CN220874976U - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

显示设备具有显示区域和在显示区域的外围周围延伸的外围区域并且包括：衬底；像素电极，在显示区域中设置在衬底上；像素限定层，在像素电极上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第一子开口；堤层，在像素限定层上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第二子开口；第一导电层，在堤层上，并且具有超出像素电极和第二子开口向外突出的顶端；发射层，在像素电极和第一导电层之上，并且具有暴露第一导电层的上表面的部分的开口；以及相对电极，在发射层上，并且通过发射层中的开口与第一导电层直接接触。

Description

显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年9月8日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0114490号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部公开内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开的实施方式的方面涉及显示设备及制造显示设备的方法。
背景技术
最近，用于显示设备的使用情况已经多样化。此外，随着显示设备的厚度和重量已经减小，显示设备的应用范围已经增大。
通常，显示设备包括接收电信号并且响应于所述电信号而发射光以显示图像的多个像素。有机发光二极管显示设备的像素包括作为显示元件的有机发光二极管。有机发光二极管包括像素电极、发射层和相对电极。
这样的显示设备可以包括密封显示元件以防止来自外部的氧气和/或湿气渗透到显示元件中的封装层。
实用新型内容
在根据现有技术的显示设备及制造显示设备的方法中，用于确保封装层的接合区域的无效空间(dead space)增大了显示设备的在其显示区域外部的非显示区域。
本公开的实施方式包括其中通过减小无效空间面积(例如，通过减小无效空间的面积)来扩展(或增加)显示区域的显示设备，并且还提供了制造显示设备的方法。然而，本文中描述的实施方式是示例，并且不限制本公开的范围。
本公开的附加的方面和特征部分地将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过对描述的实施方式的实践来获知。
根据本公开的实施方式，显示设备具有显示区域和在显示区域的外围周围延伸的外围区域并且包括：衬底；像素电极，在显示区域中设置在衬底上；像素限定层，在像素电极上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第一子开口；堤层，在像素限定层上，并且具有暴露像素电极的中央部分的第二子开口；第一导电层，在堤层上，并且具有超出像素电极和第二子开口向外突出的顶端(tip)；发射层，在像素电极和第一导电层之上，并且具有暴露第一导电层的上表面的部分的开口；以及相对电极，在发射层上，并且通过发射层中的开口与第一导电层直接接触。
像素限定层可以包括无机绝缘材料，并且堤层可以包括金属材料。
显示设备还可以包括在外围区域中并且配置成接收公共电压的公共电压线，并且像素限定层和堤层可以延伸到外围区域以覆盖公共电压线。像素限定层可以具有暴露公共电压线的上表面的部分的开口，并且堤层可以通过像素限定层中的开口与公共电压线直接接触。
显示设备还可以包括覆盖第一导电层的低反射层，并且低反射层可以包括金属氧化物。
第一导电层可以具有底切结构。
发射层可以通过顶端断开连接，并且相对电极可以通过顶端断开连接。
显示设备还可以包括在相对电极上的无机封装层，并且无机封装层可以与顶端的下表面直接接触。
显示设备还可以包括：遮光层，在无机封装层上，并且具有与像素电极对应的过滤器开口；以及滤色器，在遮光层上，并且与像素电极重叠。
显示设备还可以包括在无机封装层上的有机平坦化层，并且有机平坦化层的折射率可以大于无机封装层的折射率。
有机平坦化层的折射率可以为约1.6或更大。
发射层中的开口可以具有在第二子开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
显示设备还可以包括在像素电极和像素限定层之间的第一残留牺牲层，并且第一残留牺牲层可以与像素电极的边缘重叠。
显示设备还可以包括在堤层和第一导电层之间的第二残留牺牲层，并且第二残留牺牲层可以在顶端之下。
根据本公开的另一实施方式，提供了制造显示设备的方法。所述方法包括：在衬底上形成像素电极和与像素电极对应的第一牺牲层；形成像素限定层和堤层以覆盖第一牺牲层；在堤层上形成在像素电极的外围周围延伸的第二牺牲层；形成第一导电层以覆盖堤层和第二牺牲层；形成第一开口和第一导电层的顶端，第一开口通过穿过像素限定层、堤层和第一导电层而暴露像素电极的中央部分，顶端超出像素电极向外突出；形成具有暴露第一导电层的上表面的部分的开口的发射层；以及在发射层上形成相对电极层。
发射层可以形成在衬底的前表面上。
发射层中的开口可以通过激光打孔工艺形成。
发射层中的开口可以具有在第一开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
第一导电层可以具有底切结构，并且发射层可以通过顶端断开连接。
相对电极层可以通过发射层中的开口与第一导电层直接接触。
所述方法还可以包括在相对电极层上形成无机封装层。
无机封装层可以形成为与顶端的下表面直接接触。
所述方法还可以包括：在无机封装层上形成具有与像素电极对应的过滤器开口的遮光层；以及在遮光层上形成与像素电极重叠的滤色器。
所述方法还可以包括在无机封装层上形成有机平坦化层，并且有机平坦化层的折射率可以大于无机封装层的折射率。
形成第一导电层还可以包括在第一导电层上形成低反射层。
除了以上描述的方面和特征之外，本公开的其它方面和特征将从以下的详细描述、所附的附图和权利要求书变得显而易见。
附图说明
根据以下结合附图的描述，本公开的实施方式的以上和其它方面以及特征将更加显而易见，在附图中：
图1是根据实施方式的显示设备的示意性立体图；
图2是图1中所示的显示设备沿着线A-A'截取的示意性剖视图；
图3是根据实施方式的显示面板的示意性平面图；
图4是根据实施方式的包括在显示设备中的像素的等效电路图；
图5是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图；
图6和图7是根据实施方式的图3中所示的显示面板的区域B的示意性放大平面图；
图8是图5中所示的显示设备的区域E的放大剖视图；
图9是图3中所示的显示面板的部分沿着线C-C'截取的示意性剖视图；
图10是示出根据实施方式的显示设备中的光的路径的剖视图；
图11至图24是依次示出根据实施方式的制造显示设备的方法的一些步骤的剖视图；以及
图25是根据实施方式的显示设备的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施方式，附图中示出了实施方式的示例。所呈现的实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施方式，以解释本说明书的方面和特征。
因为可以应用各种修改并且可以实现一个或更多个实施方式，所以特定实施方式将在附图中示出并且将在具体实施方式中详细地描述。将参考下面参考附图详细描述的实施方式来阐明方面和特征以及用于实现其的方法。然而，实施方式可以以各种形式来实施，并且不限于下面所呈现的实施方式。
将理解，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层，或者还可以存在一个或更多个居间的元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间的元件或层。例如，当第一元件被描述为“联接”或“连接”到第二元件时，第一元件可以直接联接到或直接连接到第二元件，或者第一元件可以经由一个或更多个居间的元件间接联接到或间接连接到第二元件。
在附图中，为了清楚示出，可以夸大各种元件、层等的尺寸。相同的附图标记指定相同的元件。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关列出项目中的一个或更多个的任何和所有组合。此外，当描述本公开的实施方式时使用的“可”涉及“本公开的一个或更多个实施方式”。当在一列表元素之后时，诸如“…中的至少一个”和“…中的任何一个”的表述修饰整个列表的元素并且不修饰该列表中的个别元素。如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以分别被认为与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。如本文中所使用的，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似术语并且不用作程度术语，并且旨在为将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值中的固有偏差留有余量。
将理解，尽管在本文中可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不背离示例性实施方式的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，可以在本文中使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(多个)元件或特征的关系。将理解，除了附图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件将随之被定向在其它元件或特征“上方”或“之上”。因此，术语“下方”可以包含上方和下方两种定向。装置可以另外定向(旋转90度或处于其它定向)，并且本文中所使用的空间相对描述语应相应地进行解释。
本文中所使用的术语用于描述本公开的实施方式的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中所使用的，单数形式“一(a)”和“一个(an)”旨在还包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。
如本文中所使用的，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
如本文中所使用的，指代特定数值的相对术语，诸如“约”或“近似”可以包括由于测量限制或误差而在本领域中所通常接受的范围内的数值。例如，术语“约”可以包括在任何数值的±30％、±20％、±10％或±5％的范围内的值。
当特定实施方式可以不同地实施时，可以与描述的顺序不同地执行特定的工艺顺序。作为示例，连续描述的两个工艺可以基本上同时(或并行)执行，或者可以以与所描述顺序相反的顺序执行。
本文中描述的根据本公开的实施方式的驱动器、电路和/或任何其它相关装置或组件可以利用任何适当的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件和/或软件、固件和硬件的适当组合来实现。例如，驱动器和/或电路的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或者形成在单独的IC芯片上。此外，驱动器和/或电路的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在与驱动器和/或电路相同的衬底上。此外，驱动器和/或电路的各种组件可以是在一个或更多个计算装置中的一个或更多个处理器上运行的、执行计算机程序指令并且与用于执行本文中描述的各种功能的其它系统组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在可以使用标准存储器装置在计算装置中实现的存储器中，诸如例如，随机存取存储器(RAM)。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如例如CD-ROM、闪存驱动器等。此外，本领域技术人员应当认识到，在不背离本公开的示例性实施方式的范围的情况下，各种计算装置的功能可以组合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以分布在一个或更多个其它计算装置中。
图1是根据实施方式的显示设备1的示意性立体图。
参考图1，显示设备1具有显示区域DA和围绕显示区域DA(例如，在平面图中围绕或在显示区域DA的外围周围延伸)的外围区域PA。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素发射的光来显示图像。
外围区域PA可以完全围绕显示区域DA。外围区域PA是其中未布置像素的非显示区域，并且用于向像素提供电信号或电力的驱动器或布线可以布置在外围区域PA中。
显示设备1可以如图1中所示的实施方式中那样具有其中水平长度大于竖直长度的矩形形状，但是本公开不限于此。显示设备1可以具有各种形状，诸如多边形形状、圆形形状或椭圆形形状。
在下文中，有机发光显示设备被描述为根据实施方式的显示设备1的示例，但是根据一个或更多个实施方式的显示设备不限于此。在另一实施方式中，可以使用另一类型的显示设备，诸如量子点发光显示器。
图2是图1中所示的显示设备1沿着线A-A'截取的示意性剖视图。
参考图2，显示设备1可以包括显示面板10、设置在显示面板10上的输入感测层40以及光学功能层50，并且这些层(或元件)可以由窗60覆盖。显示设备1可以包括诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表的各种类型的电子装置(或者可以包括在诸如移动电话、膝上型计算机和智能手表的各种类型的电子装置中)。
显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。像素中的每个可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管或量子点有机发光二极管。
输入感测层40可以根据外部输入(例如，触摸事件)来获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以设置在显示面板10上。输入感测层40可以通过使用互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
输入感测层40可以直接形成在显示面板10上，或者可以单独形成并且然后通过使用诸如光学透明粘合剂的粘合剂层与显示面板10结合。例如，输入感测层40可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成，并且在这样的实施方式中，输入感测层40可以被理解为显示面板10的部分(或层)，并且输入感测层40和显示面板10之间的粘合剂层可以被省略。尽管图2示出了其中输入感测层40在显示面板10和光学功能层50之间的实施方式，但是在另一实施方式中，输入感测层40可以布置在光学功能层50之上(或在光学功能层50上)。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部通过窗60朝向显示面板10入射的光(例如，外部光)的反射率。在实施方式中，抗反射层可以包括黑矩阵和滤色器。滤色器可以根据分别从显示面板10的像素发射的光的颜色来布置。
在另一实施方式中，抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶型延迟器，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶型偏振器。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶型偏振器可以包括液晶(例如，可以包括以特定布置布置的液晶)。延迟器和偏振器中的每个还可以包括保护膜。延迟器和偏振器本身或其保护膜可以被限定为抗反射层的基础层。
在另一实施方式中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此，可以降低外部光的反射率。
在实施方式中，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续地形成。在这样的实施方式中，光学功能层50和显示面板10之间和/或显示面板10和输入感测层40之间的粘合剂层可以被省略。
包括光学透明粘合剂或光学透明树脂的层可以在窗60和光学功能层50之间。
图3是根据实施方式的显示面板10的示意性平面图。如以上参考图2描述的，根据实施方式的显示设备1可以包括显示面板10。可以理解，图3示出了显示面板10的衬底100。
参考图3，显示面板10具有显示区域DA和在显示区域DA外部的外围区域PA。显示区域DA可以是在其处显示图像的区域，并且多个像素P可以布置在显示区域DA中。例如，显示区域DA可以具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状或特定的图形形状。图3示出了其中显示区域DA具有具备圆润的边缘的大致矩形形状的实施方式。
每个像素P是指子像素，并且可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。每个像素P可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
外围区域PA可以布置在显示区域DA外部。用于驱动像素P的外部电路可以布置在外围区域PA中。第一扫描驱动电路11、第二扫描驱动电路12、发射控制驱动电路13、端子14、驱动供电布线15和公共供电布线16(也称为公共电压线)可以布置在外围区域PA中。
第一扫描驱动电路11可以经由扫描线SL向像素P提供扫描信号。第二扫描驱动电路12可以布置成与第一扫描驱动电路11平行，且显示区域DA在它们之间。布置在显示区域DA中的像素P中的一些像素P可以电连接到第一扫描驱动电路11，并且布置在显示区域DA中的像素P中的其它像素P可以电连接到第二扫描驱动电路12。在一些实施方式中，第二扫描驱动电路12可以被省略，在这种情况下，布置在显示区域DA中的像素P中的全部可以电连接到第一扫描驱动电路11。
发射控制驱动电路13布置成靠近第一扫描驱动电路11，并且可以经由发射控制线EL向像素P提供发射控制信号。图3示出了其中发射控制驱动电路13仅布置在显示区域DA的一侧上，但是发射控制驱动电路13可以与第一扫描驱动电路11和第二扫描驱动电路12类似布置在显示区域DA的相对侧上的实施方式。
在实施方式中，外围区域PA可以包括朝向显示区域DA的一侧(例如，在-y方向上)延伸的弯曲区域。弯曲区域朝向显示区域DA的后表面弯曲，并且可以减小当从显示设备1的前表面观察时可见的非显示区域的面积。
驱动芯片20可以布置在外围区域PA中。驱动芯片20可以包括用于驱动显示面板10的集成电路。这样的集成电路可以是用于生成数据信号的数据驱动集成电路，但是一个或更多个实施方式不限于此。
端子14可以布置在外围区域PA中。端子14可以不由绝缘层覆盖以通过其暴露，并且可以电连接到印刷电路板30。印刷电路板30的端子34可以电连接到显示面板10的端子14。
印刷电路板30可以向显示面板10传输用于控制器的信号或电力。由控制器生成的控制信号可以分别通过印刷电路板30传输到驱动电路。此外，控制器可以向驱动供电布线15传输驱动电压ELVDD(参见图4)，并且向公共供电布线16提供公共电压ELVSS(参见图4)。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动供电布线15的驱动电压线PL传输到每个像素P，并且公共电压ELVSS可以传输到连接到公共供电布线16的像素P的相对电极。驱动供电布线15可以具有在一个方向(例如，x-轴方向)上从显示区域DA之下(或下方)延伸的形状。公共供电布线16具有具备开口侧的环形状，并且可以具有至少部分地围绕显示区域DA的形状。
此外，控制器生成数据信号，并且数据信号经由驱动芯片20传输到输入线IL，并且可以经由连接到输入线IL的数据线DL传输到像素P。作为参考，如本文中所使用的，术语“线”可以表示“布线”。
图4是根据实施方式的包括在显示设备1中的像素P的等效电路图。
参考图4，一个像素P可以包括像素电路PC和作为连接到像素电路PC的显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。通过有机发光二极管OLED，每个像素P可以发射例如红光、绿光或蓝光，或者可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
作为开关薄膜晶体管的第二薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以配置成基于从扫描线SL输入的开关电压而向第一薄膜晶体管T1传输从数据线DL输入的数据电压。存储电容器Cst可以连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以配置成存储与从第二薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
作为驱动薄膜晶体管的第一薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置成响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流来发射具有亮度的光。有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极)可以配置成接收公共电压ELVSS。
尽管图4示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的实施方式，但是一个或更多个实施方式不限于此。薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而进行各种改变。例如，除了上述两个薄膜晶体管之外，像素电路PC还可以包括三个或更多个薄膜晶体管。
图5是根据实施方式的显示设备1的示意性剖视图，图6和图7是根据实施方式的图3中所示的显示面板10的区域B的示意性放大平面图，并且图8是图5中所示的显示设备1的区域E的放大剖视图。
图5可以与图6中所示的显示设备1沿着线D-D'截取的截面对应。此外，图5主要描述了显示面板10和光学功能层50，使得为了易于理解，一些元件可以被省略。
参考图5至图8，显示面板10可以包括衬底100。
衬底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。在实施方式中，衬底100可以具有其中交替地堆叠包括聚合物树脂的基础层和防止外部异物渗透的阻隔层的多层结构。
基础层可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。
阻隔层可以包括无机材料，诸如硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)。
发射呈第一颜色的光的第一像素P1、发射呈第二颜色的光的第二像素P2以及发射呈第三颜色的光的第三像素P3可以布置在衬底100的显示区域DA中。第一颜色、第二颜色和第三颜色中的每一种可以是红色、蓝色、绿色和白色中的任何一种(例如，可以发射红色、蓝色、绿色和白色中的任何一种的光)。
第一像素P1可以包括第一像素电路PC1和作为电连接到第一像素电路PC1的显示元件的第一有机发光二极管OLED1。第二像素P2可以包括第二像素电路PC2和电连接到第二像素电路PC2的第二有机发光二极管OLED2。第三像素P3可以包括第三像素电路PC3和电连接到第三像素电路PC3的第三有机发光二极管OLED3。
缓冲层201可以设置在衬底100上，以防止杂质渗透到第一像素电路PC1的薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括诸如SiNx、氮氧化硅(SiON)和SiOx的无机绝缘材料，并且可以是各自包括以上无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以设置在缓冲层201上。第一像素电路PC1可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图5中所示的薄膜晶体管TFT可以与以上参考图4描述的第一薄膜晶体管T1对应。尽管在图5中未示出数据线DL，但是数据线DL电连接到包括在第一像素电路PC1中的第二薄膜晶体管T2。在所示实施方式中，示出了其中栅电极GE布置在半导体层Act之上且栅极绝缘层203在它们之间的顶栅型晶体管；然而，根据另一实施方式，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以具有与第一像素电路PC1相同或类似的结构。在下文中，主要描述第一像素电路PC1的元件。
半导体层Act可以包括多晶硅。在其它实施方式中，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。
半导体层Act和栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、氧化铝(Al2O3)、钛氧化物(TiOx)、五氧化二钽(Ta2O5)和二氧化铪(HfO2)。栅极绝缘层203可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。
存储电容器Cst可以包括下电极CE1和上电极CE2，下电极CE1和上电极CE2彼此重叠且第一层间绝缘层205在它们之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT重叠。在图5中所示的实施方式中，薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1。在另一实施方式中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠。存储电容器Cst可以由第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiOx、Ta2O5和HfO2。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207中的每个可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以定位在相同的层之上，并且可以包括与数据线DL相同的材料。例如，源电极SE、漏电极DE和数据线DL可以设置在第二层间绝缘层207上。源电极SE、漏电极DE和数据线DL中的每个可以包括具有高导电性的材料。源电极SE和漏电极DE中的每个可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。在实施方式中，源电极SE、漏电极DE和数据线DL中的每个可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
各自包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的第一像素电路PC1、第二像素电路PC2和第三像素电路PC3可以由第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以包括基本上平坦的(或平面的)上表面。
电连接到第一像素电路PC1的第一有机发光二极管OLED1、电连接到第二像素电路PC2的第二有机发光二极管OLED2以及电连接到第三像素电路PC3的第三有机发光二极管OLED3可以定位在第一有机绝缘层209之上。
第一像素电路PC1可以电连接到第一有机发光二极管OLED1的第一像素电极221r。例如，如图5中所示，接触金属层CM可以在薄膜晶体管TFT和第一像素电极221r之间。接触金属层CM可以通过穿透第一有机绝缘层209的接触孔(例如，接触开口)连接到薄膜晶体管TFT，并且第一像素电极221r可以通过穿透接触金属层CM上(或接触金属层CM之上)的第二有机绝缘层211的接触孔(例如，接触开口)连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。在实施方式中，接触金属层CM可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的每个可以包括有机绝缘材料，诸如通用聚合物(诸如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其任何共混物)。在实施方式中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的每个可以包括PI。
根据另一实施方式，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211中的一个可以被省略。在这样的实施方式中，接触金属层CM也可以被省略。
第一有机发光二极管OLED1可以包括第一像素电极221r、第一发射层222r和第一相对电极223r。第二有机发光二极管OLED2可以包括第二像素电极221g、第二发射层222g和第二相对电极223g。第三有机发光二极管OLED3可以包括第三像素电极221b、第三发射层222b和第三相对电极223b。第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以具有与第一有机发光二极管OLED1的结构类似或相同的结构。在下文中，主要参考图8详细描述第一有机发光二极管OLED1的结构。
第一像素电极221r可以设置在第二有机绝缘层211上。第一像素电极221r可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化锌铝(AZO)。在另一实施方式中，第一像素电极221r可以包括包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物的反射层。在另一实施方式中，第一像素电极221r还可以包括在以上描述的反射层之上和/或之下的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
像素限定层213和堤层215可以定位在第一像素电极221r之上。像素限定层213可以具有暴露第一像素电极221r的中央部分的第一子开口213OP1，并且当在与衬底100基本上垂直(或正交)的方向(例如，z-轴方向)上观察时，像素限定层213可以与第一像素电极221r的边缘重叠。像素限定层213可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiOx或氮氧化硅(SiOxNy)。
第一残留牺牲层212R可以在第一像素电极221r和像素限定层213之间。第一残留牺牲层212R可以是在去除保护第一像素电极221r的上表面的牺牲层之后剩余的部分。第一残留牺牲层212R可以在其中当在与衬底100基本上垂直的方向(例如，z-轴方向)上观察时像素限定层213和第一像素电极221r彼此重叠的区域中。例如，第一残留牺牲层212R可以沿着第一像素电极221r的边缘定位以暴露第一像素电极221r的中央部分。
第一残留牺牲层212R可以与第一像素电极221r连续地形成，并且可以包括可以在不损坏第一像素电极221r的情况下被选择性地蚀刻的材料。例如，第一残留牺牲层212R可以包括氧化铟镓锌(IGZO)和/或氧化铟锌(IZO)。
第一残留牺牲层212R和像素限定层213与第一像素电极221r的边缘重叠，并且增加第一像素电极221r和第一相对电极223r之间的距离，使得在它们之间不出现电弧等。在一些实施方式中，牺牲层可以被完全去除，并且因此，第一残留牺牲层212R可以不存在。在这样的实施方式中，通过去除第一像素电极221r和像素限定层213之间的牺牲层而形成的凹槽可以是空的或者可以填充有下面要描述的第一发射层222r。
堤层215可以设置在像素限定层213上。堤层215可以具有暴露第一像素电极221r的中央部分的第二子开口215OP1。堤层215中的第二子开口215OP1可以与像素限定层213中的第一子开口213OP1重叠。
堤层215可以包括导电材料。例如，堤层215可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。例如，堤层215可以具有Al/Ti的双层结构或Ti/Al/Ti的三层结构。
像素限定层213和堤层215可以从显示区域DA延伸到衬底100的外围区域PA(例如，参见图3)，并且堤层215可以通过像素限定层213中的开口与定位在外围区域PA(例如，参见图3)中的公共供电布线16直接接触。因此，堤层215可以用作连接电极或辅助布线，以向下面要描述的第一相对电极223r、第二相对电极223g和第三相对电极223b传输公共电压ELVSS。
第一导电层217可以定位在堤层215之上。第一导电层217可以具有暴露第一像素电极221r的中央部分的第三子开口217OP1以及从第一像素电极221r的中央向外突出(例如，远离第一像素电极221r的中央沿着衬底100向外突出)的顶端217T。当在与衬底100的上表面垂直的方向(例如，z-轴方向)上观察时，第一导电层217的顶端217T可以具有完全围绕第一像素电极221r的环形状。
第三子开口217OP1可以与第一子开口213OP1和第二子开口215OP1重叠以构成第一开口OP1。也就是说，第一开口OP1可以穿透像素限定层213、堤层215和第一导电层217以暴露第一像素电极221r的上表面的中央部分，并且下面要描述的第一发射层222r可以通过第一开口OP1(或在第一开口OP1中)与第一像素电极221r重叠并接触。因此，第一开口OP1可以限定第一发射区域EA1。第一发射区域EA1的外部可以被限定为非发射区域NEA。在实施方式中，第一子开口213OP1、第二子开口215OP1和第三子开口217OP1的直径可以基本上彼此相同或类似。
第一导电层217的部分可以在与衬底100垂直的方向(例如，z-轴方向)上与堤层215间隔开，并且可以构成从第一像素电极221r的中央向外突出的顶端217T。因为第一导电层217的顶端217T是通过去除第一导电层217和堤层215之间的牺牲层中的一些而形成的，所以第一导电层217可以具有底切结构。因此，第一导电层217的顶端217T可以具有檐结构，且其下表面被暴露。第一导电层217的顶端217T的突出长度d1可以为约0.5μm或更大。在一些实施方式中，第一导电层217的顶端217T的突出长度d1可以为约0.3μm至约1μm或者约0.3μm至约0.7μm。
第一导电层217可以包括导电材料。例如，第一导电层217可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。例如，第一导电层217可以具有Al/Ti的双层结构或Ti/Al/Ti的三层结构。
在实施方式中，低反射层可以定位在第一导电层217之上。低反射层可以是具有比第一导电层217的表面反射率低的表面反射率的层。低反射层可以防止朝向显示设备1入射的光(例如，外部光)被第一导电层217的表面反射并且被显示设备1的用户识别。
在实施方式中，低反射层可以包括低反射材料。低反射材料可以包括具有高吸光度(例如，高消光系数(k))的金属氧化物。例如，低反射层可以包括氧化铜(CuO)、氧化钙(CaO)、钼氧化物(MoOx)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。在一些实施方式中，低反射层可以包括其中混合CuO和CaO的材料。
第二残留牺牲层214R可以在堤层215和第一导电层217之间。第二残留牺牲层214R可以是被去除以形成第一导电层217的顶端217T的牺牲层的剩余部分。当在与衬底100基本上垂直的方向(例如，z-轴方向)上观察时，第二残留牺牲层214R可以以一定距离与第一像素电极221r间隔开，并且可以具有完全围绕第一像素电极221r的环形状。第一导电层217可以具有由第二残留牺牲层214R形成的底切结构。
第二残留牺牲层214R可以确定第一导电层217的顶端217T的突出长度d1。例如，第二残留牺牲层214R可以定位成比第一导电层217的顶端217T的端部更向内，并且顶端217T的突出长度d1可以是从第二残留牺牲层214R的侧壁到顶端217T的端部(例如，远端部)的长度。
第二残留牺牲层214R可以包括在不损坏第一像素电极221r、堤层215和第一导电层217的情况下可被选择性地蚀刻的材料。例如，第二残留牺牲层214R和第一残留牺牲层212R可以包括相同的材料。
第二残留牺牲层214R可以包括IGZO和/或IZO。
第一发射层222r可以定位在第一像素电极221r和第一导电层217之上。例如，第一发射层222r可以布置成通过第一开口OP1(或在第一开口OP1中)与第一像素电极221r接触。第一像素电极221r可以包括发射第一颜色(例如，红色)的光的聚合物或低分子量有机材料。在另一实施方式中，第一发射层222r可以包括无机材料或量子点。
第一发射层222r可以包括在第一发射层222r之上和/或之下的第一功能层和第二功能层。第一功能层可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二功能层可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
尽管图5和图8示出了其中发射层具有包括单个发射层的单个叠层结构的实施方式，但是在一些实施方式中，显示设备1可以具有串联结构，即包括多个发射层的多叠层结构。当显示设备1具有串联结构时，电荷生成层(CGL)可以在多个叠层之间。
第一发射层222r可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分222rp断开连接。在这样的实施方式中，第一发射层222r可以包括与虚设部分222rp相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一功能层、第二功能层等)。
第一发射层222r可以具有暴露第一导电层217的上表面的部分的至少一个第一孔(例如，至少一个第一开口)222rh。
图6是堤层215、第一发射层222r、第二发射层222g和第三发射层222b的示意图，以更好地描述第一发射层222r中第一孔222rh的位置和形状。第二发射层222g可以包括发射呈第二颜色(例如，绿色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料，并且第三发射层222b可以包括发射呈第三颜色(例如，蓝色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在图6和图7中，未示出第一发射层222r、第二发射层222g和第三发射层222b的虚设部分222rp、222gp和222bp。
参考图6，第一发射层222r可以定位成覆盖第一开口OP1。在这样的实施方式中，第一发射层222r的端部可以与第一导电层217的顶端217T的端部匹配(例如，可以与第一导电层217的顶端217T的端部相同或者可以与第一导电层217的顶端217T的端部对准)。穿透第一发射层222r的至少一个第一孔222rh可以在第一导电层217的顶端217T的端部和第一开口OP1之间。类似地，第二发射层222g可以具有穿透第二发射层222g的至少一个第二孔(例如，至少一个第二开口)222gh，并且第三发射层222b可以具有穿透第三发射层222b的至少一个第三孔(例如，至少一个第三开口)222bh。
尽管图6示出了其中每个像素P1、P2或P3分别具有八个第一孔222rh、八个第二孔222gh和八个第三孔222bh的实施方式，但是第一孔222rh、第二孔222gh和第三孔222bh的数量和形状不限于此。在平面图中，第一孔222rh、第二孔222gh和第三孔222bh可以具有各种形状，诸如圆形形状、椭圆形形状或多边形形状。
在一些实施方式中，诸如图7中所示，第一孔222rh可以与第一开口OP1间隔开，并且可以具有围绕第一开口OP1的至少一部分(或在第一开口OP1的外围的至少一部分周围延伸)的环形状。当第一孔222rh完全围绕第一开口OP1时，第一发射层222r的定位在第一孔222rh内部的第一部分222r1和第一发射层222r的定位在第一孔222rh外部的第二部分222r2可以彼此分离。类似地，第二发射层222g的定位在第二孔222gh内部的第一部分222g1和第二发射层222g的定位在第二孔222gh外部的第二部分222g2可以通过第二孔222gh彼此分离。第三发射层222b的定位在第三孔222bh内部的第一部分222b1和第三发射层222b的定位在第三孔222bh外部的第二部分222b2可以通过第三孔222bh彼此分离。因此，在高分辨率的显示设备1中，可以显著地减小彼此相邻的第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3之间的泄漏电流的影响。
返回参考图8，第一相对电极223r可以设置在第一发射层222r上。第一相对电极223r可以通过第一孔222rh(或在第一孔222rh中)与第一导电层217直接接触。因此，第一相对电极223r可以通过第一导电层217电连接到堤层215。
第一相对电极223r可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分223rp断开连接。第一相对电极223r和虚设部分223rp可以包括相同的材料。
第一相对电极223r可以包括包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。在其它实施方式中，第一相对电极223r还可以包括在包括前面提及的材料的(半)透明层上的诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第一无机封装层311可以设置在第一相对电极223r上。因为第一无机封装层311具有相对良好的台阶覆盖范围，所以第一无机封装层311可以覆盖第一导电层217的顶端217T的暴露的下表面的至少一部分。例如，第一无机封装层311可以连续地形成以覆盖第一相对电极223r的上表面和侧表面、第一发射层222r的侧表面、第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面、第二残留牺牲层214R的侧表面以及堤层215的上表面。
第一无机封装层311可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiON和SiOx。第一无机封装层311可以与第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面上的金属表面直接接触以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR可以形成完全围绕第一有机发光二极管OLED1的闭合环，以减少或阻挡诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径。
如图5中所示，第二无机封装层312可以密封第二有机发光二极管OLED2，并且第三无机封装层313可以密封第三有机发光二极管OLED3。第一无机封装层311、第二无机封装层312和第三无机封装层313在显示区域DA中形成无机接触区域ICR，并且因此，可以减小外围区域PA(例如，参见图3)的减小由发射层引起的剥离缺陷的无机接触区域(例如，无机接触区域的尺寸)。此外，当有机发光二极管OLED被密封在像素单元中时，即使当诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径在衬底100或一个像素P的边界处产生时，也可以防止由此引起的缺陷扩散到相邻的像素P。
有机平坦化层410可以布置成覆盖第一无机封装层311、第二无机封装层312和第三无机封装层313。有机平坦化层410可以覆盖(例如，可以平坦化)由像素限定层213、堤层215和第一导电层217产生的不均匀，以为布置在有机平坦化层410之上的元件提供平坦的基础表面。有机平坦化层410可以包括聚合物基材料。聚合物基材料可以包括丙烯酸树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
在实施方式中，有机平坦化层410的折射率可以大于第一无机封装层311、第二无机封装层312和第三无机封装层313的折射率。例如，有机平坦化层410的折射率可以为约1.6或更大。有机平坦化层410的折射率可以为约1.6至约1.9。有机平坦化层410还可以包括分散的颗粒以实现高折射率。例如，诸如锌氧化物(ZnOx)(ZnOx可以是ZnO和/或ZnO2)、二氧化钛(TiO2)、二氧化锆(ZrO2)和钛酸钡(BaTiO3)的金属氧化物颗粒可以分散在有机平坦化层410中。
保护层420可以设置在有机平坦化层410上。保护层420可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiON和SiOx。在实施方式中，保护层420的折射率可以小于有机平坦化层410的折射率。
抗反射层500可以定位在保护层420之上，并且抗反射层500可以包括第一滤色器510、第二滤色器520、第三滤色器530、遮光层540和外涂层550。抗反射层500可以降低从外部朝向显示设备1入射的光(例如，外部光)的反射率。
遮光层540可以与堤层215和第一导电层217重叠，以至少部分地吸收在非发射区域NEA中由堤层215和第一导电层217反射的光。在这样的实施方式中，非发射区域NEA可以被限定为不与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠(例如，与第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3偏离)的区域。遮光层540可以包括黑颜料。遮光层540可以包括黑矩阵。遮光层540可以具有与第一发射区域EA1对应的第一过滤器开口540OP1、与第二发射区域EA2对应的第二过滤器开口540OP2以及与第三发射区域EA3对应的第三过滤器开口540OP3。
第一滤色器510可以定位在第一过滤器开口540OP1中，使得第一滤色器510与布置在其之下的第一发射层222r对应。第一滤色器510可以选择性地透射从第一发射层222r发射的光。例如，图5中所示的第一滤色器510可以包括透射红光的红色滤色器。
类似地，第二滤色器520可以定位在第二过滤器开口540OP2中以与第二发射层222g对应。第二滤色器520可以选择性地透射从第二发射层222g发射的光。第三滤色器530可以定位在第三过滤器开口540OP3中以与第三发射层222b对应。第三滤色器530可以选择性地透射从第三发射层222b发射的光。例如，图5中所示的第二滤色器520可以包括透射绿光的绿色滤色器，并且第三滤色器530可以包括透射蓝光的蓝色滤色器。
外涂层550可以设置在第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530上。外涂层550是透光层，并且可以通过覆盖(或填充)由第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530以及遮光层540产生的不均匀来提供平坦的上表面。外涂层550可以包括无色透光有机材料，诸如丙烯酸树脂。
尽管在图8和图10中示出了其中遮光层540与堤层215和第一导电层217重叠的实施方式，但是在一些实施方式中，遮光层540可以被省略，并且第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530可以彼此重叠，并且可以至少部分地吸收由堤层215和第一导电层217反射的光。例如，第一滤色器510覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠的开口。第二滤色器520可以覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第一发射区域EA1和第三发射区域EA3重叠的开口。第三滤色器530可以覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第一发射区域EA1和第二发射区域EA2重叠的开口。因此，第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530可以在除了第一发射区域EA1、第二发射区域EA2和第三发射区域EA3之外的非发射区域NEA中彼此重叠。
图9是图3中所示的显示面板10沿着线C-C'截取的部分的示意性剖视图。
参考图9，第二有机绝缘层211可以定位在衬底100的外围区域PA中，并且公共供电布线16可以设置在第二有机绝缘层211上。公共供电布线16可以包括设置在与显示区域DA的第一像素电极221r(例如，参见图5)相同的层上的至少一个金属层。尽管图9示出了其中公共供电布线16包括设置在第二有机绝缘层211上的单层的实施方式，但是公共供电布线16可以包括多个金属层。
第一牺牲层212可以设置在公共供电布线16上。第一牺牲层212可以具有暴露公共供电布线16的上表面的部分的开口212OP。第一牺牲层212可以包括IGZO和/或IZO。
像素限定层213和堤层215可以定位在第一牺牲层212之上。像素限定层213和堤层215可以从显示区域DA(例如，参见图3)延伸到外围区域PA。
像素限定层213可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiOx或SiOxNy。像素限定层213可以具有暴露公共供电布线16的上表面的部分的开口213OP2。第一牺牲层212中的开口212OP和像素限定层213中的开口213OP2可以与公共供电布线16重叠。例如，第一牺牲层212中的开口212OP和像素限定层213中的开口213OP2中的每个具有具备一个开口侧的环形状并且可以具有部分地围绕显示区域DA(例如，参见图3)的形状。
堤层215可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料。堤层215可以与公共供电布线16的通过第一牺牲层212中的开口212OP和像素限定层213中的开口213OP2暴露的上表面直接接触。因此，堤层215和公共供电布线16可以彼此电连接。
如以上参考图5和图8描述的，第一导电层217(例如，参见图5)可以设置在堤层215上，并且堤层215和第一导电层217可以彼此电连接。公共供电布线16可以配置成通过堤层215和第一导电层217(例如，参见图5)将公共电压ELVSS传输到第一相对电极223r、第二相对电极223g和第三相对电极223b。
图10是描述根据实施方式的从显示设备1发射的光的路径的剖视图。图10描述了当有机平坦化层410具有相对高的折射率时从第一有机发光二极管OLED1发射的光的路径。
如以上描述的，有机平坦化层410可以具有比第一无机封装层311的折射率高的折射率。例如，有机平坦化层410的折射率可以在约1.6至约1.9的范围内，并且第一无机封装层311的折射率可以在约1.4至约1.5的范围内。
从第一有机发光二极管OLED1的第一发射层222r发射的第一光Lr可以在相对于与衬底100的上表面垂直的方向(例如，z-轴方向)的倾斜方向上行进，可以在第一无机封装层311和有机平坦化层410之间的界面处折射并且在与衬底100的上表面垂直的方向(例如，z-轴方向)上行进。因此，可以提高显示设备1的光输出效率(例如，正面光输出效率)。
在实施方式中，设置在有机平坦化层410上的保护层420可以具有比有机平坦化层410的折射率低的折射率。因此，在与衬底100的上表面垂直的方向(例如，z-轴方向)上行进的第一光Lr的路径甚至可以通过有机平坦化层410保持在有机平坦化层410和保护层420之间的界面处。
作为比较示例，当有机平坦化层的折射率相对低时，从第一发射层发射的第一光Lr不被折射，并且沿着原始行进路径在相对于与衬底的上表面垂直的方向的倾斜方向上行进，并且因此，第一光Lr可能不(或相对少的第一光Lr可以)从正面到达观看显示设备的用户的眼睛。因此，用于控制光路径的光路径控制层另外形成在封装层之上，并且因此，显示设备的厚度可能增加。然而，根据实施方式，因为有机平坦化层410具有相对高的折射率，所以可以在不增加显示设备1的厚度的情况下提高光输出效率。
图11至图24是依次示出根据实施方式的制造显示设备1的方法的一些步骤的剖视图。图11至图15是与第一像素P1相邻的区域的放大图，并且更详细地描述了像素P的制造工艺。图16至图24示出了包括第一像素P1、第二像素P2和第三像素P3的显示设备1的制造工艺。
参考图11，可以在衬底100上形成第一像素电路PC1。第一像素电路PC1可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。
衬底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。缓冲层201形成为防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中，半导体层Act和栅电极GE之间的栅极绝缘层203、存储电容器Cst的下电极CE1和上电极CE2之间的第一层间绝缘层205以及用于使薄膜晶体管TFT的源电极SE、漏电极DE和栅电极GE绝缘的第二层间绝缘层207可以形成在衬底100上。
可以在第二层间绝缘层207之上形成覆盖第一像素电路PC1的第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211。第二有机绝缘层211可以具有基本上平坦的上表面。
可以在第二有机绝缘层211上形成电连接到第一像素电路PC1的第一像素电极221r。第一像素电极221r可以通过第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211之间的接触金属层CM电连接到第一像素电路PC1。第一像素电极221r可以包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
可以在第一像素电极221r上形成第(1-1)牺牲层212r。第(1-1)牺牲层212r可以包括IGZO和/或IZO。第一像素电极221r和第(1-1)牺牲层212r可以通过使用相同的掩模连续地形成。因此，第(1-1)牺牲层212r可以具有与第一像素电极221r基本上相同的形状，并且可以覆盖第一像素电极221r。
可以在第(1-1)牺牲层212r之上依次形成像素限定层213和堤层215。像素限定层213可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiOx和SiOxNy。堤层215可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。例如，堤层215可以形成为具有Al/Ti的双层结构或Ti/Al/Ti的三层结构。
可以在堤层215上形成完全围绕第一像素电极221r的第二牺牲层214。第二牺牲层214可以与第一像素电极221r的边缘间隔开。例如，第二牺牲层214形成在衬底100的前表面之上，并且可以具有与第一像素电极221r重叠的开口。第二牺牲层214可以包括IGZO和/或IZO。
可以在堤层215和第二牺牲层214之上形成第一导电层217。第一导电层217可以形成为与堤层215的由第二牺牲层214中的开口(或通过第二牺牲层214中的开口)暴露的上表面直接接触。第一导电层217可以包括包括Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括各自包括以上材料的单层或多层结构。
可以在第一导电层217之上形成低反射层。低反射层可以是具有比第一导电层217的表面反射率低的表面反射率的层。低反射层可以包括具有高消光系数(k)的金属氧化物。例如，低反射层可以包括CuO、CaO、MoOx和ZnO中的至少一种。在一些实施方式中，低反射层可以包括其中混合CuO和CaO的材料。
参考图12，可以在第一导电层217上形成第一光刻胶251。第一光刻胶251可以被图案化成具有暴露第一导电层217的上表面的部分的开口。例如，第一光刻胶251中的第一开口251OP1可以与第一像素电极221r重叠，并且第一光刻胶251中的第二开口251OP2可以与第二牺牲层214重叠并且可以具有完全围绕第一像素电极221r(例如，完全在第一像素电极221r周围延伸)的环形状。
参考图13，可以通过使用图12中所示的第一光刻胶251作为掩模来去除像素限定层213、堤层215和第一导电层217的部分。例如，可以在第一光刻胶251中的第一开口251OP1处(或通过第一光刻胶251中的第一开口251OP1)依次去除第一导电层217的部分、堤层215的部分和像素限定层213的部分，并且可以在第一光刻胶251中的第二开口251OP2处(或通过第一光刻胶251中的第二开口251OP2)去除第一导电层217的部分以形成子开口217OP2。第一导电层217的所述部分、堤层215的所述部分和像素限定层213的所述部分可以通过干法蚀刻来去除。在蚀刻工艺期间，第(1-1)牺牲层212r可以保护在其之下的第一像素电极221r，并且第二牺牲层214可以保护在其之下的堤层215。
在蚀刻工艺期间，可以在像素限定层213中形成第一子开口213OP1，可以在堤层215中形成第二子开口215OP1，并且可以在第一导电层217中形成第三子开口217OP1。第一子开口213OP1、第二子开口215OP1和第三子开口217OP1可以彼此重叠，并且可以一起形成穿透像素限定层213、堤层215和第一导电层217的第一开口OP1。
此后，去除第一光刻胶251。
参考图14，可以去除第(1-1)牺牲层212r的至少一部分和第二牺牲层214的部分。可以通过湿法蚀刻来去除第(1-1)牺牲层212r的至少一部分和第二牺牲层214的部分。第(1-1)牺牲层212r被去除，并且因此，第一像素电极221r的上表面可以通过第一开口OP1暴露。在这样的实施方式中，第(1-1)牺牲层212r的与像素限定层213重叠的部分可以不被去除，并且因此可以形成第一残留牺牲层212R。第一残留牺牲层212R可以覆盖第一像素电极221r的边缘。在其它实施方式中，第(1-1)牺牲层212r被完全去除，并且可以在像素限定层213和第一像素电极221r之间形成凹槽。
定位在第一导电层217之下的第二牺牲层214的部分可以不被去除，并且可以形成第二残留牺牲层214R。当在与衬底100基本上垂直的方向(例如，z-轴方向)上观察时，第二残留牺牲层214R可以与第一像素电极221r间隔开一段距离，并且可以具有完全围绕第一像素电极221r的环形状。第二牺牲层214可以被充分蚀刻以具有其中第一导电层217的上表面从第二残留牺牲层214R的侧表面突出(例如，超出第二残留牺牲层214R的侧表面突出)的底切结构。因此，第一导电层217的顶端217T可以具有具备暴露的下表面的檐结构。第一导电层217的顶端217T可以从第二残留牺牲层214R的侧表面突出(或超出第二残留牺牲层214R的侧表面)约0.5μm或更大。
参考图15，可以依次形成第一发射层222r和第一相对电极223r以覆盖堤层215、第一导电层217和第一像素电极221r。在一些实施方式中，第一发射层222r和第一相对电极223r可以通过诸如热蒸发或溅射的沉积方法形成。因为形成第一发射层222r的材料和形成第一相对电极223r的材料沉积在衬底100的前表面上，所以在形成工艺中可以不使用开口掩模或精细金属掩模。
第一发射层222r可以包括配置成发射第一颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。第一发射层222r可以包括第一功能层和在其之上和/或在其之下的第二功能层，并且可以具有单个叠层结构或串联结构。
第一发射层222r可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分222rp断开连接。第一发射层222r可以包括与虚设部分222rp相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一功能层、第二功能层等)。
暴露第一导电层217的上表面的部分的至少一个第一孔(例如，至少第一开口)222rh可以形成在第一发射层222r中。第一孔222rh可以通过激光打孔工艺形成。在一些实施方式中，如图6中所示，第一孔222rh可以设置为与第一开口OP1相邻的多个第一孔222rh。在其它实施方式中，如图7中所示，第一孔222rh可以具有完全围绕第一开口OP1的环形状。
第一相对电极223r可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分223rp断开连接。第一相对电极223r和虚设部分223rp可以包括相同的材料和/或相同数量的子层。
第一相对电极223r可以通过第一孔222rh与第一导电层217的上表面直接接触。因此，第一相对电极223r可以通过第一导电层217电连接到堤层215。
参考图16，可以在衬底100之上定位第二像素电路PC2、电连接到第二像素电路PC2的第二像素电极221g、第三像素电路PC3和电连接到第三像素电路PC3的第三像素电极221b。
可以在第二像素电极221g上设置第(1-2)牺牲层212g，并且可以在第三像素电极221b上设置第(1-3)牺牲层212b。第一像素电极221r、第二像素电极221g和第三像素电极221b可以通过相同的工艺形成。类似地，第(1-1)牺牲层212r、第(1-2)牺牲层212g和第(1-3)牺牲层212b可以通过相同的工艺形成。例如，第一像素电极221r、第(1-1)牺牲层212r、第二像素电极221g、第(1-2)牺牲层212g、第三像素电极221b和第(1-3)牺牲层212b可以在相同的工艺中一起被图案化。
因为在没有单独的掩模的情况下沉积第一发射层222r和第一相对电极223r，所以也可以在第二像素电极221g和第三像素电极221b之上形成第一发射层222r的虚设部分222rp和第一相对电极223r的虚设部分223rp。
可以在第一相对电极223r和虚设部分223rp上形成第一无机绝缘层311a。第一无机绝缘层311a形成在衬底100的前表面之上，并且也可以形成在第二像素电极221g和第三像素电极221b之上。第一无机绝缘层311a可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiON和SiOx。
因为第一无机绝缘层311a具有相对高的台阶覆盖范围，所以第一无机绝缘层311a与第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面上的金属表面直接接触，并且因此可以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR形成完全围绕包括第一像素电极221r、第一发射层222r和第一相对电极223r的第一有机发光二极管OLED1的闭合环，并且因此，可以减少或阻挡诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径。
参考图17，可以在第一无机绝缘层311a上形成第二光刻胶252，并且可以通过使用第二光刻胶252作为掩模来去除第一无机绝缘层311a的部分、第一发射层222r的虚设部分222rp的部分和第一相对电极223r的虚设部分223rp的部分。
当通过去除第一无机绝缘层311a的部分来形成第一无机封装层311时，第二光刻胶252可以覆盖第一导电层217的顶端217T的端部，使得无机接触区域ICR不被损坏。因此，第一发射层222r的虚设部分222rp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分和第一相对电极223r的虚设部分223rp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分可以不被去除。
当蚀刻第一发射层222r的未由第二光刻胶252覆盖的虚设部分222rp和第一相对电极223r的未由第二光刻胶252覆盖的虚设部分223rp时，第一导电层217可以用作阻隔层并且保护在其之下的层。
此后，去除第二光刻胶252。
参考图18，可以在第一无机封装层311和第一导电层217上形成第三光刻胶253。第三光刻胶253可以被图案化成具有暴露第一导电层217的上表面的部分的开口。例如，第三光刻胶253中的第一开口253OP1可以与第二像素电极221g重叠。第三光刻胶253中的第二开口253OP2与相邻于第二像素电极221g的第二牺牲层214重叠，并且可以具有完全围绕第二像素电极221g的环形状。
参考图19，可以通过使用第三光刻胶253作为掩模来去除像素限定层213、堤层215和第一导电层217的部分。例如，可以在第三光刻胶253中的第一开口253OP1处(或通过第三光刻胶253中的第一开口253OP1)依次去除第一导电层217的部分、堤层215的部分和像素限定层213的部分，使得可以形成第二开口OP2。可以在第三光刻胶253中的第二开口253OP2处(或通过第三光刻胶253中的第二开口253OP2)去除第一导电层217的部分。在蚀刻工艺期间，第(1-2)牺牲层212g可以保护在其之下的第二像素电极221g，并且第二牺牲层214可以保护在其之下的堤层215。
去除像素限定层213、堤层215和第一导电层217的部分的详细工艺和结构特性与以上参考图12和图13描述的相同。
此后，可以通过使用湿法蚀刻来去除第(1-2)牺牲层212g的至少一部分和第二牺牲层214的部分。第(1-2)牺牲层212g被去除，并且因此，第二像素电极221g的上表面可以通过第二开口OP2暴露。
去除第(1-2)牺牲层212g的至少一部分和第二牺牲层214的部分的详细工艺和结构特性与以上参考图14描述的相同。例如，第(1-2)牺牲层212g的部分可以不被去除，并且可以形成覆盖第二像素电极221g的边缘的第一残留牺牲层212R。定位在第一导电层217之下的第二牺牲层214的部分可以不被去除，并且可以形成与第二像素电极221g间隔开一段距离并且具有完全围绕第二像素电极221g的环形状的第二残留牺牲层214R。第二牺牲层214可以被充分蚀刻成具有其中第一导电层217的上表面从第二残留牺牲层214R的侧表面突出(例如，超出第二残留牺牲层214R的侧表面突出)的底切结构，并且第一导电层217的顶端217T可以具有具备暴露的下表面的檐结构。
参考图20，可以在参考图19描述的结构之上依次形成第二发射层222g、第二相对电极223g和第二无机绝缘层312a。
第二发射层222g可以包括配置成发射第二颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。第二发射层222g可以包括第一功能层和在其之上和/或在其之下的第二功能层，并且可以具有单个叠层结构或串联结构。
第二发射层222g可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分222gp断开连接。第二发射层222g可以包括与虚设部分222gp相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一功能层、第二功能层等)。
暴露第一导电层217的上表面的部分的至少一个第二孔(例如，至少一个第二开口)222gh可以形成在第二发射层222g中。第二孔222gh可以通过激光打孔工艺形成。
第二相对电极223g可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分223gp断开连接。第二相对电极223g和虚设部分223gp可以包括相同的材料和/或相同数量的子层。
因为在没有单独的掩模的情况下沉积第二发射层222g和第二相对电极223g，所以也可以在第一像素电极221r和第三像素电极221b之上形成第二发射层222g的虚设部分222gp和第二相对电极223g的虚设部分223gp。
第二无机绝缘层312a可以形成在第二相对电极223g和虚设部分223gp上。第二无机绝缘层312a形成在衬底100的前表面之上，并且也可以形成在第一像素电极221r和第三像素电极221b之上。第二无机绝缘层312a可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiON和SiOx。
因为第二无机绝缘层312a具有相对高的台阶覆盖范围，所以第二无机绝缘层312a可以连续地覆盖在其之下的结构。因此，第二无机绝缘层312a可以与第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面上的金属表面直接接触以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR可以形成完全围绕第二有机发光二极管OLED2的闭合环。
参考图21，可以在第二无机绝缘层312a上形成第四光刻胶254，并且可以通过使用第四光刻胶254作为掩模来去除第二无机绝缘层312a的部分、第二发射层222g的虚设部分222gp的部分和第二相对电极223g的虚设部分223gp的部分。
当通过去除第二无机绝缘层312a的部分来形成第二无机封装层312时，第四光刻胶254可以覆盖第一导电层217的顶端217T的端部，使得无机接触区域ICR不被损坏。因此，第二发射层222g的虚设部分222gp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分和第二相对电极223g的虚设部分223gp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分可以不被去除。
此后，去除第四光刻胶254。
参考图22，可以形成包括第三像素电极221b、第三发射层222b和第三相对电极223b的第三有机发光二极管OLED3，并且可以形成密封第三有机发光二极管OLED3的第三无机绝缘层313a。形成第三有机发光二极管OLED3和第三无机绝缘层313a的工艺与参考图12至图16描述的形成第一有机发光二极管OLED1和第一无机绝缘层311a的工艺类似。
例如，可以通过去除第一导电层217的部分、堤层215的部分和像素限定层213的部分来形成第三开口OP3，并且第二牺牲层214的上表面的部分和第(1-3)牺牲层212b的上表面的部分可以被暴露。第三像素电极221b的上表面可以通过去除通过第三开口OP3暴露的第(1-3)牺牲层212b而暴露。通过去除第二牺牲层214的部分，可以形成定位在第一导电层217之下并且具有完全围绕第三像素电极221b的环形状的第二残留牺牲层214R。第一导电层217的上表面可以从第二残留牺牲层214R的侧表面突出(例如，超出第二残留牺牲层214R的侧表面突出)，以形成第一导电层217的具有暴露的下表面的顶端217T。
可以依次形成第三发射层222b和第三相对电极223b以覆盖第一无机封装层311、第二无机封装层312和第一导电层217。因为在没有单独的掩模的情况下沉积形成第三发射层222b的材料和形成第三相对电极223b的材料，所以也可以在第一像素电极221r和第二像素电极221g之上形成第三发射层222b的虚设部分222bp和第三相对电极223b的虚设部分223bp。
第三发射层222b可以包括配置成发射第三颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。暴露第一导电层217的上表面的部分的至少一个第三孔(例如，至少一个第三开口)222bh可以形成在第三发射层222b中。第三孔222bh可以通过激光打孔工艺形成。
第三相对电极223b可以通过第三孔222bh与第一导电层217的上表面直接接触。因此，第三相对电极223b可以通过第一导电层217电连接到堤层215。
第三发射层222b可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分222bp断开连接。类似地，第三相对电极223b可以通过第一导电层217的顶端217T与虚设部分223bp断开连接。
第三无机绝缘层313a形成在衬底100的前表面之上，并且也可以形成在第一像素电极221r和第二像素电极221g之上。第三无机绝缘层313a可以包括无机绝缘材料，诸如SiNx、SiON和SiOx。
因为第三无机绝缘层313a具有相对高的台阶覆盖范围，所以第三无机绝缘层313a可以连续地覆盖在其之下的结构。因此，第三无机绝缘层313a可以与第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面上的金属表面直接接触以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR可以形成完全围绕第三有机发光二极管OLED3的闭合环。
参考图23，可以在第三无机绝缘层313a上形成第五光刻胶255，并且可以通过使用第五光刻胶255作为掩模来去除第三无机绝缘层313a的部分、第三发射层222b的虚设部分222bp的部分和第三相对电极223b的虚设部分223bp的部分。
当通过去除第三无机绝缘层313a的部分来形成第三无机封装层313时，第五光刻胶255可以覆盖第一导电层217的顶端217T的端部，使得无机接触区域ICR不被损坏。因此，第三发射层222b的虚设部分222bp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分和第三相对电极223b的虚设部分223bp的与第一导电层217的顶端217T的端部相邻的部分可以不被去除。
此后，去除第五光刻胶255。
在一些实施方式中，其中形成第二光刻胶252的区域、其中形成第四光刻胶254的区域和其中形成第五光刻胶255的区域可以彼此部分地重叠。在这样的实施方式中，第一发射层222r的虚设部分222rp、第一相对电极223r的虚设部分223rp、第二发射层222g的虚设部分222gp、第二相对电极223g的虚设部分223gp、第三发射层222b的虚设部分222bp和第三相对电极223b的虚设部分223bp中的一些可以在相邻的第一导电层217的顶端217T之间彼此重叠。
因为第一有机发光二极管OLED1由第一无机封装层311密封，所以可以在不损坏第一有机发光二极管OLED1的情况下执行用于形成第二有机发光二极管OLED2、第二无机封装层312、第三有机发光二极管OLED3和第三无机封装层313的一系列工艺。类似地，因为第二有机发光二极管OLED2由第二无机封装层312密封，所以可以在不损坏第二有机发光二极管OLED2的情况下执行用于形成第三有机发光二极管OLED3和第三无机封装层313的一系列工艺。
此外，可以在没有单独的掩模的情况下形成第一有机发光二极管OLED1的第一发射层222r、第二有机发光二极管OLED2的第二发射层222g和第三有机发光二极管OLED3的第三发射层222b。因此，可以通过由省略用于支承掩模的间隔件和/或外坝减小无效空间面积来提高显示区域DA的面积。
参考图24，可以形成有机平坦化层410以覆盖参考图23描述的结构。有机平坦化层410可以通过覆盖(或填充)由像素限定层213、堤层215和第一导电层217产生的不均匀来提供平坦的基础表面。有机平坦化层410可以通过涂布并固化单体来形成。
在实施方式中，有机平坦化层410可以形成为具有比第一无机封装层311、第二无机封装层312和第三无机封装层313的折射率大的折射率。例如，有机平坦化层410的折射率可以在约1.6至约1.9的范围内。有机平坦化层410还可以包括分散的颗粒以实现高折射率。
可以在有机平坦化层410上形成保护层420。保护层420可以通过沉积诸如SiNx、SiON和SiOx的无机绝缘材料来形成。
可以在保护层420之上形成抗反射层500，抗反射层500包括第一滤色器510、第二滤色器520、第三滤色器530、遮光层540和外涂层550。
遮光层540可以形成在保护层420上，并且可以具有与第一发射区域EA1对应的第一过滤器开口540OP1、与第二发射区域EA2对应的第二过滤器开口540OP2以及与第三发射区域EA3对应的第三过滤器开口540OP3。遮光层540可以包括黑矩阵。
第一滤色器510可以形成在第一过滤器开口540OP1中，第二滤色器520可以形成在第二过滤器开口540OP2中，并且第三滤色器530可以形成在第三过滤器开口540OP3中。
外涂层550可以形成在第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530以及遮光层540上。外涂层550可以通过涂布诸如丙烯酸树脂的无色透光有机材料来形成。外涂层550可以通过覆盖(或填充)由第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530以及遮光层540产生的不均匀来提供平坦的上表面。
在一些实施方式中，遮光层540可以被省略，并且第一滤色器510、第二滤色器520和第三滤色器530可以形成为在非发射区域NEA中彼此重叠。例如，第一滤色器510覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第二发射区域EA2和第三发射区域EA3重叠的开口。第二滤色器520可以覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第一发射区域EA1和第三发射区域EA3重叠的开口。第三滤色器530可以覆盖衬底100的显示区域DA，并且可以具有分别与第一发射区域EA1和第二发射区域EA2重叠的开口。
抗反射层500可以阻挡或减少从外部朝向显示设备1入射的光(例如，外部光)由堤层215和第一导电层217的反射。
图25是根据实施方式的显示设备1的剖视图。尽管图25的显示设备1与参考图24描述的显示设备1类似，但是在图25的显示设备1中密封第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3的无机封装层310被整体地设置为单个主体。
参考图25，无机封装层310可以设置在第一相对电极223r、第二相对电极223g和第三相对电极223b上。无机封装层310可以形成在衬底100的前表面之上。无机封装层310具有相对良好的台阶覆盖范围，并且因此可以覆盖第一导电层217的顶端217T的暴露的下表面的至少一部分。无机封装层310可以与第一导电层217的顶端217T的侧表面和下表面上的金属表面直接接触以形成无机接触区域ICR。因此，无机接触区域ICR形成完全围绕第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的每个的闭合环，并且因此，可以减少或阻挡诸如湿气和/或空气的杂质通过其渗透的路径。
尽管图25示出了其中发射不同颜色的光的第一发射层222r、第二发射层222g和第三发射层222b布置成与第一像素电极221r、第二像素电极221g和第三像素电极221b对应的实施方式，但是一个或更多个实施方式不限于此。
在一些实施方式中，发射相同颜色的发射层也可以设置在第一像素电极221r、第二像素电极221g和第三像素电极221b上。例如，第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3可以发射第三颜色的光，并且光转换层可以分别布置在第一有机发光二极管OLED1、第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3中的至少一些之上。在这样的实施方式中，一个发射层可以形成在衬底100的前表面之上。发射层的定位在相邻像素之间的非发射区域NEA中的虚设部分可以整体地设置为单个主体而不彼此间隔开。类似地，在一些实施方式中，一个相对电极可以形成在衬底100的前表面之上。相对电极的定位在相邻像素之间的非发射区域NEA中的虚设部分可以整体地设置为单个主体而不彼此间隔开。
根据以上描述的实施方式，提供了通过减小无效空间的面积而具有扩展的显示区域的显示设备及制造显示设备的方法。然而，本公开及其实施方式均不限于以上方面和特征。
应当理解，本文中描述的实施方式应以描述性含义进行考虑，并且不是出于限制的目的。在实施方式中的每个内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方式中的其它类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离由所附权利要求和其等同限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (10)

1.显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
衬底；
像素电极，在显示区域中设置在所述衬底上；
像素限定层，在所述像素电极上，并且具有暴露所述像素电极的中央部分的第一子开口；
堤层，在所述像素限定层上，并且具有暴露所述像素电极的所述中央部分的第二子开口；
第一导电层，在所述堤层上，并且具有超出所述像素电极和所述第二子开口向外突出的顶端；
发射层，在所述像素电极和所述第一导电层之上，并且具有暴露所述第一导电层的上表面的部分的开口；以及
相对电极，在所述发射层上，并且通过所述发射层中的所述开口与所述第一导电层直接接触。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在外围区域中并且配置成接收公共电压的公共电压线，
其中，所述像素限定层和所述堤层延伸到所述外围区域以覆盖所述公共电压线，
其中，所述像素限定层具有暴露所述公共电压线的上表面的部分的开口，以及
其中，所述堤层通过所述像素限定层中的所述开口与所述公共电压线直接接触。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第一导电层具有底切结构。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述发射层通过所述顶端断开连接，并且所述相对电极通过所述顶端断开连接。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述相对电极上的无机封装层，
其中，所述无机封装层与所述顶端的下表面直接接触。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括：
遮光层，在所述无机封装层上，并且具有与所述像素电极对应的过滤器开口；以及
滤色器，在所述遮光层上，并且与所述像素电极重叠。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述无机封装层上的有机平坦化层，
其中，所述有机平坦化层的折射率大于所述无机封装层的折射率。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述发射层中的所述开口具有在所述第二子开口的外围的至少一部分周围延伸的环形状。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述像素电极和所述像素限定层之间的第一残留牺牲层，所述第一残留牺牲层与所述像素电极的边缘重叠。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述堤层和所述第一导电层之间的第二残留牺牲层，所述第二残留牺牲层在所述顶端之下。
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