KR100792139B1 - 전자주입층으로서 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및이의 제조 방법 - Google Patents

전자주입층으로서 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및이의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극이 적층된 유기발광소자로서, 상기 전자주입 전극과 상기 유기물층 사이에는 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자 및 이의 제조 방법을 제공한다.
유기발광소자, 무기절연층, 정공 차단, 전자 주입

Description

전자주입층으로서 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING AN INORGANIC INSULATING LAYER AS AN ELECTRON INJECTION LAYER AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 유기발광소자의 구조를 예시한 것이다(실시예 2).
도 2는 본 발명에 따른 소자(실시예 2)에서 발광층, 전자수송층, 무기절연층 및 음극의 에너지 레벨과 종래의 소자(비교예 2)에서 발광층, 전자수송층, LiF층 및 음극의 에너지 레벨을 비교한 것이다.
도 3은 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 소자의 정방향 전류 특성(전자주입특성)을 나타낸 그래프이다.
도 4는 실시예 1 및 비교예 1에서 제조된 소자의 역방향 전류 특성(정공차단특성)을 나타낸 그래프이다.
도 5는 실시예 2 및 비교예 2에서 제조된 소자의 휘도 특성을 나타낸 그래프이다.
도 6은 실시예 2 및 비교예 2에서 제조된 소자의 수명 특성을 나타낸 그래프이다.
도 7은 비교예 3에서 제조된 소자의 정방향 전류 특성(전자주입특성)을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 유기발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은 전자주입층으로서 전자주입 및 정공차단 능력이 우수한 무기절연층을 이용한 유기발광소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
본 출원은 2006년 2월 6일에 한국 특허청에 제출된 한국 특허출원 제10-2006-0011330호 출원의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기발광소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층(HIL), 정공수송층(HTL), 발광층(EML), 전자수송층(ETL), 전자주입층(EIL) 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 이러한 유기발광소자는 자발광, 고휘도, 고효율, 낮은 구동 전압, 넓은 시야각, 높은 콘트라스트, 고속 응답성 등의 특성을 갖는 것으로 알려져 있다.
그러나, 종래의 유기발광소자는 전자수송층과 음극 물질 간의 일함수 차이가 커서 전자주입이 용이하지 않고, 상대적으로 다량의 정공이 음극 방향으로 주입되어 발광효율이 저하되는 문제가 있었다. 현재 전자수송층과 음극 사이에 구비된 전자주입층의 물질로서는 LiF가 많이 이용되고 있으나, 이 물질은 정공 차단 능력이 없다.
본 발명자들은 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극으로 이루어진 유기발광소자에 있어서, 상기 전자주입전극과 유기물층 사이에 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋(band offset)이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층을 구비시킴으로써 소자에서 전자주입 뿐만 아니라 전자주입전극 방향으로의 정공차단 효과를 향상시킬 수 있다는 사실을 밝혀내었다.
이에 본 발명은 전자주입 및 정공차단 효과가 우수한 전자주입층을 구비한 유기발광소자 및 이의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극이 적층된 유기발광소자로서, 상기 전자주입 전극과 상기 유기물층 사이에는 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자를 제공한다.
본 발명은 또한 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법으로서, 상기 전 자주입전극 형성단계와 유기물층 형성단계 사이에 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료를 이용하여 무기절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법을 제공한다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 유기발광소자는 전자주입전극과 유기물층 사이에 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층이 구비되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 밴드갭은 무기절연층의 컨덕션밴드와 밸런스밴드간의 에너지 차를 의미한다. 또한, 상기 밴드오프셋은 실리콘에 무기절연층을 적층했을 때 실리콘의 컨덕션밴드와 무기절연층의 컨덕션밴드가 정렬하여(align), 무기절연층이 실리콘에 대하여 얼마정도의 에너지 장벽 높이를 가지는가를 의미한다. 상기 실리콘을 기준으로 측정한 무기절연층의 밴드오프셋 값은 물질 고유의 수치로서, 이는 실리콘이 아닌 Al 등의 전자주입 전극 재료를 기준으로 측정한 무기절연층의 밴드오프셋 값에 비례한다. 밴드오프셋은 XPS(x-ray photoelectron spectroscopy), UPS(Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)등으로 측정 가능하다.
상기 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층은 전자주입전극으로부터 유기물층으로 전자를 주입하는 효율이 우수하고, 유기물층으로부터 전자주입전극으로 정공이 이동하는 것을 차단하는 능력이 우수하다. 보다 구체적으로 설명하면, 다음과 같다.
일반적으로, 정구조, 즉 기판, 정공주입전극, 유기물층 및 전자주입전극이 순차적으로 적층된 유기발광소자에서 전자수송층(ETL)과 전자주입전극(cathode) 사이에 전자주입층으로 두께 1.5~2nm정도의 LiF층을 삽입하는 경우, 상기 LiF층 중 Li는 Li+이온 형태로 존재하여 전자를 공급할 수 있는 반응이 유도되므로 전자주입능력이 증가한다. 이와 같은 원리를 이용하여 전자주입층으로 사용하는 LiF층은 정공차단능력을 갖지 않는다.
반면, 본 발명에 따른 무기절연층의 전자주입능력 및 정공차단능력은 밴드 정렬(band alignment) 특성으로 설명 가능하다. 본 발명자들은 전자주입층 물질 단독의 특성이 아닌 다른 물질과 접합시의 특성인 밴드오프셋 값이 전자주입능력 및 정공차단능력에 크게 영향을 미친다는 사실을 밝혀내고, 전자주입물질의 최적의 밴드오프셋 범위를 찾아내었다. 본 발명에서는 통상 알루미늄(일함수: 4.1 eV) 등으로 이루어진 전자주입전극과 무기절연층의 접합시 전극으로부터 무기절연층으로의 전자 주입 장벽의 높이가, 전극으로부터 전자수송층과 같은 유기물층(LUMO: 2.8 eV)으로의 전자 주입 장벽의 높이보다 낮도록 적절한 컨덕션밴드를 갖는 무기절연층 재료를 선택하기 위하여 상기 무기절연층 재료의 밴드오프셋 범위를 정하였다. 구체적으로, 본 발명자들은 상기와 같은 조건을 만족하는 밴드오프셋 값을 갖는 무기절연층 재료로서 Ta2O5 및 Pb(Ti0.55Zr0.45)O3를 찾아내었다. 이 물질의 밴드오프셋 값은 각각 0.3 eV 및 0.45 eV이다. 이와 같거나 이보다 작은 밴드오프셋 값을 갖는 물질을 이용하여 전자주입층을 형성하는 경우 Ta2O5 및 Pb(Ti0.55Zr0.45)O3와 같거나 이보다 우수한 전자주입능력을 달성할 수 있다. 따라서, 본 발명에 있어서 상기 무기절연층 재료의 적절한 밴드오프셋 범위는 0.45 eV 이하이다.
이와 동시에, 본 발명에 따른 무기절연층 재료의 밸런스밴드가 종래에 정공차단 물질로 사용되어 온 BCP(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)의 HOMO 레벨과 같거나 이보다 더 아래에 위치하도록, 즉 BCP의 HOMO 레벨과 같거나 더 높은 에너지를 갖도록, 상기와 같이 정한 밴드오프셋 범위를 고려하여 상기 무기절연층 재료의 밴드갭 범위를 정하였다.
상기와 같은 원리에 의하여, 본 발명의 유기발광소자에서는 전자주입전극과 유기물층 사이에 밴드갭이 3.3 eV 이상이고 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 무기절연층을 구비시키는 것을 특징으로 한다. 상기 무기절연층 재료의 밴드갭은 3.3 eV 이상 9 eV 이하인 것이 바람직하고, 밴드오프셋은 0.3 eV 이하인 것이 바람직하다.
전술한 원리에 따라, 본 발명에서는 상기 LiF층 대신 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층을 사용함으로써, 전자주입전극으로부터 전자수송층을 비롯한 유기물층으로 직접 전자가 주입되는 경우에 비하여 에너지 장벽을 낮출 수 있고, 이에 의하여 전자주입능력이 증가한다. 또한, 본 발명에 따른 무기절연층은 종래에 일반적으로 많이 이용된 정공차단 물질인 BCP보다 정공차단 능력이 우수하다. 따라서, 본 발명에 따른 유기발광소자는 별도의 정공차단층을 포함하지 않고도 전자주입전극과 유기물층 사이에 전술한 조건을 만족하는 무기절연층을 포함함으로써 우수한 전자주입능력 및 정공차단능력을 가질 수 있다.
구체적으로, 전자주입전극 재료는 Al, Mo, Ca/Ag, Mg/Ag, Ag, Yb, 또는 TiN, TaN, ZrN, HfN와 같은 전이금속질화물 등이 있다. 또한, 전자수송층 물질로는 음극으로부터 전자가 주입되었을 때 생성되는 음이온 라디칼을 안정화할 수 있는 전자당김체를 보유하고 있는 화합물이나 전자이동도가 높은 유기금속화합물이 주로 사용된다. 전자당김체를 보유하고 있는 화합물로는 시안기, 옥사디아졸, 트리아졸 같이 공명에 의해 전자를 잡아당기는 작용기를 포함하는 화합물이 있다. 전자수송층 물질의 구체적인 예로는 Alq3, PBD(2-biphenyl-4-yl-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), 스피로-PBD, 이미다졸고리를 갖는 방향족 화합물과 같은 올리고티오펜, 퍼플루오르화 올리고-p-페닐렌(perfluorinated oligo-p-phenylene) 등이 있다. 상기와 같은 재료로 이루어진 전자주입전극과 전자수송층 사이에 Ta2O5층을 구비하는 경우, 전자주입전극에서 무기절연층까지 전자주입 장벽의 높이가 약 0.9eV이고, 무기절연층에서 전자수송층까지 에너지 장벽의 높이가 약 0.4eV이다. 따라서, Ta2O5층을 구비하는 것이 전자주입전극으로부터 전자수송 유기물층까지의 1.3 eV의 전자주입장벽을 극복해야 하는 것보다 유리하다.
또한, 종래의 정공차단 물질인 BCP는 LUMO 3.2eV, HOMO 6.7eV, 밴드갭 3.5eV이나, 본 발명에 따른 무기절연층 재료의 한 예인 Ta2O5는 컨덕션밴드 3.2eV, 밸런스밴드 7.6eV, 밴드갭이 4.4eV이므로 BCP보다 0.9eV 정공 장벽 높이가 높다. 즉, 본 발명에 따른 무기절연층은 전자주입 측면뿐 아니라 정공 차단의 효과도 동시에 가질 수 있는 것이다.
한편, 본 발명에 따른 무기절연층은 정구조(bottom emission), 즉 기판, 정공주입전극, 유기물층 및 전자주입전극이 순차적으로 적층된 구조의 소자에도 적용될 수 있고, 역구조(inverted structure, top emission), 즉 기판, 전자주입전극, 유기물층 및 정공주입전극이 순차적으로 적층된 구조의 소자에도 적용될 수 있으나, 특히 역구조의 소자에서 더욱 우수한 효과를 나타낼 수 있다.
구체적으로 설명하면, 정구조의 유기발광소자와 역구조의 유기발광소자에서 전자주입층으로 LiF층을 사용하는 경우 전자주입전극, 예컨대 알루미늄 전극을 통하여 흐르는 전류 레벨 자체가 1 order 정도 차이가 발생한다. 즉, 역구조의 유기발광소자에서의 동작전압이 정구조의 유기발광소자보다 ~1V 높아지는 현상을 보인다. 이와 같은 현상은 LiF가 이것이 증착되는 표면에 의존하여 동작전압에 다른 영향을 미치기 때문이다. 다시 말하면, 알루미늄 위에서의 LiF 반응 보다 유기물 위에서의 LiF 반응이 더 활발하게 나타난다. 따라서, 전자주입층으로서 표면 반응에 기인하여 기판 의존성을 보이는 LiF를 사용하는 것보다 표면반응과 관계없는 무기절연층을 사용하는 것이 역구조의 유기발광소자에서 더 효과적이다.
본 발명에 있어서, 상기 무기절연층 재료는 고유전율을 갖는 것이 바람직하며, 특히 유전율이 20 이상인 것이 좋다. 상기 무기절연층 재료로는 유전율이 20 이상 75 이하인 것이 더욱 바람직하다. 유전율이 20 미만인 경우 완성된 유기발광소자의 (+) 전압 쪽에서 전류가 낮아지고 발광효율도 떨어져서 구동전압이 높아지는 문제가 있다. 또한, 상기 무기절연층의 두께는 수 nm, 바람직하게는 1 내지 10 nm인 것이 좋다. 무기절연층의 두께가 상기 범위내인 경우 소자의 동작 전압이 지 나치게 증가하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 무기절연층의 재료로는 Ta2O5, SrTiO3, Pb(Ti0.55Zr0.45)O3, 및 SrBi2Ta2O9 중 1종 이상, 또는 Ta2O5, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrSiO4, SrTiO3, Pb(Ti0.55Zr0.45)O3 및 SrBi2Ta2O9 중에서 선택되는 2 이상의 복합산화물, 또는 Ta2O5, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrSiO4, SrTiO3, Pb(Ti0.55Zr0.45)O3 및 SrBi2Ta2O9 중 1종 이상과 TiO2 및 BaTiO3 중 1종 이상의 복합산화물을 사용하는 것이 바람직하고, Ta2O5 를 사용하는 것이 더욱 바람직하다. 상기 무기절연층은 전술한 재료의 예 중 1가지 단독으로 또는 2가지 이상을 혼합하여 1층으로 형성할 수도 있고, 서로 다른 재료로 이루어진 층들을 적층한 복합층(laminate layer)으로 형성할 수도 있다.
상기 무기절연층은 스퍼터링(sputtering), 화학적 기상증착법(CVD), ALD(Atomic layer deposition), PECVD(Plasma enhanced chemical vapor deposition), 전자빔(e-beam) 진공증착 방법, 이온빔(ion-beam) 진공증착 방법 등으로 형성가능하나, 본 발명의 범위가 이들 방법에 의하여 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기발광소자는 전술한 본 발명에 따른 무기절연층을 전자주입전극과 유기물층 사이에 형성하는 것을 제외하고는 당기술분야에 알려져 있는 유기발광소자의 제조 방법 및 재료에 의하여 제조될 수 있다.
본 발명의 하나의 실시 상태에 있어서, 유기발광소자는 전자주입전극과 정공 주입전극 및 이 사이에 배치된 유기물층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있다. 본 발명에 따른 유기발광소자의 구조는 도 1에 예시되어 있다.
예컨대, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링(sputtering) 이나 전자빔 증발(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 정공주입전극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 전술한 방법으로 무기절연층을 형성하고, 그 위에 전자주입전극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴므로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 전자주입전극 물질부터, 무기절연층, 유기물층, 정공주입전극을 차례로 형성하여 유기발광소자를 만들 수도 있다(국제 특허 출원 공개 제2003/012890호 참조).
상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기물층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.
본 발명의 소자에서는 전술한 무기절연층과 접하는 유기물층으로서 n-type의 유기물층, 예컨대 전자수송층 또는 n-type 발광층이 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 소자에서는 전자주입전극이 알루미늄(Al)의 일함수와 같거나 이보다 작은 일함수를 갖고 빛 반사율이 큰 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 실시예에 의하여 한정되는 것을 의도하지 않는다.
실시예
실시예 1
Ta2O5의 전자주입 능력 및 정공차단 능력을 확인하기 위하여, 글래스 기판 위에 Al층을 100nm의 두께로 형성하고, 그 위에 Ta2O5층을 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식으로 1.5nm의 두께로 형성하였다. 이어서, 상기 Ta2O5층 상에 전자수송물질인 하기 화학식 1의 화합물을 진공증착하여 20nm 두께의 전자 수송층을 형성하였다.
[화학식 1]
Figure 112007010176680-pat00001
그 위에 LiF층을 1.5 nm의 두께로 형성하고, 그 위에 100 nm 두께의 Al층을 형성하였다. 이와 같이 제조된 소자에서 전자주입능력(정방향 전류 특성)을 측정하고, 그 결과를 도 3에 나타내었다. 또한, 상기 소자의 정공차단능력(역방향 전류 특성)을 측정하여 그 결과를 도 4에 나타내었다.
비교예 1
Ta2O5층 대신 LiF층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 같은 방식으로 소자를 제조하였다. 이 소자의 전자주입능력 및 정공차단능력을 측정하고, 그 결과를 도 3 및 도 4에 나타내었다.
상기 실시예 1 및 비교예 1의 소자에서 측정한 정방향 및 역방향 전류 특성 결과에 있어서, 동일 전압에서 전류량을 상대 비교하여 보면, 도 3에 나타난 바와 같이 LiF층을 이용한 소자(비교예 1) 보다 Ta2O5층을 이용한 소자(실시예 1)에서 정방향 전류량이 1 order 정도 높게 나타났다. 또한, 도 4에 나타난 바와 같이 LiF층을 이용한 소자(비교예 1) 보다 Ta2O5층을 이용한 소자(실시예 1)에서 역방향 전류 값이 1 order 정도 낮게 나타났다. 즉, Ta2O5층을 이용한 실시예 1의 소자는 LiF층을 이용한 비교예 1의 소자 대비 정방향 전류특성이 높고 역방향전류 특성이 낮았다. 이와 같은 결과는 실시예 1의 소자에서 비교예 1의 소자보다 전자주입 및 정공차단 능력이 우수하다는 것을 나타낸다.
실시예 2
글래스 기판 위에 전자주입전극으로서 Al 전극을 100nm의 두께로 형성하고 그 위에 Ta2O5층을 전자빔 증착(e-beam evaporation) 방식으로 20nm의 두께로 적층하였다. 그 위에 유기물층으로서 전자수송층(ETL), 발광층(EML), 정공수송층(HTL) 및 정공주입층(HIL)를 각각 상기 화학식 1의 전자수송물질, Alq3, NPB, 하기 화학식 2의 정공주입물질 (헥사니트릴헥사아자트리페닐렌, HAT)를 진공 증착하여 형성하였다.
[화학식 2]
Figure 112007010176680-pat00002
상기 유기물층들의 각각의 두께는 20 nm, 30 nm, 40nm 및 50nm로 하였다. 이어서, 상기 유기물층 상에 정공주입전극으로서 IZO 전극을 스퍼터링방법에 의하여 150 nm의 두께로 형성하였다. 제조된 소자의 구조는 도 1과 같다.
상기와 같이 제조된 소자의 발광층, 전자수송층, 무기절연층 및 전자주입전극의 에너지 레벨은 도 2의 우측 그림과 같다. 상기 소자의 휘도 및 수명을 측정하여 그 결과를 각각 도 5 및 6에 나타내었다. 여기서, 에너지레벨은 UPS로, 휘도는 Photo-Research사 PR650 colorimeter/radiometer로 측정하였으며 수명측정은 일정전류하에서 휘도, 전압등을 측정할 수 있는 수명 측정설비로 측정하였다.
비교예 2
Ta2O5층 대신 LiF층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 2와 같은 방식으로 소자를 제조하였다. 이와 같이 제조된 소자의 발광층, 전자수송층, 무기절연층 및 전자주입전극의 에너지 레벨은 도 2의 좌측 그림과 같다. 또한, 상기 소자의 휘도 및 수명을 측정하여 그 결과를 각각 도 5 및 6에 나타내었다.
휘도측정결과, 도 5에 나타난 바와 같이 비교예 2의 소자 대비 실시예 2의 소자가 동일전류에서 높은 휘도를 나타내었다. 수명측정결과, 도 6에 나타난 바와 같이, 비교예 2의 소자 대비 실시예 2의 소자가 우수한 효과를 나타내었다. 이와 같은 결과로부터 비교예 1의 소자에서보다 실시예 1의 소자에서 전자와 정공이 적절히 균형이 이루어져 있다는 것을 알 수 있다. 즉, 실시예 2의 소자에서 측정된 상기 결과는 정공주입이 과도하게 이루어지는 종래의 유기발광 소자 구조에서 보다 정공주입이 감소하여, 과도한 정공 주입으로 인한 발광 효율 저하가 개선된 것을 나타낸다. 이와 같은 이유는 실시예 2의 소자에서 도 2의 우측과 같은 밴드구조를 형성하기 때문이고, 이와 같은 효과는 전자주입층이 Ta2O5과 유사한 밴드구조 또는 밴드오프셋을 가지는 무기절연층으로 구성된 소자에서 동일하게 나타날 수 있다.
비교예 3
Ta2O5층 대신 Al2O3층(밴드갭 8.8 eV, 밴드오프셋 2.8 eV, 유전율 9)을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1와 같은 방식으로 소자를 제조하였다. 이 소자의 정방향 전류특성 결과(전자주입능력)를 측정하고, 그 결과를 도 7에 나타내었다.
상기 실시예 1 및 비교예 3의 소자에서 측정한 정방향 전류 특성 결과에 있 어서, 동일 전압에서 전류량을 상대 비교하여 보면, 도 7에 나타난 Al2O3층을 이용한 소자(비교예 3) 보다 도 3에 나타난 Ta2O5층을 이용한 소자(실시예 1)에서 정방향 전류량이 1 order 정도 높게 나타났다. 즉, Ta2O5층을 이용한 실시예 1의 소자는 Al2O3층을 이용한 비교예 3의 소자 대비 정방향 전류특성이 높았다. 이와 같은 결과는 실시예 1의 소자에서 비교예 3의 소자보다 전자주입 능력이 우수하다는 것을 나타낸다.
본 발명에 따른 소자는 유기물층과 전자주입전극 사이의 전자주입층으로서 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층을 구비함으로써 이 층의 우수한 전자주입 및 정공차단 효과에 따라 소자의 효율, 휘도, 수명 특성 등이 우수하다.

Claims (9)

  1. 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극이 적층된 유기발광소자로서, 상기 전자주입 전극과 상기 유기물층 사이에는 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋(band offset)이 0.45 eV 이하인 재료로 구성된 무기절연층이 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 무기절연층은 Ta2O5, SrTiO3, Pb(Ti0.55Zr0.45)O3, 및 SrBi2Ta2O9 중 1종 이상, 또는 Ta2O5, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrSiO4, SrTiO3, Pb(Ti0.55Zr0.45)O3 및 SrBi2Ta2O9 중에서 선택되는 2 이상의 복합산화물, 또는 Ta2O5, BaZrO3, ZrO2, HfO2, Y2O3, La2O3, ZrSiO4, SrTiO3, Pb(Ti0 .55Zr0 .45)O3 및 SrBi2Ta2O9 중 1종 이상과 TiO2 및 BaTiO3 중 1종 이상의 복합산화물로 이루어진 1층 또는 2층 이상의 복합층인 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 무기절연층은 밴드오프셋(band offset)이 0.3 eV 이하인 재료로 구성된 것을 특징으로 하는, 유기발광소자.
  4. 제2항에 있어서, 상기 무기절연층은 Ta2O5로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 무기절연층의 재료는 유전율이 20 이상인 것인 유기발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 무기절연층의 두께는 1 내지 10 nm인 것인 유기발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 무기절연층에 접하는 유기물층은 n-type 유기물층인 것인 유기발광소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 무기절연층에 접하는 유기물층은 전자수송층인 것인 유기발광소자.
  9. 전자주입전극, 발광층을 비롯한 1층 이상의 유기물층 및 정공주입전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기발광소자의 제조 방법으로서, 상기 전자주입전극 형성단계와 유기물층 형성단계 사이에 밴드갭이 3.3 eV 이상이고, 밴드오프셋이 0.45 eV 이하인 무기물 재료를 이용하여 무기절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자의 제조 방법.
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