JP6073130B2 - オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル封入並びにその製造方法、及びオプトエレクトロニクス素子 - Google Patents
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Description
原子層堆積法を用いて堆積された第1のALD層と、
原子層堆積法を用いて堆積された第2のALD層とを含んだ積層構造体を有している。
酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ランタン、のうちの1つを有するか又はこれらの材料の少なくとも1つから形成される。特に有利には、前記さらなる別のALD層は、酸化チタンを有するか又は当該材料から形成される。さらに、前記さらなる別のALD層は、特に有利には薄膜カプセル化部の外側に形成される。
基板と、
前記基板上に被着されている、ビーム発生のための及び/またはビーム受信のための活性領域と、
前述してきたような薄膜カプセル化部(1)とを有している。
本発明による各実施例とそれらを描写した各図面において、同じ構成要素又は機能の同じ構成要素には、それぞれ同じ符号が用いられている。また図示された各構成要素とそのサイズについては必ずしも縮尺通りではない。個々の要素、特に層厚さに関しては、図を見易くする理由から実際よりも拡大して示されている場合もある。
Claims (13)
- オプトエレクトロニクス構成素子のための薄膜カプセル化部(1)であって、
原子層堆積法を用いて堆積された第1のALD層(3)と、
原子層堆積法を用いて堆積された第2のALD層(4)とを含んだ積層構造体(2)を有し、
前記第1のALD層(3)は、酸化ランタンからなり、
前記第2のALD層(4)は酸化チタンからなり、
前記薄膜カプセル化部は、周期的に繰り返された、それぞれが互いに直接接触している複数の前記第1のALD層および前記第2のALD層を有しており、
前記薄膜カプセル化部の外面は、酸化チタンからなるALD層により形成されている、
ことを特徴とする薄膜カプセル化部。 - ALD層のみからなる、請求項1記載の薄膜カプセル化部。
- 前記積層構造体(2)は、さらに少なくとも1つのさらなる別の層(6,7)を有しており、該さらなる別の層(6,7)は、プラズマを援用するプロセス手法、例えばスパッタ法、もしくは、PECVD法、または、熱蒸着法を用いて堆積されている、請求項1記載の薄膜カプセル化部。
- 前記ADL層からなる薄膜カプセル化部上に、さらなる別の層が堆積されており、当該さらなる別の層は、プラズマを援用するプロセス手法、例えばスパッタ法、もしくは、PECVD法、または、熱蒸着法を用いて堆積されている、請求項1または3記載の薄膜カプセル化部。
- 前記さらなる別の層(6,7)は、材料として、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、酸化アルミニウムのうちの少なくとも1つ、それらの混合物ないし合金を有している、請求項3または4記載の薄膜カプセル化部。
- 前記さらなる別の層は、1nm以上5μm以下の厚さを有している、請求項3から5いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 前記ALD層(3,4)は、1つの原子層以上10nm以下の厚さを有している、請求項1から6いずれか1項記載の薄膜カプセル化部。
- 基板(8)と、
前記基板(8)上に被着されたビーム発生及び/またはビーム受信のための活性領域(9)と、
請求項1から7いずれか1項記載の薄膜カプセル化部(1)と、を有していることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。 - 前記薄膜カプセル化部(1)は、基板(8)と活性領域(9)との間に設けられている、請求項8記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記薄膜カプセル化部(1)は、活性領域(9)において生成されたビームまたは活性領域(9)において受信されたビームが当該薄膜カプセル化部(1)を貫通するように、活性領域(9)上に被着されている、請求項8または9記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記基板(8)は、柔軟性を備えるように形成されている、請求項8から10いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- 前記オプトエレクトロニクス素子は、有機発光ダイオード、有機光起電力セル、太陽電池及び/又は有機電子素子を有している、請求項8から11いずれか1項記載のオプトエレクトロニクス素子。
- オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル化部(1)を製造するための方法であって、
原子層堆積法を用いて第1のALD層(3)を堆積するステップと、
原子堆積法を用いて第2のALD層(4)を堆積するステップとを有し、
前記第1のALD層(3)は、酸化ランタンからなり、
前記第2のALD層(4)は、酸化チタンからなり、
前記薄膜カプセル化部は、周期的に繰り返された、それぞれが互いに直接接触している複数の前記第1のALD層および前記第2のALD層を有しており、
前記薄膜カプセル化部の外面は、酸化チタンからなるALD層により形成されている、
ことを特徴とする方法。
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