KR20240054480A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 복수의 발광다이오드들이 배치된 표시영역과, 상기 표시영역 외측의 비표시영역에 배치된 공통전압공급선과, 상기 공통전압공급선 상의 유기절연층과, 상기 유기절연층 상에 배치되며, 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결된 연결전극층과, 상기 연결전극층 상의 절연층, 및 상기 절연층의 콘택홀을 통해 상기 연결전극층과 전기적으로 연결된 금속 뱅크층;을 포함하되, 상기 금속 뱅크층은 상기 유기절연층과 중첩하는 제1 홀을 포함하고, 상기 연결전극층 및 상기 절연층은 각각 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀과 중첩하는 홀을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은, 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 데이터를 시각적으로 표시하는 장치이다. 표시 장치는 발광다이오드들을 이용하여 이미지를 제공할 수 있다. 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 이에 따라, 표시 장치의 품질을 향상시키는 설계가 다양하게 시도되고 있다.
본 발명의 실시예들은, 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 복수의 발광다이오드들이 배치된 표시영역; 상기 표시영역 외측의 비표시영역에 배치된 공통전압공급선; 상기 공통전압공급선 상의 유기절연층; 상기 유기절연층 상에 배치되며, 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결된 연결전극층; 상기 연결전극층 상의 절연층; 및 상기 절연층의 콘택홀을 통해 상기 연결전극층과 전기적으로 연결된 금속 뱅크층;을 포함하되, 상기 금속 뱅크층은 상기 유기절연층과 중첩하는 제1 홀을 포함하고, 상기 연결전극층 및 상기 절연층은 각각 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀과 중첩하는 홀을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
복수의 발광다이오드들은 표시영역의 최외곽에 배치된 제1 발광다이오드를 포함하며, 상기 제1 발광다이오드는, 제1 부화소전극; 상기 금속 뱅크층의 제1 발광개구를 통해 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 제1 중간층; 및 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 발광개구를 통해 상기 제1 중간층과 중첩하는 제1 대향전극;을 포함하며, 상기 제1 대향전극은 상기 금속 뱅크층을 통해 상기 연결전극층과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 발광개구와 중첩하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 제1 대향전극의 에지는 상기 제1 발광개구를 향하는 상기 금속 뱅크층의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광다이오드들 상에 위치하고 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 유기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되고, 상기 유기봉지층의 일부는 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀, 상기 절연층의 상기 홀, 및 상기 연결전극층의 상기 홀 내에 위치할 수 있다.
상기 표시영역에 가까운 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 표시영역 사이의 중간영역에서, 상기 절연층은 상기 유기절연층과 직접 접촉할 수 있다.
상기 금속 뱅크층은, 상기 표시영역에 가까운 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 표시영역 사이의 중간영역에 위치하는 제2 홀을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀의 폭은 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀의 폭과 같거나 그 보다 클 수 있다.
상기 절연층은 상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀과 중첩하는 홀을 더 포함할수 있다.
상기 절연층은 무기절연물을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 표시영역에 배치되며, 제1 부화소전극, 제1 중간층, 및 제1 대향전극을 포함하는 제1 발광다이오드; 상기 표시영역 외측의 비표시영역에 배치된 공통전압공급선; 상기 공통전압공급선 상의 유기절연층; 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결되며 상기 유기절연층과 중첩하는 홀을 포함하는 연결전극층; 및 상기 연결전극층과 전기적으로 연결되며 상기 연결전극층의 상기 홀과 중첩하는 제1 홀을 포함하는 금속 뱅크층;을 포함하며, 상기 제1 대향전극은 상기 금속 뱅크층 및 상기 연결전극층을 통해 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치를 개시한다.
상기 제1 대향전극은 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 제1 발광개구를 포함하며, 상기 제1 대향전극은 상기 제1 발광개구를 향하는 상기 금속 뱅크층의 측면과 직접 접촉할 수 있다.
상기 제1 발광다이오드 상에 위치하고 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 더 포함하고, 상기 유기봉지층은, 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 유기봉지층의 일부는 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀 내에 존재할 수 있다.
상기 연결전극층과 상기 금속 뱅크층 사이의 절연층을 더 포함하며, 상기 금속 뱅크층은 상기 절연층의 콘택홀을 통해 상기 연결전극층과 직접 접촉할 수 있다.
상기 절연층은 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 개구를 포함할 수 있다.
상기 절연층은 무기절연물을 포함할 수 있다.
상기 절연층의 일부는 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 제1 발광다이오드의 상기 제1 부화소전극 사이의 중간영역에 위치할 수 있다.
상기 금속 뱅크층은 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 제1 발광다이오드의 상기 제1 부화소전극 사이의 중간영역에 위치하는 제2 홀을 더 포함할 수 있다.
상기 절연층은 상기 중간영역으로 연장되되, 상기 절연층은 상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀과 중첩하는 홀을 포함할 수 있다.
상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀의 폭은 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀의 폭과 같거나 그 보다 클 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시영역에서 언더컷 형상을 갖는 금속 뱅크층을 이용하여 중간층을 형성하므로, 중간층을 형성하기 위한 마스크를 사용할 필요가 없으므로 마스크에 의한 표시 장치의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 금속 뱅크층 및 연결전극층을 이용하여 대향전극과 공통전압공급선을 전기적으로 연결할 수 있으며, 금속 뱅크층에 홀을 형성하여 유기 절연층의 아웃 개싱을 효과적으로 수행할 수 있다. 이러한 효과는 예시적인 것으로, 전술한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 부화소에 해당하는 발광다이오드 및 해당 발광다이오드에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 IV- IV'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 부화소에 해당하는 발광다이오드 및 해당 발광다이오드에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 IV- IV'선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 “A 및/또는 B”은 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다. 그리고, “A 또는 B 중 적어도 하나”는 A이거나, B이거나, A와 B인 경우를 나타낸다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시하는 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 표시영역(DA)의 외측에 위치한 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 표시영역(DA)에 배치된 부화소(P)들을 통해 이미지를 표시할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)의 외측에 배치되며 이미지를 디스플레이하지 않는 비표시영역으로, 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 전기적 신호나 전원을 제공하기 위한 드라이버 등이 배치될 수 있다. 비표시영역(NDA)에는 전자소자나 인쇄회로기판 등이 전기적으로 연결될 수 있는 영역인 패드가 배치될 수 있다.
일 실시예로서 도 1은 표시영역(DA)의 x방향의 길이가 y방향의 길이 보다 작은 다각형(예컨대, 사각형)인 것을 도시하고 있으나, 다른 실시예로 표시 장치(1)는 표시영역(DA)의 y방향의 길이가 x방향의 길이 보다 작은 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 도 1은 표시영역(DA)이 대략 사각형인 것을 도시하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 표시영역(DA)은 N각형(N은 3이상의 자연수)이거나 원형 또는 타원형 등과 같이 다양한 형상을 가질 수 있다. 도 1은 표시영역(DA)의 코너부가 직선과 직선이 만나는 꼭지점을 포함하는 형상인 것을 도시하나, 다른 실시예로서 표시영역(DA)은 코너부가 라운드진 다각형일 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위해 표시 장치(1)가 스마트 폰인 전자 기기인 경우에 대해 설명하지만, 본 발명의 표시 장치(1)는 이에 제한되지 않는다. 표시 장치(1)는 모바일 폰(mobile phone), 스마트 폰(smart phone), 태블릿 PC(tablet personal computer), 이동 통신 단말기, 전자 수첩, 전자 책, PMP(portable multimedia player), 네비게이션, UMPC(Ultra Mobile PC) 등과 같은 휴대용 전자 기기뿐만 아니라, 텔레비전, 노트북, 모니터, 광고판, 사물 인터넷(internet of things, IOT) 등의 다양한 제품에 적용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 스마트 워치(smart watch), 워치 폰(watch phone), 안경형 디스플레이, 및 헤드 장착형 디스플레이(head mounted display, HMD)와 같이 웨어러블 장치(wearable device)에 적용될 수 있다. 또한, 일 실시예에 따른 표시 장치(1)는 자동차의 계기판, 및 자동차의 센터페시아(center fascia) 또는 대쉬보드에 배치된 CID(Center Information Display), 자동차의 사이드 미러를 대신하는 룸 미러 디스플레이(room mirror display), 자동차의 뒷좌석용 엔터테인먼트로, 앞좌석의 배면에 배치되는 표시 화면에 적용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 어느 하나의 부화소에 해당하는 발광다이오드 및 해당 발광다이오드에 전기적으로 연결된 부화소회로를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 2를 참조하면, 발광다이오드(ED)는 부화소회로(PC)에 전기적으로 연결되며, 부화소회로(PC)는 제1 트랜지스터(T1), 제2 트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 발광다이오드(ED)의 부화소전극(예컨대, 애노드)는 제1 트랜지스터(T1)에 전기적으로 연결될 수 있고, 대향전극(예컨대, 캐소드)은 공통전압공급선(10)에 전기적으로 연결되며, 공통전압(ELVSS)에 해당하는 전압을 전달받을 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 스캔선(GW)을 통해 입력되는 스캔 신호(Sgw)에 따라 데이터선(DL)을 통해 입력된 데이터 신호(Dm)를 제1 트랜지스터(T1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제2 트랜지스터(T2) 및 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2 트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 구동전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
제1 트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 발광다이오드(ED)를 흐르는 구동 전류(Id)를 제어할 수 있다. 발광다이오드(ED)는 구동 전류(Id)에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다.
도 2는 부화소회로(PC)가 2개의 트랜지스터 및 1개의 스토리지 박막트랜지스터를 포함하는 경우를 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에 따른 표시 장치의 부화소회로(PC)는 3개이거나 그 보다 많은 개수의 트랜지스터를 포함할 수 있으며 2개 이상의 커패시터를 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함할 수 있다. 표시 장치(1)의 평면 형상은 기판(100)의 모습일 수 있다. 예컨대, 표시 장치(1)가 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다고 함은 기판(100)이 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다고 할 수 있다. 표시영역(DA)은 표시영역(DA)에 배치된 발광다이오드들을 통해 이미지를 제공할 수 있는바, 표시 장치(1)의 이미지면에 해당할 수 있다.
비표시영역(NDA)에는 표시영역(DA)에 배치된 발광다이오드들의 대향전극(예컨대, 캐소드)에 공통전압을 제공하기 위한 공통전압공급선(10)이 배치될 수 있으며, 화소회로에 구동전압을 제공하기 위한 구동전압공급선(20)이 배치될 수 있다. 구동전압공급선(20)은 표시영역(DA)에 배치되는 구동전압선(PL, 도 3)에 전기적으로 연결될 수 있다.
공통전압공급선(10)은 표시영역(DA)을 부분적으로 둘러싸는 형상을 가질 수 있다. 예컨대, 공통전압공급선(10)은 일측이 개방된 폐루프 형상을 가질 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 일부를 나타낸 단면도로서, 도 3의 IV- IV'선에 따른 단면도이다.
도 4를 참조하면, 표시영역(DA)은 기판(100) 상에 배치된 복수의 발광다이오드들, 예컨대 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3)을 포함할 수 있다. 다르게 말하면, 발광다이오드들, 예컨대 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3)는 기판(100)의 표시영역(DA)에 배치될 수 있다.
기판(100)은 글래스재 또는 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층과 무기배리어층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트, 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP)일 수 있다.
기판(100)과 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3) 사이에는 제1 내지 제3 부화소회로(PC1, PC2, PC3)가 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 부화소회로(PC1, PC2, PC3)가 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같은 트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 일 실시예로, 도 4는 제1 내지 제3 부화소회로(PC1, PC2, PC3)가 각각 트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 것을 도시한다. 일 실시예로, 도 4의 트랜지스터(TFT)는 앞서 도 2에 도시된 제1 트랜지스터(T1)에 대응할 수 있다. 다른 실시예로 도 2를 참조하여 설명한 부화소회로가 제1 트랜지스터(T1)와 발광다이오드의 부화소전극(예, 애노드)사이에 추가로 트랜지스터가 배치되는 경우, 추가된 트랜지스터가 도 4의 트랜지스터(TFT)에 해당할 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100)의 상면 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(110)은 불순물이 트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 버퍼층(110)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
트랜지스터(TFT)는 버퍼층(110) 상의 반도체층(120) 및 반도체층(120)의 채널영역과 중첩하는 제1 게이트전극(140)을 포함할 수 있다. 반도체층(120)은 실리콘계 반도체물질, 예컨대 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 반도체층(120)은 채널영역과 채널영역의 양측에 배치된 제1 영역 및 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역 및 제2 영역은 채널영역 보다 고농도의 불순물을 포함하는 영역으로, 제1 영역 및 제2 영역 중 어느 하나는 소스영역이고 다른 하나는 드레인영역에 해당할 수 있다.
반도체층(120)과 게이트전극(140) 사이에는 게이트 절연층(130)이 배치될 수 있다. 게이트 절연층(130)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
제1 층간절연층(150)은 게이트전극(140) 상에 배치될 수 있다. 제1 층간절연층(150)은 실리콘질화물, 실리콘산질화물 및 실리콘산화물과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(160) 및 드레인전극(162)은 각각 반도체층(120)의 소스영역 및 드레인영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 유기절연층(170)은 소스전극(160) 및 드레인전극(162) 상에 배치될 수 있다. 제1 유기절연층(170)은 유기절연물을 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 서로 중첩하는 제1 커패시터전극 및 제2 커패시터전극을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 부화소전극(1210, 2210, 3210)은 제1 유기절연층(170) 상의 제2 유기절연층(190) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 부화소전극(1210, 2210, 3210) 각각은 연결금속층(CM)을 통해 해당하는 부화소회로의 트랜지스터(TFT)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 내지 제3 부화소회로(PC1, PC2, PC3)에 각각 전기적으로 연결된 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3)은 각각 부화소전극, 중간층, 및 대향전극의 적층 구조를 가질 수 있다.
예컨대, 제1 발광다이오드(ED1)는 제1 부화소전극(1210), 제1 중간층(1220), 및 제1 대향전극(1230)을 포함할 수 있다. 제1 부화소전극(1210)은 제1 부화소회로(PC1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 발광다이오드(ED2)는 제2 부화소전극(2210), 제2 중간층(2220), 및 제2 대향전극(2230)을 포함할 수 있다. 제2 부화소전극(2210)은 제2 부화소회로(PC2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제3 발광다이오드(ED3)는 제3 부화소전극(3210), 제3 중간층(3220), 및 제3 대향전극(3230)을 포함할 수 있다. 제3 부화소전극(3210)은 제3 부화소회로(PC3)와 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 중간층(1220), 제2 중간층(2220), 및 제3 중간층(3220) 각각은 발광층, 그리고 발광층의 아래와 위에 각각 배치되며 유기물을 포함하는 제1 기능층 및 제2 기능층을 포함할 수 있다. 제1 기능층은 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer) 및/또는 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2 기능층은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
발광층은 소정의 색상(적색, 녹색, 또는 청색)의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로서, 발광층은 무기물 또는 양자점을 포함할 수 있다.
제1 부화소전극(1210), 제2 부화소전극(2210), 및 제3 부화소전극(3210) 각각은 내측부분 및 내측부분을 둘러싸는 외측부분을 포함할 수 있다. 본 명세서에서 부화소전극의 외측부분(또는 주변부분)"이라고 함은 "부화소전극의 에지를 포함하는 부화소전극의 일 부분"을 나타내고, "부화소전극의 내측부분"이라고 함은 전술한 외측부분(또는 주변부분)에 의해 둘러싸인 부화소영역의 다른 일 부분을 나타낸다.
제1 부화소전극(1210)의 내측부분 상에 제1 중간층(1220)이 중첩 및 접촉하고, 제1 중간층(1220) 상에는 제1 대향전극(1230)이 중첩할 수 있다. 제1 부화소전극(1210)의 외측부분 상에는 절연층(115)이 배치될 수 있다. 절연층(115)은 제1 부화소전극(1210)의 외측부분과 중첩하며, 제1 부화소전극(1210)의 측면을 커버하도록 제2 유기절연층(190) 상으로 연장될 수 있다. 절연층(115)과 제1 부화소전극(1210)의 외측부분 사이에는 보호층(113)이 배치될 수 있다. 절연층(115) 및 보호층(113)은 각각 제1 부화소전극(1210)의 외측부분 상에 위치하고, 제1 부화소전극(1210)의 내측부분 상에는 존재하지 않는다. 다르게 말하면, 절연층(115) 및 보호층(113)은 각각 제1 부화소전극(1210)의 내측부분과 중첩하는 개구를 포함할 수 있다. 절연층(115) 및 보호층(113)은 각각 후술할 금속 뱅크층(300)의 제1 내지 제3 발광개구(EOP1, EOP2, EOP3)와 중첩하는 개구를 가질 수 있다.
절연층(115)은 무기절연물을 포함할 수 있다. 절연층(115)은 무기절연물을 포함하는 경우, 절연층(115)이 유기절연물을 포함하는 경우에 비하여 표시 장치의 제조 공정시 유기절연물인 절연층으로부터 방출되는 기체에 의하여 발광다이오드의 품질이 저하되는 것을 방지하거나 최소화할 수 있다. 일 실시예로, 절연층(115)은 실리콘산화물층 및 실리콘질화물층의 이층 구조일 수 있다. 실리콘산화물층의 두께는 실리콘질화물층의 두께 보다 작을 수 있다. 일부 실시예로서, 절연층(115)의 두께는 보호층(113)의 두께 보다 작을 수 있다. 예컨대, 절연층(115)의 두께는 약 1000Å이고 보호층(113)의 두께는 약 500Å일 수 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다.
보호층(113)은 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), IGZO (indium gallium zinc oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), ZnO(Zinc Oxide), AZO(Aluminum doped Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), GTO(Gallium Tin Oxide) 및 FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 등과 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
제2 부화소전극(2210)의 내측부분 상에 제2 중간층(2220)이 중첩 및 접촉하고, 제2 중간층(2220) 상에는 제2 대향전극(2230)이 중첩할 수 있다. 제2 부화소전극(2210)의 외측부분은 절연층(115)과 중첩될 수 있다. 제3 부화소전극(3210)의 내측부분 상에 제3 중간층(3220)이 중첩 및 접촉하고, 제3 중간층(3220) 상에는 제3 대향전극(3230)이 중첩할 수 있다. 제3 부화소전극(3210)의 외측부분은 절연층(115)과 중첩될 수 있다. 절연층(115)은 제2 부화소전극(2210) 및 제3 부화소전극(3210) 각각의 외측부분과 중첩하되, 제2 부화소전극(2210) 및 제3 부화소전극(3210) 각각의 측면을 커버하도록 제2 유기절연층(190) 상으로 연장될 수 있다. 절연층(115)과 제2 부화소전극(2210)의 외측부분 사이에는 보호층(113)이 배치될 수 있고, 절연층(115)과 제3 부화소전극(3210)의 외측부분 사이에는 보호층(113)이 배치될 수 있다.
금속 뱅크층(300)은 제1 내지 제3 부화소전극(1210, 2210, 3210) 각각에 중첩하는 제1 내지 제3 발광개구(EOP1, EOP2, EOP3)를 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 제1 금속층(310) 및 제1 금속층(310) 상의 제2 금속층(320)을 포함할 수 있다. 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320)은 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320)은 식각선택비가 서로 다른 금속을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 제1 금속층(310)은 알루미늄(Al)을 포함하는 층일 수 있고, 제2 금속층(320)은 티타늄(Ti)을 포함하는 층일 수 있다.
제1 금속층(310)의 두께는 제2 금속층(320)의 두께 보다 크게 형성될 수 있다. 일 실시예로, 제1 금속층(310)의 두께는 제2 금속층(320)의 두께의 약 5배 보다 클 수 있다. 다른 실시예로, 제1 금속층(310)의 두께는 제2 금속층(320)의 두께의 약 6배 보다 크거나, 약 7배보다 크거나, 약 8배 보다 클 수 있다. 일 실시예로, 제1 금속층(310)의 두께는 약 4000Å 내지 약 8000Å일 수 있고, 제2 금속층(320)의 두께는 약 500Å 내지 약 800Å일 수 있다. 제1 금속층(310)의 두께는 절연층(115)의 두께의 약 4배 이상, 또는 약 5배 이상, 또는 약 6배 이상일 수 있다.
금속 뱅크층(300)의 제1 내지 제3 발광개구(EOP1, EOP2, EOP3)는 각각 금속 뱅크층(300)의 상면으로부터 하면을 관통하되, 언더컷 형상의 단면 구조를 가질 수 있다.
제1 내지 제3 발광개구(EOP1, EOP2, EOP3는 각각 제1 및 제2 금속층(310, 320) 각각의 개구들이 중첩한 구조를 포함할 수 있다. 제2 금속층(320)의 개구를 정의하는 제2 금속층(320)의 일부는 제1 금속층(310)의 개구를 향하는(facing) 제1 금속층(310)의 측면과 제2 금속층(320)의 바닥면이 만나는 지점(CP)로부터 제1 발광개구(EOP1)를 향해 돌출되며, 언더컷 구조를 이룰 수 있다. 제1 발광개구(EOP1)를 향해 더 돌출된 제2 금속층(320)의 일부가 제1 팁(PT1)에 해당할 수 있다. 제1 팁(PT1)의 길이, 예컨대 전술한 지점(CP)로부터 제1 팁(PT1)의 에지(또는 측면)까지의 길이는 약 2㎛ 이하일 수 있다. 일부 실시예로서, 제2 금속층(320)의 제1 팁(PT1)의 길이는 약 0.3㎛ 내지 약 1㎛, 또는 약 0.3㎛ 내지 약 0.7㎛ 일 수 있다.
제1 내지 제3 발광개구(EOP1, EOP2, EOP3)의 언더컷 구조에 의해 금속 뱅크층(300) 상에는 더미중간층이 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 발광개구(EOP1)를 통해 제1 부화소전극(1210) 상에 위치하는 제1 중간층(1220)을 둘러싸는 금속 뱅크층(300) 상에는 제1 더미중간층(1220d)이 배치될 수 있다. 유사하게, 제2 발광개구(EOP2)를 통해 제2 부화소전극(2210) 상에 위치하는 제2 중간층(2220)을 둘러싸는 금속 뱅크층(300) 상에는 제2 더미중간층(2220d)이 배치될 수 있다. 제3 발광개구(EOP3)를 통해 제3 부화소전극(3210) 상에 위치하는 제3 중간층(3220)을 둘러싸는 금속 뱅크층(300) 상에는 제3 더미중간층(3220d)이 배치될 수 있다.
봉지층(500)은 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예로, 봉지층(500)은 제1 무기봉지층(510), 유기봉지층(520), 및 제2 무기봉지층(530)을 포함할 수 있다. 제1 무기봉지층(510)은 발광다이오드들 각각과 중첩하도록 패터닝될 수 있다. 다르게 말하면, 제1 발광다이오드(ED1)와 중첩하는 제1 무기봉지층(510), 제2 발광다이오드(ED2)와 중첩하는 제1 무기봉지층(510), 및 제3 발광다이오드(ED3)와 중첩하는 제1 무기봉지층(510)은 서로 분리 및 이격될 수 있다. 제1 무기봉지층(510)은 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 또는 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
유기봉지층(520)은 제1 무기봉지층(510)과 달리 제1 내지 제3 발광다이오드(ED1, ED2, ED3)을 연속적으로 커버할 수 있다. 유기봉지층(520)은 폴리머(polymer)계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기봉지층(520)은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
제2 무기봉지층(530)은 유기봉지층(520) 상에 위치하며, 알루미늄산화물, 티타늄산화물, 탄탈륨산화물, 하프늄산화물, 징크산화물, 실리콘산화물, 실리콘질화물, 또는 실리콘산질화물 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 5를 참조하면, 공통전압공급선(10)은 비표시영역(NDA)에 위치하며, 연결전극층(35)은 공통전압공급선(10)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)는 표시영역(DA)에 가까이 배치되고 제2 에지(35E2)는 제1 에지(35E1)의 반대편에 위치하는 것으로 표시영역(DA)에서 먼 위치에 배치될 수 있다.
제1 격벽(PW1)은 비표시영역(NDA)에 위치할 수 있다. 제1 격벽(PW1)은 공통전압공급선(10)과 중첩할 수 있다.
금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 에지(300E, 외측 에지)는 제1 격벽(PW1) 보다 표시영역(DA)에 가까이 위치할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)에서 연결전극층(35)과 중첩할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)에서 금속 뱅크층(300) 아래에 중첩하는 유기절연층에서 발생하는 가스의 배출을 위한 제1 홀(또는 제1배기홀, 300h1)을 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h)은 금속 뱅크층(300) 아래의 연결전극층(35)에 형성된 홀(또는 배기홀, 35h)과 중첩할 수 있다.
도 6는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
표시영역(DA)에는 발광다이오드들이 배치되되, 이와 관련하여 도 6은 표시영역(DA)에 위치하는 제1 발광다이오드(ED1)를 도시한다. 제1 발광다이오드(ED1) 및 제1 발광다이오드(ED1)에 전기적으로 연결된 트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)의 구체적 구조는 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같다.
공통전압공급선(10)은 비표시영역(NDA)에서 무기절연층 상에 배치될 수 있다. 이와 관련하여, 도 6은 공통전압공급선(10)이 버퍼층(110), 게이트 절연층(130), 및 제1 층간절연층(150) 상에 배치된 것을 도시한다.
공통전압공급선(10)은 제1 서브 공통전압공급선(11) 및 제2 서브 공통전압공급선(12)을 포함할 수 있다. 제1 서브 공통전압공급선(11) 및 제2 서브 공통전압공급선(12)은 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며, 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 제1 서브 공통전압공급선(11)은 제1 유기절연층(170) 아래에 배치되고, 제2 서브 공통전압공급선(12)은 제1 유기절연층(170) 위에 배치될 수 있다. 제2 서브 공통전압공급선(12)은 제1 유기절연층(170)에 형성된 콘택홀을 통해 제1 서브 공통전압공급선(11)의 상면과 직접 접촉할 수 있다. 제1 유기절연층(170)의 양측 에지는 제1 유기절연층(170)으로 커버될 수 있다.
연결전극층(35)은 제2 유기절연층(190) 상에 배치될 수 있다. 연결전극층(35)은 부화소전극, 예컨대 제1 부화소전극(1210)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
연결전극층(35)은 부화소전극, 예컨대 제1 부화소전극(1210)과 동일한 공정에서 함께 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 연결전극층(35) 상에는 보호층(113) 및 절연층(115)이 위치할 수 있다. 절연층(115)은 제1 부화소전극(11210)의 상면과 중첩한 채 비표시영역(NDA)으로 연장되어 비표시영역(NDA)에서 제2 유기절연층(190)의 상면의 일부와 직접 접촉하며 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)를 커버할 수 있다. 예컨대, 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)에 해당하는 연결전극층(35)의 측면을 커버한 채 연결전극층(35)의 상면 상으로 연장될 수 있다.
연결전극층(35)은 제2 유기절연층(190)과 중첩하는 홀(35h)들을 포함할 수 있다. 다르게 말하면, 연결전극층(35)은 제2 유기절연층(190)의 상면의 일부를 노출하는 홀(35h)들을 포함할 수 있다. 보호층(113) 및 절연층(115)은 각각 연결전극층(35)의 홀(35h)과 중첩하는 홀(113h, 115h)을 포함할 수 있다. 연결전극층(35)의 홀(35h), 보호층(113)의 홀(113h), 및 절연층(115)의 홀(115h)은 서로 중첩할 수 있다.
연결전극층(35) 상의 보호층(113) 및 절연층(115)은 각각 연결전극층(35)의 상면을 노출하는 콘택홀(113cnt, 115cnt)을 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)으로 연장되되, 연결전극층(35)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 금속 뱅크층(300)의 일부는 보호층(113)의 콘택홀(113cnt) 및 절연층(115)의 콘택홀(115cnt)을 통해 연결전극층(35)과 직접 접촉할 수 있다.
금속 뱅크층(300)은 연결전극층(35)의 홀(35h)과 중첩하는 제1 홀(300h)을 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h)은 연결전극층(35)의 홀(35h), 보호층(113)의 홀(113h), 및 절연층(115)의 홀(115h)과 중첩할 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h)은 제1 금속층(310) 및 제2 금속층(320) 각각을 관통할 수 있다. 일부 실시예로서, 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h)은 단면 상에서 제1 발광개구(EOP1)와 마찬가지로 언더컷 형상을 가질 수 있다.
금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1) 및 연결전극층(35)의 홀(35h)을 통해 유기절연층, 예컨대 제1 및 제2 유기절연층(170, 190)에 포함되어 있던 물질이 기화되어 외부로 배출될 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1) 및 연결전극층(35)의 홀(35h)은 각각 유기절연층, 예컨대 제1 및 제2 유기절연층(170, 190)에 포함된 가스의 배출 경로를 제공할 수 있다. 알부 실시예로서, 연결전극층(35) 상에 보호층(113) 및 절연층(115)이 위치하는 경우, 보호층(113) 및 절연층(115)도 홀(113h, 115h)을 포함함으로써, 전술한 아웃 개싱 효율을 증가시킬 수 있다.
단면도를 나타낸 도 6에 따르면, 금속 뱅크층(300)이 제1 홀(300h)에 의해 분리된 부분들을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 금속 뱅크층(300)은 도 5에 도시된 바와 같이 제1방향(예, x방향)과 제2방향(예, y방향)따라 상호 이격되도록 배열된 제1 홀(300h)들을 포함하는 구조(예컨대, 그물 구조)를 갖는다. 따라서, 금속 뱅크층(300)은 연결전극층(35)과 전기적으로 연결될 수 있다.
연결전극층(35)은 도 6에 도시된 바와 같이 제2 유기절연층(190)의 개구를 통해 공통전압공급선(10)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예컨대, 연결전극층(35)은 제2 유기절연층(190)의 개구를 통해 제2 서브 공통전압공급선(12)과 직접 접촉할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 내지 제3 대향전극(1230, 2230, 3230)에 전기적으로 연결될 수 있다. 전술한 구조를 통해, 공통전압공급선(10)이 제공하는 공통전압은 연결전극층(35) 및 금속 뱅크층(300)을 통해 제1 내지 제3 대향전극(1230, 2230, 3230)에 제공될 수 있다.
봉지층(500)은 제1 무기봉지층(510)을 포함하되, 제1 무기봉지층(510)은 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이 표시영역(DA)에서 제1 발광다이오드(ED1)와 중첩할 수 있으며, 비표시영역(NDA)으로는 연장되지 않을 수 있다.
유기봉지층(520)은 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)에 위치할 수 있다. 일부 실시예로서, 비표시영역(NDA)에는 제1 격벽(PW1)과 제2 격벽(PW2)이 위치할 수 있으며, 유기봉지층(520)의 에지는 제1 격벽(PW1) 및 제2 격벽(PW2) 중 어느 하나와 인접하게 위치할 수 있다. 도 6은 제1 격벽(PW1)이 공통전압공급선(10)과 중첩하게 위치하고, 제2 격벽(PW2)이 제1 격벽(PW1)을 사이에 두고 표시영역(DA)으로부터 멀리 배치된 것을 도시한다. 제1 격벽(PW1) 및 제2 격벽(PW2)은 유기절연층, 예컨대 제2 유기절연층(190)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
유기봉지층(520)의 일부는 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1)에 위치할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(520)의 일부는 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1), 절연층(115)의 홀(115h), 보호층(113)의 홀(113h), 및 연결전극층(35)의 홀(35h)에 위치할 수 있다. 유기봉지층(520)의 일부는 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1), 절연층(115)의 홀(115h), 보호층(113)의 홀(113h), 및 연결전극층(35)의 홀(35h)을 통해 제2 유기절연층(190)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
제2 무기봉지층(530)은 유기봉지층(520) 상에 위치하되, 제1 격벽(PW1)과 제2 격벽(PW2)을 커버하도록 기판(100)의 에지를 향해 연장될 수 있다. 일부 실시예에서, 제2 무기봉지층(530)은 절연층(115)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
도 7 및 도 8은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 평면도로서, 도 3의 III부분에 해당한다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 공통전압공급선(10)은 비표시영역(NDA)에 위치하며, 연결전극층(35)은 공통전압공급선(10)과 중첩하도록 배치될 수 있다. 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)는 표시영역(DA)에 가까이 배치되고 제2 에지(35E2)는 제1 에지(35E1)의 반대편에 위치하는 것으로 표시영역(DA)에서 먼 위치에 배치될 수 있다.
금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)으로 연장될 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 에지(300E, 외측 에지)는 제1 격벽(PW1)의 내측에 위치할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)에서 연결전극층(35)과 중첩할 수 있다. 금속 뱅크층(300)은 비표시영역(NDA)에서 금속 뱅크층(300) 아래에 중첩하는 유기절연층에서 발생하는 가스의 배출을 위한 제1 홀(300h1)을 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h)은 금속 뱅크층(300) 아래의 연결전극층(35)에 형성된 홀(또는 배기홀, 35h)과 중첩할 수 있다.
금속 뱅크층(300)은 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)와 표시영역(DA) 사이의 영역에 위치하는 제2홀(300h2)을 포함할 수 있다. 제2홀(300h2)의 폭(w2)은 도 7에 도시된 바와 같이 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1)의 폭(w1)보다 클 수 있다. 또는, 도 8에 도시된 바와 같이 제2홀(300h2)의 폭(w2)은 도 8에 도시된 바와 같이 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1)의 폭(w1)과 실질적으로 동일할 수 있다.
금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2)들의 배열은 도 7에 도시된 바와 같이 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1)들의 배열과 다를 수 있다. 예컨대, 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2)들은 대략 스트라이프 형상으로 배열될 수 있다.
다른 실시예로, 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2)들의 배열은 도 8에 도시된 바와 같이 금속 뱅크층(300)의 제1 홀(300h1)들의 배열과 실질적으로 동일할 수 있다. 예컨대, 제2방향(예, y방향)을 따라 상호 이격된 두 개의 제2홀(300h2)들은, 전술한 두 개의 제2홀(300h2)들을 잇는 가상의 선으로부터 제1방향(예, x방향)을 따라 이격된 하나의 제2홀(300h2)과 예각 삼각형을 이루도록 배열될 수 있다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 일부를 나타낸 단면도이다.
도 9에 도시된 실시예에 따르면 표시 장치(1)는 도 6을 참조하여 설명한 구조와 실질적으로 동일한 구조를 포함할 수 있다. 도 9에 도시된 실시예에 따르면, 표시영역(DA)과 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1) 사이의 중간영역(intermediate area, IA)의 폭이 도 6에 도시된 중간영역(IA)의 폭 보다 클 수 있으며, 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2)이 전술한 중간영역(IA)에 위치하는 점에서 차이가 있다. 도 9에 도시된 구성들 중 동일한 구성은 앞서 도 6을 참조하여 설명한 내용으로 갈음하고 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
금속 뱅크층(300)은 중간영역(IA)에 위치하는 제2홀(300h2)을 포함할 수 있다. 금속 뱅크층(300) 아래의 절연층(115)은 제1 부화소전극(11210)의 외측부분과 중첩한 채 제1 부화소전극(11210)의 측면을 지나 비표시영역(NDA)으로 연장되되, 비표시영역(NDA)에서 제2 유기절연층(190)의 상면의 일부와 직접 접촉하며 연결전극층(35)의 제1 에지(35E1)를 커버할 수 있다. 절연층(115)은 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2)과 중첩하는 홀(115h')을 포함할 수 있다.
다르게 말하면, 절연층(115)의 일부는 중간영역(IA)에서 제2 유기절연층(190)의 상면의 일부와 직접 접촉하되, 제2 유기절연층(190)의 상면의 다른 일부를 노출하는 홀(115h')을 포함할 수 있다.
유기봉지층(520)의 일부는 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2) 내에 존재할 수 있다. 예컨대, 유기봉지층(520)의 일부는 서로 중첩하는 금속 뱅크층(300)의 제2홀(300h2) 및 절연층(115)의 홀(115h')을 통해 제2 유기절연층(190)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
표시 장치(1)의 설계에 따라, 중간영역(IA)의 폭이 상대적으로 넓은 경우 금속 뱅크층(300)이 제2홀(300h2)을 포함함으로써 유기절연층, 예컨대 제1 및 제2 유기절연층(170, 190)에 포함된 물질(예컨대 불순물 등)의 아웃 개싱 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
10: 공통전압공급선
20: 구동전압공급선
100: 기판
113: 보호층
115: 절연층
113: 보호층
1210, 2210, 3210: 제1 내지 제3 부화소전극
1220, 2220, 3220: 제1 내지 제3 중간층
1230, 2230, 3230: 제1 내지 제3 대향전극
510: 제1 무기봉지층
520: 유기봉지층
530: 제2 무기봉지층
20: 구동전압공급선
100: 기판
113: 보호층
115: 절연층
113: 보호층
1210, 2210, 3210: 제1 내지 제3 부화소전극
1220, 2220, 3220: 제1 내지 제3 중간층
1230, 2230, 3230: 제1 내지 제3 대향전극
510: 제1 무기봉지층
520: 유기봉지층
530: 제2 무기봉지층
Claims (20)
- 복수의 발광다이오드들이 배치된 표시영역;
상기 표시영역 외측의 비표시영역에 배치된 공통전압공급선;
상기 공통전압공급선 상의 유기절연층;
상기 유기절연층 상에 배치되며, 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결된 연결전극층;
상기 연결전극층 상의 절연층; 및
상기 절연층의 콘택홀을 통해 상기 연결전극층과 전기적으로 연결된 금속 뱅크층;을 포함하되,
상기 금속 뱅크층은 상기 유기절연층과 중첩하는 제1 홀을 포함하고, 상기 연결전극층 및 상기 절연층은 각각 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀과 중첩하는 홀을 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
복수의 발광다이오드들은 표시영역의 최외곽에 배치된 제1 발광다이오드를 포함하며,
상기 제1 발광다이오드는,
제1 부화소전극;
상기 금속 뱅크층의 제1 발광개구를 통해 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 제1 중간층; 및
상기 금속 뱅크층의 상기 제1 발광개구를 통해 상기 제1 중간층과 중첩하는 제1 대향전극;을 포함하며,
상기 제1 대향전극은 상기 금속 뱅크층을 통해 상기 연결전극층과 전기적으로 연결되는, 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 발광개구와 중첩하는 개구를 포함하는, 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 제1 대향전극의 에지는 상기 제1 발광개구를 향하는 상기 금속 뱅크층의 측면과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 발광다이오드들 상에 위치하고 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 더 포함하고,
상기 유기봉지층은 상기 비표시영역으로 연장되고, 상기 유기봉지층의 일부는 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀, 상기 절연층의 상기 홀, 및 상기 연결전극층의 상기 홀 내에 위치하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 표시영역에 가까운 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 표시영역 사이의 중간영역에서, 상기 절연층은 상기 유기절연층과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 금속 뱅크층은,
상기 표시영역에 가까운 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 표시영역 사이의 중간영역에 위치하는 제2 홀을 더 포함하는, 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀의 폭은 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀의 폭과 같거나 그 보다 큰, 표시 장치. - 제7 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀과 중첩하는 홀을 더 포함하는, 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 절연층은 무기절연물을 포함하는, 표시 장치. - 표시영역에 배치되며, 제1 부화소전극, 제1 중간층, 및 제1 대향전극을 포함하는 제1 발광다이오드;
상기 표시영역 외측의 비표시영역에 배치된 공통전압공급선;
상기 공통전압공급선 상의 유기절연층;
상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결되며 상기 유기절연층과 중첩하는 홀을 포함하는 연결전극층; 및
상기 연결전극층과 전기적으로 연결되며 상기 연결전극층의 상기 홀과 중첩하는 제1 홀을 포함하는 금속 뱅크층;을 포함하며,
상기 제1 대향전극은 상기 금속 뱅크층 및 상기 연결전극층을 통해 상기 공통전압공급선과 전기적으로 연결되는, 표시 장치 - 제11 항에 있어서,
상기 제1 대향전극은 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 제1 발광개구를 포함하며,
상기 제1 대향전극은 상기 제1 발광개구를 향하는 상기 금속 뱅크층의 측면과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 제1 발광다이오드 상에 위치하고 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 봉지층을 더 포함하고,
상기 유기봉지층은, 상기 비표시영역으로 연장되며, 상기 유기봉지층의 일부는 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀 내에 존재하는, 표시 장치. - 제11 항에 있어서,
상기 연결전극층과 상기 금속 뱅크층 사이의 절연층을 더 포함하며,
상기 금속 뱅크층은 상기 절연층의 콘택홀을 통해 상기 연결전극층과 직접 접촉하는, 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 제1 부화소전극과 중첩하는 개구를 포함하는, 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 절연층은 무기절연물을 포함하는, 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 절연층의 일부는 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 제1 발광다이오드의 상기 제1 부화소전극 사이의 중간영역에 위치하는, 표시 장치. - 제14 항에 있어서,
상기 금속 뱅크층은 상기 연결전극층의 제1 에지와 상기 제1 발광다이오드의 상기 제1 부화소전극 사이의 중간영역에 위치하는 제2 홀을 더 포함하는, 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 절연층은 상기 중간영역으로 연장되되, 상기 절연층은 상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀과 중첩하는 홀을 포함하는, 표시 장치. - 제18 항에 있어서,
상기 금속 뱅크층의 상기 제2 홀의 폭은 상기 금속 뱅크층의 상기 제1 홀의 폭과 같거나 그 보다 큰, 표시 장치.
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