JP2019160396A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機層の電気混色及び横リークに起因した画素間のクロストークを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供すること。【解決手段】基板と、前記基板の上に配置された複数の画素電極と、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の上と前記バンクの上とに配置された有機層と、前記有機層の上に配置された共通電極と、を備え、前記バンクは、前記画素電極の前記端部を覆う部分に、斜面を有し、前記バンクの前記斜面と前記画素電極の上面とのなす角度は、８５度以上であり、前記バンクの前記斜面の上に配置された前記有機層の前記バンクの斜面に対して垂直方向の厚さは、前記画素電極の上に配置された前記有機層の前記画素電極の上面に対して垂直方向の厚さの１０分の１以下である、表示装置。【選択図】図５

Description

本発明は、表示装置に関する。

従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現する、いわゆる自発光型の表示装置である。

このような有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子は、バンクで区画された領域に形成される。有機ＥＬ素子を構成する各層の厚さを適切に制御することにより、有機ＥＬ表示装置が有する各層の機能を十分に果たすことができる。

例えば、特許文献１には、バンクにより陰極が電気的に接続されない段切れ現象を解消するために、十分な層厚を有する特定の材料を含む層を形成することにより、有機ＥＬ表示装置の表示不良を防止することが開示されている。また、特許文献２には、キャリア注入層の厚さを制御し、クロストーク現象を抑制することにより、有機ＥＬ表示装置の表示不良を防止することが開示されている。

特開２０１０−１０８９２７号公報 特開２０１４−１２３５２７号公報

有機ＥＬ表示装置は、バンクを覆う正孔注入層及び正孔輸送層等の有機層を含む。正孔注入層及び正孔輸送層等は導電性が高く、有機層の電気混色（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ ｃｏｌｏｒ ｍｉｘｉｎｇ）及び横リークに起因した画素間のクロストークが生じるため、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下する問題がある。

本発明の課題の１つは、有機層の電気混色及び横リークに起因した画素間のクロストークを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の一実施形態における表示装置は、基板と、前記基板の上に配置された複数の画素電極と、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の一部を露出するバンクと、前記画素電極の上と前記バンクの上とに配置された有機層と、前記有機層の上に配置された共通電極と、を備え、前記バンクは、前記画素電極の前記端部を覆う部分に、斜面を有し、前記バンクの前記斜面と前記画素電極の上面とのなす角度は、８５度以上であり、前記バンクの前記斜面の上に配置された前記有機層の前記バンクの斜面に対して垂直方向の厚さは、前記画素電極の上に配置された前記有機層の前記画素電極の上面に対して垂直方向の厚さの１０分の１以下である、表示装置、である。

本発明の一実施形態における表示装置は、基板と、前記基板の上に配置され、各々が画素電極を備える複数の画素と、前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の一部を露出し、前記複数の画素を区分するバンクと、前記画素電極の上と前記バンクの上とに配置され、かつ前記複数の画素に跨って位置する有機層と、前記有機層の前記画素電極とは反対の側に位置する複数の発光層と、前記有機層の上と前記発光層の上とに配置された共通電極と、を備え、前記複数の発光層の各々は、前記複数の画素の各々に備えられ、前記バンクは、前記画素電極の前記端部を覆う部分に、斜面を有し、前記複数の発光層は、第１の色を発光する第１発光層群と、前記第１の色とは異なる第２の色を発光する第２発光層群と、を含み、隣接する前記複数の発光層のうち、互いに異なる色を発光する前記発光層の間にある前記バンクの斜面と前記画素電極の上面とのなす第１の角度は、互いに同じ色を発光する前記発光層の間にある前記バンクの斜面と前記画素電極の上面とのなす第２の角度よりも大きい表示装置、である。

本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の構成を示す図である。 本発明の第１実施形態に係る図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態に係る図３の部分拡大図である。 本発明の第１実施形態に係る図４の概略図である。 本発明の第１実施形態に係るバンクの斜面と画素電極の上面とのなす角度θと１／ｃｏｓθとの関係を表す図である。 本発明の第１実施形態に係る画素の配列を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る画素の配列を示す図である。 本発明の第３実施形態に係る画素の配列を示す図である。

以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。ただし、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」等の表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する基板から共通電極に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。

本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに、別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す図である。本明細書では、有機ＥＬ表示装置１０を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１０は、絶縁表面上に、表示領域１０２、表示領域１０２の周辺に位置する周辺領域１０３、走査線駆動回路１０４、及びデータ線駆動回路１０５が形成され、ドライバＩＣ１０６が配置される。

ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６に含まれる場合もある。

ドライバＩＣ１０６は、ＩＣチップのような形態で別途基板１０１の上に配置されてもよく、フレキシブルプリント回路（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）１０８に設けて外部から接続してもよい。ＦＰＣ１０８は、周辺領域１０３に設けられた端子１０７と接続される。

基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層等の各層を支持する。なお、基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していてもよいし、基板１０１の上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成してもよい。絶縁表面が得られる限りにおいて、基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。

表示領域１０２には、複数の画素１１０がマトリクス状に配置される。各画素１１０は、後述する画素電極、画素電極の上に積層された画素電極側機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層）、発光層、共通電極側機能層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層）及び共通電極を含む発光素子を含む。

各画素１１０には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらのデータ信号にしたがって、各画素１１０に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。

トランジスタは、典型的には、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を用いることができる。ただし、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、いかなる素子を用いてもよい。

図２は、有機ＥＬ表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。具体的には、表示領域１０２の一部として、６つの発光素子２０１を平面視した構成を示している。図２では、発光素子２０１及び発光層３１７以外の構成については、記載を省略している。

なお、図２では、６つの発光素子２０１について例示しているが、実際には、表示領域１０２では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。

前述した各画素１１０は、画素電極、画素電極の上に積層された画素電極側機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層）、発光層、共通電極側機能層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層）及び共通電極を含む発光素子２０１を備える。

発光素子２０１は、後述するバンク３１５の開口３００により露出される画素電極３１４の上に配置される。バンク３１５は、画素電極の端部を覆い、隣接する画素電極間に設けられる。

なお、第１実施形態では、画素配列として、画素がストライプ配列された例を示したが、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列その他の配列でもよい。

図３は、本発明の第１実施形態における図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。有機ＥＬ表示装置１０は、基板３０１、下地層３０２、薄膜トランジスタ３０３、第１絶縁層３１２、画素電極３１４、バンク３１５、画素電極側機能層３１６、発光層３１７、共通電極側機能層３１８、共通電極３１９、補助電極３２０、第１の層３２１、第２の層３２２、及び第３の層３２３を含む。

有機ＥＬ表示装置１０は、基板３０１を有する。基板３０１は、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。

基板３０１が透光性を有する必要がない場合、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることもできる。特に、基板としてフレキシブル基板を用いる場合、積層構造を有する下地層を設けて外部からの保護機能を高めることが望ましい。

基板３０１の上には、下地層３０２が設けられる。下地層３０２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料を含む絶縁層である。

下地層３０２は、単層に限定されるものではなく、酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層構造を有してもよい。この構成は、基板３０１との密着性や、後述する薄膜トランジスタ３０３に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すればよい。

下地層３０２の上には、薄膜トランジスタ３０３が設けられる。薄膜トランジスタ３０３の構造は、トップゲート型でもボトムゲート型でもよい。この例では、薄膜トランジスタ３０３の構造は、トップゲート型である。

第１実施形態では、薄膜トランジスタ３０３は、下地層３０２の上に設けられた半導体層３０４、半導体層３０４を覆うゲート絶縁膜３０５、ゲート絶縁膜３０５の上に設けられたゲート電極３０６、ゲート電極３０６を覆う層間絶縁膜３０８及び３０９、並びに層間絶縁膜３０９の上に設けられ、それぞれ半導体層３０４に接続されたソース電極３１０及びドレイン電極３１１を含む。なお、第１実施形態では、層間絶縁膜が層間絶縁膜３０８と層間絶縁膜３０９との積層構造を有しているが、層間絶縁膜は、単層でもよい。

ゲート電極３０６と同じ層には、ゲート電極３０６を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された配線３０７を設けることができる。配線３０７は、走査線駆動回路１０４により駆動される走査線等として設けることができる。

また、図３には図示しないが、ソース電極３１０及びドレイン電極３１１と同じ層には、配線３０７と交差する方向に延在する配線を設けることができる。配線は、データ線駆動回路１０５により駆動される信号線等として設けることができる。

薄膜トランジスタ３０３の上には、第１絶縁層３１２が設けられる。第１絶縁層３１２は、平坦化膜として機能する。第１絶縁層３１２は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。なお、第１絶縁層３１２は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。

第１絶縁層３１２は、ソース電極３１０又はドレイン電極３１１の一部を露出させるコンタクトホール３１３を有する。コンタクトホール３１３は、後述する画素電極３１４とソース電極３１０又はドレイン電極３１１とを電気的に接続するための開口部である。

コンタクトホール３１３は、ソース電極３１０又はドレイン電極３１１の一部に重畳して設けられる。コンタクトホール３１３の底面では、ソース電極３１０又はドレイン電極３１１が露出される。

第１絶縁層３１２の上には、画素電極３１４が設けられる。画素電極３１４は、コンタクトホール３１３に重畳し、コンタクトホール３１３の底面で露出されたソース電極３１０又はドレイン電極３１１と電気的に接続する。

画素電極３１４は、後述するバンク３１５が有する開口３００により、その一部が露出される。画素電極３１４の端部は、後述するバンク３１５により覆われている。

画素電極３１４の上には、バンク３１５が設けられる。バンク３１５は、互いに隣接する画素電極３１４の間に、画素電極３１４の端部を覆うように設けられる。バンク３１５は、画素電極３１４の上の一部に開口３００を有する。

バンク３１５は、内壁がテーパー形状となるように形成される。すなわち、画素電極３１４の上面とバンク３１５の斜面とは、角度θ（図示せず）で交差する。

バンク３１５の斜面と画素電極３１４の上面とが角度θを有することにより、後述する画素電極側機能層３１６、発光層３１７、及び共通電極側機能層３１８のバンク３１５の斜面に対する垂直方向の厚さを薄くすることができる。

また、バンク３１５の内壁がテーパー形状であることにより、後述する発光層３１７の形成時に、画素電極３１４の端部におけるカバレッジ不良も低減することができる。

バンク３１５は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、窒化シリコン、酸化シリコン、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系、又はシロキサン系等の公知の樹脂材料を用いることができる。好適には、有機樹脂材料としては、窒化シリコン又は酸化シリコンを用いることができる。

窒化シリコン又は酸化シリコンを用いることにより、バンク３１５のテーパー形状をより容易に形成することができる。すなわち、画素電極３１４の上面とバンク３１５の斜面とがなす角度θを大きくすることができる。

画素電極３１４の上面とバンク３１５の斜面とがなす角度θを大きくすることにより、後述する画素電極側機能層３１６、発光層３１７、及び共通電極側機能層３１８のバンク３１５の斜面に対する垂直方向の厚さをより薄くすることができる。

バンク３１５の上には、画素電極側機能層３１６が設けられる。画素電極側機能層３１６は、後述する正孔注入層、正孔輸送層、又は電子ブロッキング層を含む。

画素電極側機能層３１６の上には、発光層３１７が設けられる。発光層３１７は、有機発光材料を含む。有機発光材料としては、縮合多環芳香族の誘導体等の公知の材料を用いることができる。

この例では、有機ＥＬ表示装置１０は、所望の色の光を発する発光層３１７が設けられている。有機ＥＬ表示装置１０は、各画素電極３１４の上に異なる発光層３１７が形成されることで、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の各色を表示する。

また、発光層３１７は、白色光を発する発光層３１７を有し、カラーフィルタを通して赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、及び青（Ｂ）の各色を表示してもよい。

発光層３１７の上には、共通電極側機能層３１８が設けられる。共通電極側機能層３１８は、後述する電子注入層、電子輸送層又は正孔ブロッキング層を含む。電子注入層、電子輸送層及び正孔ブロッキング層は、電子輸送材料を含む。

電子輸送材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子材料を用いることができる。真空蒸着法又は印刷法により、これらの電子輸送材料の成膜をすることができる。

共通電極側機能層３１８の上には、共通電極３１９が設けられる。この例では、有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型であるため、共通電極３１９は透明電極を用いる。共通電極３１９は、表示領域１０２の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。

透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電膜（例えば、ＩＴＯやＩＺＯ）を用いることができる。ＭｇＡｇ薄膜を用いる場合、光が透過する程度の膜厚にする必要がある。

光が透過する程度の膜厚である共通電極３１９がバンク３１５の斜面に配置されると、バンク３１５の斜面に対する垂直方向の膜厚は、画素電極３１４の上面に対する垂直方向の膜厚と比較して、薄くなる。そのため、バンク３１５の斜面の上に配置された共通電極３１９の抵抗は大きくなる。

共通電極３１９の上には、補助電極３２０が設けられる。補助電極３２０としては、金属配線を設けることができる。例えば、前述した共通電極３１９であるＭｇＡｇ薄膜の抵抗は大きいところ、補助電極３２０として金属配線を設けることにより、ＭｇＡｇ薄膜の膜厚を補償し、抵抗を低減することができる。

この例では、有機ＥＬ表示装置１０は、トップエミッション型であるため、金属配線としては、一部の領域に開口パターンを有する金属配線を用いるとよい。例えば、開口パターンとしては、格子状又はストライプ状の開口パターンを用いるとよい。

また、補助電極３２０としては、屈折率が大きい金属酸化物を用いることができる。具体的には、屈折率が約２．１以上である金属酸化物を用いることができる。屈折率が約２．１以上である金属酸化物としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる。

前述した共通電極３１９であるＭｇＡｇ薄膜の抵抗は大きいところ、補助電極３２０としてＩＴＯ又はＩＺＯを設けることにより、ＭｇＡｇ薄膜の薄い膜厚を補償し、抵抗を低減することができる。

また、ＩＴＯ又はＩＺＯは、透明導電膜であるため、光が透過させることもできる。さらに、ＩＴＯ又はＩＺＯは、屈折率が大きいため、光取り出し効率を高めることもできる。

補助電極３２０の上には、第１の層３２１、第２の層３２２、及び第３の層３２３が設けられる。第１の層３２１及び第３の層３２３は、主に外部から不純物が浸入することを防ぐブロッキング層として働き、第２の層３２２は、平坦な表面を与える層として働く。

図４は、図３の部分拡大図である。具体的には、本発明の第１実施形態における図２のＡ−Ａ’線に沿った断面図のうち、バンク３１５がテーパー形状を形成している部分における画素電極３１４から補助電極３２０の断面拡大図である。

有機ＥＬ表示装置１０は、画素電極３１４、バンク３１５、画素電極側機能層３１６、発光層３１７、共通電極側機能層３１８、共通電極３１９、及び補助電極３２０を含む。

画素電極側機能層３１６は、正孔注入層３１６Ａ、正孔輸送層３１６Ｂ及び電子ブロッキング層３１６Ｃを含む。

画素電極３１４の上には、正孔注入層３１６Ａが設けられる。正孔注入層３１６Ａの上には、正孔輸送層３１６Ｂが設けられる。正孔輸送層３１６Ｂの上には、電子ブロッキング層３１６Ｃが設けられる。

正孔注入層３１６Ａは、正孔輸送層３１６Ｂに対して、正孔を注入する機能を有する。正孔輸送層３１６Ｂは、正孔をより容易に注入するために、低抵抗性の正孔輸送材料が用いられる。

具体的には、ベンジジン又はその誘導体、スチリルアミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾール又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキサジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、アリールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又はその誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又はその誘導体、フタロシアニン又はその誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系の、低抵抗性の低分子材料又は高分子材料を用いることができる。低分子材料としては、前述した誘導体又は化合物のモノマー又はオリゴマーを用いることができる。

正孔注入層３１６Ａは、公知の成膜方法を用いて形成することができる。例えば、スピンコーティング法、インクジェット法、印刷法、又は蒸着法等を用いることができる。

前述した画素電極３１４の上面とバンク３１５の斜面とがなす角度θを大きくすることにより、正孔注入層３１６Ａ等のバンク３１５の斜面に対する垂直方向の厚さをより薄くするためには、蒸着法が好適である。蒸着法に好適な正孔輸送材料としては、前述した正孔輸送材料のうち、低抵抗性の低分子材料を用いることができる。

正孔輸送層３１６Ｂは、正孔注入層３１６Ａから注入された正孔を輸送する機能を有する。正孔輸送層３１６Ｂは、正孔注入層３１６Ａと同様に、正孔輸送材料が用いられる。

電子ブロッキング層３１６Ｃは、共通電極側から発光層３１８へ注入された電子が画素電極側に抜けることを防ぐ機能を有する。電子ブロッキング層３１６Ｃは、正孔輸送材料が用いられる。

電子ブロッキング層３１６Ｃの上には、前述した発光層３１７が設けられる。

発光層３１７の上には、共通電極側機能層３１８が設けられる。共通電極側機能層３１８は、電子注入層、電子輸送層、又は正孔ブロッキング層を含む。電子注入層、電子輸送層、又は正孔ブロッキング層は、電子輸送材料を含む。

電子輸送材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、又はボロン系等の低分子材料を用いることができる。電子輸送材料は、蒸着法により、成膜をすることができる。

共通電極側機能層３１８の上には、前述した共通電極３１９を設けることができる。共通電極３１９の上には、前述した補助電極３２０を設けることができる。

図５は、本発明の第１実施形態に係る図４の概略図である。具体的には、本発明の第１実施形態における図４の断面図のうち、画素電極３１４、バンク３１５の斜面、及び正孔注入層３１６Ａを図示した断面概略図である。

正孔注入層３１６Ａについて、画素電極３１４の上面に対する垂直方向の厚さで、画素電極３１４の上面の上に配置されている層の厚さをｔ１、バンク３１５の斜面の上に配置されている層の厚さをｔ２と定義する。

また、正孔注入層３１６Ａについて、画素電極３１４の上面に対する垂直方向の厚さで、画素電極３１４の上面の上に配置されている層の厚さをＡ１、バンク３１５の斜面に対する垂直方向の厚さで、バンク３１５の斜面の上に配置されている層の厚さをＡ２と定義する。

前述した正孔注入層３１６Ａ等のバンク３１５の斜面に対する垂直方向の厚さをより薄くするためには、蒸着法が好適である。蒸着法によれば、正孔注入層３１６Ａの厚さはほぼ一定の厚さになる。この場合、Ａ１とｔ１は、ほぼ等しい。

蒸着法によれば、ｔ１とｔ２もほぼ等しい。すなわち、Ａ１は、ｔ２とほぼ等しい。なお、蒸着法によれば、正孔注入層３１６Ａのみならず、画素電極側機能層、発光層、及び共通電極側機能層の厚さも、画素電極３１４の上面に対する垂直方向で、画素電極３１４の上面の上に配置されている層の厚さと、バンク３１５の斜面の上に配置されている層の厚さとは、等しい。

Ａ２とｔ２との関係は、画素電極３１４の上面とバンク３１５の斜面とのなす角度がθの場合、バンク３１５の斜面において、画素電極３１４の上面の垂直方向とバンク３１５の斜面の垂直方向とのなす角度がθであるから、Ａ２は、ｔ２の１／ｃｏｓθに比例する関係にある。

以上から、Ａ１とＡ２との関係は、Ａ２は、Ａ１の１／ｃｏｓθに比例する関係にある。

図６は、本発明の第１実施形態に係るバンクの斜面と画素電極の上面とのなす角度θと１／ｃｏｓθとの関係を表す図である。角度θが８５度より大きくなると、１／ｃｏｓθの値が１０分の１以下になる。そのため、正孔注入層３１６Ａについて、バンク３１５の斜面の上の層の厚さＡ２は、画素電極３１４の上の層の厚さＡ１の１０分の１以下になる。

図７は、本発明の第１実施形態に係る画素の配列を示す図である。複数の発光層の各々が複数の画素の各々に備えられている。複数の発光層は、第１の色を発光する第１発光層群と、第１の色とは異なる第２の色を発光する第２発光層群とを含む。図７においては、複数の画素は、赤（Ｒ）色に対応する画素１１０Ｒ、緑（Ｇ）色に対応する画素１１０Ｇ、及び青（Ｂ）色に対応する画素１１０Ｂを含む。各画素は、平面視で、マトリクス状に配置されている。具体的には、赤色に対応する画素１１０Ｒ、緑色に対応する画素１１０Ｇ、及び青色に対応する画素１１０Ｂの各列がこの順で繰り返し配置されている。

この例では、赤色に対応する画素１１０Ｒの列方向において、隣接する赤色に対応する画素１１０Ｒの間にあるバンクの斜面１１０ＲＶは、いずれも画素電極３１４の上面とのなす角度θ₁が８５度より大きい。

すなわち、赤色に対応する画素１１０Ｒの列方向において、バンク３１５の斜面は８５度より大きい高い角度θ₁を有する。緑色に対応する画素１１０Ｇの列方向、青色に対応する画素１１０Ｂの列方向においても、同様に、バンク３１５の斜面は８５度より大きい高い角度θ₁を有する。

また、この例では、各列方向に垂直な方向である行方向において、隣接する赤色に対応する画素１１０Ｒ、緑色に対応する画素１１０Ｇ、青色に対応する画素１１０Ｂの間にあるバンクの斜面１１０ＲＬ、斜面１１０ＧＬ、及び斜面１１０ＢＬは、それぞれ８５度より大きい角度θ₂を有する。

このように、赤色に対応する画素１１０Ｒ、緑色に対応する画素１１０Ｇ、及び青色に対応する画素１１０Ｂのそれぞれ隣接する各画素の間にある列方向のバンクの斜面１１０ＲＶ、斜面１１０ＧＶ、及び斜面１１０ＢＶ、並びに行方向のバンクの斜面１１０ＲＬ、斜面１１０ＧＬ、及び斜面１１０ＢＬは、それぞれ８５度より大きい角度θ₁及び角度θ₂を有する。

そうすると、バンク３１５の斜面の上に積層された正孔注入層３１６Ａを含む画素電極側機能層３１６、発光層３１７、及び共通電極側機能層３１８は、画素電極３１４の上に積層された正孔注入層３１６Ａを含む画素電極側機能層３１６、発光層３１７、及び共通電極側機能層３１８の厚さのそれぞれ１０分の１以下になる。

そのため、バンク３１５の斜面の上に積層された正孔注入層３１６Ａを含む画素電極側機能層３１６及び共通電極側機能層３１８の抵抗は、それぞれ大きくなり、有機層の電気混色及び横リークに起因した画素間のクロストークを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

（第２実施形態）
図８は、本発明の第２実施形態に係る画素の配列を示す図である。各画素は、平面視で、マトリクス状に配置されている。具体的には、赤色に対応する画素２１０Ｒ、緑色に対応する画素２１０Ｇ、及び青色に対応する画素２１０Ｂの各列がこの順で繰り返し配置されている。

第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２０によれば、第１実施形態と異なり、全てのバンク３１５の斜面の角度を８５度以上にすることなく、電気混色を防止することができる。以下、これを実現する構成のうち、第１実施形態と異なる部分を説明する。

この例では、赤色に対応する画素２１０Ｒ、緑色に対応する画素２１０Ｇ、及び青色に対応する画素２１０Ｂのそれぞれ隣接する各画素の間にある各列方向のバンクの斜面２１０ＲＶ、斜面２１０ＧＶ、及び斜面２１０ＢＶは、それぞれ８５度より小さい角度θ₁を有する。

このように、第１実施形態とは異なり、各列方向のバンクの斜面２１０ＲＶ、斜面２１０ＧＶ、及び斜面２１０ＢＶは、それぞれ８５度より小さい角度θ₁を有し、各行方向のバンクの斜面２１０ＲＬ、斜面２１０ＧＬ、及び斜面２１０ＢＬのみ、それぞれ８５度より大きい角度θ₂を有する。

そのため、異なる色に対応する画素間にあるバンク３１５の斜面の上に積層された正孔注入層３１６Ａを含む画素電極側機能層３１６及び共通電極側機能層３１８のみ抵抗がそれぞれ大きくなり、有機層の電気混色及び横リークに起因した画素間のクロストークを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

（第３実施形態）
図９は、本発明の第３実施形態に係る画素の配列を示す図である。各画素は、平面視で、マトリクス状に配置されている。具体的には、赤色に対応する画素３１０Ｒ及び緑色に対応する画素３１０Ｇが交互に配置された列、並びに青色に対応する画素３１０Ｂの列がこの順で繰り返し配置されている。

第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３０によれば、第１実施形態と異なり、全てのバンク３１５の斜面の角度を８５度以上にすることなく、さらに、赤色に対応する画素及び緑色に対応する画素に比較して相対的に寿命が短い青色に対応する画素の輝度の低下を補償しつつ、電気混色を防止することができる。以下、これを実現する構成のうち、第１実施形態と異なる部分を説明する。

この例では、赤色に対応する画素３１０Ｒ及び緑色に対応する画素３１０Ｇが交互に配置された列、並びに青色に対応する画素３１０Ｂの列がこの順で繰り返し配置されている。

赤色に対応する画素３１０Ｒ及び緑色に対応する画素３１０Ｇが交互に配置されているのに対して、青色に対応する画素３１０Ｂの列は、列方向に、青色に対応する画素３１０Ｂのみが配置されている。

そのため、青色に対応する画素３１０Ｂは、赤色に対応する画素３１０Ｒ及び緑色に対応する画素３１０Ｇに比較して、２倍の画素数が配置されている。

また、この例では、赤色に対応する画素３１０Ｒ、緑色に対応する画素３１０Ｇ、及び青色に対応する画素３１０Ｂのそれぞれ隣接する各画素の間にある各列方向のバンクの斜面３１０ＲＶ、斜面３１０ＧＶ、及び斜面３１０ＢＶは、それぞれ８５度より小さい角度θ₁を有する。

このように、青色に対応する画素３１０Ｂは、第１実施形態とは異なり、赤色に対応する画素３１０Ｒ及び緑色に対応する画素３１０Ｇに比較して、２倍の画素数が配置されている。

また、赤色に対応する画素３１０Ｒ、緑色に対応する画素３１０Ｇ、及び青色に対応する画素３１０Ｂは、第１実施形態とは異なり、各列方向のバンクの斜面３１０ＲＶ、斜面３１０ＧＶ、及び斜面３１０ＢＶは、それぞれ８５度より小さい角度θ₁を有し、各行方向のバンクの斜面３１０ＲＬ、斜面３１０ＧＬ、及び斜面３１０ＢＬのみ、それぞれ８５度より大きい角度θ₂を有する。

赤色に対応する画素及び緑色に対応する画素に比較して相対的に寿命が短い青色に対応する画素の輝度の低下を補償しつつ、異なる色に対応する画素間にあるバンク３１５の斜面の上に積層された正孔注入層３１６Ａを含む画素電極側機能層３１６及び共通電極側機能層３１８の抵抗がそれぞれ大きくなり、有機層の電気混色及び横リークに起因した画素間のクロストークを防止し、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。

本発明の実施形態として説明した有機ＥＬ表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、前述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることができる。

また、前述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１０，２０，３０：有機ＥＬ表示装置、１０２：表示領域、１０３：周辺領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、端子：１０７，１０８：フレキシブルプリント回路、２０１：発光素子、３００：開口、３０１：基板、３０２：下地層、３０３：薄膜トランジスタ、３０４：半導体層、３０５：ゲート絶縁膜、３０６：ゲート電極、３０７：配線、３０８，３０９：層間絶縁膜、３１０：ソース電極、３１１：ドレイン電極、３１２：第１絶縁層、３１３：コンタクトホール、３１４：画素電極、３１５：バンク、３１６：画素電極側機能層、３１７：発光層、３１８：共通電極側機能層、３１９：共通電極、３２０：補助電極、３２１：第１の層、３２２：第２の層、３２３：第３の層、３１６Ａ：正孔注入層、３１６Ｂ：正孔輸送層、３１６Ｃ：電子ブロッキング層、３１８Ａ：正孔ブロッキング層、３１８Ｂ：電子輸送層、３１８Ｃ：電子注入層、１１０Ｒ，２１０Ｒ，３１０Ｒ：赤色に対応する画素、１１０Ｇ，２１０Ｇ，３１０Ｇ：緑色に対応する画素、１１０Ｂ，２１０Ｂ，３１０Ｂ：青色に対応する画素、１１０ＲＬ，１１０ＲＶ，１１０ＧＬ，１１０ＧＶ，１１０ＢＬ，１１０ＢＶ，２１０ＲＬ，２１０ＲＶ，２１０ＧＬ，２１０ＧＶ，２１０ＢＬ，２１０ＢＶ，３１０ＲＬ，３１０ＲＶ，３１０ＧＬ，３１０ＧＶ，３１０ＢＬ，３１０ＢＶ：バンクの斜面

Claims (10)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置された複数の画素電極と、
   前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の一部を露出するバンクと、
   前記画素電極の上と前記バンクの上とに配置された有機層と、
   前記有機層の上に配置された共通電極と、
   を備え、
   前記バンクは、前記画素電極の前記端部を覆う部分に、斜面を有し、
   前記バンクの前記斜面と前記画素電極の上面とのなす角度は、８５度以上であり、
   前記バンクの前記斜面の上に配置された前記有機層の前記バンクの斜面に対して垂直方向の厚さは、前記画素電極の上に配置された前記有機層の前記画素電極の上面に対して垂直方向の厚さの１０分の１以下である、表示装置。
2. 基板と、
   前記基板の上に配置され、各々が画素電極を備える複数の画素と、
   前記画素電極の端部を覆い、前記画素電極の一部を露出し、前記複数の画素を区分するバンクと、
   前記画素電極の上と前記バンクの上とに配置され、かつ前記複数の画素に跨って位置する有機層と、
   前記有機層の前記画素電極とは反対の側に位置する複数の発光層と、
   前記有機層の上と前記発光層の上とに配置された共通電極と、
   を備え、
   前記複数の発光層の各々は、前記複数の画素の各々に備えられ、
   前記バンクは、前記画素電極の前記端部を覆う部分に、斜面を有し、
   前記複数の発光層は、第１の色を発光する第１発光層群と、前記第１の色とは異なる第２の色を発光する第２発光層群と、を含み、
   隣接する前記複数の発光層のうち、互いに異なる色を発光する前記発光層の間にある前記バンクの斜面と前記画素電極の上面とのなす第１の角度は、互いに同じ色を発光する前記発光層の間にある前記バンクの斜面と前記画素電極の上面とのなす第２の角度よりも大きい、表示装置。
3. 前記複数の発光層は、青色に対応する第１の発光層群、緑色に対応する第２の発光層群、及び赤色に対応する第３の発光層群を含み、
   前記第１の発光層群の数は、前記第２の発光層群の数より多く、前記第３の発光層群の数よりも多い、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１の角度は、８５度以上であり、
   前記バンクの斜面の上に配置された前記有機層の前記バンクの斜面に対して垂直方向の厚さは、前記画素電極の上に配置された前記有機層の前記画素電極の上面に対して垂直方向の厚さの１０分の１以下である、請求項２又は請求項３に記載の表示装置。
5. 前記バンクは、窒化シリコン又は酸化シリコンを含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記有機層は、正孔注入層を含む、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記正孔注入層は、低分子有機化合物を含む、請求項６に記載の表示装置。
8. 前記共通電極の上に配置された酸化インジウムスズ又は酸化インジウム亜鉛を含む層をさらに有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 前記共通電極の上に配置された、一部の領域に開口パターンを有する金属配線をさらに有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記開口パターンは、ストライプ状のパターン又は格子状のパターンである、請求項９に記載の表示装置。