CN111261721A - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种阵列基板、显示面板及显示装置，阵列基板包括：衬底；以及位于衬底一侧的吸光层，吸光层用于连接发光器件；其中，吸光层对发光器件照射在吸光层上的光的吸收能力大于吸光层对发光器件照射在吸光层上的光的反射能力，以改善显示面板及显示装置显示时像素边缘漏光的问题。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在现有的柔性显示面板中，每个像素中的单个子像素(发光器件)被单独点亮时，发光器件发出的光经过连接于发光器件的金属走线的反射，会照亮相邻像素的开口边缘，造成发光像素周围出现漏光问题，影响显示质量。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，可以改善显示面板及显示装置显示时像素边缘漏光的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板，包括：
衬底；以及，
位于所述衬底一侧的吸光层，所述吸光层用于连接发光器件；
其中，所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的吸收能力大于所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的反射能力。
在一些实施例中，所述吸光层为导电材料制成，用于电性连接于所述发光器件。
在一些实施例中，所述吸光层的制备材料为铜锌锡硫硒化合物、铜铟镓硫硒化合物的其中一种。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
位于所述衬底一侧的有源层；
至少位于所述有源层一侧的第一金属层，所述第一金属层包括对应所述有源层设置的栅极；以及，
位于所述有源层及所述第一金属层之间的栅极绝缘层；
其中，所述吸光层位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述吸光层电性连接于所述有源层。
在一些实施例中，所述吸光层包括电性连接于所述有源层的源极和漏极，所述源极和漏极中的一个用于电性连接于所述发光器件。
在一些实施例中，所述吸光层的厚度为大于或等于400埃米且小于或等于8000埃米。
本申请还提供一种显示面板，包括所述阵列基板，以及发光器件。
在一些实施例中，所述发光器件包括位于所述吸光层远离所述衬底的一侧的阳极和位于所述阳极的远离所述衬底的一侧的阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光层；
其中，所述阳极连接于所述吸光层。
在一些实施例中，所述显示面板为底发光型OLED显示面板。
本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板。
本申请实施例提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括：衬底；以及位于所述衬底一侧的吸光层，所述吸光层用于连接发光器件；其中，所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的吸收能力大于所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的反射能力，以改善显示面板及显示装置显示时像素边缘漏光的问题。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1A为本申请第一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图1B为本申请第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图3A为本申请实施例提供的显示面板的制备流程图；
图3B～图3H为图3A所示的制备显示面板的过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
具体的，请参阅图1A，其为本申请第一实施例的阵列基板的结构示意图；如图2所示，其为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
所述阵列基板100，包括：
衬底101；以及，
位于所述衬底101一侧的吸光层102，所述吸光层102用于连接发光器件201；
其中，所述吸光层102对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光L的吸收能力大于所述吸光层102对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光L的反射能力，以改善现有技术中所述发光器件201的光L照射金属走线时部分光线被折射至像素开口区，使得显示面板及显示装置显示时像素边缘易出现漏光，影响显示质量的问题。
所述吸光层102为导电材料制成，用于电性连接于所述发光器件201。
所述吸光层102的制备材料为铜锌锡硫硒化合物(CZTSSe)、铜铟镓硫硒化合物(CIGSSe)的其中一种；具体地，所述吸光层102的制备材料为锌黄锡矿结构的CZTSSe、黄锡矿结构的CZTSSe、黄铜矿型的CIGSSe的其中一种；以提高所述吸光层102对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光L的吸收效率。锌黄锡矿结构的CZTSSe、黄锡矿结构的CZTSSe的纳米晶体可采用油胺或油酸作为溶剂的热注射法制得，然后配合旋涂、喷涂、热处理等工艺制得所述吸光层102。
具体地，所述吸光层102可采用真空制备方法及非真空方法制备得到，真空制备方法主要包括磁控溅射法、电子束蒸镀法、热蒸镀法、脉冲激光沉淀法等；非真空制备方法主要包括喷雾热分解法、电化学沉积法、溶胶凝胶法、溶液法等。
请继续参阅图1A，所述阵列基板100还包括：
位于所述衬底101一侧的有源层103；
至少位于所述有源层103一侧的第一金属层104，所述第一金属层104包括对应所述有源层103设置的栅极1041；以及
位于所述有源层103及所述第一金属层104之间的栅极绝缘层105；
其中，所述吸光层102位于所述有源层103远离所述衬底101的一侧，所述吸光层102电性连接于所述有源层103。
所述吸光层102包括电性连接于所述有源层103的源极1021和漏极1022，所述源极1021和漏极1022中的一个用于电性连接于所述发光器件201。
所述吸光层102的厚度为大于或等于400埃米且小于或等于8000埃米。
所述阵列基板100还包括覆盖所述衬底101、所述有源层103及所述第一金属层104的层间介电层106，所述层间介电层106在对应所述栅极1041的两侧制备有通孔，以使所述吸光层102可与所述有源层103电连接。
请参阅图1B，其为本申请第二实施例的阵列基板的结构示意图，所述吸光层102包括第一吸光层102a及第二吸光层102b；所述第二吸光层102b电性连接于所述有源层103，所述第一吸光层102a位于所述第二吸光层102b远离所述有源层103的一侧；所述第一吸光层102a对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光的吸收能力大于所述第二吸光层102b对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光的吸收能力；具体地，所述第一吸光层102a的制备材料的吸光能力大于所述第二吸光层102b的制备材料的吸光能力；更进一步地，所述第一吸光层102a的制备材料为铜锌锡硫硒化合物(CZTSSe)、铜铟镓硫硒化合物(CIGSSe)的其中一种，所述第二吸光层102b的制备材料为铜、银、金或钼/铝/钼的其中一种。
请继续参阅图2，所述显示面板200包括所述阵列基板，以及发光器件201。
所述发光器件201包括位于所述吸光层102远离所述衬底101的一侧的阳极2011和位于所述阳极2011的远离所述衬底101的一侧的阴极2012，以及位于所述阳极2011和阴极2012之间的发光层2013；
其中，所述阳极2011连接于所述吸光层102。
具体地，所述显示面板200还包括位于所述吸光层102远离所述衬底101一侧的保护层107、平坦层108以及像素定义层109，所述像素定义层109包括多个间隔分布的像素定义区域，所述发光器件201的所述阳极2011及所述发光层2013位于所述像素定义层109的所述像素定义区域内，所述发光器件201的所述阴极2012位于所述像素定义层109远离所述衬底101的一侧。
在一些实施例中，所述显示面板200为底发光型OLED显示面板。
请参阅图3A，其为本申请实施例提供的显示面板的制备流程图；如图3B～图3H所示，其为图3A所示的制备显示面板的过程示意图；
所述制备方法包括以下步骤：
S10：提供一衬底101，如图3B所示；
S20：于所述衬底101表面制备有源层，并对所述有源层进行图形化，得到图形化的有源层103，如图3D所示；
S30：形成覆盖所述衬底101及所述有源层103的栅极绝缘层105及第一金属层104，并对所述第一金属层104进行图形化，得到对应所述有源层103设置的栅极1041，如图3E所示；
S40：形成覆盖所述衬底101、所述有源层103及所述第一金属层104的层间介电层106，且所述层间介电层106在对应所述栅极1041的两侧制备有通孔，如图3F所示；
S50：于所述层间介电层106表面制备吸光层，并对所述吸光层进行图形化，得到图形化的吸光层102，所述吸光层102通过所述通孔与所述有源层103实现电性连接；所述吸光层102包括源极1021和漏极1022，所述源极1021和所述漏极1022电性连接于所述有源层103，如图3G所示；
S60：在所述吸光层102及所述层间介电层106表面依次制备保护层107、平坦层108、像素定义层109，以及与所述源极1021和漏极1022中的一个电性连接的发光器件201，如图3H所示。
其中，在步骤S20之前，所述制备方法还包括在所述衬底101表面制备遮光层110及缓冲层111，如图3C所示。所述遮光层110的制备材料为钼/铜/钼。
所述步骤S60具体包括以下步骤：
S601：在所述吸光层102及所述层间介电层106表面制备所述保护层107及所述平坦层108，所述保护层107和所述平坦层108在对应所述源极1021或所述漏极1022处设置有过孔，以暴露出所述源极1021或所述漏极1022表面；
S602：在所述平坦层108上制备所述发光器件201的所述阳极2011，以使所述阳极2011与所述源极1021和漏极1022中的一个电性连接；
S603：在所述平坦层108及所述阳极2011上制备所述像素定义层109，所述像素定义层109包括多个间隔分布的像素定义区域，所述像素定义区域对应所述发光器件201的所述阳极2011设置；
S604：在所述像素定义区域制备所述发光器件201的所述发光层2013；
S605：在所述像素定义层109及所述发光层2013表面制备所述发光器件201的所述阴极2012。
所述发光器件201的所述阳极2011及阴极2012的制备材料包括氧化铟锡、铟锡氧化物、氧化锌、金、银的其中一种或多种组合，所述发光器件201的所述发光层2013的制备材料包括有机小分子发光材料或配合物发光材料。
所述有源层103的制备材料为金属氧化物半导体，所述金属氧化物半导体包括氧化铟镓锌、氧化锌或氮氧化锌的其中一种。
所述有源层的图形化制程、所述第一金属层的图形化制程及所述吸光层的图形化制程通过采用不同规格的光罩分别对所述有源层、所述第一金属层及所述吸光层进行曝光处理，并经过显影液显影和刻蚀工艺，形成图形化的有源层103、图形化的第一金属层104及图形化的吸光层102。
本申请还提供一种显示装置，包括所述的显示面板，所述显示装置可为触控显示装置，如手机、电脑等，也可为非触控显示装置，如电视、配合键盘等辅助设备使用的电脑等。
本申请实施例提供一种阵列基板100、显示面板200及显示装置，所述阵列基板100包括：衬底101；以及位于所述衬底101一侧的吸光层102，所述吸光层102用于连接发光器件201；其中，所述吸光层102对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光L的吸收能力大于所述吸光层102对所述发光器件201照射在所述吸光层102上的光L的反射能力，以改善显示面板200及显示装置显示时像素边缘漏光的问题。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板、显示面板及其显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；以及，
位于所述衬底一侧的吸光层，所述吸光层用于连接发光器件；
其中，所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的吸收能力大于所述吸光层对所述发光器件照射在所述吸光层上的光的反射能力。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层为导电材料制成，用于电性连接于所述发光器件。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的制备材料为铜锌锡硫硒化合物、铜铟镓硫硒化合物的其中一种。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述衬底一侧的有源层；
至少位于所述有源层一侧的第一金属层，所述第一金属层包括对应所述有源层设置的栅极；以及，
位于所述有源层及所述第一金属层之间的栅极绝缘层；
其中，所述吸光层位于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述吸光层电性连接于所述有源层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层包括电性连接于所述有源层的源极和漏极，所述源极和漏极中的一个用于电性连接于所述发光器件。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述吸光层的厚度为大于或等于400埃米且小于或等于8000埃米。
7.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～6所述的任一阵列基板，以及发光器件。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件包括位于所述吸光层远离所述衬底一侧的阳极和位于所述阳极的远离所述衬底的一侧的阴极，以及位于所述阳极和阴极之间的发光层；
其中，所述阳极连接于所述吸光层。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为底发光型OLED显示面板。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的显示面板。
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