CN115117277A - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括依次设置的衬底基板、驱动线路层、平坦层、取光介质层和发光器件层。其中,取光介质层主要用于破坏光线由发光器件层向取光介质层入射时的全反射条件,减少因全反射造成的显示面板的侧面漏光,从而增加从显示面板的正面出射的光线,提高光线的利用率,提高显示面板的显示亮度。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)通过在外加电压作用下,电子和空穴分别从阴极方向和阳极方向注入,然后迁移并在发光层中相遇复合产生激子,激子的能量以光的形式衰减而辐射出光。在显示装置中设置多个像素化排列的有机电致发光器件即可以进行图像显示。
OLED显示装置相较于目前主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD),具有自发光、视角宽、对比度高、反应时间快、面板厚度薄、柔性显示等优势,具有广阔的应用前景。
目前OLED显示面板中,由激子辐射的光在OLED各膜层中传播后大概只有20%~25%的光线透过OLED进入空气中被人眼所看到,约75%~80%的能量在传播中损失,无法得到有效的利用。
发明内容
本发明提供一种显示面板及显示装置,用以改善显示面板光线利用率低的问题。
本发明的第一方面,提供了一种显示面板,包括:
衬底基板;
驱动线路层,位于衬底基板之上;
平坦层,位于驱动线路层背离衬底基板的一侧;
取光介质层,位于平坦层背离驱动线路层的一侧;
发光器件层,位于取光介质层背离平坦层的一侧;发光器件层与驱动电路层通过取光介质层和平坦层中的通孔电连接;
其中,取光介质层用于破坏光线由发光器件层向取光介质层入射时的全反射条件。
在本发明提供的显示面板中,取光介质层面向发光器件层的表面具有多个凹陷结构。
在本发明提供的显示面板中,发光器件层包括:第一电极层,位于取光介质层背离平坦层的表面;第一电极层包括多个阵列排布的第一电极;第一电极与驱动线路层电连接;
像素定义层,位于第一电极层背离取光介质层的一侧;像素定义层包括多个暴露第一电极的开口;开口与第一电极一一对应;
发光层,位于开口内第一电极层背离取光介质层的一侧;
第二电极层,位于发光层背离第一电极层的一侧;
取光介质层包括多个取光区域,凹陷结构位于取光区域内,一个取光区域内设置多个凹陷结构;一个取光区域对应一个第一电极,第一电极在衬底基板的正投影位于对应的取光区域在衬底基板的正投影之内。
在本发明提供的显示面板中,凹陷结构为凹坑结构;或者,凹陷结构为凹陷条状结构。
在本发明提供的显示面板中,取光介质层的折射率小于第一电极层的折射率。
在本发明提供的显示面板中,取光介质层采用无机绝缘性材料。
在本发明提供的显示面板中,取光介质层包括透明基质和分散在透明基质中的散射粒子;透明基质的折射率与散射粒子的折射率不相等。
在本发明提供的显示面板中,基质采用有机绝缘性材料。
在本发明提供的显示面板中,第一电极层为透明电极层,第二电极层为反射电极层。
本发明的第二方面,提供一种显示装置,包括上述任一项所述的显示面板。
本发明有益效果如下:
本发明提供了一种显示面板及显示装置,包括依次设置的衬底基板、驱动线路层、平坦层、取光介质层和发光器件层。其中,取光介质层主要用于破坏光线由发光器件层向取光介质层入射时的全反射条件,减少因全反射造成的显示面板的侧面漏光,从而增加从显示面板的正面出射的光线,提高光线的利用率,提高显示面板的显示亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所介绍的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为光线在OLED显示面板中的传播示意图;
图2为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一;
图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二;
图4为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三;
图5为本发明实施例提供的取光介质层的俯视图之一;
图6为本发明实施例提供的取光介质层的俯视图之二;
图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之四;
图8为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之五。
其中,S-基板,I-透明阳极,E-发光层,M-阴极,B-阻挡层,100-衬底基板,200-驱动线路层,300-平坦层,400-取光介质层,500-发光器件层,H-凹陷结构,510-第一电极层,520-像素定义层,530-发光层,540-第二电极层,510A-第一电极,K-开口,S-取光区域,600-封装层,410-介质层,701-第一有机膜层,702-第一无机膜层,703-第二有机膜层,704-第二无机膜层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。然而,示例实施方式能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的实施方式;相反,提供这些实施方式使得本发明更全面和完整,并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构,因而将省略对它们的重复描述。本发明中所描述的表达位置与方向的词,均是以附图为例进行的说明,但根据需要也可以做出改变,所做改变均包含在本发明保护范围内。本发明的附图仅用于示意相对位置关系不代表真实比例。
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode,简称OLED)通过在外加电压作用下,电子和空穴分别从阴极方向和阳极方向注入,然后迁移并在发光层中相遇复合产生激子,激子的能量以光的形式衰减而辐射出光。在显示装置中设置多个像素化排列的有机电致发光器件即可以进行图像显示。
OLED显示装置相较于目前主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD),具有自发光、视角宽、对比度高、反应时间快、面板厚度薄、柔性显示等优势,具有广阔的应用前景。
但是目前OLED显示面板存在光线利用率低的问题。
图1为光线在OLED显示面板中的传播示意图。
以底部发光的OLED为例,如图1所示,激子在发光层E辐射出光后,传输到透明阳极I再通过基板S发射出来,光线从发光层E出射后,在传播过程中存在三种形式的损耗。
其中第一种模式为在OLED显示面板的基板表面与空气界面处发生的基板模式(Substrate Mode)的损耗。如图1所示,光线L2入射到基板S与空气接触的界面时,由于基板S的折射率大于空气的折射率,当光线L2入射的入射角大于光线在基板S与空气接触的界面发生全反射的临界角时,光线L2将被向OLED显示面板的内部反射,而无法透过基板S进入到空气之中。
第二种模式为光线在各膜层发生全内反射传播的波导模式(Waveguide Mode)的损耗。OLED中透明阳极I的材料通常具有较高的折射率,当透明阳极I的折射率大于其两侧与之相邻设置的膜层的折射率时构成波导结构,入射到透明阳极I中的光线L4在透明阳极I内部传导而无法从显示面板的正面出射。或者当透明阳极I的折射率大于阻挡层B的折射率小于发光层E的折射率时,如图1所示,满足全反射条件的光线L5在透明阳极I与基板S接触的界面发生全发射后入射到阴极M表面再次发生反射从而无法进入基板S从而得到有效的利用。
第三种模式为光线入射到金属电极的表面发生的等离子体模式(SurfacePlasmon Mode)的损耗。如图1所示,激子在发光层E辐射发光后,部分光线L6入射到阴极M的表面,OLED的阴极通常采用金属材料制作,光线L6从发光层入射到金属表面时,光子与金属表面自由振动的电子发生作用而产生沿着金属表面传播的电子疏密波,光子的能量被束缚在金属表面而在金属表面横向传播。
在上述三种模式损耗的共同作用下,大部分光线被束缚在OLED显示面板的内部或者向OLED显示面板的侧向传播形成漏光而造成损耗。只有小部分小角度出射光线L1经过基板S折射后出射到空气中被人眼所看到,这部分光线仅为总的光线的20%~25%。而在损耗的光线中,约50%~60%损耗由光波导模式和表面等离子体模式造成。
有鉴于此,本发明提供一种显示面板,可以改善上述问题。
图2为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之一。
在本发明实施例中,如图2所示,显示面板包括:衬底基板100、驱动线路层200、平坦层300、取光介质层400和发光器件层500。
衬底基板100位于显示面板的底部,具有承载和保护的作用。衬底基板100的形状适应于显示面板的形状,具体实施时衬底基板100的形状可以为方形或者矩形,在应用于异形显示时,衬底基板100的形状也可以是圆形等其它形状,在此不做限定。
具体实施时,衬底基板100可以采用适用于显示面板具体结构的任何适当的材料进行制作。例如,当显示面板采用底部发光方式(即光线从衬底基板100的一侧出光)进行图像显示时,衬底基板100可以采用透明材料进行制作,其材料包括玻璃、树脂等;当显示面板采用顶部发光方式(即光线从发光器件层500的一侧出光)进行图像显示时,衬底基板100可以采用非透明材料进行制作,其材料包括金属等。当显示面板应用于刚性显示时,衬底基板100可以采用刚性材料进行制作,其材料包括玻璃等;当显示面板应用于柔性显示时,衬底基板100可以采用柔性材料进行制作,其材料包括柔性树脂等,在此不做限定。
驱动线路层200位于衬底基板100之上,用于提供驱动信号。在一些实施例中,驱动线路层200中包括通过阵列工艺制作的多个信号线路的走线和多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT)结构,发光器件层500中的一个发光器件与由多个TFT结构构成的像素电路电连接,从而实现有源驱动。在一些实施例中,显示面板也可以采用无源方式进行驱动,在此不做限定。
平坦层300位于驱动线路层200背离衬底基板100的一侧,用于驱动线路层200的绝缘和保护,并使驱动线路层200的表面平坦化,以便于后续制作取光介质层400。具体实施时,平坦层300可以通过薄膜工艺形成于驱动线路层200的表面,其材料可以选用无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等,在此不做限定。
取光介质层400位于平坦层300背离驱动线路层200的一侧,取光介质层400用于破坏光线由发光器件层500向取光介质层400入射时的全反射条件。
发光器件层500位于取光介质层400背离平坦层300的一侧。具体实施时,平坦层300和取光介质层400中包括多个通孔,发光器件层500与驱动线路层200通过通孔电连接。发光器件层500中包括多个阵列排布的发光器件,一个发光器件作为一个子像素,每个发光器件可以在驱动线路层200提供的驱动信号的驱动下进行独立的发光,多个发光器件可以发射出不同灰度的光线从而实现图像显示。在一些实施例中,发光器件层500包括多个可以发射不同颜色光线的发光器件,实现彩色显示。
本发明实施例中,取光介质层400的加入使得相邻两个膜层之间的折射率的差距减小,从而可以增大光线发生全反射的临界角度,可以破坏光线由发光器件层500向取光介质层400入射时的全反射条件,抑制全反射的发生。克服部分光线由于波导结构只能在发光层的内部向两侧传导,而无法从显示面板的正面出射的问题,使更多的光线从显示面板的正面出射,从而提高了光线的利用率,提高显示面板的显示亮度。
图3为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之二。
一些实施例中,如图3所示,取光介质层400面向发光器件层500的表面具有多个凹陷结构H,凹陷结构H可以破坏光线入射取光介质层400时的全反射条件。其中,垂直于取光介质层400入射或者以小角度入射取光介质层400的光线可以经过取光介质层400折射后向衬底基板100的一侧传播,以大角度入射取光介质层400的部分光线入射至凹陷结构H,并经过凹陷结构H多次反射破坏全反射条件,从而使更多的光线经过取光介质层400的折射后向衬底基板100的一侧传播。
图4为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之三。
一些实施例中,发光器件层500中包括多个阵列排布的发光器件,具体实施时,发光器件可以为OLED器件。如图4所示,发光器件层500包括:第一电极层510、像素定义层520、发光层530和第二电极层540。
第一电极层510位于取光介质层400背离平坦层300的一侧。第一电极层510包括多个阵列排布的第一电极510A,一个第一电极510A与一个发光器件相对应,第一电极510A与驱动线路层200中的多个TFT结构201形成的像素电路电连接。
具体实施时,第一电极510A可以是阳极,阳极的材料可以是其导电性能足以将空穴传输到发光层的任何适当的材料。具体实施时,阳极的材料包括导电的金属氧化物,如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化锌铝(AlZnO)等,以及金属。在底部发光的显示面板中,阳极的材料可以选择透明的材料,如氧化铟锡(ITO),以确保光线的透过率;在顶部发光的显示面板中,阳极可以采用反射电极,以向顶部反射更多的光线,在此不做限定。
像素定义层520位于第一电极层510背离取光介质层400的一侧。像素定义层520包括多个暴露第一电极510A的开口K。开口K与第一电极510A一一对应。像素定义层520的材料可以选用无机绝缘氧化物或者绝缘性质的化合物如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝等,制作时先在取光介质层400和第一电极层510的表面沉积一层像素定义层520的薄膜,然后通过刻蚀等方式暴露出第一开口K,最终形成像素定义层520的图形。
发光层530位于开口K内第一电极层510背离取光介质层400的一侧。发光层530通过蒸镀等方式进行制作。在具体实施时,可以在第一开口K之中依次蒸镀适当的有机材料形成空穴注入层、空穴传输层、发光层530、电子传输层、电子注入层等结构,其中空穴注入层、空穴传输层用于提高空穴的注入和传输效率,并阻挡电子的传输,电子传输层、电子注入层用于提高电子的注入和传输效率,并阻挡空穴的传输。
第二电极层540位于发光层530背离第一电极层510的一侧。第二电极层540、第一电极层510以及一个开口K中的发光层530一起形成发光器件。在一些实施例中,显示面板通过第一电极510A连接的多个TFT结构201形成的像素电路驱动对应的发光器件进行图像显示,因而多个发光器件可以共用第二电极层540,实际实施过程中可以使第二电极层540覆盖像素定义层520和发光层530背离取光介质层400的表面。
具体实施时,第二电极540层可以是阴极,阴极的材料可以时任何适当的材料或者材料的组合,以使得阴极可以传导电子并注入到发光层530中。具体实施时,阴极的材料包括导电的金属氧化物、金属及其中至少两种材料的混合物,如Mg:Ag等。在底部发光的显示面板中,阴极的材料可以选择反射性的材料,以向底部反射更多的光线;在顶部发光的显示面板中,阴极的材料可以选择透明材料,在此不做限定。
在一些实施例中,如图4所示,在第二电极层540背离发光层530的一侧还包括封装层600。封装层600用于隔绝外界的水氧,对发光器件层中的有机膜层具有保护的作用。具体实施时,封装层600可以是玻璃盖板,通过黏着胶粘接以对发光器件进行封装。或者,封装层600也可以为多个有机膜层和多个无机膜层交错层叠的多层膜结构,该多层膜结构可以应用于柔性显示面板中,其中有机膜层用于降低衬底基板100弯曲时的内应力,无机膜层用于阻隔外界的水氧,具体实施时,有机材料可以选用柔性树脂材料,无机材料可以选用具有较低水汽透过率的材料,如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等,在此不做限定。
在一些实施例中,如图4所示,衬底基板100与驱动电路层200之间可以还可以具有多个膜层结构。举例来说,多个膜层结构可以为多个有机膜层和多个无机膜层交错层叠的多层膜结构。具体实施时,如图4所示,多层膜结构可以为第一有机膜层701、第一无机膜层702、第二有机膜层703、第二无机膜层704依次胶交替设置的4层膜结构,该多层膜结构可以应用于柔性显示面板中,其中有机膜层用于降低衬底基板100弯曲时的内应力,无机膜层用于阻隔外界的水氧,具体实施时,有机材料可以选用柔性材料,如聚酰亚胺(Polyimide,简称PI)或者聚对本二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,简称PET)等,无机材料可以选用具有较低水汽透过率的材料,如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛等,在此不做限定。实际实施过程中,多层膜结构的膜层数量可以根据需求进行设置,在此不做限定。
如图4所示,取光介质层400包括多个取光区域S,凹陷结构位于取光区域S内,一个取光区域S内设置多个凹陷结构;一个取光区域S对应一个第一电极510A,第一电极510A在衬底基板100的正投影位于对应的取光区域S在衬底基板100的正投影之内,可以确保取光区域可以接收发光器件向取光介质层400入射的所有光线。
在一些实施例中,第一电极510A为透明电极,第二电极层540为反射电极层,从而使显示面板构成底部发光的显示面板。取光介质层400的取光区域S与发光器件一一对应,因而任一发光器件向取光介质层出射的光线,可以经过取光区域S内的凹陷结构破坏全反射条件,减少光波导模式造成的光线损耗,从而使更多的光线向衬底基板100的方向出射,提高显示面板的光线利用率。并且在显示面板制作过程中,由于从下往上依次制作取光介质层400、第一电极层510、像素定义层520、发光层530以及第二电极层540,因发光器件中的功能膜层和发光层厚度比较薄,因而在取光区域S上制作好凹陷结构之后,在取光介质层400之上的每个膜层均与取光区域S具有相同的表面结构,从而使得第二电极层540与取光区域S对应的区域也具有对应的凹陷结构。反射电极通常采用金属材料进行制作,第二电极层540上的凹陷结构可以减少光线入射金属电极时产生的等离子体模式的光线损耗,使更多的光线从显示面板的出光面出射出来,从而进一步提高了显示面板的出光效率。
在一些实施例中,第一电极510A为反射电极,第二电极层540为透明电极层,从而使显示面板为顶部发光的显示面板。顶部发光的显示面板的结构与底部发光的显示面板的结构基本相同,在显示过程中光线从第二电极层540的一侧进行出光。具体实施时,第二电极层540通常采用金属材料,取光介质层400的设置可以使得第二电极层540与发光器件对应的区域具有多个凹陷结构,从而可以减少光线入射第二电极层540时产生的等离子体模式的光线损耗,使更多的光线从显示面板的出光面出射出来,从而进一步提高了显示面板的出光效率。
图5为本发明实施例提供的取光介质层的俯视图之一;图6为本发明实施例提供的取光介质层的俯视图之二。
在一些实施例中,如图5所示,取光区域S中的凹陷结构为凹陷条状结构,凹陷条状结构沿第一电极的行方向排列,沿第一电极的列方向延伸,或者凹陷条状结构沿第一电极排列的列方向排列,沿第一电极排列的行方向延伸。
在一些实施例中,如图6所示,凹陷结构为凹坑结构,凹坑结构在取光区域S内沿第一电极排列的行方向和列方向呈阵列排布。取光区域S内单个凹坑结构的横截面面积越小,则相同面积的取光区域S内凹坑结构数量越多,凹坑结构破坏光线全反射和减少等离子体模式的能量损失的效果越好,但是,单个凹坑结构的横截面面积不应过小,凹坑结构的横截面面积过小,则取光区域S的表面趋于光滑平坦的表面,反而降低了取光效果。具体实施时,凹坑结构的横截面面积小于或等于1μm2时,可以获得较好的取光效果。
实际实施过程中,凹陷结构也可以为其他形状和排布方式,在此不做限定。
在一些实施例中,取光介质层400的折射率小于第一电极层510的折射率。取光介质层400的折射率与平坦层300的折射率相较于第一电极层510的折射率与平坦层300的折射率更为接近,使第一电极层510与平坦层300之间的折射率过渡更加平滑,因而光线破坏全反射条件经过取光介质层400向平坦层300入射时,可以减小光线在取光介质层400与平坦层300接触的表面发生全反射的概率,进一步提高出光效率。
在具体制作时,取光介质层400可以选用无机绝缘性材料。具体地可以通过薄膜工艺在平坦层300背离驱动线路层200的一侧先沉积一层取光介质层400的膜层,然后通过刻蚀工艺制作取光区域S的凹陷结构,在此不做限定。
图7为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之四。
在一些实施例中,如图7所示,显示装置还包括介质层410。由于第一电极层510、发光层530和第二电极层540的膜层厚度很薄,取光介质层400的取光区域S内的凹凸不平的结构可能造成第一电极层510、发光层530和第二电极层540镀膜时成膜不均匀,第一电极层510与第二电极层540直接接触而造成短路。具体实施时,在取光介质层400和第一电极层510之间设置介质层410,用于使取光介质层400的表面平坦化,从而在制作第一电极层510、发光层530和第二电极层540的过程中使各膜层分布更加均匀,避免造成短路。介质层410的材料可以选用无机绝缘材料,介质层410的折射率可以介于第一电极层510和取光介质层400之间,使第一电极层510和取光介质层400之间的折射率过度平滑,增大光线发生全反射的临界角度,从而提高光线从显示面板正面出光的效率。介质层410可以通过旋涂、沉积、蒸镀等方式形成于取光介质层400背离平坦层300的表面上。具体实施时,如图7所示,介质层410可以覆盖取光介质层400的整个表面,或者介质层410也可以仅在第一电极510A对应的区域设置,在此不做限定。
图8为本发明实施例提供的显示面板的截面结构示意图之五。
在一些实施例中,如图8所示,取光介质层400包括透明基质和分散在透明基质中的散射粒子。其中,透明基质的折射率与散射粒子的折射率不相等。散射粒子的折射率与透明基质的折射率不相等,从而光线从透明基质中入射至散射粒子时反生随机的折射和反射,通过散射粒子反复地折射和反射,改变光线入射至取光介质层400的传播路径,从而可以破坏光线的全反射条件,使更多的光线穿过取光介质层400向衬底基板100的一侧传播。
取光介质层400还起到一定的调节折射率的作用,使得相邻两个膜层之间的折射率的差距减小,从而可以增大光线发生全反射的临界角度,抑制全反射的发生,提高了显示面板正面出光的亮度,提高了光线的利用率。
在一些实施例中,透明基质可以选用绝缘性有机材料,混合散射粒子形成于平坦层300背离驱动线路层200的表面上,在此不做限定。
本发明实施例的第二方面,提供一种显示装置。该显示装置包括上述任一实施例中的显示面板。具体实施时,显示装置可以是使用了上述任一实施例中的显示面板的智能手机、电视、平板显示器、计算机监视器、广告牌、透明显示器、剧场屏幕等,在此不做限定。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
驱动线路层,位于所述衬底基板之上;
平坦层,位于所述驱动线路层背离所述衬底基板的一侧;
取光介质层,位于所述平坦层背离所述驱动线路层的一侧;
发光器件层,位于所述取光介质层背离所述平坦层的一侧;所述发光器件层与所述驱动电路层通过所述取光介质层和所述平坦层中的通孔电连接;
其中,所述取光介质层用于破坏光线由所述发光器件层向所述取光介质层入射时的全反射条件。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述取光介质层面向所述发光器件层的表面具有多个凹陷结构。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述发光器件层包括:
第一电极层,位于所述取光介质层背离所述平坦层的表面;所述第一电极层包括多个阵列排布的第一电极;所述第一电极与所述驱动线路层电连接;
像素定义层,位于所述第一电极层背离所述取光介质层的一侧;所述像素定义层包括多个暴露所述第一电极的开口;所述开口与所述第一电极一一对应;
发光层,位于所述开口内所述第一电极层背离所述取光介质层的一侧;
第二电极层,位于所述发光层背离所述第一电极层的一侧;
所述取光介质层包括多个取光区域,所述凹陷结构位于所述取光区域内,一个所述取光区域内设置多个所述凹陷结构;一个所述取光区域对应一个所述第一电极,所述第一电极在所述衬底基板的正投影位于对应的所述取光区域在所述衬底基板的正投影之内。
4.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述凹陷结构为凹坑结构;或者,所述凹陷结构为凹陷条状结构。
5.如权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述取光介质层的折射率小于所述第一电极层的折射率。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述取光介质层采用无机绝缘性材料。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述取光介质层包括透明基质和分散在所述透明基质中的散射粒子;
所述透明基质的折射率与所述散射粒子的折射率不相等。
8.如权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述透明基质采用有机绝缘性材料。
9.如权利要求3~8任一项所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层为透明电极层,所述第二电极层为反射电极层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~9任一项所述的显示面板。
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CN202210756200.4A CN115117277A (zh) | 2022-06-29 | 2022-06-29 | 一种显示面板及显示装置 |
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