CN112151579A - 显示设备和制造显示设备的方法 - Google Patents

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金在植
李娟和
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Abstract

本公开提供了具有改善的可靠性并防止或减小对有机发光二极管(OLED)的损坏的显示设备以及通过在光图案化工艺期间在相对电极上布置保护层来制造显示设备的方法。所述显示设备包括：基底；像素电极，位于所述基底上；像素限定层，位于所述像素电极上，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；辅助电极，位于所述像素限定层上；中间层，位于所述像素电极上；相对电极，面对所述像素电极，所述中间层介于所述相对电极和所述像素电极之间；第一保护层，位于所述相对电极上；以及接触电极，位于所述第一保护层上，所述接触电极电接触所述辅助电极和所述相对电极。

Description

显示设备和制造显示设备的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年6月26日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0076342号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及显示设备和制造显示设备的方法，更具体地，涉及具有改善的可靠性的显示设备和制造显示设备的方法。
背景技术
在显示设备中，有机发光显示设备已经由于其宽视角、高对比度和/或快速响应速度而作为下一代显示设备被关注。
在有机发光显示设备中，每个像素包括有机发光二极管(OLED)。OLED包括像素电极、面对像素电极的相对电极以及介于像素电极和相对电极之间的发射层。
在实现全色显示的有机发光显示设备中，从每个像素区域发射不同颜色的光，并且可以通过使用沉积掩模获得每个像素中的发射层和通过多个像素一体地设置的相对电极。随着有机发光显示设备最终具有高分辨率，在沉积工艺中使用的掩模中的开口狭缝的宽度逐渐减小，此外，存在减小开口狭缝的分散性的需求。另外，为了制造高分辨率有机发光显示设备，需要减少或防止阴影效应。因此，可以在其中基底和掩模彼此靠近的状态下执行沉积工艺。
发明内容
然而，在根据相关技术的显示设备中，当在其中基底和掩模彼此靠近地布置的状态下执行沉积工艺时，掩模可能损坏像素电极的上部。
一个或多个方面包括能够防止或减少对有机发光二极管(OLED)的损坏并具有改善的可靠性的显示设备以及制造显示设备的方法。然而，以上技术特征是示例性的，并且本公开的范围不限于此。
将在随后的描述中部分地阐述，且根据该描述所述附加方面将部分地是明显的，或者可以通过实践本公开的提供的实施例来习得所述附加方面。
根据实施例，一种显示设备包括：基底；像素电极，位于所述基底上；像素限定层，位于所述像素电极上，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；辅助电极，位于所述像素限定层上；中间层，位于所述像素电极上；相对电极，面对所述像素电极，所述中间层介于所述相对电极和所述像素电极之间；第一保护层，位于所述相对电极上；以及接触电极，位于所述第一保护层上，所述接触电极与所述辅助电极和所述相对电极电接触。
所述辅助电极可以具有至少部分地暴露所述像素限定层的上表面的第二开口，所述第二开口大于所述第一开口。
所述辅助电极的端部和所述中间层的端部可以在所述像素限定层上彼此间隔开。
位于所述相对电极上的所述第一保护层可以至少部分地暴露所述相对电极的相对端部。
所述第一保护层可以包括具有3eV或更大的光学带隙的无机材料。
所述第一保护层可以包括具有10或更大的介电常数的金属氧化物。
所述第一保护层可以包括光透射有机材料。
所述第一保护层可以具有1nm至100nm的厚度。
所述接触电极可以包括光透射导电材料。
在所述相对电极的由所述第一保护层至少部分地暴露的相对端部处，所述接触电极可以直接接触且电接触所述相对电极。
所述接触电极可以直接接触且电接触所述辅助电极。
所述显示设备还可以包括：第二保护层，位于所述接触电极上。
根据实施例，一种制造显示设备的方法包括：准备基底；在所述基底上形成像素电极；在所述像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；在所述像素限定层上形成辅助电极，所述辅助电极具有大于所述第一开口的第二开口；在所述辅助电极上形成剥离层并在所述剥离层上形成掩模层，所述剥离层具有第三开口，并且所述掩模层具有小于所述第三开口的第四开口；通过所述第四开口在所述像素电极上形成中间层；通过所述第四开口在所述中间层上形成相对电极；通过所述第四开口在所述相对电极上形成第一保护层；通过所述第四开口在所述第一保护层上形成接触电极，所述接触电极电接触所述辅助电极和所述相对电极；通过所述第四开口在所述接触电极上形成第二保护层；以及去除所述剥离层和所述掩模层。
在所述中间层的形成中，可以使所述中间层的端部和所述辅助电极的端部在所述像素限定层上彼此间隔开。
在所述第一保护层的形成中，可以将所述第一保护层布置在所述相对电极上，同时至少部分地暴露所述相对电极的相对端部。
所述第一保护层可以具有1nm至100nm的厚度。
所述接触电极可以包括光透射导电材料。
在所述相对电极的由所述第一保护层至少部分地暴露的相对端部处，所述接触电极可以直接接触且电接触所述相对电极。
所述接触电极可以直接接触且电接触所述辅助电极。
可以以第一入射角引入所述相对电极的材料，可以以第二入射角引入所述接触电极的材料，并且所述第二入射角可以大于所述第一入射角。
附图说明
通过以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的以上和其他方面、特征及优点将更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的透视图；
图2是实施例的显示设备中的像素的等效电路图；
图3是示出了可以在根据实施例的显示设备中包括的像素的结构的图；
图4是根据实施例的显示设备的截面图；
图5是图4中的区域A的放大图；
图6是根据实施例的显示设备的截面图；以及
图7至图13B是示出了根据实施例的显示设备的一些制造工艺的视图。
具体实施方式
现在将更详细地参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终指代同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于本文中阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述实施例，以解释本说明书的各方面。如在本文中使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。诸如“至少一个(种)”的表述当在一列元件之后时，修饰整列元件，而不修饰所述列的个别元件。
下面将参照附图更详细地描述示例实施例。无论图号如何，相同的或对应的那些组件由相同或相似的附图标记表示，且不再提供冗余的说明。
尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等术语来描述各种组件，但是这些组件将不限于以上术语。以上术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。以单数形式使用的表述涵盖复数形式的表述，除非其在上下文中具有明确不同的含义。
还将理解的是，如本文中使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征或组件。将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于说明，可能夸大了附图中的组件的尺寸。换言之，由于为了便于说明而任意示出了附图中的组件的尺寸和厚度，因此以下实施例不限于此。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
当特定实施例可以不同地实现时，可以与所描述的顺序不同地执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
图1是根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，显示设备1包括显示区域DA和非显示区域NDA，其中，显示区域DA显示图像，并且非显示区域NDA不显示图像。显示设备1可以通过使用从布置在显示区域DA中的多个像素P发射的光来提供图像。
在图1中，显示设备1包括具有方形形状的显示区域DA，但是一个或多个实施例不限于此。显示区域DA可以具有圆形形状、椭圆形形状或者诸如三角形、五边形等多边形形状。
在下文中，将有机发光显示设备描述为根据实施例的显示设备1的示例，但是本公开的显示设备1不限于此。在实施例中，显示设备1可以是无机发光显示器、量子点发光显示器等和/或由各种适当的方法驱动的一种或多种其他各种适当的显示设备。另外，图1的显示设备1包括平板显示设备，但是显示设备1可以为各种类型，例如，柔性显示设备、可折叠显示设备、可卷曲显示设备等。
图2是在实施例的显示设备1中的像素P的等效电路图。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL，并根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并储存与从开关薄膜晶体管Ts传送的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并可以响应于储存在存储电容器Cst中的电压值控制从驱动电压线PL流向有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有设定或预定的亮度的光。
图2示出了其中像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的示例，但是一个或多个实施例不限于此。在可选的实施例中，像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。
图3是示出了根据实施例的显示设备1中的像素P的结构的图。
参照图3，显示区域DA可以包括至少一个像素P。像素P可以包括发射红光的子像素Pr、发射绿光的子像素Pg和发射蓝光的子像素Pb。图3示出了Pentile型子像素，但是子像素可以具有一种或多种各种适当的形状，例如，条纹形状等。另外，图3示出了一个像素包括四个子像素，但是子像素的数量可以根据显示区域DA的分辨率而改变。
图4是根据实施例的显示设备1的截面图，图5是图4的区域A的放大图，并且图6是根据实施例的显示设备1的截面图。
参照图4，显示设备1包括：基底100；位于基底100上的像素电极210；位于像素电极210上的像素限定层180，其中，像素限定层180具有暴露像素电极210的中心部分的第一开口180OP；位于像素限定层180上的辅助电极190；位于像素电极210上的中间层220；面对像素电极210的相对电极230，中间层220介于像素电极210和相对电极230之间；位于相对电极230上的第一保护层240；位于第一保护层240上的接触电极250，其中，接触电极250与辅助电极190和相对电极230电接触；以及位于接触电极250上的第二保护层260。
基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。聚合物树脂可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯硫醚、多芳基化合物、聚酰亚胺、聚碳酸酯、醋酸丙酸纤维素等。包括聚合物树脂的基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层。
缓冲层110定位于基底100上，以减少或阻挡杂质、湿气或外部空气从基底100的下部的渗透并在基底100上提供平坦的表面。缓冲层110可以包括诸如氧化物和/或氮化物材料的无机材料、有机材料和/或无机-有机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。用于防止或阻挡外部空气的渗透的阻挡层可以进一步设置在基底100和缓冲层110之间。
有源层120可以布置在缓冲层110上。有源层120可以包括氧化物半导体和/或硅半导体。当有源层120包括氧化物半导体时，有源层120可以包括从由例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)组成的组中选择的至少一种材料的氧化物。例如，有源层120可以包括InSnZnO(ITZO)有源层、InGaZnO(IGZO)有源层等。当有源层120包括硅半导体时，有源层120可以包括例如非晶硅(a-Si)和/或低温多晶硅(LTPS)。
栅电极140可以布置在有源层120上，第一绝缘层130介于栅电极140和有源层120之间。例如，栅电极140可以具有单层或多层结构，所述单层或多层结构包括从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中选择的一种或多种金属。栅电极140可以连接到向栅电极140施加电信号的栅极线。
源电极160和/或漏电极161可以布置在栅电极140上，第二绝缘层150介于源电极160和/或漏电极161与栅电极140之间。源电极160和/或漏电极161可以经由形成在第二绝缘层150和第一绝缘层130中的接触孔电连接到有源层120。
返回参照图4，第三绝缘层170可以布置在第二绝缘层150上。在图4中，第三绝缘层170被示出为具有单层结构，但是第三绝缘层170可以具有多层结构。第三绝缘层170使像素电路PC的上表面平坦化，以便使其上将设置有机发光二极管OLED的表面平坦化。
第三绝缘层170可以包括通用聚合物(例如，苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和/或聚苯乙烯(PS))和/或具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的共混物。第三绝缘层170可以包括无机材料。第三绝缘层170可以包括绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。当第三绝缘层170包括无机材料时，如果必要的话，则可以执行化学平坦化抛光。可选地，第三绝缘层170可以包括有机材料和无机材料两者。
像素电极210可以布置在第三绝缘层170上。像素电极210可以包括(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极210可以包括反射层和位于反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的化合物。透明或半透明电极层可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌组成的组中选择的至少一种。在一些实施例中，像素电极210可以包括包含ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层180可以布置在第三绝缘层170上，并且像素限定层180包括暴露像素电极210的中心部分的第一开口180OP以限定像素P的发光区域。另外，像素限定层180增加了像素电极210的边缘与位于像素电极210上的相对电极230之间的距离，以防止或减小在像素电极210的边缘处产生电弧。像素限定层180可以包括例如有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂，并且像素限定层180可以通过旋涂等来获得。
辅助电极190可以布置在像素限定层180上。辅助电极190布置在像素限定层180上，并具有至少部分地暴露像素限定层180的上表面的第二开口190OP。第二开口190OP可以大于第一开口180OP。
辅助电极190可以包括金属层，所述金属层包括低电阻金属，例如，钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和/或它们的合金。另外，辅助电极190还可以包括位于以上金属层上和/或下方的诸如ITO的透明导电氧化物层。
中间层220可以布置在像素电极210的经由像素限定层180暴露的暴露部分上，并且辅助电极190的端部和中间层220的端部可以在像素限定层180上彼此间隔开设定的或预定的距离d。
如图5中所示，中间层220可以包括发射层222，并且第一功能层221和第二功能层223可以分别位于发射层222下方和上方(上)。
发射层222可以包括有机材料，所述有机材料包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层222可以包括低分子量有机材料或聚合物材料。当中间层220包括低分子量材料时，中间层220可以具有单层或多层结构，所述单层或多层结构包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)222、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等。HTL和HIL可以对应于图5的第一功能层221，并且ETL和EIL可以对应于第二功能层223。
当中间层220包括聚合物材料时，中间层220可以具有包括第一功能层221和发射层222的结构，第一功能层221包括HTL。
可以布置多个像素电极210，并且中间层220可以对应于多个像素电极210中的每一个。然而，一个或多个实施例不限于此。中间层220可以适当地进行修改，即，可以遍及多个像素电极210来布置。在实施例中，发射层222可以对应于多个像素电极210中的每一个，并且除了发射层222之外的功能层可以遍及多个像素电极210一体地设置。
相对电极230可以布置在中间层220上。相对电极230布置在中间层220上，并且相对电极230可以完全覆盖中间层220，或者可以布置为至少部分地暴露中间层220的相对端部。
相对电极230可以包括透射电极或反射电极。在一些实施例中，相对电极230可以包括透明或半透明电极，并且可以设置为包括具有小功函数的Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和/或它们的化合物的金属薄膜。另外，诸如ITO、IZO、ZnO和/或In2O3的透明导电氧化物(TCO)可以进一步设置在金属薄膜上方。
在实施例中，相对电极230可以在中间层220上布置为大约1nm至大约20nm的厚度。
当像素电极210包括反射电极并且相对电极230包括透射电极时，从中间层220发射的光朝向相对电极230发射，并且显示设备1为顶发射类型。
在实施例中，当像素电极210包括透明或半透明电极并且相对电极230包括反射电极时，从中间层220发射的光朝向基底100发射，并且显示设备1为底发射类型。然而，一个或多个实施例不限于此，即，根据实施例的显示设备1可以是朝向前表面和后表面两者发射光的双发射类型。
为了制造具有高分辨率的有机发光二极管OLED，当利用与基底紧密接触的精细金属掩模(FMM)执行沉积工艺时，可能损坏像素电极的上部。
为了解决该问题，已经提议通过光图案化工艺而不是使用FMM来制造有机发光二极管OLED的方法，但是根据以上方法，在形成接触电极250期间，可能损坏有机发光二极管OLED。
因此，根据实施例，在形成辅助电极190和相对电极230可以彼此电连接(电接触)所借助的接触电极250之前，可以在相对电极230上布置第一保护层240，因此，可以保护有机发光二极管OLED以免在形成接触电极250期间可能发生的损坏。
第一保护层240可以布置在相对电极230上。位于相对电极230上的第一保护层240可以至少部分地暴露相对电极230的相对端部。例如，第一保护层240在相对电极230的相对端处部分地暴露相对电极230。
第一保护层240可以保护有机发光二极管OLED免受在接触电极250的沉积期间可能发生的损坏。第一保护层240可以包括具有3eV或更大的光学带隙的无机材料，并且可以包括具有10或更大的介电常数的金属氧化物。第一保护层240可以包括例如从由氧化铜(CuOx)、氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)和氧化镓(GaxOy)组成的组中选择的至少一种。
另外，第一保护层240可以包括光透射有机材料。第一保护层240可以包括例如从由叔芳香胺衍生物(包括铜酞菁、铜四甲基酞菁、锌酞菁、氧化钛酞菁(titanium oxidephthalocyanine)、镁酞菁等)、吲哚并咔唑衍生物和卟啉衍生物组成的组中选择的至少一种。在可选的实施例中，第一保护层240可以包括无机材料和有机材料两者。
根据实施例的第一保护层240可以在相对电极230上布置为大约1nm至大约100nm的厚度。
参照图4，第一保护层240可以布置在相对电极230上，同时至少部分地暴露相对电极230的相对端部，且参照图6，第一保护层240可以布置在相对电极230上，同时暴露相对电极230的一端。
接触电极250可以布置在第一保护层240上，其中，接触电极250可以与辅助电极190和相对电极230电连接(电接触)。以第一入射角引入相对电极230的材料，并以大于第一入射角的第二入射角引入接触电极250的材料，因此，接触电极250可以覆盖相对电极230。例如，为了使接触电极250覆盖相对电极230，可以通过溅射方法在第一保护层240上沉积接触电极250的材料。
参照图4，接触电极250可以在相对电极230的至少部分地暴露的相对端部处(在CT1处)直接接触且电接触相对电极230，并且还可以(在CT2处)直接接触且电接触辅助电极190。因此，接触电极250可以使相对电极230和辅助电极190彼此电接触。
为了减小发光效率的降低，接触电极250可以包括具有优异的导电性质和优异的可见光线透射性质的材料。因此，接触电极250可以包括具有优异的导电和可见光线透射性质的光透射导电材料。根据实施例，光透射导电材料可以包括从ITO、IZO、ZnO、氧化铟、IGO和氧化铝锌中选择的至少一种。
第二保护层260可以布置在接触电极250上。第二保护层260可以完全覆盖接触电极250，并且可以布置在接触电极250上并至少部分地覆盖辅助电极190。
第二保护层260可以防止有机发光二极管OLED的发光效率由于相对电极230和接触电极250的氧化而减小，或者可以保护有机发光二极管OLED的发光效率以免由于相对电极230和接触电极250的氧化而减小，并且第二保护层260还可以防止或减小对在包括发射不同颜色的光的发射层的有机发光二极管OLED的制造期间先前制造的有机发光二极管OLED的损坏。
第二保护层260可以包括例如从由氧化铜(CuOx)、氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)和/或氧化镓(GaxOy)组成的组中选择的至少一种。在可选的实施例中，第二保护层260可以包括无机材料和有机材料两者。
图7至图13B是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的截面图。
在下文中，将参照图7至图13B以处理顺序来描述制造显示设备1的方法。
参照图7至图13B，根据实施例的制造显示设备1的方法包括：准备基底100；在基底100上形成像素电极210；在像素电极210上形成像素限定层180，其中，像素限定层180具有暴露像素电极210的中心部分的第一开口180OP；在像素限定层180上形成辅助电极190，其中，辅助电极190具有大于第一开口180OP的第二开口190OP；在辅助电极190上形成剥离层310，其中，剥离层310具有第三开口310OP，并在剥离层310上形成掩模层320，其中，掩模层320具有小于第三开口310OP的第四开口320OP；经由第四开口320OP在像素电极210上形成中间层220；通过第四开口320OP在中间层220上形成相对电极230；通过第四开口320OP在相对电极230上形成第一保护层240；通过第四开口320OP在第一保护层240上形成接触电极250，其中，接触电极250电接触辅助电极190和相对电极230；通过第四开口320OP在接触电极250上形成第二保护层260；以及去除剥离层310和掩模层320。
在准备基底100时，将基底组合物施加到载体基底上并固化，以形成基底100。例如，可以使聚酰胺酸组合物溶液固化以形成聚酰亚胺(PI)基底。
图7是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的截面图。
参照图7，缓冲层110、有源层120、第一绝缘层130、栅电极140、第二绝缘层150、源电极160、漏电极161、第三绝缘层170、像素电极210和具有暴露像素电极210的中心部分的第一开口180OP的像素限定层180可以位于基底100上。可以通过本领域中适当的光刻工艺来执行以上工艺，因此，未提供其详细描述。
在形成像素限定层180之后，可以进一步执行在像素限定层180上形成辅助电极190的工艺。辅助电极190直接形成在像素限定层180的上表面上，并与像素限定层180的上表面直接接触。
辅助电极190可以包括金属层，该金属层包括低电阻金属，例如，钼(Mo)、钛(Ti)、铜(Cu)、铝(Al)和它们的合金。另外，辅助电极190还可以包括位于以上金属层上和/或下方的诸如ITO的透明导电氧化物层。
图8是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的截面图。
参照图8，在形成辅助电极190之后，可以进一步执行在辅助电极190上形成剥离层310以及在剥离层310上形成具有与第一开口180OP对应的第四开口320OP的掩模层320的工艺。
剥离层310和掩模层320可以分别包括与像素电极210对应的第三开口310OP和第四开口320OP，因此暴露像素电极210，并且第三开口310OP可以大于(宽于)第四开口320OP。即，掩模层320可以从剥离层310朝向第一开口180OP突出，即，可以突出以提供底切形状。
在实施例中，在其上布置有辅助电极190的基底100上形成非光敏材料层和光敏树脂层，并且使光敏树脂层部分地曝光并显影，以便形成具有第四开口320OP的掩模层320。此后，通过掩模层320的第四开口320OP选择性地去除非光敏材料层，以形成具有第三开口310OP的剥离层310。
非光敏材料层可以包括氟类树脂。例如，非光敏材料层可以包括75wt％至95wt％的氟代醚(其中，在醚结构中一部分氢被取代为氟)和2wt％至25wt％的树脂聚合物，但是不限于此。当非光敏材料层包括以上材料时，可以通过使用剥离器等以包含氢氟醚的溶液的形式部分地去除非光敏材料层来形成具有第三开口310OP的剥离层310。
图9A和图9B分别是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的平面图和截面图，并示出了在图8的工艺之后的工艺。
参照图9A和图9B，在形成剥离层310和掩模层320之后，可以执行通过第四开口320OP在像素电极210上形成中间层220的工艺。
中间层220可以通过设置在掩模层320上的第四开口320OP位于像素电极210上。更详细地，通过掩模层320的第四开口320OP引入中间层220的材料，因此，中间层220可以位于通过像素限定层180暴露的像素电极210上，并且辅助电极190的端部和中间层220的端部可以在像素限定层180上彼此隔开设定的或预定的距离d。
这里，在中间层220(图5)中，发射层222可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。发射层(EML)222可以包括低分子量有机材料和/或聚合物材料。当中间层220包括低分子量材料时，中间层220可以具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、EML 222、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的单层或多层结构。HTL和HIL对应于图5的第一功能层221，并且ETL和EIL可以对应于第二功能层223。
当中间层220包括聚合物材料时，中间层220可以具有包括第一功能层221和发射层222的结构，第一功能层221包括HTL。
中间层220的材料不仅可以沉积在像素电极210上，还可以沉积在掩模层320上，因此，随着执行制造工艺，第四开口320OP会变得更窄。
图10A和图10B分别是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的平面图和截面图，并且示出了在图9A和图9B的工艺之后的工艺。
参照图10A和图10B，在形成中间层220之后，可以进一步执行通过第四开口320OP在中间层220上形成相对电极230的工艺。相对电极230布置在中间层220上，并且相对电极230可以完全覆盖中间层220，或者可以至少部分地暴露中间层220的相对端部。
相对电极230可以包括具有低功函数的金属薄膜。例如，相对电极230可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、锂(Li)、钙(Ca)和/或它们的合金。在实施例中，相对电极230可以包括Al、Ag和/或Mg与Ag的合金(Mg：Ag)。在实施例中，相对电极230可以包括相比于Mg包含更多Ag的合金。
在可选的实施例中，相对电极230还可以包括位于金属薄膜上的诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明导电氧化物(TCO)层。
在实施例中，相对电极230可以在中间层220上达到大约1nm至大约20nm的厚度。
图11A和图11B分别是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的平面图和截面图，并且示出了在图10A和图10B的工艺之后的工艺。
参照图11A和图11B，在形成相对电极230之后，可以进一步执行通过第四开口320OP在相对电极230上形成第一保护层240的工艺。第一保护层240布置在相对电极230上，并可以至少部分地暴露相对电极230的相对端部。
第一保护层240可以保护有机发光二极管OLED免于在形成接触电极250期间可能发生的损坏。第一保护层240可以包括具有3eV或更大的光学带隙的无机材料，并且可以包括具有10或更大的介电常数的金属氧化物。第一保护层240可以包括例如从由氧化铜(CuOx)、氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)和氧化镓(GaxOy)组成的组中选择的至少一种。
另外，第一保护层240可以包括光透射有机材料。第一保护层240可以包括例如从由叔芳香胺衍生物(包括铜酞菁、铜四甲基酞菁、锌酞菁、氧化钛酞菁、镁酞菁等)、吲哚并咔唑衍生物和卟啉衍生物组成的组中选择的至少一种。在可选的实施例中，第一保护层240可以包括无机材料和有机材料两者。
根据实施例的第一保护层240可以通过掩模层320的第四开口320OP在相对电极230上形成为1nm至100nm的厚度。
图12A和图12B分别是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的平面图和截面图，并且示出了在图11A和图11B的工艺之后的工艺。
参照图12A和图12B，在形成第一保护层240之后，可以进一步执行通过第四开口320OP在第一保护层240上形成接触电极250的工艺。
参照图10B，以第一入射角θ1引入形成相对电极230的材料，且参照图12B，以大于第一入射角θ1的第二入射角θ2引入形成接触电极250的材料，因此，接触电极250可以甚至在相对电极230的由第一保护层240至少部分地暴露的相对端部处覆盖相对电极230。例如，为了使接触电极250覆盖相对电极230，可以通过溅射方法在第一保护层240上沉积接触电极250。
接触电极250布置在第一保护层240上，并且接触电极250可以在相对电极230的由第一保护层240至少部分地暴露的相对端部处直接接触且电接触相对电极230，并且可以直接接触且电接触辅助电极190。因此，接触电极250可以使相对电极230和辅助电极190彼此电连接(电接触)。
接触电极250可以具有优异的导电性质和可见光线透射性质，以减小发光效率的降低。因此，接触电极250可以包括具有优异的导电和可见光线透射性质的光透射导电材料。根据本实施例，光透射导电材料可以包括从ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO和AZO中选择的至少一种。
图13A和图13B分别是示出了根据实施例的显示设备1的一些制造工艺的平面图和截面图，并且示出了在图12A和图12B的工艺之后的工艺。
参照图13A和图13B，在形成接触电极250之后，可以进一步执行通过第四开口320OP在接触电极250上形成第二保护层260的工艺。
第二保护层260可以完全地覆盖接触电极250并形成在接触电极250上，并且至少部分地覆盖辅助电极190。
第二保护层260布置在接触电极250上，以防止有机发光二极管OLED的发光效率由于相对电极230和接触电极250的氧化而降低，并且可以防止或减小对在发射不同颜色的光的有机发光二极管OLED的制造期间先前制造的有机发光二极管OLED的损坏。
第二保护层260可以包括例如从由氧化铜(CuOx)、氧化钼(MoOx)、氧化钨(WOx)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)、氧化硅(SiOx)、氧化铝(Al2O3)、氮氧化硅(SiON)、氮化硅(SiNx)、氧化铌(Nb2O5)和氧化镓(GaxOy)组成的组中选择的至少一种。在可选的实施例中，第二保护层260可以包括无机材料和有机材料两者。
中间层220、相对电极230、第一保护层240、接触电极250和第二保护层260中的每一者的材料可以沉积在掩模层320上以及沉积在像素电极210上。
在形成第二保护层260之后，可以进一步执行去除剥离层310和掩模层320的工艺。可以通过使用第一溶液来去除剥离层310和掩模层320。在一些实施例中，可以首先去除掩模层320，然后可以去除剥离层310。
根据实施例，替代通过使用FMM同时地或并发地制造发射红光、绿光和蓝光的有机发光二极管OLED，通过光图案化工艺顺序地制造发射红光、绿光和蓝光的有机发光二极管OLED，以提供高分辨率显示设备。
更详细地，例如，可以通过光图案化工艺制造发射红光的有机发光二极管OLED，在制造了发射红光的有机发光二极管OLED之后，可以通过光图案化工艺制造发射绿光的有机发光二极管OLED，在制造了发射绿光的有机发光二极管OLED之后，可以通过光图案化工艺制造发射蓝光的有机发光二极管OLED。
另外，在光图案化工艺期间，在形成用于使辅助电极190和相对电极230彼此电接触的接触电极250之前，将第一保护层240设置在相对电极230上，以保护有机发光二极管OLED免于在形成接触电极250期间可能发生的损坏。
根据实施例，为了防止或减小在根据相关技术的显示设备中当在使掩模与基底紧密接触时在执行沉积工艺时因掩模而对像素电极的上层的损坏，通过光图案化工艺来制造有机发光二极管OLED，并且在光图案化工艺期间在相对电极上设置保护层，以防止或减小对有机发光二极管OLED的损坏。即，可以提供具有改善的可靠性的显示设备和制造显示设备的方法。
根据实施例，在光图案化工艺期间在相对电极上布置保护层，因此，可以防止或减小对有机发光二极管OLED的损坏。这样，可以实现具有改善的可靠性的显示设备和制造显示设备的方法。然而，本公开的范围不限于以上效果。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本发明构思的实施例时，使用“可以”是指“本发明构思的一个或多个实施例”。
另外，本文中列举的任何数值范围旨在包括在列举的范围内包含的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括介于列举的最小值1.0和列举的最大值10.0之间(并且包括列举的最小值1.0和列举的最大值10.0)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如例如，2.4至7.6。本文中列举的任何最大数值限制旨在包括其中包含的所有较小的数值限制，并且本说明书中列举的任何最小数值限制旨在包括其中包含的所有较大的数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确地列举包含在本文中明确列举的范围内的任何子范围。
应当理解，本文中描述的实施例应仅以描述性的含义来考虑，而不是出于限制的目的。每个实施例内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由本公开及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在其中进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，其中，所述显示设备包括：
基底；
像素电极，位于所述基底上；
像素限定层，位于所述像素电极上，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；
辅助电极，位于所述像素限定层上；
中间层，位于所述像素电极上；
相对电极，面对所述像素电极，所述中间层介于所述相对电极和所述像素电极之间；
第一保护层，位于所述相对电极上；以及
接触电极，位于所述第一保护层上，所述接触电极与所述辅助电极和所述相对电极电接触。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述辅助电极具有至少部分地暴露所述像素限定层的上表面的第二开口，所述第二开口大于所述第一开口。
3.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述辅助电极的端部和所述中间层的端部在所述像素限定层上彼此间隔开。
4.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
位于所述相对电极上的所述第一保护层至少部分地暴露所述相对电极的相对端部。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，
所述第一保护层包括具有3eV或更大的光学带隙的无机材料。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，
所述第一保护层包括具有10或更大的介电常数的金属氧化物。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，
所述第一保护层包括光透射有机材料。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，
所述第一保护层具有1nm至100nm的厚度。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，
所述接触电极包括光透射导电材料。
10.根据权利要求9所述的显示设备，其中，
在所述相对电极的由所述第一保护层至少部分地暴露的相对端部处，所述接触电极直接接触且电接触所述相对电极。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，
所述接触电极直接接触且电接触所述辅助电极。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示设备还包括：
第二保护层，位于所述接触电极上。
13.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：
准备基底；
在所述基底上形成像素电极；
在所述像素电极上形成像素限定层，所述像素限定层具有暴露所述像素电极的中心部分的第一开口；
在所述像素限定层上形成辅助电极，所述辅助电极具有大于所述第一开口的第二开口；
在所述辅助电极上形成剥离层并在所述剥离层上形成掩模层，所述剥离层具有第三开口，并且所述掩模层具有小于所述第三开口的第四开口；
通过所述第四开口在所述像素电极上形成中间层；
通过所述第四开口在所述中间层上形成相对电极；
通过所述第四开口在所述相对电极上形成第一保护层；
通过所述第四开口在所述第一保护层上形成接触电极，所述接触电极电接触所述辅助电极和所述相对电极；
通过所述第四开口在所述接触电极上形成第二保护层；以及
去除所述剥离层和所述掩模层。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
在所述中间层的形成中，使所述中间层的端部和所述辅助电极的端部在所述像素限定层上彼此间隔开。
15.根据权利要求13所述的方法，其中，
在所述第一保护层的形成中，将所述第一保护层布置在所述相对电极上，同时至少部分地暴露所述相对电极的相对端部。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，
所述第一保护层具有1nm至100nm的厚度。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述接触电极包括光透射导电材料。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，
在所述相对电极的由所述第一保护层至少部分地暴露的相对端部处，所述接触电极直接接触且电接触所述相对电极。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
所述接触电极直接接触且电接触所述辅助电极。
20.根据权利要求13所述的方法，其中，
以第一入射角引入所述相对电极的材料，
以第二入射角引入所述接触电极的材料，并且
所述第二入射角大于所述第一入射角。
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