JP2019140244A - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019140244A JP2019140244A JP2018022268A JP2018022268A JP2019140244A JP 2019140244 A JP2019140244 A JP 2019140244A JP 2018022268 A JP2018022268 A JP 2018022268A JP 2018022268 A JP2018022268 A JP 2018022268A JP 2019140244 A JP2019140244 A JP 2019140244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- display device
- removal
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 38
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 24
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 20
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 14
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 12
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 6
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 claims description 6
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 250
- 239000000463 material Substances 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 1,2-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=CC=C1N GEYOCULIXLDCMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-9h-carbazole Chemical class C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C=C APQXWKHOGQFGTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 2H-pyran Chemical compound C1OC=CC=C1 MGADZUXDNSDTHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N Stilbene Natural products C=1C=CC=CC=1/C=C/C1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical class C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002102 polyvinyl toluene Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021286 stilbenes Nutrition 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M trimethyl-[3-(1-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilol-1-yl)propyl]azanium;iodide Chemical compound [I-].C[N+](C)(C)CCC[Si]1(C)C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 PWYVVBKROXXHEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N triphenylmethane Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 AAAQKTZKLRYKHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Abstract
【課題】本発明の課題の1つは、バンクで発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止し、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することにある。【解決手段】絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、前記画素電極における前記開口を覆う発光層と、前記バンクと前記発光層との間に設けられた除去層と、を有する、表示装置。【選択図】図4
Description
本発明は、表示装置に関する。
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料(有機EL材料)を表示部の発光素子(有機EL素子)に用いた有機EL表示装置(Organic Electroluminescence Display)が知られている。有機EL表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機EL材料を発光させることにより表示を実現する、いわゆる自発光型の表示装置である。
このような有機EL表示装置に含まれる有機EL素子は、水分及び酸素により有機EL材料を含む発光層や電極の劣化、ひいては素子の性能低下を招く。そのため、有機EL表示装置の内部を乾燥した状態に保つことが必要となる。例えば、特許文献1には、カソードを介してバンクの上に選択的に形成された乾燥剤層を具備することにより、有機EL素子を水分及び酸素等から保護することが開示されている。
画素を区切るバンクは、有機物を含む。有機物は、光のエネルギー等で分解し、水分やガスが発生する。有機物から水分やガスが発生すると、カソードの下に具備される有機EL素子の劣化を防止することができないので、有機EL表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
本発明の課題の1つは、有機物から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止し、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することにある。
本発明の一実施形態における表示装置は、絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、複数の画素電極の端部を覆うとともに、複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、画素電極における開口を覆う発光層と、バンクと発光層との間に設けられた除去層と、を有する。
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。ただし、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」等の表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面から電極に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書及び特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL表示装置の構成を示した概略図である。本明細書では、有機EL表示装置100を画面(表示領域)に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL表示装置の構成を示した概略図である。本明細書では、有機EL表示装置100を画面(表示領域)に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
図1に示すように、有機EL表示装置100は、絶縁表面上に形成された、表示領域102と、表示領域102の周辺に位置する周辺領域103と、走査線駆動回路104と、データ線駆動回路105と、ドライバIC106と、を有する。ドライバIC106は、走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路105に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路105は、ドライバIC106に含まれる場合もある。ドライバIC106は、ICチップのような形態で別途基板101上に配置してもよく、フレキシブルプリント回路(Flexible Print Circuit:FPC)108に設けて外部から接続してもよい。FPC108は、周辺領域103に設けられた端子107と接続される。
基板101は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層等の各層を支持する。なお、基板101は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していてもよいし、基板101上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成してもよい。絶縁表面が得られる限りにおいて、基板101の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。
表示領域102には、複数の画素110がマトリクス状に配置される。各画素110は、一方がアノード(陽極)、他方がカソード(陰極)として機能する画素電極及び対向電極、画素電極と対向電極との間に設けられたアノード側機能層(正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層)、発光層並びにカソード側機能層(電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層)を含む発光素子を備える。各画素110には、データ線駆動回路105から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらのデータ信号に従って、各画素110に設けられたアノードに電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor:TFT)を用いることができる。ただし、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、いかなる素子を用いてもよい。
図2は、有機EL表示装置における表示領域の構成の一例を示す図である。具体的には、表示領域102の一部として、6つの発光素子201を平面視した構成を示している。なお、図2では、6つの発光素子201について例示しているが、実際には、表示領域102では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。また、図2では、発光素子201及び第1の層321以外の構成については、記載を省略している。
上述したように、各画素110は、一方がアノード(陽極)、他方がカソード(陰極)として機能する画素電極及び対向電極、画素電極と対向電極との間に設けられたアノード側機能層(正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロッキング層)、発光層並びにカソード側機能層(電子注入層、電子輸送層、正孔ブロッキング層)を含む発光素子201を備える。発光素子201は、後述する第2絶縁層の開口によって露出されている。第2絶縁層は、アノードの端部を覆い、隣接するアノード間に設けられる。発光素子201上には、第1の層321が設けられる。
なお、第1実施形態では、画素配列として、画素がストライプ配列された例を示したが、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列その他の配列でもよい。
図3は、本発明の第1実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図である。有機EL表示装置100は、基板301、下地層302、薄膜トランジスタ303、第1絶縁層312、画素電極(アノード)314、第2絶縁層315、除去層316、アノード側機能層317、発光層318、カソード側機能層319、対向電極(カソード)320、第1の層321、第2の層322及び第3の層323を含む。
有機EL表示装置100は、基板301を有する。基板301は、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板(ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートその他の可撓性を有する樹脂基板)を用いることができる。基板301が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。特に、基板としてフレキシブル基板を用いる場合には、積層構造を有する下地層を設けて外部からの保護機能を高めることが望ましい。
基板301上には、下地層302が設けられる。下地層302は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料を含む絶縁層である。下地層302は、単層に限定されるわけではなく、酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層構造を有してもよい。この構成は、基板301との密着性や、後述する薄膜トランジスタ303に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すればよい。
下地層302上には、薄膜トランジスタ303が設けられる。薄膜トランジスタ303の構造は、トップゲート型でもボトムゲート型でもよい。この例では、薄膜トランジスタ303の構造は、トップゲート型である。第1実施形態では、薄膜トランジスタ303は、下地層302上に設けられた半導体層304、半導体層304を覆うゲート絶縁膜305、ゲート絶縁膜305上に設けられたゲート電極306、ゲート電極306を覆う層間絶縁膜308及び309、並びに層間絶縁膜309上に設けられ、それぞれ半導体層304に接続されたソース、ドレイン電極310及び311を含む。なお、第1実施形態では、層間絶縁膜が層間絶縁膜308、309の積層構造を有しているが、層間絶縁膜は単層でもよい。
薄膜トランジスタ303を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよい。半導体層304としては、一般的には、ポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜305としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極306は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属材料を含む。層間絶縁膜308、309としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース、ドレイン電極310及び311は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウム等の金属材料を含む。
ゲート電極306と同じ層には、ゲート電極306を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された配線307を設けることができる。配線307は、走査線駆動回路104によって駆動される走査線等として設けることができる。また、図3には図示しないが、ソース、ドレイン電極310及び311と同じ層には、配線307と交差する方向に延在する配線を設けることができる。該配線は、データ線駆動回路105によって駆動される信号線等として設けることができる。
薄膜トランジスタ303上には、第1絶縁層312が設けられる。第1絶縁層312は、平坦化膜として機能する。第1絶縁層312は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。なお、第1絶縁層312は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
第1絶縁層312は、ソース、ドレイン電極310又は311の一部を露出させるコンタクトホール313を有する。コンタクトホール313は、後述するアノード314とソース、ドレイン電極310又は311とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホール313は、ソース、ドレイン電極310又は311の一部に重畳して設けられる。コンタクトホール313の底面では、ソース、ドレイン電極310又は311が露出される。
第1絶縁層312上には、アノード314が設けられる。アノード314は、コンタクトホール313に重畳し、コンタクトホール313の底面で露出されたソース、ドレイン電極310又は311と電気的に接続する。アノード314は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。トップエミッション型である場合、アノード314として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜(例えば、ITO)や酸化亜鉛系透明導電膜(例えば、IZO、ZnO)といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、アノード314として上述した透明導電膜を用いる。この例では、有機EL表示装置100は、トップエミッション型の有機EL表示装置である。アノード314の端部は、後述する第2絶縁層315により覆われている。
アノード314上には、第2絶縁層315が設けられる。第2絶縁層315は、有機樹脂材料を含む。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系等の公知の樹脂材料を用いることができる。第2絶縁層315は、アノード314上の一部に開口300を有する。
第2絶縁層315は、互いに隣接するアノード314の間に、アノード314の端部(エッジ部)を覆うように設けられ、隣接するアノード314を離隔する部材として機能する。このため、第2絶縁層315は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。第2絶縁層315の開口300は、アノード314の一部を露出させる。第2絶縁層315の開口300は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する発光層の形成時に、アノード314の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。
第2絶縁層315上には、除去層316が設けられる。除去層316は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する層である。すなわち、除去層316は、水分除去層又はガス除去層ともいう。ここで、除去とは、吸着、吸収及び化学反応等により、水分やガスを取り除くことをいう。この例では、除去層316は、第2絶縁層315及びアノード314を覆っている。すなわち、除去層316は、第2絶縁層315を覆うとともに、第2絶縁層315が覆っていないアノード314の一部を覆っている。
除去層316は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含む。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。除去層316は、アノード314の一部と後述する正孔注入層との間に設けられる。除去層316は正孔注入効率に影響するので、除去層316の膜厚は、正孔注入効率への影響を小さくするために、1nm以下であることが好ましい。
除去層316上には、アノード側機能層317が設けられる。アノード側機能層317は、後述する正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層を含む。
アノード側機能層317上には、発光層318が設けられる。発光層318は、有機発光材料を含む。有機発光材料としては、縮合多環芳香族の誘導体等の公知の材料を用いることができる。
この例では、有機EL表示装置100は、所望の色の光を発する発光層318が設けられている。有機EL表示装置100は、各アノード314上に異なる発光層318が形成されることで、RGBの各色を表示する。すなわち、この例では、発光層318は、隣接するアノード314の間では絶縁分離されている。発光層318には、公知の構造や公知の材料を用いることが可能である。また、発光層318は、白色光を発する発光層318を有し、カラーフィルタを通してRGBの各色を表示してもよい。
発光層318上には、カソード側機能層319が設けられる。カソード側機能層319は、少なくとも電子注入層、電子輸送層又は正孔ブロッキング層を含む。電子注入層、電子輸送層及び正孔ブロッキング層は、電子輸送材料を含む。電子輸送材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料を用いることができる。真空蒸着法により、これらの電子輸送材料の成膜が可能である。また、これらの電子輸送材料をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させトルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル、水等の単独または混合溶媒に溶解または分散させて電子輸送塗布液とし、印刷法により成膜できる。
カソード側機能層319上には、カソード320が設けられる。この例では、有機EL表示装置100は、トップエミッション型であるため、カソード320は透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、透明導電膜(例えば、ITOやIZO)を用いることができる。また、透明電極として、MgAgを光が透過する程度の膜厚にて形成してもよい。カソード320は、表示領域102の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。
カソード320上には、第1の層321、第2の層322及び第3の層323が設けられる。第1の層321と第3の層323は、主に外部から不純物が浸入することを防ぐブロッキング層として働き、第2の層322は、平坦な表面を与えることを主な機能として有する。
図4は、図3の部分拡大図である。具体的には、本発明の第1実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図のうち、第1絶縁層312から上の層の断面拡大図である。有機EL表示装置100は、アノード314、第2絶縁層315、除去層316、アノード側機能層317、発光層318、カソード側機能層319、カソード320、第1の層321、第2の層322及び第3の層323を含む。
アノード側機能層317は、正孔注入層401、正孔輸送層402及び電子ブロッキング層403を含む。
アノード314上には、正孔注入層401が設けられる。また、正孔注入層401上には、正孔輸送層402が設けられる。正孔注入層401及び正孔輸送層402は、正孔輸送材料を含む。正孔輸送材料としては、ベンジジン又はその誘導体、スチリルアミン又はその誘導体、トリフェニルメタン又はその誘導体をはじめ、ポルフィリン又はその誘導体、トリアゾール又はその誘導体、イミダゾール又はその誘導体、オキサジアゾール又はその誘導体、ポリアリールアルカン又はその誘導体、フェニレンジアミン又はその誘導体、アリールアミン又はその誘導体、オキサゾール又はその誘導体、アントラセン又はその誘導体、フルオレノン又はその誘導体、ヒドラゾン又はその誘導体、スチルベン又はその誘導体、フタロシアニンまたはその誘導体、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物、アニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマー、ポリマー等を用いることができる。
正孔輸送層402上には、電子ブロッキング層403が設けられる。電子ブロッキング層403は、カソード側から発光層318へ注入された電子がアノード側に抜けることを防ぐ。そのため、電子ブロッキング層403の電子親和力値は、発光層318の電子親和力値よりも小さな値を有し、または、電子輸送性の低い材料である必要がある。また、電子ブロッキング層403の仕事関数が正孔輸送層402及び発光層318のそれに近い値を有する場合、発光層318への正孔注入効率を妨げることなく良好な有機EL特性を得ることができる。
電子ブロッキング層403は、有機物を含むことができる。有機物としては、正孔輸送性を有する材料を用いることができる。正孔輸送性を有する材料としては、クマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、N,N’―ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、N,N’―ジアリール置換ピロロピロール系等の発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に溶解させたものや、PPV系やPAF系、ポリパラフェニレン系等の高分子発光体を用いることができる。これらの材料は溶媒に溶解させることで湿式法により成膜できる。
電子ブロッキング層403は、無機物を含むことができる。無機物としては、遷移金属の酸化物、窒化物、酸窒化物やIII、IV、V族元素のP型化合物半導体等を用いることができる。膜厚は任意であるが好ましくは0.1nm〜200nmであり、また0.1nm〜70nmであることが駆動電圧の上昇を防ぐことができるためより好ましい。また、絶縁性の高い材料である場合の膜厚は0.1nm〜10nmの範囲で製膜することで、発光層318への正孔注入効率を妨げることなく良好なEL特性が得られる。さらにバンドギャップが3.0eV以上であるあれば、可視光領域でほぼ透明であるためより色度、輝度、発光効率に優れたEL特性を得ることができる。
正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含むことができる。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。
図5は、本発明の第1実施形態における時間と輝度との関係を表す図である。横軸は発光層318に電流を流した時間(hr)であり、縦軸は時間0における発光層318の輝度L0に対する時間tにおける発光層318の輝度L(L/L0)である。図5の曲線501は、有機EL表示装置100が除去層316を含まない場合に、60℃の環境下で発光層318に電流を流したときのL/L0の経時変化を表している。一方、図5の曲線502は、有機EL表示装置100が除去層316を含む場合に、60℃の環境下で発光層318に電流を流したときのL/L0の経時変化を表している。
図5の曲線501の場合のように、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316がない場合、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解することで発生する微量な水分やガスが有機EL素子に進入する。そのため、有機EL素子が劣化し、経時でL/L0は大きく減少する。
一方、図5の曲線502の場合のように、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316がある場合、除去層316は無機乾燥剤を含むので、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。そのため、除去層316有機EL素子の劣化が防止され、経時でL/L0は緩やかに減少する。
図6は、本発明の第1実施形態における時間と電圧との関係を表す図である。横軸は発光層318に電流を流した時間(hr)であり、縦軸はアノード314とカソード320との間の電圧(V)である。図6の曲線601は、有機EL表示装置100が除去層316を含まない場合に、60℃の環境下で発光層318に電流を流したときの電圧の経時変化を表している。一方、図6の曲線602は、有機EL表示装置100が除去層316を含む場合に、60℃の環境下で発光層318に電流を流したときの電圧の経時変化を表している。
図6の曲線601の場合のように、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316がない場合、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解することで発生する微量な水分やガスが有機EL素子に進入する。そのたえ、有機EL素子が劣化し、有機EL素子の抵抗が急激に大きくなるので、経時で電圧が大きく上昇する。
一方、図6の曲線602の場合のように、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316がある場合、除去層316は無機乾燥剤を含むので、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。そのため、除去層316有機EL素子の劣化が防止され、有機EL素子の抵抗が緩やかに大きくなるので、経時で電圧が緩やかに上昇する。
このように、第1実施形態に係る有機EL表示装置100には、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316が設けられている。除去層316は無機乾燥剤を含むので、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。そのため、有機EL素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することができる。
また、第1実施形態に係る有機EL表示装置100には、アノード314及びアノード314の端部を覆う第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316が設けられている。除去層316は、膜厚が1nm以下なので、正孔注入層401による正孔注入効率への影響が少ない。そのため、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することができる。
(変形例1)
第1実施形態では、除去層316がアノード314と正孔注入層401との間に一層設けられているが、除去層316は、正孔注入層401と正孔輸送層402との間、正孔輸送層402と電子ブロッキング層403との間、又は電子ブロッキング層403と発光層318との間に設けられてもよいし、複数の層と層との間に設けられてもよい。
第1実施形態では、除去層316がアノード314と正孔注入層401との間に一層設けられているが、除去層316は、正孔注入層401と正孔輸送層402との間、正孔輸送層402と電子ブロッキング層403との間、又は電子ブロッキング層403と発光層318との間に設けられてもよいし、複数の層と層との間に設けられてもよい。
(第2実施形態)
図7は、発明の第2実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図の部分拡大図である。第2実施形態に係る有機EL表示装置100によれば、第1実施形態と異なり、第2絶縁層315の開口300の内側に除去層316を設けずに、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第1実施形態と異なる部分を説明する。
図7は、発明の第2実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図の部分拡大図である。第2実施形態に係る有機EL表示装置100によれば、第1実施形態と異なり、第2絶縁層315の開口300の内側に除去層316を設けずに、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第1実施形態と異なる部分を説明する。
この例では、除去層316は、アノード314の一部を覆わずに、第2絶縁層315のみを覆っている。除去層316の上に設けられた正孔注入層401は、第2絶縁層315の上に設けられた除去層316を覆うとともに、第2絶縁層315の開口300から露出されたアノード314の一部を覆っている。すなわち、アノード314の一部と正孔注入層401との間に除去層316が介在しない。
このように、第2実施形態に係る有機EL表示装置100には、第1実施形態に係る有機EL表示装置100と異なり、第2絶縁層315と正孔注入層401との間に除去層316が設けられており、アノード314の一部(アノード)と正孔注入層401との間には除去層316が設けられていない。第2絶縁層315のみを覆う除去層316により、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。そのため、有機EL素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することができる。
(第3実施形態)
図8は、本発明の第3実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図の部分拡大図である。第3実施形態に係る有機EL表示装置100によれば、第1実施形態と異なり、除去層316を含まず、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第1実施形態と異なる部分を説明する。
図8は、本発明の第3実施形態における図2のA−A'線に沿った断面図の部分拡大図である。第3実施形態に係る有機EL表示装置100によれば、第1実施形態と異なり、除去層316を含まず、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分やガスを除去し、第2絶縁層315から発生する水分やガスが有機EL素子に進入することを防止する。以下、これを実現する構成のうち、第1実施形態と異なる部分を説明する。
有機EL表示装置100は、除去層316を含まない。正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403は、水分の除去及びガスの除去という機能のうち少なくとも一つの機能を有する一般的な無機乾燥剤を含む。一般的な無機乾燥剤としては、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム、五酸化リンを用いることができる。
このように、第3実施形態に係る有機EL表示装置100には、第1実施形態に係る有機EL表示装置100と異なり、除去層316が含まれず、無機乾燥剤が少なくとも正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403に含まれている。正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403は、第2絶縁層315が光のエネルギー等で分解し発生する微量な水分を除去し、第2絶縁層315から発生する水分が有機EL素子に進入することを防止する。そのため、有機EL素子の劣化が防止され、信頼性の高い有機EL表示装置を提供することができる。
(変形例2)
第3実施形態では、除去層316が含まれず、無機乾燥剤が少なくとも正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403に含まれているが、除去層316が含まれてもよい。
第3実施形態では、除去層316が含まれず、無機乾燥剤が少なくとも正孔注入層401、正孔輸送層402又は電子ブロッキング層403に含まれているが、除去層316が含まれてもよい。
本発明の実施形態として説明した有機EL表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
100:有機EL表示装置、101:基板、102:表示領域、103:周辺領域、104:走査線駆動回路、105:データ線駆動回路、106:ドライバIC、107:端子、108:フレキシブルプリント回路、201:発光素子、300:開口、301:基板、302:下地層、303:薄膜トランジスタ、304:半導体層、305:ゲート絶縁膜、306:ゲート電極、307:配線、308,309:層間絶縁膜、310:ソース電極、311:ドレイン電極、312:第1絶縁層、313:コンタクトホール、314:アノード、315:第2絶縁層、316:除去層、317:アノード側機能層、318:発光層、319:カソード側機能層、320:カソード、321:第1の層、322:第2の層、323:第3の層、401:正孔注入層、402:正孔輸送層、403:電子ブロッキング層
Claims (9)
- 絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、
前記画素電極における前記開口を覆う発光層と、
前記バンクと前記発光層との間に設けられた除去層と、
を有する、表示装置。 - 前記除去層は、前記開口を覆う、請求項1に記載の表示装置。
- 前記除去層は、前記開口の内側において不連続になっている、請求項1に記載の表示装置。
- 前記除去層は、厚さが1nm以下である、請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記除去層は、無機乾燥剤を含む、請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記無機乾燥剤は、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む、請求項5に記載の表示装置。
- 前記除去層と前記発光層との間に、正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層を含む、請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の表示装置。
- 前記正孔注入層、前記正孔輸送層又は前記電子ブロッキング層はそれぞれ、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む、請求項7に記載の表示装置。
- 絶縁表面上に配置された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の端部を覆うとともに、前記複数の画素電極の各々の上面を露出させる開口を有するバンクと、
前記開口を覆う発光層と、
前記バンクと前記発光層との間に設けられ、少なくとも炭酸カルシウム、酸化カルシウム、炭酸セシウム又は五酸化リンを含む正孔注入層、正孔輸送層又は電子ブロッキング層と、
を有する、表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018022268A JP2019140244A (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 表示装置 |
PCT/JP2019/000472 WO2019155814A1 (ja) | 2018-02-09 | 2019-01-10 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018022268A JP2019140244A (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019140244A true JP2019140244A (ja) | 2019-08-22 |
Family
ID=67548869
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018022268A Pending JP2019140244A (ja) | 2018-02-09 | 2018-02-09 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2019140244A (ja) |
WO (1) | WO2019155814A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI232693B (en) * | 2002-10-24 | 2005-05-11 | Toppoly Optoelectronics Corp | Hygroscopic passivation structure of an organic electroluminescent display |
JP2007242831A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 機能液、機能薄膜、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
JP4819603B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2011-11-24 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子および該有機発光素子を用いた多色表示装置 |
EP2787553A4 (en) * | 2011-11-28 | 2015-11-11 | Oceans King Lighting Science | DOPED ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
-
2018
- 2018-02-09 JP JP2018022268A patent/JP2019140244A/ja active Pending
-
2019
- 2019-01-10 WO PCT/JP2019/000472 patent/WO2019155814A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2019155814A1 (ja) | 2019-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8094096B2 (en) | Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof | |
US20070200488A1 (en) | Display device | |
US9123665B2 (en) | Organic EL device, method for manufacturing the same, and electronic apparatus | |
US7638939B2 (en) | Light-emitting device and electronic apparatus | |
US20070290604A1 (en) | Organic electroluminescent device and method of producing the same | |
KR20140100357A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
KR20120022896A (ko) | 유기 el 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20080067877A (ko) | 표시장치 | |
CN110828677B (zh) | 发光二极管及包括该发光二极管的电致发光显示装置 | |
KR20190079936A (ko) | 전계발광 표시 장치 | |
US20160218157A1 (en) | Organic light emitting diode display | |
JP2018073567A (ja) | 表示装置 | |
US8368055B2 (en) | Display device including organic light-emitting transistor and a fluorecent pattern and method of fabricating the display device | |
KR20150004319A (ko) | 유기 전계 발광 장치 및 유기 전계 발광 장치의 제조 방법 및 전자 기기 | |
KR101374891B1 (ko) | 표시장치 | |
US10868093B2 (en) | Light emitting diode display | |
JP2020517040A (ja) | 積層有機発光装置、有機発光ダイオード表示装置、及び積層有機発光装置の製造方法 | |
KR100974479B1 (ko) | 유기 발광 장치 | |
US11276835B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device | |
US10868094B2 (en) | Display device | |
JP2018101761A (ja) | 表示装置 | |
US8035296B2 (en) | Organic light-emitting apparatus with resin layer extending from light-emitting section over wiring lines | |
WO2019155814A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2011024346A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および有機エレクトロルミネッセンス照明装置 | |
JP2003217834A (ja) | 自己発光表示装置及びその製造方法 |