WO2013069400A1 - 有機ｅｌデバイス、および、有機ｅｌデバイスの製造方法 - Google Patents

有機ｅｌデバイス、および、有機ｅｌデバイスの製造方法 Download PDF

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organic insulating
layer
resin
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啓功 大崎
孝洋 中井
成紀 森田
純一 長瀬
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日東電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to an organic EL device and a method for manufacturing the organic EL device.
  • Organic EL (electroluminescence) devices are known to be degraded by moisture and oxygen in the atmosphere. Therefore, a low moisture-permeable material such as glass or metal is used as a substrate on which the organic EL element is formed and a sealing plate for the formed organic EL element.
  • a low moisture-permeable material such as glass or metal
  • a substrate made of an organic resin has been studied for making organic EL devices flexible.
  • studies using a metal plate as a substrate have been made. In this case, in order to produce the organic EL element, it is necessary to provide an insulating layer on the metal plate. An attempt has been made to form an organic resin layer or an inorganic layer as the insulating layer (see, for example, Patent Documents 1 to 3).
  • the organic resin layer is excellent in smoothness but poor in moisture barrier property.
  • the inorganic layer has better moisture barrier properties than the organic resin layer, but if the thickness is small, it is difficult to obtain insulation (generation of pinholes) and it is difficult to ensure smoothness.
  • smoothness will improve when it is thick, there exists a problem that it is easy to break.
  • oxygen or moisture permeates the resin from the exposed portion due to the exposure of the organic resin at the end face portion or the extraction electrode portion of the device, thereby deteriorating the organic EL device. It was.
  • an object of the present invention is to provide an organic EL device capable of obtaining a high light emission yield and improving long-term stability, and a method for manufacturing the same.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device having a conductive substrate, An inorganic insulating layer is laminated on the conductive substrate surface, an organic insulating layer is laminated on the inorganic insulating layer, An organic EL element on the organic insulating layer; A sealing material for sealing the organic insulating layer and the organic EL element; The organic insulating layer is disposed inside the sealing material.
  • the manufacturing method of the organic EL device of the present invention includes an inorganic insulating layer forming step of laminating an inorganic insulating layer on a conductive substrate surface, An organic insulating layer forming step of laminating an organic insulating layer on the laminated inorganic insulating layer; Forming an organic EL element on the organic insulating layer; A sealing step of forming a sealing material so as to surround the organic insulating layer and the organic EL element,
  • the organic insulating layer forming step includes a patterning step of selectively forming the organic insulating layer.
  • an organic EL device capable of obtaining a high light emission yield and improving long-term stability, and a manufacturing method thereof.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the organic EL device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of the organic EL device of the first embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the organic EL device of the second embodiment.
  • FIG. 4 is an enlarged explanatory view of the vicinity of the side surface portion of the organic insulating layer in FIG.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of the organic EL device of the second embodiment.
  • FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 1 to 4.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of the configuration of the organic EL device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a modified example of the configuration of the organic EL device of the first
  • FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 5 to 7.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 8 to 10.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the organic EL devices of Comparative Examples 11-13.
  • the side surface of the organic insulating layer is a tapered surface inclined inward from the lower side to the upper side, and the tapered surface of the organic insulating layer and the conductive substrate surface Is preferably in the range of 1 to 50 degrees (hereinafter also referred to as “taper angle”).
  • the inorganic insulating layer includes at least one of a metal and a metalloid, and at least one of the metal and the metalloid is an oxide, a nitride, a carbide, or an oxynitride. It is preferably at least one selected from the group consisting of oxycarbides, nitride carbides, and oxynitride carbides.
  • the organic insulating layer is preferably at least one selected from the group consisting of acrylic resin, norbornene resin, epoxy resin and polyimide resin.
  • the organic EL device manufacturing method of the present invention is an organic insulating layer in which, in the organic insulating layer forming step, at least a part of the side surface is a tapered surface inclined inward from the lower side toward the upper side, It is preferable to form an organic insulating layer in which the angle formed between the tapered surface of the insulating layer and the surface of the conductive substrate is in the range of 1 to 50 degrees.
  • the patterning step is performed by photolithography.
  • the organic EL device according to another aspect of the present invention is preferably manufactured by the method for manufacturing an organic EL device of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of the configuration of the organic EL device of the present embodiment.
  • this organic EL device 100 has an inorganic insulating layer 102 and an organic insulating layer 103 laminated in this order on the surface of a conductive substrate 101, and has an organic EL element 110 on the organic insulating layer 103. Yes.
  • the organic insulating layer 103 and the organic EL element 110 are surface-sealed using a sealing layer 151 and a sealing plate 152 as the sealing material 150.
  • the organic insulating layer 103 on which the organic EL element 110 is formed is disposed inside the sealing layer 151 so as not to be exposed from the sealing layer 151.
  • the organic EL element 110 emits light using the excitation energy generated by the combination of electrons and holes in the organic EL layer 112 by an externally supplied current through the anode 111 and the cathode 113.
  • light from the organic EL layer 112 is emitted from the cathode 113 side of the organic EL element 110 (top emission method).
  • the organic EL element has a laminate in which an anode, an organic EL layer, and a cathode are provided in this order on a substrate.
  • anode for example, an ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (registered trademark, Indium Zinc Oxide) layer that can be used as a transparent electrode layer is formed.
  • the organic EL layer includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer.
  • an aluminum layer, a magnesium / aluminum layer, a magnesium / silver layer, or the like is also formed as a reflective layer. Sealing is performed from above so that the laminated body is not exposed to the atmosphere.
  • the organic EL device in the present invention uses a conductive substrate as the substrate.
  • the formation surface of the organic EL element needs to ensure insulation. Therefore, when using a conductive substrate, it is necessary to provide an insulating layer over the conductive substrate.
  • an insulating layer an organic EL element is provided on a conductive substrate surface in which an inorganic insulating layer and an organic insulating layer are laminated in this order.
  • the organic EL element is formed on the organic insulating layer. And it has the sealing material which seals the said organic insulating layer and the said organic EL element, and the said organic insulating layer is arrange
  • the conductive substrate for example, stainless steel, iron, aluminum, nickel, cobalt, copper, and alloys thereof can be used.
  • a metal that can be in a film state such as a metal foil at normal temperature and normal pressure is preferable, and any metal can be used as long as it is such a metal. If a metal foil is used as the substrate, the organic EL element can be reduced in weight, thickness, and flexibility. In this case, the organic EL device as a display becomes flexible and can be used like electronic paper by rolling it.
  • the inorganic insulating layer in the present invention may be formed of an insulating material having a gas barrier property.
  • the inorganic insulating layer preferably contains at least one of a metal and a metalloid. It is preferable that at least one of the metal and the metalloid is at least one selected from the group consisting of oxides, nitrides, carbides, oxynitrides, oxycarbides, nitride carbides, and oxynitride carbides.
  • the metal include zinc, aluminum, titanium, copper, and magnesium.
  • Examples of the semimetal include silicon, bismuth, and germanium.
  • the thickness of the inorganic insulating layer is preferably in the range of 10 nm to 5 ⁇ m, more preferably in the range of 50 nm to 2 ⁇ m, and still more preferably in the range of 0.1 to 1 ⁇ m.
  • a method for forming the inorganic insulating layer is not limited, and a dry method such as an evaporation method, a sputtering method, and a CVD method, and a wet method such as a sol-gel method can be used.
  • oxygen or nitrogen contained in the oxide or nitride is, for example, It can be introduced by generating an arc discharge plasma in the presence of a reactive gas and depositing at least one of the metal and the metalloid.
  • a metal oxide or a semi-metal oxide can also be used as a vapor deposition material in the vapor deposition.
  • the reaction gas an oxygen-containing gas, a nitrogen-containing gas, or a mixed gas thereof can be used.
  • the oxygen-containing gas is oxygen (O 2 ), dinitrogen monoxide (N 2 O), nitric oxide (NO), and the nitrogen-containing gas is nitrogen (N 2 ), ammonia (NH 3 ), nitrogen monoxide (NO ) Etc.
  • a method of introducing any one of resistance heating, electron beam, and arc discharge plasma into the vapor deposition material can be used.
  • a method using an electron beam or arc discharge plasma capable of high-speed vapor deposition is preferable. These methods may be used in combination.
  • an insulating resin layer can be used as the organic insulating layer. Since the conductive substrate may be heated to 150 to 300 ° C. in the manufacturing process, it is preferable to select a heat resistant resin having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher.
  • a heat resistant resin having a glass transition temperature of 150 ° C. or higher.
  • the resin is preferably at least one selected from the group consisting of acrylic resins, norbornene resins, epoxy resins, and polyimide resins.
  • the thickness of the organic insulating layer is preferably in the range of 1 to 40 ⁇ m. Alternatively, it is preferably in the range of 0.5 to 40 ⁇ m. When the thickness is within the above range, sufficient electrical insulation can be secured, and adhesion to the substrate can be secured.
  • the thickness of the organic insulating layer is more preferably in the range of 1 to 10 ⁇ m, alternatively in the range of 0.5 to 10 ⁇ m, and still more preferably in the range of 1 to 5 ⁇ m.
  • the thickness of the said organic insulating layer has the range of the more preferable thickness according to the magnitude
  • the method for forming the organic insulating layer is not limited, and the organic insulating layer can be formed by coating by roll coating, spray coating, spin coating, dipping, or the like, or transferring a resin formed in a film shape.
  • the organic insulating layer can be selectively formed in a region where the organic EL element is formed by a patterning process.
  • a patterning method methods such as photolithography, photoetching, screen printing, and ink jet printing can be used.
  • the patterning is preferably performed by photolithography. Photolithography has high pattern accuracy and is easy to finely process. Further, as will be described later, when the side surface of the organic insulating layer is formed into a tapered surface inclined inward from the lower side to the upper side, the exposure amount of photolithography, the post-bake conditions, and the like are adjusted. Thus, the taper angle can be easily adjusted.
  • the sealing layer a material having excellent water resistance and heat resistance and low moisture permeability can be used.
  • a material having excellent water resistance and heat resistance and low moisture permeability examples include an epoxy resin, an acrylic resin, a polyester resin, a polyarylate resin, and a polyurethane resin.
  • the use of a two-component curable epoxy resin is preferable because it can be cured at room temperature and does not require heating of the organic EL element, thereby preventing deterioration.
  • As the sealing plate it is preferable to use a material having a low moisture permeability such as a glass plate and a resin film on which a gas barrier layer is formed.
  • the organic insulating layer is disposed inside the sealing material so as not to be exposed from the sealing material, it is possible to obtain a high light emission yield and improve long-term stability. Can do.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the configuration of the organic EL device of the present embodiment.
  • a glass cap is used as the sealing material 250, and the periphery thereof is hollow-sealed with an adhesive 251.
  • the organic insulating layer 103 on which the organic EL element 110 is formed is disposed inside the sealing material 250 so as not to be exposed from the sealing material (glass cap) 250.
  • the adhesive 251 used for the sealing the same material as that of the sealing layer 151 can be used.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of the configuration of the organic EL device of the present embodiment. 3, the same parts as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals.
  • the organic insulating layer 103 of the organic EL device 100A has a tapered surface 103T whose side surface is inclined inward from the lower side to the upper side.
  • the tapered surface 103T preferably forms an angle with the surface of the conductive substrate 101 within a range of 1 to 50 degrees.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram in which the vicinity of the side surface portion of the organic insulating layer 103 (region T in FIG. 3) is enlarged.
  • the angle refers to an angle (angle A in the drawing) of a portion where an extension of the cross-sectional line on the side surface of the organic insulating layer 103 intersects the surface of the conductive substrate 101.
  • angle A angle
  • disconnection of the electrode (anode 111 or cathode 113) of the organic EL element is likely to occur due to a step due to the organic insulating layer.
  • the angle is less than 1 degree, the width occupied by the taper surface is increased, so that the length of the extraction electrode is increased and the range of the light emitting portion is decreased.
  • the angle is preferably in the range of 10 degrees to 40 degrees, and more preferably in the range of 10 degrees to 20 degrees.
  • the tapered surface is not necessarily provided in a portion where the anode or the cathode is not formed at the end portion of the organic insulating layer.
  • the side surface of the organic insulating layer 103 is the tapered surface 103T having a taper angle in the range of 1 to 50 degrees, the disconnection of the anode 111 and the cathode 113 of the organic EL element 110 can be prevented. it can.
  • the side surface of the organic insulating layer into a tapered surface that inclines inward from the lower side to the upper side for example, use photolithography to form the organic insulating layer, and adjust the exposure amount and post-bake conditions, etc. Is possible.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the configuration of the organic EL device of the present embodiment.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 3 are denoted by the same reference numerals.
  • the organic EL device 200A at least a part of the side surface of the organic insulating layer 103 is a tapered surface 103T inclined inward from the lower side to the upper side, like the organic EL device 100A.
  • Other configurations are the same as those of the organic EL device 200 shown in FIG. 2, and a glass cap is used as the sealing material 250, and the periphery thereof is hollow-sealed with an adhesive 251.
  • the same effect as that in Embodiment 1 can be obtained. Furthermore, since the side surface of the organic insulating layer has the above-described taper angle, disconnection of the electrode of the organic EL element due to a step due to the organic insulating layer hardly occurs, and the range of the light emitting portion can be widened. it can.
  • the thickness of the inorganic insulating layer and the organic insulating layer is calculated by observing a cross section of the organic EL device with a scanning electron microscope (trade name: JSM-6610) manufactured by JEOL Ltd., measuring the thickness of each layer, and calculating the thickness. did.
  • Luminescent yield Twenty organic EL devices each having a 2 mm square light-emitting portion were produced, and the initial light emission state was observed with an optical microscope (Keyence Corporation digital microscope (trade name: VHX-1000)). The number of elements having good light emission state was counted, and the light emission yield was calculated.
  • the organic EL device was stored in a non-lighted state under a constant temperature and humidity condition of a temperature of 60 ° C. and a humidity of 90% RH. After 200 hours, the organic EL device was caused to emit light, and the light emission area was measured by microscopic observation. Observation and emission area measurement were performed using a digital microscope (trade name: VHX-1000) manufactured by Keyence Corporation.
  • the taper angle on the side surface of the organic insulating layer was measured by observing a cross section of the organic EL device with a scanning electron microscope (trade name: JSM-6610) manufactured by JEOL Ltd.
  • Example 1 [Preparation of insulating layer] A stainless steel (SUS) substrate was prepared as a conductive substrate for producing an organic EL element (SUS304, thickness 50 ⁇ m). A SiO 2 layer was formed on the SUS substrate by sputtering (inorganic insulating layer, thickness 0.3 ⁇ m). Furthermore, norbornene resin (trade name “Zeocoat” manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied thereon with a wire bar, and prebaked at 100 ° C. for 5 minutes. Thereafter, patterning by photolithography was performed so that the norbornene resin layer was not exposed to the outside after sealing with a sealing material.
  • SUS stainless steel
  • Photolithography was performed by exposing a predetermined pattern and using a TMAH (tetramethylammonium hydroxide) aqueous solution as a developer.
  • the patterned norbornene resin layer was post-baked at 220 ° C. for 1 hour to obtain an organic insulating layer having a patterned thickness of 3 ⁇ m. Thereafter, a cleaning process was performed with pure water, and a heating process at 200 ° C. for 1 hour was performed.
  • the organic insulating layer was a tapered surface whose side surface was inclined inward from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 20 degrees.
  • NPB N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzidine
  • Alq tris (8-quinolinolato) aluminum
  • LiF of 0.5 nm as the electron injection layer, 5/15 nm of Mg / Ag as the cathode (co-evaporation), and 60 nm of MoO 3 as the refractive index adjustment layer were vapor-deposited in this order to produce an organic EL device. .
  • sealing is performed by providing a glass cap so that the terminal can be connected from the anode and the cathode while covering the light emitting layer (see FIG. 2).
  • An example organic EL device was obtained.
  • the adhesive around the glass cap was coated with an adhesive containing a two-component curable epoxy resin (trade name “Bond Quick 5” manufactured by Konishi Co., Ltd.), and the adhesive was naturally cured and sealed.
  • Example 2 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 1 except that an epoxy resin having the following composition was used instead of the norbornene resin.
  • the epoxy resin was applied with a wire bar and prebaked at 90 ° C. for 15 minutes.
  • Photolithography was performed by exposing a predetermined pattern and using acetonitrile as a developer.
  • the patterned epoxy resin layer was post-baked at 170 ° C. for 30 minutes to obtain an organic insulating layer having a patterned thickness of 3 ⁇ m.
  • the organic insulating layer was a tapered surface whose side surface was inclined in the inner direction from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 50 degrees.
  • Example 3 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 1 except that an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation) was used instead of the norbornene resin.
  • the acrylic resin was applied with a wire bar and prebaked at 100 ° C. for 5 minutes.
  • Photolithography was performed by exposing a predetermined pattern and using a TMAH aqueous solution as a developer.
  • the patterned acrylic resin layer was post-baked at 220 ° C. for 1 hour to obtain an organic insulating layer having a patterned thickness of 3 ⁇ m.
  • the organic insulating layer was a tapered surface whose side surface was inclined inward from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 10 degrees.
  • Example 4 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the patterned acrylic resin layer was post-baked at 200 ° C. for 1 hour.
  • the organic insulating layer was a tapered surface whose side surface was inclined inward from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 20 degrees.
  • Example 5 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the patterned acrylic resin layer was post-baked at 180 ° C. for 1 hour.
  • the organic insulating layer was a tapered surface with side surfaces inclined inward from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 40 degrees.
  • Example 6 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the patterned acrylic resin layer was post-baked at 160 ° C. for 1 hour.
  • the organic insulating layer was a tapered surface whose side surface was inclined in the inner direction from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 50 degrees.
  • Example 7 An organic EL device of this example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the patterned acrylic resin layer was post-baked at 150 ° C. for 1 hour.
  • the organic insulating layer was a tapered surface having a side surface inclined inward from the lower side to the upper side, and the taper angle was about 60 degrees.
  • FIG. 6 shows a schematic cross-sectional view of the configuration of the organic EL device 300 of Comparative Examples 1 to 4.
  • Comparative Examples 1 to 4 are examples in which the organic insulating layer is not formed and only the inorganic insulating layer 102 is provided as the insulating layer.
  • Comparative Example 1 An organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that the organic insulating layer was not formed.
  • Comparative Example 2 An organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the SiO 2 layer (inorganic insulating layer) formed by sputtering was 0.1 ⁇ m.
  • Comparative Example 3 An organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the SiO 2 layer (inorganic insulating layer) formed by sputtering was 0.5 ⁇ m.
  • Comparative Example 4 An organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Comparative Example 1 except that the thickness of the SiO 2 layer (inorganic insulating layer) formed by sputtering was 1 ⁇ m.
  • FIG. 7 shows a schematic cross-sectional view of the configuration of the organic EL device 400 of Comparative Examples 5 to 7.
  • Comparative Examples 5 to 7 are examples in which the inorganic insulating layer is not formed, the organic insulating layer 403 is not patterned, and the organic insulating layer 403 is exposed to the outside of the sealing material 250.
  • Example 5 an organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that the inorganic insulating layer was not formed and the norbornene resin layer was not patterned.
  • Example 6 the organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 2 except that the inorganic insulating layer was not formed and the epoxy resin layer was not patterned.
  • Example 7 an organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the inorganic insulating layer was not formed and the acrylic resin layer was not patterned.
  • FIG. 8 shows a schematic cross-sectional view of the configuration of the organic EL device 500 of Comparative Examples 8 to 10.
  • Comparative Examples 8 to 10 are examples in which the organic insulating layer 403 is not patterned and the organic insulating layer 403 is exposed to the outside of the sealing material 250.
  • Example 8 In Example 1, the organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 1 except that the norbornene resin layer was not patterned.
  • Example 9 an organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 2 except that the epoxy resin layer was not patterned.
  • Example 10 an organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Example 3 except that the acrylic resin layer was not patterned.
  • FIG. 9 shows a schematic cross-sectional view of the configuration of the organic EL device 600 of Comparative Examples 11 to 13.
  • Comparative Examples 11 to 13 are examples in which the organic insulating layer 403 and the inorganic insulating layer 102 that are not patterned are stacked in this order on the conductive substrate 101.
  • Comparative Example 12 In place of the norbornene resin, the same epoxy resin as used in Example 2 was used. The epoxy resin was applied with a wire bar, dried at 90 ° C. for 15 minutes, irradiated with ultraviolet light, and then 170. An organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Comparative Example 11 except that curing was performed at 30 ° C. for 30 minutes to obtain an organic insulating layer having a thickness of 3 ⁇ m.
  • Comparative Example 13 instead of the norbornene resin, an acrylic resin (trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation) was used. The acrylic resin was applied with a wire bar, dried at 100 ° C. for 5 minutes, and then cured at 220 ° C. for 1 hour. Then, an organic EL device of this comparative example was obtained in the same manner as in Comparative Example 11 except that an organic insulating layer having a thickness of 3 ⁇ m was obtained.
  • an acrylic resin trade name “JEM-477” manufactured by JSR Corporation
  • the organic EL devices obtained in Examples 1 to 6 all have a light emission yield of 100%, a light emission area after 200 hours of 90% or more, and high initial reliability. It can also be seen that an organic EL device having suitable deterioration prevention characteristics is obtained.
  • Comparative Examples 1 to 4 that do not have an organic insulating layer a short circuit of the organic EL element that seems to be caused by the unevenness of the SUS substrate, an insulation failure between the SUS substrate and the organic EL element, and a crack in the inorganic insulating layer Therefore, the light emission yield was 50% or less.
  • Comparative Example 1 a short circuit of the organic EL element, which seems to be caused by the unevenness of the SUS substrate, occurred in about 1/4 of the organic EL device, and a crack in the inorganic insulating layer occurred in about 1/4 of the organic EL device.
  • the inorganic insulating layer is not formed, the organic insulating layer is not patterned, and the organic insulating layer is exposed to the outside of the sealing material (sealing layer).
  • Comparative Examples 8 to 10 in which the organic insulating layer formed in the above was not patterned and the organic insulating layer was exposed to the outside of the sealing material (sealing layer), a light emission yield of 100% was obtained.
  • the light emitting area after time is 25% to 30%, and it can be seen that the organic EL element has deteriorated over time. This is presumably because oxygen and moisture permeate the resin forming the organic insulating layer from the portion of the organic insulating layer exposed to the outside of the sealing layer, thereby deteriorating the organic EL element.
  • Comparative Examples 11 to 13 in which the organic insulating layer and the inorganic insulating layer are laminated in this order on the conductive substrate, cracks of the inorganic insulating layer are generated in about 1/4 of the organic EL device, and the light emission yield is 70 to 75%. And declined.
  • the light emitting area after 200 hours is 65% to 70%, and it can be seen that the deterioration of the organic EL element over time has occurred. This is because oxygen and moisture from the portion of the organic insulating layer exposed to the outside of the sealing layer pass through the resin forming the organic insulating layer, and further through the cracks in the inorganic insulating layer, thereby degrading the organic EL element. This is thought to be caused by Comparing the examples and the comparative examples, it can be seen that the configuration of the present invention can obtain a high light emission yield in the initial stage and can prevent deterioration of the organic EL element over time.
  • the organic EL devices obtained in Examples 1 to 7 have different taper angles. However, the organic EL devices obtained in Examples 1 to 6 all have a high light emission yield and are organic. It can be seen that disconnection of the anode and cathode of the EL element does not occur. On the other hand, in Example 7 with a taper angle of 60 degrees, the emission area after 200 hours was 90%, which was a preferable deterioration preventing property. Disconnected and 2 out of 20 devices were non-emissive from the beginning. Also in Example 7, the light emission yield in the initial stage is a good value of 90%, but the angle formed by the tapered surface of the organic insulating layer and the conductive substrate surface is in the range of 1 to 50 degrees. Thus, it can be seen that a higher yield of light emission can be obtained.
  • the organic EL device of the present invention can obtain a high light emission yield and improve long-term stability. Since the organic EL device of the present invention can use a conductive base material such as a metal foil for flexible devices as a substrate, it can be used in various fields such as lighting devices and display devices. It is not limited.
  • Organic EL (electroluminescence) device 101 Conductive substrate 102 Inorganic insulating layer 103, 403 Organic insulating layer 103T Tapered surface 110 Organic EL (electroluminescence) element 111 Anode 112 Organic EL (electroluminescence) layer 113 Cathode 150 Sealing material 151 Sealing layer 152 Sealing plate 250 Sealing material (glass cap) 251 Adhesive

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Abstract

　高い発光歩留りを得るとともに、長期安定性を向上させることのできる有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供する。　導電性基板（１０１）を有する有機ＥＬデバイス（１００）であって、導電性基板（１０１）面上に、無機絶縁層（１０２）が積層され、無機絶縁層（１０２）の上に有機絶縁層（１０３）が積層され、有機絶縁層（１０３）上に有機ＥＬ素子（１１０）を有し、有機絶縁層（１０３）および有機ＥＬ素子（１１０）を封止する封止材（１５０）を有し、有機絶縁層（１０３）が、封止材（１５０）の内側に配置されていることを特徴とする。

Description

有機ＥＬデバイス、および、有機ＥＬデバイスの製造方法
　本発明は、有機ＥＬデバイス、および、有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。
　有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）デバイスは、大気中の水分や酸素によって劣化することがわかっている。そのため、有機ＥＬ素子を形成する基板および形成した有機ＥＬ素子の封止板としては、ガラスや金属等の低透湿性の材料が用いられている。近年では、フレキシブルデバイスの開発が進められており、有機ＥＬデバイスのフレキシブル化には、有機樹脂からなる基板を用いることが検討されていた。しかし、有機樹脂を透過して侵入する酸素や水分によって、有機ＥＬ素子が劣化しやすいという問題がある。そこで、金属板を基板として用いる検討がなされている。この場合、有機ＥＬ素子作製のためには、金属板に絶縁層を設ける必要がある。前記絶縁層としては、有機樹脂層や無機層の形成が試みられている（例えば、特許文献１～３参照）。
特開２００２－２５７６３号公報 特開２０１０－８２８９９号公報 特許第３９４２０１７号公報
　しかし、有機樹脂層は、平滑性に優れているが、水分バリア性に劣る。一方、無機層は、有機樹脂層に比べて水分バリア性は良好であるが、厚みが薄いと絶縁が取りにくく（ピンホールの発生）、かつ平滑性が確保しにくい。また、厚いと平滑性は向上するものの、割れやすいという問題がある。また、有機樹脂層を形成した場合、素子の端面部や引き出し電極部の有機樹脂の露出により、露出部から酸素や水分が樹脂を透過して、有機ＥＬ素子を劣化させてしまうという問題があった。
　そこで、本発明は、高い発光歩留りを得るとともに、長期安定性を向上させることのできる有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
　本発明の有機ＥＬデバイスは、導電性基板を有する有機ＥＬデバイスであって、
前記導電性基板面上に、無機絶縁層が積層され、前記無機絶縁層の上に有機絶縁層が積層され、
前記有機絶縁層上に有機ＥＬ素子を有し、
前記有機絶縁層および前記有機ＥＬ素子を封止する封止材を有し、
前記有機絶縁層が、前記封止材の内側に配置されていることを特徴とする。
　また、本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、導電性基板面上に無機絶縁層を積層する無機絶縁層形成工程と、
積層された無機絶縁層上に有機絶縁層を積層する有機絶縁層形成工程と、
前記有機絶縁層上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
前記有機絶縁層および前記有機ＥＬ素子を囲むように封止材を形成する封止工程とを含み、
前記有機絶縁層形成工程が、前記有機絶縁層を選択的に形成するパターニング工程を含むことを特徴とする。
　本発明によれば、高い発光歩留りを得るとともに、長期安定性を向上させることのできる有機ＥＬデバイスおよびその製造方法を提供することができる。
図１は、実施形態１の有機ＥＬデバイスの構成の一例を示す概略断面図である。 図２は、実施形態１の有機ＥＬデバイスの構成の変形例を示す概略断面図である。 図３は、実施形態２の有機ＥＬデバイスの構成の一例を示す概略断面図である。 図４は、図３における有機絶縁層の側面部付近の拡大説明図である。 図５は、実施形態２の有機ＥＬデバイスの構成の変形例を示す概略断面図である。 図６は、比較例１～４の有機ＥＬデバイスの構成を示す概略断面図である。 図７は、比較例５～７の有機ＥＬデバイスの構成を示す概略断面図である。 図８は、比較例８～１０の有機ＥＬデバイスの構成を示す概略断面図である。 図９は、比較例１１～１３の有機ＥＬデバイスの構成を示す概略断面図である。
　本発明の有機ＥＬデバイスにおいて、前記有機絶縁層の側面の少なくとも一部が、下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、前記有機絶縁層のテーパー面と前記導電性基板面とが形成する角度（以下、「テーパー角」と呼ぶことがある。）が、１度～５０度の範囲内であることが好ましい。
　本発明の有機ＥＬデバイスにおいて、前記無機絶縁層が、金属および半金属の少なくとも１種を含み、かつ、前記金属および前記半金属の少なくとも１種が、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物および酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
　本発明の有機ＥＬデバイスにおいて、前記有機絶縁層が、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
　本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、前記有機絶縁層形成工程において、側面の少なくとも一部が、下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面である有機絶縁層であり、前記有機絶縁層のテーパー面と前記導電性基板面とが形成する角度が、１度～５０度の範囲内である有機絶縁層を形成することが好ましい。
　本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法において、前記パターニング工程が、フォトリソグラフィーによって行われることが好ましい。
　本発明の他の態様の有機ＥＬデバイスは、前記本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法によって製造されることが好ましい。
　つぎに、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下の記載により制限されない。
［実施形態１］
　図１は、本実施形態の有機ＥＬデバイスの構成の一例の概略断面図である。図示のとおり、この有機ＥＬデバイス１００は、導電性基板１０１面上に無機絶縁層１０２および有機絶縁層１０３がこの順序に積層されており、有機絶縁層１０３上に有機ＥＬ素子１１０を有している。有機絶縁層１０３および有機ＥＬ素子１１０は、封止材１５０として、封止層１５１および封止板１５２を用い、面封止されている。有機ＥＬ素子１１０がその上に形成されている有機絶縁層１０３は、封止層１５１から露出しないように、封止層１５１の内側に配置されている。有機ＥＬ素子１１０は、陽極１１１および陰極１１３を介して、外部から供給された電流により、有機ＥＬ層１１２において電子および正孔が結合し、結合により生じた励起エネルギーを利用して発光する。本発明において、有機ＥＬ層１１２からの光は、有機ＥＬ素子１１０の陰極１１３側から射出される（トップエミッション方式）。
　有機ＥＬ素子は、基板上に、陽極、有機ＥＬ層および陰極が、この順序で設けられた積層体を有するものである。前記陽極としては、例えば、透明電極層として使用できる、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（登録商標、Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）の層が形成される。前記有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層からなる。陰極としては、反射層を兼ねてアルミニウム層、マグネシウム／アルミニウム層、マグネシウム／銀層等が形成される。この積層体を大気に曝さないように、この上から封止を行う。
　本発明における有機ＥＬデバイスは、前記基板として導電性基板を用いたものである。有機ＥＬ素子の形成面は、絶縁性を確保する必要がある。そのため、導電性基板を用いる場合、導電性基板上に絶縁層を設ける必要がある。本発明においては、絶縁層として、無機絶縁層および有機絶縁層がこの順序に積層された導電性基板面上に、有機ＥＬ素子を有している。前記有機ＥＬ素子は、前記有機絶縁層上に形成されている。そして、前記有機絶縁層および前記有機ＥＬ素子を封止する封止材を有し、前記有機絶縁層が、前記封止材の内側に配置されている。
　前記導電性基板としては、例えば、ステンレス、鉄、アルミニウム、ニッケル、コバルト、銅、および、これらの合金等を用いることができる。常温・常圧において、金属箔のようにフィルム状態とすることが可能な金属が好ましく、このような金属であれば何れの金属も用いることができる。なお、基板として金属箔を用いると、有機ＥＬ素子の軽量化、薄型化および柔軟化が可能となる。この場合、ディスプレイとしての有機ＥＬデバイスはフレキシブルなものとなり、これを丸めるなどして、電子ペーパーのように使用することも可能となる。
　本発明における無機絶縁層は、ガスバリア性を有する絶縁材料で形成すればよい。前記無機絶縁層は、金属および半金属の少なくとも１種を含むことが好ましい。前記金属または前記半金属の少なくとも１種は、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物および酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。金属としては、例えば、亜鉛、アルミニウム、チタン、銅、マグネシウムなどがあげられ、半金属としては、例えば、ケイ素、ビスマス、ゲルマニウムなどがあげられる。
　前記無機絶縁層は薄すぎると絶縁性が低下する。また、厚すぎるとクラックが生じやすくなり、ガスバリア性および絶縁性が低下する。前記無機絶縁層の厚さは、１０ｎｍ～５μｍの範囲であるのが好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ～２μｍの範囲であり、さらに好ましくは、０．１～１μｍの範囲である。前記無機絶縁層を形成する方法は限定されず、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の乾式法およびゾル－ゲル法等の湿式法等を利用することができる。
　本発明において、前記無機絶縁層が、金属酸化物、金属窒化物、半金属酸化物および半金属窒化物からなる群から選ばれる場合、酸化物または窒化物に含まれる酸素または窒素は、例えば、反応ガスの存在下でアーク放電プラズマを発生させて、前記金属および前記半金属の少なくとも１種の蒸着を行うことによって、導入することができる。前記蒸着における蒸着材料として、金属酸化物、半金属酸化物を用いることもできる。前記反応ガスとしては、酸素含有ガス、窒素含有ガス、または、これらの混合ガスを用いることができる。酸素含有ガスとしては酸素（Ｏ２）、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、窒素含有ガスとしては窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）などがあげられる。
　前記蒸着材料を蒸発させる手段としては、抵抗加熱、電子ビーム、アーク放電プラズマのいずれかを蒸着材料（蒸着源）に導入する方法を用いることができる。中でも、高速蒸着が可能である電子ビームあるいはアーク放電プラズマによる方法であることが好ましい。これらの方法は、併用してもよい。
　本発明における有機絶縁層は、絶縁性の樹脂層を使用することができる。前記導電性基板が、製造プロセス上、１５０～３００℃に加熱される場合があるため、１５０℃以上のガラス転移温度を有する耐熱性樹脂を選択することが好ましい。具体的には、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリフェニルスルホン樹脂およびこれらの樹脂の複合体等があげられる。これらの中で、前記樹脂としては、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
　前記有機絶縁層の厚みは、薄すぎると、前記導電性基板の表面凹凸の平坦化が十分にできず、厚すぎると、無機絶縁層および有機ＥＬ素子に対する密着性が低下するおそれがある。そのため、前記有機絶縁層の厚みは、１～４０μｍの範囲であることが好ましい。あるいは、０．５～４０μｍの範囲であることが好ましい。前記範囲内の厚みであると、十分な電気絶縁性を確保するとともに、基材に対する密着性も確保することができる。前記有機絶縁層の厚みは、より好ましくは、１～１０μｍの範囲、あるいは、０．５～１０μｍの範囲であり、さらに好ましくは、１～５μｍの範囲である。前記の範囲において、前記有機絶縁層の厚みは、前記導電性基板の表面凹凸の大きさに応じた、より好ましい厚みの範囲が存在する。前記有機絶縁層を形成する方法は限定されず、ロールコート、スプレーコート、スピンコートおよびディッピング等による塗布や、フィルム状に形成された樹脂の転写により形成することができる。
　本発明において、前記有機絶縁層は、前記有機ＥＬ素子が形成される領域に、パターニング工程によって選択的に形成することができる。前記パターニングの方法としては、フォトリソグラフィー、フォトエッチング、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の方法を用いることができる。前記パターニングは、フォトリソグラフィーによって行われることが好ましい。フォトリソグラフィーは、パターン精度が高く、微細加工が容易である。また、後述するように、前記有機絶縁層の側面を下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面に形成する際には、フォトリソグラフィーの露光量およびポストベークの条件等を調整することで、簡便にテーパー角を調整することができる。
　前記封止層としては、耐水性および耐熱性に優れ、水分透過率の低い材料を用いることができる。このような材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリウレタン樹脂等があげられる。二液硬化型エポキシ樹脂を用いると、常温での硬化が可能であり、有機ＥＬ素子を加熱する必要がないため、劣化を防ぐことができ、好ましい。前記封止板としては、ガラス板、およびガスバリア層を形成した樹脂フィルム等の水分透過率の低い材料を用いることが好ましい。
　本実施形態によれば、前記有機絶縁層が、前記封止材から露出しないように、前記封止材の内側に配置されているので、高い発光歩留りを得るとともに、長期安定性を向上させることができる。
　図２は、本実施形態の有機ＥＬデバイスの構成の変形例の概略断面図である。図２において、図１と同一部分には、同一符号を付している。この有機ＥＬデバイス２００は、封止材２５０として、ガラスキャップを用い、その周囲を、接着剤２５１を用いて中空封止している。有機ＥＬ素子１１０がその上に形成されている有機絶縁層１０３は、封止材（ガラスキャップ）２５０から露出しないように、封止材２５０の内側に配置されている。前記封止に用いる接着剤２５１としては、前述の封止層１５１と同様の材料を用いることができる。
［実施形態２］
　図３は、本実施形態の有機ＥＬデバイスの構成の一例の概略断面図である。図３において、図１と同一部分には、同一符号を付している。この有機ＥＬデバイス１００Ａの有機絶縁層１０３は、その側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面１０３Ｔを形成している。テーパー面１０３Ｔは、導電性基板１０１面と１度～５０度の範囲内の角度を形成していることが好ましい。図４は、有機絶縁層１０３の側面部付近（図３の領域Ｔ）を拡大した説明図である。前記角度は、有機絶縁層１０３の側面の断面線の延長線が、導電性基板１０１面と交わった部分の角度（図中の角Ａの角度）を指す。前記角度が、５０度を超えると、有機絶縁層による段差に起因して、有機ＥＬ素子の電極（陽極１１１または陰極１１３）の断線が起こりやすくなる。また、前記角度が１度未満であると、テーパー面の占める幅が広くなることで、引き出し電極の長さが長くなり、発光部の範囲を狭めることになるため、好ましくない。前記角度は、好ましくは、１０度～４０度の範囲内であり、より好ましくは、１０度～２０度の範囲内である。前記テーパー面は、陽極または陰極が有機絶縁層の端部に形成されていない部分では、必ずしも設ける必要はない。このように、有機絶縁層１０３の側面が、１度～５０度の範囲内のテーパー角を有するテーパー面１０３Ｔである構成とすると、有機ＥＬ素子１１０の陽極１１１および陰極１１３の断線を防ぐことができる。有機絶縁層の側面を下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面とするには、例えば、有機絶縁層の形成にフォトリソグラフィーを用い、露光量およびポストベークの条件等を調整することで可能である。
　図５は、本実施形態の有機ＥＬデバイスの構成の変形例の概略断面図である。図５において、図１～３と同一部分には、同一符号を付している。この有機ＥＬデバイス２００Ａは、有機絶縁層１０３の側面の少なくとも一部が、有機ＥＬデバイス１００Ａと同様に、下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面１０３Ｔである。その他の構成は、図２に示す有機ＥＬデバイス２００と同様であり、封止材２５０として、ガラスキャップを用い、その周囲を、接着剤２５１を用いて中空封止している。
　本実施形態によっても、実施形態１と同様の効果を得ることができる。さらに、有機絶縁層の側面が、前記のテーパー角を有しているので、有機絶縁層による段差に起因する有機ＥＬ素子の電極の断線が起こりにくく、また、発光部の範囲も広くとることができる。
　つぎに、本発明の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は、下記の実施例および比較例によってなんら限定ないし制限されない。また、各実施例および各比較例における各種特性および物性の測定および評価は、下記の方法により実施した。
（無機絶縁層および有機絶縁層の厚み）
　無機絶縁層および有機絶縁層の厚みは、有機ＥＬデバイスの断面を、株式会社日本電子製の走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６６１０）にて観察し、各層の厚みを測長し、算出した。
（発光歩留り）
　２ｍｍ角の発光部を有する有機ＥＬデバイスを２０個作製し、初期の発光状態を、光学顕微鏡（株式会社キーエンス製のデジタルマイクロスコープ（商品名：ＶＨＸ－１０００））で観察した。発光状態が良好な素子の数をカウントし、発光歩留りを算出した。
（発光面積）
　前記有機ＥＬデバイスを、温度６０℃、湿度９０％ＲＨの恒温恒湿条件下で非点灯の状態で保存した。２００時間後に、有機ＥＬデバイスを発光させ、顕微鏡観察によって発光面積を測定した。観察および発光面積測定は、株式会社キーエンス製のデジタルマイクロスコープ（商品名：ＶＨＸ－１０００）を用いて行った。
（有機絶縁層側面のテーパー角）
　有機絶縁層側面のテーパー角は、有機ＥＬデバイスの断面を、株式会社日本電子製の走査型電子顕微鏡（商品名：ＪＳＭ－６６１０）にて観察し、計測した。
［実施例１］
〔絶縁層の作製〕
　有機ＥＬ素子を作製する導電性基板としてステンレス（ＳＵＳ）基板を準備した（ＳＵＳ３０４、厚み５０μｍ）。前記ＳＵＳ基板上に、スパッタリングによりＳｉＯ２層を形成した（無機絶縁層、厚み０．３μｍ）。さらに、その上に、ノルボルネン樹脂（日本ゼオン株式会社製　商品名「ゼオコート」）をワイヤーバーで塗布し、１００℃で５分間プリベークを行った。その後、前記ノルボルネン樹脂層が、封止材での封止後に外部に露出しないように、フォトリソグラフィーによるパターニングを行った。フォトリソグラフィーは、所定パターンに露光を行い、現像液として、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）水溶液を用いて行った。パターニングされた前記ノルボルネン樹脂層を、２２０℃で１時間ポストベークし、パターニングされた厚みが３μｍの有機絶縁層を得た。その後、純水で洗浄工程を行い、２００℃で１時間の加熱工程を行った。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約２０度であった。
〔有機ＥＬ素子の作製〕
　得られた絶縁層の上に真空蒸着法により陽極としてＡｌを１００ｎｍ、ホール注入層としてＨＡＴ－ＣＮ（１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル）を１０ｎｍ、ホール輸送層としてＮＰＢ（Ｎ，Ｎ’－ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン）を５０ｎｍ、発光層および電子輸送層としてＡｌｑ（トリス（８－キノリノラト）アルミニウム）を４５ｎｍ、電子注入層としてＬｉＦを０．５ｎｍ、陰極としてＭｇ／Ａｇを５／１５ｎｍ（共蒸着）、屈折率調整層としてＭｏＯ３を６０ｎｍ、をこの順番に蒸着し、有機ＥＬ素子を作製した。
〔封止〕
　有機ＥＬ素子を形成した後に、発光層を覆う状態で、前記陽極および前記陰極からの端子接続が可能な状態となるように、ガラスキャップを設けて封止を行い（図２参照）、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。ガラスキャップの周囲は、二液硬化型エポキシ樹脂を含有する接着剤（コニシ株式会社製　商品名「ボンドクイック５」）を塗布し、前記接着剤を自然硬化させて封止した。
［実施例２］
　前記ノルボルネン樹脂に代えて、下記組成のエポキシ樹脂を用いた以外は、実施例１と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記エポキシ樹脂は、ワイヤーバーで塗布し、９０℃で１５分間プリベークを行った。フォトリソグラフィーは、所定パターンに露光を行い、現像液として、アセトニトリルを用いて行った。パターニングされた前記エポキシ樹脂層を、１７０℃で３０分間ポストベークし、パターニングされた厚みが３μｍの有機絶縁層を得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約５０度であった。
（エポキシ樹脂）
フルオレン誘導体１　５０重量部
フルオレン誘導体２　５０重量部
光酸発生剤　１重量部
 
　フルオレン誘導体１：　ビスフェノキシエタノールフルオレンジグリシジルエーテル
　　（下記一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ６がすべて水素原子で、ｎ＝１のもの）
　フルオレン誘導体２：　ビスフェノールフルオレンジグリシジルエーテル
　　（下記一般式（１）において、Ｒ１～Ｒ６がすべて水素原子で、ｎ＝０のもの）
　光酸発生剤：　　　４，４－ビス[ジ（βヒドロキシエトキシ）フェニルスルフィニオ]フェニルスルフィド－ビス－ヘキサフルオロアンチモネートの５０％プロピオンカーバイド溶液
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
［実施例３］
　前記ノルボルネン樹脂に代えて、アクリル樹脂（ＪＳＲ株式会社製　商品名「ＪＥＭ－４７７」）を用いた以外は、実施例１と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記アクリル樹脂は、ワイヤーバーで塗布し、１００℃で５分間プリベークを行った。フォトリソグラフィーは、所定パターンに露光を行い、現像液として、ＴＭＡＨ水溶液を用いて行った。パターニングされた前記アクリル樹脂層を、２２０℃で１時間ポストベークし、パターニングされた厚みが３μｍの有機絶縁層を得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約１０度であった。
［実施例４］
　パターニングされた前記アクリル樹脂層を、２００℃で１時間ポストベークした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約２０度であった。
［実施例５］
　パターニングされた前記アクリル樹脂層を、１８０℃で１時間ポストベークした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約４０度であった。
［実施例６］
　パターニングされた前記アクリル樹脂層を、１６０℃で１時間ポストベークした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約５０度であった。
［実施例７］
　パターニングされた前記アクリル樹脂層を、１５０℃で１時間ポストベークした以外は、実施例３と同様にして、本実施例の有機ＥＬデバイスを得た。前記有機絶縁層は、側面が下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、テーパー角は、約６０度であった。
［比較例１～４］
　図６に、比較例１～４の有機ＥＬデバイス３００の構成の概略断面図を示す。比較例１～４は、有機絶縁層を形成せず、絶縁層として無機絶縁層１０２のみを有する例である。
［比較例１］
　有機絶縁層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例２］
　スパッタリングにより形成したＳｉＯ２層（無機絶縁層）の厚みを０．１μｍとした以外は、比較例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例３］
　スパッタリングにより形成したＳｉＯ２層（無機絶縁層）の厚みを０．５μｍとした以外は、比較例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例４］
　スパッタリングにより形成したＳｉＯ２層（無機絶縁層）の厚みを１μｍとした以外は、比較例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例５～７］
　図７に、比較例５～７の有機ＥＬデバイス４００の構成の概略断面図を示す。比較例５～７は、無機絶縁層を形成せず、さらに、有機絶縁層４０３をパターニングしておらず、有機絶縁層４０３の封止材２５０外部への露出がある例である。
［比較例５］
　実施例１において、無機絶縁層を形成せず、ノルボルネン樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例６］
　実施例２において、無機絶縁層を形成せず、エポキシ樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例２と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例７］
　実施例３において、無機絶縁層を形成せず、アクリル樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例３と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例８～１０］
　図８に、比較例８～１０の有機ＥＬデバイス５００の構成の概略断面図を示す。比較例８～１０は、有機絶縁層４０３をパターニングしておらず、有機絶縁層４０３の封止材２５０外部への露出がある例である。
［比較例８］
　実施例１において、ノルボルネン樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例９］
　実施例２において、エポキシ樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例２と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例１０］
　実施例３において、アクリル樹脂層のパターニングを行わなかった以外は、実施例３と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例１１～１３］
　図９に、比較例１１～１３の有機ＥＬデバイス６００の構成の概略断面図を示す。比較例１１～１３は、導電性基板１０１上に、パターニングしていない有機絶縁層４０３および無機絶縁層１０２が、この順序に積層された例である。
［比較例１１］
　前記ＳＵＳ基板上に、ノルボルネン樹脂（日本ゼオン株式会社製　　商品名「ゼオコート」）をワイヤーバーで塗布し、１００℃で５分間乾燥後、２２０℃で１時間キュアし、厚みが３μｍの有機絶縁層を得た。その上に、スパッタリングによりＳｉＯ２層を形成した（無機絶縁層、厚み２μｍ）。その後、純水で洗浄工程を行い、２００℃で１時間の加熱工程を行った。それ以外は、実施例１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例１２］
　前記ノルボルネン樹脂に代えて、実施例２で用いたのと同じエポキシ樹脂を用い、前記エポキシ樹脂を、ワイヤーバーで塗布し、９０℃で１５分間乾燥させた後、紫外光を照射し、ついで１７０℃３０分間キュアを行い、厚みが３μｍの有機絶縁層を得た以外は、比較例１１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
［比較例１３］
　前記ノルボルネン樹脂に代えて、アクリル樹脂（ＪＳＲ株式会社製　商品名「ＪＥＭ－４７７」）を用い、前記アクリル樹脂を、ワイヤーバーで塗布し、１００℃で５分間乾燥後、２２０℃で１時間キュアし、厚みが３μｍの有機絶縁層を得た以外は、比較例１１と同様にして、本比較例の有機ＥＬデバイスを得た。
　実施例１～７および比較例１～１３で得られた有機ＥＬデバイスについて、発光歩留りおよび発光面積を測定した。測定結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　前記表１に示すとおり、実施例１～６で得られた有機ＥＬデバイスにおいては、いずれも発光歩留りが１００％であり、２００時間後の発光面積も９０％以上であり、初期における高い信頼性および好適な劣化防止特性を有する有機ＥＬデバイスが得られていることがわかる。一方、有機絶縁層を有していない比較例１～４では、ＳＵＳ基板の凹凸に起因すると思われる有機ＥＬ素子の短絡、ＳＵＳ基板と有機ＥＬ素子との絶縁不良、および、無機絶縁層のクラックのため、発光歩留りが５０％以下となった。比較例１においては、約１／４の有機ＥＬデバイスでＳＵＳ基板の凹凸に起因すると思われる有機ＥＬ素子の短絡が生じ、約１／４の有機ＥＬデバイスで無機絶縁層のクラックが生じた。また、無機絶縁層を形成しないとともに、有機絶縁層をパターニングしておらず、有機絶縁層の封止材（封止層）外部への露出がある比較例５～７、および、無機絶縁層上に形成した有機絶縁層をパターニングしておらず、有機絶縁層の封止材（封止層）外部への露出がある比較例８～１０では、発光歩留まりは１００％が得られたが、２００時間後の発光面積は２５％～３０％となり、有機ＥＬ素子の経時劣化が起こっていることがわかる。これは、有機絶縁層の封止層外部に露出した部分から、酸素や水分が有機絶縁層を形成する樹脂を透過して、有機ＥＬ素子を劣化させているためと考えられる。導電性基板上に有機絶縁層および無機絶縁層がこの順序に積層された比較例１１～１３では、約１／４の有機ＥＬデバイスで無機絶縁層のクラックが生じ、発光歩留りが７０～７５％と低下した。比較例１１～１３では、２００時間後の発光面積は６５％～７０％となり、有機ＥＬ素子の経時劣化も起こっていることがわかる。これは、有機絶縁層の封止層外部に露出した部分から、酸素や水分が、有機絶縁層を形成する樹脂を透過し、さらに、無機絶縁層のクラックを透過して、有機ＥＬ素子を劣化させているためと考えられる。実施例および比較例を比較すると、本発明の構成とすることで、初期における高い発光歩留りを得るとともに、有機ＥＬ素子の経時劣化を防止できていることがわかる。
　また、実施例１～７で得られた有機ＥＬデバイスにおいては、テーパー角の大きさが異なっているが、実施例１～６で得られた有機ＥＬデバイスは、いずれも発光歩留りが高く、有機ＥＬ素子の陽極および陰極の断線が生じていないことがわかる。一方、テーパー角が６０度である実施例７では、２００時間後の発光面積は９０％と、好適な劣化防止特性を有していたが、有機絶縁層端部の段差によって、陽極および陰極が断線し、２０個のデバイス中、２個が初期から非発光となった。実施例７においても、初期における発光歩留りは９０％と良好な値ではあるが、有機絶縁層のテーパー面と前記導電性基板面とが形成する角度を、１度～５０度の範囲内とすることで、より高い発光歩留りを得ることができていることがわかる。
　本発明の有機ＥＬデバイスは、高い発光歩留りを得るとともに、長期安定性を向上させることができる。本発明の有機ＥＬデバイスは、フレキシブルデバイス用金属箔等の導電性の基材を基板として使用することができるので、照明装置、表示装置等の様々な分野に使用することができ、その用途は限定されない。
１００、１００Ａ、２００、２００Ａ、３００、４００、５００、６００　有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）デバイス
１０１　導電性基板
１０２　無機絶縁層
１０３、４０３　有機絶縁層
１０３Ｔ　テーパー面
１１０　有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子
１１１　陽極
１１２　有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）層
１１３　陰極
１５０　封止材
１５１　封止層
１５２　封止板
２５０　封止材（ガラスキャップ）
２５１　接着剤

Claims (7)

  1. 導電性基板を有する有機ＥＬデバイスであって、
    前記導電性基板面上に、無機絶縁層が積層され、前記無機絶縁層の上に有機絶縁層が積層され、
    前記有機絶縁層上に有機ＥＬ素子を有し、
    前記有機絶縁層および前記有機ＥＬ素子を封止する封止材を有し、
    前記有機絶縁層が、前記封止材の内側に配置されていることを特徴とする、有機ＥＬデバイス。
  2. 前記有機絶縁層の側面の少なくとも一部が、下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面であり、前記有機絶縁層のテーパー面と前記導電性基板面とが形成する角度が、１度～５０度の範囲内であることを特徴とする、請求項１記載の有機ＥＬデバイス。
  3. 前記無機絶縁層が、金属および半金属の少なくとも１種を含み、かつ、前記金属および前記半金属の少なくとも１種が、酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物および酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１または２記載の有機ＥＬデバイス。
  4. 前記有機絶縁層が、アクリル樹脂、ノルボルネン樹脂、エポキシ樹脂およびポリイミド樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬデバイス。
  5. 有機ＥＬデバイスの製造方法であって、
    導電性基板面上に無機絶縁層を積層する無機絶縁層形成工程と、
    積層された無機絶縁層上に有機絶縁層を積層する有機絶縁層形成工程と、
    前記有機絶縁層上に有機ＥＬ素子を形成する工程と、
    前記有機絶縁層および前記有機ＥＬ素子を囲むように封止材を形成する封止工程とを含み、
    前記有機絶縁層形成工程が、前記有機絶縁層を選択的に形成するパターニング工程を含むことを特徴とする、有機ＥＬデバイスの製造方法。
  6. 前記有機絶縁層形成工程において、
    側面の少なくとも一部が、下側から上側に向かって内部方向に傾斜するテーパー面である有機絶縁層であり、前記有機絶縁層のテーパー面と前記導電性基板面とが形成する角度が、１度～５０度の範囲内である有機絶縁層を形成することを特徴とする、請求項５記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
  7. 前記パターニング工程が、フォトリソグラフィーによって行われることを特徴とする、請求項５または６記載の有機ＥＬデバイスの製造方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020149384A1 (ja) * 2019-01-17 2020-07-23 デンカ株式会社 封止剤、硬化体、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び装置の製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6221418B2 (ja) * 2013-07-01 2017-11-01 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
CN104538557A (zh) * 2014-12-23 2015-04-22 深圳市华星光电技术有限公司 柔性oled显示器件及其制造方法
DE102015106631A1 (de) 2015-04-29 2016-11-03 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US20180061775A1 (en) * 2016-08-31 2018-03-01 Qualcomm Incorporated LOW PROFILE PASSIVE ON GLASS (PoG) DEVICE COMPRISING A DIE
DE102016121008A1 (de) * 2016-11-03 2018-05-03 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung einer organischen Leuchtdiode und organische Leuchtdiode
JP7066578B2 (ja) * 2018-09-04 2022-05-13 株式会社神戸製鋼所 有機電子デバイス及び有機電子デバイス用基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277252A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電場発光パネルとその製造方法
JP2002025763A (ja) 2000-07-11 2002-01-25 Nisshin Steel Co Ltd 有機ｅｌ素子用絶縁基板
JP3942017B2 (ja) 2002-03-25 2007-07-11 富士フイルム株式会社 発光素子
JP2007536697A (ja) * 2003-12-30 2007-12-13 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ フレキシブルエレクトロルミネッセンスデバイス
JP2009301965A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Hitachi Ltd 有機発光装置
JP2010082899A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板、可撓性基板の製造方法、及び製品
JP2011138683A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Dainippon Printing Co Ltd 電子素子

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198832B2 (en) * 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
JP4608170B2 (ja) * 2000-03-07 2011-01-05 出光興産株式会社 アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP4180831B2 (ja) * 2002-03-25 2008-11-12 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
KR20040102054A (ko) * 2002-03-29 2004-12-03 파이오니아 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네선스 표시패널
US7535017B2 (en) * 2003-05-30 2009-05-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Flexible multilayer packaging material and electronic devices with the packaging material
CN101218691A (zh) * 2003-05-30 2008-07-09 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 柔性多层封装材料和具有该封装材料的电子器件
US7531957B2 (en) * 2003-09-10 2009-05-12 Fujifilm Corporation Display apparatus and manufacturing method therefor
US7378157B2 (en) * 2004-06-28 2008-05-27 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Gas barrier film, and display substrate and display using the same
JP2006344423A (ja) * 2005-06-07 2006-12-21 Showa Denko Kk 有機ｅｌ発光装置とその製造方法
JP4600254B2 (ja) * 2005-11-22 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
WO2007086280A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 積層構造及びそれを用いた電気回路用電極
US7931516B2 (en) * 2007-07-20 2011-04-26 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus and method of producing the same
JP4506810B2 (ja) * 2007-10-19 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置
JP5119865B2 (ja) * 2007-11-02 2013-01-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
US8362698B2 (en) * 2008-02-26 2013-01-29 Tohoku Pioneer Corporation Organic EL panel and its manufacturing method
JP5167932B2 (ja) * 2008-05-01 2013-03-21 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置
US8723415B2 (en) * 2009-12-14 2014-05-13 Sharp Kabushiki Kaisha Moisture-proof film, method for manufacturing the same, and organic electronic device including the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277252A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機電場発光パネルとその製造方法
JP2002025763A (ja) 2000-07-11 2002-01-25 Nisshin Steel Co Ltd 有機ｅｌ素子用絶縁基板
JP3942017B2 (ja) 2002-03-25 2007-07-11 富士フイルム株式会社 発光素子
JP2007536697A (ja) * 2003-12-30 2007-12-13 エージェンシー フォー サイエンス，テクノロジー アンド リサーチ フレキシブルエレクトロルミネッセンスデバイス
JP2009301965A (ja) * 2008-06-17 2009-12-24 Hitachi Ltd 有機発光装置
JP2010082899A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Dainippon Printing Co Ltd 可撓性基板、可撓性基板の製造方法、及び製品
JP2011138683A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Dainippon Printing Co Ltd 電子素子

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2770802A4

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020149384A1 (ja) * 2019-01-17 2020-07-23 デンカ株式会社 封止剤、硬化体、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び装置の製造方法
JPWO2020149384A1 (ja) * 2019-01-17 2021-11-25 デンカ株式会社 封止剤、硬化体、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び装置の製造方法
JP2023022039A (ja) * 2019-01-17 2023-02-14 デンカ株式会社 封止剤、硬化体、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び装置の製造方法
JP7385722B2 (ja) 2019-01-17 2023-11-22 デンカ株式会社 封止剤、硬化体、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、及び装置の製造方法

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