KR20210118288A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20210118288A
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전상미
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Abstract

표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역과 인접한 제2 영역이 정의된 베이스층, 상기 베이스층의 상기 제1 영역에 배치된 복수의 화소들, 상기 복수의 화소들로 전원을 공급하는 전원 라인, 상기 전원 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제2 영역에 배치된 전원 패턴, 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸고, 제1 돌출부분 및 상기 제1 돌출부분 위에 배치된 제2 돌출부분을 포함하는 돌출부, 상기 전원 패턴은 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치된 중첩 부분을 포함하고, 상기 중첩 부분에는 개구가 정의될 수 있다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 영상을 표시하는 표시 패널, 외부 입력을 감지하는 입력 센서 및 전자 모듈 등 다양한 전자 부품들로 구성된 장치일 수 있다. 전자 부품들은 신호 라인들에 의해 전기적으로 서로 연결될 수 있다. 전자 모듈은 카메라, 적외선 감지 센서 또는 근접 센서 등을 포함할 수 있다. 입력 센서는 표시 패널 위에 직접 형성될 수 있다. 표시 패널의 형상이 변형되는 경우, 입력 센서의 형상도 함께 변형될 수 있다.
본 발명은 제품 신뢰성이 향상된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역이 정의된 베이스층, 상기 베이스층의 상기 제1 영역에 배치된 복수의 화소들, 상기 복수의 화소들로 전원을 공급하는 전원 라인, 상기 전원 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제2 영역에 배치된 전원 패턴, 및 상기 제2 영역에 배치되며, 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸고, 제1 돌출부분 및 상기 제1 돌출부분 위에 배치된 제2 돌출부분을 포함하는 돌출부를 포함하고, 상기 전원 패턴은 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치된 중첩 부분을 포함하고, 상기 중첩 부분에는 개구가 정의될 수 있다.
표시 장치는 상기 복수의 화소들 위에 배치된 봉지층, 상기 봉지층 위에 직접 배치되며, 상기 제1 영역 위에 배치된 복수의 감지 전극들, 및 상기 복수의 감지 전극들에 전기적으로 연결되며 상기 제2 영역 위에 배치된 복수의 감지 라인들을 더 포함하고, 평면상에서 보았을 때, 복수의 감지 라인들은 상기 개구와 이격될 수 있다.
상기 복수의 감지 라인들 각각의 일부분은 상기 전원 패턴과 중첩할 수 있다.
상기 전원 패턴은 제1 방향을 따라 연장하는 제1 패턴 부분, 및 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 돌출된 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하고, 상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 복수의 감지 라인들 중 적어도 일부와 중첩하는 제1 가지 패턴 부분, 및 상기 복수의 감지 라인들과 비중첩하는 제2 가지 패턴 부분을 포함할 수 있다.
상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분 및 상기 제2 가지 패턴 부분 모두에 각각 정의될 수 있다.
상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분에 정의되며 상기 제2 가지 패턴 부분에는 정의되지 않을 수 있다.
상기 중첩 부분은 상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각의 일부분을 포함할 수 있다.
상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각의 상기 제1 방향의 폭은 1300μm이하일 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 상기 개구와 상기 복수의 감지 라인들 사이의 최소 거리는 58.4μm 이상일 수 있다.
상기 복수의 감지 라인들은 상기 돌출부 위에 배치되며, 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부와 교차하는 방향을 따라 연장될 수 있다.
상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 굴곡진 형상을 가질 수 있다.
상기 제2 영역에 배치되며, 상기 돌출부보다 상기 제1 영역에 더 가까이 배치된 추가 돌출부를 더 포함하고, 상기 전원 패턴의 일부분은 상기 추가 돌출부 아래에 배치될 수 있다.
상기 추가 돌출부와 상기 제2 돌출부분은 동일한 물질을 포함할 수 있다.
상기 개구는 복수로 제공되고, 복수의 개구들 사이의 피치는 40μm이며, 상기 복수의 개구들 각각은 사각형상을 가질 수 있다.
상기 제1 돌출부분은 유기물을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 액티브 영역 및 주변 영역이 정의된 표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 직접 배치된 입력 센서를 포함할 수 있다. 상기 표시 패널은 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 화소들, 상기 주변 영역에 배치되며 상기 액티브 영역의 적어도 일부를 에워싸고 제1 돌출부분 및 상기 제1 돌출부분 위에 배치된 제2 돌출부분을 포함하는 돌출부, 상기 복수의 화소들로 전원을 공급하는 전원 라인, 및 상기 전원 라인과 전기적으로 연결되며, 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치되며 개구가 정의된 중첩 부분을 포함하는 전원 패턴을 포함할 수 있다.
상기 입력 센서는 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 감지 전극들, 및 상기 주변 영역에 배치되며 상기 감지 전극들에 전기적으로 연결된 복수의 감지 라인들을 포함할 수 있다. 상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부의 형상에 대응하여 굴곡진 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 감지 라인들은 상기 중첩 부분 위에 배치되며, 평면 상에서 보았을 때 상기 복수의 감지 라인들은 상기 개구와 이격될 수 있다.
상기 돌출부는 제1 방향을 따라 연장하고, 상기 전원 패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되며 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치된 제1 가지 패턴 부분 및 제2 가지 패턴 부분을 포함하고, 상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분 및 상기 제2 가지 패턴 부분 중 적어도 하나에 제공될 수 있다.
상기 복수의 감지 라인들 중 적어도 일부는 상기 제1 가지 패턴 부분 위에 배치되고, 상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분에 정의될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 액티브 영역에 배치된 복수의 화소들, 상기 액티브 영역의 적어도 일부를 에워싸며, 제1 돌출 부분 및 상기 제1 돌출 부분 위에 배치된 제2 돌출 부분을 포함하는 돌출부, 상기 복수의 화소들로 전원을 전달하며, 상기 제1 돌출 부분 및 상기 제2 돌출 부분 사이에 배치된 전원 패턴, 상기 복수의 화소들 위에 배치된 봉지층, 상기 액티브 영역에 배치된 복수의 감지 전극들, 및 상기 복수의 감지 전극들에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 돌출 부분을 사이에 두고 상기 전원 패턴과 이격된 복수의 감지 라인들을 포함할 수 있다. 상기 전원 패턴에는 상기 제1 돌출 부분의 일부분을 노출시키는 개구가 정의되고, 상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부의 형상에 대응하여 굴곡진 형상을 가질 수 있다.
상술한 바에 따르면, 전원 패턴의 중첩 부분은 돌출부의 제1 돌출부분과 돌출부의 제2 돌출 부분 사이에 배치될 수 있고, 전원 패턴의 중첩 부분에는 개구가 정의될 수 있다. 제1 돌출부분에서 발생된 가스는 전원 패턴에 정의된 개구를 통해 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 제2 돌출부분이 들뜨는 현상이 방지될 수 있고, 그에 따라 제2 돌출부분 위에 배치된 감지 라인들이 단선되는 것이 방지될 수 있다.
또한, 감지 라인들은 전원 패턴과 중첩하고, 개구와 비중첩할 수 있다. 전원 패턴에는 정전압이 제공되기 때문에, 감지 라인들에 영향을 끼치는 노이즈 신호는 전원 패턴에 의해 차폐될 수 있다. 따라서, 노이즈 신호에 의해 입력 센서에 감도 불량이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 표시 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
표시 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 평면을 포함할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2 개의 측으로부터 각각 벤딩된 곡면들을 더 포함할 수 있다. 하지만, 액티브 영역(1000A)의 형상이 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 영역(1000A)은 상기 평면만을 포함할 수도 있고, 액티브 영역(1000A)은 상기 평면의 적어도 2개 이상, 예를 들어 4 개의 측으로부터 각각 벤딩된 4개의 곡면들을 더 포함할 수도 있다.
표시 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 표시 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다. 본 명세서에서 "평면상에서 보았을 때"는 표시 장치(1000)의 두께 방향에서 보았을 때로 해석되거나, 제3 방향(DR3)에서 보았을 때로 해석될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부 구성을 도시한 개략적인 단면도이다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 입력 센서(200)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(100)은 발광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 유기발광 표시 패널, 퀀텀닷 발광 표시 패널, 또는 마이크로 엘이디 표시 패널일 수 있다. 또는 표시 패널(100)은 수광형 표시 패널일 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)은 액정 표시 패널일 수 있다.
입력 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 배치될 수 있다. 입력 센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
입력 센서(200)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 입력 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에 제3의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 입력 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에는 별도의 접착부재가 배치되지 않을 수 있다.
도시되지 않았으나, 표시 장치(1000)는 입력 센서(200) 위에 배치된 윈도우를 더 포함할 수 있다. 윈도우는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있으며, 윈도우는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 윈도우는 다층구조 또는 단층 구조를 가질 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(100)에는 액티브 영역(100A) 및 주변 영역(100N)이 정의될 수 있다. 액티브 영역(100A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(100A)은 영상을 표시하는 영역일 수 있다. 주변 영역(100N)은 액티브 영역(100A)과 인접하며, 액티브 영역(100A)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(100N)에는 액티브 영역(100A)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 라인 등이 배치될 수 있다.
도 3에 도시된 표시 패널(100)은 조립되기 전 상태의 표시 패널(100)일 수 있다. 조립 과정에서, 주변 영역(100N)에 정의된 벤딩 영역(BA)은 소정의 곡률을 갖도록 벤딩될 수 있다. 따라서, 벤딩 영역(BA)을 기준으로 상하에 배치된 부분은 서로 마주하도록 배치될 수 있다.
표시 패널(100)의 액티브 영역(100A) 내에는 관통홀(100T)이 정의될 수 있다. 관통홀(100T)은 액티브 영역(100A)에 의해 에워싸일 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 관통홀(100T)의 일부분은 액티브 영역(100A)에 접하고, 다른 일부분은 주변 영역(100N)에 접할 수도 있다.
관통홀(100T)은 전자 모듈로 입력되는 외부 신호나 전자 모듈로부터 출력되는 신호가 전달되는 공간일 수 있다. 예를 들어, 상기 전자 모듈은 카메라 모듈일 수 있다.
관통홀(100T)은 표시 패널(100)을 구성하는 구성들 모두 또는 적어도 일부가 제거되어 정의될 수 있다. 관통홀(100T)은 평면상에서 원, 타원, 다각형, 또는 적어도 일측에 곡선 변을 포함하는 다각형 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에서, 관통홀(100T)은 생략될 수도 있다.
표시 패널(100)은 베이스층(100-1), 복수의 화소들(110), 복수의 신호 라인들(120, 130, 140), 전원 패턴(150), 복수의 표시 패드들(160), 복수의 감지 패드들(170), 및 복수의 돌출부들(180)을 포함할 수 있다.
베이스층(100-1)은 유리 기판, 유/무기 복합재료 기판, 또는 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 합성수지 필름은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 베이스층(100-1)은 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대 베이스층(100-1)은 합성수지층, 접착층, 및 합성수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
액티브 영역(100A)에 포함되는 베이스층(100-1)의 일부 영역은 제1 영역으로 지칭되고, 주변 영역(100N)에 포함되는 베이스층(100-1)의 다른 일부 영역은 제2 영역으로 지칭될 수 있다.
신호 라인들(120, 130, 140)은 화소들(110)에 연결되어 화소들(110)에 전기적 신호들을 전달한다. 도 3에서는 신호 라인들(120, 130, 140)이 데이터 라인(120), 스캔 라인(130), 및 전원 라인(140)을 포함하는 것을 예시적으로 도시하였다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 신호 라인들(120, 130, 140)은 초기화 전압 라인, 발광 제어 라인 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
화소들(110)은 액티브 영역(100A)에 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 복수의 화소들 중 하나의 화소(110)의 등가 회로도를 확대하여 예시적으로 도시하였다.
화소(110)는 제1 트랜지스터(111), 제2 트랜지스터(112), 커패시터(113), 및 발광 소자(114)를 포함할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 화소(110)는 다양한 구성과 배열을 가진 전자 소자들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 예를 들어, 화소(110)는 7개의 트랜지스터들 및 하나의 커패시터를 포함하는 등가회로를 가질 수도 있으며, 화소(110)의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다.
제1 트랜지스터(111)는 화소(110)의 온-오프를 제어하는 스위칭 소자일 수 있다. 제1 트랜지스터(111)는 스캔 라인(130)을 통해 전달된 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인(120)을 통해 전달된 데이터 신호를 전달 또는 차단할 수 있다.
커패시터(113)는 제1 트랜지스터(111)와 전원 라인(140)에 연결될 수 있다. 커패시터(113)는 제1 트랜지스터(111)로부터 전달된 데이터 신호와 전원 라인(140)에 인가된 제1 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 전하량을 충전할 수 있다.
제2 트랜지스터(112)는 제1 트랜지스터(111), 커패시터(113), 및 발광 소자(114)에 연결될 수 있다. 제2 트랜지스터(112)는 커패시터(113)에 저장된 전하량에 대응하여 발광 소자(114)에 흐르는 구동전류를 제어할 수 있다. 커패시터(113)에 충전된 전하량에 따라 제2 트랜지스터(112)의 턴-온 시간이 결정될 수 있다. 제2 트랜지스터(112)는 턴-온 시간 동안 전원 라인(140)을 통해 전달된 제1 전원 신호를 발광 소자(114)에 제공할 수 있다.
발광 소자(114)는 전기적 신호에 따라 광을 발생시키거나 광량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(114)는 유기 발광 소자, 양자점 발광 소자, 마이크로 엘이디 발광 소자, 또는 나노 엘이디 발광 소자를 포함할 수 있다.
발광 소자(114)는 전원 단자(115)와 연결되어 전원 라인(140)이 제공하는 제1 전원 신호와 상이한 전원 신호(이하, 제2 전원 신호 또는 그라운드 전압)를 제공받을 수 있다. 발광 소자(114)에는 제2 트랜지스터(112)로부터 제공되는 전기적 신호와 제2 전원 신호 사이의 차이에 대응하는 구동 전류가 흐르게 되고, 발광 소자(114)는 구동 전류에 대응하는 광을 생성할 수 있다.
전원 패턴(150)은 주변 영역(100N)에 배치될 수 있다. 전원 패턴(150)은 전원 라인(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 도 3에서 하나의 전원 라인(140)에 대해 도시하였으나, 전원 라인(140)은 복수로 제공될 수 있고, 복수의 전원 라인들(140)은 모두 전원 패턴(150)에 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 돌출부들(180)은 주변 영역(100N)에 배치되며, 액티브 영역(100A)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다. 예를 들어, 복수의 돌출부들(180) 각각은 액티브 영역(100A)을 전부 에워쌀 수도 있으며, 복수의 돌출부들(180) 각각은 액티브 영역(100A)의 적어도 일부분만을 에워쌀 수도 있다. 복수의 돌출부들(180) 각각은 폐곡선 형상을 가질 수도 있고, 일부가 개구된 형상을 가질 수도 있다.
복수의 돌출부들(180)은 제1 돌출부(181), 제2 돌출부(182), 및 제3 돌출부(183)를 포함할 수 있다. 다만, 복수의 돌출부들(180)의 개수가 이에 제한되는 것은 아니며, 복수의 돌출부들(180)은 2 개 일 수도 있고, 4개 이상일 수도 있다.
제1 돌출부(181)는 복수의 돌출부들(180) 중에서 액티브 영역(100A)에 가장 인접하게 배치될 수 있다. 액티브 영역(100A)에서 멀어지는 방향으로 제1 돌출부(181), 제2 돌출부(182), 및 제3 돌출부(183)가 순차적으로 배열될 수 있다. 제2 돌출부(182)는 제1 돌출부(181)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다. 제3 돌출부(183)는 제2 돌출부(182)의 적어도 일부를 에워쌀 수 있다.
표시 패드들(160)은 제1 패드(161) 및 제2 패드(162)를 포함할 수 있다. 제1 패드(161)는 복수로 구비되어 데이터 라인들(120)에 각각 연결될 수 있다. 제2 패드(162)는 전원 패턴(150)을 통해 전원 라인(140)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 패드(162)는 전원 패턴(150)의 일부분일 수 있다.
표시 패널(100)은 표시 패드들(160)을 통해 외부로부터 제공된 전기적 신호들을 화소들(110)에 제공할 수 있다. 한편, 표시 패드들(160)은 제1 패드(161) 및 제2 패드(162) 외에 다른 전기적 신호들을 수신하기 위한 패드들을 더 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
복수의 감지 패드들(170)은 후술될 센서의 감지 전극들과 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 감지 패드들(170) 중 일부 감지 패드들과 다른 일부 감지 패드들은 표시 패드들(160)을 사이에 두고 이격되어 배치될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 감지 패드들(170)과 표시 패드들(160)의 배치 관계는 다양하게 변형될 수 있다.
구동칩(190)은 표시 패널(100)의 주변 영역(100N) 위에 실장될 수 있다. 구동칩(190)은 칩 형태의 타이밍 제어회로일 수 있다. 이 경우, 데이터 라인들(120)은 구동칩(190)을 거쳐 제1 패드들(161)에 전기적으로 연결될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 구동칩(190)은 표시 패널(100)과는 별개의 필름 상에 실장될 수 있다. 이 경우, 구동칩(190)은 상기 필름을 통해 표시 패드들(160)과 전기적으로 연결될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 입력 센서(200)에는 액티브 영역(200A) 및 주변 영역(200N)이 정의될 수 있다. 액티브 영역(200A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(200A)은 입력을 감지하는 영역일 수 있다. 주변 영역(200N)은 액티브 영역(200A)에 인접하며, 액티브 영역(200A)을 에워쌀 수 있다.
입력 센서(200)의 액티브 영역(200A) 내에는 관통홀(200T)이 정의될 수 있다. 관통홀(200T)은 앞서 설명된 표시 패널(100, 도 3 참조)의 관통홀(100T, 도 3 참조)과 평면 상에서 중첩할 수 있다. 관통홀(200T)은 입력 센서(200)를 구성하는 구성들 모두가 제거되어 정의될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 관통홀(200T)은 생략될 수 도 있다.
입력 센서(200)는 베이스 절연층(200-1), 제1 감지 전극들(210), 제2 감지 전극들(220), 및 감지 라인들(230)을 포함할 수 있다. 제1 감지 전극들(210), 제2 감지 전극들(220)은 액티브 영역(200A)에 배치되고, 감지 라인들(230)은 주변 영역(200N)에 배치될 수 있다. 입력 센서(200)는 제1 감지 전극들(210)과 제2 감지 전극들(220) 사이의 상호정전용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득할 수 있다.
제1 감지 전극들(210)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되고, 제1 감지 전극들(210) 각각은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 제1 감지 전극들(210)은 제1 감지 패턴들(211) 및 제1 연결 패턴들(212)을 포함할 수 있다. 제1 연결 패턴들(212)은 서로 인접한 2 개의 제1 감지 패턴들(211)을 전기적으로 연결할 수 있다. 서로 인접한 2 개의 제1 감지 패턴들(211)은 2 개의 제1 연결 패턴들(212)에 의해 서로 연결될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제2 감지 전극들(220) 각각은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제2 감지 전극들(220)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극들(220)은 제2 감지 패턴들(221) 및 제2 연결 패턴들(222)을 포함할 수 있다. 제2 연결 패턴들(222)은 서로 인접한 2 개의 제2 감지 패턴들(221)을 전기적으로 연결할 수 있다. 2 개의 제1 연결 패턴들(212)과 하나의 제2 연결 패턴(222)은 서로 절연 교차될 수 있다.
도 4에 도시된 제1 감지 전극들(210) 및 제2 감지 전극들(220)의 형상 및 배열 관계는 일 예로 도시된 것일 뿐, 입력 센서(200)를 구성하는 제1 감지 전극들(210) 및 제2 감지 전극들(220)의 형상 및 배열 관계가 도 4에 도시된 것에 제한되는 것은 아니다.
감지 라인들(230)은 컨택홀을 통해 감지 패드들(170, 도 3 참조)에 전기적으로 각각 연결될 수 있다. 감지 라인들(230)은 제1 감지 라인들(231) 및 제2 감지 라인들(232)을 포함할 수 있다.
제1 감지 라인들(231)은 제1 감지 전극들(210)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 감지 라인들(232)은 제2 감지 전극들(220)에 각각 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 감지 라인들(232) 중 일부는 제2 감지 전극들(220) 중 일부의 좌측에 각각 연결되고, 제2 감지 라인들(232) 중 다른 일부는 제2 감지 전극들(220) 중 다른 일부의 우측에 각각 연결될 수 있다. 다만, 제1 감지 라인들(231)과 제1 감지 전극들(210)의 연결 관계 및 제2 감지 라인들(232)과 제2 감지 전극들(220)의 연결 관계가 도 4에 도시된 예에 제한되는 것은 아니다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 5a는 도 3의 AA' 영역 및 도 4의 BB' 영역에 대응하는 표시 장치의 일부분을 도시한 것이고, 도 5b는 도 5a의 CC' 영역을 확대하여 도시한 것이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 전원 패턴(150)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장하는 제1 패턴 부분(151) 및 제1 패턴 부분(151)으로부터 제2 방향(DR2)을 따라 돌출된 제2 패턴 부분들(152)을 포함할 수 있다. 제2 패턴 부분들(152)은 감지 라인들(230)과 중 적어도 일부와 중첩하는 제1 가지 패턴 부분(153) 및 감지 라인들(230)과 비중첩하는 제2 가지 패턴 부분(154)을 포함할 수 있다.
전원 패턴(150)에는 개구(155)가 정의될 수 있다. 개구(155)는 전원 패턴(150)의 일부분이 제거되어 제공될 수 있다. 개구(155)에 의해 전원 패턴(150) 아래에 배치된 구성이 노출될 수 있다. 이에 따라, 전원 패턴(150) 아래에 배치된 구성에 의해 발생된 가스는 개구(155)를 통해 배출될 수 있다. 따라서, 상기 가스에 의해 발생되는 문제가 예방될 수 있으며, 이에 대한 구체적인 설명은 후술된다.
평면 상에서 보았을 때, 개구(155)는 직사각형상을 가질 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 개구(155)는 원, 타원 또는 다각형 형상을 가질 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 개구(155)는 감지 라인들(230)과 비중첩할 수 있다. 즉, 제3 방향(DR3)에서 보았을 때, 개구(155)는 감지 라인들(230)과 이격될 수 있다.
감지 라인들(230)은 전원 패턴(150)과 중첩하며 배치되고, 개구(155)와 비중첩할 수 있다. 전원 패턴(150)에는 정전압이 제공되기 때문에, 감지 라인들(230)에 영향을 끼치는 노이즈 신호는 전원 패턴(150)에 의해 차폐될 수 있다. 따라서, 노이즈 신호에 의해 감도 불량이 발생되는 것이 방지될 수 있다.
개구(155)와 감지 라인들(230) 사이의 최소 거리(301)는 58.4μm(micrometer) 이상일 수 있고, 1300μm 이하일 수 있다. 최소 거리(301)가 1300μm를 초과할 경우, 전원 패턴(150) 아래에서 발생된 가스가 개구(155)를 통해 충분히 배출되지 못할 수 있다.
개구(155)의 제1 방향(DR1)과 나란한 방향의 폭(302) 및 제2 방향(DR2)과 나란한 방향의 폭(303) 각각은 15μm일 수 있고, 서로 인접한 개구들(155) 사이의 간격(304)은 40μm일 수 있다. 상기 예를 든 수치들은 하나의 설계 예일 뿐, 상기 수치로만 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에서, 제2 패턴 부분들(152) 각각의 폭은 1300μm 이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 가지 패턴 부분(153) 및 제2 가지 패턴 부분(154) 각각의 제1 방향(DR1)과 나란한 최대 폭은 1300μm 이하일 수 있다. 이 경우, 전원 패턴(150) 아래에 배치된 구성에 의해 발생된 가스는 제2 패턴 부분들(152) 사이의 공간을 통해 배출될 수 있다. 또는, 개구(155)가 정의되지 않은 제2 가지 패턴 부분(154)의 폭만 1300μm 이하이고, 제1 가지 패턴 부분(153)의 폭은 제한되지 않을 수도 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 6를 참조하면, 표시 패널(100)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 의해 절연층, 반도체층 및 도전층이 형성된다. 이후, 포토리소그래피의 방식으로 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이러한 방식으로 베이스층(100-1) 위에 회로 소자층(100-2) 및 표시 소자층(100-3)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등이 형성된다. 이 후, 표시 소자층(100-3)을 커버하는 봉지층(100-4)이 형성될 수 있다.
베이스층(100-1)은 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 합성수지층은 열 경화성 수지를 포함할 수 있다. 베이스층(100-1)은 다층구조를 가질 수 있다. 예컨대 베이스층(100-1)은 합성수지층, 접착층, 및 합성수지층의 3층 구조를 가질 수도 있다. 특히, 합성수지층은 폴리이미드계 수지층일 수 있고, 그 재료는 특별히 제한되지 않는다. 합성수지층은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(100-1)은 유리 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다.
베이스층(100-1)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성된다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(100-1)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킨다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교번하게 적층될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치된다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 6는 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들(110, 도 3 참조)에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 도핑영역과 비-도핑영역을 포함할 수 있다. 도핑영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함한다.
도핑영역은 비-도핑영역보다 전도성이 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 갖는다. 비-도핑영역이 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당한다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
도 6에 도시된 것과 같이, 제1 트랜지스터(111)의 소스(S1), 액티브(A1), 드레인(D1)이 반도체 패턴으로부터 형성되고, 제2 트랜지스터(112)의 소스(S2), 액티브(A2), 드레인(D2)이 반도체 패턴으로부터 형성된다. 소스(S1, S2) 및 드레인(D1, D2)은 단면 상에서 액티브(A1, A2)로부터 서로 반대 방향으로 연장된다. 도 6에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 제2 트랜지스터(112)의 드레인(D2)에 연결될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(10)이 배치된다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들(110, 도 3 참조)에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버한다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로 소자층(100-2)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 절연층(10) 상에 게이트(G1, G2)가 배치된다. 게이트(G1)는 금속패턴의 일부일 수 있다. 게이트(G1, G2)는 액티브(A1, A2)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1, G2)는 마스크와 같다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(G1, G2)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들(110, 도 3 참조)에 공통으로 중첩한다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
상부전극(UE)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있다. 상부전극(UE)은 제2 트랜지스터(112)의 게이트(G2)와 중첩할 수 있다. 상부전극(UE)은 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G2)의 일부분과 그에 중첩하는 상부전극(UE)은 커패시터(113, 도 3 참조)를 정의할 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치되며, 상부전극(UE)을 커버할 수 있다. 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제3 절연층(30) 상에 제1 연결전극(CNE1)이 배치될 수 있다. 제1 연결전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층(10 내지 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다. 제5 절연층(50) 상에 제2 연결전극(CNE2)이 배치될 수 있다. 제2 연결전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다. 제6 절연층(60) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결전극(CNE2)에 연결된다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의된다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다.
액티브 영역(100A, 도 3 참조)은 발광영역(PXA)과 발광영역(PXA)에 인접한 비발광영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 비발광영역(NPXA)은 발광영역(PXA)에 인접하며, 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서 발광영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다.
정공 제어층(HCL)은 발광영역(PXA)과 비발광영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EML)은 정공 제어층(HCL) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EML)은 개구부(70-OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EML)은 화소들(110, 도 3 참조) 각각에 분리되어 형성될 수 있다.
전자 제어층(ECL)은 발광층(EML) 위에 배치될 수 있다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL)과 전자 제어층(ECL)은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다. 제2 전극(CE)은 전자 제어층(ECL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들(110, 도 3 참조)에 공통적으로 배치된다.
캡핑층(80)은 제2 전극(CE) 위에 배치되며 제2 전극(CE)에 접촉될 수 있다. 캡핑층(80)은 유기물질을 포함할 수 있다. 캡핑층(80)은 후속의 공정 예컨대 스퍼터링 공정으로부터 제2 전극(CE)을 보호하고, 발광 소자(114)의 출광효율을 향상시킬 수 있다. 캡핑층(80)은 후술 될 제1 무기층(91)보다 큰 굴절률을 가질 수 있다.
봉지층(100-4)은 표시 소자층(100-3) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(100-4)은 화소들(110, 도 3 참조) 위에 배치되며, 화소들(110, 도 3 참조)을 커버 또는 밀봉 할 수 있다.
봉지층(100-4)은 제1 무기층(91), 유기층(92), 및 제2 무기층(93)을 포함할 수 있다. 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 수분/산소로부터 표시 소자층(100-3)을 보호하고, 유기층(92)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(100-3)을 보호한다. 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘옥시 나이트라이드층, 실리콘옥사이드층 중 어느 하나일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 제1 무기층(91) 및 제2 무기층(93)은 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층(92)은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에서 캡핑층(80)과 제1 무기층(91) 사이에 무기층, 예컨대 LiF층이 더 배치될 수 있다. LiF층은 발광 소자(114)의 출광효율을 향상시킬 수 있다.
입력 센서(200)는 베이스 절연층(200-1), 제1 도전층(200-2), 감지 절연층(200-3), 제2 도전층(200-4), 및 커버 절연층(200-5)을 포함할 수 있다. 입력 센서(200)는 표시 패널(100)을 형성한 후 연속 공정에 의해 형성될 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니다.
베이스 절연층(200-1)은 표시 패널(100) 위에 직접 배치될 수 있다. 예를 들어, 베이스 절연층(200-1)은 제2 무기층(93)과 직접 접촉될 수 있다. 베이스 절연층(200-1)은 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 또는 베이스 절연층(200-1)은 생략될 수 있다.
제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 단층구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다. 단층구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화 아연(zinc oxide, ZnO), 인듐 주석 아연 산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층구조의 도전층은 다층의 금속층들을 포함할 수 있다. 다층의 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 감지 전극들을 구성하는 패턴들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(200-2)은 제1 연결 패턴(212)을 포함하고, 제2 도전층(200-4)은 제1 감지 패턴(211), 제2 감지 패턴(221), 및 제2 연결 패턴(222)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 도전층(200-2) 및 제2 도전층(200-4) 각각은 감지 라인들(230)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(200-2)은 감지 라인들(230) 중 일부를 포함하고, 제2 도전층(200-4)은 감지 라인들(230)의 다른 일부를 포함할 수 있다.
감지 절연층(200-3)은 제1 도전층(200-2)과 제2 도전층(200-4) 사이에 배치되며, 제1 도전층(200-2)을 커버할 수 있다. 제2 도전층(200-4)의 일부 구성은 감지 절연층(200-3)을 관통하는 컨택홀을 통해 제1 도전층(200-2)의 일부 구성과 전기적으로 연결될 수 있다. 커버 절연층(200-5)은 감지 절연층(200-3) 위에 배치되며, 제2 도전층(200-4)을 커버할 수 있다.
감지 절연층(200-3) 및 커버 절연층(200-5) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
감지 절연층(200-3) 및 커버 절연층(200-5) 중 적어도 어느 하나는 유기막을 포함할 수 있다. 유기막은 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 폴리이소프렌, 비닐계 수지, 에폭시계 수지, 우레탄계 수지, 셀룰로오스계 수지, 실록산계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리아미드계 수지 및 페릴렌계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다. 도 7 및 도 8은 전원 패턴(150), 제1 돌출부(181), 제2 돌출부(182), 및 제3 돌출부(183)가 배치된 영역의 단면도이며, 도 7은 도 5a의 I-I'을 따라 절단한 단면도이며, 도 8은 도 5a의 II-II'을 따라 절단한 단면도이다.
도 5a, 도 7 및 도 8을 참조하면, 제1 돌출부(181), 제2 돌출부(182), 제3 돌출부(183)는 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1, 제2, 및 제3 돌출부들(181, 182, 183)은 제1, 제2, 및 제3 댐들로 각각 지칭될 수 있다.
유기층(92)을 형성하기 위해 유기 모노머를 인쇄할 때, 제1, 제2, 및 제3 돌출부들(181, 182, 183)은 유기 모노머가 흘러 넘치는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다.
제1, 제2, 및 제3 돌출부들(181, 182, 183) 각각은 복수의 적층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 돌출부(181)는 제1 돌출부분(181a) 및 제1 돌출부분(181a) 위에 적층된 제2 돌출부분(181b)을 포함하고, 제2 돌출부(182)는 제1 돌출부분(182a) 및 제1 돌출부분(182a) 위에 적층된 제2 돌출부분(182b)을 포함하고, 제3 돌출부(183)는 제1 돌출부분(183a), 제1 돌출부분(183a) 위에 적층된 제2 돌출부분(183b), 및 제2 돌출부분(183b) 위에 적층된 제3 돌출부분(183c)을 포함할 수 있다.
제1 돌출부분(183a)은 제5 절연층(50, 도 6 참조)과 동일한 물질을 포함하며, 제1 돌출부분(183a)은 제5 절연층(50, 도 6 참조)과 동일한 공정을 통해 형성된 층일 수 있다. 따라서, 제1 돌출부분(183a)은 유기물질을 포함할 수 있다. 제1 돌출부분(181a), 제1 돌출부분(182a), 및 제2 돌출부분(183b)은 제6 절연층(60, 도 6 참조)과 동일한 물질을 포함하며, 제1 돌출부분(181a), 제1 돌출부분(182a), 및 제2 돌출부분(183b)은 제6 절연층(60, 도 6 참조)과 동일한 공정을 통해 형성된 층일 수 있다. 제2 돌출부분(181b), 제2 돌출부분(182b), 및 제3 돌출부분(183c)은 화소 정의막(70, 도 6 참조)과 동일한 물질을 포함하며, 제2 돌출부분(181b), 제2 돌출부분(182b), 및 제3 돌출부분(183c)은 화소 정의막(70, 도 6 참조)과 동일한 공정을 통해 형성된 층일 수 있다.
전원 패턴(150)의 일부분은 제1 돌출부(181)와 제2 돌출부(182) 아래에 배치되고, 전원 패턴(150)의 다른 일부분은 제1 돌출부분(183a)과 제2 돌출부분(183b) 사이에 배치될 수 있다. 제1 돌출부(181) 및 제2 돌출부(182)는 추가 돌출부로 지칭될 수 있으며, 제3 돌출부(183)는 돌출부로 지칭될 수 있다. 또한, 전원 패턴(150)의 상기 다른 일부분은 중첩 부분(150OP)으로 지칭될 수 있다. 중첩 부분(150OP)에 의해 제1 돌출부분(183a)의 일부분이 커버될 수 있다.
감지 라인들(230)은 제1, 제2, 및 제3 돌출부들(181, 182, 183) 각각의 연장 방향들과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다. 감지 라인들(230)은 제1, 제2, 및 제3 돌출부들(181, 182, 183) 위에 배치되며, 굴곡진 형상을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예와 달리, 전원 패턴(150)에 개구(155)가 제공되지 않는 경우, 제1 돌출부분(183a)에 의해 발생된 가스는 제1 돌출부분(183a)과 전원 패턴(150) 사이에 갇힐 수 있다. 이 경우, 가스에 의해 제1 돌출부분(183a)과 전원 패턴(150) 사이의 공간이 들뜨는 현상이 발생될 수 있다. 이는 제3 돌출부(183)의 높이의 증가 및 형상을 변형시키는 원인이 될 수 있으며, 제3 돌출부(183)의 변형에 의해 감지 라인들(230)이 단선되는 불량이 발생될 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 중첩 부분(150OP)에는 개구(155)가 정의될 수 있다. 개구(155)를 통해 제1 돌출부분(183a)에서 발생된 가스는 외부로 배출될 수 있다. 따라서, 제3 돌출부(183)의 형상 변형이 방지될 수 있으며, 그에 따라 감지 라인들(230)이 단선되는 불량이 방지될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 9를 참조하면, 전원 패턴(150)의 제2 가지 패턴 부분(154)에도 개구(156)가 정의될 수 있다. 개구(156)는 전원 패턴(150)의 일부분이 제거되어 제공될 수 있다. 개구(156)에 의해 전원 패턴(150) 아래에 배치된 구성이 노출될 수 있다. 이에 따라, 전원 패턴(150) 아래에 배치된 구성에 의해 발생된 가스는 개구(156)를 통해 배출될 수 있다. 따라서, 상기 가스에 의해 발생되는 문제가 예방될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 표시 장치 100: 표시 패널
200: 입력 센서 150: 전원 패턴
151: 제1 패턴 부분 152: 제2 패턴 부분
181, 182, 183: 돌출부들

Claims (20)

  1. 제1 영역 및 상기 제1 영역에 인접한 제2 영역이 정의된 베이스층;
    상기 베이스층의 상기 제1 영역에 배치된 복수의 화소들;
    상기 복수의 화소들로 전원을 공급하는 전원 라인;
    상기 전원 라인과 전기적으로 연결되며 상기 제2 영역에 배치된 전원 패턴; 및
    상기 제2 영역에 배치되며, 상기 제1 영역의 적어도 일부를 에워싸고, 제1 돌출부분 및 상기 제1 돌출부분 위에 배치된 제2 돌출부분을 포함하는 돌출부를 포함하고,
    상기 전원 패턴은 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치된 중첩 부분을 포함하고, 상기 중첩 부분에는 개구가 정의된 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 화소들 위에 배치된 봉지층;
    상기 봉지층 위에 직접 배치되며, 상기 제1 영역 위에 배치된 복수의 감지 전극들; 및
    상기 복수의 감지 전극들에 전기적으로 연결되며 상기 제2 영역 위에 배치된 복수의 감지 라인들을 더 포함하고, 평면상에서 보았을 때, 복수의 감지 라인들은 상기 개구와 이격된 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 감지 라인들 각각의 일부분은 상기 전원 패턴과 중첩하는 표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 전원 패턴은 제1 방향을 따라 연장하는 제1 패턴 부분, 및 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 돌출된 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하고,
    상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 복수의 감지 라인들 중 적어도 일부와 중첩하는 제1 가지 패턴 부분, 및 상기 복수의 감지 라인들과 비중첩하는 제2 가지 패턴 부분을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분 및 상기 제2 가지 패턴 부분 모두에 각각 정의된 표시 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분에 정의되며 상기 제2 가지 패턴 부분에는 정의되지 않은 표시 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 중첩 부분은 상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각의 일부분을 포함하는 표시 장치.
  8. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각의 상기 제1 방향의 폭은 1300μm이하인 표시 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 개구와 상기 복수의 감지 라인들 사이의 최소 거리는 58.4μm 이상인 표시 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 복수의 감지 라인들은 상기 돌출부 위에 배치되며, 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부와 교차하는 방향을 따라 연장되는 표시 장치.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 굴곡진 형상을 갖는 표시 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 영역에 배치되며, 상기 돌출부보다 상기 제1 영역에 더 가까이 배치된 추가 돌출부를 더 포함하고, 상기 전원 패턴의 일부분은 상기 추가 돌출부 아래에 배치된 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 추가 돌출부와 상기 제2 돌출부분은 동일한 물질을 포함하는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 개구는 복수로 제공되고, 복수의 개구들 사이의 피치는 40μm이며, 상기 복수의 개구들 각각은 사각형상을 갖는 표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 돌출부분은 유기물을 포함하는 표시 장치.
  16. 액티브 영역 및 주변 영역이 정의된 표시 장치는 표시 패널, 및 상기 표시 패널 위에 직접 배치된 입력 센서를 포함하고,
    상기 표시 패널은,
    상기 액티브 영역에 배치된 복수의 화소들;
    상기 주변 영역에 배치되며 상기 액티브 영역의 적어도 일부를 에워싸고 제1 돌출부분 및 상기 제1 돌출부분 위에 배치된 제2 돌출부분을 포함하는 돌출부;
    상기 복수의 화소들로 전원을 공급하는 전원 라인; 및
    상기 전원 라인과 전기적으로 연결되며, 상기 주변 영역에 배치되고, 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치되며 개구가 정의된 중첩 부분을 포함하는 전원 패턴을 포함하고,
    상기 입력 센서는,
    상기 액티브 영역에 배치된 복수의 감지 전극들; 및
    상기 주변 영역에 배치되며 상기 감지 전극들에 전기적으로 연결된 복수의 감지 라인들을 포함하고, 상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부의 형상에 대응하여 굴곡진 형상을 갖는 표시 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 복수의 감지 라인들은 상기 중첩 부분 위에 배치되며, 평면 상에서 보았을 때 상기 복수의 감지 라인들은 상기 개구와 이격된 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 돌출부는 제1 방향을 따라 연장하고, 상기 전원 패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장되며 상기 제1 돌출부분과 상기 제2 돌출부분 사이에 배치된 제1 가지 패턴 부분 및 제2 가지 패턴 부분을 포함하고, 상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분 및 상기 제2 가지 패턴 부분 중 적어도 하나에 제공된 표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 복수의 감지 라인들 중 적어도 일부는 상기 제1 가지 패턴 부분 위에 배치되고, 상기 개구는 상기 제1 가지 패턴 부분에 정의된 표시 장치.
  20. 액티브 영역에 배치된 복수의 화소들;
    상기 액티브 영역의 적어도 일부를 에워싸며, 제1 돌출 부분 및 상기 제1 돌출 부분 위에 배치된 제2 돌출 부분을 포함하는 돌출부;
    상기 복수의 화소들로 전원을 전달하며, 상기 제1 돌출 부분 및 상기 제2 돌출 부분 사이에 배치된 전원 패턴;
    상기 복수의 화소들 위에 배치된 봉지층;
    상기 액티브 영역에 배치된 복수의 감지 전극들; 및
    상기 복수의 감지 전극들에 전기적으로 연결되며, 상기 제2 돌출 부분을 사이에 두고 상기 전원 패턴과 이격된 복수의 감지 라인들을 포함하고,
    상기 전원 패턴에는 상기 제1 돌출 부분의 일부분을 노출시키는 개구가 정의되고,
    상기 돌출부와 중첩하는 상기 복수의 감지 라인들 각각은 상기 돌출부의 형상에 대응하여 굴곡진 형상을 갖는 표시 장치.
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