CN1934906A - 有机电致发光元件 - Google Patents

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Abstract

一种有机EL元件，得到白色发光时色调的调整容易、效率高。有机电致发光元件至少将阳极层1、有机发光层及阴极层6按照该顺序层叠而成的，有机发光层至少层叠有包含荧光性掺杂剂的第一发光层3和包含磷光性掺杂剂的第二发光层4。

Description

有机电致发光元件
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光元件。更详细地来讲，涉及一种具有两个发光层、适合白色发光的有机电致发光元件。
背景技术
近年来，由于白色系有机电致发光元件(下面将“电致发光”略记为EL)可以用于单色显示装置的用途、背光灯等照明用途及使用了滤色片的全色显示装置等，正在积极地对其进行开发。
由于白色系有机EL元件的色度变化不仅损伤产品的质量，而且在例如和滤色片组合而成的全色显示显示器中会成为引起颜色再现性降低的原因，因此，要求色度变化少的白色系有机EL元件。
利用有机EL得到白色发光的方法，有很多报道。这些方法中，只用一种发光材料得到白色的方法少，通常使两种或三种发光材料在一个有机EL中同时发光。
使用三种发光材料时，通过对应于光的三原色的红、蓝、绿的发光的组合变成白色，但存在色度控制困难，重复再现性差这样的问题。
使用两种发光材料时，选择蓝色和作为其互补色的黄色～橙色或红色系的发光材料，但多数情况下黄色～橙色或红色系的发光会变强，容易引起色度变化。
例如，正如特开2001-52870号公报所述的参考例1及2所示的一样，现有的白色有机EL蓝色容易下降，存在色度变化的问题。另外，将蓝色系掺杂剂和黄色～橙色或红色系掺杂剂同时掺杂，通过调整掺杂比，也可以得到白色发光，但由于红色容易变强，而且从蓝向红的能量转移比较容易，因此，经常会成为带有红色的白色。因而，为了得到白色，必须非常稀薄地掺杂黄色～橙色或红色系掺杂剂，依然存在有再现性难的问题。
还有在邻接发光层的空穴输送层掺杂黄色～橙色或红色系掺杂剂的方法。该方法由于难以在空穴输送层注入电子，因此，即使掺杂发光容易偏移的黄色～橙色或红色系材料也不会发出强的红光。因而，具有如下优点：容易控制用于得到白色发光的蓝色系发光和黄色～橙色或红色系发光的平衡，发光效率也优良，寿命也长。但是，由于能量转移的距离依赖性的问题，因此，存在连续驱动时和高温保存时色度变化大的重大问题。
本发明者认为，被激发的红色发光的分子集中在空穴输送层侧界面，因此，由于劣化，电子和空穴的平衡遭到破坏，向界面的集中情况即使变化一点点，尽管蓝色发光不会有太大变化，但红色发光也发生很大变化，成为色度变化的原因。
另外，在将发光层分成2部分的类型中，有以阳极侧发光层作为黄色～橙色或红色系发光层、以阴极侧作为蓝色发光层的层叠型。这时，尽管其发光效率优良，但由于为了得到白色发光而抑制黄色～橙色或红色系发光，必须使与黄色～橙色或红色系发光层相比，膜厚变薄，或掺杂浓度变稀薄，元件制作变得困难。具体来讲，如果不将黄色～橙色或红色系发光层的膜厚作成1～2nm左右，大多不会成为白色发光。由于该膜厚是和通常的低分子类有机EL的分子大小同等水平的薄度，因此，可以说控制非常困难。
另一方面，通过将发光层的发光区域容易偏移的阳极侧的发光层作为蓝色系发光层，消除容易向红色偏移的倾向，即使黄色～橙色或红色系发光层的膜厚为10～30nm左右，也能够得到白色发光，驱动时的色度变化也可以小。
但是，当考虑实用性时，还寻求色度变化小、稳定的白色系有机EL元件。
发明内容
本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种有机EL元件，其得到白色发光时容易调整色调且发光效率高。
本发明者为了解决该课题，专心致志地进行研究，结果发现，在阳极和阴极之间包含2层发光层的元件中，通过形成荧光性发光层和磷光性发光层两种，可以很容易地进行色调的调整，完成了本发明。
根据本发明，提供以下有机EL元件及显示装置。
1、一种有机电致发光元件，其至少将阳极层、有机发光层及阴极层按该顺序层叠而成，其中，所述有机发光层至少层叠有包含荧光性掺杂剂的第一发光层和包含磷光性掺杂剂的第二发光层。
2、如1所述的有机电致发光元件，所述第一发光层比第二发光层更靠近阳极侧。
3、如1所述的有机电致发光元件，所述第一发光层比第二发光层更靠近阴极侧。
4、如1～3任一项所述的有机电致发光元件，所述第一发光层的主(host)材料包含电子输送性化合物或空穴输送性化合物，所述第二发光层的宿主材料包含电子输送性化合物或空穴输送性化合物。
5、如4所述的有机电致发光元件，所述电子输送性化合物的电子迁移率为10-5cm2/N·s以上。
6、如4所述的有机电致发光元件，所述空穴输送性化合物的空穴迁移率为10-4cm2/V·s以上。
7、如1～6任一项所述的有机电致发光元件，所述第一发光层的发光是蓝色区域的发光、黄色～橙色或红色区域的发光。
8、如1～7任一项所述的有机电致发光元件，所述第二发光层的发光是蓝色区域的发光、黄色～橙色或红色区域的发光。
9、如1～8任一项所述的有机电致发光元件，其进行白色发光。
10、一种显示装置，包含权利要求1～6任一项所述的有机电致发光元件而构成。
根据本发明，可以提供一种高效率的有机EL元件，其在阳极和阴极之间包含2层发光层，通过有效利用荧光性发光和磷光性发光这两种，容易地进行色调的调整。
附图说明
图1是表示作为本发明的一种实施形态的有机EL元件的图。
具体实施方式
图1是表示本发明的有机EL元件的一种实施形态的图。
有机EL元件10具有如下的结构，即在基板(未图示)上按顺序层叠有阳极1、第一有机层2、有机发光层(第一发光层3、第二发光层4)、第二有机层5及阴极6。
该有机EL元件10，通过层叠蓝色系发光层作为第一发光层3、层叠黄色～橙色或红色系发光层作为第二发光层4，得到白色发光。
第一发光层3是含有荧光性掺杂剂的发光层，放出荧光性的光。另一方面，第二发光层4是含有磷光性掺杂剂的发光层，放出磷光性的光。
如上所述，通过层叠荧光性发光层和磷光性发光层，容易取得为得到白色所必须的蓝色系发光和黄色～橙色或红色系发光的平衡，因此，没有必要使任一个发光层的膜厚变得非常薄，或使掺杂剂浓度变得非常稀薄。其结果，由于可以使两个发光层有效且稳定地发光，因此，色调的调整容易，且可以得到高效的白色发光。
因而，本发明的有机EL元件不限定于白色发光，但特别适合作为白色系有机EL元件的构成。
第一有机层2是空穴注入层、空穴输送层、有机半导体层等，第二有机层5表示电子输送层、电子注入层等。
本发明的有机EL元件的构成例如下所示。需要说明的是，为了得到白色发光系EL元件，第一发光层是蓝色系发光层时，第二发光层设定为黄色～橙色系或红色系发光层即可，第一发光层是黄色～橙色或红色系发光层时，第二发光层设定为蓝色系发光层即可。
a.阳极/第一发光层/第二发光层/阴极
b.阳极/第二发光层/第一发光层/阴极
c.阳极/空穴输送层/第一发光层/第二发光层/阴极
d.阳极/空穴输送层/第二发光层/第一发光层/阴极
e.阳极/空穴输送层/第一发光层/第二发光层/电子输送层/阴极
f.阳极/空穴输送层/第二发光层/第一发光层/电子输送层/阴极
g.阳极/空穴注入层/空穴输送层/第一发光层/第二发光层/电子输送层/阴极
h.阳极/空穴注入层/空穴输送层/第二发光层/第一发光层/电子输送层/阴极
i.阳极/空穴注入层/空穴输送层/第一发光层/第二发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
j.阳极/空穴注入层/空穴输送层/第二发光层/第一发光层/电子输送层/电子注入层/阴极
这些构成中，优选i、j的构成。
需要说明的是，在本发明中，如果层叠第一发光层(包含荧光性掺杂剂的发光层)和第二发光层(包含磷光性掺杂剂的发光层)，则其它构成没有特别限制，例如，可以形成3层以上发光层，另外，也可以在发光层之间插入电荷阻挡层等。
下面，对作为本发明的特征的部分的第一发光层和第二发光层进行说明。对于作为其它构成要素的有机层、无机化合物层、阳极、阴极等构成和制法，由于可以采用一般的构成，因此简单进行说明。
1.第一发光层
第一发光层包含宿主材料和荧光性掺杂剂。
宿主材料例如有：苯乙烯衍生物、亚芳基衍生物、芳香族胺衍生物或8-羟基喹啉及其衍生物。
优选的苯乙烯衍生物为：二苯乙烯衍生物、三苯乙烯衍生物、四苯乙烯衍生物或苯乙烯胺衍生物。
优选的亚芳基衍生物为：含有蒽衍生物、特别是芳基蒽骨架的化合物。
苯乙烯衍生物及蒽衍生物，例如下述式[1]～[6]表示的化合物。
[化1]
Figure A20058000875600081
〔式中，R1～R8各自独立，表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。Ar1及Ar2分别独立，是取代或未取代的碳数6～30的芳基或者取代或未取代的链烯基，取代基为：取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。〕
[化2]
〔式中，R1～R10各自独立，表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。Ar1及Ar2分别独立，是取代或未取代的碳数6～30的芳基或者取代或未取代的链烯基，取代基为：取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。〕
[化3]
〔式中，R1～R10各自独立，表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。Ar3及Ar4分别独立，是取代或未取代的碳数6～30的芳基或者取代或未取代的链烯基，取代基为：取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基、取代或未取代的碳数5～30的杂环基或者取代或未取代的碳数4～40的链烯基。l为1～3，m为1～3，且l+m≥2。〕
[化4]
Figure A20058000875600101
〔式中，R1～R8各自独立，表示氢原子、卤原子、氰基、硝基、取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基或者取代或未取代的碳数5～30的杂环基。Ar3及Ar4分别独立，是取代或未取代的碳数6～30的芳基或者取代或未取代的链烯基，取代基为：取代或未取代的碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数1～20的烷硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳硫基、取代或未取代的碳数6～30的芳烷基、未取代的碳数5～30的单环基、取代或未取代的碳数10～30的缩合多环基、取代或未取代的碳数5～30的杂环基或者取代或未取代的碳数4～40的链烯基。〕
[化5]
Figure A20058000875600102
〔式中，R11～R20各自独立，表示氢原子、链烯基、烷基、环烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、芳氨基或可以取代的杂环式基，a及b分别表示1～5的整数，这些为2以上时，R11之间或R12之间，各自可以相同，也可以不同，而且，R11之间或R12之间可以结合形成环，R13和R14、R15和R16、R17和R18、R19和R20可以相互结合形成环。L1表示单键或-O-、-S-、-N(R)-(R为烷基或可以取代的芳基)或亚芳基。〕
[化6]
Figure A20058000875600111
〔式中，R21～R30各自独立，表示氢原子、链烯基、烷基、环烷基、芳基、烷氧基、芳氧基、烷氨基、芳氨基或可以取代的杂环基，c、d、e及f分别表示1～5的整数，这些为2以上时，R21之间、R22之间，R26之间或R27之间，各自可以相同，也可以不同，而且，R21之间、R22之间，R26之间或R27之间可以结合形成环，R23和R24、R28和R29可以相互结合形成环。L2表示单键或-O-、-S-、-N(R)-(R为烷基或可以取代的芳基)或亚芳基。〕
芳香族胺衍生物为芳香族中含有2、3或4个被取代的氮原子的化合物，进一步优选至少含有一个链烯基的化合物。
上述芳香族胺，例如下述通式[7]～[8]表示的化合物。
[化7]
〔式中，Ar5、Ar6及Ar7各自独立，表示碳数6～40的取代或未取代的一元芳香族基或苯乙烯基，g表示1～4的整数。〕
[化8]
Figure A20058000875600113
〔式中，Ar8、Ar9、Ar13、Ar13及Ar14各自独立，表示碳数6～40的取代或未取代的一元芳香族基或苯乙烯基，Ar10及Ar12各自独立，表示碳数6～40的取代或未取代的二元芳香族基或亚苯乙烯基，h及k分别表示0～2的整数，i及j分别表示0～3的整数。〕
8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物的具体例，可以使用包含8-羟基喹啉(一般为8-羟基喹啉Quinolinol或8-羟基喹啉hydroxyquinoline)的螯合的金属螯合8-羟基喹啉化合物，例如三(8-羟基喹啉)铝。
需要说明的是，使用蒽衍生物和8-羟基喹啉与其衍生物之类的电子输送性化合物作为宿主材料时，蓝色系发光层和黄色～红色系发光层中使用的宿主材料可以相同，也可以不同。
使用苯乙烯衍生物、芳香族胺之类的空穴输送性化合物作为宿主材料时，优选蓝色系发光层和黄色～红色系发光层中使用的宿主材料不同。
需要说明的是，上述宿主化合物可以单独使用，也可以两种以上同时使用。
蓝色系掺杂剂优选选自苯乙烯胺、胺取代苯乙烯化合物及含缩合芳香环化合物中的至少一种。
蓝色系掺杂剂也可以由不同的多个化合物构成。
苯乙烯胺及胺取代苯乙烯化合物，例如下述式[9]、[10]表示的化合物。
[化9]
Figure A20058000875600121
〔式中，Ar5、Ar6及Ar7各自独立，表示碳数6～40的取代或未取代的芳香族基或苯乙烯基，p表示1～3的整数。〕
[化10]
〔式中，Ar15及Ar16各自独立，表示碳数6～30的亚芳基，E1及E2各自独立，表示碳数6～30的芳基或烷基、氢原子或氰基，q表示1～3的整数。U及/或V为包含氨基的取代基，该氨基优选芳氨基。〕
上述含缩合芳香环的化合物，例如下述式[11]表示的化合物。
[化11]
Figure A20058000875600131
〔式中，A表示碳数1～16的烷基或烷氧基、碳数6～30的取代或未取代的芳基、碳数6～30的取代或未取代的烷氨基或碳数6～30的取代或未取代的芳氨基，B表示碳数10～40的缩合芳香族环基，r表示1～4的整数。〕
黄色～橙色或红色系掺杂剂，可以使用具有至少一个荧蒽骨架或苝骨架的荧光性化合物，例如下述式[12]～[28]表示的化合物。
[化12]
Figure A20058000875600141
〔式中，X1～X20各自独立，表示氢原子、直链、支链或环状的碳数1～20的烷基、直链、支链或环状的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氨基、取代或未取代的碳数1～30的烷氨基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基氨基或者取代或未取代的碳数8～30的链烯基，邻接的取代基及X1～X20可以结合形成环状结构。邻接的取代基是芳基时，取代基也可以相同。〕
另外，式[12]～[26]的化合物，优选含有氨基或链烯基。
[化13]
Figure A20058000875600152
〔式中，X21～X24各自独立，表示碳数1～20的烷基、取代或未取代的碳数6～30的芳基，X21和X22及/或X23和X24可以通过碳-碳键或-O-、-S-结合。X25～X36表示氢原子、直链、支链或环状的碳数1～20的烷基、直链、支链或环状的碳数1～20的烷氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳基、取代或未取代的碳数6～30的芳氧基、取代或未取代的碳数6～30的芳氨基、取代或未取代的碳数1～30的烷氨基、取代或未取代的碳数7～30的芳烷基氨基或者取代或未取代碳数8～30的链烯基，邻接的取代基及X25～X36可以结合形成环状结构。优选各式中的取代基X25～X36的至少一个含有氨基或链烯基。〕
另外，为了得到高效率及长寿命，优选具有荧蒽骨架的荧光性化合物含有给电子基团，优选的给电子基团为取代或未取代的芳氨基。而且，具有荧蒽骨架的荧光性化合物，优选其缩合环数为5以上，特别优选为6以上。这是由于荧光性化合物显示540～700nm的荧光峰值波长、蓝色系发光材料和荧光性化合物发出的光重叠呈现白色的缘故。当上述荧光性化合物具有多个荧蒽骨架时，由于其发光色成为黄色～橙色或红色区域，故优选。特别优选的荧光性化合物是，具有给电子基团和荧蒽骨架或苝骨架，显示540～700nm的荧光峰值波长的物质。
荧光性掺杂剂在发光层中的含量，没有特别限制，可以根据目的适当选择，例如为0.1～70质量％，优选为1～30质量％。
2.第二发光层
第二发光层包含宿主材料和磷光性掺杂剂。
适合于磷光发光的宿主材料是具有如下功能的化合物，从其激发状态向磷光性掺杂剂发生能量转移，结果使磷光性掺杂剂发光。亦即，只要是能够将激子能量向磷光性掺杂剂能量转移的化合物，就没有特别限制，可以根据目的适当选择。
这样的化合物，可以优选使用分子内包含选自杂环和咔唑基的至少一个的部分结构的化合物。
具体例如有：咔唑衍生物、三唑衍生物、噁唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、多芳基链烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉-5-酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨基取代查耳酮衍生物、苯乙烯蒽衍生物、9-芴酮衍生物、腙衍生物、茋衍生物、硅氨烷衍生物、芳香族叔胺化合物、苯乙烯胺化合物、芳香族二亚甲基类化合物、卟啉类化合物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、二苯基苯醌衍生物、噻吡二氧化物衍生物、碳化二亚胺衍生物、亚芴基甲烷衍生物、二苯乙烯吡嗪衍生物、萘苝等杂环四羧酸酐、酞菁衍生物、8-羟基喹啉衍生物的金属络合物和金属酞菁、以苯并噁唑和苯并噻唑为配位基的金属络合物代表的各种金属络合物聚硅烷类化合物、聚(N-乙烯基咔唑)衍生物、苯胺类共聚物、噻吩低聚物、聚噻吩等导电性高分子低聚物、聚噻吩衍生物、聚亚苯基衍生物、聚亚苯基亚乙烯基衍生物、多元芴衍生物等高分子化合物等。
宿宿主化合物可以单独使用，也可以两种以上同时使用。
下面，例示分子内包含选自杂环和咔唑基的至少一个的部分结构的化合物的具体例。其中，本发明的材料并不限定于在此例举的化合物。
[化14]
磷光性掺杂剂是可以由三重激子发光的化合物。只要由三重态激子发光，就没有特别限制，但优选包含选自由Ir、Ru、Pd、Pt、Os及Re构成的一组中的至少一种金属的金属络合物，特别优选卟啉金属络合物或正(ortho)金属化金属络合物。作为卟啉金属络合物优选卟啉铂络合物。
磷光性掺杂剂可以单独使用，也可以两种以上同时使用。
形成正金属化金属络合物的配位基有多种，优选配位基例如有：2-苯基吡啶衍生物、7，8-苯并喹啉衍生物、2-(2-噻嗯基)吡啶衍生物、2-(1-萘基)吡啶衍生物、2-苯基喹啉衍生物等。
根据需要，这些衍生物可以具有取代基。而且，也可以具有乙酰丙酮配位基、苦味酸等上述配位基以外的配位基作为补助配位基。
磷光性的蓝色系掺杂剂，特别优选在上述金属络合物的配位基上引入了氟化物、三氟甲基的物质。
磷光性的黄色～橙色或红色系掺杂剂，优选2-苯基喹啉衍生物、2-(2-噻嗯基)吡啶衍生物等。
磷光性掺杂剂在发光层中的含量，没有特别限制，可以根据需要适当选择，例如为0.1～70质量％，优选为1～30质量％。当磷光性掺杂剂的含量低于0.1质量％时，其发光微弱，不能充分发挥其含有效果，超过70质量％时，所谓的浓度消光现象显著，元件性能下降。
第一发光层或第二发光层设定为蓝色系发光时，蓝色系掺杂剂的最大峰值波长优选为400nm～500nm。
第一发光层或第二发光层发出黄色～橙色或红色系光时，黄色～橙色或红色系掺杂剂的发光的最大峰值波长优选为540nm～700nm。
第一发光层及第二发光层中，根据需要，除了上述的宿主材料及掺杂剂以外，也可以含有空穴输送材料、电子输送材料或聚合物粘结剂等。
第一发光层及第二发光层的各膜厚，优选根据发光色进行如下调整。
作为蓝色系发光层时的膜厚，优选为5～30nm，更优选为7～30nm，最优选为10～30nm。当其低于5nm时，会使发光层形成困难、色度的调整困难，当其超过30nm时，会使驱动电压上升。
作为黄色～橙色或红色系发光层时的膜厚，优选为5～100nm，更优选为10～50nm。当其低于5nm时，会使发光效率降低，当其超过100nm时，会使驱动电压上升。
第一发光层及第二发光层，使哪一个形成于阳极侧都可以，但优选将阳极侧的发光层设定为蓝色系发光层。
第一发光层及第二发光层的宿主材料，优选电子输送性化合物及/或空穴输送性化合物。这样一来，可以容易地调整发光的色度，另外，发光效率提高。
特别是将第一发光层的宿主材料设定为电子输送性化合物、第二发光层的宿主材料设定为空穴输送性化合物时，由于色度及发光效率提高，故优选。
需要说明的是，所谓电子输送性化合物，是指电子迁移率大的化合物，优选电子迁移率为10-5cm2/V·s以上。这样的化合物具体例如有：上述的蒽衍生物或8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物等。
另一方面，所谓空穴输送性化合物，是指空穴迁移率大的化合物，优选空穴迁移率为10-4cm2/V·s以上。具体例如有：上述苯乙烯衍生物和芳香族胺等。
电子迁移率及空穴迁移率，可以利用Time of Flight法等进行测定。利用Time of Flight法的迁移率测定，可以使用オプテル社TOF-301等来进行。
3.其它构成要素
(1)第一有机层
在阳极和第一发光层之间，可以设计空穴注入层、空穴输送层或有机半导体层等作为第一有机层。空穴注入层或空穴输送层，是帮助空穴向发光层注入、输送到发光区域的层，其空穴迁移率大，离子化能量通常小到5.5eV以下。空穴注入层是为了缓和能量水平的急剧变化等调整能量水平而设计的。作为空穴注入层或空穴输送层，优选以更低的电场强度将空穴输送至发光层的材料，进一步优选例如在104～106V/cm的电场施加时，其空穴的迁移率至少为10-6cm2/V·s的材料。
作为形成空穴注入层或空穴输送层的材料，只要是具有上述优选的性质的材料，就没有特别限制，可以从现有光传导材料中作为空穴的电荷输送材料常用的材料和有机EL元件的空穴注入层中使用的公知的材料中选择任意的材料来使用。
这样的空穴注入层或空穴输送层的形成材料，具体例如有：三唑衍生物(参阅美国专利3,112,197号说明书等)、噁二唑衍生物(参阅美国专利3,189,447号说明书等)、咪唑衍生物(参阅特公昭37-16096号公报等)、多芳基链烷烃衍生物(参阅美国专利3,615,402号说明书、同第3,820,989号说明书、同第3,542,544号说明书、特公昭45-555号公报、同51-10983号公报、特开昭51-93224号公报、同55-17105号公报、同56-4148号公报、同55-108667号公报、同55-156953号公报、同56-36656号公报等)、吡唑啉衍生物及吡唑啉-5-酮衍生物(参阅美国专利第3,180,729号说明书、同第4,278,746号说明书、特开昭55-88064号公报、同55-88065号公报、同49-105537号公报、同55-51086号公报、同56-80051号公报、同56-88141号公报、同57-45545号公报、同54-112637号公报、同55-74546号公报等)、苯二胺衍生物(参阅美国专利第3,615,404号说明书、特公昭51-10105号公报、同46-3712号公报、同47-25336号公报、特开昭54-53435号公报、同54-110536号公报、同54-119925号公报等)、芳胺衍生物(参阅美国专利第3,567,450号说明书、同第3,180,703号说明书、同第3,240,597号说明书、同第3,658,520号说明书、同第4,232,103号说明书、同第4,175,961号说明书、同第4,012,376号说明书、特公昭49-35702号公报、同39-27577号公报、特开昭55-144250号公报、同56-119132号公报、同56-22437号公报、西独专利第1,110,518号说明书等)、氨基取代查耳酮衍生物(参阅美国专利第3,526,501号说明书等)、噁唑衍生物(美国专利第3,257,203号说明书等中公开的物质)、苯乙烯蒽衍生物(参阅特开昭56-46234号公报等)、9-芴酮衍生物(参阅特开昭54-110837号公报等)、腙衍生物(参阅美国专利第3,717,462号说明书、特开昭54-59143号公报、同55-52063号公报、同55-52064号公报、同55-46760号公报、同55-85495号公报、同57-11350号公报、同57-148749号公报、特开平2-311591号公报等)、茋衍生物(参阅特开昭61-210363号公报、同第61-228451号公报、同61-14642号公报、同61-72255号公报、同62-47646号公报、同62-36674号公报、同62-10652号公报、同62-30255号公报、同60-93455号公报、同60-94462号公报、同60-174749号公报、同60-175052号公报等)、硅氨烷衍生物(美国专利第4,950,950号说明书)、聚硅烷类(特开平2-204996号公报)、苯胺类共聚物(特开平2-282263号公报)、特开平1-211399号公报公开的导电性高分子低聚物(特别是噻吩低聚物)等。
除上述物质以外，也可以使用卟啉化合物(特开昭63-2956965号公报等公开的物质)、芳香族叔胺化合物及苯乙烯胺化合物(参阅美国专利第4,127,412号说明书、特开昭53-27033号公报、同54-58445号公报、同54-149634号公报、同54-64299号公报、同55-79450号公报、同55-144250号公报、同56-119132号公报、同61-295558号公报、同61-98353号公报、同63-295695号公报等)、芳香族叔胺化合物。还可以例举美国专利第5,061,569号所述的分子内具有2个缩合芳香环的例如4，4’-二(N-(1-萘基)-N-苯胺基)联苯，还有特开平4-308688号公报所述的3个三苯胺单元连结成了星爆(star burst)型的4，4’，4”-三(N-(3-甲苯基)-N-苯胺基)三苯胺等。而且，除了作为发光层材料所示过的所述芳香族二亚甲基类化合物以外，p型Si、p型SiC等无机化合物也可以用作空穴注入层或空穴输送层的材料。
空穴注入层或空穴输送层，可以是通过由上述材料的一种或两种以上构成的一层而构成，另外，空穴注入层或空穴输送层也可以是将由其它化合物构成的空穴注入层或空穴输送层层叠而成的。
空穴注入层或空穴输送层的膜厚，没有特别限制，但优选为20～200nm。
有机半导体层是帮助向发光层的空穴注入或电子注入的层，适宜使用具有10-10S/cm以上的电导率的物质。这样的有机半导体层的材料，可以使用含噻吩低聚物、特开平8-193191号公报所述的含芳胺低聚物等导电性低聚物，含芳胺-胺型树枝状高分子(アリ一ルアミンデンドリマ一)等导电性树枝状高分子等。有机半导体层的膜厚，没有特别限制，但优选为10～1,000nm。
距阳极最近的有机层中，可以含有氧化剂。优选的氧化剂是电子吸引性或电子接受体。优选路易斯酸、各种醌衍生物、二氰基苯醌二甲烷衍生物、由芳香族胺和路易斯酸形成的盐类。特别优选的路易斯酸为氯化铁、氯化锑、氯化铝等。
(2)第二有机层
在阴极和发光层之间，可以设计电子注入层或电子输送层等作为第二有机层。电子注入层或电子输送层，是帮助电子向发光层注入的层，电子迁移率大。电子注入层是为了缓和能量水平的急剧变化等、调整能量水平而设置的。
电子输送层适合选择数nm～数μm的膜厚，但优选在施加104～106V/cm的电场时，其电子迁移率为10-5cm2/V·s以上的。
用于电子输送层的材料，8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物适宜。
上述8-羟基喹啉或其衍生物的金属络合物具体例如有：包含8-羟基喹啉(一般为8-羟基喹啉或8-羟基喹啉)的螯合的金属螯合8-羟基喹啉化合物。
例如，可以将上述的Alq用作电子注入层。
另一方面，噁二唑衍生物例如有：用下述式表示的电子传递化合物。
[化15]
Figure A20058000875600221
(式中，Ar17，Ar18，Ar19，Ar21，Ar22，Ar25分别表示取代或未取代的芳基，分别可以相同，也可以不同。另外，Ar20，Ar23，Ar24表示取代或未取代的亚芳基，分别可以相同，也可以不同。)
在此，芳基例如有：苯基、联苯基、蒽基、苝基、芘基。另外，亚芳基例如有：亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚蒽基、亚苝基、亚芘基等。另外，取代基例如有：碳数1～10的烷基、碳数1～10的烷氧基或氰基等。该电子传递化合物优选薄膜形成性的物质。
上述电子传递性化合物的具体例，可以例举下述物质。
[化16]
其它电子传递性化合物的具体例，可以例举下述物质。
下述式表示的含氮杂环衍生物
[化17]
Figure A20058000875600232
(式中，A1～A3为氮原子或碳原子。
R为可以具有取代基的碳数6～60的芳基、可以具有取代基的碳数3～60的杂芳基、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数1～20的烷氧基，n为0～5的整数，n为2以上的整数时，多个R可以相同，也可以不同。
另外，邻接的多个R基之间可以相互结合，形成取代或未取代的碳环式脂肪族环、或取代或未取代的碳环式芳香族环。
Ar26为可以具有取代基的碳数6～60的芳基、可以具有取代基的碳数3～60的杂芳基。
Ar27表示氢原子、碳数1～20的烷基、碳数1～20的卤代烷基、碳数1～20的烷氧基、可以具有取代基的碳数6～60的芳基、可以具有取代基的碳数3～60的杂芳基。
其中，Ar26、Ar27中的任一方是可以具有取代基的碳数10～60的缩合环基、可以具有取代基的碳数3～60的杂缩合环基。
L3、L4分别为单键、可以具有取代基的碳数6～60的缩合环、可以具有取代基的碳数3～60的杂缩合环或可以具有取代基的亚芴基。)
下述式表示的含氮杂环衍生物
HAr-L5-Ar28-A29
(式中，HAr为可以具有取代基的碳数3～40的含氮杂环，
L5为单键、可以具有取代基的碳数6～60的亚芳基、可以具有取代基的碳数3～60的杂亚芳基或可以具有取代基的亚芴基，
Ar28为可以具有取代基的碳数6～60的2元芳香族烃基，
Ar29为可以具有取代基的碳数6～60的芳基或可以具有取代基的碳数3～60的杂芳基。)
特开平第09-087616号公报所述的、使用了下述式表示的硅环戊二烯衍生物的电场发光元件
[化18]
Figure A20058000875600241
(式中，Q1及Q2各自独立，表示碳数1～6的饱和或不饱和的烃基、烷氧基、链烯氧基、炔氧基、羟基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环或Q1和Q2结合形成的饱和或不饱和环的结构，R31～R34各自独立，表示氢、卤素、取代或未取代的碳数1～6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷羰基、芳羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基碳酰氧基、芳基碳酰氧基、烷氧基碳酰氧基、芳氧基碳酰氧基、亚磺酰基、磺酰基、硫烷基(sulfanyl)、甲硅烷基、氨基甲酰基、芳基、杂环基、链烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酰氧基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基、异硫代氰酸酯基或者氰基或邻接时取代或未取代的环缩合而成的结构。)
特开平第09-194487号公报所示的下述式表示的硅环戊二烯衍生物
[化19]
(式中，Q3及Q4各自独立，表示碳数1～6的饱和或不饱和的烃基、烷氧基、链烯氧基、炔氧基、羟基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环或Q3和Q4结合形成的饱和或不饱和的环的结构，R35～R38各自独立，表示氢、卤素、取代或未取代的碳数1～6的烷基、烷氧基、芳氧基、全氟烷基、全氟烷氧基、氨基、烷羰基、芳羰基、烷氧羰基、芳氧羰基、偶氮基、烷基碳酰氧基、芳基碳酰氧基、烷氧基碳酰氧基、芳氧基碳酰氧基、亚磺酰基、磺酰基、硫烷基(sulfanyl)、甲硅烷基、氨基甲酰基、芳基、杂环基、链烯基、炔基、硝基、甲酰基、亚硝基、甲酰氧基、异氰基、氰酸酯基、异氰酸酯基、硫代氰酸酯基、异硫代氰酸酯基或者氰基或邻接时取代或未取代的环缩合而成的结构(其中，R35及R38为苯基时，Q3及Q4不是烷基及苯基，R5及R38为噻嗯基时，不同时满足Q3及Q4为一元烃基且R36及R37为烷基、芳基、链烯基或R36和R37结合形成环的脂肪族基，R35及R38为甲硅烷基时，R36、R37、Q3及Q4分别独立，不是碳数1～6的一元烃基或氢原子、R35及R36为苯环缩合而成的结构时，Q3及Q4不是烷基及苯基。)。)
特再第2000-040586号公报所述的下述式表示的硼烷衍生物
[化20]
Figure A20058000875600252
(式中，R39～R46及Q8各自独立，表示氢原子、饱和或不饱和的烃基、芳香族基、杂环基、取代氨基、取代氧硼基、烷氧基或芳氧基，Q5、Q6及Q7各自独立，表示饱和或不饱和的烃基、芳香族基、杂环基、取代氨基、烷氧基或芳氧基，Q7和Q8的取代基相互结合可以形成缩合环，s表示1～3的整数，s为2以上时，Q7可以不同。但是不包括s为1、Q5、Q6及R40为甲基、R46为氢原子或取代氧硼基的情况、以及s为3、Q7为甲基的情况。)
特开平第10-088121号公报所述的下述式表示的化合物
[化21]
Figure A20058000875600261
(式中，Q9、Q10分别独立，表示下述式(3)表示的配位基，L6为卤原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基、-OR47(R47为氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂环基。)或-O-Ga-Q11(Q12)(Q11及Q12和Q9及Q10的定义相同。)表示的配位基。)
[化22]
Figure A20058000875600262
(式中，环A4及A5为可以具有取代基的相互缩合而成的6元芳环结构。)
该金属络合物作为n型半导体的性质强，电子注入能力大。而且，由于形成络合物时生成能也低，因此，形成的金属络合物的金属和配位基的结合性也牢固，作为发光材料的荧光量子效率也变大。
形成上述式的配位基的环A4及A5的取代基，具体例如有：氯、溴、碘、氟的卤原子；甲基、乙基、丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、庚基、辛基、硬脂酰基、三氯甲基等取代或未取代的烷基；苯基、萘基、3-甲基苯基、3-甲氧基苯基、3-氟代苯基、3-三氯甲基苯基、3-三氟甲基苯基、3-硝基苯基等取代或未取代的芳基甲氧基、正丁氧基、叔丁氧基、三氯甲氧基、三氟乙氧基、五氟丙氧基、2，2，3，3-四氟丙氧基、1，1，1，3，3，3-六氟-2-丙氧基、6-(全氟乙基)己氧基等取代或未取代的烷氧基；苯氧基、对硝基苯氧基、对叔丁基苯氧基、3-氟代苯氧基、五氟代苯基、3-三氟甲基苯氧基等取代或未取代的芳氧基；甲硫基、乙硫基、叔丁硫基、己硫基、辛硫基、三氟甲硫基等取代或未取代的烷硫基；苯硫基、对硝基苯硫基、对叔丁基苯硫基、3-氟代苯硫基、五氟代苯硫基、3-三氟甲基苯硫基等取代或未取代的芳硫基；氰基、硝基、氨基、甲胺基、二乙胺基、乙胺基、二乙胺基、二丙胺基、二丁胺基、二苯胺基等一或二取代氨基；二(乙酰氧基甲基)氨基、二(乙酰氧基乙基)氨基、二(乙酰氧基丙基)氨基、二(乙酰氧基丁基)氨基等酰基氨基；羟基、甲硅烷氧基、酰基、甲基氨基甲酰基、二甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、二乙基氨基甲酰基、丙基氨基甲酰基、丁基氨基甲酰基、苯基氨基甲酰基等氨基甲酰基；羧酸基、磺酸基、酰亚胺基、环戊基、环己基等环烷基；苯基、萘基、联苯基、蒽基、菲基、芴基、芘基等芳基；吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、吲哚满基、喹啉基、吖啶基、吡咯烷基、二噁烷基、哌啶基、吗啉二(モルフオリジニル)基、哌嗪基、トリアチニル基、咔唑基、呋喃基、苯硫基、噁唑基、噁二唑基、苯并噁唑基、噻唑基、噻二唑基、苯并噻唑基、三唑基、咪唑基、苯并咪唑基、プラニル基等杂环基等。另外，也可以以上取代基之间相互结合进一步形成6元芳环或杂环。
在输送电子的区域或阴极和有机层的界面区域，也可以含有还原性掺杂剂。在此，所谓的还原性掺杂剂，是指可以将电子输送性化合物还原的物质。因而，只要是具有一定的还原性的物质都可以使用，例如，可以适当地使用选自由碱金属、碱土类金属、稀土类金属、碱金属的氧化物、碱金属的卤化物、碱土类金属的氧化物、碱土类金属的卤化物、稀土类金属的氧化物或稀土类金属的卤化物、碱金属的有机络合物、碱土类金属的有机络合物、稀土类金属的有机络合物构成的一组中的至少一种物质。
另外，更具体来讲，优选的还原性掺杂剂例如有：选自由Na(功函数：2.36eV)、K(功函数：2.28eV)、Rb(功函数：2.16eV)及Cs(功函数：1.95eV)构成的一组中的至少一种碱金属；Ca(功函数：2.9eV)、Sr(功函数：2.0～2.5eV)及Ba(功函数：2.52eV)构成的一组中的至少一种碱土类金属。特别优选功函数为2.9eV以下的物质。这些物质中，更优选的还原性掺杂剂为选自由K、Rb及Cs构成的一组中的至少一种碱金属，进一步优选Rb或Cs，最优选为Cs。这些碱金属的还原能力特别高，通过向电子注入层的比较少量的添加，可以提高有机EL元件中的发光亮度和延长其寿命。另外，作为功函数为2.9eV以下的还原性掺杂剂，也优选这些两种以上的碱金属的组合，特别优选包含Cs的组合，例如：Cs和Na、Cs和K、Cs和Rb或Cs和Na和K的组合。通过包含Cs进行组合，可以有效地发挥其还原能力，通过向电子注入层的添加，可以提高有机EL元件中的发光亮度和延长其寿命。
在本发明中，可以在阴极和有机层之间进一步设置由绝缘体、半导体构成的电子注入层。这时，可以有效地防止电流的泄漏，提高电子注入性。这样的绝缘体优选使用由碱金属硫属化合物、碱土类金属硫属化合物、碱金属的卤化物及碱土类金属的卤化物构成的一组中的至少一种金属化合物。电子注入层只要是由这些碱金属硫属化合物等构成的，就可以进一步提高电子注入性，故优选。具体来讲，优选的碱金属硫属化合物例如有：Li2O、LiO、Na2S、Na2Se及NaO，优选的碱土类金属硫属化合物例如有：CaO、BaO、SrO、BeO、BaS及CaSe。另外，优选的碱金属的卤化物例如有：LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及NaCl等。另外，优选的碱土类金属的卤化物例如有：CaF2、BaF2、SrF2、MgF2及BeF2等氟化物和氟化物以外的卤化物。
另外，构成电子输送层的半导体例如有：包含Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及Zn的至少一种元素的氧化物、氮化物或氧化氮化物等的单独一种或两种以上的组合。另外，构成电子输送层的无机化合物，优选微结晶或非晶质的绝缘性薄膜。电子输送层只要是由这些绝缘性薄膜构成的，由于可以形成更均匀的薄膜，因此，可以减少黑点等图像缺陷。需要说明的是，作为这样的无机化合物例如有：上述的碱金属硫属化合物、碱土类金属硫属化合物、碱金属的卤化物及碱土类金属的卤化物等。
电子注入层或电子输送层的膜厚，没有特别限制，但优选为1～100nm。
离阴极最近的有机层还可以含有还原剂。优选的还原剂为：碱金属、碱土类金属、碱金属氧化物、碱土类氧化物、稀土类氧化物、碱金属卤化物、碱土类卤化物、稀土类卤化物、由碱金属和芳香族化合物形成的络合物。特别优选的碱金属为Cs、Li、Na、K。
(3)无机化合物层
也可以邻接阳极及/或阴极而形成无机化合物层。无机化合物层具有作为附着改善层的功能。使用于无机化合物层的优选无机化合物，例如有：碱金属氧化物、碱土类氧化物、稀土类氧化物、碱金属卤化物、碱土类卤化物、稀土类卤化物、氧化硅、氧化铝、氧化锗、氧化锂、氧化钛、氧化钽、氮化硅、氮化钽、SiON、AlON、LiON、TiON、TaON、C等、各种氧化物、氮化物、氧化氮化物。特别是作为邻接阳极的层的成分，氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锗、SiON、AlON、C形成稳定的注入界面层，故优选。另外，特别是邻接阴极的层的成分，优选LiF、MgF2、CaF2、MgF2、NaF。无机化合物层的膜厚，没有特别限制，但优选为0.1nm～100nm。
在阳极和蓝色系发光层之间、或黄色～橙色或红色系发光层和阴极之间，可以使另外的有机层或无机层介于中间存在。中介层只要是可以输送电子和空穴且透明的，就没有特别限制。优选的实例有：氧化In、氧化Sn、氧化Zn、硫化Zn、硫化Cd、氮化Ga或这些的混合物。
形成包含发光层的各有机层及无机化合物层的方法，没有特别限制，可以适当使用例如蒸镀法、旋涂法、浇铸法、LB法等公知的方法。另外，从得到的有机EL元件的特性均匀、而且可以缩短制造时间方面考虑，优选电子注入层和发光层用同一种方法来形成，例如，将电子注入层用蒸镀法进行制膜时，优选发光层也用蒸镀法进行制膜。
(4)电极
优选使用功函数大的(例如，4.0eV以上)金属、合金、电传导性化合物或这些的混合物作为阳极。具体来讲，可以使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物、锡、氧化锌、金、铂、钯等的单独一种或两种以上的组合。
另外，阳极的厚度也没有特别限制，但优选设定为10～1,000nm的范围内的值，更优选设定为10～200nm的范围内的值。
优选使用功函数小的(例如，低于4.0eV)金属、合金、电传导性化合物或这些的混合物作为阴极。具体来讲，可以使用镁、铝、铟、锂、钠、银等的单独一种或两种以上的组合。另外，阴极的厚度也没有特别限制，但优选设定为10～1000nm的范围内的值，更优选设定为10～200nm的范围内的值。优选阳极或阴极的至少一方实质上是透明的，更具体来讲，优选其光透过率为10％以上的值，以使从发光层放射出的光可以有效地取出到外部。
电极可以利用真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、电子束蒸镀法、CVD法、MOCVD法、等离子CVD法等来形成。
实施例
下面，对本发明的实施例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
需要说明的是，各例中得到的有机EL元件的初期性能利用下述方法进行测定。
(1)色度
施加规定的电压，测定CIE1931色度坐标。
(2)发光效率
对元件施加规定的电压，用ミノルタ制亮度计CS-100测定亮度，同时用ケ一スレ一制电流计测定电流值。由这些测定值来算出。
实施例1
将25mm×75mm×1.1mm厚的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(ジオマテイツク社制)在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟。
将清洗后的带透明电极线的玻璃基板装载在真空蒸镀装置的基板座上，首先，在形成有透明电极线的一侧的面上，覆盖所述透明电极来形成膜厚60nm的N，N’-二(N，N’-二苯基-4-胺苯基)-N，N-二苯基-4，4’-二氨基-1，1’-联苯膜(以下略记为“TPD232膜”)。该TPD232膜具有空穴注入层的功能。
在形成TPD232膜后，在该TPD232膜上形成膜厚20nm的4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯胺基]联苯膜(以下略记为“NPD膜”)。该NPD膜具有空穴输送层的功能。
而且，在形成NPD膜后，将作为宿主材料的式[29]表示的苯乙烯衍生物(DPVDPAN)和作为掺杂剂的式[30]表示的B1按40∶1的重量比进行蒸镀成膜，作成膜厚10nm的层作为第一发光层。该第一发光层进行蓝色发光。
然后，将作为宿主材料的式[31]表示的CBP和作为掺杂剂的式[32]表示的铱络合物按30∶1.5的重量比进行蒸镀成膜，作成膜厚40nm的层作为第二发光层。该第二发光层进行红色发光。
[化23]
Figure A20058000875600311
Figure A20058000875600321
在该膜上，形成作为电子输送层的膜厚10nm的三(8-羟基喹啉)铝膜(以下略记为“Alq膜”。式[33])。其后，使Li(Li源：サエスゲツタ一社制)和Alq进行二元蒸镀，形成作为电子注入层的10nm的Alq:Li膜。在该Alq:Li膜上使金属Al蒸镀150nm形成金属阴极，形成有机EL发光元件。
该元件的初期性能为：直流电压为8.5V时发光亮度为95cd/m2，效率为14cd/A。另外，该元件在CIE1931色度坐标上(x，y)＝(0.281，0.282)，确认为白色。
在实施例1及后述的实施例2-3、比较例1制作而成的有机EL元件的初期亮度及色度坐标的测定结果如表1所示。
                   表1
  初期色度(x，y)   发光功率(cd/A)
  实施例1   (0.281，0.282)   14
  实施例2   (0.293，0.282)   13
  实施例3   (0.292，0.280)   16
  实施例4   (0.290，0.280)   15
  比较例1   (0.282，0.281)   7
实施例2
使用式[34]表示的化合物来替代CBP，除此以外，其余和实施例1同样操作，作成元件。
该元件的初期性能为：直流电压为7.5V时发光亮度为100cd/m2，效率为13cd/A。另外，该元件在CIE1931色度坐标上(x，y)＝(0.293，0.282)，确认为白色。
[化24]
Figure A20058000875600331
实施例3
使用式[35]和式[36]表示的化合物来替代式[31]和式[32]表示的宿宿主化合物和掺杂剂化合物，除此以外，其余和实施例1同样操作，作成元件。
该元件在直流电压为7.3V时，发光亮度为100cd/m2，效率为16cd/A。用本材料制作而成的元件在CIE1931色度坐标上(x，y)＝(0.292，0.280)，确认为白色。
[化25]
Figure A20058000875600332
实施例4
将25mm×75mm×1.1mm厚的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(ジオマテイツク社制)在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟。
将清洗后的带透明电极线的玻璃基板装载在真空蒸镀装置的基板座上，首先，在形成透明电极线的一侧的面上，覆盖所述透明电极而形成膜厚60nm的TPD232膜。该TPD232膜具有空穴注入层的功能。
在形成TPD232膜后，在该TPD232膜上形成膜厚20nm的NPD膜。该NPD膜具有空穴输送层的功能。
在形成NPD膜后，将作为宿主材料的式[37]表示的化合物和作为掺杂剂的式[38]表示的铱络合物按40∶3的重量比进行蒸镀成膜，作成膜厚30nm的层作为第二发光层。该第二发光层进行蓝色发光。
然后，将作为宿主材料的苯乙烯衍生物DPVDPAN和作为掺杂剂的式[39]表示的R1(荧光峰值波长为545nm)按40∶1的重量比进行蒸镀成膜，作成膜厚30nm的层作为第一发光层。该第一发光层进行黄色～红色发光。
在该膜上，形成作为电子输送层的膜厚10nm的Alq膜。其后，使Li(Li源：サエスゲツタ一社制)和Alq进行二元蒸镀，形成作为电子注入层的10nm的Alq:Li膜。在该Alq:Li膜上使金属Al蒸镀150nm形成金属阴极，形成有机EL发光元件。
该元件的初期性能为：在直流电压为7.6V时发光亮度为100cd/m2，效率为15cd/A。另外，该元件在CIE1931色度坐标上(x，y)＝(0.290，0.280)，确认为白色。
[化26]
Figure A20058000875600341
比较例1
将25mm×75mm×1.1mm厚的带ITO透明电极(阳极)的玻璃基板(ジオマテイツク社制)在异丙醇中进行超声波清洗5分钟后，进行UV臭氧清洗30分钟。
将清洗后的带透明电极线的玻璃基板装载在真空蒸镀装置的基板座上，首先，在形成有透明电极线的一侧的面上，覆盖所述透明电极而形成膜厚60nm的TPD232膜。该TPD232膜具有空穴注入层的功能。在形成TPD232膜后，在该TPD232膜上形成膜厚20nm的NPD膜。该NPD膜具有空穴输送层的功能。
在形成NPD膜后，以膜厚10nm将式[29]表示的苯乙烯衍生物DPVDPAN和式[30]表示的B1按40∶1的重量比进行蒸镀成膜，作成蓝色发光层。
然后，以膜厚30nm将苯乙烯衍生物DPVDPAN和式[39]表示的R1(荧光峰值波长为545nm)按40∶1的重量比进行蒸镀成膜，作成黄色～红色系发光层。
如上所述在本例中，在两层发光层的两层使用有荧光性掺杂剂。
在黄色～红色系发光层上，形成作为电子输送层的膜厚10nm的Alq膜。再使Li(Li源：サエスゲツタ一社制)和Alq进行二元蒸镀，形成作为电子注入层的10nm的Alq:Li膜。在该Alq:Li膜上使金属Al蒸镀150nm形成金属阴极，形成有机EL发光元件。
该元件的初期性能为：在直流电压为8.3V时发光亮度为99cd/m2，效率为7cd/A。另外，该元件在CIE1931色度坐标上(x，y)＝(0.282，0.281)，确认为白色。
由表1记载的结果可知，本发明的有机EL元件，由于可以使两个发光层的双方都有效地发光，因此，与比较例1相比，可以确认其发光效率非常优良。
工业应用的可能性
本发明的有机EL元件，可以适用于信息显示设备、车载显示设备等显示装置及照明器具等。

Claims (10)

1、一种有机电致发光元件，至少将阳极层、有机发光层及阴极层按照该顺序层叠而成，其中，所述有机发光层至少层叠有包含荧光性掺杂剂的第一发光层和包含磷光性掺杂剂的第二发光层。
2、如权利要求1所述的有机电致发光元件，所述第一发光层比第二发光层更靠近阳极侧。
3、如权利要求1所述的有机电致发光元件，所述第一发光层比第二发光层更靠近阴极侧。
4、如权利要求1所述的有机电致发光元件，所述第一发光层的宿主材料包含电子输送性化合物或空穴输送性化合物，所述第二发光层的宿主材料包含电子输送性化合物或空穴输送性化合物。
5、如权利要求4所述的有机电致发光元件，所述电子输送性化合物的电子迁移率为10-5cm2/V·s以上。
6、如权利要求4所述的有机电致发光元件，所述空穴输送性化合物的空穴迁移率为10-4cm2/V·s以上。
7、如权利要求1～6任一项所述的有机电致发光元件，所述第一发光层的发光是蓝色区域的发光、黄色～橙色或红色区域的发光。
8、如权利要求1～6任一项所述的有机电致发光元件，所述第二发光层的发光是蓝色区域的发光、黄色～橙色或红色区域的发光。
9、如权利要求1～6任一项所述的有机电致发光元件，其进行白色发光。
10、一种显示装置，包含权利要求1～6任一项所述的有机电致发光元件而构成。
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