KR101549249B1 - 전사용 기판 및 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
전사용 기판은 광투과성의 지지 기판; 상기 광투과성 지지 기판상에 형성되는 광열변환층; 및 상기 광열변환층상에 형성되는 전사층을 구비한다. 상기 전사층은, 유기 전계 발광 소자의 발광층으로서 전사되는 층이고, 금속착체, 형광발광성 도펀트, 및 기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖는 방향족 탄화 수소를 사용하여 구성된다.
전사용 기판
Description
본 발명은, 일본 특허출원 제2007-212025(2007.08.16)호의 우선권 주장 출원이다.
본 발명은, 전사용 기판 및 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 발광층의 패턴 형성에 알맞게 이용되는 전사용 기판, 및 이 전사 기판을 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
근래, 경량이고 고효율의 플랫 패널형 표시 장치로서, 유기 전계 발광 소자(이른바 유기 EL 소자)를 이용한 표시 장치가 주목받고 있다.
이와 같은 표시 장치를 구성하는 유기 전계 발광 소자는, 예를 들면 유리 등으로 이루어지는 투명한 기판상에 마련되어 있고, 기판측으로부터 차례로 ITO(Indium Tin Oxide : 투명 전극)로 이루어지는 양극, 유기층, 및 음극을 적층하여 이루어진다. 유기층은, 양극측으로부터 차례로, 정공 주입층, 정공 수송층 및 전자 수송성의 발광층을 순으로 적층시킨 구성을 갖고 있다. 이와 같이 구성된 유기 전계 발광 소자에서는, 음극으로부터 주입된 전자와 양극으로부터 주입된 정공 이 발광층에서 재결합하고, 이 재결합할 때에 생기는 광이 양극을 통하여 기판측으로부터 취출된다.
이와 같은 유기 전계 발광 소자를 이용한 풀 컬러의 표시 장치는, R(적), G(녹), B(청)의 각 색의 유기 전계 발광 소자를 기판상에 배열 형성하여 이루어진다. 이와 같은 표시 장치의 제조에서는, 적어도 각 색으로 발광하는 유기 발광 재료로 이루어지는 발광층을, 발광 소자마다 패턴 형성할 필요가 있다. 그리고, 발광층의 패턴 형성은, 예를 들면 시트에 개구 패턴을 마련하여 이루어지는 마스크를 통하여 발광 재료를 증착 또는 도포하는 새도우 마스킹법, 나아가서는 잉크젯법에 의해 행하여지고 있다.
그런데, 새도우 마스킹법에 의한 패턴 형성에서는, 마스크에 형성하는 개구 패턴의 더한층의 미세화 가공이 곤란한 것, 및 마스크가 휘어짐이나 늘어남에 의해 발광 소자 영역에의 위치 정밀도가 높은 패턴 형성이 곤란한 것 등 때문에, 더한층의 유기 전계 발광 소자의 미세화 및 고집적화가 곤란하게 되고 있다. 또한, 개구 패턴이 형성된 마스크의 접촉에 의해, 먼저 형성된 유기층을 주체로 한 기능층에 파괴가 생기기 쉽고, 제조 수율을 저하시키는 요인이 되어 있다.
또한, 잉크젯법에 의한 패턴 형성은, 그 패터닝 정밀도에 한계 때문에, 발광 소자의 미세화 및 고집적화, 및 기판의 대형화가 곤란하게 되어 있다.
그래서, 유기 재료로 구성된 발광층이나 그 밖의 기능층이 새로운 패턴 형성 방법으로서, 에너지원(열원)을 이용한 전사법(즉 열전사법)이 제안되어 있다. 열전사법을 이용한 표시 장치의 제조는, 예를 들면 다음과 같이 행한다. 우선, 표시 장 치의 기판(이하, 장치 기판이라고 칭한다)상에 하부 전극을 형성하여 둔다. 한편, 다른 기판(이하, 전사용 기판이라고 칭한다)상에, 광열변환층을 통하여 발광층을 성막하여 둔다. 그리고, 발광층과 하부 전극을 대향시키는 상태로, 장치 기판과 전사용 기판을 배치하고, 전사용 기판측으로부터 레이저광을 조사함에 의해, 장치 기판의 하부 전극상에 발광층을 열전사시킨다. 이때, 스폿 조사시킨 레이저광을 주사시킴에 의해, 하부 전극상의 소정 영역만에 위치 정밀도 양호하게 발광층이 열전사된다(이상 하기 특허 문헌 1, 2 참조).
또한, 열전사법에서 제작된 유기 전계 발광 소자에서는, 발광층을 열전사하기 전에 장치 기판, 및 전사용 기판을 가열 처리함에 의해, 발광 효율 및 휘도 반감 수명을 개선하는 방법이 개시되어 있다(하기 특허 문헌 3 참조).
또한, 레이저 유도 열 화상 형성계의 감도가 높은 도너는 승화성 화합물을 사용함에 의해 그 감도가 증가되는 방법이 개시되어 있다.(하기 특허 문헌 4 참조)
한편, 유기 전계 발광 소자의 발광층의 구성에서, 축합다환(多環) 탄화 수소가 4개 이상의 방향환(芳香環)을 갖는 화합물을 발광층 도펀트로서 가용하는 기술이 개시되어 있다(하기 특허 문헌 5 참조).
특허 문헌 1 : 특개2002-110350호 공보
특허 문헌 2 : 특개평11-260549호 공보
특허 문헌 3 : 특개2003-229259호 공보
특허 문헌 4 : 특개평10-6643호 공보
특허 문헌 5 : 특개평9-241629호 공보
그러나, 상술한 열전사법을 이용하여 얻어진 발광 소자는, 전사층에 사용하는 유기 재료에 의해서는 전사층이 레이저에 조사됨에 의해 열화되어 버려, 섀도우 마스크법에 의해 제조된 발광 소자와 비교하고, 발광 효율의 저하, 구동 전압의 상승, 및 휘도 반감 수명이 짧아진다는 문제가 있다. 상기 기술을 이용하여 개선 처리를 행하는 경우에도, 그 효과는 불충분하다.
그래서 본 발명은, 발광 효율 및 휘도 반감 수명을 높게 유지 가능한 유기 전계 발광 소자의 제조에 이용되는 전사용 기판을 제공하는 것이 바람직하다.
또한, 상술한 전사용 기판을 이용함에 의해 발광 효율 및 휘도 반감 수명의 향상을 도모하는 것이 가능한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이 바람직하다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 광투과성의 지지 기판과, 지지 기판상에 형성되는 광열변환층과, 광열변환층상에 형성되는 전사층을 포함하는 전사용 기판을 제공하며, 전사층은, 유기 전계 발광 소자의 발광층으로서 전사되는 층이고, 금속착체, 형광발광성 도펀트, 및 기질 골격(matrix skeleton)이 4 내지 7의 링을 갖거나, 4환계 내지 7환계의 방향족 탄화 수소를 사용하여 구성되어 있다.
또한, 본 발명은 이와 같은 전사용 기판을 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법이기도 하고, 발광층의 형성에 즈음하여 이 전사용 기판을 이용하는 것을 특징으로 하고 있다. 이 경우, 전사층을 장치 기판측으로 향하게 한 상태에서, 전사용 기판을 장치 기판에 대향 배치한다. 그리고, 지지 기판측으로부터의 광 조사에 의해 전사층을 승화시켜서, 장치 기판의 상방에 전사시켜서 발광층을 형성한다.
이상과 같은 구성에서는, 전사용 기판의 전사층이, 금속착체, 형광발광성 도펀트, 및 기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖는 방향족 탄화 수소의 3원계 재료이기 때문에, 이 전사층을 승화시켜서 형성하는 발광층도, 이들의 3원계 재료로 구성된 것으로 이루어진다. 이와 같은 3원계 재료로 구성된 발광층에서는, 방향족 탄화 수 소는 발광에는 기여하지 않지만, 방향족 탄화 수소를 포함하지 않는 경우와 비교하여, 높은 발광 효율을 얻을 수 있음과 함께 휘도 반감 수명이 길어지는 것이 확인되었다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 발광층은, 공증착(共蒸着)에 의한 형성 방법보다도 3종류의 재료의 혼합 상태의 균일성이 높고 재료비(比)가 고정밀도로 제어된 것으로 이루어진다.
이상 설명하는 바와 같이 본 발명에 의하면, 높은 발광 효율을 얻을 수 있음과 함께 휘도 반감 수명의 향상을 도모하는 것이 가능한 3원계 재료로 이루어지는 발광층을, 균일성 높고 고정밀도의 재료비로 형성하는 것이 가능하고, 이로써 더욱 발광 효율 및 휘도 반감 수명의 향상이 도모된 유기 전계 발광 소자를 얻는 것이 가능해진다.
이하, 본 발명의 실시의 형태를 도면에 의거하여 설명한다. 이하의 각 실시 형태에서는, 기판상에 적(R), 녹(G), 청(B)의 각 색의 유기 전계 발광 소자를 배열하여 이루어지는 풀 컬러 표시의 표시 장치를 제조하는 경우에 이용하는 전사용 기판과, 이 전사용 기판을 이용한 전사 방법을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 설명한다.
≪전사용 기판≫
도 1은, 실시 형태의 전사용 기판(1)의 구성을 설명하기 위한 단면 구성도이다. 이 도면에 도시하는 전사용 기판(1)은, 유기 전계 발광 소자의 발광층을 형성하기 위한 것이고, 지지 기판(11)상에, 광열변환층(13), 필요에 따라 산화 보호 막(15), 및 전사층(17)을 이 순서로 형성하여 이루어진다.
지지 기판(11)은, 이 전사용 기판(1)을 이용하여 행하는 전사에서 조사되는 소정 파장의 광(hν)을 투과하는 재료로 이루어진다. 예를 들면, 이 광(hν)으로서, 고체 레이저광원으로부터의 파장 800㎚ 정도의 레이저광을 이용하는 경우에는, 유리 기판을 지지 기판(11)으로서 이용하여도 좋다.
광열변환층(13)은, 상기 광(hν)을 열로 변환하는 광열변환 효율이 높고, 또한 융점이 높은 재료를 사용하여 구성된다. 예를 들면, 광(hν)으로서, 앞서의 파장 800㎚ 정도의 레이저광을 이용하는 경우에는, 크롬(Cr)이나 몰리브덴(Mo) 등의 저반사율의 고융점 금속으로 이루어지는 광열변환층(13)이 바람직하게 이용되지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 또한 이 광열변환층(13)은, 필요한 충분한 광열변환 효율을 얻을 수 있는 막두께로 조정되어 있는 것으로 하고, 예를 들면 몰리브덴(Mo)막을 광열변환층(13)으로서 구성하는 경우, 막두께 200㎚ 정도로 이용되는 것으로 한다. 여기서는 예를 들면, 스퍼터링법에 의해, Mo를 200㎚의 막두께로 성막하여 이루어지는 광열변환층(13)을 형성하는 것으로 한다.
산화 보호층(15)은, 질화 실리콘(SiNX)이나 산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진다. 여기서는 예를 들면, CVD(chemical vapor deposition)법을 이용하여 이들의 재료막으로 이루어지는 산화 보호층(15)을 형성하는 것으로 한다.
전사층(17)은, a) 금속착체, b) 형광발광성 도펀트, 및 c) 기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖는 방향족 탄화 수소를 사용하여 구성되어 있다. 이들 재료의 상세 는 이후에 설명한다.
또한, 이들의 3종류의 재료는, 전부 혼합되고 단층 구조의 전사층(17)을 구성하여도 좋고, a) 금속착체 + b) 형광발광성 도펀트의 혼합층과, c) 방향족 탄화 수소를 이용한 층의 2층 구조라도 좋고, 또한 각각의 재료를 사용한 3층 구조라도 좋다.
단, 전사층(17)의 전체에서, 이들의 3종류의 재료의 합계량에 차지하는 c) 방향족 탄화 수소의 비율은 50wt% 이하인 것으로 한다.
또한, 이 전사층(17)에는, 이 전사층(17)의 형성 때에 사용하는 용매 등, 상술한 3종류 이외의 재료가 함유되어 있어도 좋다.
다음에, a) 금속착체, b) 형광발광성 도펀트, 및 c) 방향족 탄화 수소의 상세를 설명한다.
a) 금속착체
a) 금속착체는, 원소 주기표 13족의 금속의 퀴놀리라토 착체가 바람직하고, 특히 알루미늄, 갈륨, 또는 인듐으로부터 선택된 금속에 퀴놀리놀 배위시킨 퀴놀리라토 착체, 또는 알루미늄 착체가 바람직하다. 또한, 알루미늄 착체로서는, 일본 특개소63-264692호, 일본 특개평3-255190호, 일본 특개평5-70733호, 일본 특개평5-258859호, 일본 특개평6-215874호 등에 개시되어 있는 것을 들 수 있다.
이와 같은 a) 금속착체의 구체예로서는, 트리스(8-퀴놀리롤라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄옥시드, 트리스(8-퀴놀리롤라토)인듐, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리롤라토)갈륨, 5,7- 디클로로-8-퀴놀리롤라토알루미늄, 트리스(5,7-디부로모-8-퀴놀리롤라토)알루미늄, 등이 있다.
또한, 8-퀴놀리놀 내지 그 유도체 외에 다른 배위자를 갖는 알루미늄 착체라도 좋고, 이와 같은 것으로서는, 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(오르토-크레졸라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(메타크레졸라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(팔라-크레졸라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(오르토-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(메타-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(팔라-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,3-디메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,6-디메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(3,4-디메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(3,5-디메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(3,5-디-테르트-부틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,6-디페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,4,6-트리페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,3,6-트리메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2,3,5,6-테트라메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(1-나프톨라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)(2-나프톨라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)(오르토-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)(팔라-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)(메타-페닐 페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)(3,5-디메틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)(3,5-디-테르트-부틸페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-4-에틸-8-퀴놀리롤라토)(팔라-크레졸라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-4-메톡시-8-퀴놀리롤라토)(팔라-페닐페놀라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-5-시아노-8-퀴놀리롤라토)(오르토-크레졸라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-6-트리플루오로메틸-8-퀴놀리롤라토)(2-나프톨라토)알루미늄(Ⅲ) 등이 있다.
이 밖에, 비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(2,4-디메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(4-에틸-2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(4-에틸-2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-4-메톡시퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(2-메틸-4-메톡시퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(5-시아노-2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(5-시아노-2-메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ), 비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ)-μ-옥소-비스(2-메틸-5-트리플루오로메틸-8-퀴놀리롤라토)알루미늄(Ⅲ) 등이라도 좋다.
b) 형광발광성 도펀트,
b) 형광 발광 도펀트로서는, a) 금속착체와 에너지 이동이 가능한 유기 재료가 바람직하고, 특히 녹색 발색 재료 또는 적색 발색 재료인 것으로 한다. 그리고, 녹색 발광 재료를 함유하는 전사층(17g)을 마련한 전사용 기판(1)이, 녹색의 발광층을 형성하기 위한 전사용 기판(1g)으로서 이용된다. 또한, 적색 발광 재료를 함 유하는 전사층(17r)을 마련한 전사용 기판(1)이, 적색의 발광층을 형성하기 위한 전사용 기판(1r)으로서 이용된다.
녹색 발광 재료로서는, 발광의 파장 범위가 약 490㎚ 내지 580㎚의 범위에 피크를 갖는 화합물을 나타낸다. 이와 같은 화합물로서, 나프탈렌 유도체, 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프타센 유도체, 플루오란텐 유도체, 페릴렌 유도체, 쿠마린 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 인디노[1,2,3-cd]페릴렌 유도체, 비스(아지닐)메텐 붕소 착체, 피란계 색소 등의 유기물질이 사용된다. 그 중에서도 아미노안트라센 유도체, 플루오란텐 유도체, 쿠마린 유도체, 퀴나크리돈 유도체, 인디노[1,2,3-cd]페릴렌 유도체, 비스(아지닐)메텐 붕소 착체로부터 선택되는 것이 바람직하다.
적색 발광 재료로서는, 다음에 설명하는 일반식(1)의 페릴렌 유도체, 일반식(2)의 디케토피롤로피롤 유도체, 일반식(3)의 피로메텐 착체, 일반식(4)의 피란 유도체, 또는 일반식(5)의 스티릴 유도체가 사용된다. 이하, 적색 발광 재료의 상세를 설명한다.
-페릴렌 유도체-
적색 발광 재료로서, 예를 들면 하기 일반식(1)로 표시하는 화합물(디인디노[1,2,3-cd]페릴렌 유도체)이 사용된다.
[일반식 1]
단, 일반식(1)중에서, X1 내지 X20은 각각 독립적으로, 수소, 할로겐, 히드록실기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐에스테르기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕실기, 시아노기, 니트로기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 실릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아미노기를 나타낸다.
일반식(1)에서의 X1 내지 X20이 나타내는 아릴기는, 예를 들면, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 플루오렌일기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 1-크리센일기, 6-크리센일기, 2-플루오란텐일기, 3-플루오란텐일기, 2-비페닐일기, 3-비페닐일기, 4-비페닐일기, o-톨릴기, m-톨릴기, ｐ-톨릴기, ｐ-t-부틸페닐기 등을 들 수 있다.
또한 X1 내지 X20이 나타내는 복소환기는, 헤테로 원자로서 O, N, S를 함유하는 5원 또는 6원환의 방향족 복소환기, 탄소수 2 내지 20의 축합다환 방향 복소환기를 들 수 있다. 이들의 방향족 복소환기 및 축합다환 방향 복소환기로서는, 티엔일기, 푸릴기, 피롤일기, 피리딜기, 퀴놀일기, 퀴녹살린일기, 이미다조피리딜기, 벤조티아졸기를 들 수 있다. 대표적인 것으로서는, 1-피롤일기, 2-피롤일기, 3-피롤일기, 피라딘일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌일기, 2-인돌일기, 3-인돌일기, 4-인돌일기, 5-인돌일기, 6-인돌일기, 7-인돌일기, 1-이소인돌일기, 2-이소인돌일기, 3-이소인돌일기, 4-이소인돌일기, 5-이소인돌일기, 6-이소인돌일기, 7-이소인돌일기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸란일기, 3-벤조푸란일기, 4-벤조푸란일기, 5-벤조푸란일기, 6-벤조푸란일기, 7-벤조푸란일기, 1-이소벤조푸란일기, 3-이소벤조푸란일기, 4-이소벤조푸란일기, 5-이소벤조푸란일기, 6-이소벤조푸란일기, 7-이소벤조푸란일기, 퀴놀일기, 3-퀴놀일기, 4-퀴놀일기, 5-퀴놀일기, 6-퀴놀일기, 7-퀴놀일기, 8-퀴놀일기, 1-이소퀴놀일기, 3-이소퀴놀일기, 4-이소퀴놀일기, 5-이소퀴놀일기, 6-이소퀴놀일기, 7-이소퀴놀일기, 8-이소퀴놀일기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카르바졸일기, 2-카르바졸일기, 3-카르바졸일기, 4-카르바졸일기, 9-카르바졸일기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘 일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기 등을 들 수 있다.
X1 내지 X20이 나타내는 아미노기는, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 아랄킬아미노기 등의 어느 것이라도 좋다. 이들은, 총탄소수 1 내지 6의 지방족 및/또는 1 내지 4환의 방향족 탄소환을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 기로서는, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기, 디톨릴아미노기, 비스비페니릴아미노기, 디나프틸아미노기를 들 수 있다.
또한, 상기 치환기의 2종 이상은 축합환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋다.
전사층(17)의 적색 발광 재료로서 알맞게 사용되는 디인디노[1,2,3-cd]페릴렌 유도체의 구체예로서, 이하의 화합물((1)-1 내지 (1)-8)이 예시된다. 단 본 발명은, 조금도 이들로 한정되는 것이 아니다.
-디케토피롤로피롤 유도체-
전사층(17)의 적색 발광 재료로서, 예를 들면 하기 일반식(2)로 표시하는 화합물(디케토피롤로피롤 유도체)이 사용된다.
[일반식 2]
단, 일반식(2)중에서, Y1 및 Y2는, 각각 독립적으로 산소 원자, 또는 치환 또는 미치환의 이미노기를 나타낸다. 또한, Y3 내지 Y8는, 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아미노기를 나타낸다.
또한 일반식(2)중에서, Ar1 및 Ar2는, 치환 또는 미치환의 방향족 탄화 수소기, 치환 또는 미치환의 방향족 복소환기로부터 선택된 2가의 기를 나타낸다.
또한, 일반식(2)에서, Y3 내지 Y8이 나타내는 치환 또는 무치환의 아릴기, Y3 내지 Y8이 나타내는 복소환기, 나아가서는 Y3 내지 Y8이 나타내는 아미노기는, 일반식(1)의 페릴렌 유도체에서 나타낸 기와 마찬가지이다. 또한, 상기 치환기의 2종 이상은 축합환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋은 것도 마찬가지이다.
전사층(17)의 적색 발광 재료로서 알맞게 사용되는 디케토피롤로피롤 유도체의 구체예로서, 이하의 화합물((2)-1 내지 (2)-14)이 예시된다. 단 본 발명은, 조금도 이들로 한정되는 것이 아니다.
-피로메텐 착체-
전사층(17)의 적색 발광 재료로서, 예를 들면 하기 일반식(3)으로 표시하는 화합물(피로메텐 착체)이 사용된다.
[일반식 3]
단, 일반식(3)중에서, Z1 내지 Z9는 각각 독립적으로, 수소, 할로겐, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕실기, 시아노기, 니트로기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 실릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아미노기를 나타낸다.
또한, 일반식(3)에서, Z1 내지 Z9가 나타내는 치환 또는 무치환의 아릴기, Z1 내지 Z9가 나타내는 복소환기, 및 Z1 내지 Z9가 나타내는 아미노기는, 일반식(1)의 페릴렌 유도체에서 나타낸 기와 마찬가지이다. 또한, 상기 치환기의 2종 이상은 축합환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋은 것도 마찬가지이다.
전사층(17)의 적색 발광 재료로서 알맞게 사용되는 피로메텐 착체의 구체예로서, 이하의 화합물((3)-1 내지 (3)-33)이 예시된다. 단 본 발명은, 조금도 이들로 한정되는 것이 아니다.
-피란 유도체-
전사층(17)의 적색 발광 재료로서, 예를 들면 하기 일반식(4)로 표시하는 화합물(피란 유도체)이 사용된다.
[일반식 4]
단, 일반식(4)중에서, L1 내지 L6은 각각 독립적으로, 수소, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕실기, 시아노기, 니트로기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 실릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아미노기를 나타낸다. 또한, L1와 L4 또는 L2와 L3은 탄화 수소를 통하여 환상 구조를 취하여도 좋다.
또한, 일반식(4)에서의, L1 내지 L6이 나타내는 치환 또는 무치환의 아릴기, L1 내지 L6이 나타내는 복소환기, 및 L1 내지 L6이 나타내는 아미노기는, 일반식(1)의 페릴렌 유도체에서 나타낸 기와 마찬가지이다. L1와 L4 또는 L2와 L3은 탄화 수소를 통하여 환상 구조를 취하여도 좋은 외에, 상기 치환기의 2종 이상은 축합환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋다.
전사층(17)의 적색 발광 재료로서 알맞게 사용되는 피란 유도체의 구체예로 서, 이하의 화합물((4)-1 내지 (4)-7)이 예시된다. 단 본 발명은, 조금도 이들로 한정되는 것이 아니다.
-스티릴 유도체-
전사층(17)의 적색 발광 재료로서, 예를 들면 하기 일반식(5)로 표시하는 화합물(스티릴 유도체)이 사용된다.
[일반식 5]
단, 일반식(5)중에서, T1 내지 T3는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기를 나타낸다. 또한, T4는, 환상 구조를 가져도 좋은 치환 또는 무치환의 페닐렌 부위를 나타낸다.
일반식(5)에서의, T1 내지 T3이 나타내는 치환 또는 무치환의 아릴기, T1 내지 T3이 나타내는 복소환기는, 일반식(1)의 페릴렌 유도체에서 나타낸 기와 마찬가지이다.
또한, 상기 치환기의 2종 이상은 축합환을 형성하고 있어도 좋고, 또한 치환기를 갖고 있어도 좋다. 이 경우에, 또한 T1 내지 T4로 치환되는 기로서는, 예를 들면, 수소, 할로겐, 히드록실기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐에스테르기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕실기, 시아노기, 니트로기, 아미노기 등을 들 수 있다. 그 밖에도, 아미노기로서는, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 아랄킬아미노기 등의 어느 것이라도 좋다. 이들은, 총탄소수 1 내지 6의 지방족 및/또는 1 내지 4환의 방향족 탄소환을 갖는 것이 바람직하다. 이와 같은 기로서는, 디메틸아미노기, 디에틸아미노기, 디부틸아미노기, 디페닐아미노기, 디톨릴아미노기, 비스비페니릴아미노기, 디나프틸아미노기를 들 수 있다.
전사층(17)의 적색 발광 재료로서 알맞게 사용되는 스티릴 유도체의 구체예로서, 이하의 화합물(5)-1 내지 (5)-35)이 예시된다. 단 본 발명은, 조금도 이들로 한정되는 것이 아니다.
또한, 이상 설명한 바와 같은, 전사층(17)의 적색 발광 재료로서 사용하는 일반식(1)의 페릴렌 유도체, 일반식(2)의 디케토피롤로피롤 유도체, 일반식(3)의 피로메텐 착체, 일반식(4)의 피란 유도체, 또는 일반식(5)의 스티릴 유도체는, 분자량이 2000 이하의 것이 바람직하고, 1500 이하가 더욱 바람직하고, 1000 이하가 특히 바람직하다. 이 이유로서, 분자량이 크면, 증착에 의해 소자를 작성하려고 한 경우의 증착성이 나빠진다는 우려가 생각되기 때문이다.
c) 방향족 탄화 수소
기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖는 방향족 탄화 수소의 구체예로서는, 피렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 크리센, 나프타센, 펜타센, 페릴렌, 또는 코로넨을 골격으로 하는 것이고, 그 밖에는 벤젠환이 증환(增環)한 예를 들면 이하의 것이 있다.
벤조[b]플루오렌, 벤조[c]페난트렌, 벤조[ghi]플루오란텐, 벤조[a]안트라센, 벤조[a]피렌, 벤조[e]피렌, 벤조[j]플루오란텐, 벤조[a]나프타센, 벤조[b]크리센, 벤조[c]크리센, 벤조[ghi]페릴렌, 디벤조[a,c]안트라센, 디벤조[a,h]안트라센, 디벤조[a,j]안트라센, 나프토[a]안트라센, 디벤조[b,def]크리센, 디벤조[b,k]페릴렌, 디벤조[cd,lm]페릴렌, 디벤조[g,p]크리센, 나프토[bcd]페릴렌, 페난트로[3,4-c]페난트렌, 벤조[a]코로넨, 벤조[ghi]나프토[cde]페릴렌, 디벤조[bc,ef]코로넨, 디나프토[defg,opqr]펜타센, 나프토[d]코로넨, 벤조[rst]디나프토[defg,ijkl]펜타펜, 벤조[rst]페난트로[1,10,9-cde]펜타펜, 디벤조[j,lm]나프토[ab]페릴렌, 테트라벤조[a,cd,f,lm]페릴렌, 펜타벤조[a,cd,f,j,lm]페릴렌 등을 들 수 있다.
또한, 이들의 기질 골격에 대해 치환기를 갖어도 좋고, 수소, 할로겐, 히드록실기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 카르보닐에스테르기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알킬기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알켄일기, 탄소수 20 이하의 치환 또는 무치환의 알콕실기, 시아노기, 니트로기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 실릴 기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아릴기, 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 복소환기, 또는 탄소수 30 이하의 치환 또는 무치환의 아미노기를 갖고 있어도 좋다.
기질 골격에 대해 결합되는 치환기로서의 상기한 아릴기는, 예를 들면, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 플루오렌일기, 1-안트릴기, 2-안트릴기, 9-안트릴기, 1-페난트릴기, 2-페난트릴기, 3-페난트릴기, 4-페난트릴기, 9-페난트릴기, 1-나프타센일기, 2-나프타센일기, 9-나프타센일기, 1-피렌일기, 2-피렌일기, 4-피렌일기, 1-크리센일기, 6-크리센일기, 2-플루오란텐일기, 3-플루오란텐일기, 2-비페닐일기, 3-비페닐일기, 4-비페닐일기, o-톨릴기, m-톨릴기, ｐ-톨릴기, ｐ-t-부틸페닐기 등을 들 수 있다.
또한, 기질 골격에 대해 결합되는 치환기로서의 복소환기는, 헤테로 원자로서 O, N, S를 함유하는 5원 또는 6원환의 방향족 복소환기, 탄소수 2 내지 20의 축합다환 방향 복소환기를 들 수 있다.
이들의 방향족 복소환기 및 축합다환 방향 복소환기로서는, 티엔일기, 푸릴기, 피롤일기, 피리딜기, 퀴놀일기, 퀴녹살린일기, 이미다조피리딜기, 벤조티아졸기를 들 수 있다. 대표적인 것으로서는, 1-피롤일기, 2-피롤일기, 3-피롤일기, 피라딘일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌일기, 2-인돌일기, 3-인돌일기, 4-인돌일기, 5-인돌일기, 6-인돌일기, 7-인돌일기, 1-이소인돌일기, 2-이소인돌일기, 3-이소인돌일기, 4-이소인돌일기, 5-이소인돌일기, 6-이소인돌일기, 7-이소인돌일기, 2-푸릴기, 3-푸릴기, 2-벤조푸란일기, 3-벤조푸란일기, 4-벤 조푸란일기, 5-벤조푸란일기, 6-벤조푸란일기, 7-벤조푸란일기, 1-이소벤조푸란일기, 3-이소벤조푸란일기, 4-이소벤조푸란일기, 5-이소벤조푸란일기, 6-이소벤조푸란일기, 7-이소벤조푸란일기, 퀴놀일기, 3-퀴놀일기, 4-퀴놀일기, 5-퀴놀일기, 6-퀴놀일기, 7-퀴놀일기, 8-퀴놀일기, 1-이소퀴놀일기, 3-이소퀴놀일기, 4-이소퀴놀일기, 5-이소퀴놀일기, 6-이소퀴놀일기, 7-이소퀴놀일기, 8-이소퀴놀일기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카르바졸일기, 2-카르바졸일기, 3-카르바졸일기, 4-카르바졸일기, 9-카르바졸일기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 등을 들 수 있다.
이상과 같은 a) 금속착체, b) 형광발광성 도펀트, c) 방향족 탄화 수소를 사용하여 구성된 전사층(17)의 제작에는, 증착법과 같은 드라이 프로세스 외에, 스핀 코트법, 디핑법, 독터 블레이드법, 토출(吐出) 코트법, 스프레이 코트법 등의 도포법, 잉크젯법, 오프셋 인쇄법, 철판(凸版) 인쇄법, 요판(凹版) 인쇄법, 스크린 인쇄법, 마이크로그라비어 코트법 등의 인쇄법 등의 웨트 프로세스를 적용하여도 좋다. 또한, a) 금속착체, b) 형광발광성 도펀트, c) 방향족 탄화 수소로서 사용한 각 재료의 성질에 따라, 드라이 프로세스와 웨트 프로세스를 병용하여도 상관없다.
웨트 프로세스에서는, 각 유기층이나 각 부재의 성질에 따라 용매를 선택할 필요가 있는데, 용제의 구체예로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 에테르계 용제(1가 의 알코올류), 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 글리콜계 용제(2가의 알코올류), 1,2-헥산디올, 2,4,6-헥산트리올 등의 폴리올, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥산온, 4-메톡시-4-메틸펜탄온 등의 케톤계 용제, 헥산, 데칸, 시클로헥산, 데칼린 등의 탄화 수소계 용제, 아세트산 에틸, 아세트산 n-프로필 등의 에스테르계 용제, N,N-디메틸포름아미드(DMF), 디메틸술폭시드(DMSO), N-메틸피롤리돈, γ-부틸락톤, 1,3-디메틸-2-이미다졸리딘온, 아세토니트릴, 테트라힉드로푸란 등의 비(非)프로톤성 극성 용매류, 또는, 및 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 메시틸렌, 클로로벤젠, 테트랄린 등의 방향족계 용매류, 클로로포름, 디클로로메탄, 디클로로에탄 등의 할로메탄계 용매를 들 수 있다.
이들의 용매는, 단독으로 사용하는 외에, 2종류 이상의 용매를 혼합하여 사용하여도 좋다.
≪표시 장치의 제조 방법≫
도 2 내지 도 4는, 상술한 구성의 전사용 기판(1)을 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 단면(斷面) 공정도이다. 이하, 이들의 단면 공정도에 의거하여, 공정 순서를 설명한다.
우선, 도 2의 A에 도시하는 바와 같이, 유기 전계 발광 소자가 배열 형성되는 장치 기판(21)을 준비한다. 이 장치 기판(21)은, 공지의 것이면 좋고, 예를 들면, 석영, 유리, 금속박, 또는 수지제의 필름이나 시트 등이 이용된다. 이 중에서도, 석영이나 유리가 바람직하고, 수지제인 경우에는, 그 재질로서 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)로 대표되는 메타크릴 수지류, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴 리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리부틸렌나프탈레이트(PBN) 등의 폴리에스테르류, 또는 폴리카보네이트 수지 등을 들 수 있는데, 투수성이나 투가스성을 억제하는 적층 구조, 표면 처리를 행하는 것이 필요하다. 또한, 나아가서는, 이들의 재료로 이루어지는 지지 기판상에, TFT(thin film transistor)가 형성된 TFT 기판이라도 좋다. 또한, 특히 여기서 제작하는 표시 장치가 장치 기판(21)측으로부터 발광을 취출하는 투과형인 경우에는, 이 장치 기판(21)은 광투과성을 갖는 재료로 구성되는 것으로 한다.
다음에, 이 장치 기판(21)상에, 예를 들면 양극으로서 이용되는 하부 전극(23)을 패턴 형성한다.
하부 전극(23)으로서는, 효율 좋게 정공을 주입하기 위해 전극 재료의 진공 준위로부터의 일 함수가 큰 것, 예를 들면 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브텐(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au)의 금속 및 그 합금 나아가서는 이들의 금속이나 합금의 산화물 등, 또는, 산화 주석(SnO2)과 안티몬(Sb)과의 합금, ITO(인듐 틴 옥시드), InZnO(인듐아연 옥시드), 산화 아연(ZnO)과 알루미늄(Al)과의 합금, 나아가서는 이들의 금속이나 합금의 산화물 등이, 단독 또는 혼재시킨 상태로 사용된다.
또한, 하부 전극(23)은, 광반사성에 우수한 제 1층과, 이 상부에 마련된 광투과성을 갖음과 함께 일 함수가 큰 제 2층의 적층 구조라도 좋다.
이 경우, 제 1층은, 알루미늄을 주성분으로 한 합금으로 이루어진다. 그 부 성분은, 주성분인 알루미늄보다도 상대적으로 일 함수가 작은 원소를 적어도 하나 포함하는 것이라도 좋다. 이와 같은 부성분으로서는, 란타노이드 계열 원소가 바람직하다. 란타노이드 계열 원소의 일 함수는, 크지 않지만, 이들의 원소를 포함함으로써 양극의 안정성이 향상하고, 또한 양극의 홀 주입성도 만족하다. 또한 부성분으로서, 란타노이드 계열 원소외에, 실리콘(Si), 구리(Cu) 등의 원소를 포함하여도 좋다.
제 1층을 구성하는 알루미늄 합금층에서의 부성분의 함유량은, 예를 들면, 알루미늄을 안정화시키는 Nd나 Ni, Ti 등이라면, 합계로 약 10wt% 이하인 것이 바람직하다. 이로써, 알루미늄 합금층에서의 반사률을 유지하면서, 유기 전계 발광 소자의 제조 프로세스에서 알루미늄 합금층을 안정적으로 지지하고, 또한 가공 정밀도 및 화학적 안정성도 얻을 수 있다. 또한, 하부 전극(23)의 도전성 및 기판(1)과의 밀착성도 개선할 수 있다.
또한 제 2층은, 알루미늄 합금의 산화물, 몰리브덴의 산화물, 지르코늄의 산화물, 크롬의 산화물, 및 탄탈의 산화물의 적어도 하나로 이루어지는 층을 예시할 수 있다. 여기서, 예를 들면, 제 2층이 부성분으로서 란타노이드계 원소를 포함하는 알루미늄 합금의 산화물층(자연 산화막을 포함한다)인 경우, 란타노이드계 원소의 산화물의 투과율이 높기 때문에, 이것을 포함하는 제 2층의 투과율이 양호해진다. 이 때문에, 제 1층의 표면에서, 고반사률을 유지하는 것이 가능하다. 또한, 제 2층은, ITO(Indium Tin Oxide)나 IZO(Indium Zinc Oxide) 등의 투명 도전층이라도 좋다. 이들의 도전층은, 하부 전극(23)의 전자 주입 특성을 개선할 수 있다.
또한 하부 전극(23)은, 장치 기판(21)과 접하는 측에, 하부 전극(23)과 장치 기판(21) 사이의 밀착성을 향상시키기 위한 도전층을 마련하면 좋다. 이와 같은 도전층으로서는, ITO나 IZO 등의 투명 도전층을 들 수 있다.
그리고, 이 유기 전계 발광 소자를 이용하여 구성되는 표시 장치의 구동 방식이 액티브 매트릭스 방식인 경우에는, 하부 전극(23)은 화소마다 패터닝되고, 장치 기판(21)에 마련된 구동용의 박막 트랜지스터에 접속된 상태로 마련되어 있다.
다음에, 이상과 같은 하부 전극(23)(여기서는 양극)을 형성한 후, 이들의 하부 전극(23)의 주연(周緣)을 덮는 상태로, 절연막(25)을 패턴 형성한다. 이로써, 이 절연막(25)에 형성된 창으로부터 하부 전극(23)을 노출시킨 부분을, 각 유기 전계 발광 소자가 마련된 화소 영역으로 한다. 이 절연막(25)은, 예를 들면 폴리이미드나 포토레지스트 등의 유기 절연 재료나, 산화 실리콘과 같은 무기 절연 재료를 사용하여 구성되는 것으로 한다.
그 후, 하부 전극(23) 및 절연막(25)을 덮는 공통층으로서 정공 주입층(27)을 형성하고, 다음에, 정공 주입층(27)을 덮는 공통층으로서 정공 수송층(29)을 형성한다.
정공 주입층(27) 및 정공 수송층(29)은, 각각 발광층에의 정공 주입 효율을 높이기 위한 것이다. 이와 같은 정공 주입층(27) 또는 정공 수송층(29)의 재료로서는, 예를 들면, 벤진, 스티릴아민, 트리페닐아민, 포르피린, 트리페닐렌, 아자트리페닐렌, 테트라시아노퀴노디메탄, 트리아졸, 이미다졸, 옥사디아졸, 폴리아릴알칸, 페닐렌디아민, 아릴아민, 옥사졸, 안트라센, 플루오레논, 히드라존, 스틸벤 또는 이들의 유도체, 또는, 폴리실란계 화합물, 비닐카르바졸계 화합물, 티오펜계 화합물 또는 아닐린계 화합물 등의 복소환식 공역계의 모노머, 올리고머 또는 폴리머를 사용할 수 있다.
또한, 상기 정공 주입층(27) 또는 정공 수송층(29)의 또한 구체적인 재료로서는, α-나프틸페닐페닐렌디아민, 포르피린, 금속 테트라페닐포르피린, 금속 나프탈로시아닌, 헥사시아노아자트리페닐렌, 7,7,8,8-테트라시아노퀴노디메탄(TCNＱ), 7,7,8,8-테트라시아노-2,3,5,6-테트라훌오로퀴노디메탄(F4-TCNＱ), 테트라시아노-4,4,4-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, N,N,N',N'-테트라키스(ｐ-톨릴)ｐ-페닐렌디아민, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐, N-페닐카르바졸, 4-디-ｐ-톨릴아미노스틸벤, 폴리(파라페닐렌비닐렌), 폴리(티오펜비닐렌), 폴리(2,2'-티엔일피롤) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것이 아니다.
또한 이상의 정공 주입층(27) 및 정공 수송층(29)은, 각각을 복수층으로 이루어지는 적층 구조로서 형성하여도 좋다.
이상까지의 공정은, 통상의 유기 전계 발광 소자를 이용한 표시 장치의 제작과 마찬가지로 행하면 좋다. 그리고, 다음 공정에서는, 이상과 같이 하여 형성하는 정공 수송층(29)상에, 열전사법에 의해 각 색의 발광층을 형성하는 공정을 행하는데, 이 공정에서, 도 1을 이용하여 설명한 전사용 기판(1)을 이용하는 점이 본 실시 형태에 특징적인 공정이 된다.
즉 우선, 도 2의 B에 도시하는 바와 같이, 앞서 설명한 구성의 적색의 전사층(17r)을 갖는 전사용 기판(1r)을 준비한다. 그리고, 이 전사용 기판(1r)을, 정공 수송층(29)이 형성되는 장치 기판(21)에 대향 배치시킨다.
이때, 전사층(17r)과 정공 수송층(29)이 마주 보도록, 전사용 기판(1r)과 장치 기판(21)을 배치한다. 또한, 장치 기판(21)과 전사용 기판(1r)을 밀착시켜서, 장치 기판(21)측의 최상층을 구성하는 정공 수송층(29)과, 전사용 기판(1r)측의 최상층을 구성하는 전사층(17r)을 접촉시켜도 좋다. 이와 같이 한 경우라도, 장치 기판(21)측의 절연막(25)상에 전사용 기판(1r)이 지지된 상태로 되고, 하부 전극(23)상의 정공 수송층(29)의 부분에 전사용 기판(1r)이 접촉하는 일은 없다.
다음에, 이와 같은 상태로 장치 기판(21)에 대향 배치된 전사용 기판(1r)측으로부터, 예를 들면 파장 800㎚의 레이저광(hν)을 조사한다. 이때, 적색의 발광 소자의 형성 영역에 대응하는 부분에, 레이저광(hν)을 선택적으로 스폿 조사한다.
이로써, 광전 변환층(13)에 레이저광(hν)을 흡수시켜서, 그 열을 이용하여 전사층(17r)을 승화시키고 장치 기판(21)측으로 열전사시킨다. 그리고, 장치 기판(21)상에 성막된 정공 수송층(29)상에, 전사층(17r)을 위치 정밀도 양호하게 열전사시켜 이루어지는 적색의 발광층(17rr)을 패턴 형성한다.
이와 같은 열전사에서는, 조사 에너지를 조금 높게 설정함에 의해, 전사층(17r)을 구성하는 각 재료가 개략 균일하게 혼합된 혼합층으로서 발광층(17rr)을 형성한다.
또한 여기서는, 발광 소자의 형성 부분(화소 영역)에서 절연막(25)으로부터 노출하고 있는 하부 전극(23) 위가, 발광층(17rr)에 의해 완전히 덮이도록, 레이저광(hν) 조사로 행하는 것이 중요하다.
다음에, 도 3의 A에 도시하는 바와 같이, 앞서 설명한 구성의 녹색의 전사층(17g)을 갖는 전사용 기판(1g)을 준비한다. 그리고, 이 전사용 기판(1g)을, 정공 수송층(29)이 형성된 장치 기판(21)에 대향 배치하고, 상술한 레이저광(hν)을 조사하는 열전사의 공정을 반복 행함으로써, 녹색의 발광 소자의 형성 영역에 대응하는 부분에, 녹색의 발광층(17gg)을 형성한다.
그 후, 도 3의 B에 도시하는 바와 같이, 청색의 발광 소자의 형성 영역에 대응한 부분에, 청색의 발광층(17bb)을 형성한다. 청색의 발광층(17bb)의 형성은, 종래의 열전사법에 의해 행하여도 좋고, 증착법에 의해 행하여도 좋다.
또한, 이상과 같이 반복 행하여지는 열전사의 공정은, 대기압 중에서도 가능하지만, 진공중에서 행하는 것이 바람직하다. 진공중에서 열전사를 행함에 의해, 보다 저에너지로의 레이저를 사용한 전사가 가능해지고, 전사된 발광층에 주어지는 열적인 악영향을 경감할 수 있다. 또한, 열전사의 공정을 진공중에서 행함에 의해, 기판끼리 밀착성이 높아지고, 전사의 패턴 정밀도가 양호하게 되고, 바람직하다. 게다가, 전 프로세스를 연속하여 진공중에서 행하도록 함으로써, 소자의 열화를 막는 것이 가능하다.
또한, 이상 설명한 레이저광(hν)을 선택적으로 스폿 조사하는 공정에서는, 레이저 조사 장치에서의 레이저 헤드의 구동 부분이 정밀한 얼라인먼트 기구를 구비하고 있는 경우에는, 하부 전극(23)에 따라, 레이저광(hν)을 적정한 스폿 지름으로 전사용 기판상에 조사하면 좋다. 이 경우, 기판(1)과 전사용 기판과의 위치 맞춤을 엄밀하게 행할 필요는 없다. 한편, 레이저 헤드의 구동 부분이 정밀한 얼라 인먼트 기구를 구비하지 않은 경우에는, 전사용 기판측에 레이저광(hν)이 조사된 영역을 제한하는 차광막을 형성하여 둘 필요가 있다. 구체적으로는, 전사용 기판(11)의 이면에, 레이저를 반사하는 고반사 금속층에 개구부를 마련한 차광막을 마련한다. 또한, 이 위에 저반사성 금속을 성막하여도 좋다. 이 경우, 장치 기판(21)과 전사용 기판(1)과의 위치 맞춤을 정확하게 행할 필요가 생긴다.
이상의 후, 도 4의 A에 도시하는 바와 같이, 각 색 발광층(17rr, 17gg, 17bb)이 형성된 장치 기판(21)상의 전체면을 덮는 상태로, 증착 성막법에 의해 전자 수송층(31)을 성막한다. 이 전자 수송층(31)은, 장치 기판(21)상의 전체면에 공통층으로서 증착 성막된다.
이와 같은 전자 수송층(31)은, 음극으로부터 주입되는 전자를 발광층(17rr, 17gg, 17bb)에 수송하기 위한 것이다. 전자 수송층(31)의 재료로서는, 예를 들면, 퀴놀린, 페릴렌, 페난트롤린, 비스스티릴, 피라진, 트리아졸, 옥사졸, 옥사디아졸, 플루오레논, 또는 이들의 유도체나 금속착체를 들 수 있다. 구체적으로는, 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(약칭 Alq3), 안트라센, 나프탈렌, 페난트렌, 피렌, 안트라센, 페릴렌, 부타디엔, 쿠마린, 아크리딘, 스틸벤, 1,10-페난트롤린 또는 이들의 유도체나 금속착체를 들 수 있다.
이상까지로 성막한 정공 주입층(27), 정공 수송층(29), 각 색 발광층(17rr, 17gg, 17bb) 및 전자 수송층(31)에 의해, 유기층(33)이 구성된다.
다음에, 도 4의 B에 도시하는 바와 같이, 유기층(33)상에 상부 전극(여기서는 음극)(35)을 형성한다. 음극으로서 이용되는 상부 전극(35)은, 예를 들면, 유기 층(33)측으로부터 차례로 제 1층, 제 2층을 적층시킨 2층 구조로 구성되어 있다.
제 1층은, 일 함수가 작고, 또한 광투과성의 양호한 재료를 사용하여 구성된다. 이와 같은 재료로서는, 예를 들면 리튬(Li)의 산화물인 산화 리튬(Li2O)이나, 세슘(Cs)의 복합 산화물인 탄산 세슘(Cs2CO3), 나아가서는 이들의 산화물 및 복합 산화물의 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 제 1층(15a)은, 이와 같은 재료로 한정되는 것이 아니라, 예를 들면, 칼슘(Ca), 바륨(Ba) 등의 알칼리토류 금속, 리튬, 세슘 등의 알칼리 금속, 나아가서는 인듐(In), 마그네슘(Mg) 등의 일 함수가 작은 금속, 나아가서는 이들 금속의 산화물 및 복합 산화물, 불화물 등을, 단체로 또는 이들의 금속 및 산화물 및 복합 산화물, 불화물의 혼합물이나 합금으로서 안정성을 높여서 사용하여도 좋다.
제 2층은, 예를 들면, MgAg 등의 광투과성을 갖는 층을 이용한 박막에 의해 구성되어 있다. 이 제 2층(15b)은, 또한, 알루미늄퀴놀린 착체, 스티릴아민 유도체, 프탈로시아닌 유도체 등의 유기 발광 재료를 함유한 혼합층이라도 좋다. 이 경우에는, 또한 제 3층으로서 MgAg와 같은 광투과성을 갖는 층을 별도 갖고 있어도 좋다.
이와 같은 상부 전극(35)은, 여기서 제작하는 표시 장치가 액티브 매트릭스 방식인 경우, 유기층(33)과 절연막(25)에 의해, 하부 전극(23)과 절연된 상태로 장치 기판(21)상에 블랭킷막(blanket film) 형상으로 형성되고, 각 화소의 공통 전극으로서 사용된다.
그리고, 하부 전극(23)과 상부 전극(35)과의 적층부에서, 각 색 발광층(17rr, 17gg, 17bb)을 각각 포함하는 유기층(33) 등이 협지된 각 부분에, 각 유기 전계 발광 소자, 즉 적색 발광 소자(37r), 녹색 발광 소자(37g), 및 청색 발광 소자(37b)가 각각 형성된다.
또한, 상부 전극(35)은 상기한 바와 같은 적층 구조로 한정되는 것이 아니고, 제작되는 디바이스의 구조에 따라 최적의 조합, 적층 구조를 취하면 좋은 것은 말할 필요도 없다. 예를 들면, 상기 실시 형태의 상부 전극(35)의 구성은, 전극 각 층의 기능 분리, 즉 유기층(33)에의 전자 주입을 촉진시키는 무기층(제 1층)과, 전극을 맡는 무기층(제 2층)을 분리한 적층 구조이다. 그러나, 유기층(33)에의 전자 주입을 촉진시키는 무기층이, 전극을 맡는 무기층을 겸하여도 좋고, 이들의 층을 단층 구조로 구성하여도 좋다. 또한, 이 단층 구조상에 ITO 등의 투명 전극을 형성하는 적층 구조로 하여도 좋다.
그리고 상기한 구성의 각 색 발광 소자(37r, 37g, 37b)에 인가하는 전류는, 통상, 직류이지만, 펄스 전류나 교류를 이용하여도 좋다. 전류치, 전압치는, 소자가 파괴되지 않는 범위 내라면 특히 제한은 없지만, 유기 전계 발광 소자의 소비 전력이나 수명을 고려하면, 가능한 한 작은 전기 에너지로 효율 좋게 발광시키는 것이 바람직하다.
또한, 이들의 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)가, 캐비티 구조로 되어 있는 경우, 상부 전극(35)이 반(半)투과 반(半)반사 재료를 사용하여 구성된다. 그리고, 하부 전극(23)측의 광반사면과, 상부 전극(35)측의 광반사면 사이에서 다중 간섭시킨 발광광이 상부 전극(35)측으로부터 취출된다. 이 경우, 하부 전극(23)측의 광반사면과 상부 전극(35)측의 광반사면 사이의 광학적 거리는, 취출하고 싶은 광의 파장에 의해 규정되고, 이 광학적 거리를 충족시키도록 각 층의 막두께가 설정되어 있는 것으로 한다. 그리고, 이와 같은 윗면 발광형의 유기 전계 발광 소자에서는, 이 캐비티 구조를 적극적으로 이용함에 의해, 외부로의 광 취출 효율의 개선이나 발광 스펙트럼의 제어를 행하는 것이 가능하다.
또한, 여기서의 도시는 생략하였지만, 이와 같은 구성의 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)는, 대기중의 수분이나 산소 등에 의한 유기 재료의 열화를 방지하기 위해 보호층(패시베이션층)으로 덮인 상태로 사용하는 것이 바람직하다. 보호막으로는, 질화 규소(대표적으로는, Si3N4), 산화 규소(대표적으로는, SiO2)막, 질화 산화 규소(SiNxOy : 조성비 X>Y)막, 산화 질화 규소(SiOxNy : 조성비 X>Y)막, 또는 DLC(Diamond like Carbon)와 같은 탄소를 주성분으로 하는 박막, CN(Carbon Nanotube)막 등이 사용된다. 이들의 막은, 단층 또는 적층시킨 구성으로 하는 것이 바람직하다. 그 중에서, 질화물로 이루어지는 보호층은 막질이 치밀하고, 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)에 악영향을 미치는 수분, 산소, 그 밖에 도펀트에 대해 매우 높은 블로킹 효과를 갖기 때문에 바람직하게 사용된다.
또한, 이상의 실시 형태에서는, 유기 전계 발광 소자가 윗면 발광형인 경우를 예시하여 본 발명을 상세히 설명하였다. 그러나, 본 발명의 유기 전계 발광 소자는, 윗면 발광형에의 적용으로 한정되는 것이 아니고, 양극과 음극 사이에 적어 도 발광층을 갖는 유기층을 협지하여 이루어지는 구성에 널리 적용 가능하다. 따라서 기판측으로부터 차례로, 음극, 유기층, 양극을 순차로 적층한 구성의 것이나, 기판측에 위치하는 전극(음극 또는 양극으로서의 하부 전극)을 투명 재료로 구성하고, 기판과 반대측에 위치하는 전극(음극 또는 양극으로서의 상부 전극)을 반사 재료로 구성함에 의해, 하부 전극측으로부터만 광을 취출하도록 한, 하면 발광형(이른바 투과형)의 유기 전계 발광 소자에도 적용 가능하다.
또한 여기서 제작하는 유기 전계 발광 소자란, 한 쌍의 전극(양극과 음극), 및 그 전극 사이에 유기층이 협지됨에 의해 형성되는 소자라면 좋다. 이 때문에, 한 쌍의 전극 및 유기층만으로 구성된 것으로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 다른 구성 요소(예를 들면, 무기화합물층이나 무기 성분)가 공존하는 것을 배제하는 것이 아니다.
또한, 여기서 제작하는 유기 전계 발광 소자를 이용한 표시 장치로서는, 도 4의 B에 도시하는 단면 구성의 것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 5에 도시하는 구성의 표시 장치(41)라도 좋다. 또한, 도 4의 B의 표시 장치와 동일한 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙이고 있다.
즉, 도 5에 도시하는 표시 장치(41)와 같이, 정공 주입층(27) 및 정공 수송층(29)은, 각각이 소자마다 패터닝되어 있어도 좋다. 정공 수송층(29)상에 마련되는 적색의 발광층(17rr) 및 녹색의 발광층(17gg)이, 도 2 및 도 3을 이용하여 설명한 것과 마찬가지의 전사용 기판을 이용하여 형성되는 것이 중요하다. 또한, 청색의 발광층(17bb)은, 상술한 바와 마찬가지로 전사법 또는 증착법에 의해 형성되는 것으로 한다.
그리고, 이들의 발광층(17rr, 17gg, 17bb)상의 전자 수송층(31)은, 각각이 소자마다 패터닝되어 있어도 좋다.
이상 설명한 발광층(17rr, 17gg, 17bb) 이외의, 하부 전극(23) 내지 상부 전극(35)까지의 각 층은, 진공 증착법, 이온빔법(EB법), 분자선 에피택시법(MBE법), 스퍼터법, Organic Vapor Phase Deposition(OVPD)법 등의 드라이 프로세스에 의해 형성할 수 있다.
또한, 유기층을 구성하는 층으로서 발광층(17rr, 17gg, 17bb) 이외의 층이라면, 이상의 방법에 더하여 레이저 전사법, 스핀 코트법, 디핑법, 독터 블레이드법, 토출 코트법, 스프레이 코트법 등의 도포법, 잉크젯법, 오프셋 인쇄법, 철판 인쇄법, 요판 인쇄법, 스크린 인쇄법, 마이크로그라비어 코트법 등의 인쇄법 등의 웨트 프로세스에 의한 형성도 가능하고, 각 유기층이나 각 부재의 성질에 따라, 드라이 프로세스와 웨트 프로세스를 병용하여도 상관없다.
또한, 도 5에서 도시한 바와 같이, 각 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)마다 패턴 형성되는 유기층의 각 부분은, 예를 들면 마스크를 사용한 증착법이나 전사법에 의해 형성된다.
이상 설명한 실시 형태의 전사용 기판(1) 및 이것을 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법에 의하면, 전사용 기판(1r, 1g)의 전사층(17r, 17g)이, a) 금속착체, b) 형광발광성 도펀트, 및 c 기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖거나, 4환계 내지 7환계의 방향족 탄화 수소의 3원계 재료이기 때문에, 이 전사층(17)을 승화시켜 서 형성한 발광층(17rr, 17gg)도, 이들의 3원계 재료로 구성된 것으로 된다. 이와 같은 3원계 재료로 구성된 발광층(17rr, 17gg)에서는, 방향족 탄화 수소는 발광에는 기여하지 않지만, 방향족 탄화 수소를 포함하지 않은 경우와 비교하여, 높은 발광 효율을 얻을 수 있음과 함께 휘도 반감 수명이 길어지는 것이 확인되었다. 또한, 이와 같이 하여 얻어지는 발광층은, 공증착에 의한 형성 방법보다도 3종류의 재료의 혼합 상태의 균일성이 높고 hν 재료비가 고정밀도에 제어된 것이 된다.
이 결과, 높은 발광 효율을 얻을 수 있음과 함께 휘도 반감 수명의 향상을 도모하는 것이 가능한 3원계 재료로 이루어지는 발광층(17rr, 17gg)을, 균일성 높게 고정밀도의 재료비로 형성하는 것이 가능하고, 이로써 더욱 발광 효율 및 휘도 반감 수명의 향상이 도모된 유기 전계 발광 소자(37r, 37g)를 얻는 것이 가능해진다.
또한, 발광 효율이 높은 유기 전계 발광 소자(37r, 37g)를 이용함에 의해, 표시 장치(41)에서의 휘도 수명을 개선할 수 있음과 함께 소비 전력을 저감시키는 효과를 가져온다. 따라서 벽걸이 텔레비전 등의 플랫 패널 디스플레이나 평면 발광체로서 알맞게 사용할 수 있고, 복사기나 프린터 등의 광원, 액정 디스플레이나 계기류 등의 광원, 표시판, 표지등 등에의 응용이 가능해진다.
이상의 예에서는, 액티브 매트릭스 형의 표시 장치에 본 발명을 적용한 실시 형태를 설명하였다. 그러나, 본 발명의 표시 장치는, 패시브 매트릭스형의 표시 장치에의 적용도 가능하고, 같은 효과를 얻을 수 있다.
≪표시 장치의 개략 구성≫
도 6은, 실시 형태의 표시 장치에 적용되는 표시 패널의 한 예를 도시하는 도면이고, 도 6의 A는 개략 구성도, 도 6의 B는 화소 회로의 구성도이다. 여기서는, 발광 소자로서 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)를 이용한 액티브 매트릭스 방식의 표시 장치(41)의 표시 패널의 구성을 설명한다.
도 6의 A에 도시하는 바와 같이, 이 표시 장치(41)의 장치 기판(21)상에는, 표시 영역(21a)과 그 주변 영역(21b)이 설정되어 있다. 표시 영역(21a)은, 복수의 주사선(43)과 복수의 신호선(45)이 종횡으로 배선되어 있고, 각각의 교차부에 대응하여 하나의 화소(a)가 마련된 화소 어레이부로서 구성되어 있다. 이들의 각 화소(a)에, 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)중의 하나가 마련되어 있다. 또한 주변 영역(21b)에는, 주사선(43)을 주사 구동하는 주사선 구동 회로(b)와, 휘도 정보에 따른 영상 신호(즉 입력 신호)를 신호선(45)에 공급하는 신호선 구동 회로(c)가 배치되어 있다.
도 6의 B에 도시하는 바와 같이, 각 화소(a)에 마련되는 화소 회로는, 예를 들면 각 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)중의 하나와, 구동 트랜지스터(Tr1), 기록 트랜지스터(샘플링 트랜지스터)(Tr2), 및 보존 용량(Cs)으로 구성되어 있다. 그리고, 주사선 구동 회로(b)에 의한 구동에 의해, 기록 트랜지스터(Tr2)를 통하여 신호선(45)으로부터 기록된 영상 신호가 보존 용량(Cs)에 보존되고, 보존된 신호량에 따른 전류가 각 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)에 공급되고, 이 전류치에 따른 휘도로 유기 전계 발광 소자(37r, 37g, 37b)가 발광한다.
또한, 이상과 같은 화소 회로의 구성은, 어디까지나 한 예이고, 필요에 따라 화소 회로 내에 용량 소자를 마련하거나, 또한 복수의 트랜지스터를 마련하여 화소 회로를 구성하여도 좋다. 또한, 주변 영역(21b)에는, 화소 회로의 변경에 따라 필요한 구동 회로가 추가된다.
또한, 이와 같은 표시 장치(41)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 밀봉된 구성의 모듈 형상의 것도 포함한다. 예를 들면, 화소 어레이부인 표시 영역(21a)을 둘러싸도록 실링부(51)가 마련되고, 이 실링부(51)를 접착제로서, 투명한 유리 등의 대향부(밀봉 기판(52))에 부착되어 형성되는 표시 모듈이 해당한다. 이 투명한 밀봉 기판(52)에는, 컬러 필터, 보호막, 차광막 등이 마련되어도 좋다. 또한, 표시 영역(21a)이 형성된 표시 모듈로서의 장치 기판(21)에는, 외부로부터 표시 영역(21a)(화소 어레이부)에의 신호 등을 입출력하기 위한 플렉시블 프린트 기판(53)이 마련되어 있어도 좋다.
≪적용예≫
또한 이상 설명한 본 발명에 관한 표시 장치는, 도 8 내지 도 12에 도시하는 다양한 전자 기기, 예를 들면, 디지털 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치, 비디오 카메라 등, 전자 기기에 입력된 영상 신호, 또는, 전자 기기 내에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기의 표시 장치에 적용하는 것이 가능하다. 이하에, 본 발명이 적용되는 전자 기기의 한 예에 관해 설명한다.
도 8은, 본 발명이 적용되는 텔레비전을 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 텔레비전은, 프런트 패널(102)이나 필터 유리(103) 등으로 구성되는 영상 표 시 화면부(101)를 포함하고, 그 영상 표시 화면부(101)로서 본 발명에 관한 표시 장치를 이용함에 의해 작성된다.
도 9는, 본 발명이 적용되는 디지털 카메라를 도시하는 도면이고, A는 표측에서 본 사시도, B는 이측에서 본 사시도이다. 본 적용예에 관한 디지털 카메라는, 플래시용의 발광부(111), 표시부(112), 메뉴 스위치(113), 셔터 버튼(114) 등을 포함하고, 그 표시부(112)로서 본 발명에 관한 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
도 10은, 본 발명이 적용되는 노트형 퍼스널 컴퓨터를 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 노트형 퍼스널 컴퓨터는, 본체(121)에, 문자 등을 입력할 때 조작되는 키보드(122), 화상을 표시하는 표시부(123) 등을 포함하고, 그 표시부(123)로서 본 발명에 관한 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
도 11은, 본 발명이 적용되는 비디오 카메라를 도시하는 사시도이다. 본 적용예에 관한 비디오 카메라는, 본체부(131), 전방을 향한 측면에 피사체 촬영용의 렌즈(132), 촬영시의 스타트/스톱 스위치(133), 표시부(134) 등을 포함하고, 그 표시부(134)로서 본 발명에 관한 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
도 12는, 본 발명이 적용되는 휴대 단말 장치, 예를 들면 휴대 전화기를 도시하는 도면이고, A는 연 상태에서의 정면도, B는 그 측면도, C는 닫은 상태에서의 정면도, D는 좌측면도, E는 우측면도, F는 상면도, G는 하면도이다. 본 적용예에 관한 휴대 전화기는, 상측 몸체(141), 하측 몸체(142), 연결부(여기서는 힌지부)(143), 디스플레이(144), 서브 디스플레이(145), 픽처 라이트(146), 카메라(147) 등을 포함하고, 그 디스플레이(144)나 서브 디스플레이(145)로서 본 발명 에 관한 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
[실시예]
본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예의 유기 전계 발광 소자의 제조 순서를, 도 1 내지 3을 참조하여 설명하고, 다음에 이들의 평가 결과를 설명한다.
<실시예 1>
녹색 발광의 유기 전계 발광 소자를 다음과 같이 하여 제작하였다.
(1) 우선, 30㎜×30㎜의 유리판으로 이루어지는 장치 기판(21)상에, 하부 전극(양극)(23)으로서, 막두께가 190㎚의 Ag 합금(반사층)상에 12.5㎚의 ITO 투명 전극을 적층 형성하고, 윗면 발광용의 유기 전계 발광 소자용의 셀을 제작하였다. 다음에 하부 전극(23)의 주연을 덮는 상태로 산화 실리콘의 절연막(25)을 스퍼터링법에 의해 약 2㎛의 두께로 성막하고, 리소그래피법에 의해 하부 전극(23)을 노출시켜서, 화소 영역으로 하였다.
다음에, 진공 증착법에 의해, 유기층의 정공 주입층(27)으로서, 하기 m-MTDATA로 이루어지는 막을 12㎚의 막두께(증착 속도 0.2 내지 0.4㎚/sec)로 형성하였다. 단, M-MTDATA는, 4,4',4"-트리스(페닐-m-트릴아미노)트리페닐아민이다.
m-MTDATA
뒤이어, 정공 수송층(29)으로서, 하기 α-NPD로 이루어지는 막을 6㎚의 막두께(증착 속도 0.2 내지 0.4㎚/sec)로 형성하였다. 단, α-NPD는, N,N'-비스(1-나프틸)-N,N'-디페닐[1,1'-비페닐]-4,4'-디아민이다.
α-NPD
(2) 한편, 다음과 같이 하여, 녹색의 발광층을 형성하기 위한 전사용 기판(1g)을 제작하였다. 우선, 유리의 지지 기판(21)의 위에, 막두께 200㎚의 몰리브덴으로 이루어지는 광열변환층(13)을 통상의 스퍼터링법에 의해 성막하였다. 뒤이어, 광열변환층(13)상에, 막두께 100㎚의 질화 실리콘(SiNX)으로 이루어지는 산화 보호층(15)을 CVD법에 의해 성막하였다.
그리고 산화 보호층(15)상에, 막두께 25㎚의 전사층(17g)을 증착 성막하였다. 전사층(17g)은, a) 금속착체로서 하기 8≡히드록시퀴놀린알루미늄(Alq3)을 사용하고, b) 형광발광성 도펀트로서 하기 녹색 형광 발광 재료인 10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-benzo[l]pyrano[6,7,8-ij]quinolizin-11-one(C-545T : 알도리치사제 상품명)을 사용하고, c) 방향족 탄화 수소로는 하기 디벤조[b,k]페릴렌을 사용하고, 각각 상대 막두께비(相對膜厚比)로 79.5%, 0.5%, 20%의 비율로 3원 증착시켰다.
(3) 다음에, 정공 수송층(29)과 전사층(17g)이 마주 보는 상태로, 장치 기판(21)에 전사용 기판(1g)을 대향 배치시켜서, 진공중에서 밀착시켰다. 양 기판은, 절연막(25)의 두께에 의해, 하부 전극(23)상에서 약 2㎛의 작은 간극이 유지되어 있다. 이 상태에서, 장치 기판(21)의 화소 영역에 서로 대하는 배치에서, 전사용 기판(1g)의 이면으로부터 파장 800㎚의 레이저광선을 조사함에 의해, 전사용 기 판(1g)으로부터 전사층(17g)을 승화시켜서 장치 기판(21)측에 열전사하여, 녹색의 발광층(17gg)을 형성하였다. 레이저광선의 스폿 사이즈는, 300㎛×10㎛으로 하였다. 레이저광선은, 해당 광선의 길이 치수에 대해 직교하는 방향에서 주사하였다. 에너지 밀도는, 2.6 E-3mJ/㎛2로 하였다.
(4) 발광층(17gg)이 전사 형성되는 장치 기판(21)을, 100℃로 30분간, 불활성 가스로서 질소 분위기하에 가열하였다.
(5) 가열 후, 하기 9,10-디(2-나프틸)안트라센(ADN)을 호스트 재료로서 사용하고, 이것에 하기 스티릴아민 유도체를 청색의 발광성 게스트 재료로 하여 상대막두께비 2.5%의 비율로 혼합한 청색 발광층을, 발광층(17gg)의 상부에 진공 증착에 의해 적층 성막하였다. 이 청색 발광층은, 풀 컬러 표시 장치를 제작할 때에, 적색 발광층, 녹색 발광층을 전사법으로 각각의 화소에 형성한 후에, 각 화소에 공통층으로서 형성되는 층이고, 녹색 화소 및 적색 화소의 발광에는 영향을 주지 않는 층이 된다.
[화학식 14]
ADN 스티릴아민 유도체
(6) 다음에, 전자 수송층(31)으로서, 8≡히드록시퀴놀린알루미늄(Alq3)을 20 ㎚ 정도의 막두께로 증착 성막하였다. 계속해서, 전자 주입층(또는 상부 전극의 제 1층)으로서, LiF를 약 0.3㎚(증착 속도 내지 0.01㎚/sec)의 막두께로 증착 성막하였다. 뒤이어, 상부 전극(35)이 되는 음극으로서 MgAg를 10㎚의 막두께로 증착 성막하고, 녹색 발광 소자(37g)를 얻었다.
<실시예 2, 3, 비교예 1, 2, 3>
실시예 1의 (2)에서의 전사용 기판(1g)의 제작 순서에서, 전사층(17g)의 형성재료로서 하기 표 1에 표시하는 재료를 사용한 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 행하여 녹색 발광 소자(37g)를 얻었다. 또한, 비교예 3은, 실시예 1에서 호스트 재료로 사용한 a) 금속착체로 대체하여, 9,10-디페닐아미노안트라센을 사용하였다.
[표 1]
| 전사층 17g | 발광효율 (cd/A) |
수명 (T90) (Hr) |
|||
| a)금속착체 (함량) |
b)형광발광성 도판트 (함량) |
c)방향족탄화수소 (함량) |
|||
| 실시예1 | Alq3 (79.5%) |
C-545T (0.5%) |
디벤조[b,k]페릴렌 (20.0%) |
13 | 120 |
| 실시예2 | Gaq3 (79.5%) |
C-545T (0.5%) |
디벤조[b,k]페릴렌 (20.0%) |
13 | 120 |
| 실시예3 | Alq3 (65.0%) |
9,10-디페닐아미노안트라센 (5.0%) |
디벤조[b,k]페릴렌 (30.0%) |
15 | 100 |
| 비교예1 | Alq3 (99.5%) |
C-545T (0.5%) |
- | 12 | 20 |
| 비교예2 | Alq3 (95.0%) |
9,10-디페닐아미노안트라센 (5.0%) |
- | 13 | 25 |
| 비교예3 | ADN (75.0%) |
9,10-디페닐아미노안트라센 (5.0%) |
디벤조[b,k]페릴렌 (20.0%) |
14 | 32 |
<평가 결과-1>
이상과 같이 하여 제작한 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 유기 전계 발광 소자에 관해, 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율, 및 전류 밀도 100㎃/㎠ 인가시켜서 얻은 휘도가 90% 감소하기까지의 시간을 수명(T90)으로 하여 측정하였다. 이 결과를 상기 표 1에 함께 표시한다.
이들의 측정 결과로부터, 전사층(17g)에 대해, 호스트 재료가 되는 a) 금속착체 및 b) 형광발광성 도펀트와 함께, c) 방향족 탄화 수소로서 디벤조[b,k]페릴렌을 함유시켜서 제작된 실시예 1 내지 3의 유기 전계 발광 소자에서는, c) 방향족 탄화 수소를 포함하지 않는 전사층을 이용하여 제작된 비교예 1, 2의 유기 전계 발광 소자와 비교하여, 발광 효율을 유지하면서 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다. 또한, 실시예 1, 2와 비교예 1, 실시예 3과 비교예 2와의 대비로부터, 포함되는 녹색의 b) 형광발광성 도펀트에 의존하지 않고, 휘도 수명이 대폭적으로 개선된 것이 분명하다.
또한, 비교예 3은, 실시예 1로 호스트 재료용이었던 a) 금속착체에 대체하여, 9,10-디페닐아미노안트라센을 사용하였는데, 이 경우, 발광 효율은 유지되고 있지만 실시예 1 내지 3과 비교하여 수명이 낮았다.
<실시예 4>
실시예 1의 (2)에서의 전사용 기판(1g)의 제작 순서에서, 전사층(17g)을 2층 구조로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 행하여 녹색 발광 소자(37g)를 얻었다. 전사층(17g)의 형성에서는, a) 금속착체(Alq3)와 b) 형광발광성 도펀트(C-545T)를, 상대막두께비 99.5% : 0.5%로서 막두께 15㎚로 공증착하였다. 다음에, c) 방향족 탄화 수소(디벤조[b,k]페릴렌)를 막두께 5㎚로 증착하여 2층 구조로 하였다.
얻어진 유기 전계 발광 소자의 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율은 7.5cd/A, 전류 밀도 100㎃/㎠ 구동에 의한 수명(T90)은 110Hr이였다. 실시예 1의 평가 결과와 비교하여, 전사용 기판(1g)의 전사층(17g)으로서 a, b, c의 3종류의 재료를 사용하고 있으면, 전사층(17g)을 2층 구조로 한 경우라도, 이것을 이용하여 제작된 유기 전계 발광 소자에서는, 비교예 1, 2보다도 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다.
<실시예 5>
실시예 1의 (2)에서의 전사용 기판(1g)의 제작 순서에서, 전사층(17g)을 3층 구조로 한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 행하여 녹색 발광 소자(37g)를 얻었다. 전사층(17g)의 형성에서는, 우선 a) 금속착체(Alq3)를 막두께 14㎚로 증착하고, 계속해서 b) 형광발광성 도펀트(9,10-디페닐아미노안트라센)를 막두께 1㎚로 증착하고, 최후로 c) 방향족 탄화 수소(디벤조[b,k]페릴렌)를 막두께 5㎚로 증착하여 3층 구조로 하였다.
얻어진 유기 전계 발광 소자의 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율은 7.5cd/A, 전류 밀도 100㎃/㎠ 구동에 의한 수명(T90)은 110Hr이였다. 실시예 1의 평가 결과와 비교하여, 전사용 기판(1g)의 전사층(17g)으로서 a, b, c의 3종류의 재료를 사용하고 있으면, 전사층(17g)을 3층 구조로 한 경우라도, 이것을 이용하여 제작된 유기 전계 발광 소자에서는, 비교예 1, 2보다도 휘도 수명을 대폭적으 로 개선시키는 것이 확인되었다.
<실시예 6, 7, 비교예 4>
적색 발광의 유기 전계 발광 소자를 다음과 같이 하여 제작하였다.
실시예 1의 (2)에서의 전사용 기판(1g)의 제작 순서에서의 전사층(17g)의 형성재료를, 하기 표 2에 표시하는 바와 같이 적색의 발광층을 형성하기 위한 전사층(17r)의 형성재료로 변경하였다. 이 이외는 실시예 1과 마찬가지로 행하여 적색 발광 소자(37r)를 얻었다.
단, 질화 실리콘(SiNX)으로 이루어지는 산화 보호층(15)은 막두께 120㎚로 하고, 전사층(17r)은 막두께 40㎚로 하였다.
[표 2]
|
|
전사층 17r | 발광효율 (cd/A) |
수명 (T90) (Hr) |
||
| a)금속착체 (함량) |
b)형광발광성 도판트 (함량) |
c)방향족탄화수소 (함량) |
|||
| 실시예6 | Alq3 (40.0%) |
BSN (10.0%) |
3,10-비스(2-나프틸페리렌) (50.0%) |
6.1 | 90 |
| 실시예7 | Alq3 (40.0%) |
5,6,11,12-테트라페닐테트라센 (50.0%) |
8.3 | 130 | |
| 비교예4 | ADN (90.0%) |
- | 5.7 | 20 | |
<평가 결과-2>
이상과 같이 하여 제작한 실시예 6, 7 및 비교예 4의 유기 전계 발광 소자에 관해, 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율, 및 전류 밀도 70㎃/㎠ 인가시켜서 얻은 휘도가 90% 감소하기까지의 시간을 수명(T90)으로서 측정하였다. 이 결과를 상기 표 2에 함께 표시한다.
이들의 측정 결과로부터, 전사층(17r)에 대해, 호스트 재료가 되는 a) 금속착체 및 b) 형광발광성 도펀트와 함께, c) 방향족 탄화 수소를 함유시켜서 제작된 실시예 6, 7 유기 전계 발광 소자에서는, c) 방향족 탄화 수소를 포함하지 않는 전사층을 이용하여 제작된 비교예 4의 유기 전계 발광 소자와 비교하여, 발광 효율의 향상 및 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다. 또한, 실시예 6, 7로부터, 포함되는 적색의 b) 형광발광성 도펀트에 의존하지 않고, 휘도 수명이 대폭적으로 개선된 것이 분명하다.
<실시예 8>
실시예 6의 (2)에서 전사용 기판(1r)의 제작 순서에서, 전사층(17r)을 2층 구조로 한 것 이외는, 실시예 6과 마찬가지로 행하여 적색 발광 소자(37r)를 얻었다. 전사층(17r)의 형성에서는, a) 금속착체(Alq3)와 b) 형광발광성 도펀트(BSN)를, 상대막두께비 80.0% : 20.0%로서 막두께 20㎚로 공증착하였다. 다음에, c) 방향족 탄화 수소(3,10-비스(2-나프틸)페릴렌)를 막두께 20㎚로 증착하여 2층 구조로 하였다.
얻어진 유기 전계 발광 소자의 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율은 6.0cd/A, 전류 밀도 70㎃/㎠ 구동에 의한 수명(T90)은 95Hr이였다. 실시예 6의 평가 결과와 비교하여, 전사용 기판(1r)의 전사층(17r)으로서 a, b, c의 3종류의 재료를 사용하고 있으면, 전사층(17r)을 2층 구조로 한 경우라도, 이것을 이용하여 제작된 유기 전계 발광 소자에서는, 비교예 4보다도 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다.
<실시예 9>
실시예 7의 (2)에서의 전사용 기판(1r)의 제작 순서에서, 전사층(17r)을 3층 구조로 한 것 이외는, 실시예 7과 마찬가지로 행하여 녹색 발광 소자(37r)를 얻었다. 전사층(17r)의 형성에서는, 우선 a) 금속착체(Alq3)를 막두께 16㎚로 증착하고, 계속해서 b) 형광발광성 도펀트(BSN)를 막두께 4㎚로 증착하고, 최후로 c) 방향족 탄화 수소(5,6,11,12-테트라페닐테트라센)를 막두께 20㎚로 증착하여 3층 구조로 하였다.
얻어진 유기 전계 발광 소자의 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율은 8. 5cd/A, 전류 밀도 70㎃/㎠ 구동에 의한 수명(T90)은 125Hr이였다. 실시예 4의 평가 결과와 비교하여, 전사용 기판(1r)의 전사층(17r)으로서 a, b, c의 3종류의 재료를 사용하고 있으면, 전사층(17r)을 3층 구조로 한 경우라도, 이것을 사용하여 제작된 유기 전계 발광 소자에서는, 비교예 4보다도 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다.
<실시예 10, 11>
적색 발광의 유기 전계 발광 소자를 다음과 같이 하여 제작하였다.
실시예 1의 (2)에서의 전사용 기판(1g)의 제작 순서에서의 전사층(17g)의 형성재료를, 하기 표 3에 표하는 바와 같이 적색의 발광층을 형성하기 위한 전사층(17r)의 형성재료로 변경하였다. 이 이외는 실시예 1과 마찬가지로 행하여 적색 발광 소자(37r)를 얻었다.
단, 질화 실리콘(SiNX)으로 이루어지는 산화 보호층(15)은 막두께 150㎚로 하고, 전사층(17r)은 막두께 40㎚로하였다.
[표 3]
|
|
전사층 17r | 발광효율 (cd/A) |
수명 (T90) (Hr) |
||
| a)금속착체 (함량) |
b)형광발광성 도판트 (함량) |
c)방향족탄화수소 (함량) |
|||
| 실시예10 | Gaq3 (69.0%) |
화합물(4)-2 (DCJTB) (1.0%) |
3,10-비스(2-나프틸페릴렌) (30.0%) |
4.5 | 210 |
| 실시예11 | Gaq3 (40.0%) |
화합물(3)-21 (10.0%) |
5,6,11,12-테트라페닐테트라센 (50.0%) |
7.5 | 330 |
또한, b) 형광발광성 도펀트는, 실시 형태에서 예시한 하기 화합물(4)-2인 피란 유도체[4-(디시아노메틸렌)-2-t-부틸-6-(1,1,7,7-테트라메틸줄로리딜-9-에닐)-4H-피란(DCJTB)] 및 화합물(3)-21의 피로메텐 착체이다.
화합물 (4)-2 피란 유도체
화합물 (3)-21 피로메탄 착체
<평가 결과-3>
이상과 같이 하여 제작한 실시예 10, 11의 유기 전계 발광 소자에 관해, 전류 밀도 10㎃/㎠에서의 구동시의 발광 효율, 및 전류 밀도 70㎃/㎠ 인가시켜서 얻은 휘도가 90% 감소하기까지의 시간을 수명(T90)으로서 측정하였다. 이 결과를 상기 표 3에 함께 표시한다.
이들의 측정 결과로부터, 전사층(17r)에 대해, 호스트 재료가 되는 a) 금속착체 및 b) 형광발광성 도펀트와 함께, c) 방향족 탄화 수소를 함유시켜서 제작된 실시예 10, 11의 유기 전계 발광 소자에서는, 적색의 b) 형광발광성 도펀트에 의존하지 않고, 앞의 표 2에 표시한 c) 방향족 탄화 수소를 포함하지 않는 전사층을 이용하여 제작된 비교예 4의 유기 전계 발광 소자와 비교하여, 휘도 수명을 대폭적으로 개선시키는 것이 확인되었다.
본 발명의 양호한 실시예에 관하여 특정 예를 사용하여 설명하였지만, 상기 는 예시적인 목적으로만 기술하였을 뿐, 본 발명은 첨부된 청구항의 범주 내에서 다양한 변경 및 변형이 가능하다.
도 1은 실시 형태의 전사용 기판의 구성을 도시하는 단면도.
도 2의 A 및 B는 실시 형태의 전사용 기판을 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조 방법을 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 도시하는 단면도.
도 3의 A 및 B는 도 2의 B의 단계 이후의 단계를 도시하는 단면도.
도 4의 A 및 B는 도 3의 B의 단계 이후의 단계를 도시하는 단면도.
도 5는 실시 형태의 제조 방법에 의해 얻어지는 표시 장치의 다른 구성예를 도시하는 단면도.
도 6의 A 및 B는 다른 실시 형태의 표시 장치의 회로 구성의 한 예를 도시하는 회로도.
도 7은 본 발명이 적용되는 밀봉된 구성의 모듈 형상의 표시 장치를 도시하는 구성도.
도 8은 본 발명이 적용되는 텔레비전을 도시하는 사시도.
도 9의 A 및 B는 본 발명이 적용되는 디지털 카메라를 도시하는 도면이고, A는 전방측에서 본 카메라의 사시도, B는 이면측에서 본 카메라의 사시도.
도 10은 본 발명이 적용되는 노트형 퍼스널 컴퓨터를 도시하는 사시도.
도 11은 본 발명이 적용되는 비디오 카메라를 도시하는 사시도.
도 12의 A 내지 G는 본 발명이 적용되는 휴대 단말 장치, 예를 들면 휴대 전화기를 도시하는 도면이고, A는 열린 상태에서의 정면도, B는 그 측면도, C는 닫은 상태에서의 정면도, D는 좌측면도, E는 우측면도, F는 상면도, G는 하면도.
Claims (7)
- 광투과성의 지지 기판;상기 광투과성 지지 기판상에 형성되는 광열변환층,상기 광열변환층상에 형성되는 전사층을 구비하고,상기 전사층은, 유기 전계 발광 소자의 발광층으로서 전사되는 층이고, 금속착체, 형광발광성 도펀트, 및 기질 골격이 4 내지 7의 링을 갖는 방향족 탄화 수소를 사용하여 구성되고,상기 전사층의 전체에서, 상기 방향족 탄화 수소가 차지하는 비율이 50wt% 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 전사용 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 금속착체는, 알루미늄, 갈륨, 또는 인듐으로부터 선택된 금속에 퀴놀리놀 배위시킨 착체인 것을 특징으로 하는 전사용 기판.
- 삭제
- 제 1항에 있어서,상기 전사층은, 상기 금속착체와 상기 형광발광성 도펀트와의 혼합층과, 상기 방향족 탄화 수소를 사용한 층과의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사용 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 전사층은, 상기 금속착체를 사용한 층과, 상기 형광발광성 도펀트를 사용한 층과, 상기 방향족 탄화 수소를 사용한 층과의 적층 구조로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사용 기판.
- 제 1항에 있어서,상기 형광발광성 도펀트는 녹색 발광 재료 또는 적색 발광 재료인 것을 특징으로 하는 전사용 기판.
- 장치 기판상에 하부 전극을 패턴 형성하는 단계;상기 하부 전극상에 적어도 발광층을 포함하는 유기층을 성막하는 단계; 및상기 유기층을 통하여 상기 하부 전극상에 적층되는 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 유기층은,광투과성의 지지 기판상에, 광열변환층과, 호스트 재료와 형광발광성 도펀트를 포함하는 3종류의 유기 재료로 구성되어 있는 전사층을 이 순서로 형성하여 이루어지는 전사용 기판을 마련하고,상기 전사층을 상기 장치 기판측에 대향하게 한 상태에서 상기 전사용 기판을 상기 장치 기판에 대향 배치하고,상기 지지 기판측으로부터의 광 조사에 의해 상기 전사층을 승화시켜서 상기 장치 기판의 상방에 전사시키고,상기 전사층의 전체에서, 방향족 탄화 수소가 차지하는 비율이 50wt% 이하의 범위인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자의 제조 방법.
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Families Citing this family (11)
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|---|---|---|---|---|
| JP4483917B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2010-06-16 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および有機電界発光素子の製造方法、ならびに表示装置および表示装置の製造方法 |
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| KR20150012530A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전사용 도너 기판 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| CN104157796A (zh) * | 2014-07-18 | 2014-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种升华装置及制作有机发光二极管显示器件的方法 |
| CN106910844B (zh) * | 2015-12-22 | 2019-03-26 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Tft基板的蒸镀方法 |
| CN112095077B (zh) * | 2020-08-26 | 2022-09-27 | 四川阿格瑞新材料有限公司 | 一种oled器件及其蒸镀方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703436A (en) * | 1994-12-13 | 1997-12-30 | The Trustees Of Princeton University | Transparent contacts for organic devices |
| US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
| JP3693128B2 (ja) | 1996-03-08 | 2005-09-07 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5747217A (en) | 1996-04-03 | 1998-05-05 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Laser-induced mass transfer imaging materials and methods utilizing colorless sublimable compounds |
| JP4547723B2 (ja) | 1998-03-09 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| TW501379B (en) | 2000-07-25 | 2002-09-01 | Eastman Kodak Co | Method of making organic electroluminescent device using laser transfer |
| JP2002216957A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | 転写法を用いた有機ｌｅｄ表示パネルの製造方法およびそれにより製造された有機ｌｅｄ表示パネル |
| US6610455B1 (en) | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
| TWI314947B (en) | 2002-04-24 | 2009-09-21 | Eastman Kodak Compan | Organic light emitting diode devices with improved operational stability |
| US6939660B2 (en) | 2002-08-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer donor including a separate dopant layer |
| JP4103492B2 (ja) * | 2002-08-09 | 2008-06-18 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置 |
| JP2005063938A (ja) | 2003-05-09 | 2005-03-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| KR100667062B1 (ko) * | 2003-11-29 | 2007-01-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자 |
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