CN220511584U - 显示设备 - Google Patents
显示设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN220511584U CN220511584U CN202321930977.4U CN202321930977U CN220511584U CN 220511584 U CN220511584 U CN 220511584U CN 202321930977 U CN202321930977 U CN 202321930977U CN 220511584 U CN220511584 U CN 220511584U
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- surface portion
- layer
- inclined surface
- region
- sub
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 219
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 34
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 24
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 22
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 13
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012080 ambient air Substances 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示设备包括：基底，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；多条布线，在所述基底上，并且所述多条布线在从所述第一区域朝向所述第二区域的第一方向上延伸；以及下层，在所述基底和所述多条布线之间，并且所述下层包括倾斜表面部分，其中，所述多条布线包括两条相邻的布线，并且在平面图中，所述两条相邻的布线中的一条与所述倾斜表面部分重叠的第一部分相对于所述两条相邻的布线中的另一条与所述倾斜表面部分重叠的第二部分布置在与所述第一方向交叉的斜线方向上。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年8月22日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0105072号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用全部并入于此。
技术领域
一个或多个实施例的方面涉及一种显示设备。
背景技术
近来，显示设备的各种用途和潜在应用已经多样化。此外，随着显示设备变得相对更薄和更轻，显示设备的用途的范围也逐渐扩大。
在显示设备之中，有机发光显示设备具有相对宽的视角、相对优异的对比度和相对快的响应速度，并且因此作为下一代显示设备受到关注。
通常，有机发光显示设备包括在基底上的薄膜晶体管以及作为显示元件的有机发光二极管，并且有机发光二极管通过自身发射光。这样的有机发光显示设备可以用作诸如移动电话的小尺寸产品的显示器，或者用作诸如电视机的大尺寸产品的显示器。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解，并且因此本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
实用新型内容
一个或多个实施例的方面包括一种显示设备，其中，可以防止或减少台阶结构中的相邻布线之间的短路缺陷。然而，这样的特性仅是示例，并且根据本公开的实施例的范围不限于此。
附加方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将根据描述而显而易见，或者可以通过对本公开的所呈现的实施例的实践来获知。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；多条布线，在所述基底上，并且所述多条布线在从所述第一区域朝向所述第二区域的第一方向上延伸；以及下层，布置在所述基底和所述多条布线之间，并且所述下层包括倾斜表面部分，其中，所述多条布线包括两条相邻的布线，并且在平面图中，所述两条相邻的布线中的一条与所述倾斜表面部分重叠的第一部分相对于所述两条相邻的布线中的另一条与所述倾斜表面部分重叠的第二部分布置在与所述第一方向交叉的斜线方向上。
根据一些实施例，在平面图中，所述倾斜表面部分可以包括不平坦形状，在所述不平坦形状中突出部分和凹陷部分重复地布置。
根据一些实施例，所述突出部分可以是在朝向所述第二区域的方向上突出的部分，并且所述凹陷部分可以是在朝向所述第一区域的方向上凹陷的部分。
根据一些实施例，所述两条相邻的布线中的一条可以与所述倾斜表面部分的所述突出部分重叠，并且所述两条相邻的布线中的另一条可以与所述倾斜表面部分的所述凹陷部分重叠。
根据一些实施例，所述突出部分和所述凹陷部分可以各自具有四边形形状。
根据一些实施例，所述突出部分和所述凹陷部分可以各自具有三角形形状，并且所述两条相邻的布线可以穿过所述三角形形状的顶点。
根据一些实施例，在平面图中，所述倾斜表面部分可以包括倾斜形状，所述倾斜形状相对于所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向倾斜。
根据一些实施例，所述多条布线可以布置在同一层上并且包括相同的材料。
根据一些实施例，所述下层可以包括多个子层。
根据一些实施例，所述显示设备还可以包括在所述基底上的发光二极管，其中，所述发光二极管可以包括：子像素电极；在所述子像素电极上的发射层；以及在所述发射层上的相对电极。
根据一个或多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；多条布线，在所述基底上，并且所述多条布线在从所述第一区域朝向所述第二区域的第一方向上延伸；以及下层，布置在所述基底和所述多条布线之间，其中，所述下层的上表面包括：第一表面部分，布置在所述第一区域中；第二表面部分，布置在所述第二区域中，并且从所述基底到所述第二表面部分的垂直距离小于从所述基底到所述第一表面部分的垂直距离；以及倾斜表面部分，在所述第一表面部分和所述第二表面部分之间，其中，所述多条布线包括两条相邻的布线，并且在平面图中，所述两条相邻的布线中的一条与所述倾斜表面部分重叠的第一部分相对于所述两条相邻的布线中的另一条与所述倾斜表面部分重叠的第二部分布置在与所述第一方向交叉的斜线方向上。
根据一些实施例，从所述基底到所述倾斜表面部分的垂直距离可以小于从所述基底到所述第一表面部分的所述垂直距离并且大于从所述基底到所述第二表面部分的所述垂直距离。
根据一些实施例，在平面图中，所述倾斜表面部分可以包括不平坦形状，在所述不平坦形状中突出部分和凹陷部分重复地布置。
根据一些实施例，所述突出部分可以是在朝向所述第二区域的方向上突出的部分，并且所述凹陷部分可以是在朝向所述第一区域的方向上凹陷的部分。
根据一些实施例，所述两条相邻的布线中的一条可以与所述倾斜表面部分的所述突出部分重叠，并且所述两条相邻的布线中的另一条可以与所述倾斜表面部分的所述凹陷部分重叠。
根据一些实施例，所述突出部分和所述凹陷部分可以各自具有四边形形状。
根据一些实施例，所述突出部分和所述凹陷部分可以各自具有三角形形状，并且所述两条相邻的布线可以穿过所述三角形形状的顶点。
根据一些实施例，在平面图中，所述倾斜表面部分可以包括倾斜形状，所述倾斜形状相对于所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向倾斜。
根据一些实施例，所述多条布线可以布置在同一层上并且包括相同的材料。
根据一些实施例，所述下层可以包括多个子层。
附图说明
根据以下结合附图进行的描述，本公开的特定实施例的上述和其它方面、特征和特性将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的透视图；
图2是示意性地示出根据一些实施例的提供在显示设备中的显示面板的平面图；
图3是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图；
图4是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图6是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；
图7A和图7B是示出根据一些实施例的制造显示面板的一部分的方法的截面图；
图8是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图，并且是图5的区X的放大平面图；
图9是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图10是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图11是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图12和图13是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图；
图14是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图；
图15是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图；以及
图16是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图。
具体实施方式
现在将更详细地参考附图中示出的一些实施例的方面，在附图中，同样的附图标记自始至终指代同样的元件。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为局限于在本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述实施例以说明本说明书的方面。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。在整个本公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c的全部或者其变型。
由于本公开允许各种变化和众多实施例，因此将在附图中示出并且在书面描述中描述特定实施例。将参照以下参照附图更详细描述的实施例来阐明本公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，根据本公开的实施例不限于以下实施例并且可以以各种形式实现。
在下面的实施例中，尽管可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受以上术语限制。以上术语用于将一个元件与另一元件区分开。
在以下实施例中，除非其在上下文中具有明显不同的含义，否则以单数形式使用的表述包括复数形式的表述。
在以下实施例中，术语“包括”、“包含”、“具有”和/或“具备”用于说明存在所陈述的特征或元件，但是不排除附加一个或多个其它特征或元件。
在以下实施例中，当层、区或元件被称为“在”另一层、区或元件“上”时，所述层、区或元件可以直接或间接地在所述另一层、区或元件上。也就是说，例如，可以存在居间层、居间区或居间元件。
为了便于描述，附图中的元件的尺寸可能被夸大或缩小。例如，由于为了便于描述而任意地示出了附图中的元件的尺寸和厚度，因此本公开不限于此。
如本文中所使用的，表述“A和/或B”表示仅A、仅B或者A和B两者。如本文中所使用的，表述“A和B中的至少一个(者/种)”表示A或B或者A和B。
在以下实施例中，当布线被称为“在第一方向或第二方向上延伸”时，它表示布线不仅以直线形状延伸，而且在第一方向或第二方向上以之字形或以曲线延伸。
在以下实施例中，表述“在平面图中”表示从上方观察目标部分，表述“在截面图中”表示从侧面观察目标部分的垂直地截取的截面。在以下实施例中，表述“重叠”包括“在平面图中”和“在截面图中”重叠。
在下文中，参照附图更详细地描述本公开的一些实施例的方面。当描述附图时，同样的附图标记用于同样或对应的元件。
图1是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的透视图。
根据一些实施例，显示设备1是用于显示运动图像(例如，视频图像)或静止图像(例如，静态图像)的设备，并且可以用作各种产品的显示屏，各种产品不仅包括诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置和超级移动个人计算机(UMPC)的便携式装置，而且包括诸如电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IOT)装置的其它装置。
此外，根据一些实施例，显示设备1可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。此外，根据一些实施例，显示设备1可以用作车辆仪表板、位于车辆的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、替代车辆的侧视镜的车内后视镜显示器或者车辆的位于前排座椅的后表面上作为用于后排座椅的娱乐的显示器。为了便于描述，图1示出了显示设备1被用作智能电话。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和显示区域DA的外部的外围区域PA。也就是说，外围区域PA可以在显示区域DA的所占空间外部(或在显示区域DA的外围中)。尽管图1示出了显示区域DA具有基本上矩形形状，但是根据本公开的实施例不限于此。显示区域DA可以以诸如圆形、椭圆形和除了矩形以外的多边形的各种形状提供。
显示区域DA是其处显示图像的区域，并且多个子像素PX可以布置在显示区域DA中。每个子像素PX可以包括发光器件，诸如有机发光二极管。每个子像素PX可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
显示区域DA可以通过从子像素PX发射的光提供特定图像。如本文中所使用的，子像素PX可以被限定为发射如上所述的红光、绿光、蓝光和白光中的一种的发射区域。
外围区域PA是其中未布置子像素PX的区域，并且可以是不提供图像的区域。包括电源布线和用于驱动子像素PX的驱动电路部分的印刷电路板或者驱动器集成电路(IC)所连接到的端子部分可以布置在外围区域PA中。
在下文中，有机发光显示设备将被描述为根据一些实施例的显示设备1。然而，本公开的显示设备1不限于此。例如，本公开的显示设备1可以是无机发光显示设备(或无机电致发光显示设备)或量子点发光显示设备。例如，包括在显示设备1中的发光二极管中所包括的发射层可以包括有机材料或无机材料。此外，量子点可以布置在从发射层发射的光的路径上。
图2是示意性地示出根据一些实施例的提供在显示设备中的显示面板的平面图。
参照图2，显示设备1(参见图1)可以包括作为其上显示图像的面板的显示面板10。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的多个子像素PX。子像素PX中的每一个可以电连接到布置在外围区域PA中的外部电路。驱动电路120、焊盘部分140、数据驱动电路150、第一电源布线160和第二电源布线170可以布置在外围区域PA中。
驱动电路120可以通过扫描线SL向每个子像素PX提供扫描信号，并且可以通过发射控制线EL向每个子像素PX提供发射控制信号。布置在显示区域DA中的多个子像素PX中的一些可以电连接到提供在显示区域DA的左侧和右侧的驱动电路120中的至少一个。
焊盘部分140可以布置在基底100的一侧。焊盘部分140可以暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板。焊盘部分140可以电连接到印刷电路板的焊盘部分。印刷电路板可以将控制器的信号或电力传输到显示面板10。
由控制器生成的控制信号可以通过印刷电路板分别传输到提供在显示区域DA的左侧和右侧的驱动电路120。控制器可以通过第一连接线161向第一电源布线160提供第一电源电压，并且可以通过第二连接线171向第二电源布线170提供第二电源电压。
第一电源电压可以通过连接到第一电源布线160的驱动电压线PL提供到每个子像素PX，并且第二电源电压可以提供到每个子像素PX的连接到第二电源布线170的相对电极。驱动电压线PL可以在y方向上延伸。例如，第一电源电压可以是驱动电压ELVDD(参见图3)，并且第二电源电压可以是公共电压ELVSS(参见图3)。
数据驱动电路150可以电连接到数据线DL。数据驱动电路150的数据信号可以通过连接到焊盘部分140的连接布线和连接到连接布线的数据线DL提供到每个子像素PX。虽然图2示出了数据驱动电路150在基底100上布置在第一电源布线160和焊盘部分140之间，但是根据一些实施例，数据驱动电路150可以位于印刷电路板上。
第一电源布线160可以包括例如第一子布线162和第二子布线163，第一子布线162和第二子布线163在x方向上彼此平行地延伸，显示区域DA介于第一子布线162和第二子布线163之间。第二电源布线170可以具有具备开口侧的环形形状，并且可以部分地围绕显示区域DA。
图3是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的等效电路图。
参照图3，每个子像素PX可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的子像素电路PC以及连接到子像素电路PC的有机发光二极管OLED。子像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以配置为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以配置为存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压(例如，驱动电压ELVDD)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以配置为根据存储在存储电容器Cst中的电压的值控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以发射具有根据驱动电流的特定亮度的光。
虽然图3示出了子像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此。例如，根据一些实施例，子像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管以及一个或两个存储电容器。
图4是沿图2的线I-I'截取的显示面板的截面图。例如，图4是示出根据一些实施例的显示面板10的子像素PX的堆叠结构的图。
参照图4，显示面板10可以包括基底100、子像素电路层PCL、发光二极管层DEL和封装层TFE。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或醋酸丙酸纤维素。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的(例如，可卷曲的或可弯曲的)。基底100可以具有包括包含上述聚合物树脂的层和无机层的多层结构。
子像素电路层PCL可以位于基底100上。子像素电路层PCL可以包括子像素电路PC、无机绝缘层IIL和有机绝缘层OIL。根据一些实施例，无机绝缘层IIL可以包括缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107。根据一些实施例，有机绝缘层OIL可以包括第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层112。
子像素电路层PCL可以包括薄膜晶体管和电容器。就此而言，图4示出了薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以与参照图3描述的提供在子像素电路PC中的薄膜晶体管中的一个(例如，驱动薄膜晶体管T1)对应。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。
缓冲层101可以位于基底100上，以减少或阻挡来自基底100下方的异物、湿气或环境空气的渗透，并且可以在基底100上提供平坦的表面。缓冲层101可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机-无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
半导体层Act可以包括沟道区域CH、源极区域S和漏极区域D，沟道区域CH与栅极电极GE重叠，并且源极区域S和漏极区域D布置在沟道区域CH的两侧，并且源极区域S和漏极区域D以比沟道区域CH高的浓度包括杂质。就此而言，所述杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区域S和漏极区域D可以分别电连接到薄膜晶体管TFT的源极电极SE和漏极电极DE。
半导体层Act可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当半导体层Act包括氧化物半导体时，半导体层Act可以包括例如从铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)之中选择的至少一种材料的氧化物。例如，半导体层Act可以包括InSnZnO(ITZO)、InGaZnO(IGZO)等。当半导体层Act包括硅半导体时，半导体层Act可以包括例如非晶硅或者通过使非晶硅结晶而获得的低温多晶硅(LTPS)。
栅极电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以形成为包括上述材料的多层或单层。栅极电极GE可以连接到配置为将电信号施加到栅极电极GE的栅极线。
栅极绝缘层103可以布置在半导体层Act和栅极电极GE之间，以使半导体层Act与栅极电极GE绝缘。栅极绝缘层103可以包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和氧化锌之中选择的至少一种无机绝缘材料。栅极绝缘层103可以具有包括上述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst可以包括第一电容器电极CE1和位于第一电容器电极CE1上的第二电容器电极CE2。存储电容器Cst的第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2可以彼此重叠。根据一些实施例，薄膜晶体管TFT的栅极电极GE可以包括(例如，可以是)存储电容器Cst的第一电容器电极CE1。
第一层间绝缘层105可以布置在第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2之间。第一层间绝缘层105可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和/或氧化锌的无机绝缘材料，并且可以具有包括所述无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
虽然图4示出了存储电容器Cst与薄膜晶体管TFT重叠，并且第一电容器电极CE1与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE整体地形成为单体，但是根据一些实施例，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT重叠，并且第一电容器电极CE1可以是独立于薄膜晶体管TFT的栅极电极GE的单独的元件。
第二层间绝缘层107可以位于存储电容器Cst的第二电容器电极CE2上。第二层间绝缘层107可以包括从氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪和氧化锌之中选择的至少一种无机绝缘材料。第二层间绝缘层107可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
源极电极SE和漏极电极DE可以位于第二层间绝缘层107上。源极电极SE和漏极电极DE可以包括以诸如Mo、Al、Cu和/或Ti为例的材料，并且可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。源极电极SE和漏极电极DE可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。根据一些实施例，源极电极SE和漏极电极DE可以与第一电源布线160(参见图2)和第二电源布线170(参见图2)包括相同的材料。
发光二极管层DEL可以位于子像素电路层PCL上。发光二极管层DEL可以包括例如有机发光二极管OLED作为发光器件。
有机发光二极管OLED可以电连接到子像素电路PC。有机发光二极管OLED可以电连接到子像素电路PC以实现子像素PX。有机发光二极管OLED可以包括子像素电极210、发射层220和相对电极230。
子像素电极210可以电连接到子像素电路PC。根据一些实施例，如图4中所示，子像素电路PC可以通过连接电极CM电连接到子像素电极210。根据一些实施例，附加的连接电极还可以布置在子像素电路PC和子像素电极210之间。在这种情况下，子像素电路PC可以通过连接电极CM和附加的连接电极电连接到子像素电极210。可选地，子像素电路PC可以在没有连接电极CM的情况下直接电连接到子像素电极210。
连接电极CM可以位于第一有机绝缘层111上，并且可以通过形成在第一有机绝缘层111中的接触孔连接到子像素电路PC。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料。可选地，连接电极CM可以包括透明导电材料，例如，透明导电氧化物(TCO)。连接电极CM可以具有包括上述材料的单层结构或多层结构。
第一有机绝缘层111可以包括有机材料。例如，第一有机绝缘层111可以包括有机绝缘材料，所述有机绝缘材料包括诸如聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、具有苯酚基基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物以及它们的共混物。
第二有机绝缘层112可以位于连接电极CM上。第二有机绝缘层112可以包括有机材料。例如，第二有机绝缘层112可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
子像素电极210可以包括反射层，包含银(Ag)、镁(Mg)、Al、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、Cr或它们的化合物。可选地，子像素电极210还可以包括在反射层上和/或在反射层下面的导电氧化物材料层。导电氧化物材料层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和/或氧化铝锌(AZO)。根据一些实施例，子像素电极210可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。
堤层180可以位于子像素电极210上。堤层180可以具有开口，子像素电极210的中心部分通过该开口暴露。堤层180的开口可以限定有机发光二极管OLED的发射区域，并且有机发光二极管OLED的发射区域可以与子像素PX对应。此外，堤层180可以通过增加子像素电极210的边缘与子像素电极210上方的相对电极230之间的距离来防止或减少在子像素电极210的边缘处出现的电弧等的情况。
堤层180可以包括有机绝缘材料。根据一些实施例，堤层180可以包括无机绝缘材料，诸如氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。根据一些实施例，堤层180可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。在一些实施例中，堤层180可以包括光阻挡材料，并且可以具有黑色。光阻挡材料可以包括炭黑、碳纳米管、树脂或包含黑色染料的浆料、例如Ni、Al、Mo及其合金的金属颗粒、金属氧化物(例如，氧化铬)颗粒或金属氮化物(例如，氮化铬)颗粒。
间隔件(例如，图15的间隔件190)可以位于堤层180上。间隔件可以防止或减少在使用掩模的制造工艺中由于掩模的下垂而损坏有机发光二极管OLED的情况。
发射层220可以位于子像素电极210上。发射层220可以与子像素电极210的开口重叠。发射层220可以包括低分子量材料或高分子量材料，并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
功能层(未示出)可以可选地进一步位于发射层220下方和上方。例如，空穴注入层(HIL)和/或空穴传输层(HTL)可以布置在发射层220和子像素电极210之间。此外，电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)可以布置在发射层220和相对电极230之间。
根据一些实施例，可以图案化发射层220以对应于多个子像素电极210中的每一个。在一些实施例中，发射层220可以整体地形成为遍及多个子像素电极210的单体。根据一些实施例，位于发射层220下方和上方的功能层可以整体地形成为遍及多个子像素电极210的单体。
相对电极230可以位于发射层220上。根据一些实施例，相对电极230可以完全覆盖显示区域DA(参见图1)。也就是说，相对电极230可以整体地形成为单体以覆盖多个子像素PX。
相对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。例如，相对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金(半)透明层。可选地，相对电极230还可以在包含上述材料的(半)透明层上包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
子像素电路层PCL和发光二极管层DEL可以被覆盖有封装构件。封装构件可以包括封装层TFE或诸如玻璃基底的封装基底。封装构件可以保护有机发光二极管OLED免受外部湿气和氧的影响。
封装层TFE可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。封装层TFE可以覆盖整个显示区域DA，并且可以朝向外围区域PA(参见图1)延伸以覆盖外围区域PA的一部分。
封装层TFE可以包括第一无机封装层310、位于第一无机封装层310上的第二无机封装层330以及布置在第一无机封装层310和第二无机封装层330之间的有机封装层320。第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一者可以包括至少一种无机绝缘材料。所述无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
有机封装层320可以包括聚合物基材料。所述聚合物基材料可以包括丙烯酸基树脂、环氧基树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。有机封装层320可以包括丙烯酸基树脂，例如，聚(甲基丙烯酸甲酯)、聚丙烯酸等。有机封装层320可以通过固化单体或涂覆聚合物来形成。
图5是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图，并且图6是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图。
参照图5，显示面板10可以包括第一区域AR1和第二区域AR2。例如，可以理解的是，包括在显示面板10中的基底100(参见图4)包括第一区域AR1和第二区域AR2。第一区域AR1和第二区域AR2可以彼此相邻。
根据一些实施例，第一区域AR1和第二区域AR2可以布置在显示区域DA(参见图1)中。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，第一区域AR1和第二区域AR2中的一者可以布置在显示区域DA中，并且另一者可以布置在外围区域PA(参见图1)中。可选地，第一区域AR1和第二区域AR2可以布置在外围区域PA中。
参照图5和图6，显示面板10可以包括基底100上的下层DS和位于下层DS上的多条布线L。
下层DS可以布置为遍及基底100的第一区域AR1和第二区域AR2。下层DS的上表面可以包括布置在第一区域AR1中的第一表面部分FP1和布置在第二区域AR2中的第二表面部分FP2。第一表面部分FP1和第二表面部分FP2可以具有相对平坦的表面。例如，根据一些实施例，第一表面部分FP1和第二表面部分FP2可以基本上与基底100的上表面平行。从基底100的上表面到第二表面部分FP2的垂直距离可以小于从基底100的上表面到第一表面部分FP1的垂直距离。在第一表面部分FP1和第二表面部分FP2之间，下层DS的上表面可以具有台阶。第一区域AR1可以包括提供在与第二区域AR2的边界处的台阶区域ST。
下层DS的上表面可以包括布置在第一表面部分FP1和第二表面部分FP2之间的倾斜表面部分SP。倾斜表面部分SP可以布置在台阶区域ST中。倾斜表面部分SP的一个边缘可以对应于第一区域AR1和第二区域AR2之间的边界。倾斜表面部分SP可以相对于第一表面部分FP1向下倾斜。倾斜表面部分SP可以在远离第一表面部分FP1的方向上或在朝向第二表面部分FP2的方向上倾斜。从基底100到倾斜表面部分SP的垂直距离可以小于从基底100到第一表面部分FP1的垂直距离并且大于从基底100到第二表面部分FP2的垂直距离。
根据一些实施例，第一表面部分FP1、倾斜表面部分SP和第二表面部分FP2可以连续地布置。第一表面部分FP1和倾斜表面部分SP可以彼此连接，并且倾斜表面部分SP和第二表面部分FP2可以彼此连接。第一表面部分FP1、倾斜表面部分SP和第二表面部分FP2可以彼此连接以形成台阶结构。在这种情况下，第一表面部分FP1和倾斜表面部分SP之间的边界线可以与倾斜表面部分SP的第一边缘E1对应，并且倾斜表面部分SP和第二表面部分FP2之间的边界线可以与倾斜表面部分SP的第二边缘E2对应。
倾斜表面部分SP相对于基底100的上表面的角度θ可以是锐角或直角。虽然图6示出了倾斜表面部分SP相对于基底100的上表面的角度θ是锐角，但是本公开不限于此。
下层DS可以包括至少一个层。虽然图6示出了下层DS被提供为一个层，但是本公开不限于此。下层DS可以包括多个子层。根据一些实施例，例如，下层DS的子层中的每一个可以布置在同一层上并且与上面参照图4描述的子像素电路层PCL的绝缘层中的至少一个包括相同的材料。
多条布线L可以位于下层DS上。多条布线L可以在从第一区域AR1朝向第二区域AR2的第一方向(例如，x方向)上延伸。多条布线L可以彼此间隔开。多条布线L可以穿过台阶区域ST。也就是说，多条布线L可以位于下层DS的倾斜表面部分SP上。
根据一些实施例，多条布线L可以布置在同一层上，并且可以包括相同的材料。多条布线L可以直接位于下层DS上。多条布线L可以与包括在参照图4描述的子像素电路层PCL中的金属层包括相同的材料。例如，多条布线L可以与连接电极CM(参见图4)包括相同的材料。
图7A和图7B是示出根据一些实施例的制造显示面板的方法的截面图。图7A和图7B示出了形成图6的布线L的工艺。
参照图7A和图7B，可以通过光刻工艺形成图6的布线L。首先，导电层L'可以形成在下层DS上，并且光致抗蚀剂图案PR可以形成在导电层L'上，以与其中将要形成布线L的部分对应。可以通过涂覆光致抗蚀剂层并且执行曝光和显影工艺来形成光致抗蚀剂图案PR。然后，可以通过使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模蚀刻并去除导电层L'的一部分来形成布线L。
参照图7B，在形成光致抗蚀剂图案PR的工艺中，由于光致抗蚀剂的流动性，光致抗蚀剂图案PR可以相对厚地形成在下层DS的与台阶区域ST对应的倾斜表面部分SP上。例如，光致抗蚀剂图案PR的位于倾斜表面部分SP上的一部分的厚度W3可以大于光致抗蚀剂图案PR的位于第一表面部分FP1上的一部分的厚度W1和光致抗蚀剂图案PR的位于第二表面部分FP2上的一部分的厚度W2。在倾斜表面部分SP中，光致抗蚀剂图案PR可以形成为具有从远离基底100的第一边缘E1周围朝向靠近基底100的第二边缘E2周围增加的厚度。
当在相同的蚀刻条件下执行蚀刻时，在其上光致抗蚀剂图案PR相对厚的部分上的布线L的宽度可以形成为大于在其上光致抗蚀剂图案PR相对薄的部分上的布线L的宽度。因此，倾斜表面部分SP上的布线L的宽度可以形成为大于第一表面部分FP1和第二表面部分FP2上的布线L的宽度。特别地，布线L的宽度可以形成为在倾斜表面部分SP的第二边缘E2周围最大。在这种情况下，布线L的宽度可以在倾斜表面部分SP延伸的方向上增加。例如，布置在第二边缘E2处的布线L的宽度可以在第二边缘E2延伸的方向上增加。
图8是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图，并且是图5的区X的放大平面图。图9是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图，并且图10是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图。
参照图8，多个布线L可以位于下层DS上。多条布线L可以包括两条相邻的布线L。就此而言，图8示出了彼此相邻的第一布线L1和第二布线L2。第一布线L1和第二布线L2可以在从第一区域AR1朝向第二区域AR2的第一方向(例如，x方向)上延伸。第一布线L1和第二布线L2可以经过倾斜表面部分SP从下层DS的第一表面部分FP1延伸到第二表面部分FP2。第一布线L1和第二布线L2可以在垂直于布线L延伸的第一方向的第二方向(例如，y方向)上彼此分开。
第一布线L1可以包括与倾斜表面部分SP重叠的第一倾斜部分A1，并且第二布线L2可以包括与倾斜表面部分SP重叠的第二倾斜部分A2。第一倾斜部分A1可以包括与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第一部分S1。第二倾斜部分A2可以包括与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第二部分S2。
在平面图中，第一布线L1的第一倾斜部分A1可以相对于第二布线L2的第二倾斜部分A2布置在与布线L延伸的第一方向交叉的斜线方向上。例如，基于倾斜表面部分SP的第二边缘E2，第一布线L1的第一部分S1可以相对于第二布线L2的第二部分S2布置在与第一方向交叉的斜线方向上。就此而言，术语“斜线方向”可以指倾斜于第一方向和第二方向的方向。也就是说，第一布线L1的第一部分S1和第二布线L2的第二部分S2可以在第一方向和第二方向上彼此分开。
参照图8至图10，根据一些实施例，在平面图中，下层DS的倾斜表面部分SP可以包括不平坦形状，在不平坦形状中突出部分E2a和凹陷部分E2b重复地布置。例如，在平面图中，第二边缘E2可以具有其中突出部分E2a和凹陷部分E2b重复地布置的形状。突出部分E2a可以是基于虚拟线VL在朝向第二区域AR2的方向上突出的部分，并且凹陷部分E2b可以是在朝向第一区域AR1的方向上凹陷的部分。虚拟线VL可以是在第二方向上延伸的直线。
彼此相邻的第一布线Ll和第二布线L2中的一者可以与倾斜表面部分SP的突出部分E2a重叠，并且另一者可以与倾斜表面部分SP的凹陷部分E2b重叠。就此而言，图8至图10示出了第一布线L1与倾斜表面部分SP的突出部分E2a重叠，并且第二布线L2与倾斜表面部分SP的凹陷部分E2b重叠。例如，第一布线L1可以与第二边缘E2的突出部分E2a重叠，并且第二布线L2可以与第二边缘E2的凹陷部分E2b重叠。
参照图8，突出部分E2a和凹陷部分E2b每一者可以具有矩形的平面形状。然而，本公开不限于此。参照图9，根据一些实施例，突出部分E2a和凹陷部分E2b可以各自具有梯形的平面形状。可选地，参照图10，根据一些实施例，突出部分E2a和凹陷部分E2b可以各自具有三角形的平面形状。第一布线L1和第二布线L2可以穿过每个三角形的顶点。如上所述，突出部分E2a和凹陷部分E2b的形状可以进行各种修改。
其中第一布线L1与突出部分E2a重叠的第一部分S1可以相对于其中第二布线L2与凹陷部分E2b重叠的第二部分S2布置在与第一方向交叉的斜线方向上。也就是说，第一布线L1的第一部分S1和第二布线L2的第二部分S2可以在第一方向和第二方向上彼此分开。
倾斜表面部分SP上的第一布线L1的第一部分S1与第二布线L2的第二部分S2之间的分离距离d1可以大于第一表面部分FP1或第二表面部分FP2上的第一布线L1与第二布线L2之间的分离距离d0。就此而言，分离距离d1与第一部分S1和第二部分S2的端部之间的分离距离对应。分离距离d0于第一表面部分FP1或第二表面部分FP2上的第一布线L1与第二布线L2之间的垂直分离距离对应。
参照图11，根据一些实施例，在平面图中，下层DS的倾斜表面部分SP可以具有相对于第一方向和第二方向倾斜的倾斜形状。例如，基于倾斜表面部分SP的第二边缘E2，第二边缘E2可以具有相对于虚拟线VL'以特定角度α倾斜的倾斜形状。虚拟线VL'可以是在第二方向上延伸的直线，并且特定角度α可以是锐角或钝角。
其中第一布线L1与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第一部分S1可以相对于其中第二布线L2与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第二部分S2布置在与第一方向交叉的斜线方向上。也就是说，第一部分S1和第二部分S2可以在第一方向和第二方向上彼此分开。倾斜表面部分SP上的第一部分S1和第二部分S2之间的分离距离d2可以大于第一表面部分FP1或第二表面部分FP2上的第一布线L1和第二布线L2之间的分离距离d0。
在比较示例中，在平面图中，下层的倾斜表面部分可以包括在垂直于布线的延伸方向的第二方向上延伸的线性形状，而不是不平坦形状或倾斜形状。在这种情况下，在平面图中，其中第一布线与倾斜表面部分重叠的第一倾斜部分和其中第二布线与倾斜表面部分重叠的第二倾斜部分可以在第二方向上布置在同一条线上。例如，其中第一布线与倾斜表面部分的第二边缘重叠的第一部分和其中第二布线与倾斜表面部分的第二边缘重叠的第二部分可以在第二方向上布置在同一条线上。因此，倾斜表面部分上的第一布线的第一部分和第二布线的第二部分之间的分离距离可以与第一表面部分或第二表面部分上的第一布线和第二布线之间的分离距离相同。
如上所述，在用于形成布线的光刻工艺中，倾斜表面部分上的布线的宽度可以形成为大于第一表面部分和第二表面部分上的布线的宽度。特别地，布线的宽度可以在第一布线的第一部分和第二布线的第二部分中形成地大。在比较示例中，因为根据下层结构的第一布线的第一部分和第二布线的第二部分之间的分离距离与第一表面部分或第二表面部分上的第一布线和第二布线之间的分离距离相同，所以当布线的宽度由于工艺影响而在倾斜表面部分上形成地大时，可能由于彼此相邻的第一布线和第二布线之间的距离减小而发生短路。
然而，根据一个或多个实施例，通过控制下层DS的倾斜表面部分SP的形状，在平面图中，其中第一布线L1与倾斜表面部分SP重叠的第一倾斜部分A1可以相对于其中第二布线L2与倾斜表面部分SP重叠的第二倾斜部分A2布置在与第一方向交叉的斜线方向上。例如，其中第一布线L1与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第一部分S1可以相对于其中第二布线L2与倾斜表面部分SP的第二边缘E2重叠的第二部分S2布置在与第一方向交叉的斜线方向上。因此，倾斜表面部分SP上的第一部分S1和第二部分S2之间的分离距离d1(参见图8至图10)和d2可以大于第一表面部分FP1或第二表面部分FP2上的第一布线L1和第二布线L2之间的分离距离d0。因此，根据一些实施例，即使当布线的宽度在倾斜表面部分SP上(例如，在第一部分S1和第二部分S2中)由于工艺影响而增加时，也可以确保用于防止或减少布线之间的短路的情况的余量(margin)。因此，可以相对改善设备的可靠性。
图12和图13是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的平面图。
参照图12和图13，显示面板10'的显示区域DA可以包括第一显示区域DA1至第三显示区域DA3。如图12中所示，第三显示区域DA3可以完整地围绕第二显示区域DA2。可选地，如图13中所示，第三显示区域DA3可以布置在第二显示区域DA2的一侧。第一显示区域DA1可以至少部分地围绕第二显示区域DA2和/或第三显示区域DA3。
发光二极管布置在第一显示区域DA1至第三显示区域DA3中。分别且电性地连接到发光二极管的子像素电路布置在第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中，而不布置在第二显示区域DA2中。例如，电连接到布置在第一显示区域DA1中的第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1可以布置在第一显示区域DA1中，并且电连接到布置在第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以布置在第三显示区域DA3中。换句话说，布置在第三显示区域DA3中的子像素电路中的一些(例如，第二子像素电路PC2)可以电连接到布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2，并且布置在第三显示区域DA3中的子像素电路中的其它一些(例如，第三子像素电路PC3)可以电连接到布置在第三显示区域DA3中的第三发光二极管ED3。在下文中，为了便于描述，在布置在第三显示区域DA3中的子像素电路之中，与第二发光二极管ED2电连接的子像素电路被称为第二子像素电路PC2，并且在布置在第三显示区域DA3中的子像素电路之中，与第三发光二极管ED3电连接的子像素电路被称为第三子像素电路PC3。
第一发光二极管ED1布置在第一显示区域DA1中。从第一发光二极管ED1发射的光可以与对应的第一子像素的光对应，并且第一发光二极管ED1的位置可以是第一子像素的位置。第一发光二极管ED1可以发射例如红光、绿光或蓝光。驱动第一发光二极管ED1的第一子像素电路PC1可以布置在第一显示区域DA1中，并且可以电连接到第一发光二极管ED1。
第二发光二极管ED2布置在第二显示区域DA2中。从第二发光二极管ED2发射的光可以与对应的第二子像素的光对应，并且第二发光二极管ED2的位置可以是第二子像素的位置。第二发光二极管ED2可以发射例如红光、绿光或蓝光。
透射区域TA可以布置在第二发光二极管ED2之间。根据一些实施例，其中未布置第二发光二极管ED2的第二显示区域DA2的区可以与透射区域TA对应。为了增加透射区域TA的面积并且改善透射区域TA的透射率，用于驱动第二发光二极管ED2的第二子像素电路PC2可以布置在第二显示区域DA2外部的第三显示区域DA3中。第二子像素电路PC2中的一些可以布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的上侧相邻的部分区域中，并且第二子像素电路PC2中的一些可以布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的下侧相邻的部分区域中。可选地，第二子像素电路PC2中的一些可以布置在第三显示区域DA3的与第二显示区域DA2的左侧或右侧相邻的部分区域中。
第三显示区域DA3中的第二子像素电路PC2可以通过透明导电布线TWL电连接到第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2。第二发光二极管ED2可以通过透明导电布线TWL电连接到第二子像素电路PC2。
第三发光二极管ED3布置在第三显示区域DA3中。从第三发光二极管ED3发射的光可以与对应的第三子像素的光对应，并且第三发光二极管ED3的位置可以是第三子像素的位置。第三发光二极管ED3可以发射例如红光、绿光或蓝光。
用于驱动第三发光二极管ED3的第三子像素电路PC3布置在第三显示区域DA3中。第三子像素电路PC3可以电连接到第三发光二极管ED3，并且可以操作第三发光二极管ED3。
图14是示意性地示出根据一些实施例的显示设备的一部分的截面图。图14示出了包括图13的显示面板10'的显示设备1'。
参照图14，显示设备1'可以包括显示面板10'和位于显示面板10'下方的组件COM。
组件COM可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以是测量距离的传感器(例如，接近度传感器)、识别用户的身体部位(例如，指纹、虹膜、面部等)的传感器、输出光的小灯、或者捕获图像的图像传感器(例如，相机)。使用光的电子元件可以使用各种波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光。使用声音的电子元件可以使用超声波或其它频带的声音。
第二显示区域DA2可以包括透射区域TA，从组件COM输出或者从外部朝向组件COM行进的光和/或声音可以透射通过透射区域TA。在根据一些实施例的显示设备1'中，当光透射通过包括透射区域TA的第二显示区域DA2时，透光率可以是10％或更大，具体地，25％或更大、40％或更大、50％或更大、85％或更大或者90％或更大。
图15是示意性地示出根据一些实施例的显示面板的一部分的截面图。图15是示出图13的显示面板10'的第二发光二极管ED2和第二子像素电路PC2之间的电连接的截面图。
参照图15，基底100上的第二子像素电路PC2可以设置在第三显示区域DA3中，并且电连接到第二子像素电路PC2的第二发光二极管ED2可以布置在第二显示区域DA2中。第二子像素电路PC2可以与上面参照图4描述的子像素电路PC具有相同的结构。
无机绝缘层IIL和有机绝缘层OIL可以位于基底100上。例如，包括缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107的多个无机绝缘层以及包括第一有机绝缘层111、第二有机绝缘层112和第三有机绝缘层113的多个有机绝缘层可以位于基底100上。第三有机绝缘层113可以位于第二有机绝缘层112上。第三有机绝缘层113可以包括有机材料。例如，第三有机绝缘层113可以包括诸如丙烯酸、BCB、聚酰亚胺或HMDSO的有机绝缘材料。
第二子像素电路PC2可以通过从第三显示区域DA3朝向第二显示区域DA2延伸的透明导电布线TWL1电连接到第二发光二极管ED2。例如，透明导电布线TWL1可以在第一方向(例如，x方向)上延伸。透明导电布线TWL1可以包括透光导电材料。透光导电材料可以包括TCO。TCO可以包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO、氧化铟锌镓(IZGO)或AZO。因此，可以减少透射区域TA的透光率的降低。
透明导电布线TWL1可以通过第一连接电极CM1电连接到第二子像素电路PC2的薄膜晶体管TFT。第一连接电极CM1可以与连接电极CM(参见图4)形成在同一层上并且包括相同的材料。透明导电布线TWL1可以电连接到布置在第二显示区域DA2中的第二发光二极管ED2的子像素电极210。虽然图15示出了第二发光二极管ED2的子像素电极210通过第三有机绝缘层113的接触孔电连接到透明导电布线TWL1，但是本公开不限于此。
堤层180和间隔件190可以位于第二发光二极管ED2的子像素电极210上，堤层180具有与子像素电极210重叠的开口。间隔件190可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可选地，间隔件190可以包括诸如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。此外，如上面参照图4所述，发射层220、相对电极230和封装层TFE可以位于子像素电极210上。
图16是示意性地示出根据一些实施例的显示装置的一部分的截面图。图16示出了图13中所示的显示面板10'的第二显示区域DA2的一部分。
参照图16，显示面板10'(参见图13)可以包括第一区域AR1'和第二区域AR2'。根据一些实施例，第一区域AR1'和第二区域AR2'可以被包括在第二显示区域DA2中。显示面板10'可以包括基底100、在基底100上的下层DS'和在下层DS'上的透明导电布线TWL1。下层DS'可以布置为遍及第一区域AR1'和第二区域AR2'。
根据一些实施例，下层DS'可以包括多个子层。例如，下层DS'可以包括缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107、第一有机绝缘层111和第二有机绝缘层112。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，下层DS'可以进一步包括其它层，或者可以省略上述层中的一些。
缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和第一有机绝缘层111可以各自包括与第二区域AR2'重叠的开口。第二有机绝缘层112可以覆盖缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和第一有机绝缘层111的开口。然而，本公开不限于此。根据一些实施例，包括在下层DS'中的缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105、第二层间绝缘层107和第一有机绝缘层111可以全部包括与第二区域AR2'对应的开口。
下层DS'的上表面(例如，第二有机绝缘层112的上表面)可以包括第一表面部分FP1、第二表面部分FP2和倾斜表面部分SP。第一表面部分FP1和第二表面部分FP2可以具有在它们之间的台阶。第一区域AR1'可以包括提供在与第二区域AR2'的边界处的台阶区域ST。倾斜表面部分SP可以布置在台阶区域ST中。作为倾斜表面部分SP和第二表面部分FP2之间的边界线的第二边缘E2可以与第一区域AR1'和第二区域AR2'之间的边界对应。
透明导电布线TWL1可以位于下层DS'上。如上面参照图15所述，透明导电布线TWL1可以是将第二显示区域DA2的第二发光二极管ED2电连接到布置在第三显示区域DA3(参见图15)中的第二子像素电路PC2(参见图15)的布线。透明导电布线TWL1可以穿过台阶区域ST在从第一区域AR1'朝向第二区域AR2'的第一方向(例如，x方向)上延伸。根据一些实施例，可以提供多条透明导电布线TWL1，并且多条透明导电布线TWL1可以彼此间隔开。多条透明导电布线TWL1可以位于下层DS'的倾斜表面部分SP上。
根据一些实施例，图16的下层DS'可以与图5至图11的下层DS对应。此外，图16的透明导电布线TWL1可以与图5至图11的布线L对应。因此，在平面图中，多条透明导电布线TWL1可以包括两条相邻的透明导电布线TWL1，并且其中两条相邻的透明导电布线TWL1中的一条与下层DS'的倾斜表面部分SP重叠的部分可以相对于其中两条相邻的透明导电布线TWL1中的另一条与倾斜表面部分SP重叠的部分布置在与第一方向交叉的斜线方向上。因此，可以防止或减少在穿过第二显示区域DA2的下层DS'的多条透明导电布线TWL1之间发生短路的情况。
尽管已经参照图12至图16描述了第二显示区域DA2的下层和布线结构，但是本公开不限于此。例如，参照图5至图11描述的结构可以应用于在显示区域DA(参见图1)和外围区域PA(参见图1)之间具有台阶结构的下层和布线结构。
根据一个或多个实施例，可以实现可以防止和减少台阶结构中的相邻布线之间的短路缺陷的显示设备。然而，根据本公开的实施例的范围不限于这一效果。
应当理解的是，在本文中描述的实施例应当被认为仅是描述性的意义，并且不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由所附权利要求及其等同物所限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括：
基底，包括彼此相邻的第一区域和第二区域；
多条布线，在所述基底上，并且所述多条布线在从所述第一区域朝向所述第二区域的第一方向上延伸；以及
下层，在所述基底和所述多条布线之间，并且所述下层包括倾斜表面部分，
其中，所述多条布线包括两条相邻的布线，并且
在平面图中，所述两条相邻的布线中的一条与所述倾斜表面部分重叠的第一部分相对于所述两条相邻的布线中的另一条与所述倾斜表面部分重叠的第二部分布置在与所述第一方向交叉的斜线方向上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在平面图中，所述倾斜表面部分包括不平坦形状，在所述不平坦形状中突出部分和凹陷部分重复地布置。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述突出部分在朝向所述第二区域的方向上突出，并且
所述凹陷部分在朝向所述第一区域的方向上凹陷。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述两条相邻的布线中的一条与所述倾斜表面部分的所述突出部分重叠，并且
所述两条相邻的布线中的另一条与所述倾斜表面部分的所述凹陷部分重叠。
5.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述突出部分和所述凹陷部分各自具有四边形形状。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，所述突出部分和所述凹陷部分各自具有三角形形状，并且
所述两条相邻的布线穿过所述三角形形状的顶点。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，在平面图中，所述倾斜表面部分包括倾斜形状，所述倾斜形状相对于所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向倾斜。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述多条布线在同一层上并且包括相同的材料。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述下层包括多个子层。
10.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述显示设备还包括在所述基底上的发光二极管，
其中，所述发光二极管包括：
子像素电极；
在所述子像素电极上的发射层；以及
在所述发射层上的相对电极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220105072A KR20240027206A (ko) | 2022-08-22 | 2022-08-22 | 표시 장치 |
| KR10-2022-0105072 | 2022-08-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN220511584U true CN220511584U (zh) | 2024-02-20 |
Family
ID=89876590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202321930977.4U Active CN220511584U (zh) | 2022-08-22 | 2023-07-21 | 显示设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240065055A1 (zh) |
| KR (1) | KR20240027206A (zh) |
| CN (1) | CN220511584U (zh) |
-
2022
- 2022-08-22 KR KR1020220105072A patent/KR20240027206A/ko unknown
-
2023
- 2023-05-01 US US18/310,413 patent/US20240065055A1/en active Pending
- 2023-07-21 CN CN202321930977.4U patent/CN220511584U/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20240065055A1 (en) | 2024-02-22 |
| KR20240027206A (ko) | 2024-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11778866B2 (en) | Display device with data lines curved along perimeter of through hole | |
| US11171189B2 (en) | Display device | |
| US11538880B2 (en) | Display device having transmission area and electronic apparatus | |
| US11903278B2 (en) | Display panel including an initialization voltage line and an auxiliary voltage line and display device including the same | |
| KR20210010696A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20220068308A (ko) | 표시 장치 | |
| US20240114743A1 (en) | Display module having increased transmittance and electronic device including the display module | |
| US11690262B2 (en) | Display apparatus | |
| US20230371312A1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
| KR20210126187A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN220511584U (zh) | 显示设备 | |
| US11495650B2 (en) | Display apparatus | |
| CN114628455A (zh) | 显示面板 | |
| KR20210103017A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US11985868B2 (en) | Display apparatus | |
| CN220368986U (zh) | 显示设备 | |
| US20240188399A1 (en) | Display apparatus and method of providing the same | |
| US11997881B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US20230380245A1 (en) | Display apparatus | |
| US20220216276A1 (en) | Display device and method of manufacturing the display device | |
| US20230172011A1 (en) | Display apparatus | |
| US20240188342A1 (en) | Display panel and electronic apparatus including the same | |
| US20230209925A1 (en) | Display substrate and display device | |
| KR20210138826A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| CN118159075A (zh) | 显示装置和提供该显示装置的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |