎳氫氧化物之光電子的檢出結果之值，以便評估金屬板與抗蝕圖型之間的密著力。
測定圖21(a)(b)所示之各峰值P1~P4後，積分各峰值的面積算出峰值面積值。結果，對應鐵氧化物及鐵氫氧化物之峰值P1之峰值面積值為22329.3，對應鐵之峰值P2之峰值面積值為4481.8，對應鎳氧化物及鎳氫氧化物之峰值P3的峰值面積值為9090.5，對應鎳之峰值P4的峰值面積值為4748.9。據此，將鎳氧化物之峰值面積值 與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，成為A1/A2=0.41。因此，在已取出第1試料之第1捲繞體，可說未滿足上述之條件(1)。
尚各峰值P1~P4之峰值面積值使用具有XPS裝置之解析功能算出。例如，為了抑制依存分析者，測定結果變異，故作為背景值之算出方法，通常採用Shirley法。
以下，根據使用XPS法之分析的結果，針對算出上述之A1/A2之方法進行詳細說明。
1. XPS裝置之調整
首先，如滿足下述之調整條件1~3的方式，來實施XPS裝置之分光器能量軸的調整。
調整條件1：Ag 3d5/2 368.26±0.05eV
調整條件2：Au 4f7/2 83.98±0.05eV
調整條件3：Cu 2p3/2 932.67±0.05eV
調整條件1係意指以根據銀之3d5/2軌道所得之光電子束縛能成為368.26±0.05eV的範圍內的方式，來調整分光器能量軸。同樣，調整條件2係意指以根據金之4f7/2軌道所得之光電子束縛能成為83.98±0.05eV的範圍內的方式，來調整分光器能量軸。同樣，調整條件3係意指以根據銅之2p3/2軌道所得之光電子束縛能成為932.67±0.05eV的範圍內的方式，來調整分光器能量軸。
又，以根據碳之1s軌道的C-C鍵所得之光電 子束縛能成為284.7~285.0(eV)的範圍內的方式，來設定XPS裝置之充電(Charge up)修正。
接著，如上述使用經調整之XPS裝置，分析鐵鎳合金之試料，算出上述之A1/A2。首先，針對根據與鐵相關連之峰值P1、P2，算出上述之A2之方法，參照圖27A~圖27D進行說明。
2.有關鐵之分析
圖27A係擴大表示將有一個鐵鎳合金之試料，使用XPS裝置分析之結果當中，橫軸之值為700~740eV的範圍之結果。如圖27A所示，橫軸之值為700~740eV的範圍之結果係包含表示根據鐵之2p1/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表、及表示根據鐵之2p3/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表。於此，根據表示根據鐵之2p3/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表(以下稱為鐵的總峰值P_Fe)，說明算出上述之A2之例。
[背景值線之算出步驟]
首先，針對算出在鐵的總峰值P_Fe之背景值線BG_Fe的步驟進行說明。首先，將在作為分析對象之鐵之2p3/2軌道之橫軸之光電子束縛能之值的下限值B1及上限值B2如下述般決定。
下限值B1：703.6±0.2eV
上限值B2：717.0±0.2eV
接著，利用Shirley法，算出在下限值B1~上限值B2的範圍中鐵的總峰值P_Fe之背景值線BG_Fe。尚，在上述之下限值B1及上限值B2之「±0.2eV」的表示，係表示為了抑制測定結果之干擾影響而波及背景值線BG_Fe之算出結果，故將每一試料的下限值B1及上限值B2之值微調整。
[有關鐵單質之峰值的分離步驟]
其次，針對從鐵的總峰值P_Fe分離有關鐵單質之峰值的步驟，參照圖27B進行說明。圖27B係擴大表示圖27A所示之鐵的總峰值P_Fe的圖。尚，於此，針對於鐵的總峰值P_Fe實施平滑後，從鐵的總峰值P_Fe分離有關鐵單質之峰值的結果進行說明。作為平滑之方法，可採用平均化等、公知之方法。
首先，決定有關鐵單質之峰值之峰值位置E_Fe1。具體而言，首先，決定鐵的總峰值P_Fe所包含之各峰值P1、P2當中，與鐵單質相關連出現之峰值為何者。在XPS法之領域，已知根據鐵單質之2p3/2軌道所得之光電子束縛能約為707eV。據此，將峰值P2決定為與鐵單質相關連出現之峰值。接著，探索峰值P2之位置。而且峰值P2之峰值位置為706.9±0.2eV的範圍內時，將峰值P2之峰值位置作為有關鐵單質之峰值的峰值位置E_Fe1採用。
其次，將有關鐵單質之峰值的半值寬度 W_Fe1設定在1.54eV。接著，利用XPS裝置之分析功能，將峰值位置為E_Fe1，且半值寬度為W_Fe1之峰值從鐵的總峰值P_Fe分離。將如此進行所得之有關鐵單質之峰值於圖27B以符號P_Fe1表示。尚，在藉由XPS裝置之分析，所得之峰值P_Fe1之半值寬度有從經設定之半值寬度W_Fe1變動的情況。此時，±0.1eV的範圍內之變動是容許的。
尚，在有關鐵的總峰值P_Fe之用語，上述之「有關鐵單質之峰值P_Fe1」及後述之「峰值P_Fe2」、「峰值P_Fe3」係將鐵的總峰值P_Fe根據試料所包含之元素單質及化合物，分解成複數之峰值所得之峰值。亦即，上述之「峰值P1、P2」係根據鐵的總峰值P_Fe之形狀所判別之峰值，「峰值P_Fe1、P_Fe2、P_Fe3」係藉由將鐵的總峰值P_Fe根據物理性理論分解所得之峰值。
[有關鐵單質之峰值的面積之算出步驟]
其次，算出有關鐵單質之峰值P_Fe1的面積S_Fe1。面積S_Fe1係在圖27C，藉由峰值P_Fe1與背景值線BG_Fe所包圍之區域(斜線所描繪的區域)的面積。
又，算出鐵的總峰值P_Fe的面積。鐵的總峰值P_Fe的面積係在圖27C藉由鐵的總峰值P_Fe與背景值線BG_Fe所包圍之區域的面積。
接著，從鐵的總峰值P_Fe的面積S_Fe1，減去有關鐵單質之峰值P_Fe1的面積S_Fe1，算出圖27C所 示之面積S_Fe(REST)。將如此進行而算出之面積S_Fe(REST)作為上述之A2，亦即鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和。
供參考，於圖27D係表示假設鐵的總峰值P_Fe包含峰值P_Fe1、峰值P_Fe2、及峰值P_Fe3之3個峰值，分離總峰值P_Fe之結果。如上述，峰值P_Fe1係有關鐵單質之峰值。又，峰值P_Fe2及峰值P_Fe3係有關鐵氧化物之峰值或有關鐵氫氧化物之峰值。
上述之面積S_Fe(REST)係對應將鐵的總峰值P_Fe如圖27D所示分離成複數之峰值時之有關鐵單質之峰值P_Fe1以外之峰值的面積的總和。亦即，面積S_Fe(REST)係對應鐵氧化物之峰值的面積與鐵氫氧化物之峰值的面積值的和。
尚，雖有關鐵單質之峰值所表示之位置為已知，但在鐵氧化物及鐵氫氧化物中存在複數狀態。因此，有關鐵氧化物之峰值及有關鐵氫氧化物之峰值係如於圖27D所示之2個峰值(峰值P_Fe2及峰值P_Fe3)不一定表示。因此，正確算出在試料的表面層之鐵氧化物或鐵氫氧化物的比率有困難。考慮此點，作為上述之A2，採用鐵氧化物之峰值的面積與鐵氫氧化物之峰值的面積值的和。
尚，也有將有關鐵單質之峰值P_Fe1的面積S_Fe1稱為峰值P2的面積值，將面積S_Fe(REST)稱為峰值P1的面積值的情況。
3.有關鎳之分析
其次，針對有關鎳之分析進行說明。圖28A係擴大表示將有一個鐵鎳合金之試料此使用XPS裝置分析的結果當中，橫軸之值為850~890eV的範圍內之結果。如圖28A所示，橫軸之值為850~890eV的範圍之結果，係包含表示根據鎳之2p1/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表、及表示根據鎳之2p3/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表。於此，針對表示根據鎳之2p3/2軌道所得之光電子的強度分布之圖表(以下稱為鎳的總峰值P_Ni)，說明算出上述之A1之例。尚，針對A1之算出方法，針對與有關上述之鐵之A2的算出方法相同的部分，省略詳細說明。
[背景值線之算出步驟]
首先，將在鎳的總峰值P_Ni之背景值線BG_Ni利用Shirley法算出。在作為分析對象之鎳之2p3/2軌道，橫軸之光電子束縛能之值的下限值B3及上限值B4係如下述決定。
下限值B3：849.5±0.2eV
上限值B4：866.9±0.2eV
[有關鎳單質之峰值的分離步驟]
其次，如圖28B所示，從鎳的總峰值P_Ni分離有關鎳單質之峰值。具體而言，首先，鎳的總峰值P_Ni當 中，探索與鎳單質相關連出現之峰值P4之峰值位置。而且峰值P4之峰值位置為852.6±0.2eV的範圍內時，將峰值P4之峰值位置作為有關鎳單質之峰值的峰值位置E_Ni1採用。
其次，將有鎳單質之峰值的半值寬度W_Ni1設定在1.15eV。接著，利用XPS裝置之分析功能，將峰值位置為E_Ni1，半值寬度為W_Ni1之峰值從鎳的總峰值P_Ni分離。將如此進行所得之有關鎳單質之峰值於圖28B以符號P_Ni1表示。
[有關鎳單質之峰值的面積之算出步驟]
其次，算出有關鎳單質之峰值P_Ni1的面積S_Ni1。面積S_Ni1係在圖28C藉由峰值P_Ni1與背景值線BG_Ni所包圍之區域(斜線所描繪之區域)的面積。
又，算出鎳的總峰值P_Ni的面積。鎳的總峰值P_Ni的面積係在圖28C藉由鎳的總峰值P_Ni與背景值線BG_Ni所包圍之區域的面積。
接著，從鎳的總峰值P_Ni的面積S_Ni1，減去有關鎳單質之峰值P_Ni1的面積S_Ni1，算出圖28C所示之面積S_Ni(REST)。將如此進行所算出之面積S_Ni(REST)作為上述之A1，亦即鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和。
供參考，於圖28D係表示將鎳的總峰值P_Ni分離成峰值P_Ni1、峰值P_Ni2、峰值P_Ni3及峰值 P_Ni4等4個峰值的結果。如上述，峰值P_Ni1係有關鎳單質之峰值。又，峰值P_Ni2、峰值P_Ni3、峰值P_Ni4係有關鎳氧化物之峰值或有關鎳氫氧化物之峰值。
上述之面積S_Ni(REST)係對應將鎳的總峰值P_Ni如圖28D所示分離成複數之峰值時之有關鐵單質之峰值P_Ni1以外之峰值的面積的總和。亦即，面積S_Ni(REST)係對應鎳氧化物之峰值的面積與鎳氫氧化物之峰值的面積值的和。
尚，也有將有關鎳單質之峰值P_Ni1的面積S_Ni1稱為峰值P4之面積值，有時亦將面積S_Ni(REST)稱為峰值P3的面積值的情況。
4. A1/A2之算出
根據如以上進行所算出之A1及A2，來算出A1/A2。
[對於抗蝕圖型之密著性的評估]
將上述之第1捲繞體的縱向金屬板使用剪切機，例如以200×200mm的範圍切出，而得到第1樣品。其次，於第1樣品的表面，貼附包含10μm厚度之感光層的乾膜，於第1樣品的表面設置抗蝕膜。然後，如圖23所示，以形成具有寬度w之格子狀抗蝕圖型的方式來曝光抗蝕膜。寬度w設定在100μm。其次，將第1樣品浸漬在顯影液，測定100μm的寬度之抗蝕圖型從第1樣品剝離的時間。作為顯影液，係使用將Soda Ash Japan股份有限公司製之 碳酸鈉定為5.0g/L之濃度者。顯影液之溫度設定在24℃。
在本實施例，若至剝離浸漬於顯影液之抗蝕圖型為止的時間為15分鐘以上，則判斷為密著性為良好，另一方面，若至浸漬於顯影液之抗蝕圖型剝離為止的時間未滿15分鐘，則判斷為密著性不良。在本實施例，抗蝕圖型從第1樣品剝離為止的時間為13分鐘。據此，可說第1試料所取出之第1捲繞體、與抗蝕圖型之間的密著性不良。
抗蝕圖型是否從金屬板剝離，例如於沿著金屬板之第1面之法線方向觀察到抗蝕圖型的情況，可根據抗蝕圖型是否包含曲線狀部分來判斷。這是因為在顯影液中，抗蝕圖型當中從金屬板剝離之部分浮離而變形。於圖27，係表示圖型化成格子狀之抗蝕圖型的一部分在顯影液中，從金屬板剝離之狀態的金屬板及抗蝕圖型的模式圖之一例。
(第2~第4捲繞體)
與第1捲繞體的情況同樣進行，使用由鐵合金所構成之母材，製造捲繞具有20μm厚度之縱向金屬板的第2捲繞體~第4捲繞體，該鐵合金包含34~38質量%之鎳、與未滿0.1質量%之鉻、與殘餘部分之鐵及不可避免的雜質。進而，與第1捲繞體的情況同樣進行，關於第2捲繞體~第4捲繞體，實施組成之分析、及對於抗蝕圖型之密 著性的評估。於圖24(a)(b)、圖25(a)(b)及圖26(a)(b)係分別表示將從第2捲繞體、第3捲繞體及第4捲繞體切出之試料，使用上述之XPS裝置分析的結果。
(第1~第4捲繞體判定結果之總結)
將作為分析從第1捲繞體~第4捲繞體之縱向金屬板所取出之試料的結果所得之上述之各峰值P1~P4之峰值面積值示於表3。又，將鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2，將算出A1/A2之結果一併示於表3。如表3所示，在第1捲繞體及第2捲繞體，並未滿足上述之條件(1)。另一方面，在第3捲繞體及第4捲繞體，已滿足上述之條件(1)。供參考，將藉由利用XPS法之組成分析所算出，第1捲繞體~第4捲繞體之縱向金屬板之組成示於表4。
(對於抗蝕圖型之密著性的評估結果之總結)
將對於從第1捲繞體~第4捲繞體之縱向金屬板所切出之樣品實施，上述之對於抗蝕圖型之密著性的評估結果示於表5。在表5之「密著性」之欄，「良好」及「不良」分別意味著至剝離浸漬於顯影液之抗蝕圖型為止的時間為15分鐘以上、及未滿15分鐘。
如表3及表5所示，從第3捲繞體及第4捲繞體所切出之樣品，已具有對於抗蝕圖型之良好密著性。另一方面，從第1捲繞體及第2捲繞體所切出之樣品，並未具有對於抗蝕圖型之充分密著性。由此等事項，縮小在金屬板之表面之對於鐵氧化物及鐵氫氧化物之鎳氧化物及 鎳氫氧化物的比率，更具體而言，將上述之A1/A2定為0.4以下，確保對於抗蝕圖型之密著性可說是有效。亦即，認為上述之條件(1)係用以篩選金屬板之有力判斷手法。
(第5~第9捲繞體)
與第1捲繞體的情況同樣進行，使用由鐵合金所構成之母材，製造捲繞具有20μm厚度之縱向金屬板的第5捲繞體~第8捲繞體、及捲繞具有18μm厚度之縱向金屬板的第9捲繞體，該鐵合金包含34~38質量%之鎳、與未滿0.1質量%之鉻、與殘餘部分之鐵及不可避免的雜質。進而，與第1捲繞體的情況同樣進行，關於第5捲繞體~第9捲繞體，實施組成之分析、及對於抗蝕圖型之密著性的評估。
(第5~第9捲繞體之判定結果之總結)
將作為分析從第5捲繞體~第9捲繞體之縱向金屬板所取出之試料的結果所得之各峰值P1~P4之峰值面積值示於表6。又，將算出上述之A1/A2之結果一併示於表6。如表6所示，在第6捲繞體，並未滿足上述之條件(1)。另一方面，在第5捲繞體及第7捲繞體~第9捲繞體，已滿足上述之條件(1)。供參考，將藉由利用XPS法之組成分析所算出之第5捲繞體~第9捲繞體之縱向金屬板之組成示於表7。
(對於抗蝕圖型之密著性的評估結果之總結)
將對於從第5捲繞體~第9捲繞體之縱向金屬板所取出之樣品實施之上述之對於抗蝕圖型之密著性的評估結果示於表8。
如表6及表8所示，從第5捲繞體及第7捲繞體~第9捲繞體所切出之樣品，已具有對於抗蝕圖型之良好密著性。另一方面，從第6捲繞體所切出之樣品，並未具有對於抗蝕圖型之充分密著性。由此等事項，可說將上述之A1/A2定為0.4以下，可說是有效確保對於抗蝕圖型之密著性。亦即，認為上述之條件(1)係用以篩選金屬板之有力判斷手法。

Claims (7)

  1. 一種為了製造用以形成有機EL顯示裝置之像素之蒸鍍遮罩所使用金屬板之製造方法，其係具備準備由包含鎳之鐵合金所構成之板材的準備步驟，前述板材所得之前述金屬板係將貼附於前述金屬板之第1面的乾膜進行曝光及顯影，以形成第1抗蝕圖型，蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述第1抗蝕圖型被覆之區域而形成複數通孔，藉此用以製造前述蒸鍍遮罩者，將作為從前述板材所得之前述金屬板之第1面的組成分析使用X光光電子分光法實施之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，對前述金屬板照射之X光對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度，前述金屬板之製造方法係進一步包含：於非還原環境或惰性氣體環境以前述A1/A2成為0.4以下之方式退火前述板材而得到前述金屬板之退火步驟。
  2. 如請求項1之金屬板之製造方法，其中，前述準備步驟係包含軋製由包含鎳之鐵合金所構成之母材之軋製步驟。
  3. 如請求項1之金屬板之製造方法，其中，前述準備步驟係包含利用鍍敷液，來製作鍍膜之製箔步驟，該鍍敷液係包含：包含鎳化合物之溶液、與包含鐵化合物之溶液。
  4. 如請求項1~3中任一項之金屬板之製造方法，其中，前述金屬板之厚度為85μm以下。
  5. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係製造用以形成有機EL顯示裝置之像素之蒸鍍遮罩的方法，其係具備：準備由包含鎳之鐵合金所構成之金屬板之步驟、與於前述金屬板之第1面上形成第1抗蝕圖型之第1抗蝕圖型形成步驟、與蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述抗蝕圖型被覆之區域，於前述金屬板之前述第1面，形成以劃成前述通孔的方式形成之第1凹部的蝕刻步驟，將作為使用X光光電子分光法實施前述金屬板之前述第1面的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，對前述金屬板照射之X光對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度，前述第1抗蝕圖型形成步驟係包含：於前述金屬板之第1面貼合乾膜之步驟、與曝光及顯影乾膜形成前述第1抗蝕圖型之步驟，前述金屬板係藉由於非還原環境或惰性氣體環境以前述A1/A2成為0.4以下之方式，將由包含鎳之鐵合金所構成之板材進行退火而得到者。
  6. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其係製造用以形成有機EL顯示裝置之像素之蒸鍍遮罩的方法，其係具備：準備由包含鎳之鐵合金所構成之金屬板之步驟、與於前述金屬板之第1面上形成第1抗蝕圖型之第1抗蝕圖型形成步驟、與蝕刻前述金屬板之前述第1面當中未藉由前述抗蝕圖型被覆之區域，於前述金屬板之前述第1面，形成以劃成前述通孔的方式形成之第1凹部的蝕刻步驟，將作為使用X光光電子分光法實施前述金屬板之前述第1面的組成分析之結果所得之鎳氧化物之峰值面積值與鎳氫氧化物之峰值面積值的和定為A1，將鐵氧化物之峰值面積值與鐵氫氧化物之峰值面積值的和定為A2時，A1/A2為0.4以下，在使用X光光電子分光法之前述金屬板之前述第1面的組成分析，對前述金屬板照射之X光對於前述第1面的入射角為45度，從前述金屬板釋出之光電子的接受角為90度，前述第1抗蝕圖型形成步驟係包含：於前述金屬板之第1面貼合乾膜之步驟、與曝光及顯影乾膜形成前述第1抗蝕圖型之步驟，前述準備金屬板之步驟，其係具備：準備由包含鎳之鐵合金所構成之板材之步驟、與於非還原環境或惰性氣體環境以前述A1/A2成為0.4以下之方式，退火前述板材而得到前述金屬板之退火步驟。
  7. 如請求項5或6之蒸鍍遮罩之製造方法，其中，前述金屬板之厚度為85μm以下。
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