CN118159062A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
提供了显示装置。显示装置包括第一子像素电极、与第一子像素电极相邻的第二子像素电极、包括与第一子像素电极重叠的第一开口、与第二子像素电极重叠的第二开口、第一金属层和布置在第一金属层上的第二金属层的金属堤层，其中金属堤层还包括布置在第一开口与第二开口之间的锚孔。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月6日提交到韩国知识产权局的第10-2022-0169103号韩国专利申请的优先权以及权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
一个或多个实施方式涉及显示装置的结构和制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置可视地显示数据。显示装置可包括划分为显示区域和外围区域的衬底。在显示区域中扫描线与数据线绝缘，并且在显示区域中可排列有多个子像素。例如，在显示区域中可提供有薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的子像素电极。薄膜晶体管和子像素电极中的每个可对应于子像素中的对应的一个。在显示区域中可提供有相对电极。相对电极可公共地形成在多个子像素中。在外围区域中可形成有将电信号传送到显示区域的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器、控制器、焊盘部分和类似物。
显示装置的用途已多样化。因此，已研究各种设计以改善显示装置的质量。
发明内容
实施方式提供了具有改善的分辨率并且能够实现优异的图像质量的显示装置。
然而，本公开的实施方式不限于本文中阐述的实施方式。通过参照以下给出的本公开的详细描述，以上和其它的实施方式将对本公开所属的领域的普通技术人员变得更显而易见。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括第一子像素电极、与第一子像素电极相邻的第二子像素电极、包括与第一子像素电极重叠的第一开口、与第二子像素电极重叠的第二开口、第一金属层和布置在第一金属层上的第二金属层的金属堤层、通过金属堤层的第一开口与第一子像素电极重叠的第一中间层、通过金属堤层的第二开口与第二子像素电极重叠的第二中间层、通过金属堤层的第一开口布置在第一中间层上的第一相对电极以及通过金属堤层的第二开口布置在第二中间层上的第二相对电极，其中金属堤层还可包括布置在第一开口与第二开口之间的锚孔。
显示装置还可包括填充第一开口、第二开口和锚孔中的每个的至少一部分的有机封装层。
锚孔可通过在厚度方向上部分去除金属堤层来形成，并且锚孔的深度可小于金属堤层的厚度和金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
锚孔可暴露部分被去除的第一金属层的上表面，并且第一金属层的通过锚孔暴露的上表面可接触有机封装层。
锚孔可穿过金属堤层，并且锚孔的深度可基本上等于金属堤层的厚度和金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
显示装置还可包括覆盖第一子像素电极的边缘部分并且布置在金属堤层下面的绝缘层，其中锚孔可暴露绝缘层的上表面，并且绝缘层的上表面可通过锚孔接触有机封装层。
第二金属层的布置在第一开口周围的部分可包括从第二金属层的下表面接触第一金属层的面向第一开口的侧表面的部分延伸到第一开口的尖端，第二金属层的布置在第二开口周围的部分可包括从第二金属层的下表面接触第一金属层的面向第二开口的侧表面的部分延伸到第二开口的尖端，并且第二金属层的布置在锚孔周围的部分可包括从第二金属层的下表面接触第一金属层的面向锚孔的侧表面的部分延伸到锚孔的尖端。
第一相对电极的外侧部分可接触第一金属层的面向金属堤层的第一开口的侧表面，并且第二相对电极的外侧部分可接触第一金属层的面向金属堤层的第二开口的侧表面。
显示装置还可包括布置在金属堤层上的第一虚设中间层、布置在第一虚设中间层上的第一虚设相对电极以及覆盖第一开口的内表面的第一子像素无机封装层，第一虚设中间层和第一中间层包括相同的材料，第一虚设相对电极和第一相对电极包括相同的材料，其中第一子像素无机封装层可连续地延伸为与第一虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面以及第一虚设中间层的两个相对的侧表面重叠。
第一子像素无机封装层的端部可接触金属堤层的面向锚孔的侧表面。
显示装置还可包括布置在第一相对电极与第一子像素无机封装层之间的区以及第一虚设相对电极与第一子像素无机封装层之间的区中的盖层。
显示装置还可包括第二虚设中间层、第二虚设相对电极和第二子像素无机封装层，第二虚设中间层在金属堤层上布置为接触第一子像素无机封装层，第二虚设中间层和第二中间层包括相同的材料，第二虚设相对电极布置在第二虚设中间层上，第二虚设相对电极和第二相对电极包括相同的材料，第二子像素无机封装层覆盖第二开口的内表面，其中第二子像素无机封装层可连续地延伸为与第二虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面、第二虚设中间层的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层的两个相对的侧表面重叠。
根据一个或多个实施方式，显示装置可包括第一子像素电极、包括与第一子像素电极重叠的第一开口、第一金属层和布置在第一金属层上的第二金属层的金属堤层、通过金属堤层的第一开口与第一子像素电极重叠的第一中间层、通过金属堤层的第一开口布置在第一中间层上的第一相对电极、布置在金属堤层上的第一虚设中间层、布置在第一虚设中间层上的第一虚设相对电极以及布置在第一相对电极上的第一子像素无机封装层，第一虚设中间层和第一中间层包括相同的材料，第一虚设相对电极和第一相对电极包括相同的材料，其中第一子像素无机封装层可连续地延伸为与第一开口的内表面、第一虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面以及第一虚设中间层的两个相对的侧表面重叠。
显示装置还可包括第二子像素电极、通过金属堤层的第二开口与第二子像素电极重叠的第二中间层、通过金属堤层的第二开口布置在第二中间层上的第二相对电极、在金属堤层上布置为接触第一子像素无机封装层的第二虚设中间层、布置在第二虚设中间层上的第二虚设相对电极以及布置在第二相对电极上的第二子像素无机封装层，第二虚设中间层和第二中间层包括相同的材料，第二虚设相对电极和第二相对电极包括相同的材料，其中第二子像素无机封装层可连续地延伸为围绕第二开口的内表面、第二虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面、第二虚设中间层的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层的两个相对的侧表面。
第一相对电极的外侧部分可接触第一金属层的面向金属堤层的第一开口的侧表面。
第二金属层的面向金属堤层的第一开口的部分可包括从第二金属层的下表面接触第一金属层的侧表面的部分延伸到第一开口的尖端。
金属堤层还可包括布置在没有布置第一子像素电极和第二子像素电极的非子像素区域中的锚孔，其中锚孔可布置在第一开口与第二开口之间。
显示装置还可包括填充第一开口、第二开口和锚孔中的每个的至少一部分的有机封装层，其中有机封装层可布置在第一子像素无机封装层和第二子像素无机封装层上。
锚孔可通过在厚度方向上部分去除金属堤层来形成，并且锚孔的深度可小于金属堤层的厚度和金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
锚孔可暴露部分被去除的第一金属层的上表面，并且第一金属层的通过锚孔暴露的上表面可接触有机封装层。
锚孔可穿过金属堤层，并且锚孔的深度可基本上等于金属堤层的厚度和金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
显示装置还可包括覆盖第一子像素电极的边缘部分并且布置在金属堤层下面的绝缘层，其中锚孔可暴露绝缘层的上表面，并且绝缘层的上表面可通过锚孔接触有机封装层。
显示装置还可包括布置在第一相对电极与第一子像素无机封装层之间的区、第一虚设相对电极与第一子像素无机封装层之间的区、第二相对电极与第二子像素无机封装层之间的区以及第二虚设相对电极与第二子像素无机封装层之间的区中的每个中的盖层。
附图说明
通过结合附图的下面的描述，本公开的某些实施方式的以上和其它的方面、特征和优点将更显而易见，在附图中：
图1A和图1B是根据实施方式的显示装置的示意性透视图；
图2A和图2B是根据实施方式的与显示装置的子像素中的一个对应的发光二极管和连接到相关发光二极管的子像素电路的示意性等效电路图。
图3A至图3K是示出根据实施方式的与制造显示装置的过程对应的状态的示意性剖视图；
图3L是根据实施方式的发光二极管的堆叠结构的示意性剖视图；
图4是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；
图5是根据实施方式的显示装置的发光二极管和锚孔的示意性平面视图；
图6A至图6W是示出根据实施方式的制造显示装置的过程的示意性剖视图；以及
图7是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对本发明的各种实施方式或实现方式的透彻理解。如本文中所使用的“实施方式”和“实现方式”为可互换的词，它们为本文中公开的设备或方法的非限制性实例。然而，显而易见的是，各种实施方式可在没有这些具体细节的情况下或者在一个或多个等同布置的情况下实践。这里，各种实施方式不必为排他性的，也不必限制本公开。例如，实施方式的具体形状、配置和特性可在另一实施方式中使用或实现。
除非另有说明，否则所示的实施方式将被理解为提供本发明的特征。因此，除非另有说明，否则各种实施方式的特征、部件、模块、层、膜、面板、区和/或方面等(在下文中被单独称为或统称为“元件”)可在不背离本发明的情况下以其它方式组合、分离、互换和/或重新排列。
交叉影线和/或阴影在附图中的使用通常提供为阐明相邻元件之间的边界。由此，除非说明，否则无论交叉影线或阴影的存在与否都不传达或指示对特定材料、材料性能、大小、比例、所示元件之间的共性和/或元件的任何其它特性、属性、性能等的任何偏好或要求。另外，在附图中，出于清楚和/或描述性目的，元件的尺寸和相对尺寸可能被夸大。当实施方式可不同地实现时，具体工艺顺序可与描述的顺序不同地执行。例如，两个连续描述的过程可基本上同时执行或者以与描述的顺序相反的顺序执行。而且，类似的附图标记表示类似的元件。
当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、直接连接到或联接到另一元件或层，或者可存在居间元件或居间层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”另一元件或层时，不存在居间元件或居间层。为此，术语“连接”可是指在有或没有居间元件的情况下的物理、电和/或流体的连接。另外，x轴方向、y轴方向和z轴方向不限于直角坐标系的与三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)对应的方向，并且可在更广泛的意义上解释。例如，x轴方向、y轴方向和z轴方向可彼此垂直，或者可代表彼此不垂直的不同方向。出于本公开的目的，“A和B中的至少一个”可被解释为理解为意味着仅A、仅B、或A和B的任何组合。而且，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z构成的集群中的至少一个”可被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y和Z中的两个或更多个的任何组合。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
尽管术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种类型的元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本公开的教导的情况下，以下讨论的第一元件能被称作第二元件。
空间相对术语，诸如“之下(beneath)”、“下方(below)”、“下面(under)”、“下(lower)”、“上方(above)”、“上(upper)”、“上面(over)”、“更高(higher)”、“侧(side)”(例如，如在“侧壁(sidewall)”中)和类似词，可在本文中出于描述性目的使用，并且从而描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中描绘的取向以外，空间相对术语还旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被取向在其它元件或特征“上方”。因此，术语“下方”能够涵盖上方和下方的取向两者。此外，装置可以其它方式取向(例如，旋转90度或在其它取向)，并且由此，本文中所使用的空间相对描述词被相应地解释。
本文中所使用的专业用语出于描述特定实施方式的目的，并且不旨在进行限制。除非上下文另有清楚指示，否则如本文中所使用的单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”也旨在包括复数形式。此外，术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”和/或“包括(including)”，当在本说明书中使用时，说明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在，但不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其集群的存在或添加。也要注意的是，如本文中所使用的，术语“基本上(substantially)”、“约(about)”以及其它相似术语用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且由此，被利用以考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值的固有偏差。
本文中参照为实施方式和/或中间结构的示意性图示的剖面图示和/或分解图示对各种实施方式进行描述。由此，由例如制造技术和/或公差而导致的图示的形状的变化将被预料。因此，本文中公开的实施方式不应必须被解释为限于特定所示的区的形状，而是将包括由例如制造而导致的形状的偏差。通过这种方式，附图中所示的区本质上可为示意性的，并且这些区的形状可不反映设备的区的实际形状，并且由此不必须旨在进行限制。
图1A和图1B是根据实施方式的显示装置1的示意性透视图。
参照图1A和图1B，显示装置1可包括显示区域DA和在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA可通过排列在显示区域DA中的子像素P来显示图像。非显示区域NDA排列在显示区域DA外部并且不显示图像。非显示区域NDA可围绕(例如，完全围绕)显示区域DA。在非显示区域NDA中可排列有将电信号或电力提供到显示区域DA的驱动器和类似物。在非显示区域NDA中可排列有焊盘。焊盘可为电子元件或印刷电路板可电连接到的区。
尽管在一实施方式中图1A示出了显示区域DA为其在x轴方向上的长度小于其在y轴方向上的长度的多边形(例如，四边形)，但在另一实施方式中图1B示出了显示区域DA为其在y轴方向上的长度小于其在x轴方向上的长度的多边形(例如，四边形)。尽管图1A和图1B示出显示区域DA为大致四边形，但实施方式不限于此。作为实施方式，显示区域DA可具有各种形状，诸如N边形(其中N为3或更大的自然数)、圆形或椭圆形。尽管在图1A和图1B中示出了显示区域DA具有显示区域DA的拐角包括直线与直线相交处的顶点的形状，但显示区域DA可具有带有倒圆角的多边形。
在下文中，为了描述的便利，尽管描述了显示装置1为智能电话的情况，但根据实施方式的显示装置1不限于此。显示装置1可适用于包括电视、笔记本计算机、监视器、广告板、基于物联网(IoT)的设备的各种产品以及包括移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通信终端、电子管理器、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航设备和超移动个人计算机(UMPC)的便携式电子装置。例如，根据实施方式的显示装置1可适用于包括智能手表、手表电话、眼镜型显示器和头戴式显示器(HMD)的可穿戴设备。例如，在实施方式中，显示装置1可适用于在用于车辆的仪器面板、用于车辆的中央仪表盘或排列在仪表板上的中央信息显示器(CID)中的显示屏、代替车辆的侧视镜的内视镜显示器以及车辆中的排列在前座的背面上的用于后座乘客的娱乐系统的显示器。
图2A是根据实施方式的与显示装置1的子像素中的一个对应的发光二极管ED和连接到相关的发光二极管ED的子像素电路PC的示意性等效电路图。
参照图2A，发光二极管ED可电连接到子像素电路PC，并且子像素电路PC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。发光二极管ED的子像素电极(例如，阳极)可电连接到第一晶体管T1，并且相对电极(例如，阴极)可电连接到辅助线VSL，并且可通过辅助线VSL接收与公共电压ELVSS对应的电压。
第二晶体管T2可根据通过扫描线GW输入的扫描信号Sgw将数据信号Dm传送到第一晶体管T1。数据信号Dm可通过数据线DL来输入。
存储电容器Cst可连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储与从第二晶体管T2传送的电压和供给到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可根据存储在存储电容器Cst中的电压来控制驱动电流Id，驱动电流Id从驱动电压线PL流到发光二极管ED。发光二极管ED可发射具有与驱动电流Id对应的一定亮度的光。
尽管参照图2A描述了子像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但实施方式不限于此。
图2B是根据实施方式的与显示装置1的子像素中的一个对应的发光二极管ED和连接到相关的发光二极管ED的子像素电路PC的示意性等效电路图。
参照图2B，子像素电路PC可包括七个晶体管和两个电容器。
子像素电路PC可包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt。在实施方式中，子像素电路PC可不包括升压电容器Cbt。发光二极管ED的子像素电极(例如，阳极)可通过第六晶体管T6电连接到第一晶体管T1，并且相对电极(例如，阴极)可电连接到辅助线VSL，并且可通过辅助线VSL接收与公共电压ELVSS对应的电压。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7中的一些可为n沟道金属氧化物半导体(NMOS)场效应晶体管(n沟道MOSFET)，并且剩余晶体管可为p沟道金属氧化物半导体(PMOS)场效应晶体管(p沟道MOSFET)。在实施方式中，如图2B中所示，第三晶体管T3和第四晶体管T4可为n沟道MOSFET，并且剩余晶体管可为p沟道MOSFET。作为实例，第三晶体管T3和第四晶体管T4可为包括氧化物基半导体材料的n沟道MOSFET，并且剩余晶体管可为包括硅基半导体材料的p沟道MOSFET。在实施方式中，第三晶体管T3、第四晶体管T4和第七晶体管T7可为n沟道MOSFET，并且剩余晶体管可为p沟道MOSFET。
第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7、存储电容器Cst和升压电容器Cbt可连接到信号线。信号线可包括发射控制线EM、扫描线GW、补偿栅极线GC、第一初始化栅极线GI1、第二初始化栅极线GI2和数据线DL。子像素电路PC可电连接到电压线，例如，驱动电压线PL、第一初始化电压线VL1和第二初始化电压线VL2。
第一晶体管T1可为驱动晶体管T1。第一晶体管T1的第一栅电极可连接到存储电容器Cst，第一晶体管T1的第一电极可通过第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL，并且第一晶体管T1的第二电极可通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第一晶体管T1的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。第一晶体管T1可根据第二晶体管T2的开关操作将驱动电流Id供给到发光二极管ED。
第二晶体管T2可为开关晶体管。第二晶体管T2的第二栅电极可连接到扫描线GW，第二晶体管T2的第一电极可连接到数据线DL，并且第二晶体管T2的第二电极可连接到第一晶体管T1的第一电极并且通过第五晶体管T5电连接到驱动电压线PL。第二晶体管T2的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。第二晶体管T2可根据通过扫描线GW传送的扫描信号Sgw导通，并且可执行将数据信号Dm传送到第一晶体管T1的第一电极的开关操作。数据信号Dm可通过数据线DL来传送。
第三晶体管T3可为补偿第一晶体管T1的阈值电压的补偿晶体管。第三晶体管T3的第三栅电极可连接到补偿栅极线GC。第三晶体管T3的第一电极可连接到存储电容器Cst的下电极CE1，并且通过节点连接线166连接到第一晶体管T1的第一栅电极。第三晶体管T3的第一电极可连接到第四晶体管T4。第三晶体管T3的第二电极可连接到第一晶体管T1的第二电极，并且通过第六晶体管T6电连接到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第三晶体管T3的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。
第三晶体管T3可根据通过补偿栅极线GC传送的补偿信号Sgc导通，并且通过将第一晶体管T1的第一栅电极电连接到第二电极(例如，漏电极)来二极管连接第一晶体管T1。
第四晶体管T4可为将第一晶体管T1的第一栅电极初始化的第一初始化晶体管。第四晶体管T4的第四栅电极可连接到第一初始化栅极线GI1。第四晶体管T4的第一电极可连接到第一初始化电压线VL1。第四晶体管T4的第二电极可连接到存储电容器Cst的下电极CE1、第三晶体管T3的第一电极和第一晶体管T1的第一栅电极。第四晶体管T4的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。第四晶体管T4可根据通过第一初始化栅极线GI1传送的第一初始化信号Sgi1而导通，并且可通过将第一初始化电压Vint传送到驱动晶体管T1的第一栅电极来执行将第一晶体管T1的第一栅电极的电压初始化的初始化操作。
第五晶体管T5可为操作控制晶体管。第五晶体管T5的第五栅电极可连接到发射控制线EM，第五晶体管T5的第一电极可连接到驱动电压线PL，并且第五晶体管T5的第二电极可连接到第一晶体管T1的第一电极和第二晶体管T2的第二电极。第五晶体管T5的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。
第六晶体管T6可为发射控制晶体管。第六晶体管T6的第六栅电极可连接到发射控制线EM，第六晶体管T6的第一电极可连接到第一晶体管T1的第二电极和第三晶体管T3的第二电极，并且第六晶体管T6的第二电极可电连接到第七晶体管T7的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第六晶体管T6的第一电极和第二电极中的一个可为源电极，并且另一个可为漏电极。
第五晶体管T5和第六晶体管T6可根据通过发射控制线EM传送的发射控制信号Sem而同步地导通，驱动电压ELVDD可传送到发光二极管ED，并且驱动电流Id可流过发光二极管ED。
第七晶体管T7可为将发光二极管ED的第一电极初始化的第二初始化晶体管。第七晶体管T7的第七栅电极可连接到第二初始化栅极线GI2。第七晶体管T7的第一电极可连接到第二初始化电压线VL2。第七晶体管T7的第二电极可连接到第六晶体管T6的第二电极和发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)。第七晶体管T7可根据通过第二初始化栅极线GI2传送的第二初始化信号Sgi2导通，并且可通过将第二初始化电压Vaint传送到发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)来初始化发光二极管ED的第一电极。
在实施方式中，第二初始化栅极线GI2可为下一扫描线。作为实例，连接到子像素电路PC的第七晶体管T7并且排列在第i行中的第二初始化栅极线GI2可对应于排列在第(i+1)行中的子像素电路PC的扫描线，其中i为大于0的自然数。在实施方式中，第二初始化栅极线GI2可为发射控制线EM。作为实例，发射控制线EM可电连接到第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7。
存储电容器Cst可包括下电极CE1和上电极CE2。存储电容器Cst的下电极CE1可连接到第一晶体管T1的第一栅电极，并且存储电容器Cst的上电极CE2可连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst可存储与第一晶体管T1的第一栅电极的电压和驱动电压ELVDD之间的差对应的电荷。
升压电容器Cbt可包括第三电极CE3和第四电极CE4。第三电极CE3可连接到第二晶体管T2的第二栅电极和扫描线GW，并且第四电极CE4可连接到第三晶体管T3的第一电极和节点连接线166。升压电容器Cbt可在供给到扫描线GW的扫描信号Sgw关断(例如，处于关断电平)的情况下升高第一节点N1的电压。在第一节点N1的电压升高的情况下，可清楚地表现黑色灰度。
第一节点N1可为第一晶体管T1的第一栅电极、第三晶体管T3的第一电极、第四晶体管T4的第二电极和升压电容器Cbt的第四电极CE4彼此连接的区。
在实施方式中，在图2B中描述了第三晶体管T3和第四晶体管T4为n沟道MOSFET，并且第一晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7为p沟道MOSFET。直接影响显示图像的显示装置1的亮度的第一晶体管T1可包括包含有具有高可靠性的多晶硅的半导体层，并且因此，可通过这种配置来实现高分辨率的显示装置。
尽管在图2B中描述了晶体管中的一些为NMOSFET并且剩余晶体管为PMOSFET，但实施方式不限于此。在实施方式中，子像素电路PC可包括三个晶体管，并且三个晶体管中的所有可为NMOSFET。然而，可进行各种修改。
图3A至图3K是示出根据实施方式的与制造显示装置1的过程对应的状态的示意性剖视图，并且图3L是根据实施方式的发光二极管的堆叠结构的示意性剖视图。
参照图3A，可在衬底100上形成子像素电路PC。衬底100可包括玻璃或聚合物树脂。衬底100可具有堆叠有包括聚合物树脂的基础层和无机阻挡层的结构。聚合物树脂可包括诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)和类似物的聚合物树脂。
在衬底100的上表面上可布置有缓冲层101。缓冲层101可防止杂质渗入晶体管的半导体层。缓冲层101可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层。
子像素电路PC可布置在缓冲层101上。如以上参照图2A或图2B所述，子像素电路PC可包括晶体管和存储电容器Cst。在实施方式中，图3A示出了子像素电路PC的第一晶体管T1、第六晶体管T6和存储电容器Cst。
第一晶体管T1可包括第一半导体层A1和第一栅电极G1。第一半导体层A1可在缓冲层101上，并且第一栅电极G1可与第一半导体层A1的沟道区重叠。第一半导体层A1可包括硅基半导体材料，例如，多晶硅。第一半导体层A1可包括沟道区、第一区和第二区，第一区和第二区在沟道区的相对两侧上。第一区和第二区可为包括比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区。第一区和第二区中的一个可对应于源区，并且另一个可对应于漏区。
第六晶体管T6可包括第六半导体层A6和第六栅电极G6。第六半导体层A6可在缓冲层101上，并且第六栅电极G6可与第六半导体层A6的沟道区重叠。第六半导体层A6可包括硅基半导体材料，例如，多晶硅。第六半导体层A6可包括沟道区、第一区和第二区，第一区和第二区在沟道区的相对两侧上。第一区和第二区可为包括比沟道区的浓度高的浓度的杂质的区。第一区和第二区中的一个可对应于源区，并且另一个可对应于漏区。
第一栅电极G1和第六栅电极G6可包括包含有钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。在第一栅电极G1和第六栅电极G6下方可布置有第一栅极绝缘层103。第一栅极绝缘层103可用于第一半导体层A1与第一栅电极G1之间以及第六半导体层A6与第六栅电极G6之间的电绝缘。第一栅极绝缘层103可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且包括包含有以上无机绝缘材料的单层或多层。
存储电容器Cst可包括彼此重叠的下电极CE1和上电极CE2。在实施方式中，存储电容器Cst的下电极CE1可包括第一栅电极G1。例如，第一栅电极G1可包括存储电容器Cst的下电极CE1。作为实例，第一栅电极G1和存储电容器Cst的下电极CE1可为单个本体。
在存储电容器Cst的下电极CE1与上电极CE2之间可布置有第一层间绝缘层105。第一层间绝缘层105可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且包括包含有以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
存储电容器Cst的上电极CE2可包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)的低电阻材料的导电材料，并且具有包括以上材料的单层结构或多层结构。
在存储电容器Cst上可布置有第二层间绝缘层107。第二层间绝缘层107可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且包括包含有以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。
在第二层间绝缘层107上可布置有源电极S1和/或漏电极D1。源电极S1和/或漏电极D1可连接(例如，电连接)到第一晶体管T1的第一半导体层A1。在第二层间绝缘层107上可布置有源电极S6和/或漏电极D6。源电极S6和/或漏电极D6可连接(例如，电连接)到第六晶体管T6的第六半导体层A6。源电极S1和S6和/或漏电极D1和D6可包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可包括包含有以上材料的单层或多层。
在子像素电路PC上可布置有第一有机绝缘层109。第一有机绝缘层109可包括有机绝缘材料，诸如丙烯酰系聚合物、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。
在第一有机绝缘层109上可布置有连接金属CM。连接金属CM可包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且包括包含有以上材料的单层或多层。
在连接金属CM与子像素电极210之间可布置有第二有机绝缘层111。第二有机绝缘层111可包括有机绝缘材料，诸如丙烯酰系聚合物、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO)。根据参照图3A描述的实施方式，尽管子像素电路PC通过连接金属CM电连接到子像素电极210，但根据实施方式，可省略连接金属CM并且有机绝缘层(或单个有机绝缘层)可定位在子像素电路PC与子像素电极210之间。例如，三个或更多个有机绝缘层可定位在子像素电路PC与子像素电极210之间。子像素电路PC可通过多个连接金属电连接到子像素电极210。
可在第二有机绝缘层111上形成子像素电极210。子像素电极210可形成为透明电极(或半透明电极)或形成为反射电极。在子像素电极210形成为透明电极(或半透明电极)的情况下，子像素电极210可包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在子像素电极210形成为反射电极的情况下，子像素电极210可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层以及布置在反射层上的层，该层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。在实施方式中，子像素电极210可具有顺序地堆叠的ITO层、Ag层和ITO层的结构。子像素电极210可通过第二有机绝缘层111的接触孔电连接到连接金属CM。
可在子像素电极210上形成保护层113。保护层113可与子像素电极210一起形成。作为实例，可通过使用同一掩模来形成子像素电极210和保护层113。保护层113可防止子像素电极210因在制造显示装置的过程中包括的各种蚀刻工艺或灰化工艺中使用的气体、液体材料或类似物而损坏。保护层113可包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锌铝(AZO)、镓掺杂的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和氟掺杂的氧化锡(FTO)。
参照图3B，可在图3A中所示的结构上形成绝缘层115。绝缘层115可形成(例如，完全形成)在衬底100上。作为实例，绝缘层115可与子像素电极210和保护层113重叠，并且接触(例如，直接接触)第二有机绝缘层111的没有形成或不存在子像素电极210和保护层113的上表面。绝缘层115可覆盖子像素电极210和保护层113中的每个的侧表面。绝缘层115可包括无机绝缘材料。与绝缘层115包括有机绝缘材料的情况相比，在绝缘层115包括无机绝缘材料的情况下，可防止或减少发光二极管的质量因在制造显示装置的过程期间从为有机绝缘材料的绝缘层发出的气体而劣化。
绝缘层115可包括诸如氮化硅、氧氮化硅和氧化硅的无机绝缘材料，并且包括包含有以上无机绝缘材料的单层结构或多层结构。在实施方式中，绝缘层115可具有氧化硅层和氮化硅层的两层结构。氧化硅层的厚度可小于氮化硅层的厚度。在实施方式中，绝缘层115的厚度可大于保护层113的厚度。作为实例，尽管绝缘层115的厚度可为约并且保护层113的厚度可为约但实施方式不限于此。
参照图3C，可在图3B中所示的绝缘层115上形成金属堤层300。金属堤层300可包括第一金属层310和在第一金属层310上的第二金属层320。
第一金属层310和第二金属层320可包括不同的金属。作为实例，第一金属层310和第二金属层320可包括具有不同的蚀刻选择比的金属。在实施方式中，第一金属层310可包括包含有铝(Al)的层，并且第二金属层320可包括包含有钛(Ti)的层。
第一金属层310的厚度可大于第二金属层320的厚度。在实施方式中，第一金属层310的厚度可为第二金属层320的厚度的约5倍。在实施方式中，第一金属层310的厚度可为第二金属层320的厚度的约6倍、约7倍或约8倍。在实施方式中，第一金属层310的厚度可为约至约并且第二金属层320的厚度可为约至约第一金属层310的厚度可为绝缘层115的厚度的约4倍或更大、约5倍或更大、或者约6倍或更大。
参照图3D，可在金属堤层300上形成光致抗蚀剂PR。光致抗蚀剂PR可包括与子像素电极210和保护层113重叠的开口。金属堤层300的上表面的部分可通过光致抗蚀剂PR的开口而暴露。
参照图3E，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除金属堤层300的部分，例如，第二金属层320的部分和第一金属层310的部分。作为实例，可通过光致抗蚀剂PR的开口顺序地去除第二金属层320的部分和第一金属层310的部分。可通过蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)去除第二金属层320的部分和第一金属层310的部分。在蚀刻工艺期间，绝缘层115和保护层113可保护其下面的子像素电极210。
通过蚀刻工艺，可在第二金属层320中形成开口320OP1。开口320OP1可与子像素电极210和保护层113重叠，并且可从第二金属层320的上表面穿过底表面(或下表面)。在第一金属层310中可形成有开口310OP1。开口310OP1可与子像素电极210和保护层113重叠，并且可从第一金属层310的上表面穿过底表面(或下表面)。
参照图3F，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模在金属堤层300中形成具有底切形状的开口。
作为实例，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模进一步蚀刻第一金属层310的部分，并且可在第一金属层310中形成开口310OP2。开口310OP2可具有比第一金属层310的在图3E的工艺中形成的开口310OP1的宽度大的宽度。在实施方式中，第一金属层310的开口310OP2可具有朝向下部减小的形状。作为实例，第一金属层310的开口310OP2的上部的宽度可大于下部的宽度。例如，第一金属层310的面向开口310OP2的侧表面可包括正向锥形的倾斜表面。
在实施方式中，可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)在金属堤层300中形成具有底切形状的开口OP。作为实例，第一金属层310的开口310OP2可通过湿蚀刻工艺形成。由于第一金属层310和第二金属层320包括具有不同的蚀刻选择比的金属，因此可在湿蚀刻工艺期间去除第一金属层310的部分，并且可形成第一金属层310的具有比第二金属层320的开口320OP1的厚度大的厚度的开口310OP2。在形成第一金属层310的开口310OP2的湿蚀刻工艺期间，绝缘层115和保护层113可保护其下面的子像素电极210。
由于第一金属层310的开口310OP2具有大的直径并且与第二金属层320的开口320OP1重叠，因此第二金属层320可具有第一尖端PT1。
限定(或形成)第二金属层320的开口320OP1的第二金属层320的部分可从面向第一金属层310的开口310OP2的第一金属层310的侧表面与第二金属层320的底表面(或下表面)接触的点(或部分)CP突出到开口320OP1，并且可形成底切结构。第二金属层320的进一步突出到开口320OP1的部分可对应于第一尖端PT1。第一尖端PT1的长度(例如，从点(或部分)CP到第一尖端PT1的边缘部分(或侧表面)的长度a)可为2μm或更小。在实施方式中，第二金属层320的第一尖端PT1的长度可为约0.3μm至约1μm、或约0.3μm至约0.7μm。
面向第一金属层310的开口310OP2的第一金属层310的侧表面的锥形倾斜角(例如，第一金属层310的侧表面的相对于与衬底100的上表面平行的虚拟线IML的倾斜角θ)可等于或大于约60°且小于约90°。
参照图3G，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除绝缘层115的部分。可通过蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)去除绝缘层115的部分。绝缘层115的开口115OP的宽度可与光致抗蚀剂PR的开口区域的宽度和/或金属堤层300的开口OP的上侧的宽度(例如，第二金属层320的开口320OP1的宽度)基本上相同。
作为实例，绝缘层115的开口115OP的宽度可小于第一金属层310的下部的宽度。第一金属层310的侧表面的下部(例如，第一金属层310的侧表面与底表面接触的点(或部分))可与绝缘层115的上表面接触。
参照图3H，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除保护层113的部分。可通过使用蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)去除保护层113的部分，并且子像素电极210可通过保护层113的开口113OP而暴露。当保护层113的部分去除时，保护层113的开口113OP的宽度可大于绝缘层115的开口115OP的宽度。例如，限定保护层113的开口113OP的保护层113的边缘部分(或侧表面)可定位在绝缘层115下面。
例如，可去除光致抗蚀剂PR。
参照图3I，可在去除了光致抗蚀剂PR的图3H的结构上形成与子像素电极210重叠的中间层220和相对电极230。子像素电极210、中间层220和相对电极230的堆叠结构可与发光二极管ED对应(或重叠)。在实施方式中，中间层220和相对电极230可各自通过诸如热沉积的沉积方法来形成。
如图3L中所示，中间层220可包括发射层222。中间层220可包括布置在子像素电极210与发射层222之间和/或发射层222与相对电极230之间的公共层。在下文中，布置在子像素电极210与发射层222之间的公共层被称为第一公共层221，并且布置在发射层222与相对电极230之间的公共层被称为第二公共层223。
发射层222可包括发射具有一定颜色(红色、绿色或蓝色)的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。在实施方式中，发射层222可包括无机材料或量子点。
第一公共层221可包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二公共层223可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一公共层221和第二公共层223可各自包括有机材料。
中间层220可具有包括单个发射层的单堆叠结构，或为包括多个发射层的多堆叠结构的串联结构。在中间层220具有串联结构的情况下，在多堆之间可布置有电荷生成层(CGL)。
相对电极230可包括具有低功函数的导电材料。作为实例，相对电极230可包括包含有银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其合金的透明层(或半透明层)。在另一实例中，相对电极230还可包括布置在透明层(或半透明层)上的层，该层包括ITO、IZO、ZnO或In2O3。
再次参照图3I，中间层220可通过金属堤层300的开口OP、绝缘层115的开口115OP和保护层113的开口113OP与子像素电极210重叠并且接触。发光二极管ED的发射区域的宽度可与绝缘层115的开口115OP的宽度基本上相同。
由于在没有单独掩模的情况下沉积中间层220和相对电极230，因此用于形成中间层220的沉积材料和用于形成相对电极230的沉积材料可在金属堤层300上形成虚设中间层220b和虚设相对电极230b。中间层220可与虚设中间层220b分离并且间隔开，并且相对电极230可与虚设相对电极230b分离并且间隔开。中间层220和虚设中间层220b可包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层221、发射层222和第二公共层223)。相对电极230和虚设相对电极230b可包括相同的材料。然而，在实施方式中，虚设中间层220b和虚设相对电极230b不仅可布置在第二金属层320上，而且可覆盖第二金属层320的侧表面。图3J是图3I的区A的放大示意性视图。如在图3J中，虚设中间层220b的外侧部分可延伸为覆盖第二金属层320的面向开口OP的侧表面。例如，虚设相对电极230b的外侧部分可布置在虚设中间层220b上，并且可延伸为与第二金属层320的面向开口OP的侧表面重叠。
相对电极230的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)可延伸超过中间层220的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)并且接触(例如，直接接触)第一金属层310的侧表面。第一金属层310可连接(例如，电连接)到相对电极230。在描述中，相对电极230的“外侧部分(或外围部分)”表示“包括相对电极230的边缘部分的、相对电极230的部分”。
例如，中间层220、虚设中间层220b、相对电极230和虚设相对电极230b的外侧部分可分别具有比其中心部分薄的厚度。例如，中间层220的与第一金属层310的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH1'可等于或小于与子像素电极210的上表面接触(例如，直接接触)的中间层220的中心部分的厚度TH1的一半。虚设中间层220b的与第二金属层320的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH2'可等于或小于虚设中间层220b的与第二金属层320的上表面接触(例如，直接接触)的中心部分的厚度TH2的一半。同样地，相对电极230的与第一金属层310的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH3'可等于或小于相对电极230的中心部分的厚度TH3的一半。虚设相对电极230b的与第二金属层320的侧表面重叠的外侧部分的厚度TH4'可等于或小于虚设相对电极230b的中心部分的厚度TH4。
参照图3K，可在发光二极管ED上形成盖层400和封装层500。
盖层400可基于相长干涉原理来改善发光二极管ED的外部光发射效率。盖层400可为包括有机材料的有机盖层、包括无机材料的无机盖层、或者包括有机材料和无机材料的复合盖层。盖层400可布置在相对电极230与以下描述的第一无机封装层510之间以及虚设相对电极230b与第一无机封装层510之间。例如，像上述图3J的虚设中间层220b和虚设相对电极230b那样，布置在金属堤层300上的盖层400的部分可延伸为与第二金属层320的侧表面重叠。在另一实例中，可省略盖层400。
封装层500可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施方式中，图3K中示出了封装层500包括第一无机封装层510、在第一无机封装层510上的有机封装层520和在有机封装层520上的第二无机封装层530。
第一无机封装层510和第二无机封装层530可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅之中的至少一种无机材料，并且可通过化学气相沉积来沉积。第一无机封装层510和第二无机封装层530可包括包含有以上材料的单层或多层。有机封装层520可包括聚合物系材料。聚合物系材料可包括丙烯酰系树脂、环氧系树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施方式中，有机封装层520可包括丙烯酸酯。
具有相对优异的台阶覆盖率的第一无机封装层510可覆盖金属堤层300的具有底切结构的开口OP的内表面的至少一部分。在实施方式中，第一无机封装层510可连续地延伸为与虚设相对电极230b的上表面和侧表面、虚设中间层220b的侧表面、第二金属层320的侧表面和底表面(或下表面)、第一金属层310的侧表面以及相对电极230的上表面重叠(或覆盖虚设相对电极230b的上表面和侧表面、虚设中间层220b的侧表面、第二金属层320的侧表面和底表面(或下表面)、第一金属层310的侧表面以及相对电极230的上表面)。
有机封装层520可定位在第一无机封装层510上，并且可填充金属堤层300的开口OP的至少一部分。第二无机封装层530可布置在有机封装层520上。
在图3A至图3K中所示的实施方式中，尽管金属堤层300包括第一金属层310和在第一金属层310上的第二金属层320，但实施方式不限于此。在实施方式中，金属堤层300可包括第一金属层310、在第一金属层310上的第二金属层320和在第一金属层310下面的第三金属层。第三金属层可包括与第一金属层310的材料相同或不同的材料。
图4是根据实施方式的显示装置1的示意性剖视图，并且图5是根据实施方式的显示装置1的发光二极管和锚孔的示意性平面视图。
参照图4，显示装置1可包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3，并且包括在相邻的子像素区域之间的非子像素区域NPA。显示装置1的平面形状可与衬底100的平面形状基本上相同。因此，在显示装置1包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3以及非子像素区域NPA的情况下，可代表衬底100包括第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3以及非子像素区域NPA。
第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可布置在衬底100上面。第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可分别排列在第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3中。如在图5中，在第一方向(例如，x轴方向)上形成第一行的情况下，第一发光二极管ED1和第三发光二极管ED3可交替地排列。例如，在形成平行于第一行的第二行的情况下，第二发光二极管ED2可重复地排列，并且在第一方向上排列在第一发光二极管ED1与第三发光二极管ED3之间。
第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可布置在衬底100与第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3之间。第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可各自包括以上参照图2A或图2B描述的晶体管和存储电容器。在实施方式中，图4中示出了第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3各自具有与参照图3A描述的子像素电路PC(参见图3A)的结构相同的结构，并且具体结构与上述结构相同。
分别电连接到第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3的第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可各自具有子像素电极、中间层和相对电极的堆叠结构。
作为实例，第一发光二极管ED1可包括第一子像素电极1210、第一中间层1220和第一相对电极1230。第一子像素电极1210可电连接到第一子像素电路PC1。第二发光二极管ED2可包括第二子像素电极2210、第二中间层2220和第二相对电极2230。第二子像素电极2210可电连接到第二子像素电路PC2。第三发光二极管ED3可包括第三子像素电极3210、第三中间层3220和第三相对电极3230。第三子像素电极3210可电连接到第三子像素电路PC3。
第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220可各自包括如参照图3L描述的发射层以及第一公共层和/或第二公共层。具体结构和材料与上述结构和材料相同。例如，第一中间层1220的发射层、第二中间层2220的发射层和第三中间层3220的发射层可发射不同颜色的光。
第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可各自包括内侧部分和围绕内侧部分的外侧部分。在描述中，子像素电极的“外侧部分(或外围部分)”表示包括子像素电极的边缘部分的、子像素电极的部分，并且“子像素电极的内侧部分”表示子像素电极的由外侧部分(或外围部分)围绕的另一部分。
第一中间层1220可与第一子像素电极1210的内侧部分重叠并且接触，并且第一相对电极1230可与第一中间层1220重叠。绝缘层115可布置在第一子像素电极1210的外侧部分上。绝缘层115可与第一子像素电极1210的外侧部分重叠，并且在第二有机绝缘层111上延伸为覆盖第一子像素电极1210的侧表面。在绝缘层115与第一子像素电极1210的外侧部分之间可布置有第一保护层1113。绝缘层115和第一保护层1113各自可定位在第一子像素电极1210的外侧部分上，并且可不形成或不存在于第一子像素电极1210的内侧部分上。例如，绝缘层115和第一保护层1113可各自包括与第一子像素电极1210的内侧部分重叠的开口。
例如，第二中间层2220可与第二子像素电极2210的内侧部分重叠并且接触，并且第二相对电极2230可与第二中间层2220重叠。第二子像素电极2210的外侧部分可与绝缘层115重叠。第三中间层3220可与第三子像素电极3210的内侧部分重叠并且接触，并且第三相对电极3230可与第三中间层3220重叠。第三子像素电极3210的外侧部分可与绝缘层115重叠。绝缘层115可与第二子像素电极2210和第三子像素电极3210中的每个的外侧部分重叠，并且在第二有机绝缘层111上延伸为覆盖第二子像素电极2210和第三子像素电极3210中的每个的侧表面。在绝缘层115与第二子像素电极2210之间可布置有第二保护层2113，并且在绝缘层115与第三子像素电极3210之间可布置有第三保护层3113。
金属堤层300可包括分别与第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210重叠的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3。图4的金属堤层300的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可各自具有与以上参照图3F描述的开口OP(参见图3F)相同的结构。
作为实例，第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3可各自从金属堤层300的上表面穿过底表面(或下表面)，并且具有底切形状的剖面结构。第一金属层310的面向金属堤层300的第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3之中的相关开口的侧表面可具有正向锥形形状，并且具有等于或大于60°且小于90°的倾斜角。金属堤层300的第二金属层320可包括延伸到第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3之中的相关开口的第一尖端PT1。第一尖端PT1的长度可为2μm或更小。在实施方式中，第一尖端PT1的长度可为约0.3μm至约1μm、或约0.3μm至约0.7μm。
在根据实施方式的显示装置1中，在形成第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220以及第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230的情况下，第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220以及第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230可由于金属堤层300的包括具有底切结构的、第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3的结构而在不使用单独掩模的情况下沉积。因此，可防止由于掩模而导致的对显示装置1的损坏，并且可改善分辨率。
布置在金属堤层300的第一开口OP1中的第一相对电极1230、布置在金属堤层300的第二开口OP2中的第二相对电极2230和布置在金属堤层300的第三开口OP3中的第三相对电极3230可在空间上彼此分离。第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230可彼此连接(例如，电连接)并且可具有相同的电压电平。作为实例，第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230可各自具有与由辅助线VSL(参见图2A)提供的电压(例如，公共电压)相同的电压电平。
第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230可各自通过金属堤层300连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)。作为实例，第一相对电极1230的外侧部分可电连接到(例如，直接接触)金属堤层300的面向第一开口OP1的侧表面(例如，第一金属层310的侧表面)，金属堤层300可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)，并且第一相对电极1230可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)。第二相对电极2230的外侧部分可电连接到(例如，直接接触)金属堤层300的面向第二开口OP2的侧表面(例如，第一金属层310的侧表面)，金属堤层300可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)，并且第二相对电极2230可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)。第三相对电极3230的外侧部分可连接(例如，电连接)到(例如，直接接触)金属堤层300的面向第三开口OP3的侧表面(例如，第一金属层310的侧表面)，金属堤层300可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)，并且第三相对电极3230可连接(例如，电连接)到辅助线VSL(参见图2A)。
由于形成中间层的材料和形成相对电极的材料在不使用掩模的情况下沉积，因此形成中间层的材料和形成相对电极的材料可沉积在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3之中的相关开口中，并且沉积在金属堤层300上。至少一个虚设中间层220b和至少一个虚设相对电极230b可布置在金属堤层300上。至少一个虚设相对电极230b可与分别定位在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230分离并且间隔开。至少一个虚设中间层220b可与分别定位在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220分离并且间隔开。
如图4中所示，虚设中间层220b可包括排列在第一子像素区域PA1中的第一虚设中间层1220b、排列在第二子像素区域PA2中的第二虚设中间层2220b以及排列在第三子像素区域PA3中的第三虚设中间层3220b。虚设相对电极230b可包括排列在第一子像素区域PA1中的第一虚设相对电极1230b、排列在第二子像素区域PA2中的第二虚设相对电极2230b以及排列在第三子像素区域PA3中的第三虚设相对电极3230b。例如，在第二金属层320上，第一虚设中间层1220b、第一虚设相对电极1230b、第二虚设中间层2220b、第二虚设相对电极2230b、第三虚设中间层3220b和第三虚设相对电极3230b可顺序地堆叠。例如，第一虚设中间层1220b、第一虚设相对电极1230b、第二虚设中间层2220b、第二虚设相对电极2230b、第三虚设中间层3220b和第三虚设相对电极3230b可排列为彼此重叠。
由于虚设中间层220b通过金属堤层300的底切结构与中间层220分离，因此在每个子像素区域中，虚设中间层220b和中间层220可包括相同的材料。例如，第一虚设中间层1220b和第一中间层1220可包括相同的材料。第二虚设中间层2220b和第二中间层2220可包括相同的材料。第三虚设中间层3220b和第三中间层3220可包括相同的材料。然而，由于第一中间层1220、第二中间层2220和第三中间层3220分别包括不同的材料以发射不同颜色的光，因此第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b可分别包括不同的材料。
由于虚设相对电极230b通过金属堤层300的底切结构与相对电极230分离，因此在每个子像素区域中，虚设相对电极230b和相对电极230可包括相同的材料。例如，第一虚设相对电极1230b和第一相对电极1230可包括相同的材料。第二虚设相对电极2230b和第二相对电极2230可包括相同的材料。第三虚设相对电极3230b和第三相对电极3230可包括相同的材料。然而，由于第一相对电极1230、第二相对电极2230和第三相对电极3230包括相同的材料，因此第一虚设相对电极1230b、第二虚设相对电极2230b和第三虚设相对电极3230b可包括相同的材料。例如，第一相对电极1230、第一虚设相对电极1230b、第二相对电极2230、第二虚设相对电极2230b、第三相对电极3230和第三虚设相对电极3230b可包括相同的材料。
盖层400可布置在相对电极230和虚设相对电极230b上。盖层400可改善第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的外部光发射效率。盖层400可包括布置在第一相对电极1230和第一虚设相对电极1230b上的第一盖层1400、布置在第二相对电极2230和第二虚设相对电极2230b上的第二盖层2400以及布置在第三相对电极3230和第三虚设相对电极3230b上的第三盖层3400。例如，第一盖层1400可排列在第一相对电极1230与以下描述的第一子像素无机封装层1510之间的区以及第一虚设相对电极1230b与第一子像素无机封装层1510之间的区中。第二盖层2400可排列在第二相对电极2230与以下描述的第二子像素无机封装层2510之间的区以及第二虚设相对电极2230b与第二子像素无机封装层2510之间的区中。第三盖层3400可排列在第三相对电极3230与以下描述的第三子像素无机封装层3510之间的区以及第三虚设相对电极3230b与第三子像素无机封装层3510之间的区中。盖层400的材料与以上参照图3K描述的材料相同。在本文中，排列在第一虚设相对电极1230b与第一子像素无机封装层1510之间的第一盖层1400可被称为第一虚设盖层1400b，排列在第二虚设相对电极2230b与第二子像素无机封装层2510之间第二盖层2400可被称为第二虚设盖层2400b，并且排列在第三虚设相对电极3230b与第三子像素无机封装层3510之间的第三盖层3400可被称为第三虚设盖层3400b。
金属堤层300可包括排列在非子像素区域NPA中的锚孔AH。作为实例，金属堤层300可包括第一锚孔AH1和第二锚孔AH2。第一锚孔AH1可排列在第一开口OP1与第二开口OP2之间，并且第二锚孔AH2可排列在第二开口OP2与第三开口OP3之间。然而，实施方式不限于此。如图5中所示，锚孔AH可排列在没有排列第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3的非子像素区域NPA中的任何部分中。例如，锚孔AH可在第一发光二极管ED1与第三发光二极管ED3之间在第一方向(例如，x轴方向)上排列为形成第一行，并且在相邻的第二发光二极管ED2之间在第一方向上排列为形成与第一行平行的第二行。例如，锚孔AH在平面视图中可具有圆形形状，如图5中所示。然而，实施方式不限于此，并且锚孔AH可具有多边形形状。
像第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3那样，锚孔AH可各自具有底切结构的剖面。作为实例，面向金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的相关开口的第一金属层310的侧表面可具有正向锥形形状，并且具有等于或大于60°且小于90°的倾斜角。金属堤层300的第二金属层320可包括延伸到第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的相关开口的第二尖端PT2。例如，金属堤层300的第二金属层320的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)接触第一金属层310的侧表面的点(或部分)延伸到第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的相关开口的第二尖端PT2。第二尖端PT2的长度可为2μm或更小。在实施方式中，第二尖端PT2的长度可为约0.3μm至约1μm、或约0.3μm至约0.7μm。
例如，锚孔AH中的每个可为在金属堤层300的部分在厚度方向上被去除的情况下形成的凹孔。例如，可通过穿过第二金属层320并且在厚度方向上去除第一金属层310的部分来形成锚孔AH。作为实例，锚孔AH可具有不完全穿过金属堤层300的盲孔形状。
可认为的是，锚孔AH的深度DP1为在金属堤层300的部分被去除的情况下形成的凹孔在厚度方向上的高度和布置在金属堤层300上的虚设材料的高度之和。例如，可认为的是，锚孔AH的深度DP1为金属堤层300的凹孔部分、第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b、第一虚设相对电极1230b、第二虚设相对电极2230b和第三虚设相对电极3230b、虚设盖层1400b、2400b和3400b以及第一子像素无机封装层1510、第二子像素无机封装层2510和第三子像素无机封装层3510在厚度方向上的总高度。锚孔AH的深度DP1可小于金属堤层300和布置在金属堤层300上的虚设材料的总高度DP2。
锚孔AH可将部分被去除的第一金属层310的上表面暴露到外部。因此，在以下描述的有机封装层520填充开口OP和锚孔AH的情况下，第一金属层310的上表面可通过锚孔AH而接触(例如，直接接触)有机封装层520。
锚孔AH可防止诸如层鼓起的缺陷。在根据比较例的通过使用金属堤层300在开口OP中沉积中间层220和相对电极230的方法中，由于不存在锚孔AH，因此虚设中间层220b、虚设相对电极230b和第一无机封装层510可在第二金属层320上连续布置。例如，在蚀刻虚设中间层220b和虚设相对电极230b的工艺期间，存在由于透湿而发生诸如层鼓起的缺陷的风险。如在图4中，在锚孔AH附加地排列在非子像素区域NPA中的情况下，锚孔AH的底切结构可使虚设中间层220b和虚设相对电极230b断开连接，并且因此防止了诸如层鼓起的缺陷的生长。此外，由于锚孔AH的底切结构在厚度方向上形成了凹凸，因此锚孔AH可抓住诸如以下描述的第一无机封装层510的覆盖层，并且因此防止了自身层鼓起的缺陷。
第一发光二极管ED1、第二发光二极管ED2和第三发光二极管ED3可由封装层500封装。在实施方式中，图4中示出了封装层500包括第一无机封装层510、在第一无机封装层510上的有机封装层520和在有机封装层520上的第二无机封装层530。第一无机封装层510、有机封装层520和第二无机封装层530的材料与以上参照图3K描述的材料相同。
第一无机封装层510可覆盖第一无机封装层510下面的结构和/或层。作为实例，具有相对优异的台阶覆盖率的第一无机封装层510可覆盖开口OP和锚孔AH中的每个的内部结构和/或层。第一无机封装层510可包括覆盖第一开口OP1的内表面的第一子像素无机封装层1510、覆盖第二开口OP2的内表面的第二子像素无机封装层2510和覆盖第三开口OP3的内表面的第三子像素无机封装层3510。例如，第一子像素无机封装层1510可与的第二金属层320的面向第一开口OP1的侧表面和底表面(或下表面)、第一金属层310的面向第一开口OP1的侧表面以及第一相对电极1230的上表面重叠。第二子像素无机封装层2510可与第二金属层320的面向第二开口OP2的侧表面和底表面(或下表面)、第一金属层310的面向第二开口OP2的侧表面以及第二相对电极2230的上表面重叠。第三子像素无机封装层3510可与第二金属层320的面向第三开口OP3的侧表面和底表面(或下表面)、第一金属层310的面向第三开口OP3的侧表面以及第三相对电极3230的上表面重叠。
第一无机封装层510不仅可覆盖第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中的每个的内表面，而且可围绕(例如，完全围绕)虚设中间层220b和虚设相对电极230b。作为实例，第一子像素无机封装层1510可连续地排列为围绕第一盖层1400的上表面和两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面。第二子像素无机封装层2510可连续地排列为围绕第二盖层2400的上表面和两个相对的侧表面、第二虚设相对电极2230b的两个相对的侧表面以及第二虚设中间层2220b的两个相对的侧表面。第三子像素无机封装层3510可连续地排列为围绕第三盖层3400的上表面和两个相对的侧表面、第三虚设相对电极3230b的两个相对的侧表面以及第三虚设中间层3220b的两个相对的侧表面。例如，第一子像素无机封装层1510可排列为与第一开口OP1的内表面、第一虚设相对电极1230b的上表面和两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面重叠。第二子像素无机封装层2510可排列为与第二开口OP2的内表面、第二虚设相对电极2230b的上表面和两个相对的侧表面、第二虚设中间层2220b的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面重叠。第三子像素无机封装层3510可排列为与第三开口OP3的内表面、第三虚设相对电极3230b的上表面和两个相对的侧表面、第三虚设中间层3220b的两个相对的侧表面、第二虚设相对电极2230b的两个相对的侧表面、第二虚设中间层2220b的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面重叠。
例如，第一无机封装层510的端部可接触(例如，直接接触)金属堤层300的面向锚孔AH的侧表面。作为实例，第一子像素无机封装层1510可覆盖布置在第二金属层320上的第一虚设中间层1220b和第一虚设相对电极1230b，并且第一子像素无机封装层1510的端部可接触(例如，直接接触)第一金属层310的面向第一锚孔AH1的侧表面。
通过第一无机封装层510的结构，可防止发光二极管ED的由于透湿而导致的缺陷。如上所述，在根据比较例的通过使用金属堤层300在开口OP中沉积中间层220和相对电极230的方法中，由于不存在锚孔AH，因此虚设中间层220b、虚设相对电极230b和第一无机封装层510可在第二金属层320上连续布置。在执行蚀刻虚设中间层220b和虚设相对电极230b的情况下，第一无机封装层510可一起被蚀刻，并且虚设中间层220b和虚设相对电极230b的面向非子像素区域NPA的侧表面可暴露。例如，由于第一无机封装层510没有完全覆盖虚设中间层220b和虚设相对电极230b，因此可能对虚设中间层220b和虚设相对电极230b发生透湿。例如，在剥离用于蚀刻虚设中间层220b和虚设相对电极230b的光致抗蚀剂的工艺期间，存在由于虚设中间层220b和虚设相对电极230b的透湿而导致的层鼓起缺陷发生的风险。如图4中所示，在第一无机封装层510完全覆盖布置在金属堤层300上的虚设中间层220b和虚设相对电极230b的情况下，虚设中间层220b和虚设相对电极230b的透湿路径消失。例如，在根据实施方式的显示装置1中，由于第一无机封装层510甚至可覆盖虚设中间层220b和虚设相对电极230b的面向锚孔AH的侧表面，因此存在防止诸如由于透湿和类似问题而导致的层鼓起的缺陷的效果。
有机封装层520可布置在第一无机封装层510上。有机封装层520可填充开口OP和锚孔AH中的每个的至少一部分。例如，由于有机封装层520包括聚合物系有机材料，因此有机封装层520可填充第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的内部。例如，有机封装层520可通过第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3分别接触(例如，直接接触)第一子像素无机封装层1510、第二子像素无机封装层2510和第三子像素无机封装层3510。有机封装层520可通过第一锚孔AH1和第二锚孔AH2而接触(例如，直接接触)部分被去除的第一金属层310的上表面。有机封装层520可将由于开口OP和锚孔AH而导致的台阶差平坦化。第二无机封装层530可布置在有机封装层520上。
图6A至图6W是示出根据实施方式的制造显示装置1的过程的示意性剖视图。
参照图6A，可在衬底100上形成第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210。第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可分别排列在第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3中，并且彼此间隔开。第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可在同一过程期间同步地形成。第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可包括相同的材料。
在形成第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210之前，可在衬底100与第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210之间形成第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3、第一有机绝缘层109、第二有机绝缘层111和连接金属CM。在实施方式中，图6A中示出了第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3具有与参照图3A描述的子像素电路PC(参见图3A)的结构相同的结构。
衬底100可包括玻璃或聚合物树脂，并且缓冲层101、第一栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107可布置在衬底100上。缓冲层101可防止杂质渗入晶体管的半导体层，第一栅极绝缘层103可在半导体层与栅电极之间，第一层间绝缘层105可在存储电容器的下电极与上电极之间，并且第二层间绝缘层107可提供为使晶体管的源电极/漏电极与栅电极绝缘。第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可通过连接金属CM分别电连接到第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210。
第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可包括包含有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物的反射层以及包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电层。在实施方式中，第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210可具有ITO层、Ag层和ITO层顺序地堆叠的结构。
可形成分别与第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210重叠的第一保护层1113、第二保护层2113和第三保护层3113。第一保护层1113、第二保护层2113和第三保护层3113可包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、IGZO、ITZO、ZnO、AZO、GZO、ZTO、GTO和FTO。可在同一过程期间一起图案化第一保护层1113、第二保护层2113和第三保护层3113以及第一子像素电极1210、第二子像素电极2210和第三子像素电极3210。
可在第一保护层1113、第二保护层2113和第三保护层3113上形成包括第一金属层310和第二金属层320的金属堤层300。在形成金属堤层300之前，可形成绝缘层115。绝缘层115的材料与以上参照图3B描述的材料相同。
可在绝缘层115上形成与金属堤层300对应的材料层，例如，第一金属层310和在第一金属层310上的第二金属层320。第一金属层310和第二金属层320的诸如材料和厚度的特性与以上参照图3C描述的特性相同。作为实例，第一金属层310的厚度可大于第二金属层320。
参照图6B，可在第二金属层320上形成包括开口区域的光致抗蚀剂PR。光致抗蚀剂PR的开口可与第一子像素区域PA1重叠。可通过在第二金属层320上形成光敏材料层并且通过使用掩模曝光和显影光敏材料层来形成光致抗蚀剂PR。
然而，可通过使用半色调掩模来形成光致抗蚀剂PR的与非子像素区域NPA重叠的部分区，以形成以上参照图4描述的锚孔AH(参见图4)。例如，由于锚孔AH不穿过金属堤层300，而是应为部分被去除的凹孔，因此排列在非子像素区域NPA的部分中的光致抗蚀剂PR可通过半色调掩模而形成为具有低厚度。因此，排列在非子像素区域NPA的部分区中的光致抗蚀剂PR的第二厚度H2可小于排列在第二子像素区域PA2和第三子像素区域PA3中的光致抗蚀剂PR的第一厚度H1。
参照图6C，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模去除排列在第一子像素区域PA1中的第二金属层320的部分、第一金属层310的部分和绝缘层115的部分来形成与第一子像素电极1210重叠的开口。形成在第一子像素区域PA1中的开口可具有穿过金属堤层300和绝缘层115的通孔形状。可通过蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)来执行去除金属堤层300和绝缘层115的部分的工艺。可同步地执行去除金属堤层300和绝缘层115的部分的干蚀刻工艺。在另一实例中，可分开执行去除金属堤层300的部分的干蚀刻工艺和去除绝缘层115的部分的干蚀刻工艺。
然而，在干蚀刻工艺期间，不仅可去除金属堤层300和绝缘层115的部分，而且可一起去除光致抗蚀剂PR的部分。例如，在图6C中，排列在第二子像素区域PA2中的光致抗蚀剂PR的第一厚度H1'可小于图6B中的第一厚度H1。因此，可去除(例如，完全去除)排列在非子像素区域NPA中的通过使用半色调掩模形成的光致抗蚀剂PR，并且可一起去除金属堤层300的与通过使用半色调掩模形成的光致抗蚀剂PR重叠的部分。例如，由于第一金属层310的部分和第二金属层320的部分也可在非子像素区域NPA的部分中被去除，因此可形成孔。然而，形成在非子像素区域NPA中的孔可不穿过金属堤层300，而是可具有通过仅去除第一金属层310的部分而形成的盲孔的形状。
参照图6D，可通过使用剩下的光致抗蚀剂PR作为掩模来进一步去除第一金属层310的排列在第一子像素区域PA1中的部分，并且可一起去除第一保护层1113的部分。通过此，可在第一子像素区域PA1中形成具有底切结构的第一开口OP1。例如，第二金属层320的排列在第一开口OP1周围的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)与第一金属层310的侧表面接触的点(或部分)延伸到第一开口OP1的第一尖端PT1。可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)来执行去除第一金属层310的部分和第一保护层1113的部分的工艺。形成第一开口OP1的具体工艺和结构特征与以上参照图3D至图3H描述的那些相同。
例如，由于存在非子像素区域NPA的光致抗蚀剂PR被去除(例如，完全去除)的部分区，因此第一金属层310的部分可在非子像素区域NPA的该部分区中被进一步去除。通过此，各自具有底切结构的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2可形成在非子像素区域NPA中。例如，第二金属层320的排列在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2周围的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)与第一金属层310的侧表面接触的点(或部分)延伸到第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的第二尖端PT2。然而，由于第一锚孔AH1和第二锚孔AH2仅去除第一金属层310的部分，但不穿过第一金属层310，因此第一锚孔AH1和第二锚孔AH2仍可具有盲孔形状。
参照图6E，可去除光致抗蚀剂PR，并且可形成第一中间层1220。如以上参照图3L所述，第一中间层1220可具有包括第一公共层、发射层和/或第二公共层的多层结构。第一中间层1220可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。
第一中间层1220可通过金属堤层300的第一开口OP1形成在第一子像素电极1210上。第一中间层1220的内侧部分可接触(例如，直接接触)第一子像素电极1210的内侧部分，并且第一中间层1220的外侧部分可布置在绝缘层115上。第一中间层1220的外侧部分可不接触(例如，直接接触)第一金属层310的侧表面，而是可与第一金属层310间隔开。然而，实施方式不限于此，并且如图6G中所示，第一中间层1220的外侧部分可接触(例如，直接接触)第一金属层310的面向第一开口OP1的侧表面。
由于第一中间层1220在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第一中间层1220的材料不仅可沉积在第一子像素区域PA1中，而且可沉积在其它区(例如，第二子像素区域PA2、第三子像素区域PA3和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第一开口OP1的包括第一尖端PT1的结构，第一中间层1220可与布置在金属堤层300上的第一虚设中间层1220b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第一虚设中间层1220b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(1-2)虚设中间层1220c分离并且间隔开。
第一中间层1220、第一虚设中间层1220b和第(1-2)虚设中间层1220c可包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层、发射层和第二公共层)。
参照图6F，可在第一中间层1220上形成第一相对电极1230。像第一中间层1220那样，第一相对电极1230可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。第一相对电极1230可与第一中间层1220重叠。在沉积工艺期间，形成第一相对电极1230的材料的入射角可与形成第一中间层1220的材料的入射角不同。在沉积第一相对电极1230的工艺期间，第一相对电极1230的外侧部分(或外围部分)可接触(例如，直接接触)第一金属层310的面向第一开口OP1的侧表面。例如，第一相对电极1230的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)可延伸为越过第一中间层1220的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)并且接触(例如，直接接触)第一金属层310的侧表面。第一相对电极1230的材料与以上参照图3I描述的材料相同。
例如，可在第一相对电极1230上形成第一盖层1400。第一盖层1400可在第一开口OP1中与第一相对电极1230重叠。第一盖层1400的材料与以上参照图3K描述的材料相同。
由于第一相对电极1230和第一盖层1400在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第一相对电极1230和第一盖层1400的材料不仅可沉积在第一子像素区域PA1中，而且可沉积在其它区(例如，第二子像素区域PA2、第三子像素区域PA3和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第一开口OP1的包括第一尖端PT1的结构，第一相对电极1230可与布置在金属堤层300上的第一虚设相对电极1230b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第一虚设相对电极1230b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(1-2)虚设相对电极1230c分离并且间隔开。同样地，各自为第一盖层1400的部分的第一虚设盖层1400b和虚设盖层1400c可分别布置在第一虚设相对电极1230b和第(1-2)虚设相对电极1230c上。第一相对电极1230、第一虚设相对电极1230b和第(1-2)虚设相对电极1230c可包括相同的材料。
然而，在实施方式中，第一虚设中间层1220b、第一虚设相对电极1230b和第一虚设盖层1400b不仅可布置在第二金属层320上，而且可覆盖第二金属层320的侧表面。图6G是图6F的区B的放大示意性视图。如在图6G中，第一虚设中间层1220b的外侧部分可延伸为覆盖第二金属层320的面向第一开口OP1的侧表面。例如，第一虚设相对电极1230b的外侧部分可布置在第一虚设中间层1220b上，并且可延伸为与第二金属层320的面向第一开口OP1的侧表面重叠。第一虚设盖层1400b的外侧部分可布置在第一虚设相对电极1230b上，并且可延伸为与第二金属层320的面向第一开口OP1的侧表面重叠。
例如，第一中间层1220、第一相对电极1230和第一盖层1400的外侧部分可分别具有比其中心部分的厚度小的厚度。同样地，第一虚设中间层1220b、第一虚设相对电极1230b和第一虚设盖层1400b的外侧部分可分别具有比其中心部分的厚度小的厚度。例如，第一中间层1220的与第一金属层310的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH1'可等于或小于第一中间层1220的中心部分的厚度TH1的一半。第一相对电极1230的与第一金属层310的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH3'可等于或小于第一相对电极1230的中心部分的厚度TH3的一半。第一盖层1400的与第一金属层310重叠的外侧部分的厚度可等于或小于第一盖层1400的中心部分的厚度。同样地，第一虚设中间层1220b的与第二金属层320的侧表面接触(例如，直接接触)的外侧部分的厚度TH2'可等于或小于第一虚设中间层1220b的中心部分的厚度TH2的一半。第一虚设相对电极1230b的与第二金属层320的侧表面重叠的外侧部分的厚度TH4'可等于或小于第一虚设相对电极1230b的中心部分的厚度TH4的一半。第一虚设盖层1400b的与第二金属层320重叠的外侧部分的厚度可等于或小于第一虚设盖层1400b的中心部分的厚度。例如，第一子像素无机封装层1510可形成在第一盖层1400上。第一子像素无机封装层1510可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅之中的至少一种无机材料，并且可通过化学气相沉积来沉积。具有优异的台阶覆盖率的第一子像素无机封装层1510可连续地覆盖第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的内表面。此外，第一子像素无机封装层1510可完全围绕布置在第二金属层320上的第一虚设中间层1220b、第一虚设相对电极1230b和第一盖层1400。例如，第一子像素无机封装层1510可与第一盖层1400的上表面和两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面中的所有重叠。
参照图6H，可在第一子像素无机封装层1510上形成包括开口区域的光致抗蚀剂PR。光致抗蚀剂PR的开口可与第二子像素区域PA2重叠。如上所述，可通过形成布置在第一子像素无机封装层1510上的光敏材料层并且通过使用掩模曝光和显影光敏材料层来形成光致抗蚀剂PR。
然而，可通过使用半色调掩模来形成光致抗蚀剂PR的与第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的部分区。例如，为了去除布置在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(1-2)虚设中间层1220c、第(1-2)虚设相对电极1230c和第一盖层1400，可通过半色调掩模将与第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR形成为具有低厚度。因此，与第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR的厚度可小于排列在第一子像素区域PA1和第三子像素区域PA3中的光致抗蚀剂PR的厚度。
参照图6I，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模通过去除第一子像素无机封装层1510的部分、第一盖层1400的部分、第一虚设相对电极1230b的部分、第一虚设中间层1220b的部分、第二金属层320的部分、第一金属层310的部分以及绝缘层115的部分来形成与第二子像素电极2210重叠的开口。形成在第二子像素区域PA2中的开口可具有穿过金属堤层300和绝缘层115的通孔形状。可通过蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)来执行去除第一子像素无机封装层1510、第一盖层1400、第一虚设相对电极1230b、第一虚设中间层1220b、金属堤层300和绝缘层115的部分的工艺。
然而，如上所述，光致抗蚀剂PR的部分可在干蚀刻工艺期间一起去除。因此，可去除(例如，完全去除)与第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠并且通过使用半色调掩模而形成的光致抗蚀剂PR，并且可一起去除布置在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的材料的部分。例如，第一子像素无机封装层1510的部分、第一盖层1400的部分、第(1-2)虚设相对电极1230c的部分以及第(1-2)虚设中间层1220c的部分也可通过干蚀刻工艺而去除。
参照图6J，可通过使用剩下的光致抗蚀剂PR作为掩模进一步去除第一金属层310的排列在第二子像素区域PA2中的部分，并且可一起去除第二保护层2113的部分。通过此，可在第二子像素区域PA2中形成具有底切结构的第二开口OP2。例如，第二金属层320的排列在第二开口OP2周围的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)与第一金属层310的侧表面接触的点(或部分)延伸到第二开口OP2的第一尖端PT1。可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)来执行去除第一金属层310的部分和第二保护层2113的部分的工艺。形成第二开口OP2的具体工艺和结构特征与以上参照图3D至图3H描述的那些相同。
例如，由于光致抗蚀剂PR甚至在非子像素区域NPA的与第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的区中被去除(例如，完全去除)，因此布置在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的材料可一起去除。例如，在通过干蚀刻工艺部分被去除之后在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中剩下的第一子像素无机封装层1510的部分、第一盖层1400的部分、第(1-2)虚设相对电极1230c的部分和第(1-2)虚设中间层1220c的部分也可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)而去除。在执行湿蚀刻工艺的情况下，第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的尺寸可增加或保持相同。这可通过湿蚀刻工艺的工艺条件来调节。
参照图6K，可去除光致抗蚀剂PR。可通过剥离工艺或灰化工艺来去除光致抗蚀剂PR。在比较例中，在通过金属堤层300图案化中间层220和相对电极230的情况下，由于存在虚设中间层220b和虚设相对电极230b暴露于外部的区，因此在通过剥离工艺去除光致抗蚀剂PR的情况下发生透湿。例如，在通过灰化工艺去除光致抗蚀剂PR的情况下，第二金属层320的表面可能损坏。如在图6J中，在各自面向第一开口OP1和第一锚孔AH1的第一虚设中间层1220b和第一虚设相对电极1230b中的每个的侧表面由第一子像素无机封装层1510覆盖的情况下，可阻挡发生透湿的路径，并且即使执行剥离工艺，也可防止诸如层鼓起和类似问题的缺陷。例如，即使通过灰化工艺去除光致抗蚀剂PR，由于不存在第二金属层320的未由第一子像素无机封装层1510覆盖并且因此暴露于外部的区，因此可同时防止诸如对第二金属层320的表面的损坏的缺陷。
参照图6L，可形成第二中间层2220。如以上参照图3L所述，第二中间层2220可具有包括第一公共层、发射层和/或第二公共层的多层结构。第二中间层2220可发射与第一中间层1220的颜色不同的颜色的光。第二中间层2220可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。
第二中间层2220可通过金属堤层300的第二开口OP2而形成在第二子像素电极2210上。第二中间层2220的内侧部分可接触(例如，直接接触)第二子像素电极2210的内侧部分，并且第二中间层2220的外侧部分可布置在绝缘层115上。
由于第二中间层2220在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第二中间层2220的材料不仅可沉积在第二子像素区域PA2中，而且可沉积在其它区(例如，第一子像素区域PA1、第三子像素区域PA3和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第二开口OP2的包括第一尖端PT1的结构，第二中间层2220可与布置在金属堤层300上的第二虚设中间层2220b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第二虚设中间层2220b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(2-2)虚设中间层2220c分离并且分开。通过金属堤层300的第一开口OP1的包括第一尖端PT1的结构，第二虚设中间层2220b可与布置在第一开口OP1中的第(2-2)虚设中间层2220c分离并且间隔开。
第二中间层2220、第二虚设中间层2220b和第(2-2)虚设中间层2220c可包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层、发射层和第二公共层)。
参照图6M，可在第二中间层2220上形成第二相对电极2230。像第二中间层2220那样，第二相对电极2230可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。第二相对电极2230可与第二中间层2220重叠。在沉积工艺期间，形成第二相对电极2230的材料的入射角可与形成第二中间层2220的材料的入射角不同。在沉积第二相对电极2230的工艺期间，第二相对电极2230的外侧部分(或外围部分)可接触(例如，直接接触)第一金属层310的面向第二开口OP2的侧表面。例如，第二相对电极2230的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)可延伸为越过第二中间层2220的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)并且接触(例如，直接接触)第一金属层310的侧表面。第二相对电极2230的材料与以上参照图3I描述的材料相同。
例如，可在第二相对电极2230上形成第二盖层2400。第二盖层2400可在第二开口OP2中与第二相对电极2230重叠。第二盖层2400的材料与以上参照图3K描述的材料相同。
由于第二相对电极2230和第二盖层2400在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第二相对电极2230和第二盖层2400的材料不仅可沉积在第二子像素区域PA2中，而且可沉积在其它区(例如，第一子像素区域PA1、第三子像素区域PA3和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第一开口OP1的包括第一尖端PT1的结构，第二相对电极2230可与布置在金属堤层300上的第二虚设相对电极2230b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第二虚设相对电极2230b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(2-2)虚设相对电极2230c分离并且间隔开。通过金属堤层300的第一开口OP1的包括第一尖端PT1的结构，第二虚设相对电极2230b可与布置在第一开口OP1中的第(2-2)虚设相对电极2230c分离并且间隔开。同样地，各自为第二盖层2400的部分的第二虚设盖层2400b和虚设盖层2400c可分别布置在第二虚设相对电极2230b和第(2-2)虚设相对电极2230c上。第二相对电极2230、第二虚设相对电极2230b和第(2-2)虚设相对电极2230c可包括相同的材料。
例如，可在第二盖层2400上形成第二子像素无机封装层2510。第二子像素无机封装层2510可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅之中的至少一种无机材料，并且可通过化学气相沉积来沉积。具有优异的台阶覆盖率的第二子像素无机封装层2510可连续地覆盖第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的内表面。此外，第二子像素无机封装层2510可围绕(例如，完全围绕)布置在第二金属层320上的第二虚设中间层2220b、第二虚设相对电极2230b和第二盖层2400。例如，第二子像素无机封装层2510可与第二盖层2400的上表面和两个相对的侧表面、第二虚设相对电极2230b的两个相对的侧表面、第二虚设中间层2220b的两个相对的侧表面、第一盖层1400的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面中的所有重叠。
参照图6N，可在第二子像素无机封装层2510上形成包括开口区域的光致抗蚀剂PR。光致抗蚀剂PR的开口可与第三子像素区域PA3重叠。如上所述，可通过形成布置在第二子像素无机封装层2510上的光敏材料层并且通过使用掩模曝光和显影光敏材料层来形成光致抗蚀剂PR。
然而，可通过使用半色调掩模来形成光致抗蚀剂PR的与第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的部分区。例如，为了去除布置在第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(2-2)虚设中间层2220c、第(2-2)虚设相对电极2230c和第二盖层2400，与第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR可通过半色调掩模而形成为具有低厚度。因此，与第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR的厚度可小于排列在第二子像素区域PA2中的光致抗蚀剂PR的厚度。
参照图6O，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模通过去除排列在第三子像素区域PA3中的、第二子像素无机封装层2510的部分、第二盖层2400的部分、第二虚设相对电极2230b的部分、第二虚设中间层2220b的部分、第一虚设相对电极1230b的部分、第一虚设中间层1220b的部分、第二金属层320的部分、第一金属层310的部分以及绝缘层115的部分来形成与第三子像素电极3210重叠的开口。形成在第三子像素区域PA3中的开口可具有穿过金属堤层300和绝缘层115的通孔形状。可通过蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)来执行去除第一无机封装层510、覆盖层400、虚设相对电极230b、虚设中间层220b、金属堤层300和绝缘层115的部分的工艺。
然而，如上所述，光致抗蚀剂PR的部分可在干蚀刻工艺期间一起去除。因此，可去除(例如，完全去除)与第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠并且通过使用半色调掩模形成的光致抗蚀剂PR，并且可一起去除布置在第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的材料的部分。例如，布置在第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第二子像素无机封装层2510的部分、第二盖层2400的部分、第(2-2)虚设相对电极2230c的部分以及第(2-2)虚设中间层2220c的部分也可通过干蚀刻工艺而去除。
参照图6P，通过使用剩下的光致抗蚀剂PR作为掩模，可进一步去除第一金属层310的排列在第三子像素区域PA3中的部分，并且可一起去除第三保护层3113的部分。通过此，可在第三子像素区域PA3中形成具有底切结构的第三开口OP3。例如，第二金属层320的排列在第三开口OP3周围的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)与第一金属层310的侧表面接触的点(或部分)延伸到第三开口OP3的第一尖端PT1。可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)来执行去除第一金属层310的部分和第三保护层3113的部分的工艺。形成第三开口OP3的具体工艺和结构特征与以上参照图3D至图3H描述的那些相同。
例如，由于光致抗蚀剂PR甚至在与第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的区中被去除(例如，完全去除)，因此布置在第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的材料可一起去除。例如，在通过干蚀刻工艺部分被去除之后在第一开口OP1、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中剩下的第二子像素无机封装层2510的部分、第二盖层2400的部分、第(2-2)虚设相对电极2230c的部分和第(2-2)虚设中间层2220c的部分也可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)而去除。在执行湿蚀刻工艺的情况下，第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的尺寸可增加或保持相同。这可通过湿蚀刻工艺的工艺条件来调节。
参照图6Q，可去除光致抗蚀剂PR。可通过剥离工艺或灰化工艺来去除光致抗蚀剂PR。如上所述，在各自面向第二开口OP2和锚孔AH的第二虚设中间层2220b和第二虚设相对电极2230b中的每个的侧表面由第二子像素无机封装层2510覆盖的情况下，可阻挡发生透湿的路径，并且即使执行剥离工艺，也可防止诸如层鼓起和类似问题的缺陷。例如，即使通过灰化工艺去除光致抗蚀剂PR，由于不存在第二金属层320的未由第二子像素无机封装层2510覆盖并且因此暴露于外部的区，因此可同时防止诸如对第二金属层320的表面的损坏的缺陷。
参照图6R，可形成第三中间层3220。如以上参照图3L所述，第三中间层3220可具有包括第一公共层、发射层和/或第二公共层的多层结构。第三中间层3220可发射与第一中间层1220和第二中间层2220的颜色不同的颜色的光。第三中间层3220可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。
第三中间层3220可通过金属堤层300的第三开口OP3形成在第三子像素电极3210上。第三中间层3220的内侧部分可接触(例如，直接接触)第三子像素电极3210的内侧部分，并且第三中间层3220的外侧部分可布置在绝缘层115上。
由于第三中间层3220在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第三中间层3220的材料不仅可沉积在第三子像素区域PA3中，而且可沉积在其它区(例如，第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第三开口OP3的包括第一尖端PT1的结构，第三中间层3220可与布置在金属堤层300上的第三虚设中间层3220b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第三虚设中间层3220b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(3-2)虚设中间层3220c分离并且间隔开。此外，通过金属堤层300的第一开口OP1和第二开口OP2的包括第一尖端PT1的结构，第三虚设中间层3220b可与沉积在第一开口OP1和第二开口OP2中的第(3-2)虚设中间层3220c分离并且间隔开。
第三中间层3220、第三虚设中间层3220b和第(3-2)虚设中间层3220c可包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层、发射层和第二公共层)。
参照图6S，可在第三中间层3220上形成第三相对电极3230。像第三中间层3220那样，第三相对电极3230可通过诸如热沉积的沉积方法来形成。第三相对电极3230可与第三中间层3220重叠。在沉积工艺期间，形成第三相对电极3230的材料的入射角可与形成第三中间层3220的材料的入射角不同。在沉积第三相对电极3230的工艺期间，第三相对电极3230的外侧部分(或外围部分)可接触(例如，直接接触)第一金属层310的面向第三开口OP3的侧表面。例如，第三相对电极3230的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)可延伸为越过第三中间层3220的边缘部分或者外侧部分(或外围部分)并且接触(例如，直接接触)第一金属层310的侧表面。第三相对电极3230的材料与以上参照图3I描述的材料相同。
例如，可在第三相对电极3230上形成第三盖层3400。第三盖层3400可在第三开口OP3中与第三相对电极3230重叠。第三盖层3400的材料与以上参照图3K描述的材料相同。
由于第三相对电极3230和第三盖层3400在没有单独掩模的情况下沉积，因此用于形成第三相对电极3230和第三盖层3400的材料不仅可沉积在第三子像素区域PA3中，而且可沉积在其它区(例如，第一子像素区域PA1、第二子像素区域PA2和非子像素区域NPA)中。通过金属堤层300的第三开口OP3的包括第一尖端PT1的结构，第三相对电极3230可与布置在金属堤层300上的第三虚设相对电极3230b分离并且间隔开。例如，通过金属堤层300的第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的包括第二尖端PT2的结构，第三虚设相对电极3230b可与沉积在第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(3-2)虚设相对电极3230c分离并且间隔开。此外，通过金属堤层300的第一开口OP1和第二开口OP2的包括第一尖端PT1的结构，第三虚设相对电极3230b可与沉积在第一开口OP1和第二开口OP2中的第(3-2)虚设相对电极3230c分离并且间隔开。同样地，各自为第三盖层3400的部分的第三虚设盖层3400b和虚设盖层3400c可分别布置在第三虚设相对电极3230b和第(3-2)虚设相对电极3230c上。第三相对电极3230、第三虚设相对电极3230b和第(3-2)虚设相对电极3230c可包括相同的材料。
例如，可在第三盖层3400上形成第三子像素无机封装层3510。第三子像素无机封装层3510可包括来自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氧氮化硅之中的至少一种无机材料，并且可通过化学气相沉积来沉积。具有优异的台阶覆盖率的第三子像素无机封装层3510可连续地覆盖第三开口OP3、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的内表面。此外，第三子像素无机封装层3510可完全围绕布置在第二金属层320上的第三虚设中间层3220b、第三虚设相对电极3230b和第三盖层3400。例如，第三子像素无机封装层3510可与第三盖层3400的上表面和两个相对的侧表面、第三虚设相对电极3230b的两个相对的侧表面、第三虚设中间层3220b的两个相对的侧表面、第二盖层2400的两个相对的侧表面、第二虚设相对电极2230b的两个相对的侧表面、第二虚设中间层2220b的两个相对的侧表面、第一盖层1400的两个相对的侧表面、第一虚设相对电极1230b的两个相对的侧表面以及第一虚设中间层1220b的两个相对的侧表面中的所有重叠。
参照图6T，可在第三子像素无机封装层3510上形成光致抗蚀剂PR。如上所述，可通过形成布置在第三子像素无机封装层3510上的光敏材料层并且通过使用掩模曝光和显影光敏材料层来形成光致抗蚀剂PR。
然而，可通过使用半色调掩模来形成光致抗蚀剂PR的与第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的部分区。例如，为了去除布置在第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第(3-2)虚设中间层3220c、第(3-2)虚设相对电极3230c和第三盖层3400，与第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR可通过半色调掩模而形成为具有低厚度。因此，与第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的光致抗蚀剂PR的厚度可小于排列在第三子像素区域PA3中的光致抗蚀剂PR的厚度。
参照图6U，可通过使用光致抗蚀剂PR作为掩模来执行蚀刻工艺(例如，干蚀刻工艺)。如上所述，光致抗蚀剂PR的部分可在干蚀刻工艺期间一起去除。因此，可去除(例如，完全去除)与第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠并且通过使用半色调掩模形成的光致抗蚀剂PR，并且可一起去除布置在第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的材料的部分。例如，布置在第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的第三子像素无机封装层3510的部分、第三盖层3400的部分、第(3-2)虚设相对电极3230c的部分以及第(3-2)虚设中间层3220c的部分也可通过干蚀刻工艺而去除。
参照图6V，可通过使用剩下的光致抗蚀剂PR作为掩模来执行蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)。由于可去除(例如，完全去除)在与第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2重叠的区中的光致抗蚀剂PR，因此可去除布置在第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中的剩余材料。例如，在通过干蚀刻工艺部分被去除之后在第一开口OP1、第二开口OP2、第一锚孔AH1和第二锚孔AH2中剩下的第三子像素无机封装层3510的部分、第三盖层3400的部分、第(3-2)虚设相对电极3230c的部分以及第(3-2)虚设中间层3220c的部分也可通过蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)而去除。在执行湿蚀刻工艺的情况下，第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的尺寸可增加或者可不改变。这可通过湿蚀刻工艺的工艺条件来调节。
例如，可去除光致抗蚀剂PR。可通过剥离工艺或灰化工艺来去除光致抗蚀剂PR。如上所述，在各自面向第二开口OP2和第二锚孔AH2的第三虚设中间层3220b和第三虚设相对电极3230b中的每个的侧表面由第三子像素无机封装层3510覆盖的情况下，可阻挡发生透湿的路径，并且即使执行剥离工艺，也可防止诸如层鼓起和类似问题的缺陷。例如，即使通过灰化工艺去除光致抗蚀剂PR，由于不存在第二金属层320的未由第三子像素无机封装层3510覆盖并且因此暴露于外部的区，因此可同时防止诸如对第二金属层320的表面的损坏的缺陷。
参照图6W，可形成填充开口OP和锚孔AH的有机封装层520，并且可在有机封装层520上形成第二无机封装层530。有机封装层520和第二无机封装层530的材料与以上参照图3K描述的材料相同。有机封装层520不仅可填充第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3、第一锚孔AH1以及第二锚孔AH2的至少一部分，而且可将显示面板的上表面平坦化。当第二无机封装层530形成在有机封装层520上时，第二无机封装层530可最终封装显示面板并且阻挡来自外部的湿气和氧。
图7是根据实施方式的显示装置1的示意性剖视图。参照图7，除了锚孔AH的特性之外的其它特性与参照图4和图5描述的特性相同。图7的元件之中的相同附图标记用先前参照图4和图5描述的附图标记来代替，并且以下描述差异。
参照图7，金属堤层300可包括排列在非子像素区域NPA中的锚孔AH。作为实例，金属堤层300可包括第一锚孔AH1和第二锚孔AH2。第一锚孔AH1可排列在第一开口OP1与第二开口OP2之间，并且第二锚孔AH2可排列在第二开口OP2与第三开口OP3之间。
像第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3那样，锚孔AH可各自具有底切结构的剖面。例如，金属堤层300的第二金属层320的部分可包括从第二金属层320的底表面(或下表面)接触第一金属层310的侧表面的点(或部分)延伸到第一锚孔AH1和第二锚孔AH2的相关开口的尖端。
例如，在金属堤层300的部分在厚度方向上被去除的情况下，可形成锚孔AH中的每个。例如，可通过穿过第一金属层310和第二金属层320来形成锚孔AH。作为实例，不像图4那样，锚孔AH可具有在金属堤层300的部分在厚度方向上被去除(例如，完全去除)的情况下形成的通孔形状。
可认为的是，锚孔AH的深度DP1'为在金属堤层300的部分被去除的情况下形成的凹孔在厚度方向上的高度和布置在金属堤层300上的虚设材料的高度之和。例如，可认为的是，锚孔AH的深度DP1'为金属堤层300、第一虚设中间层1220b、第二虚设中间层2220b和第三虚设中间层3220b、第一虚设相对电极1230b、第二虚设相对电极2230b和第三虚设相对电极3230b、第一虚设盖层1400b、第二虚设盖层2400b和第三虚设盖层3400b以及第一子像素无机封装层1510、第二子像素无机封装层2510和第三子像素无机封装层3510在厚度方向上的总高度。因此，锚孔AH的深度DP1'可基本上与金属堤层300和布置在金属堤层300上的虚设材料的总高度DP2相同。
锚孔AH可将绝缘层115的上表面暴露到外部。因此，在有机封装层520填充开口OP和锚孔AH的情况下，绝缘层115的上表面可通过锚孔AH而接触(例如，直接接触)有机封装层520。
锚孔AH可防止诸如层鼓起的缺陷。在锚孔AH附加地排列在非子像素区域NPA中的情况下，锚孔AH的底切结构可使虚设中间层220b和虚设相对电极230b断开连接，并且因此防止了诸如层鼓起的缺陷的生长。此外，由于锚孔AH的底切结构在厚度方向上形成了凹凸，因此锚孔AH可抓住诸如第一无机封装层510的覆盖层，并且因此防止了自身层鼓起的缺陷。此外，在锚孔AH形成为穿过金属堤层300的通孔的情况下，在蚀刻布置在锚孔AH中的材料的工艺期间，可更灵活地调节蚀刻工艺条件。
在根据实施方式的显示装置中，可通过使用金属堤层图案化发光二极管来改善分辨率。此外，可添加锚孔以防止诸如层鼓起的缺陷，并且可通过封装层防止透湿。然而，这种效果为实例，并且本公开的范围不受这种效果限制。
在结束详细描述时，本领域技术人员将领会的是，在实质上不背离本公开的原理以及精神和范围的情况下，可对实施方式进行许多变化和修改。因此，公开的实施方式仅在一般和描述性意义上使用，并且不出于限制的目的。
Claims (10)
1.一种显示装置，包括：
第一子像素电极；
第二子像素电极，所述第二子像素电极与所述第一子像素电极相邻；
金属堤层，所述金属堤层包括：
第一开口，所述第一开口与所述第一子像素电极重叠，
第二开口，所述第二开口与所述第二子像素电极重叠，
第一金属层，以及
第二金属层，所述第二金属层布置在所述第一金属层上；
第一中间层，所述第一中间层通过所述金属堤层的所述第一开口与所述第一子像素电极重叠；
第二中间层，所述第二中间层通过所述金属堤层的所述第二开口与所述第二子像素电极重叠；
第一相对电极，所述第一相对电极通过所述金属堤层的所述第一开口布置在所述第一中间层上；以及
第二相对电极，所述第二相对电极通过所述金属堤层的所述第二开口布置在所述第二中间层上，
其中，所述金属堤层还包括布置在所述第一开口与所述第二开口之间的锚孔。
2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
有机封装层，所述有机封装层填充所述第一开口、所述第二开口和所述锚孔中的每个的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述锚孔通过在厚度方向上部分去除所述金属堤层来形成，并且
所述锚孔的深度小于所述金属堤层的厚度和所述金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，
所述锚孔暴露部分被去除的所述第一金属层的上表面，并且
所述第一金属层的通过所述锚孔暴露的所述上表面接触所述有机封装层。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述锚孔穿过所述金属堤层，并且
所述锚孔的深度等于所述金属堤层的厚度和所述金属堤层上的虚设材料的厚度之和。
6.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：
绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一子像素电极的边缘部分并且布置在所述金属堤层下面，
其中，所述锚孔暴露所述绝缘层的上表面，并且
所述绝缘层的所述上表面通过所述锚孔接触所述有机封装层。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二金属层的布置在所述第一开口周围的部分包括从所述第二金属层的下表面接触所述第一金属层的面向所述第一开口的侧表面的部分延伸到所述第一开口的尖端，
所述第二金属层的布置在所述第二开口周围的部分包括从所述第二金属层的所述下表面接触所述第一金属层的面向所述第二开口的侧表面的部分延伸到所述第二开口的尖端，并且
所述第二金属层的布置在所述锚孔周围的部分包括从所述第二金属层的所述下表面接触所述第一金属层的面向所述锚孔的侧表面的部分延伸到所述锚孔的尖端。
8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：
第一虚设中间层，所述第一虚设中间层布置在所述金属堤层上，所述第一虚设中间层和所述第一中间层包括相同的材料；
第一虚设相对电极，所述第一虚设相对电极布置在所述第一虚设中间层上，所述第一虚设相对电极和所述第一相对电极包括相同的材料；以及
第一子像素无机封装层，所述第一子像素无机封装层覆盖所述第一开口的内表面，
其中，所述第一子像素无机封装层连续地延伸为与所述第一虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面以及所述第一虚设中间层的两个相对的侧表面重叠。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一子像素无机封装层的端部接触所述金属堤层的面向所述锚孔的侧表面。
10.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：
第二虚设中间层，所述第二虚设中间层在所述金属堤层上布置为接触所述第一子像素无机封装层，所述第二虚设中间层和所述第二中间层包括相同的材料；
第二虚设相对电极，所述第二虚设相对电极布置在所述第二虚设中间层上，所述第二虚设相对电极和所述第二相对电极包括相同的材料；以及
第二子像素无机封装层，所述第二子像素无机封装层覆盖所述第二开口的内表面，
其中，所述第二子像素无机封装层连续地延伸为与所述第二虚设相对电极的上表面和两个相对的侧表面、所述第二虚设中间层的两个相对的侧表面、所述第一虚设相对电极的两个相对的侧表面以及所述第一虚设中间层的两个相对的侧表面重叠。
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