KR20160146901A

KR20160146901A - 증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크를 제작하기 위해 사용되는 금속판 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20160146901A
Application number: KR1020167032510A
Authority: KR
Inventors: 치카오 이케나가; 히로아키 나카야마; 가즈나리 이케다; 치아키 하츠타; 우타코 오오우치
Original assignee: 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤
Priority date: 2015-02-10
Filing date: 2016-02-05
Publication date: 2016-12-21
Also published as: CN110965020B; TWI671411B; EP3257964B1; KR20180050766A; US10570498B2; US20190161848A1; US20180023182A1; JP2017066530A; CN106460150B; CN114774854A; EP3626852B1; CN110965020A; TWI696708B; TW201942388A; DE202016008840U1; JP2020020048A; JP6553010B2; JP2018104823A; WO2016129533A1; JP6905692B2

Abstract

제1 면 상에 좁은 폭의 레지스트 패턴을 안정적으로 설치할 수 있는 금속판을 제공한다. 금속판의 제조 방법은, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 판재를 준비하는 준비 공정을 구비하고 있다. 판재로부터 얻어지는 금속판의 제1 면의 조성 분석을, X선 광전자 분광법을 이용하여 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하로 되어 있다.

Description

증착 마스크의 제조 방법, 증착 마스크를 제작하기 위해 사용되는 금속판 및 그 제조 방법 {MANUFACTURING METHOD FOR DEPOSITION MASK, METAL SHEET USED FOR PRODUCING DEPOSITION MASK, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAID METAL SHEET}

본 발명은 복수의 관통 구멍이 형성된 증착 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 증착 마스크를 제작하기 위해 사용되는 금속판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 스마트폰이나 태블릿 PC 등의 운반 가능한 디바이스에서 사용되는 표시 장치에 대하여, 고정밀일 것, 예를 들어 화소 밀도가 300ppi 이상일 것이 요구되고 있다. 또한, 운반 가능한 디바이스에 있어서도, 풀 하이비전에 대응하는 것에 대한 수요가 높아지고 있어, 이 경우, 표시 장치의 화소 밀도가 예를 들어 450ppi 이상일 것이 요구된다.

양호한 응답성이나 낮은 소비 전력으로 인해, 유기 EL 표시 장치가 주목받고 있다. 유기 EL 표시 장치의 화소를 형성하는 방법으로서, 원하는 패턴으로 배열된 관통 구멍을 포함하는 증착 마스크를 사용하여, 원하는 패턴으로 화소를 형성하는 방법이 알려져 있다. 구체적으로는, 처음에, 유기 EL 표시 장치용 기판에 대하여 증착 마스크를 밀착시키고, 이어서 밀착시킨 증착 마스크 및 기판을 함께 증착 장치에 투입하여, 유기 재료 등의 증착을 행한다.

증착 마스크는, 일반적으로 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭에 의해 금속판에 관통 구멍을 형성함으로써 제조될 수 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 예를 들어, 처음에, 금속판의 제1 면 상에 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 또한 금속판의 제2 면 상에 제2 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 금속판의 제2 면 중 제2 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 금속판의 제2 면에 제2 오목부를 형성한다. 그 후, 금속판의 제1 면 중 제1 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 금속판의 제1 면에 제1 오목부를 형성한다. 이때, 제1 오목부와 제2 오목부가 서로 통하도록 에칭을 행함으로써, 금속판을 관통하는 관통 구멍을 형성할 수 있다.

증착 마스크를 사용한 증착 공정에 있어서는, 처음에, 증착 마스크의 제2 면측이 기판에 대면하도록, 증착 마스크 및 기판을 배치한다. 또한, 증착 마스크의 제1 면측에, 유기 재료 등의 증착 재료를 유지한 도가니를 배치한다. 이어서, 증착 재료를 가열하여 증착 재료를 기화 또는 승화시킨다. 기화 또는 승화한 증착 재료는, 증착 마스크의 관통 구멍을 통하여 기판에 부착된다. 이 결과, 증착 마스크의 관통 구멍의 위치에 대응한 원하는 패턴으로, 증착 재료가 기판의 표면에 성막된다.

일본 특허 공개 제2014-148740호 공보

유기 EL 표시 장치의 화소 밀도가 높아짐에 따라, 증착 마스크의 관통 구멍의 치수나 배열 피치는 작아진다. 또한, 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭에 의해 금속판에 관통 구멍을 형성하는 경우, 금속판의 제1 면 또는 제2 면에 설치되는 레지스트 패턴의 폭도 좁아진다. 이로 인해, 레지스트 패턴을 형성하기 위한 레지스트막에는, 높은 해상도를 가질 것이 요구된다. 또한, 레지스트 패턴의 폭이 좁아지는 것은, 레지스트 패턴과 금속판의 사이의 밀착 면적이 작아짐을 의미하고 있다. 이로 인해, 레지스트 패턴을 형성하기 위한 레지스트막에는, 금속판에 대한 높은 밀착력을 가질 것도 요구된다.

본 발명은 이러한 과제를 고려하여 이루어진 것이며, 금속판의 표면에 좁은 폭의 레지스트 패턴을 안정적으로 설치할 수 있는 금속판을 제조하는 방법 및 금속판을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 그러한 금속판을 사용하여 증착 마스크를 제조하는 방법에 관한 것이다.

본 발명은 복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위해 사용되는 금속판의 제조 방법이며, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 판재를 준비하는 준비 공정을 구비하고, 상기 판재로부터 얻어지는 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석을, X선 광전자 분광법을 이용하여 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고, X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 금속판의 제조 방법이다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법은, 상기 판재를 어닐링하여 상기 금속판을 얻는 어닐링 공정을 추가로 포함하고 있어도 된다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 어닐링 공정은, 불활성 가스 분위기에서 실시되어도 된다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 준비 공정은, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 모재를 압연하는 압연 공정을 포함하고 있어도 된다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 준비 공정은, 니켈 화합물을 포함하는 용액과, 철 화합물을 포함하는 용액을 포함하는 도금액을 이용하여 도금막을 제작하는 제박 공정을 포함하고 있어도 된다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하여도 된다.

본 발명에 따른 금속판의 제조 방법에 있어서, 상기 금속판은, 상기 금속판의 상기 제1 면에 부착된 드라이 필름을 노광 및 현상하여 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 제1 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 상기 증착 마스크를 제조하기 위한 것이어도 된다.

본 발명은 복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위해 사용되는 금속판이며, X선 광전자 분광법을 이용하여 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고, X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 금속판이다.

본 발명에 따른 금속판에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하여도 된다.

본 발명에 따른 금속판에 있어서, 상기 금속판은, 상기 금속판의 상기 제1 면에 부착된 드라이 필름을 노광 및 현상하여 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 상기 증착 마스크를 제조하기 위한 것이어도 된다.

본 발명은 복수의 관통 구멍이 형성된 증착 마스크를 제조하는 방법이며, 금속판을 준비하는 공정과, 상기 금속판의 제1 면 상에 제1 레지스트 패턴을 형성하는 제1 레지스트 패턴 형성 공정과, 상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하고, 상기 금속판의 상기 제1 면에, 상기 관통 구멍을 구획 형성하도록 이루어지는 제1 오목부를 형성하는 에칭 공정을 구비하고, X선 광전자 분광법을 이용하여 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고, X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 증착 마스크의 제조 방법이다.

본 발명에 따른 증착 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하여도 된다.

본 발명에 따른 증착 마스크의 제조 방법에 있어서, 상기 제1 레지스트 패턴 형성 공정은, 상기 금속판의 제1 면에 드라이 필름을 부착하는 공정과, 드라이 필름을 노광 및 현상하여 상기 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하고 있어도 된다.

본 발명은 제1 면 및 상기 제1 면의 반대측에 위치하는 제2 면을 포함하는 금속판과, 상기 금속판의 상기 제1 면으로부터 상기 제2 면으로 관통하도록 상기 금속판에 형성된 복수의 관통 구멍을 구비하고, 상기 관통 구멍은, 상기 금속판의 상기 제2 면에 형성된 제2 오목부와, 상기 제2 오목부에 접속되도록 상기 금속판의 상기 제1 면에 형성된 제1 오목부를 갖고, X선 광전자 분광법을 이용하여 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고, X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 증착 마스크이다.

본 발명에 따른 증착 마스크에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하여도 된다.

본 발명에 따르면, 금속판의 표면에 좁은 폭의 레지스트 패턴을 안정적으로 설치할 수 있다. 이로 인해, 높은 화소 밀도를 갖는 유기 EL 표시 장치를 제작하기 위한 증착 마스크를 안정적으로 얻을 수 있다.

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태를 설명하기 위한 도면이며, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례를 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는, 도 1에 도시하는 증착 마스크 장치를 사용하여 증착하는 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은, 도 1에 도시된 증착 마스크를 도시하는 부분 평면도이다.
도 4는, 도 3의 IV-IV선을 따른 단면도이다.
도 5는, 도 3의 V-V선을 따른 단면도이다.
도 6은, 도 3의 VI-VI선을 따른 단면도이다.
도 7은, 도 4에 도시하는 관통 구멍 및 그 근방의 영역을 확대하여 도시하는 단면도이다.
도 8의 (a) 내지 (c)는, 증착 마스크의 제조 방법의 개략을 도시하는 도면이다.
도 9의 (a)는, 모재를 압연하여, 원하는 두께를 갖는 금속판을 얻는 공정을 도시하는 도면이며, 도 9의 (b)는, 압연에 의해 얻어진 금속판을 어닐링하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 10은, X선 광전자 분광법을 이용하여 금속판의 제1 면의 조성 분석을 실시하는 모습을 도시하는 도면이다.
도 11은, 도 1에 도시하는 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 전체적으로 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 금속판 상에 레지스트막을 형성하는 공정을 도시하는 단면도이다.
도 13은, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 레지스트막에 노광 마스크를 밀착시키는 공정을 도시하는 단면도이다.
도 14a는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 14b는, 도 14a에 도시하는 긴 금속판을 제1 면측에서 본 경우를 도시하는 부분 평면도이다.
도 15는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 16은, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 17은, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 18은, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 19는, 증착 마스크의 제조 방법의 일례를 설명하기 위한 도면이며, 법선 방향을 따른 단면에 있어서 긴 금속판을 도시하는 도면이다.
도 20은, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 변형예를 도시하는 도면이다.
도 21의 (a), (b)는, 제1 권취체로부터 잘라낸 제1 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다.
도 22의 (a)는, 제1 표준 시료로서 준비한 니켈 산화물을, XPS법을 이용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이며, 도 22의 (b)는, 제2 표준 시료로서 준비한 니켈 수산화물을, XPS법을 이용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다.
도 23은, 제1 샘플의 표면에 형성한 레지스트 패턴을 도시하는 도면이다.
도 24의 (a), (b)는, 제2 권취체로부터 잘라낸 제2 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다.
도 25의 (a), (b)는, 제3 권취체로부터 잘라낸 제3 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다.
도 26의 (a), (b)는, 제4 권취체로부터 잘라낸 제4 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다.
도 27a는, 철의 2P_3/2 궤도에 관한 철의 토탈 피크의 백그라운드선을 산출하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 27b는, 철의 토탈 피크로부터 철 단체에 관한 피크를 분리하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 27c는, 철 단체에 관한 피크의 면적을 산출하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 27d는, 철 산화물 및 철 수산화물에 관한 피크를 분리한 결과를 참고로서 도시하는 도면이다.
도 28a는, 니켈의 2P_3/2 궤도에 관한 토탈 피크의 백그라운드선을 산출하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 28b는, 니켈의 토탈 피크로부터 니켈 단체에 관한 피크를 분리하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 28c는, 니켈 단체에 관한 피크의 면적을 산출하는 공정을 도시하는 도면이다.
도 28d는, 니켈 산화물 및 니켈 수산화물에 관한 피크를 분리한 결과를 참고로서 도시하는 도면이다.
도 29는, 레지스트 패턴의 일부가 현상액 내에 있어서 금속판으로부터 박리된 상태의 일례를 도시하는 도면이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명한다. 또한, 본건 명세서에 첨부하는 도면에 있어서는, 도시와 이해의 용이성의 편의상, 적절히 축척 및 종횡의 치수비 등을, 실물의 그것들로부터 변경하여 과장하였다.

도 1 내지 도 20은, 본 발명에 따른 일 실시 형태 및 그 변형예를 설명하기 위한 도면이다. 이하의 실시 형태 및 그 변형예에서는, 유기 EL 표시 장치를 제조할 때 유기 재료를 원하는 패턴으로 기판 상에 패터닝하기 위해 사용되는 증착 마스크의 제조 방법을 예로 들어 설명한다. 단, 이러한 적용에 한정되지 않고, 다양한 용도에 사용되는 증착 마스크의 제조 방법에 대하여, 본 발명을 적용할 수 있다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「판」, 「시트」, 「필름」이라는 용어는, 호칭의 차이만을 기초로 하여 서로 구별되는 것은 아니다. 예를 들어, 「판」은 시트나 필름이라고 불릴 수 있는 부재도 포함하는 개념이며, 따라서, 예를 들어 「금속판」은 「금속 시트」나 「금속 필름」이라고 불리는 부재와 호칭의 차이만으로는 구별될 수 없다.

또한, 「판면(시트면, 필름면)」이란, 대상으로 되는 판형(시트형, 필름형)의 부재를 전체적, 또한 대국적으로 본 경우에 있어서 대상으로 되는 판형 부재(시트형 부재, 필름형 부재)의 평면 방향과 일치하는 면을 가리킨다. 또한, 판형(시트형, 필름형) 부재에 대하여 사용하는 법선 방향이란, 당해 부재의 판면(시트면, 필름면)에 대한 법선 방향을 가리킨다.

또한, 본 명세서에 있어서 사용하는, 형상이나 기하학적 조건 및 물리적 특성과, 그들의 정도를 특정하는, 예를 들어 「평행」, 「직교」, 「동일」, 「동등」 등의 용어나 길이나 각도 및 물리적 특성의 값 등에 대해서는, 엄밀한 의미에 구속되지 않고, 마찬가지의 기능을 기대할 수 있을 정도의 범위를 포함시켜 해석 하기로 한다.

(증착 마스크 장치)

우선, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례에 대하여, 주로 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 여기서, 도 1은, 증착 마스크를 포함하는 증착 마스크 장치의 일례를 도시하는 평면도이고, 도 2는, 도 1에 도시하는 증착 마스크 장치의 사용 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 3은, 증착 마스크를 제1 면의 측으로부터 도시하는 평면도이고, 도 4 내지 도 6은, 도 3의 각 위치에서의 단면도이다.

도 1 및 도 2에 도시된 증착 마스크 장치(10)는, 대략 직사각 형상의 금속판(21)을 포함하는 복수의 증착 마스크(20)와, 복수의 증착 마스크(20)의 주연부에 설치된 프레임(15)을 구비하고 있다. 각 증착 마스크(20)에는, 제1 면(21a) 및 제1 면(21a)의 반대측에 위치하는 제2 면(21b)을 포함하는 금속판(21)을, 제1 면(21a)측 및 제2 면(21b)측의 양쪽에서 에칭함으로써 형성된 관통 구멍(25)이, 다수 형성되어 있다. 이 증착 마스크 장치(10)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 증착 마스크(20)가 증착 대상물인 기판(92), 예를 들어 유리 기판의 하면에 대면하도록 하여 증착 장치(90) 내에 지지되어, 기판에 대한 증착 재료의 증착에 사용된다.

증착 장치(90) 내에서는, 도시하지 않은 자석으로부터의 자력에 의해, 증착 마스크(20)와 기판(92)이 밀착하게 된다. 증착 장치(90) 내에는, 증착 마스크 장치(10)의 하방에, 증착 재료(일례로서, 유기 발광 재료)(98)를 수용하는 도가니(94)와, 도가니(94)를 가열하는 히터(96)가 배치되어 있다. 도가니(94) 내의 증착 재료(98)는, 히터(96)로부터의 가열에 의해, 기화 또는 승화하여 기판(92)의 표면에 부착되게 된다. 상술한 바와 같이, 증착 마스크(20)에는 다수의 관통 구멍(25)이 형성되어 있고, 증착 재료(98)는 이 관통 구멍(25)을 통하여 기판(92)에 부착된다. 이 결과, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치에 대응한 원하는 패턴으로, 증착 재료(98)가 기판(92)의 표면에 성막된다.

상술한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 관통 구멍(25)이 각 유효 영역(22)에 있어서 소정의 패턴으로 배치되어 있다. 또한, 컬러 표시를 행하고 싶은 경우에는, 관통 구멍(25)의 배열 방향(상술한 일방향)을 따라 증착 마스크(20)(증착 마스크 장치(10))와 기판(92)을 조금씩 상대 이동시켜, 적색용 유기 발광 재료, 녹색용 유기 발광 재료 및 청색용 유기 발광 재료를 순서대로 증착시켜 가도 된다. 혹은, 유기 발광 재료의 색에 따라 상이한 증착 마스크(20)를 사용하여, 증착 재료(98)를 기판(92)의 표면에 성막해도 된다.

또한, 증착 마스크 장치(10)의 프레임(15)은, 직사각 형상의 증착 마스크(20)의 주연부에 설치되어 있다. 프레임(15)은, 증착 마스크(20)가 휘어 버리는 일이 없도록 증착 마스크(20)를 붙인 상태로 유지한다. 증착 마스크(20)와 프레임(15)은, 예를 들어 스폿 용접에 의해 서로에 대하여 고정되어 있다.

증착 처리는, 고온 분위기로 되는 증착 장치(90)의 내부에서 실시된다. 따라서, 증착 처리의 사이, 증착 장치(90)의 내부에 유지되는 증착 마스크(20), 프레임(15) 및 기판(92)도 가열된다. 이때, 증착 마스크, 프레임(15) 및 기판(92)은, 각각의 열팽창 계수에 기초한 치수 변화의 거동을 나타내게 된다. 이 경우, 증착 마스크(20)나 프레임(15)과 기판(92)의 열팽창 계수가 크게 상이하면, 그들 치수 변화의 차이에 기인한 위치 어긋남이 발생하여, 이 결과, 기판(92) 상에 부착되는 증착 재료의 치수 정밀도나 위치 정밀도가 저하되어 버린다. 이러한 과제를 해결하기 위해, 증착 마스크(20) 및 프레임(15)의 열팽창 계수가, 기판(92)의 열팽창 계수와 동등한 값인 것이 바람직하다. 예를 들어, 기판(92)으로서 유리 기판이 사용되는 경우, 증착 마스크(20) 및 프레임(15)의 주요한 재료로서, 니켈을 포함하는 철 합금을 사용할 수 있다. 예를 들어, 증착 마스크(20)를 구성하는 금속판의 재료로서, 30 내지 54질량％의 니켈을 포함하는 철 합금을 사용할 수 있다. 니켈을 포함하는 철 합금의 구체예로서는, 34 내지 38질량％의 니켈을 포함하는 인바재, 30 내지 34질량％의 니켈 외에 추가로 코발트를 포함하는 슈퍼 인바재, 38 내지 54질량％의 니켈을 포함하는 저열팽창 Fe-Ni계 도금 합금 등을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「내지」라고 하는 용어에 의해 표현되는 수치 범위는, 「내지」라고 하는 용어의 전후에 놓여진 수치를 포함하고 있다. 예를 들어, 「34 내지 38질량％」라고 하는 표현에 의해 획정되는 수치 범위는, 「34질량％ 이상, 또한 38질량％ 이하」라고 하는 표현에 의해 획정되는 수치 범위와 동일하다.

(증착 마스크)

이어서, 증착 마스크(20)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서, 증착 마스크(20)는, 금속판(21)을 포함하며, 평면에서 볼 때 대략 사각형 형상, 더 정확하게는 평면에서 볼 때 대략 직사각 형상의 윤곽을 갖고 있다. 증착 마스크(20)의 금속판(21)은, 규칙적인 배열로 관통 구멍(25)이 형성된 유효 영역(22)과, 유효 영역(22)을 둘러싸는 주위 영역(23)을 포함하고 있다. 주위 영역(23)은, 유효 영역(22)을 지지하기 위한 영역이며, 기판에 증착될 것이 의도된 증착 재료가 통과하는 영역은 아니다. 예를 들어, 유기 EL 표시 장치용 유기 발광 재료의 증착에 사용되는 증착 마스크(20)에 있어서는, 유효 영역(22)은, 유기 발광 재료가 증착하여 화소를 형성하게 되는 기판(92) 상의 구역, 즉 제작된 유기 EL 표시 장치용 기판의 표시면을 이루게 되는 기판 상의 구역에 대면하는, 증착 마스크(20) 내의 영역을 말한다. 단, 여러 가지 목적으로부터, 주위 영역(23)에 관통 구멍이나 오목부가 형성되어 있어도 된다. 도 1에 도시된 예에 있어서, 각 유효 영역(22)은, 평면에서 볼 때 대략 사각형 형상, 더 정확하게는 평면에서 볼 때 대략 직사각 형상의 윤곽을 갖고 있다.

도시된 예에 있어서, 증착 마스크(20)의 복수의 유효 영역(22)은, 증착 마스크(20)의 길이 방향과 평행한 일방향을 따라 소정의 간격을 두고 일렬로 배열되어 있다. 도시된 예에서는, 하나의 유효 영역(22)이 하나의 유기 EL 표시 장치에 대응하도록 되어 있다. 즉, 도 1에 도시된 증착 마스크 장치(10)(증착 마스크(20))에 따르면, 다면 부착 증착이 가능하게 되어 있다.

도 3에 도시하는 바와 같이, 도시된 예에 있어서, 각 유효 영역(22)에 형성된 복수의 관통 구멍(25)은, 당해 유효 영역(22)에 있어서, 서로 직교하는 2 방향을 따라 각각 소정의 피치로 배열되어 있다. 이 금속판(21)에 형성된 관통 구멍(25)의 일례에 대하여, 도 3 내지 도 6을 주로 참조하여 더욱 상세하게 설명한다.

도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 복수의 관통 구멍(25)은, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 한쪽 측으로 되는 제1 면(20a)으로부터, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 다른쪽 측으로 되는 제2 면(20b)으로 관통되어 있다. 도시된 예에서는, 나중에 상세하게 설명하는 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향에서의 한쪽 측으로 되는 금속판(21)의 제1 면(21a)에 제1 오목부(30)가 에칭에 의해 형성되고, 금속판(21)의 법선 방향에서의 다른쪽 측으로 되는 제2 면(21b)에 제2 오목부(35)가 형성된다. 제1 오목부(30)는, 제2 오목부(35)에 접속되고, 이에 의해 제2 오목부(35)와 제1 오목부(30)가 서로 통하도록 형성된다. 관통 구멍(25)은, 제2 오목부(35)와, 제2 오목부(35)에 접속된 제1 오목부(30)에 의해 구성되어 있다.

도 3 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)측으로부터 제2 면(20b)측을 향하여, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 각 위치에서의 증착 마스크(20)의 판면을 따른 단면에서의 각 제1 오목부(30)의 단면적은, 점차 작아져 간다. 마찬가지로, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 각 위치에서의 증착 마스크(20)의 판면을 따른 단면에서의 각 제2 오목부(35)의 단면적은, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)측으로부터 제1 면(20a)측을 향하여 점차 작아져 간다.

도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 제1 오목부(30)의 벽면(31)과, 제2 오목부(35)의 벽면(36)은, 둘레형의 접속부(41)를 통하여 접속되어 있다. 접속부(41)는, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 경사진 제1 오목부(30)의 벽면(31)과, 증착 마스크의 법선 방향에 대하여 경사진 제2 오목부(35)의 벽면(36)이 합류하는 돌출부의 능선에 의해 구획 형성되어 있다. 그리고, 접속부(41)는, 증착 마스크(20)의 평면에서 볼 때 관통 구멍(25)의 면적이 최소로 되는 관통부(42)를 구획 형성한다.

도 4 내지 도 6에 도시하는 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 다른쪽 측의 면, 즉 증착 마스크(20)의 제2 면(20b) 상에 있어서, 인접하는 2개의 관통 구멍(25)은, 증착 마스크의 판면을 따라 서로로부터 이격되어 있다. 즉, 후술하는 제조 방법과 같이, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)에 대응하도록 이루어지는 금속판(21)의 제2 면(21b)측으로부터 당해 금속판(21)을 에칭하여 제2 오목부(35)를 제작하는 경우, 인접하는 2개의 제2 오목부(35)의 사이에 금속판(21)의 제2 면(21b)이 잔존하게 된다.

마찬가지로, 도 4 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 증착 마스크의 법선 방향을 따른 한쪽 측, 즉 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)측에 있어서도, 인접하는 2개의 제1 오목부(30)가, 증착 마스크의 판면을 따라 서로로부터 이격되어 있어도 된다. 즉, 인접하는 2개의 제1 오목부(30)의 사이에 금속판(21)의 제1 면(21a)이 잔존해 있어도 된다. 이하의 설명에 있어서, 금속판(21)의 제1 면(21a)의 유효 영역(22) 중 에칭되지 않고 남아 있는 부분을, 톱부(43)라고도 칭한다. 이러한 톱부(43)가 남도록 증착 마스크(20)를 제작함으로써, 증착 마스크(20)에 충분한 강도를 갖게 할 수 있다. 이러한 점에 의해, 예를 들어 반송 중 등에 증착 마스크(20)가 파손되어 버리는 것을 억제할 수 있다. 또한, 톱부(43)의 폭 β가 지나치게 크면, 증착 공정에 있어서 섀도우가 발생하여, 이에 의해 증착 재료(98)의 이용 효율이 저하되는 경우가 있다. 따라서, 톱부(43)의 폭 β가 과잉으로 커지지 않도록 증착 마스크(20)가 제작되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 톱부(43)의 폭 β가 2㎛ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 톱부(43)의 폭 β는 일반적으로, 증착 마스크(20)를 절단하는 방향에 따라 변화한다. 예를 들어, 도 4 및 도 6에 도시하는 톱부(43)의 폭 β는 서로 상이한 경우가 있다. 이 경우, 어느 방향에서 증착 마스크(20)를 절단한 경우든 톱부(43)의 폭 β가 2㎛ 이하로 되도록 증착 마스크(20)가 구성되어 있어도 된다.

또한, 도 5에 도시하는 바와 같이, 장소에 따라서는 인접하는 2개의 제1 오목부(30)가 접속되도록 에칭이 실시되어도 된다. 즉, 인접하는 2개의 제1 오목부(30)의 사이에, 금속판(21)의 제1 면(21a)이 잔존하고 있지 않은 장소가 존재해도 된다.

도 2에 도시하는 바와 같이 하여 증착 마스크 장치(10)가 증착 장치(90)에 수용된 경우, 도 4에 이점쇄선으로 나타내는 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제1 면(20a)이 증착 재료(98)를 유지한 도가니(94)측에 위치하고, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)이 기판(92)에 대면한다. 따라서, 증착 재료(98)는, 점차 단면적이 작아져 가는 제1 오목부(30)를 통과하여 기판(92)에 부착된다. 도 4에 있어서 제1 면(20a)측으로부터 제2 면(20b)을 향하는 화살표로 나타내는 바와 같이, 증착 재료(98)는, 도가니(94)로부터 기판(92)을 향하여 기판(92)의 법선 방향을 따라 이동할 뿐만 아니라, 기판(92)의 법선 방향에 대하여 크게 경사진 방향으로 이동하는 경우도 있다. 이때, 증착 마스크(20)의 두께가 크면, 비스듬하게 이동하는 증착 재료(98)의 대부분은, 관통 구멍(25)을 통하여 기판(92)에 도달하기보다도 전에, 제1 오목부(30)의 벽면(31)에 도달하여 부착된다. 따라서, 증착 재료(98)의 이용 효율을 높이기 위해서는, 증착 마스크(20)의 두께 t를 작게 하고, 이에 의해, 제1 오목부(30)의 벽면(31)이나 제2 오목부(35)의 벽면(36)의 높이를 작게 하는 것이 바람직하다고 생각된다. 즉, 증착 마스크(20)를 구성하기 위한 금속판(21)으로서, 증착 마스크(20)의 강도를 확보할 수 있는 범위 내에서 가능한 한 두께 t가 작은 금속판(21)을 사용하는 것이 바람직하다고 할 수 있다. 이러한 점을 고려하여, 본 실시 형태에 있어서, 바람직하게는 증착 마스크(20)의 두께 t는 85㎛ 이하로, 예를 들어 5 내지 85㎛의 범위 내로 설정된다. 또한, 두께 t는, 주위 영역(23)의 두께, 즉 증착 마스크(20) 중 제1 오목부(30) 및 제2 오목부(35)가 형성되어 있지 않은 부분의 두께이다. 따라서 두께 t는, 금속판(21)의 두께라고 할 수도 있다.

도 4에 있어서, 관통 구멍(25)의 최소 단면적을 갖는 부분으로 되는 접속부(41)와, 제1 오목부(30)의 벽면(31)의 다른 임의의 위치를 통과하는 직선(L1)이, 증착 마스크(20)의 법선 방향(N)에 대하여 이루는 최소 각도가, 부호 θ1로 표시되어 있다. 비스듬하게 이동하는 증착 재료(98)를, 벽면(31)에 도달시키지 않고 가능한 한 기판(92)에 도달시키기 위해서는, 각도 θ1을 크게 하는 것이 유리하게 된다. 각도 θ1을 크게 한다는 측면에서는, 증착 마스크(20)의 두께 t를 작게 하는 것 외에도, 상술한 톱부(43)의 폭 β를 작게 하는 것도 유효하다.

도 6에 있어서, 부호 α는, 금속판(21)의 제2 면(21b)의 유효 영역(22) 중 에칭되지 않고 남아 있는 부분(이하, 리브부라고도 칭함)의 폭을 나타내고 있다. 리브부의 폭 α 및 관통부(42)의 치수 r₂는, 유기 EL 표시 장치의 치수 및 표시 화소수에 따라 적절히 결정된다. 표 1에, 5인치의 유기 EL 표시 장치에 있어서, 표시 화소수, 및 표시 화소수에 따라 구해지는 리브부의 폭 α 및 관통부(42)의 치수 r₂의 값의 일례를 나타낸다.

한정되지는 않지만, 본 실시 형태에 따른 증착 마스크(20)는, 450ppi 이상의 화소 밀도의 유기 EL 표시 장치를 제작하는 경우에 특히 유효한 것이다. 이하, 도 7을 참조하여, 그러한 높은 화소 밀도의 유기 EL 표시 장치를 제작하기 위해 요구되는 증착 마스크(20)의 치수의 일례에 대하여 설명한다. 도 7은, 도 4에 도시하는 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25) 및 그 근방의 영역을 확대하여 도시하는 단면도이다.

도 7에 있어서는, 관통 구멍(25)의 형상에 관련된 파라미터로서, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)부터 접속부(41)까지의, 증착 마스크(20)의 법선 방향을 따른 방향에서의 거리, 즉 제2 오목부(35)의 벽면(36)의 높이가 부호(r₁)로 표시되어 있다. 또한, 제2 오목부(35)가 제1 오목부(30)에 접속하는 부분에서의 제2 오목부(35)의 치수, 즉 관통부(42)의 치수가 부호(r₂)로 표시되어 있다. 또한, 도 7에 있어서, 접속부(41)와, 금속판(21)의 제2 면(21b) 상에 있어서의 제2 오목부(35)의 선단부 테두리를 연결하는 직선(L2)이, 금속판(21)의 법선 방향(N)에 대하여 이루는 각도가, 부호(θ2)로 표시되어 있다.

450ppi 이상의 화소 밀도의 유기 EL 표시 장치를 제작하는 경우, 관통부(42)의 치수 r₂는, 바람직하게는 10 내지 60㎛의 범위 내로 설정된다. 이에 의해, 높은 화소 밀도의 유기 EL 표시 장치를 제작할 수 있는 증착 마스크(20)를 제공할 수 있다. 바람직하게는, 제2 오목부(35)의 벽면(36)의 높이 r₁은, 6㎛ 이하로 설정된다.

이어서, 도 7에 도시하는 상술한 각도 θ2에 대하여 설명한다. 각도 θ2는, 금속판(21)의 법선 방향(N)에 대하여 경사짐과 함께 접속부(41) 근방에서 관통부(42)를 통과하도록 날아온 증착 재료(98) 중, 기판(92)에 도달할 수 있는 증착 재료(98)의 경사 각도의 최댓값에 상당한다. 왜냐하면, 각도 θ2보다 큰 경사 각도로 날아온 증착 재료(98)는, 기판(92)에 도달하기보다도 전에 제2 오목부(35)의 벽면(36)에 부착되기 때문이다. 따라서, 각도 θ2를 작게 함으로써, 큰 경사 각도로 날아와서 관통부(42)를 통과한 증착 재료(98)가 기판(92)에 부착되는 것을 억제할 수 있고, 이에 의해, 기판(92) 중 관통부(42)에 겹치는 부분보다 외측 부분에 증착 재료(98)가 부착되어 버리는 것을 억제할 수 있다. 즉, 각도 θ2를 작게 하는 것은, 기판(92)에 부착되는 증착 재료(98)의 면적이나 두께의 변동의 억제를 유도한다. 이러한 관점에서, 예를 들어 관통 구멍(25)은, 각도 θ2가 45도 이하로 되도록 형성된다. 또한, 도 7에 있어서는, 제2 면(21b)에서의 제2 오목부(35)의 치수, 즉 제2 면(21b)에서의 관통 구멍(25)의 개구 치수가, 접속부(41)에서의 제2 오목부(35)의 치수 r2보다 크게 되어 있는 예를 도시하였다. 즉, 각도 θ2의 값이 양의 값인 예를 도시하였다. 그러나, 도시는 하지 않았지만, 접속부(41)에서의 제2 오목부(35)의 치수 r2가, 제2 면(21b)에서의 제2 오목부(35)의 치수보다 크게 되어 있어도 된다. 즉, 각도 θ2의 값은 음의 값이어도 된다.

이어서, 증착 마스크(20)를 제작하는 경우에 발생할 수 있는 과제에 대하여 설명한다. 처음에 도 8의 (a) 내지 (c)를 참조하여, 증착 마스크(20)의 제조 방법의 개략을 설명한다.

증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서는, 처음에 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 제1 면(21a) 및 제2 면(21b)을 포함하는 금속판(21)을 준비한다. 또한, 도 8의 (a)에 도시하는 바와 같이, 금속판(21)의 제1 면(21a) 상에 제1 레지스트 패턴(65a)을 형성하고, 또한 제2 면(21b) 상에 제2 레지스트 패턴(65b)을 형성한다. 그 후, 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 금속판(21)의 제2 면(21b) 중 제2 레지스트 패턴(65b)에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 제2 오목부(35)를 형성하는 제2 면 에칭 공정을 실시한다. 이어서, 도 8의 (c)에 도시하는 바와 같이, 금속판(21)의 제1 면(21a) 중 제1 레지스트 패턴(65a)에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 제1 오목부(30)를 형성하는 제1 면 에칭 공정을 실시한다.

여기서 상술한 바와 같이, 증착 마스크(20)에 충분한 강도를 갖게 하면서, 증착 재료(98)의 이용 효율을 높이기 위해서는, 가능한 한 작은 폭을 갖는 톱부(43)가 남는 것이 바람직하다. 이 경우, 톱부(43)에 대응하여 금속판(21)의 제1 면(21a) 상에 형성되는 제1 레지스트 패턴(65a)의 폭 w도 마찬가지로 작아진다. 또한, 도 8의 (a) 및 도 8의 (b)에 도시하는 바와 같이, 에칭 공정 시의 금속판(21)의 침식은, 금속판(21)의 법선 방향(두께 방향)으로만 진행되는 것은 아니며, 금속판(21)의 판면을 따른 방향으로도 진행되어 간다. 따라서, 금속판(21)의 판면을 따른 방향에 있어서 진행되는 침식의 정도보다 제1 레지스트 패턴(65a)의 폭 w가 작은 경우, 에칭 공정에 있어서 제1 레지스트 패턴(65a)이 금속판(21)의 제1 면(21a)으로부터 박리되어 버리게 된다. 금속판(21)의 판면을 따른 방향에 있어서 진행되는 침식은, 편측에서 적어도 3㎛ 정도 진행된다고 생각된다. 이러한 점을 고려하여, 제1 레지스트 패턴(65a)의 폭 w는, 상술한 톱부(43)의 폭 β보다 적어도 6㎛는 커지도록 설정되는 것이 바람직하다. 예를 들어 제1 레지스트 패턴(65a)의 폭 w는, 20 내지 40㎛의 범위 내로 되어 있다.

그런데, 좁은 폭의 제1 레지스트 패턴(65a)을 고정밀도로 작성하기 위해서는, 레지스트 패턴(65a)을 형성하기 위한 후술하는 레지스트막(65c)이 높은 해상도를 가질 것이 요구된다. 예를 들어 레지스트막(65c)으로서, 아크릴계 광경화성 수지를 포함하는 레지스트막 등, 소위 드라이 필름이라고 칭해지는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 드라이 필름의 예로서는, 예를 들어 히타치 가세이제의 RY3310을 들 수 있다. 그 밖에도 드라이 필름의 예로서, 아사히 가세이 E-머티리얼즈제의 UFG-052, ATP-053 등을 들 수 있다.

또한, 드라이 필름이란, 금속판(21) 등의 대상물 상에 레지스트막을 형성하기 위해 대상물에 부착되는 필름을 말한다. 드라이 필름은, PET 등을 포함하는 베이스 필름과, 베이스 필름에 적층되고, 감광성을 갖는 감광층을 적어도 포함한다. 감광층은, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 스티렌계 수지 등의 감광성 재료를 포함한다.

높은 해상도를 갖는 드라이 필름을 사용하여 제1 레지스트 패턴(65a)을 제작함으로써, 작은 폭 w를 갖는 제1 레지스트 패턴(65a)을 고정밀도로 금속판(21)의 제1 면(21a) 상에 형성하는 것이 가능하게 된다. 한편, 제1 레지스트 패턴(65a)의 폭 w가 작아지면, 금속판(21)의 제1 면(21a)과 제1 레지스트 패턴(65a)의 사이의 밀착 면적도 작아진다. 이로 인해, 제1 레지스트 패턴(65a)을 형성하기 위한 후술하는 레지스트막(65c)에는, 금속판(21)의 제1 면(21a)에 대한 높은 밀착력을 가질 것이 요구된다.

그러나, 본건 발명자가 예의 연구를 거듭한 바, 드라이 필름은, 구리나 구리 합금에 대해서는 강하게 밀착되지만, 인바재 등의 철-니켈 합금에 대해서는 밀착되기 어렵다는 것을 알아냈다. 이로 인해, 종래의 증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서, 제1 레지스트 패턴(65a)이나 제2 레지스트 패턴(65b)이 금속판(21)으로부터 박리되어 버린다고 하는 공정 불량이 발생하였다. 예를 들어, 노광된 후술하는 레지스트막(65c, 65d)을 현상하여 레지스트 패턴(65a, 65b)을 형성하는 현상 공정 시에, 현상액이 금속판(21)과 레지스트막(65c, 65d)의 사이에 스며들어, 레지스트막(65c, 65d)이 금속판(21)으로부터 박리된다고 하는 문제가 관찰되었다. 또한, 현상 공정 후에, 레지스트 패턴(65a, 65b)을 보다 견고하게 금속판(21)에 밀착시키기 위해 레지스트 패턴(65a, 65b)을 소성하는 소성 공정을 실시할 때까지의 사이에, 레지스트막(65c, 65d)이 금속판(21)으로부터 박리된다고 하는 문제도 관찰되었다.

에칭용 레지스트로서는, 상술한 드라이 필름 외에, 액체상 등의 유동성을 갖는 상태로 대상물에 도포되는 액체상 레지스트재가 널리 알려져 있다. 액체상 레지스트재는, 예를 들어 카제인 레지스트이다. 이 경우, 액체상 레지스트재를 금속판(21) 등의 대상물 상에 도포하고, 액을 고화시킴으로써, 대상물 상에 레지스트막을 형성한다. 액체상 레지스트재는, 액체의 상태로 대상물에 접촉한다. 이로 인해, 대상물의 표면에 요철이 존재하고 있는 경우라도, 액체가 요철에 추종한 후에 액체가 고화하여 레지스트막으로 된다. 따라서, 액체상 레지스트재와 대상물의 사이의 밀착성은 높다.

한편, 상술한 바와 같이, 드라이 필름은, 감광층을 포함하는 필름의 상태로 대상물에 접촉한다. 이로 인해, 대상물의 표면에 요철이 존재하고 있는 경우, 드라이 필름의 감광층이 완전하게는 요철에 추종할 수 없다. 이 결과, 일반적으로, 드라이 필름과 대상물의 사이의 밀착성은, 액체상 레지스트재와 대상물의 사이의 밀착성보다 낮아진다.

이하의 표에, 해상도, 밀착성 및 비용에 관하여 드라이 필름과 액체상 레지스트재를 비교한 결과를 나타낸다. 여기서 「밀착성」은, 인바재에 대한 드라이 필름 또는 액체상 레지스트재의 밀착의 용이성을 의미하고 있다. 표에 나타내는 바와 같이, 종래의 드라이 필름은, 액체상 레지스트재에 비하여, 우수한 해상도를 갖는 한편, 인바재에 대한 밀착성이 부족하고, 또한 비용도 높다.

또한, 드라이 필름은, 종래, 주로 프린트 기판용 구리박을 에칭하여 구리 배선을 작성한다고 하는 용도에 있어서 사용되고 있었다. 이 경우, 드라이 필름은 구리박 상에 설치된다. 상술한 바와 같이, 드라이 필름은, 구리나 구리 합금에 대해서는 강하게 밀착되므로, 드라이 필름의 밀착성에 관한 과제는 종래에는 특별히 인식되지 않았다. 인바재 등의 철-니켈 합금에 대한 드라이 필름의 밀착성이 낮다고 하는 과제는, 본 실시 형태와 같이 작은 폭의 레지스트 패턴을 철-니켈 합금을 포함하는 금속판 상에 정밀하게 형성하는 경우에 인식되는 것이라고 생각한다.

작은 폭 w를 갖는 제1 레지스트 패턴(65a)을 안정적으로 철-니켈 합금을 포함하는 금속판(21)의 제1 면(21a) 상에 형성하기 위해서는, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력을 높이는 것이 중요하게 된다. 본건 발명자들이 예의 연구를 거듭한 결과, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력은, 금속판(21)의 제1 면(21a)에서의 니켈 화합물의 존재에 좌우된다는 것을 알아냈다. 이하, 본건 발명자들이 얻은 지견에 대하여 설명한다.

일반적으로, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 금속판의 표면이 산화되는 경우, 금속판은, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 벌크층과, 철 산화물, 철 수산화물, 니켈 산화물 및 니켈 수산화물을 포함하는 표면층을 포함하고 있다. 구체적으로는, 금속판의 가장 표면에는 철 산화물 및 철 수산화물이 존재하고, 그리고, 철 산화물 및 철 수산화물과 벌크층의 사이에는 니켈 산화물 및 니켈 수산화물이 존재한다.

표면이 산화된 금속판의 조성을, 본건 발명자들이 X선 광전자 분광법(이하, XPS법이라고도 칭함)을 이용하여 분석한 바, 금속판의 표면으로부터 수nm 이내의 위치에, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 벌크층의 존재가 관찰되었다. 이러한 점으로부터, 니켈 산화물 및 니켈 수산화물을 포함하는 표면층은, 금속판의 표면으로부터 수nm 이내의 위치에 존재하고 있다고 할 수 있다.

또한, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 레지스트 패턴에 대한 금속판의 밀착성의 평가를 행한 바, 레지스트 패턴에 대한 밀착성이 낮은 금속판에 있어서는, 레지스트 패턴에 대한 밀착성이 높은 금속판에 비하여, 금속판의 표면층에 니켈 산화물 및 니켈 수산화물이 보다 많이 존재하고 있었다. 금속판의 표면층에 존재하는 화합물이, 철 산화물, 철 수산화물, 니켈 산화물 및 니켈 수산화물인 것을 고려하면, 「금속판의 표면층에 니켈 산화물 및 니켈 수산화물이 많이 존재한다」고 하는 상황은, 「금속판의 표면층에 있어서, 철 산화물 및 철 수산화물에 대한 니켈 산화물 및 니켈 수산화물의 비율이 높다」고 하는 상황으로 바꾸어 말할 수 있다. 또한, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, 여러 가지 금속판에 관하여 레지스트 패턴에 대한 밀착성을 평가한 바, 철 산화물 및 철 수산화물에 대한 니켈 산화물 및 니켈 수산화물의 비율이 0.4 이하이면, 레지스트 패턴에 대한 금속판의 밀착성이 충분히 확보되었고, 한편, 상술한 비율이 0.4를 초과하면, 레지스트 패턴에 대한 금속판의 밀착성이 불충분하게 되었다.

또한, 레지스트 패턴에 대한 밀착성이 높은 금속판 및 레지스트 패턴에 대한 밀착성이 낮은 금속판에 대하여, 금속판의 제조 공정의 상위점을 검증한 바, 레지스트 패턴에 대한 밀착성이 낮은 금속판에 있어서는, 수소 등의 환원성 가스를 많이 포함하는 환원 분위기 하에서 금속판의 어닐링 공정이 실시되고 있었음을 알 수 있었다. 따라서, 환원 분위기 하에서는, 금속판의 표면에 니켈 산화물 및 니켈 수산화물이 편석되기 쉽다고 할 수 있다. 또한, 수소 등의 환원성 가스를 많이 포함하는 환원 분위기 하에서는, 후술하는 반응식에 나타내는 바와 같이, 니켈 산화물의 환원 반응에 수반하여 니켈 수산화물이 생성된다. 이러한 점으로부터, 니켈 산화물보다 니켈 수산화물 쪽이, 레지스트 패턴에 대한 밀착성에 악영향을 미치고 있다고 생각된다.

또한, 상술한 고찰에 기초하면, 금속판의 표면층에서의 니켈 수산화물의 비율에 기초하여, 레지스트 패턴에 대한 금속판의 밀착성을 예측하는 것이 가능하다고 할 수 있다. 그러나, 후술하는 실시예에 나타내는 바와 같이, XPS 분석에 있어서, 니켈 산화물에 대응하는 피크와 니켈 수산화물에 대응하는 피크를 정확하게 분리하는 것은 용이하지는 않다. 이러한 점을 고려하여, 본 실시 형태에 있어서는, 철 산화물 및 철 수산화물에 대한 니켈 산화물 및 니켈 수산화물의 비율에 기초하여, 레지스트 패턴에 대한 밀착성에 관한 정보를 얻는 방법을 채용하고 있다. 구체적인 존재 비율이나, 금속판(21)의 제1 면(21a)에서의 각 화합물의 검사 방법의 상세에 대해서는 후술한다.

이어서, 이러한 구성을 포함하는 본 실시 형태와 그 작용 및 효과에 대하여 설명한다.

여기서는, 처음에, 증착 마스크를 제조하기 위해 사용되는 금속판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 이어서, 얻어진 금속판을 사용하여 증착 마스크를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

그 후, 얻어진 증착 마스크를 사용하여 기판 상에 증착 재료를 증착시키는 방법에 대하여 설명한다.

(금속판의 제조 방법)

처음에 도 9의 (a), (b)를 참조하여, 금속판의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 9의 (a)는, 모재를 압연하여, 원하는 두께를 갖는 금속판을 얻는 공정을 도시하는 도면이고, 도 9의 (b)는, 압연에 의해 얻어진 금속판을 어닐링하는 공정을 도시하는 도면이다.

[압연 공정]

처음에 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 니켈을 포함하는 철 합금으로 구성된 모재(55)를 준비하고, 이 모재(55)를, 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)을 포함하는 압연 장치(56)를 향하여, 화살표(D1)로 나타내는 반송 방향을 따라 반송한다. 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)의 사이에 도달한 모재(55)는, 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)에 의해 압연되고, 이 결과, 모재(55)는, 그 두께가 저감됨과 함께, 반송 방향을 따라 늘어난다. 이에 의해, 두께 t₀의 판재(64X)를 얻을 수 있다. 도 9의 (a)에 도시하는 바와 같이, 판재(64X)를 코어(61)에 권취함으로써 권취체(62)를 형성해도 된다. 두께 t₀의 구체적인 값은, 바람직하게는 상술한 바와 같이 5 내지 85㎛의 범위 내로 되어 있다.

또한, 도 9의 (a)는, 압연 공정의 개략을 도시하는 것에 지나지 않으며, 압연 공정을 실시하기 위한 구체적인 구성이나 수순이 특별히 한정되지는 않는다. 예를 들어 압연 공정은, 모재(55)를 구성하는 인바재의 결정 배열을 변화시키는 온도 이상의 온도로 모재를 가공하는 열간 압연 공정이나, 인바재의 결정 배열을 변화시키는 온도 이하의 온도로 모재를 가공하는 냉간 압연 공정을 포함하고 있어도 된다. 또한, 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)의 사이에 모재(55)나 판재(64X)를 통과시킬 때의 방향이 일방향에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 도 9의 (a), (b)에 있어서, 지면 좌측으로부터 우측 방향으로, 및 지면 우측으로부터 좌측 방향으로 반복하여 모재(55)나 판재(64X)를 한 쌍의 압연 롤(56a, 56b)의 사이에 통과시킴으로써, 모재(55)나 판재(64X)를 서서히 압연해도 된다.

[슬릿 공정]

그 후, 압연 공정에 의해 얻어진 판재(64X)의 폭 방향에서의 양단을 각각 3mm 이상, 또한 5mm 이하의 범위에 걸쳐 잘라내는 슬릿 공정을 실시해도 된다. 이 슬릿 공정은, 압연에 기인하여 판재(64X)의 양단에 발생할 수 있는 크랙을 제거하기 위해 실시된다. 이러한 슬릿 공정을 실시함으로써, 판재(64X)가 파단되어 버리는 현상, 소위 판 절단이, 크랙을 기점으로 하여 발생해 버리는 것을 방지할 수 있다.

[어닐링 공정]

그 후, 압연에 의해 판재(64X) 내에 축적된 잔류 응력을 제거하기 위해, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 어닐링 장치(57)를 사용하여 판재(64X)를 어닐링하고, 이에 의해 긴 금속판(64)을 얻는다. 어닐링 공정은, 도 9의 (b)에 도시하는 바와 같이, 판재(64X)나 긴 금속판(64)을 반송 방향(길이 방향)으로 인장하면서 실시되어도 된다. 즉, 어닐링 공정은, 소위 배치식의 어닐링이 아니라, 반송하면서 이루어지는 연속 어닐링으로서 실시되어도 된다. 어닐링 공정이 실시되는 기간은, 긴 금속판(64)의 두께나 압연률 등에 따라 적절하게 설정되지만, 예를 들어 500℃에서 60초 이상에 걸쳐 어닐링 공정이 실시된다. 또한, 상기 「60초」는, 어닐링 장치(57) 중의 500℃로 가열된 공간을 판재(64X)가 통과하는 데 요하는 시간이 60초임을 의미하고 있다.

바람직하게는 상술한 어닐링 공정은, 비환원 분위기나 불활성 가스 분위기에서 실시된다. 여기서 비환원 분위기란, 수소 등의 환원성 가스를 포함하지 않는 분위기를 말한다. 「환원성 가스를 포함하지 않는다」란, 수소 등의 환원성 가스의 농도가 10％ 이하임을 의미하고 있다. 또한, 불활성 가스 분위기란, 아르곤 가스, 헬륨 가스, 질소 가스 등의 불활성 가스가 90％ 이상 존재하는 분위기를 말한다. 비환원 분위기나 불활성 가스 분위기에서 어닐링 공정을 실시함으로써, 상술한 니켈 수산화물이 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)이나 제2 면(64b)에 생성되는 것을 억제할 수 있다.

어닐링 공정을 실시함으로써, 잔류 변형이 어느 정도 제거된, 두께 t₀의 긴 금속판(64)을 얻을 수 있다. 또한, 두께 t₀은 통상, 증착 마스크(20)의 두께 t와 동등하게 된다.

또한, 상술한 압연 공정, 슬릿 공정 및 어닐링 공정을 복수회 반복함으로써, 두께 t₀의 긴 금속판(64)을 제작해도 된다. 또한, 도 9의 (b)에 있어서는, 어닐링 공정이, 긴 금속판(64)을 길이 방향으로 인장하면서 실시되는 예를 도시하였지만, 이것에 한정되지 않고, 어닐링 공정을, 긴 금속판(64)이 코어(61)에 권취된 상태로 실시되어도 된다. 즉 배치식 어닐링이 실시되어도 된다. 또한, 긴 금속판(64)이 코어(61)에 권취된 상태로 어닐링 공정을 실시하는 경우, 긴 금속판(64)에, 권취체(62)의 권취 직경에 따른 휘려는 성질이 생겨버리는 경우가 있다. 따라서, 권취체(62)의 권취 직경이나 모재(55)를 구성하는 재료에 따라서는, 긴 금속판(64)을 길이 방향으로 인장하면서 어닐링 공정을 실시하는 것이 유리하다.

[절단 공정]

그 후, 긴 금속판(64)의 폭 방향에서의 양단을 각각 소정 범위에 걸쳐 잘라내고, 이에 의해, 긴 금속판(64)의 폭을 원하는 폭으로 조정하는 절단 공정을 실시한다. 이와 같이 하여, 원하는 두께 및 폭을 갖는 긴 금속판(64)을 얻을 수 있다.

[검사 공정]

그 후, 얻어진 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)을 구성하는 재료의 조성을 검사하는 검사 공정을 실시한다. 여기서는, XPS법을 이용하여 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 조성 분석을 실시하는 예에 대하여 설명한다. XPS법이란, X선을 시료에 조사함으로써 시료로부터 방출되는 광전자의 에너지 분포를 측정하고, 시료의 표면으로부터 수nm의 범위 내의 영역에서의 구성 원소의 종류나 존재량에 관한 지견을 얻는 방법이다. 이 경우, 각 구성 원소의 존재량은, X선 광전자 분광법에 의해 측정된 스펙트럼에 있어서, 각 구성 원소에 대응하는 피크의 면적을 적분함으로써 산출되는 피크 면적값에 비례한다. 따라서, 처음에, 각 구성 원소에 대응하는 피크 면적값을 산출하고, 이어서 각 구성 원소의 피크 면적값의 합계값을 산출하고, 그 후, 대상으로 하는 구성 원소의 피크 면적값을 합계값으로 나누고, 또한 100을 곱함으로써, 대상으로 하는 구성 원소의 아토믹％를 산출할 수 있다. 또한, 구성 원소의 존재량과 피크 면적값의 관계는, X선에 대한 감도 등에 따라 구성 원소마다 상이한 경우가 있다. 이 경우, 감도의 상이를 보정하기 위한 상대 감도 계수를 각 구성 원소의 피크 면적값에 곱하여 보정 피크 면적값을 산출하고 나서, 상술한 합계값이나 아토믹％를 산출해도 된다.

도 10은, X선 광전자 분광법을 이용하여 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 조성 분석을 실시하는 모습을 도시하는 도면이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 조성 분석의 일례에 있어서는, 조사부(81)로부터 긴 금속판(64)으로 X선(X1)이 조사되고, 그리고, 긴 금속판(64)으로부터 방출되는 광전자(X2)의 도입각이 90도로 설정된다. 이 경우, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)으로부터 수nm 예를 들어 5nm의 범위 내의 영역에서의 구성 원소의 종류나 존재량을 재현성 좋게 측정할 수 있다. 또한 「도입각」이란, 도 10에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)으로부터 방출되어 검출부(82)에 도달하는 광전자(X2)가, 긴 금속판(64)으로부터 방출될 때의 진행 방향과, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)이 이루는 각도를 말한다.

XPS법을 이용하여 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 조성 분석을 실시한 후, 이하의 조건 (1)을 만족하는 긴 금속판(64)만을, 후술하는 증착 마스크(20)의 제조 공정에 있어서 사용한다고 하는, 긴 금속판(64)의 선별을 실시한다.

(1) X선 광전자 분광법을 이용하여 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하일 것.

상기 조건 (1)은, 후술하는 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력을 충분히 확보하기 위한 조건이다. 상술한 바와 같이, 니켈 수산화물 및 니켈 산화물은, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력을 저감하도록 작용한다. 따라서, 상술한 조건 (1)에 규정되는 바와 같이, 니켈 산화물 및 니켈 산화물의 피크 면적값의 상한을 규정하는 것은, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이에 필요하게 되는 밀착력을 최저한 확보하는 측면에서 유효하다.

또한, 후술하는 바와 같이, X선 광전자 분광법을 이용한 분석에 있어서, 니켈 산화물에 대응하는 피크와 니켈 수산화물에 대응하는 피크는 극히 근접하여 존재하고 있고, 이로 인해 양자를 명확하게 구별하는 것은 곤란하다. 마찬가지로, 철 산화물에 대응하는 피크와 철 수산화물에 대응하는 피크는 극히 근접하여 존재하고 있고, 이로 인해 양자를 명확하게 구별하는 것은 곤란하다. 이러한 분석 상의 관점에서, 본 실시 형태에 있어서는, 니켈 수산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 비가 아니라, 니켈 산화물의 피크 면적값 및 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합과, 철 산화물의 피크 면적값 및 철 수산화물의 피크 면적값의 합의 비에 기초하여, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력이 충분히 확보될 수 있는지 여부를 판정하고 있다.

본건 발명자들이 예의 연구를 거듭한 바, 어닐링 공정 시의 분위기에 수소 등의 환원성 가스가 포함되는 경우에, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)이나 제2 면(64b) 등의 표면에 니켈 수산화물이 생성되기 쉬워, 이 결과, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력이 낮아지기 쉽다는 것을 알아냈다. 또한, 어닐링 공정 시의 분위기를 비환원 분위기나 불활성 가스 분위기로 함으로써, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)이나 제2 면(64b) 등의 표면에 니켈 수산화물이 생성되는 것을 억제할 수 있어, 이 결과, 상술한 A1/A2를 0.4 이하로 하고, 이에 의해, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력을 충분히 확보할 수 있었다.

또한, 수소 등의 환원성 가스를 포함하는 환원 분위기 하에서는, 예를 들어 이하의 반응식으로 표시되는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 표면에 이미 형성되어 있는 니켈 산화물의 일부가 환원되어 니켈이 생성되는 것과 동시에, 니켈 수산화물이 긴 금속판(64)의 표면에 생성된다고 생각된다.

2NiO + H₂→ Ni(OH)₂ + Ni

제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착력을 충분히 확보하기 위해서는, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)이나 제2 면(64b) 등의 표면에서 니켈의 환원 반응이 발생하는 것을 억제하고, 이에 의해 니켈 수산화물의 생성을 억제하는 것이 중요하다고 할 수 있다.

본건 발명자들이 예의 연구를 거듭한 결과, A1/A2가 낮아질수록, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착성이 높아지는 경향이 보였다. 따라서, 제1 레지스트 패턴(65a)과 제1 면(21a)의 사이의 밀착성을 높인다는 측면에서는, A1/A2가 0.3 이하인 것이 보다 바람직하고, A1/A2가 0.2 이하인 것이 더욱 바람직하다.

또한, 상술한 설명에 있어서는, 상술한 조건 (1)에 기초하여 긴 금속판(64)을 검사하는 검사 공정을, 긴 금속판(64)의 선별을 행하기 위해 이용하는 예를 나타냈지만, 조건 (1)의 이용 방법이 이것에 한정되는 일은 없다.

예를 들어, 상술한 조건 (1)은, 어닐링 온도나 어닐링 시간 등의, 긴 금속판(64)을 제조하기 위한 조건을 최적화하기 위해 이용되어도 된다. 구체적으로는, 여러 가지 어닐링 온도나 어닐링 시간으로 긴 금속판(64)을 제조하고, 얻어진 각 긴 금속판(64)의 표면의 조성을 분석하고, 그리고 분석 결과와 조건 (1)을 대조함으로써, 조건 (1)을 만족할 수 있는 적절한 제조 조건을 설정한다고 하는 작업을 위해, 조건 (1)이 이용되어도 된다. 이 경우, 실제 제조 공정에 있어서 얻어진 긴 금속판(64) 모두에 대하여, 조건 (1)에 기초하는 선별을 실시할 필요는 없다. 예를 들어, 일부의 긴 금속판(64)에 대해서만, 조건 (1)에 관한 표본 검사를 실시해도 된다. 혹은, 제조 조건이 일단 설정된 후에는, 조건 (1)에 관한 검사가 전혀 실시되지 않아도 된다.

(증착 마스크의 제조 방법)

이어서, 상술한 바와 같이 하여 선별된 긴 금속판(64)을 사용하여 증착 마스크(20)를 제조하는 방법에 대하여, 주로 도 11 내지 도 19를 참조하여 설명한다. 이하에 설명하는 증착 마스크(20)의 제조 방법에서는, 도 11에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)이 공급되고, 이 긴 금속판(64)에 관통 구멍(25)이 형성되고, 또한 긴 금속판(64)을 재단함으로써 낱장형의 금속판(21)을 포함하는 증착 마스크(20)가 얻어진다.

보다 구체적으로는, 증착 마스크(20)의 제조 방법, 띠형으로 연장되는 긴 금속판(64)을 공급하는 공정과, 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭을 긴 금속판(64)에 실시하여, 긴 금속판(64)에 제1 면(64a)측으로부터 제1 오목부(30)를 형성하는 공정과, 포토리소그래피 기술을 이용한 에칭을 긴 금속판(64)에 실시하여, 긴 금속판(64)에 제2 면(64b)측으로부터 제2 오목부(35)를 형성하는 공정을 포함하고 있다. 그리고, 긴 금속판(64)에 형성된 제1 오목부(30)와 제2 오목부(35)가 서로 통함으로써, 긴 금속판(64)에 관통 구멍(25)이 제작된다. 도 12 내지 도 19에 도시된 예에서는, 제2 오목부(35)의 형성 공정이, 제1 오목부(30)의 형성 공정 전에 실시되고, 또한 제2 오목부(35)의 형성 공정과 제1 오목부(30)의 형성 공정의 사이에, 제작된 제2 오목부(35)를 밀봉하는 공정이 추가로 설정되어 있다. 이하에 있어서, 각 공정의 상세를 설명한다.

도 11에는, 증착 마스크(20)를 제작하기 위한 제조 장치(60)가 도시되어 있다. 도 11에 도시하는 바와 같이, 우선, 긴 금속판(64)을 코어(61)에 권취한 권취체(62)가 준비된다. 그리고, 이 코어(61)가 회전하여 권취체(62)가 권출됨으로써, 도 11에 도시하는 바와 같이 띠형으로 연장되는 긴 금속판(64)이 공급된다. 또한, 긴 금속판(64)은, 관통 구멍(25)이 형성되어 낱장형의 금속판(21), 나아가 증착 마스크(20)를 이루게 된다.

공급된 긴 금속판(64)은, 반송 롤러(72)에 의해, 에칭 장치(에칭 수단)(70)에 반송된다. 에칭 수단(70)에 의해, 도 12 내지 도 19에 도시된 각 처리가 실시된다. 또한, 본 실시 형태에 있어서는, 긴 금속판(64)의 폭 방향으로 복수의 증착 마스크(20)가 할당되는 것으로 한다. 즉, 복수의 증착 마스크(20)가, 길이 방향에 있어서 긴 금속판(64)의 소정의 위치를 차지하는 영역으로부터 제작된다. 이 경우, 바람직하게는 증착 마스크(20)의 길이 방향이 긴 금속판(64)의 압연 방향에 일치하도록, 복수의 증착 마스크(20)가 긴 금속판(64)에 할당된다.

우선, 도 12에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상 및 제2 면(64b) 상에 네가티브형 감광성 레지스트 재료를 포함하는 레지스트막(65c, 65d)을 형성한다. 레지스트막(65c, 65d)을 형성하는 방법으로서는, 아크릴계 광경화성 수지 등의 감광성 레지스트 재료를 포함하는 층이 형성된 필름, 소위 드라이 필름을 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상 및 제2 면(64b) 상에 부착하는 방법이 채용된다. 여기서 상술한 바와 같이, 긴 금속판(64)은, 제1 면(64a)에서의 니켈 수산화물의 존재량이 상술한 조건 (1)을 만족하도록 제조되어 있고, 이러한 제1 면(64a)에 레지스트막(65c)이 부착된다.

이어서, 레지스트막(65c, 65d) 중 제거하고 싶은 영역에 광을 투과시키지 않도록 한 노광 마스크(85a, 85b)를 준비하고, 노광 마스크(85a, 85b)를 각각 도 13에 도시하는 바와 같이 레지스트막(65c, 65d) 상에 배치한다. 노광 마스크(85a, 85b)로서는, 예를 들어 레지스트막(65c, 65d) 중 제거하고 싶은 영역에 광을 투과시키지 않도록 한 유리 건판이 사용된다. 그 후, 진공 밀착에 의해 노광 마스크(85a, 85b)를 레지스트막(65c, 65d)에 충분히 밀착시킨다.

또한, 감광성 레지스트 재료로서, 포지티브형의 것이 사용되어도 된다. 이 경우, 노광 마스크로서, 레지스트막 중 제거하고 싶은 영역에 광을 투과시키도록 한 노광 마스크가 사용된다.

그 후, 레지스트막(65c, 65d)을 노광 마스크(85a, 85b) 너머로 노광한다. 또한, 노광된 레지스트막(65c, 65d)에 상을 형성하기 위해 레지스트막(65c, 65d)을 현상한다(현상 공정). 이상과 같이 하여, 도 14a에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상에 제1 레지스트 패턴(65a)을 형성하고, 긴 금속판(64)의 제2 면(64b) 상에 제2 레지스트 패턴(65b)을 형성할 수 있다. 또한, 현상 공정은, 레지스트막(65c, 65d)의 경도를 높이기 위한, 또는 긴 금속판(64)에 대하여 레지스트막(65c, 65d)을 보다 견고하게 밀착시키기 위한 레지스트 열처리 공정을 포함하고 있어도 된다. 레지스트 열처리 공정은, 아르곤 가스, 헬륨 가스, 질소 가스 등의 불활성 가스의 분위기에 있어서, 예를 들어 100 내지 400℃의 범위 내에서 실시된다.

도 14b는, 도 14a에 도시하는, 제1 레지스트 패턴(65a, 65b)이 설치된 긴 금속판(64)을, 제1 면(64a)측에서 본 경우를 도시하는 부분 평면도이다. 도 14b에 있어서는, 제1 레지스트 패턴(65a)이 설치되어 있는 영역이 망점을 넣어 표시되어 있다. 또한, 그 후의 에칭 공정에 의해 형성되는 제1 오목부(30), 벽면(31), 접속부(41)나 톱부(43)가 점선으로 표시되어 있다.

이어서, 도 15에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제2 면(64b) 중 제2 레지스트 패턴(65b)에 의해 덮여 있지 않은 영역을, 제2 에칭액을 사용하여 에칭하는 제2 면 에칭 공정을 실시한다. 예를 들어, 제2 에칭액이, 반송되는 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)에 대면하는 측에 배치된 노즐로부터, 제2 레지스트 패턴(65b) 너머로 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)을 향하여 분사된다. 이 결과, 도 15에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64) 중 제2 레지스트 패턴(65b)에 의해 덮여 있지 않은 영역에서, 제2 에칭액에 의한 침식이 진행된다. 이에 의해, 긴 금속판(64)의 제2 면(64b)에 다수의 제2 오목부(35)가 형성된다. 제2 에칭액으로서는, 예를 들어 염화제2철 용액 및 염산을 포함하는 것이 사용된다.

그 후, 도 16에 도시하는 바와 같이, 후속의 제1 면 에칭 공정에 있어서 사용되는 제1 에칭액에 대한 내성을 가진 수지(69)에 의해, 제2 오목부(35)가 피복된다. 즉, 제1 에칭액에 대한 내성을 가진 수지(69)에 의해, 제2 오목부(35)가 밀봉된다. 도 16에 도시하는 예에 있어서, 수지(69)의 막이, 형성된 제2 오목부(35)뿐만 아니라, 제2 면(64b)(제2 레지스트 패턴(65b))도 덮도록 형성되어 있다.

이어서, 도 17에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 중 제1 레지스트 패턴(65a)에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하고, 제1 면(64a)에 제1 오목부(30)를 형성하는 제1 면 에칭 공정을 실시한다. 제1 면 에칭 공정은, 제2 오목부(35)와 제1 오목부(30)가 서로 통하고, 이에 의해 관통 구멍(25)이 형성되게 될 때까지 실시된다. 제1 에칭액으로서는, 상술한 제2 에칭액과 마찬가지로, 예를 들어 염화제2철 용액 및 염산을 포함하는 것이 사용된다.

또한, 제1 에칭액에 의한 침식은, 긴 금속판(64) 중 제1 에칭액에 접하고 있는 부분에 있어서 행해져 간다. 따라서, 침식은, 긴 금속판(64)의 법선 방향(두께 방향)으로만 진행되는 것이 아니라, 긴 금속판(64)의 판면을 따른 방향으로도 진행되어 간다. 여기서 바람직하게는, 제1 면 에칭 공정은, 제1 레지스트 패턴(65a)의 인접하는 2개의 구멍(66a)에 대면하는 위치에 각각 형성된 2개의 제1 오목부(30)가, 2개의 구멍(66a)의 사이에 위치하는 브리지부(67a)의 이측에 있어서 합류하기보다도 전에 종료된다. 이에 의해, 도 18에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)에 상술한 톱부(43)를 남길 수 있다.

그 후, 도 19에 도시하는 바와 같이, 긴 금속판(64)으로부터 수지(69)가 제거된다. 수지(69)는, 예를 들어 알칼리계 박리액을 사용함으로써, 제거할 수 있다. 알칼리계 박리액이 사용되는 경우, 도 19에 도시하는 바와 같이, 수지(69)와 동시에 레지스트 패턴(65a, 65b)도 제거된다. 또한, 수지(69)를 제거한 후, 수지(69)를 박리시키기 위한 박리액과는 상이한 박리액을 사용하여, 수지(69)와는 별도로 레지스트 패턴(65a, 65b)을 제거해도 된다.

이와 같이 하여 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 긴 금속판(64)은, 당해 긴 금속판(64)을 협지한 상태로 회전하는 반송 롤러(72, 72)에 의해, 절단 장치(절단 수단)(73)로 반송된다. 또한, 이 반송 롤러(72, 72)의 회전에 의해 긴 금속판(64)에 작용하는 텐션(인장 응력)을 통하여, 상술한 공급 코어(61)가 회전되어, 권취체(62)로부터 긴 금속판(64)이 공급되도록 되어 있다.

그 후, 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 긴 금속판(64)을 절단 장치(절단 수단)(73)에 의해 소정의 길이 및 폭으로 절단함으로써, 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 낱장형의 금속판(21)이 얻어진다.

이상과 같이 하여, 다수의 관통 구멍(25)이 형성된 금속판(21)을 포함하는 증착 마스크(20)가 얻어진다. 여기서 본 실시 형태에 따르면, 금속판(21)의 기원으로 되는 긴 금속판(64)은, 제1 면(64a)에서의 니켈 수산화물의 존재량이 상술한 조건 (1)을 만족하도록 제조되고 있다. 상술한 제1 레지스트 패턴(65a), 및 제1 레지스트 패턴(65a)의 기원으로 되는 레지스트막(65c)은, 이러한 제1 면(64a)에 부착된다. 이로 인해, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a)과 제1 레지스트 패턴(65a)의 사이의 밀착력을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 레지스트막(65c)으로서는, 상술한 바와 같이, 아크릴계 광경화성 수지를 포함하는 레지스트막 등, 소위 드라이 필름이라고도 칭해지는, 높은 해상도를 갖는 것이 채용되고 있다. 이로 인해 본 실시 형태에 따르면, 제1 레지스트 패턴(65a)이 금속판(21)으로부터 박리되어 버린다고 하는 공정 불량이 발생하는 것을 억제하면서, 좁은 폭의 제1 레지스트 패턴(65a)을 고정밀도로 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상에 형성할 수 있다. 따라서, 높은 화소 밀도를 갖는 유기 EL 표시 장치를 제작하기 위해 사용되는 증착 마스크(20)를 높은 수율로 제조할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 제1 레지스트 패턴(65a)을 원하는 폭으로 정밀하게 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 상에 형성할 수 있으므로, 원하는 폭 β를 갖는 톱부(43)를 구비한 증착 마스크(20)를 제작할 수 있다. 이로 인해, 증착 마스크(20)에 충분한 강도를 갖게 하면서, 상술한 각도 θ1을 가능한 한 크게 할 수 있다.

(증착 공정)

이어서, 얻어진 증착 마스크(20)를 사용하여 기판(92) 상에 증착 재료를 증착시키는 방법에 대하여 설명한다. 처음에 도 2에 도시하는 바와 같이, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)을 기판(92)의 면에 밀착시킨다. 이때, 도시하지 않은 자석 등을 사용하여, 증착 마스크(20)의 제2 면(20b)을 기판(92)의 면에 밀착시켜도 된다. 또한, 도 1에 도시하는 바와 같이, 복수의 증착 마스크(20)를 프레임(15)에 장설함으로써, 증착 마스크(20)의 면이 기판(92)의 면에 평행이 되게 한다. 그 후, 도가니(94) 내의 증착 재료(98)를 가열함으로써, 증착 재료(98)를 기화 또는 승화시킨다. 기화 또는 승화한 증착 재료(98)는, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)을 통하여 기판(92)에 부착된다. 이 결과, 증착 마스크(20)의 관통 구멍(25)의 위치에 대응한 원하는 패턴으로, 증착 재료(98)가 기판(92)의 표면에 성막된다.

여기서 본 실시 형태에 따르면, 원하는 폭 β를 갖는 톱부(43)를 제1 면(20a)측에 남길 수 있으므로, 증착 마스크(20)에 충분한 강도를 갖게 할 수 있다.

또한, 상술한 실시 형태에 대하여 여러 가지 변경을 가하는 것이 가능하다. 이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서, 변형예에 대하여 설명한다. 이하의 설명 및 이하의 설명에서 사용하는 도면에서는, 상술한 실시 형태와 마찬가지로 구성될 수 있는 부분에 대하여, 상술한 실시 형태에서의 대응하는 부분에 대하여 사용한 부호와 동일한 부호를 사용하기로 하고, 중복된 설명을 생략한다. 또한, 상술한 실시 형태에 있어서 얻어지는 작용 효과가 변형예에 있어서도 얻어지는 것이 명확한 경우, 그 설명을 생략하기도 한다.

상술한 본 실시 형태에 있어서는, 상술한 조건 (1)에 있어서 규정되는 「제1 면」이, 긴 금속판(64)이나 금속판(21) 중 증착 공정 시에 증착 재료(98)가 배치되는 측의 면인 예를 나타내었다. 그러나, 상술한 조건 (1)에 있어서 규정되는 「제1 면」은, 긴 금속판(64)이나 금속판(21) 중 기판(92)이 배치되는 측의 면이어도 된다. 이 경우, 긴 금속판(64)이나 금속판(21) 중 기판(92)이 배치되는 측에 부착되는 레지스트 패턴을, 견고하게 긴 금속판(64)이나 금속판(21)에 밀착시킬 수 있다. 이로 인해, 긴 금속판(64)이나 금속판(21) 중 기판(92)이 배치되는 측에, 높은 수율로 정밀하게 오목부를 형성할 수 있다.

즉, 본 실시 형태에 있어서, 상술한 조건 (1)은, 이하와 같이 바꿔 말할 수도 있다.

「X선 광전자 분광법을 이용하여 금속판의 한쪽 면 및 한쪽 면의 반대측에 위치하는 다른쪽 면 중 적어도 하나의 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하일 것.」

또한, 본 실시 형태에 따르면, 금속판의 한쪽 면 및 한쪽 면의 반대측에 위치하는 다른쪽 면 중 적어도 하나의 면의 조성 분석의 결과가, 상술한 조건을 만족함으로써, 금속판의 면에 높은 수율로 정밀하게 오목부를 형성할 수 있다.

그 밖에도, 「니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하일 것」이라고 하는 조건이, 긴 금속판(64)의 제1 면(64a) 및 제2 면(64b)의 양쪽에서 충족되어도 된다.

또한, 상술한 본 실시 형태에 있어서는, 긴 금속판(64)의 폭 방향으로 복수의 증착 마스크(20)가 할당되는 예를 나타내었다. 또한, 증착 공정에 있어서, 복수의 증착 마스크(20)가 프레임(15)에 설치되는 예를 나타내었다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 도 20에 도시하는 바와 같이, 금속판(21)의 폭 방향 및 길이 방향의 양쪽을 따라 격자형으로 배치된 복수의 유효 영역(22)을 갖는 증착 마스크(20)가 사용되어도 된다.

또한, 상술한 본 실시 형태에 있어서는, 현상 공정에 있어서 레지스트 열처리 공정이 실시되는 예를 나타내었다. 그러나, 상술한 조건 (1)이 만족되도록 긴 금속판(64)을 제조함으로써 긴 금속판(64)과 레지스트막(65c)의 사이의 밀착력이 충분히 확보되는 경우, 레지스트 열처리 공정이 생략되어도 된다. 레지스트 열처리 공정이 실시되지 않는 경우에는, 레지스트 열처리 공정이 실시되는 경우에 비하여, 제1 레지스트 패턴(65a)의 경도가 저하된다. 따라서, 관통 구멍(25)을 형성한 후, 레지스트 패턴(65a)을 보다 용이하게 제거할 수 있다.

또한, 상술한 본 실시 형태에 있어서는, 원하는 두께를 갖는 판재가, 모재를 압연하여 판재를 제작하고, 그 후, 판재를 어닐링함으로써 얻어지는 예를 나타내었다. 그러나, 이것에 한정되지 않고, 도금 처리를 이용한 제박 공정에 의해, 원하는 두께를 갖는 금속판을 제작해도 된다. 제박 공정에 있어서는, 예를 들어 도금액 중에 부분적으로 침지된 스테인리스제 등의 드럼을 회전시키면서, 드럼의 표면에 도금막을 형성하고, 이 도금막을 박리해 감으로써, 긴 형상의 금속판을 롤 투 롤로 제작할 수 있다. 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 금속판을 제작하는 경우, 도금액으로서는, 니켈 화합물을 포함하는 용액과, 철 화합물을 포함하는 용액의 혼합 용액을 사용할 수 있다. 예를 들어, 술팜산니켈을 포함하는 용액과, 술팜산철을 포함하는 용액의 혼합 용액을 사용할 수 있다. 도금액에는, 말론산이나 사카린 등의 첨가제가 포함되어 있어도 된다.

이와 같이 하여 얻어진 금속판에 대하여, 이어서 상술한 어닐링 공정을 실시해도 된다. 또한, 어닐링 공정 후에, 금속판의 폭을 원하는 폭으로 조정하기 위해 금속판의 양단을 잘라내는 상술한 절단 공정을 실시해도 된다.

도금 처리를 이용하여 금속판을 제작한 경우에도, 상술한 본 실시 형태의 경우와 마찬가지로, 그 후, 레지스트 패턴(65a, 65b)을 형성하는 공정이나, 금속판의 제1 면 및 제2 면을 에칭하는 공정을 실시함으로써, 복수의 관통 구멍(25)이 형성된 증착 마스크(20)를 얻을 수 있다. 또한, 조건 (1)을 이용함으로써, 금속판의 판별이나 제조 조건의 최적화를 실시할 수 있다.

<실시예>

이어서, 본 발명을 실시예에 의해 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예의 기재에 한정되는 것은 아니다.

<실시예 1>

(제1 권취체)

처음에, 34 내지 38질량％의 니켈과, 크롬과, 잔량부의 철 및 불가피의 불순물을 포함하는 철 합금으로 구성된 모재를 준비하였다. 이어서, 모재에 대하여 상술한 압연 공정, 슬릿 공정 및 어닐링 공정을 실시함으로써, 20㎛의 두께를 갖는 긴 금속판이 권취된 권취체(제1 권취체)를 제조하였다.

[조성의 분석]

그 후, 전단기를 사용하여 긴 금속판(64)을 소정의 범위로, 예를 들어 30×30mm의 범위로 잘라내 제1 시료를 얻었다. 이어서, XPS법을 이용하여, 제1 시료의 표면의 조성을 분석하였다. 측정기로서는, 서모 피셔 사이언티픽사제 XPS 장치 ESCALAB 220i-XL을 사용하였다.

조성 분석 시의, XPS 장치의 설정은 이하와 같다.

입사 X선: monochromated Al kα(단색화 X선, hv=1486.6eV)

X선 출력: 10kVㆍ16mA(160W)

애퍼쳐 개방도: F.O.V.=open, A.A.=open

측정 영역: 700㎛φ

X선 입사각 φ1(도 10 참조): 45도

광전자 도입각: 90도

도 21의 (a), (b)는, 제1 권취체로부터 잘라낸 제1 시료를, 상술한 XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타내는 도면이다. 도 21의 (a), (b)에 있어서, 횡축은, 제1 시료로부터 관측된 광전자에 대응하는, 제1 시료의 전자 궤도의 광전자 속박 에너지(Binding Energy)를 나타내고 있고, 종축은, 제1 시료로부터 관측된 광전자의 강도를 나타내고 있다. 도 21의 (a)에는, 횡축의 값이 약 700 내지 740eV인 경우가 도시되어 있고, 도 21의 (b)에는, 횡축의 값이 약 850 내지 890eV인 경우가 도시되어 있다.

XPS법을 이용한 조성 분석에 있어서는, 제1 시료에 포함되는 구성 원소의 함유량에 대응한 크기의 피크가, 구성 원소에 따른 특정한 횡축 상의 위치에 나타난다. 예를 들어 도 21의 (a)에 있어서, 부호(P1)가 첨부된 피크는, 제1 시료에 포함되는 철 산화물 및 철 수산화물에 대응하고 있고, 부호(P2)가 첨부된 피크는, 제1 시료에 포함되는 철에 대응하고 있다. 또한, 도 21의 (b)에 있어서, 부호(P3)가 첨부된 피크는, 제1 시료에 포함되는 니켈 산화물 및 니켈 수산화물에 대응하고 있고, 부호(P4)가 첨부된 피크는, 제1 시료에 포함되는 니켈에 대응하고 있다.

참고로서, 도 22의 (a)에, 제1 표준 시료로서 준비한 니켈 산화물(NiO)을, XPS법을 이용하여 분석한 결과를 나타낸다. 또한, 도 22의 (b)에, 제2 표준 시료로서 준비한 니켈 수산화물(Ni(OH)₂)을, XPS법을 이용하여 분석한 결과를 나타낸다. 도 22의 (a)에 도시하는 바와 같이, 니켈 산화물에 대응하는 피크는, 횡축의 값이 제1 값 E1=853.8eV로 되는 위치에 나타난다. 한편, 도 22의 (b)에 도시하는 바와 같이, 니켈 수산화물에 대응하는 피크는, 횡축의 값이 제2 값 E2=855.9eV로 되는 위치에 나타난다.

도 21의 (b)에는, 참고로서, 니켈 산화물에 대응하는 피크가 나타나는 제1 값 E1의 위치, 및 니켈 수산화물에 대응하는 피크가 나타나는 제2 값 E2의 위치를 점선으로 나타내고 있다. E1 및 E2의 값은 근접하고 있으며, 이로 인해 도 21의 (b)에 도시하는 바와 같이, 제1 시료의 측정 결과에 있어서, 피크 P3에는, 니켈 산화물에 대응하는 광전자의 검출 결과, 및 니켈 수산화물에 대응하는 광전자의 검출 결과의 양쪽이 포함된다. 도 21의 (b)에 도시하는 피크 P3으로부터, 니켈 산화물에 대응하는 피크와 니켈 수산화물에 대응하는 피크를 정확하게 분리하는 것은 용이하지는 않다. 이러한 점을 고려하여, 상술한 조건 (1)에 있어서는, 니켈 산화물에 대응하는 광전자의 검출 결과와 니켈 수산화물에 대응하는 광전자의 검출 결과를 합산한 값을 이용하여, 금속판과 레지스트 패턴의 사이의 밀착력을 평가하도록 하고 있다.

도 21의 (a), (b)에 도시하는 각 피크 P1 내지 P4를 측정한 후, 각 피크의 면적을 적분하여 피크 면적값을 산출하였다. 그 결과, 철 산화물 및 철 수산화물에 대응하는 피크 P1의 피크 면적값은 22329.3이고, 철에 대응하는 피크 P2의 피크 면적값은 4481.8이고, 니켈 산화물 및 니켈 수산화물에 대응하는 피크 P3의 피크 면적값은 9090.5이고, 니켈에 대응하는 피크 P4의 피크 면적값은 4748.9였다. 따라서, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2=0.41로 된다. 이로 인해, 제1 시료가 취출된 제1 권취체에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되지 않았다고 할 수 있다.

또한, 각 피크 P1 내지 P4의 피크 면적값은, XPS 장치가 갖는 해석 기능을 이용하여 산출하였다. 예를 들어, 분석자에 의존하여 측정 결과가 변동되는 것을 억제하기 위해, 백그라운드의 산출 방법으로서, Shirley법을 항상 채용하도록 하였다.

이하, XPS법을 이용한 분석 결과에 기초하여 상술한 A1/A2를 산출하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.

1. XPS 장치의 조정

우선, 하기의 조정 조건 1 내지 3을 만족하도록, XPS 장치의 분광기 에너지축의 조정을 실시하였다.

조정 조건 1: Ag 3d₅ _/2368.26±0.05eV

조정 조건 2: Au 4f₇ _/283.98±0.05eV

조정 조건 3: Cu 2p₃ _/2932.67±0.05eV

조정 조건 1은, 은의 3d₅ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자 속박 에너지가 368.26±0.05eV의 범위 내로 되도록, 분광기 에너지축을 조정하였음을 의미하고 있다. 마찬가지로, 조정 조건 2는, 금의 4f₇ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자 속박 에너지가 83.98±0.05eV의 범위 내로 되도록, 분광기 에너지축을 조정하였음을 의미하고 있다. 마찬가지로, 조정 조건 3은, 구리의 2p₃ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자 속박 에너지가 932.67±0.05eV의 범위 내로 되도록, 분광기 에너지축을 조정하였음을 의미하고 있다.

또한, 탄소의 1s 궤도의 C-C 결합에 기초하여 얻어지는 광전자 속박 에너지가 284.7 내지 285.0eV의 범위 내로 되도록, XPS 장치의 차지 업 보정을 설정하였다.

계속해서, 상술한 바와 같이 조정된 XPS 장치를 사용하여, 철 니켈 합금의 시료를 분석하여, 상술한 A1/A2를 산출하였다. 우선, 철에 관련된 피크 P1, P2에 기초하여 상술한 A2를 산출하는 방법에 대하여, 도 27a 내지 도 27d를 참조하여 설명한다.

2. 철에 관한 분석

도 27a는, 어느 하나의 철 니켈 합금의 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과 중, 횡축의 값이 700 내지 740eV의 범위인 결과를 확대하여 도시하고 있다. 도 27a에 도시하는 바와 같이, 횡축의 값이 700 내지 740eV의 범위인 결과는, 철의 2p_1/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프, 및 철의 2p_3/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프를 포함한다. 여기서는, 철의 2p₃ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프(이하, 철의 토탈 피크 P_Fe라고 칭함)에 기초하여, 상술한 A2를 산출한 예를 설명한다.

[백그라운드선의 산출 공정]

우선, 철의 토탈 피크 P_Fe에서의 백그라운드선 BG_Fe를 산출하는 공정에 대하여 설명한다. 처음에, 분석 대상으로 하는 철의 2p₃ _/2 궤도에서의, 횡축의 광전자 속박 에너지의 값의 하한값 B1 및 상한값 B2를, 하기와 같이 결정하였다.

하한값 B1: 703.6±0.2eV

상한값 B2: 717.0±0.2eV

계속해서, Shirley법을 이용하여, 하한값 B1 내지 상한값 B2의 범위에서의, 철의 토탈 피크 P_Fe에서의 백그라운드선 BG_Fe를 산출하였다. 또한, 상술한 하한값 B1 및 상한값 B2에서의 「±0.2eV」라고 하는 표시는, 측정 결과의 노이즈의 영향이 백그라운드선 BG_Fe의 산출 결과에 미치는 것을 억제하기 위해, 시료마다 하한값 B1 및 상한값 B2의 값을 미세 조정하였음을 나타내고 있다.

[철 단체에 관한 피크의 분리 공정]

이어서, 철의 토탈 피크 P_Fe로부터 철 단체에 관한 피크를 분리하는 공정에 대하여, 도 27b를 참조하여 설명한다. 도 27b는, 도 27a에 도시하는 철의 토탈 피크 P_Fe를 확대하여 도시하는 도면이다. 또한, 여기서는, 철의 토탈 피크 P_Fe에 스무싱을 실시한 후, 철의 토탈 피크 P_Fe로부터 철 단체에 관한 피크를 분리한 결과에 대하여 설명한다. 스무싱의 방법으로서는, 평균화 등, 공지된 방법을 채용할 수 있다.

우선, 철 단체에 관한 피크의 피크 위치 E_Fe1을 결정하였다. 구체적으로는, 처음에, 철의 토탈 피크 P_Fe에 포함되는 각 피크 P1, P2 중, 철 단체에 관련하여 나타난 피크가 어느 쪽인지를 결정하였다. XPS법의 분야에 있어서는, 철 단체의 2p₃ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자 속박 에너지가 약 707eV임이 알려져 있다. 따라서, 피크 P2를, 철 단체에 관련하여 나타난 피크라고 결정하였다. 계속해서, 피크 P2의 위치를 탐색하였다. 그리고, 피크 P2의 피크 위치가 706.9±0.2eV의 범위 내인 경우, 피크 P2의 피크 위치를, 철 단체에 관한 피크의 피크 위치 E_Fe1로서 채용하였다.

이어서, 철 단체에 관한 피크의 반값폭 W_Fe1을 1.54eV로 설정하였다. 계속해서, XPS 장치의 분석 기능을 이용하여, 피크 위치가 E_Fe1이고, 반값폭이 W_Fe1인 피크를, 철의 토탈 피크 P_Fe로부터 분리하였다. 이와 같이 하여 얻어진, 철 단체에 관한 피크를, 도 27b에 부호(P_Fe1)로 나타낸다. 또한, XPS 장치에 의한 분석에 있어서는, 얻어진 피크 P_Fe1의 반값폭이, 설정한 반값폭 W_Fe1로부터 변동되어 있는 경우가 있다. 이 때, ±0.1eV의 범위 내의 변동은 허용하였다.

또한, 철의 토탈 피크 P_Fe에 관한 용어에 있어서, 상술한 「철 단체에 관한 피크 P_Fe1」이나 후술하는 「피크 P_Fe2」, 「피크 P_Fe3」은, 철의 토탈 피크 P_Fe를, 시료에 포함되는 원소 단체 및 화합물에 기초하는 복수의 피크로 분해함으로써 얻어지는 피크이다. 즉, 상술한 「피크 P1, P2」는, 철의 토탈 피크 P_Fe의 형상에 기초하여 판별되는 피크이고, 「피크 P_Fe1, P_Fe2, P_Fe3」은, 철의 토탈 피크 P_Fe를, 물리적인 이론에 기초하여 분해함으로써 얻어지는 피크이다.

[철 단체에 관한 피크의 면적의 산출 공정]

이어서, 철 단체에 관한 피크 P_Fe1의 면적 S_Fe1을 산출하였다. 면적 S_Fe1은, 도 27c에 있어서 피크 P_Fe1과 백그라운드선 BG_Fe에 의해 둘러싸인 영역(사선이 그려진 영역)의 면적이다.

또한, 철의 토탈 피크 P_Fe의 면적을 산출하였다. 철의 토탈 피크 P_Fe의 면적은, 도 27c에 있어서 철의 토탈 피크 P_Fe와 백그라운드선 BG_Fe에 의해 둘러싸인 영역의 면적이다.

계속해서, 철의 토탈 피크 P_Fe의 면적 S_Fe1로부터, 철 단체에 관한 피크 P_Fe1의 면적 S_Fe1을 감산하여, 도 27c에 도시하는 면적 S_Fe(REST)를 산출하였다. 이와 같이 하여 산출한 면적 S_Fe(REST)를, 상술한 A2, 즉 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합으로 하였다.

참고로, 도 27d에, 철의 토탈 피크 P_Fe가, 피크 P_Fe1, 피크 P_Fe2, 및 피크 P_Fe3이라고 하는 3개의 피크를 포함한다고 가정하여, 토탈 피크 P_Fe를 분리한 결과를 나타낸다. 상술한 바와 같이, 피크 P_Fe1은, 철 단체에 관한 피크이다. 또한, 피크 P_Fe2 및 피크 P_Fe3은, 철 산화물에 관한 피크 또는 철 수산화물에 관한 피크이다.

상술한 면적 S_Fe(REST)는, 철의 토탈 피크 P_Fe를 도 27d에 도시하는 바와 같이 복수의 피크로 분리한 경우의, 철 단체에 관한 피크 P_Fe1 이외의 피크의 면적의 총합에 대응하고 있다. 즉, 면적 S_Fe(REST)는, 철 산화물의 피크의 면적과 철 수산화물의 피크의 면적값의 합에 대응하고 있다.

또한, 철 단체에 관한 피크가 나타나는 위치는 기지이지만, 철 산화물 및 철 수산화물에는 복수의 상태가 존재한다. 이로 인해, 철 산화물에 관한 피크 및 철 수산화물에 관한 피크는, 도 27d에 도시하는 2개의 피크(피크 P_Fe2 및 피크 P_Fe3)에서는 반드시 표시되는 것은 아니다. 이로 인해, 시료의 표면층에서의 철 산화물 또는 철 수산화물의 비율을 정확하게 산출하는 것은 곤란하다. 이러한 점을 고려하여, 상술한 A2로서, 철 산화물의 피크의 면적과 철 수산화물의 피크의 면적값의 합을 채용하고 있다.

또한, 철 단체에 관한 피크 P_Fe1의 면적 S_Fe1을, 피크 P2의 면적값이라고 칭하고, 면적 S_Fe(REST)를, 피크 P1의 면적값이라고 칭하기도 한다.

3. 니켈에 관한 분석

이어서, 니켈에 관한 분석에 대하여 설명한다. 도 28a는, 어느 하나의 철 니켈 합금의 시료를, XPS 장치를 사용하여 분석한 결과 중, 횡축의 값이 850 내지 890eV의 범위 내인 결과를 확대하여 도시하고 있다. 도 28a에 도시하는 바와 같이, 횡축의 값이 850 내지 890eV의 범위인 결과는, 니켈의 2p₁ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프, 및 니켈의 2p₃ _/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프를 포함한다. 여기서는, 니켈의 2p_3/2 궤도에 기초하여 얻어지는 광전자의 강도 분포를 나타내는 그래프(이하, 니켈의 토탈 피크 P_Ni라고 칭함)에 기초하여, 상술한 A1을 산출한 예를 설명한다. 또한, A1의 산출 방법에 있어서, 상술한 철에 관한 A2의 산출 방법과 마찬가지의 부분에 대해서는, 상세한 설명을 생략한다.

[백그라운드선의 산출 공정]

우선, 니켈의 토탈 피크 P_Ni에서의 백그라운드선 BG_Ni를, Shirley법을 이용하여 산출하였다. 분석 대상으로 하는 니켈의 2p₃ _/2 궤도에서의, 횡축의 광전자 속박 에너지의 값의 하한값 B3 및 상한값 B4는, 하기와 같이 결정하였다.

하한값 B3: 849.5±0.2eV

상한값 B4: 866.9±0.2eV

[니켈 단체에 관한 피크의 분리 공정]

이어서, 도 28b에 도시하는 바와 같이, 니켈의 토탈 피크 P_Ni로부터 니켈 단체에 관한 피크를 분리하였다. 구체적으로는, 우선, 니켈의 토탈 피크 P_Ni 중, 니켈 단체에 관련하여 나타난 피크 P4의 피크 위치를 탐색하였다. 그리고, 피크 P4의 피크 위치가 852.6±0.2eV의 범위 내인 경우, 피크 P4의 피크 위치를, 니켈 단체에 관한 피크의 피크 위치 E_Ni1로서 채용하였다.

이어서, 니켈 단체에 관한 피크의 반값폭 W_Ni1을 1.15eV로 설정하였다. 계속해서, XPS 장치의 분석 기능을 이용하여, 피크 위치가 E_Ni1이고, 반값폭이 W_Ni1인 피크를, 니켈의 토탈 피크 P_Ni로부터 분리하였다. 이와 같이 하여 얻어진, 니켈 단체에 관한 피크를, 도 28b에 부호(P_Ni1)로 나타낸다.

[니켈 단체에 관한 피크의 면적의 산출 공정]

이어서, 니켈 단체에 관한 피크 P_Ni1의 면적 S_Ni1을 산출하였다. 면적 S_Ni1은, 도 28c에 있어서 피크 P_Ni1과 백그라운드선 BG_Ni에 의해 둘러싸인 영역(사선이 그려진 영역)의 면적이다.

또한, 니켈의 토탈 피크 P_Ni의 면적을 산출하였다. 니켈의 토탈 피크 P_Ni의 면적은, 도 28c에 있어서 니켈의 토탈 피크 P_Ni와 백그라운드선 BG_Ni에 의해 둘러싸인 영역의 면적이다.

계속해서, 니켈의 토탈 피크 P_Ni의 면적 S_Ni1로부터, 니켈 단체에 관한 피크 P_Ni1의 면적 S_Ni1을 감산하여, 도 28c에 도시하는 면적 S_Ni(REST)를 산출하였다. 이와 같이 하여 산출한 면적 S_Ni(REST)를, 상술한 A1, 즉 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합으로 하였다.

참고로, 도 28d에, 니켈의 토탈 피크 P_Ni를, 피크 P_Ni1, 피크 P_Ni2, 피크 P_Ni3 및 피크 P_Ni4와 같은 4개의 피크로 분리한 결과를 나타낸다. 상술한 바와 같이, 피크 P_Ni1은, 니켈 단체에 관한 피크이다. 또한, 피크 P_Ni2, 피크 P_Ni3, 피크 P_Ni4는, 니켈 산화물에 관한 피크 또는 니켈 수산화물에 관한 피크이다.

상술한 면적 S_Ni(REST)는, 니켈의 토탈 피크 P_Ni를 도 28d에 도시하는 바와 같이 복수의 피크로 분리한 경우의, 니켈 단체에 관한 피크 P_Ni1 이외의 피크의 면적의 총합에 대응하고 있다. 즉, 면적 S_Ni(REST)는, 니켈 산화물의 피크의 면적과 니켈 수산화물의 피크의 면적값의 합에 대응하고 있다.

또한, 니켈 단체에 관한 피크 P_Ni1의 면적 S_Ni1을, 피크 P4의 면적값이라고 칭하고, 면적 S_Ni(REST)를, 피크 P3의 면적값이라고 칭하기도 한다.

4. A1/A2의 산출

이상과 같이 하여 산출한 A1 및 A2에 기초하여, A1/A2를 산출하였다.

[레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가]

상술한 제1 권취체의 긴 금속판을, 절단기를 사용하여 예를 들어 200×200mm의 범위로 잘라내, 제1 샘플을 얻었다. 이어서, 제1 샘플의 표면에, 10㎛의 두께의 감광층을 포함하는 드라이 필름을 부착하여, 제1 샘플의 표면에 레지스트막을 설치하였다. 그 후, 도 23에 도시하는 바와 같은, 폭 w를 갖는 격자형의 레지스트 패턴이 형성되도록, 레지스트막을 노광하였다. 폭 w는 100㎛로 설정하였다. 이어서, 제1 샘플을 현상액에 침지시키고, 100㎛의 폭의 레지스트 패턴이 제1 샘플로부터 박리되어 버릴 때까지의 시간을 측정하였다. 현상액으로서는, 소다 애시 재팬 가부시키가이샤제의 탄산나트륨을 5.0g/L의 농도로 한 것을 사용하였다. 현상액의 온도는 24℃로 설정하였다.

본 실시예에 있어서는, 현상액에 침지된 레지스트 패턴이 박리될 때까지의 시간이 15분 이상이면, 밀착성이 양호하고, 한편, 현상액에 침지된 레지스트 패턴이 박리될 때까지의 시간이 15분 미만이면, 밀착성이 불량하다고 판단하였다. 본 실시예에 있어서, 레지스트 패턴이 제1 샘플로부터 박리될 때까지의 시간은 13분이었다. 따라서, 제1 시료가 취출된 제1 권취체와, 레지스트 패턴의 사이의 밀착성은, 불량하다고 할 수 있다.

레지스트 패턴이 금속판으로부터 박리되었는지 여부는, 예를 들어 금속판의 제1 면의 법선 방향을 따라 레지스트 패턴을 본 경우에 레지스트 패턴이 곡선형의 부분을 포함하는지 여부에 기초하여 판단할 수 있다. 왜냐하면, 현상액 내에 있어서는, 레지스트 패턴 중 금속판으로부터 박리된 부분이 부유하여 변형되기 때문이다. 도 27에, 격자형으로 패터닝된 레지스트 패턴의 일부가 현상액 내에 있어서 금속판으로부터 박리된 상태의 금속판 및 레지스트 패턴의 모식도의 일례를 도시한다.

(제2 내지 제4 권취체)

제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 34 내지 38질량％의 니켈과, 0.1질량％ 미만의 크롬과, 잔량부의 철 및 불가피의 불순물을 포함하는 철 합금으로 구성된 모재를 사용하여, 20㎛의 두께를 갖는 긴 금속판이 권취된 제2 권취체 내지 제4 권취체를 제조하였다. 또한, 제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 제2 권취체 내지 제4 권취체에 관하여, 조성의 분석, 및 레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가를 실시하였다. 도 24의 (a), (b), 도 25의 (a), (b) 및 도 26의 (a), (b)에 각각 제2 권취체, 제3 권취체 및 제4 권취체로부터 잘라낸 시료를, 상술한 XPS 장치를 사용하여 분석한 결과를 나타낸다.

(제1 내지 제4 권취체의 판정 결과의 정리)

제1 권취체 내지 제4 권취체의 긴 금속판으로부터 취출된 시료를 분석한 결과로서 얻어진, 상술한 각 피크 P1 내지 P4의 피크 면적값을 표 3에 나타낸다. 또한, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 하여, A1/A2를 산출한 결과를 함께 표 3에 나타낸다. 표 3에 나타내는 바와 같이, 제1 권취체 및 제2 권취체에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되어 있지 않았다. 한편, 제3 권취체 및 제4 권취체에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되어 있었다. 참고로, XPS법을 이용한 조성 분석에 의해 산출된, 제1 권취체 내지 제4 권취체의 긴 금속판의 조성을 표 4에 나타낸다.

(레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가 결과의 정리)

제1 권취체 내지 제4 권취체의 긴 금속판으로부터 잘라낸 샘플에 대하여 실시한, 상술한 레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가 결과를, 표 5에 나타낸다. 표 5의 「밀착성」란에 있어서, 「양호」 및 「불량」은 각각 현상액에 침지된 레지스트 패턴이 박리될 때까지의 시간이 15분 이상 및 15분 미만이었음을 의미하고 있다.

표 3 및 표 5에 나타내는 바와 같이, 제3 권취체 및 제4 권취체로부터 잘라낸 샘플은, 레지스트 패턴에 대한 양호한 밀착성을 갖고 있었다. 한편, 제1 권취체 및 제2 권취체로부터 잘라낸 샘플은, 레지스트 패턴에 대한 충분한 밀착성을 갖고 있지 않았다. 이들의 점에서, 금속판의 표면에서의, 철 산화물 및 철 수산화물에 대한 니켈 산화물 및 니켈 수산화물의 비율을 작게 하는 것, 보다 구체적으로는 상술한 A1/A2를 0.4 이하로 하는 것은, 레지스트 패턴에 대한 밀착성을 확보하는 측면에서 유효하다고 할 수 있다. 즉, 상술한 조건 (1)은, 금속판을 선별하기 위한 유력한 판단 방법이라고 생각한다.

(제5 내지 제9 권취체)

제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 34 내지 38질량％의 니켈과, 0.1질량％ 미만의 크롬과, 잔량부의 철 및 불가피의 불순물을 포함하는 철 합금으로 구성된 모재를 사용하여, 20㎛의 두께를 갖는 긴 금속판이 권취된 제5 권취체 내지 제8 권취체, 및 18㎛의 두께를 갖는 긴 금속판이 권취된 제9 권취체를 제조하였다. 또한, 제1 권취체의 경우와 마찬가지로 하여, 제5 권취체 내지 제9 권취체에 관하여, 조성의 분석 및 레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가를 실시하였다.

(제5 내지 제9 권취체의 판정 결과의 정리)

제5 권취체 내지 제9 권취체의 긴 금속판으로부터 취출된 시료를 분석한 결과로서 얻어진, 피크 P1 내지 P4의 피크 면적값을 표 6에 나타낸다. 또한, 상술한 A1/A2를 산출한 결과를 함께 표 6에 나타낸다. 표 6에 나타내는 바와 같이, 제6 권취체에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되어 있지 않았다. 한편, 제5 권취체 및 제7 권취체 내지 제9 권취체에 있어서는, 상술한 조건 (1)이 만족되어 있었다. 참고로, XPS법을 이용한 조성 분석에 의해 산출된, 제5 권취체 내지 제9 권취체의 긴 금속판의 조성을 표 7에 나타낸다.

(레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가 결과의 정리)

제5 권취체 내지 제9 권취체의 긴 금속판으로부터 잘라낸 샘플에 대하여 실시한, 상술한 레지스트 패턴에 대한 밀착성의 평가 결과를, 표 8에 나타낸다.

표 6 및 표 8에 나타내는 바와 같이, 제5 권취체 및 제7 권취체 내지 제9 권취체로부터 잘라낸 샘플은, 레지스트 패턴에 대한 양호한 밀착성을 갖고 있었다. 한편, 제6 권취체로부터 잘라낸 샘플은, 레지스트 패턴에 대한 충분한 밀착성을 갖고 있지 않았다. 이러한 점으로부터도, 상술한 A1/A2를 0.4 이하로 하는 것은, 레지스트 패턴에 대한 밀착성을 확보하는 측면에서 유효하다고 할 수 있다. 즉, 상술한 조건 (1)은, 금속판을 선별하기 위한 유력한 판단 방법이라고 생각한다.

20: 증착 마스크
21: 금속판
21a: 금속판의 제1 면
21b: 금속판의 제2 면
22: 유효 영역
23: 주위 영역
25: 관통 구멍
30: 제1 오목부
31: 벽면
35: 제2 오목부
36: 벽면
43: 톱부
64: 긴 금속판
64a: 긴 금속판의 제1 면
64b: 긴 금속판의 제2 면
65a: 제1 레지스트 패턴
65b: 제2 레지스트 패턴
65c: 제1 레지스트막
65d: 제2 레지스트막
81: 조사부
82: 검출부
98: 증착 재료

Claims

복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위해 사용되는 금속판의 제조 방법이며,
니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 판재를 준비하는 준비 공정을 구비하고,
상기 판재로부터 얻어지는 상기 금속판의 제1 면의 조성 분석을, X선 광전자 분광법을 이용하여 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고,
X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 금속판의 제조 방법.
제1항에 있어서, 상기 판재를 어닐링하여 상기 금속판을 얻는 어닐링 공정을 추가로 포함하는, 금속판의 제조 방법.
제2항에 있어서, 상기 어닐링 공정은 불활성 가스 분위기에서 실시되는, 금속판의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준비 공정은, 니켈을 포함하는 철 합금을 포함하는 모재를 압연하는 압연 공정을 포함하는, 금속판의 제조 방법.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 준비 공정은, 니켈 화합물을 포함하는 용액과, 철 화합물을 포함하는 용액을 포함하는 도금액을 이용하여 도금막을 제작하는 제박 공정을 포함하는, 금속판의 제조 방법.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하인, 금속판의 제조 방법.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속판은, 상기 금속판의 상기 제1 면에 부착된 드라이 필름을 노광 및 현상하여 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 제1 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 상기 증착 마스크를 제조하기 위한 것인, 금속판의 제조 방법.
복수의 관통 구멍을 형성하여 증착 마스크를 제조하기 위해 사용되는 금속판이며,
X선 광전자 분광법을 이용하여 상기 금속판의 제1 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고,
X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 금속판.
제8항에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하인, 금속판.
제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 금속판은, 상기 금속판의 상기 제1 면에 부착된 드라이 필름을 노광 및 현상하여 제1 레지스트 패턴을 형성하고, 상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하여, 상기 증착 마스크를 제조하기 위한 것인, 금속판.
복수의 관통 구멍이 형성된 증착 마스크를 제조하는 방법이며,
금속판을 준비하는 공정과,
상기 금속판의 제1 면 상에 제1 레지스트 패턴을 형성하는 제1 레지스트 패턴 형성 공정과,
상기 금속판의 상기 제1 면 중 상기 레지스트 패턴에 의해 덮여 있지 않은 영역을 에칭하고, 상기 금속판의 상기 제1 면에, 상기 관통 구멍을 구획 형성하도록 이루어지는 제1 오목부를 형성하는 에칭 공정을 구비하고,
X선 광전자 분광법을 이용하여 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석을 실시한 결과로서 얻어지는, 니켈 산화물의 피크 면적값과 니켈 수산화물의 피크 면적값의 합을 A1이라고 하고, 철 산화물의 피크 면적값과 철 수산화물의 피크 면적값의 합을 A2라고 할 경우, A1/A2가 0.4 이하이고,
X선 광전자 분광법을 이용한 상기 금속판의 상기 제1 면의 조성 분석에 있어서, 상기 금속판에 조사되는 X선의, 상기 제1 면에 대한 입사각이 45도이고, 상기 금속판으로부터 방출되는 광전자의 도입각이 90도인, 증착 마스크의 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 금속판의 두께가 85㎛ 이하인, 증착 마스크의 제조 방법.
제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 제1 레지스트 패턴 형성 공정은, 상기 금속판의 제1 면에 드라이 필름을 부착하는 공정과, 드라이 필름을 노광 및 현상하여 상기 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는, 증착 마스크의 제조 방법.