JPWO2018061102A1 - 発光装置 - Google Patents

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Abstract

発光装置（１０）は、透光性を有する第１基材（２１０）、透光性を有する第２基材（２２０）、および複数の発光部（１４０）を備える。発光部（１４０）は第１基材（２１０）と第２基材（２２０）の間に位置する。発光部（１４０）は第１波長にピークを有する光を発する。また、発光装置（１０）は複数の発光部（１４０）の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材（２２０）は光学機能層（１７０）を含む。光学機能層（１７０）は第１波長の光を特に反射する層である。

Description

本発明は、発光装置に関する。
近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。
有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。
特開２０１１−２３３３６号公報
片面（おもて面）からのみ光を取り出したい透過型の発光装置において、逆側の面（裏面）からも一部の光が漏れ出てしまう場合がある。この場合、裏面側から発光装置を介して反対側を視認しにくくなったり、おもて面での光取り出し効率が低下したりする。
本発明が解決しようとする課題としては、透過型の発光装置において、発光面とは逆の面から光を漏れにくくすることが一例として挙げられる。
請求項１に記載の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置
である。
請求項２に記載の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記ピークにおいてピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置
である。
請求項３に記載の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおいてピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置である。
請求項４に記載の発明は、
透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率がをとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置である。
請求項１３に記載の発明は、
透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置
である。
請求項１４に記載の発明は、
透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置
である。
請求項１５に記載の発明は、
透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置
である。
請求項１６に記載の発明は、
透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率をとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置
である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
第１の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の発光部を拡大した図である。 発光部の発光スペクトルの例を示す図である。 光学機能層の反射スペクトルの例を示す図である。 発光装置における光路の例を示す図である。 発光装置の平面図である。 第２の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第３の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第４の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第５の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第６の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第６の実施形態に係る発光装置の平面図である。 第７の実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図１４に示した発光装置の平面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。監視者Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。図２は発光装置１０の発光部１４０を拡大した図である。
発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０及び透光性を有する第２基材２２０の間に位置する複数の発光部１４０を備える。発光部１４０は第１波長にピークを有する光を発する。また、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は光学機能層１７０を含む。
なお、第２基材２２０が光学機能層１７０を含むとは、第１基材２１０と光学機能層１７０の間に発光部１４０が位置することを意味する。すなわち、発光装置１０の製造工程等において光学機能層１７０は第１基材２１０に対して形成される層であっても良いし、第１基材２１０に一部が接する層であっても良い。
光学機能層１７０について、以下に説明する。光学機能層１７０はたとえば波長選択光フィルタ、波長選択吸収フィルタ、波長選択遮光フィルタ、および波長選択型の反射層の少なくともいずれかの機能を有する層である。すなわち、光学機能層１７０は、可視光のうち第１波長を含む一部の波長帯以外の波長の光の透過を、その一部の波長帯の光の透過よりも抑制する層であればよい。その一部の波長帯は、たとえば第１波長より５０ｎｍ短い波長以上、第１波長より５０ｎｍ長い波長以下の範囲である。以下では、光学機能層１７０が波長選択型の反射層である例について詳しく説明する。
本実施形態に係る光学機能層１７０は第１波長の光を特に反射する層であれば特に限定されないが、たとえば以下の第１例から第５例の少なくともいずれかに該当する様な層である。以下において、第１波長とは、発光部１４０の発光スペクトルにおける最大ピークをとる波長である。
ここで、発光部１４０の発光スペクトルはたとえば、発光装置１０の第１基材２１０側の出力面から出力される光を計測することで得られる。また、光学機能層１７０が第１領域１０２、第２領域１０４、および第３領域１０６の全体にわたって形成されている場合、光学機能層１７０の反射スペクトルはたとえば発光装置１０に第２基材２２０側から光を照射し、正反射での反射光を測定することによって得られる。また、第２基材２２０は透光性を有するため、光学機能層１７０を含む構造を発光装置１０から切り出し、その構造を対象として測定した光の反射率を、光学機能層１７０の光の反射率とみなしてもよい。たとえば、本図に示す例では接着層１８４を切断することで封止部材１８０、光学機能層１７０および接着層１８４の一部を含む構造を得、測定対象とすることができる。発光スペクトルや反射スペクトルの測定範囲はたとえば４００ｎｍから７００ｎｍとする。なお、発光装置１０の断面を分析し、積層された膜の材料および厚さを確認することによって光学機能層１７０の存在および特に反射率の高い波長を確かめることもできる。
第１例において、光学機能層１７０は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の反射率の平均値（平均反射率）よりも、第１波長における光の反射率が高い層である。ここで、光学機能層１７０の平均反射率はたとえば、複数の波長の光に対する光学機能層１７０の反射率を波長ごとに計測し、それらの平均値を算出することで得られる。
第２例において、発光部１４０の発光スペクトルのうち、第１波長を含むピークにおいて、ピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲を第１範囲とする。そして、第１範囲内の光に対する、光学機能層１７０の光の反射率が３０％以上である。
図３は、発光部１４０の発光スペクトルの例を示す図である。本図を用いて第２例について説明する。本図に示す発光スペクトルでは、第１波長に最大ピークを有する。第１波長におけるピーク強度はＩａである。そして、本図中、発光強度ＩｂはＩａの２分の１の大きさである。第１波長のピークの裾は第２波長および第３波長で強度Ｉｂをとる。第２波長は第３波長よりも短い。ここで、第２波長を下限、第３波長を上限とした波長範囲を第１範囲とする。そして、第２例において、光学機能層１７０の反射率は、第１範囲内の全体にわたって、３０％以上である。そうすれば、人の目で見て裏面漏れ光が小さく感じられる。なお、光学機能層１７０の反射率は、第１範囲内の全体にわたって、５０％以上であることがより好ましい。
なお、発光部１４０の発光スペクトルが、三つ以上の波長で上記の強度Ｉｂをとる場合、それらの波長のうち、第１波長よりも短く且つ最も第１波長に近い波長を第２波長とする。また、それらの波長のうち、第１波長よりも長く且つ最も第１波長に近い波長を第３波長とする。なお、第１範囲の中には、第１波長以外の波長においてさらに他の発光ピークが存在しても良い。
第３例において、光学機能層１７０は、第２例で説明した第１範囲内で最大反射率をとる層である。具体的には、光学機能層１７０の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長が第１範囲内に位置する。
第４例において、光学機能層１７０の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとする。そして、反射率がＲｍａｘ×０．５以上となる波長範囲を第２範囲とする。そして、第２範囲内に第１波長が含まれる。
図４は、光学機能層１７０の反射スペクトルの例を示す図である。本図を用いて第４例について説明する。本図に示す反射スペクトルは、第４波長において最大の反射率Ｒｍａｘを示す。そして、本図中、反射率ＲｈはＲｍａｘの０．５倍の大きさである。本図において、第５波長および第６波長は、反射率Ｒｈをとる波長を示している。第４波長は第５波長および第６波長の間に位置し、第５波長は第６波長よりも短い。ここで、第５波長を下限、第６波長を上限とした波長範囲を第２範囲とできる。ただし、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲には、第５波長が存在しなくても良い。その場合、４００ｎｍが第２範囲の下限となる。また、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲には、第６波長が存在しなくても良い。その場合、７００ｎｍが第２範囲の上限となる。そして、第４例において、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長が、第２範囲内に含まれる。
なお、光学機能層１７０の反射スペクトルが、三つ以上の波長で上記の反射率Ｒｈをとる場合、それらの波長のうち、第４波長よりも短く且つ最も第４波長に近い波長を第５波長とする。また、それらの波長のうち、第４波長よりも長く且つ最も第４波長に近い波長を第６波長とする。
第５例において、光学機能層１７０の反射スペクトルの最大反射率をとる波長と、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長との差は１００ｎｍ以下である。また、光学機能層１７０の反射スペクトルの最大反射率をとる波長と、発光部１４０の発光スペクトルのピーク波長である第１波長との差は５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
また、上記した第１例から第５例において、第１波長のピークにおいてピーク強度の５分の１の強度をとる二つの波長を、上下限とする波長範囲を第３範囲としたとき、第３範囲内の光に対する、光学機能層１７０の光透過率が平均で５０％以上であることが好ましい。そうすれば、光学機能層１７０は光を十分に透過することができ、発光装置１０の透光性を確保できる。
なお、光学機能層１７０の反射スペクトルが、三つ以上の波長でピーク強度の５分の１の強度をとる場合、それらの波長のうち、第１波長よりも短く且つ最も第１波長に近い波長を第３範囲の下限とし、第１波長よりも長く且つ最も第１波長に近い波長を上限とする。また、第３範囲の中には、第１波長以外の波長においてさらに他のピークが存在しても良い。
また、上記した第１例から第５例において、第１波長より１００ｎｍ短い波長、および１００ｎｍ長い波長における光学機能層１７０の光の反射率は、５０％以下であることが好ましく、２０％以下であることがより好ましい。この場合、光学機能層１７０は第１波長から離れた波長の光を十分に透過することができる。
図５は、発光装置１０における光路の例を示す図である。以下において、発光装置１０の第１基材２１０側を「おもて面」、第２基材２２０側を「裏面」と呼ぶ。発光部１４０から出力され基板１００側に進んだ光Ｌ１のうち、一部の光は発光装置１０の外側に出力する。一方、基板１００と気相との界面の臨界角よりも大きな入射角を有する一部の光は、発光装置１０のおもて面で全反射し、光Ｌ２の様に進む。光Ｌ２は、その角度を保ったまま発光装置１０内を伝搬した場合、発光装置１０のおもて面および裏面で全反射を繰り返し、発光装置１０の側面から出力されるため、裏面漏れ光にはならない。しかし、発光装置１０の内部で拡散が生じた場合には、光の角度はたとえば光Ｌ３のように変化しうる。そして、仮に発光装置１０の裏面と、外部の気相の界面に、臨界角よりも小さな入射角で入射すると、その光は裏面漏れ光となる。これに対し、本実施形態の発光装置１０は光学機能層１７０を備える。したがって、本図の光Ｌ３のような裏面に対して入射角の小さい光を発光装置１０の内部で反射させ、光Ｌ４のようにおもて面側に戻すことができる。一方、光学機能層１７０は、第１波長の光を選択的に反射することにより、発光装置１０のおもて面側から裏面側、および裏面側からおもて面側の視認性を確保することができる。
図１および図２に戻り、発光装置１０の各構成について詳しく説明する。本実施形態において、発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０および透光性を有する第２基材２２０を備える。第２基材２２０は、接着層１８４、光学機能層１７０、および封止部材１８０を含む。封止部材１８０は接着層１８４を介して発光部１４０を覆っている。また、本実施形態において光学機能層１７０は、封止部材１８０に接している。図１および図２に示す例において光学機能層１７０は、封止部材１８０の発光部１４０側の面と接しているが、封止部材１８０の発光部１４０とは逆側の面と接していても良い。また、光学機能層１７０は、封止部材１８０の両面に設けられていても良い。
本実施形態の第１基材２１０は、基板１００を含む。基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。この場合第１基材２１０は、基板１００および無機バリア膜を含む。
基板１００の一面には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、透光性の第１電極１１０、遮光性の第２電極１３０および、第１電極１１０と第２電極１３０との間に位置する有機層１２０を含む。第２電極１３０は第１電極１１０に対し第１基材２１０とは逆側に位置する。このような構成により、発光部１４０からの光は第１基材２１０側に出力される。なお、発光部１４０からの光の一部が第２基材２２０側に、例えば漏れ光として出力されても良いが、第１基材２１０側に出力される光は第２基材２２０側に出力される光よりも高強度になる。
発光装置１０が照明装置の場合、複数の発光部１４０はライン状に延在している。一方、発光装置１０が表示装置の場合、複数の発光部１４０はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示したりするように（例えばアイコンを表示するように）なっていてもよい。そして複数の発光部１４０は、画素別に形成されている。
第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。本図において、基板１００の上には、複数の線状の第１電極１１０が互いに平行に形成されており、第２領域１０４及び第３領域１０６には第１電極１１０は位置していない。
有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置１０は複数の線状の第２電極１３０を有している。第２電極１３０は、第１電極１１０のそれぞれに対して設けられており、かつ第１電極１１０よりも幅が広くなっている。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第１電極１１０の全体が第２電極１３０によって重なっており、また覆われている。また、第１電極１１０は、第２電極１３０よりも幅が広く、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第２電極１３０の全体が第１電極１１０によって覆われていてもよい。
第１電極１１０の縁は、絶縁膜１５０によって覆われている。絶縁膜１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０の幅方向の縁は、絶縁膜１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜１５０の一部は第２電極１３０からはみ出ている。また本図に示す例において、有機層１２０は絶縁膜１５０の上及び側面にも形成されている。そして有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されている。ただし、有機層１２０は、隣り合う発光部１４０にわたって連続して設けられていても良い。
発光装置１０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は基板１００に垂直な方向から見て第２電極１３０と重なる領域である。第２領域１０４は、第２電極１３０とは重ならないが、絶縁膜１５０と重なる領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第２領域１０４にも形成されている。第３領域１０６は、第２電極１３０とも絶縁膜１５０とも重ならない領域である。光透過領域は、第２領域１０４および第３領域１０６からなる。すなわち光透過領域は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、第２電極１３０と重ならない領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第３領域１０６の少なくとも一部には形成されていない。そしてたとえば第２領域１０４の幅は、第３領域１０６の幅よりも狭い。また第３領域１０６の幅は第１領域１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。第１領域１０２の幅を１とした場合、第２領域１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．３以下であり、第３領域１０６の幅は例えば０．３以上５以下である。また第１領域１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第２領域１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、第３領域１０６の幅は例えば１５μｍ以上１５００μｍ以下である。
基板１００の平面形状は、例えば矩形などの多角形や円形である。そして封止部材１８０は透光性を有しており、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されている。封止部材１８０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして複数の発光部１４０は、いずれも基板１００と封止部材１８０の間の封止された空間の中に位置している。そして封止された空間には接着剤が充填され、接着層１８４が形成されている。また、封止部材１８０は板状であってもよい。この場合にも、封止部材１８０は接着層１８４で発光部１４０に固定される。接着層１８４としてはたとえばエポキシ樹脂を用いることができる。
さらに、本実施形態において封止部材１８０の一の面には光学機能層１７０が形成されている。図１および図２に示す例において、光学機能層１７０は、接着層１８４と封止部材１８０の間に位置し、接着層１８４および封止部材１８０と接している。ただし、封止部材１８０には少なくとも一方の面に光学機能層１７０が形成されていればよい。すなわち、光学機能層１７０は封止部材１８０の両方の面に形成されていても良いし、光学機能層１７０は封止部材１８０の、発光部１４０とは反対側の面にのみ設けられていても良い。
本図の例において、第１基材２１０に垂直な方向から見て、光学機能層１７０は光透過領域と重なる領域に形成されており、詳しくは、光学機能層１７０は光透過領域の全体と重なる領域に形成されている。したがって、発光部１４０からの光が反射して光透過領域を通りぬけるのを抑制し、裏面漏れ光をより効果的に低減できる。また、本図の例において、光学機能層１７０は、第１基材２１０に垂直な方向から見て、発光部１４０と重なる領域にも形成されており、第１領域１０２、第２領域１０４および第３領域１０６の全体と重なる様に設けられている。したがって、光学機能層１７０をパターニングする必要が無く、容易に形成できる。ただし、光学機能層１７０は、光透過領域と重なる領域にのみ形成されていても良い。
光学機能層１７０は、複数の誘電体膜が積層された積層膜、または金属膜からなる。光学機能層１７０が金属膜からなる場合、光学機能層１７０はＡｌやＡｇ等の金属からなる膜であり、光学機能層１７０の厚さはたとえば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。そうすれば、安定して膜形成できるとともに、十分な光透過率を確保することができる。この場合、光学機能層１７０はたとえば蒸着法やスパッタリング法により形成できる。光学機能層１７０が金属膜からなる場合、光学機能層１７０の表面はたとえば封止部材１８０や接着層１８４等の絶縁性の部材に覆われており、電気的にフローティングである。そして、光学機能層１７０は発光部１４０を構成しない層である。
光学機能層１７０が複数の誘電体膜の積層膜からなる場合、その積層膜はたとえば無機材料を含む膜であり、誘電体ミラーや干渉フィルタを構成している。誘電体膜としてはたとえばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜、酸化チタン膜、酸化アルミ膜、およびこれらの混相膜が挙げられる。また積層膜は、誘電率が互いに異なる複数種類の誘電体膜を含む。積層膜に含まれる誘電体膜の層数は特に限定されないが、３層以上であることが好ましい。各誘電体膜の厚さはたとえば５０ｎｍ以上１μｍ以下である。より詳しくは、第１波長をλ、誘電体膜の屈折率をｎとしたとき、積層膜に含まれる各誘電体膜の厚さは、たとえばλ／（４×ｎ）×０．８０以上、λ／（４×ｎ）×１．２０以下である。こうすることにより、波長λの光を選択的に反射させることができる。光学機能層１７０としての積層膜の厚さは特に限定されないが、たとえば１００ｎｍ以上５μｍ以下である。
各誘電体膜は、たとえばスパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの真空成膜法で形成することができる。
図６は発光装置１０の平面図である。ただし本図では一部の部材を省略している。なお、図１は図６のＡ−Ａ断面に対応している。本図に示す例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６は、いずれも線状かつ同一方向に延在している。そして本図及び図１に示すように、第２領域１０４、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６が、この順に繰り返し並んでいる。
本図の例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６のうち第１領域１０２は最も光線透過率が低い。また、第２領域１０４は絶縁膜１５０が存在している分、第３領域１０６に対して光線透過率が低くなっている。本実施形態ではたとえば第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭くすることができる。そうすれば、発光装置１０において第２領域１０４の面積占有率は、第３領域１０６の面積占有率よりも低くなり、発光装置１０の光線透過率は高くなる。
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁膜１５０を形成する。例えば絶縁膜１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。次いで、光学機能層１７０を形成した封止部材１８０を接着層１８４で接着し、発光部１４０を封止する。
以上、本実施形態によれば、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
（第２の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１の実施形態に係る発光装置１０と同じである。
本実施形態において、光学機能層１７０は発光部１４０と接着層１８４との間に形成されている。特に、図７に示す例において光学機能層１７０は発光部１４０に接している。したがって、発光装置１０のおもて面から裏面に向かう光を、接着層１８４や封止部材１８０に入射する前に反射させることができる。ひいては、裏面漏れ光となるような拡散光、すなわち発光装置１０の裏面と気相との界面に対する入射角度が小さい光の発生頻度を下げることができる。
本図で示す例において、発光装置１０は封止膜１８２を備える。封止膜１８２は、発光部１４０を覆うよう形成されている。本図に示す例において、封止膜１８２は光学機能層１７０に接しており、基板１００に垂直な方向から見て第１領域１０２、第２領域１０４、および第３領域１０６の全体を覆っている。ただし、封止膜１８２は光透過領域のうち少なくとも一部には形成されていなくても良い。
封止膜１８２としては、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機バリア膜や、それらを含むバリア積層膜、またはそれらの混合膜を用いることができる。これらは、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの真空成膜法で形成することができる。
本実施形態の発光装置１０の製造方法において、発光部１４０の形成までは第１の実施形態と同様に行うことができる。本実施形態では、次いで、第２電極１３０の上に光学機能層１７０および封止膜１８２を形成する。そして、封止部材１８０を接着層１８４で接着し、光学機能層１７０および封止膜１８２を介して発光部１４０を封止する。
なお、本図に示す例では、光学機能層１７０、および封止膜１８２は発光部１４０側からこの順に積層されており、光学機能層１７０は発光部１４０に接しているが、封止膜１８２および光学機能層１７０の積層順は逆であっても良い。すなわち、封止膜１８２、および光学機能層１７０が発光部１４０側からこの順に積層されており、封止膜１８２が発光部１４０に接していてもよい。ただし、光学機能層１７０が金属膜である場合、光学機能層１７０と第２電極１３０の間には封止膜１８２が位置し、光学機能層１７０と第２電極１３０が接しない様にする。そうすることにより、複数の発光部１４０の第２電極１３０が短絡することを避けられる。
また、封止膜１８２は光学機能層１７０を兼ねていてもよい。すなわち、第２基材２２０は、発光部１４０に接して発光部１４０を覆う封止膜１８２を含み、その封止膜１８２が光学機能層１７０であってもよい。この場合、発光装置１０の製造において、膜形成の工程数を低減することができる。
また、本実施形態の構成において、第１の実施形態のように封止部材１８０の少なくとも一方の面にさらに光学機能層１７０が設けられていても良い。
また、本実施形態において、発光装置１０は、必ずしも封止膜１８２および封止部材１８０の両方を備える必要は無く、少なくとも一方が設けられていればよい。そうすれば、発光部１４０を封止して発光部１４０の耐久性を確保することができる。また、発光装置１０が封止部材１８０を有さない場合、必ずしも発光装置１０に接着層１８４が形成されている必要は無い。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
（第３の実施形態）
図８は、第３の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１の実施形態および第２の実施形態の少なくとも一方の発光装置１０と同じである。
本実施形態において、封止部材１８０は縁でのみ基板１００に固定されている。したがって、第１領域１０２、第２領域１０４および第３領域１０６は、接着層１８４で覆われていない。そして、発光部１４０と封止部材１８０との間には気相が存在する。
本実施形態の発光装置１０の製造方法において、光学機能層１７０の形成までは第２の実施形態と同様に行うことができる。本実施形態では、次いで、発光部１４０を封止部材１８０で覆い、封止部材１８０の縁を接着剤で基板１００に固定する。そうして、封止部材１８０と基板１００の間の空間に発光部１４０を封止する。
なお、本図で示す例において、光学機能層１７０は発光部１４０に接しているが、第１の実施形態のように封止部材１８０の少なくとも一方の面に光学機能層１７０が設けられていても良い。
また発光装置１０は、第２の実施形態で示した様にさらに封止膜１８２を備えても良い。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
（第４の実施形態）
図９は、第４の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、複数の封止膜１８２を備える点を除いて第１から第３の実施形態の少なくともいずれかの発光装置１０と同じである。
本図に示す例において、封止膜１８２、光学機能層１７０、樹脂層１８６、封止膜１８２が発光部１４０側からこの順に積層されている。ただし、本図の例に限定されず、たとえば光学機能層１７０、封止膜１８２、樹脂層１８６、封止膜１８２が発光部１４０側からこの順に積層されていてもよい。樹脂層１８６はたとえばポリイミド、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の樹脂や、ポリシラザン等の塗布系無機材料から成る。なお、本図では、発光装置１０が２層の封止膜１８２を含む例を示しているが、発光装置１０は３層以上の封止膜１８２を含んでも良い。その場合においても、二つの封止膜１８２の間には樹脂層１８６が設けられる。また、発光装置１０は発光部１４０と接着層１８４の間に２層以上の光学機能層１７０を有しても良い。
本実施形態の発光装置１０の製造方法において、発光部１４０の形成までは第１の実施形態と同様に行うことができる。本実施形態では、次いで、第２電極１３０の上に封止膜１８２、光学機能層１７０、樹脂層１８６、および封止膜１８２をこの順に形成する。ここで、樹脂層１８６はたとえばスピンコート法、インクジェット法等の塗布法で形成できる。そして、封止部材１８０を接着層１８４で接着し、光学機能層１７０および封止膜１８２等を介して発光部１４０を封止する。
なお、第１の実施形態と同様、封止部材１８０の少なくとも一方に光学機能層１７０がさらに設けられていても良い。また、発光装置１０は封止部材１８０および接着層１８４を備えていなくても良い。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
加えて、本実施形態の発光装置１０は、複数の封止膜１８２を備える。したがって、発光部１４０をより強固に封止することができ、発光部１４０の耐久性を向上させることができる。
（第５の実施形態）
図１０は、第５の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、封止膜１８２が光学機能層１７０の機能を兼ねる点を除いて第４の実施形態の発光装置１０と同じである。
本実施形態において、封止膜１８２はたとえばＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機膜を複数積層した積層膜であり、バリア性を有する。そして封止膜１８２は、第１の実施形態において説明した様な複数の誘電体膜の積層膜でもあり、光学機能層１７０として機能する。各無機膜は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの真空成膜法で形成することができる。本実施形態において光学機能層１７０の厚さは１００ｎｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
本実施形態の発光装置１０の製造方法において、発光部１４０の形成までは第１の実施形態と同様に行うことができる。本実施形態では、次いで、第２電極１３０の上に光学機能層１７０、樹脂層１８６、および光学機能層１７０をこの順に形成する。ここで、樹脂層１８６はたとえばスピンコート法、インクジェット法等の塗布法で形成できる。そして、封止部材１８０を接着層１８４で接着し、光学機能層１７０および樹脂層１８６等を介して発光部１４０を封止する。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
加えて、本実施形態の発光装置１０は、複数の封止膜１８２を備える。したがって、発光部１４０をより強固に封止することができ、発光部１４０の耐久性を向上させることができる。
また、封止膜１８２は光学機能層１７０の機能を兼ねる。したがって、発光装置１０の製造において、膜形成の工程数を低減することができる。
（第６の実施形態）
図１１は、第６の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。図１２は第６の実施形態に係る発光装置１０の平面図である。ただし本図では一部の部材を省略している。なお、図１１は図１２のＢ−Ｂ断面に対応している。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第１〜第５の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同じである。
本実施形態の発光装置１０は、第１発光部１４０ａと、第１発光部１４０ａとは第１波長が異なる第２発光部１４０ｂとを備える。図１１および図１２に示す例において、発光装置１０は発光部１４０として第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを備える。第１発光部１４０ａは第１有機層１２０ａを含み、第２発光部１４０ｂは第２有機層１２０ｂを含み、第３発光部１４０ｃは第３有機層１２０ｃを含む。そして、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃは互いに発光色が異なり、すなわち第１波長が異なる。
例えば、第１発光部１４０ａの発光スペクトルのピーク波長（第１発光部１４０ａの第１波長）は、第２発光部１４０ｂの発光スペクトルのピーク波長（第２発光部１４０ｂの第１波長）よりも長い。また、第２発光部１４０ｂの発光スペクトルのピーク波長は、第３発光部１４０ｃの発光スペクトルのピーク波長（第３発光部１４０ｃの第１波長）よりも長い。第１発光部１４０ａの発光色はたとえば赤色であり、第１発光部１４０ａの第１波長はたとえば６００ｎｍ以上６５０ｎｍ以下ある。第２発光部１４０ｂの発光色は、たとえば緑色であり、第２発光部１４０ｂの第１波長はたとえば５００ｎｍ以上５８０ｎｍ以下である。第３発光部１４０ｃの発光色は、たとえば青色であり、第３発光部１４０ｃの第１波長はたとえば４３０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下である。
そして図１１および図１２に示すように、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃが、順に繰り返し並んでいる。
このように、発光装置１０が互いに異なる発光色を生じる第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃを備えることにより、発光装置１０はたとえば白色やカラーの照明として用いることができる。また、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの発光をそれぞれ独立に調整することにより、発光装置１０全体の色を調整することができる。
本実施形態に係る第２基材２２０は光学機能層１７０として第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃを含む。第１光学機能層１７０ａは第１発光部１４０ａの第１波長の光を特に反射する層であり、第２光学機能層１７０ｂは第２発光部１４０ｂの第１波長の光を特に反射する層であり、第３光学機能層１７０ｃは第３発光部１４０ｃの第１波長の光を特に反射する層である。第１光学機能層１７０ａと第１発光部１４０ａの第１波長との関係、第２光学機能層１７０ｂと第２発光部１４０ｂの第１波長との関係、および第３光学機能層１７０ｃと第３発光部１４０ｃの第１波長との関係は、それぞれ、第１の実施形態で説明した第１例から第５例の光学機能層１７０と発光部１４０の第１波長との関係のうち少なくともいずれかに該当する。たとえば第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃがそれぞれ複数の誘電体膜の積層膜からなる場合、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃを構成する複数の誘電体膜の膜厚および材質の少なくとも一方は互いに異なっている。
第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃの積層体は第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの第１波長を特に反射する一方、積層体全体として光透過性を有する。よって、発光装置１０のおもて面側から裏面側、および裏面側からおもて面側の視認性を確保することができる。
図１１に示す例では、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃがこの順に積層されている。ただし、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃの積層順は特に限定されない。また、本図に示す例では、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃが互いに接して設けられているが、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃの間には他の層が設けられていても良い。
また、図１１に示す例では、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃは、第１基材２１０に垂直な方向から見て、第１領域１０２、第２領域１０４および第３領域１０６の全体と重なる様に設けられている。したがって、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃをパターニングする必要が無く、容易に形成できる。ただし、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃは、光透過領域と重なる領域の少なくとも一部に設けられていればよい。
なお、発光装置１０は、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃの三層に代えて、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃの全てに対して、第１例から第３例のうち少なくともいずれかの関係を満たす一つの光学機能層１７０を有していても良い。そうすることにより、発光装置１０の製造における層形成の工程数を減らすことができる。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
加えて本実施形態の発光装置１０は、第１発光部１４０ａと、第１発光部１４０ａとは第１波長が異なる第２発光部１４０ｂとを少なくとも備える。したがって発光装置１０全体の色を調整することができる。
（第７の実施形態）
図１３は、第７の実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本図は第１の実施形態における図１に相当する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下に説明する点を除いて第６の実施形態の発光装置１０と同じである。
本実施形態の発光装置１０の第２基材２２０は、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃを備える。第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃはそれぞれ線状かつ同一方向に延在しており、順に繰り返し並んでいる。
第１基材２１０に垂直な方向から見て、第１光学機能層１７０ａは第１発光部１４０ａに重なり、第２光学機能層１７０ｂは第２発光部１４０ｂに重なり、第３光学機能層１７０ｃは第３発光部１４０ｃに重なっている。また、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃはそれぞれ、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃに重なる領域からはみ出しており、第１発光部１４０ａ、第２発光部１４０ｂ、および第３発光部１４０ｃと隣り合う光透過領域の少なくとも一部に重なっている。本図では、第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃは端部で互いに接している例を示しているが、これに限定されない。第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃは互いに離れていても良いし、互いの端部が重なっていても良い。
本実施形態に係る第１光学機能層１７０ａ、第２光学機能層１７０ｂ、および第３光学機能層１７０ｃは、それぞれリソグラフィー法やマスク法によりパターニングして形成できる。
以上、本実施形態においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
加えて、本実施形態の発光装置１０は、第１発光部１４０ａと、第１発光部１４０ａとは第１波長が異なる第２発光部１４０ｂとを少なくとも備える。したがって発光装置１０全体の色を調整することができる。
また、本実施形態の発光装置１０では、特に反射する波長が互いに異なる複数の光学機能層１７０が第１基材２１０に平行な方向に並んで設けられている。したがって、光透過領域の高い光透過性を確保することができる。
（実施例１）
図１４は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図１５は図１４に示した発光装置１０の平面図である。ただし、図１５において一部の部材は省略されている。図１４は図１５のＣ−Ｃ断面に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第１の実施形態から第７の実施形態の少なくともいずれかに係る発光装置１０と同様の構成を有している。なお、図１４および図１５では、発光装置１０が第１の実施形態の構成を有する例を示している。図１は図１５のＡ−Ａ断面図に相当する。
また、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を備えている。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４は、いずれも基板１００のうち発光部１４０と同一面に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は封止部材１８０の外部に位置している。第１引出配線１１４は第１端子１１２と第１電極１１０とを接続しており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と第２電極１３０とを接続している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止部材１８０の内側から外側に延在している。
第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜を有していてもよい。この金属膜は、例えばＭｏ又はＭｏ合金などの第１金属層、Ａｌ又はＡｌ合金などの第２金属層、及びＭｏ又はＭｏ合金などの第３金属層をこの順に積層させた構成を有している。この金属膜は、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４のすべてに形成されている必要はない。
第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。またこれらが金属膜を有している場合、この金属膜は、例えばスパッタリング法などによる成膜およびエッチング等によるパターニングを行って形成される。この場合、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低くなる。
本図に示す例において、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は一つの発光部１４０について一つずつ形成されている。複数の第１引出配線１１４はいずれも同一の第１端子１１２に接続しており、複数の第２引出配線１３４はいずれも同一の第２端子１３２に接続している。そして、第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。ただし、発光装置１０が第６または第７の実施形態の構成を有する場合、発光装置１０は複数の第２端子１３２を備え、第２引出配線１３４がそれぞれ異なる第２端子１３２に接続されていても良い。
以上、本実施例においても、発光装置１０は複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域を備える。そして、第２基材２２０は上記した第１例から第５例のうち少なくともいずれかに該当するような光学機能層１７０を含む。したがって、基板１００のおもて面側で反射された光が発光装置１０の裏面側へ出射されることを抑制し、裏面漏れ光を低減することができる。
上記の実施形態及び実施例では、ボトムエミッション型の発光装置の例を示したが、それに限定されない。たとえば発光装置はトップエミッション型でもよい。
また、上記の各実施形態および実施例において、発光装置１０は封止部材１８０を含まなくても良い。その場合、発光装置１０は、透光性を有する第１基材２１０及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部１４０と、複数の発光部１４０の間に位置する光透過領域とを備える。そして、被覆層は光学機能層１７０を含む。被覆層に含まれうる層や膜としては、たとえば、樹脂をモールドまたは塗布して形成された保護層や、封止膜１８２、樹脂層１８６が挙げられる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
以下、参考形態の例を付記する。
１−１． 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置。
１−２． 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置。
１−３． 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置。
１−４． 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記第２基材は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率をとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置。
１−５． １−１．から１−４．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記発光部は、透光性の第１電極、遮光性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を含み、
前記第２電極は前記第１電極に対し前記第１基材とは逆側に位置する発光装置。
１−６． １−５．に記載の発光装置において、
前記光透過領域は、前記第１基材に垂直な方向から見て、前記第２電極と重ならない領域である発光装置。
１−７． １−１．から１−６．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は、複数の誘電体膜が積層された積層膜、または金属膜からなる発光装置。
１−８． １−７．に記載の発光装置において、
前記積層膜は、無機材料を含む発光装置。
１−９． １−１．から１−８．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は前記発光部に接している発光装置。
１−１０． １−１．から１−９．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記ピークにおいてピーク強度の５分の１の強度をとる二つの波長を、上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の光透過率が平均で５０％以上である発光装置。
１−１１． １−１．から１−１０．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は、前記第１基材に垂直な方向から見て、前記光透過領域と重なる領域に形成されている発光装置。
１−１２． １−１．から１−１１．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記第２基材は、前記発光部に接して前記発光部を覆う封止膜を含み、
前記封止膜は前記反射層である発光装置。
２−１． 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置。
２−２． 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置。
２−３． 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置。
２−４． 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
前記被覆層は反射層を含み、
前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率をとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置。
２−５． ２−１．から２−４．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記発光部は、透光性の第１電極、遮光性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を含み、
前記第２電極は前記第１電極に対し前記基材とは逆側に位置する発光装置。
２−６． ２−５．に記載の発光装置において、
前記光透過領域は、前記基材に垂直な方向から見て、前記第２電極と重ならない領域である発光装置。
２−７． ２−１．から２−６．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は、複数の誘電体膜が積層された積層膜、または金属膜からなる発光装置。
２−８． ２−７．に記載の発光装置において、
前記積層膜は、無機材料を含む発光装置。
２−９． ２−１．から２−８．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は前記発光部に接している発光装置。
２−１０． ２−１．から２−９．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記ピークにおいてピーク強度の５分の１の強度をとる二つの波長を、上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の光透過率が平均で５０％以上である発光装置。
２−１１． ２−１．から２−１０．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記反射層は、前記基材に垂直な方向から見て、前記光透過領域と重なる領域に形成されている発光装置。
２−１２． ２−１．から２−１１．のいずれか一つに記載の発光装置において、
前記被覆層は、前記発光部に接して前記発光部を覆う封止膜を含み、
前記封止膜は前記反射層である発光装置。

Claims (16)

  1. 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記第２基材は反射層を含み、
    前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置。
  2. 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記第２基材は反射層を含み、
    前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置。
  3. 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記第２基材は反射層を含み、
    前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置。
  4. 透光性を有する第１基材及び透光性を有する第２基材の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記第２基材は反射層を含み、
    前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率をとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置。
  5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記発光部は、透光性の第１電極、遮光性の第２電極および、前記第１電極と前記第２電極との間に位置する有機層を含み、
    前記第２電極は前記第１電極に対し前記第１基材とは逆側に位置する発光装置。
  6. 請求項５に記載の発光装置において、
    前記光透過領域は、前記第１基材に垂直な方向から見て、前記第２電極と重ならない領域である発光装置。
  7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記反射層は、複数の誘電体膜が積層された積層膜、または金属膜からなる発光装置。
  8. 請求項７に記載の発光装置において、
    前記積層膜は、無機材料を含む発光装置。
  9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記反射層は前記発光部に接している発光装置。
  10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記ピークにおいてピーク強度の５分の１の強度をとる二つの波長を、上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の光透過率が平均で５０％以上である発光装置。
  11. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記反射層は、前記第１基材に垂直な方向から見て、前記光透過領域と重なる領域に形成されている発光装置。
  12. 請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光装置において、
    前記第２基材は、前記発光部に接して前記発光部を覆う封止膜を含み、
    前記封止膜は前記反射層である発光装置。
  13. 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記被覆層は反射層を含み、
    前記反射層は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲内の光の平均反射率より前記第１波長の光の反射率が高い発光装置。
  14. 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記被覆層は反射層を含み、
    前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内の光に対する、前記反射層の反射率が３０％以上である発光装置。
  15. 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記被覆層は反射層を含み、
    前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をとる波長は、前記ピークにおけるピーク強度の２分の１の強度をとる二つの波長を上下限とする波長範囲内に位置する発光装置。
  16. 透光性を有する基材及び透光性を有する被覆層の間に位置し、第１波長にピークを有する光を発する複数の発光部と、
    前記複数の発光部の間に位置する光透過領域と、を備え、
    前記被覆層は反射層を含み、
    前記反射層の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲の光の反射スペクトルのうち最大の反射率をＲｍａｘとしたとき、Ｒｍａｘ×０．５以上の反射率をとる波長範囲内に、前記第１波長が含まれる発光装置。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110071155A (zh) * 2019-04-26 2019-07-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其封装方法、显示装置
CN110783484B (zh) * 2019-09-24 2020-11-10 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20210084766A (ko) 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JPWO2022154009A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281188A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Optrex Corp 薄膜発光表示素子、その製造方法および表示装置
JP2013117719A (ja) * 2011-11-04 2013-06-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、及びその駆動方法
JP2014154213A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
WO2015125308A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社 東芝 有機電界発光素子、照明装置、および照明システム
JP2015191708A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 株式会社 オルタステクノロジー 表示装置
WO2016042845A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 株式会社 東芝 照明装置及び照明システム
WO2016042638A1 (ja) * 2014-09-18 2016-03-24 パイオニア株式会社 発光装置
US20160099296A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004281188A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Optrex Corp 薄膜発光表示素子、その製造方法および表示装置
JP2013117719A (ja) * 2011-11-04 2013-06-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置、及びその駆動方法
JP2014154213A (ja) * 2013-02-04 2014-08-25 Toshiba Corp 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム
WO2015125308A1 (ja) * 2014-02-24 2015-08-27 株式会社 東芝 有機電界発光素子、照明装置、および照明システム
JP2015191708A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 株式会社 オルタステクノロジー 表示装置
WO2016042638A1 (ja) * 2014-09-18 2016-03-24 パイオニア株式会社 発光装置
WO2016042845A1 (ja) * 2014-09-19 2016-03-24 株式会社 東芝 照明装置及び照明システム
US20160099296A1 (en) * 2014-10-01 2016-04-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display apparatus

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