CN108878451B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元；多条扫描线和多条数据线，像素单元包括至少一个薄膜晶体管，衬底基板上设有反射金属部，反射金属部和衬底基板之间包括第一金属部、第二金属部，第一金属部与栅极同层设置；第二金属部位于第一金属部和反射金属部之间，第二金属部连接公共电位，第一金属部连接公共电位或浮置；或者，第二金属部位于第一金属部远离反射金属部的一侧，第一金属部连接公共电位，第二金属部连接公共电位或浮置。显示装置包括上述显示面板。本发明既能优化反射区平坦度，提高反射对比度，避免漏光，还能使存储电容的值不超过所需范围，从而不影响显示面板的性能。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

随着科学技术的不断发展，越来越多的显示装置广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。显示装置实现显示功能的重要部件是显示面板，根据应用的不同，显示面板分为透过型显示面板、反射型显示面板以及半反半透型显示面板。透过型显示面板具有高亮度、高色饱和度的特点，但是功耗大，特别是在强光下，具有对比度差，图像无法可视的缺陷。反射型显示面板具有功耗低，特别是在强光下，清晰度高的优点，但具有在暗环境下清晰度差、亮度低、色饱和差等弱点。相较于前两种显示面板，半反半透型显示面板结合了以上两种显示面板的优点，克服了其缺点，既可工作于透射模式，又可工作于反射模式，能反射光，也带有背光源。光线好的时候，可以关掉背光源，工作于反射工作模式，利用反射光；光线差的时候，可以点亮背光源，工作于透射工作模式。因此，半反半透型显示面板可以在任何环境下都有良好的视觉效果。

现有技术中，当显示面板的反射区存在不平整时，则该不平整区域反射黑态将会出现漏光的情况，漏光的面积与不平整的面积相当。

因此，提供一种显示面板和显示装置，既能解决反射区不平整的问题，优化反射区平坦度，避免漏光，还能不影响显示面板的性能，就成为了本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元；还包括多条扫描线以及多条数据线，扫描线和数据线交叉绝缘限定出多个像素单元所在的区域，像素单元包括至少一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源层；衬底基板上设有反射金属部，反射金属部和衬底基板之间包括第一金属部、第二金属部，反射金属部与像素电极电连接，像素电极通过过孔与漏极电连接；第一金属部与栅极同层设置；第二金属部位于第一金属部和反射金属部之间，第二金属部连接公共电位，第一金属部连接公共电位或浮置；或者，第二金属部位于第一金属部远离反射金属部的一侧，第一金属部连接公共电位，第二金属部连接公共电位或浮置。

本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。

与现有技术相比，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

通过将第一金属部和第二金属部在衬底基板上设计为整面结构，避免出现断开或断面的情况，因而可以优化显示面板反射区的平坦度，解决现有技术中因反射区不平坦带来的漏光问题。第一金属部与薄膜晶体管的栅极同层设置，薄膜晶体管的源极和漏极仅在过孔附近，可以使像素电极与漏极导通。薄膜晶体管的源极和漏极所在膜层不作为构成存储电容的一个电极，因此薄膜晶体管的漏极的大小设置时，只要能使过孔的工艺波动后不会超出薄膜晶体管的漏极就可以，即薄膜晶体管的源极和漏极所在的膜层仅设置薄膜晶体管的源极和漏极以及多条数据线即可。与现有技术相比，本发明通过第一金属部、第二金属部、反射金属部三层金属实现段差，同时，第一金属部和第二金属部均接公共电位，二者不构成存储电容，从而既能解决反射区不平整的问题，优化反射区平坦度，提高反射对比度，避免漏光，还能使存储电容的值不超过所需范围，从而不影响显示面板的性能。

当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。

通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。

图1是现有技术中的一种显示面板的结构示意图；

图2是图1的A-A’向剖面结构示意图；

图3是图1的B-B’向剖面结构示意图；

图4是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图5是图4的一种A-A’向剖面结构示意图；

图6是与图5对应的图4的B-B’向剖面结构示意图；

图7是图4的另一种A-A’向剖面结构示意图；

图8是与图7对应的图4的另一种B-B’向剖面结构示意图；

图9是与图5对应的图4的又一种B-B’向剖面结构示意图；

图10是本发明实施例提供的显示面板中的一种薄膜晶体管的剖面结构示意图；

图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。

以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。

对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。

在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

本发明实施例可应用于半反半透型显示面板，但不局限于该类型显示面板，为更清楚的说明本发明实施例的技术方案，以下现有技术和本发明实施例均以半反半透型显示面板来示例进行解释说明。

现有技术中，请参考图1-3所示，图1是现有技术中的一种显示面板000的结构示意图，为了清楚说明该显示面板000的像素单元00的结构，图1仅画出一个像素单元00进行示意说明，图2是图1的A-A’向剖面结构示意图，图3是图1的B-B’向剖面结构示意图，结合以上三个图可知，即像素单元00包括透射区01和反射区02，反射区02为第五金属层05所在区域。通过本领域技术人员的相关实验可知，透射区01与反射区02的盒厚差需0.6μm以上，显示面板000可以达到较好的反射对比度，所以至少需要三层金属才能满足该段差。该显示面板000是通过以下三层金属实现该段差的，即图2中所示的第三金属层03、第四金属层04、第五金属层05，其中，第三金属层03为薄膜晶体管07栅极071和扫描线09所在层，第四金属层04为薄膜晶体管07源极072和漏极073以及数据线08所在层，第五金属层05用于反射，而该结构的第三金属层03接公共电位，第四金属层04接像素电极，因此第三金属层03、第四金属层04之间构成存储电容，又由于第三金属层03、第四金属层04在第五金属层05所在区域内的衬底基板06上都是整面铺设的，所以会导致存储电容过大，不能与驱动能力匹配，因此在实际制作时，会将第三金属层03断开，使其用于构成存储电容的第三金属层03面积变小，从而减小存储电容的大小。但是此种做法会带来漏光的问题，这是由于曝光能力问题，在第三金属层03断开的位置处，将会有与断开面积相对应的长方形的漏光区域X，请继续参考图2，区域X的高度比其他区域低d，则区域X的反射盒厚比其他区域高d，从而区域X的反射盒厚是异常，表现在黑态漏光，从而降低显示面板000的反射对比度。

请参考图4-图6，图4是本发明实施例提供的一种显示面板111的结构示意图，为了清楚说明该显示面板111的像素单元10的结构，图4仅画出一个像素单元10进行示意说明，图5是图4的一种A-A’向剖面结构示意图，图6是与图5对应的图4的B-B’向剖面结构示意图，本实施例提供的显示面板111，包括衬底基板16和位于衬底基板16上的多个像素单元10；还包括多条扫描线19以及多条数据线18，扫描线19和数据线18交叉绝缘限定出多个像素单元10所在的区域，像素单元10包括至少一个薄膜晶体管17，薄膜晶体管17包括栅极171、源极172、漏极173、有源层(图中未示意)；

衬底基板16上设有反射金属部15，反射金属部15和衬底基板16之间包括第一金属部13、第二金属部14，反射金属部15与像素电极20电连接，像素电极20通过过孔3与漏极173电连接；第一金属部13与栅极171同层设置；

请继续参考图5和图6，第二金属部14位于第一金属部13和反射金属部15之间，第二金属部14连接公共电位，第一金属部13连接公共电位或浮置；

在一些可选实施例中，请参考图7和图8，图7是图4的另一种A-A’向剖面结构示意图，图8是与图7对应的图4的另一种B-B’向剖面结构示意图，本实施例中，第二金属部14位于第一金属部13远离反射金属部15的一侧，第一金属部13连接公共电位，第二金属部14连接公共电位或浮置。需要说明的是，本发明实施例中所说的公共电位为公共电极的电位。

具体而言，显示面板111上的多条扫描线19和多条数据线18交叉绝缘限定出多个像素单元10所在的区域，像素单元10包括透射区11和反射区12，反射区12为反射金属部15所在区域，像素单元10包括至少一个薄膜晶体管17，薄膜晶体管17包括栅极171、源极172、漏极173、有源层；其中，扫描线19与薄膜晶体管17的栅极171电连接，使扫描线19的电信号通入薄膜晶体管17栅极171，以控制薄膜晶体管17的导通和截止，数据线18与薄膜晶体管17的源极172电连接，使数据线18的电信号通入薄膜晶体管17的源极172，根据薄膜晶体管17的导通和截止来实现数据线18电信号是否传输至薄膜晶体管17的漏极173。衬底基板16上设有反射金属部15，反射金属部15与像素电极20电连接，像素电极20通过过孔3与漏极173电连接，使像素电极20与薄膜晶体管17的漏极173导通。反射金属部15和衬底基板16之间包括第一金属部13、第二金属部14，第一金属部13与薄膜晶体管17的栅极171同层设置，第二金属部14用于屏蔽数据线18电压和像素电极20之间相互干扰。

如图5和图6所示，第二金属部14位于第一金属部13和反射金属部15之间，由于第二金属部14连接公共电位，第一金属部13连接公共电位或浮置，所以第一金属部13和第二金属部14之间不构成存储电容；又由于反射金属部15电连接有像素电极20，因此，第二金属部14与像素电极20之间构成像素单元10所需的存储电容。其中，当第二金属部14与像素电极20在垂直于衬底基板16方向上的交叠面积一定的情况下，存储电容大小可通过调节第二金属部14与像素电极20之间的间距来实现，以适合不同的产品所需的存储电容值。

如图7和图8所示，第二金属部14位于第一金属部13远离反射金属部15的一侧，由于第一金属部13连接公共电位，第二金属部14连接公共电位或浮置；又由于反射金属部15电连接有像素电极20，因此，第一金属部13与像素电极20之间构成存储电容。其中，当第二金属部14与像素电极20在垂直于衬底基板16方向上的交叠面积一定的情况下，存储电容大小可通过调节第一金属部13与像素电极20之间的间距来实现，以适合不同的产品所需的存储电容值。

本实施例中，将第一金属部13和第二金属部14在衬底基板16上为整面结构，不存在断开或断面的情况，因而可以优化显示面板111反射区12的平坦度，解决现有技术中因反射区12不平坦带来的漏光问题。第一金属部13与薄膜晶体管17的栅极171同层设置，薄膜晶体管17的源极172和漏极173仅在过孔3附近，可以使像素电极20与漏极173导通。本实施例中，薄膜晶体管17的源极172和漏极173所在膜层不作为构成存储电容的一个电极，因此薄膜晶体管17的漏极173的大小设置时，只要能使过孔3的工艺波动后不会超出薄膜晶体管17的漏极173就可以，即薄膜晶体管17的源极172和漏极173所在的膜层仅设置薄膜晶体管17的源极172和漏极173以及多条数据线18即可。

需要说明的是，本发明实施例中，“浮置”可以理解为，不和信号线连接，即在使用过程中不会施加任何信号。

由上可知，本实施例与图1-图3所示的现有技术相比，用第二金属部14代替第四金属层04，通过第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15三层金属实现段差，这样就可避免出现现有技术中的漏光区域X。同时，第一金属部13和第二金属部14均接公共电位，二者不构成存储电容，从而既能解决反射区12不平整的问题，优化反射区12平坦度，提高反射对比度，避免漏光，还能使存储电容的值不超过所需范围，从而不影响显示面板的性能。

在一些可选实施例中，请继续参考图4和图6，本实施例中，在沿扫描线19的方向上，反射金属部15与第一金属部13向衬底基板16的垂直投影相重合，反射金属部15向衬底基板16的垂直投影位于第二金属部14向衬底基板16的垂直投影范围之内。其中，图4即为在垂直于衬底基板16的方向上观察显示面板得到的附图。

本实施例中，通过限定在沿扫描线19的方向上，反射金属部15与第一金属部13向衬底基板16的垂直投影相重合，反射金属部15向衬底基板16的垂直投影位于第二金属部14向衬底基板16的垂直投影范围之内，从而使沿扫描线19的方向，第一金属部13、第二金属部14向衬底基板16的垂直投影的宽度大于或者等于反射金属部15向衬底基板16的垂直投影的宽度，可以优化沿扫描线19的方向上的反射区的平坦度，以防止漏光，影响显示面板的显示品质。

需要说明的是，本实施例限定了在沿扫描线19的方向上，反射金属部15与第一金属部13向衬底基板16的垂直投影相重合，但不仅限于此结构，可根据上述说明得知，只要满足沿扫描线19的方向，第一金属部13、第二金属部14向衬底基板16的垂直投影的宽度大于或者等于反射金属部15向衬底基板16的垂直投影的宽度即可。

在一些可选实施例中，请参考图9，图9是与图5对应的图4的又一种B-B’向剖面结构示意图，再继续结合参考图4，本实施例中，在沿扫描线19的方向上，反射金属部15与第一金属部13向衬底基板16的垂直投影相重合，反射金属部15向衬底基板16的垂直投影与第二金属部14向衬底基板16的垂直投影完全重叠。

本实施例中，显示面板是通过以下三层金属实现盒厚段差的，即第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15，因此第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15三者向衬底基板16的垂直投影完全重叠，可以更好的优化反射区的平坦度，防止漏光，提升显示品质。

需要说明的是，本实施例仅以第二金属部14位于第一金属部13和反射金属部15之间的实施例进行附图举例示意，以说明第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15三者向衬底基板16的垂直投影之间的面积大小关系，本领域技术人员可根据上述附图及说明理解的是，对于第二金属部14位于第一金属部13远离反射金属部15的一侧时，以上实施例的第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15三者向衬底基板16的垂直投影之间的面积大小关系同样适用，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请继续参考图5，本实施例中在垂直于衬底基板16的方向上，漏极173与第二金属部14不交叠。

本实施例中，由于像素电极20与漏极173通过过孔3导通，所以进一步限定了在垂直于衬底基板16的方向上，漏极173与第二金属部14不交叠，因为若在垂直于衬底基板16的方向上，漏极173与第二金属部14交叠，则会造成交叠位置附近不平坦，从而出现漏光现象。所以本实施例这样设计，可以提高显示面板平坦度以避免漏光。-

在一些可选实施例中，请继续参考图5，本实施例中，漏极173向衬底基板16的垂直投影为第一投影，第二金属部14向衬底基板16的垂直投影为第二投影，第一投影与第二投影不交叠，且第一投影靠近第二投影一侧的边缘与第二投影靠近第一投影一侧的边缘之间的间距L1小于2μm。

本实施例中，进一步定义了漏极173向衬底基板16的垂直投影为第一投影，第二金属部14向衬底基板16的垂直投影为第二投影，漏极173与第二金属部14不交叠即第一投影与第二投影不交叠，且为了提高本实施例技术方案的可行性，从而进一步限定了第一投影靠近第二投影一侧的边缘与第二投影靠近第一投影一侧的边缘之间的间距L1小于2μm的刻蚀精度。

需要说明的是，由于本实施例中的第二金属部14与漏极173位于不同层，且在实际制作时，第二金属部14与漏极173两者之间可设置绝缘层，因此即使间距L1设置很小也不会电连接，不会引起短路，而将第一投影靠近第二投影一侧的边缘与第二投影靠近第一投影一侧的边缘之间的间距L1限定为小于2μm的刻蚀精度，可以保证平整性，即使该间距L1会造成高度差，但是由于间距L1小于2μm的刻蚀精度，即间距L1比较小，所以当后续的膜层沉积制作之后基本上能够补偿这个高度差，从而保证了显示面板的平整性。

在一些可选实施例中，请继续参考图9，本实施例中，数据线18向衬底基板16的垂直投影为第三投影，第三投影靠近第二投影一侧的边缘与第二投影靠近第三投影一侧的边缘之间的间距L2小于2μm。

本实施例中，当反射金属部15、第一金属部13、第二金属部14向衬底基板16的垂直投影完全重叠时，定义数据线18向衬底基板16的垂直投影为第三投影，为了避免数据线18与第一金属部13之间有断层出现漏光，因此进一步限定了第三投影靠近第二投影一侧的边缘与第二投影靠近第三投影一侧的边缘之间的间距L2小于2μm的刻蚀精度，因为本实施例中的第二金属部14与数据线18位于不同层，且在实际制作时，第二金属部14与数据线18两者之间可设置绝缘层，因此即使间距L2设置很小也不会电连接，不会引起短路；而且即使该间距L2会造成高度差，但是由于间距L2小于2μm的刻蚀精度，即间距L2比较小，所以当后续的膜层沉积制作之后基本上能够补偿这个高度差，从而保证了显示面板的平整性，避免出现断层引起的漏光；其中，需要说明的是第二投影仍为第二金属部14向衬底基板16的垂直投影。

在一些可选实施例中，请继续参考图4，本实施例中，透射区11与反射区12相邻且沿数据线18方向设置。本实施例中，将透射区11与反射区12沿数据线18方向设置，这样在制作过程中，透射区11设置之后，可以把像素单元10剩余部分全部设为反射区12，从而便于平坦反射区12的段差，避免漏光，因为在沿数据线18方向，像素单元10除透射区11之外剩余部分全部设为反射区12，一旦反射区12出现段差，有漏光出现，可以更方便的进行反射区12平坦化的调整，以避免漏光。

在一些可选实施例中，请继续参考图5，本实施例中，在垂直于衬底基板16的方向上，像素电极20位于反射金属部15下方且与反射金属部15直接接触。

本实施例中，像素电极20与反射金属部15电连接从而使反射金属部15作为构成存储电容的一个膜层，而像素电极20与反射金属部15直接接触为较容易实施的一种电连接的方式。

在一些可选实施例中，请继续参考图5，本实施例中，像素电极20为透明导电金属氧化物薄膜。

本实施例中，进一步限定了像素电极20的材料为透明导电金属氧化物薄膜，该透明导电金属氧化物薄膜具有很好的导电性和透明性，可以切断对人体有害的电子辐射、紫外线及远红外线，且由于透明导电金属氧化物薄膜很好的透明性，可以保证显示面板的透射性能，使其具有高亮度、高色饱和度的显示效果。需要说明的是，像素电极20的材料可以为透明导电金属氧化物薄膜，但不限于此材料。另外，本实施例中的反射金属部15的材料为不透明金属材料，例如金属铝，但不限于金属铝，也可以为本领域技术人员公知的其他反射材料。

在一些可选实施例中，请继续参考图5和图6，本实施例中，第一金属部13和反射金属部15之间包括栅极绝缘层21，栅极绝缘层21与第一金属部13直接接触。

本实施例中，栅极绝缘层21用于将第一金属部13和反射金属部15分隔绝缘，同时，由于薄膜晶体管17的栅极171与第一金属部13同层设置，因此，栅极绝缘层21还用于将薄膜晶体管17的源极172、漏极173和薄膜晶体管17的栅极171分隔，起绝缘作用。

需要说明的是，为了清楚说明本实施例的技术方案，本实施例的附图中栅极绝缘层21未填充，以下实施例中的绝缘层也未进行填充，因此之后不再多作赘述。

在一些可选实施例中，请继续参考图5和图6，本实施例中，第二金属部14位于第一金属部13和反射金属部15之间，第一金属部13和第二金属部14之间包括第一绝缘层22，第一绝缘层22位于栅极绝缘层21和第二金属部14之间，第二金属部14和反射金属部15之间包括第二绝缘层23。

本实施例中，在第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15的相邻两层之间设置绝缘层，第一金属部13和第二金属部14之间设第一绝缘层22，第二金属部14和反射金属部15之间设第二绝缘层23，在增加盒厚的同时，起到分隔绝缘的作用，防止相邻层之间短路；其中，第二绝缘层23作为存储电容的电容介质层使用。

在一些可选实施例中，请继续参考图5和图6，第二绝缘层23的厚度大于栅极绝缘层21的厚度。

本实施例中，第二绝缘层23的厚度大于栅极绝缘层21的厚度，由于第二金属部14和反射金属部15之间构成存储电容，存储电容的大小可通过两者之间的第二绝缘层23的厚度来调节，因此限定第二绝缘层23的厚度大于栅极绝缘层21的厚度，可以使本方案可行性提高。若不设置第二金属部14，直接用第一金属部13和反射金属部15构成存储电容，那么两者之间的栅极绝缘层21的厚度较小，会使两者构成的存储电容过大超过限定值，所以，不能使用此方案。而本实施例的方案在第一金属部13和反射金属部15之间再设置一个第二金属部14，将第二金属部14连接公共电位，反射金属部15连接像素电极，从而调节两者之间的第二绝缘层23的厚度使第二绝缘层23的厚度大于栅极绝缘层21的厚度，来使存储电容值变小，以满足限定值。

在一些可选实施例中，请继续参考图5和图6，本实施例中，第一绝缘层22、第二绝缘层23、栅极绝缘层21的材料为氮化硅、氧化硅、氮化硅与氧化硅的组合物中的任意一种，第二绝缘层23的厚度为0.2-0.7μm。

本实施例中，存储电容大小、构成存储电容的第二金属部14和反射金属部15之间第二绝缘层23的厚度，由实验可得两者的关系，从而限定第二绝缘层23的厚度为0.2-0.7μm，是可以满足存储电容大小的厚度范围。

在一些可选实施例中，请继续参考图7和图8，本实施例中，第二金属部14位于第一金属部13远离反射金属部15的一侧，第一金属部13和反射金属部15之间包括第三绝缘层24，第三绝缘层24位于栅极绝缘层21和反射金属部15之间，第二金属部14和第一金属部13之间包括第四绝缘层25。

本实施例中，在第一金属部13、第二金属部14、反射金属部15的相邻两层之间设置绝缘层，第一金属部13和反射金属部15之间设第三绝缘层24，第二金属部14和第一金属部13之间设第四绝缘层25，在增加盒厚的同时，起到分隔绝缘的作用，防止相邻层之间短路；其中，第三绝缘层24和栅极绝缘层21作为存储电容的电容介质层使用。

在一些可选实施例中，请继续参考图7和图8，本实施例中，第三绝缘层24、第四绝缘层25的材料为氮化硅、氧化硅、氮化硅与氧化硅的组合物中的任意一种，第三绝缘层24和栅极绝缘层21的厚度之和为0.2-0.7μm。

本实施例中，存储电容大小、构成存储电容的第一金属部13和反射金属部15之间第三绝缘层24和栅极绝缘层21的厚度之和，根据实验可得两者的关系，从而限定第三绝缘层24和栅极绝缘层21的厚度之和为0.2-0.7μm，是可以满足存储电容大小的厚度范围。

在一些可选实施例中，请参考图10，图10是本发明实施例提供的显示面板中的一种薄膜晶体管17的剖面结构示意图，再结合参考图4和图5，本实施例中的显示面板还包括和第二金属部14同层设置的遮光金属块4，遮光金属块4位于有源层174和衬底基板16之间，且遮光金属块4和有源层174重叠；栅极171位于有源层174远离衬底基板16的一侧。

本实施例中，显示面板还包括和第二金属部14同层设置的遮光金属块4，遮光金属块4位于有源层174和衬底基板16之间，遮光金属块4能够防止光线进入薄膜晶体管17的有源层174，使得薄膜晶体管17具有良好的电性稳定性。进一步限制遮光金属块4和有源层174重叠，可以更有效的防止光线进入有源层174。

需要说明的是，本实施例中的栅极171位于有源层174远离衬底基板16的一侧，栅极绝缘层21位于栅极171和有源层174之间，薄膜晶体管17以顶栅型结构进行示例性说明，其中，栅极绝缘层21的厚度是根据薄膜晶体管17而定，因为薄膜晶体管17的电学性能和有源层174以及栅极171之间的距离有关。因此，一旦薄膜晶体管17的类型是固定，栅极绝缘层21的厚度基本是固定的，就算有变化，该栅极绝缘层21的厚度也不会有太大的变化。需要进一步说明的是，薄膜晶体管17的结构不仅限于此，也可以为本领域技术人员公知的其他结构，本实施例在此不作赘述。

在一些可选实施例中，请参考图11，图11是本发明实施例提供的一种显示装置1111的结构示意图，本实施例提供的显示装置1111，包括本发明上述实施例提供的显示面板111。图11实施例仅以手机为例，对显示装置1111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置1111，可以是电脑、电视、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置1111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置1111，具有本发明实施例提供的显示面板111的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板111的具体说明，本实施例在此不再赘述。

通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：

通过将第一金属部和第二金属部在衬底基板上设计为整面结构，避免出现断开或断面的情况，因而可以优化显示面板反射区的平坦度，解决现有技术中因反射区不平坦带来的漏光问题。第一金属部与薄膜晶体管的栅极同层设置，薄膜晶体管的源极和漏极仅在过孔附近，可以使像素电极与漏极导通。薄膜晶体管的源极和漏极所在膜层不作为构成存储电容的一个电极，因此薄膜晶体管的漏极的大小设置时，只要能使过孔的工艺波动后不会超出薄膜晶体管的漏极就可以，即薄膜晶体管的源极和漏极所在的膜层仅设置薄膜晶体管的源极和漏极以及多条数据线即可。与现有技术相比，本发明通过第一金属部、第二金属部、反射金属部三层金属实现段差，同时，第一金属部和第二金属部均接公共电位，二者不构成存储电容，从而既能解决反射区不平整的问题，优化反射区平坦度，提高反射对比度，避免漏光，还能使存储电容的值不超过所需范围，从而不影响显示面板的性能。

虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元；还包括多条扫描线以及多条数据线，所述扫描线和所述数据线交叉绝缘限定出多个所述像素单元所在的区域，所述像素单元包括至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源层；

所述衬底基板上设有反射金属部，所述反射金属部和所述衬底基板之间包括第一金属部、第二金属部，所述反射金属部与像素电极电连接，所述像素电极通过过孔与所述漏极电连接；所述第一金属部与所述栅极同层设置；

所述第二金属部位于所述第一金属部和所述反射金属部之间，所述第二金属部连接公共电位，所述第一金属部连接公共电位或浮置；

或者，所述第二金属部位于所述第一金属部远离所述反射金属部的一侧，所述第一金属部连接公共电位，所述第二金属部连接公共电位或浮置。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在沿所述扫描线的方向上，所述反射金属部与所述第一金属部向所述衬底基板的垂直投影相重合，所述反射金属部向所述衬底基板的垂直投影位于所述第二金属部向所述衬底基板的垂直投影范围之内；或者，所述反射金属部向所述衬底基板的垂直投影与所述第二金属部向所述衬底基板的垂直投影完全重叠。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述漏极与所述第二金属部不交叠。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述漏极向所述衬底基板的垂直投影为第一投影，所述第二金属部向所述衬底基板的垂直投影为第二投影，所述第一投影与所述第二投影不交叠，且所述第一投影靠近所述第二投影一侧的边缘与所述第二投影靠近所述第一投影一侧的边缘之间的间距小于2μm。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述数据线向所述衬底基板的垂直投影为第三投影，所述第三投影靠近所述第二投影一侧的边缘与所述第二投影靠近所述第三投影一侧的边缘之间的间距小于2μm。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元包括透射区和反射区，所述反射区为所述反射金属部所在区域，所述透射区与所述反射区相邻且沿所述数据线方向设置。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述像素电极位于所述反射金属部下方且与所述反射金属部直接接触。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述像素电极为透明导电金属氧化物薄膜。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一金属部和所述反射金属部之间包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层与所述第一金属部直接接触。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

当所述第二金属部位于所述第一金属部和所述反射金属部之间时，所述第一金属部和所述第二金属部之间包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述栅极绝缘层和所述第二金属部之间，所述第二金属部和所述反射金属部之间包括第二绝缘层。

11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度大于所述栅极绝缘层的厚度。

12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层、所述栅极绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮化硅与氧化硅的组合物中的任意一种，所述第二绝缘层的厚度为0.2-0.7μm。

13.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，

当所述第二金属部位于所述第一金属部远离所述反射金属部的一侧时，所述第一金属部和所述反射金属部之间包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述栅极绝缘层和所述反射金属部之间，所述第二金属部和所述第一金属部之间包括第四绝缘层。

14.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，所述第三绝缘层、所述第四绝缘层的材料为氮化硅、氧化硅、氮化硅与氧化硅的组合物中的任意一种，所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层的厚度之和为0.2-0.7μm。

15.根据权利要求13所述的显示面板，其特征在于，还包括和第二金属部同层设置的遮光金属块，所述遮光金属块位于所述有源层和所述衬底基板之间，且所述遮光金属块和所述有源层重叠；所述栅极位于所述有源层远离所述衬底基板的一侧。

16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。

Images