TWI649737B - 發光裝置 - Google Patents

Abstract

一種發光裝置，包括一發光元件、一導光結構與一出光結構。發光元件包括一發光層。導光結構用以導引出發光層所發出的光線，其中導光結構設置於發光元件的側邊，且導光結構的折射率大於或等於發光元件的平均折射率。出光結構用以接收導光結構所導出的光線，使光線射出發光裝置。

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置。

透明顯示器是指顯示器本身具有一定程度的光穿透性，能夠讓使用者觀看顯示器時也能清楚地看見顯示器後側的背景。因此，透明顯示器可應用在生活中以提升資訊傳播的方便性，如智慧櫥窗、廣告看板、車載顯示器等。

為了追求高透明度，透明顯示器中的透明發光裝置導入透明氧化電極來增加光穿透度。然而，由於透明氧化電極的折射率較高，在透明發光裝置內部更容易形成波導(waveguide)，將造成大量的能量侷限於波導模態而無法有效地被應用，導致透明發光裝置亮度大幅度下降。

本發明實施例提供一種發光裝置，可以有效地提高出光效率。

本發明的一實施例提出一種發光裝置，包括一發光元 件、一導光結構與一出光結構。發光元件包括一發光層。導光結構用以導引出發光層所發出的光線，其中導光結構設置於發光元件的側邊，且導光結構的折射率大於或等於發光元件的平均折射率。出光結構用以接收導光結構所導出的光線，使光線射出發光裝置。

基於上述，本發明的實施例的發光裝置包括一發光元件、導光結構與一出光結構。由於導光結構的折射率大於或等於發光元件的平均折射率，導光結構能更有效率地將光從發光元件的內部導出，並分散至出光結構中。再藉由出光結構將局限於波導模態的光導出發光裝置。如此一來，本發明的實施例的發光裝置能夠有效提高出光效率。

為讓本發明能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

100、200、300a、300b、400、500、600、700、800、900、1000、1100、1200、1300、1400‧‧‧發光裝置

110‧‧‧基板

120、120a、120a1、120a2、120a3、120b、120c、120d、120e、120f‧‧‧發光元件

122‧‧‧發光堆疊結構

122a‧‧‧發光層

122b‧‧‧電子注入層

122c‧‧‧電子傳輸層

122d‧‧‧電洞傳輸層

122e‧‧‧電洞注入層

124、124a、124b、124c‧‧‧第一電極

126、126a、126b、126c‧‧‧第二電極

128‧‧‧低折射率層

130‧‧‧導光結構

132‧‧‧第一表面

134‧‧‧第二表面

140、240、340、340’、440‧‧‧出光結構

140a‧‧‧散射顆粒

170‧‧‧畫素定義層

180‧‧‧平坦層

210‧‧‧折射率差異透明層

220‧‧‧光學膜層

230‧‧‧薄膜封裝層

240a‧‧‧折射結構

250‧‧‧色飽和增益結構

252‧‧‧間隔層

254‧‧‧第一反射結構

256‧‧‧第二反射結構

260‧‧‧蓋板

340a‧‧‧反射結構

340b‧‧‧界面

440a‧‧‧凹槽

442a‧‧‧底部

R‧‧‧透明開口區

L‧‧‧光線

D‧‧‧間距

S‧‧‧部分表面

B‧‧‧第一子畫素

R‧‧‧第二子畫素

G‧‧‧第三子畫素

D1‧‧‧第一方向

D2‧‧‧第二方向

圖1為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖2為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖3A為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖3B為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖4A為圖3A所繪示的實施例的一種樣態的上視示意圖。

圖4B為圖3A所繪示的實施例的另一種樣態的上視示意圖。

圖5為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖6A為圖5所繪示的實施例的一種樣態的上視示意圖。

圖6B為圖5所繪示的實施例的另一種樣態的上視示意圖。

圖7為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖8A至圖8E為本發明的一些實施例之發光裝置所形成的畫素陣列的上視示意圖。

圖9為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖10為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖11為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖12為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖13為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖14為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖15為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖16為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖17為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。

圖1為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖1，本實施例的發光裝置100包括一發光元件120、一導光結構130與一出光結構140。發光元件120包括一發光層122a。導光結構130用以導引出發光層122a所發出的光線L，其中導光結構130設置於發光元件120的側邊，且導光結構130的折射率 大於或等於發光元件120的平均折射率。出光結構140用以接收導光結構130所導出的光線L，使光線L射出發光裝置100。在本實施例中，導光結構130的折射率大於等於1.6，並且小於等於2.5，然本發明並不以此為限。舉例而言，導光結構130可為無機材料，包括氧化矽(SiO_x)、氮化矽(SiN_x)、氧化鋯(ZrO_x)、氧化鋁(Al_xO_y)或氧化鉿(HfO_x)，其中x與y可為大於0的任意實數。導光結構130也可為有機材料，包括透明光阻材料、樹脂、壓克力等有機高分子材料或可固化膠材等。在本實施例中，出光結構140設置於導光結構130內，且出光結構140包括多個尺寸接近光線L的波長的散射顆粒140a，以使光線L在入射至散射顆粒140a後行經的路徑改變。舉例而言，散射顆粒140a可為量子點(quantum dot)、磷光體(phosphor)或半徑約10奈米的銀顆粒。此外，散射顆粒140a可具有任意的形狀。

在本實施例中，發光裝置100更包括一基板110，且發光元件120包括一發光堆疊結構122、一第一電極124與一第二電極126。第一電極124設置於發光堆疊結構122上，第二電極126設置於發光堆疊結構122與基板110之間。發光堆疊結構122包括電子注入層(electron injection layer)122b、電子傳輸層(electron transport layer)122c、發光層122a、電洞傳輸層(hole transport layer)122d以及電洞注入層(hole injection layer)122e，由上至下依序堆疊在第二電極126上。其中第一電極124經由電子注入層122b與電子傳輸層122c電性連接於發光層122a，第二電極126 經由電洞傳輸層122d與電洞注入層122e電性連接於發光層122a。在其他實施例中(未繪示)，也可以是電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層以及電子注入層由上至下依序堆疊在第二電極上，其中第一電極經由電洞傳輸層與電洞注入層電性連接於發光層，第二電極經由電子注入層與電子傳輸層電性連接於發光層。在本實施例中，發光元件120為一有機發光二極體(Organic Light-Emitting Diode，OLED)。在其他實施例中，發光元件120也可以為發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)、微型發光二極體(Micro Light-Emitting Diode，Micro LED)或雷射二極體(Laser diode)。

特別說明的是，當第一電極124與第二電極126為透光材質時，發光元件120的平均折射率為第一電極124、第二電極126、電子注入層122b、電子傳輸層122c、發光層122a、電洞傳輸層122d以及電洞注入層122e的平均折射率。當第一電極124與第二電極126為金屬或不透光材質時，發光元件120的平均折射率定義為電子注入層122b、電子傳輸層122c、發光層122a、電洞傳輸層122d以及電洞注入層122e的平均折射率。當第一電極124與第二電極126之一為金屬或不透光材質，且第一電極124與第二電極126之另一為透光材質時，發光元件120的平均折射率定義為第一電極124與第二電極126之該透光材質電極、電子注入層122b、電子傳輸層122c、發光層122a、電洞傳輸層122d以及電洞注入層122e的平均折射率。也就是說，當第一電極124 與第二電極126的至少其中之一為金屬或不透光材質時，發光元件120的平均折射率之計算不包含材質是金屬或不透光材質的電極的折射率。

圖2為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖2，本實施例的發光裝置200與發光裝置100大致上相同，其主要差異在於發光裝置200的出光結構240包括多個折射結構240a，以使光線L在入射至折射結構240a後偏折而導出發光裝置200。在本實施例中，折射結構240a內為空氣或折射率低於導光結構130的材料，且折射結構240a可為三角形、梯形或其他任意形狀。舉例而言，折射結構240a的折射率大於等於1，並且小於等於1.5，然本發明並不以此為限。

圖3A為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。為了清楚表示，圖3A及後續相關圖示僅繪示一層發光堆疊結構122來表示電子注入層122b、電子傳輸層122c、發光層122a、電洞傳輸層122d以及電洞注入層122e，而不一一繪示。此外，相同元件採用相同標號，可參考前述實施例，於此不再贅述。請參照圖3A，本實施例的發光裝置300a的出光結構340包括一反射結構340a，用以將光線L反射出發光裝置300a，且導光結構130設置於發光元件120與出光結構340之間。在本實施例中，可將反射結構340a相對於基板110傾斜地設置，以利於光線L往上方射出發光裝置300a。反射結構340a例如是一不透光的金屬層。此處，導光結構130亦具有絕緣的效果，以防止第二電極126與反射結構340a接 觸。

在本實施例中，發光裝置300a可更包括一畫素定義層(pixel define layer)170與一平坦層180。畫素定義層170設置於導光結構130與平坦層180之間，平坦層180設置於導光結構130與基板110之間。畫素定義層170的材料可為任何絕緣材料，例如為光阻。

圖3B為本發明的另一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖3B，本實施例的發光裝置300b與發光裝置300a大致上相同，其主要差異在於發光裝置300b不設置如發光裝置300a的反射結構340a，而是直接以導光結構130與畫素定義層170之間的界面340b來作為出光結構340’。詳細而言，由於導光結構130的折射率大於畫素定義層170的折射率，因此可藉由導光結構130與畫素定義層170之間的折射率差異，使光線L由導光結構130入射至導光結構130與畫素定義層170之間的界面340b時發生反射或全反射，進而改變光線L的路徑而將光線L反射出發光裝置300b。在本實施例中，導光結構130與畫素定義層170的折射率差例如是大於等於0.3，然本發明並不以此為限。在本實施例中，發光裝置300b例如是設置兩層不同的材料來分別作為導光結構130與畫素定義層170，或者是直接設置同一種材料，並在此材料的表面進行後處理(例如電漿表面處理)以改變材料表面的折射率，其中有經過後處理的部分可作為導光結構130，而沒有經過後處理的部分則可作為畫素定義層170。此外，也可以藉由其他適 當的方法來形成折射率不同的導光結構130與畫素定義層170。

圖4A為圖3A所繪示的實施例的一種樣態的上視示意圖。圖4B為圖3A所繪示的實施例的另一種樣態的上視示意圖。為清楚表示，圖4A與圖4B省略了位於最上層的第一電極124。請參照圖4A與圖4B，導光結構130與出光結構340環繞發光堆疊結構122，且導光結構130與出光結構340的上視圖形狀為一矩形框形狀。此外，發光裝置可更包括一透明開口區R(繪示於圖4B)，設置於發光堆疊結構122、導光結構130與出光結構340的一側。

在不設置任何上述出光結構的發光裝置中，其總出光率為15.2%，若將此總出光率的出光率增益定義為1，則上述具有散射顆粒140a做為出光結構140的發光裝置100，其總出光率為23.3%，出光率增益為1.53。上述具有折射結構240a做為出光結構240的發光裝置200，其總出光率為25.0%，出光率增益為1.64。上述具有反射結構340a做為出光結構340的發光裝置300a，其總出光率為34.2%，出光率增益為2.25。由此可知，上述三種出光結構皆能有效提高出光效率。

圖5為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖5，相同元件採用相同標號，可參考前述實施例，於此不再贅述。本實施例的發光裝置400的出光結構440包括一凹槽440a(圖5中是以多個凹槽440a為例)，設置於導光結構130的一第一表面132。凹槽440a的一底部442a與導光結構130中相對於 第一表面132的一第二表面134之間的間距D小於，其中λ為光線的波長，n為導光結構130的折射率。詳細而言，當光波以波導模態在介質中傳播時，若介質的厚度小於，則光波將無法維持其第一模態的駐波，使第一模態的能量被破壞而以光的形式導出。也就是說，由於凹槽440a的底部442a與導光結構130的第二表面134之間的間距D小於，當光波通過凹槽440a的底部442a時，部分的光波可以被導出發光裝置400。

在其他實施例中(未繪示)，出光結構440也可以包括一透鏡陣列、一光子晶體或是一粗糙表面，設置在導光結構130的表面(例如設置在第一表面132與第二表面134的至少其中之一)。

圖6A為圖5所繪示的實施例的一種樣態的上視示意圖。圖6B為圖5所繪示的實施例的另一種樣態的上視示意圖。為清楚表示，圖6A與圖6B省略了位於最上層的第一電極124。請參照圖6A與圖6B，凹槽440a設置在發光堆疊結構122的周圍，且凹槽440a可以為任意的形狀。舉例而言，如圖6A所示，凹槽440a的上視圖形狀可為矩形框形狀。如圖6B所示，凹槽440a的上視圖形狀也可為圓形，然本發明並不以此為限。

圖7為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖7，本實施例的發光裝置500與發光裝置300a大致上相同，其主要差異在於發光裝置500的第一電極124與第二電極126設置於發光堆疊結構122與基板110之間，且第一電極124與第二電極126彼此分離而露出發光堆疊結構122的一部分表面S。換言 之，發光裝置500的第一電極124與第二電極126可未整面覆蓋發光堆疊結構122。

基於上述，本實施例的發光裝置100、發光裝置200、發光裝置300a以及發光裝置400分別採用了上述出光結構140、出光結構240、出光結構340以及出光結構440此四種設計來使光線射出發光裝置，第一種是在導光結構130內設置散射顆粒140a的設計，第二種是在導光結構130內設置折射結構240a的設計，第三種是在導光結構130下方設置反射結構340a的設計，第四種是在導光結構130的第一表面132設置凹槽440a的設計。藉由上述這四種設計皆能有效增加發光裝置的出光效率。然而，在其他實施例中，發光裝置也可採用上述四種設計的其中任兩種、其中任三種或四種，其亦可增加發光裝置的出光效率。

圖8A至圖8E為本發明的一些實施例之發光裝置所形成的畫素陣列的上視示意圖。在這些實施例中，發光裝置可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。請先參照圖8A至圖8C，第一子畫素B包括發光元件120a1與導光結構130，第二子畫素R包括發光元件120a2與導光結構130，第三子畫素G包括發光元件120a3與導光結構130。第一子畫素B、第二子畫素R以及第三子畫素G皆沿著一第一方向D1延伸，且第一子畫素B、第二子畫素R以及第三子畫素G沿著一第二方向D2依序排列。其中，第一子畫素B的發光元件120a1、第二子畫素R的發光元件120a2以及第三子畫素G的發光元件120a3與各自的導光 結構130可有各種形式的配置關係。舉例而言，如圖8A所示，第一子畫素B的導光結構130位於第一方向D1上發光元件120a1的兩側，第二子畫素R的導光結構130位於第一方向D1上發光元件120a2的兩側，第三子畫素G的導光結構130位於第一方向D1上發光元件120a3的兩側。如圖8B所示，第一子畫素B的導光結構130位於第二方向D2上發光元件120a1的兩側，第二子畫素R的導光結構130位於第二方向D2上發光元件120a2的兩側，第三子畫素G的導光結構130位於第二方向D2上發光元件120a3的兩側。如圖8C所示，第一子畫素B的發光元件120a1、第二子畫素R的發光元件120a2以及第三子畫素G的發光元件120a3可分別位於第一子畫素B、第二子畫素R以及第三子畫素G的一角落處，而第一子畫素B、第二子畫素R以及第三子畫素G各自的導光結構130可以分別位於發光元件120a1、發光元件120a2以及發光元件120a3的一旁，然本發明並不以此為限。此處，第一子畫素B的發光元件120a1、第二子畫素R的發光元件120a2以及第三子畫素G的發光元件120a3所發出的光可分別是藍光、紅光和綠光。

請接著參照圖8D與圖8E，發光元件120a1、發光元件120a2以及發光元件120a3也可以共用導光結構130。如圖8D所示，導光結構130環繞發光元件120a1、發光元件120a2以及發光元件120a3的周圍，發光元件120a2在第一方向D1上與發光元件120a3相鄰，發光元件120a1在第二方向D2上與發光元件120a2和發光元件120a3相鄰，其中相鄰的發光元件120a1、發光元件 120a2以及發光元件120a3彼此共用導光結構130。如圖8E所示，導光結構130可具有類似六邊形的外輪廓，且發光元件120a1、發光元件120a2以及發光元件120a3分別設置於導光結構130六個邊中的其中一處，且這些發光元件120a1、發光元件120a2以及發光元件120a3共用同一導光結構130。此外，相鄰的導光結構130之間可共用同一個發光元件120a1、發光元件120a2或發光元件120a3。在本實施例中，由於不同發光元件之間共用導光結構130，可使顯示畫面所顯示的色彩較為柔和。

圖9為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖9，本實施例的發光裝置600可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置600的發光元件120a的第一電極124a與第二電極126a皆為透明電極，使發光裝置600的兩面皆可發出光線L。透明電極的材料例如為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(indium zinc oxide，IZO)或其他適當的透明導電材料。

圖10為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖10，本實施例的發光裝置700可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置700的發光元件120b的第一電極124b與第二電極126b皆為不透光的反射電極，使發光裝置700在發光元件120b中的兩面皆不發光。反射電極的材料例如為銀、鋁或其他適當的金屬材料。

圖11為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請 參照圖11，本實施例的發光裝置800可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置800的發光元件120c的第一電極124a為透明電極，第二電極126b為不透光的反射電極或不透光的反射鏡，使發光裝置800中遠離基板110的一面發光而朝向基板110的一面不發光。

圖12為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖12，本實施例的發光裝置900可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置900與發光裝置800大致上相同，其主要差異在於發光裝置900的發光元件120d的第一電極124c為半透明電極，使發光裝置900中遠離基板110的一面可略為發光。半透明電極例如是呈現半透光狀態的薄金屬電極，其材料例如為銀、鋁或其他適當的金屬材料。

圖13為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖13，本實施例的發光裝置1000可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置1000與發光裝置900大致上相同，其主要差異在於發光裝置1000的發光元件120e更包括折射率低於發光堆疊結構122且可導電的一低折射率層128，設置於第二電極126b與發光堆疊結構122之間。由於低折射率層128的折射率低於發光堆疊結構122的折射率，因此低折射率層128可減少光波傳遞至第二電極126b而被第二電極126b吸收。

圖14為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖14，本實施例的發光裝置1100可包括前述四種出光結構中 任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置1100的發光元件120f的第一電極124a為透明電極，第二電極126c為一分散式布拉格反射鏡(distributed Bragg reflector)或一波長選擇反射鏡。分散式布拉格反射鏡可有效降低表面電漿極化子(Surface Plasmon Polariton)模態之吸收，使光波更易導出。

圖15為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖15，本實施例的發光裝置1200可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置1200與發光裝置600大致上相同，其主要差異在於發光裝置1200更包括一折射率相異於發光元件120a以及導光結構130的折射率差異透明層210，設置於導光結構130與該基板110之間。折射率差異透明層210用以調控發光裝置1200兩面的能量分佈大小。具體來說，當折射率差異透明層210的折射率相較於發光元件120a與導光結構130低時，光線L較容易往遠離基板110的一面發出。當折射率差異透明層210的折射率相較於發光元件120a與導光結構130高時，光線L較容易往朝向基板110的一面發出。因此，可藉由控制折射率差異透明層210的折射率來調控發光裝置1200兩面的能量分佈大小。

圖16為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖16，本實施例的發光裝置1300可包括前述四種出光結構中任一種或多種，於此不再贅述。發光裝置1300與發光裝置600大致上相同，其主要差異在於發光裝置1200更包括一光學膜層 220。光學膜層220設置於導光結構130與基板110之間，其中光學膜層220包括一吸收層、一反射層或一分散式布拉格反射鏡，使光線L僅由發光元件1300中遠離基板110的一面出光。

圖17為本發明的一實施例之發光裝置的剖面示意圖。請參照圖17，相同元件採用相同標號，可參考前述實施例，於此不再贅述。本實施例的發光裝置1400更包括一薄膜封裝層230、一色飽和增益結構250、一蓋板260，由下至上依序設置於導光結構130與發光元件120上。色飽和增益結構250包括間隔層252、第一反射結構254以及第二反射結構256。色飽和增益結構250例如是法布立-培若(Fabry-Pérot)結構，可用以純化發光裝置1400所發出的光色，增益色飽和度。此外，色飽和增益結構250的第一反射結構254以及第二反射結構256同時可分別做為觸控感測器的驅動線路(Tx)層與感測線路(Rx)層。在本實施例中，間隔層252具有雙重作用。首先，間隔層252可做為觸控感測器的驅動線路(Tx)層與感測線路(Rx)層之間的絕緣層或電容層。再者，間隔層252可做為色彩增益用之光學共振腔，用來降低發光光譜的半高寬。此處，間隔層252的材料例如是氧化矽(SiO_x)、氮化矽(SiN_x)或其他適當的透明絕緣材料。間隔層252的厚度例如是發光光譜的1/4波長的整數倍。若發光光譜具有多種波長的光(例如為三原色(RGB))，則間隔層252的厚度例如是所有欲增益的光的1/4波長的整數倍之公倍數。舉例而言，若欲增益的光的波長分別為a與b，則間隔層252的厚度可為a/4的整數倍與 b/4的整數倍之公倍數。

在其他實施例中，間隔層252也可以為導電層，用來作為單側電極或是觸控感測器的橋接層。間隔層252的材料例如是氧化銦錫、氧化銦鋅或其他適當的透明導電材料。

綜上所述，本發明的實施例的發光裝置包括一發光元件、導光結構與一出光結構。由於導光結構的折射率大於或等於發光元件的平均折射率，導光結構能更有效率地將光從發光元件的內部導出，並分散至出光結構中。再藉由出光結構將局限於波導模態的光導出發光裝置。如此一來，本發明的實施例的發光裝置能夠有效提高出光效率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

Claims (20)

1. 一種發光裝置，包括：一發光元件，包括一發光層；一導光結構，用以導引出該發光層所發出的光線，其中該導光結構設置於該發光元件的側邊且連接於該發光層的側邊，該導光結構的折射率大於或等於該發光元件的平均折射率，且該導光結構的折射率大於等於1.6，並且小於等於2.5；一出光結構，用以接收該導光結構所導出的該光線，使該光線射出該發光裝置；一基板；以及折射率相異於該發光元件以及該導光結構的一折射率差異透明層，其中該折射率差異透明層設置於該導光結構與該基板之間，且該折射率差異透明層設置於該出光結構與該基板之間。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該出光結構包括一反射結構，且該導光結構設置於該發光元件與該出光結構之間。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該出光結構設置於該導光結構內。
4. 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中該出光結構包括多個散射顆粒。
5. 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中該出光結構包括多個折射結構。
6. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該些折射結構內為空氣或折射率低於該導光結構的材料。
7. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該出光結構包括一凹槽，設置於該導光結構的一第一表面。
8. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中該凹槽的一底部與該導光結構中相對於該第一表面的一第二表面之間的間距小於，其中λ為該光線的波長，n為該導光結構的折射率。
9. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括一基板，其中該發光元件包括一發光堆疊結構、一第一電極與一第二電極，該發光堆疊結構包括該發光層，該第一電極與該第二電極分別電性連接於該發光層，且設置於該發光堆疊結構與該基板之間，且該第一電極與該第二電極彼此分離而露出該發光堆疊結構的一部分表面。
10. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括一基板，其中該發光元件包括一發光堆疊結構、一第一電極與一第二電極，該發光堆疊結構包括該發光層，該第一電極與該第二電極分別電性連接於該發光層，且該第一電極設置於該發光堆疊結構上，該第二電極設置於該發光堆疊結構與該基板之間。
11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該第一電極為一透明電極、一半透明電極或一不透光的反射電極。
12. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該第二電極為一透明電極或一不透光的反射電極。
13. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該第二電極為一不透光的反射鏡。
14. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該第二電極為一分散式布拉格反射鏡或一波長選擇反射鏡。
15. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，其中該發光元件更包括折射率低於該發光堆疊結構的一低折射率層，設置於該第二電極與該發光堆疊結構之間。
16. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括一基板以及一光學膜層，該光學膜層設置於該導光結構與該基板之間，其中該光學膜層包括一吸收層、一反射層或一分散式布拉格反射鏡。
17. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括一薄膜封裝層或一色飽和增益結構，設置於該導光結構與該發光元件上。
18. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括一基板與一平坦層，該平坦層設置於該導光結構與該基板之間。
19. 一種發光裝置，包括：一發光元件，包括一發光層；一導光結構，用以導引出該發光層所發出的光線，其中該導光結構設置於該發光元件的側邊，且該導光結構的折射率大於或等於該發光元件的平均折射率；一出光結構，用以接收該導光結構所導出的該光線，使該光線射出該發光裝置；以及一薄膜封裝層或一色飽和增益結構，設置於該導光結構與該發光元件上。
20. 一種發光裝置，包括：一基板；一發光元件，包括：一發光堆疊結構，包括一發光層；一第一電極，設置於該發光堆疊結構上；一第二電極，設置於該發光堆疊結構與該基板之間，其中該第一電極與該第二電極分別電性連接於該發光層；以及一低折射率層，設置於該第二電極與該發光堆疊結構之間，且該低折射率層的折射率低於該發光堆疊結構的折射率；一導光結構，用以導引出該發光層所發出的光線，其中該導光結構設置於該發光元件的側邊，且該導光結構的折射率大於或等於該發光元件的平均折射率；以及一出光結構，用以接收該導光結構所導出的該光線，使該光線射出該發光裝置。