CN107180845B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；发光二极管(“LED”)，设置在基底上方；像素限定层，设置在基底上方并且包括限定设置有LED的空间的凹入部分；光引导部，设置在所述空间中并且位于LED与凹入部分的第一内侧表面之间；光阻挡部，设置在像素限定层上方以覆盖LED的顶部。LED设置为与凹入部分的与第一内侧表面相对的第二内侧表面相邻，并且与凹入部分的中心分隔开，光引导部将从LED发射的光引导至与凹入部分的第一内侧表面相邻的区域。

Description

显示装置
本申请要求于2016年3月10日提交的第10-2016-0029110号韩国专利申请的优先权和来自于其的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括发光二极管(“LED”)的显示装置。
背景技术
发光二极管(“LED”)是通过利用化合物半导体的特性来将电信号转换成诸如红外光或可见光的光形式的器件，并且广泛用于家用电器、远程控制器、电子显示板和各种自动设备。LED的应用领域正在逐渐增加；例如，LED用于从小型手持电子设备到大型显示装置的电子设备的广泛领域。然而，包括作为点光源的LED的显示装置会由于在同一发光区域中的靠近LED的区域和与LED分隔开的区域之间的可见度差异而具有低的显示品质。
发明内容
一个或更多个实施例涉及一种具有高显示品质的显示装置。
根据实施例，显示装置包括：基底；发光二极管(“LED”)，设置在基底上方；像素限定层，设置在基底上方并且包括限定设置了LED的空间的凹入部分；光引导部，设置在所述空间中并且位于LED与像素限定层之间；光阻挡部，设置在像素限定层上方以覆盖LED的顶表面。在这样的实施例中，LED设置为与凹入部分的与第一内侧表面相对的第二内侧表面相邻，并且与凹入部分的中心分隔开，光引导部将从LED发射的光引导至与凹入部分的第一内侧表面相邻的区域。
在实施例中，显示装置还可以包括设置为至少覆盖发光二极管的第一侧表面，发光二极管的第一侧表面与发光二极管的面对凹入部分的第一内侧表面的第二侧表面相对。
在实施例中，光阻挡层可以延伸为覆盖LED的顶部。
在实施例中，光阻挡部可以沿第一方向延伸并且可以设置在凹入部分的第二内侧表面上方。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在基底上方的第一电极，LED可以包括p-n二极管、电连接到第一电极的第一接触电极和电连接到光阻挡部的第二接触电极。
在实施例中，光阻挡部可以沿与第一方向不同的第二方向延伸，用于驱动LED的电压可以施加到光阻挡部。
在实施例中，多个散射颗粒可以分布在光引导部中。
在实施例中，散射颗粒可以较为密集地分布在远离LED的方向上。
在实施例中，散射颗粒可以包括荧光物质。
在实施例中，散射图案可以限定在光引导部的表面上，散射图案可以较为密集地限定在朝向光阻挡部的方向上。
在实施例中，反射图案可以设置在凹入部分的底部中，反射图案可以较为密集地设置在远离LED的方向上。
在实施例中，显示装置还可以包括电连接到LED并且设置在凹入部分的底部下方的第一电极，反射图案可以设置在第一电极上方。
在实施例中，显示装置还可以包括设置在LED与光引导部之间的成型部，其中，LED可以包括n型半导体层、p型半导体层和位于n型半导体层与p型半导体层之间的中间层，成型部可以至少覆盖中间层的暴露部分。
在实施例中，成型部的折射率可以与光引导部的折射率不同。
在实施例中，LED可以包括电连接到显示装置的第一电极的第一接触电极和电连接到显示装置的第二电极的第二接触电极，多个碳纳米管可以分布在光引导部中。在这样的实施例中，碳纳米管的在光引导部的位于第一接触电极与第一电极之间的区域或位于第二接触电极与第二电极之间的区域中的密度可以比碳纳米管的在光引导部的其余区域中的密度高。
在实施例中，反射层可以设置为覆盖凹入部分的内侧表面。
在实施例中，凹入部分可以包括彼此相邻的第一凹入部分和第二凹入部分，LED可以包括分别设置在第一凹入部分和第二凹入部分中的第一LED和第二LED，光阻挡部可以延伸以覆盖第一LED的顶部和第二LED的顶部。
在实施例中，第一LED和第二LED可以设置为与像素限定层的位于第一凹入部分与第二凹入部分之间的部分相邻。
在实施例中，光阻挡部可以设置为覆盖第一LED的顶部、第二LED的顶部和像素限定层的位于第一凹入部分与第二凹入部分之间的部分。
根据实施例，显示装置包括：基底；LED，设置在基底上方；像素限定层，设置在基底上方并且包括限定用于LED的空间的凹入部分；光阻挡部，设置为覆盖LED的顶部，其中，LED与凹入部分的中心分隔开并且设置为与像素限定层的限定凹入部分的内表面相邻，LED包括面对像素限定层的限定凹入部分的内表面的第一侧表面和与第一侧表面相对的第二侧表面，其中，光阻挡层设置为至少覆盖发光二极管的第一侧表面。
附图说明
通过以下结合附图对实施例的描述，这些和/或其他其他特征将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置的平面图；
图2是示意性地示出图1的显示装置中的像素的实施例的平面图；
图3是根据实施例的沿图2的线I-I’截取的剖视图；
图4是示意性地示出包括在图1的显示装置中的发光二极管(“LED”)的示例性实施例的透视图；
图5至图10是与图3对应的显示装置的替换实施例的剖视图；
图11是示意性地示出图1的显示装置的替换实施例的像素结构的平面图；
图12是根据实施例的沿图11的线II-II’截取的剖视图；
图13是示意性地示出根据替换实施例的显示装置的像素结构的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参照示出了各种实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以很多不同的形式实施，并且不应该解释为限于这里阐述的实施例。相反，这些实施例被提供为使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
将理解的是，当元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者其间可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
将理解的是，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，以下讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。
这里使用的术语仅是出于描述具体实施例的目的而不意图进行限制。如这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“该(所述)”也意图包括复数形式(包括“至少一个(种)”)。“或(者)”意味着“和/或”。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。还将理解的是，术语“包括”和/或“包含”用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或附加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，这里可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中示出的一个元件与另一个元件的关系。将理解的是，除了包含附图中描绘的方位之外，相对术语还意图包含装置的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，那么描述为在其他元件的“下”侧上的元件然后将定位为在所述其他元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下面的”可包括“下”和“上”两种方位。相似地，如果附图之一中的装置被翻转，那么描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件然后将定位为在所述其他元件的“上方”。因此，示例性术语“在……下方”或“在……之下”可包括上方和下方两种方位。
除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域和本公开的上下文中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或者过于形式化的意思来解释。
这里参照作为理想实施例的示意图的剖视图来描述示例性实施例。如此，例如由制造技术和/或容差引起的图示的形状的变化将是预期的。因此，这里描述的实施例不应该被解释为局限于这里示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造引起的形状的偏差。例如，示出或描述为平坦的区域可以典型地具有粗糙和/或非线性的特征。另外，示出的尖角可以被倒圆。因此，示出在图中的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出区域的精确形状并且也不意图限制本权利要求的范围。
在下文中，将参照附图详细地描述一个或更多个实施例。那些相同或者相对应的组件被赋予相同的附图标记而与图号无关，并且会省略对其冗余的详细描述。
图1是示意性地示出根据实施例的显示装置100的平面图，图2是示意性地示出图1的显示装置100中的像素P的示例性实施例的平面图，图3是沿图2的线I-I’截取的剖视图，图4是示意性地示出包括在图1的显示装置100中的发光二极管(“LED”)300的示例性实施例的透视图。
参照图1，显示装置100的实施例包括显示器110和驱动器120。显示器110可以包括布置在基底101上的多个像素P。驱动器120可以包括用于将扫描信号施加到连接到像素P的扫描线的扫描驱动器和用于将数据信号施加到连接到像素P的数据线的数据驱动器。
驱动器120可以设置在基底101的在布置有像素P的显示器110周围的非显示区域中。驱动器120可以以集成电路(“IC”)芯片的形式直接安装在布置有显示器110的基底101上方、安装在柔性印刷电路膜上方、以载带封装件(“TCP”)的形式粘附在基底101上、或者直接设置在基底101上。
参照图2和图3，每个像素P可以包括LED 300和连接到LED 300的像素电路。像素电路可以包括薄膜晶体管TFT和电容器。像素电路连接到彼此交叉的对应的扫描线和对应的数据线。
薄膜晶体管TFT和LED 300可以设置在基底101上方。根据实施例，缓冲层111还可以设置在基底101上方。
基底101可以包括各种材料中的至少一种或者由各种材料中的至少一种形成。在一个实施例中，例如，基底101可以包括透明玻璃材料(包括氧化硅(SiO2)作为主要成分)或者由透明玻璃材料(包括氧化硅(SiO2)作为主要成分)形成。然而，基底101的材料不限于此，可选择地，基底101可以包括透明塑料材料或者由透明塑料材料形成并且可以是柔性的。这里，塑料材料可以是选自于聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸脂(“PAR”)、聚醚酰亚胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯(“PC”)、三乙酸纤维素(“TAC”)和乙酸丙酸纤维素(“CAP”)的绝缘有机材料。
在显示装置100是朝向基底101显示或者输出图像的底发射型的实施例中，基底101包括透明材料或者由透明材料形成。在显示装置100是在与基底101相对的方向上显示或者输出图像的顶发射型的替换实施例中，基底101可以不包括透明材料或者不由透明材料形成。在这样的实施例中，基底101可以包括金属或者由金属形成。
在基底101包括金属或者由金属形成的实施例中，基底101可以包括选自于铁、铬、锰、镍、钛、钼、不锈钢(“SUS”)、因瓦合金、因科镍合金和科瓦合金中的至少一种，但是不限于此。
缓冲层111可以在基底101的顶部上提供平坦的表面，并且可以有效地防止杂质或湿气穿透基底101。在一个实施例中，例如，缓冲层111可以包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料或者诸如聚酰亚胺、聚酯或压克力(acryl)的有机材料，并且可以具有均包括以上材料中的至少一种的层的堆叠结构。
薄膜晶体管TFT可以包括有源层210、栅电极220、源电极230a和漏电极230b。
在下文中，为了便于描述，将详细描述薄膜晶体管TFT是有源层210、栅电极220、源电极230a和漏电极230b顺序地堆叠在彼此上的顶栅型的实施例。然而，实施例不限于此，薄膜晶体管TFT可以是诸如底栅型的任何类型。
在实施例中，有源层210可以包括诸如非晶硅或多晶硅的半导体材料。然而，实施例不限于此，有源层210可以包括各种材料中的任意一种。根据实施例，有源层210可以包括有机半导体材料。
根据替换实施例，有源层210可以包括氧化物半导体材料。在一个实施例中，例如，有源层210可以包括选自于诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)和锗(Ge)的第12族、第13族和第14族金属元素或者它们的组合的材料的氧化物。
栅极绝缘层113设置在有源层210上方。栅极绝缘层113使有源层210和栅电极220彼此绝缘。栅极绝缘层113可以是具有包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无机材料或者由诸如氧化硅和/或氮化硅的无机材料形成的膜的单层或多层。
栅电极220设置在栅极绝缘层113上方。栅电极220可以连接到将导通/截止信号施加到薄膜晶体管TFT的栅极线(未示出)。
栅电极220可以包括低电阻金属材料或者由低电阻金属材料形成。栅电极220可以是包括选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种材料的单层或多层，或者可以是由选自于铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种材料形成的单层或多层。
层间绝缘层115设置在栅电极220上方。层间绝缘层115使源电极230a和漏电极230b与栅电极220绝缘。层间绝缘层115可以是具有包括无机材料或者由无机材料形成的膜的单层或多层。在一个实施例中，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。在一个实施例中，例如，无机材料可以包括选自于氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锆(ZrO2)中的至少一种。
源电极230a和漏电极230b设置在层间绝缘层115上方。源电极230a和漏电极230b均可以是包括选自于Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种材料或者由选自于Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种材料形成的单层或多层。源电极230a和漏电极230b通过穿过栅极绝缘层113和层间绝缘层115限定的接触孔分别电连接到有源层210的源区和漏区。
平坦化层117设置在薄膜晶体管TFT上方。平坦化层117可以覆盖薄膜晶体管TFT以消除由于薄膜晶体管TFT而形成的阶梯部，并且使薄膜晶体管TFT的顶表面平坦。
平坦化层117可以是具有包括有机材料或者由有机材料形成的膜的单层或多层。在一个实施例中，例如，有机材料可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通常商用聚合物、具有苯酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和它们的组合或混合物。在实施例中，平坦化层117可以具有包括无机绝缘层和有机绝缘层的复杂的堆叠结构。
第一电极510设置在平坦化层117上方。第一电极510可以电连接到薄膜晶体管TFT。在一个实施例中，例如，第一电极510可以通过限定在平坦化层117中的接触孔电连接到源电极230a或漏电极230b。第一电极510可以具有各种形状中的任意一种，例如，可以以岛状形状被图案化并且设置在凹入部分430的底表面处。
第一电极510可以具有包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合或化合物或者由包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合或化合物形成的反射层以及设置在反射层上方的透明的或半透明的电极层。透明的或半透明的电极层可以包括选自于氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中的至少一种或者由选自于氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(“ZnO”)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(“IGO”)和氧化铝锌(“AZO”)中的至少一种形成。
用于限定发射区的像素限定层400可以设置在平坦化层117上方。像素限定层400可以包括容纳LED 300的凹入部分430。像素限定层400的高度可以基于LED 300的高度和视角来确定。凹入部分430的尺寸(例如，宽度)可以基于显示装置100的分辨率、像素密度等来确定。在实施例中，如图2中所示，凹入部分430可以具有四边形形状，但是实施例不限于此。可选择地，凹入部分430可以具有诸如多边形形状、圆形形状、锥形形状、三角形形状的各种形状中的任意一种。
像素限定层400可以包括吸收至少一些光的材料、光反射材料或光散射材料。像素限定层400可以包括相对于可见光(例如，从380nm至750nm的波长范围中的光)的半透明的或不透明的绝缘材料。一个实施例中，例如，像素限定层400可以包括热塑性树脂(诸如PC、PET、PES、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系树脂、甲基丙烯酸树脂或环状聚烯烃)、热固性树脂(诸如环氧树脂、苯酚树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯酯树脂、酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、尿素树脂或三聚氰胺树脂)或者有机绝缘材料(诸如聚苯乙烯或聚丙烯腈)或者由热塑性树脂(诸如PC、PET、PES、聚乙烯醇缩丁醛、聚苯醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系树脂、甲基丙烯酸树脂或环状聚烯烃)、热固性树脂(诸如环氧树脂、苯酚树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯酯树脂、酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、尿素树脂或三聚氰胺树脂)或有机绝缘材料(诸如聚苯乙烯或聚丙烯腈)形成，但是实施例不限于此。
在替换实施例中，像素限定层400可以包括诸如无机氧化物或无机氮化物(例如，SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx或ZnOx)的无机绝缘材料或者由诸如无机氧化物或无机氮化物(例如，SiOx、SiNx、SiNxOy、AlOx、TiOx、TaOx或ZnOx)的无机绝缘材料形成，但是实施例不限于此。
根据实施例，像素限定层400可以包括诸如绝缘黑矩阵材料的不透明材料或者由诸如绝缘黑矩阵材料的不透明材料形成。在这样的实施例中，绝缘黑矩阵材料可以包括下述物质中的至少一种：包括有机树脂、玻璃膏和黑色颜料的树脂或膏；诸如Ni、Al、Mo和它们的合金的金属颗粒；金属氧化物颗粒(例如，Cr氧化物颗粒)；金属氮化物颗粒(例如，Cr氮化物颗粒)。
根据实施例，反射层可以设置在像素限定层400的围绕凹入部分430的内侧表面上。反射层可以是例如具有高反射率的分布布拉格反射器(“DBR”)或者包括金属或由金属形成的镜面反射器。因此，从LED 300发射的光可以被反射在像素限定层400的内侧表面处。
LED 300设置在凹入部分430中。在实施例中，如图4中所示，LED 300可以包括p-n二极管、第一接触电极BE和第二接触电极TE。
p-n二极管可以包括第一半导体层PS、第二半导体层NS和位于第一半导体层PS与第二半导体层NS之间的中间层LL。
第一半导体层PS可以包括例如p型半导体层。p型半导体层可以包括选自于实验式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN的半导体材料中的至少一种，并且可以掺杂诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂剂。第一接触电极BE可以在第一半导体层PS下方。
第二半导体层NS可以包括例如n型半导体层。n型半导体层可以包括选自于实验式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN和AlInN的半导体材料中的至少一种，并且可以掺杂诸如Si、Ge或Sn的n型掺杂剂。第二接触电极TE可以形成在第二半导体层NS上。
然而，实施例不限于此，可选择地，第一半导体层PS可以包括n型半导体层，第二半导体层NS可以包括p型半导体层。
中间层LL是空穴和电子复合的区域，并且随着空穴和电子复合而跃迁到低能级并可以产生波长与低能级对应的光。中间层LL可以包括例如实验式为InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1且0≤x+y≤1)的半导体材料，并且可以具有单量子阱结构或多量子阱(“MQW”)结构。可选择地，中间层LL可以具有量子线结构或量子点结构。
第一接触电极BE和/或第二接触电极TE可以具有层结构，并且可以包括诸如金属、导电氧化物和导电聚合物的各种导电材料中的任意一种或者由诸如金属、导电氧化物和导电聚合物的各种导电材料中的任意一种形成。
LED 300可以与凹入部分430的中心分隔开并且设置为与像素限定层400的限定凹入部分430的内侧表面相邻，LED 300的顶表面可以被光阻挡部530覆盖。在实施例中，LED300可以具有倒锥形形状以与相邻的像素限定层400的内侧表面接触。
光阻挡部530可以具有比LED 300大的面积以完全覆盖LED 300。光阻挡部530可以沿第一方向延伸(-X方向)并且可以设置在与LED 300相邻的像素限定层400上方。因此，可以有效地防止LED 300被识别为点光源。
在一个实施例中，例如，光阻挡部530可以是黑矩阵。在一个替换实施例中，例如，光阻挡部530可以是电连接到第二接触电极TE并且施加用于驱动LED 300的电压的第二电极。
在第二电极是光阻挡部530的实施例中，光阻挡部530可以包括吸收或反射光的金属材料或者由吸收或反射光的金属材料形成。在一个实施例中，例如，光阻挡部530可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物或者由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物形成。在实施例中，光阻挡部530可以沿与第一方向(-X方向)不同的第二方向(Y方向)纵向地延伸以连接到用于提供共电源的电压线。
在一个实施例中，例如，光阻挡部530可以包括用于施加用于驱动LED 300的电压的第二电极和设置在第二电极上方的黑矩阵。
LED 300与像素限定层400之间的空间可以被光引导部520填充。光引导部520可以包括例如有机绝缘材料或者由例如有机绝缘材料形成。光引导部520可以具有预定的高度使得光引导部520不覆盖LED 300的顶部(例如，第二接触电极TE)，因此暴露第二接触电极TE，电连接到第二接触电极TE的光阻挡部530可以设置在光引导部520上方。
光引导部520可以将从LED 300发射的光引导至基于凹入部分430的中心与LED300所位于的区域相对的区域，例如，从图3中示出的凹入部分430的左侧引导至右侧。因此，光引导部520的折射率可以比保护层的材料(诸如氟化锂(LiF))的折射率高，其中，保护层可以设置为在光引导部520上方与光引导部520接触。因此，从LED 300发射的光可以在光引导部520与保护层的界面处被全反射，因此，从LED 300发射的光可以透射到光引导部520的与LED 300分隔开的区域。因而，有效地防止了LED 300所位于的区域较亮的光聚集现象，并且像素P可以在发射区中发射均匀的光，因此，显示装置100的显示品质可以提高。
在实施例中，LED 300可以具有从顶部到底部或从底部到顶部逐渐减小的线性宽壁或侧壁。在这样的实施例中，LED 300包括面对凹入部分430的中心的第一侧表面S1和与第一侧表面S1相对的第二侧表面S2。在这样的实施例中，光阻挡层310设置在LED 300的第二侧表面S2处或者设置在LED 300的第二侧表面S2上。因此，防止了从LED 300发射的光穿过第二侧表面S2出射，从而有效地防止诸如光逃逸的现象。
光阻挡层310可以包括绝缘材料或者由绝缘材料形成以防止LED 300的第一半导体层PS和第二半导体层NS之间的短路，并且可以设置在LED 300的连接第一侧表面S1和第二侧表面S2的其他侧表面上，使得从LED 300发射的光穿过第一侧表面S1聚集。
在实施例中，光阻挡层310可以设置在LED 300的顶部(例如，LED 300的顶表面或LED 300的接触电极TE的顶表面)上，以有效地防止LED 300的位置从外部被识别。在这样的实施例中，第二接触电极TE可以通过接触孔等电连接到第二电极。
在实施例中，第一侧表面S1的面积可以比连接第一侧表面S1和第二侧表面S2的侧表面的面积大。在这样的实施例中，从第一侧表面S1出射的光量可以增大，因此，光可以有效地透射到凹入部分430的中心方向(X方向)。
在实施例中，如图1至图4中所示，LED 300可以是第一接触电极BE和第二接触电极TE设置为彼此相对的竖直型，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以是第一接触电极BE和第二接触电极TE面对相同的方向的水平型或倒装型发光器件。在这样的实施例中，第一电极510和电连接到第二接触电极TE的第二电极的位置可以与第一接触电极BE和第二接触电极TE的位置对应，光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
图5至图10是与图3对应的显示装置的替换实施例的剖视图。
参照图5，在替换实施例中，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED 300和包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置或布置在基底101上方。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400基本与以上参照图1至图4描述的那些相同，在下文中将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，如图5中所示，LED 300电连接到第一电极510和光阻挡部530，其中，第一电极510和光阻挡部530基于或相对于置于其间的LED 300彼此相对地设置，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以电连接到基于LED 300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极(未示出)。在这样的实施例中，覆盖LED 300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
光引导部520设置在凹入部分中或者填充在凹入部分的内部以使从与像素限定层400相邻地设置的LED 300发射的光透射到与LED 300分隔开的区域。
在这样的实施例中，散射颗粒522可以分布或者分散在光引导部520内部。散射颗粒522可以包括TiO2或SiO2或者由TiO2或SiO2形成，并且可以散射或者漫反射从LED 300发射的光，使得光有效地向外部发射。
在这样的实施例中，散射颗粒522可以是荧光物质。荧光物质可以是蓝色荧光物质、蓝-绿色荧光物质、绿色荧光物质、黄绿色荧光物质、黄色荧光物质、黄红色荧光物质、橘色荧光物质和红色荧光物质中的至少一种，并且可以基于从LED 300发射的光的波长确定。作为荧光物质的散射颗粒522可以被从LED 300发射的具有第一颜色的光激发以产生具有与第一颜色不同的第二颜色的光。
在例如LED 300是蓝色发光二极管并且散射颗粒522是黄色荧光物质的一个实施例中，黄色荧光物质可以被蓝光激发以发射黄光，随着蓝光和黄光混合，可以产生白光。在例如LED 300是绿色发光二极管的一个实施例中，散射颗粒522可以是品红色荧光物质或者蓝色荧光物质和红色荧光物质的混合物，当LED 300是红色发光二极管时，散射颗粒522可以是青色荧光物质或者蓝色荧光物质和绿色荧光物质的混合物。
这样的荧光物质可以是钇铝石榴石(“YAG”)基、铽铝石榴石(“TAG”)基、硫化物基、硅酸盐基、铝酸盐基、氮化物基、碳化物基、氮硅酸盐基、硼酸盐基、氟化物基或磷酸盐基的荧光物质。
在另一替换实施例中，参照图6，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED300、包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置在基底101上方。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400基本与以上参照图1至图4描述的那些相同，将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，如图6中所示，LED 300电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以连接到基于LED300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极(未示出)。在这样的实施例中，覆盖LED300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
在这样的实施例中，散射颗粒522'可以分散或者分布在设置或填充在凹入部分内部的光引导部520中，散射颗粒522'可以是荧光物质。在这样的实施例中，散射颗粒522'可以较密集地分布在远离LED 300的方向上(例如，如同移动远离LED 300)。因此，光可以被诱导为在离LED 300较远的区域中被更多地反射或散射，因此可以补偿与LED 300分隔开的区域中的亮度减小。
在另一替换实施例中，参照图7，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED300和包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置在基底101上方。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400基本与以上参照图1至图4描述的那些相同，将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，如图7中所示，LED 300电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以连接到基于LED300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极(未示出)。在这样的实施例中，覆盖LED300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
光引导部520可以设置或者填充在凹入部分中以使从设置为与像素限定层400相邻的LED 300发射的光透射到与LED 300分隔开的区域。
在这样的实施例中，散射图案524可以限定或者形成在光引导部520的表面上。散射图案524可以具有例如不规则的不平坦形状、棱柱形状、凸出形状和凹入形状的各种形状中的至少一种。散射图案524可以较密集地限定在朝向光阻挡部530的方向上。在这样的实施例中，光在较靠近于LED 300的区域中被散射图案524更多地散射，并且被广泛地漫射以出射到光引导部520的外部。因此，有效地防止了LED 300所位于的区域看起来较亮的光聚集现象，图1的显示装置100的显示品质可以提高。
在另一替换实施例中，参照图8，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED300、包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置在基底101上方。LED 300可以电连接到设置为与LED 300相对的第一电极510和光阻挡部530。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400基本与以上参照图1至图4描述的那些相同，将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，光引导部520设置或者填充在凹入部分的内部以使从设置为与像素限定层400相邻的LED 300发射的光透射到与LED 300分隔开的区域。在这样的实施例中，反射图案526可以限定或者形成在凹入部分的底表面上。反射图案526可以具有诸如点状图案、条状图案和不规则图案的各种图案中的至少一种。反射图案526可以通过反射从LED 300发射的光来增大光提取效率。
在这样的实施例中，反射图案526可以较密集地限定在远离LED 300的方向上。因此，离LED 300较远的位置中的光提取可以增大，从而补偿与LED 300分隔开的区域中的亮度减小，光可以从图1的像素P的发射区均匀地发射。
反射图案526可以设置在第一电极510上方。在这样的实施例中，反射图案526可以包括与第一电极510相同的材料或者由与第一电极510相同的材料形成。然而，实施例不限于此，反射图案526可以包括与第一电极510不同的材料或者由与第一电极510不同的材料形成。
在这样的实施例中，如图8中所示，LED 300电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以连接到基于LED300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极(未示出)。在这样的实施例中，覆盖LED300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成，第一电极510和第二电极可以设置为仅覆盖凹入部分的底表面的一部分，反射图案526可以设置在凹入部分的底表面上同时与第一电极510和第二电极分隔开。
在另一替换实施例中，参照图9，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED300和包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置在基底101上方。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400基本与以上参照图1至图4描述的那些相同，将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，如图9中所示，LED 300电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以连接到基于LED300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极(未示出)。在这样的实施例中，覆盖LED300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
在这样的实施例中，光引导部520可以填充在凹入部分中以使从设置为与像素限定层400相邻的LED 300发射的光透射到与LED 300分隔开的区域。
在这样的实施例中，成型部528可以设置在LED 300与光引导部520之间。成型部528可以设置为至少围绕或覆盖LED 300的中间层LL，例如，围绕或覆盖图4中示出的中间层LL的暴露部分。
在这样的实施例中，成型部528的折射率可以比光引导部520的折射率高。成型部528与光引导部520之间的界面可以是平坦表面、弯曲表面或者平坦表面和弯曲表面的混合。在这样的实施例中，成型部528与光引导部520之间的基于LED 300面对凹入部分的中心的界面的形状和成型部528与光引导部520之间的基于LED 300与凹入部分的中心相对的界面的形状可以彼此不同。
在一个实施例中，例如，LED 300与凹入部分的中心分隔开并且设置为与像素限定层400的一侧相邻，基于LED 300位于与凹入部分的中心相对的成型部528的形状可以形成为使从LED 300发射的光全反射。在这样的实施例中，成型部528与光引导部520之间的设置在LED 300和像素限定层400的所述一侧之间的界面的形状可以以使得从LED 300发射且入射在该界面上的光的入射角比临界角大的方式形成。因此，透射到像素限定层400的所述一侧的光可以通过在成型部528与光引导部520之间的该界面处被全反射而被诱导为面对凹入部分的中心。
在这样的实施例中，成型部528与光引导部520之间的面对凹入部分的中心的界面不使从LED 300发射的光全反射。因此，成型部528与光引导部520之间的面对凹入部分的中心的该界面的形状可以以使得从LED 300发射且入射在该界面上的光的入射角比临界角小的方式形成。
因此，朝向与LED 300相邻的像素限定层400的光的量减小并且朝向凹入部分的中心的光的量增大，从而有效地阻止或者减少诸如光逃逸的现象并且增大了光提取效率。
在这样的实施例中，基于成型部528和光引导部520的折射率的大小、从LED 300发射的光的路径和从LED 300到成型部528与光引导部520之间的界面的距离，成型部528的形状可以进行各种修改。
在另一替换实施例中，参照图10，薄膜晶体管TFT、电连接到薄膜晶体管TFT的LED300和包括容纳LED 300的凹入部分的像素限定层400可以设置在基底101上方。LED 300可以电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530。在这样的实施例中，基底101、薄膜晶体管TFT、LED 300和像素限定层400与以上参照图1至图4描述的基本相同，将省略任何对其重复的详细描述。
光引导部520可以设置或者填充在凹入部分中以使从与像素限定层400相邻地设置的LED 300发射的光透射到与LED 300分隔开的区域。
碳纳米管529可以分散或者分布在光引导部520中。碳纳米管529具有纳米单位的尺寸，并且可以均匀地分布在光引导部520中。在这样的实施例中，碳纳米管529可以具有确定为彼此不电连接的预定密度。在这样的实施例中，当碳纳米管529的数量太大使得碳纳米管529彼此连接时，呈现碳纳米管529的固有颜色，因此图1的像素P的发光效率会劣化。
碳纳米管529执行与上述图5的散射颗粒522相同的功能。在这样的实施例中，碳纳米管529散射并且漫反射从LED 300发射的光以有效地增加光的释放。
在这样的实施例中，在第一电极510和LED 300彼此电接触的区域中，碳纳米管529的密度可以增大。
可以在分布有碳纳米管529的光引导部520设置或填充在凹入部分中并且未硬化的同时将LED 300设置或安装在凹入部分上，碳纳米管529可以聚集在第一电极510与图4中示出的LED 300的第一接触电极BE之间以按照桥形状连接第一电极510和第一接触电极BE。因此，通过利用设置在第一电极510与LED 300的第一接触电极BE之间的光引导部520，可以有效地防止第一电极510与LED 300的第一接触电极BE之间的连接缺陷。碳纳米管529的在第二电极(未示出)(例如，光阻挡部530)与图4中示出的LED 300的第二接触电极TE彼此电接触的区域中的密度可以比在光引导部520的其他区域中的密度大。
在这样的实施例中，如图10中所示，LED 300电连接到基于LED 300彼此相对设置的第一电极510和光阻挡部530，但是实施例不限于此。可选择地，LED 300可以连接到基于LED 300设置为面对同一侧的第一电极510和第二电极。在这样的实施例中，覆盖LED 300的光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成，碳纳米管529的在LED 300与第一电极510和第二电极之间的区域中的密度可以比在光引导部520的其他区域中的密度大。在这样的实施例中，因为第一电极510和第二电极彼此分隔开，并且碳纳米管529不在第一电极510与第二电极之间聚集，所以在第一电极510与第二电极之间不产生短路。
图11是示意性地示出图1的显示装置100的替换实施例的像素结构的平面图，图12是沿图11的线II-II’截取的剖视图。
参照图11和图12，在实施例中，显示装置100可以包括两个相邻的像素，即，第一像素P1和第二像素P2。
第一像素P1可以包括设置在基底101上方的第一LED 300A和电连接到第一LED300A的第一薄膜晶体管TFT1，第二像素P2可以包括设置在基底101上方的第二LED 300B和电连接到第二LED 300B的第二薄膜晶体管TFT2。在这样的实施例中，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2以及第一LED 300A和第二LED 300B与以上参照图3和图4描述的薄膜晶体管TFT和LED 300相同，将省略任何对其重复的详细描述。
在这样的实施例中，第一LED 300A和第二LED 300B可以分别设置或者容纳在形成在像素限定层400中的第一凹入部分和第二凹入部分中，光引导部520可以设置或者填充在第一凹入部分和第二凹入部分中。
第一LED 300A和第二LED 300B可以被单个光阻挡部530覆盖。
在这样的实施例中，第一LED 300A和第二LED 300B设置为与位于第一凹入部分与第二凹入部分之间的像素限定层400相邻，光阻挡部530可以设置在第一LED 300A的顶表面、第二LED 300B的顶表面和第一凹入部分与第二凹入部分之间的像素限定层400上方。因此，可以简化形成用于覆盖第一LED 300A和第二LED 300B的光阻挡部530的工艺，并且可以有效地防止光在第一LED 300A与第二LED 300B之间的泄露。
在一个实施例中，例如，光阻挡部530可以包括黑矩阵或者由黑矩阵形成。在一个替换实施例中，例如，光阻挡部530可以是显示装置100的电连接到第一LED 300A和第二LED300B的第二接触电极TE(示出在图4中)的第二电极。
当光阻挡部530形成为显示装置100的第二电极时，第一LED 300A和第二LED 300B的第一接触电极BE可以电连接到均被图案化的第一电极510。
在这样的实施例中，如图12中所示，第一LED 300A和第二LED 300B是竖直型，但是实施例不限于此。在替换实施例中，第一LED 300A和第二LED 300B可以是第一接触电极BE和第二接触电极TE面对相同的方向的水平型或倒装型发光器件。在这样的实施例中，第一电极510和第二电极的位置可以与第一接触电极BE和第二接触电极TE的位置对应，光阻挡部530可以包括黑矩阵等或者由黑矩阵等形成。
图13是示意性地示出根据替换实施例的显示装置100的像素结构的平面图。
参照图13，显示装置100的实施例可以包括第一像素P1、第二像素P2、第三像素P3和第四像素P4。在这样的实施例中，第一像素P1至第四像素P4中的每个基本与以上参照图1至图4描述的像素相同。在这样的实施例中，第一像素P1与像素限定层400相邻地设置，同时第一LED 300A设置在由像素限定层400形成的凹入部分中，图3的光引导部520可以填充在凹入部分中。第二像素P2至第四像素P4可以具有与第一像素P1相同的结构。
第一LED 300A、第二LED 300B、第三LED 300C和第四LED 300D设置为彼此相邻以形成四边形形状，第一LED 300A至第四LED 300D可以被单个光阻挡部530覆盖。因此，可以有效地阻挡光在第一LED 300A至第四LED 300D之间泄露。
在这样的实施例中，第一像素P1和第三像素P3可以实现(例如，显示或者输出)具有第一颜色的光，第二像素P2可以实现具有与第一颜色不同的第二颜色的光，第四像素P4可以实现具有与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的光。第一像素P1至第四像素P4形成单元体(unit body)，单元体可以如图13中所示以特定的方式重复地布置。然而，实施例不限于此，第一像素P1至第四像素P4可以进行各种布置。
在这样的实施例中，如图13中所示，第一像素P1至第四像素P4的形状是五边形形状，但是不限于此。可选择地，基于设置有光引导部520的凹入部分的形状，第一像素P1至第四像素P4可以具有诸如四边形形状、圆形形状、锥形形状、椭圆形形状和三角形形状的各种形状中的任意一种。
在这样的实施例中，设置在由第一像素P1至第四像素P4限定的单元体中的每个上方的光阻挡部530可以是显示装置100的第二电极，单元体和光阻挡部530可以彼此电连接。
在这样的实施例中，第一LED 300A至第四LED 300D可以是水平型或倒装型发光器件，在这样的实施例中，光阻挡部530可以被图案化成黑矩阵等。
根据一个或更多个实施例，LED被有效地防止被识别为点光源并且遍及发射区均匀地发光，因此显示装置的显示品质可以提高。
应理解的是，这里描述的实施例应被认为仅仅是描述性的含义而非出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述应被代表性地认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求所限定的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
发光二极管，设置在所述基底上方，并且包括第一接触电极和第二接触电极；
像素限定层，设置在所述基底上方并且包括限定设置有所述发光二极管的空间的凹入部分；
光引导部，设置在所述空间中并且位于所述发光二极管与所述凹入部分的第一内侧表面之间；
光阻挡部，设置在所述像素限定层上方以覆盖所述发光二极管的顶部，所述第二接触电极电连接到所述光阻挡部；
第一电极，设置在所述基底与所述光引导部和所述发光二极管之间，并且所述第一电极的端部设置在所述像素限定层下方并且接触所述像素限定层，所述第一接触电极电连接到所述第一电极；以及
光阻挡层，设置为至少覆盖所述发光二极管的第一侧表面，所述发光二极管的所述第一侧表面与所述发光二极管的面对所述凹入部分的第一内侧表面的第二侧表面相对，
其中，所述发光二极管设置为与所述凹入部分的与所述第一内侧表面相对的第二内侧表面相邻，并且与所述凹入部分的中心分隔开，
所述光引导部将从所述发光二极管发射的光引导至与所述凹入部分的第一内侧表面相邻的区域。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡层延伸以覆盖所述发光二极管的所述顶部。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述光阻挡部沿第一方向延伸并且设置在所述凹入部分的所述第二内侧表面上方。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述发光二极管还包括：p-n二极管。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中：
所述光阻挡部沿与所述第一方向不同的第二方向延伸，
用于驱动所述发光二极管的电压被施加到所述光阻挡部。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，多个散射颗粒分布在所述光引导部中。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述散射颗粒较密集地分布在远离所述发光二极管的方向上。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述散射颗粒包括荧光物质。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
散射图案限定在所述光引导部的表面上，
其中，所述散射图案较密集地限定在朝向所述光阻挡部的方向上。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
反射图案设置在所述凹入部分的底部中，
其中，所述反射图案较密集地设置在远离所述发光二极管的方向上。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
所述反射图案设置在所述第一电极上方。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
成型部，设置在所述发光二极管与所述光引导部之间，
其中，所述发光二极管还包括n型半导体层、p型半导体层和位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间的中间层，
所述成型部至少覆盖所述中间层的暴露部分。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述成型部的折射率与所述光引导部的折射率不同。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第二接触电极电连接到所述显示装置的第二电极多个碳纳米管分布在所述光引导部中，
其中，所述碳纳米管的在所述光引导部的位于所述第一接触电极与所述第一电极之间的区域或位于所述第二接触电极与所述第二电极之间的区域中的密度比所述碳纳米管的在所述光引导部的其余区域中的密度高。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，反射层设置为覆盖所述凹入部分的内侧表面。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述凹入部分包括彼此相邻的第一凹入部分和第二凹入部分，
所述发光二极管包括设置在所述第一凹入部分中的第一发光二极管和设置在所述第二凹入部分中的第二发光二极管，
所述光阻挡部延伸以覆盖所述第一发光二极管的顶部和所述第二发光二极管的顶部。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管设置为与所述像素限定层的位于所述第一凹入部分与所述第二凹入部分之间的一部分相邻。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其中，所述光阻挡部设置为覆盖所述第一发光二极管的所述顶部、所述第二发光二极管的所述顶部和所述像素限定层的位于所述第一凹入部分与所述第二凹入部分之间的所述一部分。
19.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
发光二极管，设置在所述基底上方，并且包括第一接触电极和第二接触电极；
像素限定层，设置在所述基底上方并且包括限定用于容纳所述发光二极管的空间的凹入部分；
光阻挡部，设置为覆盖所述发光二极管的顶表面，所述第二接触电极电连接到所述光阻挡部；以及
第一电极，设置在所述基底与所述发光二极管之间，并且所述第一电极的端部设置在所述像素限定层下方，所述第一接触电极电连接到所述第一电极，
其中，所述发光二极管与所述凹入部分的中心分隔开并且设置为与所述像素限定层的限定所述凹入部分的一个内表面相邻，
所述发光二极管包括：第一侧表面，面对所述像素限定层的限定所述凹入部分的所述一个内表面；第二侧表面，与所述第一侧表面相对，其中，光阻挡层设置为至少覆盖所述发光二极管的所述第一侧表面。
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