JP6905692B2 - 積層体の製造方法、積層体、およびドライフィルムの使用方法 - Google Patents

Description

本発明は、積層体の製造方法、積層体、およびドライフィルムの使用方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が３００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、フルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば４５０ｐｐｉ以上であることが求められる。

応答性の良さや消費電力の低さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料などの蒸着を行う。

蒸着マスクは一般に、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成することにより、製造され得る（例えば、特許文献１参照）。例えば、はじめに、金属板の第１面上に第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２凹部を形成する。その後、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１凹部を形成する。この際、第１凹部と第２凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。

蒸着マスクを用いた蒸着工程においては、はじめに、蒸着マスクの第２面側が基板に対面するように、蒸着マスクおよび基板を配置する。また、蒸着マスクの第１面側に、有機材料などの蒸着材料を保持したるつぼを配置する。次に、蒸着材料を加熱して蒸着材料を気化または昇華させる。気化または昇華した蒸着材料は、蒸着マスクの貫通孔を介して基板に付着する。この結果、蒸着マスクの貫通孔の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料が基板の表面に成膜される。

特開２０１４−１４８７４０号公報

有機ＥＬ表示装置の画素密度が高くなるにつれて、蒸着マスクの貫通孔の寸法や配列ピッチは小さくなる。また、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する場合、金属板の第１面または第２面に設けられるレジストパターンの幅も狭くなる。このため、レジストパターンを形成するためのレジスト膜には、高い解像度を有することが求められる。また、レジストパターンの幅が狭くなることは、レジストパターンと金属板との間の密着面積が小さくなることを意味している。このため、レジストパターンを形成するためのレジスト膜には、金属板に対する高い密着力を有することも求められる。

本発明は、このような課題を解決することができる積層体の製造方法、積層体、およびドライフィルムの使用方法を提供することを目的とする。

本発明は、蒸着マスクを製造するための金属板の第１面にレジスト膜を設ける工程を備え、
前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
前記レジスト膜が設けられていない状態の前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下である、金属板及びレジスト膜を備える積層体の製造方法である。

本発明による積層体の製造方法において、前記金属板の前記第１面に前記レジスト膜を設ける工程は、ベースフィルム及び前記ベースフィルム上のレジスト膜を備えるドライフィルムを前記金属板に貼り付ける工程を含んでいてもよい。

本発明による積層体の製造方法において、前記金属板の厚みが、８５μｍ以下であってもよい。

本発明は、蒸着マスクを製造するための金属板と、
前記金属板の第１面上のレジスト膜と、を備え、
前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
前記レジスト膜が設けられていない状態の前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下である、積層体である。

本発明による積層体において、前記金属板の厚みが、８５μｍ以下であってもよい。

本発明は、蒸着マスクを製造するための金属板の第１面に貼り付けられるドライフィルムの使用方法であって、
前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下であり、
ベースフィルム及び前記ベースフィルム上のレジスト膜を備える前記ドライフィルムの前記レジスト膜が前記金属板の前記第１面に貼り付けられる、ドライフィルムの使用方法である。

本発明によるドライフィルムの使用方法法において、前記金属板の厚みが、８５μｍ以下であってもよい。

本発明によれば、金属板の表面に狭い幅のレジストパターンを安定に設けることができる。このため、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を作製するための蒸着マスクを安定して得ることができる。

図１は、本発明の一実施の形態を説明するための図であって、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図である。 図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図である。 図３は、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図である。 図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。 図５は、図３のＶ−Ｖ線に沿った断面図である。 図６は、図３のＶＩ−ＶＩ線に沿った断面図である。 図７は、図４に示す貫通孔およびその近傍の領域を拡大して示す断面図である。 図８（ａ）〜（ｃ）は、蒸着マスクの製造方法の概略を示す図である。 図９（ａ）は、母材を圧延して、所望の厚さを有する金属板を得る工程を示す図であり、図９（ｂ）は、圧延によって得られた金属板をアニールする工程を示す図である。 図１０は、Ｘ線光電子分光法を用いて金属板の第１面の組成分析を実施する様子を示す図である。 図１１は、図１に示す蒸着マスクの製造方法の一例を全体的に説明するための模式図である。 図１２は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、金属板上にレジスト膜を形成する工程を示す断面図である。 図１３は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、レジスト膜に露光マスクを密着させる工程を示す断面図である。 図１４Ａは、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図１４Ｂは、図１４Ａに示す長尺金属板を第１面側から見た場合を示す部分平面図である。 図１５は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図１６は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図１７は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図１８は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図１９は、蒸着マスクの製造方法の一例を説明するための図であって、法線方向に沿った断面において長尺金属板を示す図である。 図２０は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の変形例を示す図である。 図２１（ａ）（ｂ）は、第１巻き体から切り出された第１試料を、XPS装置を用いて分析した結果を示す図である。 図２２（ａ）は、第１の標準試料として準備したニッケル酸化物を、ＸＰＳ法を利用して分析した結果を示す図であり、図２２（ｂ）は、第２の標準試料として準備したニッケル水酸化物を、ＸＰＳ法を利用して分析した結果を示す図である。 図２３は、第１サンプルの表面に形成したレジストパターンを示す図である。 図２４（ａ）（ｂ）は、第２巻き体から切り出された第２試料を、XPS装置を用いて分析した結果を示す図である。 図２５（ａ）（ｂ）は、第３巻き体から切り出された第３試料を、XPS装置を用いて分析した結果を示す図である。 図２６（ａ）（ｂ）は、第４巻き体から切り出された第４試料を、XPS装置を用いて分析した結果を示す図である。 図２７Ａは、鉄の2P_3/2軌道に関する鉄のトータルピークのバックグラウンド線を算出する工程を示す図である。 図２７Ｂは、鉄のトータルピークから鉄単体に関するピークを分離する工程を示す図である。 図２７Ｃは、鉄単体に関するピークの面積を算出する工程を示す図である。 図２７Ｄは、鉄酸化物および鉄水酸化物に関するピークを分離した結果を参考として示す図である。 図２８Ａは、ニッケルの2P_3/2軌道に関するトータルピークのバックグラウンド線を算出する工程を示す図である。 図２８Ｂは、ニッケルのトータルピークからニッケル単体に関するピークを分離する工程を示す図である。 図２８Ｃは、ニッケル単体に関するピークの面積を算出する工程を示す図である。 図２８Ｄは、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物に関するピークを分離した結果を参考として示す図である。 図２９は、レジストパターンの一部が現像液中において金属板から剥離した状態の一例を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

図１〜図２０は、本発明による一実施の形態およびその変形例を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクの製造方法に対し、本発明を適用することができる。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念であり、したがって、例えば「金属板」は、「金属シート」や「金属フィルム」と呼ばれる部材と呼称の違いのみにおいて区別され得ない。

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、主に図１〜図６を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。図３は、蒸着マスクを第１面の側から示す平面図であり、図４〜図６は、図３の各位置における断面図である。

図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、略矩形状の金属板２１からなる複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。各蒸着マスク２０には、第１面２１ａおよび第１面２１ａの反対側に位置する第２面２１ｂを含む金属板２１を、第１面２１ａ側および第２面２１ｂ側の両方でエッチングすることにより形成された貫通孔２５が、多数設けられている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板９２、例えばガラス基板の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、基板への蒸着材料の蒸着に使用される。

蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介して基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が基板９２の表面に成膜される。

上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、カラー表示を行いたい場合には、貫通孔２５の配列方向（前述の一方向）に沿って蒸着マスク２０（蒸着マスク装置１０）と基板９２とを少しずつ相対移動させ、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に蒸着させていってもよい。若しくは、有機発光材料の色に応じて異なる蒸着マスク２０を用いて、蒸着材料９８を基板９２の表面に成膜してもよい。

なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。

蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される。従って、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク、フレーム１５および基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、蒸着マスク２０を構成する金属板の材料として、３０〜５４質量％のニッケルを含む鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４〜３８質量％のニッケルを含むインバー材、３０〜３４質量％のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８〜５４質量％のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。なお本明細書において、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上かつ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。

（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、金属板２１からなり、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０の金属板２１は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、基板へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる基板９２上の区域、すなわち、作製された有機ＥＬ表示装置用基板の表示面をなすようになる基板上の区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。

図示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。

図３に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この金属板２１に形成された貫通孔２５の一例について、図３〜図６を主に参照して更に詳述する。

図４〜図６に示すように、複数の貫通孔２５は、蒸着マスク２０の法線方向に沿った一方の側となる第１面２０ａから、蒸着マスク２０の法線方向に沿った他方の側となる第２面２０ｂへ貫通している。図示された例では、後に詳述するように、蒸着マスクの法線方向における一方の側となる金属板２１の第１面２１ａに第１凹部３０がエッチングによって形成され、金属板２１の法線方向における他方の側となる第２面２１ｂに第２凹部３５が形成される。第１凹部３０は、第２凹部３５に接続され、これによって第２凹部３５と第１凹部３０とが互いに通じ合うように形成される。貫通孔２５は、第２凹部３５と、第２凹部３５に接続された第１凹部３０とによって構成されている。

図３〜図６に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａの側から第２面２０ｂの側へ向けて、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第１凹部３０の断面積は、しだいに小さくなっていく。同様に、蒸着マスク２０の法線方向に沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第２凹部３５の断面積は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、しだいに小さくなっていく。

図４〜図６に示すように、第１凹部３０の壁面３１と、第２凹部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスクの法線方向に対して傾斜した第１凹部３０の壁面３１と、蒸着マスクの法線方向に対して傾斜した第２凹部３５の壁面３６とが合流する張り出し部の稜線によって、画成されている。そして、接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の面積が最小になる貫通部４２を画成する。

図４〜図６に示すように、蒸着マスクの法線方向に沿った他方の側の面、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ上において、隣り合う二つの貫通孔２５は、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間している。すなわち、後述する製造方法のように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂに対応するようになる金属板２１の第２面２１ｂ側から当該金属板２１をエッチングして第２凹部３５を作製する場合、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板２１の第２面２１ｂが残存するようになる。

同様に、図４および図６に示すように、蒸着マスクの法線方向に沿った一方の側、すなわち、蒸着マスク２０の第１面２０ａの側においても、隣り合う二つの第１凹部３０が、蒸着マスクの板面に沿って互いから離間していてもよい。すなわち、隣り合う二つの第１凹部３０の間に金属板２１の第１面２１ａが残存していてもよい。以下の説明において、金属板２１の第１面２１ａの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。例えば、トップ部４３の幅βが２μｍ以下であることが好ましい。なおトップ部４３の幅βは一般に、蒸着マスク２０を切断する方向に応じて変化する。例えば、図４および図６に示すトップ部４３の幅βは互いに異なることがある。この場合、いずれの方向で蒸着マスク２０を切断した場合にもトップ部４３の幅βが２μｍ以下になるよう、蒸着マスク２０が構成されていてもよい。

なお図５に示すように、場所によっては隣り合う二つの第１凹部３０が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う二つの第１凹部３０の間に、金属板２１の第１面２１ａが残存していない場所が存在していてもよい。

図２に示すようにして蒸着マスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、図４に二点鎖線で示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置し、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが基板９２に対面する。したがって、蒸着材料９８は、次第に断面積が小さくなっていく第１凹部３０を通過して基板９２に付着する。図４において第１面２０ａ側から第２面２０ｂへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から基板９２に向けて基板９２の法線方向に沿って移動するだけでなく、基板９２の法線方向に対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このとき、蒸着マスク２０の厚みが大きいと、斜めに移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通って基板９２に到達するよりも前に、第１凹部３０の壁面３１に到達して付着する。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくし、これによって、第１凹部３０の壁面３１や第２凹部３５の壁面３６の高さを小さくすることが好ましいと考えられる。すなわち、蒸着マスク２０を構成するための金属板２１として、蒸着マスク２０の強度を確保できる範囲内で可能な限り厚みｔの小さな金属板２１を用いることが好ましいと言える。この点を考慮し、本実施の形態において、好ましくは蒸着マスク２０の厚みｔは、８５μｍ以下に、例えば５〜８５μｍの範囲内に設定される。
なお厚みｔは、周囲領域２３の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１凹部３０および第２凹部３５が形成されていない部分の厚みである。従って厚みｔは、金属板２１の厚みであると言うこともできる。

図４において、貫通孔２５の最小断面積を持つ部分となる接続部４１と、第１凹部３０の壁面３１の他の任意の位置と、を通過する直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、壁面３１に到達させることなく可能な限り基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくすることの他にも、上述のトップ部４３の幅βを小さくすることも有効である。

図６において、符号βは、金属板２１の第２面２１ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分（以下、リブ部とも称する）の幅を表している。リブ部の幅βおよび貫通部４２の寸法ｒ_２は、有機ＥＬ表示装置の寸法および表示画素数に応じて適宜定められる。表１に、５インチの有機ＥＬ表示装置において、表示画素数、および表示画素数に応じて求められるリブ部の幅βおよび貫通部４２の寸法ｒ_２の値の一例を示す。

限定はされないが、本実施の形態による蒸着マスク２０は、４５０ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合に特に有効なものである。以下、図７を参照して、そのような高い画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製するために求められる蒸着マスク２０の寸法の一例について説明する。図７は、図４に示す蒸着マスク２０の貫通孔２５およびその近傍の領域を拡大して示す断面図である。

図７においては、貫通孔２５の形状に関連するパラメータとして、蒸着マスク２０の第２面２０ｂから接続部４１までの、蒸着マスク２０の法線方向に沿った方向における距離、すなわち第２凹部３５の壁面３６の高さが符号ｒ_１で表されている。さらに、第２凹部３５が第１凹部３０に接続する部分における第２凹部３５の寸法、すなわち貫通部４２の寸法が符号ｒ_２で表されている。また図７において、接続部４１と、金属板２１の第２面２１ｂ上における第２凹部３５の先端縁と、を結ぶ直線Ｌ２が、金属板２１の法線方向Ｎに対して成す角度が、符号θ２で表されている。

４５０ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、貫通部４２の寸法ｒ_２は、好ましくは１０〜６０μｍの範囲内に設定される。これによって、高い画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製することができる蒸着マスク２０を提供することができる。好ましくは、第２凹部３５の壁面３６の高さｒ_１は、６μｍ以下に設定される。

次に、図７に示す上述の角度θ２について説明する。角度θ２は、金属板２１の法線方向Ｎに対して傾斜するとともに接続部４１近傍で貫通部４２を通過するように飛来した蒸着材料９８のうち、基板９２に到達することができる蒸着材料９８の傾斜角度の最大値に相当する。なぜなら、角度θ２よりも大きな傾斜角度で飛来した蒸着材料９８は、基板９２に到達するよりも前に第２凹部３５の壁面３６に付着するからである。従って、角度θ２を小さくすることにより、大きな傾斜角度で飛来して貫通部４２を通過した蒸着材料９８が基板９２に付着することを抑制することができ、これによって、基板９２のうち貫通部４２に重なる部分よりも外側の部分に蒸着材料９８が付着してしまうことを抑制することができる。すなわち、角度θ２を小さくすることは、基板９２に付着する蒸着材料９８の面積や厚みのばらつきの抑制を導く。このような観点から、例えば貫通孔２５は、角度θ２が４５度以下になるように形成される。なお図７においては、第２面２１ｂにおける第２凹部３５の寸法、すなわち、第２面２１ｂにおける貫通孔２５の開口寸法が、接続部４１における第２凹部３５の寸法ｒ２よりも大きくなっている例を示した。すなわち、角度θ２の値が正の値である例を示した。しかしながら、図示はしないが、接続部４１における第２凹部３５の寸法ｒ２が、第２面２１ｂにおける第２凹部３５の寸法よりも大きくなっていてもよい。すなわち、角度θ２の値は負の値であってもよい。

次に、蒸着マスク２０を作製する場合に生じ得る課題について説明する。はじめに図８（ａ）〜（ｃ）を参照して、蒸着マスク２０の製造方法の概略を説明する。

蒸着マスク２０の製造工程においては、はじめに図８（ａ）に示すように、第１面２１ａおよび第２面２１ｂを含む金属板２１を準備する。また図８（ａ）に示すように、金属板２１の第１面２１ａ上に第１レジストパターン６５ａを形成し、また第２面２１ｂ上に第２レジストパターン６５ｂを形成する。その後、図８（ｂ）に示すように、金属板２１の第２面２１ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域をエッチングして、第２凹部３５を形成する第２面エッチング工程を実施する。次に、図８（ｃ）に示すように、金属板２１の第１面２１ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域をエッチングして、第１凹部３０を形成する第１面エッチング工程を実施する。

ここで上述のように、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせながら、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、可能な限り小さな幅を有するトップ部４３が残ることが好ましい。この場合、トップ部４３に対応して金属板２１の第１面２１ａ上に形成される第１レジストパターン６５ａの幅ｗも同様に小さくなる。なお図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、エッチング工程の際の金属板２１の浸食は、金属板２１の法線方向（厚み方向）のみに進むのではなく、金属板２１の板面に沿った方向にも進んでいく。従って、金属板２１の板面に沿った方向において進行する浸食の程度よりも第１レジストパターン６５ａの幅ｗが小さい場合、エッチング工程において第１レジストパターン６５ａが金属板２１の第１面２１ａから剥離してしまうことになる。金属板２１の板面に沿った方向において進行する浸食は、片側で少なくとも３μｍ程度進行すると考えられる。この点を考慮し、第１レジストパターン６５ａの幅ｗは、上述のトップ部４３の幅βよりも少なくとも６μｍは大きくなるよう設定されることが好ましい。例えば第１レジストパターン６５ａの幅ｗは、２０〜４０μｍの範囲内になっている。

ところで、狭い幅の第１レジストパターン６５ａを精度良く作成するためには、レジストパターン６５ａを形成するための後述するレジスト膜６５ｃが高い解像度を有することが求められる。例えばレジスト膜６５ｃとして、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものを用いることが好ましい。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０を挙げることができる。その他にも、ドライフィルムの例として、旭化成イーマテリアルズ製のＵＦＧ−０５２、ＡＴＰ−０５３などを挙げることができる。

なお、ドライフィルムとは、金属板２１などの対象物の上にレジスト膜を形成するために対象物に貼り付けられるフィルムのことである。ドライフィルムは、ＰＥＴなどからなるベースフィルムと、ベースフィルムに積層され、感光性を有する感光層と、を少なくとも含む。感光層は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、スチレン系樹脂などの感光性材料を含む。

高い解像度を有するドライフィルムを用いて第１レジストパターン６５ａを作製することにより、小さな幅ｗを有する第１レジストパターン６５ａを精度良く金属板２１の第１面２１ａ上に形成することが可能になる。一方、第１レジストパターン６５ａの幅ｗが小さくなると、金属板２１の第１面２１ａと第１レジストパターン６５ａとの間の密着面積も小さくなる。このため、第１レジストパターン６５ａを形成するための後述するレジスト膜６５ｃには、金属板２１の第１面２１ａに対する高い密着力を有することが求められる。

しかしながら、本件発明者が鋭意研究を重ねたところ、ドライフィルムは、銅や銅合金に対しては強く密着するが、インバー材などの鉄−ニッケル合金に対しては密着し難いことを見出した。このため、従来の蒸着マスク２０の製造工程において、第１レジストパターン６５ａや第２レジストパターン６５ｂが金属板２１から剥離してしまうという工程不良が生じていた。例えば、露光された後述するレジスト膜６５ｃ、６５ｄを現像してレジストパターン６５ａ、６５ｂを形成する現像工程の際に、現像液が金属板２１とレジスト膜６５ｃ、６５ｄとの間に浸み込み、レジスト膜６５ｃ、６５ｄが金属板２１から剥離するという不具合が観察された。また、現像工程の後に、レジストパターン６５ａ、６５ｂをより強固に金属板２１に密着させるためにレジストパターン６５ａ、６５ｂを焼成する焼成工程を実施するまでの間に、レジスト膜６５ｃ、６５ｄが金属板２１から剥離するという不具合も観察された。

エッチング用のレジストとしては、上述のドライフィルム以外に、液体状などの流動性を有する状態で対象物に塗布される液体状レジスト材が広くしられている。液体状レジスト材は、例えばカゼインレジストである。この場合、液体状レジスト材を金属板２１などの対象物の上に塗布し、液を固化させることにより、対象物の上にレジスト膜を形成する。液体状レジスト材は、液体の状態で対象物に接触する。このため、対象物の表面に凹凸が存在している場合であっても、液体が凹凸に追従した後に液体が固化してレジスト膜となる。従って、液体状レジスト材と対象物との間の密着性は高い。

一方、上述のように、ドライフィルムは、感光層を含むフィルムの状態で対象物に接触する。このため、対象物の表面に凹凸が存在している場合、ドライフィルムの感光層が完全には凹凸に追従できない。この結果、一般に、ドライフィルムと対象物との間の密着性は、液体状レジスト材と対象物との間の密着性よりも低くなる。

以下の表に、解像度、密着性およびコストに関してドライフィルムと液体状レジスト材とを比較した結果を示す。ここで「密着性」は、インバー材に対するドライフィルムまたは液体状レジスト材の密着のし易さを意味している。表に示すように、従来のドライフィルムは、液体状レジスト材に比べて、優れた解像度を有する一方で、インバー材に対する密着性に乏しく、かつコストも高い。

なお、ドライフィルムは従来、主に、プリント基板用の銅箔をエッチングして銅配線を作成するという用途において使用されていた。この場合、ドライフィルムは銅箔上に設けられる。上述のように、ドライフィルムは、銅や銅合金に対しては強く密着するので、ドライフィルムの密着性に関する課題は従来は特には認識されていなかった。インバー材などの鉄−ニッケル合金に対するドライフィルムの密着性が低いという課題は、本実施形態のように小さな幅のレジストパターンを鉄−ニッケル合金からなる金属板上に精密に形成する場合に認識されるものであると考える。

小さな幅ｗを有する第１レジストパターン６５ａを安定に鉄−ニッケル合金からなる金属板２１の第１面２１ａ上に形成するためには、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力を高めることが重要になる。本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力は、金属板２１の第１面２１ａにおけるニッケル化合物の存在に左右されることを見出した。以下、本件発明者らが得た知見について説明する。

一般に、ニッケルを含む鉄合金からなる金属板の表面が酸化される場合、金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなるバルク層と、鉄酸化物、鉄水酸化物、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物を含む表面層と、を含んでいる。具体的には、金属板の最も表面には鉄酸化物および鉄水酸化物が存在し、そして、鉄酸化物および鉄水酸化物とバルク層との間にはニッケル酸化物およびニッケル水酸化物が存在する。

表面が酸化された金属板の組成を、本件発明者らがＸ線光電子分光法（以下、ＸＰＳ法とも称する）を用いて分析したところ、金属板の表面から数ｎｍ以内の位置に、ニッケルを含む鉄合金からなるバルク層の存在が観察された。このことから、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物を含む表面層は、金属板の表面から数ｎｍ以内の位置に存在していると言える。

また後述する実施例に示すように、レジストパターンに対する金属板の密着性の評価を行ったところ、レジストパターンに対する密着性が低い金属板においては、レジストパターンに対する密着性が高い金属板に比べて、金属板の表面層にニッケル酸化物およびニッケル水酸化物がより多く存在していた。金属板の表面層に存在する化合物が、鉄酸化物、鉄水酸化物、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物であることを考えると、「金属板の表面層にニッケル酸化物およびニッケル水酸化物が多く存在する」という状況は、「金属板の表面層において、鉄酸化物および鉄水酸化物に対するニッケル酸化物およびニッケル水酸化物の比率が高い」という状況に言い換えることができる。また、後述する実施例に示すように、様々な金属板に関してレジストパターンに対する密着性を評価したところ、鉄酸化物および鉄水酸化物に対するニッケル酸化物およびニッケル水酸化物の比率が０．４以下であれば、レジストパターンに対する金属板の密着性が十分に確保されており、一方、上述の比率が０．４を超えると、レジストパターンに対する金属板の密着性が不十分になっていた。

また、レジストパターンに対する密着性が高い金属板、およびレジストパターンに対する密着性が低い金属板について、金属板の製造工程の相違点を検証したところ、レジストパターンに対する密着性が低い金属板においては、水素などの還元性ガスを多く含む還元雰囲気の下で金属板のアニール工程が実施されていたことがわかった。従って、還元雰囲気の下では、金属板の表面にニッケル酸化物およびニッケル水酸化物が偏析しやすいと言える。また、水素などの還元性ガスを多く含む還元雰囲気の下では、後述する反応式に示すように、ニッケル酸化物の還元反応に伴ってニッケル水酸化物が生成される。このことから、ニッケル酸化物よりもニッケル水酸化物の方が、レジストパターンに対する密着性に悪影響を及ぼしていると考えられる。

なお上述の考察に基づくと、金属板の表面層におけるニッケル水酸化物の比率に基づいて、レジストパターンに対する金属板の密着性を予測することが可能であると言える。しかしながら、後述する実施例に示すように、ＸＰＳ分析において、ニッケル酸化物に対応するピークとニッケル水酸化物に対応するピークとを正確に分離することは容易ではない。この点を考慮し、本実施の形態においては、鉄酸化物および鉄水酸化物に対するニッケル酸化物およびニッケル水酸化物の比率に基づいて、レジストパターンに対する密着性に関する情報を得る方法を採用している。具体的な存在比率や、金属板２１の第１面２１ａにおける各化合物の検査方法の詳細については後述する。

次に、このような構成からなる本実施の形態とその作用および効果について説明する。
ここでは、はじめに、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法について説明する。次に、得られた金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法について説明する。
その後、得られた蒸着マスクを用いて基板上に蒸着材料を蒸着させる方法について説明する。

（金属板の製造方法）
はじめに図９（ａ）（ｂ）を参照して、金属板の製造方法について説明する。図９（ａ）は、母材を圧延して、所望の厚さを有する金属板を得る工程を示す図であり、図９（ｂ）は、圧延によって得られた金属板をアニールする工程を示す図である。

〔圧延工程〕
はじめに図９（ａ）に示すように、ニッケルを含む鉄合金から構成された母材５５を準備し、この母材５５を、一対の圧延ロール５６ａ，５６ｂを含む圧延装置５６に向けて、矢印Ｄ１で示す搬送方向に沿って搬送する。一対の圧延ロール５６ａ，５６ｂの間に到達した母材５５は、一対の圧延ロール５６ａ，５６ｂによって圧延され、この結果、母材５５は、その厚みが低減されるとともに、搬送方向に沿って伸ばされる。これによって、厚みｔ_０の板材６４Ｘを得ることができる。図９（ａ）に示すように、板材６４Ｘをコア６１に巻き取ることによって巻き体６２を形成してもよい。厚みｔ_０の具体的な値は、好ましくは上述のように５〜８５μｍの範囲内となっている。

なお図９（ａ）は、圧延工程の概略を示すものに過ぎず、圧延工程を実施するための具体的な構成や手順が特に限られることはない。例えば圧延工程は、母材５５を構成するインバー材の結晶配列を変化させる温度以上の温度で母材を加工する熱間圧延工程や、インバー材の結晶配列を変化させる温度以下の温度で母材を加工する冷間圧延工程を含んでいてもよい。また、一対の圧延ロール５６ａ，５６ｂの間に母材５５や板材６４Ｘを通過させる際の向きが一方向に限られることはない。例えば、図９（ａ）（ｂ）において、紙面左側から右側への向き、および紙面右側から左側への向きで繰り返し母材５５や板材６４Ｘを一対の圧延ロール５６ａ，５６ｂの間に通過させることにより、母材５５や板材６４Ｘを徐々に圧延してもよい。

〔スリット工程〕
その後、圧延工程によって得られた板材６４Ｘの幅方向における両端をそれぞれ３ｍｍ以上かつ５ｍｍ以下の範囲にわたって切り落とすスリット工程を実施してもよい。このスリット工程は、圧延に起因して板材６４Ｘの両端に生じ得るクラックを除去するために実施される。このようなスリット工程を実施することにより、板材６４Ｘが破断してしまう現象、いわゆる板切れが、クラックを起点として生じてしまうことを防ぐことができる。

〔アニール工程〕
その後、圧延によって板材６４Ｘ内に蓄積された残留応力を取り除くため、図９（ｂ）に示すように、アニール装置５７を用いて板材６４Ｘをアニールし、これによって長尺金属板６４を得る。アニール工程は、図９（ｂ）に示すように、板材６４Ｘや長尺金属板６４を搬送方向（長手方向）に引っ張りながら実施されてもよい。すなわち、アニール工程は、いわゆるバッチ式の焼鈍ではなく、搬送しながらの連続焼鈍として実施されてもよい。アニール工程が実施される期間は、長尺金属板６４の厚みや圧延率などに応じて適切に設定されるが、例えば５００℃で６０秒以上にわたってアニール工程が実施される。なお上記「６０秒」は、アニール装置５７中の５００℃に加熱された空間を板材６４Ｘが通過することに要する時間が６０秒であることを意味している。

好ましくは上述のアニール工程は、非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気で実施される。ここで非還元雰囲気とは、水素などの還元性ガスを含まない雰囲気のことである。「還元性ガスを含まない」とは、水素などの還元性ガスの濃度が１０％以下であることを意味している。また不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどの不活性ガスが９０％以上存在する雰囲気のことである。非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気でアニール工程を実施することにより、上述のニッケル水酸化物が長尺金属板６４の第１面６４ａや第２面６４ｂに生成されることを抑制することができる。

アニール工程を実施することにより、残留歪がある程度除去された、厚みｔ_０の長尺金属板６４を得ることができる。なお厚みｔ_０は通常、蒸着マスク２０の厚みｔに等しくなる。

なお、上述の圧延工程、スリット工程およびアニール工程を複数回繰り返すことによって、厚みｔ_０の長尺の金属板６４を作製してもよい。また図９（ｂ）においては、アニール工程が、長尺金属板６４を長手方向に引っ張りながら実施される例を示したが、これに限られることはなく、アニール工程を、長尺金属板６４がコア６１に巻き取られた状態で実施してもよい。すなわちバッチ式の焼鈍が実施されてもよい。なお、長尺金属板６４がコア６１に巻き取られた状態でアニール工程を実施する場合、長尺金属板６４に、巻き体６２の巻き取り径に応じた反りの癖がついてしまうことがある。従って、巻き体６２の巻き径や母材５５を構成する材料によっては、長尺金属板６４を長手方向に引っ張りながらアニール工程を実施することが有利である。

〔切断工程〕
その後、長尺金属板６４の幅方向における両端をそれぞれ所定範囲にわたって切り落とし、これによって、長尺金属板６４の幅を所望の幅に調整する切断工程を実施する。このようにして、所望の厚みおよび幅を有する長尺金属板６４を得ることができる。

〔検査工程〕
その後、得られた長尺金属板６４の第１面６４ａを構成する材料の組成を検査する検査工程を実施する。ここでは、ＸＰＳ法を用いて長尺金属板６４の第１面６４ａの組成分析を実施する例について説明する。ＸＰＳ法とは、Ｘ線を試料に照射することによって試料から放出される光電子のエネルギー分布を測定し、試料の表面から数ｎｍの範囲内の領域における構成元素の種類や存在量に関する知見を得る方法である。この場合、各構成元素の存在量は、Ｘ線光電子分光法によって測定されたスペクトルにおいて、各構成元素に対応するピークの面積を積分することによって算出されるピーク面積値に比例する。従って、はじめに、各構成元素に対応するピーク面積値を算出し、次に、各構成元素のピーク面積値の合計値を算出し、その後、対象とする構成元素のピーク面積値を合計値で割り、かつ１００を掛けることにより、対象とする構成元素のアトミック％を算出することができる。なお、構成元素の存在量とピーク面積値との関係は、Ｘ線に対する感度等に応じて構成元素ごとに異なることがある。この場合、感度の相違を補正するための相対感度係数を各構成元素のピーク面積値に掛けて補正ピーク面積値を算出してから、上述の合計値やアトミック％を算出してもよい。

図１０は、Ｘ線光電子分光法を用いて長尺金属板６４の第１面６４ａの組成分析を実施する様子を示す図である。図１０に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａの組成分析の一例においては、照射部８１から長尺金属板６４へＸ線Ｘ１が照射され、そして、長尺金属板６４から放出される光電子Ｘ２の取り込み角が９０度に設定される。この場合、長尺金属板６４の第１面６４ａから数ｎｍ例えば５ｎｍの範囲内の領域における構成元素の種類や存在量を再現性良く測定することができる。なお「取り込み角」とは、図１０に示すように、長尺金属板６４から放出されて検出部８２に到達する光電子Ｘ２が、長尺金属板６４から放出される際の進行方向と、長尺金属板６４の第１面６４ａとが成す角度のことである。

ＸＰＳ法を用いて長尺金属板６４の第１面６４ａの組成分析を実施した後、以下の条件（１）を満たす長尺金属板６４のみを、後述する蒸着マスク２０の製造工程において使用するという、長尺金属板６４の選別を実施する。
（１）Ｘ線光電子分光法を用いて長尺金属板６４の第１面６４ａの組成分析を実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下であること。

上記の条件（１）は、後述する第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力を十分に確保するための条件である。上述のように、ニッケル水酸化物およびニッケル酸化物は、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力を低減するように作用する。従って、上述の条件（１）に規定されるように、ニッケル酸化物およびニッケル酸化物のピーク面積値の上限を規定することは、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間に必要とされる密着力を最低限確保する上で有効である。

なお後述するように、Ｘ線光電子分光法を用いた分析において、ニッケル酸化物に対応するピークとニッケル水酸化物に対応するピークとは極めて近接して存在しており、このため両者を明確に区別することは困難である。同様に、鉄酸化物に対応するピークと鉄水酸化物に対応するピークとは極めて近接して存在しており、このため両者を明確に区別することは困難である。このような分析上の観点から、本実施の形態においては、ニッケル水酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との比ではなく、ニッケル酸化物のピーク面積値およびニッケル水酸化物のピーク面積値の和と、鉄酸化物のピーク面積値および鉄水酸化物のピーク面積値の和との比に基づいて、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力が十分に確保され得るかどうかを判定している。

本件発明者らが鋭意研究を重ねたところ、アニール工程の際の雰囲気に水素などの還元性ガスが含まれる場合に、長尺金属板６４の第１面６４ａや第２面６４ｂなどの表面にニッケル水酸化物が生成され易く、この結果、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力が低くなり易いことを見出した。また、アニール工程の際の雰囲気を非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気とすることにより、長尺金属板６４の第１面６４ａや第２面６４ｂなどの表面にニッケル水酸化物が生成されることを抑制することができ、この結果、上述のＡ１／Ａ２を０．４以下とし、これによって、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力を十分に確保することができた。
なお、水素などの還元性ガスを含む還元雰囲気の下では、例えば以下の反応式で表されるように、長尺金属板６４の表面に既に形成されているニッケル酸化物の一部が還元されてニッケルが生成されることと同時に、ニッケル水酸化物が長尺金属板６４の表面に生成されると考えられる。
2NiO + H₂ → Ni(OH)₂ + Ni
第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着力を十分に確保するためには、長尺金属板６４の第１面６４ａや第２面６４ｂなどの表面でニッケルの還元反応が生じることを抑制し、これによってニッケル水酸化物の生成を抑制することが重要であると言える。

本件発明者らが鋭意研究を重ねた結果、Ａ１／Ａ２が低くなるほど、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着性が高くなる傾向が見られた。従って、第１レジストパターン６５ａと第１面２１ａとの間の密着性を高める上では、Ａ１／Ａ２が０．３以下であることがより好ましく、Ａ１／Ａ２が０．２以下であることがさらに好ましい。

なお上述の説明においては、上述の条件（１）に基づいて長尺金属板６４を検査する検査工程を、長尺金属板６４の選別を行うために利用する例を示したが、条件（１）の利用方法がこれに限られることはない。
例えば、上述の条件（１）は、アニール温度やアニール時間などの、長尺金属板６４を製造するための条件を最適化するために利用されてもよい。具体的には、様々なアニール温度やアニール時間で長尺金属板６４を製造し、得られた各長尺金属板６４の表面の組成を分析し、そして分析結果と条件（１）とを照らし合わせることによって、条件（１）を満たし得る適切な製造条件を設定する、という作業のために、条件（１）が利用されてもよい。この場合、実際の製造工程において得られた長尺金属板６４の全てに対して、条件（１）に基づく選別を実施する必要はない。例えば、一部の長尺金属板６４に対してのみ、条件（１）に関する抜き取り検査を実施してもよい。若しくは、製造条件がいったん設定された後は、条件（１）に関する検査が全く実施されなくてもよい。

（蒸着マスクの製造方法）
次に、上述のようにして選別された長尺金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する方法について、主に図１１〜図１９を参照して説明する。以下に説明する蒸着マスク２０の製造方法では、図１１に示すように、長尺金属板６４が供給され、この長尺金属板６４に貫通孔２５が形成され、さらに長尺金属板６４を断裁することによって枚葉状の金属板２１からなる蒸着マスク２０が得られる。

より具体的には、蒸着マスク２０の製造方法、帯状に延びる長尺の金属板６４を供給する工程と、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングを長尺の金属板６４に施して、長尺金属板６４に第１面６４ａの側から第１凹部３０を形成する工程と、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングを長尺金属板６４に施して、長尺金属板６４に第２面６４ｂの側から第２凹部３５を形成する工程と、を含んでいる。そして、長尺金属板６４に形成された第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合うことによって、長尺金属板６４に貫通孔２５が作製される。図１２〜図１９に示された例では、第２凹部３５の形成工程が、第１凹部３０の形成工程の前に実施され、且つ、第２凹部３５の形成工程と第１凹部３０の形成工程の間に、作製された第２凹部３５を封止する工程が、さらに設けられている。以下において、各工程の詳細を説明する。

図１１には、蒸着マスク２０を作製するための製造装置６０が示されている。図１１に示すように、まず、長尺金属板６４をコア６１に巻き取った巻き体６２が準備される。そして、このコア６１が回転して巻き体６２が巻き出されることにより、図１１に示すように帯状に延びる長尺金属板６４が供給される。なお、長尺金属板６４は、貫通孔２５を形成されて枚葉状の金属板２１、さらには蒸着マスク２０をなすようになる。

供給された長尺金属板６４は、搬送ローラー７２によって、エッチング装置（エッチング手段）７０に搬送される。エッチング手段７０によって、図１２〜図１９に示された各処理が施される。なお本実施の形態においては、長尺金属板６４の幅方向に複数の蒸着マスク２０が割り付けられるものとする。すなわち、複数の蒸着マスク２０が、長手方向において長尺金属板６４の所定の位置を占める領域から作製される。この場合、好ましくは、蒸着マスク２０の長手方向が長尺金属板６４の圧延方向に一致するよう、複数の蒸着マスク２０が長尺金属板６４に割り付けられる。

まず、図１２に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上にネガ型の感光性レジスト材料を含むレジスト膜６５ｃ、６５ｄを形成する。レジスト膜６５ｃ、６５ｄを形成する方法としては、アクリル系光硬化性樹脂などの感光性レジスト材料を含む層が形成されたフィルム、いわゆるドライフィルムを長尺金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上に貼り付ける方法が採用される。ここで上述のように、長尺金属板６４は、第１面６４ａにおけるニッケル水酸化物の存在量が上述の条件（１）を満たすように製造されており、このような第１面６４ａにレジスト膜６５ｃが貼り付けられる。

次に、レジスト膜６５ｃ、６５ｄのうちの除去したい領域に光を透過させないようにした露光マスク８５ａ、８５ｂを準備し、露光マスク８５ａ、８５ｂをそれぞれ図１３に示すようにレジスト膜６５ｃ、６５ｄ上に配置する。露光マスク８５ａ、８５ｂとしては、例えば、レジスト膜６５ｃ、６５ｄのうちの除去したい領域に光を透過させないようにしたガラス乾板が用いられる。その後、真空密着によって露光マスク８５ａ、８５ｂをレジスト膜６５ｃ、６５ｄに十分に密着させる。
なお感光性レジスト材料として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクが用いられる。

その後、レジスト膜６５ｃ、６５ｄを露光マスク８５ａ、８５ｂ越しに露光する。さらに、露光されたレジスト膜６５ｃ、６５ｄに像を形成するためにレジスト膜６５ｃ、６５ｄを現像する（現像工程）。以上のようにして、図１４Ａに示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａ上に第１レジストパターン６５ａを形成し、長尺金属板６４の第２面６４ｂ上に第２レジストパターン６５ｂを形成することができる。なお現像工程は、レジスト膜６５ｃ、６５ｄの硬度を高めるための、または長尺金属板６４に対してレジスト膜６５ｃ、６５ｄをより強固に密着させるためのレジスト熱処理工程を含んでいてもよい。レジスト熱処理工程は、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどの不活性ガスの雰囲気において、例えば１００〜４００℃の範囲内で実施される。

図１４Ｂは、図１４Ａに示す、第１レジストパターン６５ａ，６５ｂが設けられた長尺金属板６４を、第１面６４ａ側から見た場合を示す部分平面図である。図１４Ｂにおいては、第１レジストパターン６５ａが設けられている領域が網掛けで表されている。また、その後のエッチング工程によって形成される第１凹部３０、壁面３１、接続部４１やトップ部４３が点線で表されている。

次に、図１５に示すように、長尺金属板６４の第２面６４ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域を、第２エッチング液を用いてエッチングする第２面エッチング工程を実施する。例えば、第２エッチング液が、搬送される長尺金属板６４の第２面６４ｂに対面する側に配置されたノズルから、第２レジストパターン６５ｂ越しに長尺金属板６４の第２面６４ｂに向けて噴射される。この結果、図１５に示すように、長尺金属板６４のうちの第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域で、第２エッチング液による浸食が進む。これによって、長尺金属板６４の第２面６４ｂに多数の第２凹部３５が形成される。第２エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液および塩酸を含むものが用いられる。

その後、図１６に示すように、後の第１面エッチング工程において用いられる第１エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第２凹部３５が被覆される。すなわち、第１エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第２凹部３５が封止される。図１６に示す例において、樹脂６９の膜が、形成された第２凹部３５だけでなく、第２面６４ｂ（第２レジストパターン６５ｂ）も覆うように形成されている。

次に、図１７に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域をエッチングし、第１面６４ａに第１凹部３０を形成する第１面エッチング工程を実施する。第１面エッチング工程は、第２凹部３５と第１凹部３０とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第１エッチング液としては、上述の第２エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液および塩酸を含むものが用いられる。

なお第１エッチング液による浸食は、長尺金属板６４のうちの第１エッチング液に触れている部分において行われていく。従って、浸食は、長尺金属板６４の法線方向（厚み方向）のみに進むのではなく、長尺金属板６４の板面に沿った方向にも進んでいく。ここで好ましくは、第１面エッチング工程は、第１レジストパターン６５ａの隣り合う二つの孔６６ａに対面する位置にそれぞれ形成された二つの第１凹部３０が、二つの孔６６ａの間に位置するブリッジ部６７ａの裏側において合流するよりも前に終了される。これによって、図１８に示すように、長尺金属板６４の第１面６４ａに上述のトップ部４３を残すことができる。

その後、図１９に示すように、長尺金属板６４から樹脂６９が除去される。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、図１９に示すように、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ａ，６５ｂも除去される。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ａ，６５ｂを除去してもよい。

このようにして多数の貫通孔２５が形成された長尺金属板６４は、当該長尺金属板６４を狭持した状態で回転する搬送ローラー７２，７２により、切断装置（切断手段）７３へ搬送される。なお、この搬送ローラー７２，７２の回転によって長尺金属板６４に作用するテンション（引っ張り応力）を介し、上述した供給コア６１が回転させられ、巻き体６２から長尺金属板６４が供給されるようになっている。

その後、多数の貫通孔２５が形成された長尺金属板６４を切断装置（切断手段）７３によって所定の長さおよび幅に切断することにより、多数の貫通孔２５が形成された枚葉状の金属板２１が得られる。

以上のようにして、多数の貫通孔２５を形成された金属板２１からなる蒸着マスク２０が得られる。ここで本実施の形態によれば、金属板２１の元となる長尺金属板６４は、第１面６４ａにおけるニッケル水酸化物の存在量が上述の条件（１）を満たすように製造されている。上述の第１レジストパターン６５ａ、および第１レジストパターン６５ａの元となるレジスト膜６５ｃは、このような第１面６４ａに貼り付けられる。このため、長尺金属板６４の第１面６４ａと第１レジストパターン６５ａとの間の密着力を十分に確保することができる。またレジスト膜６５ｃとしては、上述のように、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムとも称される、高い解像度を有するものが採用されている。このため本実施の形態によれば、第１レジストパターン６５ａが金属板２１から剥離してしまうという工程不良が生じることを抑制しながら、狭い幅の第１レジストパターン６５ａを精度良く長尺金属板６４の第１面６４ａ上に形成することができる。従って、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を作製するために用いられる蒸着マスク２０を、高い歩留りで製造することができる。

また本実施の形態によれば、第１レジストパターン６５ａを所望の幅で精密に長尺金属板６４の第１面６４ａ上に形成することができるので、所望の幅βを有するトップ部４３を備えた蒸着マスク２０を作製することができる。このため、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせながら、上述の角度θ１を可能な限り大きくすることができる。

（蒸着工程）
次に、得られた蒸着マスク２０を用いて基板９２上に蒸着材料を蒸着させる方法について説明する。はじめに図２に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂを基板９２の面に密着させる。この際、図示しない磁石などを用いて、蒸着マスク２０の第２面２０ｂを基板９２の面に密着させてもよい。また図１に示すように、複数の蒸着マスク２０をフレーム１５に張設することによって、蒸着マスク２０の面が基板９２の面に平行になるようにする。その後、るつぼ９４内の蒸着材料９８を加熱することにより、蒸着材料９８を気化または昇華させる。気化または昇華した蒸着材料９８は、蒸着マスク２０の貫通孔２５を通って基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が基板９２の表面に成膜される。

ここで本実施の形態によれば、所望の幅βを有するトップ部４３を第１面２０ａ側に残すことができるので、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

上述の本実施の形態においては、上述の条件（１）において規定される「第１面」が、長尺金属板６４や金属板２１のうち蒸着工程の際に蒸着材料９８が配置される側の面である例を示した。しかしながら、上述の条件（１）において規定される「第１面」は、長尺金属板６４や金属板２１のうち基板９２が配置される側の面であってもよい。この場合、長尺金属板６４や金属板２１のうち基板９２が配置される側に貼り付けられるレジストパターンを、強固に長尺金属板６４や金属板２１に密着させることができる。このため、長尺金属板６４や金属板２１のうち基板９２が配置される側に、高い歩留りで精密に凹部を形成することができる。
すなわち本実施の形態において、上述の条件（１）は、以下のように言い換えることもできる。
「Ｘ線光電子分光法を用いて金属板の一方の面および一方の面の反対側に位置する他方の面の少なくとも１つの面の組成分析を実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下であること。」
また本実施の形態によれば、金属板の一方の面および一方の面の反対側に位置する他方の面の少なくとも１つの面の組成分析の結果が、上述の条件を満たすことにより、金属板の面に高い歩留りで精密に凹部を形成することができる。

その他にも、「ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．４以下であること」という条件が、長尺金属板６４の第１面６４ａおよび第２面６４ｂの両方で満たされていてもよい。

また上述の本実施の形態においては、長尺金属板６４の幅方向に複数の蒸着マスク２０が割り付けられる例を示した。また、蒸着工程において、複数の蒸着マスク２０がフレーム１５に取り付けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２０に示すように、金属板２１の幅方向および長手方向の両方に沿って格子状に配置された複数の有効領域２２を有する蒸着マスク２０が用いられてもよい。

また上述の本実施の形態においては、現像工程においてレジスト熱処理工程が実施される例を示した。しかしながら、上述の条件（１）が満たされるように長尺金属板６４を製造することによって長尺金属板６４とレジスト膜６５ｃとの間の密着力が十分に確保される場合、レジスト熱処理工程が省略されてもよい。レジスト熱処理工程が実施されない場合は、レジスト熱処理工程が実施される場合に比べて、第１レジストパターン６５ａの硬さが低下する。従って、貫通孔２５を形成した後、レジストパターン６５ａをより容易に除去することができる。

また上述の本実施の形態においては、所望の厚さを有する板材が、母材を圧延して板材を作製し、その後、板材をアニールすることによって得られる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき処理を利用した製箔工程によって、所望の厚さを有する金属板を作製してもよい。製箔工程においては、例えば、めっき液の中に部分的に浸漬されたステンレス製などのドラムを回転させながら、ドラムの表面にめっき膜を形成し、このめっき膜を剥がしていくことにより、長尺状の金属板をロールトゥーロールで作製することができる。ニッケルを含む鉄合金からなる金属板を作製する場合、めっき液としては、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。

このようにして得られた金属板に対して、次に、上述のアニール工程を実施してもよい。また、アニール工程の後に、金属板の幅を所望の幅に調整するために金属板の両端を切り落とす上述の切断工程を実施してもよい。

めっき処理を利用して金属板を作製した場合も、上述の本実施の形態の場合と同様に、その後、レジストパターン６５ａ，６５ｂを形成する工程や、金属板の第１面および第２面をエッチングする工程を実施することにより、複数の貫通孔２５が形成された蒸着マスク２０を得ることができる。また、条件（１）を利用することにより、金属板の判別や製造条件の最適化を実施することができる。

次に、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

実施例１

（第１巻き体）
はじめに、３４〜３８質量％のニッケルと、クロムと、残部の鉄および不可避の不純物と、を含む鉄合金から構成された母材を準備した。次に、母材に対して上述の圧延工程、スリット工程およびアニール工程を実施することにより、２０μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた巻き体（第１巻き体）を製造した。

〔組成の分析〕
その後、シャーを用いて長尺金属板６４を所定の範囲で、例えば３０×３０ｍｍの範囲で切り出して第１試料を得た。次に、ＸＰＳ法を用いて、第１試料の表面の組成を分析した。測定器としては、サーモフィッシャーサイエンティフィック社製XPS装置 ESCALAB 220i-XLを用いた。
組成分析の際の、XPS装置の設定は以下のとおりである。
入射Ｘ線：monochromated Al kα（単色化Ｘ線、hv=1486.6eV）
Ｘ線出力：10kV・16mA（160W）
アパーチャ開度：F.O.V.=open、A.A.=open
測定領域：700μｍφ
Ｘ線入射角φ１（図１０参照）：４５度
光電子取り込み角：９０度

図２１（ａ）（ｂ）は、第１巻き体から切り出された第１試料を、上述のXPS装置を用いて分析した結果を示す図である。図２１（ａ）（ｂ）において、横軸は、第１試料から観測された光電子に対応する、第１試料の電子軌道の光電子束縛エネルギー（Binding Energy）を表しており、縦軸は、第１試料から観測された光電子の強度を表している。図２１（ａ）には、横軸の値が約７００〜７４０ｅＶの場合が示されており、図２１（ｂ）には、横軸の値が約８５０〜８９０ｅＶの場合が示されている。

ＸＰＳ法を利用した組成分析においては、第１試料に含まれる構成元素の含有量に対応した大きさのピークが、構成元素に応じた特定の横軸上の位置に現れる。例えば図２１（ａ）において、符号Ｐ１が付されたピークは、第１試料に含まれる鉄酸化物および鉄水酸化物に対応しており、符号Ｐ２が付されたピークは、第１試料に含まれる鉄に対応している。また図２１（ｂ）において、符号Ｐ３が付されたピークは、第１試料に含まれるニッケル酸化物およびニッケル水酸化物に対応しており、符号Ｐ４が付されたピークは、第１試料に含まれるニッケルに対応している。

参考として、図２２（ａ）に、第１の標準試料として準備したニッケル酸化物（ＮｉＯ）を、ＸＰＳ法を利用して分析した結果を示す。また図２２（ｂ）に、第２の標準試料として準備したニッケル水酸化物（Ｎｉ（ＯＨ）_２）を、ＸＰＳ法を利用して分析した結果を示す。図２２（ａ）に示すように、ニッケル酸化物に対応するピークは、横軸の値が第１の値Ｅ１＝８５３．８ｅＶとなる位置に現れる。一方、図２２（ｂ）に示すように、ニッケル水酸化物に対応するピークは、横軸の値が第２の値Ｅ２＝８５５．９ｅＶとなる位置に現れる。

図２１（ｂ）には、参考として、ニッケル酸化物に対応するピークが現れる第１の値Ｅ１の位置、および、ニッケル水酸化物に対応するピークが現れる第２の値Ｅ２の位置を点線で示している。Ｅ１およびＥ２の値は近接しており、このため図２１（ｂ）に示すように、第１試料の測定結果において、ピークＰ３には、ニッケル酸化物に対応する光電子の検出結果、および、ニッケル水酸化物に対応する光電子の検出結果の両方が含まれる。図２１（ｂ）に示すピークＰ３から、ニッケル酸化物に対応するピークとニッケル水酸化物に対応するピークとを正確に分離することは容易ではない。この点を考慮し、上述の条件（１）においては、ニッケル酸化物に対応する光電子の検出結果とニッケル水酸化物に対応する光電子の検出結果とを合算した値を利用して、金属板とレジストパターンとの間の密着力を評価するようにしている。

図２１（ａ）（ｂ）に示す各ピークＰ１〜Ｐ４を測定した後、各ピークの面積を積分してピーク面積値を算出した。結果、鉄酸化物および鉄水酸化物に対応するピークＰ１のピーク面積値は２２３２９．３であり、鉄に対応するピークＰ２のピーク面積値は４４８１．８であり、ニッケル酸化物およびニッケル水酸化物に対応するピークＰ３のピーク面積値は９０９０．５であり、ニッケルに対応するピークＰ４のピーク面積値は４７４８．９であった。従って、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２＝０．４１となる。このため、第１試料が取り出された第１巻き体においては、上述の条件（１）が満たされていないと言える。
なお各ピークＰ１〜Ｐ４のピーク面積値は、XPS装置が有する解析機能を用いて算出した。例えば、分析者に依存して測定結果がばらつくことを抑制するため、バックグラウンドの算出方法として、Shirley法を常に採用するようにした。

以下、ＸＰＳ法を用いた分析の結果に基づいて上述のＡ１／Ａ２を算出する方法について詳細に説明する。

１．XPS装置の調整
まず、下記の調整条件１〜３を満たすよう、XPS装置の分光器エネルギー軸の調整を実施した。
調整条件１：Ag 3d_5/2 368.26±0.05eV
調整条件２：Au 4f_7/2 83.98±0.05eV
調整条件３：Cu 2p_3/2 932.67±0.05eV
調整条件１は、銀の3d_5/2軌道に基づいて得られる光電子束縛エネルギーが３６８．２６±０．０５ｅＶの範囲内となるよう、分光器エネルギー軸を調整したことを意味している。同様に、調整条件２は、金の4f_7/2軌道に基づいて得られる光電子束縛エネルギーが８３．９８±０．０５ｅＶの範囲内となるよう、分光器エネルギー軸を調整したことを意味している。同様に、調整条件３は、銅の2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子束縛エネルギーが９３２．６７±０．０５ｅＶの範囲内となるよう、分光器エネルギー軸を調整したことを意味している。

また、炭素の1s軌道のC-C結合に基づいて得られる光電子束縛エネルギーが284.7〜285.0(eV)の範囲内となるよう、XPS装置のチャージアップ補正を設定した。

続いて、上述のように調整されたXPS装置を用いて、鉄ニッケル合金の試料を分析して、上述のＡ１／Ａ２を算出した。まず、鉄に関連するピークＰ１，Ｐ２に基づいて上述のＡ２を算出する方法について、図２７Ａ〜図２７Ｄを参照して説明する。

２．鉄に関する分析
図２７Ａは、ある１つの鉄ニッケル合金の試料を、XPS装置を用いて分析した結果のうち、横軸の値が７００〜７４０ｅＶの範囲である結果を拡大して示している。図２７Ａに示すように、横軸の値が７００〜７４０ｅＶの範囲の結果は、鉄の2p_1/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフ、および、鉄の2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフを含む。ここでは、鉄の2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフ（以下、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅと称する）に基づいて、上述のＡ２を算出した例を説明する。

〔バックグラウンド線の算出工程〕
まず、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅにおけるバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅを算出する工程について説明する。はじめに、分析対象とする鉄の2p_3/2軌道における、横軸の光電子束縛エネルギーの値の下限値Ｂ１および上限値Ｂ２を、下記のように決定した。
下限値Ｂ１：703.6±0.2eV
上限値Ｂ２：717.0±0.2eV
続いて、Shirley法を利用して、下限値Ｂ１〜上限値Ｂ２の範囲における、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅにおけるバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅを算出した。なお、上述の下限値Ｂ１および上限値Ｂ２における「±０．２ｅＶ」という表示は、測定結果のノイズの影響がバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅの算出結果に及ぶことを抑制するため、試料ごとに下限値Ｂ１および上限値Ｂ２の値を微調整したことを表している。

〔鉄単体に関するピークの分離工程〕
次に、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅから鉄単体に関するピークを分離する工程について、図２７Ｂを参照して説明する。図２７Ｂは、図２７Ａに示す鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅを拡大して示す図である。なお、ここでは、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅにスムージングを施した後、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅから鉄単体に関するピークを分離した結果について説明する。スムージングの方法としては、平均化など、公知の方法を採用することができる。

まず、鉄単体に関するピークのピーク位置Ｅ＿Ｆｅ１を決定した。具体的には、はじめに、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅに含まれる各ピークＰ１，Ｐ２のうち、鉄単体に関連して現れたピークがどちらかを決定した。ＸＰＳ法の分野においては、鉄単体の2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子束縛エネルギーが約７０７ｅＶであることが知られている。従って、ピークＰ２を、鉄単体に関連して現れたピークと決定した。続いて、ピークＰ２の位置を探索した。そして、ピークＰ２のピーク位置が７０６．９±０．２ｅＶの範囲内である場合、ピークＰ２のピーク位置を、鉄単体に関するピークのピーク位置Ｅ＿Ｆｅ１として採用した。

次に、鉄単体に関するピークの半値幅Ｗ＿Ｆｅ１を１．５４ｅＶに設定した。続いて、XPS装置の分析機能を利用して、ピーク位置がＥ＿Ｆｅ１であり、半値幅がＷ＿Ｆｅ１であるピークを、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅから分離した。このようにして得られた、鉄単体に関するピークを、図２７Ｂに符号Ｐ＿Ｆｅ１で示す。なお、XPS装置による分析においては、得られたピークＰ＿Ｆｅ１の半値幅が、設定した半値幅Ｗ＿Ｆｅ１から変動していることがある。この際、±０．１ｅＶの範囲内の変動は許容した。

なお、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅに関する用語において、上述の「鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１」や後述する「ピークＰ＿Ｆｅ２」、「ピークＰ＿Ｆｅ３」は、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅを、試料に含まれる元素単体および化合物に基づく複数のピークに分解することによって得られるピークである。すなわち、上述の「ピークＰ１，Ｐ２」は、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの形状に基づいて判別されるピークであり、「ピークＰ＿Ｆｅ１，Ｐ＿Ｆｅ２，Ｐ＿Ｆｅ３」は、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅを、物理的な理論に基づいて分解することによって得られるピークである。

〔鉄単体に関するピークの面積の算出工程〕
次に、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積Ｓ＿Ｆｅ１を算出した。面積Ｓ＿Ｆｅ１は、図２７ＣにおいてピークＰ＿Ｆｅ１とバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域（斜線が描かれた領域）の面積である。

また、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積を算出した。鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積は、図２７Ｃにおいて鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅとバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積である。

続いて、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積Ｓ＿Ｆｅ１から、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積Ｓ＿Ｆｅ１を減算して、図２７Ｃに示す面積Ｓ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）を算出した。このようにして算出した面積Ｓ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）を、上述のＡ２、すなわち、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和とした。

参考までに、図２７Ｄに、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅが、ピークＰ＿Ｆｅ１，ピークＰ＿Ｆｅ２，およびピークＰ＿Ｆｅ３という３つのピークを含むと仮定して、トータルピークＰ＿Ｆｅを分離した結果を示す。上述のとおり、ピークＰ＿Ｆｅ１は、鉄単体に関するピークである。また、ピークＰ＿Ｆｅ２およびピークＰ＿Ｆｅ３は、鉄酸化物に関するピークまたは鉄水酸化物に関するピークである。
上述の面積Ｓ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）は、鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅを図２７Ｄに示すように複数のピークに分離した場合の、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１以外のピークの面積の総和に対応している。すなわち、面積Ｓ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）は、鉄酸化物のピークの面積と鉄水酸化物のピークの面積値の和に対応している。

なお、鉄単体に関するピークが表れる位置は既知であるが、鉄酸化物及び鉄水酸化物には、複数の状態が存在する。このため、鉄酸化物に関するピーク及び鉄水酸化物に関するピークは、図２７Ｄに示す２つのピーク（ピークＰ＿Ｆｅ２およびピークＰ＿Ｆｅ３）では必ずしも表されない。このため、試料の表面層における鉄酸化物または鉄水酸化物の比率を正確に算出することは困難である。この点を考慮し、上述のＡ２として、鉄酸化物のピークの面積と鉄水酸化物のピークの面積値の和を採用している。

なお、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積Ｓ＿Ｆｅ１のことを、ピークＰ２の面積値と称し、面積Ｓ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）のことを、ピークＰ１の面積値と称することもある。

３．ニッケルに関する分析
次に、ニッケルに関する分析について説明する。図２８Ａは、ある１つの鉄ニッケル合金の試料を、XPS装置を用いて分析した結果のうち、横軸の値が８５０〜８９０ｅＶの範囲内である結果を拡大して示している。図２８Ａに示すように、横軸の値が８５０〜８９０ｅＶの範囲の結果は、ニッケルの2p_1/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフ、および、ニッケルの2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフを含む。ここでは、ニッケルの2p_3/2軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフ（以下、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉと称する）に基づいて、上述のＡ１を算出した例を説明する。なお、Ａ１の算出方法において、上述の鉄に関するＡ２の算出方法と同様の部分については、詳細な説明を省略する。

〔バックグラウンド線の算出工程〕
まず、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉにおけるバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉを、Shirley法を利用して算出した。分析対象とするニッケルの2p_3/2軌道における、横軸の光電子束縛エネルギーの値の下限値Ｂ３および上限値Ｂ４は、下記のように決定した。
下限値Ｂ３：849.5±0.2eV
上限値Ｂ４：866.9±0.2eV

〔ニッケル単体に関するピークの分離工程〕
次に、図２８Ｂに示すように、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉからニッケル単体に関するピークを分離した。具体的には、まず、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉのうち、ニッケル単体に関連して現れたピークＰ４のピーク位置を探索した。そして、ピークＰ４のピーク位置が８５２．６±０．２ｅＶの範囲内である場合、ピークＰ４のピーク位置を、ニッケル単体に関するピークのピーク位置Ｅ＿Ｎｉ１として採用した。

次に、ニッケル単体に関するピークの半値幅Ｗ＿Ｎｉ１を１．１５ｅＶに設定した。続いて、XPS装置の分析機能を利用して、ピーク位置がＥ＿Ｎｉ１であり、半値幅がＷ＿Ｎｉ１であるピークを、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉから分離した。このようにして得られた、ニッケル単体に関するピークを、図２８Ｂに符号Ｐ＿Ｎｉ１で示す。

〔ニッケル単体に関するピークの面積の算出工程〕
次に、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積Ｓ＿Ｎｉ１を算出した。面積Ｓ＿Ｎｉ１は、図２８ＣにおいてピークＰ＿Ｎｉ１とバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域（斜線が描かれた領域）の面積である。

また、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積を算出した。ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積は、図２８ＣにおいてニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉとバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積である。

続いて、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積Ｓ＿Ｎｉ１から、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積Ｓ＿Ｎｉ１を減算して、図２８Ｃに示す面積Ｓ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）を算出した。このようにして算出した面積Ｓ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）を、上述のＡ１、すなわち、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和とした。

参考までに、図２８Ｄに、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉを、ピークＰ＿Ｎｉ１，ピークＰ＿Ｎｉ２，ピークＰ＿Ｎｉ３およびピークＰ＿Ｎｉ４という４つのピークに分離した結果を示す。上述のとおり、ピークＰ＿Ｎｉ１は、ニッケル単体に関するピークである。また、ピークＰ＿Ｎｉ２、ピークＰ＿Ｎｉ３、ピークＰ＿Ｎｉ４は、ニッケル酸化物に関するピークまたはニッケル水酸化物に関するピークである。
上述の面積Ｓ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）は、ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉを図２８Ｄに示すように複数のピークに分離した場合の、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１以外のピークの面積の総和に対応している。すなわち、面積Ｓ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）は、ニッケル酸化物のピークの面積とニッケル水酸化物のピークの面積値の和に対応している。

なお、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積Ｓ＿Ｎｉ１のことを、ピークＰ４の面積値と称し、面積Ｓ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）のことを、ピークＰ３の面積値と称することもある。

４．Ａ１／Ａ２の算出
以上のようにして算出したＡ１およびＡ２に基づいて、Ａ１／Ａ２を算出した。

〔レジストパターンに対する密着性の評価〕
上述の第１巻き体の長尺金属板を、シャーを用いて例えば２００×２００ｍｍの範囲で切り出して、第１サンプルを得た。次に、第１サンプルの表面に、１０μｍの厚みの感光層を含むドライフィルムを貼り付けて、第１サンプルの表面にレジスト膜を設けた。その後、図２３に示すような、幅ｗを有する格子状のレジストパターンが形成されるよう、レジスト膜を露光した。幅ｗは１００μｍに設定した。次に、第１サンプルを現像液に浸漬させ、１００μｍの幅のレジストパターンが第１サンプルから剥離してしまうまでの時間を測定した。現像液としては、ソーダアッシュジャパン株式会社製の炭酸ナトリウムを５．０ｇ／Ｌの濃度としたものを用いた。現像液の温度は、２４℃に設定した。

本実施例においては、現像液に浸漬されたレジストパターンが剥離するまでの時間が１５分以上であれば、密着性が良好であり、一方、現像液に浸漬されたレジストパターンが剥離するまでの時間が１５分未満であれば、密着性が不良であると判断した。本実施例において、レジストパターンが第１サンプルから剥離するまでの時間は１３分であった。従って、第１試料が取り出された第１巻き体と、レジストパターンとの間の密着性は、不良であると言える。

レジストパターンが金属板から剥離しているか否かは、例えば、金属板の第１面の法線方向に沿ってレジストパターンを見た場合にレジストパターンが曲線状の部分を含むか否かに基づいて判断することができる。なぜなら、現像液中においては、レジストパターンのうち金属板から剥離した部分が浮遊して変形するからである。図２７に、格子状にパターニングされたレジストパターンの一部が現像液中において金属板から剥離した状態の金属板およびレジストパターンの模式図の一例を示す。

（第２〜第４巻き体）
第１巻き体の場合と同様にして、３４〜３８質量％のニッケルと、０．１質量％未満のクロムと、残部の鉄および不可避の不純物と、を含む鉄合金から構成された母材を用いて、２０μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた第２巻き体〜第４巻き体を製造した。さらに、第１巻き体の場合と同様にして、第２巻き体〜第４巻き体に関して、組成の分析、および、レジストパターンに対する密着性の評価を実施した。図２４（ａ）（ｂ）、図２５（ａ）（ｂ）および図２６（ａ）（ｂ）にそれぞれ、第２巻き体、第３巻き体および第４巻き体から切り出された試料を、上述のXPS装置を用いて分析した結果を示す。

（第１〜第４巻き体の判定結果のまとめ）
第１巻き体〜第４巻き体の長尺金属板から取り出された試料を分析した結果として得られた、上述の各ピークＰ１〜Ｐ４のピーク面積値を表３に示す。また、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２して、Ａ１／Ａ２を算出した結果を併せて表３に示す。表３に示すように、第１巻き体および第２巻き体においては、上述の条件（１）が満たされていなかった。一方、第３巻き体および第４巻き体においては、上述の条件（１）が満たされていた。参考までに、ＸＰＳ法を利用した組成分析によって算出された、第１巻き体〜第４巻き体の長尺金属板の組成を表４に示す。

（レジストパターンに対する密着性の評価結果のまとめ）
第１巻き体〜第４巻き体の長尺金属板から切り出したサンプルに対して実施した、上述のレジストパターンに対する密着性の評価結果を、表５に示す。表５の「密着性」の欄において、「良好」および「不良」はそれぞれ、現像液に浸漬されたレジストパターンが剥離するまでの時間が１５分以上、および１５分未満であったことを意味している。

表３および表５に示すように、第３巻き体および第４巻き体から切り出されたサンプルは、レジストパターンに対する良好な密着性を有していた。一方、第１巻き体および第２巻き体から切り出されたサンプルは、レジストパターンに対する十分な密着性を有していなかった。これらのことから、金属板の表面における、鉄酸化物および鉄水酸化物に対するニッケル酸化物およびニッケル水酸化物の比率を小さくすること、より具体的には上述のＡ１／Ａ２を０．４以下とすることは、レジストパターンに対する密着性を確保する上で有効であると言える。すなわち、上述の条件（１）は、金属板を選別するための有力な判断手法であると考える。

（第５〜第９巻き体）
第１巻き体の場合と同様にして、３４〜３８質量％のニッケルと、０．１質量％未満のクロムと、残部の鉄および不可避の不純物と、を含む鉄合金から構成された母材を用いて、２０μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた第５巻き体〜第８巻き体、および、１８μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた第９巻き体を製造した。さらに、第１巻き体の場合と同様にして、第５巻き体〜第９巻き体に関して、組成の分析、および、レジストパターンに対する密着性の評価を実施した。

（第５〜第９巻き体の判定結果のまとめ）
第５巻き体〜第９巻き体の長尺金属板から取り出された試料を分析した結果として得られた、ピークＰ１〜Ｐ４のピーク面積値を表６に示す。また、上述のＡ１／Ａ２を算出した結果を併せて表６に示す。表６に示すように、第６巻き体においては、上述の条件（１）が満たされていなかった。一方、第５巻き体および第７巻き体〜第９巻き体においては、上述の条件（１）が満たされていた。参考までに、ＸＰＳ法を利用した組成分析によって算出された、第５巻き体〜第９巻き体の長尺金属板の組成を表７に示す。

（レジストパターンに対する密着性の評価結果のまとめ）
第５巻き体〜第９巻き体の長尺金属板から切り出したサンプルに対して実施した、上述のレジストパターンに対する密着性の評価結果を、表８に示す。

表６および表８に示すように、第５巻き体および第７巻き体〜第９巻き体から切り出されたサンプルは、レジストパターンに対する良好な密着性を有していた。一方、第６巻き体から切り出されたサンプルは、レジストパターンに対する十分な密着性を有していなかった。これらのことからも、上述のＡ１／Ａ２を０．４以下とすることは、レジストパターンに対する密着性を確保する上で有効であると言える。すなわち、上述の条件（１）は、金属板を選別するための有力な判断手法であると考える。

２０ 蒸着マスク
２１ 金属板
２１ａ 金属板の第１面
２１ｂ 金属板の第２面
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２５ 貫通孔
３０ 第１凹部
３１ 壁面
３５ 第２凹部
３６ 壁面
４３ トップ部
６４ 長尺金属板
６４ａ 長尺金属板の第１面
６４ｂ 長尺金属板の第２面
６５ａ 第１レジストパターン
６５ｂ 第２レジストパターン
６５ｃ 第１レジスト膜
６５ｄ 第２レジスト膜
８１ 照射部
８２ 検出部
９８ 蒸着材料

Claims (7)

1. 非還元雰囲気または不活性ガス雰囲気で金属板をアニールする工程と、
   蒸着マスクを製造するための前記金属板の第１面にレジスト膜を設ける工程を備え、
   前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
   前記レジスト膜が設けられていない状態の前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．３７以下であり、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、ニッケルの2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフであるニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積から、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）を、Ａ１として用い、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、鉄の2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフである鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積から、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）を、Ａ２として用い、
   前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積は、前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉと、Shirley法に基づいて算出される前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積は、前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積は、前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅと、Shirley法に基づいて算出される前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積は、前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   Ｘ線光電子分光法を用いた前記金属板の前記第１面の組成分析において、前記金属板へ照射されるＸ線の、前記第１面に対する入射角が４５度であり、前記金属板から放出される光電子の取り込み角が９０度である、金属板及びレジスト膜を備える積層体の製造方法。
2. 前記金属板の前記第１面に前記レジスト膜を設ける工程は、ベースフィルム及び前記ベースフィルム上のレジスト膜を備えるドライフィルムを前記金属板に貼り付ける工程を含む、請求項１に記載の積層体の製造方法。
3. 前記金属板の厚みが、８５μｍ以下である、請求項１又は２に記載の積層体の製造方法。
4. 蒸着マスクを製造するための金属板と、
   前記金属板の第１面上のレジスト膜と、を備え、
   前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
   前記レジスト膜が設けられていない状態の前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．３７以下であり、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、ニッケルの2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフであるニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積から、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）を、Ａ１として用い、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、鉄の2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフである鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積から、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）を、Ａ２として用い、
   前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積は、前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉと、Shirley法に基づいて算出される前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積は、前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積は、前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅと、Shirley法に基づいて算出される前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積は、前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   Ｘ線光電子分光法を用いた前記金属板の前記第１面の組成分析において、前記金属板へ照射されるＸ線の、前記第１面に対する入射角が４５度であり、前記金属板から放出される光電子の取り込み角が９０度である、積層体。
5. 前記金属板の厚みが、８５μｍ以下である、請求項４に記載の積層体。
6. 蒸着マスクを製造するための金属板の第１面に貼り付けられるドライフィルムの使用方法であって、
   前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなり、
   前記金属板の前記第１面の組成分析を、Ｘ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られる、ニッケル酸化物のピーク面積値とニッケル水酸化物のピーク面積値との和をＡ１とし、鉄酸化物のピーク面積値と鉄水酸化物のピーク面積値との和をＡ２とする場合、Ａ１／Ａ２が０．３７以下であり、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、ニッケルの2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフであるニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積から、ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｎｉ（ＲＥＳＴ）を、Ａ１として用い、
   前記金属板の第１面の組成分析をＸ線光電子分光法を用いて実施した結果として得られるグラフのうち、鉄の2p _3/2 軌道に基づいて得られる光電子の強度分布を示すグラフである鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積から、鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積を減算することにより算出される面積であるＳ＿Ｆｅ（ＲＥＳＴ）を、Ａ２として用い、
   前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉの面積は、前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉと、Shirley法に基づいて算出される前記ニッケルのトータルピークＰ＿Ｎｉのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１の面積は、前記ニッケル単体に関するピークＰ＿Ｎｉ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｎｉとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅの面積は、前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅと、Shirley法に基づいて算出される前記鉄のトータルピークＰ＿Ｆｅのバックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１の面積は、前記鉄単体に関するピークＰ＿Ｆｅ１と前記バックグラウンド線ＢＧ＿Ｆｅとによって囲まれた領域の面積であり、
   Ｘ線光電子分光法を用いた前記金属板の前記第１面の組成分析において、前記金属板へ照射されるＸ線の、前記第１面に対する入射角が４５度であり、前記金属板から放出される光電子の取り込み角が９０度であり、
   ベースフィルム及び前記ベースフィルム上のレジスト膜を備える前記ドライフィルムの前記レジスト膜が前記金属板の前記第１面に貼り付けられる、ドライフィルムの使用方法。
7. 前記金属板の厚みが、８５μｍ以下である、請求項６に記載のドライフィルムの使用方法。

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