JP2012521623A - オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル封入並びにその製造方法、及びオプトエレクトロニクス素子 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims abstract description 107
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 238000013086 organic photovoltaic Methods 0.000 claims description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
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- H10K50/844—Encapsulations
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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Abstract
Description
原子層堆積法を用いて堆積された第1のALD層と、
原子層堆積法を用いて堆積された第2のALD層とを含んだ積層構造体を有している。
酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ランタン、のうちの1つを有するか又はこれらの材料の少なくとも1つから形成される。特に有利には、前記さらなる別のALD層は、酸化チタンを有するか又は当該材料から形成される。さらに、前記さらなる別のALD層は、特に有利には薄膜カプセル化部の外側に形成される。
基板と、
前記基板上に被着されている、ビーム発生のための及び/またはビーム受信のための活性領域と、
前述してきたような薄膜カプセル化部(1)とを有している。
本発明による各実施例とそれらを描写した各図面において、同じ構成要素又は機能の同じ構成要素には、それぞれ同じ符号が用いられている。また図示された各構成要素とそのサイズについては必ずしも縮尺通りではない。個々の要素、特に層厚さに関しては、図を見易くする理由から実際よりも拡大して示されている場合もある。
Claims (15)
- オプトエレクトロニクス構成素子のための薄膜カプセル化部であって、
原子層堆積法を用いて堆積された第1のALD層(3)と、
原子層堆積法を用いて堆積された第2のALD層(4)とを含んだ積層構造体(2)を有していることを特徴とする薄膜カプセル化部。 - 前記第1のALD層(3)は、前記第2のALD層(4)に直接接触している、請求項1記載の薄膜カプセル化部。
- 前記第1のALD層(3)は、前記第2のALD層(4)とは異なる材料を有している、請求項1または2記載の薄膜カプセル化部。
- 前記第1のALD層(3)及び/又は第2のALD層(4)は材料として、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ランタンのうちの1つを有している、請求項1から3いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 前記積層構造体(2)は、さらに少なくとも1つのさらなる別の層(6,7)を有しており、該さらなる別の層(6,7)は、プラズマを援用するプロセス手法、例えばスパッタ法、PECVD法または熱蒸着法を用いて堆積されている、請求項1から4いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 前記さらなる別の層(6,7)は、材料として、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、酸化アルミニウムのうちの少なくとも1つ、それらの混合物ないし合金を有している、請求項1から5いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 前記さらなる別の層(6,7)は、積層構造体(2)の外側に配設されている、請求項5または6記載の薄膜カプセル化部。
- 前記積層構造体(2)の複数の層は、多重に、有利には周期的に重ねられている、請求項1から7いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 前記ALD層(3,4)は、原子層の間において、10nmの厚さを有し、この場合境界も含まれている、請求項1から8いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 基板(8)と、
前記基板(8)上に被着されたビーム発生及び/またはビーム受信のための活性領域(9)と、
請求項1から9いずれか1項記載の薄膜カプセル化部(1)と、を有していることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。 - 前記薄膜カプセル化部(1)は、基板(8)と活性領域(9)との間に設けられている、請求項10記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記薄膜カプセル化部(1)は、活性領域(9)において生成されたビームまたは活性領域(9)において受信されたビームが当該薄膜カプセル化部(1)を貫通するように、活性領域(9)上に被着されている、請求項10または11記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記基板(8)は、柔軟性を備えるように形成されている、請求項10から12いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記オプトエレクトロニクス素子は、有機発光ダイオード、有機光起電力セル、太陽電池及び/又は有機電子素子を有している、請求項10から13いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル化部(1)を製造するための方法であって、
原子層堆積法を用いて第1のALD層(3)を堆積するステップと、
原子堆積法を用いて第2のALD層(4)を堆積するステップとを有していることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102009014543 | 2009-03-24 | ||
DE102009014543.5 | 2009-03-24 | ||
DE102009024411A DE102009024411A1 (de) | 2009-03-24 | 2009-06-09 | Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches Bauelement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement |
DE102009024411.5 | 2009-06-09 | ||
PCT/EP2010/053717 WO2010108894A1 (de) | 2009-03-24 | 2010-03-22 | Dünnschichtverkapselung für ein optoelektronisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und optoelektronisches bauelement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012521623A true JP2012521623A (ja) | 2012-09-13 |
JP2012521623A5 JP2012521623A5 (ja) | 2014-04-24 |
JP6073130B2 JP6073130B2 (ja) | 2017-02-01 |
Family
ID=42664172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012501272A Active JP6073130B2 (ja) | 2009-03-24 | 2010-03-22 | オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル封入並びにその製造方法、及びオプトエレクトロニクス素子 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9444062B2 (ja) |
EP (2) | EP2412040B1 (ja) |
JP (1) | JP6073130B2 (ja) |
KR (1) | KR101722277B1 (ja) |
CN (1) | CN102362369B (ja) |
DE (1) | DE102009024411A1 (ja) |
WO (1) | WO2010108894A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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US20120132953A1 (en) | 2012-05-31 |
KR20120001778A (ko) | 2012-01-04 |
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JP6073130B2 (ja) | 2017-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121214 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130816 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130826 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20140224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140722 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20141016 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141117 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150105 |
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