JP2008052154A - 電子機器及び電子機器の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】透明電極に電圧を供給するための配線が、低抵抗で、高い腐食耐性及び機械的強度を有すること
【解決手段】本発明にかかる電子機器は、透明基板21と、透明基板21上に形成された透明電極22と、透明基板21上に形成され、透明電極22に接続された金属配線24bと、金属配線24bの外表面を覆う金属酸化物膜24cと、を備えている。また、本発明にかかる電子機器に用いられる金属配線24bの金属酸化物膜24cは陽極酸化法により形成される。
【選択図】図5

Description

本発明は電子機器及び電子機器の製造方法に関し、例えば、液晶表示装置等の電子機器及び電子機器の製造方法に関する。
近年、携帯電話機、携帯情報端末、電子手帳、携帯型テレビ等の多くの電子機器に、液晶表示装置等の表示装置が組み込まれるようになった。
液晶表示装置は、一般に、ガラスなどからなる一対の透明基板を用いる。そして、透明基板上の電極が形成された内面を互いに対向して配置させる。そして、一対の透明基板間の周縁部で枠状に設けられたシール材により一対の透明基板を貼り合せる。次に、このシール材の一部に設けられた液晶注入口から一対の透明基板間のシール材に囲われた空間に液晶を注入し、液晶注入口を封止して構成される。例えば、特許文献1には、一般的な液晶表示装置が開示されている。
特開2003−98543号公報
一般的な液晶表示装置を構成する一対の透明基板のうち、一方の透明基板の内面上には、複数の第1の透明電極が形成され、他方の透明基板の内面には、複数の第2の透明電極が形成されている。複数の第1の透明電極は平行に設けられている。同様に複数の第2の透明電極は平行に設けられている。第1の透明電極と第2の透明電極は互いに直交している。第1の透明電極は第1の接続配線と接続する。第2の透明電極は第2の接続配線と接続する。
ここで、透明電極は通常、ITO(Indium Tin Oxide)などからなる。接続配線は、通常、透明電極に電圧を供給するために設けられており、透明電極と比較して非常に細い配線幅で形成されている。このため、接続配線のうち、特に引き回しが必要で長くなるものは、電気抵抗を低く抑える必要がある。このことから、接続配線にはAlやAgなどの低抵抗の金属配線が使われている。また、ITOなどの透明導電膜からなる下層と、Alなどの金属膜からなる上層とを有する積層構造により、接続配線が形成されることがある。しかし、AlやAgなどの金属は、湿度に弱く、腐食しやすく、傷つきやすいという問題点がある。
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、透明電極に電圧を供給するための配線が、低抵抗で、高い腐食耐性及び機械的強度を有する電子機器及び電子機器の製造方法を提供することを目的とする。
本発明にかかる電子機器は、透明基板と、前記透明基板上に形成された透明電極と、前記透明基板上に形成され、前記透明電極に接続された金属配線と、前記金属配線の外表面を覆う金属酸化物膜とを備える。このような構成により、透明電極に電圧を供給するための配線が、低抵抗で、高い腐食耐性及び機械的強度を有する電子機器を得ることができる。
また、本発明にかかる電子機器の製造方法は、透明基板上に透明電極を形成するステップと、前記透明電極に接続されるように、前記透明基板上に金属配線を形成するステップと、前記金属配線の外表面を覆う金属酸化物膜を形成するステップと、を含む。
この製造方法により、透明電極に電圧を供給するための配線が、低抵抗で、高い腐食耐性及び機械的強度を有する電子機器を得ることができる。
さらに、前記金属配線の前記金属酸化物膜は陽極酸化法により形成されることが好ましい。これにより、金属配線表面の腐蝕耐性及び機械的強度が高まる。
本発明により、透明電極に電圧を供給するための配線が、低抵抗で、高い腐食耐性及び機械的強度を有する電子機器及び電子機器の製造方法を得ることができる。
発明の実施の形態.
本発明の実施の形態に係る電子機器ついて、図に基づいて説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る電子機器の構成を示す模式断面図である。ここでは、本発明の実施の形態に係る電子機器として、液晶表示装置を挙げて説明する。図2は、本発明の実施の形態に係る電子機器の第1の透明基板上に形成された透明電極パターンを示す模式平面図である。図3は、本発明の実施の形態に係る電子機器の第2の透明基板上に形成された透明電極パターンを示す模式平面図である。
まず、第1の透明基板11と第2の透明基板21とは互いに対向して配置されている。そして、図2に示されるように、第1の透明基板11上には、複数の第1の透明電極12が、互いに平行に配設されて、ストライプ状に形成されている。また、図3に示されるように、第2の透明基板21上には、複数の第2の透明電極22が、互いに平行に配設されて、ストライプ状に形成されている。複数の第2の透明電極22は、複数の第1の透明電極12に対して直交して交差するように形成されている。第1及び第2の透明基板11、21は、光透過性のガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂等からなる。本発明の実施の形態においては、各々の透明基板11、21は矩形状の薄板により形成されている。
また、第1及び第2の透明電極12、22上には、配向膜(不図示)が積層されている。第1及び第2の透明電極12、22の間に電圧を印加することにより、両電極12、22間に設けられた液晶層50内の液晶分子の配列を変化させて、第1及び第2の透明基板11、21の間の光の透過を制御する。
また、図1に示されるように、第2の透明基板21の一辺側は第1の透明基板11の端面よりも延出して形成されている。この延出された部分には、駆動回路などが組み込まれた半導体素子14が実装されている。さらに、第1及び第2の透明基板11、21の外側には、一対の偏光板15、25が貼り付けられている。
図1に示されるように、第1及び第2の透明基板11、21の間は、第2の透明基板21の外周縁に沿って設けられたシール枠30により接合されている。また、第1及び第2の透明基板11、21の間であってシール枠30に囲われた空間に液晶注入口(不図示)から液晶が注入された後、液晶注入口が封止部70により封止されることにより、液晶層50が第1及び第2の透明基板11、21間のシール枠30に囲われた空間に設けられる。図1に示されるように、シール枠30の内周縁に沿って、表示領域1aが設定されている。
また、第1及び第2の透明基板11、21の間であってシール枠30に囲われた空間には、第1及び第2の透明基板11、21の間の間隙を調整するための球状のスペーサ40が均一に散布されている。スペーサ40は、第1または第2の透明基板11、21の内面、すなわち第1または第2の透明電極12、22が形成された面上に散布される。なお、スペーサ40は、例えばガラス粒子やシリカ粒子や樹脂粒子の硬質な材料により形成されている。
ここで、図2に示されるように、第1の透明基板11は複数の第1の透明電極12と、これらに各々接続される複数の第1の接続配線23とを備えている。そして、第1の接続配線23の端部には、第1のトランスファーパッド17が形成されている。第1のトランスファーパッド17は、後述する第2の透明基板21に形成される第2のトランスファーパッド18と接続される。また、図3に示されるように、第2の透明基板21は複数の第2の透明電極22と、これらに各々接続される複数の第2の接続配線24とを備えている。そして、第2の透明基板21には、第1の透明基板11の第1のトランスファーパッド17に接続するための第2のトランスファーパッド18が形成されている。第2のトランスファーパッド18は、第1の透明基板11と第2の透明基板21とを対向配置したときに、第1のトランスファーパッド17に対向するように形成されている。また、補助配線26は、第2のトランスファーパッド18と半導体素子14とを接続するように形成されている。さらに、外部接続配線27は、液晶表示装置を外部の電子部品に接続したり、液晶表示装置に電源等を供給するための配線である。
図2に示されるように、第1の接続配線23は、第1の透明基板11の一辺側に引き出されている。また、図3に示されるように、第2の接続配線24は、第2の透明基板21の右端又は左端において第2の透明電極22と接続されている。そして、第2接続配線24は第2の透明基板21の右端又は左端から第2の透明基板21の一辺側まで延設されている。このように、第2の接続配線24は引き回されることにより、第1の接続配線23よりも長くなるため、第2の接続配線24は低抵抗化が必要となる。
第1及び第2の透明電極12、22と、接続配線23、24と、補助配線26と、外部接続配線27と、第1及び第2のトランスファーパッド17、18とは、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜から形成されている。また、図4及び図5に示されるように、第2の接続配線24は、透明導電膜を下層24aとして、その上に金属配線24bが積層されて形成されている。金属配線24bとしては、AlやAgなどの低抵抗な金属が用いられている。すなわち、第2の接続配線24は、下層24aがITOなどの透明導電膜からなり、上層24bがAlなどの金属配線からなる積層構造により形成されている。このように、透明導電膜上に金属膜が積層された金属配線を第2の接続配線24に用いることにより、当該第2の接続配線24の電気抵抗を低く抑えることができる。また、図4及び図5に示されるように、金属配線の露出されている領域には金属酸化物膜24cが形成されている。これにより、透明電極に電圧を供給するための配線を低抵抗にでき、腐食しにくくすることができる。さらには、当該配線の機械的強度を高くすることができる。ここで、金属配線の露出されている領域とは、金属配線の外表面であって、金属配線の外表面は金属酸化物膜24cによって覆われている。
尚、第2の接続配線の下層24aと金属配線24bとの境界面は、外気と触れておらず酸化されることはない。さらに、第2の接続配線の下層24aとして用いるITOは酸素と結合すると低抵抗化しやすい性質を有する。これにより、第2の接続配線24は下層24aにおいても低抵抗となりやすい。
次に、本発明の実施の形態に係る電子機器の製造方法について、図に基づいて説明する。図6は、本発明の実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するためのフロー図である。
図2及び図3に示されるように、まず一対の透明基板11、21を、例えば光透過性のガラスなどの矩形状の平板により形成する(ステップ(STEP:以下、STと称する)301)。続いて各々の透明基板11、21上にITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電膜を成膜する。次に、透明導電膜を例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングする。
そして、第1の透明基板11上には第1の透明電極12、第1の接続配線23、及び第1のトランスファーパッド17を形成する。また、第2の透明基板21上には第2の透明電極22、第2の接続配線の下層24a、第2のトランスファーパッド、補助配線26、及び外部接続配線27を形成する。このとき、透明電極12、22を各々平行に配設し、ストライプ状にする。また、第1の接続配線23は、第1の透明基板11の一辺側に引き出すように形成する。また第2の接続配線24は、第2の透明基板21の一辺側に引き出すように形成する。このとき、第2の接続配線24を、第1の接続配線23が引き出される一辺側と同じ側に来るように引き回す。これにより、第2の接続配線24が第1の接続配線23よりも長くなる。
次に、第2の接続配線の下層24aの上に、Alなどの金属膜を成膜する。次に、図4に示すように、この金属膜を例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングして金属配線24bを形成する。これにより、金属積層構造を有する第2の接続配線24が形成される(ST303)。すなわち、第2の接続配線24は、透明導電膜からなる下層24aと金属配線からなる上層24bとの積層構造となる。
続いて第2の透明電極22や第2の接続配線24などが配設された透明基板21を電解液中に浸漬する。電解液は硫酸、シュウ酸、その他の有機酸が挙げられる。そして、アルミニウムを陽極として、弱い直流、交流、または、交直流電流を流すと、図5に示されるように金属配線24bの外表面にアルミニウムの金属酸化物膜24cが形成される(ST304)。このように陽極酸化法によりアルミニウム表面に金属酸化物膜24cを設けることができる。これにより、第2の透明電極22に電圧を供給するための配線24が、低抵抗にでき、腐食しにくくすることができる。さらには、当該配線24の機械的強度を高くすることができる。特に、アルミニウム表面は機械的強度が低いが、金属酸化物膜24cを設けることにより、配線24の機械的強度を高くすることができる。また、陽極酸化法を用いることにより、アルミニウム表面上のピンホールを金属酸化物膜24cにより容易に被覆することができ、より腐食しにくくすることができる。
また、本発明の実施の形態においては、金属酸化物膜24cを形成するのに陽極酸化法を用いたが、他の一般的な酸化方法である熱酸化法やオゾン洗浄法により形成してもよい。金属酸化物膜24cは、金属配線24bの金属酸化物ではなく、SiO等の酸化物であってもよい。この場合の形成法としては、スパッタ法、CVD法、印刷法等を例示することができる。
次に、第1及び第2の透明電極12、22上に、配向膜(不図示)を、例えば高分子材料であるポリイミド(Polyimide)薄膜等の有機薄膜で形成する(ST305)。そして、この配向膜に対して、液晶層50との接触面に一方向にミクロな傷をつける配向処理(ラビング処理)を施す。
次に、第1の透明基板11の内面、すなわち第1の透明電極12が形成された面上にスペーサ40を均一に散布する(ST306)。なお、スペーサ40を、第2の透明基板21の内面、すなわち第2の透明電極22が形成された面上に、散布してもよい。
次に、第2の透明基板21の外周縁に、液晶注入口となる一部を除いてシール材を塗布して、シール枠30を形成する(ST307)。
そして、第1および第2の透明基板11、21を、第1および第2の透明電極12、22が形成された面を互いに対向させた状態で、シール材により貼り合わせて、第1および第2の透明基板11、21の間を接合する(ST308)。
次に、一対の透明基板11、21の間であってシール枠30により囲われた空間に、液晶を注入する。そして、液晶注入口を封止材70により封止して、封止材70を硬化させることにより液晶を、閉空間内に密封することにより、液晶層50を形成する(ST309)。そして、一対の透明基板11、21の外側に、一対の偏光板15、25を貼着する(ST310)。
次に、半導体素子14を第1の透明基板11上にCOG実装する(ST311)。以上のST301〜ST311のステップを経て、本実施の形態における液晶表示装置を得る。
以上の説明は、本発明を実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。また、当業者であれば、以上の実施の形態の各要素を、本発明の範囲において、容易に変更、追加、変換することが可能である。また、上記の実施の形態では電子機器として液晶表示装置について説明したが、電子機器としてタッチパネル入力装置等であってもよい。
本発明の実施の形態に係る電子機器の構成を示す模式断面図である。 本発明の実施の形態に係る電子機器の第1の透明基板上に形成された透明電極パターンを示す模式平面図である。 本発明の実施の形態に係る電子機器の第2の透明基板上に形成された透明電極パターンを示す模式平面図である。 本発明の実施の形態に係る電子機器の第2の接続配線の構成を示す模式平面図である。 本発明の実施の形態に係る電子機器の第2の接続配線を示す模式断面図で、図4のA−A切断部の断面図ある。 本発明の実施の形態に係る電子機器の製造方法を説明するためのフロー図である。
符号の説明
1a 表示領域
11 第1の透明基板
12 第1の透明電極
14 半導体素子
15 偏光板
17 第1のトランスファーパッド
18 第2のトランスファーパッド
21 第2の透明基板
22 第2の透明電極
23 第1の接続配線
24 第2の接続配線
24a 第2の接続配線の下層
24b 金属配線(第2の接続配線の上層)
24c 金属酸化物膜
25 偏光板
26 補助配線
27 外部接続配線
30 シール枠
40 スペーサ
50 液晶層

Claims (3)

  1. 透明基板と、
    前記透明基板上に形成された透明電極と、
    前記透明基板上に形成され、前記透明電極に接続された金属配線と、
    前記金属配線の外表面を覆う金属酸化物膜と、を備えた電子機器。
  2. 透明基板上に透明電極を形成するステップと、
    前記透明電極に接続されるように、前記透明基板上に金属配線を形成するステップと、
    前記金属配線の外表面を覆う金属酸化物膜を形成するステップと、を備えた電子機器の製造方法。
  3. 陽極酸化法により前記金属配線の前記金属酸化物膜を形成する請求項2に記載の電子機器の製造方法。
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