CN117596943A - 显示装置和制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置和制造该显示装置的方法。该显示装置包括：像素电极；堤挡层，包括顺序堆叠的第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层和第二金属堤挡层，并且在堤挡层中限定与像素电极重叠并且穿透第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层和第二金属堤挡层的像素开口；中间层，通过堤挡层的像素开口布置在像素电极上；对电极，通过堤挡层的像素开口布置在中间层上；以及在对电极上的无机封装层。对电极与第一金属堤挡层的限定像素开口的侧表面直接接触。

Description

显示装置和制造该显示装置的方法
本申请要求于2022年8月18日提交的韩国专利申请第10-2022-0103337号的优先权以及由此产生的所有权益，其内容通过引用整体并入本文。
技术领域
实施例涉及一种显示装置和一种制造该显示装置的方法。
背景技术
近来，显示装置的使用正在多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量减小，其使用范围正在扩大。
通常，为了显示图像，显示装置可以包括接收电信号并且发光的多个像素。有机发光显示设备(OLED)的像素包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管可以包括像素电极、发光层和对电极。
显示装置可以包括用于密封发光二极管的封装层，以防止外部氧气或者湿气渗透到发光二极管中。
发明内容
根据相关技术的显示装置具有的问题在于，即使当在封装层中生成局部缺陷时，也会生成杂质渗透路径，使得缺陷传播到相邻像素。
实施例提供了一种其中封装每个像素的显示装置和一种制造该显示装置的方法。然而，这样的目标是示例性的，并且本公开的范围不受此限制。
附加的特征将在以下描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开所呈现的实施例来获知。
根据本公开的实施例，一种显示装置包括：像素电极；堤挡层，包括顺序堆叠的第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层和第二金属堤挡层，并且在堤挡层中限定与像素电极重叠并且穿透第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层和第二金属堤挡层的像素开口；中间层，通过堤挡层的像素开口布置在像素电极上；对电极，通过堤挡层的像素开口布置在中间层上；以及在对电极上的无机封装层。对电极直接接触第一金属堤挡层的限定像素开口的侧表面。
在实施例中，第一金属堤挡层包括：第一子金属层；以及在第一子金属层上的第二子金属层，并且第二子金属层的一部分可以形成从第一子金属层的限定像素开口的侧表面突出的第一尖端。
在实施例中，无机封装层可以直接接触第一尖端的被第一子金属层暴露的表面。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：在第一金属堤挡层和第二无机堤挡层之间的第三无机堤挡层。第二无机堤挡层的一部分可以形成从第三无机堤挡层的限定像素开口的侧表面突出的第二尖端，并且无机封装层可以直接接触第二尖端的被第三无机堤挡层暴露的表面。
在实施例中，第一尖端的突出长度可以与第二尖端的突出长度不同。
在实施例中，第二金属堤挡层的一部分可以形成从第二无机堤挡层的限定像素开口的侧表面突出的第二尖端，并且无机封装层可以直接接触第二尖端的被第二无机堤挡层暴露的表面。
在实施例中，第二金属堤挡层可以包括：第四子金属层；以及在第四子金属层上的第五子金属层，第五子金属层的一部分可以形成从第四子金属层的限定像素开口的侧表面突出的第三尖端，并且无机封装层可以直接接触第三尖端的被第四子金属层暴露的表面。
在实施例中，第一尖端的突出长度可以与第三尖端的突出长度不同。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：布置在无机封装层上并且填充像素开口的平坦化层。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：在平坦化层上的保护层。无机封装层可以在第二金属堤挡层上直接接触保护层。
在实施例中，无机封装层可以具有第一折射率，并且平坦化层可以具有大于第一折射率的第二折射率。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：在第二金属堤挡层和无机封装层之间的有机堤挡层。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：遮光层，该遮光层布置在无机封装层上并且在遮光层中限定与像素电极重叠的滤色器开口；以及与像素电极相对应的滤色器层。
在实施例中，该显示装置可以进一步包括：在像素电极的边缘和第一无机堤挡层之间的电极保护层。
根据本公开的实施例，一种制造显示装置的方法包括：形成像素电极和与像素电极相对应的电极保护层；在像素电极上形成堤挡层，堤挡层包括第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层、第二金属堤挡层和有机堤挡层；限定与像素电极重叠并且穿透堤挡层的像素开口；形成通过堤挡层的像素开口布置在像素电极上的中间层；形成通过堤挡层的像素开口布置在中间层上并且直接接触第一金属堤挡层的限定像素开口的侧表面的对电极；以及在对电极上形成无机封装层。
在实施例中，第一金属堤挡层可以包括第一子金属层和在第一子金属层上的第二子金属层，限定像素开口可以包括选择性地蚀刻第一子金属层和第二子金属层中的第一子金属层，并且第二子金属层的一部分可以形成从第一子金属层的限定像素开口的侧表面突出的第一尖端。
在实施例中，形成无机封装层可以包括：沉积无机封装层，使得无机封装层可以直接接触第一尖端的被第一子金属层暴露的表面。
在实施例中，形成堤挡层可以包括在第一金属堤挡层和第二无机堤挡层之间形成第三无机堤挡层，限定像素开口可以包括选择性地蚀刻第三无机堤挡层，并且第二无机堤挡层的一部分可以形成从第三无机堤挡层的限定像素开口的侧表面突出的第二尖端。
在实施例中，限定像素开口可以包括选择性地蚀刻第二无机堤挡层，并且第二金属堤挡层的一部分可以形成从第二无机堤挡层的限定像素开口的侧表面突出的第二尖端。
在实施例中，第二金属堤挡层可以包括第四子金属层和在第四子金属层上的第五子金属层，限定像素开口可以包括选择性地蚀刻第四子金属层和第五子金属层中的第四子金属层，并且第五子金属层的一部分可以形成从第四子金属层的限定像素开口的侧表面突出的第三尖端。
在实施例中，该方法可以进一步包括：形成布置在无机封装层上并且填充像素开口的平坦化层。
在实施例中，该方法可以进一步包括：在限定像素开口和形成中间层之间移除有机堤挡层。
在实施例中，该方法可以进一步包括：形成布置在无机封装层上并且限定与像素电极重叠的滤色器开口的遮光层；以及在滤色器开口中形成与像素电极相对应的滤色器层。
从本公开的以下附图、权利要求和详细描述中，除了上述特征和优点之外的其他特征和优点将变得显而易见。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的说明性实施例的以上和其他特征和优点将更加显而易见，在附图中：
图1是显示装置的实施例的示意性透视图；
图2是包括在显示装置中的显示面板的实施例的示意性平面图；
图3和图4是包括在显示装置中的像素的实施例的示意性等效电路图；
图5A至图5I是示出制造显示装置的方法的一些操作的实施例的示意性截面图；
图6是显示装置的实施例的示意性截面图；
图7是显示装置的实施例的示意性截面图；并且
图8至图11是显示装置的实施例的示意性截面图。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例，其说明性实施例在附图中被图示，其中，相同的附图标记始终指代相同的元件。在这一点上，所图示的实施例可以具有不同的形式，并且不应当被解释为限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释描述的特征。如本文中所使用的，术语“和/或”包括关联的列出项目中的一个或者多个的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
各种修改可以应用于所图示的实施例，并且特定的实施例将在附图中被图示并且在详细描述部分中被描述。通过参考下面的详细描述以及附图，所图示的实施例的效果和特征以及实现它们的方法将变得更加清楚。然而，所图示的实施例可以以各种形式实现，而不限于下面呈现的实施例。
在下文中，将参考附图详细地描述实施例，并且在参考附图的描述中，相同或者对应的组成部分由相同的附图标记指示，并且省略了其冗余描述。
在以下实施例中，将理解，尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各种部件，但是这些部件不应当受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个部件与另一部件。
在以下实施例中，如本文中所使用的，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确指示。
在以下实施例中，将进一步理解，本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或者部件的存在，但是不排除一个或者多个其他特征或者部件的存在或者添加。
在以下实施例中，将理解，当层、区域或者部件被称为“形成”在另一层、区域或者部件“上”时，它可以直接或者间接形成在另一层、区域或者部件上。也就是说，例如，可以存在居间的层、区域或者部件。
在以下实施例中，将理解，当层、区域或者部件被称为“连接到”另一层、区域或者部件时，它可以直接连接到另一层、区域或者部件，或者经由居间的层、区域或者部件间接连接到另一层、区域或者部件。例如，在说明书中，当层、区域或者部件被称为电连接到另一层、区域或者部件时，它可以直接电连接到另一层、区域或者部件，或者经由居间的层、区域或者部件间接电连接到另一层、区域或者部件。
在说明书中，诸如“A和/或B”的表述可以包括A、B或者A和B。此外，诸如“A和B中的至少一个”的表述可以包括A、B或者A和B。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当在说明书中提及任何数值时，所使用的术语“大约”可以意味着包括由于测量限制或者误差而在技术领域中通常可接受的范围内的数值。例如，术语“大约”可以意味着包括任何数值的±30％、20％、10％或者5％的范围内的值。
当可以不同地实现说明性实施例时，可以不同于所描述的顺序而执行特定的工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
为了便于解释，可能夸大了附图中部件的尺寸。例如，由于附图中部件的尺寸和厚度是为了便于解释而任意示出的，因此以下公开不限于此。
图1是显示装置1的实施例的示意性透视图。
参考图1，显示装置1可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA可以通过设置在显示区域DA中的多个像素P显示图像。非显示区域NDA是布置在显示区域DA外部并且不显示图像的非显示区域，并且可以围绕整个显示区域DA。用于将电信号或者电力提供到显示区域DA的驱动器等可以设置在非显示区域NDA中。是电子元件或者印刷电路板等可以电连接到的区域的焊盘可以布置在非显示区域NDA中。
在实施例中，尽管图1图示显示区域DA是多边形(例如，其中在x方向上的长度小于在y方向上的长度的矩形)，但是本公开不限于此。在另一实施例中，显示区域DA可以具有诸如N边形(其中，N是3或者更大的自然数)、圆形或者椭圆形等的各种形状。尽管图1图示显示区域DA具有其中其拐角部分包括直线和另一直线相交的顶点的形状，但是在另一实施例中，显示区域DA可以是具有圆角部分的多边形。
在以下描述中，为了便于解释，描述了其中显示装置1是作为智能电话的电子装置的情况，但是显示装置1不限于此。显示装置1可以应用于各种产品，不仅包括诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备或者超移动个人计算机(UMPC)等的便携式电子装置，而且包括电视、笔记本计算机、监视器、广告牌或者物联网(IoT)设备等。此外，实施例中的显示装置1可以应用于诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备。此外，实施例中的显示装置1可以应用于车辆的仪表板、布置在车辆的中央仪表板或者仪表板中的中央信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的车内后视镜显示器以及布置在前座的背面作为车辆后座的娱乐的显示屏。
图2是包括在显示装置中的显示面板的实施例的示意性平面图。图2可以被理解为显示面板10的基板100的形状。
参考图2，显示面板10可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA是用于显示图像的部分，并且像素P可以设置在显示区域DA中。尽管图2图示显示区域DA具有带有圆角的近似四边形(例如，矩形)形状，但是本公开不限于此。如上所述，显示区域DA可以具有诸如N边形(其中，N是3或者更大的自然数)、圆形或者椭圆形等的各种形状。
像素P中的每一个意味着子像素，并且可以包括诸如有机发光二极管ED(参考图3)的显示元件。像素P中的每一个可以发射例如红光、绿光、蓝光或者白光。
非显示区域NDA可以布置在显示区域DA外部。用于驱动像素P中的每一个的外部电路可以设置在非显示区域NDA中。第一扫描驱动电路11、第二扫描驱动电路12、发光控制驱动电路13、端子14、驱动电源布线15和公共电源布线16可以布置在非显示区域NDA中。
第一扫描驱动电路11可以通过扫描线GW将扫描信号提供到像素P中的每一个。第二扫描驱动电路12可以与第一扫描驱动电路11平行布置而显示区域DA在第二扫描驱动电路12和第一扫描驱动电路11之间。设置在显示区域DA中的像素P中的一些可以电连接到第一扫描驱动电路11，并且其他像素P可以连接到第二扫描驱动电路12。根据需要，可以省略第二扫描驱动电路12，并且设置在显示区域DA中的像素P可以全部电连接到第一扫描驱动电路11。
发射控制驱动电路13布置在第一扫描驱动电路11的一侧处，并且可以通过发射控制线EM将发射控制信号提供到像素P中的每一个。尽管图1图示发射控制驱动电路13仅布置在显示区域DA的一侧，但是发射控制驱动电路13可以布置在显示区域DA的相对侧，就像第一扫描驱动电路11和第二扫描驱动电路12那样。
驱动芯片20可以布置在非显示区域NDA中。驱动芯片20可以包括驱动显示面板10的集成电路。集成电路可以是用于生成数据信号的数据驱动集成电路，但是本公开不限于此。
端子14可以被布置在非显示区域NDA中。通过未被绝缘层覆盖而暴露的端子14可以电连接到印刷电路板30。印刷电路板30的端子34可以电连接到显示面板10的端子14。
印刷电路板30将控制单元(未示出)的信号或者电力发送到显示面板10。由控制单元生成的控制信号可以通过印刷电路板30被发送到驱动电路中的每一个。此外，控制单元可以将驱动电压ELVDD发送到驱动电源布线15，并且将公共电压ELVSS发送到公共电源布线16。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电源布线15的驱动电压线PL被发送到像素P中的每一个，并且公共电压ELVSS可以通过连接到公共电源布线16的第一金属堤挡层320(参考图6)被发送到像素P中的每一个的对电极。驱动电源布线15可以具有在显示区域DA之下在一个方向(x方向)上延伸的形状。公共电源布线16具有带有一个开口侧、部分地围绕显示区域DA的环形形状。
控制单元可以生成数据信号，并且所生成的数据信号通过驱动芯片20被发送到输入线IL，并且通过连接到输入线IL的数据线DL被发送到像素P中的每一个。作为参考，“线”可能意味着“布线”。这与下面描述的实施例及其修改相同。
图3和图4是包括在显示装置中的像素的实施例的示意性等效电路图。
参考图3，发光二极管ED电连接到像素电路PC，并且像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。
第二晶体管T2响应于通过扫描线GW输入的扫描信号Sgw而将通过数据线DL输入的数据信号Dm发送到第一晶体管T1。
存储电容器Cst连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二晶体管T2接收的电压和通过驱动电压线PL供应的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
第一晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制与存储电容器Cst中存储的电压值相对应的驱动电流Id从驱动电压线PL流入发光二极管ED。发光二极管ED的对电极(例如，阴极)可以接收公共电压ELVSS。发光二极管ED可以通过驱动电流Id发射具有预定亮度的光。
尽管图3图示其中像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器的情况，但是本公开不限于此。
参考图4，像素电路PC可以包括七个晶体管和两个电容器。
像素电路PC可以包括第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt。在另一实施例中，像素电路PC可以不包括升压电容器Cbt。
第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7中的一些晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，而它们中的其他晶体管可以是p沟道MOSFET。在另一实施例中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可以是n沟道MOSFET，而它们中的其他晶体管可以是p沟道MOSFET。
第一晶体管至第七晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6和T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt可以连接到信号线。信号线可以包括扫描线GW、发射控制线EM、补偿栅线GC、第一初始化栅线GI1、第二初始化栅线GI2和数据线DL。像素电路PC可以电连接到电压线(例如，驱动电压线PL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2)。
第一晶体管T1可以是驱动晶体管。第一晶体管T1的第一栅电极连接到存储电容器Cst，第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL，并且第一晶体管T1的第二电极可以经由第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)。第一晶体管T1的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第一晶体管T1可以根据第二晶体管T2的开关操作而将驱动电流Id供应到发光二极管ED。
第二晶体管T2可以是开关晶体管。第二晶体管T2的第二栅电极连接到扫描线GW，第二晶体管T2的第一电极连接到数据线DL，并且第二晶体管T2的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极并且经由第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL。第二晶体管T2的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第二晶体管T2响应于通过扫描线GW接收的扫描信号Sgw而导通，并且可以执行将通过数据线DL发送的数据信号Dm发送到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。
第三晶体管T3可以是用于补偿第一晶体管T1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管T3的第三栅电极连接到补偿栅线GC。第三晶体管T3的第一电极通过节点连接线166连接到存储电容器Cst的下电极CE1和第一晶体管T1的第一栅电极。第三晶体管T3的第一电极可以连接到第四晶体管T4。第三晶体管T3的第二电极连接到第一晶体管T1的第二电极，并且经由第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)。第三晶体管T3的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
第三晶体管T3响应于通过补偿栅线GC接收的补偿信号Sgc而导通，并且将第一晶体管T1的第一栅电极和第二电极(例如，漏电极)彼此电连接，从而二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4可以是对第一晶体管T1的第一栅电极进行初始化的第一初始化晶体管。第四晶体管T4的第四栅电极连接到第一初始化栅线GI1。第四晶体管T4的第一电极连接到第一初始化电压线VL1。第四晶体管T4的第二电极可以连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第三晶体管T3的第一电极和第一晶体管T1的第一栅电极。第四晶体管T4的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。第四晶体管T4响应于通过第一初始化栅线GI1接收的第一初始化信号Sgi1而导通，并且将第一初始化电压Vint发送到第一晶体管T1的第一栅电极，从而执行初始化操作以对第一晶体管T1的第一栅电极的电压进行初始化。
第五晶体管T5可以是操作控制晶体管。第五晶体管T5的第五栅电极连接到发射控制线EM，第五晶体管T5的第一电极连接到驱动电压线PL，并且第五晶体管T5的第二电极连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。第五晶体管T5的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
第六晶体管T6可以是发射控制晶体管。第六晶体管T6的第六栅电极连接到发射控制线EM，第六晶体管T6的第一电极连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极电连接到第七晶体管T7的第二电极和发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)。第六晶体管T6的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一个可以是漏电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6响应于通过发射控制线EM接收的发射控制信号Sem而同时导通，并且将驱动电压ELVDD发送到发光二极管ED，从而允许驱动电流Id流入发光二极管ED。
第七晶体管T7可以是对发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)进行初始化的第二初始化晶体管。第七晶体管T7的第七栅电极连接到第二初始化栅线GI2。第七晶体管T7的第一电极连接到第二初始化电压线VL2。第七晶体管T7的第二电极连接到第六晶体管T6的第二电极和发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)。第七晶体管T7响应于通过第二初始化栅线GI2接收的第二初始化信号Sgi2而导通，并且将第二初始化电压Vaint发送到发光二极管ED的像素电极(例如，阳极)，从而对发光二极管ED的像素电极进行初始化。
在一些实施例中，第二初始化栅线GI2可以用作下一扫描线。在实施例中，例如，连接到布置在第i行(其中，“i”是正整数)中的像素电路PC的第七晶体管T7的第二初始化栅线GI2可以与布置在第(i+1)行中的像素电路PC的扫描线相对应。在另一实施例中，第二初始化栅线GI2可以用作发射控制线EM。在实施例中，例如，发射控制线EM可以电连接到第五晶体管至第七晶体管T5、T6和T7。
存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1连接到第一晶体管T1的第一栅电极，并且存储电容器Cst的上电极CE2连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可以存储与第一晶体管T1的第一栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差相对应的电荷。
升压电容器Cbt可以包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3连接到第二晶体管T2的第二栅电极和扫描线GW，并且第四电极CE4可以连接到第三晶体管T3的第一电极和节点连接线166。当通过扫描线GW供应的扫描信号Sgw截止时，升压电容器Cbt可以增加第一节点N1的电压，并且当第一节点N1的电压增加时，可以清楚地表现黑色灰度。
第一节点N1可以是第一晶体管T1的第一栅电极、第三晶体管T3的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和升压电容器Cbt的第四电极CE4彼此连接的区域。
在实施例中，图4图示第三晶体管T3和第四晶体管T4是n沟道MOSFET，并且第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管T1、T2、T5、T6和T7是p沟道MOSFET。直接影响用于显示图像的显示装置的亮度的第一晶体管T1包括包含具有相当高的可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此，可以实现高分辨率的显示装置。
图5A至图5I是示出制造显示装置的方法的一些操作的实施例的示意性截面图。
参考图5A，像素电路PC可以形成在基板100上。基板100可以包括玻璃材料或者聚合物树脂。基板100可以具有其中包括聚合物树脂的基底层和无机阻挡层堆叠的结构。聚合物树脂可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三醋酸纤维素(TAC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)。
缓冲层101可以布置在基板100的上表面上。缓冲层101可以防止杂质渗透到晶体管的半导体层中。缓冲层101可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层或者多层。
像素电路PC可以布置在缓冲层101上。如图3或者图4中所描述的，像素电路PC可以包括多个晶体管和存储电容器。在实施例中，图5A图示像素电路PC的第一晶体管T1、第六晶体管T6和存储电容器Cst。
第一晶体管T1可以包括缓冲层101上的第一半导体层A1和与第一半导体层A1的沟道区重叠的第一栅电极G1。第一半导体层A1可以包括诸如多晶硅的硅类半导体材料。第一半导体层A1可以包括沟道区以及设置在沟道区的相反侧的第一区和第二区。第一区和第二区是包括具有比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区，并且第一区和第二区中的任何一个可以与源区相对应且另一个可以与漏区相对应。
第六晶体管T6可以包括缓冲层101上的第六半导体层A6和与第六半导体层A6的沟道区重叠的第六栅电极G6。第六半导体层A6可以包括诸如多晶硅的硅类半导体材料。第六半导体层A6可以包括沟道区以及设置在沟道区的相反侧的第一区和第二区。第一区和第二区是包括具有比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区，并且第一区和第二区中的任何一个可以与源区相对应且另一个可以与漏区相对应。
第一栅电极G1和第六栅电极G6可以各自包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)等的导电材料以及包含上述材料的单层或者多层结构。用于与第一半导体层A1和第六半导体层A6电绝缘的第一栅绝缘层103可以设置在第一栅电极G1和第六栅电极G6下面。第一栅绝缘层103可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且可以是包括上述无机绝缘材料的单层或者多层。
存储电容器Cst可以包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在实施例中，存储电容器Cst的下电极CE1可以包括第一栅电极G1。换句话说，第一栅电极G1可以包括存储电容器Cst的下电极CE1。在实施例中，例如，第一栅电极G1和存储电容器Cst的下电极CE1可以是一体的。
第一层间绝缘层105可以布置在存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2之间。第一层间绝缘层105可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述无机绝缘材料的单层或者多层结构。
存储电容器Cst的上电极CE2可以包括诸如Mo、Al、Cu和/或Ti的低电阻导电材料，并且具有包括上述材料的单层或者多层结构。
第二层间绝缘层107可以布置在存储电容器Cst上。第二层间绝缘层107可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述无机绝缘材料的单层或者多层结构。
电连接到第一晶体管T1的第一半导体层A1的源电极S1和/或漏电极D1可以布置在第二层间绝缘层107上。电连接到第六晶体管T6的第六半导体层A6的源电极S6和/或漏电极D6可以布置在第二层间绝缘层107上。源电极S1和S6和/或漏电极D1和D6可以各自包括Al、Cu和/或Ti，并且可以是包括上述材料的单层或者多层。
第一有机绝缘层109可以布置在像素电路PC上。第一有机绝缘层109可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或者六甲基二硅氧烷(HMDSO)等的有机绝缘材料。
连接金属CM可以布置在第一有机绝缘层109上。连接金属CM可以包括Al、Cu和/或Ti，并且可以是包括上述材料的单层或者多层。
第二有机绝缘层111可以布置在连接金属CM和像素电极210之间。第二有机绝缘层111可以包括诸如丙烯酸、BCB、聚酰亚胺或者HMDSO等的有机绝缘材料。根据参考图5A描述的实施例，尽管像素电路PC和像素电极210经由连接金属CM彼此电连接，但是在另一实施例中，可以省略连接金属CM，并且可以在像素电路PC和像素电极210之间布置一个有机绝缘层。在可替代实施例中，三个或者更多个有机绝缘层可以设置在像素电路PC和像素电极210之间，并且像素电路PC和像素电极210可以经由多个连接金属彼此电连接。
像素电极210可以形成在第二有机绝缘层111上。像素电极210可以是(半)透明电极或者反射电极。例如，当像素电极210是(半)透明电极时，像素电极210可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或者氧化铝锌(AZO)，或者由其组成。当像素电极210是反射电极时，像素电极210可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或者它们的任何组合等，或者由其组成，并且包括ITO、IZO、ZnO或者In2O3的膜可以形成在反射膜上。在实施例中，像素电极210可以具有其中ITO层、Ag层和ITO层被顺序堆叠的结构。像素电极210可以经由第二有机绝缘层111的接触孔电连接到连接金属CM。
电极保护层113可以形成在像素电极210上。电极保护层113可以与像素电极210一起被图案化。在实施例中，例如，像素电极210和电极保护层113可以由同一掩模形成。电极保护层113可以防止像素电极210被包括在制造显示装置的工艺中的各种工艺(诸如蚀刻工艺或者灰化工艺等)中使用的气体或者液体材料等损坏。电极保护层113的厚度可以是大约500埃但是本公开不限于此。电极保护层113可以包括被选择性地蚀刻而不损坏像素电极210的材料。在实施例中，例如，电极保护层113可以包括诸如IZO和/或氧化铟镓锌(IGZO)的导电氧化物。
参考图5B，为了覆盖像素电极210，可以顺序形成第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第二无机堤挡层340和第二金属堤挡层350。
第一无机堤挡层310可以遍及整个基板100形成。在实施例中，例如，第一无机堤挡层310可以与像素电极210和电极保护层113重叠，并且可以与第二有机绝缘层111的不存在像素电极210和电极保护层113的上表面直接接触。第一无机堤挡层310可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述无机绝缘材料的单层或者多层结构。
第一金属堤挡层320可以形成在整个第一无机堤挡层310上。第一金属堤挡层320可以包括包含不同金属的多个子金属层。在这一点上，图5B图示第一金属堤挡层320包括第一子金属层323、在第一子金属层323上的第二子金属层325以及在第一子金属层323和第一无机堤挡层310之间的第三子金属层321。在一些实施例中，第一金属堤挡层320可以包括第一子金属层323和第二子金属层325，同时省略了第三子金属层321。
第一子金属层323和第二子金属层325可以包括具有不同蚀刻选择性的金属。在实施例中，例如，第一子金属层323可以包括Al，并且第二子金属层325和第三子金属层321可以包括Ti。
第二无机堤挡层340可以形成在整个第一金属堤挡层320上。第二无机堤挡层340可以包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机绝缘材料，并且具有包括上述无机绝缘材料的单层或者多层结构。
如图5B中所图示，第三无机堤挡层330可以布置在第二无机堤挡层340和第一金属堤挡层320之间。第三无机堤挡层330可以防止由于包括在制造显示装置的工艺中的各种工艺(诸如蚀刻工艺或者灰化工艺等)中使用的气体或者液体材料等对第一金属堤挡层320的损坏。第三无机堤挡层330可以包括被选择性地蚀刻而不损坏第一金属堤挡层320的材料。在实施例中，例如，第三无机堤挡层330可以包括诸如IZO和/或IGZO的导电氧化物。在一些实施例中，可以省略第二无机堤挡层340和第三无机堤挡层330中的任何一个。
第二金属堤挡层350可以形成在整个第二无机堤挡层340上。第二金属堤挡层350可以包括包含不同金属的多个子金属层。在这一点上，图5B图示第二金属堤挡层350包括第四子金属层353、在第四子金属层353上的第五子金属层355以及在第四子金属层353和第二无机堤挡层340之间的第六子金属层351。在一些实施例中，第二金属堤挡层350可以包括第四子金属层353和第五子金属层355，同时省略了第六子金属层351。在一些其他实施例中，第二金属堤挡层350可以被提供为单个金属层。
第四子金属层353和第五子金属层355可以包括具有不同蚀刻选择性的金属。在实施例中，例如，第四子金属层353可以包括Al，并且第五子金属层355和第六子金属层351可以各自包括Ti。
参考图5C，有机堤挡层360可以形成在第二金属堤挡层350上。第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第三无机堤挡层330、第二无机堤挡层340、第二金属堤挡层350和有机堤挡层360可以形成堤挡层300。
当从近似垂直于基板100的上表面的方向观察时，覆盖像素电极210的边缘并且与像素电极210重叠的开口可以被限定在有机堤挡层360中。第二金属堤挡层350的上表面的一部分可以通过有机堤挡层360的开口被暴露。
有机堤挡层360可以是黑色的。有机堤挡层360可以包括遮光材料，并且可以以黑色提供。遮光材料可以包括包含炭黑、碳纳米管或者黑色染料的树脂或者糊剂、金属颗粒(例如，镍(Ni)、Al、Mo或者其任何合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或者金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)等。当有机堤挡层360包括遮光材料时，可以减少由于设置在有机堤挡层360下面的金属结构而导致的外部反射。
第二金属堤挡层350的一部分和第二无机堤挡层340的一部分可以通过有机堤挡层360作为掩模被移除。在实施例中，如图5C中所图示，例如，顺序地，可以通过移除第五子金属层355的一部分来限定第五子开口355OP，可以通过移除第四子金属层353的一部分来限定第四子开口353OP，可以通过移除第六子金属层351的一部分来限定第六子开口351OP，并且可以通过移除第二无机堤挡层340的一部分来限定第二堤挡开口340OP。
在实施例中，可以通过干法蚀刻移除第二金属堤挡层350的一部分和第二无机堤挡层340的一部分。在蚀刻工艺期间，第三无机堤挡层330可以保护在其之下的第一金属堤挡层320。
参考图5D，可以通过移除第三无机堤挡层330的一部分来限定第三堤挡开口330OP。可以通过湿法蚀刻移除第三无机堤挡层330的该部分。
尽管图5D图示第三堤挡开口330OP的宽度与第二堤挡开口340OP的宽度相同，但是在一些实施例中，第三堤挡开口330OP的宽度可以大于第二堤挡开口340OP的宽度。在这种情况下，可以形成底切结构，在该底切结构中，第二无机堤挡层340从第三无机堤挡层330的限定第三堤挡开口330OP的侧表面突出。
在一些实施例中，进一步包括在移除第三无机堤挡层330的该部分之前，通过湿法蚀刻移除第四子金属层353的一部分的工艺。在一些其他实施例中，在通过移除第三无机堤挡层330的该部分来限定第三堤挡开口330OP的工艺中，可以移除第四子金属层353的一部分。在这种情况下，随着第四子开口353OP的宽度(或者面积)增加，可以形成底切结构，在该底切结构中，第五子金属层355从第四子金属层353的限定第四子开口353OP的侧表面突出。
参考图5E，通过作为掩模的有机堤挡层360和第三无机堤挡层330，可以移除第一金属堤挡层320的一部分和第一无机堤挡层310的一部分。在实施例中，例如，顺序地，可以通过移除第二子金属层325的一部分来限定第二子开口325OP，可以通过移除第一子金属层323的一部分来限定第一子开口323OP，可以通过移除第三子金属层321的一部分来限定第三子开口321OP，并且可以通过移除第一无机堤挡层310的一部分来限定第一堤挡开口310OP。第一无机堤挡层310的第一堤挡开口310OP可以与像素电极210的中心部分重叠，并且第一无机堤挡层310可以与像素电极210的边缘重叠。
在实施例中，可以通过干法蚀刻移除第一金属堤挡层320的一部分和第一无机堤挡层310的一部分。在蚀刻工艺中，电极保护层113可以保护在其之下的像素电极210。
如上所述，在一些实施例中，堤挡层300可以不包括第三无机堤挡层330。在这种情况下，省略移除第三无机堤挡层330的湿法蚀刻工艺，并且通过连续的干法蚀刻工艺，可以移除第二金属堤挡层350的一部分、第二无机堤挡层340的一部分、第一金属堤挡层320的一部分和第一无机堤挡层310的一部分。
参考图5F，电极保护层113的至少一部分被移除，并且因此，像素电极210的上表面可以被暴露。可以通过湿法蚀刻移除电极保护层113的至少一部分。
在一些实施例中，布置在第一无机堤挡层310和像素电极210之间的电极保护层113的一部分未通过湿法蚀刻移除，而是可以保留。因此，电极保护层113和第一无机堤挡层310与像素电极210的边缘重叠，以增加像素电极210和第一金属堤挡层320与下面描述的发光二极管的对电极之间的距离，从而防止其间生成电弧等。
在一些其他实施例中，电极保护层113可以被完全移除。在这种情况下，通过移除像素电极210和第一无机堤挡层310之间的电极保护层113而限定的凹槽可以保持为空，或者填充有下面描述的中间层。
在一些实施例中，在移除电极保护层113的至少一部分的工艺中，可以移除第三无机堤挡层330的该部分。在这种情况下，可以增加第三堤挡开口330OP的宽度(或者面积)。
在一些实施例中，在移除电极保护层113的至少一部分的工艺中，可以移除第一子金属层323和/或第四子金属层353的部分。在这种情况下，可以增加第一子开口323OP的宽度(或者面积)和/或第四子开口353OP的宽度(或者面积)。
根据上述工艺，穿过第二金属堤挡层350、第二无机堤挡层340、第三无机堤挡层330、第一金属堤挡层320和第一无机堤挡层310的像素开口OP可以被限定在堤挡层300中。换句话说，像素电极210的上表面可以通过像素开口OP被从堤挡层300暴露。
参考图5G，可以通过湿法蚀刻移除第一子金属层323的一部分、第三无机堤挡层330的该部分和第四子金属层353的一部分。在实施例中，例如，通过进一步移除第一子金属层323的该部分，第一子开口323OP的宽度(或者面积)可以大于第二子金属层325的第二子开口325OP的宽度(或者面积)。因此，随着第二子金属层325从第一子金属层323的限定第一子开口323OP的侧表面突出，可以形成第一尖端PT1。
通过进一步移除第三无机堤挡层330的该部分，第三堤挡开口330OP的宽度(或者面积)可以大于第二无机堤挡层340的第二堤挡开口340OP的宽度(或者面积)。因此，随着第二无机堤挡层340从第三无机堤挡层330的限定第三堤挡开口330OP的侧表面突出，可以形成第二尖端PT2。
通过进一步移除第四子金属层353的该部分，第四子开口353OP的宽度(或者面积)可以大于第五子金属层355的第五子开口355OP的宽度(或者面积)。因此，随着第五子金属层355从第四子金属层353的限定第四子开口353OP的侧表面突出，可以形成第三尖端PT3。
由于第一子金属层323、第三无机堤挡层330和第四子金属层353的蚀刻选择性彼此不同，所以通过湿法蚀刻移除的第一子金属层323、第三无机堤挡层330和第四子金属层353的量可以彼此不同。
在一些实施例中，可以移除有机堤挡层360。图5H至图5I图示有机堤挡层360未被移除并保留的情况。在下文，主要描述存在有机堤挡层360的情况。
参考图5H，中间层220和对电极230可以形成在参考图5G描述的结构上，以与像素电极210重叠。像素电极210、中间层220和对电极230的堆叠结构与发光二极管ED相对应。在一些实施例中，中间层220可以通过诸如热沉积方法的沉积方法形成。在一些实施例中，对电极230可以通过诸如热沉积方法或者溅射方法的沉积方法形成。
中间层220可以包括发射预定颜色(红色、绿色或者蓝色)的光的发光层。发光层可以包括聚合物或者低分子量有机材料。在另一实施例中，发光层可以包括无机材料或者量子点。
中间层220可以包括布置在像素电极210和发光层之间的第一公共层和/或布置在发光层和对电极230之间的第二公共层。第一公共层可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二公共层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一公共层和第二公共层可以各自包括有机材料。
中间层220可以具有包括单个发光层的单堆叠结构，或者是包括多个发光层的多堆叠结构的串联结构。当中间层220具有串联结构时，电荷生成层(CGL)可以布置在多个堆叠之间。
中间层220可以形成在整个基板100上。在实施例中，例如，由于中间层220在没有单独的掩模的情况下被沉积，所以用于形成中间层220的沉积材料可以在堤挡层300的上表面、第一尖端PT1的上表面和侧表面以及第二尖端PT2的上表面和侧表面上形成虚设中间层220b。中间层220和虚设中间层220b可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3彼此分离和隔开。中间层220和虚设中间层220b可以包括相同材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层、发光层和第二公共层)。
对电极230可以包括具有相当低的功函数的导电材料，或者由其组成。在实施例中，例如，对电极230可以包括诸如银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、Ni、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的任何合金等的(半)透明层。在可替代实施例中，对电极230可以进一步包括在包括上述材料的(半)透明层上的层(诸如ITO、IZO、ZnO或者In2O3)。
对电极230可以形成在整个基板100上。在实施例中，例如，由于对电极230在没有单独的掩模的情况下被沉积，所以用于形成对电极230的沉积材料可以在堤挡层300的上表面、第一尖端PT1的上表面和侧表面以及第二尖端PT2的上表面和侧表面上形成虚设对电极230b。对电极230和虚设对电极230b可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3彼此分离和隔开。对电极230和虚设对电极230b可以各自包括相同材料和/或相同数量的子层。
在一些实施例中，中间层220可以通过热沉积工艺形成，并且对电极230可以通过溅射工艺形成。基于垂直于基板100的方向，用于形成对电极230的沉积材料的入射方向可以比其中用于形成中间层220的沉积材料入射的方向更加倾斜。其中布置对电极230的面积可以大于其中沉积中间层220的面积。因此，对电极230可以与第一金属堤挡层320的侧表面直接接触。在实施例中，例如，如图5H中所图示，对电极230可以在被中间层220覆盖的区域之外与第一子金属层323的侧表面直接接触。
在一些实施例中，在沉积工艺中，其中对电极230接触第一金属堤挡层320的侧表面的区域可以通过使基板100倾斜于用于形成对电极230的沉积材料的入射方向而增加。
如上所述，由于第一金属堤挡层320电连接到图2的公共电源布线16，所以对电极230可以经由第一金属堤挡层320接收公共电压ELVSS。
尽管在图5H中未图示，但是封盖层(未示出)可以布置在对电极230上。封盖层可以是被提供以保护对电极230并且同时增加光提取效率的层。封盖层的折射率可以大于对电极230的折射率。在可替代实施例中，封盖层可以通过堆叠具有不同折射率的层被提供。在实施例中，例如，封盖层的折射率可以是大约1.7至大约1.9。封盖层可以包括有机材料。封盖层可以进一步包括LiF。
参考图5I，包括无机封装层510、平坦化层520和保护层530的封装层500可以形成在对电极230上。
无机封装层510可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或者多种无机材料，并且可以通过诸如化学气相沉积法的方法被沉积。无机封装层510可以是包括上述材料的单层或者多层。
由于无机封装层510具有相对优异的阶梯覆盖率，所以可以覆盖第一尖端PT1的下表面的至少一部分、第二尖端PT2的下表面的至少一部分和第三尖端PT3的下表面的至少一部分。在实施例中，例如，如图5I中所图示，无机封装层510可以连续地覆盖虚设对电极230b的上表面和侧表面、第三尖端PT3的下表面、第四子金属层353的限定像素开口OP的侧表面、第二尖端PT2的下表面、第三无机堤挡层330的限定像素开口OP的侧表面，第一尖端PT1的下表面、第一子金属层323的限定像素开口OP的侧表面以及对电极230的上表面。
无机封装层510可以通过直接接触第一尖端PT1的下表面、第二尖端PT2的下表面和第三尖端PT3的下表面来形成无机接触区域。无机接触区域形成完全围绕一个发光二极管ED的闭环，从而减少或者防止诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径。此外，由于第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3的不平坦性，可以改善无机封装层510的粘合力。
平坦化层520可以形成在无机封装层510上。通过填充堤挡层300的像素开口OP，平坦化层520可以为设置在平坦化层520上方的组成元件提供平坦的基底表面。平坦化层520可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或者聚乙烯等。
在一些实施例中，平坦化层520的折射率可以大于无机封装层510的折射率。在实施例中，例如，平坦化层520的折射率可以是大约1.6或者更大。平坦化层520的折射率可以是大约1.6至大约1.9。平坦化层520可以进一步包括相当高的折射率的分散颗粒。在实施例中，例如，诸如锌氧化物(ZnOx)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)或者钛酸钡(BaTiO3)等的金属氧化物颗粒可以分散在平坦化层520中。
保护层530可以布置在平坦化层520上。保护层530可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的一种或者多种无机材料。保护层530可以防止在后续工艺中对平坦化层520的损坏。在实施例中，保护层530的折射率可以小于平坦化层520的折射率。
图6是显示装置的实施例的示意性截面图。图6图示图5I的显示装置的区域A的放大图，以详细地描述堤挡层300的结构。
参考图6，堤挡层300可以包括第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第三无机堤挡层330、第二无机堤挡层340、第二金属堤挡层350和有机堤挡层360，并且与像素电极210重叠的像素开口OP可以被限定在堤挡层300中。
第一金属堤挡层320可以包括第一子金属层323和在第一子金属层323上的第二子金属层325。第一金属堤挡层320可以进一步包括布置在第一子金属层323和第一无机堤挡层310之间的第三子金属层321。第二子金属层325的该部分可以形成从第一子金属层323的限定像素开口OP的侧表面突出的第一尖端PT1。换句话说，第二子金属层325可以包括第一尖端PT1。
第二无机堤挡层340的该部分可以形成从第三无机堤挡层330的限定像素开口OP的侧表面突出的第二尖端PT2。换句话说，第二无机堤挡层340可以包括第二尖端PT2。
第二金属堤挡层350可以包括第四子金属层353和在第四子金属层353上的第五子金属层355。第二金属堤挡层350可以进一步包括布置在第二无机堤挡层340和第四子金属层353之间的第六子金属层351。第五子金属层355的该部分可以形成从第四子金属层353的限定像素开口OP的侧表面突出的第三尖端PT3。换句话说，第五子金属层355可以包括第三尖端PT3。
第一尖端PT1的突出长度d1、第二尖端PT2的突出长度d2和第三尖端PT3的突出长度d3可以彼此相同或者不同。第一尖端PT1的突出长度d1可以是大约2微米(μm)或者更小。在一些实施例中，第一尖端PT1的长度可以是大约0.3μm至大约1μm，或者大约0.3μm至大约0.7μm。尽管图6图示第二尖端PT2的突出长度d2大于第一尖端PT1的突出长度d1和第三尖端PT3的突出长度d3，但是本公开不限于此。
在一些实施例中，如上所述，在通过湿法蚀刻移除第三无机堤挡层330的工艺中，第四子金属层353的一部分被一起移除，并且因此，第一尖端PT1的突出长度d1可以小于第三尖端PT3的突出长度d3。在一些其他实施例中，第一子金属层323的厚度323t可以与第四子金属层353的厚度353t不同。在这种情况下，即使当各层包括相同材料时，蚀刻速度也可能由于暴露于蚀刻材料的面积的差异而变化。在实施例中，例如，第一子金属层323的厚度323t小于第四子金属层353的厚度353t，第一尖端PT1的突出长度d1可以小于第三尖端PT3的突出长度d3。同样，第二尖端PT2的突出长度d2可以通过调整第三无机堤挡层330的厚度330t被确定。
中间层220和对电极230可以通过穿过堤挡层300的像素开口OP而与像素电极210重叠。由于中间层220和对电极230遍及整个基板100形成，所以虚设中间层220b和虚设对电极230b可以形成在堤挡层300的上表面、第二尖端PT2的上表面和侧表面以及第一尖端PT1的上表面和侧表面上。中间层220可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3与虚设中间层220b分离和隔开。同样，对电极230可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3与虚设对电极230b分离和隔开。
由于用于形成对电极230的沉积材料的入射角大于用于形成中间层220的沉积材料的入射角，所以对电极230可以朝向被第一尖端PT1覆盖的区域延伸，以与第一金属堤挡层320直接接触。在实施例中，例如，如图6中所图示，由于对电极230朝向第三子金属层321的上表面和第一子金属层323的侧表面延伸而不与中间层220重叠，所以可以形成对电极230和第一金属堤挡层320与其直接接触的接触部分230CNT。
无机封装层510可以遍及整个对电极230和虚设对电极230b形成。由于无机封装层510具有相对优异的阶梯覆盖率，所以无机封装层510可以覆盖第一尖端PT1的下表面的至少一部分、第二尖端PT2的下表面的至少一部分和第三尖端PT3的下表面的至少一部分。无机封装层510可以通过直接接触第一尖端PT1的下表面、第二尖端PT2的下表面和第三尖端PT3的下表面来形成无机接触区域。
平坦化层520可以形成在无机封装层510上。通过填充堤挡层300的像素开口OP的至少一部分，平坦化层520可以为设置在平坦化层520上方的组成元件提供平坦的基底表面。
在一些实施例中，平坦化层520的折射率可以大于无机封装层510的折射率。在这种情况下，从发光二极管ED的中间层220发射的光可以在与垂直于基板100的上表面的方向(z方向)倾斜的方向上行进，并且然后可以在无机封装层510和平坦化层520之间的界面处折射，以在垂直于基板100的上表面的方向(z方向)上传播。因此，可以改善显示装置的光输出效率(例如，正面光输出效率)。
保护层530可以布置在平坦化层520上。如图6中所图示，平坦化层520可以被图案化以与像素开口OP相对应。在实施例中，平坦化层520可以仅布置在像素开口OP内部，并且可以不与堤挡层300的上表面的至少一部分重叠。在这种情况下，例如，无机封装层510可以通过直接接触堤挡层300的上表面上方的保护层530来形成无机接触区域。因此，即使当裂缝等出现在保护层530的一部分中时，也可以防止诸如湿气和/或空气的杂质通过平坦化层520传播到相邻像素中。
图7是显示装置的实施例的示意性截面图。
参考图7，基板100可以包括第一像素区域至第三像素区域PA1、PA2和PA3以及相邻像素区域之间的非像素区域NPA。
第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可以彼此分开地布置在基板100上。第一发光二极管ED1可以布置在第一像素区域PA1中，第二发光二极管ED2可以布置在第二像素区域PA2中，并且第三发光二极管ED3可以布置在第三像素区域PA3中。
第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以分别设置在基板100与第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3之间。如上面参考图5A所述，第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以各自包括晶体管和存储电容器。
第一发光二极管ED1可以电连接到第一像素电路PC1。在实施例中，例如，第一发光二极管ED1可以具有第一像素电极211、第一中间层221和第一对电极231的堆叠结构，并且第一像素电极211可以电连接到第一像素电路PC1。
第二发光二极管ED2可以电连接到第二像素电路PC2。第二发光二极管ED2可以具有第二像素电极212、第二中间层222和第二对电极232的堆叠结构，并且第二像素电极212可以电连接到第二像素电路PC2。
第三发光二极管ED3可以电连接到第三像素电路PC3。第三发光二极管ED3可以具有第三像素电极213、第三中间层223和第三对电极233的堆叠结构，并且第三像素电极213可以电连接到第三像素电路PC3。
如上面参考图5H所述，第一中间层221、第二中间层222和第三中间层223可以各自包括发光层、第一公共层和/或第二公共层，并且详细的结构和材料如上所述。第一中间层221的发光层、第二中间层222的发光层和第三中间层223的发光层可以分别发射不同颜色的光。
第一像素电极211、第二像素电极212和第三像素电极213可以各自包括内部部分和围绕内部部分的外部部分。在说明书中，“像素电极的外部部分(或者外围部分)”意味着“像素电极的包括像素电极的边缘的一部分”，并且“像素电极的内部部分”意味着像素区域的被上述外部部分(或者外围部分)围绕的其他部分。
第一中间层221接触第一像素电极211的内部部分，并且第一对电极231可以堆叠在第一中间层221上。第一无机堤挡层310可以布置在第一像素电极211的外部部分上。第一无机堤挡层310可以遍及第二有机绝缘层111延伸，以与第一像素电极211的外部部分重叠并且覆盖第一像素电极211的边缘。
类似地，第二中间层222可以接触第二像素电极212的内部部分，并且第二对电极232可以堆叠在第二中间层222上。第一无机堤挡层310可以布置在第二像素电极212的外部部分上。第三中间层223可以接触第三像素电极213的内部部分，并且第三对电极233可以堆叠在第三中间层223上。第一无机堤挡层310可以布置在第三像素电极213的外部部分上。
电极保护层113可以布置在第一像素电极211和第一无机堤挡层310之间、第二像素电极212和第一无机堤挡层310之间以及第三像素电极213和第一无机堤挡层310之间。
堤挡层300可以包括第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第三无机堤挡层330、第二无机堤挡层340、第二金属堤挡层350和有机堤挡层360。第一金属堤挡层320可以包括第一子金属层323、第二子金属层325和第三子金属层321。在一些实施例中，可以省略第三子金属层321。第二金属堤挡层350可以包括第四子金属层353、第五子金属层355和第六子金属层351。在一些实施例中，可以省略第五子金属层355和/或第六子金属层351。
与第一像素电极211重叠的第一像素开口OP1、与第二像素电极212重叠的第二像素开口OP2和与第三像素电极213重叠的第三像素开口OP3可以被限定在堤挡层300中。堤挡层300的第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3各自具有与上面参考图5F至图5I描述的图5F的像素开口OP相同的结构。
第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3中的每一个可以从堤挡层300的上表面穿透到其底表面，并且包括向内突出的多个尖端。在实施例中，例如，第二子金属层325可以具有从第一子金属层323的限定第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3中的每一个的侧表面突出的第一尖端PT1。第二无机堤挡层340可以包括从第三无机堤挡层330的限定第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3中的每一个的侧表面突出的第二尖端PT2。第五子金属层355可以包括从第四子金属层353的限定第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3中的每一个的侧表面突出的第三尖端PT3。在一些实施例中，可以省略第二尖端PT2或者第三尖端PT3。
在显示装置的实施例中，第一中间层221、第二中间层222和第三中间层223以及第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233可以在不使用单独的掩模的情况下被沉积。因此，第一虚设中间层221b、第二虚设中间层222b和第三虚设中间层223b以及第一虚设对电极231b、第二虚设对电极232b和第三虚设对电极233b可以设置在堤挡层300上。
第一虚设中间层221b可以包括与第一中间层221相同材料和/或相同数量的子层。第二虚设中间层222b可以包括与第二中间层222相同材料和/或相同数量的子层。第三虚设中间层223b可以包括与第三中间层223相同材料和/或相同数量的子层。
第一虚设对电极231b可以包括与第一对电极231相同材料和/或相同数量的子层。第二虚设对电极232b可以包括与第二对电极232相同材料和/或相同数量的子层。第三虚设对电极233b可以包括与第三对电极233相同材料和/或相同数量的子层。
尽管图7图示第一虚设中间层221b、第二虚设中间层222b和第三虚设中间层223b彼此不重叠，并且第一虚设对电极231b、第二虚设对电极232b和第三虚设对电极233b彼此不重叠，但是本公开不限于此。在一些实施例中，在非像素区域NPA中，第一虚设中间层221b、第一虚设对电极231b、第二虚设中间层222b、第二虚设对电极232b、第三虚设中间层223b、第三虚设对电极233b的部分彼此重叠，并且因此，可以形成堆叠结构。
第一中间层221、第二中间层222和第三中间层223可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3分别与第一虚设中间层221b、第二虚设中间层222b和第三虚设中间层223b分离。第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233可以通过第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3分别与第一虚设对电极231b、第二虚设对电极232b和第三虚设对电极233b分离。
因此，第一中间层221和第一对电极231在第一像素开口OP1中可以各自具有与第一像素电极211重叠的岛形。第二中间层222和第二对电极232在第二像素开口OP2中可以各自具有与第二像素电极212重叠的岛形。第三中间层223和第三对电极233在第三像素开口OP3中可以各自具有与第三像素电极213重叠的岛形。
第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233中的每一个可以与第一金属堤挡层320直接接触。换句话说，第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233可以电连接到第一金属堤挡层320。在这一点上，图7图示第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233与第一子金属层323和第三子金属层321直接接触。
第一金属堤挡层320可以电连接到图2的公共电源布线16。因此，公共电压ELVSS可以通过第一金属堤挡层320传输到第一对电极231、第二对电极232和第三对电极233。
无机封装层510可以通过直接接触第一尖端PT1的下表面、第二尖端PT2的下表面和第三尖端PT3的下表面来形成无机接触区域。无机封装层510形成完全围绕第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3中的每一个的闭环，从而减少或者防止诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径。此外，由于第一尖端PT1、第二尖端PT2和第三尖端PT3的不平坦性，可以改善无机封装层510的粘合力。
平坦化层520可以形成在无机封装层510上。通过填充堤挡层300的第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3，平坦化层520可以为设置在平坦化层520上方的组成元件提供平坦的基底表面。
保护层530可以形成在平坦化层520上。保护层530可以形成在整个基板100上。如图7中所图示，平坦化层520可以被图案化为与第一像素开口OP1、第二像素开口OP2和第三像素开口OP3中的每一个相对应。在这种情况下，即使当裂缝等出现在保护层530的一部分中时，也可以防止诸如湿气和/或空气的杂质通过平坦化层520传播到相邻像素中。
图8至图11是显示装置的实施例的示意性截面图。图8至图11中所图示的显示装置与参考图5I描述的显示装置类似，但是分别具有一些差异，并且因此，省略了关于相同或者相似的组成元件的描述，并且主要描述差异。
图8的显示装置具有与相对于图5I描述的结构类似的结构，但是不同之处在于，省略了图5I的第三无机堤挡层330。参考图8，堤挡层300可以包括第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第二无机堤挡层340、第二金属堤挡层350和有机堤挡层360。
第一金属堤挡层320可以包括第一子金属层323和在第一子金属层323上的第二子金属层325。第一金属堤挡层320可以进一步包括布置在第一子金属层323和第一无机堤挡层310之间的第三子金属层321。第二子金属层325的一部分可以形成从第一子金属层323的限定像素开口OP的侧表面突出的第一尖端PT1。换句话说，第二子金属层325可以包括第一尖端PT1。
第二金属堤挡层350可以包括第四子金属层353和在第四子金属层353上的第五子金属层355。第二金属堤挡层350可以进一步包括布置在第二无机堤挡层340和第四子金属层353之间的第六子金属层351。第五子金属层355的该部分可以形成从第四子金属层353的限定像素开口OP的侧表面突出的第三尖端PT3。换句话说，第五子金属层355可以包括第三尖端PT3。
第二无机堤挡层340布置在第一金属堤挡层320和第二金属堤挡层350之间，并且可以用作第一尖端PT1的上支撑层。当第二金属堤挡层350包括第六子金属层351时，第二无机堤挡层340可以用作第六子金属层351的下支撑层。
中间层220和虚设中间层220b可以通过第一尖端PT1和第三尖端PT3彼此分离和隔开。对电极230和虚设对电极230b可以通过第一尖端PT1和第三尖端PT3彼此分离和隔开。无机封装层510可以通过直接接触第一尖端PT1的下表面和第三尖端PT3的下表面来形成无机接触区域。
图9的显示装置具有与相对于图5I描述的结构类似的结构，但是不同之处在于，省略了图5I的第三无机堤挡层330并且第二金属堤挡层350以单层形成。参考图9，堤挡层300可以包括第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第二无机堤挡层340、第二金属堤挡层350和有机堤挡层360。
第一金属堤挡层320可以包括第一子金属层323和在第一子金属层323上的第二子金属层325。第一金属堤挡层320可以进一步包括布置在第一子金属层323和第一无机堤挡层310之间的第二子金属层325。第二子金属层325的一部分可以形成从第一子金属层323的限定像素开口OP的侧表面突出的第一尖端PT1。换句话说，第二子金属层325可以包括第一尖端PT1。
第二金属堤挡层350可以以单个金属层形成。第二金属堤挡层350可以包括与第一子金属层323具有不同蚀刻选择性的金属。在实施例中，例如，第一子金属层323可以包括Al，并且第二金属堤挡层350可以包括Ti。
可以选择性地蚀刻第二无机堤挡层340。因此，第二金属堤挡层350的一部分可以形成从第二无机堤挡层340的限定像素开口OP的侧表面突出的第二尖端PT2。换句话说，第二金属堤挡层350可以包括第二尖端PT2。
中间层220和虚设中间层220b可以通过第一尖端PT1和第二尖端PT2彼此分离和隔开。对电极230和虚设对电极230b可以通过第一尖端PT1和第二尖端PT2彼此分离和隔开。无机封装层510可以通过直接接触第一尖端PT1的下表面和第二尖端PT2的下表面来形成无机接触区域。
图10的显示装置具有与相对于图5I描述的结构类似的结构，但是不同之处在于，平坦化层520未被图案化为与像素开口OP相对应，而是被涂覆在整个基板100上。
参考图10，平坦化层520可以布置在无机封装层510上。在实施例中，例如，平坦化层520可以涂覆在整个基板100上。平坦化层520的上表面可以布置为比布置在堤挡层300上的无机封装层510的上表面高。因此，平坦化层520可以与堤挡层300重叠。由于平坦化层520覆盖整个堤挡层300，所以可以向设置在平坦化层520上方的组成元件提供更平坦的基底表面。
在一些实施例中，平坦化层520的折射率可以大于无机封装层510的折射率。在实施例中，平坦化层520的折射率可以是大约1.6或者更大。例如，平坦化层520的折射率可以是大约1.6至大约1.9。
保护层530可以布置在平坦化层520上。
图11的显示装置具有与相对于图5I描述的结构类似的结构，但是不同之处在于，图5I的有机堤挡层360被移除，并且进一步包括反射控制层600。
参考图11，在像素开口OP被限定之后，可以移除图5I的有机堤挡层360。在实施例中，例如，堤挡层300可以包括第一无机堤挡层310、第一金属堤挡层320、第二无机堤挡层340和第二金属堤挡层350。
由于堤挡层300不包括有机材料，所以在制造显示装置的工艺中，可以防止不期望的杂质等移动通过堤挡层300。此外，可以防止由于有机材料等生成的气体而在像素中出现缺陷。
包括遮光层610、滤色器层620和外涂层630的反射控制层600可以布置在保护层530上方。反射控制层600可以降低从外部入射到显示装置上的光(外部光)的反射率。
与像素开口OP相对应的滤色器开口可以被限定在遮光层610中。遮光层610可以包括黑色颜料。遮光层610可以是黑矩阵。因此，遮光层610可以通过覆盖堤挡层300的上表面来防止或者减少入射在第二金属堤挡层350上的光的反射。
滤色器层620可以布置在遮光层610的滤色器开口中，以与布置在其之下的中间层220相对应。滤色器层620可以选择性地透射由中间层220发射的光。在实施例中，例如，当中间层220发射红光时，滤色器层620可以是选择性地透射红光的红色滤色器。当中间层220发射蓝光时，滤色器层620可以是选择性地透射蓝光的蓝色滤色器。当中间层220发射绿光时，滤色器层620可以是选择性地透射绿光的绿色滤色器。
外涂层630可以覆盖遮光层610和滤色器层620。外涂层630是透光层，并且可以通过围绕由于遮光层610和滤色器层620而导致的不平坦性来提供平坦的上表面。外涂层630可以包括诸如丙烯酸类树脂的、无色并且透光的有机材料。
尽管图11中未图示，但是低反射层(未示出)可以布置在第二金属堤挡层350上。低反射层可以是具有比第二金属堤挡层350的表面反射率小的表面反射率的层。低反射层可以包括具有相当高的消光系数k的金属氧化物。在实施例中，例如，低反射层可以包括氧化铜(CuO)、氧化钙(CaO)、钼氧化物(MoOx)和ZnO中的至少一种。在一些实施例中，低反射层可以包括其中CuO和CaO混合的材料。
在如上所述的实施例中，可以实现其中封装每个像素的显示装置和制造该显示装置的方法。本公开的范围不受效果的限制。
应当理解，本文中描述的实施例应当仅在描述性的意义上考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或者优点的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或者优点。虽然已经参考附图描述了实施例，但是本领域普通技术人员将理解，可以在形式和细节上对其进行各种改变，而不脱离由权利要求限定的精神和范围。

Claims (23)

1.一种显示装置，包括：
像素电极；
堤挡层，包括顺序堆叠的第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层和第二金属堤挡层，并且在所述堤挡层中限定与所述像素电极重叠并且穿透所述第一无机堤挡层、所述第一金属堤挡层、所述第二无机堤挡层和所述第二金属堤挡层的像素开口；
中间层，通过所述堤挡层的所述像素开口布置在所述像素电极上；
对电极，通过所述堤挡层的所述像素开口布置在所述中间层上；以及
在所述对电极上的无机封装层，
其中，所述对电极直接接触所述第一金属堤挡层的限定所述像素开口的侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一金属堤挡层包括：
第一子金属层；以及
在所述第一子金属层上的第二子金属层，并且
其中，所述第二子金属层的一部分形成从所述第一子金属层的限定所述像素开口的侧表面突出的第一尖端。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述无机封装层直接接触所述第一尖端的被所述第一子金属层暴露的表面。
4.根据权利要求2所述的显示装置，进一步包括在所述第一金属堤挡层和所述第二无机堤挡层之间的第三无机堤挡层，
其中，所述第二无机堤挡层的一部分形成从所述第三无机堤挡层的限定所述像素开口的侧表面突出的第二尖端，并且
所述无机封装层直接接触所述第二尖端的被所述第三无机堤挡层暴露的表面。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一尖端的突出长度与所述第二尖端的突出长度不同。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二金属堤挡层的一部分形成从所述第二无机堤挡层的限定所述像素开口的侧表面突出的第二尖端，并且
所述无机封装层直接接触所述第二尖端的被所述第二无机堤挡层暴露的表面。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二金属堤挡层包括：
第四子金属层；以及
在所述第四子金属层上的第五子金属层，
其中，所述第五子金属层的一部分形成从所述第四子金属层的限定所述像素开口的侧表面突出的第三尖端，并且
所述无机封装层直接接触所述第三尖端的被所述第四子金属层暴露的表面。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述第一尖端的突出长度与所述第三尖端的突出长度不同。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的显示装置，进一步包括：布置在所述无机封装层上并且填充所述像素开口的平坦化层。
10.根据权利要求9所述的显示装置，进一步包括：在所述平坦化层上的保护层，
其中，所述无机封装层在所述第二金属堤挡层上直接接触所述保护层。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述无机封装层具有第一折射率，并且
所述平坦化层具有大于所述第一折射率的第二折射率。
12.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：在所述第二金属堤挡层和所述无机封装层之间的有机堤挡层。
13.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：
遮光层，所述遮光层布置在所述无机封装层上，并且在所述遮光层中限定与所述像素电极重叠的滤色器开口；以及
与所述像素电极相对应的滤色器层。
14.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括：在所述像素电极的边缘和所述第一无机堤挡层之间的电极保护层。
15.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成像素电极和与所述像素电极相对应的电极保护层；
在所述像素电极上形成堤挡层，所述堤挡层包括第一无机堤挡层、第一金属堤挡层、第二无机堤挡层、第二金属堤挡层和有机堤挡层；
限定与所述像素电极重叠并且穿透所述堤挡层的像素开口；
形成通过所述堤挡层的所述像素开口布置在所述像素电极上的中间层；
形成通过所述堤挡层的所述像素开口布置在所述中间层上并且直接接触所述第一金属堤挡层的限定所述像素开口的侧表面的对电极；以及
在所述对电极上形成无机封装层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一金属堤挡层包括第一子金属层和在所述第一子金属层上的第二子金属层，
限定所述像素开口包括选择性地蚀刻所述第一子金属层和所述第二子金属层中的所述第一子金属层，并且
所述第二子金属层的一部分形成从所述第一子金属层的限定所述像素开口的侧表面突出的第一尖端。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述无机封装层包括：
沉积所述无机封装层，使得所述无机封装层直接接触所述第一尖端的被所述第一子金属层暴露的表面。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述堤挡层包括在所述第一金属堤挡层和所述第二无机堤挡层之间形成第三无机堤挡层，
限定所述像素开口包括选择性地蚀刻所述第三无机堤挡层，并且
所述第二无机堤挡层的一部分形成从所述第三无机堤挡层的限定所述像素开口的侧表面突出的第二尖端。
19.根据权利要求15所述的方法，其中，限定所述像素开口包括选择性地蚀刻所述第二无机堤挡层，并且
所述第二金属堤挡层的一部分形成从所述第二无机堤挡层的限定所述像素开口的侧表面突出的第二尖端。
20.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第二金属堤挡层包括第四子金属层和在所述第四子金属层上的第五子金属层，
限定所述像素开口包括选择性地蚀刻所述第四子金属层和所述第五子金属层中的所述第四子金属层，并且
所述第五子金属层的一部分形成从所述第四子金属层的限定所述像素开口的侧表面突出的第三尖端。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的方法，进一步包括：形成布置在所述无机封装层上并且填充所述像素开口的平坦化层。
22.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：在限定所述像素开口和形成所述中间层之间移除所述有机堤挡层。
23.根据权利要求22所述的方法，进一步包括：
形成布置在所述无机封装层上并且限定与所述像素电极重叠的滤色器开口的遮光层；以及
在所述滤色器开口中形成与所述像素电极相对应的滤色器层。
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