JP2016100582A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】輝度のばらつきを十分に抑制することができる発光装置を提供する。【解決手段】第2電極は第1電極110の上に位置しており、有機層は第1電極110と第2電極の間に位置している。そして複数の薄膜トランジスタ220は、第1電極110の互いに異なる場所に接続している。具体的には、基板100には第1端子112が形成されている薄膜トランジスタ220のドレインは第1端子112に接続しており、薄膜トランジスタ220のソースは第1電極110に接続している。そして、第1端子112には電圧が印加される。そして第1電極110には、第1端子112から薄膜トランジスタ220を介して電流が流れる。この電流量は薄膜トランジスタ220によって制御される。【選択図】図3
Description
本発明は、発光装置に関する。
近年は有機EL素子を利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第1電極と第2電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。
有機EL素子を用いた表示装置の一つに、特許文献1に記載の装置がある。特許文献1には、以下の技術が記載されている。まず、複数の副画素を用いて一つの画素が形成されている。そして、副画素を画定する開口の中心と、この開口を含む領域に形成された有機層の中心とを結ぶことにより成膜ずれベクトルが定義されている。そして、輝度の面内ばらつきを抑制するために、副画素それぞれの成膜ずれベクトルの角度ずれが90°以内になっている。
また特許文献2には、有機EL素子を用いて面光源を作製した場合において、輝度の面内ばらつきが生じることを抑制するために、透明電極に補助電極を形成することが記載されている。
面光源の一つに、撮像システムの感度校正用の光源がある。このような面光源には、輝度のばらつきが少ないことが求められる。しかし、上記した特許文献2に記載の技術では、面光源の輝度のばらつきを十分に抑制することは難しかった。また、一度、特許文献1の製法や特許文献2のような構造で光源を製造してしまうと、製造後に光源の輝度のばらつきを調整することは難しい。
本発明が解決しようとする課題としては、輝度のばらつきを十分に抑制することができる発光装置を提供することが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、基板と、
前記基板の第1面に形成された発光部と、
前記基板と前記発光部の間に位置し、前記発光部に接続する複数の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記発光部は、
前記基板に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記複数の薄膜トランジスタは、前記第1電極の互いに異なる領域に接続している発光装置である。
前記基板の第1面に形成された発光部と、
前記基板と前記発光部の間に位置し、前記発光部に接続する複数の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記発光部は、
前記基板に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記複数の薄膜トランジスタは、前記第1電極の互いに異なる領域に接続している発光装置である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す平面図である。図2は図1から制御部300及び第2電極130を取り除いた図である。図3は図2から絶縁層150及び有機層120を取り除いた図である。
実施形態に係る発光装置10は、基板100、発光部140、及び複数の薄膜トランジスタ220を備えている。発光部140は基板100の第1面102に形成されており、第1電極110、有機層120及び第2電極130を有している。第1電極110は基板100上に形成されている。第2電極130は第1電極110の上に位置しており、有機層120は第1電極110と第2電極130の間に位置している。そして複数の薄膜トランジスタ220は、厚さ方向において基板100と発光部140の間に位置しており、第1電極110の互いに異なる場所に接続している。
具体的には、基板100には第1端子112が形成されている。薄膜トランジスタ220のドレインは第1端子112に接続しており、薄膜トランジスタ220のソースは第1電極110に接続している。そして、第1端子112には電圧が印加される。そして第1電極110には、第1端子112から薄膜トランジスタ220を介して電流が流れる。この電流量は薄膜トランジスタ220によって制御される。なお、図1〜図3に示す発光装置10はボトムエミッション型の発光装置となっている。以下、詳細に説明する。
基板100は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板100は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。基板100は、例えば矩形などの多角形である。基板100が樹脂基板である場合、基板100は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板100が樹脂基板である場合、水分が基板100を透過することを抑制するために、基板100の少なくとも一面(好ましくは両面)に、SiNxやSiONなどの無機バリア膜が形成されている。
第1電極110は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。第1電極110の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。第1電極110は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第1電極110は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよい。
有機層120は発光層を有している。有機層120は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層120は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層120のうち少なくとも一つの層、例えば第1電極110と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層120の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層120のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
第2電極130は、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第2電極130は遮光性を有している。第2電極130の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。ただし、第2電極130は、第1電極110の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第2電極130は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
なお、発光装置10はトップエミッション型の発光装置であってもよい。この場合、第2電極130を透光性を有する材料として、第1電極110を光反射性を有する材料にすればよい。例えば、第2電極130を構成する材料と、第1電極110を構成する材料を入れ替えればよい。例えば、第1電極110を金属層とITOなどの透明導電層の積層構造にして、第2電極130をITO又はIZOなどの透明導電層で形成することができる。なお、第2電極130を半透明電極にすると、第1電極110と第2電極130の間でマイクロキャビティ効果が生じ、その結果、発光部140の輝度を大きくすることができる。
第1電極110の縁は、絶縁層150によって覆われている。絶縁層150は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第1電極110のうち発光部140の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層150を設けることにより、第1電極110の縁において第1電極110と第2電極130が短絡することを抑制できる。
また、発光装置10は、第1端子112及び第2端子132を有している。第1端子112は第1電極110に接続しており、第2端子132は第2電極130に接続している。第1端子112及び第2端子132は、例えば、第1電極110と同一の材料で形成された層を有している。なお、第1端子112と第1電極110の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第2端子132と第2電極130の間にも引出配線が設けられていてもよい。第1端子112は、上記したように薄膜トランジスタ220のドレイン又はソースに接続しているが、複数の薄膜トランジスタ220に共通の電極になっている。
第1端子112には、ボンディングワイヤ、FPC(フレキシブルプリント基板)、又はリード端子などの導電部材(電子部品の一例)を介して電源回路の正極端子が接続され、第2端子132には、ボンディングワイヤ、FPC、又はリード端子などの導電部材を介して電源回路の負極端子が接続される。
また、発光装置10は、複数の制御端子114を有している。複数の制御端子114は、互いに異なる薄膜トランジスタ220のゲート電極に接続している。また、制御端子114は、ワイヤボンディング、又は異方性導電性樹脂及びフレキシブル配線基板を介して、制御部300に接続している。そして制御部300は、制御端子114を介して複数の薄膜トランジスタ220を個別に制御する。
図4は、図1のA−A断面図である。図5は図4の点線αで囲んだ部分を拡大した図である。図6は、図5のB−B断面図である。
上記したように、発光装置10は薄膜トランジスタ220を有している。図4,5に示す例において、基板100の上には半導体層222、絶縁層202、及び絶縁層200がこの順に形成されている。そして発光部140は、絶縁層200上に形成されている。
詳細には、図6に示すように、基板100上には複数の半導体層222が互いに離間して形成されている。半導体層222は、例えばポリシリコン層であってもよいし、SiN層、GaN層、又はInGaZnO層などの化合物半導体層であってもよい。発光装置10が基板100を介して外部に光を放射する場合、半導体層222は発光部140が発光する光に対して透光性を有しているのが好ましい。複数の半導体層222のそれぞれには、薄膜トランジスタ220のソース、ドレイン、およびチャネル領域が形成されている。
また、少なくとも半導体層222のうちチャネル領域となる領域の上には、絶縁層202が形成されている。絶縁層202は薄膜トランジスタ220のゲート絶縁膜である。絶縁層202上には、ゲート電極224が形成されている。ゲート電極224は、図示しない配線を介して、図1〜3に示した制御端子114に接続している。なお、絶縁層202は半導体層222の全面及び基板100上に形成されていてもよい。
半導体層222上、絶縁層202上、ゲート電極224上、及び基板100上には、絶縁層200が形成されている。本図に示す例において、絶縁層200は、絶縁層204及び絶縁層206を積層した構造を有している。絶縁層204は層間絶縁膜であり、例えば酸化シリコンによって形成されている。絶縁層204上には、電源配線210が形成されている。電源配線210は、接続部材116を介して第1端子112に接続している。接続部材116は、例えば第1端子112と一体になっている。そして絶縁層204には、接続部材212(例えばコンタクトプラグ)が埋め込まれている。接続部材212は例えば電源配線210と一体になっており、電源配線210を薄膜トランジスタ220のドレインに接続している。
また、絶縁層204及び電源配線210上には、絶縁層206が形成されている。絶縁層206も、例えば酸化シリコンを用いて形成されている。絶縁層206上には第1電極110が形成されている。そして、薄膜トランジスタ220のソースは、絶縁層204に埋め込まれた接続部材214(例えばコンタクトプラグ)、及び絶縁層206に埋め込まれた接続部材118(例えばビアプラグ)を介して、第1電極110に接続している。図6に示す例において、接続部材118は第1電極110と一体に形成されているが、接続部材118は第1電極110とは別の材料によって形成されていてもよい。
なお、薄膜トランジスタ220と第1電極110の接続構造は、図6に示した例に限られない。また、図6に示す例において、薄膜トランジスタ220はトップゲート型になっている。ただし薄膜トランジスタ220は、ボトムゲート型であってもよい。
また、発光装置10は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されており、基板100と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板100に固定されている。これにより、封止部材と基板100で囲まれた空間は封止される。そして発光部140は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材はALD法で形成された膜又はCVD法で形成された膜であってもよい。
また、発光装置10は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材によって封止された空間内、例えば封止部材のうち基板100に対向する面に配置されている。
次に、発光装置10の製造方法を説明する。まず、基板100上に半導体層222、絶縁層202、及びゲート電極224を形成する。この工程において、半導体層222にイオン注入などを行うことにより、半導体層222にソース、ドレイン、およびチャネル領域を形成する。
次いで、基板100上に絶縁層204を形成し、さらに絶縁層204に、接続部材212及び接続部材214を埋め込むための接続孔を形成する。次いで、絶縁層204上に電源配線210を形成する。この工程において、接続部材212及び接続部材214も形成される。
次いで、絶縁層204上に絶縁層206を形成する。次いで、絶縁層206に、接続部材118を埋め込むための接続孔を形成する。次いで、絶縁層206上に第1電極110を形成する。この工程において、接続部材118、第1端子112、制御端子114、及び第2端子132も形成される。
次いで、絶縁層150、有機層120、及び第2電極130をこの順に形成する。その後、封止部材(図示せず)を用いて発光部140を封止する。
次に、発光装置10の使用方法について説明する。発光装置10は面光源として使用される。発光装置10が発光するとき、第1端子112と第2端子132の間には電圧が印加されている。そして制御部300は、複数の制御端子114を介して複数の薄膜トランジスタ220のゲート電極224に電圧を印加する。これにより、薄膜トランジスタ220がオンし、薄膜トランジスタ220を介して第1電極110と第2電極130の間に電流が流れる。その結果、有機層120が発光する。
ここで、発光装置10の輝度の均一性を上げたいとき、ユーザは、発光装置10の輝度の面内分布を測定する。この測定は、例えば発光装置10の光射出面を撮像装置で撮像することにより、行われる。そして、制御部300には、発光装置10の輝度の面内分布を示す情報(以下、輝度分布情報と記載)が入力される。制御部300は、この輝度分布情報に従って薄膜トランジスタ220を制御する。具体的には、制御部300は、輝度が基準値超の領域に対応する薄膜トランジスタ220を選択し、この薄膜トランジスタ220のゲート電極224に印加する電圧を下げることにより、その薄膜トランジスタ220を流れる電流を絞る。または、薄膜トランジスタ220は、輝度が基準値未満の領域に対応する薄膜トランジスタ220を選択し、この薄膜トランジスタ220のゲート電極224に印加する電圧を上げることにより、その薄膜トランジスタ220を流れる電流を増やす。これにより、発光装置10の輝度の面内均一性は向上する。
以上、本実施形態によれば、発光装置10は、複数の薄膜トランジスタ220を有している。複数の薄膜トランジスタ220は、第1電極110の互いに異なる領域に接続している。そして第1電極110と第2電極130の間を流れる電流は、薄膜トランジスタ220によって制御されている。従って、複数の薄膜トランジスタ220を互いに独立して制御することにより、発光装置10の輝度の面内均一性を向上させることができる。
(変形例1)
図7は、変形例1に係る発光装置10の構成を示す図である。本変形例に係る発光装置10は、ゲートドライバ回路230、電源ドライバ回路240、及び接続部材400(例えばFPC)を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
図7は、変形例1に係る発光装置10の構成を示す図である。本変形例に係る発光装置10は、ゲートドライバ回路230、電源ドライバ回路240、及び接続部材400(例えばFPC)を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
ゲートドライバ回路230は、回路上、制御端子114と薄膜トランジスタ220のゲート電極224の間に位置しており、電源ドライバ回路240は、回路上、第1端子112と電源配線210の間に位置している。ゲートドライバ回路230及び電源ドライバ回路240は、いずれも薄膜トランジスタ220と同層に形成された薄膜トランジスタを用いて形成されている。
また、接続部材400は、図1に示した制御部300を発光装置10の第1端子112、第2端子132、及び制御端子114に接続している。本図に示す例において、第1端子112、第2端子132、及び制御端子114は、発光装置10の一つの辺に沿って配置されている。そして、ゲートドライバ回路230及び電源ドライバ回路240は、接続部材400を介して制御部300に接続している。
本変形例によっても、発光装置10の輝度の面内均一性を向上させることができる。また、ゲートドライバ回路230及び電源ドライバ回路240を薄膜トランジスタ220と同一工程で形成することができるため、発光装置10の製造コストを低くすることができる。
(変形例2)
図8は、変形例2に係る発光装置10の構成を示す図である。本変形例に係る発光装置10は、ゲートドライバ回路230の代わりにゲートドライバ410を有しており、電源ドライバ回路240の代わりに電源ドライバ420を有している点を除いて、変形例1に係る発光装置10と同様の構成である。ゲートドライバ410及び電源ドライバ420はポリシリコンやアモルファスシリコンを用いた半導体パッケージであり、第1端子112及び第2端子132と同一層に形成された端子を介して、絶縁層200内に設けられた配線に接続している。
図8は、変形例2に係る発光装置10の構成を示す図である。本変形例に係る発光装置10は、ゲートドライバ回路230の代わりにゲートドライバ410を有しており、電源ドライバ回路240の代わりに電源ドライバ420を有している点を除いて、変形例1に係る発光装置10と同様の構成である。ゲートドライバ410及び電源ドライバ420はポリシリコンやアモルファスシリコンを用いた半導体パッケージであり、第1端子112及び第2端子132と同一層に形成された端子を介して、絶縁層200内に設けられた配線に接続している。
本変形例によっても、発光装置10の輝度の面内均一性を向上させることができる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
10 発光装置
100 基板
102 第1面
110 第1電極
118 接続部材
120 有機層
130 第2電極
140 発光部
200 絶縁層
206 絶縁層
212 接続部材
214 接続部材
220 薄膜トランジスタ
222 半導体層
300 制御部
100 基板
102 第1面
110 第1電極
118 接続部材
120 有機層
130 第2電極
140 発光部
200 絶縁層
206 絶縁層
212 接続部材
214 接続部材
220 薄膜トランジスタ
222 半導体層
300 制御部
Claims (3)
- 基板と、
前記基板の第1面に形成された発光部と、
前記基板と前記発光部の間に位置し、前記発光部に接続する複数の薄膜トランジスタと、
を備え、
前記発光部は、
前記基板に形成された第1電極と、
前記第1電極の上に形成された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層と、
を備え、
前記複数の薄膜トランジスタは、前記第1電極の互いに異なる領域に接続している発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記基板の前記第1面に形成された半導体層と、
前記半導体層の上に形成された絶縁層と、
を備え、
前記薄膜トランジスタは前記半導体層を用いて形成されており、
前記発光部は前記絶縁層の上に形成されており、
前記絶縁層に埋め込まれ、前記第1電極と前記薄膜トランジスタとを接続する接続部材を備える発光装置。 - 請求項1又は2に記載の発光装置において、
前記発光装置の輝度の面内分布を示す輝度分布情報を取得し、前記輝度分布情報を用いて前記複数の薄膜トランジスタを制御する制御部をさらに備える発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239115A JP2016100582A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014239115A JP2016100582A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016100582A true JP2016100582A (ja) | 2016-05-30 |
Family
ID=56077523
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014239115A Pending JP2016100582A (ja) | 2014-11-26 | 2014-11-26 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016100582A (ja) |
-
2014
- 2014-11-26 JP JP2014239115A patent/JP2016100582A/ja active Pending
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