JP2022051817A - 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
本明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
(項目1)
光電子デバイスであって、
第1の領域と、第2の領域とを含む、基板と、
前記基板の第2の領域を被覆する、伝導性コーティングと、
を備え、前記基板の第1の領域は、前記伝導性コーティングから露出され、前記基板の第1の領域に隣接する前記伝導性コーティングの縁は、20度を上回る接触角を有する、
光電子デバイス。
(項目2)
前記接触角は、50度を上回る、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目3)
前記接触角は、90度を上回る、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目4)
前記接触角は、少なくとも100度である、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目5)
前記伝導性コーティングの厚さは、前記伝導性コーティングの縁に向かってテーパ状になる、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目6)
前記伝導性コーティングは、前記伝導性コーティングの縁に隣接する凸状または凹状外形を伴ってテーパ状になる、項目5に記載の光電子デバイス。
(項目7)
前記基板の第1の領域を被覆する、核形成阻害コーティングをさらに備える、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目8)
前記核形成阻害コーティングは、
(a)2-(4-tert-ブチルフェニル)-5-(4-ビフェニリル)-1,3,4-オキサジアゾール、
(b)2-(4-ビフェニリル)-5-フェニル-1,3,4-オキサジアゾール、
(c)1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン、
(d)3-(4-ビフェニル)-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール、
(e)N,N’-ジフェニル-N,N’-ジ(2-ナフチル)-(1,1’-ビフェニル)-4,4’-ジアミン、
(f)4-(1-ナフタレニル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(g)3,5-ビス[4-(1,1-ジメチルエチル)フェニル]-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(h)2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾール、
(i)2-tert-ブチル-9,10-ジ(ナフト-2-イル)アントラセン、
(j)4,4’-ビス(N-カルバゾリル)-1,1’-ビフェニル、
(k)ビス(2-メチル-8-キノリノラート)-4-(フェニルフェノラト)アルミニウム、
(l)9-[1,1’-ビフェニル]-3-イル-9H-カルバゾール、
(m)トリス[2-フェニルピリジナト-C 2 ,N]イリジウム(III)、もしくは
(n)それらの2つ以上の組み合わせを含む、
項目7に記載の光電子デバイス。
(項目9)
前記核形成阻害コーティングは、
(a)1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン、
(b)3-(4-ビフェニル)-4-フェニル-5-tert-ブチルフェニル-1,2,4-トリアゾール、
(c)4-(1-ナフタレニル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(d)3,5-ビス[4-(1,1-ジメチルエチル)フェニル]-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(e)ビス(2-メチル-8-キノリノラート)-4-(フェニルフェノラト)アルミニウム、もしくは
(f)それらの2つ以上の組み合わせを含む、
項目7に記載の光電子デバイス。
(項目10)
前記核形成阻害コーティングは、
(a)1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン、
(b)4-(1-ナフタレニル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(c)3,5-ビス[4-(1,1-ジメチルエチル)フェニル]-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、もしくは
(d)それらの2つ以上の組み合わせを含む、
項目7に記載の光電子デバイス。
(項目11)
前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含む、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目12)
前記基板の第1の領域は、放射領域を含み、前記基板の第2の領域は、非放射領域を含む、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目13)
前記光電子デバイスは、有機発光ダイオード(OLED)デバイスである、項目1に記載の光電子デバイス。
(項目14)
前記基板は、少なくとも1つの有機層と、電極とを含み、前記電極は、前記有機層にわたって配置され、前記伝導性コーティングは、前記電極にわたって配置される、項目13に記載の光電子デバイス。
(項目15)
基板と、
前記基板の第1の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、
前記基板の側方に隣接する第2の領域を被覆する、伝導性コーティングと、
を備え、前記核形成阻害コーティングの表面は、前記伝導性コーティングの材料に対して、前記表面の拡散活性化エネルギーを上回るかまたはそれと等しい、かつ前記表面の拡散活性化エネルギーの2.5倍未満であるかまたはそれと等しい、脱着活性化エネルギーを有するとして特徴付けられる、
光電子デバイス。
(項目16)
前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーの2倍未満であるかまたはそれと等しい、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目17)
前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーの1.5倍未満であるかまたはそれと等しい、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目18)
前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の解離活性化エネルギーの5倍未満であるかまたはそれと等しい、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目19)
前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の解離活性化エネルギーの2倍未満であるかまたはそれと等しい、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目20)
前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーのα倍未満であるかまたはそれと等しく、前記表面の拡散活性化エネルギーのα倍は、前記表面の解離活性化エネルギーのβ倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内であり、βは、2~5の範囲内である、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目21)
αは、1.5~2の範囲内である、項目20に記載の光電子デバイス。
(項目22)
βは、2.5~3.5の範囲内である、項目20または21に記載の光電子デバイス。
(項目23)
前記表面の脱着活性化エネルギーと前記表面の拡散活性化エネルギーとの間の差異は、0.5eV未満であるかまたはそれと等しい、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目24)
前記伝導性コーティングの材料は、マグネシウムを含む、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目25)
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合される少なくとも1つの末端部分とを含む、有機化合物を含む、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目26)
前記核部分は、複素環部分を含む、項目25に記載の光電子デバイス。
(項目27)
前記核部分は、金属原子を含む、項目25に記載の光電子デバイス。
(項目28)
前記核部分は、環状炭化水素部分を含む、項目25に記載の光電子デバイス。
(項目29)
前記末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、項目25、26、27、または28に記載の光電子デバイス。
(項目30)
前記末端部分は、tert-ブチルフェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、項目25、26、27、または28に記載の光電子デバイス。
(項目31)
前記伝導性コーティングの厚さは、前記伝導性コーティングと前記核形成阻害コーティングとの間の界面に向かってテーパ状になる、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目32)
前記光電子デバイスは、OLEDデバイスである、項目15に記載の光電子デバイス。
(項目33)
光電子デバイスの製造方法であって、
基板および前記基板の第1の領域を被覆する核形成阻害コーティングを提供するステップと、
前記基板の第2の領域を被覆する伝導性コーティングを堆積させるステップと、
を含み、前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含み、前記核形成阻害コーティングの表面は、マグネシウムに対して、脱着活性化エネルギーが拡散活性化エネルギーを上回るかまたはそれと等しい、かつ前記拡散活性化エネルギーの2.5倍未満であるかまたはそれと等しい、前記脱着活性化エネルギーと前記拡散活性化エネルギーとの間の関係を有するとして特徴付けられる、製造方法。
(項目34)
前記脱着活性化エネルギーは、前記拡散活性化エネルギーのα倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内である、項目33に記載の製造方法。
(項目35)
αは、1.5~2の範囲内である、項目34に記載の製造方法。
(項目36)
前記拡散活性化エネルギーのα倍は、解離活性化エネルギーのβ倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内であり、βは、2~5の範囲内である、項目33に記載の製造方法。
(項目37)
αは、1.5~2の範囲内であり、βは、2.5~3.5の範囲内である、項目36に記載の製造方法。
(項目38)
前記脱着活性化エネルギーと前記拡散活性化エネルギーとの間の関係を満たすとして前記核形成阻害コーティングの材料を識別するステップをさらに含む、項目33に記載の製造方法。
(項目39)
前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合される少なくとも1つの末端部分とを含む、有機化合物を含み、前記末端部分は、tert-ブチルフェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、項目33に記載の製造方法。
(項目40)
前記核部分は、複素環部分または環状炭化水素部分を含む、項目39に記載の製造方法。
(項目41)
前記核形成阻害コーティングは、
(a)1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン、
(b)4-(1-ナフタレニル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(c)3,5-ビス[4-(1,1-ジメチルエチル)フェニル]-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、もしくは
(d)それらの2つ以上の組み合わせを含む、
項目33に記載の製造方法。
(項目42)
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の第2の領域の両方を処理することであって、前記基板の第2の領域にわたって前記伝導性コーティングを堆積させることを含む、項目33に記載の製造方法。
(項目43)
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の前記第2の領域の両方を蒸発したマグネシウムに暴露し、前記基板の第2の領域にわたって前記伝導性コーティングを堆積させることを含む、項目33に記載の製造方法。
(項目44)
前記伝導性コーティングを堆積させるステップは、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに実施される、項目33に記載の製造方法。
式中、
は、基板と蒸気との間の界面張力に対応し、
は、膜と基板との間の界面張力に対応し、
は、蒸気と膜との間の界面張力に対応し、
は、膜核接触角である。図37は、上記のヤングの方程式で表される種々のパラメータの間の関係を図示する。
は、表面上の吸着原子の振動周波数であり、
は、ボルツマン定数であり、
は、温度であり、
は、表面から吸着原子を脱着させるために関与するエネルギーである。本方程式から、
の値が低いほど、吸着原子が表面から脱着することがより容易であり、故に、吸着原子が表面上に残留するであろう時間がより短くなることに留意されたい。吸着原子が拡散し得る平均距離は、以下によって求められる。
式中、
は、格子定数であり、
は、表面拡散のための活性化エネルギーである。
の低い値および/または
の高い値に関して、吸着原子は、脱着する前により短い距離に拡散し、故に、成長する核に付着する、または別の吸着原子もしくは吸着原子のクラスタと相互作用する可能性が低い。
式中、
は、
個の吸着原子を含有する臨界クラスタを別個の吸着原子に解離するために関与するエネルギーであり、
は、吸着部位の全密度であり、
は、以下によって求められる単量体密度である。
式中、
は、蒸気衝突速度である。典型的には、
は、堆積されている材料の結晶構造に依存し、安定した核を形成するための臨界クラスタサイズを判定するであろう。
を増加させ、そのような部位において観察される核のより高い密度につながり得る。また、表面上の不純物または汚染もまた、
を増加させ、核のより高い密度につながり得る。高真空条件下で行われる蒸着プロセスに関して、表面上の汚染物質のタイプおよび密度は、真空圧およびその圧力を構成する残留ガスの組成によって影響を受ける。
式中、
は、圧力であり、
は、分子量である。したがって、H2O等の反応性ガスのより高い分圧は、蒸着中の表面上の汚染のより高い密度につながり、
の増加、故に、核のより高い密度につながり得る。
式中、
は、表面上に残留する(例えば、膜に組み込まれる)吸着された単量体の数であり、
は、表面上の衝突する単量体の総数である。1に等しい付着確率は、表面に衝突する全ての単量体が吸着され、続いて、成長する膜に組み込まれることを示す。0に等しい付着確率は、表面に衝突する全ての単量体が脱着され、続いて、いかなる膜も表面上に形成されないことを示す。種々の表面上の金属の付着確率は、Walker et al., J. Phys. Chem. C 2007, 111, 765 (2006)によって説明されるような二重水晶振動子マイクロバランス(QCM)技法等の付着確率を測定する種々の技法を使用して、評価されることができる。
が、したがって、任意の有意数の臨界核の形成に先立って、表面の付着確率として規定されることができる。初期付着確率の1つの測定値は、材料の堆積の初期段階中の材料に関する表面の付着確率を伴うことができ、表面を横断する堆積された材料の平均厚さは、閾値にある、またはそれを下回る。いくつかの実施形態の説明では、初期付着確率の閾値は、1nmとして規定されることができる。平均付着確率が、次いで、以下によって求められる。
式中、
は、島によって被覆される面積の付着確率であり、
は、島によって被覆される基板表面の面積の割合である。
式中、点線は、ビフェニリル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、(I-a)、(I-b)、および(I-c)によって表されるビフェニリル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの1つまたはそれを上回るものを1つまたはそれを上回る置換基に取って代わらせることによって、置換され得る。(I-a)、(I-b)、および(I-c)によって表される部分では、RaおよびRbは、1つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Raは、一、二、三、または四置換を表し得、Rbは、一、二、三、四、または五置換を表し得る。例えば、1つまたはそれを上回る置換基RaおよびRbは、ジュウテロ、フルオロ、C1-C4アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびそれらの任意の組み合わせを含む、アルキルから独立して選択され得る。特に、1つまたはそれを上回る置換基RaおよびRbは、メチル、エチル、t-ブチル、トリフルオロメチル、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、t-ブチルフェニル、ビフェニリル、メチルビフェニリル、ジメチルビフェニリル、トリメチルビフェニリル、t-ブチルビフェニリル、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、トリフルオロフェニル、ポリフルオロフェニル、フルオロビフェニリル、ジフルオロビフェニリル、トリフルオロビフェニリル、およびポリフルオロビフェニリルから独立して選択され得る。特定の理論によって拘束されることを所望するわけではないが、表面上の露出ビフェニリル部分の存在は、表面エネルギー(例えば、脱着エネルギー)を調節または調整し、マグネシウム等の伝導性材料の堆積に向かった表面の親和性を低下させる役割を果たしてもよい。マグネシウムの堆積を阻害するための表面エネルギーの類似調整を生じさせる、他の部分および材料が、核形成阻害コーティングを形成するために使用されてもよい。
式中、点線は、フェニリル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、(I-d)によって表されるフェニル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの1つまたはそれを上回るものを1つまたはそれを上回る置換基に取って代わらせることによって、置換され得る。(I-d)によって表される部分では、Rcは、1つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Rcは、一、二、三、四、または五置換を表し得る。1つまたはそれを上回る置換基Rcは、ジュウテロ、フルオロ、C1-C4アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびそれらの任意の組み合わせを含む、アルキルから独立して選択され得る。特に、1つまたはそれを上回る置換基Rcは、メチル、エチル、t-ブチル、フルオロメチル、ビフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロエチル、およびポリフルオロエチルから独立して選択され得る。
式中、点線は、t-ブチルフェニル部分と核部分との間に形成される結合を示す。一般に、(I-e)、(I-f)、および(I-g)によって表されるt-ブチルフェニル部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの1つまたはそれを上回るものを1つまたはそれを上回る置換基に取って代わらせることによって、置換され得る。(I-e)、(I-f)、および(I-g)によって表される部分では、Rfは、1つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Rfは、一、二、三、または四置換を表し得る。例えば、1つまたはそれを上回る置換基Rfは、ジュウテロ、フルオロ、C1-C4アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびそれらの任意の組み合わせを含む、アルキルから独立して選択され得る。特に、1つまたはそれを上回る置換基Rfは、メチル、エチル、t-ブチル、トリフルオロメチル、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、t-ブチルフェニル、ビフェニリル、メチルビフェニリル、ジメチルビフェニリル、トリメチルビフェニリル、t-ブチルビフェニリル、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、トリフルオロフェニル、ポリフルオロフェニル、フルオロビフェニリル、ジフルオロビフェニリル、トリフルオロビフェニリル、およびポリフルオロビフェニリルから独立して選択され得る。上記に加えて、t-ブチル基のメチル基のうちのいずれかは、随意に、重水素化メチルまたはフッ素によって置換され得る。いかなる特定の理論によっても拘束されることを所望するわけではないが、上記に示されるt-ブチルフェニル部分(I-e)、(I-f)、および(I-g)の間で、構造(I-e)は、いくつかの用途において特に望ましくあり得ることが仮定される。さらに、t-ブチル基がパラ配位でフェニル部分上に置換される、構造(I-e)は、概して、合成経路中に存在し得る核および他の末端部分の存在によって引き起こされる、最小立体障害を被るt-ブチル基に起因して、構造(I-f)および(I-g)と比較してより容易に合成されることが仮定される。
式中、X11~X15およびX21~X25は、C(CHを含む)またはNから独立して選択される。いくつかの実施形態では、例えば、共有結合または配位結合を含む、結合が、X11~X15のうちのいずれか1つと核部分との間に形成されてもよい。他の実施形態では、例えば、共有結合または配位結合を含む、結合が、X21~X25のうちのいずれか1つと核部分との間に形成されてもよい。さらに別の実施形態では、結合が、X11~X15のうちのいずれか1つと核部分との間に形成されてもよく、付加的結合が、X21~X25のうちのいずれか1つと核部分との間に形成されてもよい。例えば、金属錯体等の錯体の場合、2つまたはそれを上回る結合が、部分(I-h)と核部分との間に形成されてもよい。一般に、(I-h)によって表される部分は、非置換であり得る、またはその水素原子のうちの1つまたはそれを上回るものを1つまたはそれを上回る置換基に取って代わらせることによって、置換され得る。(I-h)によって表される部分では、RdおよびReは、1つまたはそれを上回る置換基の随意の存在を独立して表し、Rdは、一、二、三、四、または五置換を表し得、Reは、一、二、三、四、または五置換を表し得る。例えば、1つまたはそれを上回る置換基RdおよびReは、ジュウテロ、フルオロ、C1-C4アルキル、シクロアルキル、アリールアルキル、シリル、アリール、ヘテロアリール、フルオロアルキル、およびそれらの任意の組み合わせを含む、アルキルから独立して選択され得る。特に、1つまたはそれを上回る置換基RdおよびReは、メチル、エチル、t-ブチル、トリフルオロメチル、フェニル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、t-ブチルフェニル、ビフェニリル、メチルビフェニリル、ジメチルビフェニリル、トリメチルビフェニリル、t-ブチルビフェニリル、フルオロフェニル、ジフルオロフェニル、トリフルオロフェニル、ポリフルオロフェニル、フルオロビフェニリル、ジフルオロビフェニリル、トリフルオロビフェニリル、およびポリフルオロビフェニリルから独立して選択され得る。
、マグネシウム吸着原子の拡散のための高い活性化エネルギー
、または両方を呈することが仮定される。このようにして、下記の方程式に従って判定される臨界核形成速度
は、マグネシウムの蒸気衝突速度
が増加されるときでさえも比較的に低いままであり、したがって、マグネシウムの堆積を実質的に阻害する。
of Thin Films, 2, 1, Structural Disorder Phenomena in Thin Metal Filmsで報告されている。
式中、αは、約1.1~約2.5の範囲内から選択される任意の数であってもよく、βは、約2~約5の範囲内から選択される任意の数であってもよい。いくつかのさらなる実施形態では、αは、約1.5~約2の範囲内から選択される任意の数であってもよく、βは、約2.5~約3.5の範囲内から選択される任意の数であってもよい。別のさらなる実施形態では、αは、約1.75であるように選択され、βは、約3であるように選択される。前述の関係を満たす好適な材料が、核形成阻害コーティングを堆積させるために識別および選択されることができる。
式中、以下の方程式に従って計算されるΔEs-iは、以下の方程式では、約0.3eV未満またはそれと等しい、約0.25eV未満またはそれと等しい、約0.2eV未満またはそれと等しい、約0.15eV未満またはそれと等しい、約0.1eV未満またはそれと等しい、もしくは約0.05eV未満またはそれと等しい。
Claims (31)
- 基板と、
前記基板の第1の領域を被覆する、核形成阻害コーティングと、
前記基板の側方に隣接する第2の領域を被覆する、伝導性コーティングと、
を備え、前記核形成阻害コーティングの表面は、前記伝導性コーティングの材料に対して、前記表面の拡散活性化エネルギーを上回るかまたはそれと等しい、かつ前記表面の拡散活性化エネルギーの2.5倍未満であるかまたはそれと等しい、脱着活性化エネルギーを有するとして特徴付けられる、
光電子デバイス。 - 前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーの2倍未満であるかまたはそれと等しい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーの1.5倍未満であるかまたはそれと等しい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の解離活性化エネルギーの5倍未満であるかまたはそれと等しい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の解離活性化エネルギーの2倍未満であるかまたはそれと等しい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記表面の脱着活性化エネルギーは、前記表面の拡散活性化エネルギーのα倍未満であるかまたはそれと等しく、前記表面の拡散活性化エネルギーのα倍は、前記表面の解離活性化エネルギーのβ倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内であり、βは、2~5の範囲内である、請求項1に記載の光電子デバイス。
- αは、1.5~2の範囲内である、請求項6に記載の光電子デバイス。
- βは、2.5~3.5の範囲内である、請求項6または7に記載の光電子デバイス。
- 前記表面の脱着活性化エネルギーと前記表面の拡散活性化エネルギーとの間の差異は、0.5eV未満であるかまたはそれと等しい、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記伝導性コーティングの材料は、マグネシウムを含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合される少なくとも1つの末端部分とを含む、有機化合物を含む、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記核部分は、複素環部分を含む、請求項11に記載の光電子デバイス。
- 前記核部分は、金属原子を含む、請求項11に記載の光電子デバイス。
- 前記核部分は、環状炭化水素部分を含む、請求項11に記載の光電子デバイス。
- 前記末端部分は、ビフェニリル部分、フェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、請求項11、12、13、または14に記載の光電子デバイス。
- 前記末端部分は、tert-ブチルフェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、請求項11、12、13、または14に記載の光電子デバイス。
- 前記伝導性コーティングの厚さは、前記伝導性コーティングと前記核形成阻害コーティングとの間の界面に向かってテーパ状になる、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 前記光電子デバイスは、OLEDデバイスである、請求項1に記載の光電子デバイス。
- 光電子デバイスの製造方法であって、
基板および前記基板の第1の領域を被覆する核形成阻害コーティングを提供することと、
前記基板の第2の領域を被覆する伝導性コーティングを堆積させることと、
を含み、前記伝導性コーティングは、マグネシウムを含み、前記核形成阻害コーティングの表面は、マグネシウムに対して、脱着活性化エネルギーが拡散活性化エネルギーを上回るかまたはそれと等しい、かつ前記拡散活性化エネルギーの2.5倍未満であるかまたはそれと等しい、前記脱着活性化エネルギーと前記拡散活性化エネルギーとの間の関係を有するとして特徴付けられる、製造方法。 - 前記脱着活性化エネルギーは、前記拡散活性化エネルギーのα倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内である、請求項19に記載の製造方法。
- αは、1.5~2の範囲内である、請求項20に記載の製造方法。
- 前記拡散活性化エネルギーのα倍は、解離活性化エネルギーのβ倍未満であるかまたはそれと等しく、αは、1.1~2.5の範囲内であり、βは、2~5の範囲内である、請求項19に記載の製造方法。
- αは、1.5~2の範囲内であり、βは、2.5~3.5の範囲内である、請求項22に記載の製造方法。
- 前記脱着活性化エネルギーと前記拡散活性化エネルギーとの間の関係を満たすとして前記核形成阻害コーティングの材料を識別することをさらに含む、請求項19に記載の製造方法。
- 前記核形成阻害コーティングは、核部分と、前記核部分に結合される少なくとも1つの末端部分とを含む、有機化合物を含み、前記末端部分は、tert-ブチルフェニル部分、複素環部分、または縮合環構造を含む多環芳香族部分を含む、請求項19に記載の製造方法。
- 前記核部分は、複素環部分または環状炭化水素部分を含む、請求項25に記載の製造方法。
- 前記核形成阻害コーティングは、
(a)1,3-ビス(N-カルバゾリル)ベンゼン、
(b)4-(1-ナフタレニル)-3,5-ジフェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、
(c)3,5-ビス[4-(1,1-ジメチルエチル)フェニル]-4-フェニル-4H-1,2,4-トリアゾール、もしくは
(d)それらの2つ以上の組み合わせを含む、
請求項19に記載の製造方法。 - 前記伝導性コーティングを堆積させることは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の第2の領域の両方を処理することにより、前記基板の第2の領域にわたって前記伝導性コーティングを堆積させることを含む、請求項19に記載の製造方法。
- 前記伝導性コーティングを堆積させることは、前記核形成阻害コーティングの少なくとも一部が前記伝導性コーティングから露出されたままである間に、前記核形成阻害コーティングおよび前記基板の前記第2の領域の両方を蒸発したマグネシウムに暴露し、前記基板の第2の領域にわたって前記伝導性コーティングを堆積させることを含む、請求項19に記載の製造方法。
- 前記伝導性コーティングを堆積させることは、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに実施される、請求項19に記載の製造方法。
- 本明細書に記載の新規性および進歩性を有する発明。
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