JP6514005B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子及びインク組成物 - Google Patents
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Description
本発明の他の目的は、新規なインク組成物を提供することである。
陽極と陰極、及び
前記陽極と陰極の間に少なくとも1層の有機薄膜層を備え、
前記有機薄膜層のうちの1層が、下記式(1)で表されるポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
a及びbは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。a及びbが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、R1及びR2は存在しない。
R1及びR2は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数5〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、環形成炭素数6〜10のアリール基、環形成炭素数6〜10のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数2〜16のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
R1及びR2は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Aは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
X1は−O−又は−S−である。
R3は、置換基である。
R4は、水素原子又は置換基である。
nは繰り返し数である。
L1は、単結合、又は下記式(2)もしくは下記式(3)で表される基である。
−L11−L12−L13− (2)
(式(2)中、L11は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L12は単結合、−O−又は−S−であり、L13は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基である。尚、L11がR4と結合し、L13が環Aと結合する。)
−L14−L15−B−L16− (3)
(式(3)中、L14は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L15は単結合、−O−又は−S−であり、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、L16は単結合、−O−又は−S−である。尚、L14がR4と結合し、L16が環Aと結合する。))
本発明によれば、新規なインク組成物が提供できる。
R1及びR2は、同じでも異なってもよいが、同じ置換基であることが好ましい。
シクロアルキル基として、シクロヘキシル基、シクロペンチル基等が挙げられる。
アルコキシ基として、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等が挙げられる。
アリール基として、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。
アリーロキシ基として、フェノキシ基等が挙げられる。
アルコキシアルキル基として、メトキシメチル基、エトキシメチル基等が挙げられる。
アルキル基、アリール基の具体例は上記と同じである。
アルキルアリールとしては、メチルフェニル基等が挙げられる。
置換もしくは無置換のメルカプト基として、メチルメルカプト基、エチルメルカプト基、プロピルメルカプト基等が挙げられる。
R1とR2の少なくとも一方を一部として含む環は、好ましくは飽和又は不飽和炭化水素環であり、芳香環でもよい。
当該縮合環を形成する炭素数は、例えば10〜20である。好ましくは10〜18である。当該縮合環を形成する原子数は、例えば10〜20である。好ましくは10〜18である。縮合環が含むヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選択される1以上の原子、好ましくは1〜3、より好ましくは1又は2の原子が挙げられる。
当該縮合環は、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラヒドロナフタレン等である。
R4は、水素原子又は置換基である。
R3とR4として、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基等が挙げられ、好ましくは置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基である。
アルキルカルボニル基のアルキル基の具体例は上記と同じであり、アルキルカルボニル基としてはアセチル基等が挙げられる。
アリールカルボニル基のアリール基の具体例は上記と同じであり、アリールカルボニル基としてはベンゾイル基等が挙げられる。
アラルキル基のアルキル基とアリール基の具体例は上記と同じであり、アラルキル基としてはベンジル基等が挙げられる。
−L11−L12−L13− (2)
式(2)中、L11は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L12は単結合、−O−又は−S−であり、L13は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基である。L11がR4と結合し、L13が環Aと結合する。
−L14−L15−B−L16− (3)
式(3)中、L14は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L15は単結合、−O−又は−S−であり、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、L16は単結合、−O−又は−S−である。L14がR4と結合し、L16が環Aと結合する。
環A又はBの芳香族炭化水素環の環を形成する炭素数は、例えば6〜20である。好ましくは6〜18である。
環A又はBの芳香族複素環の環を形成する原子数は、例えば5〜20である。好ましくは5〜10である。
環A又はBの芳香族複素環のヘテロ原子として、例えば、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子から選択される1以上の原子、好ましくは1〜3、より好ましくは1又は2の原子が挙げられる。
好適な環Aとして、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラヒドロナフタレン環、ピリジン環等が挙げられる。
好適な環Bとして、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラヒドロナフタレン環、ピリジン環等が挙げられる。
本発明で用いるポリマーについても例外ではなく、低分子量成分が除去されていることが好ましい。特に、ポリスチレン換算における重量平均分子量が10,000未満の低分子量成分が、ポリマー(重量平均分子量10,000以上1,000,000未満)の総重量の10%以下であることが好ましい。
特に、本発明で用いるポリマーのうち、有機EL素子の特性に適合する分子量範囲(例えば、重量平均分子量10,000〜1,000,000)を主成分として含む場合は、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンによる処理が好ましい。
基板は、発光素子の支持体として用いられる。基板としては、例えば、ガラス、石英、プラスチック等を用いることができる。また、可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることができる(フレキシブル)基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルからなるプラスチック基板等が挙げられる。
基板上に形成される陽極には、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、珪素もしくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン、及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、グラフェン等が挙げられる。この他、金(Au)、白金(Pt)、又は金属材料の窒化物(例えば、窒化チタン)等が挙げられる。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、モリブデン酸化物、チタン酸化物、バナジウム酸化物、レニウム酸化物、ルテニウム酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、銀酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、芳香族アミン化合物、又は高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)等も使用できる。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層には、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、アントラセン誘導体等を使用することができる。ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を用いることもできる。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。等、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
発光層としては、上述した発光性の高い物質(ゲスト材料)を他の物質(ホスト材料)に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質としては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位(LUMO準位)が高く、最高被占有軌道準位(HOMO準位)が低い物質を用いることが好ましい。
発光層は、発光性の高い物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例えば、発光性の高い物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。蛍光性化合物は一重項励起状態から発光可能な化合物であり、燐光性化合物は三重項励起状態から発光可能な化合物である。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層には、1)アルミニウム錯体、ベリリウム錯体、亜鉛錯体等の金属錯体、2)イミダゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、アジン誘導体、カルバゾール誘導体、フェナントロリン誘導体等の複素芳香族化合物、3)高分子化合物を使用することができる。
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層には、リチウム(Li)、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)、リチウム酸化物(LiOx)等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はそれらの化合物を用いることができる。
陰極には、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等を用いることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第1族又は第2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、及びマグネシウム(Mg)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(例えば、MgAg、AlLi)等の希土類金属及びこれらを含む合金等が挙げられる。
上記のポリマーを含むと、インクの増粘性が向上する。また、上記のポリマーは好ましくはTgが150℃以上である。このようにTgが高いと形成される膜のTgが高まる。
酸化鉄10gを450℃で3時間焼成した後、フェノール50g、メタノール200g、水100gをオートクレーブ中に入れ360℃で15分間反応させた。反応終了後、生成物をろ取し、デカン100gを加えた。有機相を分離し硫酸ナトリウムで乾燥させた後、蒸留(131−135℃/100mmHg)により2,6−キシレノール49.5gを得た。
400MHzのNMR測定結果は、δ2.2ppm −CH3、δ4.6ppm −OH,δ6.7−6.9 Ar−Hであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた500mlのフラスコに、製造例1で得られた2,6−キシレノール12.0g、トルエン60ml、塩化第一銅0.1g、ピリジン10mlを加え、30℃で酸素を導入しながら120分撹拌した。反応終了後、塩酸5gを含むメタノール1Lに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸5gを含むメタノール1Lに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン500mlに溶解し、これにメタノールを120ml添加した後、溶液を60℃に加熱して静置した。冷却後分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ2,6−ジメチル−1,4−フェニレンエーテル(P1)5.4gを得た。このポリマーのGPC測定を行った結果、ポリスチレン換算でMw94000、Mw/Mn=2.33であることが分かった。
製造例2で得られたポリ2,6−ジメチル−1,4−フェニレンエーテル3.0gを塩化メチレン30mlに溶解し、これにトリエチルアミン1.0g、ベンゾイルクロライド1.0gを加え、室温で1時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ2,6−ジメチル−1,4−フェニレンエーテル(PX1)2.9gを得た。
400MHzのNMR測定結果において、δ8.1ppm、7.7ppm、7.5ppmに新たにピークが観測され、4−5ppmにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
1,2,3−トリメトキシベンゼン(東京化成株式会社製造品)32g、クロロホルム100ml、ヨウ化トリメチルシラン44gをフラスコに入れ室温で48時間撹拌した。反応後、ジエチルエーテルを加え、水で3回洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、ジエチルエーテルを留去して固体を得た。この固体をアセトンを使用して再結晶を行ない2,6−ジメトキシフェノール28gを得た。400MHzNMR測定結果、δ3.6ppm −OCH3、δ6.1ppm −OH,δ6.4−6.9 Ar−Hであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた300mlのフラスコに、製造例4で得られた2,6−ジメトキシフェノール5.0g、トルエン30ml、塩化第一銅0.1g、ピリジン50mlを加え、30℃で酸素を導入しながら6時間撹拌した。反応終了後、塩酸5gを含むメタノール1Lに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸5gを含むメタノール1Lに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン300mlに溶解し、これにメタノールを60ml添加した後、溶液を60℃に加熱して静置した。冷却後分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ2,6−ジメトキシ−1,4−フェニレンエーテル(P2)3.1gを得た。このポリマーのGPC測定を行った結果、ポリスチレン換算でMw22000、Mw/Mn=2.82であることが分かった。
製造例5で得られたポリ2,6−ジメトキシ−1,4−フェニレンエーテル3.0gを塩化メチレン30mlに溶解し、これにトリエチルアミン1.0g、ベンゾイルクロライド1.0gを加え、室温で1時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ2,6−ジメトキシ−1,4−フェニレンエーテル(PX2)2.2gを得た。
400MHzのNMR測定結果において、δ8.1ppm、7.7ppm、7.5ppmに新たにピークが観測され、4−5ppmにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
シクロヘキサノン200mlを150℃に加熱撹拌し、これに水酸化カリウム5.0gを加え3時間反応した。KOHを除いた後、0.5%の白金を含むアルミナ10gを加え330℃で8時間加熱撹拌した。冷却後、減圧加熱で低沸点物を除去し、トルエンから再結晶を行い2,6−ジフェニルフェノール11.5gを得た。融点103℃。
400MHzNMRの測定結果は、δ5.4ppm −OH,δ7.1−7.5 Ar−Hであり、得られた化合物は表題の物であることが分かった。
撹拌装置、温度計、酸素導入管を備えた300mlのフラスコに、製造例7で得られた2,6−ジフェニルフェノール(東京化成株式会社製造品)5.0g、トルエン30ml、塩化第一銅0.1g、ピリジン50mlを加え、30℃で酸素を導入しながら6時間撹拌した。反応終了後、塩酸5gを含むメタノール1Lに反応液を入れ、ポリマーを析出させた。ポリマーをトルエンに溶解し、再び塩酸5gを含むメタノール1Lに溶液を注ぎポリマーを析出させた。ポリマーを塩化メチレン300mlに溶解し、これにメタノールを60ml添加した後、溶液を60℃に加熱して静置した。分離したポリマーをメタノールで再沈澱を行いポリ2,6−ジフェニル−1,4−フェニレンエーテル(P3)3.3gを得た。このポリマーのGPC測定を行った結果、ポリスチレン換算でMw34000、Mw/Mn=2.11であることが分かった。
製造例8で得られたポリ2,6−ジフェニル−1,4−フェニレンエーテル3.0gを塩化メチレン30mlに溶解し、これにトリエチルアミン1.0g、ベンゾイルクロライド1.0gを加え、室温で1時間撹拌した。析出した塩をろ別し、メタノールでポリマーを沈殿させた後、メタノールで洗浄した。末端を処理したポリ2,6−ジフェニル−1,4−フェニレンエーテル(PX3)2.2gを得た。400MHzNMR測定結果、δ8.1ppm、7.7ppm、7.5ppmに新たにピークが観測され、4−5ppmにピークが無いことからベンゾイル基が導入されていることが分かった。
(基板の洗浄)
25mm×25mm×厚さ1.1mmのITO透明電極付ガラス基板(ジオマテック株式会社製)をイソプロピルアルコール中で、超音波洗浄を5分間行った後、UVオゾン洗浄を5分間行った。
正孔輸送材料として下記で表されるHERAEUS社製CLEVIOUS AI4083(商品名)(ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルフォネート))を30nmの厚さで前記のITO基板上にスピンコート法により成膜した。成膜後、アセトンにより不要な部分を除去し、次いで大気中で200℃のホットプレートで10分間焼成し、下地基板を作製した。
ホスト材料として下記化合物H−1、ドーパント材料として下記化合物D−1、製造例3で得た重合体PX1を用いて、化合物H−1:化合物D−1:重合体PX1が重量比で70:20:10となるような混合比で1.4重量%のトルエン溶液を調製した。このトルエン溶液を用い、前記下地基板上にスピンコート法により、50nmの膜厚になるように塗布した。塗布後、不要部分をトルエンにて除去し、150℃のホットプレート上で加熱乾燥し、発光層が形成された積層基板を作製した。等、発光層の成膜にかかる全ての操作は窒素雰囲気のグローブボックス中で実施した。
積層基板を蒸着チャンバー中に搬送し、電子輸送層として下記化合物ET−1を50nm蒸着した。さらにフッ化リチウムを1nm、アルミニウムを80nm蒸着した。全ての蒸着工程を完了させた後、窒素雰囲気下のグローブボックス中でザグリガラスによる封止を行い、有機EL素子を作製した。
得られた有機EL素子を、電圧が0〜10ボルト(0.1ボルト刻み)の直流電流駆動により発光させ、発光輝度を輝度計により計測し、100cd/m2で発光が観察できる電圧を確認した。
また、定電流駆動により初期輝度1000cd/m2から500cd/m2まで輝度が低下する時間(輝度半減時間)を計測した。測定結果を表1に示す。
素子作製に用いる重合体として製造例6で得たPX2を用いたこと以外は、実施例1と同様にして素子を作製して評価した。結果を表1に示す。
素子作製に用いる重合体として製造例9で得たPX3を用いたこと以外は、実施例1と同様にして素子を作製して評価した。結果を表1に示す。
素子作製に用いる重合体として製造例2で得たP1を用いたこと以外は、実施例1と同様にして素子を作製して評価した。結果を表1に示す。
Claims (23)
- 陽極と陰極、及び
前記陽極と陰極の間に少なくとも1層の有機薄膜層を備え、
前記有機薄膜層のうちの1層が、下記式(1)で表されるポリマーを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
(式(1)中、
a及びbは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。a及びbが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、R1及びR2は存在しない。
R1及びR2は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数5〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、環形成炭素数6〜10のアリール基、環形成炭素数6〜10のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数2〜16のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
R1及びR2は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Aは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
X1は−O−又は−S−である。
R3は、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基、又は置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基である。
R4は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基、又は置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基である。
nは繰り返し数である。
L1は、単結合、又は下記式(2’)もしくは下記式(3’)で表される基である。
−L11−L12−L13− (2’)
(式(2’)中、L11は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L12は単結合、−O−又は−S−であり、L13は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基である。尚、L11がR4と結合し、L13が環Aと結合する。)
−L14−L15−B−L16− (3’)
(式(3’)中、L14は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L15は単結合、−O−又は−S−であり、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、L16は単結合、−O−又は−S−である。尚、L14がR4と結合し、L16が環Aと結合する。)) - R3とR4が、それぞれ、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、又は置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基である請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- a,bが共に炭素原子である請求項1又は2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- R1及びR2が、それぞれ、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数5〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、環形成炭素数6〜10のアリール基、環形成炭素数6〜10のアリーロキシ基、又は炭素数2〜16のアルコキシアルキル基である請求項1〜3のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- R1及びR2が、それぞれ、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、又は環形成炭素数6〜10のアリール基である請求項1〜3のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- R 1 及びR 2 が、それぞれ、炭素数1〜8のアルキル基である請求項1〜5のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 環Aが、芳香族炭化水素環である請求項1〜6のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 環A又はBが、6員環、5員環、6員環同士の縮合環、又は6員環と5員環の縮合環である請求項1〜7のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- X1が、−O−である請求項1〜9のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- L1が、単結合である請求項1〜10のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(1)のポリマーを含む層が、発光層である請求項1〜15のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記式(1)のポリマーを含む層が、前記ポリマーを1〜80重量%含む請求項1〜16のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 下記式(1)で表されるポリマーと、有機半導体材料と、を含むインク組成物。
(式(1)中、
a及びbは、それぞれ、炭素原子、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子である。a及びbが、それぞれ、窒素原子、酸素原子又は硫黄原子であるとき、R1及びR2は存在しない。
R1及びR2は、それぞれ、水素原子、炭素数1〜8のアルキル基、炭素数5〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜8のアルコキシ基、環形成炭素数6〜10のアリール基、環形成炭素数6〜10のアリーロキシ基、フッ素原子、塩素原子、炭素数2〜16のアルコキシアルキル基、置換もしくは無置換のアミノ基、又は置換もしくは無置換のメルカプト基である。
R1及びR2は、それぞれ、他の原子と結合して又は互いに結合して、環を形成してもよい。
環Aは、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環である。
X1は−O−又は−S−である。
R3は、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基、又は置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基である。
R4は、水素原子、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜8のアルキルカルボニル基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリール基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリーロキシ基、置換もしくは無置換の炭素数6〜10のアリールカルボニル基、又は置換もしくは無置換の炭素数7〜20のアラルキル基である。
nは繰り返し数である。
L1は、単結合、又は下記式(2’)もしくは下記式(3’)で表される基である。
−L11−L12−L13− (2’)
(式(2’)中、L11は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L12は単結合、−O−又は−S−であり、L13は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基である。尚、L11がR4と結合し、L13が環Aと結合する。)
−L14−L15−B−L16− (3’)
(式(3’)中、L14は単結合又は炭素数1〜8のアルキレン基であり、L15は単結合、−O−又は−S−であり、Bは置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環又は置換もしくは無置換の芳香族複素環であり、L16は単結合、−O−又は−S−である。尚、L14がR4と結合し、L16が環Aと結合する。)) - R 1 及びR 2 が、それぞれ、炭素数1〜8のアルキル基である請求項18記載のインク組成物。
- 前記有機半導体材料が、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料である請求項18又は19記載のインク組成物。
- さらに溶媒を含む請求項18〜20のいずれか記載のインク組成物。
- 請求項18〜21のいずれか記載のインク組成物を用いて、有機半導体素子の少なくとも1層を湿式で製造する有機半導体素子の製造方法。
- 請求項1〜17のいずれか記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を具備する表示装置。
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