CN118159070A - 显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示设备。所述显示设备包括：第一子像素电极；导电堤层，设置在第一子像素电极上，并且在导电堤层中限定有与第一子像素电极叠置的第一开口，导电堤层包括具有彼此不同的蚀刻选择性的第一导电层和第二导电层；绝缘层，设置在第一子像素电极的外围部分与导电堤层之间，并且在绝缘层中限定有与第一开口叠置的开口；绝缘保护层，设置在绝缘层与导电堤层之间，并且在绝缘保护层中限定有与第一开口叠置的开口，绝缘保护层包括具有与绝缘层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的绝缘材料；第一中间层，通过导电堤层的第一开口与第一子像素电极叠置；第一对电极，通过导电堤层的第一开口与第一中间层叠置；以及第一无机阻挡层，在第一对电极上。
Description
本申请要求于2022年12月7日提交的第10-2022-0170040号韩国专利申请的优先权以及从其获得的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
实施例涉及一种显示设备以及制造该显示设备的方法。
背景技术
显示设备可视地显示数据。显示设备可以通过发光二极管提供图像。显示设备正被用于各种目的，并且正尝试各种设计来改善显示设备的质量。
发明内容
实施例提供了一种显示设备以及制造该显示设备的方法。
附加特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践所呈现的实施例来学习。
在本公开的实施例中，一种显示设备包括：第一子像素电极；导电堤层，设置在第一子像素电极上，并且在导电堤层中限定有与第一子像素电极叠置的第一开口，导电堤层包括具有彼此不同的蚀刻选择性的第一导电层和第二导电层；绝缘层，设置在第一子像素电极的外围部分与导电堤层之间，并且在绝缘层中限定有与第一开口叠置的开口；绝缘保护层，设置在绝缘层与导电堤层之间，并且在绝缘保护层中限定有与第一开口叠置的开口，绝缘保护层包括具有与绝缘层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的绝缘材料；第一中间层，通过导电堤层的第一开口与第一子像素电极叠置；第一对电极，通过导电堤层的第一开口与第一中间层叠置；以及第一无机阻挡层，在第一对电极上。
在实施例中，绝缘保护层的开口的宽度可以大于绝缘层的开口的宽度。
在实施例中，第一无机阻挡层可以连续地延伸以与导电堤层的顶表面和侧表面以及第一对电极的顶表面叠置。
在实施例中，导电堤层的第二导电层可以设置在第一导电层的顶表面上。第二导电层包括：尖端，从第一导电层的顶表面和第二导电层的底表面彼此相遇的点处朝向第一开口突出。
在实施例中，第一无机阻挡层可以包括：第一部分，与绝缘层的开口叠置；第二部分，与第二导电层的尖端的顶表面叠置；第三部分，与第二导电层的尖端的底表面叠置；以及第四部分，在第二部分与第三部分之间。当在与第一子像素电极的顶表面垂直的方向上投影时，第一部分不与第四部分叠置。
在实施例中，第一无机阻挡层的第四部分可以在剖视图中包括圆形的表面。
在实施例中，第一无机阻挡层还可以包括：第五部分，在第三部分与第一部分之间。第四部分与第五部分叠置，并且第四部分的一部分直接接触第五部分的一部分。
在实施例中，腔可以限定在第三部分与第五部分之间，并且设置在尖端下方。
在实施例中，绝缘保护层和绝缘层可以包括彼此不同的无机绝缘材料。
在实施例中，显示设备还可以包括：绝缘材料部，在绝缘层的开口中设置在绝缘层的侧表面上，绝缘材料部和绝缘保护层包括相同的材料。
在实施例中，显示设备还可以包括：导电保护层，设置在第一子像素电极与绝缘层之间，并且导电保护层中限定有与绝缘层的开口叠置的开口。
在实施例中，导电保护层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺杂氟的氧化锡(FTO)中的至少一种导电氧化物。绝缘保护层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种的无定形无机绝缘材料。
附图说明
通过以下结合附图的描述，说明性实施例的上述和其他特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是示意性地示出显示设备的实施例的透视图；
图2是示意性地示出分别与显示设备的第一子像素、第二子像素和第三子像素对应的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的实施例的等效电路图；
图3是示出显示设备的实施例的剖视图，具体示出了与设置在显示设备中的第一发光二极管对应的结构；
图4是示意性地示出包括在显示设备中的第一发光二极管的堆叠结构的实施例的剖视图；
图5是示出显示设备的实施例的剖视图；
图6A至图6J是示意性地示出根据制造显示设备的工艺的状态的实施例的剖视图；
图7是示出显示设备的一部分的另一实施例的剖视图；
图8A是示出图3的显示设备的部分VIII的剖视图；
图8B是示出显示设备的一部分的另一实施例(其为图8A的部分VIII的修改)的剖视图；
图9是示出显示设备的实施例的平面图；以及
图10是沿着图9的线X-X'截取的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例在附图中示出，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，示出的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图来描述实施例，以解释所描述的特征。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”或“选自a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
由于公开允许各种改变和许多实施例，因此说明性实施例将在附图中示出并在具体描述中描述。将参照下面参照附图详细描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及用于实现它们的方法。然而，公开不限于以下实施例，并且可以以各种形式实施。
在下文中，将参照附图详细描述实施例，其中相同或相应的元件始终由相同的附图标记表示，并且省略其重复描述。
尽管术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
如这里所使用的，除非上下文另有清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该”旨在也包括复数形式。
将理解的是，术语“包括”和“具有”旨在指示存在说明书中描述的特征或元件，并且不旨在排除可以存在或可以添加一个或更多个其他特征或元件的可能性。
还将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，所述层、区域或组件可以直接在所述另一层、区域或组件上，或者可以间接在所述另一层、区域或组件上，且居间层、区域或组件在其间。
为了便于解释，图中的组件的尺寸可能被夸大或缩小。例如，因为为了便于解释而任意地示出了图中的元件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。
当可以不同地实现说明性实施例时，特定工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行。
如这里所使用的，“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且意味着：考虑到讨论的测量以及与具体量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，在如由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，术语“约(大约)”可以意为在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
将理解的是，当层、区域或元件被称为“连接”到另一层、区域或元件时，所述层、区域或元件可以“直接连接”到所述另一层、区域或元件，并且/或者可以“间接连接”到所述另一层、区域或元件，且其他层、区域或元件置于其间。例如，当层、区域或元件被称为“电连接”时，所述层、区域或元件可以直接电连接，并且/或者可以间接电连接，且居间层、区域或元件在其间。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
图1是示意性地示出显示设备1的实施例的透视图。
参照图1，显示设备1可以包括显示区域DA和设置在显示区域DA外部的非显示区域NDA。显示区域DA可以通过设置在显示区域DA中的第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3来显示图像。设置在显示区域DA外部并且不显示图像的非显示区域NDA可以围绕整个显示区域DA。用于将电信号或电力施加到显示区域DA的驱动器等可以设置在非显示区域NDA中。电子元件或印刷电路板可以电连接到的垫(pad，又称为“焊垫”或“焊盘)可以设置在非显示区域NDA中。
尽管在图1中显示区域DA具有其中在x方向上的长度小于在y方向上的长度的多边形形状(例如，四边形形状)，但是在另一实施例中，显示设备1可以具有其中在y方向上的长度小于在x方向上的长度的多边形形状(例如，四边形形状)。尽管在图1中显示区域DA具有大致四边形形状，但是公开不限于此。在另一实施例中，显示区域DA可以具有诸如N边形形状(N是等于或大于3的自然数)、圆形形状或椭圆形形状的各种形状中的任一种。尽管在图1中显示区域DA具有具备直线彼此相遇的拐角的形状，但是在另一实施例中，显示区域DA可以具有具备倒圆的拐角的多边形形状。
显示设备1可以应用于诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌或物联网(IoT)产品的各种产品以及诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机、移动通信终端、电子管理器、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置或超移动个人计算机(UMPC)的便携式电子装置中的任一种。此外，实施例中的显示设备1可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。此外，实施例中的显示设备1可以应用于设置在车辆的仪表板、中心仪表板或仪表盘上的中心信息显示器(CID)、代替车辆的侧视镜的室内镜显示器或设置在前排座椅的后部用于为车辆的后排座椅中的乘客娱乐的显示屏。
图2是示意性地示出分别与显示设备的第一子像素、第二子像素和第三子像素对应的发光二极管和电连接到发光二极管的子像素电路的实施例的等效电路图。
参照图2，发光二极管LED可以电连接到子像素电路PC，并且子像素电路PC可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2和存储电容器Cst。发光二极管LED的子像素电极(例如，阳极)可以电连接到第一晶体管T1，并且对电极(例如，阴极)可以电连接到共电压电源线10，并且可以接收与共电压ELVSS对应的电压。
第二晶体管T2根据通过扫描线GW输入的扫描信号Sgw将通过数据线DL输入的数据信号Dm传输到第一晶体管T1。
存储电容器Cst连接到第二晶体管T2和驱动电压线PL，并且存储与从第二晶体管T2接收的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
第一晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过发光二极管LED的驱动电流Id。发光二极管LED可以由于驱动电流Id而发射具有预定亮度的光。
虽然在图2中子像素电路PC包括两个晶体管和一个存储电容器，但是公开不限于此。另一实施例中的显示设备的子像素电路PC可以包括三个或更多个晶体管以及两个或更多个电容器。
图3是示出显示设备的实施例的剖视图，具体示出了与设置在显示设备中的第一发光二极管对应的结构。图4是示意性地示出包括在显示设备中的第一发光二极管的堆叠结构的实施例的剖视图。
参照图3，显示设备1的显示区域DA可以包括设置在基底100上的第一发光二极管LED1。第一发光二极管LED1可以包括第一子像素电极1210、第一子像素电极1210上的第一中间层1220以及第一中间层1220上的第一对电极1230，并且可以发射第一颜色的光。
基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。基底100可以具有其中堆叠有无机阻挡层和包括聚合物树脂的基体层的结构。在实施例中，聚合物树脂可以包括例如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)。
第一发光二极管LED1可以电连接到设置在基底100与第一发光二极管LED1之间的第一子像素电路PC1。第一子像素电路PC1可以包括如参照图2所述的晶体管和存储电容器。在实施例中，图3示出了第一子像素电路PC1的第一晶体管T1和存储电容器Cst。
缓冲层110可以设置在基底100与第一晶体管T1之间。缓冲层110可以防止杂质渗透到晶体管的半导体层中。缓冲层110可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一晶体管T1可以包括缓冲层110上的第一半导体层120和与第一半导体层120的沟道区叠置的第一栅电极140。第一半导体层120可以包括硅类半导体材料，例如多晶硅。在替代实施例中，第一半导体层120可以包括氧化物类半导体材料。第一半导体层120可以包括沟道区以及设置在沟道区的相对侧上的第一区和第二区。第一区和第二区是具有比沟道区的杂质浓度高的杂质浓度的区域，并且第一区和第二区中的一个可以与源区对应，而另一个可以与漏区对应。
栅极绝缘层130可以设置在第一半导体层120与第一栅电极140之间。栅极绝缘层130可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
第一中间绝缘层150可以设置在第一栅电极140上。第一中间绝缘层150可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。
源电极160和漏电极162可以分别电连接到第一半导体层120的源区和漏区。第一有机绝缘层170可以设置在源电极160和漏电极162上。第一有机绝缘层170可以包括有机绝缘材料。存储电容器Cst可以包括彼此叠置的至少两个电容器电极。在实施例中，图3示出了与第一半导体层120在同一层的第一电容器电极、与第一栅电极140在同一层的第二电容器电极以及与源电极160和漏电极162在同一层的第三电容器电极。源电极160和漏电极162中的每个可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
连接金属CM可以设置在第一有机绝缘层170上，并且第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210可以穿过限定在第二有机绝缘层190中的接触孔连接到连接金属CM。连接金属CM可以将第一子像素电路PC1电连接到第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210。第一有机绝缘层170可以包括诸如丙烯酰、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。连接金属CM可以包括铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)，并且可以具有包括上述材料的单层或多层结构。
在另一实施例中，第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210可以直接电连接到第一子像素电路PC1。在另一实施例中，设置在不同层的多个连接金属可以设置在第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210与第一子像素电路PC1之间，并且第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210可以通过多个连接金属电连接到第一子像素电路PC1。
第一发光二极管LED1的第一子像素电极1210可以设置在第二有机绝缘层190上。第二有机绝缘层190可以包括诸如丙烯酰、苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺和/或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机绝缘材料。
第一子像素电极1210可以包括金属和/或导电氧化物。在实施例中，例如，第一子像素电极1210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何组合的反射膜，以及在反射膜下方和/或上方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3或由ITO、IZO、ZnO或In2O3组成的膜。在实施例中，第一子像素电极1210可以具有其中顺序堆叠有ITO层、银(Ag)层和ITO层的结构。
导电保护层113可以形成在第一子像素电极1210上。导电保护层113可以与第一子像素电极1210的外部部分叠置，并且与第一子像素电极1210的内部部分叠置的开口可以限定在导电保护层113中。在说明书中，短语“A的外部部分(或外围部分)”指示“A的包括A的边缘的一部分”，并且短语“A的内部部分”指示A的由外部部分(或外围部分)围绕的另一部分。
导电保护层113可以防止第一子像素电极1210被包括在制造显示设备1的工艺中的各种工艺(例如，蚀刻工艺或灰化工艺)中使用的材料损坏。导电保护层113可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、掺杂铝的氧化锌(AZO)、掺杂镓的氧化锌(GZO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化镓锡(GTO)和掺杂氟的氧化锡(FTO)中的至少一种导电氧化物。
导电堤层300可以设置在第一子像素电极1210上，且绝缘层115在其间。第一开口300OP1可以在导电堤层300的厚度方向(例如，z方向)上穿过导电堤层300。导电堤层300的第一开口300OP1可以与第一子像素电极1210叠置。
绝缘层115可以使导电堤层300与第一子像素电极1210电绝缘。绝缘层115可以形成在整个基底100上。在实施例中，例如，绝缘层115可以穿过第一子像素电极1210和导电保护层113的叠置结构，并且可以直接接触第二有机绝缘层190的其上未设置有导电保护层113的顶表面。绝缘层115可以覆盖第一子像素电极1210和导电保护层113中的每个的侧表面。绝缘层115可以包括无机绝缘材料。当绝缘层115包括无机绝缘材料时，与绝缘层115包括有机绝缘材料的情况相比，可以防止或最小化在制造显示设备的工艺期间由于从包括有机绝缘材料的绝缘层发出的气体而导致的发光二极管的质量的劣化。
绝缘层115可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料的单层或多层结构。与导电堤层300的第一开口300OP1和第一子像素电极1210叠置的开口115OP可以限定在绝缘层115中。绝缘层115的开口115OP的宽度W1可以小于第一开口300OP1的宽度。在实施例中，例如，绝缘层115的开口115OP的宽度W1可以小于第一导电层310的开口的宽度，并且小于第二导电层320的开口的宽度。
绝缘保护层400可以设置在导电堤层300与绝缘层115之间。绝缘保护层400可以防止第一子像素电极1210被包括在制造显示设备1的工艺中的各种工艺(例如，蚀刻工艺或灰化工艺)中使用的气体或液体材料损坏。
绝缘保护层400可以包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无定形无机绝缘材料。绝缘保护层400可以包括上述无机绝缘材料之中的具有与导电保护层113、绝缘层115和导电堤层300的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料。绝缘保护层400可以具有与导电保护层113的分子结构不同的分子结构，并且可以具有与导电保护层113的耐化学性不同的耐化学性。绝缘保护层400可以在制造显示设备1的工艺中在用于形成导电堤层300的垂挑结构的蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻工艺)中防止蚀刻剂通过导电保护层113的晶体结构(例如，导电保护层的针孔)损坏第一子像素电极1210。
与第一子像素电极1210、导电堤层300的第一开口300OP1和绝缘层115的开口115OP叠置的开口400OP可以限定在绝缘保护层400中。绝缘保护层400的开口400OP的宽度W2可以大于绝缘层115的开口115OP的宽度W1。
第一中间层1220可以通过绝缘层115的开口115OP直接接触第一子像素电极1210。在实施例中，例如，第一中间层1220的内部部分可以与第一子像素电极1210叠置并接触，第一中间层1220的外部部分可以延伸到绝缘层115并且可以与绝缘层115叠置并接触。设置在第一对电极1230与第一子像素电极1210之间的第一中间层1220可以发射第一颜色的光。绝缘层115的开口115OP的宽度W1可以与第一发光二极管LED1的发射区域的宽度对应。
如图4中所示，第一中间层1220可以包括第一发射层1222。第一中间层1220还可以包括设置在第一子像素电极1210与第一发射层1222之间和/或第一发射层1222与第一对电极1230之间的公共层。在下文中，第一子像素电极1210与第一发射层1222之间的公共层也被称为第一公共层1221，第一发射层1222与第一对电极1230之间的公共层也被称为第二公共层1223。
第一发射层1222可以包括发射预定颜色的光(例如，红光、绿光或蓝光)的相对高分子量的有机材料或相对低分子量的有机材料。在另一实施例中，第一发射层1222可以包括无机材料或量子点。
第一公共层1221可以包括空穴传输层(HTL)和/或空穴注入层(HIL)。第二公共层1223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一公共层1221和第二公共层1223中的每个可以包括有机材料。
第一对电极1230可以包括具有相对低逸出功的导电材料或由具有相对低逸出功的导电材料组成。在实施例中，第一对电极1230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金的(半)透明层。在替代实施例中，第一对电极1230还可以包括在包含上述材料的(半)透明层上的包括ITO、IZO、ZnO和/或In2O3或由ITO、IZO、ZnO和/或In2O3组成的层。
如图3中所示，第一对电极1230的内部部分可以与第一中间层1220和第一子像素电极1210叠置，并且第一对电极1230的外部部分可以延伸到绝缘层115并且可以与绝缘层115叠置。第一对电极1230的宽度可以大于第一中间层1220的宽度。换句话说，第一对电极1230的外部部分可以进一步延伸超过第一中间层1220的边缘，并且可以直接接触导电堤层300。在实施例中，如图3中所示，例如，第一对电极1230的外部部分可以直接接触导电堤层300的第一导电层310的侧表面的一部分(例如，侧表面的下部部分)。第一对电极1230可以由设置在第一对电极1230上方的第一盖层1240保护。第一盖层1240可以包括有机材料或无机材料。第一盖层1240的外部部分可以延伸超过第一对电极1230的边缘，并且可以直接接触导电堤层300。
导电堤层300可以包括具有不同蚀刻选择性的导电层。在实施例中，导电堤层300可以包括第一导电层310和在第一导电层310上的第二导电层320。第一导电层310和第二导电层320可以包括具有不同蚀刻选择性的金属。在实施例中，第一导电层310可以是包括铝(Al)的层，第二导电层320可以是包括钛(Ti)的层。尽管在图3中导电堤层300包括两个导电层，但是公开不限于此。在另一实施例中，导电堤层300还可以包括第一导电层310、第一导电层310上的第二导电层320和第一导电层310下方的第三导电层。
第一导电层310的厚度可以大于第二导电层320的厚度。在实施例中，第一导电层310的厚度可以大于第二导电层320的厚度的约五倍，并且小于第二导电层320的厚度的约十倍。在一些实施例中，第一导电层310的厚度可以是第二导电层320的厚度的约六倍或大于第二导电层320的厚度的约六倍、是第二导电层320的厚度的约七倍或大于第二导电层320的厚度的约七倍，或者是第二导电层320的厚度的约八倍或大于第二导电层320的厚度的约八倍。在实施例中，第一导电层310的厚度可以在约0.5微米(μm)至约1μm的范围内，第二导电层320的厚度可以在约0.03μm至约0.15μm的范围内。
导电堤层300可以包括垂挑结构。在实施例中，例如，导电堤层300的第二导电层320可以比第一导电层310朝向导电堤层300的第一开口300OP1突出得更多，以形成垂挑结构。换句话说，第二导电层320可以包括尖端T，尖端T从第二导电层320的底表面和第一导电层310的侧表面(或顶表面)彼此相遇处的点CP在一个方向(例如，朝向第一开口300OP的方向或横向方向)上突出。
第一中间层1220可以通过沉积工艺形成。当导电堤层300具有垂挑结构时，用于形成第一中间层1220的材料可以如图3中所示地沉积在第一子像素电极1210上，或者也可以如图3中所示地沉积在导电堤层300的顶表面上。沉积在第一子像素电极1210上的材料可以与第一中间层1220对应，沉积在导电堤层300的顶表面上的材料可以与第一虚设中间层1220D对应。
与第一中间层1220类似，第一对电极1230和第一盖层1240中的每个可以通过沉积形成，第一虚设对电极1230D和第一虚设盖层1240D可以设置在导电堤层300的顶表面上。第一虚设对电极1230D可以设置在第一虚设中间层1220D上，第一虚设盖层1240D可以设置在第一虚设对电极1230D上。
第一无机阻挡层1510可以覆盖第一发光二极管LED1，并且与第一发光二极管LED1叠置。第一无机阻挡层1510可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机绝缘材料，并且可以通过诸如化学气相沉积的方法沉积。
第一无机阻挡层1510可以具有比第一中间层1220和第一对电极1230的台阶覆盖率好的阶梯覆盖率，并且因此可以不被导电堤层300的垂挑结构分离或断开。第一无机阻挡层1510可以连续地覆盖导电堤层300的顶表面和侧表面和第一发光二极管LED1的顶表面，并且连续地与导电堤层300的顶表面和侧表面和第一发光二极管LED1的顶表面叠置。
为了便于解释，第一无机阻挡层1510的不同部分将根据位置被描述为第一部分至第五部分。在实施例中，第一无机阻挡层1510可以包括与第一发光二极管LED1叠置的第一部分1510a、在导电堤层300的顶表面上(例如，在尖端T的顶表面上)的第二部分1510b、在导电堤层300的尖端T的底表面上的第三部分1510c、在第二部分1510b与第三部分1510c之间的第四部分1510d以及在第一部分1510a与第三部分1510c之间的第五部分1510e。第五部分1510e可以与第一导电层310的侧表面叠置，并且可以与第一中间层1220的外部部分、第一对电极1230的外部部分和第一盖层1240的外部部分叠置。第一部分1510a可以一体地延伸到第五部分1510e，第五部分1510e可以一体地延伸到第三部分1510c，第三部分1510c可以一体地延伸到第四部分1510d，第四部分1510d可以一体地延伸到第二部分1510b。
在剖视图中，第一无机阻挡层1510的第四部分1510d可以在尖端T的突出方向(例如，与z方向垂直的方向或横向方向)上突出。在实施例中，如图3中所示，第一无机阻挡层1510的第四部分1510d可以包括在尖端T的突出方向(例如，与z方向垂直的方向或横向方向)上的圆形(倒圆)表面。
换句话说，在剖视图中，第一无机阻挡层1510的第四部分1510d可以设置在穿过第一发光二极管LED1的中心的虚拟竖直线的相对侧上，并且第四部分1510d之间的分离区域可以与第一发光二极管LED1的发射区域叠置。分离区域的宽度W3可以大于第一发光二极管LED1的发射区域的宽度(例如，绝缘层115的开口115OP的宽度W1)。在图3中，第四部分1510d之间的分离区域可以与在平面图中(当在与基底100的顶表面垂直的方向上投影时)由第四部分1510d围绕的区域的宽度对应。换句话说，在平面图中(当在与基底100的顶表面垂直的方向上观察时)，第四部分1510d可以具有围绕发射区域的闭环形状。
当在与基底100的顶表面或第一子像素电极1210的顶表面垂直的方向上投影时，第一部分1510a可以不与第四部分1510d叠置。在对比示例中，当第一无机阻挡层1510的第四部分1510d在与基底100的顶表面或第一子像素电极1210的顶表面垂直的方向上投影时与第一部分1510a叠置时，在从第一发光二极管LED1的中心部分发射的光与从外部部分发射的光之间发生颜色偏差。在对比示例中，例如，因为从第一发光二极管LED1的中心部分发射的光穿过第一无机阻挡层1510的第一部分1510a，而从第一发光二极管LED1的外部部分发射的光穿过第一无机阻挡层1510的第一部分1510a和第四部分1510d，所以在它们之间可能发生颜色偏差。
然而，在实施例中，因为当在与第一子像素电极1210的顶表面垂直的方向上投影时，第一无机阻挡层1510的第四部分1510d不与第一部分1510a叠置，所以可以防止颜色偏差。
图5是示出显示设备的另一实施例的剖视图。因为除了显示设备1的第一无机阻挡层1510的结构之外的结构与图3的显示设备1的结构基本上相同，所以为了便于解释，将主要描述差异。
参照图5，第一无机阻挡层1510的第四部分1510d可以接触第五部分1510e。在这种情况下，腔CV可以限定在尖端T下方。腔CV可以限定在第一无机阻挡层1510的第三部分1510c与第五部分1510e之间。
图6A至图6J是示意性地示出根据制造显示设备1的工艺的状态的实施例的剖视图。
参照图6A，可以在基底100上形成第一子像素电路PC1。可以在形成第一子像素电路PC1之前在基底100上形成缓冲层110。
可以在缓冲层110上形成第一晶体管T1和存储电容器Cst。第一晶体管T1可以包括缓冲层110上的第一半导体层120和与第一半导体层120的沟道区叠置的第一栅电极140，可以在第一半导体层120与第一栅电极140之间形成栅极绝缘层130。
可以在第一栅电极140上形成第一中间绝缘层150，并且可以在第一中间绝缘层150上形成源电极160和漏电极162。源电极160和漏电极162可以通过穿过第一中间绝缘层150的接触孔(例如，穿过第一中间绝缘层150和栅极绝缘层130的接触孔)电连接到第一半导体层120。
可以在第一晶体管T1上形成第一有机绝缘层170，并且可以在第一有机绝缘层170上形成连接金属CM，连接金属CM可以通过穿过第一有机绝缘层170的接触孔电连接到第一晶体管T1。可以在连接金属CM上形成第二有机绝缘层190。
可以在第二有机绝缘层190上形成第一子像素电极1210。第一子像素电极1210可以包括金属和/或导电氧化物。在实施例中，例如，如参照图3所述，第一子像素电极1210可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何组合的反射膜，以及在反射膜下方和/或上方的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3或由ITO、IZO、ZnO或In2O3组成的膜。
可以在第一子像素电极1210上形成导电保护层113。导电保护层113可以与第一子像素电极1210在同一掩模工艺中被图案化，并且第一子像素电极1210和导电保护层113可以在显示区域DA中具有孤立形状。如参照图3所述，导电保护层113可以包括诸如ITO、IZO、IGZO、ITZO、ZnO、AZO、GZO、ZTO、GTO或FTO的导电氧化物。
参照图6B，可以在第一子像素电极1210和导电保护层113的堆叠结构上形成绝缘层115。绝缘层115可以覆盖第一子像素电极1210和导电保护层113的堆叠结构的边缘，并且可以在绝缘层115中限定与堆叠结构的内部部分叠置的开口115OP。如参照图3所述，绝缘层115可以包括无机绝缘材料。
参照图6C，在绝缘层115上形成绝缘保护层400。绝缘保护层400可以包括具有与导电保护层113和绝缘层115的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的材料(例如，无机绝缘材料)。在实施例中，导电保护层113可以包括诸如IGZO的导电氧化物，绝缘层115可以包括诸如氮化硅的无机绝缘材料(例如，无定形无机绝缘材料)，绝缘保护层400可以包括氧化硅。绝缘保护层400的厚度可以小于绝缘层115的厚度。绝缘保护层400可以通过绝缘层115的开口115OP直接接触导电保护层113的顶表面。
参照图6D，可以在绝缘保护层400上形成与导电堤层300对应的导电层。在实施例中，图6D示出了第一导电层310和在第一导电层310上的第二导电层320。
第一导电层310和第二导电层320可以包括具有不同蚀刻选择性的导电材料。在实施例中，第一导电层310可以是包括铝(Al)的层，第二导电层320可以是包括钛(Ti)的层。第一导电层310的厚度可以是第二导电层320的厚度的约六倍或大于第二导电层320的厚度的约六倍、是第二导电层320的厚度的约七倍或大于第二导电层320的厚度的约七倍、或是第二导电层320的厚度的约八倍或大于第二导电层320的厚度的约八倍。在实施例中，第一导电层310的厚度可以在约0.5μm至约1μm的范围内，第二导电层320的厚度可以在约0.03μm至约0.15μm的范围内。
尽管在图6D中导电堤层300包括两个导电层，但是公开不限于此。在另一实施例中，导电堤层300可以包括第一导电层310、在第一导电层310上的第二导电层320和在第一导电层310下方的第三导电层。
接下来，可以在导电堤层300上形成其中限定有第一开口区域POP1的第一光致抗蚀剂PR1。第一光致抗蚀剂PR1的第一开口区域POP1可以与第一子像素电极1210叠置。
参照图6E，可以通过第一光致抗蚀剂PR1作为掩模来去除第二导电层320的一部分和第一导电层310的一部分。可以通过干法蚀刻去除第二导电层320的一部分和第一导电层310的一部分。在蚀刻工艺期间，绝缘保护层400和导电保护层113可以保护绝缘保护层400和导电保护层113下方的第一子像素电极1210。
当去除第二导电层320的一部分和第一导电层310的一部分时，可以在第二导电层320中限定穿过第二导电层320并与第一子像素电极1210叠置的开口320OP1，可以在第一导电层310中限定穿过第一导电层310并与第一子像素电极1210叠置的开口310OP1。
参照图6F，形成导电堤层300的垂挑结构。在实施例中，例如，可以通过蚀刻进一步蚀刻第一导电层310。可以通过蚀刻在第一导电层310中限定具有比图6E的工艺中限定的第一导电层310的开口310OP1的宽度大的宽度的开口310OP2。
在一些实施例中，第一导电层310的开口310OP2可以具有其中宽度向下减小的形状。在实施例中，例如，第一导电层310的开口310OP2的上部部分的宽度可以大于下部部分的宽度。换句话说，第一导电层310的面向开口310OP2的侧表面可以具有正锥形的倾斜度。
在一些实施例中，可以通过湿法蚀刻来限定第一导电层310的开口310OP2。因为第一导电层310和第二导电层320包括具有不同蚀刻选择性的金属，所以可以在湿法蚀刻工艺中去除第一导电层310的一部分，并且可以限定第一导电层310的具有比第二导电层320的开口320OP1的宽度大的宽度的开口310OP2。在用于限定第一导电层310的开口310OP2的蚀刻工艺期间，绝缘保护层400和导电保护层113可以保护第一子像素电极1210。
在对比示例中，当绝缘保护层400不存在时，在如上所述的用于形成导电堤层300的垂挑结构的蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻)中，蚀刻剂会穿过导电保护层113的细孔(例如，针孔)而损坏第一子像素电极1210。然而，在实施例中，因为绝缘保护层400与第一子像素电极1210和导电保护层113叠置，所以可以防止或最小化上述问题。接下来，去除第一光致抗蚀剂PR1。
参照图6G，在形成具有垂挑结构的导电堤层300之后，可以通过去除绝缘保护层400的一部分来限定开口400OP。可以通过蚀刻(例如，干法蚀刻)来限定绝缘保护层400的开口400OP。
接下来，可以通过经由绝缘保护层400的开口400OP去除导电保护层113的一部分来限定开口113OP。可以通过与用于限定绝缘保护层400的开口400OP的蚀刻工艺不同的蚀刻工艺(例如，湿法蚀刻)来限定导电保护层113的开口113OP。因为导电保护层113具有与绝缘保护层400的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性，所以可以独立地或单独地执行用于限定绝缘保护层400的开口400OP的蚀刻和用于限定导电保护层113的开口113OP的蚀刻。
尽管在图6F和图6G中去除了第一光致抗蚀剂PR1然后限定了绝缘保护层400的开口400OP且限定了导电保护层113的开口113OP，但是公开不限于此。在另一实施例中，在限定了绝缘保护层400的开口400OP且限定了导电保护层113的开口113OP之后，可以去除第一光致抗蚀剂PR1。
参照图6H，形成第一中间层1220和第一对电极1230。第一子像素电极1210、第一中间层1220和第一对电极1230的堆叠结构与第一发光二极管LED1对应。在一些实施例中，可以通过诸如热蒸发的沉积方法形成第一中间层1220和第一对电极1230。
因为第一中间层1220和第一对电极1230是在没有单独的掩模的情况下沉积的，所以用于形成第一中间层1220的沉积材料和用于形成第一对电极1230的沉积材料可以用于在导电堤层300上形成第一虚设中间层1220D和第一虚设对电极1230D。第一中间层1220和第一虚设中间层1220D可以彼此分离且间隔开，第一对电极1230和第一虚设对电极1230D可以彼此分离且间隔开。第一中间层1220和第一虚设中间层1220D可以包括相同的材料和/或相同数量的子层(例如，第一公共层、发射层和第二公共层)。第一对电极1230和第一虚设对电极1230D可以包括相同的材料。
包括第一对电极1230的边缘的外部部分可以延伸超过第一中间层1220的边缘，并且可以直接接触第一导电层310的侧表面。第一导电层310和第一对电极1230可以彼此电连接。
可以在第一对电极1230上形成第一盖层1240。与第一对电极1230一样，可以在没有单独的掩模的情况下沉积第一盖层1240。用于形成第一盖层1240的沉积材料的一部分可以用于在导电堤层300上形成设置在第一虚设对电极1230D上的第一虚设盖层1240D。
接下来，在第一发光二极管LED1上形成第一无机阻挡层1510。第一无机阻挡层1510可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机绝缘材料，并且可以通过诸如化学气相沉积的方法沉积。第一无机阻挡层1510可以连续地形成为与导电堤层300的顶表面和侧表面以及第一对电极1230的顶表面叠置。
参照图6I，在第一无机阻挡层1510上形成第二光致抗蚀剂PR2。
当通过第二光致抗蚀剂PR2作为掩模去除不与第二光致抗蚀剂PR2叠置的第一无机阻挡层1510的一部分、第一虚设盖层1240D的一部分、第一虚设对电极1230D的一部分和第一虚设中间层1220D的一部分时，第一虚设盖层1240D、第一虚设对电极1230D和第一虚设中间层1220D如图6J中所示地设置为围绕第一发光二极管LED1。
尽管在作为剖视图的图6J中，第一虚设盖层1240D、第一虚设对电极1230D和第一虚设中间层1220D设置在第一发光二极管LED1的相对侧上，但是当在与基底100垂直的方向上投影(或在平面图中)时，第一虚设盖层1240D、第一虚设对电极1230D和第一虚设中间层1220D中的每个可以具有围绕第一发光二极管LED1的闭环形状。
第一无机阻挡层1510可以包括如参照图3所述的第一部分1510a、第二部分1510b、第三部分1510c、第四部分1510d和第五部分1510e，并且第一部分1510a可以不与第四部分1510d叠置。因此，可以防止或最小化从第一发光二极管LED1发射的光的颜色偏差。
图7是示出显示设备的一部分的另一实施例的剖视图。
因为除了绝缘材料部410进一步设置在绝缘层115的开口115OP周围之外，图7的显示设备1具有与参照图3描述的结构相同的结构，所以将主要描述差异。
在参照图6G描述的通过去除绝缘保护层400的一部分来限定开口400OP的工艺中，与绝缘保护层400对应的材料可以保留在绝缘层115的开口115OP中以形成绝缘材料部410。
图8A是示出图3的显示设备的部分VIII的剖视图。图8B是示出显示设备的一部分的另一实施例(其为图8A的部分VIII的修改)的剖视图。
参照图8A，第一中间层1220的外部部分可以延伸到绝缘层115，使得第一中间层1220的边缘与导电堤层300和绝缘保护层400间隔开。因为第一对电极1230的外部部分和第一盖层1240的外部部分进一步延伸超过第一中间层1220的边缘，所以第一对电极1230的外部部分和第一盖层1240的外部部分可以直接接触导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的倾斜侧表面)。
在另一实施例中，参照图8B，第一中间层1220的边缘可以设置在导电堤层300的侧表面上。通过控制用于形成第一中间层1220的沉积工艺中的沉积时间和方向，第一中间层1220的外部部分可以直接接触绝缘保护层400的侧表面和导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)。
第一中间层1220的设置在导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)上的部分的厚度可以小于第一中间层1220的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度。在实施例中，例如，第一中间层1220的设置在导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)上的部分的厚度可以是第一中间层1220的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度的约1/2，或者小于第一中间层1220的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度的约1/2。
第一对电极1230的外部部分可以与绝缘保护层400的侧表面和导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)叠置，并且第一对电极1230可以穿过第一中间层1220的边缘直接接触导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)。
第一对电极1230的设置在导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)上的部分的厚度可以小于第一对电极1230的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度。在实施例中，例如，第一对电极1230的设置在导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)上的部分的厚度可以是第一对电极1230的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度的约1/2，或者小于第一对电极1230的设置在第一子像素电极1210(参照图3)或绝缘层115上的另一部分的厚度的约1/2。
与第一对电极1230类似，第一盖层1240的外部部分可以与绝缘保护层400的侧表面和导电堤层300的侧表面(例如，第一导电层310的侧表面)叠置。第一盖层1240的外部部分的厚度可以是第一盖层1240的内部部分的厚度的约1/2，或者小于第一盖层1240的内部部分的厚度的约1/2。
图9是示出显示设备的实施例的平面图。图10是沿着图9的线X-X'截取的剖视图。
如图9中所示，分别与第一子像素至第三子像素对应的开口(例如，第一开口300OP1、第二开口300OP2和第三开口300OP3)可以限定在导电堤层300中。第一开口300OP1、第二开口300OP2和第三开口300OP3可以彼此间隔开，导电堤层300在平面图中可以具有网状结构。
参照图9，第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以分别设置在导电堤层300的第一开口300OP1、第二开口300OP2和第三开口300OP3中。
参照图10，基底100上的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以分别电连接到第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3。
第一子像素电路PC1、第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以具有基本上相同的结构。在实施例中，例如，第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3可以具有与第一子像素电路PC1的结构相同的结构，并且在这方面，图10示出了第二子像素电路PC2和第三子像素电路PC3中的每个包括第一晶体管T1和存储电容器Cst。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以具有基本上相同的结构。如参照图3至图8B所述，图10的第一发光二极管LED1可以具有设置在导电堤层300的第一开口300OP1中的第一子像素电极、第一中间层和第一对电极的堆叠结构，并且其中限定有开口的绝缘保护层400可以设置在导电堤层300与绝缘层115之间。
第二发光二极管LED2可以具有设置在导电堤层300的第二开口300OP2中的第二子像素电极、第二中间层和第二对电极的堆叠结构，并且其中限定有开口的绝缘保护层400可以设置在导电堤层300与绝缘层115之间。
第三发光二极管LED3可以具有设置在导电堤层300的第三开口300OP3中的第三子像素电极、第三中间层和第三对电极的堆叠结构，并且其中限定有开口的绝缘保护层400可以设置在导电堤层300与绝缘层115之间。
除了第二中间层的发射层和第三中间层的发射层发射不同颜色的光并且包括发射不同颜色的光的材料之外，第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以具有基本上相同的结构和相同的材料。换句话说，与第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个对应的剖面结构可以与参照图3至图8B描述的实施例中的结构基本上相同或相似。第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的对电极(例如，第一对电极、第二对电极和第三对电极)的外部部分可以如参照图3所述的直接接触第一导电层310的面向第一开口300OP1、第二开口300OP2和第三开口300OP3的侧表面。换句话说，彼此物理地分离或间隔开的第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的对电极可以通过与导电堤层300接触而连接。
第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3可以分别与第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530叠置，并且/或者被第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530覆盖。第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530的内部部分可以分别与第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3叠置，并且外部部分可以各自与尖端T叠置。尽管在作为剖视图的图10中，导电堤层300的尖端T设置在第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3中的每个的相对侧上，但是在平面图中(当在与基底100的顶表面垂直的方向上观察时)尖端T可以具有围绕第一发光二极管LED1、第二发光二极管LED2和第三发光二极管LED3的形状。
封装层500可以设置在第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530上。在实施例中，例如，封装层500可以包括设置在第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530上并且与第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530对应的单个整体的有机封装层520，并且还可以包括在有机封装层520上的无机封装层530。换句话说，有机封装层520可以连续地形成为与多个无机阻挡层(例如，第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530)叠置。无机封装层530也可以连续地形成为与多个无机阻挡层(例如，第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530)叠置。
在另一实施例中，封装层500还可以包括设置在有机封装层520与第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530之间的无机封装层(下无机封装层)。下无机封装层也可以连续地形成为与多个无机阻挡层(例如，第一无机阻挡层1510、第二无机阻挡层1520和第三无机阻挡层1530)叠置。
有机封装层520可以包括聚合物类材料。在实施例中，聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。在实施例中，有机封装层520可以包括丙烯酸酯。
无机封装层530和/或下无机封装层可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机绝缘材料。
在实施例中，可以防止或最小化对子像素电极的损坏，并且可以防止或最小化从发光二极管发射的光的颜色偏差。这些效果是示例，并且不限制公开的范围。
应当理解的是，这里描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每个实施例内的特征或优点的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或优点。虽然已经参照附图描述了实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备，所述显示设备包括：
第一子像素电极；
导电堤层，设置在所述第一子像素电极上，并且在所述导电堤层中限定有与所述第一子像素电极叠置的第一开口，所述导电堤层包括具有彼此不同的蚀刻选择性的第一导电层和第二导电层；
绝缘层，设置在所述第一子像素电极的外围部分与所述导电堤层之间，并且在所述绝缘层中限定有与所述第一开口叠置的开口；
绝缘保护层，设置在所述绝缘层与所述导电堤层之间，并且在所述绝缘保护层中限定有与所述第一开口叠置的开口，所述绝缘保护层包括具有与所述绝缘层的蚀刻选择性不同的蚀刻选择性的绝缘材料；
第一中间层，通过所述导电堤层的所述第一开口与所述第一子像素电极叠置；
第一对电极，通过所述导电堤层的所述第一开口与所述第一中间层叠置；以及
第一无机阻挡层，在所述第一对电极上。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述绝缘保护层的所述开口的宽度大于所述绝缘层的所述开口的宽度。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一无机阻挡层与所述导电堤层的顶表面和侧表面以及所述第一对电极的顶表面连续地叠置。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述导电堤层的所述第二导电层设置在所述第一导电层的顶表面上，并且
其中，所述第二导电层包括：尖端，从所述第一导电层的所述顶表面和所述第二导电层的底表面彼此相遇的点处朝向所述第一开口突出。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第一无机阻挡层包括：
第一部分，与所述绝缘层的所述开口叠置；
第二部分，与所述第二导电层的所述尖端的顶表面叠置；
第三部分，与所述第二导电层的所述尖端的底表面叠置；以及
第四部分，在所述第二部分与所述第三部分之间，
其中，当在与所述第一子像素电极的顶表面垂直的方向上投影时，所述第一部分不与所述第四部分叠置。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一无机阻挡层的所述第四部分在剖视图中包括圆形表面。
7.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一无机阻挡层还包括：第五部分，在所述第三部分与所述第一部分之间，
其中，所述第四部分与所述第五部分叠置，并且所述第四部分的一部分直接接触所述第五部分的一部分，并且
其中，腔限定在所述第三部分与所述第五部分之间并且在所述尖端下方。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述绝缘保护层和所述绝缘层包括彼此不同的无机绝缘材料。
9.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：绝缘材料部，在所述绝缘层的所述开口中设置在所述绝缘层的侧表面上，所述绝缘材料部和所述绝缘保护层包括相同的材料。
10.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：导电保护层，设置在所述第一子像素电极与所述绝缘层之间，并且所述导电保护层中限定有与所述绝缘层的所述开口叠置的开口，其中，所述导电保护层包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化锌、掺杂铝的氧化锌、掺杂镓的氧化锌、氧化锌锡、氧化镓锡和掺杂氟的氧化锡中的至少一种导电氧化物，并且
其中，所述绝缘保护层包括氧化硅和氮化硅中的至少一种的无定形无机绝缘材料。
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