CN104934519B - 一种有机发光二极管的封装方法及显示装置 - Google Patents

一种有机发光二极管的封装方法及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种有机发光二极管的封装方法：提供一封装基板；在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置；在所述位置上粘贴所述玻璃布胶带；将有机发光二极管基板与所述封装基板贴合；融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。本发明能避免焊接缝隙的出现，使外部气体无法进入封装体内部，能有效阻止水汽、氧气进入封装体内部，提高了OLED的器件寿命。

Description

一种有机发光二极管的封装方法及显示装置
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种有机发光二极管的封装方法及显示装置。
【背景技术】
在显示技术领域，平板显示技术(如LCD、OLED)已经逐步取代CRT显示器。平面光源技术是新型的光源，其技术研发已经接近市场化量产水平。在平板显示与平面光源技术当中，对于两片平板玻璃的粘结、焊接是一项很重要的技术，其封止效果将直接影响器件的性能。
LCD/OLED采用紫外光(UV)固化技术来进行封装，其具有如下特点：不用溶剂或少量溶剂，减少了溶剂对环境的污染；耗能少，可低温固化，适用于对热敏感的材料；固化速度快，效率高，可在高速生产线上使用，固化设备占地面积小等。但是，由于UV胶是有机材料，其固化后分子间隙较大，水汽与氧气比较容易透过介质抵达内部密封区域。所以，其比较适合用于对水汽、氧气不太敏感的应用领域，比如LCD。然而，对于水汽、氧气敏感的OLED则不适合。
Frit封装技术是目前正在研发的新型平板玻璃封止技术，它是将玻璃粉配成一定粘度的溶液，涂覆在封装玻璃上，加热除去溶剂，然后与待封装玻璃贴合，利用激光(laser)将frit玻璃粉瞬间烧至融化，从而将两片平板玻璃粘结在一起。Frit技术由于是无机封装介质，所以其阻止水汽与氧气的能力很强。特别适合对水汽、氧气敏感的OLED技术。然而，采用Frit封装技术需要涂胶及加热除去溶剂的工艺，且对这二项工艺要求都很高，因此实现起来不容易。
故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有机发光二极管的封装方法及显示装置，旨在解决现有技术中存在的采用Frit封装技术需要涂胶及加热除去溶剂的工艺，且对这二项工艺要求都很高，因此实现起来不容易的问题。
为解决上述问题，本发明的技术方案如下：
一种有机发光二极管的封装方法，所述方法包括：
提供一封装基板；
在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置；
在所述位置上粘贴所述玻璃布胶带；
将有机发光二极管基板与所述封装基板贴合；
融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
优选的，在所述有机发光二极管的封装方法中，在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置的步骤之后，包括：
在所述位置上开设一凹槽；
在所述位置上粘贴所述玻璃布胶带的步骤，包括：
将所述玻璃布胶带粘贴在所述凹槽中。
优选的，在所述有机发光二极管的封装方法中，所述融化所述玻璃布胶带的步骤，包括：
通过激光融化所述玻璃布胶带。
优选的，在所述有机发光二极管的封装方法中，所述通过激光融化所述玻璃布胶带的步骤，包括：
使用二氧化碳激光器，波长范围800nm～1200nm，调整焦距与焦斑大小及激光能量强度，使所述焦斑落在所述玻璃布胶带上，沿着所述玻璃布胶带移动所述二氧化碳激光器的所述焦斑，使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
一种显示装置，所述显示装置包括：
一有机发光二极管基板、一封装基板、设置于所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间的有机发光二极管，以及玻璃布胶带，所述玻璃布胶带位于所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间，且位于所述有机发光二极管的四周。
优选的，在所述的显示装置中，在所述封装基板或所述有机发光二极管基板上开设有凹槽，所述玻璃布胶带设置于所述凹槽中。
优选的，在所述的显示装置中，所述玻璃布胶带的熔点低于900℃。
优选的，在所述的显示装置中，所述玻璃布胶带的厚度在3微米～50微米。
优选的，在所述的显示装置中，所述玻璃布胶带的宽度在200微米～2000微米。
优选的，在所述的显示装置中，所述玻璃布胶带的材质与所述有机发光二极管基板和/或所述封装基板的材质相同。
相对现有技术，本发明通过将玻璃布胶带粘贴在封装基板，利用激光焊接，将有机发光二极管基板与封装基板贴合在一起，以使有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。由于玻璃布胶带具有平整性，因此可以使得有机发光二极管基板与封装基板充分接触，避免焊接缝隙的出现，使外部气体无法进入封装体内部，能有效阻止水汽、氧气进入封装体内部，提高了OLED的器件寿命。另外，玻璃布胶带易于从市场上获得，且价格便宜，因此可以有效降低OLED的焊接成本。再者，采用玻璃布胶带焊接，可以省去frit涂胶工序及frit加热烘干工序，且其水汽、氧气封止效果显著提高，实现简单。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
【附图说明】
图1为本发明实施例一提供的有机发光二极管的封装方法的实现流程示意图。
图2为本发明实施例二提供的有机发光二极管的封装方法的实现流程示意图。
图3为本发明实施例三提供的显示装置的结构示意图。
图4为本发明实施例提供的封装基板上粘贴玻璃布胶带的结构示意图。
图5为本发明实施例四提供的显示装置的结构示意图。
【具体实施方式】
本说明书所使用的词语“实施例”意指用作实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为意指“一个或多个”，除非另外指定或从上下文清楚导向单数形式。
在本发明中，通过采用玻璃布胶带将有机发光二极管基板与封装基板贴合在一起，以使有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。因此，采用本发明提供的有机发光二极管的封装方法，可以省去frit涂胶工序及frit加热烘干工序。
为了说明本发明所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。
实施例一
请参阅图1，为本发明实施例一提供的有机发光二极管的封装方法的实现流程，其主要包括以下步骤：
在步骤S101中，提供一封装基板；
在步骤S102中，在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置；
在步骤S103中，在所述位置上粘贴所述玻璃布胶带；
在步骤S104中，将有机发光二极管基板与所述封装基板贴合；
在本发明实施例中，事先将有机发光二极管放置于所述有机发光二极管基板上方；在真空条件下，将放置有所述有机发光二极管的有机发光二极管基板与所述封装基板贴合，以使所述有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。
在步骤S105中，融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
在本发明实施例中，通过激光融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起，使得焊接区域内部与外部隔绝，从而阻止水汽、氧气从外部进入密封区域内部，具体实现如下：
使用二氧化碳激光器或者是其他合适的激光器，波长范围800nm～1200nm，调整焦距与焦斑大小及激光能量强度，使所述焦斑刚好落在所述玻璃布胶带上，沿着所述玻璃布胶带移动所述二氧化碳激光器的所述焦斑，使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
作为本发明一优选实施例，所述玻璃布胶带的熔点低于900℃。所述玻璃布胶带的厚度在3微米～50微米，优选为3.8微米～50微米。所述玻璃布胶带的宽度在200微米～2000微米。所述玻璃布胶带的材质与所述有机发光二极管基板和所述封装基板的材质相同。所述玻璃布胶带的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K。
由上可知，本实施例通过将玻璃布胶带粘贴在封装基板，利用激光焊接，将有机发光二极管基板与封装基板贴合在一起，以使有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。由于玻璃布胶带具有平整性，因此可以使得有机发光二极管基板与封装基板充分接触，避免焊接缝隙的出现，使外部气体无法进入封装体内部，能有效阻止水汽、氧气进入封装体内部，提高了OLED的器件寿命。另外，玻璃布胶带易于从市场上获得，且价格便宜，因此可以有效降低OLED的焊接成本。再者，采用玻璃布胶带焊接，与UV胶封装相比，可以省去frit涂胶工序及frit加热烘干工序，且其水汽、氧气封止效果显著提高，实现简单。
实施例二
请参阅图2，为本发明实施例二提供的有机发光二极管的封装方法的实现流程，其主要包括以下步骤：
在步骤S201中，提供一封装基板；
在步骤S202中，在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置；
在步骤S203中，在所述位置上开设一凹槽；
在步骤S204中，将所述玻璃布胶带粘贴在所述凹槽中；
在步骤S205中，将有机发光二极管基板与所述封装基板贴合；
在本发明实施例中，事先将有机发光二极管放置于所述有机发光二极管基板上方；在真空条件下，将放置有所述有机发光二极管的有机发光二极管基板与所述封装基板贴合，以使所述有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。
在步骤S206中，融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
作为本发明一优选实施例，所述凹槽的宽度大于所述玻璃布胶带的宽度；所述凹槽的高度小于所述玻璃布胶带的厚度。采用这样的设计，能够控制所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间的间隙。
在本发明实施例中，通过激光融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起，使得焊接区域内部与外部隔绝，从而阻止水汽、氧气从外部进入密封区域内部，具体实现如下：
使用二氧化碳激光器或者是其他合适的激光器，波长范围800nm～1200nm，调整焦距与焦斑大小及激光能量强度，使所述焦斑刚好落在所述玻璃布胶带上，沿着所述玻璃布胶带移动所述二氧化碳激光器的所述焦斑，使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
作为本发明一优选实施例，所述玻璃布胶带的熔点低于900℃。所述玻璃布胶带的厚度同样优选在3.8微米～50微米。所述玻璃布胶带的宽度在200微米～2000微米。所述玻璃布胶带的材质与所述有机发光二极管基板和所述封装基板的材质相同。所述玻璃布胶带的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K。
实施例三
请一并参阅图3及图4，图3为本发明实施例三提供的显示装置的结构示意图，图4为本发明实施例提供的封装基板上粘贴玻璃布胶带的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
所述显示装置包括：一有机发光二极管基板10、一封装基板20、设置于所述有机发光二极管基板10与所述封装基板20之间的有机发光二极管30，以及玻璃布胶带40，所述玻璃布胶带40位于所述有机发光二极管基板10与所述封装基板20之间，且位于所述有机发光二极管30的四周。
作为本发明一优选实施例，所述玻璃布胶带40的熔点低于900℃。所述玻璃布胶带40的厚度在3微米～50微米，优选3.8微米～50微米。所述玻璃布胶带40的宽度在200微米～2000微米。所述玻璃布胶带40的材质与所述有机发光二极管基板10和所述封装基板20的材质相同。所述玻璃布胶带40的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K。
实施例四
请参阅图5，图5为本发明实施例四提供的显示装置的结构示意图。为了便于说明，仅示出了与本发明实施例相关的部分。
所述显示装置包括：一有机发光二极管基板10、一封装基板20、设置于所述有机发光二极管基板10与所述封装基板20之间的有机发光二极管30，以及玻璃布胶带40，所述玻璃布胶带40位于所述有机发光二极管基板10与所述封装基板20之间，且位于所述有机发光二极管30的四周。其中，在所述封装基板20上开设一凹槽50，所述玻璃布胶带40设置于所述凹槽50中。然而，可以理解的是，也可以在所述有机发光二极管基板10上开设一凹槽，所述玻璃布胶带40设置于所述凹槽中。
在本发明实施例中，所述凹槽50的形状可根据实际要求进行设计，只要能将所述有机发光二极管30围合密封在内的形状都可以。
作为本发明一优选实施例，所述凹槽的宽度大于所述玻璃布胶带的宽度；所述凹槽的高度小于所述玻璃布胶带的厚度。采用这样的设计，能够控制所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间的间隙。
作为本发明一优选实施例，所述玻璃布胶带40的熔点低于900℃。所述玻璃布胶带40的厚度在3.8微米～50微米。所述玻璃布胶带40的宽度在200微米～2000微米。所述玻璃布胶带40的材质与所述有机发光二极管基板10和所述封装基板20的材质相同。所述玻璃布胶带40的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K。
综上所述，本发明实施例通过将玻璃布胶带粘贴在封装基板，利用激光焊接，将有机发光二极管基板与封装基板贴合在一起，以使有机发光二极管密封在所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间。由于玻璃布胶带具有平整性，因此可以使得有机发光二极管基板与封装基板充分接触，避免焊接缝隙的出现，使外部气体无法进入封装体内部，能有效阻止水汽、氧气进入封装体内部，提高了OLED的器件寿命。另外，玻璃布胶带易于从市场上获得，且价格便宜，因此可以有效降低OLED的焊接成本。再者，采用玻璃布胶带焊接，与UV胶封装相比，可以省去frit涂胶工序及frit加热烘干工序，且其水汽、氧气封止效果显著提高，实现简单。
尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (3)

1.一种有机发光二极管的封装方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一封装基板；
在所述封装基板上划分粘贴玻璃布胶带的位置；
在所述位置上开设一凹槽；其中，所述凹槽的宽度大于所述玻璃布胶带的宽度；所述凹槽的高度小于所述玻璃布胶带的厚度；
将所述玻璃布胶带粘贴在所述凹槽中；
将有机发光二极管基板与所述封装基板贴合；所述有机发光二极管基板上方放置有有机发光二极管；
通过激光融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起；
其中，所述玻璃布胶带的材质与所述有机发光二极管基板和所述封装基板的材质相同；
其中，所述玻璃布胶带的熔点低于900℃，所述玻璃布胶带的厚度在3微米～50微米，所述玻璃布胶带的宽度在200微米～2000微米，所述玻璃布胶带的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K，所述玻璃布胶带具有平整性。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管的封装方法，其特征在于，所述通过激光融化所述玻璃布胶带的步骤，包括：
使用二氧化碳激光器，波长范围800nm～1200nm，调整焦距与焦斑大小及激光能量强度，使所述焦斑落在所述玻璃布胶带上，沿着所述玻璃布胶带移动所述二氧化碳激光器的所述焦斑，使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起。
3.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
一有机发光二极管基板、一封装基板、设置于所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间的有机发光二极管，以及玻璃布胶带，所述玻璃布胶带位于所述有机发光二极管基板与所述封装基板之间，且位于所述有机发光二极管的四周；其中，所述玻璃布胶带的材质与所述有机发光二极管基板和所述封装基板的材质相同；所述玻璃布胶带的熔点低于900℃，所述玻璃布胶带的厚度在3微米～50微米，所述玻璃布胶带的宽度在200微米～2000微米，所述玻璃布胶带的热膨胀系数在3.0～6.0，单位10-6m/K；通过激光融化所述玻璃布胶带，以使所述有机发光二极管基板与所述封装基板焊接在一起；在所述封装基板或所述有机发光二极管基板上开设有凹槽，所述玻璃布胶带设置于所述凹槽中；其中，所述凹槽的宽度大于所述玻璃布胶带的宽度；所述凹槽的高度小于所述玻璃布胶带的厚度；所述玻璃布胶带具有平整性。
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