KR20220118585A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20220118585A
KR20220118585A KR1020210021919A KR20210021919A KR20220118585A KR 20220118585 A KR20220118585 A KR 20220118585A KR 1020210021919 A KR1020210021919 A KR 1020210021919A KR 20210021919 A KR20210021919 A KR 20210021919A KR 20220118585 A KR20220118585 A KR 20220118585A
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electrode
light emitting
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이민수
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

표시 장치는 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치되며, 상기 회로층과 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 회로층 위에 배치되며 상기 화소 전극의 적어도 일부분을 노출시키는 제1 개구, 및 평면 상에서 보았을 때 상기 화소 전극과 이격된 영역에 정의된 제2 개구를 포함하는 화소 정의층, 상기 제2 개구에 배치되며 상기 화소 전극과 상이한 물질을 포함하는 보조 전극, 상기 화소 전극, 상기 화소 정의층, 및 상기 보조 전극 위에 배치되며, 상기 보조 전극과 중첩하는 영역에 관통홀이 정의된 발광 기능층, 및 상기 발광 기능층 위에 배치되며 상기 관통홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 공통 전극을 포함할 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 컴퓨터, 내비게이션, 게임기 등과 같은 멀티미디어 표시 장치들은 영상을 표시하기 위한 표시 장치를 구비한다. 표시 장치들은 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력 방식 외에 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력 방식을 제공할 수 있는 입력 센서를 구비할 수 있다.
본 발명은 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치되며, 상기 회로층과 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 회로층 위에 배치되며 상기 화소 전극의 적어도 일부분을 노출시키는 제1 개구, 및 평면 상에서 보았을 때 상기 화소 전극과 이격된 영역에 정의된 제2 개구를 포함하는 화소 정의층, 상기 제2 개구에 배치되며 상기 화소 전극과 상이한 물질을 포함하는 보조 전극, 상기 화소 전극, 상기 화소 정의층, 및 상기 보조 전극 위에 배치되며, 상기 보조 전극과 중첩하는 영역에 관통홀이 정의된 발광 기능층, 및 상기 발광 기능층 위에 배치되며 상기 관통홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 공통 전극을 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 회로층 위에 배치된 무기층, 및 상기 무기층 위에 배치된 도전층을 포함할 수 있다.
상기 무기층은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 복수의 제1 메쉬선들, 및 상기 제2 방향을 따라 연장하며, 상기 1 방향을 따라 배열된 복수의 제2 메쉬선들을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 하나의 제1 메쉬선 및 상기 복수의 제2 메쉬선들 중 하나의 제2 메쉬선이 교차하는 교차 영역과 중첩할 수 있다.
상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들은 서로 연결된 일체의 형상을 가질 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 교차 영역에 정의된 확장 부분을 더 포함하고, 상기 확장 부분은 상기 하나의 제1 메쉬선 및 상기 하나의 제2 메쉬선의 교차 부분으로부터 멀어지는 방향으로 확장되어 제공될 수 잇다.
상기 확장 부분의 형상은 원형 또는 다각형 형상일 수 있다.
상기 교차 영역 및 상기 확장 부분 각각은 복수로 제공되고, 상기 복수의 확장 부분들은 상기 복수의 교차 영역들과 각각 중첩할 수 있다.
상기 관통홀은 복수로 제공되고, 상기 복수의 관통홀들은 상기 복수의 패드부분들 및 상기 복수의 교차영역들과 각각 중첩할 수 있다.
상기 관통홀은 복수로 제공되고, 상기 복수의 관통홀들의 수는 상기 복수의 교차 영역들의 수 및 상기 복수의 확장 부분들의 수 각각보다 적고, 상기 복수의 관통홀들은 상기 복수의 교차 영역들 중 일부의 교차 영역들 및 상기 복수의 확장 부분들 중 일부의 확장 부분들과 각각 중첩할 수 있다.
상기 교차 영역 및 상기 확장 부분 각각은 복수로 제공되고, 상기 복수의 확장 부분들의 수는 상기 복수의 교차 영역들의 수보다 적고, 상기 복수의 확장 부분들은 상기 복수의 교차 영역들 중 일부의 교차 영역들과 각각 중첩할 수 있다.
상기 화소 정의층보다 높은 높이를 갖는 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 상기 관통홀과 비중첩할 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 스페이서와 비중첩할 수 있다.
상기 표시 장치에는 영상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주변의 주변 영역이 정의되고, 상기 회로층은 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되며 상기 주변 영역에 배치된 전원 배선, 및 상기 전원 배선과 상기 보조 전극을 연결하는 연결 전극을 더 포함하고, 상기 보조 전극은 상기 액티브 영역으로부터 제1 방향으로 이격된 부분 및 상기 액티브 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 부분에서 상기 연결 전극을 통해 상기 전원 배선으로부터 소정의 전압을 수신할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 베이스층, 상기 베이스층 위에 배치된 회로층, 상기 회로층 위에 배치되며, 상기 회로층과 전기적으로 연결된 화소 전극, 상기 회로층 위에 배치되며 상기 화소 전극의 엣지 부분을 커버하는 복수의 화소 정의 패턴들, 상기 회로층 위에 배치되며 상기 복수의 화소 정의 패턴들 사이에 배치된 보조 전극, 상기 화소 전극, 상기 화소 정의 패턴들, 및 상기 보조 전극 위에 배치되며, 상기 보조 전극과 중첩하는 영역에 관통홀이 정의된 발광 기능층, 및 상기 발광 기능층 위에 배치되며 상기 관통홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 공통 전극을 포함할 수 있다.
상기 복수의 화소 정의 패턴들은 서로 이격되어 배열되고, 평면 상에서 보았을 때, 상기 보조 전극에는 복수의 개구들이 정의되고, 상기 복수의 개구들은 상기 복수의 화소 정의 패턴들을 각각 둘러쌀 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 회로층 위에 배치된 무기층, 및 상기 무기층 위에 배치된 도전층을 포함할 수 있다.
상기 무기층은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 보조 전극은 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 복수의 제1 메쉬선들, 및 상기 제2 방향을 따라 연장하며, 상기 1 방향을 따라 배열된 복수의 제2 메쉬선들을 포함하고, 상기 관통홀은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 하나의 제1 메쉬선 및 상기 복수의 제2 메쉬선들 중 하나의 제2 메쉬선이 교차하는 교차 영역과 중첩할 수 있다.
상기 보조 전극은 상기 교차 영역에 정의된 확장 부분을 더 포함하고, 상기 확장 부분은 상기 하나의 제1 메쉬선 및 상기 하나의 제2 메쉬선의 교차 부분으로부터 멀어지는 방향으로 확장되어 제공될 수 있다.
상술한 바에 따르면, 발광 기능층 아래에 보조 전극이 배치되고, 발광 기능층 위에 공통 전극이 배치된다. 공통 전극은 발광 기능층에 제공된 관통홀을 통해 보조 전극과 접촉할 수 있다. 또한, 공통 전극은 표시 장치의 액티브 영역을 기준으로 좌 우측의 주변 영역뿐만 아니라 하 측의 주변 영역을 통해 전원을 수신할 수 있다. 이에 따라, 공통 전극의 전체 저항이 감소될 뿐만 아니라, 표시 장치의 특정 영역에서 온도가 높아지는 온도 불균일 현상이 감소 또는 제거될 수 있다. 또한, 공통 전극의 저항이 감소됨에 따라, 광학 균일성, 예를 들어, 긴 영역의 휘도 균일도, 색상 균일도가 향상될 수 있다.
또한, 화소 정의층에는 보조 전극이 배치되는 개구가 정의되고, 그에 따라 공통 전극은 화소 정의층에 개구가 정의된 영역에서 센서층과 멀어지도록 휘어진 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 센서층과 공통 전극 사이에 발생하는 기생 커패시터의 용량은 감소될 수 있다. 그에 따라 센서층의 터치 감도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성을 도시한 평면도이다.
도 6a은 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7a는 도 6a에 도시된 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7b는 도 6a에 도시된 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성을 도시한 평면도이다.
도 9는 도 1에 도시된 XX' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 10은 도 1에 도시된 YY' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 11은 도 1에 도시된 XX' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 사전적 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000)는 텔레비전, 모니터, 노트북, 휴대폰, 폴더블 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 표시 장치(1000)가 태블릿인 것을 예시적으로 도시하였다.
표시 장치(1000)에는 액티브 영역(1000A) 및 주변 영역(1000NA)이 정의될 수 있다. 표시 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면을 포함할 수 있다. 주변 영역(1000NA)은 액티브 영역(1000A)의 주변을 둘러쌀 수 있다.
표시 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
표시 장치(1000)는 표시 장치(1000)의 외부에서 인가되는 입력들을 감지할 수 있다. 예를 들어, 외부에서 인가되는 입력은 사용자 신체, 패시브 펜과 같이 정전 용량에 변화를 제공할 수 있는 입력 수단에 의한 입력이거나, 구동 신호를 제공하는 액티브 타입의 입력 수단에 의한 입력일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
표시층(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층 또는 복합재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다.
상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지, 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 “~~” 계 수지는 “~~” 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 이 형성될 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 수분, 산소, 및 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다.
센서층(200)은 표시층(100) 위에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다.
또는, 센서층(200)은 표시층(100)과 접착 부재를 통해 서로 결합될 수 있다. 접착 부재는 통상의 접착제 또는 점착제를 포함할 수 있다.
도시되지 않았으나, 표시 장치(1000)는 센서층(200) 위에 배치된 반사 방지층 및 광학층을 더 포함할 수도 있다. 반사 방지층은 표시 장치(1000)의 외부로부터 입사되는 외부광의 반사율을 감소시킬 수 있다. 광학층은 표시층(100)으로부터 입사된 광의 방향을 제어하여 표시 장치(1000)의 정면 휘도를 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 도 3를 참조하면, 베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 살리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층이 교대로 적층된 구조를 포함할 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘, 저온다결정실리콘, 또는 산화물 반도체를 포함할 수도 있다.
도 3는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비-도핑 영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑된 영역일 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역의 전도성보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브 영역(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 3에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC), 액티브 영역(AL), 및 드레인(DR)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC) 및 드레인(DR)은 단면 상에서 액티브 영역(AL)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 배선(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 배선(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(DR)에 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(GT)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(GT)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(GT)는 액티브 영역(AL)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(GT)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(GT)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 및 실리콘옥시나이트라이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 절연층(20)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 제3 절연층(30)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제3 절연층(30)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함하는 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 배선(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다.
발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자(100PE)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 이하에서, 발광 소자(100PE)가 유기 발광 소자인 것을 예로 들어 설명하나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
발광 소자(100PE)는 화소 전극(AE), 발광 기능층(EL), 및 공통 전극(CE)을 포함할 수 있다.
화소 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 화소 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 접속될 수 있다.
화소 정의층(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 화소 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의층(70)에는 화소 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시키는 제1 개구(70op1) 및 제1 개구(70op1)와 이격된 영역에 정의된 제2 개구(70op2)를 포함할 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 제2 개구(70op2)는 화소 전극(AE)과 이격될 수 있다. 화소 정의층(70)은 제2 개구(70op2)에 의해 복수의 화소 정의 패턴들(70p)로 구성될 수 있다. 하나의 화소 정의 패턴(70p)은 하나의 화소 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 화소 정의 패턴(70p)은 화소 전극(AE)의 엣지 부분을 커버할 수 있다. 화소 정의 패턴(70p)에 의해 커버되지 않은 화소 전극(AE)의 일부분은 후술될 발광 영역(PXA)에 대응할 수 있다.
보조 전극(CE-A)은 제2 개구(70op2)에 배치될 수 있다. 예를 들어, 보조 전극(CE-A)의 화소 정의 패턴들(70p) 사이에 배치될 수 있다. 보조 전극(CE-A)은 화소 전극(AE)과 상이한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 보조 전극(CE-A)은 화소 전극(AE)이 형성된 후에 형성된 구성일 수 있다. 보조 전극(CE-A)에 대한 구체적인 설명은 후술된다.
액티브 영역(1000A, 도 1 참조)은 발광 영역(PXA)과 발광 영역(PXA)에 인접한 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 제1 개구(70op1)에 의해 노출된 화소 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
발광 기능층(EL)은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 발광 기능층(EL)은 화소 전극(AE), 화소 정의층(70), 및 보조 전극(CE-A)을 모두 커버할 수 있다.
발광 기능층(EL)은 복수의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 기능층(EL)은 정공 제어층, 전자 제어층, 및 정공 제어층과 전자 제어층 사이에 배치된 발광층을 포함할 수 있다.
화소 전극(AE)과 발광층 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층과 공통 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
발광층은 제1 개구(70op1)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다. 또한, 발광층이 화소에 연결되어 공통으로 제공된 경우, 발광층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있고, 발광층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
공통 전극(CE)은 발광 기능층(EL) 위에 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 공통 전극(CE)은 발광 기능층(EL)에 형성된 관통홀(EL-O)을 통해 보조 전극(CE-A)에 전기적으로 연결될 수 있다. 관통홀(EL-O)은 보조 전극(CE-A)과 중첩하는 부분에 제공될 수 있으며, 관통홀(EL-O)은 제2 개구(70op2)와 중첩하는 영역에 제공될 수 있다.
발광 기능층(EL)에 레이저 빔이 조사되어 관통홀(EL-O)이 형성될 수 있다. 레이저 빔의 세기를 조절하여 관통홀(EL-O)의 크기가 조절될 수 있다. 발광 기능층(EL)에 관통홀(EL-O)이 형성됨에 따라, 공통 전극(CE)은 보조 전극(CE-A)과 직접 접촉될 수 있다. 그에 따라, 공통 전극(CE)의 전체 저항은 감소될 수 있다. 공통 전극(CE)의 저항이 감소됨에 따라 특정 영역의 온도가 높아지는 온도 불균일 현상이 감소 또는 제거될 수 있다. 또한, 공통 전극(CE)의 저항이 감소됨에 따라, 광학 균일성, 예를 들어, 긴 영역의 휘도 균일도, 색상 균일도가 향상될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 베이스층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐아연주석산화물 (indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
제1 도전층(202)과 공통 전극(CE) 사이에는 기생 커패시터(PCP)가 발생될 수 있다. 커패시터의 용량은 커패시터를 형성하는 두 개의 도전체들 사이의 거리에 반비례하고, 도전체들 사이에 배치된 절연층의 유전율에 비례할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각의 적어도 일부분은 제2 개구(70op2)와 중첩할 수 있다. 따라서, 제1 도전층(202)과 공통 전극(CE) 사이의 거리는 제2 개구(70op2)가 정의된 부분에서 증가될 수 있다. 그 결과, 제2 개구(70op2)와 중첩하는 부분에서의 기생 커패시터(PCP)의 용량은 화소 정의층(70) 위에 배치된 제1 도전층(202)과 공통 전극(CE) 사이에서의 기생 커패시터의 용량보다 감소될 수 있다. 또한, 봉지층(140)에 포함된 유기층(예를 들어, 모노머)의 유전율은 화소 정의층(70)의 유전율보다 보다 더 작을 수 있다. 따라서, 기생 커패시터(PCP)의 용량이 더 감소될 수 있다. 제2 개구(70op2)에 의해 공통 전극(CE)과 제1 도전층(202) 사이의 기생 커패시터(PCP)의 용량이 감소되고, 그 결과 센서층(200)의 터치 감도가 향상될 수 있다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 3 및 도 4a를 참조하면, 보조 전극(CE-A)은 무기층(CEa) 및 도전층(CEb)을 포함할 수 있다. 도전층(CEb)은 무기층(CEa) 위에 배치될 수 있다.
무기층(CEa)은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 무기층(CEa)에 의해 보조 전극(CE-A)을 형성하는 공정 중에 다른 층들에 데미지가 발생되는 것이 방지될 수 있다.
도전층(CEb)은 무기층(CEa) 위에 배치될 수 있다. 도전층(CEb)은 제1 도전층(CEb1), 제2 도전층(CEb2), 및 제3 도전층(CEb3)을 포함할 수 있다. 제1 도전층(CEb1), 제2 도전층(CEb2), 및 제3 도전층(CEb3)은 무기층(CEa) 위에 순차적으로 배치될 수 있다. 제1 도전층(CEb1)은 티타늄, 제2 도전층(CEb2)은 알루미늄, 및 제3 도전층(CEb3)은 티타늄일 수 있으나 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 3 및 도 4b를 참조하면, 보조 전극(CE-A1)은 무기층(CEa) 및 도전층(CEb-1)을 포함할 수 있다. 도전층(CEb-1)은 도 4a에 설명된 제2 도전층(CEb2) 및 제3 도전층(CEb3)을 포함할 수 있다. 제2 도전층(CEb2), 및 제3 도전층(CEb3)은 무기층(CEa) 위에 순차적으로 배치될 수 있다.
도 4c는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 단면도이다.
도 3 및 도 4c를 참조하면, 보조 전극(CE-A2)은 무기층(CEa) 및 도전층(CEb-2)을 포함할 수 있다. 도전층(CEb-2)은 단층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 도전층(CEb-2)은 구리, 은, 또는 금을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성을 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 화소 정의층(70) 및 보조 전극(CE-A)이 도시되었다. 화소 정의층(70)은 제2 개구(70op2)에 의해 복수의 화소 정의 패턴들(70p)로 구분될 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 화소 정의 패턴들(70p) 각각의 내주면은 제1 개구(70op1)를 정의하고, 화소 정의 패턴들(70p) 각각의 외주면은 제2 개구(70op2)를 정의할 수 있다.
보조 전극(CE-A)은 제2 개구(70op2)에 배치될 수 있다. 보조 전극(CE-A)은 스페이서(SPC)가 배치된 부분에는 배치되지 않을 수 있다. 스페이서(SPC)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 스페이서(SPC)는 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPC)는 화소 정의층(70) 위에 추가로 배치되거나, 화소 정의층(70)과 동일한 물질로 일체로 형성될 수 있다. 스페이서(SPC)의 두께는 화소 정의층(70)의 두께보다 클 수 있다. 따라서, 스페이서(SPC)의 높이는 화소 정의층(70)의 높이보다 높을 수 있다.
스페이서(SPC)는 화소 정의층(70)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의층(70)은 흑색 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 스페이서(SPC)도 흑색 물질을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
보조 전극(CE-A)은 제1 메쉬선들(MS1) 및 제2 메쉬선들(MS2)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(MS1)은 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 연장하며, 제2 교차 방향(DRC2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 메쉬선들(MS2)은 제2 교차 방향(DRC2)을 따라 연장하며, 제1 교차 방향(DRC1)을 따라 배열될 수 있다. 제1 교차 방향(DRC1)은 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2) 사이의 방향일 수 있고, 제2 교차 방향(DRC2)은 제1 교차 방향(DRC1)과 교차하는 방향일 수 있다.
도 6a은 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 6a를 참조하면, 보조 전극(CE-A)과 발광 기능층(EL)에 형성된 관통홀(EL-O)이 도시되었다. 관통홀(EL-O)은 보조 전극(CE-A)의 제1 메쉬선(MS1)과 제2 메쉬선(MS2)이 교차하는 교차 영역(CSA)과 중첩하는 발광 기능층(EL)에 정의될 수 있다. 교차 영역(CSA)은 복수로 제공되고, 관통홀(EL-O)도 복수로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 교차 영역들(CSA)에는 관통홀들(EL-O)이 각각 중첩될 수 있다. 이 경우, 교차 영역들(CSA)과 중첩하는 영역들 모두에 레이저 드릴링 공정이 진행될 수 있다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 전극의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 6a를 참조하면, 보조 전극(CE-A)과 발광 기능층(EL)에 형성된 관통홀(EL-O)이 도시되었다. 관통홀(EL-O)은 보조 전극(CE-A)의 제1 메쉬선(MS1)과 제2 메쉬선(MS2)이 교차하는 교차 영역(CSA)과 중첩하는 발광 기능층(EL)에 정의될 수 있다. 교차 영역(CSA)은 복수로 제공되고, 관통홀(EL-O)도 복수로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 관통홀들(EL-O)은 교차 영역들(CSA) 중 일부와 중첩될 수 있다. 관통홀들(EL-O)의 수는 교차 영역들(CSA)의 수보다 적을 수 있다. 관통홀들(EL-O)의 배치 밀도 및 위치는 표시 장치(1000, 도 1 참조)의 사이즈 및 전류 쏠림 현상 등을 고려하여 결정될 수 있다.
도 7a는 도 6a에 도시된 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6a 및 도 7a를 참조하면, 보조 전극(CE-A)은 확장 부분(CEP)을 더 포함할 수 있다. 확장 부분(CEP)은 하나의 제1 메쉬선(MS1)과 하나의 제2 메쉬선(MS2)이 교차하는 교차 영역(CSA)으로부터 멀어지는 방향으로 확장되어 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 확장 부분(CEP)은 모든 교차 영역들(CSA)에 정의될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 확장 부분(CEP)은 교차 영역들(CSA) 중 일부 교차 영역에만 정의될 수도 있다. 예를 들어, 도 6b에 도시된 바와 같이 관통홀들(EL-O)이 교차 영역들(CSA) 중 일부분에만 정의되는 경우, 관통홀들(EL-O)이 형성될 위치에 대응하는 교차 영역들(CSA)에만 확장 부분(CEP)이 제공될 수 있다.
확장 부분(CEP)에 의해, 교차 영역(CSA)의 면적이 확장될 수 있다. 따라서, 레이저 드릴링 공정 중에 보조 전극(CE-A) 아래에 배치된 구성들에 가해질 수 잇는 데미지가 확장 부분(CEP)에 의해 감소 또는 제거될 수 있다.
확장 부분(CEP)은 교차 영역(CSA)의 면적을 확장시킬 수 있다면 다양한 형상으로 구현될 수 있다. 도 7a에서는 확장 부분(CEP)이 원형 형상을 갖는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 확장 부분(CEP)은 타원형 또는 비정형의 형상을 가질 수도 있다.
도 7b는 도 6a에 도시된 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7b를 참조하면, 확장 부분(CEP-1)의 형상이 도 7a의 확장 부분(CEP)의 형상과 차이가 있다. 확장 부분(CEP-1)은 팔각형 형상을 가질 수 있다. 다만, 이에 특별히 제한되는 것은 아니며, 확장 부분(CEP-1)은 사각형, 또는 오각형과 같은 다각형 형상을 가질 수도 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성을 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 8을 참조하면, 화소 정의층(70-1) 및 보조 전극(CE-Ax)이 도시되었다. 화소 정의층(70-1)은 제2 개구(70op2-1)에 의해 복수의 화소 정의 패턴들(70p-1)로 구분될 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 화소 정의 패턴들(70p-1) 각각의 내주면은 제1 개구(70op1-1)를 정의하고, 화소 정의 패턴들(70p-1) 각각의 외주면은 제2 개구(70op2-1)를 정의할 수 있다.
보조 전극(CE-Ax)은 제2 개구(70op2-1)에 배치될 수 있다. 보조 전극(CE-Ax)은 스페이서(SPC-1)가 배치된 부분에는 배치되지 않을 수 있다. 스페이서(SPC-1)는 유기 물질을 포함할 수 있다. 스페이서(SPC-1)는 단층 또는 다층일 수 있다. 예를 들어, 스페이서(SPC-1)는 화소 정의층(70-1) 위에 추가로 배치되거나, 화소 정의층(70-1)과 동일한 물질로 일체로 형성될 수 있다. 스페이서(SPC-1)의 두께는 화소 정의층(70-1)의 두께보다 클 수 있다.
스페이서(SPC-1)는 화소 정의층(70-1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 화소 정의층(70-1)은 흑색 물질을 포함할 수 있고, 이 경우, 스페이서(SPC-1)도 흑색 물질을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
보조 전극(CE-Ax)은 제1 메쉬선들(MS1a) 및 제2 메쉬선들(MS2a)을 포함할 수 있다. 제1 메쉬선들(MS1a)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장할 수 있다. 도 8에는 하나의 제1 메쉬선(MS1a)이 도시되었으나, 제1 메쉬선들(MS1a)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 메쉬선들(MS2a)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장하며, 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 XX' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 10은 도 1에 도시된 YY' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 공통 전극(CE), 보조 전극(CE-A), 연결 전극(PCN), 및 전원 배선(PL)이 도시되었다.
도 3, 도 9, 및 도 10을 참조하면, 공통 전극(CE)은 액티브 영역(1000A)의 전체와 중첩할 수 있다. 공통 전극(CE)은 주변 영역(1000NA)으로 더 확장될 수 있다.
보조 전극(CE-A)은 액티브 영역(1000A)에 배치된 제1 및 제2 메쉬선들(MS1, MS2), 및 주변 영역(1000NA)에 배치된 제1 및 제2 보조 연결 부분들(CENS, CENB)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 보조 연결 부분들(CENS, CENB) 각각은 주변 영역(1000NA)과만 중첩하기 때문에 개구가 정의되지 않을 수 있다. 하지만, 이에 특별히 제한되는 것은 아니며, 제1 및 제2 보조 연결 부분들(CENS, CENB)에는 가스 배출을 위해 개구가 정의될 수도 있다.
전원 배선(PL)은 전원, 예를 들어, ELVSS 전압을 수신하는 배선일 수 있다. 전원 배선(PL)은 복수의 도전층으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 전원 배선(PL)은 제1 연결 전극(CNE1)과 동일한 물질을 포함하는 제1 전원 배선층 및 제2 연결 전극(CNE2)과 동일한 물질을 포함하는 제2 전원 배선층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전원 배선층은 제1 연결 전극(CNE1)과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있고, 상기 제2 전원 배선층은 제2 연결 전극(CNE2)과 동일한 공정을 통해 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 전원 배선(PL)은 하나의 도전층으로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 전원 배선(PL)은 제1 연결 전극(CNE1)과 동일한 물질을 포함하는 하나의 전원 배선층만으로 구성될 수도 있다.
표시 장치(1000)는 전원 배선(PL)과 보조 전극(CE-A)을 연결하는 연결 전극(PCN)을 더 포함할 수 있다. 연결 전극(PCN)의 일부분은 전원 배선(PL)과 접촉하고, 연결 전극(PCN)의 다른 일부분은 보조 전극(CE-A)과 접촉할 수 있다. 연결 전극(PCN)은 도 3에 도시된 화소 전극(AE)과 전기적으로 절연되나, 연결 전극(PCN)은 화소 전극(AE)과 동일한 물질을 포함할 수 있고, 화소 전극(AE)과 동시에 형성될 수 있다. 연결 전극(PCN)에는 연결 전극(PCN) 아래에 배치된 층들의 가스 배출을 위한 개구가 정의될 수 있다. 다만, 이에 특별히 제한되는 것은 아니며, 연결 전극(PCN)에는 개구가 정의되지 않을 수도 있다.
공통 전극(CE)은 보조 전극(CE-A)과 액티브 영역(1000A) 내에서뿐만 아니라 주변 영역(1000NA)에서도 접촉될 수 있다. 예를 들어, 공통 전극(CE)은 액티브 영역(1000A)에서는 발광 기능층(EL)에 정의된 관통홀(EL-O)을 통해 보조 전극(CE-A)에 접촉될 수 있다. 또한, 공통 전극(CE)은 주변 영역(1000NA)에서 제1 및 제2 보조 연결 부분들(CENS, CENB) 각각과 접촉할 수 있다.
전원 배선(PL)을 통해 공급된 전원은 연결 전극(PCN), 보조 전극(CE-A)을 통해 공통 전극(CE)에 제공될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 보조 전극(CE-A)은 액티브 영역(1000A)으로부터 제1 방향(DR1)으로 이격된 부분 및 제2 방향(DR2)으로 이격된 부분에서 연결 전극(PCN)을 통해 전원 배선(PL)으로부터 소정의 전압을 수신할 수 있다. 액티브 영역(1000A)을 기준으로 좌 우측의 주변 영역(1000NA) 및 하 측의 주변 영역(1000NA)에서 공통 전극(CE)이 제1 및 제2 보조 연결 부분들(CENS, CENB)과 각각 접촉할 수 있다. 이 경우, 공통 전극(CE)은 전원을 특정 영역에 집중되어서가 아닌 여러 포인트를 통해 수신할 수 있다. 그에 따라 표시 장치(1000)의 특정 영역의 온도가 높아지는 온도 불균일 현상이 감소 또는 제거될 수 있다. 또한, 공통 전극(CE)의 저항이 감소됨에 따라, 광학 균일성, 예를 들어, 긴 영역의 휘도 균일도, 색상 균일도가 향상될 수 있다.
도 11은 도 1에 도시된 XX' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 11을 참조하면, 공통 전극(CE), 보조 전극(CE-A), 연결 전극(PCN), 및 전원 배선(PL)이 각각 도시되었다. 도 9와 비교하였을 때, 전원 배선(PL), 연결 전극(PCN), 및 제1 보조 연결 부분(CENS)에는 제1 내지 제3 개구들(PL-O, PCN-O, CE-O)이 각각 정의될 수 있다.
제1 내지 제3 개구들(PL-O, PCN-O, CE-O)은 가스 배출을 위해 전원 배선(PL), 연결 전극(PCN), 및 제1 보조 연결 부분(CENS)에 각각 제공될 수 있다.
예를 들어, 전원 배선(PL)에는 복수의 제1 개구들(PL-O)이 제공될 수 있다. 연결 전극(PCN)에는 복수의 제2 개구들(PCN-O)이 제공될 수 있다. 제1 보조 연결 부분(CENS)에는 복수의 제3 개구들(CE-O)이 제공될 수 있다.
복수의 제1 개구들(PL-O), 복수의 제2 개구들(PCN-O), 및 복수의 제3 개구들(CE-O) 각각은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 매트리스 형태로 배열될 수 있으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 복수의 제1 개구들(PL-O), 복수의 제2 개구들(PCN-O), 및 복수의 제3 개구들(CE-O) 각각의 배열 형태는 다양하게 변형될 수 있다.
또한, 도 10에서는 복수의 제1 개구들(PL-O), 복수의 제2 개구들(PCN-O), 및 복수의 제3 개구들(CE-O) 각각이 사각형 형상을 갖는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제1 개구들(PL-O), 복수의 제2 개구들(PCN-O), 및 복수의 제3 개구들(CE-O)은 평면 상에서 보았을 때, 원형, 삼각형, 타원형, 직사각형, 육각형, 비정형의 형상, 특정 방향으로 연장하는 슬릿 형상 등 다양한 형태로 변형될 수 있다.
또한, 복수의 제1 개구들(PL-O), 복수의 제2 개구들(PCN-O), 및 복수의 제3 개구들(CE-O)이 서로 비중첩하는 것을 예로 들어 도시하였으나, 이에 특별히 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 복수의 제1 개구들(PL-O) 중 일부는 복수의 제2 개구들(PCN-O) 중 일부와 중첩할 수도 있고, 복수의 제2 개구들(PCN-O) 중 일부는 복수의 제3 개구들(CE-O) 중 일부와 중첩할 수도 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 표시 장치 100: 표시층
200: 센서층 AE: 화소 전극
CE: 공통 전극 EL: 발광 기능층
70: 화소 정의층 70op1: 제1 개구
70op2: 제2 개구 70p: 화소 정의 패턴
CE-A: 보조 전극

Claims (20)

  1. 베이스층;
    상기 베이스층 위에 배치된 회로층;
    상기 회로층 위에 배치되며, 상기 회로층과 전기적으로 연결된 화소 전극;
    상기 회로층 위에 배치되며 상기 화소 전극의 적어도 일부분을 노출시키는 제1 개구, 및 평면 상에서 보았을 때 상기 화소 전극과 이격된 영역에 정의된 제2 개구를 포함하는 화소 정의층;
    상기 제2 개구에 배치되며 상기 화소 전극과 상이한 물질을 포함하는 보조 전극;
    상기 화소 전극, 상기 화소 정의층, 및 상기 보조 전극 위에 배치되며, 상기 보조 전극과 중첩하는 영역에 관통홀이 정의된 발광 기능층; 및
    상기 발광 기능층 위에 배치되며 상기 관통홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 회로층 위에 배치된 무기층, 및 상기 무기층 위에 배치된 도전층을 포함하는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 무기층은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 복수의 제1 메쉬선들, 및 상기 제2 방향을 따라 연장하며, 상기 1 방향을 따라 배열된 복수의 제2 메쉬선들을 포함하고,
    상기 관통홀은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 하나의 제1 메쉬선 및 상기 복수의 제2 메쉬선들 중 하나의 제2 메쉬선이 교차하는 교차 영역과 중첩하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 메쉬선들 및 상기 복수의 제2 메쉬선들은 서로 연결된 일체의 형상을 갖는 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 교차 영역에 정의된 확장 부분을 더 포함하고, 상기 확장 부분은 상기 하나의 제1 메쉬선 및 상기 하나의 제2 메쉬선의 교차 부분으로부터 멀어지는 방향으로 확장되어 제공된 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 확장 부분의 형상은 원형 또는 다각형 형상인 표시 장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 교차 영역 및 상기 확장 부분 각각은 복수로 제공되고, 상기 복수의 확장 부분들은 상기 복수의 교차 영역들과 각각 중첩하는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 관통홀은 복수로 제공되고, 상기 복수의 관통홀들은 상기 복수의 패드부분들 및 상기 복수의 교차영역들과 각각 중첩하는 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 관통홀은 복수로 제공되고, 상기 복수의 관통홀들의 수는 상기 복수의 교차 영역들의 수 및 상기 복수의 확장 부분들의 수 각각보다 적고, 상기 복수의 관통홀들은 상기 복수의 교차 영역들 중 일부의 교차 영역들 및 상기 복수의 확장 부분들 중 일부의 확장 부분들과 각각 중첩하는 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 교차 영역 및 상기 확장 부분 각각은 복수로 제공되고, 상기 복수의 확장 부분들의 수는 상기 복수의 교차 영역들의 수보다 적고, 상기 복수의 확장 부분들은 상기 복수의 교차 영역들 중 일부의 교차 영역들과 각각 중첩하는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 정의층보다 높은 높이를 갖는 스페이서를 더 포함하고, 상기 스페이서는 상기 관통홀과 비중첩하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 스페이서와 비중첩하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 장치에는 영상을 표시하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역 주변의 주변 영역이 정의되고,
    상기 회로층은 상기 보조 전극과 전기적으로 연결되며 상기 주변 영역에 배치된 전원 배선, 및 상기 전원 배선과 상기 보조 전극을 연결하는 연결 전극을 더 포함하고,
    상기 보조 전극은 상기 액티브 영역으로부터 제1 방향으로 이격된 부분 및 상기 액티브 영역으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격된 부분에서 상기 연결 전극을 통해 상기 전원 배선으로부터 소정의 전압을 수신하는
    표시 장치.
  15. 베이스층;
    상기 베이스층 위에 배치된 회로층;
    상기 회로층 위에 배치되며, 상기 회로층과 전기적으로 연결된 화소 전극;
    상기 회로층 위에 배치되며 상기 화소 전극의 엣지 부분을 커버하는 복수의 화소 정의 패턴들;
    상기 회로층 위에 배치되며 상기 복수의 화소 정의 패턴들 사이에 배치된 보조 전극;
    상기 화소 전극, 상기 화소 정의 패턴들, 및 상기 보조 전극 위에 배치되며, 상기 보조 전극과 중첩하는 영역에 관통홀이 정의된 발광 기능층; 및
    상기 발광 기능층 위에 배치되며 상기 관통홀을 통해 상기 보조 전극과 전기적으로 연결된 공통 전극을 포함하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 정의 패턴들은 서로 이격되어 배열되고,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 보조 전극에는 복수의 개구들이 정의되고, 상기 복수의 개구들은 상기 복수의 화소 정의 패턴들을 각각 둘러싸는 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 회로층 위에 배치된 무기층, 및 상기 무기층 위에 배치된 도전층을 포함하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 무기층은 인듐아연산화물, 인듐주석산화물, 실리콘 옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘나이트라이드 중 적어도 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 제1 방향을 따라 연장하며, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 배열된 복수의 제1 메쉬선들, 및 상기 제2 방향을 따라 연장하며, 상기 1 방향을 따라 배열된 복수의 제2 메쉬선들을 포함하고,
    상기 관통홀은 상기 복수의 제1 메쉬선들 중 하나의 제1 메쉬선 및 상기 복수의 제2 메쉬선들 중 하나의 제2 메쉬선이 교차하는 교차 영역과 중첩하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 보조 전극은 상기 교차 영역에 정의된 확장 부분을 더 포함하고, 상기 확장 부분은 상기 하나의 제1 메쉬선 및 상기 하나의 제2 메쉬선의 교차 부분으로부터 멀어지는 방향으로 확장되어 제공된 표시 장치.
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