JP2013258144A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】発光する少なくとも一つの発光領域を含む第1領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第2領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、ピクセル間に配置される第3領域と、各ピクセルの発光領域にそれぞれ配置される複数の第1電極と、少なくとも第1電極を覆う発光層と、第1領域及び第3領域に配置された第1補助層と、第1補助層上に形成され、第1領域及び第3領域に配置された第2電極と、第2電極を覆い、第1領域及び第2領域に配置され、第3領域には配置されない第2補助層と、第2電極上に形成され、第3領域に配置される第3電極と、を備える有機発光表示装置。
【選択図】図7
Description
ニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−
N,N’−ジフェニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD
[4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を
含む。
ニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−
N,N’−ジフェニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD
[4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を
含む。
ニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−
N,N’−ジフェニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD
[4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を
含む。
ニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−
N,N’−ジフェニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD
[4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を
含む。
の断面図である。各ピクセルPは、互いに隣接している赤色ピクセルPr、緑色ピクセルPg及び青色ピクセルPbを含む。
ニル)−N,N’−ジフェニル−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(TPD
)、N,N’−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニルベンジジン(α−N
PD)などで形成されうる。
Bi)、4,4’−ビス(2,2−ジ(4−メチルフェニル)−エテン−1−イル)ビフ
ェニル(p−DMDPVBi)などが使われる。
4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル]ビフェニル)、ADN(9,10−ジ(ナフ−2−チル)アントラセン)、TBADN(2−tert−ブチル−9,10−ジ(ナフト−2−イル)アントラセン)などが使われる。
、N(ジフェニル−4−イル)9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−
ナフチル)−N,N’−ジフェニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、
またはTPD[4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビ
フェニル]を含む物質で形成されうる。
2 ディスプレイ部
21 有機発光部
23 密封基板
24 密封基板
25 空間
26 密封フィルム
211 バッファ層
212 半導体活性層
213 ゲート絶縁膜
214 ゲート電極
215 階間絶縁膜
216 ソース電極
217 ドレイン電極
218 第1絶縁膜
219 第2絶縁膜
219a 開口
220 EL膜
221 第1電極
222 第2電極
222a 第2電極222のうち第1領域31及び第3領域33に配置される部分
222b 第2電極222のうち第2領域32に配置されている部分
223 第3電極
223a 第3電極223のうち第3領域33に配置されている部分
223b 第3電極223のうち第1領域31及び第2領域32に配置されている部分
t1 222aの部分の厚さ
t2 222bの部分の厚さ
t3 223aの厚さ
t4 223bの厚さ
231 第1補助層
232 第2補助層
233 第3補助層
31 第1領域
32 第2領域
33 第3領域
311 回路領域
312 発光領域
331 配線
P ピクセル
P1 第1ピクセル
P2 第2ピクセル
Pr 赤色ピクセル
Pg 緑色ピクセル
Pb 青色ピクセル
TR 薄膜トランジスタ
EL 有機発光素子
Claims (30)
- 発光する少なくとも一つの発光領域を含む第1領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第2領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルと、
前記ピクセル間に配置される第3領域と、
前記各ピクセルの前記発光領域にそれぞれ配置される複数の第1電極と、
少なくとも前記第1電極を覆う発光層と、
前記第1領域及び第3領域に配置された第1補助層と、
前記第1補助層上に形成され、前記第1領域及び第3領域に配置された第2電極と、
前記第2電極を覆い、前記第1領域及び前記第2領域に配置され、前記第3領域には配置されない第2補助層と、
前記第2電極上に形成され、前記第3領域に配置される第3電極と、を備える有機発光表示装置。 - 前記第2電極は、前記第2領域に配置されない請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2電極は前記第2領域にも配置され、前記第2電極の前記第2領域に配置されている部分の厚さは、前記第2電極の前記第1領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項1に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層は、前記第2領域には配置されない請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層は、前記第2領域にも配置される請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極は前記第1領域および第2領域にも配置され、前記第3電極の前記第1領域および第2領域に配置されている部分の厚さは、前記第3電極の前記第3領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層と前記第2補助層との間に介在し、前記第2領域に配置される第3補助層をさらに備える請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3補助層は、前記第1領域及び前記第3領域に配置されない請求項7に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極の厚さは、前記第2電極の厚さより厚い請求項1〜8のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2電極は前記第2領域にも配置され、前記第2電極の前記第2領域への接着力は、前記第2電極の前記第1領域及び第3領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項1及び3〜9のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第3電極は前記第2領域にも配置され、前記第3電極の前記第2領域への接着力は、前記第3電極の前記第3領域への接着力より弱いことを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第1補助層は、Alq3、ジ−タングステンテトラ(ヘキサヒドロピリミドピリミジン)、フラーレン、フッ化リチウム(LiF)、ADN[9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン]、8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を含む請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 前記第2補助層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N(ジフェニル−4−イル)
9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェ
ニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD[4,4’−ビス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を含む請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。 - 前記第3補助層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N(ジフェニル−4−イル)
9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェ
ニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD[4,4’−ビス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を含む請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。 - 前記第2電極及び第3電極は、Mgを含む請求項1〜14のいずれか1項に記載の有機発光表示装置。
- 発光する少なくとも一つの発光領域を含む第1領域と、外光が透過する少なくとも一つの透過領域を備える第2領域と、をそれぞれ備える複数のピクセルを定義する工程と、
前記ピクセル間に配置される第3領域を定義する工程と、
前記各ピクセルの前記発光領域に第1電極を形成する工程と、 前記第1電極を覆う発光層を形成する工程と、
前記第1領域及び第3領域に配置されるように第1補助層を形成する工程と、
前記第1補助層上に第2電極形成用金属を蒸着して、前記第1領域及び第3領域に配置されるように第2電極を形成する工程と、
前記第2電極を覆い、前記第1領域及び前記第2領域に配置され、前記第3領域には配置されないように第2補助層を形成する工程と、
前記第2電極上に第3電極形成用金属を蒸着して、前記第3領域に配置されるように第3電極を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2電極を形成する工程は、前記第1領域ないし第3領域に同時に前記第2電極形成用金属を蒸着し、前記第2電極は前記第2領域に配置されない工程を含む請求項16に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2電極を形成する工程は、前記第1領域ないし第3領域に同時に前記第2電極形成用金属を蒸着して、前記第2電極を前記第2領域にも配置する工程を含み、前記第2電極の前記第2領域に配置されている部分の厚さは、前記第2電極の前記第1領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項16に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層を形成する工程は、前記第1補助層が前記第2領域には配置されないようにパターニングする工程を含む請求項16〜18のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層を形成する工程は、第2領域に第1補助層を配置する工程を含む請求項16〜18のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3電極を形成する工程は、前記第1領域、第2領域および第3領域に同時に前記第3電極形成用金属を蒸着して、前記第3電極を前記第2領域にも配置する工程を含み、前記第3電極の前記第2領域に配置されている部分の厚さは、前記第3電極の前記第3領域に配置されている部分の厚さより薄い請求項16〜20のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層と前記第2補助層との間に介在し、前記第2領域に配置される第3補助層を形成する工程をさらに含む請求項16〜21のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3補助層を形成する工程は、前記第3補助層が前記第1領域及び前記第3領域に配置されないようにパターニングする工程を含む請求項22に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3電極は、前記第2電極より厚く形成する請求項16〜23のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2電極は前記第2領域にも配置され、前記第2電極の前記第2領域への接着力は、前記第2電極の前記第1領域及び第3領域への接着力より弱い請求項16及び18〜24のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第3電極を前記第2領域にも位置させる配置する工程を含み、前記第3電極の前記第2領域への接着力は、前記第3電極の前記第3領域への接着力より弱い請求項16〜25のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第1補助層は、Alq3、ジ−タングステンテトラ(ヘキサヒドロピリミドピリミジン)、フラーレン、フッ化リチウム(LiF)、ADN[9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン]、8−ヒドロキシキノリノラト−リチウム(Liq)を含む請求項16〜26のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
- 前記第2補助層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N(ジフェニル−4−イル)
9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェ
ニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD[4,4’−ビス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を含む請求項16〜27のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第3補助層は、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)ビフェニル−4,4’−ジアミン、N(ジフェニル−4−イル)
9,9−ジメチル−N−(4(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)フェニル)−9H−フルオレン−2−アミン、2−(4−(9,10−ジ(ナフタレン−2−イル)アントラセン−2−イル)フェニル)−1−フェニル−1H−ベンゾ−[D]イミダゾール、m−MTDATA[4,4,4−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン]、α−NPD(N,N’−ビス(1−ナフチル)−N,N’−ジフェ
ニル[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン)、またはTPD[4,4’−ビス
[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル]を含む請求項16〜28のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。 - 前記第2電極形成用金属及び第3電極形成用金属は、Mgを含む請求項16〜29のいずれか1項に記載の有機発光表示装置の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019046807A (ja) * | 2018-12-19 | 2019-03-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
US10608198B2 (en) | 2015-03-09 | 2020-03-31 | Pioneer Corporation/Tohoku Pioneer Corporation | Light-emitting device |
JP2021009837A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置及びその製造方法 |
WO2021045178A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 日本放送協会 | 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタ、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
JP2021192379A (ja) * | 2016-11-01 | 2021-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び発光システム |
WO2021256316A1 (ja) * | 2020-06-15 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 画像表示装置及び電子機器 |
JP2022051817A (ja) * | 2017-04-26 | 2022-04-01 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
WO2022200896A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101931176B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
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KR102083983B1 (ko) | 2013-05-29 | 2020-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102236381B1 (ko) | 2014-07-18 | 2021-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
US10109684B2 (en) * | 2014-07-28 | 2018-10-23 | Shanghai Tianma AM-OLED Co., Ltd. | Pixel element structure, array structure and display device |
KR102242078B1 (ko) * | 2014-08-05 | 2021-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN104253148B (zh) * | 2014-09-23 | 2017-08-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
KR20160053001A (ko) | 2014-10-30 | 2016-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법 |
KR102290785B1 (ko) * | 2014-11-18 | 2021-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102389626B1 (ko) | 2014-12-11 | 2022-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 패널을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102552276B1 (ko) | 2015-02-24 | 2023-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102449804B1 (ko) | 2015-03-02 | 2022-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 투명 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102408898B1 (ko) * | 2015-06-19 | 2022-06-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치 |
KR102478471B1 (ko) | 2015-07-03 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102410524B1 (ko) | 2015-07-03 | 2022-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CA3002752A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-05-04 | Oti Lumionics Inc. | Method for patterning a coating on a surface and device including a patterned coating |
CN108431981B (zh) | 2015-12-16 | 2022-05-24 | Oti领英有限公司 | 用于光电子器件的屏障涂层 |
KR102447451B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2022-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102520708B1 (ko) * | 2016-03-29 | 2023-04-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102568924B1 (ko) * | 2016-06-14 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 룸미러 모듈 |
KR102491880B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2018033860A1 (en) | 2016-08-15 | 2018-02-22 | Oti Lumionics Inc. | Light transmissive electrode for light emitting devices |
KR20180079097A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP7280985B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2023-05-24 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP7264488B2 (ja) | 2017-05-17 | 2023-04-25 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | パターン化コーティングにわたって伝導性コーティングを選択的に堆積させるための方法および伝導性コーティングを含むデバイス |
KR102458911B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 양면 발광형 투명 유기발광 다이오드 표시장치 |
US11751415B2 (en) | 2018-02-02 | 2023-09-05 | Oti Lumionics Inc. | Materials for forming a nucleation-inhibiting coating and devices incorporating same |
US11489136B2 (en) | 2018-05-07 | 2022-11-01 | Oti Lumionics Inc. | Method for providing an auxiliary electrode and device including an auxiliary electrode |
KR102668689B1 (ko) | 2018-05-10 | 2024-05-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR20200093737A (ko) * | 2019-01-28 | 2020-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN116456753A (zh) | 2019-03-07 | 2023-07-18 | Oti照明公司 | 一种光电子器件 |
CN109962096B (zh) * | 2019-04-15 | 2021-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示背板及其制作方法、显示装置 |
JP2020181190A (ja) * | 2019-04-24 | 2020-11-05 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置及びその製造方法 |
JP2022532144A (ja) | 2019-05-08 | 2022-07-13 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 核生成抑制コーティングを形成するための材料およびそれを組み込んだデバイス |
KR102698880B1 (ko) * | 2019-05-13 | 2024-08-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US12004383B2 (en) | 2019-06-26 | 2024-06-04 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
JP2022544198A (ja) | 2019-08-09 | 2022-10-17 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 補助電極および仕切りを含む光電子デバイス |
KR20210032599A (ko) | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN111180500B (zh) * | 2020-02-26 | 2023-10-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示用基板及电致发光显示装置 |
KR20220007826A (ko) | 2020-07-10 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN112002822A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
US11374073B2 (en) | 2020-08-11 | 2022-06-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel with auxiliary electrode and manufacturing method thereof |
KR20230116914A (ko) | 2020-12-07 | 2023-08-04 | 오티아이 루미오닉스 인크. | 핵 생성 억제 코팅 및 하부 금속 코팅을 사용한 전도성 증착 층의 패턴화 |
CN112952021B (zh) * | 2021-02-09 | 2022-08-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN113053978B (zh) * | 2021-03-12 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159950A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011171278A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
US20110220922A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-15 | Jung-Yeon Kim | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
JP2011186427A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
US20120104422A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004191627A (ja) * | 2002-12-11 | 2004-07-08 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
KR100624126B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
TWI283939B (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-11 | Au Optronics Corp | Organic light emitting diode and organic electroluminescent device using the same |
KR100807560B1 (ko) * | 2006-11-30 | 2008-03-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법 |
KR100918403B1 (ko) * | 2008-02-12 | 2009-09-24 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
EP2139041B1 (en) * | 2008-06-24 | 2015-08-19 | LG Display Co., Ltd. | Luminescence display panel and method for fabricating the same |
JP2011009639A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
KR101193195B1 (ko) * | 2010-07-02 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101397110B1 (ko) | 2010-10-28 | 2014-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR101407587B1 (ko) | 2011-06-02 | 2014-06-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101931176B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
-
2012
- 2012-06-11 KR KR1020120062347A patent/KR101931176B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-01-10 US US13/738,938 patent/US8994010B2/en active Active
- 2013-03-05 TW TW102107551A patent/TWI596752B/zh active
- 2013-03-20 EP EP21186811.2A patent/EP3916796A1/en active Pending
- 2013-03-20 EP EP13160251.8A patent/EP2674977B1/en active Active
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- 2013-04-03 CN CN201310115429.0A patent/CN103489890B/zh active Active
- 2013-06-05 JP JP2013119118A patent/JP6092717B2/ja active Active
-
2015
- 2015-03-19 US US14/663,215 patent/US9263711B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011159950A (ja) * | 2010-02-03 | 2011-08-18 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011171278A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2011186427A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
US20110220922A1 (en) * | 2010-03-15 | 2011-09-15 | Jung-Yeon Kim | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
US20120104422A1 (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-03 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10608198B2 (en) | 2015-03-09 | 2020-03-31 | Pioneer Corporation/Tohoku Pioneer Corporation | Light-emitting device |
JP2021192379A (ja) * | 2016-11-01 | 2021-12-16 | パイオニア株式会社 | 発光素子及び発光システム |
JP7164687B2 (ja) | 2016-11-01 | 2022-11-01 | パイオニア株式会社 | 発光システム |
JP2022051817A (ja) * | 2017-04-26 | 2022-04-01 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
JP2023053020A (ja) * | 2017-04-26 | 2023-04-12 | オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド | 表面上のコーティングをパターン化する方法およびパターン化されたコーティングを含むデバイス |
JP2019046807A (ja) * | 2018-12-19 | 2019-03-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
JP2021009837A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置及びその製造方法 |
WO2021045178A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | 日本放送協会 | 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタ、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 |
JPWO2021045178A1 (ja) * | 2019-09-06 | 2021-03-11 | ||
WO2021256316A1 (ja) * | 2020-06-15 | 2021-12-23 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 画像表示装置及び電子機器 |
WO2022200896A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9263711B2 (en) | 2016-02-16 |
KR20130138883A (ko) | 2013-12-20 |
EP3916796A1 (en) | 2021-12-01 |
US8994010B2 (en) | 2015-03-31 |
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CN103489890A (zh) | 2014-01-01 |
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KR101931176B1 (ko) | 2018-12-21 |
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EP2674977A3 (en) | 2015-11-04 |
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