JP2002358843A - 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】フォトリソ・エッチングなどの複雑なパターニ
ング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電
極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、
並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提
供する。 【解決手段】少なくとも、透光性プラスチック基材１上
に易接着透明絶縁層２を所定のパターンで形成する工
程、透明導電層４を全面に形成する工程、易接着透明絶
縁層のパターン上以外に形成された透明導電層を、例え
ば超音波処理を行ないながら剥離する工程、をこの順に
含んで透明導電性フィルムを製造する。なお、透明導電
性フィルム上に、少なくとも発光媒体層、陰極層を順次
積層すればエレクトロルミネッセンス素子を製造するこ
とができる。
ング工程が不要であり、また、パターニング時に補助電
極を侵食しない透明導電性フィルム及びその製造方法、
並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子を提
供する。 【解決手段】少なくとも、透光性プラスチック基材１上
に易接着透明絶縁層２を所定のパターンで形成する工
程、透明導電層４を全面に形成する工程、易接着透明絶
縁層のパターン上以外に形成された透明導電層を、例え
ば超音波処理を行ないながら剥離する工程、をこの順に
含んで透明導電性フィルムを製造する。なお、透明導電
性フィルム上に、少なくとも発光媒体層、陰極層を順次
積層すればエレクトロルミネッセンス素子を製造するこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報表示端末など
のディスプレイ部などに用いられている透明導電性フィ
ルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロ
ルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子）に係わるものであ
る。
のディスプレイ部などに用いられている透明導電性フィ
ルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロ
ルミネッセンス素子（以下ＥＬ素子）に係わるものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】ＥＬ素子は、広視野角、応答速度が速い
などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに代わ
るフラットパネルディスプレイとして期待されている。
現在は、ガラス基板を用いたＥＬ素子が主流であるが、
基材としてプラスチックフィルムを用いることにより、
さらなる薄型、軽量、小型、低価格化が期待されてい
る。
などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに代わ
るフラットパネルディスプレイとして期待されている。
現在は、ガラス基板を用いたＥＬ素子が主流であるが、
基材としてプラスチックフィルムを用いることにより、
さらなる薄型、軽量、小型、低価格化が期待されてい
る。
【０００３】ＥＬ素子は、透光性基材上に、少なくとも
透明導電層、発光媒体層、陰極層、を順次積層した構造
であり、両電極間に電流を流すことにより発光媒体層で
発光が生じるものである。透明導電層や陰極層をパター
ニングすることにより、発光表示部の面積や形を自由に
変えることができる。
透明導電層、発光媒体層、陰極層、を順次積層した構造
であり、両電極間に電流を流すことにより発光媒体層で
発光が生じるものである。透明導電層や陰極層をパター
ニングすることにより、発光表示部の面積や形を自由に
変えることができる。
【０００４】例えば、単純マトリックス型のＥＬディス
プレイを作製する場合には、透明導電層および陰極層
を、互いに直交したストライプ状にパターニングする方
法がある。
プレイを作製する場合には、透明導電層および陰極層
を、互いに直交したストライプ状にパターニングする方
法がある。
【０００５】透明導電層をパターニングする方法として
は、主にウェットエッチング法が用いられているが、少
なくともレジスト塗布工程、乾燥工程、露光工程、現像
工程、エッチング工程、レジスト剥離工程が必要である
ためコストが高いといった問題があった。
は、主にウェットエッチング法が用いられているが、少
なくともレジスト塗布工程、乾燥工程、露光工程、現像
工程、エッチング工程、レジスト剥離工程が必要である
ためコストが高いといった問題があった。
【０００６】また、現像工程、エッチング工程、レジス
ト剥離工程において、酸性およびアルカリ性の両方の液
が用いられるため、ＥＬ素子の基材には、酸性およびア
ルカリ性への耐性が要求されるといった問題があった。
ト剥離工程において、酸性およびアルカリ性の両方の液
が用いられるため、ＥＬ素子の基材には、酸性およびア
ルカリ性への耐性が要求されるといった問題があった。
【０００７】また、透明導電層の配線抵抗を低減するた
めに、特開平１０−１０６７５１号公報や特開平９−２
３０３１８号公報に記載されているように、金属からな
る補助電極を併設する方法があるが、透明導電層のエッ
チング液により補助電極が侵食されるため、補助電極の
材料に制限があるといった問題があった。
めに、特開平１０−１０６７５１号公報や特開平９−２
３０３１８号公報に記載されているように、金属からな
る補助電極を併設する方法があるが、透明導電層のエッ
チング液により補助電極が侵食されるため、補助電極の
材料に制限があるといった問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決するためになされたものであり、その課題とする
ところは、フォトリソ・エッチングなどの複雑なパター
ニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助
電極を侵食しないことを特徴とする透明導電性フィルム
及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミ
ネッセンス素子を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その課題とする
ところは、フォトリソ・エッチングなどの複雑なパター
ニング工程が不要であり、また、パターニング時に補助
電極を侵食しないことを特徴とする透明導電性フィルム
及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミ
ネッセンス素子を提供することにある。
【０００９】
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の透明導電性フィル
ム及びその製造方法並びに、それを用いたエレクトロル
ミネッセンス素子の一例を、図１、２に基づいて説明す
る。
ム及びその製造方法並びに、それを用いたエレクトロル
ミネッセンス素子の一例を、図１、２に基づいて説明す
る。
【００１１】本実施の形態において、透光性プラスチッ
ク基材１としては、透光性と絶縁性を有する基板であれ
ば如何なる基材も使用することができる。例えば、ポリ
プロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、
ポリアミド、ポリメチルメタクリレート等のプラスチッ
クフィルムやシートを用いても良く、あるいはこれらの
プラスチックフィルムやシートに、無機薄膜などのガス
バリア層を積層して用いても良く、あるいはこれらのプ
ラスチックフィルムやシートに、ガスバリアフィルムを
ラミネートしたものを用いてもよい。
ク基材１としては、透光性と絶縁性を有する基板であれ
ば如何なる基材も使用することができる。例えば、ポリ
プロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレ
ンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボ
ネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、
ポリアミド、ポリメチルメタクリレート等のプラスチッ
クフィルムやシートを用いても良く、あるいはこれらの
プラスチックフィルムやシートに、無機薄膜などのガス
バリア層を積層して用いても良く、あるいはこれらのプ
ラスチックフィルムやシートに、ガスバリアフィルムを
ラミネートしたものを用いてもよい。
【００１２】まず、初めに、透光性プラスチック基材１
上に、易接着透明絶縁層２をパターン成膜する。易接着
透明絶縁層２の材料としては、透光性プラスチック基材
１と透明陽極層３との界面の密着性を向上し、かつ透光
性であり、かつ透明導電層と接する面が絶縁材料であれ
ば、如何なる材料を単層または積層して使用しても良
い。例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化クロ
ム、酸化チタン、酸化マグネシウムなどの金属酸化物
や、窒化珪素、窒化チタンなどの金属窒化物や、弗化リ
チウム、弗化アルミニウムなどの金属弗化物や、炭化珪
素、炭化タングステンなどの金属炭化物などの無機材料
を用いても良く、銅、アルミニウム、鉄、チタン、クロ
ムなどの金属材料や、脂肪族アクリレート、脂環式アク
リレート、芳香族アクリレートなどの樹脂材料を用いる
ことができる。特に、長期にわたり接着性を維持するた
めに、耐湿性に優れた金属酸化物または金属窒化物を使
用することが好ましい。
上に、易接着透明絶縁層２をパターン成膜する。易接着
透明絶縁層２の材料としては、透光性プラスチック基材
１と透明陽極層３との界面の密着性を向上し、かつ透光
性であり、かつ透明導電層と接する面が絶縁材料であれ
ば、如何なる材料を単層または積層して使用しても良
い。例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化クロ
ム、酸化チタン、酸化マグネシウムなどの金属酸化物
や、窒化珪素、窒化チタンなどの金属窒化物や、弗化リ
チウム、弗化アルミニウムなどの金属弗化物や、炭化珪
素、炭化タングステンなどの金属炭化物などの無機材料
を用いても良く、銅、アルミニウム、鉄、チタン、クロ
ムなどの金属材料や、脂肪族アクリレート、脂環式アク
リレート、芳香族アクリレートなどの樹脂材料を用いる
ことができる。特に、長期にわたり接着性を維持するた
めに、耐湿性に優れた金属酸化物または金属窒化物を使
用することが好ましい。
【００１３】易接着透明絶縁層２の形成方法としては、
抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング
法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法などの既知
の成膜方法を用いることができる。易接着透明絶縁層２
のパターンは、成膜時に金属マスクを用いてパターニン
グしてもよく、べた成膜後にドライエッチング法やウェ
ットエッチング法でパターニングしても良く、予めパタ
ーニングした膜を転写してもよいが、マスク蒸着により
パターン形成することがより好ましい。
抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング
法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法などの既知
の成膜方法を用いることができる。易接着透明絶縁層２
のパターンは、成膜時に金属マスクを用いてパターニン
グしてもよく、べた成膜後にドライエッチング法やウェ
ットエッチング法でパターニングしても良く、予めパタ
ーニングした膜を転写してもよいが、マスク蒸着により
パターン形成することがより好ましい。
【００１４】次に、易接着透明絶縁層２のパターン端部
に、補助電極層３を形成する。ここで、補助電極層３の
材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｓｎなどの金属材料やこれら
の金属元素を１成分以上含む合金を用いることができ
る。
に、補助電極層３を形成する。ここで、補助電極層３の
材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ａｇ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｓｎなどの金属材料やこれら
の金属元素を１成分以上含む合金を用いることができ
る。
【００１５】補助電極層３の形成方法としては、材料に
応じて真空蒸着法やスパッタ法を用いても良く、スクリ
ーン印刷などの印刷法を用いて金属ペーストを塗工して
もよく、転写法を用いても良い。
応じて真空蒸着法やスパッタ法を用いても良く、スクリ
ーン印刷などの印刷法を用いて金属ペーストを塗工して
もよく、転写法を用いても良い。
【００１６】次に、透明導電層４を成膜する。透明導電
層４の材料としては、インジウムスズ酸化物やインジウ
ム亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、カドミウムス
ズ酸化物などの金属酸化物材料や、金、白金などの金属
材料を使用することができる。
層４の材料としては、インジウムスズ酸化物やインジウ
ム亜鉛酸化物、亜鉛アルミニウム酸化物、カドミウムス
ズ酸化物などの金属酸化物材料や、金、白金などの金属
材料を使用することができる。
【００１７】透明導電層４の形成方法としては、抵抗加
熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応
性蒸着法、イオンプレーティング法などの既知の成膜方
法を用いることができる。
熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、反応
性蒸着法、イオンプレーティング法などの既知の成膜方
法を用いることができる。
【００１８】易接着透明絶縁層２および補助電極層３の
パターン上に形成された透明導電層４は、密着性に優れ
ているが、パターン部以外に形成された透明導電層４は
超音波処理などの物理的な処理法で容易に剥離すること
ができる。この方法により、透明導電層４を、陽極用引
き出し電極４aを兼ねた透明導電層４と陰極用引き出し
電極４ｂとにパターニングすることができる。
パターン上に形成された透明導電層４は、密着性に優れ
ているが、パターン部以外に形成された透明導電層４は
超音波処理などの物理的な処理法で容易に剥離すること
ができる。この方法により、透明導電層４を、陽極用引
き出し電極４aを兼ねた透明導電層４と陰極用引き出し
電極４ｂとにパターニングすることができる。
【００１９】剥離方法としては、浸漬による超音波処
理、バブルジェット（登録商標）、超音波水噴射などを
使用することが好ましい。また、剥離液としては、透明
導電層および易接着透明絶縁層を侵さなければ、如何な
る液でも用いることができる。超音波処理の条件として
は、振動数が２０〜５０ｋＨｚ、出力が１０Ｗ〜１００
０Ｗの間の条件を用いることが好ましく、特に振動数２
０〜４０ｋＨｚ、出力５０Ｗ〜５００Ｗの間の条件を用
いることが好ましい。
理、バブルジェット（登録商標）、超音波水噴射などを
使用することが好ましい。また、剥離液としては、透明
導電層および易接着透明絶縁層を侵さなければ、如何な
る液でも用いることができる。超音波処理の条件として
は、振動数が２０〜５０ｋＨｚ、出力が１０Ｗ〜１００
０Ｗの間の条件を用いることが好ましく、特に振動数２
０〜４０ｋＨｚ、出力５０Ｗ〜５００Ｗの間の条件を用
いることが好ましい。
【００２０】透明導電層４の端部付近には、剥離した膜
が残存しやすいため、端部を樹脂層５で被覆することが
好ましい。
が残存しやすいため、端部を樹脂層５で被覆することが
好ましい。
【００２１】樹脂層５としては、エポキシ樹脂、アクリ
ル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの樹脂を用
いることができる。形成方法としては、材料に応じて、
スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷などの
印刷法や、ディスペンサー塗布法などを用いて、透明導
電層４の端部に塗り分け塗工すれば良い。また、スクリ
ーン印刷法、マイクログラビア法、バーコート法などの
印刷法や、スプレーコート法、スピンコート法などを用
いて全面に感光性樹脂を塗工した後に、既知のフォトリ
ソ法により、透明導電層４の端部を被覆するようにパタ
ーニングしても良い。
ル樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹
脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などの樹脂を用
いることができる。形成方法としては、材料に応じて、
スクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷などの
印刷法や、ディスペンサー塗布法などを用いて、透明導
電層４の端部に塗り分け塗工すれば良い。また、スクリ
ーン印刷法、マイクログラビア法、バーコート法などの
印刷法や、スプレーコート法、スピンコート法などを用
いて全面に感光性樹脂を塗工した後に、既知のフォトリ
ソ法により、透明導電層４の端部を被覆するようにパタ
ーニングしても良い。
【００２２】次に、発光媒体層６を形成する。ここで、
発光媒体層６を形成する前に、透明陽極層３の表面洗浄
や表面改質のために、コロナ放電処理、プラズマ処理、
ＵＶオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましい。
発光媒体層６を形成する前に、透明陽極層３の表面洗浄
や表面改質のために、コロナ放電処理、プラズマ処理、
ＵＶオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましい。
【００２３】本発明における発光媒体層６としては、蛍
光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することが
できる。多層膜で形成する場合の発光媒体層の構成例は
正孔注入輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発
光層、電子輸送層からなる２層構成や正孔注入輸送層、
発光層、電子輸送層からなる３層構成等がある。さらに
より多層で形成することも可能であり、各層を基板上に
順に成膜する。
光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することが
できる。多層膜で形成する場合の発光媒体層の構成例は
正孔注入輸送層、電子輸送性発光層または正孔輸送性発
光層、電子輸送層からなる２層構成や正孔注入輸送層、
発光層、電子輸送層からなる３層構成等がある。さらに
より多層で形成することも可能であり、各層を基板上に
順に成膜する。
【００２４】正孔注入輸送層の材料としては、銅フタロ
シアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の
金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キ
ナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１
−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミンなどの低
分子材料や、ポリチオフェン、ポリアニリン等の高分子
材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正
孔輸送材料の中から選ぶことができる。
シアニン、テトラ（ｔ−ブチル）銅フタロシアニン等の
金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キ
ナクリドン化合物、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’
−ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ（１
−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，１’−ビフ
ェニル−４，４’−ジアミン等の芳香族アミンなどの低
分子材料や、ポリチオフェン、ポリアニリン等の高分子
材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正
孔輸送材料の中から選ぶことができる。
【００２５】発光層の材料としては、９，１０−ジアリ
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジ
エン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミ
ニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、ト
リス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−
５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等の低分子材料や、ポリフル
オレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン
などの高分子材料、その他既存の発光材料を用いること
ができる。
ールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレ
ン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジ
エン、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミ
ニウム錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、ト
リス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−
５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム錯体、
ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノ
リノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラー
ト］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ
−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）
フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリ
ノラート）スカンジウム錯体、ビス〔８−（パラ−トシ
ル）アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、
１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、
ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジ
ヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン
系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンス
ロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系
蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光
体、ナフタルイミド系蛍光体、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置
換ピロロピロール系蛍光体等の低分子材料や、ポリフル
オレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン
などの高分子材料、その他既存の発光材料を用いること
ができる。
【００２６】電子注入輸送層の材料としては、２−（４
−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−
ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、およびオ
キサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール
化合物等が挙げられる。
−ビフィニルイル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−
ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、およびオ
キサジアゾール誘導体やビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリノラート）ベリリウム錯体、トリアゾール
化合物等が挙げられる。
【００２７】発光媒体層６の形成方法は、材料に応じ
て、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フ
レキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセット
などのコーティング法、印刷法を用いることができる。
発光媒体層６の膜厚は、単層または積層により形成する
場合においても１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５
０〜１５０ｎｍである。
て、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フ
レキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセット
などのコーティング法、印刷法を用いることができる。
発光媒体層６の膜厚は、単層または積層により形成する
場合においても１０００ｎｍ以下であり、好ましくは５
０〜１５０ｎｍである。
【００２８】次に、陰極層７を形成する。陰極層７の材
料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的に
はＭｇ，Ａｌ, Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体
と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１
ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積
層して用いる。
料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的に
はＭｇ，Ａｌ, Ｙｂ等の金属単体を用いたり、発光媒体
と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１
ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積
層して用いる。
【００２９】または電子注入効率と安定性を両立させる
ため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上
と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系が
用いられる。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ
等の合金が使用できる。
ため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上
と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系が
用いられる。具体的にはＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ
等の合金が使用できる。
【００３０】陰極層７の形成方法としては、材料に応じ
て、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ラミ
ネート法などを用いることができる。陰極の厚さは、１
０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。
て、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着
法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、ラミ
ネート法などを用いることができる。陰極の厚さは、１
０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度が望ましい。
【００３１】
【実施例】以下、本発明に係わる透明導電性フィルムお
よびそのパターニング方法、並びにそれを用いたＥＬ素
子について説明する。図1は、本発明の透明導電性フィ
ルムおよびそのパターニング方法を説明した図である。
図２は、ＥＬ素子の製造工程を説明した図である。
よびそのパターニング方法、並びにそれを用いたＥＬ素
子について説明する。図1は、本発明の透明導電性フィ
ルムおよびそのパターニング方法を説明した図である。
図２は、ＥＬ素子の製造工程を説明した図である。
【００３２】［実施例１]まず、透光性プラスチック基
材１として、ポリエチレンテレフタレートフィルム（１
００μｍ）を用い、透光性プラスチック基材１の一方の
面に易接着透明絶縁層２として、窒化珪素薄膜（５０ｎ
ｍ）を、金属マスクを用いてパターン成膜した（図１
（ａ））。
材１として、ポリエチレンテレフタレートフィルム（１
００μｍ）を用い、透光性プラスチック基材１の一方の
面に易接着透明絶縁層２として、窒化珪素薄膜（５０ｎ
ｍ）を、金属マスクを用いてパターン成膜した（図１
（ａ））。
【００３３】次に、易接着透明絶縁層２のパターン端部
に、補助電極層３としてＡｌ膜を５００ｎｍ形成した
（図１（ｂ））。
に、補助電極層３としてＡｌ膜を５００ｎｍ形成した
（図１（ｂ））。
【００３４】次に、透明導電層４として、ＩＴＯ膜をス
パッタ法を用いて１５０ｎｍ形成し、透明導電性フィル
ムを作製した（図１（ｂ））。
パッタ法を用いて１５０ｎｍ形成し、透明導電性フィル
ムを作製した（図１（ｂ））。
【００３５】次に、透明導電性フィルムを超純水中に浸
漬して超音波処理をすることにより、易接着透明絶縁層
２及び補助電極層３のパターン部以外に形成された透明
導電層４を剥離し、陽極引き出し電極４ａを兼ねた透明
導電層４と、陰極引き出し電極４ｂとにパターニングし
た（図１（ｃ））。
漬して超音波処理をすることにより、易接着透明絶縁層
２及び補助電極層３のパターン部以外に形成された透明
導電層４を剥離し、陽極引き出し電極４ａを兼ねた透明
導電層４と、陰極引き出し電極４ｂとにパターニングし
た（図１（ｃ））。
【００３６】次に、陽極引き出し電極４ａを兼ねた透明
導電層４のパターン端部に、樹脂層５としてアクリル樹
脂をスクリーン印刷を用いて形成した（図１（ｄ））。
導電層４のパターン端部に、樹脂層５としてアクリル樹
脂をスクリーン印刷を用いて形成した（図１（ｄ））。
【００３７】得られた透明導電性フィルムは、透明導電
層４のパターンが、易接着透明絶縁層２のパターンとほ
ぼ同形状となり、パターン間の電気絶縁性も確認でき
た。
層４のパターンが、易接着透明絶縁層２のパターンとほ
ぼ同形状となり、パターン間の電気絶縁性も確認でき
た。
【００３８】［実施例２］実施例１で作製した透明導電
性フィルム上に、ＥＬ素子を作製した（図２）。
性フィルム上に、ＥＬ素子を作製した（図２）。
【００３９】初めに、透明導電層３上をＵＶオゾン洗浄
した後に、発光媒体層６として、ポリ［２−メトキシ−
５−（２'−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェニ
レンビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）をダイレクトグラビア
法により１００ｎｍ形成した（図２（ａ））。
した後に、発光媒体層６として、ポリ［２−メトキシ−
５−（２'−エチル−ヘキシロキシ）−１，４−フェニ
レンビニレン］（ＭＥＨＰＰＶ）をダイレクトグラビア
法により１００ｎｍ形成した（図２（ａ））。
【００４０】次に、陰極層７として、真空蒸着法によ
り、ＣａとＡｇをそれぞれ２０ｎｍ、２００ｎｍ積層形
成した（図２（ｂ））。得られたＥＬ素子を発光させた
ところ、均一発光が得られた。
り、ＣａとＡｇをそれぞれ２０ｎｍ、２００ｎｍ積層形
成した（図２（ｂ））。得られたＥＬ素子を発光させた
ところ、均一発光が得られた。
【００４１】［比較例１］実施例１の透明導電性フィル
ムにおいて、易接着透明絶縁層２を積層せずに、透明導
電層４を形成した。得られた透明導電性フィルムを超音
波処理したところ、補助電極層３のパターン部上以外の
透明導電層が剥離した。
ムにおいて、易接着透明絶縁層２を積層せずに、透明導
電層４を形成した。得られた透明導電性フィルムを超音
波処理したところ、補助電極層３のパターン部上以外の
透明導電層が剥離した。
【００４２】［比較例２］実施例２のＥＬ素子におい
て、樹脂層５を形成せずにＥＬ素子を作製した。得られ
たＥＬ素子に電圧を印可したところ、透明導電層４の端
部でショートが起こり、ＥＬ素子は発光しなかった。
て、樹脂層５を形成せずにＥＬ素子を作製した。得られ
たＥＬ素子に電圧を印可したところ、透明導電層４の端
部でショートが起こり、ＥＬ素子は発光しなかった。
【００４３】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、透光性基
材と透明導電層との界面に、易接着透明絶縁層のパター
ンを挿入することにより、局所的に透明導電層の密着性
が上がるため、フォトリソ・エッチング法を用いずに透
明導電性フィルムをパターニングでき、またパターニン
グ時に補助電極を侵食することのない、透明導電性フィ
ルムの製造方法を提供することができる。また、請求項
２記載の発明によれば、剥離する工程において、超音波
処理が行われることにより、透明導電層を効率的に剥離
することが出来る。また、請求項３記載の発明によれ
ば、易接着透明絶縁層として、耐湿性に優れた金属酸化
物、金属窒化物を少なくとも含む積層膜を用いることに
より、長期にわたり接着性を維持できる透明導電性フィ
ルムを提供することができる。また、請求項４記載の発
明によれば、透光性基材と透明導電層との界面に、易接
着透明絶縁層のパターンを挿入することにより、透明導
電層の密着性が高い透明導電性フィルムを提供すること
ができる。また、請求項５記載の発明によれば、易接着
透明絶縁層と透明導電層とのパターン端部かつ界面に金
属からなる補助電極を併設することにより、透明導電層
の配線抵抗が低い透明導電性フィルムを提供することが
できる。また、請求項６記載の発明によれば、パターニ
ングされた透明導電層の端部を樹脂層で被覆することに
より、透明導電層の端部におけるＥＬ素子の発光不良が
無くなる。また、請求項７記載の発明によれば、請求項
３、４に記載の透明導電性フィルム上に、少なくとも発
光媒体層、陰極層を順次積層することによりエレクトロ
ルミネッセンス素子を提供することができる。
材と透明導電層との界面に、易接着透明絶縁層のパター
ンを挿入することにより、局所的に透明導電層の密着性
が上がるため、フォトリソ・エッチング法を用いずに透
明導電性フィルムをパターニングでき、またパターニン
グ時に補助電極を侵食することのない、透明導電性フィ
ルムの製造方法を提供することができる。また、請求項
２記載の発明によれば、剥離する工程において、超音波
処理が行われることにより、透明導電層を効率的に剥離
することが出来る。また、請求項３記載の発明によれ
ば、易接着透明絶縁層として、耐湿性に優れた金属酸化
物、金属窒化物を少なくとも含む積層膜を用いることに
より、長期にわたり接着性を維持できる透明導電性フィ
ルムを提供することができる。また、請求項４記載の発
明によれば、透光性基材と透明導電層との界面に、易接
着透明絶縁層のパターンを挿入することにより、透明導
電層の密着性が高い透明導電性フィルムを提供すること
ができる。また、請求項５記載の発明によれば、易接着
透明絶縁層と透明導電層とのパターン端部かつ界面に金
属からなる補助電極を併設することにより、透明導電層
の配線抵抗が低い透明導電性フィルムを提供することが
できる。また、請求項６記載の発明によれば、パターニ
ングされた透明導電層の端部を樹脂層で被覆することに
より、透明導電層の端部におけるＥＬ素子の発光不良が
無くなる。また、請求項７記載の発明によれば、請求項
３、４に記載の透明導電性フィルム上に、少なくとも発
光媒体層、陰極層を順次積層することによりエレクトロ
ルミネッセンス素子を提供することができる。
【００４４】
【図１】本発明の透明導電性フィルムおよびそのパター
ニング方法の一例を説明した図である。
ニング方法の一例を説明した図である。
【図２】本発明のエレクトロルミネッセンス素子および
その製造方法の一例を説明した図である。
その製造方法の一例を説明した図である。
１ 透光性プラスチック基材 ２ 易接着透明絶縁層 ３ 補助電極層 ４ 透明導電層 ４ａ 陽極用引き出し電極 ４ｂ 陰極用引き出し電極 ５ 樹脂層 ６ 発光媒体層 ７ 陰極層
Claims (7)
- 【請求項１】透光性プラスチック基材上に透明導電層を
設けた透明導電性フィルムの製造方法において、少なく
とも、透光性プラスチック基材上に易接着透明絶縁層を
所定のパターンで形成する工程、透明導電層を全面に形
成する工程、易接着透明絶縁層のパターン上以外に形成
された透明導電層を剥離する工程、をこの順に含むこと
を特徴とする透明導電性フィルムの製造方法。 - 【請求項２】剥離する工程において、超音波処理が行わ
れることを請求項１記載の透明導電性フィルムの製造方
法。 - 【請求項３】易接着透明絶縁層が、金属酸化物又は金属
窒化物を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記載
の透明導電性フィルムの製造方法。 - 【請求項４】透光性プラスチック基材上に所定のパター
ンで形成された易接着透明絶縁層と易接着透明絶縁層上
に形成された透明導電層を有することを特徴とする透明
導電性フィルム。 - 【請求項５】易接着透明絶縁層及び透明導電層のパター
ン端部、かつ両層の層間に、金属からなる補助電極層が
形成されていることを特徴とする請求項４記載の透明導
電性フィルム。 - 【請求項６】易接着透明絶縁層及び透明導電層のパター
ン端部が樹脂層により被覆されていることを特徴とする
請求項４、５記載の透明導電性フィルム。 - 【請求項７】請求項４、５、６記載の透明導電性フィル
ム上に、少なくとも発光媒体層、陰極層が順次積層され
ていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164121A JP4997667B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001164121A JP4997667B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 透明導電性フィルム及びその製造方法、並びにそれを用いたエレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002358843A true JP2002358843A (ja) | 2002-12-13 |
| JP4997667B2 JP4997667B2 (ja) | 2012-08-08 |
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006331841A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Nbc Inc | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007273261A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
| CN100431184C (zh) * | 2006-11-23 | 2008-11-05 | 杨建清 | 在透明软性薄膜基板上封装发光二极管的方法 |
| JP2009187774A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP4737348B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-07-27 | Ｄｉｃ株式会社 | 透明導電層パターンの形成方法 |
| JP2014017128A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明導電性基板の製造方法 |
| JP2014123569A (ja) * | 2004-06-03 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001164121A patent/JP4997667B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2015084335A (ja) * | 2004-06-03 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| US9099668B2 (en) | 2004-06-03 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| JP2016192419A (ja) * | 2004-06-03 | 2016-11-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| JP2017191783A (ja) * | 2004-06-03 | 2017-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| JP2006331841A (ja) * | 2005-05-26 | 2006-12-07 | Nbc Inc | 有機ｅｌ素子及びその製造方法 |
| JP2007273261A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN100431184C (zh) * | 2006-11-23 | 2008-11-05 | 杨建清 | 在透明软性薄膜基板上封装发光二极管的方法 |
| JP2008243463A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Japan Steel Works Ltd:The | 透明電極のパターニング方法 |
| JP2009187774A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
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