TW201503450A - 發光裝置、顯示設備以及照明設備 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由該第一發光層與該第一電極之間的一介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，且滿足預定條件。

Description

發光裝置、顯示設備以及照明設備 相關申請案之交叉參考
此申請案主張2013年6月14日提出申請之日本優先權專利申請案JP 2013-125848之權益，該專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本發明係關於一種發光裝置以及使用該發光裝置之一種顯示設備及一種照明設備。
有機電致發光裝置(在下文，稱為「有機EL裝置」)已作為能夠在一低電壓DC下發射高明度光之發光裝置吸引注意且已被主動地研究及發展。一有機EL裝置具有其中包含具有通常為數十奈米至數百奈米之一厚度之一發光層之一有機層插置於一反射電極與一半透明電極之間之一結構。自發光層發射之光經提取至外側，且已進行使用一裝置結構中之光干涉改良有機EL裝置之發光效率之一嘗試。另外，作為能夠改良發光效率及發射壽命之一裝置，具有其中複數個發光層透過一連接層堆疊以便使該等發光層彼此串聯連接之一堆疊式結構(所謂的一串列結構)之一有機EL裝置係眾所周知的，且可堆疊任意數目個發光層。舉例而言，藉由堆疊發射藍色光之一藍色發光層、發射綠色光之一綠色發光層及發射紅色光之一紅色發光層，可發射白色光作為藍色光、綠色光及紅色光之一經組合光。
在(舉例而言)第2011-159432號日本未審查專利申請公開案中揭示具有此一組態之一有機EL裝置。第2011-159432號日本未審查專利申請公開案中所揭示之該有機EL裝置包含： 一有機層，其插置於一第一電極與一第二電極之間且其中發射在一可見波長區域中之單一色彩或兩種或兩種以上不同色彩之光之一第一發光層及一第二發光層沿自該第一電極至該第二電極之一方向依彼次序順序地包含在相互分離之位置處； 一第一反射介面，其提供於該第一電極之側上以便將自該第一發光層及該第二發光層發射之光反射為自該第二電極之側發射；及 一第二反射介面及一第三反射介面，其沿自該第一電極至該第二電極之一方向依彼次序在相互分離之位置處順序地提供於該第二電極之該側上， 其中當該第一反射介面與該第一發光層之一發光中心之間的一光距係L11，該第一反射介面與該第二發光層之一發光中心之間的一光距係L21，該第一發光層之該發光中心與該第二反射介面之間的一光距係L12，該第二發光層之該發光中心與該第二反射介面之間的一光距係L22，該第一發光層之該發光中心與該第三反射介面之間的一光距係L13，該第二發光層之該發光中心與該第三反射介面之間的一光距係L23，該第一發光層之一發射光譜之一中心波長係λ1，且該第二發光層之一發射光譜之一中心波長係λ2時，選擇L11、L21、L12、L22、L13及L23以便滿足所有表達式(1)至(6)以及表達式(7)及(8)中之至少一者。
2L11/λ11+Φ1/2π=0 (1) 2L21/λ21+Φ1/2π=n(其中n1) (2) λ1-150<λ11<λ1+80 (3) λ2-30<λ21<λ2+80 (4) 2L12/λ12+Φ2/2π=m'+1/2及2L13/λ13+Φ3/2π=m"；or 2L12/λ12+Φ2/2π=m'及2L13/λ13+Φ3/2π=m"+1/2 (5) 2L22/λ22+Φ2/2π=n'+1/2及2L23/λ23+Φ3/2π=n"；2L22/λ22+Φ2/2π=n'及2L23/λ23+Φ3/2π=n"+1/2；或2L22/λ22+Φ2/2π=n'+1/2及2L23/λ23+Φ3/2π=n"+1/2 (6) λ22<λ2-15或λ23>λ2+15 (7) λ23<λ2-15或λ22>λ2+15 (8) 其中m'、m"、n、n'及n"係整數，λ1、λ2、λ11，λ21、λ12、λ22、λ13及λ23以nm為單位，Φ1係在每一波長之光由第一反射介面反射時發生之一相移，Φ2係在每一波長之光由第二反射介面反射時發生之一相移，且Φ3係在每一波長之光由第三反射介面反射時發生之一相移。
藉由採取此一組態，可能實現能夠有效地提取一寬波長區域中之光且大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性的一發光裝置。
另外，可藉由除第一反射介面、第二反射介面及第三反射介面之外亦另外提供一第四反射介面而改良視角特性。在該第四反射介面中，取決於兩個發光層之堆疊次序，存在在其下加強或弱化光射線之該第四反射介面之一位置條件。
第2011-159432號日本未審查專利申請公開案中所揭示之技術對於由第一反射介面、第二反射介面及第三反射介面形成之干涉濾光器 之平坦化特性係極其有用的。然而，發現干涉濾光器之特性中之平坦化獨自不足以進一步增加色域。第2011-159432號日本未審查專利申請公開案不闡述對抗上文所闡述之問題之任何對策。
期望提供一種包含一第一反射介面、一第二反射介面及一第三反射介面且能夠使用由該等反射介面形成之一干涉濾光器進一步增加色域的發光裝置；以及包含該發光裝置之一種顯示設備及一種照明設備。
根據本發明之一第一實施例，提供一種發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由該第一發光層與該第一電極之間的一介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，滿足以下表達式(1)及(2)，且滿足以下表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者，(1)(-Φ1/2π+m1)．(λ1-150)/2L11 (-Φ1/2π+m1)．(λ1+80)/2 (2)(-Φ1/2π+n1)．(λ2-30)/2L21 (-Φ1/2π+n1)．(λ2+80)/2 (3-A)L12 (-Φ2/2π+m2+1/2)．(λ1+15)/2,L13 (-Φ3/2π+m3)．(λ1-15)/2，且(-Φ4/2π+m4)．(λ1-50)/2L14 (3-B)L22 (-Φ2/2π+n2+1/2)．(λ2+15)/2,L23 (-Φ3/2π+n3)．(λ2-15)/2，且(-Φ4/2π+n4)．(λ2-50)/2L24 其中λ1係該第一發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位：nm)，λ2係該第二發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位：nm)，L11係一第一反射介面與該第一發光層之一發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第一反射介面係該第一發光層與該第一電極之間的該介面，L12係一第二反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第二反射介面係該第二發光層與該第一光透射層之間的一介面，L13係一第三反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第三反射介面係該第一光透射層與該第二光透射層之間的一介面，L14係一第四反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第四反射介面係該第二光透射層與該第三光透射層之間的一介面，L21係該第一反射介面與該第二發光層之一發光中心之間的一光距(單位：nm)，L22係該第二反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L23係該第三反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L24係該第四反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，Φ1係在光由該第一反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ2係在光由該第二反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ3係在光由該第三反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)， Φ4係在光由該第四反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，m1係0或大於0之一整數，n1係0或大於0之一整數，且m2、m3、m4、n2、n3及n4係整數。
另外，光距亦稱作一光學路徑長度且通常係指，當光行進穿過具有一折射率n00之一媒體達一距離(實體距離)D00時，n00×D00之一值。
根據本發明之一第二實施例，提供一種發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由形成於該第一發光層與該第一電極之間的一第一反射介面發射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，一第二反射介面形成於該第一光透射層之在該第二發光層側上之一介面處，一第三反射介面形成於該第一光透射層與該第二光透射層之間，一第四反射介面形成於該第二光透射層與該第三光透射層之間，一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成，該第一反射介面經配置以便滿足以下(條件1)，且 該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面經配置以便滿足以下(條件2)及(條件3)中之任一者或兩者。
(條件1)
加強自該第一發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反射。
(條件2)
弱化自該第一發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第一發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第一發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射，
(條件3)
弱化自該第二發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第二發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射。
根據本發明之另一實施例，提供一種藉由將根據第一實施例或第二實施例之複數個發光裝置配置成一個二維矩陣而獲得之顯示設備。
根據本發明之又一實施例，提供一種包含根據第一實施例或第二實施例之發光裝置之照明設備。
在根據第一實施例之發光裝置中，如下文所闡述，一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成，且藉由滿足表達式(1)及(2)而達成在其下在干涉濾光器中加強光射線之一條件。藉由配置該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面，可獲得其中一光透射率曲線在一寬波長區域中更平坦之一干涉濾光器。進一步而言，藉由滿足表達式(3-A)及表達式(3-B)中之任一者或兩者，可在對應於自第一發光 層發射之光之一窄波長區域及對應於自第二發光層發射之光之一窄波長區域中之任一者或兩者中增加干涉濾光器之一光透射率。作為一結果，可增加色域，且可大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性。另外，在根據第二實施例之發光裝置中，由於該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面經配置以便滿足預定條件，因此可獲得其中一光透射率曲線在一寬波長區域中更平坦之一干涉濾光器。進一步而言，可在對應於自第一發光層發射之光之一窄波長區域及對應於自第二發光層發射之光之一窄波長區域中之任一者或兩者中增加干涉濾光器之一光透射率。作為一結果，可增加色域，且可大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性。此說明書中所闡述之效應僅係例示性的，且本發明之內容不限於此。另外，可獲得額外效應。
10‧‧‧發光裝置/有機電致發光裝置
11‧‧‧第一基板
12‧‧‧第二基板
21‧‧‧閘極電極
22‧‧‧閘極絕緣膜
23‧‧‧源極/汲極區域
24‧‧‧通道形成區域
25‧‧‧層間介電質
25A‧‧‧下部層間介電質
25B‧‧‧上部層間介電質
26‧‧‧互連
26A‧‧‧接通插塞
27‧‧‧接觸插塞
28‧‧‧絕緣層
29‧‧‧黏合層
31‧‧‧第一電極
32‧‧‧第二電極
33‧‧‧有機層
34‧‧‧第一發光層
35‧‧‧第二發光層
41‧‧‧第一光透射層
41'‧‧‧第一光透射層
42‧‧‧第二光透射層
42'‧‧‧第二光透射層
43‧‧‧第三光透射層
111‧‧‧第一基板
112‧‧‧第二基板
113‧‧‧密封構件
L11‧‧‧光距
L12‧‧‧光距
L13‧‧‧光距
L14‧‧‧光距
L21‧‧‧光距
L22‧‧‧光距
L23‧‧‧光距
L24‧‧‧光距
RF1‧‧‧第一反射介面
RF2‧‧‧第二反射介面
RF3‧‧‧第三反射介面
RF4‧‧‧第四反射介面
圖1A及圖1B分別係圖解說明形成實例1及比較實例1之發光裝置之各別層之組態之圖式；圖2係示意性地圖解說明實例1之一顯示設備之一部分之一剖面圖；圖3A及圖3B分別係圖解說明計算比較實例1及實例1之發光裝置之干涉濾光器之光透射率之結果之圖表；圖4A及圖4B分別係圖解說明在實例1之顯示設備中一明度改變(Y/Y0)之模擬結果之一圖表(其中一視角用作一參數)及圖解說明一色度改變(△uv)之模擬結果之一圖表(其中一視角用作一參數)；圖5係示意性地圖解說明實例3之一顯示設備之一部分之一剖面圖；及 圖6係示意性地圖解說明實例4之一照明設備之一部分之一剖面圖。
在下文，本發明將參考附圖基於實例而經闡述但不限於此等實例。實例中之各種數值及材料僅係例示性的。將按以下次序進行說明。
1.關於根據第一實施例及第二實施例之發光裝置、顯示設備及照明設備之總體說明
2.實例1(根據第一實施例及第二實施例之發光裝置及顯示設備)
3.實例2(實例1之修改)
4.實例3(實例1及2之修改)
5.實例4(根據實施例之照明設備)及其他關於根據第一實施例及第二實施例之發光裝置、顯示設備及照明設備之總體說明
關於根據第一實施例之發光裝置、根據該實施例之顯示設備中之根據第一實施例之發光裝置及根據該實施例之照明設備中之根據第一實施例之發光裝置(在下文，此等發光裝置亦將共同稱作「根據第一實施例之發光裝置」)，一干涉濾光器可係由第一反射介面、第二反射介面、第三反射介面及第四反射介面形成。表達「由第一反射介面、第二反射介面、第三反射介面及第四反射介面形成之干涉濾光器」可與表達「具有藉由因第一反射介面、第二反射介面、第三反射介面及第四反射介面上之光反射所致的干涉所展現之一光譜透射率而獲得之一濾光效應的干涉濾光器」互換使用。
在包含上文所闡述之較佳組態之根據第一實施例之發光裝置中，第二光透射層之一光學厚度t2滿足0.2．λ1 t2 0.35．λ1係較佳的。 另一選擇係，光學厚度t2滿足0.8×(λ1/4)t2 1.4×(λ1/4)係較佳的。自第二光透射層之厚度(實體厚度)與第二光透射層之一折射率之一乘積獲得光學厚度t2。
關於根據第二實施例之發光裝置、根據該實施例之顯示設備中之根據第二實施例之發光裝置及根據該實施例之照明設備中之根據第二實施例之發光裝置(在下文，此等發光裝置亦將共同稱作「根據第二實施例之發光裝置」)，可判定第二反射介面之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。另外，在包含上文所闡述之較佳組態之根據第二實施例之發光裝置中，可判定第三反射介面之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。進一步而言，在包含上文所闡述之較佳組態之根據第二實施例之發光裝置中，可判定第四反射介面之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。作為一結果，干涉濾光器可在一較寬區域中起作用。同樣應適用於根據第一實施例之發光裝置。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例或第二實施例之發光裝置中，與在0°之一視角處之一明度(Y0)相比在45°之一視角處之一明度減小30%或較低係較佳的。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例或第二實施例之發光裝置中，在45°之一視角處之一色度移位△uv係0.015或更低係較佳的。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實 施例或第二實施例之發光裝置中，具有5nm或更少之一厚度之一金屬層可提供於第二發光層與第一光透射層之間。在此組態中，舉例而言，可使用鎂(Mg)、銀(Ag)或其一合金作為形成金屬層之一材料。自有機層發射之光通過金屬層。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例或第二實施例之發光裝置中，第二反射介面、第三反射介面或第四反射介面可包含複數個介面。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例之發光裝置中，第一發光層及第二發光層中之至少一者可係發射兩種或兩種以上不同色彩之光之一異色發光層，且當判定異色發光層之發光中心不在一個層級處時，可進一步提供一第四光透射層。表達「判定異色發光層之發光中心不在一個層級處」暗示(舉例而言)異色發光層之一第一色彩之一發光中心與一第二色彩之一發光中心之間的距離係5nm或更大。在此組態中，較佳地一干涉濾光器由第一反射介面、第二反射介面、第三反射介面、第四反射介面及一第五反射介面形成；第一反射介面係第一發光層與第一電極之間的介面；第二反射介面係藉由第二發光層、第一光透射層、第二光透射層、第三光透射層及第四光透射層形成；且在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自異色發光層發射至發光裝置之外側之一光射線之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自異色發光層發射至發光裝置之外側之另一光射線之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同之趨勢。藉助此組態，可大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性。進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第二實施例之發光裝置中，第一發光層及第二發光層中之至少一者可係發射兩種或兩種以上不同色彩之光之一異色發光層，且當判 定異色發光層之發光中心不在一個層級處時，可進一步提供一第四光透射層。在此組態中，較佳地進一步提供第四光透射層；且在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自異色發光層發射至發光裝置之外側之一光射線之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自異色發光層發射至發光裝置之外側之另一光射線之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同之趨勢。
進一步而言，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例或第二實施例之發光裝置中，第一電極、有機層及第二電極可依此次序堆疊於一基板(為了方便說明，亦稱為「第一基板」)上。為了方便說明，此組態將稱為「頂部發射類型」。在此情形中，具有0.5μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有0.5μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有0.5μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有0.5μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有0.5μm或更大之一厚度之一空氣層可進一步形成於第三光透射層之與第二光透射層相反之一側上。在第二電極上面之最外層係一第二基板。
另一選擇係，在包含上文所闡述之各種較佳組態之根據第一實施例或第二實施例之發光裝置中，第二電極、有機層及第一電極依此次序堆疊於第一基板上。為了方便說明，此組態將稱為「底部發射類型」。在此情形中，具有1μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有1μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有1μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有1μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有1μm或更大之一厚度之一空氣層可形成於第三光透射層之與第二光透射層相反之一側上。通常，在第一電極上面之最外層係第二基板。
通常，入射光射線之一部分通過形成於由一透明材料形成之層A與B之間的一反射介面且其他光射線由該反射介面反射。因此，在經反射光中發生一相移。可藉由量測層A之一複折射率(nA,kA)及層B之 一複折射率(nB,kB)且基於此等值執行一計算而獲得在光由形成於層A與層B之間的反射介面反射時發生之一相移ΦAB(舉例而言，參考Principles of Optics，Max Born及Emil Wolf，1974(PERGAMON出版社))。可使用一光譜橢圓偏光計量測有機層及各別光透射層之折射率。
頂部發射類型顯示設備可具有其中有機層發射白色光且第二基板包含一彩色濾光器之一組態。第二基板可包含一遮光膜(黑色矩陣)。同樣地，底部發射類型顯示設備可具有其中有機層發射白色光且第一基板包含一彩色濾光器或一遮光膜(黑色矩陣)之一組態。
在根據該實施例之顯示設備中，在其中一個像素(或一個子像素)由一個發光裝置形成之一組態中，一像素(或子像素)配置不特別受限，而是(舉例而言)可係一條紋配置、一對角配置、一個三角配置及一矩形配置。另外，在其中一個像素(或一個子像素)由複數個發光裝置形成之一組態中，一像素(或子像素)配置不特別受限，而是(舉例而言)可係一條紋配置。
當第一電極用作一陽極電極時，形成第一電極之一材料(光反射材料)之實例包含具有一高功函數之金屬，諸如鉑(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鎢(W)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鐵(Fe)、鈷(Co)或鉭(Ta)；及其合金(舉例而言，包含作為一主要成分之銀、0.3質量%至1質量%之鈀(Pd)及0.3質量%至1質量%之銅(Cu)的一Ag-Pd-Cu合金，或一Al-Nd合金)。進一步而言，當使用具有一低功函數及一高光反射率之一導電材料(諸如鋁(Al)及包含鋁之一合金)時，藉由(舉例而言)提供一適當電洞注入層以改良一電洞注入性質而可使用第一電極作為一陽極電極。第一電極之厚度係(舉例而言)0.1μm至1μm。另一選擇係，亦可採取其中具有一高電洞注入性質之一透明導電材料(諸如一銦錫氧化物(ITO)或一銦鋅氧化物(IZO))堆疊於具有一高光反射率之一介電多層 膜或一反射膜(諸如鋁(Al))上之一結構。另一方面，當第一電極用作一陰極電極時，使用具有一低功函數及一高光反射率之一導電材料係較佳的。可藉由(舉例而言)在具有一高光反射率之一導電材料(其用作一陽極電極)上提供一適當電子注入層以改良一電子注入性質而使用第一電極作為一陰極電極。
另一方面，關於形成第二電極之一材料(一半透射材料或一透射材料)，當第二電極用作一陰極電極時，第二電極由所發射之光通過其且具有一低功函數以使得電子可有效地注入至有機層中之一導電材料形成係較佳的。導電材料之實例包含具有一低功函數之金屬及其合金，舉例而言，鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鈉(Na)、鍶(Sr)、銀(Ag)及鹼金屬或鹼土金屬之合金(舉例而言，鎂(Mg)及銀(Ag)之一合金(Mg-Ag合金))、鎂及鈣之合金(Mg-Ca合金)或鋁(Al)及鋰(Li)之合金(Al-Li合金)。在此等材料當中，一Mg-Ag合金係較佳的，且鎂與銀之一體積比(Mg：Ag)係(舉例而言)2：1至30：1。另一選擇係，鎂與鈣之一體積比(Mg：Ca)係(舉例而言)2：1至10：1。第二電極之厚度係(舉例而言)4nm至50nm，較佳地4nm至20nm，且更佳地6nm至12nm。另一選擇係，第二電極可具有其中由(舉例而言)ITO或IZO形成之上文所闡述之材料層及一所謂的透明電極(舉例而言，具有3×10-8m至1×10-6m之一厚度)自有機層側依序堆疊之一堆疊式結構。在堆疊式結構之情形中，上文所闡述之材料層之厚度可減小至1nm至4nm。另外，第二電極亦可僅由透明電極形成。另一方面，當第二電極用作一陽極電極時，第二電極由所發射之光通過其且具有一高功函數之一導電材料形成係較佳的。
藉由具有上文所闡述之組態之第二電極，可形成第一光透射層，可形成第二光透射層，或可形成第三光透射層。另一選擇係，可獨立於第一光透射層、第二光透射層及第三光透射層而提供第二電 極。另外，由一低電阻材料(諸如鋁、一鋁合金、銀、一銀合金、銅、一銅合金、金或一金合金)形成之一匯流排電極(輔助電極)可提供於第二電極上以減小第二電極之總電阻。
形成第一電極或第二電極之一方法之實例包含：諸如一電子束沈積方法、一熱絲沈積方法或一真空沈積方法、一濺鍍方法、一化學汽相沈積(CVD)方法、一MOCVD方法及一離子電鍍方法之一沈積方法與一蝕刻方法之組合；各種印刷方法，諸如一絲網印刷方法、一噴墨印刷方法及一金屬遮罩印刷方法；電鍍方法，諸如一電氣電鍍方法或一非電解電鍍方法；一剝離方法；一雷射剝蝕方法；及一溶膠方法。根據各種印刷方法及電鍍方法，可直接形成具有一所要圖案之第一電極或第二電極。當在形成有機層之後形成第一電極或第二電極時，特定而言，自防止有機層受損壞之角度使用諸如一真空沈積方法之一膜形成方法(其中膜形成粒子之能量係低的)或使用諸如一MOCVD方法之一膜形成方法形成第一電極或第二電極係較佳的。當有機層受損壞時，可由於一洩漏電流而產生稱作「暗點」之非發光像素(非發光子像素)。另外，自防止有機層由於空氣中之濕氣而劣化之角度形成有機層及此等電極而不曝露至空氣係較佳的。在某些情形中，不必要圖案化第一電極或第二電極。
在根據該實施例之顯示設備或照明設備(在下文，此等設備亦將稱為「根據該實施例之顯示設備或諸如此類」)中，複數個發光裝置形成於第一基板上。在此組態中，第一基板或第二基板之實例包含一高應變點玻璃基板、一鹼石灰玻璃(Na2O．CaO．SiO2)基板、一硼矽酸玻璃(Na2O．B2O3．SiO2)基板、一鎂橄欖石(2MgO．SiO2)基板、一鉛玻璃(Na2O．PbO．SiO2)基板、一不含鹼玻璃基板、一絕緣膜形成於其上之各種玻璃基板、一熔融矽石玻璃基板、一絕緣膜形成於其上之一石英基板、一絕緣膜形成於其上之一矽基板及一有機聚合物(諸如聚甲基丙 烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯苯酚(PVP)、聚酯礬(PES)、聚醯亞胺、聚碳酸酯或聚對苯二甲酸乙二酯(PET))之一基板(呈一聚合物材料之形式之基板(舉例而言，一撓性塑膠膜、塑膠薄片)或由一聚合物材料形成之玻璃基板)。形成第一電極之材料及形成第二電極之材料可彼此相同或不同。然而，在頂部發射類型顯示設備中，第二電極對自發光裝置發射之光係透明係必要的，且在底部發射類型顯示設備中，第一電極對自發光裝置發射之光係透明係必要的。
根據該實施例之顯示設備或諸如此類之實例包含一有機電致發光顯示設備(縮寫為「有機EL顯示設備」)。當有機EL顯示設備係一彩色有機EL顯示設備時，藉由包含於有機EL顯示設備中之各別有機EL裝置形成子像素，如上文所闡述。在此情形中，如上文所闡述，藉由(舉例而言)包含發射紅色光之一紅色發光子像素、發射綠色光之一綠色發光子像素及發射藍色光之一藍色發光子像素之三種子像素形成一個像素。因此，在此情形中，當包含於有機EL顯示設備中之有機EL裝置之數目係N×M時，像素之數目係(N×M)/3。有機EL顯示設備可用作組態一個人電腦之一監視器或併入至一電視接收機、一行動電話、一個人數位助理(PDA)或一遊戲機中之一監視器。另一選擇係，有機EL顯示設備可應用至一電子取景器(EVF)或一頭戴式顯示器(HMD)。另外，根據該實施例之照明設備之實例包含一液晶顯示器之一背光單元及包含一表面發射光源之一照明設備。
有機層包含一發光層(舉例而言，由一有機發光材料形成之一發光層)，且具體而言可具有其中堆疊一電洞傳輸層、一發光層及一電子傳輸層之一堆疊式結構、其中堆疊一電洞傳輸層及亦用作一電子傳輸層之一發光層之一堆疊式結構及其中堆疊一電洞注入層、一電洞傳輸層、一發光層、一電子傳輸層及一電子注入層之一堆疊式結構。此等堆疊式結構稱作「串列單元」。亦即，有機層可具有其中堆疊一第 一串列單元、一連接層及一第二串列單元之一雙級串列結構或其中堆疊三個或三個以上串列單元之一個三級或更多級串列結構。在此等情形中，可藉由透過各別串列單元將發射色彩改變為紅色、綠色及藍色或藉由透過各別串列單元將發射色彩改變為(舉例而言)藍色及黃色而獲得整體上發射白色光之有機層。形成有機層之一方法之實例包含：諸如一真空沈積方法之一物理汽相沈積(PVD)方法；諸如一絲網印刷方法或一噴墨印刷方法之一印刷方法；用雷射輻照其中一雷射吸收層及一有機層堆疊於一轉移基板上之一堆疊式結構以分離有機層與雷射吸收層且轉移有機層之一雷射轉移方法；及各種塗佈方法。當使用一真空沈積方法形成有機層時，可藉由(舉例而言)使用一所謂的金屬遮罩以透過提供於金屬遮罩中之一開口沈積一材料而獲得有機層。有機層可形成於整個表面上而不具有圖案化。
在頂部發射類型顯示設備或諸如此類中，舉例而言，第一電極提供於一層間介電質上。此層間介電質覆蓋形成於第一基板上之一發光裝置驅動部分。發光裝置驅動部分包含一個或複數個薄膜電晶體(TFT)，且TFT及第一電極透過提供於層間介電質中之一接觸插塞彼此電連接。形成層間介電質之一材料之實例包含：基於SiO2之材料，諸如SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、旋塗式玻璃(SOG)、低熔點玻璃或玻璃糊；基於SiN之材料；及絕緣樹脂，諸如聚醯亞胺樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸樹脂或聚苯并噁唑。此等材料可單獨或以兩種或兩種以上之一組合適當地使用。為了形成層間介電質，可使用諸如一CVD方法、一塗佈方法、一濺鍍方法或各種印刷方法之一現有程序。在具有其中自發光裝置發射之光通過層間介電質之一組態或一結構之底部發射類型顯示設備或諸如此類中，必要地層間介電質由對自發光裝置發射之光係透明之一材料形成；且形成發光裝置驅動部分以便不干涉自發光裝置發射之光。在底部發射類型顯示設 備或諸如此類中，發光裝置驅動部分可提供在第一電極上面。
為了防止濕氣滲透至有機層內側，一絕緣或導電保護膜提供於有機層上面係較佳的。特定而言，使用諸如一真空沈積方法之一膜形成方法(其中膜形成粒子之能量係低的)或使用諸如一CVD方法或一MOCVD方法之一膜形成方法形成保護膜係較佳的，此乃因一底塗層上之其一效應可減小。另一選擇係，為了防止明度因有機層之劣化而減小，一膜形成溫度設定至正常溫度係較佳的。進一步而言，為了防止保護膜剝落，在其中保護膜之應力最小化之條件下形成保護膜係較佳的。另外，在已經形成之電極不曝露至空氣之情況下形成保護膜係較佳的。作為一結果，可防止由空氣中之濕氣及氧氣導致的有機層之劣化。進一步而言，當顯示設備或諸如此類係頂部發射類型時，保護膜由自有機層發射之光之80%或更高通過其之一材料形成係較佳的。具體而言，舉例而言，可使用諸如以下材料之無機非晶絕緣材料。由於此等無機非晶絕緣材料不形成顆粒，因此可形成具有低滲水率之一優越保護膜。具體而言，作為形成保護膜之一材料，使用對自發光層發射之光係透明、係密集且係防潮之一材料係較佳的。更具體而言，材料之實例包含非晶矽(α-Si)、非晶碳化矽(α-SiC)、非晶氮化矽(α-Si1-xNx)、非晶氧化矽(α-Si1-yOy)、非晶碳(α-C)、非晶氮氧化矽(α-SiON)及Al2O3。當保護膜由一導電材料形成時，保護膜可由諸如ITO或IZO之一透明導電材料形成。第一光透射層、第二光透射層及第三光透射層中之至少一個層可由保護膜形成。
除上文所闡述之各種材料之外，形成第一光透射層、第二光透射層或第三光透射層之一材料之實例亦包含諸如氧化鉬、氧化鈮、氧化鋅或氧化矽之金屬氧化物；及各種有機材料。
實例1
實例1係關於根據第一實施例及第二實施例之發光裝置以及根據 實施例之顯示設備。圖1A係圖解說明形成實例1之發光裝置之各別層之組態之一圖式，且圖2係示意性地圖解說明實例1之顯示設備之一部分之一剖面圖。
實例1之發光裝置10，亦即，有機EL裝置10包含：一第一電極31；一第二電極32；及一有機層33，其提供於第一電極31與第二電極32之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層34及一第二發光層35而形成，其中自有機層33發射之光由第一發光層34與第一電極31之間的一介面(第一反射介面RF1)反射，通過第二電極32，且發射至發光裝置之外側，一第一光透射層41、一第二光透射層42及一第三光透射層43自第二發光層35之與第一發光層34相反之一側依序提供於該第二發光層側上。
另一選擇係，實例1之發光裝置10，亦即，有機EL裝置10包含：一第一電極31；一第二電極32；及一有機層33，其提供於第一電極31與第二電極32之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層34及一第二發光層35而形成，其中自有機層33發射之光由形成於第一發光層34與第一電極31之間的一第一反射介面RF1發射，通過第二電極32，且發射至發光裝置之外側，一第一光透射層41、一第二光透射層42及一第三光透射層43自第二發光層35之與第一發光層34相反之一側依序提供於該第二發光層側上，一第二反射介面RF2形成於第一光透射層41之在第二發光層側上 之一介面處，一第三反射介面RF3形成於第一光透射層41與第二光透射層42之間，一第四反射介面RF4形成於第二光透射層42與第三光透射層43之間，一干涉濾光器係由第一反射介面RF1、第二反射介面RF2、第三反射介面RF3及第四反射介面RF4形成，第一反射介面RF1經配置以便滿足上文所闡述之(條件1)，且第二反射介面RF2、第三反射介面RF3及第四反射介面RF4經配置以便滿足上文所闡述之(條件2)及(條件3)中之任一者或兩者。
另外，藉由將此複數個發光裝置配置成一個二維矩陣而形成實例1或下文所闡述之實例2及3中之任一者之一有機EL顯示設備。第一電極31、有機層33及第二電極32依此次序堆疊在一第一基板11上。亦即，具體而言，提供兩個基板，該兩個基板包含：(A)第一基板11，在其上形成藉由堆疊第一電極31、包含由一有機發光材料形成之第一發光層34及第二發光層35之有機層33及第二電極32而形成之複數個發光裝置10；及(B)一第二基板12，其安置於第二電極32上面。
自發光層發射之光透過第二基板12發射至外側。亦即，實例1之顯示設備係頂部發射類型顯示設備。由鎂(Mg)、銀(Ag)或其一合金形成且具有5nm或更少之一厚度之一金屬層(未圖解說明)提供於第二發光層35與第一光透射層41之間(具體而言，有機層33與第二電極32之間)，但顯示設備不限於此組態。
儘管未圖解說明，但具有0.5μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有0.5μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有0.5μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有0.5μm或更大之一厚度之一玻璃層或具 有0.5μm或更大之一厚度之一空氣層可進一步形成於第三光透射層43之與第二光透射層42相反之一側上，亦即，可進一步形成於第三光透射層43與第二基板12之間。在第二電極32上面之最外層係第二基板12。
實例1或下文所闡述之實例2及3中之任一者之有機EL顯示設備係應用至一電子取景器(EVF)或一頭戴式顯示器(HMD)之一高清晰度顯示設備。另一選擇係，舉例而言，有機EL顯示器可應用至諸如一電視接收機之一大有機EL顯示設備。
藉由包含發射紅色光之一紅色發光子像素、發射綠色光之一綠色發光子像素及發射藍色光之一藍色發光子像素之三個子像素形成一個像素。第二基板12可包含一彩色濾光器(未圖解說明)。發光裝置10發射白色光，且藉由發射白色光之發光裝置10與彩色濾光器之一組合形成每一彩色發光子像素。彩色濾光器包含透射紅色光之一區域、透射綠色光之一區域及透射藍色光之一區域。另外，一遮光膜(黑色矩陣)可提供於彩色濾光器之間。舉例而言，像素之數目係1920×1080，一個發光裝置10形成一個子像素，且發光裝置(具體而言，有機EL裝置)10之數目係像素之數目之三倍。當不提供彩色濾光器時，顯示設備係一所謂的單色顯示設備。
在實例1中，m1=0且n1=1。另外，如下文在表1中展示有機層33、第一光透射層41、第二光透射層42及第三光透射層43之折射率n00、n01、n02及n03以及各種參數。具體而言，第一發光層34係發射藍色光之一藍色發光層，且第二發光層35係發射黃色光之一黃色發光層。如下文在表1中展示發射波長之平均值。
另外，儘管下文詳細闡述，但一干涉濾光器係由第一反射介面RF1、第二反射介面RF2、第三反射介面RF3及第四反射介面RF4形成。
在實例1或下文所闡述之實例2及3中之任一者中，第一電極31用作一陽極電極，且第二電極32用作一陰極電極。第一電極31由一光反射材料(具體而言，一Al-Nd合金)形成，且第二電極32由一透明導電材料形成。特定而言，使用一真空沈積方法與一蝕刻方法之一組合形成第一電極31。另外，使用諸如一真空沈積方法之一膜形成方法(其中膜形成粒子之能量係低的)形成且不圖案化第二電極32。
在實例1或下文所闡述之實例2及3中之任一者中，包含於發光裝置(有機EL裝置)10中之第一電極31提供於使用一CVD方法由SiON形成之一層間介電質25(更具體而言，一上部層間介電質25B)上。此層間介電質25(更具體而言，一下部層間介電質25A)覆蓋形成於第一基板11上之一有機EL裝置驅動部分。有機EL發光裝置驅動部分包含複數個TFT，且TFT及第一電極31透過提供於層間介電質(更具體而言，上部層間介電質25B)中之一接觸插塞27、一互連26及一接觸插塞26A電連接。有機層33之一實際發光部分由一絕緣層28環繞。在該圖式中，針對一個有機EL裝置驅動部分圖解說明一個TFT。TFT包含形成於第一基板11上之一閘極電極21、形成於第一基板11及閘極電極21上之一閘極絕緣膜22、提供於形成於閘極絕緣膜22上之一半導體層上之一源極/汲極區域23及提供於源極/汲極區域23之間的一通道形成區域24且對應於定位於閘極電極21上面之一半導體部分。在所圖解說明之實例中，TFT係一底部閘極類型，但可係一頂部閘極類型。TFT之閘極電極21連接至一掃描電路(未圖解說明)。
在實例1或下文所闡述之實例2及3中之任一者中，第一基板11係一矽基板、一不含鹼玻璃或一熔融矽石玻璃基板，且第二基板12係一不含鹼玻璃基板或一熔融矽石玻璃基板。
更具體而言，有機層33具有以下組態或結構，但此一組態或結構係例示性的且可適當地改變。一電洞注入層之厚度係(舉例而言)1 nm至20nm，一電洞傳輸層之厚度係(舉例而言)15nm至100nm，一發光層之厚度係(舉例而言)5nm至50nm，且一電子傳輸層之厚度係(舉例而言)15nm至200nm。
包含於有機層33中之一緩衝層形成於第一電極31上。該緩衝層經提供以用於防止洩漏且由(舉例而言)六氮雜苯并菲(HAT)形成。由(舉例而言)α-NPD(N,N'-雙(1-萘基)-N,N'-聯苯-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺)形成之一電洞傳輸層形成於緩衝層上。一藍色發光層(厚度：20nm)形成於電洞傳輸層上。可藉由以5%之一相對膜厚度比率沈積ADN作為一主體材料且用一種二氨基屈衍生物摻雜ADN作為一摻雜劑材料而獲得該藍色發光層。進一步而言，由BCP(2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-啡啉)或諸如此類形成之一電子傳輸層及由氟化鋰(LiF)或諸如此類形成之一電子注入層形成於藍色發光層上。藉助上文所闡述之堆疊式結構，形成第一發光層34。
由Alq3(三(8-羚基喹啉)鋁(III))形成(摻雜有5%之Mg)或由HAT形成之一連接層形成於第一發光層34上。
亦用作由α-NPD形成之一電洞傳輸層之一電洞注入層形成於連接層上。由發射黃色光之一發光材料形成之一黃色發光層(厚度：20nm)形成於電洞注入層上。可藉由以10%之一相對膜厚度比率沈積CBP作為一主體材料且用一吡啶甲醯合銥衍生物摻雜CBP作為一摻雜劑材料而獲得該黃色發光層。進一步而言，由BCP或諸如此類形成之一電子傳輸層及由氟化鋰(LiF)形成之一電子注入層形成於黃色發光層上。藉助上文所闡述之堆疊式結構，形成第二發光層35。
由於可使用一現有方法製造上文所闡述之發光裝置，因此將不闡述製造方法之細節。
實例1之發光裝置10滿足上文所闡述之表達式(1)及(2)且滿足表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者。更具體而言，在實例1中，滿足表 達式(3-B)。藉由滿足表達式(3-A)或下文所闡述之一表達式(C-1)，可在對應於自第一發光層發射之光之一窄波長區域中增加干涉濾光器之一光透射率。藉由滿足表達式(3-B)或下文所闡述之一表達式(C-2)，可在對應於自第二發光層發射之光之一窄波長區域中增加干涉濾光器之一光透射率。藉由滿足表達式(3-A)及(3-B)或下文所闡述之表達式(C-1)及(C-2)，可在對應於自第一發光層及第二發光層兩者發射之光之一窄波長區域中增加干涉濾光器之一光透射率。無論採取表達式(3-A)還是下文所闡述之表達式(C-1)，無論採取表達式(3-B)還是下文所闡述之表達式(C-2)，且無論採取表達式(3-A)及(3-B)還是下文所闡述之表達式(C-1)及(C-2)皆與設計問題有關。照此，取決於發射光譜及發射位置，可彼此獨立地採取此等表達式。
可表達以上表達式之其他表達式係如下。
亦即，當為以下時λ1-150λ11 λ1+80；λ2-30λ21 λ2+80；λ12 λ1+15,λ13 λ1-15，及λ1-50λ14；且λ22 λ2+15,λ23 λ2-15，及λ2-50λ24，滿足表達式(A)及(B)，且滿足表達式(C-1)及(C-2)中之任一者或兩者。在此情形中，一光距L係考量光透射穿過之一媒體之一折射率之一波長相依性經計算之一值。
(A)2．L11/λ11+Φ1/2π=m1 (B)2．L21/λ21+Φ1/2π=n1 (c-1)2．L12/λ12+Φ2/2π=m2+1/2,2．L13/λ13+Φ3/2π=m3，且2．L14/λ14+Φ4/2π=m4 (C-2)2．L22/λ22+Φ2/2π=n2+1/2,2．L23/λ23+Φ3/2π=n3，且2．L24/λ24+Φ4/2π=n4
有機層33之折射率n00與第一光透射層41之折射率n01之間的一差異係0.15或更大，第一光透射層41之折射率n01與第二光透射層42之折射率n02之間的一差異係0.15或更大，且第二光透射層42之折射率n02與第三光透射層43之折射率n03之間的一差異係0.15或更大。另外，第二光透射層之光學厚度t2係t2 (1/4)λ1且滿足0.2．λ1 t2 0.35．λ1及0.8×(λ1/4)t2 1.4×(λ1/4)。
作為一結果，滿足以下表達式，2．L11/λ11+Φ1/2π=0 2．L21/λ21+Φ2/2π=1其中λ1-150=310nmλ11=480nmλ1+80=540nm；且λ2-30=530nmλ21=570nmλ2+80=640nm
因此，滿足表達式(A)及(B)，亦即，表達式(1)及(2)。
另外，自顯示設備之設計觀點來判定諸如λ11=480nm或λ21=570nm之值及下文所闡述之λ12、λ13、λ14、λ22、λ23及λ24之值。另外，滿足以下表達式，2．L12/λ12+Φ2/2π=3+1/2 2．L13/λ13+Φ3/2π=5 2．L14/λ14+Φ4/2π=8 2．L22/λ22+Φ2/2π=1+1/2 2．L23/λ23+Φ3/2π=3 2．L24/λ24+Φ4/2π=5其中λ12=388nmλ1+15=475nm；λ13=426nmλ1-15=445nm；λ14=422nmλ1-50=410nm；λ22=534nmλ2+15=575nm；λ23=500nmλ2-15=545nm；且λ24=548nmλ2-50=510nm.
因此，滿足表達式(C-1)及(C-2)。滿足λ12≠λ13及λ22≠λ23係較佳的。
為了比較，如圖1B之各別層之一組態圖式中所圖解說明，呈現一發光裝置(比較實例1之發光裝置)，其中一第一光透射層41'及一第二光透射層42'之僅兩個層自第二發光層35之與第一發光層34相反之一側依序提供於該第二發光層側上。比較實例1之發光裝置滿足第2011-159432號日本未審查專利申請公開案中所揭示之所有表達式(1)至(6)以及表達式(7)及(8)中之至少一者。如上文在表1中展示諸如有機層33、第一光透射層41'及第二光透射層42'之折射率n00、n01及n02之各種參數，具體而言，除了n03、L14及L24之值外。
圖3B圖解說明計算在由實例1之發光裝置之第一反射介面RF1、第二反射介面RF2、第三反射介面RF3及第四反射介面RF4形成之一干涉濾光器中自第一發光層34發射之光(波長λ1 )及自第二發光層35發射之光(波長λ2 )之光透射率之結果。類似地，圖3A圖解說明計算在由比較實例1之發光裝置之第一反射介面RF1、第二反射介面RF2及第三反射介面RF3形成之一干涉濾光器中自第一發光層34發射之光(波長λ1 )及自第二發光層35發射之光(波長λ2 )之光透射率之結果。在圖3A及圖3B中，關於自第一發光層34發射之光之資料由實線「A」圖解說明，且關於自第二發光層35發射之光之資料由實線「B」圖解說明。
通常，當使用能夠發射綠色光及紅色光之一黃色發光層時，可藉由組合使用一藍色發光層而發射白色光。然而，藉由一彩色濾光器自白色分離之綠色或紅色之一單一色彩之色純度係低的。另外，當增加彩色濾光器之厚度以增加色域時，發光效率大大減小，此導致電力消耗及成本之一增加。
自圖3A可看出，在比較實例1中，可藉由控制第二光透射層42之厚度而在具有高色純度之接近530nm之一綠色波長區域中形成干涉濾光器之一峰值。作為一結果，可藉由彩色濾光器或諸如此類改良所獲得之色純度，且可關於顯示設備改良色純度及色域。另外，由於未發生彩色濾光器之厚度之一增加(其對於實現如上文之相同位準之色度點係必要的)，因此就發光效率及電力消耗而言存在不利效應。然而，在比較實例1中，經加強綠色波長區域係寬的，且干涉濾光器之光譜透射率在高於530nm的曲線B之一波長區域(550nm至650nm之一區域)中形成一大的凹部。因此，當自前面看顯示設備時，儘管色度改良了，但色度之視角相依性係大的。
另一方面，在實例1中，藉由提供第三光透射層43以形成第四反射介面RF4，產生對干涉濾光器之光譜透射率的一相反相位之干涉。 因此，如圖3B中所圖解說明，干涉濾光器之光譜透射率係平坦的(係指自550nm至650nm的曲線B之一區域)，且應經加強以增加色域之一波長區域係窄的。作為一結果，增加色域且改良視角特性。另外，判定第二反射介面RF2之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層34發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層35發射之光之一發射光譜之一峰值移位。判定第三反射介面RF3之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層34發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層35發射之光之一發射光譜之一峰值移位。判定第四反射介面RF4之一位置以使得干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自第一發光層34發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自第二發光層35發射之光之一發射光譜之一峰值移位。因此，干涉濾光器可在一較寬區域中起作用。
另外，圖4B圖解說明一明度改變(Y/Y0)之模擬結果，其中一視角用作使用實例1之發光裝置之顯示設備中之一參數，且圖4B圖解說明一色度改變(△uv)之模擬結果，其中一視角用作使用實例1之發光裝置之顯示設備中之一參數。自圖4A可看出，明度改變在45°之一視角處可維持在85%或更高。自圖4B可看出，色度改變在45°之一視角處可滿足△uv<0.015。亦即，在實例1中，如圖4A及圖4B中清楚地展示，明度改變及色度改變之視角相依性係低的。下文之表2展示實例1及比較實例1之發光裝置之色度及發光效率之值。在實例1之發光裝置中，x值小於且y值大於比較實例1之發光裝置之彼等值。因此，展現一更佳色度，且發光效率係高的。
在實例1之發光裝置中，一干涉濾光器係由第一反射介面RF1、第二反射介面RF2、第三反射介面RF3及第四反射介面RF4形成，且滿足表達式(1)及(2)。作為一結果，加強自第一發光層發射之光射線在第一反射介面RF1上之反射，且加強自第二發光層發射之光射線在第一反射介面RF1上之反射。另外，藉由滿足表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者，亦即，藉由使加強及弱化干涉濾光器之反射之條件彼此適當地組合，可獲得其中一光透射率曲線在一寬波長區域中更平坦之一干涉濾光器。進一步而言，可在對應於自第一發光層發射之光之一窄波長區域及對應於自第二發光層發射之光之一窄波長區域中之任一者或兩者中增加干涉濾光器之一光透射率。作為一結果，可改良單色色度，可增加色域，可提供具有優越色調及低電力消耗之一白色發光裝置，且可大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性。另一選擇係，由於第一反射介面、第二反射介面、第三反射介面及第四反射介面經配置以便滿足預定條件，因此可獲得其中一光透射率曲線在一寬波長區域中更平坦之一干涉濾光器，且可提供具有優越色調及低電力消耗之一白色發光裝置。此外，可在對應於自第一發光層發射之光之一窄波長區域及對應於自第二發光層發射之光之一窄波長區域中之任一者或兩者中增加干涉濾光器之一光透射率。作為一結果，可改良單色色度，可增加色域，且可大大減小關於可見波長區域中之兩種或兩種以上不同色彩中之一單一色彩或一經組合色彩之光之明度及色度之一視角相依性。
實例2
實例2係實例1之一修改。當發光層係一異色發光層時，具體而言，舉例而言，當形成其中堆疊一綠色發光層及一紅色發光層之一個發光層時，難以將一第一色彩發光層及一第二色彩發光層之厚度減小 至可判定異色發光層之發光中心在一個層級處之程度。亦即，自發光裝置或顯示設備之設計之觀點或自製造程序之觀點，增加包含於單個發光層中之第一色彩發光層及第二色彩發光層之厚度係必要的。因此，難以判定異色發光層之發光中心在一個層級處。舉例而言，異色發光層(具體而言，在實例2中，第二發光層35)中之第一色彩(綠色)之發光中心及第二色彩(紅色)之發光中心之間的一差異可係5nm或更大。另外，舉例而言，取決於形成發光層之材料，有必要改變異色發光層中之第一色彩發光層及第二色彩發光層之堆疊次序。因此，難以判定異色發光層之發光中心在一個層級處。
在此情形中，在發光層之第一色彩之發光中心及第二色彩之發光中心中之每一者中，可判定各種參數以便滿足表達式(1)及(2)且滿足表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者。另一選擇係，當判定異色發光層之發光中心不在如上文所闡述之一個層級處時，可進一步提供一第四光透射層。另一選擇係，舉例而言，第二反射介面可包含複數個介面。舉例而言，在大約550nm至650nm之一波長區域中，在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自綠色發光層發射至發光裝置之外側之綠色光之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之干涉濾光器中自紅色發光層發射至發光裝置之外側之紅色光之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同之趨勢。作為一結果，甚至當增加視角時，綠色光之明度減小之一比率與紅色光之明度減小之一比率在相同位準處，且因此不增加一色度移位。
實例3
實例3係實例1或2之一修改且係關於底部發射類型顯示設備。如圖5之一部分示意性剖面圖中所圖解說明，實例3之發光裝置10係底部發射類型，其中第二電極32、有機層33及第一電極31依此次序堆疊於第一基板11上。自發光層發射之光透過第一基板11發射至外側。儘管 未圖解說明，但具有1μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有1μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有1μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有1μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有1μm或更大之一厚度之一空氣層可進一步形成於第三光透射層之與第二光透射層相反之一側上，亦即，可進一步形成於第三光透射層43與第一基板11之間。在第一電極31上面之最外層係第二基板12。第一電極31及第二基板12透過一黏合層29接合至彼此。
實例4
實例4係關於根據該實施例之照明設備。如圖6之一示意性剖面圖中所圖解說明，在實例4之照明設備中，實例1至3中所闡述之發光裝置10安置於係透明之一第一基板111與一第二基板112之間。取決於發光裝置10之結構，光自發光層發射至第二基板或第一基板。第一基板111之一外周邊及第二基板112之一外周邊透過一密封構件113接合至彼此。照明設備之一平面形狀視需要經選擇且(舉例而言)係正方形或矩形。在圖6中，圖解說明一個發光裝置10。然而，視需要，可依一所要圖案配置複數個發光裝置。由於照明設備自身具有現有組態及結構，因此將不闡述其細節。
在實例4之照明設備中，藉由使用實例1至3之發光裝置，可實現具有低角度相依性(亦即，強度及色度取決於一照明方向之極低改變)且具有優越光分佈特性之一照明設備(舉例而言，一表面發射光源)。另外，可實現具有優越演色性性質及優越光分佈特性之一照明設備。另外，藉由選擇自發光裝置發射之光之色彩，可不僅獲得白色光而且獲得各種色彩之光。
在上文，已闡述本發明之較佳實例，但本發明之內容不限於此等實例。實例中所闡述之發光裝置、顯示設備及照明設備之組態及結構僅係例示性的且可適當地改變。
本發明可採取以下組態。
[A01]發光裝置...第一實施例一種發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由該第一發光層與該第一電極之間的一介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，滿足以下表達式(1)及(2)，且滿足以下表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者，(1)(-Φ1/2π+m1)．(λ1-150)/2L11 (-Φ1/2π+m1)．(λ1+80)/2 (2)(-Φ1/2π+n1)．(λ2-30)/2L21 (-Φ1/2π+n1)．(λ2+80)/2 (3-A)L12 (-Φ2/2π+m2+1/2)．(λ1+15)/2,L13 (-Φ3/2π+m3)．(λ1-15)/2，且(-Φ4/2π+m4)．(λ1-50)/2L14 (3-B)L22 (-Φ2/2π+n2+1/2)．(λ2+15)/2,L23 (-Φ3/2π+n3)．(λ2-15)/2，且(-Φ4/2π+n4)．(λ2-50)/2L24其中λ1係該第一發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位：nm)，λ2係該第二發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位：nm)，L11係一第一反射介面與該第一發光層之一發光中心之間的一光 距(單位：nm)，該第一反射介面係該第一發光層與該第一電極之間的該介面，L12係一第二反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第二反射介面係該第二發光層與該第一光透射層之間的一介面，L13係一第三反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第三反射介面係該第一光透射層與該第二光透射層之間的一介面，L14係一第四反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第四反射介面係該第二光透射層與該第三光透射層之間的一介面，L21係該第一反射介面與該第二發光層之一發光中心之間的一光距(單位：nm),L22係該第二反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L23係該第三反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L24係該第四反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，Φ1係在光由該第一反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ2係在光由該第二反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ3係在光由該第三反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ4係在光由該第四反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，m1係0或大於0之一整數，n1係0或大於0之一整數，且m2、m3、m4、n2、n3及n4係整數。
[A02]如[A01]之發光裝置，其中m1=0且n1=1。
[A03]如[A01]或[A02]之發光裝置，其中一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成。
[A04]如[A01]至[A03]中任一項之發光裝置，其中該有機層之一折射率與該第一光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大，該第一光透射層之該折射率與該第二光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大，且該第二光透射層之該折射率與該第三光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大。
[A05]如[A01]至[A04]中任一項之發光裝置，其中第二光透射層之一光學厚度t2滿足0.2．λ1 t2 0.35．λ1。
[A06]如[A01]至[A05]中任一項之發光裝置，其中與在0°之一視角處之一明度相比在45°之一視角處之一明度減小30%或較低。
[A07]如[A01]至[A06]中任一項之發光裝置，其中在45°之一視角處之一色度移位△uv係0.015或更低。
[A08]如[A01]至[A07]中任一項之發光裝置，其中具有5nm或更少之一厚度之一金屬層提供於該第二發光層與該第一光透射層之間。
[A09]如[A01]至[A08]中任一項之發光裝置，其中該第二反射介面、該第三反射介面或該第四反射介面包含複數個介面。
[A10]如[A01]至[A09]中任一項之發光裝置， 其中該第一發光層及該第二發光層中之至少一者係發射兩種或兩種以上不同色彩之光之一異色發光層，且當判定該異色發光層之發光中心不在一個層級處時，進一步提供一第四光透射層。
[A11]如[A10]之發光裝置，其中一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面、該第四反射介面及一第五反射介面形成，該第一反射介面係該第一發光層與該第一電極之間的介面，該第二反射介面係藉由該第二發光層、該第一光透射層、該第二光透射層、該第三光透射層及該第四光透射層形成，且在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之外側之一光射線之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之外側之另一光射線之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同的趨勢。
[A12]如[A01]至[A11]中任一項之發光裝置，其中該第一電極、該有機層及該第二電極依此次序堆疊於一基板上。
[A13]如[A12]之發光裝置，其中具有0.5μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有0.5μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有0.5μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有0.5μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有0.5μm或更大之一厚度之一空氣層進一步形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
[A14]如[A01]至[A11]中任一項之發光裝置，其中該第二電極、該有機層及該第一電極依此次序堆疊於一基 板上。
[A15]如[A14]之發光裝置，其中具有1μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有1μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有1μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有1μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有1μm或更大之一厚度之一空氣層形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
[B01]發光裝置...第二實施例一種發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由形成於該第一發光層與該第一電極之間的一第一反射介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，一第二反射介面形成於該第一光透射層之在該第二發光層側上之一介面處，一第三反射介面形成於該第一光透射層與該第二光透射層之間，一第四反射介面形成於該第二光透射層與該第三光透射層之間，一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成， 該第一反射介面經配置以便滿足以下(條件1)，且該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面經配置以便滿足以下(條件2)及(條件3)中之任一者或兩者。
(條件1)
加強自該第一發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反射。
(條件2)
弱化自該第一發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第一發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第一發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射。
(條件3)
弱化自該第二發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第二發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射。
[B02]如[B01]之發光裝置，其中判定該第二反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。
[B03]如[B01]或[B02]之發光裝置，其中判定該第三反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。
[B04]如[B01]至[B03]中任一項之發光裝置，其中判定該第四反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰 值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。
[B05]如[B01]至[B04]中任一項之發光裝置，其中該有機層之一折射率與該第一光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大，該第一光透射層之該折射率與該第二光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大，且該第二光透射層之該折射率與該第三光透射層之一折射率之間的一差異係0.15或更大。
[B06]如[B01]至[B05]中任一項之發光裝置，其中與在0°之一視角處之一明度相比在45°之一視角處之一明度減小30%或較低。
[B07]如[B01]至[B06]中任一項之發光裝置，其中在45°之一視角處之一色度移位△uv係0.015或更低。
[B08]如[B01]至[B07]中任一項之發光裝置，其中具有5nm或更少之一厚度之一金屬層提供於該第二發光層與該第一光透射層之間。
[B09]如[B01]至B08]中任一項之發光裝置，其中該第二反射介面、該第三反射介面或該第四反射介面包含複數個介面。
[B10]如[B01]至[B09]中任一項之發光裝置，其中該第一發光層及該第二發光層中之至少一者係發射兩種或兩種以上不同色彩之光之一異色發光層，且當判定該異色發光層之發光中心不在一個層級處時，進一步提供一第四光透射層。
[B11]如[B10]之發光裝置，其中進一步提供一第四光透射層，且 在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之外側之一光射線之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之外側之另一光射線之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同的趨勢。
[B12]如[B01]至[B11]中任一項之發光裝置，其中該第一電極、該有機層及該第二電極依此次序堆疊於一基板上。
[B13]如[B12]之發光裝置，其中具有0.5μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有0.5μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有0.5μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有0.5μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有0.5μm或更大之一厚度之一空氣層進一步形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
[B14]如[B01]至[B11]中任一項之發光裝置，其中該第二電極、該有機層及該第一電極依此次序堆疊於一基板上。
[B15]如[B14]之發光裝置，其中具有1μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有1μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有1μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有1μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有1μm或更大之一厚度之一空氣層形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
[C01]顯示設備
一種藉由將如[A01]至[B15]中任一項之複數個發光裝置配置成一個二維矩陣而獲得之顯示設備。
[C02]照明設備一種包含如[A01]至[B15]中任一項之發光裝置之照明設備。
熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素發生各種修改、組合、子組合及變更，只要其屬隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內。
31‧‧‧第一電極
33‧‧‧有機層
34‧‧‧第一發光層
35‧‧‧第二發光層
41‧‧‧第一光透射層
41'‧‧‧第一光透射層
42‧‧‧第二光透射層
42'‧‧‧第二光透射層
43‧‧‧第三光透射層
L11‧‧‧光距
L12‧‧‧光距
L13‧‧‧光距
L14‧‧‧光距
L21‧‧‧光距
L22‧‧‧光距
L23‧‧‧光距
L24‧‧‧光距
RF1‧‧‧第一反射介面
RF2‧‧‧第二反射介面
RF3‧‧‧第三反射介面
RF4‧‧‧第四反射介面

Claims (18)

  1. 一種發光裝置，其包括：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由該第一發光層與該第一電極之間的一介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，滿足以下表達式(1)及(2)，且滿足以下表達式(3-A)及(3-B)中之任一者或兩者，(1)(-Φ1/2π+m1)．(λ1-150)/2L11 (-Φ1/2π+m1)．(λ1+80)/2 (2)(-Φ1/2π+n1)．(λ2-30)/2L21 (-Φ1/2π+n1)．(λ2+80)/2 (3-A)L12 (-Φ2/2π+m2+1/2)．(λ1+15)/2,L13 (-Φ3/2π+m3)．(λ1-15)/2，且(-Φ4/2π+m4)．(λ1-50)/2L14 (3-B)L22 (-Φ2/2π+n2+1/2)．(λ2+15)/2,L23 (-Φ3/2π+n3)．(λ2-15)/2，且(-Φ4/2π+n4)．(λ2-50)/2L24其中λ1係該第一發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位：nm)，λ2係該第二發光層之一發射波長區域之一中心波長(單位： nm)，L11係一第一反射介面與該第一發光層之一發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第一反射介面係該第一發光層與該第一電極之間的該介面，L12係一第二反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第二反射介面係該第二發光層與該第一光透射層之間的一介面，L13係一第三反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第三反射介面係該第一光透射層與該第二光透射層之間的一介面，L14係一第四反射介面與該第一發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，該第四反射介面係該第二光透射層與該第三光透射層之間的一介面，L21係該第一反射介面與該第二發光層之一發光中心之間的一光距(單位：nm)，L22係該第二反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L23係該第三反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，L24係該第四反射介面與該第二發光層之該發光中心之間的一光距(單位：nm)，Φ1係在光由該第一反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ2係在光由該第二反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，Φ3係在光由該第三反射介面反射時發生之一相移(單位：弧 度)，Φ4係在光由該第四反射介面反射時發生之一相移(單位：弧度)，m1係0或大於0之一整數，n1係0或大於0之一整數，且m2、m3、m4、n2、n3及n4係整數。
  2. 如請求項1之發光裝置，其中一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成。
  3. 如請求項1之發光裝置，其中與在0°之一視角處之一明度相比在45°之一視角處之一明度減小30%或更低。
  4. 如請求項1之發光裝置，其中在45°之一視角處之一色度移位△uv係0.015或更低。
  5. 如請求項1之發光裝置，其中具有5nm或更小之一厚度之一金屬層提供於該第二發光層與該第一光透射層之間。
  6. 如請求項1之發光裝置，其中該第二反射介面、該第三反射介面或該第四反射介面包含複數個介面。
  7. 如請求項1之發光裝置，其中該第一發光層及該第二發光層中之至少一者係發射兩種或兩種以上不同色彩之光之一異色發光層，且當判定該異色發光層之發光中心不在一個層級處時，進一步提供一第四光透射層。
  8. 如請求項7之發光裝置， 其中一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面、該第四反射介面及一第五反射介面形成，該第一反射介面係該第一發光層與該第一電極之間的該介面，該第二反射介面係藉由該第二發光層、該第一光透射層、該第二光透射層、該第三光透射層及該第四光透射層形成，且在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之該外側之一光射線之一光透射率曲線之一改變具有與在其中一波長用作一變數之該干涉濾光器中自該異色發光層發射至該發光裝置之該外側之另一光射線之一光透射率曲線之一改變之趨勢相同的趨勢。
  9. 如請求項1之發光裝置，其中該第一電極、該有機層及該第二電極依此次序堆疊於一基板上。
  10. 如請求項9之發光裝置，其中具有0.5μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有0.5μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有0.5μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有0.5μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有0.5μm或更大之一厚度之一空氣層進一步形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
  11. 如請求項1之發光裝置，其中該第二電極、該有機層及該第一電極依此次序堆疊於一基板上。
  12. 如請求項11之發光裝置，其中具有1μm或更大之一厚度之一透明導電材料層、具有1μm或更大之一厚度之一透明絕緣層、具有1μm或更大之一厚度之一樹脂層、具有1μm或更大之一厚度之一玻璃層或具有1μm 或更大之一厚度之一空氣層形成於該第三光透射層之與該第二光透射層相反之一側上。
  13. 一種發光裝置，其包括：一第一電極；一第二電極；及一有機層，其提供於該第一電極與該第二電極之間且藉由自第一電極側依序堆疊一第一發光層及一第二發光層而形成，其中自該有機層發射之光由形成於該第一發光層與該第一電極之間的一第一反射介面反射，通過該第二電極，且發射至該發光裝置之外側，一第一光透射層、一第二光透射層及一第三光透射層自該第二發光層之與該第一發光層相反之一側依序提供於該第二發光層側上，一第二反射介面形成於該第一光透射層之在該第二發光層側上之一介面處，一第三反射介面形成於該第一光透射層與該第二光透射層之間，一第四反射介面形成於該第二光透射層與該第三光透射層之間，一干涉濾光器係由該第一反射介面、該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面形成，該第一反射介面經配置以便滿足以下(條件1)，且該第二反射介面、該第三反射介面及該第四反射介面經配置以便滿足以下(條件2)及(條件3)中之任一者或兩者，(條件1)加強自該第一發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反 射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第一反射介面上之反射，(條件2)弱化自該第一發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第一發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第一發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射，(條件3)弱化自該第二發光層發射之光射線在該第二反射介面上之反射，加強自該第二發光層發射之光射線在該第三反射介面上之反射，且加強自該第二發光層發射之光射線在該第四反射介面上之反射。
  14. 如請求項13之發光裝置，其中判定該第二反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。
  15. 如請求項13之發光裝置，其中判定該第三反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位。
  16. 如請求項13之發光裝置，其中判定該第四反射介面之一位置以使得該干涉濾光器之一光透射率之一峰值位置從自該第一發光層發射之光之一發射光譜之一峰值移位且從自該第二發光層發射之光之一發射光譜之 一峰值移位。
  17. 一種藉由將複數個如請求項1之發光裝置配置成一個二維矩陣而獲得之顯示設備。
  18. 一種照明設備，其包括如請求項1之發光裝置。
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