JP2007171363A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、矩形状の第1の透明基板11と、内面を第1の透明基板11の内面に対向して設けられた矩形状の第2の透明基板21と、第1の透明基板11の一辺側に第2の透明基板21の端面よりも延出して設けられた半導体素子実装部11aと、第2の透明基板21の外周縁に沿って形成され、第1および第2の透明基板11、21を接合するシール枠30と、第1および第2の透明基板11、21のシール枠30に囲われた空間に設けられた液晶層50とを有する。また、第1の透明基板11の一辺側のシール枠30aの幅は、第1の透明基板11の一辺の対辺側のシール枠30bの幅の1.8倍〜4.0倍である。
【選択図】図1
Description
液晶表示装置は、一般に、ガラスなどからなる一対の透明基板を、電極が形成された内面を互いに対向して配置し、一対の透明基板間の周縁部で枠状に設けられたシール材により一対の透明基板を貼り合せ、シール材の一部に設けられた液晶注入口から一対の透明基板間のシール材に囲われた空間に液晶を注入し、液晶注入口を封止して構成される。
このように構成したことにより、基板と半導体素子の熱膨張係数の差などによって生ずる基板の反りの発生を抑制できる。
図1は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の構成を示す図であって、図1(a)は液晶表示装置の正面図であり、図1(b)は側面図である。図2は、本発明の実施の形態に係る液晶表示装置の断面を示す図であり、特に図1(a)のA−A切断線の拡大断面を示す図である。
図2に示されるように、第1の透明基板11の内面上には、複数の第1の透明電極12がストライプ状に形成されている。また、第2の透明基板21の内面上には、複数の第2の透明電極22がストライプ状に形成されている。複数の第2の透明電極22は、複数の第1の透明電極12に対して直交して交差するように形成されている。第1および第2の透明基板11、21は、例えば光透過性のガラス、ポリカーボネート、アクリル樹脂等により矩形状に形成されている。
また、図1(a)、図1(b)および図2に示されるように、第1の透明基板11の一辺側は第2の透明基板21の端面よりも延出して形成されており、この延出された部分には、半導体素子14を実装するための半導体素子実装部11aが設けられている。半導体素子実装部11a上には、複数の端子13が形成され、駆動回路などが組み込まれた半導体素子14がCOG実装されている。
図1(a)に示されるように、シール枠30は、第1の透明基板11のうち、半導体素子実装部11aが設けられた一辺側のシール枠30aの幅が、半導体素子実装部11aが設けられた側の一辺の対辺側におけるシール枠30bの幅の1.8倍〜4.0倍になるように形成されている。なお、シール枠30の最小幅は、製品品質上の関係から、少なくとも0.4mm以上に形成するのが好ましい。
このような構成にしたことにより、半導体素子14を第1の透明基板11上にCOG実装した後に、半導体素子14と第1および第2の透明基板11、12の熱膨張係数の違いなどによって生じる第1および第2の透明基板11、21の反りの発生を抑制することができる。
図1、図2および図3に示されるように、まず一対の透明基板11、21を、例えば光透過性のガラスなどの矩形状の平板により形成する(ステップ(STEP:以下、STと称する)301)。
次に、第1および第2の透明電極12、22上に、配向膜(不図示)を例えば高分子材料であるポリイミド(Polyimide)薄膜等の有機薄膜で形成する(ST303)。そして、この配向膜に対して、液晶層50との接触面に一方向にミクロな傷をつける配向処理(ラビング処理)を施す(ST303)。
次に、第2の透明基板21の外周縁に、液晶注入口60となる一部を除いてシール材を塗布して、シール枠30を形成する(ST305)。
まず、実施例1、2および従来例ともに、STN型の液晶表示装置を用いた。具体的には、液晶のツイスト角を240°(左ツイスト)、液晶層のリタデーションΔndを850nm、液晶の透明点Tcを105℃にした。また、液晶表示パネルの前面上には、側鎖方液晶性高分子層からなる位相差板付偏光板(楕円偏光板)を貼り付け、液晶表示パネルの背面上には、偏光板として株式会社ポラテクノ製SKN−18243Tを貼り付けた。位相差板には、液晶性高分子層からなる株式会社ポラテクノ製ツイスター(登録商標)を用いた。この位相差板は、液晶のツイスト角=240°(右ツイスト)、透明点Tc=105℃、ガラス転移点Tg=25℃、位相差値830nmとなるように調整されたものを用いた。
図1(a)に示される第1の透明基板11のうち、半導体素子実装部11aが設けられた側の一辺の対辺側のシール枠30bの幅を0.85mmとし、半導体素子実装部11aが設けられた一辺側のシール枠30aの幅を、0.85mmの約2.0倍の1.7mmとした。
そして、半導体素子14の実装温度を220℃に設定して、半導体素子14を半導体素子実装部11aにCOG実装したところ、当該半導体素子実装部11a近傍の光透過率や色調が不均一になることはなく、高い表示品質が得られた。
図1(a)に示される第1の透明基板11のうち、半導体素子実装部11aが設けられた側の一辺の対辺側のシール枠30bの幅を0.6mmとし、半導体素子実装部11aが設けられた一辺側のシール枠30aの幅を、0.6mmの3.0倍の1.8mmとした。
そして、半導体素子14の実装温度を220℃に設定して、半導体素子14を半導体素子実装部11aにCOG実装したところ、当該半導体素子実装部11a近傍の光透過率や色調が不均一になることはなく、高い表示品質が得られた。
図1(a)に示される第1の透明基板11のうち、半導体素子実装部11aが設けられた側の一辺の対辺側のシール枠30bの幅を0.85mmとし、半導体素子実装部11aが設けられた一辺側のシール枠30aの幅を、0.85mmとした。
そして、半導体素子14の実装温度を220℃に設定して、半導体素子14を半導体素子実装部11aにCOG実装したところ、当該半導体素子実装部11a近傍の光透過率や色調が不均一になり、表示品質は低かった。
上記実施の形態の説明ではパッシブ型の液晶表示装置を用いて例示したが、これに限らず、本実施の形態に係る発明を、アクティブ型の液晶表示装置等の他の種類の液晶表示装置などにも採用できる。
11 第1の透明基板
11a 半導体素子実装部
12 第1の透明電極
13 端子
14 半導体素子
15 偏光板
21 第2の透明基板
22 第2の透明電極
23 偏光板
30 シール枠
30a 第1の透明基板の一辺側(半導体素子実装部側)のシール枠
30b 第1の透明基板の一辺の対辺側のシール枠
40 スペーサ
50 液晶層
60 液晶注入口
70 封止部
Claims (4)
- 矩形状に形成され、内面に第1の電極が形成された第1の基板と、矩形状に形成され、第2の電極が形成された内面を上記第1の基板の内面に対向して設けられた第2の基板と、上記第1の基板および上記第2の基板の外側に配設された一対の偏光板と、上記第1の基板の一辺側に上記第2の基板の端面よりも延出して設けられた半導体素子実装部と、上記第2の基板の外周縁に沿って形成され、上記第1および第2の基板を接合するシール枠と、上記第1および第2の基板の間であって上記シール枠に囲われて設けられた液晶層とを有する液晶表示装置であって、
上記第1の基板の上記一辺側の上記シール枠の幅は、上記第1の基板の上記一辺の対辺側の上記シール枠の幅の1.8倍〜4.0倍であることを特徴とする液晶表示装置。 - STN型液晶表示装置である、請求項1に記載の液晶表示装置。
- ノーマリーブラックモードである、請求項1に記載の液晶表示装置。
- 上記第1および第2の電極間に電圧を印加しないとき、上記一対の偏光板および上記液晶層を通過する光透過率は1%以下である、請求項1に記載の液晶表示装置。
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