WO2021045178A1

WO2021045178A1 - 有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタ、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料

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Publication number: WO2021045178A1
Application number: PCT/JP2020/033542
Authority: WO
Inventors: 弘彦深川; 清水　貴央; 翼佐々木; 拓大野; 宗弘長谷川; 森井　克行; 裕樹福留
Original assignee: 日本放送協会; 株式会社日本触媒
Priority date: 2019-09-06
Filing date: 2020-09-04
Publication date: 2021-03-11
Also published as: KR20220035956A; CN114375506A; EP4026881A1; JPWO2021045178A1; TW202116776A; US20220310937A1; EP4026881A4

Abstract

本発明は、有機ＥＬ素子の電子注入層に用いた場合に、優れた電子注入性、電子輸送性が得られる有機薄膜を提供する。本発明は、下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む単一の膜、又は、前記第１材料を含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜であることを特徴とする有機薄膜に関する。（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）

Description

有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタ、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料

本発明は、有機薄膜および有機薄膜の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンス（電界発光）を「ＥＬ」と記す場合がある。）素子、表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、薄膜トランジスタ、光電変換素子、塗料組成物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料に関する。

　有機ＥＬ素子は、薄く、柔軟でフレキシブルである。また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、現在主流となっている液晶表示装置およびプラズマ表示装置と比べて、高輝度、高精細な表示が可能である。また、有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、液晶表示装置に比べて視野角が広い。このため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、今後、テレビや携帯電話のディスプレイ等としての利用の拡大が期待されている。
また、有機ＥＬ素子は、照明装置としての利用も期待されている。

　有機ＥＬ素子は、陰極と発光層と陽極とが積層されたものである。有機ＥＬ素子では、陽極の仕事関数と発光層の最高占有軌道（ＨＯＭＯ）エネルギー差は、陰極の仕事関数と発光層の最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）エネルギー差と比較して小さい。したがって、発光層に、陽極から正孔を注入することと比較して、陰極から電子を注入することは困難である。このため、従来の有機ＥＬ素子では、陰極と発光層との間に、電子注入層を配置して、陰極から発光層への電子の注入を促進している。また、陰極と発光層との間に配置される層にドーパントをドーピングすることで、電子注入・輸送性を改善する取り組みもなされている（例えば、非特許文献１、非特許文献２参照。）。

　有機ＥＬ素子の電子注入層としては、無機の酸化物層が挙げられる（例えば、非特許文献３参照。）。しかし、無機の酸化物層は電子注入性が不十分である。
また、無機の酸化物層の上に、さらに電子注入層を成膜することにより、有機ＥＬ素子の電子注入性を改善する技術がある。例えば、非特許文献４には、ポリエチレンイミンからなる電子注入層を有する有機ＥＬ素子が記載されている。また、非特許文献５には、アミンが電子の注入速度の改善に有効であることが記載されている。非特許文献６、７、８には、電極と有機層との界面において、アミノ基が電子注入に及ぼす効果について記載されている。

カーステン　ワルツァー（Ｋａｒｓｔｅｎ　Ｗａｌｚｅｒ）他３名「ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｒｅｖｉｅｗ）」第１０７巻、２００７年、ｐ１２３３－１２７１ペン　ウェイ、外３名「ジャーナル　オブ　ザ　アメリカン　ケミカル　ソサイエティ　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ）」、第１３２巻、２０１０年、ｐ８８５２ジャンシャン　チェン（Ｊｉａｎｇｓｈａｎ　Ｃｈｅｎ）外６名「ジャーナル　オブ　マテリアルズ　ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ　Ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）」、第２２巻、２０１２年、ｐ５１６４－５１７０ヒョサン　チョイ（Ｈｙｏｓｕｎｇ　Ｃｈｏｉ）外８名「アドバンスト　マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、第２３巻、２０１１年、ｐ２７５９ウィンファ　チョウ（Ｙｉｎｈｕａ　Ｚｈｏ）外２１名「サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）」、第３３６巻、２０１２年、ｐ３２７ヨンフーン　キム（Ｙｏｕｎｇ－Ｈｏｏｎ　Ｋｉｍ）外５名「アドバンスト　ファンクショナル　マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、２０１４年、ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｆｍ．２０１３０４１６３ステファン　フォーフル、外４名「アドバンスト　マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、２０１４年、ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１３０４６６６ステファン　フォーフル、外５名「アドバンスト　マテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」、第２６巻、２０１４年、ＤＯＩ：１０．１００２／ａｄｍａ．２０１４００３３２ペン　ウェイ、外３名「ジャーナル　オブ　ザ　アメリカン　ケミカル　ソサイエティ（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ）」、第１３２巻、２０１０年、ｐ８８５２

　しかしながら、従来の電子注入層を含む有機ＥＬ素子では、電子注入性、電子輸送性をより一層向上させることが要求されていた。

　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、有機ＥＬ素子の電子注入層に用いた場合に、優れた電子注入性、電子輸送性が得られる有機薄膜、この有機薄膜を製造する際に好適に用いることができる塗料組成物、およびこれらの有機薄膜や塗料組成物の原料となる有機ＥＬ素子用材料を提供することを課題とする。
　また、本発明は、本発明の有機薄膜を用いた有機ＥＬ素子、この有機ＥＬ素子を備えた表示装置および照明装置、本発明の有機薄膜を含む有機薄膜太陽電池、光電変換素子および有機薄膜トランジスタを提供することを課題とする。

　本発明者等は、有機ＥＬ素子の電子注入層に用いる材料として、塩基性の有機材料に着目して検討した。その結果、酸解離定数ｐＫａが１以上の有機材料である所定の構造のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物と、電子を輸送する材料とを含む有機薄膜を、有機ＥＬ素子の電子注入層として用いればよいことが分かった。

　すなわち、上記のｐＫａが１以上の有機材料は、他の材料からプロトン（Ｈ^＋）を引き抜く能力を有する。このため、上記の有機薄膜からなる電子注入層を有する有機ＥＬ素子では、ｐＫａが１以上の有機材料が電子を輸送する材料からプロトン（Ｈ^＋）を引き抜くことにより、マイナス電荷が生じ、電子注入性が向上するものと推定される。

　本発明は、上記の知見に基づいて完成されたものであり、その要旨は、以下のとおりである。
［１］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む単一の膜、又は、前記第１材料を含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜であることを特徴とする有機薄膜。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）

［２］　前記第１材料は、一般式（１）におけるｎが２又は３のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物であることを特徴とする［１］に記載の有機薄膜。

［３］　酸化物層と、前記酸化物層上に形成された［１］又は［２］に記載の有機薄膜の層とからなる積層膜。

［４］　陰極と陽極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陰極と前記発光層との間に［１］又は［２］に記載の有機薄膜又は［３］に記載の積層膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

［５］　前記陰極と前記有機薄膜との間に、無機の酸化物層を有することを特徴とする［４］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［６］　前記陰極と前記発光層との間に、前記第１材料と第２材料とを含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜を有することを特徴とする［４］又は［５］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［７］　前記発光層と前記第１材料と第２材料とを含む膜との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［８］　前記陰極と前記第１材料と第２材料とを含む膜との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする［６］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［９］　前記陽極と前記発光層との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする［４］～［８］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［１０］　前記発光層が、前記第２材料を含む、［４］～［９］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［１１］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

［１２］　陰極と陽極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記陰極と前記陽極との間に［１１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

［１３］　前記陰極と前記発光層との間に［１１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層を有することを特徴とする［１２］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［１４］　前記陰極と［１１］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層との間に、無機の酸化物層を有することを特徴とする［１２］又は［１３］に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

［１５］　［４］～［１０］、［１２］～［１４］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
［１６］　［４］～［１０］、［１２］～［１４］のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。

［１７］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池用材料。

［１８］　［１］又は［２］に記載の有機薄膜、［３］に記載の積層膜又は［１７］に記載の有機薄膜太陽電池用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。

［１９］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする光電変換素子用材料。

［２０］　［１］又は［２］に記載の有機薄膜、［３］に記載の積層膜又は［１９］に記載の光電変換素子用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする光電変換素子。

［２１］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用材料。

［２２］　［１］又は［２］に記載の有機薄膜、［３］に記載の積層膜又は［２１］に記載の薄膜トランジスタ用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。

［２３］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含むことを特徴とする塗料組成物。

［２４］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする塗料組成物。

［２５］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む単一の膜を被形成面上に形成する工程、又は、前記第１材料を含む膜と前記第２材料を含む膜とを被形成面上に順に形成する工程を含むことを特徴とする有機薄膜の製造方法。

［２６］　下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む膜を被形成面上に形成する工程を含むことを特徴とする有機薄膜の製造方法。

［２７］　前記被形成面が第２材料を含むことを特徴とする［２６］に記載の有機薄膜の製造方法。

本発明の有機薄膜は、少なくとも酸解離定数ｐＫａが１以上の特定の有機材料からなる第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む。このため、本発明の有機薄膜を、例えば、有機ＥＬ素子の電子注入層に用いた場合、優れた電子注入性、電子輸送性が得られる。
本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と発光層との間に本発明の有機薄膜を有するため、有機薄膜によって優れた電子注入性、電子輸送性が得られる。
また酸解離定数ｐＫａが１以上の特定のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物からなる第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む本発明の有機薄膜は、塗布および蒸着のいずれの方法によっても形成することが可能であるため、本発明の有機薄膜を含む有機ＥＬ素子を製造する場合のプロセス上の制約が少なく、有機ＥＬ素子を構成する層の材料として使用しやすいものである。本発明の有機薄膜の製造方法は、このような本発明の有機薄膜を製造する方法である。

本発明の塗料組成物は、酸解離定数ｐＫａが１以上の特定の有機材料からなる第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む。したがって、本発明の塗料組成物を有機薄膜の被形成面上に塗布することにより、有機ＥＬ素子の電子注入層に好適な有機薄膜が得られる。

　本発明の有機ＥＬ素子用材料は、有機ＥＬ素子等の作製に用いられる本発明の有機薄膜や塗料組成物に用いられる有用な材料である。また、本材料は、単独で電子注入層または電子輸送層として用いることが可能な点でも有用な材料である。

本発明の表示装置および照明装置は、本発明の有機ＥＬ素子を備えているため、駆動電圧が低く、優れた特性を有する。
　また、本発明の有機薄膜太陽電池、光電変換素子および有機薄膜トランジスタは、本発明の有機薄膜を含むものであるため、優れた特性を有する。

本発明の有機ＥＬ素子の一例を説明するための概略断面図である。本発明の有機ＥＬ素子の一例を説明するための概略断面図である。本発明の有機ＥＬ素子の積層構造の他の一例を示す概略断面図である。本発明の有機ＥＬ素子の積層構造の他の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。本発明の有機薄膜の積層構造の一例を示す概略断面図である。実施例１、２及び比較例１で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例３、４及び比較例１、２で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例３、４及び比較例１、２で作製した有機ＥＬ素子の発光の様子を示した図である。実施例５及び比較例３で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例５、６で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例７、８及び比較例４で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例９、１０で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例９、１０で作製した有機ＥＬ素子の輝度の経時変化を示したグラフである。実施例１１で作製した有機ＥＬ素子の構成を示した断面図である。実施例８、１１で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１２～１４、比較例５、６で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１３、比較例６で作製した有機ＥＬ素子の輝度の経時変化を示したグラフである。実施例１２、１４で作製した有機ＥＬ素子の輝度の経時変化を示したグラフである。実施例１５で作製した有機ＥＬ素子の構成を示した断面図である。実施例１５、比較例７で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１６、比較例８、９で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１７、比較例１０、１１で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１８、比較例１２、１３で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例１９、比較例１５で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例２０、比較例１４で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例２０、比較例１４で作製した有機ＥＬ素子の常温環境下での輝度の経時変化を示したグラフである。実施例２０、比較例１４で作製した有機ＥＬ素子の高温環境下（８５℃）での輝度の経時変化を示したグラフである。実施例２１、２２、比較例１６で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例２３、比較例１７で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例２４、比較例１８で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。実施例２５、２６、比較例１９で作製した有機ＥＬ素子の印加電圧と輝度の関係を示したグラフである。

以下に本発明を詳述する。
「有機薄膜、有機ＥＬ素子用材料」
　本発明の有機薄膜は、下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む。本発明の有機薄膜は、第１材料と第２材料とを含む単一層の膜であってもよく、第１材料を含む層と第２材料を含む層とが積層された積層膜であってもよい。

　本発明の有機薄膜を構成している第１材料は、ｐＫａが１以上の上記有機材料であるため、第２材料からプロトン（Ｈ^＋）を引き抜く能力を有する。第１材料は、ｐＫａが５以上であることが好ましく、１１以上であることがさらに好ましい。第１材料はｐＫａが高い材料である程、第２材料からプロトンを引き抜く能力がより高いものとなる。その結果、有機薄膜を、例えば、有機ＥＬ素子の電子注入層として用いた場合に、優れた電子注入性および電子輸送性が得られる。また、無機化合物の欠損箇所に好適に配位することから、外部から侵入する酸素や水との界面での反応を妨げ、素子の大気安定性を高める効果があることも確認されている。さらに、無機化合物と相互作用することにより、無機化合物の仕事関数を小さくすることができ、その結果、金属酸化物層の電子注入性を向上させることができる。
　したがって、本発明の有機薄膜は、有機化合物のみから構成される素子だけではなく、特に、有機化合物と無機化合物とで構成される素子に対しても用いることができ、電子注入性や大気安定性を高める効果を発揮することができる。また、無機化合物の仕事関数を小さくできるということは、有機薄膜太陽電池や光電変換素子において、光を吸収して発生した電子を生じさせる活性層に用いられる有機化合物からの電子取り出し効率も向上させることができるということである。
　本発明の有機薄膜は、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を第１材料として含むことを特徴の１つとし、本発明の有機薄膜を電子注入層に用いた場合、優れた電子注入性、電子輸送性が得られる。このような優れた効果を発揮する、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む有機ＥＬ素子用材料もまた、本発明の１つであり、本材料を単独で電子注入層や電子輸送層に用いることでも優れた電子注入性、電子輸送性が得られる。
　なお、本発明において、「ｐＫａ」は通常は「水中における酸解離定数」を意味するが、水中で測定できないものは「ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）中における酸解離定数」を意味し、ＤＭＳＯ中でも測定できないものは、「アセトニトリル中の酸解離定数」を意味する。好ましくは「水中における酸解離定数」を意味する。

上記一般式（１）におけるＲ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。
芳香族炭化水素基、芳香族複素環基としては、炭素数３～３０のものが好ましく、炭素数４～２４のものがより好ましく、炭素数５～２０のものがさらに好ましい。
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン等の１つの芳香環のみからなる化合物；ビフェニル、ジフェニルベンゼン等の複数の芳香環が１つの炭素原子同士で直接結合した化合物；ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン等の縮合環式芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
芳香族複素環基としては、チオフェン、フラン、ピロール、オキサゾール、オキサジアゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、トリアジン等の１つの芳香族複素環のみからなる化合物；これらの１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物（ビピリジン等）；キノリン、キノキサリン、ベンゾチオフェン、ベンゾチアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、インドール、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、アクリジン、フェナントロリン等の縮合環式複素芳香族炭化水素化合物のいずれかの芳香族複素環から水素原子を１～４個除いてできる基が挙げられる。
アリールアルキレン基としては、上記芳香族炭化水素基と炭素数１～３のアルキレン基とを組み合わせた基が挙げられる。
２～４価の鎖状または環状炭化水素基としては、炭素数１～１２のものが好ましく、炭素数１～６のものがより好ましく、炭素数１～４のものがさらに好ましい。鎖状炭化水素基は直鎖状のものであってもよく、分岐鎖状のものであってもよい。
また、Ｒ^１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基を２つ以上組み合わせてできる基でもよい。
更に、Ｒ^１は上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状炭化水素基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基であってもよい。そのような基としては、例えば、トリメチルアミン等のトリアルキルアミンやトリフェニルアミンから水素原子を１～４個除いてできる基等が挙げられる。

上記芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、又は、アリールアルキレン基は１価の置換基を１つ又は２つ以上有していてもよい。
１価の置換基としては、フッ素原子；フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等の炭素数５～７の環状アルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基等の炭素数１～２０の直鎖状又は分岐鎖状アルコキシ基；ニトロ基；シアノ基；メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等の炭素数１～１０のアルキル基を有するアルキルアミノ基；ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基；ジフェニルアミノ基、カルバゾリル基等のジアリールアミノ基；アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基等のアシル基；スチリル基等の炭素数２～３０のアルケニル基；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数５～２０のアリール基（アリール基の具体例は、上記芳香族炭化水素基と同様）；フッ素原子等のハロゲン原子や炭素数１～２０のアルキル基、アルコキシ基、アミノ基等で置換されていてもよい炭素数４～２０の窒素原子、硫黄原子、酸素原子のいずれか１つ以上を含む複素環基（複素環基は、１つの環のみからなるものであってもよく、１つの芳香族複素環のみからなる化合物が１つの炭素原子同士で複数直接結合した化合物であってもよく、縮合複素環基であってもよい。複素環基の具体例には、上記芳香族複素環基の具体例が含まれる。）；エステル基、チオエーテル基等が挙げられる。なお、これらの基は、ハロゲン原子やヘテロ元素、アルキル基、芳香環等で置換されていてもよい。

上記一般式（１）におけるｎは、１～４の整数であるが、２又は３であることが好ましい。
　上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物の具体例としては、例えば、下記式（２－１）～（２－３４）で表される化合物が挙げられる。

上記一般式（１）で表される化合物は、下記式（３）に示すように、よう素、臭素、塩素、フッ素を有するハロゲン化合物とヘキサヒドロピリミドピリミジンとを原料とし、Ｕｌｌｍａｎｎカップリング反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ－Ｈａｒｔｗｉｇアミノ化反応または求核置換反応等により合成することができる。

第２材料は、電子を輸送する材料であればよく、有機材料であることが好ましい。より好ましくは、最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）準位が２．０ｅＶ～４．０ｅＶまでの有機材料、その中でも、ＬＵＭＯ準位が２．５ｅＶ～３．５ｅＶのｎ型有機半導体材料である。例えば、有機ＥＬ素子の電子輸送層の材料として、下記に示す従来公知のいずれの材料を用いてもよいが、これらの中でも、上記ＬＵＭＯ準位の要件を満たす材料が好ましい。
　第２材料としては、具体的には、フェニル－ディピレニルホスフィンオキサイド（ＰＯＰｙ_２）のようなホスフィンオキサイド誘導体、トリス－１，３，５－（３’－（ピリジン－３’’－イル）フェニル）ベンゼン（ＴｍＰｈＰｙＢ）や１，３，５－トリス（６－（３－（ピリジン－３－イル）フェニル）ピリジン－２－イル）ベンゼン、８，９－ジフェニル－７，１０－（３－（ピリジン－３－イル））フルオランテンのようなピリジン誘導体、（２－（３－（９－カルバゾリル）フェニル）キノリン（ｍＣＱ））のようなキノリン誘導体、２－フェニル－４，６－ビス（３，５－ジピリジルフェニル）ピリミジン（ＢＰｙＰＰＭ）や２－メチル－４，６－ビス（３，５－ジピリジルフェニル）ピリミジン、９－（４－（４，６－ジフェニルピリミジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾールのようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）のようなフェナントロリン誘導体、２，４－ビス（４－ビフェニル）－６－（４’－（２－ピリジニル）－４－ビフェニル）－［１，３，５］トリアジン（ＭＰＴ）、トリス－１，３，５－（３’－（ピリジン－３’’－イル）フェニル）トリアジン（ＴｍＰｈＰｙＴｚ）、トリス－１，３，５－（［１，１’－ビフェニル］－３－イル）トリアジン、２－（３－（４，６－ジ（ピリジン－３－イル）－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾ［ｄ］イミダゾール、９－（４－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－３，９’－ビカルバゾール、９－（４－（４，６－ジフェニル―１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾール、１１－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）－１２－フェニル－１１，１２－ジヒドロインドロ［２，３－ａ］カルバゾール、１２－（２－（４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）－１２Ｈ－ベンゾフロ［２，３，ａ］－カルバゾール、９－（（４－（４，６－ジピリジン－３－イル）－１，３，５－トリアジン－２－イル）フェニル）－９Ｈ－カルバゾールのようなトリアジン誘導体、３－フェニル－４－（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、２，２’，２’’－（１，３，５－ベントリイル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、後述する式（２４）で示す化合物のようなカルボニル基を含む複素環を有する化合物、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）などに代表される各種金属錯体、２，５－ビス（６’－（２’，２’’－ビピリジル））－１，１－ジメチル－３，４－ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体、特願２０１２－２２８４６０、特願２０１５－５０３０５３、特願２０１５－０５３８７２、特願２０１５－０８１１０８および特願２０１５－０８１１０９に記載のホウ素含有化合物等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
また、後述する発光層の材料も第２材料として用いることができる。

　これらの第２材料の中でも、ＰＯＰｙ_２のようなホスフィンオキサイド誘導体、下記式（４）～（７）で表される化合物のようなホウ素含有化合物、Ａｌｑ_３のような金属錯体、ＴｍＰｈＰｙＢのようなピリジン誘導体、ＴｍＰｈＰｙＴｚのようなトリアジン誘導体を用いることがより好ましい。これらの第２材料の中でも、特に、第２材料が、ホウ素含有化合物、トリアジン誘導体であることが好ましい。なお、式（６）のｎ^１は、１以上の整数を表す。

ホウ素含有化合物を、電子輸送性を有する第２材料として用いた場合、第１材料と第２材料とを含む塗料組成物を塗布する方法により容易に均一な有機薄膜が得られる。このような、上記一般式（１）で表される第１材料と電子を輸送する第２材料とを含む塗料組成物もまた、本発明の１つである。また、上記一般式（１）で表される第１材料であるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物は、電子注入性に極めて優れているため、第１材料を含み、第２材料を含まない塗料組成物も有用である。このような上記一般式（１）で表される第１材料であるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む塗料組成物もまた、本発明の１つである。
　また、ホウ素含有化合物、トリアジン誘導体は、最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）エネルギーが深いため、有機ＥＬ素子の電子注入層としての材料として好適である。したがって、ホウ素含有化合物を第２材料として含む有機薄膜は、特に有機ＥＬ素子の電子注入層として好適である。

　本発明の有機薄膜に含まれる第１材料と第２材料との比率は、特に限定されるものではなく、第１材料および第２材料それぞれに使用する化合物の種類に応じて適宜決定できる。第１材料と第２材料との比率は、質量比（第１材料：第２材料）で０．１：９９．９～２０：１であることが好ましい。より好ましくは、０．５：９９～１０：１である。例えば、第１材料として上記（２－２）の化合物を用い、第２材料として上記式（４）で表されるホウ素含有化合物を用いた場合にも、第１材料と第２材料との比率は、このような質量比であることが好ましい。上記比率である場合、有機薄膜に第１材料と第２材料とが含まれていることによる電子輸送性および電子注入性の向上効果が顕著となる。

本発明における有機薄膜は、第１材料と第２材料とを含む単一の膜であってもよく、第１材料を少なくとも含む膜と第２材料を少なくとも含む膜との積層膜であってもよい。積層膜である場合、第１材料のみを含む膜と第２材料のみを含む膜との積層膜であってもよく、第１材料と第２材料とを含む膜と、第１材料と第２材料のいずれか一方のみを含む膜との積層膜であってもよい。第１材料と第２材料とを含む膜と、第１材料と第２材料のいずれか一方のみを含む膜との積層膜である場合、第１材料と第２材料のいずれか一方のみを含む膜は、第１材料、第２材料のいずれを含むものであってもよいが、第２材料を含むものであることが好ましい。
また、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する層としてこのような有機薄膜を使用する場合、第１材料と第２材料とを含む膜と、第１材料と第２材料のいずれか一方のみを含む膜のいずれが陰極側にあってもよいが、第１材料と第２材料のいずれか一方のみを含む膜が陰極側にあるほうが好ましい。

　本発明における有機薄膜が、第１材料と第２材料とを含む膜と、第１材料のみを含む膜との積層膜である場合、積層された２つの膜の両方に第１材料が含まれることになるが、２つの膜に含まれる第１材料は同一であってもよく、異なっていてもよい。
同様に、本発明における有機薄膜が、第１材料と第２材料とを含む膜と、第２材料のみを含む膜との積層膜である場合、積層された２つの膜の両方に第２材料が含まれることになるが、２つの膜に含まれる第２材料は同一であってもよく、異なっていてもよい。

「有機薄膜の製造方法」
　次に、本発明の有機薄膜の製造方法について、例を挙げて説明する。
本発明の有機薄膜は、酸解離定数ｐＫａが１以上の、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物からなる第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含むものである。第１材料、第２材料ともに分子量が比較的大きいことに起因して、本発明の有機薄膜は塗布だけでなく、蒸着によっても形成することが可能である。このため、本発明の有機薄膜を含む有機ＥＬ素子を製造する場合のプロセス上の制約が少なく、有機ＥＬ素子を構成する層の材料として使用しやすいものである。
有機薄膜を蒸着により製造する場合、有機ＥＬ素子を構成する他の層を蒸着により製造する場合と同様の方法により行うことができ、第１材料、第２材料を同時に蒸着してもよく、順に蒸着してもよい。順に蒸着する場合、第１材料、第２材料のいずれを先に蒸着してもよい。また、いずれか一方を先に蒸着した後に、これら両方を共蒸着してもよく、両方を共蒸着した後に、いずれか一方を蒸着してもよい。このような、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを同時に有機薄膜の被形成面上に蒸着する工程含む有機薄膜の製造方法は、本発明の有機薄膜の製造方法の好適な実施形態の１つである。また、第１材料又は第２材料のいずれかを先に有機薄膜の被形成面上に蒸着する工程と、その後にもう一方又は両方の材料を蒸着する工程とを含む有機薄膜の製造方法、又は、第１材料と第２材料とを同時に有機薄膜の被形成面上に蒸着する工程と、その後に第１材料又は第２材料のいずれかを有機薄膜の被形成面上に蒸着する工程とを含む有機薄膜の製造方法もまた、本発明の有機薄膜の製造方法の好適な実施形態の１つである。

また、本発明の有機薄膜は塗布により製造することも可能であり、この場合も、第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む塗料組成物を作成して、該塗料組成物を塗布するか、又は、第１材料を含む塗料組成物、第２材料を含む塗料組成物をそれぞれ作成して、これらを順に塗布することで有機薄膜を製造することができる。順に塗布する場合、第１材料を含む塗料組成物、第２材料を含む塗料組成物のいずれを先に塗布してもよい。また、いずれか一方の材料のみを含む塗料組成物を塗布した後に、これら両方の材料を含む塗料組成物を塗布してもよく、これら両方の材料を含む塗料組成物を塗布した後に、いずれか一方の材料のみを含む塗料組成物を塗布してもよい。このような、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む塗料組成物を有機薄膜の被形成面上に塗布する工程含む有機薄膜の製造方法は、本発明の有機薄膜の製造方法の好適な実施形態の１つである。また、第１材料のみを含む塗料組成物又は第２材料のみを含む塗料組成物のいずれかを先に有機薄膜の被形成面上に塗布する工程と、該工程によって形成された塗膜の上にもう一方又は両方の材料を含む塗料組成物を塗布する工程とを含む有機薄膜の製造方法、又は、第１材料と第２材料の両方の材料を含む塗料組成物を塗布する工程と、該工程によって形成された塗膜の上に第１材料又は第２材料のいずれか一方のみを含む塗料組成物を塗布する工程とを含む有機薄膜の製造方法もまた、本発明の有機薄膜の製造方法の好適な実施形態の１つである。
以下においては、ｐＫａが１以上の特定の一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物からなる第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む塗料組成物を作成して、該塗料組成物を塗布することで有機薄膜を製造する方法について説明する。

　塗料組成物は、例えば、容器に入れた溶媒中に第１材料と第２材料をそれぞれ所定量供給、または容器に入れた第１材料と第２材料に溶媒を供給して撹拌し、溶解させる方法により得られる。
　第１材料および第２材料を溶解するために用いる溶媒としては、例えば、無機溶媒や有機溶媒、またはこれらを含む混合溶媒等を用いることができる。
　無機溶媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、リン酸、塩酸等が挙げられる。

　有機溶媒としては、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、ジイソブチルケトン、３，５，５－トリメチルシクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２－ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４－ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、クロロベンゼン、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２－ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系、トリエチルアミン、ピリジン等の有機アミン系、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート系溶媒のような各種有機溶媒等が挙げられ、これらの中でもメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、ジイソブチルケトン、３，５，５－トリメチルシクロヘキサノン、ジアセトンアルコール、シクロペンタノン等のケトン系溶媒が好ましい。

　第１材料および第２材料を含む塗料組成物を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。

　このようにして塗料組成物を塗布した後、アニール処理を施すことが好ましい。アニール処理の条件は、７０～２００℃で０．１～５時間、窒素雰囲気または大気下で行うことが好ましい。このようなアニール処理を施すことにより、溶媒を気化させて有機薄膜を成膜できる。

　また、上記一般式（１）で表される第１材料であるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物は、電子注入性に極めて優れているため、第１材料を含み、第２材料を含まない有機薄膜も有機ＥＬ素子等の材料として有用である。このような一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む膜を被形成面上に形成する工程を含む有機薄膜の製造方法もまた、本発明の１つであり、一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む膜を、第２材料を含む被形成面上に形成する工程を含むことは、該有機薄膜の製造方法の好適な実施形態の１つである。

「有機ＥＬ素子」
　本発明はまた、陰極と陽極との間に発光層を有し、更に本発明の有機薄膜の層、該有機薄膜の層と金属酸化物層との積層膜の層、又は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層のいずれかを含む有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子でもある。
上記有機薄膜の層、該有機薄膜の層と金属酸化物層との積層膜の層、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層はいずれも本発明の有機ＥＬ素子中において、陰極と発光層との間にあってもよく、陽極と発光層との間にあってもよいが、陰極と発光層との間にあることが好ましい。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層は、上述した一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む限り、その他の成分を含んでいてもよいが、ヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物のみからなる層であることが好ましい。

本発明はまた、陰極と陽極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、陰極と陽極との間に本発明の有機薄膜の層、又は、該有機薄膜の層と金属酸化物層との積層膜の層を含み、発光層が第２材料を含む有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子でもある。更に本発明は、陰極と陽極との間に本発明の有機薄膜の層、又は、該有機薄膜の層と金属酸化物層との積層膜の層を含み、有機薄膜又は積層膜が発光層に隣接し且つ第２材料として発光層に用いられる材料を含むか、又は、有機薄膜又は積層膜のうち第２材料を含む膜が発光層である有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子でもある。
本発明の第１材料であるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物は、電子注入性に極めて優れているため、発光層に用いる発光材料やホスト材料に対しても直接電子を注入することが可能である。このため、本発明の第１材料を電子注入層に用いることで、使用する材料の数を減らしたり、積層する層の数を減らしてより単純な構造の有機ＥＬ素子とすることが可能となる。
すなわち、本発明の有機薄膜又は積層膜を用いた素子を、第１材料を含む層と第２材料を含む層と発光層とが隣接した素子とし、第２材料を含む層の材料として発光層に用いられる発光材料やホスト材料を用いた場合でも、第１材料を含む層から電子を注入することが可能であり、このようにすることで第２材料を含む層と発光層とを共通の材料を用いて形成することができるため、使用する材料の数を減らすことができる。この場合、第２材料は、発光材料、発光層のホスト材料のいずれであってもよい。また、第２材料を含む層を発光材料又は発光層のホスト材料を用いて形成し、これを発光層として用いると、別に発光層を設ける必要がなくなるため、積層する層の数を減らしてより単純な構造の有機ＥＬ素子とすることが可能となる。更に、発光層の陽極側に隣接する層の材料として第２材料を使用すれば、積層する層の数を更に減らして更に単純な構造の有機ＥＬ素子とすることが可能となる。したがって、発光層が第２材料を含むことや、陽極と前記発光層との間に、前記第２材料を含む層を有することは、いずれも本発明の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の好適な実施形態の１つである。

次に、本発明の有機ＥＬ素子について、例を挙げて詳細に説明する。
　図１は、本発明の有機ＥＬ素子の一例を説明するための概略断面図である。図１に示す本発明の有機ＥＬ素子１は、陰極３と陽極９との間に発光層６を有する。図１に示す有機ＥＬ素子１では、陰極３と発光層６との間に、本発明の有機薄膜又は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料からなる電子注入層５を有している。また、陰極３と本発明の有機薄膜又は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料からなる電子注入層５との間に、酸化物層４を有しており、酸化物層４は電子注入層５と隣接している。これらはいずれも本発明の有機ＥＬ素子の好適な実施形態である。
　本発明の有機ＥＬ素子１は、基板２上に、陰極３と、無機の酸化物層４と、電子注入層５と、電子輸送層１０と、発光層６と、正孔輸送層７と、正孔注入層８と、陽極９とがこの順に形成された積層構造を有する。このように、陰極と有機薄膜の層又は本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料の層との間に、無機の酸化物層を有することは本発明の有機ＥＬ素子の好適な実施形態の１つである。

　図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２と発光層６との間に陰極３が配置された逆構造の有機ＥＬ素子である。また、図１に示す有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子を構成する層の一部（少なくとも無機の酸化物層４）を、無機化合物を用いて形成した有機無機ハイブリッド型の有機電界発光素子（ＨＯＩＬＥＤ素子）である。
　図１に示す有機ＥＬ素子１は、基板２と反対側に光を取り出すトップエミッション型のものであってもよいし、基板２側に光を取り出すボトムエミッション型のものであってもよい。

　図２は、本発明の有機ＥＬ素子が、基板２と陰極３との間に発光層６が配置された順構造の有機ＥＬ素子である場合の素子構成の一例を示した図である。
上述したとおり、本発明のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物は、電子注入性に極めて優れているため、発光層に用いる材料に対しても直接電子を注入することが可能である。したがって、本発明のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を用いる場合、例えば図３に示すように、発光層に用いられる材料で電子輸送層１０を形成し、発光層６及び電子輸送層１０に同じ材料を用いた単純構造の有機ＥＬ素子とした場合にも、電子注入層５にヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を用いることで、低い駆動電圧で動作することが可能となる。この場合、典型的な有機ＥＬ素子に比べると少なくとも１つ使用する材料を減らすことが可能となる。ここで、電子輸送層１０が本発明の第２材料を含むものであれば、該有機ＥＬ素子は本発明の有機薄膜を用いているともいうことができる。
更に、正孔注入層８から発光層に用いる材料へは比較的容易に正孔が注入できるため、本発明のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む有機ＥＬ素子用材料を電子注入層５に用いた場合には、図４に示すように、発光層に用いる材料を正孔輸送層７に用いても低い駆動電圧で動作することが可能である。この場合、典型的な有機ＥＬ素子に比べると少なくとも２つ使用する材料を減らすことが可能となる。ここで、電子輸送層１０が本発明の第２材料を含むものであれば、該有機ＥＬ素子は本発明の有機薄膜を用いているともいうことができる。
　なお、ここでは順構造の有機ＥＬ素子の図を用いて説明したが、本発明の発光層が第２材料を含む有機ＥＬ素子は順構造のものに限られず、逆構造のものであってもよい。

　以下の本実施形態においては、逆構造の有機ＥＬ素子を例に挙げて説明するが、本発明の有機ＥＬ素子は、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものであってもよい。本発明の有機ＥＬ素子が順構造である場合も、逆構造の場合と同様に、陰極と発光層との間に上記有機薄膜を有する。また逆構造の場合、該電子注入層を有機バッファ層と呼ぶこともある。以下に記載の内容は、全て順構造の有機ＥＬ素子にも適用することができる。

「基板」
　基板２の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等が挙げられる。
　基板２に用いられる樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレート等が挙げられる。基板２の材料として、樹脂材料を用いた場合、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１が得られるため好ましい。
　基板２に用いられるガラス材料としては、石英ガラス、ソーダガラス等が挙げられる。

　有機ＥＬ素子１がボトムエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板を用いる。
　有機ＥＬ素子１がトップエミッション型のものである場合には、基板２の材料として、透明基板だけでなく、不透明基板を用いてもよい。不透明基板としては、例えば、アルミナのようなセラミックス材料からなる基板、ステンレス鋼のような金属板の表面に酸化膜（絶縁膜）を形成した基板、樹脂材料で構成された基板等が挙げられる。

　基板２の平均厚さは、基板２の材料等に応じて決定でき、０．１～３０ｍｍであることが好ましく、０．１～１０ｍｍであることがより好ましい。基板２の平均厚さは、デジタルマルチメーター、ノギスにより測定できる。

「陰極」
　陰極３は、基板２上に直接接触して形成されている。
　陰極３の材料としては、ＩＴＯ（インジウム酸化錫）、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素酸化錫）、Ｉｎ_３Ｏ_３、ＳｎＯ_２、Ｓｂ含有ＳｎＯ_２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物や、Ａｌ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ又はこれらを含む合金の導電材料が挙げられる。この中でも、陰極３の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＦＴＯを用いることが好ましい。
　陰極３の平均厚さは、特に制限されないが、１０～５００ｎｍであることが好ましく、１００～２００ｎｍであることがより好ましい。
　陰極３の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリー又は水晶振動子膜厚計により測定できる。

「酸化物層」
　無機の酸化物層４は、電子注入層としての機能および／または陰極としての機能を備えている。
　酸化物層４は、半導体もしくは絶縁体積層薄膜の層である。具体的には、酸化物層４は、単体の金属酸化物からなる層、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、二種類以上の金属酸化物を混合した層のいずれであってもよい。
　酸化物層４を形成する金属酸化物を構成する金属元素としては、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、インジウム、ガリウム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ケイ素が挙げられる。

　酸化物層４が、二種類以上の金属酸化物を混合した層を含む場合、金属酸化物を構成する金属元素の少なくとも一つが、マグネシウム、アルミニウム、カルシウム、ジルコニウム、ハフニウム、ケイ素、チタン、亜鉛からなる層であることが好ましい。
　酸化物層４が、単体の金属酸化物からなる層である場合、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛からなる群から選ばれる金属酸化物からなる層であることが好ましい。

　酸化物層４が、二種類以上の金属酸化物を混合した層と単体の金属酸化物からなる層のいずれか一方または両方を積層した層、または二種類以上の金属酸化物を混合した層である場合、酸化チタン／酸化亜鉛、酸化チタン／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化ケイ素、酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化カルシウム／酸化アルミニウムから選ばれる二種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したもの、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化マグネシウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ジルコニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化アルミニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ハフニウム、酸化チタン／酸化亜鉛／酸化ケイ素、酸化インジウム／酸化ガリウム／酸化亜鉛から選ばれる三種の金属酸化物の組合せを積層及び／又は混合したものなどが挙げられる。

　酸化物層４は、特殊な組成として良好な特性を示す酸化物半導体であるＩＧＺＯ（酸化インジウムガリウム亜鉛）および／またはエレクトライドである１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３を含むものであってもよい。
　酸化物層４の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、２～１００ｎｍであることがより好ましい。
　酸化物層４の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。

「電子注入層」
　電子注入層５は、陰極から発光層６への電子の注入の速度・電子輸送性を改善するものである。電子注入層５は、上記有機薄膜からなる。
　電子注入層５の平均厚さは、０．５～１００ｎｍであることが好ましく、１～１００ｎｍであることがより好ましく、５～１００ｎｍであることが更に好ましく、１０～５０ｎｍであることが特に好ましい。電子注入層５の平均厚さが０．５ｎｍ以上である場合、第１材料と第２材料とを含む塗料組成物を塗布する方法、第１材料を含む塗料組成物と第２材料と含む塗料組成物とを順に塗布する方法、又は、第１材料と第２材料とをそれぞれ積層製膜する方法のいずれかを用いて、電子注入層５を形成することにより、表面の平滑な電子注入層５が得られ、有機ＥＬ素子１の製造時におけるリークを十分に防止できる。また、電子注入層５の平均厚さが１００ｎｍ以下である場合、電子注入層５を設けることによる有機ＥＬ素子１の駆動電圧の上昇を十分に抑制できる。
また、上記電子注入層５の形成は、蒸着によって行ってもよく、第１材料と第２材料とを同時に蒸着する方法や、第１材料と第２材料のいずれか一方を蒸着した後、もう一方を蒸着する方法を用いることができる。
なお、上記第１材料と第２材料とを含む膜を製膜する場合、図５－１～１１－１（順構造の場合は図５－２～１１－２）に示すいずれの構造であってもよい。例えば、当該一層の膜からなり、当該膜全体が電子注入層を構成するものであってもよく（図５－１、５－２）、第１材料のみからなる膜、第２材料のみからなる膜のいずれか一方が陰極や酸化物に隣接して製膜され、その膜に隣接して他方が製膜されてもよい（図６－１、６－２、図７－１、７－２）。また、第１材料と第２材料とを含む膜が陰極や酸化物に隣接して製膜され、その膜に隣接して第２材料のみから成る膜が製膜されてもよく（図８－１、８－２）、第１材料を含まない、第２材料のみから成る膜が陰極や酸化物に隣接して製膜され、上記第１材料と第２材料とを含む膜がその膜に隣接して製膜されていてもよい（図９－１、９－２）。更に、第１材料のみからなる膜や第１材料と第２材料とを含む膜が、第２材料のみからなる膜に挟まれた三層構造の膜（図１０－１、１０－２、図１１－１、１１－２）の構造となるように製膜されてもよい。図５－１～１１－１、図５－２～１１－２に示すいずれの構造の膜も本発明に含まれる。なお、図８－１～１１－１や、図８－２～１１－２のように、隣接する２つの膜の両方、又は、三層構造の膜の２つ以上の膜に第２材料が含まれる場合、これら２つ以上の膜に含まれる第２材料は同一であってもよく、異なっていてもよい。また、これらの構造のうち、第１材料のみからなる層を含む図６－１、６－２、図７－１、７－２、及び、図１０－１、１０－２の構造については、当該第１材料のみからなる層を本発明の有機薄膜（第１材料のみを含み、第２材料を含まない有機薄膜）から形成された層とみなすこともできる。
　電子注入層５の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。

　上述したとおり、ｐＫａが１以上の有機材料である第１材料は、他の材料からプロトン（Ｈ^＋）を引く抜く能力を有する材料であることから、本発明の有機薄膜が酸化物層４に隣接して形成される場合、酸化物層４からの電子注入を十分に進めるため、第１材料は酸化物層４側により多く存在することが好ましい。したがって、電子注入層５は、酸化物層４側から電子輸送層１０側に向かって第１材料が濃度が薄くなってゆくような濃度分布を有することが好ましい。
逆構造の有機電界発光素子において、このような濃度分布を有する電子注入層を形成する方法としては、第１材料を含む溶液を酸化物層４上に塗布して塗膜を形成した後、第２材料を含む溶液を第１材料の塗膜上に塗布する方法が挙げられるが、濃度分布が形成できるのであれば、このプロセスに限定されるものではない。
　同様に、本発明の有機薄膜が陰極３に隣接して形成される場合、陰極３からの電子注入を十分に進めるため、第１材料は陰極３側により多く存在することが好ましい。したがって、電子注入層５は、陰極３側から電子輸送層１０側に向かって第１材料が濃度が薄くなってゆくような濃度分布を有することが好ましい。
順構造の有機ＥＬ素子において、このような濃度分布を有する電子注入層を形成する方法としては、第２材料を含む溶液を電子輸送層１０上に塗布して塗膜を形成した後、第１材料を含む溶液を第２材料の塗膜上に塗布する方法が挙げられるが、濃度分布が形成できるのであれば、このプロセスに限定されるものではない。
また、上記濃度分布は、ＴＯＦ－ＳＩＭＳ（飛行時間型二次イオン質量分析法）などで測定できる。

　また上記濃度分布を有する電子注入層を形成する他に、逆構造の有機ＥＬ素子の場合、酸化物層４上に第１材料の層を形成し、その上に第１材料と第２材料とを含む層を形成してもよい。また順構造の有機ＥＬ素子の場合、電子輸送層１０上に第２材料の層を形成し、その上に第１材料と第２材料とを含む層を形成してもよい。
この場合、これらの層を形成する方法として、塗布、蒸着のいずれも用いることができる。

　上記のとおり、ｐＫａが１以上の有機材料である第１材料は、他の材料からプロトン（Ｈ^＋）を引く抜く能力を有する材料であり、無機化合物（酸化物）の欠損箇所に好適に配位し外部から侵入する酸素や水との界面での反応を妨げる。本発明の有機薄膜は陰極又は酸化物層に隣接して形成されなくても、効果を得ることができるが、本発明の有機薄膜の効果を十分に発揮する点から、本発明の有機薄膜は、陰極又は酸化物層に隣接して層を形成することが好ましい。そのようにして得られる積層構造の膜、すなわち、酸化物層と、該酸化物層に隣接して形成された本発明の有機薄膜の層とからなる積層膜、及び、陰極と、該陰極に隣接して形成された本発明の有機薄膜の層とからなる積層膜もまた本発明の１つである。
有機ＥＬ素子が積層構造中の陰極と発光層との間に、酸化物層と、該酸化物層に隣接して形成された本発明の有機薄膜の層とを含む場合や陰極と、該陰極に隣接して形成された本発明の有機薄膜の層とを含む場合、該有機ＥＬ素子は、本発明の有機薄膜を含んで構成されているといえ、また、本発明の積層膜を含んで構成されているともいうことができる。このような陰極と発光層との間に、本発明の有機薄膜又は積層膜を含んで構成される有機ＥＬ素子もまた、本発明の１つである。更に、本発明の有機薄膜、又は、陰極と該陰極に隣接して形成された本発明の有機薄膜の層とからなる積層膜を含んで構成される有機ＥＬ素子もまた、本発明の１つである。

　本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入層として、図８－１、８－２、図９－１、９－２又は図１１－１、１１－２のような積層膜を有するものであってもよい。すなわち、陰極と前記発光層との間に、前記第１材料と第２材料とを含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜を有することは、本発明の有機ＥＬ素子の好適な実施形態の１つである。
この場合、発光層と、第１材料と第２材料とを含む膜との間に、第２材料を含む層を有する有機ＥＬ素子、及び、陰極と、第１材料と第２材料とを含む膜との間に、第２材料を含む層を有する有機ＥＬ素子のいずれも本発明の有機ＥＬ素子の好適な実施形態の１つである。

「電子輸送材料」
　電子輸送層１０としては、電子輸送層の材料として通常用いることができるいずれの材料を用いてもよい。
　具体的には、電子輸送層１０の材料として、フェニル－ディピレニルホスフィンオキサイド（ＰＯＰｙ_２）のようなホスフィンオキサイド誘導体、トリス－１，３，５－（３’－（ピリジン－３’’－イル）フェニル）ベンゼン（ＴｍＰｈＰｙＢ）のようなピリジン誘導体、（２－（３－（９－カルバゾリル）フェニル）キノリン（ｍＣＱ））のようなキノリン誘導体、２－フェニル－４，６－ビス（３，５－ジピリジルフェニル）ピリミジン（ＢＰｙＰＰＭ）のようなピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）のようなフェナントロリン誘導体、２，４－ビス（４－ビフェニル）－６－（４’－（２－ピリジニル）－４－ビフェニル）－［１，３，５］トリアジン（ＭＰＴ）のようなトリアジン誘導体、３－フェニル－４－（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル－１，３，４－オキサジアゾール）（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、２，２’，２’’－（１，３，５－ベントリイル）－トリス（１－フェニル－１－Ｈ－ベンズイミダゾール）（ＴＰＢＩ）のようなイミダゾール誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）、トリス（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などに代表される各種金属錯体、２，５－ビス（６’－（２’，２’’－ビピリジル））－１，１－ジメチル－３，４－ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）等のシロール誘導体に代表される有機シラン誘導体、特願２０１２－２２８４６０、特願２０１５－５０３０５３、特願２０１５－０５３８７２、特願２０１５－０８１１０８および特願２０１５－０８１１０９に記載のホウ素含有化合物等が挙げられ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
これらの電子輸送層１０の材料の中でも、特に、ＰＯＰｙ_２のようなホスフィンオキサイド誘導体、Ａｌｑ_３のような金属錯体、ＴｍＰｈＰｙＢのようなピリジン誘導体を用いることが好ましい。
なお、上述した第２材料を含む層を発光層に用いられる発光材料やホスト材料を用いて形成した有機ＥＬ素子のように、有機ＥＬ素子が機能を発揮する限り、本発明の有機ＥＬ素子は積層構造の中に上記のような電子輸送材料を用いた電子輸送層を有さなくてもよい。

　電子輸送層１０の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることが、より好ましい。
　電子輸送層１０の平均厚さは、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定できる。

「発光層」
　発光層６を形成する材料としては、発光層６の材料として通常用いることのできるいずれの材料を用いてもよく、これらを混合して用いてもよい。具体的には、例えば、発光層６として、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）と、トリス［１－フェニルイソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）とを含むものとすることができる。
　また、発光層６を形成する材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。なお、本発明において低分子材料とは、高分子材料（重合体）ではない材料を意味し、分子量が低い有機化合物を必ずしも意味するものではない。

　発光層６を形成する高分子材料としては、例えば、トランス型ポリアセチレン、シス型ポリアセチレン、ポリ（ジ－フェニルアセチレン）（ＰＤＰＡ）、ポリ（アルキルフェニルアセチレン）（ＰＡＰＡ）のようなポリアセチレン系化合物；ポリ（パラ－フェンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（２，５－ジアルコキシ－パラ－フェニレンビニレン）（ＲＯ－ＰＰＶ）、シアノ－置換－ポリ（パラ－フェンビニレン）（ＣＮ－ＰＰＶ）、ポリ（２－ジメチルオクチルシリル－パラ－フェニレンビニレン）（ＤＭＯＳ－ＰＰＶ）、ポリ（２－メトキシ，５－（２’－エチルヘキソキシ）－パラ－フェニレンビニレン）（ＭＥＨ－ＰＰＶ）のようなポリパラフェニレンビニレン系化合物；ポリ（３－アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）、ポリ（オキシプロピレン）トリオール（ＰＯＰＴ）のようなポリチオフェン系化合物；ポリ（９，９－ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリ（ジオクチルフルオレン－アルト－ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）、α，ω－ビス［Ｎ，Ｎ’－ジ（メチルフェニル）アミノフェニル］－ポリ［９，９－ビス（２－エチルヘキシル）フルオレン－２，７－ジル］（ＰＦ２／６ａｍ４）、ポリ（９，９－ジオクチル－２，７－ジビニレンフルオレニル－オルト－コ（アントラセン－９，１０－ジイル）のようなポリフルオレン系化合物；ポリ（パラ－フェニレン）（ＰＰＰ）、ポリ（１，５－ジアルコキシ－パラ－フェニレン）（ＲＯ－ＰＰＰ）のようなポリパラフェニレン系化合物；ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）のようなポリカルバゾール系化合物；ポリ（メチルフェニルシラン）（ＰＭＰＳ）、ポリ（ナフチルフェニルシラン）（ＰＮＰＳ）、ポリ（ビフェニリルフェニルシラン）（ＰＢＰＳ）のようなポリシラン系化合物；更には特願２０１０－２３０９９５号、特願２０１１－６４５７号に記載のホウ素化合物系高分子材料等が挙げられる。

　発光層６を形成する低分子材料としては、例えば、配位子に２，２’－ビピリジン－４，４’－ジカルボン酸を持つ、３配位のイリジウム錯体、ファクトリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ｆａｃ－トリス（３－メチル－２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’－）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３）、８－ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４－メチル－８キノリノレート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｍｑ_３）、８－ヒドロキシキノリン亜鉛（Ｚｎｑ_２）、（１，１０－フェナントロリン）－トリス－（４，４，４－トリフルオロ－１－（２－チエニル）－ブタン－１，３－ジオネート）ユーロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（ｐｈｅｎ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－ポルフィンプラチナム（ＩＩ）のような各種金属錯体；ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジアミノジスチリルベンゼン（ＤＡＤＳＢ）のようなベンゼン系化合物；ナフタレン、ナイルレッドのようなナフタレン系化合物；フェナントレンのようなフェナントレン系化合物；クリセン、６－ニトロクリセンのようなクリセン系化合物；ペリレン、Ｎ，Ｎ’－ビス（２，５－ジ－ｔ－ブチルフェニル）－３，４，９，１０－ペリレン－ジ－カルボキシイミド（ＢＰＰＣ）のようなペリレン系化合物；コロネンのようなコロネン系化合物；アントラセン、ビススチリルアントラセン、後述する式（２７）で示される（９，１０－ビス（４－（９Ｈカルバゾール－９－イル）－２，６－ジメチルフェニル））－９，１０－ジボラアントラセン（ＣｚＤＢＡ）のようなアントラセン系化合物；ピレンのようなピレン系化合物；４－（ジ－シアノメチレン）－２－メチル－６－（パラ－ジメチルアミノスチリル）－４Ｈ－ピラン（ＤＣＭ）のようなピラン系化合物；アクリジンのようなアクリジン系化合物；スチルベンのようなスチルベン系化合物；２，５－ジベンゾオキサゾールチオフェンのようなチオフェン系化合物；ベンゾオキサゾールのようなベンゾオキサゾール系化合物；ベンゾイミダゾールのようなベンゾイミダゾール系化合物；２，２’－（パラ－フェニレンジビニレン）－ビスベンゾチアゾールのようなベンゾチアゾール系化合物；ビスチリル（１，４－ジフェニル－１，３－ブタジエン）、テトラフェニルブタジエンのようなブタジエン系化合物；ナフタルイミドのようなナフタルイミド系化合物；クマリンのようなクマリン系化合物；ペリノンのようなペリノン系化合物；オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系化合物；アルダジン系化合物；１，２，３，４，５－ペンタフェニル－１，３－シクロペンタジエン（ＰＰＣＰ）のようなシクロペンタジエン系化合物；キナクリドン、キナクリドンレッドのようなキナクリドン系化合物；ピロロピリジン、チアジアゾロピリジンのようなピリジン系化合物；２，４－ジフェニル－６－ビス（（１２－フェニルインドロ）［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（ＤＩＣ－ＴＲＺ）のようなトリアジン系化合物；２，２’，７，７’－テトラフェニル－９，９’－スピロビフルオレンのようなスピロ化合物；フタロシアニン（Ｈ_２Ｐｃ）、銅フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物；更には特開２００９－１５５３２５号公報、特開２０１１－１８４４３０号公報および特願２０１１－６４５８号に記載のホウ素化合物材料等が挙げられる。
また、発光層のホスト材料として４，４’－ビス（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル（ＣＰＢ）のようなカルバゾール化合物；ケイ素化合物；フェナントロリン化合物；トリフェニレン化合物等が挙げられる。

　発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
　発光層６の平均厚さは、触針式段差計により測定してもよいし、水晶振動子膜厚計により発光層６の成膜時に測定してもよい。

「正孔輸送層」
　正孔輸送層７に用いる正孔輸送性有機材料としては、各種ｐ型の高分子材料（有機ポリマー）、各種ｐ型の低分子材料を単独または組み合わせて用いることができる。
　具体的には、正孔輸送層７の材料として、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（α－ＮＰＤ）、Ｎ４，Ｎ４’－ビス（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－４－イル）－Ｎ４，Ｎ４’－ジフェニルビフェニルー４，４’－ジアミン（ＤＢＴＰＢ）、Ｎ３，Ｎ３’’’－ビス（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－４－イル）－Ｎ３，Ｎ３’’’－ジフェニル－［１，１’：２’，１’’：２’’，１’’’－クアテルフェニル］－３，３’’’－ジアミン（４ＤＢＴＰ３Ｑ）、ポリアリールアミン、フルオレン－アリールアミン共重合体、フルオレン－ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられる。これらの正孔輸送層７の材料は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、正孔輸送層７の材料として用いられるポリチオフェンを含有する混合物として、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
なお、上述したように、正孔注入層から発光層に用いる材料へは比較的容易に正孔が注入できるため、発光層に用いる材料を正孔輸送層に用いても低い駆動電圧で動作することが可能である。このため、本発明の有機ＥＬ素子は上記のような正孔輸送材料を用いた正孔輸送層を有さなくてもよい。

　正孔輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１５０ｎｍであることが好ましく、２０～１００ｎｍであることがより好ましい。
　正孔輸送層７の平均厚さは、例えば、触針式段差計、分光エリプソメトリーにより測定することができる。

「正孔注入層」
　正孔注入層８は、無機材料からなるものであってもよいし、有機材料からなるものであってもよい。無機材料は、有機材料と比較して安定であるため、有機材料を用いた場合と比較して、酸素や水に対する高い耐性が得られやすい。
　無機材料としては、特に制限されないが、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブテン（ＭｏＯ_３）、酸化ルテニウム（ＲｕＯ_２）等の金属酸化物を１種又は２種以上を用いることができる。
　有機材料としては、ジピラジノ［２，３－ｆ：２’，３’－ｈ］キノキサリン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）や２，３，５，６－テトラフルオロ－７，７，８，８－テトラシアノ－キノジメタン（Ｆ４－ＴＣＮＱ）、フラーレン、ヘレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ　ＨＩＬ１．３Ｎ」等を用いることができる。

　正孔注入層８の平均厚さは、特に限定されないが、１～１０００ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであることがより好ましい。
　正孔注入層８の平均厚さは、水晶振動子膜厚計又は触針式段差計により成膜時に測定することができる。

「陽極」
　陽極９に用いられる材料としては、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられる。この中でも、陽極９の材料として、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌを用いることが好ましい。
　陽極９の平均厚さは、特に限定されないが、１０～１０００ｎｍであることが好ましく、３０～１５０ｎｍであることがより好ましい。また、陽極９の材料として不透過な材料を用いる場合でも、例えば、平均厚さを１０～３０ｎｍ程度にすることで、トップエミッション型の有機ＥＬ素子における透明な陽極として使用できる。
　陽極９の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により陽極９の成膜時に測定できる。

「封止」
　図１に示す有機ＥＬ素子１は、必要に応じて、封止されていてもよい。
　例えば、図１に示す有機ＥＬ素子１は、有機ＥＬ素子１を収容する凹状の空間を有する封止容器（不図示）と、封止容器の縁部と基板２とを接着する接着剤とによって封止されていてもよい。また、封止容器に有機ＥＬ素子１を収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂などからなるシール材を充填することにより封止してもよい。また、例えば、図１に示す有機ＥＬ素子１は、陽極９上に配置された板部材（不図示）と、板部材の陽極９と対向する側の縁部に沿って配置された枠部材（不図示）とからなる封止部材と、板部材と枠部材との間および枠部材と基板２との間とを接着する接着剤とを用いて封止されていてもよい。

　封止容器または封止部材を用いて有機ＥＬ素子１を封止する場合、封止容器内または封止部材の内側に、水分を吸収する乾燥材を配置してもよい。また、封止容器または封止部材として、水分を吸収する材料を用いてもよい。また、封止された封止容器内または封止部材の内側には、空間が形成されていてもよい。

　図１に示す有機ＥＬ素子１を封止する場合に用いる封止容器または封止部材の材料としては、樹脂材料、ガラス材料等を用いることができる。封止容器または封止部材に用いられる樹脂材料およびガラス材料としては、基板２に用いる材料と同様のものが挙げられる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子１において、有機薄膜として、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物からなる第１材料と、上記一般式（４）で示されるホウ素含有化合物からなる第２材料とからなるものを用いて電子注入層を形成した場合には、例えば、電子注入層として大気中で不安定な材料であるアルカリ金属を用いた場合と比較して、優れた耐久性が得られる。このため、封止容器または封止部材の水蒸気透過率が１０^－４～１０^－３オーダー（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ）程度であれば、有機ＥＬ素子１の劣化を十分に抑制できる。したがって、封止容器または封止部材の材料として、水蒸気透過率が１０^－３オーダー（ｇ／ｍ^２／ｄａｙ）程度以下の樹脂材料を用いることが可能であり、柔軟性に優れた有機ＥＬ素子１を実現できる。

「有機ＥＬ素子の製造方法」
　次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、図１に示す有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。
　図１に示す有機ＥＬ素子１を製造するには、まず、基板２上に陰極３を形成する。
　陰極３は、スパッタ法、真空蒸着法、ゾルゲル法、スプレー熱分解（ＳＰＤ）法、原子層堆積（ＡＬＤ）法、気相成膜法、液相成膜法等により形成することができる。陰極３の形成には、金属箔を接合する方法を用いてもよい。

　次に、陰極３上に無機の酸化物層４を形成する。
　酸化物層４は、例えば、スプレー熱分解法、ゾルゲル法、スパッタ法、真空蒸着法等の方法を用いて形成する。このようにして形成された酸化物層４の表面は、平滑ではなく凹凸を有するものとなる場合がある。

　次に、酸化物層４上に電子注入層５を形成する。
　電子注入層５は、上述した有機薄膜の製造方法により形成できる。

　次に、電子注入層５上に、電子輸送層１０、発光層６と、正孔輸送層７とをこの順で形成する。
　電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７の形成方法は、特に限定されず、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７それぞれに用いられる材料の特性に合わせて、従来公知の種々の形成方法を適宜用いることができる。

　具体的には、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７の各層を形成する方法として、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する塗布法、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｖｅ　Ｓｐｒａｙ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｆｒｏｍ　Ｕｌｔｒａ－ｄｉｌｕｔｅ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）法などが挙げられる。これらの電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７の形成方法の中でも特に、塗布法を用いることが好ましい。なお、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物の溶媒溶解性が低い場合には、真空蒸着法、ＥＳＤＵＳ法を用いることが好ましい。

　塗布法を用いて電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７を形成する場合には、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物をそれぞれ溶媒に溶解することにより、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物をそれぞれ含む有機化合物溶液を形成する。

　電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物を溶解するために用いる溶媒としては、例えば、キシレン、トルエン、シクロヘキシルベンゼン、ジハイドロベンゾフラン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒等が好ましく、これらを単独または混合して用いることができる。

　電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７となる有機化合物を含む有機化合物溶液を塗布する方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の各種塗布法を用いることができる。これらの塗布法の中でも、膜厚をより制御しやすいという点で、スピンコート法やスリットコート法を用いることが好ましい。

　次に、正孔輸送層７上に正孔注入層８と、陽極９とをこの順に形成する。
　正孔注入層８が無機材料からなるものである場合、正孔注入層８は、例えば、酸化物層４と同様にして形成できる。
　正孔輸送層９が有機材料からなるものである場合、正孔注入層８は、例えば、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７と同様にして形成できる。
　陽極９は、例えば、陰極３と同様にして形成できる。
　以上の工程により、図１に示す有機ＥＬ素子１が得られる。

「封止方法」
　図１に示す有機ＥＬ素子１を封止する場合には、有機ＥＬ素子の封止に用いられる通常の方法を使用して封止できる。

　本実施形態の有機ＥＬ素子１は、上述したｐＫａが１以上の有機材料である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む有機薄膜からなる電子注入層５を有しているため、第１材料が第２材料からプロトン（Ｈ^＋）を引き抜くことにより、マイナス電荷が生じ、優れた電子注入性が得られる。したがって、陰極３から発光層６への電子注入・電子輸送の速度が速く、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。
　また、上述したように、上述したｐＫａが１以上の有機材料である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む有機薄膜が積層膜であって、第２材料によって形成される層が第１材料によって形成される電子注入層とは異なる層である有機ＥＬ素子１も本発明の有機ＥＬ素子の別の実施形態である。このような実施形態の有機ＥＬ素子においても、陰極３から発光層６への電子注入・電子輸送の速度が速く、駆動電圧の低い有機ＥＬ素子１となる。

「他の例」
　本発明の有機ＥＬ素子は、上述した実施形態において説明した有機ＥＬ素子に限定されるものではない。
　具体的には、上述した実施形態においては、有機薄膜が電子注入層として機能する場合を例に挙げて説明したが、本発明の有機ＥＬ素子は、陰極と発光層との間に有機薄膜を有していればよい。したがって、有機薄膜は、電子注入層に限定されるものではなく、電子注入層と電子輸送層とを兼ねる層として設けられていてもよいし、電子輸送層として設けられていてもよい。

　また、図１に示す有機ＥＬ素子１においては、無機の酸化物層４、電子輸送層１０、正孔輸送層７、正孔注入層８は、必要に応じて形成すればよく、設けられていなくてもよい。
　また、陰極３、酸化物層４、電子注入層５、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８、陽極９の各層は、１層で形成されているものであってもよいし、２層以上からなるものであってもよい。

　また、図１に示す有機ＥＬ素子１においては、図１に示す各層の間に他の層を有するものであってもよい。具体的には、有機ＥＬ素子の特性をさらに向上させる等の理由から、必要に応じて、電子阻止層などを有していてもよい。

　また、上述した実施形態では、基板２と発光層６との間に陰極３が配置された逆構造の有機ＥＬ素子を例に挙げて説明したが、基板と発光層との間に陽極が配置された順構造のものであってもよい。

「表示装置、照明装置、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタ」
　本発明の有機ＥＬ素子は、発光層などの材料を適宜選択することによって発光色を変化させることができるし、カラーフィルター等を併用して所望の発光色を得ることもできる。そのため、表示装置の発光部位や照明装置として好適に用いることができる。

　本発明の表示装置は、陰極と発光層との間に有機薄膜を有し、生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を備える。このため、表示装置として好ましいものである。
　また、本発明の照明装置は、生産性に優れ、駆動電圧が低い本発明の有機ＥＬ素子を備える。このため、照明装置として好ましいものである。

　本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の有機薄膜は、例えば、有機薄膜太陽電池、光電変換素子、薄膜トランジスタなどのデバイスに用いることができる。
　本発明の有機薄膜太陽電池や光電変換素子は、有機薄膜を含む。例えば、有機薄膜を有機薄膜太陽電池や光電変換素子の電子注入層に用いた場合、有機薄膜の第１材料が第２材料からプロトン（Ｈ^＋）を引き抜くことにより、マイナス電荷が生じるため、電子輸送の速度が速く、高い発電効率が得られる。したがって、本発明の有機薄膜を含む有機薄膜太陽電池や光電変換素子は、有機薄膜太陽電池や光電変換素子として好ましいものである。
　また、本発明の薄膜トランジスタは、有機薄膜を含む。例えば、薄膜トランジスタのチャネル層を有機薄膜で形成した場合、電子移動度の高いチャネル層が得られる。
　また、電極上に該有機薄膜を形成した場合、接触抵抗の低減が期待できる。
　このように本発明の有機薄膜は、有機薄膜太陽電池、光電変換素子や薄膜トランジスタの材料として好適なものであり、したがって、該有機薄膜を構成する上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物もまた、これらの材料として好適なものである。このような、上記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む有機薄膜太陽電池用材料、光電変換素子用材料や薄膜トランジスタ用材料もまた、本発明の１つである。

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は「重量部」を、「％」は「モル％」を意味するものとする。

合成例１
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，４５（５），ｐ．２２４９－２２５６，２０１２年に記載されている方法により、下記式（２－９）の化合物を合成した。

合成例２
２００ｍＬの三口フラスコに、ｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（７４７ｍｇ）、トルエン（６７ｍＬ）を入れ、窒素雰囲気下９０℃に加熱し溶解させた。室温まで放冷後、酢酸パラジウム（１８０ｍｇ）を入れ、室温で１時間撹拌した。これに２，６－ジブロモピリジン（４．７４ｇ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（６．１３ｇ）、ＫＯｔＢｕ（６．２８ｇ）を加え、９０℃で終夜加熱撹拌した。室温まで放冷後、ジエチルエーテルを加え、析出する固体をろ別し、ろ液を濃縮した。得られた残渣にアセトンを加え、析出した固体をろ取し、下記式（２－２）の化合物（３．７ｇ，５２．５％）を得た。

合成例３
３００ｍＬ３つ口フラスコ中、窒素気流下、トルエン（１００ｍＬ）にｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（３６９ｍｇ）を室温にて加え、オイルバス６０℃にて固体が溶解するまで加熱撹拌した。室温に戻した混合物にＰｄ（ＯＡｃ）_２（９８ｍｇ），６－ブロモ－２，２’－ビピリジン（５．００ｇ）を加え、再びオイルバス６０℃にて２０分撹拌した。室温に戻した混合物に１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（３．２６ｇ）、ＫＯｔＢｕ（５．９７ｇ）を加え、オイルバス９０℃にて３時間撹拌した。室温に戻した混合物にジエチルエーテルを加え、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮し、残渣に酢酸エチル（１５ｍＬ）を加えた。混合物を超音波処理することで得られた固体を濾取し、終夜減圧乾燥した。得られた固体を酢酸エチルにて再結晶後、蒸留をすることで下記式（２－３）の化合物（１．２０ｇ、１９．２％）を白色固体として得た。

合成例４
３つ口フラスコ中、窒素気流下、トルエン（９７ｍＬ）にｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（３５７ｍｇ）を室温にて加え、オイルバス６０℃にて固体が溶解するまで加熱撹拌した。室温に戻した混合物に酢酸パラジウム（８６ｍｇ）、２－ブロモ－１，１０－フェナントロリン（４．４０ｇ）を加え、再びオイルバス６０℃にて３０分撹拌した。室温に戻した混合物に１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（２．６４ｇ）、ＫＯｔＢｕ（４．７２ｇ）を加え、オイルバス９０℃にて４時間撹拌した。室温に戻した混合物にジエチルエーテル（１５０ｍＬ）を加え、不溶物を濾別した。濾液を減圧濃縮し、残渣に酢酸エチル（２０ｍＬ）を加えた。析出物を濾取し、減圧乾燥した。固体にアセトン（１００ｍＬ）を加えて加熱洗浄し、固体を濾取した。得られた固体を昇華精製することで下記式（２－４）の化合物（２．２１ｇ、２５．６％）を白色固体として得た。

合成例５
フラスコ中、窒素気流下、トルエン（８０ｍＬ）にｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（３０１ｍｇ）を室温にて加え、オイルバス６０℃にて固体が溶解するまで加熱撹拌した。室温に戻した混合物に酢酸パラジウム（７８ｍｇ）、６，６’－ジブロモ－２，２’－ビピリジン（５．００ｇ）を加え、再びオイルバス６０℃にて２０分撹拌した。室温に戻した混合物に１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（４．９０ｇ）、ＫＯｔＢｕ（８．９５ｇ）を加え、オイルバス１１０℃にて６時間撹拌した。室温に戻した混合物にジエチルエーテルを加え、不溶物を濾別した。不溶物をクロロホルム－酢酸エチル混合溶媒にてリンスし、合わせた濾液を減圧濃縮した。残渣にメタノールを加え、析出物を濾取した。得られた固体（３．６０ｇ）にメタノール（５０ｍＬ）を用いて加熱洗浄し、室温に戻してから析出した固体を再度濾取した。得られた固体（２．２０ｇ）を昇華精製することで下記式（２－５）の化合物（１．４５ｇ、２１．０％）を白色固体として得た。

合成例６
ナスフラスコ中、２－クロロ－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（５．００ｇ）とトルエン（９５ｍＬ）の混合物に１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（５．７２ｇ）を室温にて加えた後にオイルバス１００℃にて３時間撹拌した。室温に戻した混合物から不溶物を濾別し、濾液を減圧濃縮した。残渣にクロロホルム（２５ｍＬ）を加えて超音波処理することにより析出した固体を濾取後、減圧乾燥することで下記式（２－６）の化合物（５．９０ｇ、８５．２％）を白色固体として得た。

合成例７
１００ｍＬの反応容器にｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（０．２１３ｇ，０．３４２ｍｍｏｌ）、トルエン（２０ｍＬ）を入れ、７０℃に昇温、完溶させた後、酢酸パラジウム（５１ｍｇ，０．２２８ｍｍｏｌ）を加え、室温まで放冷しながら攪拌した。これに２，４，６－トリブロモピリジン（１．２ｇ，３．８ｍｍｏｌ）、ＫＯｔＢｕ（１．８ｇ，１６．０ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（１．９ｇ，１３．７ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で１４時間加熱攪拌した。反応溶液を室温まで放冷後、セライトろ過し、ろ液を濃縮し、下記式（２－１１）の化合物を２．２ｇ得た。

合成例８
２００ｍＬナスフラスコにｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（０．２３８ｇ，０．３８３ｍｍｏｌ）と脱水トルエン（５５ｍＬ）を入れて、９０℃で加熱溶解させた。これを室温に冷却して、酢酸パラジウム（０．０５４ｇ，０．２４ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内をアルゴン置換した。１時間後、２－ブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（２．１８ｇ，５．５２ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（０．９５７ｇ，６．８８ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（０．９３６ｇ，８．３５ｍｍｏｌ）を加えて、再度反応容器内をアルゴン置換した後、オイルバス９０℃にて加熱攪拌した。２．２５時問後、室温に冷却して、ジェチルエーテル（２２０ｍＬ）を加えて、しばらく撹押した後、析出固体を吸引ろ過、ジエチルエーテルで洗浄した。ろ液中のジエチルエーテル分を減圧下で留去した後、残ったトルエン層を水（５５ｍＬ）で洗浄した。有機層を減圧留去し得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーでカラム精製することにより下記式（２－３０）の化合物を２．１３ｇ（４．６９ｍｍｏｌ，収率８５％）得た。
別途合成していたものと合わせた下記式（２－３０）の化合物２．３１ｇをクロロホルムに溶解させ、溶媒を減圧留去した後、残漬をヘキサン（５０ｍＬ）に懸濁させて３０分攪拌した後、固体を吸引ろ過しヘキサンで洗浄することにより純度９９．２％の下記式（２－３０）の化合物を１．７８ｇ得た。
得られた化合物の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は以下の通りである。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ　ＣＤＣｌ_３）：δ７．８１（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．７４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．４１（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５，８．５Ｈｚ），７．３６－７．２９（ｍ，３Ｈ），７．０９（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．０３（ｔ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），６．７６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），６．６６（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），６．４４（ｄ，１Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），３．３２（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．２６（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．１４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），３．１１（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．９２（ｑｕｉｎ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），１．８０（ｑｕｉｎ，２Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）．

合成例９
１００ｍＬナスフラスコにｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（０．１３８ｇ，０．２２１ｍｍｏｌ）と脱水トルエン（３５ｍＬ）を入れて、９０℃で加熱溶解させた。これを室温に冷却して、酢酸パラジウム（０．０３３１，０．１４８ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内をアルゴン置換した。１時間後、２，７－ジブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（０．７ｇ，１．４８ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（０．４５２ｇ，３．２５ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（０．４３１ｇ，３．８４ｍｍｏｌ）を加えて、再度反応容器内をアルゴン雰囲気下にした後、オイルバス９０℃にて加熱攪拌した。３．２５時間後、室温に冷却して、ジエチルエーテル（１００ｍＬ）を加えて、しばらく攪拌した後、析出固体を吸引ろ過、ジェチルエーテルで洗浄した。ろ液を水（３５ｍＬ）で逆抽出して、水層を減圧留去し１．０９ｇの固体を得た。
これをアセトンに懸濁させて、室温で２時間撹押した後、固体を吸引ろ過、アセトン洗浄した。この操作を２回行い、下記式（２－３１）の化合物を０．５２０ｇ（０．８８ｍｍｏｌ，収率６０％）の淡黄色固体として得た。
得られた化合物の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は以下の通りである。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ　ＣＤＣｌ_３）：δ７．８０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．７０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），７．４４（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），７．３４（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．１０（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），６．８０（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），６．３９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．５Ｈｚ），３．３８－３．３３（ｍ，４Ｈ），３．２８－３．２５（ｍ，４Ｈ），３．２３－３．１４（ｍ，８Ｈ），１．９８－１．９３（ｍ，４Ｈ），１．８７－１．８１（ｍ，４Ｈ）．

合成例１０
５００ｍＬナスフラスコにｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（１．２１ｇ，１．９５ｍｍｏｌ）と脱水トルエン（３５０ｍＬ）を入れて、９０℃で加熱溶解させた。これを室温に冷却して、酢酸パラジウム（０．３４５，１．５４ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内をアルゴン置換した。５５分後、９，１０－ジブロモアントラセン（５．０１ｇ，１４．９ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（４．４５ｇ，３２．０ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（４．２６ｇ，３７．９ｍｍｏｌ）を加えて、再度反応容器内をアルゴン雰囲気下にした後、オイルバス９０℃にて加熱攪拌した。１４０分後、室温に冷却して、ジェチルエーテル（１Ｌ）を加えて、しばらく攪拌した後、析出固体を吸引ろ過、ジエチルエーテルで洗浄した。ろ液中のジエチルエーテル分を減圧留去後、トルエン層を水（１５０ｍＬ）で逆抽出して、水層を減圧留去し３．７７gの橙色固体を得た。
これをアセトン（５０ｍＬ）に懸濁させて、室温で終夜攪拌後、固体を吸引ろ過、アセトン洗浄して１．０gの黄色固体を得た。
さらにこの黄色固体を６０℃でクロロホルム（４１ｍＬ）に溶解させた後、ヘキサン（４８ｍＬ）を徐々に加えた。固体の析出を確認した後、冷凍庫で終夜冷却し、固体を吸引ろ過、ヘキサン洗浄して、下記式（２－３２）の化合物を０．６５７ｇ（１．４５ｍｍｏｌ，収率１０％）の黄色固体として得た。
得られた化合物の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は以下の通りである。
^１Ｈ－ＮＭＲ（５００ＭＨｚ　ＣＤＣｌ_３）：δ８．０３（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），７．４３（ｑ，４Ｈ，Ｊ＝３．０Ｈｚ），３．５９（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．４８（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．３６（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．１６（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），２．２９（ｑｕｉｎ，４Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），１．８６（ｑｕｉｎ，４Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）．

合成例１１
１００ｍＬナスフラスコにｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（０．４０７ｇ，０．６５３ｍｍｏｌ）と脱水トルエン（６０ｍＬ）を入れて、９０℃で加熱溶解させた。これを室温に冷却して、酢酸パラジウム（０．１２４，０．５５１ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内をアルゴン置換した。３０分後、２，２’－ジブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（２．３２ｇ，４．９０ｍｍｏｌ）、１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（１．４７ｇ，１０．６ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（１．３８ｇ，１２．３ｍｍｏｌ）を加えて、再度反応容器内をアルゴン雰囲気下にした後、オイルバス９０℃にて加熱攪拌した。２１．２５時間後、室温に冷却して、ジエチルエーテル（３００ｍＬ）を加えて、しばらく攪拌した後、析出固体を吸引ろ過、ジェチルエーテルで洗浄した。ろ液を水（６０ｍＬ）で逆抽出して水層を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィーで精製することにより、黄色アモルファス状の下記式（２－３３）の化合物を１．５４ｇ（２．６１ｍｍｏｌ，収率５３％）得た。
得られた化合物の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は以下の通りである。
^１ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ　ＣＤＣｌ_３）：δ７．７０（ｄｄ，４Ｈ，Ｊ＝８．０，１４．０Ｈｚ），７．３７（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．０，８．０Ｈｚ），７．２９（ｔ，２Ｈ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），７．０１（ｄｄ，２Ｈ，Ｊ＝１．０，７．５Ｈｚ），６．６９（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝８．０Ｈｚ），６．４７（ｄ，２Ｈ，Ｊ＝２．０Ｈｚ），３．３７－３．２８（ｍ，４Ｈ），３．２４（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．１３（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），３．０９（ｔ，４Ｈ，Ｊ＝６．５Ｈｚ），１．９１（ｑｕｉｎ，４Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ），１．７８（ｑｕｉｎ，４Ｈ，Ｊ＝６．０Ｈｚ）．

合成例１２
５００ｍＬナスフラスコにｒａｃ－ＢＩＮＡＰ（１．６０ｇ，２．５７ｍｍｏｌ）と脱水トルエン（３５０ｍＬ）を入れて、９０℃で加熱溶解させた。これを度室温に冷却して、酢酸パラジウム（０．３９５ｇ，１．７６ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内とアルゴン置換した。３０分後、２，２’，７，７’－ジブロモ－９，９’－スピロビ［９Ｈ－フルオレン］（４．４３ｇ，７．００ｍｍｏｌ），１，３，４，６，７，８－ヘキサヒドロ－２Ｈ－ピリミド［１，２－ａ］ピリミジン（４．０６ｇ，２９．１ｍｍｏｌ）、カリウムｔｅｒｔ－ブトキシド（４．０８ｇ，３６．３ｍｍｏｌ）を加えて、反応容器内を再度アルゴン雰囲気下にした後、オイルバス９０℃にて加熱撹押した。２２．７５時間後、室温に冷却して、ジェチルエーテル（１．０５Ｌ）を加えて、しばらく撹枠した後、析出固体を吸引ろ過、ジェチルエーテルで洗浄した。ろ物をクロロホルム（１００ｍＬ）に溶解後、水（１５０ｍＬ）で逆抽出して、水層をクロロホルム（２００ｍＬ）で洗浄後、水層を減圧留去し、粗体として３．２９ｇの茶緑色アモルファス状物質を得た。
これをアセトンで懸濁後、固体を吸引ろ過、アセトン洗浄して、ろ液を減圧留去し、下記式（２－３４）の化合物を２．３２ｇ（２．６８ｍｍｏｌ，収率３８％）の黄色アモルファス状物質として得た。
別途合成していたものと合わせ合計２．４５ｇをジエチルエーテル／トルエン／アセトン混合溶媒（３／１／１．２５ｍＬ）で懸濁後、固体を吸引ろ過、ジエチルエーテル／トルエン／アセトン混合溶媒（３／１／１）で洗浄し２．２４ｇの下記式（２－３４）の化合物の淡黄色固体を得た。（純度７４．７％）
得られた化合物の^１Ｈ－ＮＭＲ測定結果は以下の通りである。
^１ＨＮＭＲ（５００ＭＨｚ　ＣＤＣｌ_３）：δ７．６６－７．５５（ｍ，４Ｈ），７．３２－７．２４（ｍ，４Ｈ），６．５５－６．４０（ｍ，４Ｈ），３．３５（ｔ，８Ｈ，Ｊ＝５．５Ｈｚ），３．２６－３．０６（ｍ，２４Ｈ），１．９６－１．８８（ｍ，８Ｈ），１．８８－１．７４（ｍ，８Ｈ）．

合成例１３
国際公開第２０１６／１８１７０５号の合成例１～３と同様の方法により、下記式（４）で表されるホウ素含有化合物を合成した。

合成例１４
＜ホウ素含有重合体合成用モノマーの合成＞
３００ｍＬの反応容器に下記式（８）で表される化合物（３．９６ｇ）、４－ピリジンボロン酸（１．０３ｇ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．２４ｇ）、炭酸ナトリウム（２．２４ｇ）、トルエン（４０ｍＬ）、蒸留水（４０ｍＬ）、エタノール（２０ｍＬ）を加えた。得られた懸濁液を、アルゴンバブリングしながら１０分間撹拌後、オイルバスにて９５℃に昇温し、同温で１８時間加熱撹拌した。得られた黄色溶液に、水（１００ｍＬ）、トルエン（１００ｍＬ）を加え２層に分けた。有機層を水、飽和食塩水で順次洗浄後、濃縮した。得られた残渣をカラムクロマトグラフィーおよび分取ＧＰＣによる精製によって無色の固体を得た。これをエタノール／ヘキサンによって再結晶を行い、下記式（９）で表される化合物（０．６９ｇ）を得た。

＜ホウ素含有重合体の合成＞
アルゴン雰囲気下、５０ｍＬの耐圧試験管に、上記式（９）で表される化合物（０．５ｇ）、下記式（１０）で表される化合物（０．５７ｇ）、Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４（０．１ｇ）、炭酸ナトリウム（０．４７２ｇ）、Ａｌｉｑｕａｔ３３６（０．２ｇ）、トルエン（１０ｍＬ）、蒸留水（１０ｍＬ）を加えた。この懸濁液を約１５分間アルゴンバブリングした後、オイルバスにて１００℃で加熱しながら２４時間撹拌した。これにヨードベンゼン（０．１８１ｇ）を加え１８時間同温で１８時間撹拌後、フェニルボロン酸（０．２１７ｇ）を加え、１８時間撹拌した。得られた黒褐色懸濁液の有機層をセライト濾過し、ろ液を濃縮した。得られた残渣をカラム精製し、薄い茶色の粉末を得た。これにヘプタン、エタノールを加え、加熱分散洗浄し、放冷後固体を濾過してエタノールで洗浄しすることで、ホウ素含有重合体（７）を０．６１ｇ得た。

実施例１
以下のようにして図１に示す積層構造の逆構造の有機ＥＬ素子を作製した。
［１］基板２として、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陰極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板を用意した。そして、陰極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陰極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
［２］［１］において洗浄した陰極３の形成されている基板２を、亜鉛金属ターゲットを持つミラトロンスパッタ装置の基板ホルダーに固定した。スパッタ装置のチャンバー内を、約１×１０^－４Ｐａの圧力となるまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタし、基板２の陰極３上に膜厚約３ｎｍの酸化亜鉛層（酸化物層４）を作製した。なお、酸化亜鉛層を作製する際には、電極取り出しのために、ＩＴＯ電極（陰極３）上の一部に酸化亜鉛が成膜されないようにした。酸化物層４を成膜した基板２に、大気下で４００℃、１時間のアニールを行った。
［３］次に、酸化物層４上に電子注入層５として、以下に示す方法により、第１材料と第２材料とを含む有機薄膜を形成した。
まず、式（４）で表されるホウ素含有化合物と式（２－２）の化合物（重量比１：０．０５）をシクロペンタノンに溶解し（濃度は０．５重量％）、塗料組成物を得た。次に、［２］で作製した陰極３および酸化物層４の形成されている基板２をスピンコーターに設置した。そして、塗料組成物を酸化物層４上に滴下しながら、基板２を毎分３０００回転で３０秒間回転させて塗膜を形成した。その後、ホットプレートを用いて窒素雰囲気下で１５０℃、１時間のアニール処理を施し、電子注入層５を形成した。得られた電子注入層５の平均厚さは１５ｎｍであった。
［４］次に、電子注入層５までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、下記式（１１）で示されるビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）と、下記式（１２）で示されるトリス［１－フェニルイソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）と、下記式（１３）で示されるＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（α－ＮＰＤ）と、下記式（１４）で示される１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）と、Ａｌとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源としてセットした。

そして、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８、陽極９を連続して形成した。
まず、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２からなる厚み１０ｎｍの電子輸送層１０を形成した。続いて、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２をホスト、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３をドーパントとして２０ｎｍ共蒸着し、発光層６を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３が発光層６全体に対して６質量％となるようにした。次に、発光層６まで形成した基板２上に、α－ＮＰＤを５０ｎｍ成膜し、正孔輸送層７を形成した。さらに、ＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍ成膜し、正孔注入層８を形成した。次に、正孔注入層８まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陽極９を成膜した。
なお、陽極９は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。
［５］次に、陽極９までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１の有機ＥＬ素子を得た。

実施例２
実施例１の［３］の工程において、式（２－２）の化合物に代えて、式（２－４）の化合物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例２の有機ＥＬ素子を得た。

比較例１
実施例１の［３］の工程において、式（２－２）の化合物を用いず、式（４）で表されるホウ素含有化合物のみをシクロペンタノンに溶解（濃度は０．５重量％）した塗料組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例１の有機ＥＬ素子を得た。

実施例１、２及び比較例１で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図１２に示す。

実施例３
実施例１の［３］の工程において、式（４）で表されるホウ素含有化合物と式（２－２）の化合物（重量比１：２）をシクロペンタノンに溶解（濃度は０．５重量％）した塗料組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例３の有機ＥＬ素子を得た。

実施例４
実施例１の［３］の工程において、式（４）で表されるホウ素含有化合物と式（２－９）の化合物（重量比１：２）をシクロペンタノンに溶解（濃度は０．５重量％）した塗料組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、実施例４の有機ＥＬ素子を得た。

比較例２
実施例１の［３］の工程において、式（４）で表されるホウ素含有化合物と下記式（１５）で表されるＭＴＢＤ（重量比１：２）をシクロペンタノンに溶解（濃度は０．５重量％）した塗料組成物を用いたこと以外は実施例１と同様にして、比較例２の有機ＥＬ素子を得た。

実施例３、４及び比較例１、２で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図１３に示す。また、これらの素子の発光の様子を図１４に示す。

実施例５
実施例１の［３］の工程を以下の［３－１］のようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例５の有機ＥＬ素子を得た。
［３－１］真空蒸着装置を用いて、式（４）で表されるホウ素含有化合物をホスト、式（２－２）の化合物をドーパントとして１０ｎｍ共蒸着し、電子注入層５を成膜した。この時、ドープ濃度は、式（２－２）の化合物が電子注入層５全体に対して５質量％となるようにした。

比較例３
実施例５の［３－１］の工程において、式（４）で表されるホウ素含有化合物のみを１０ｎｍ成膜したこと以外は実施例５と同様にして、比較例３の有機ＥＬ素子を得た。

実施例５及び比較例３で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図１５に示す。

実施例６
実施例１の［２］の工程を行わず、［３］の工程を上記［３－１］のようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例６の有機ＥＬ素子を得た。

実施例５、６で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図１６に示す。

実施例７
実施例５の［３－１］の工程において、式（４）の化合物の代わりに特開２０１８－２０６８８９記載の下記式（１６）で表されるトリアジン化合物を用い、式（２－２）のドープ濃度を１０質量％としたこと以外は実施例５と同様にして、実施例７の有機ＥＬ素子を得た。

実施例８
実施例１の［３］の工程を以下の［３－２］のようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例８の有機ＥＬ素子を得た。
［３－２］真空蒸着装置を用いて、式（２－２）の化合物を１ｎｍ蒸着し、続いて式（１６）の化合物を１０ｎｍ蒸着することで、式（２－２）の化合物と式（１６）の化合物が積層された電子注入層５を成膜した。

比較例４
実施例７の［３－１］の工程において、式（１６）で表されるトリアジン化合物のみを１０ｎｍ成膜したこと以外は実施例７と同様にして、比較例４の有機ＥＬ素子を得た。

実施例７、８及び比較例４で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図１７に示す。

実施例９
実施例５の［３－１］の工程において、式（４）の化合物の代わりに下記式（１７）で表されるホウ素化合物を用い、式（２－２）のドープ濃度を５質量％としたこと以外は実施例５と同様にして、実施例９の有機ＥＬ素子を得た。

実施例１０
実施例１の［３］の工程を以下の［３－３］のようにしたこと以外は実施例１と同様にして、実施例１０の有機ＥＬ素子を得た。
［３－３］まず、下記式（７）で表されるホウ素含有重合体をジメチルアセトアミドに溶解し（濃度は０．１重量％）、塗料組成物を得た。次に、［２］で作製した陰極３および酸化物層４の形成されている基板２をスピンコーターに設置した。そして、塗料組成物を酸化物層４上に滴下しながら、基板２を毎分３０００回転で３０秒間回転させて塗膜を形成した。その後、ホットプレートを用いて窒素雰囲気下で１２０℃、２時間のアニール処理を施し、式（７）の化合物からなる第２材料の層を形成した。得られた層の平均厚さは１５ｎｍであった。次に、この基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、式（１６）で表されるホウ素含有化合物をホスト、式（２－２）の化合物をドーパントとして１０ｎｍ共蒸着し、式（７）の上層に、式（１７）の化合物と式（２－２）の化合物の混合膜が積層された電子注入層５を成膜した。この時、式（１７）の化合物と式（２－２）の化合物の混合膜中、式（２－２）の化合物が式（１７）のホウ素化合物に対して５質量％となるようにした。

実施例９、１０で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係、及び、輝度の経時変化を調べた。結果を図１８、図１９に示す。

実施例１１
以下に示す方法により、図２０に示す積層構造の順構造の有機ＥＬ素子１１を製造した。
［１］ＩＴＯ膜（膜厚１００ｎｍ、幅３ｍｍにパターニング済）からなる陽極９を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販されているガラス製透明基板２（以下、単に基板とも称する）を用意した。
［２］次に、陽極９を有する基板２を、アセトン中およびイソプロパノール中でそれぞれ１０分間超音波洗浄し、さらにイソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、基板をイソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
［３］次に、ＰＥＤＯＴ（Ｃｌｅｖｉｏｓ　ＨＩＬ１．３Ｎ）からなる厚み３０ｎｍの正孔注入層８を形成した。
［４］次に、ＰＥＤＯＴまで形成した基板を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、正孔輸送層７、発光層６、電子輸送層１０、電子注入層５、陰極１（図２０の陰極３’）および陰極２（図２０の陰極３）を連続して形成した。
まず、上記式（１３）で表されるα－ＮＰＤからなる厚み３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。続いて、上記式（１１）で表されるＺｎ（ＢＴＺ）_２をホスト、上記式（１２）で表されるＩｒ（ｐｉｑ）_３をドーパントとして３０ｎｍ共蒸着し、発光層を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３が発光層全体に対して６質量％となるようにした。次に、発光層まで形成した基板上に、下記式（１８）で表されるＴｍＰＰｙＴｚを４０ｎｍ成膜し、電子輸送層を形成した。さらに、上記式（２－２）の化合物を１ｎｍ成膜し、電子注入層を形成した。次に、電子注入層まで形成した基板上に、銀とマグネシウムを質量比９：１となるよう共蒸着した陰極１（図２０の陰極３’）を２５ｎｍを形成後、銀のみからなる膜厚１００ｎｍの陰極２（図２０の陰極３）を成膜した。
なお、陰極１および２は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。
［５］次に、陰極までの各層を形成した基板を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例１１の有機ＥＬ素子を得た。

実施例１１で作製した有機ＥＬ素子及び実施例８で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図２１に示す。

実施例１２
実施例１１において、工程［４］を［４－１］にしたこと以外は実施例１１と同様にして実施例１２の素子を作製した。
［４－１］次に、ＰＥＤＯＴまで形成した基板を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を連続して形成した。
まず、上記式（１３）で表されるα－ＮＰＤからなる厚み４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。続いて、上記式（１１）で表されるＺｎ（ＢＴＺ）_２をホスト、上記式（１２）で表されるＩｒ（ｐｉｑ）_３をドーパントとして３０ｎｍ共蒸着し、発光層を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３が発光層全体に対して６質量％となるようにした。次に、発光層まで形成した基板上に、式（４）で表されるホウ素含有化合物を１０ｎｍ成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、式（４）で表されるホウ素含有化合物をホスト、式（２－２）の化合物をドーパントとして３５ｎｍ共蒸着し、電子注入層を成膜した。この時、ドープ濃度は、式（２－２）の化合物が電子注入層全体に対して５質量％となるようにした。
次に、電子注入層まで形成した基板上に、アルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極を成膜した。
なお、陰極は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。

実施例１３
実施例１２において、電子注入層における化合物（２－２）のドープ濃度を２０質量％とした以外は実施例１２と同様にして実施例１３の素子を作製した。

比較例５
実施例１２において、電子注入層に用いる材料を式（４）のホウ素含有化合物のみとしたこと以外は実施例１２と同様にして比較例５の素子を作製した。

比較例６
実施例１２において、電子輸送層のホウ素化合物（４）の膜厚を４５ｎｍとし、電子注入層に用いる材料をフッ化リチウムとして０．８ｎｍ成膜した以外は実施例１２と同様にして比較例６の素子を作製した。

実施例１４
実施例１２において、工程［４－１］を［４－２］にしたこと以外は実施例１２と同様にして実施例１４の素子を作製した。
［４－２］　次に、ＰＥＤＯＴまで形成した基板を、真空蒸着装置のチャンバー内の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を連続して形成した。
まず、上記式（１３）で表されるα－ＮＰＤからなる厚み４０ｎｍの正孔輸送層を形成した。続いて、上記式（１１）で表されるＺｎ（ＢＴＺ）_２をホスト、上記式（１２）で表されるＩｒ（ｐｉｑ）_３をドーパントとして３０ｎｍ共蒸着し、発光層を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３が発光層全体に対して６質量％となるようにした。次に、発光層まで形成した基板上に、式（４）で表されるホウ素含有化合物を１０ｎｍ成膜し、電子輸送層を形成した。
さらに、式（４）で表されるホウ素含有化合物をホスト、式（２－２）の化合物をドーパントとして３５ｎｍ共蒸着した。この時、ドープ濃度は、式（２－２）の化合物が電子注入層１全体に対して５質量％となるようにした。
さらに、式（４）からなるホウ素含有化合物を５ｎｍ蒸着し、第１材料と第２材料とを含む膜と、第２材料のみを含む膜との積層膜である電子注入層を形成した。
次に、電子注入層まで形成した基板上に、アルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極を成膜した。
なお、陰極は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。

実施例１２～１４、比較例５、６で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図２２に示す。また、実施例１３と比較例６の有機ＥＬ素子の輝度の経時変化、実施例１２と１４の有機ＥＬ素子の輝度の経時変化を調べた。結果を図２３、図２４に示す。

実施例１５
以下に示す方法により図２５に示す積層構造の順構造の有機ＥＬ素子を作製した。
［１］市販されている平均厚さ０．７ｍｍのＩＴＯ電極層付き透明ガラス基板２を用意した。この時、基板のＩＴＯ電極（陽極９）は幅２ｍｍにパターニングされているものを用いた。この基板をクリーンエースおよび純水にて超音波洗浄後、イソプロパノール中で５分間蒸気洗浄を行った。この基板を窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を１０分間行った。
［２］この基板をスピンコーターにセットし、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）（クレヴィオスＣＨ８０００）を滴下し、毎分２０００回転で６０秒間回転させ、さらに１３０℃のホットプレートで１０分間乾燥させて、陽極上にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる正孔注入層８を形成した。正孔注入層の平均厚さは５０ｎｍであった。正孔注入層の平均厚さは、触針式段差計により測定した。
［３］ポリ（ジオクチルフルオレン－アルト－ベンゾチアジアゾール）（Ｆ８ＢＴ）の２％キシレン溶液を作製した。上記工程［２］で作製した基板をスピンコーターにセットした。上記工程［２］で形成した正孔注入層の上にＦ８ＢＴ－キシレン溶液を滴下し、毎分２，０００回転で６０秒間回転させ、Ｆ８ＢＴからなる発光層６を形成した。発光層の平均厚さは２０ｎｍであった。発光層の平均厚さは、触針式段差計により測定した。
［４］上記工程［３］で作製した基板をスピンコーターにセットした。上記工程［３］で形成した発光層の上に、式（２－２）の化合物の１ープロパノール溶液（１重量％）を滴下し、毎分２０００回転で６０秒間回転させ、発光層の上に電子注入層５を形成した。電子注入層の平均厚さは触針式段差形での測定限界以下であった。
［５］上記工程［４］で作製した基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。アルミニウムワイヤー（Ａｌ）をアルミナルツボに入れて蒸着源にセットした。真空蒸着装置内を約１×１０^－４Ｐａまで減圧し、電子注入層の上にＡｌ（陰極３）を平均厚さが１００ｎｍとなるように蒸着し、有機電界発光素子を作製した。陰極の平均厚さは、水晶振動子膜厚計により成膜時に測定した。

比較例７
実施例１５の［１］から［３］までは同じ工程で作製したのち、以下の［４－１］の工程を行ない、有機ＥＬ素子を作製した。
［４－１］上記工程［３］で作製した基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。フッ化リチウム（ＬｉＦ）およびアルミニウムワイヤー（Ａｌ）をツボに入れて蒸着源にセットした。真空蒸着装置内を約１×１０^－４Ｐａまで減圧し、ＬｉＦ（電子注入層５）を平均厚さが１ｎｍとなるように蒸着した後、Ａｌ（陰極３）を平均厚さが１００ｎｍとなるように蒸着し、有機電界発光素子を作製した。

実施例１５、比較例７で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図２６に示す。

実施例１６～２０及び比較例８～１５
以下に示す方法により、順構造の有機ＥＬ素子を製造した。実施例１６～２０、比較例８、１０、１２、１４の素子は、図２の積層構造を有するものであり、比較例９、１１、１３、１５の素子は、図２から電子注入層５を除いた積層構造を有するものである。
［１］基板２として、厚さ１００ｎｍのＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極９）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板２を用意した。
そして、陽極９を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極９を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。

［２］［１］において洗浄した陽極９の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層８として、ヘレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ　ＨＩＬ１．３Ｎ」を膜厚１０ｎｍとなるように成膜した。その後、１８０℃に熱したホットプレート上で１時間加熱した。

［３］次に、正孔注入層８まで形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
また、下記式（１９）で示される２，４－ジフェニル－６－ビス（（１２－フェニルインドロ）［２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（ＤＩＣ－ＴＲＺ）と、下記式（２０）で示されるｆａｃ－トリス（３－メチル－２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’－）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３）と、上記式（１３）で示されるα－ＮＰＤと、下記式（２１）で示されるＮ３，Ｎ３’’’－ビス（ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン－４－イル）－Ｎ３，Ｎ３’’’－ジフェニル－［１，１’：２’，１’’：２’’，１’’’－クアテルフェニル］－３，３’’’－ジアミン（４ＤＢＴＰ３Ｑ）と、第１材料となる式（２－２）の化合物と、下記に示す第２材料（電子輸送材料）となる各種材料と、Ａｌとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源としてセットした。

第２材料については、ピリジン含有化合物の例として、下記式（２２）で示される化合物を、トリアジン誘導体の例として、下記式（２３）で示される化合物及び下記式（２６）で示される化合物を、カルボニル基を含む複素環を有する化合物として、下記式（２４）（市販品）を、フェナントロリン誘導体の例として、下記式（２５）で示される化合物をそれぞれ用いた。

そして、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、正孔輸送層７、発光層６、電子輸送層１０、電子注入層５、陰極３を連続して形成した。
具体的には、まず、２０ｎｍのα－ＮＰＤと、１０ｎｍの４ＤＢＴＰ３Ｑからなる厚み３０ｎｍの正孔輸送層７を形成した。続いて、ＤＩＣ－ＴＲＺをホスト、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３をドーパントとして２５ｎｍ共蒸着し、発光層６を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３が発光層６全体に対して３質量％となるようにした。次に、発光層６まで形成した基板２上に、４０ｎｍの電子輸送層１０および１ｎｍの電子注入層５を形成した。次に、電子注入層５まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陰極３を成膜した。なお、陰極３は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。

各実施例において、第２材料（電子輸送層）および第１材料（電子注入層）として使用した化合物は、以下のとおりである。
実施例１６：第２材料として式（２２）の化合物を、第１材料として式（２－２）の化合物を用いた。
実施例１７：第２材料として式（２３）の化合物を、第１材料として式（２－２）の化合物を用いた。
実施例１８：第２材料として式（２４）の化合物を、第１材料として式（２－２）の化合物を用いた。
実施例１９：第２材料として式（２５）の化合物を、第１材料として式（２－２）の化合物を用いた。
実施例２０：第２材料として式（２６）の化合物を、第１材料として式（２－２）の化合物を用いた。

また、比較例８、１０、１２、１４において、第２材料（電子輸送層）および第１材料（電子注入層）として使用した化合物は、以下のとおりである。
比較例８：第２材料として式（２２）の化合物を、第１材料としてフッ化リチウムを用いた。
比較例１０：第２材料として式（２３）の化合物を、第１材料としてフッ化リチウムを用いた。
比較例１２：第２材料として式（２４）の化合物を、第１材料としてフッ化リチウムを用いた。
比較例１４：第２材料として式（２６）の化合物を、第１材料としてフッ化リチウムを用いた。

更に、比較例９、１１、１３、１５において、第２材料（電子輸送層）として使用した化合物は、以下のとおりである。電子注入層（第１材料）は形成せず、陰極を作製した。
比較例９：第２材料として式（２２）の化合物を用いた。
比較例１１：第２材料として式（２３）の化合物を用いた。
比較例１３：第２材料として式（２４）の化合物を用いた。
比較例１５：第２材料として式（２５）の化合物を用いた。

［４］次に、陰極３までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し各有機ＥＬ素子を得た。

実施例１６～２０、比較例８～１５で作製した有機ＥＬ素子に対して、ケースレー社製の「２４００型ソースメーター」を用いて電圧を印加し、コニカミノルタ社製の「ＬＳ－１００」を用いて輝度を測定し、印加電圧と輝度の関係を調べた。結果を図２７～３１に示す。また、実施例２０と比較例１５の有機ＥＬ素子の常温環境下での輝度の経時変化の結果を図３２、実施例２０と比較例１５の有機ＥＬ素子の８５℃環境下での輝度の経時変化の結果を図３３に示す。

実施例２１、２２、比較例１６
以下に示す方法により、順構造の有機ＥＬ素子を作製し、評価した。実施例２１、比較例１６の素子は、図３に示す積層構造の有機ＥＬ素子であり、実施例２２の素子は図４に示す積層構造の有機ＥＬ素子である。
［１］基板２として、厚さ１００ｎｍのＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極９）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板２を用意した。
そして、陽極９を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極９を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。

［２］［１］において洗浄した陽極９の形成されている基板２を、スピンコーターにセットし、正孔注入層８として、へレウス社製正孔注入材料「Ｃｌｅｖｉｏｓ　ＨＩＬ１．３Ｎ」を膜厚１０ｎｍとなるように製膜した。その後、１８０℃に熱したホットプレート上で一時間加熱した。

［３］次に、正孔注入層８まで形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、ＤＩＣ－ＴＲＺ、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３と、α－ＮＰＤと、４ＤＢＴＰ３Ｑと、第１材料となる式（２－２）で表される化合物、フッ素化リチウムと、Ａｌとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源としてセットした。
そして、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、正孔輸送層７、発光層６、電子注入層５、陰極３を連続して形成した。
具体的には、まず、２０ｎｍのα－ＮＰＤと、１０ｎｍの４ＤＢＴＰ３Ｑからなる厚み３０ｎｍの正孔輸送層７を形成した。続いて、ＤＩＣ－ＴＲＺをホスト、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３をドーパントとして２５ｎｍ共蒸着し、発光層６を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｍｐｐｙ）_３が発光層６全体に対して３質量％となるようにした。次に、発光層６まで形成した基板２上に、厚み４０ｎｍのＤＩＣ－ＴＲＺからなる電子輸送層１０および厚み１ｎｍの電子注入層５を形成した。
実施例２１では電子注入層５に式（２－２）で表される化合物を、比較例１６では電子注入層５に一般的な電子注入材料であるフッ化リチウムを用いた。
また、実施例２２においては、厚み３０ｎｍの正孔輸送層７にＤＩＣ－ＴＲＺを用い、その他の層は実施例２１と同じとした。

実施例２１、２２、比較例１６の素子に対して、他の実施例、比較例と同様の方法により輝度－電圧特性を測定した結果を図３４に示す。

実施例２３、比較例１７
実施例２１、２２は発光層がホストとドーパントの２種類の材料からなる構成であったが、発光層が１種類の材料から構成される有機ＥＬ素子でも図４に示す簡易の構造が実現可能であることを実証するため、以下のようにして実施例２３、比較例１７の素子を作製した。

［１］基板２として、厚さ１００ｎｍのＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陽極９）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板２を用意した。
そして、陽極９を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陽極９を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。

［２］次に、基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
また、正孔注入層８として用いるフラーレンと、下記式（２７）で示される（９，１０－ビス（４－（９Ｈカルバゾール－９－イル）－２，６－ジメチルフェニル）－９，１０－ジボラアントラセン（ＣｚＤＢＡ）と、第１材料となる式（２－２）で表される化合物と、リチウムキノリンと、Ａｌとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源としてセットした。また、正孔注入層８に用いる三酸化モリブデンは、タングステンボードに入れてセットした。

そして、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、各層を蒸着した。正孔注入層８として、三酸化モリブデン・フラーレンをそれぞれ５ｎｍ蒸着し、正孔輸送層７と発光層６と電子輸送層１０とを合わせた層としてＣｚＤＢＡのみを７５ｎｍ蒸着し、その後、１ｎｍ膜厚の電子注入層５、陰極３を連続して形成し、有機ＥＬ素子を作製した。実施例２３では電子注入層５に式（２－２）で表される化合物を、比較例１７では電子注入層５に一般的な電子注入材料であるリチウムキノリンを用いた。

実施例２３、比較例１７の素子に対して、他の実施例、比較例と同様の方法により輝度－電圧特性を測定した結果を図３５に示す。

実施例２４、比較例１８
実施例２４では第１材料（電子注入層５）に式（２－１１）で表される化合物を用いたこと以外、実施例２１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
比較例１８では第１材料（電子注入層５）を使用しなかったこと以外、実施例２１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。

実施例２４、比較例１８の素子に対して、他の実施例、比較例と同様の方法により輝度－電圧特性を測定した結果を図３６に示す。

実施例２５
以下のようにして図１に示す積層構造の逆構造の有機ＥＬ素子を作製した。
［１］基板２として、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯからなる幅３ｍｍにパターニングされた電極（陰極３）を有する平均厚さ０．７ｍｍの市販の透明ガラス基板２を用意した。そして、陰極３を有する基板２を、アセトン中、イソプロパノール中でそれぞれ１０分間ずつ超音波洗浄し、イソプロパノール中で５分間煮沸した。その後、陰極３を有する基板２を、イソプロパノール中から取り出し、窒素ブローにより乾燥させ、ＵＶオゾン洗浄を２０分間行った。
［２］［１］において洗浄した陰極３の形成されている基板２を、亜鉛金属ターゲットを持つミラトロンスパッタ装置の基板ホルダーに固定した。スパッタ装置のチャンバー内を、約１×１０^－４Ｐａの圧力となるまで減圧した後、アルゴンと酸素を導入した状態でスパッタし、基板２の陰極３上に膜厚約３ｎｍの酸化亜鉛層を作製した。
［３］次に、酢酸マグネシウムの１．０重量％のエタノール溶液を作製した。酸化亜鉛層を作製した基板をスピンコーターにセットし、酢酸マグネシウム溶液を滴下し、毎分１３００回転で６０秒間回転させた。その後、この基板に、大気下で４００℃、１時間のアニールを行い、膜厚３ｎｍの酸化マグネシウム膜を形成した。［２］と［３］の工程により、酸化亜鉛層と酸化マグネシウム層とが積層された酸化物層４を積層した基板とした。
［４］次に、酸化物層４上に電子注入層５として、以下に示す方法により、第１材料と第２材料とを含む有機薄膜を形成した。
まず、式（４）で表されるホウ素含有化合物と式（２－３０）の化合物（重量比１：０．４）をシクロペンタノンに溶解し（濃度は１．０重量％）、塗料組成物を得た。次に、［２］で作製した陰極３および酸化物層４の形成されている基板２をスピンコーターに設置した。そして、塗料組成物を酸化物層４上に滴下しながら、基板２を毎分３０００回転で３０秒間回転させて塗膜を形成した。その後、ホットプレートを用いて窒素雰囲気下で１５０℃、１時間のアニール処理を施し、電子注入層５を形成した。得られた電子注入層５の平均厚さは２０ｎｍであった。
［５］次に、電子注入層５までの各層が形成された基板２を、真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。また、式（１１）で示されるビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）と、式（１２）で示されるトリス［１－フェニルイソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）と、式（１３）で示されるＮ，Ｎ’－ジ（１－ナフチル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（α－ＮＰＤ）と、式（１４）で示される１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン－２，３，６，７，１０，１１－ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ－ＣＮ）と、Ａｌとを、それぞれアルミナルツボに入れて蒸着源としてセットした。

そして、真空蒸着装置のチャンバー内を１×１０^－５Ｐａの圧力となるまで減圧して、抵抗加熱による真空蒸着法により、電子輸送層１０、発光層６、正孔輸送層７、正孔注入層８、陽極９を連続して形成した。
まず、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２からなる厚み１０ｎｍの電子輸送層１０を形成した。続いて、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２をホスト、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３をドーパントとして２０ｎｍ共蒸着し、発光層６を成膜した。この時、ドープ濃度は、Ｉｒ（ｐｉｑ）_３が発光層６全体に対して６質量％となるようにした。次に、発光層６まで形成した基板２上に、α－ＮＰＤを５０ｎｍ成膜し、正孔輸送層７を形成した。さらに、ＨＡＴ－ＣＮを１０ｎｍ成膜し、正孔注入層８を形成した。次に、正孔注入層８まで形成した基板２上に、真空蒸着法によりアルミニウムからなる膜厚１００ｎｍの陽極９を成膜した。
なお、陽極９は、ステンレス製の蒸着マスクを用いて蒸着面が幅３ｍｍの帯状になるように形成し、作製した有機ＥＬ素子の発光面積を９ｍｍ^２とした。
［６］次に、陽極９までの各層を形成した基板２を、凹状の空間を有するガラスキャップ（封止容器）に収容し、紫外線（ＵＶ）硬化樹脂からなるシール材を充填することにより封止し、実施例２５の有機ＥＬ素子を得た。

実施例２６
実施例２５の［４］の工程において、式（２－３０）の化合物に代えて、式（２－３１）の化合物を用いたこと以外は実施例２５と同様にして、実施例２６の有機ＥＬ素子を得た。

比較例１９
実施例２５の［４］の工程において、式（２－３０）の化合物を用いず、式（４）で表されるホウ素含有化合物のみをシクロペンタノンに溶解（濃度は１．０重量％）した塗料組成物を用いたこと以外は実施例２５と同様にして、比較例１９の有機ＥＬ素子を得た。

実施例２５、２６及び比較例１９の素子に対して、他の実施例、比較例と同様の方法により輝度－電圧特性を測定した結果を図３７に示す。

図１２において、電子注入層の材料として式（４）で表されるホウ素含有化合物のみを用いた比較例１の素子に比べ、（２－２）や（２－４）の化合物を用いた実施例１、２の素子のほうがより低い電圧で発光している。また図１３に示されるように、式（４）で表されるホウ素含有化合物とＭＴＢＤとを用いた場合に比べても（２－２）や（２－４）の化合物を用いた実施例３、４の素子のほうがより低い電圧で発光している。これらの結果から、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用することでより低電圧で駆動する素子となることが確認された。
また、図１４に示されるように、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用した場合には、ＭＴＢＤを用いた場合にみられるような発光面の欠けのない、きれいな発光面が得られた。
更に図１５の結果から、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用し、蒸着により層を形成した場合にも低電圧で駆動する素子が得られることが確認され、このヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用した材料は、製造プロセスの制約なく、塗布、蒸着のいずれにより製膜しても優れた特性を発揮する素子を作製できることが確認された。

更に図１６の結果から、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用した場合、この材料によって形成される電子注入層と陰極との間に金属酸化物層を形成しなくても形成した場合と同等の特性が得られることが確認され、これにより素子の構成の簡易化が可能であることが確認された。
更に図１７の結果から、実施例７と比較例４から、式（４）の化合物以外でも、ヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物をドープする効果が見て取れる。また、実施例８から、電子注入層が第１材料と第２材料の混合膜でなく、積層膜であっても効果があることがわかる。
更に図１８の結果から、実施例９において（比較例はないが）、式（１７）の化合物にヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物をドープした素子は実施例５と同等レベルの良好な特性を示すことがわかる。また、実施例１０から、電子注入層を構成するものとして、第１材料＋第２材料の混合膜である層と、金属酸化物層４との間に別の材料（たとえば第２ｘ材料）を挿入することでも実施例９と同様、良好な特性を示す。さらにこの構成とすることで寿命が延びることが図１９の結果から確認された。これは、第１材料が金属酸化物層との相互作用で劣化することが防がれているためと推察される。
更に図２１の結果から、順構造の有機ＥＬ素子である実施例１１の素子において、式（２－２）の化合物を単独で電子注入層として用いることで、良好な特性が得られており、式（２－２）の化合物を単層で電子注入層とした実施例１１の素子は、同じ正孔輸送材料と発光材料を用いている逆構造の有機ＥＬ素子である実施例８の素子と同等レベルの特性である。したがって、本発明の電子注入層は順構造の有機ＥＬ素子でも良好に機能することが示された。

図２２の結果から、電子注入層にホウ素化合物（４）のみを用いた比較例５の素子に比べ、実施例１２、１３の素子の方がより低い電圧で発光していることがわかり、順構造の有機ＥＬ素子において、ヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を電子輸送材料と併用することの効果が確認された。
また図２３の結果から、実施例１３の素子は、順構造の有機ＥＬ素子で一般的に用いられることの多いフッ化リチウムを電子注入層とした比較例６の素子と比べて同等レベルの素子特性でありながら、寿命が長いことが確認された。フッ化リチウムなどのアルカリ金属は電子注入性に優れるものの、例えばＬｉイオンとして素子内に拡散し、その拡散が有機ＥＬ素子の安定性を低下させることがよく知られている。したがって本発明の有機薄膜および有機ＥＬ素子用材料はそのような問題の懸念がない材料であることがわかる。
また図２４の結果から、実施例１４では実施例１０の場合と同様、第１材料＋第２材料の混合膜である層と、金属電極との間に第２材料を挿入した素子であるが、第２材料を挿入していない実施例１２の素子と比べて寿命が延びることが確認された。これは、順構造の素子でも第１材料と無機材料の相互作用で劣化することが防がれているためと考えられる。
更に図２６の結果から、高分子発光材料を発光層の材料に用いた順構造の有機ＥＬ素子においても、（２－２）の化合物は、電子注入層の材料として一般的に用いられるＬｉＦと同等以上の特性を示すことが確認された。

第２材料にピリジン含有化合物を用いた例として、式（２２）の化合物を用いた結果である実施例１６について、図２７に注目すると、式（２－２）の化合物を用いていない比較例９より低い電圧で発光し、フッ化リチウムを用いた比較例８と同等の輝度－電圧特性が得られている。この結果より、第２材料にピリジン含有化合物を用いた場合でも、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を用いることで、低電圧で駆動する素子となることが確認された。したがって、アルカリ金属を用いず低い駆動で動作可能な有機ＥＬ素子を実現することができる。

第２材料にトリアジン誘導体を用いた例として、式（２３）の化合物を用いた結果である実施例１７について、図２８に注目すると、フッ化リチウムを用いた比較例１０や式（２－２）の化合物を用いていない比較例１１より低い電圧で発光している。この結果より、第２材料にトリアジン誘導体を用いた場合でも、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を用いることで、低電圧で駆動する素子となることが確認された。また、ヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物がフッ化リチウムに比べて優れた電子注入性を持つことが分かる。

第２材料にカルボニル基を含む複素環を有する化合物を用いた例として、式（２４）の化合物を用いた結果である実施例１８について、図２９に注目すると、フッ化リチウムを用いた比較例１２や式（２－２）の化合物を用いていない比較例１３より低い電圧で発光している。この結果より、第２材料にカルボニル基を含む複素環を有する化合物を用いた場合でも、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を用いることで、低電圧で駆動する素子となることが確認された。また、ヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物がフッ化リチウムに比べて優れた電子注入性を持つことが分かる。

第２材料にフェナントロリン誘導体を用いた例として、式（２５）の化合物を用いた結果である実施例１９について、図３０に注目すると、式（２－２）の化合物を用いていない比較例１５より低い電圧で発光している。この結果より、第２材料にフェナントロリン誘導体を用いた場合でも、本発明の一般式（１）で表されるヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を用いることで、低電圧で駆動する素子となることが確認された。

第２材料に式（２６）の化合物を用いた結果である実施例２０について、図３１および図３２の結果から、実施例２０の素子は、順構造の有機ＥＬ素子で一般的に用いられることの多いフッ化リチウムを電子注入層とした比較例１４の素子と比べて同等レベルの素子特性でありながら、寿命が長いことが確認された。さらに図３３の結果から、高温下（８５℃）では顕著に寿命が違うことが確認できる。この結果から、フッ化リチウムなどのアルカリ金属は電子注入性に優れるものの、例えばＬｉイオンとして素子内に拡散し、その拡散が有機ＥＬ素子の安定性を低下させることがよく知られている。したがって本発明の有機薄膜および有機ＥＬ素子用材料はそのような問題の懸念がない材料であることがわかる。さらに、高温下ではＬｉイオンの拡散が強くなることが考えられ、本発明の有機薄膜および有機ＥＬ素子用材料は高温下での耐性が高いことがわかる。

実施例２１、２２、比較例１６の素子の輝度－電圧特性を測定した図３４に示されているとおり、比較例１６においてはフッ化リチウムからＤＩＣ－ＴＲＺへの電子注入が困難であるため駆動電圧が高いのに対し、実施例２１においては電子が効率的に注入できており、低い駆動電圧で動作できていることが分かる。さらに、正孔輸送層が発光層ホストであるＤＩＣ－ＴＲＺである実施例２２においても、実施例２１と同等の駆動電圧で動作していることがわかる。このように、電子注入性に優れた材料を用いることで、有機ＥＬ素子の構造を簡素化し、必要な材料の数を減らすことが可能となる。

発光層が１種類の材料から構成される有機ＥＬ素子である実施例２３、比較例１７の輝度－電圧特性を測定した図３５に示されているとおり、比較例１７においてはリチウムキノリンからＣｚＤＢＡへの電子注入が困難であるため駆動電圧が高いのに対し、実施例２３においては電子が効率的に注入できており、低い駆動電圧で動作できていることが分かる。このように、電子注入性に優れた材料を用いることで、有機ＥＬ素子の構造を簡素化し、必要な材料の数を減らすことが可能となる。

第１材料（電子注入層５）に式（２－１１）で表される化合物を用いた実施例２４の有機ＥＬ素子と、第１材料（電子注入層５）を使用しなかった比較例１８の有機ＥＬ素子の輝度－電圧特性を測定した結果である図３６において、電子注入層の材料（第１材料）として式（２－１１）の化合物を用いた実施例２４の素子のほうが、第１材料を用いていない比較例１８の素子より低い電圧で発光している。この結果から、式（２－１１）の化合物でも使用することで、より低電圧で駆動する素子となることが確認された。

実施例２５、２６及び比較例１９の素子の輝度－電圧特性を測定した結果の図３７において、電子注入層の材料（第１材料）として式（２－３０）、式（２－３１）の化合物を用いた実施例２５、２６の素子のほうが、式（４）で表されるホウ素含有化合物のみを用いた比較例１９の素子より低い電圧で発光している。この結果から、式（２－３０）、式（２－３１）の化合物でも使用することでより低電圧で駆動する素子となることが確認された。

１：有機ＥＬ素子、２：基板、３：陰極（陰極２）、３’：陰極１、４：酸化物層、５：電子注入層、６：発光層、７：正孔輸送層、８：正孔注入層、９：陽極、１０：電子輸送層。

Claims

下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む単一の膜、又は、前記第１材料を含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜であることを特徴とする有機薄膜。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
前記第１材料は、一般式（１）におけるｎが２又は３のヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜。
酸化物層と、前記酸化物層上に形成された請求項１又は２に記載の有機薄膜の層とからなる積層膜。
陰極と陽極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陰極と前記発光層との間に請求項１又は２に記載の有機薄膜又は請求項３に記載の積層膜を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陰極と前記有機薄膜との間に、無機の酸化物層を有することを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陰極と前記発光層との間に、前記第１材料と第２材料とを含む膜と前記第２材料を含む膜との積層膜を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層と前記第１材料と第２材料とを含む膜との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陰極と前記第１材料と第２材料とを含む膜との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陽極と前記発光層との間に、前記第２材料を含む層を有することを特徴とする請求項４～８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記発光層が、前記第２材料を含むことを特徴とする請求項４～９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
陰極と陽極との間に発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記陰極と前記陽極との間に請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陰極と前記発光層との間に請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層を有することを特徴とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
前記陰極と請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を含む層との間に、無機の酸化物層を有することを特徴とする請求項１２又は１３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
請求項４～１０、１２～１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
請求項４～１０、１２～１４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池用材料。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
請求項１又は２に記載の有機薄膜、請求項３に記載の積層膜又は請求項１７に記載の有機薄膜太陽電池用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする有機薄膜太陽電池。
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする光電変換素子用材料。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
請求項１又は２に記載の有機薄膜、請求項３に記載の積層膜又は請求項１９に記載の光電変換素子用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする光電変換素子。
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用材料。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
請求項１又は２に記載の有機薄膜、請求項３に記載の積層膜又は請求項２１に記載の薄膜トランジスタ用材料を含む層のいずれかを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含むことを特徴とする塗料組成物。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含むことを特徴とする塗料組成物。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物である第１材料と、電子を輸送する第２材料とを含む単一の膜を被形成面上に形成する工程、又は、
前記第１材料を含む膜と前記第２材料を含む膜とを被形成面上に順に形成する工程を含むことを特徴とする有機薄膜の製造方法。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
下記一般式（１）で表される構造を有するヘキサヒドロピリミドピリミジン化合物を含む膜を被形成面上に形成する工程を含むことを特徴とする有機薄膜の製造方法。

（一般式（１）中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アリールアルキレン基、２～４価の鎖状または環状炭化水素基、又は、これらの基を２つ以上組み合わせてできる基、これらの基の１つ若しくは２つ以上と窒素原子とを組み合わせてできる基を表す。ｎは、１～４の整数である。）
前記被形成面が第２材料を含むことを特徴とする請求項２６に記載の有機薄膜の製造方法。