JP7408854B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
前記基板に形成され、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を含む発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記封止膜は、複数の層を積層した積層構造を有し、かつ、最も基板の近くに位置する第1層は、絶縁膜であり、前記第1電極及び前記第2電極に接触し、かつ、他の前記層よりも厚い発光装置である。
100 基板
110 第1電極
120 有機層
130 第2電極
140 発光部
160 封止膜
162 第1封止膜(第1層)
164 第2封止膜
Claims (9)
- 基板と、
前記基板に位置し、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を含む発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記封止膜は、複数のALD層を積層した積層構造を有し、かつ、前記第1電極及び前記第2電極に接触し、
前記複数のALD層のうち最も基板の近くに位置する第1ALD層は、絶縁材料を含み、
前記第1ALD層の厚さは、前記第1ALD層を除く前記複数のALD層のうちで最も厚いALD層の厚さの4倍以上であり、かつ、20nm以上100nm以下である発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記第1ALD層は酸化アルミニウム膜である発光装置。 - 請求項1又は2に記載の発光装置において、
前記封止膜は少なくとも3層のALD層を有しており、かつ、前記第1ALD層以外のALD層の厚さは互いに等しい、または、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も厚いALD層の厚さは、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も薄いALD層の厚さの100%超105%以下である発光装置。 - 基板と、
前記基板に位置し、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を含む発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記封止膜は、複数のALD層を積層した積層構造を有し、かつ、前記第1電極及び前記第2電極に接触し、
前記複数のALD層のうち最も基板の近くに位置する第1ALD層は、酸化アルミニウム膜であり、
前記第1ALD層の厚さは、前記第1ALD層を除く前記複数のALD層のうちで最も厚いALD層の厚さの4倍以上である発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置において、
前記第1ALD層の厚さは20nm以上100nm以下である発光装置。 - 請求項4又は5に記載の発光装置において、
前記封止膜は少なくとも3層のALD層を有しており、かつ、前記第1ALD層以外のALD層の厚さは互いに等しい、または、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も厚いALD層の厚さは、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も薄いALD層の厚さの100%超105%以下である発光装置。 - 基板と、
前記基板に位置し、第1電極、第2電極、及び前記第1電極と前記第2電極の間に位置する有機層を含む発光部と、
前記発光部を封止する封止膜と、
を備え、
前記封止膜は、複数のALD層を積層した積層構造を有し、かつ、前記第1電極及び前記第2電極に接触し、
前記複数のALD層のうち最も基板の近くに位置する第1ALD層は、絶縁材料を含み、
前記第1ALD層の厚さは、前記第1ALD層を除く前記複数のALD層のうちで最も厚いALD層の厚さの4倍以上であり、
前記封止膜は少なくとも3層のALD層を有しており、かつ、前記第1ALD層以外のALD層の厚さは互いに等しい、または、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も厚いALD層の厚さは、前記第1ALD層以外のALD層のうち最も薄いALD層の厚さの100%超105%以下である発光装置。 - 請求項7に記載の発光装置において、
前記第1ALD層の厚さは20nm以上100nm以下である発光装置。 - 請求項7又は8に記載の発光装置において、
前記第1ALD層は酸化アルミニウム膜である発光装置。
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