KR102380158B1 - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 전면(前面) 발광하는 제1 발광층, 상기 제1 기판과 대향하고 있으며 상기 제1 기판을 덮고 있는 제2 기판, 상기 제2 기판 아래에 형성되어 있으며 배면(背面) 발광하는 제2 발광층을 포함하고, 상기 제1 발광층의 일부와 상기 제2 발광층의 일부는 서로 중첩하고 있을 수 있다.
Description
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 등의 평판 표시 장치가 주로 사용되고 있다. 특히, 유기 발광 표시 장치는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유기 발광층을 포함하며, 하나의 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 다른 전극으로부터 주입된 정공(hole)이 유기 발광층에서 결합하여 여기자(exciton)를 형성하고, 여기자가 에너지를 방출하면서 발광한다.
이러한 표시 장치는 발광 영역과 그 주변을 둘러싸고 있는 비발광 영역인 베젤(Bezel) 영역을 포함한다. 베젤 영역에는 표시 영역에 위치하는 복수개의 화소를 구동하기 위한 신호 처리 회로가 위치하고 복수개의 화소를 보호하기 위한 봉지층의 에지(edge)가 위치하고 있다. 이러한 베젤 영역을 최소화하여 발광 영역을 최대화하려는 노력이 진행중이다.
그러나, 베젤 영역을 최소화하기 위해 윈도우를 휘는 경우에는 데드 스페이스(dead space)는 여전히 존재하며, 봉지층의 에지(edge)의 봉지 신뢰성을 저하시키게 된다.
본 발명은 전술한 배경 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 비발광 영역을 제거한 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 전면(前面) 발광하는 제1 발광층, 상기 제1 기판과 대향하고 있으며 상기 제1 기판을 덮고 있는 제2 기판, 상기 제2 기판 아래에 형성되어 있으며 배면(背面) 발광하는 제2 발광층을 포함하고, 상기 제1 발광층의 일부와 상기 제2 발광층의 일부는 서로 중첩하고 있을 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 중앙부, 상기 제1 중앙부를 둘러싸고 있는 제1 외곽부를 포함하고, 상기 제2 기판은 제2 중앙부, 상기 제2 중앙부를 둘러싸고 있는 제2 외곽부, 그리고 상기 제2 중앙부와 상기 제2 외곽부 사이의 중첩부를 포함하며, 상기 제2 발광층은 상기 제2 외곽부 및 중첩부 아래에 배치되어 있을 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 칼륨 인자를 포함하는 화학 강화 유리일 수 있다.
상기 중첩부는 상기 제1 외곽부와 서로 중첩하고 있을 수 있다.
상기 제1 외곽부에 위치하는 상기 제1 발광층의 일부는 상기 중첩부에 위치하는 상기 제2 발광층의 일부와 서로 중첩하고 있을 수 있다.
상기 제1 발광층을 덮고 있는 제1 봉지층, 상기 제2 발광층 및 제2 기판을 덮고 있는 제2 봉지층, 그리고 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층을 서로 부착시키고 있는 점착층을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 기판의 제2 중앙부는 상기 제2 봉지층과 접촉하고 있을 수 있다.
상기 제2 기판의 제2 중앙부에 위치하는 상기 점착층의 두께는 상기 제2 기판의 제2 외곽부 및 중첩부에 위치하는 점착층의 두께보다 클 수 있다.
상기 제1 발광층은 복수개의 제1 화소를 포함하고, 상기 제2 발광층은 복수개의 제2 화소를 포함하며, 상기 복수개의 제2 화소 중 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 화소와 상기 복수개의 제1 화소 중 상기 제2 최외곽 화소와 평면상 가장 인접한 인접 제1 화소간의 간격인 경계부 간격은 상기 복수개의 제1 화소 중 인접하는 제1 화소간의 간격인 중앙부 간격과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 제1 화소는 상기 제1 중앙부에만 위치하고 있을 수 있다.
상기 제1 화소는 상기 제1 중앙부 및 제1 외곽부에 위치하고 있을 수 있다.
상기 제1 화소는 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 제1 구동 트랜지스터, 상기 제1 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 유기 발광 다이오드를 포함하고, 상기 제2 화소는 상기 제2 기판 아래에 형성되어 있는 제2 구동 트랜지스터, 상기 제2 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 유기 발광 다이오드를 포함하며, 상기 제1 유기 발광 다이오드 및 상기 제2 유기 발광 다이오드에서 발광된 빛은 모두 상기 제2 기판을 통과하여 조사될 수 있다.
상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 편광판을 더 포함할 수 있다.
상기 편광판은 상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 복수개의 차광 개구부를 가지는 차광 부재, 상기 차광 개구부에 형성되어 있는 색필터를 포함할 수 있다.
상기 편광판 위에 형성되어 있는 제1 하드 코팅층을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 하드 코팅층 위에 형성되어 있는 터치 센서를 더 포함할 수 있다.
상기 터치 센서 위에 형성되어 있는 제2 하드 코팅층을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 제1 기판 위에 전면 발광하는 제1 발광층을 형성하는 단계, 상기 제1 발광층을 덮는 제1 봉지층을 형성하는 단계, 제2 기판의 제2 외곽부 및 중첩부 위에 배면 발광하는 제2 발광층을 형성하는 단계, 상기 제2 발광층을 덮는 제2 봉지층을 형성하는 단계, 상기 제2 기판을 뒤집어서 상기 제1 봉지층과 제2 봉지층 사이에 점착층을 개재시켜 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층을 부착시키는 단계를 포함하고, 상기 제1 발광층의 일부와 상기 제2 발광층의 일부는 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판을 화학 강화시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판은 제1 중앙부, 상기 제1 중앙부를 둘러싸고 있는 제1 외곽부를 포함하고, 상기 제2 기판은 제2 중앙부, 상기 제2 중앙부를 둘러싸고 있는 제2 외곽부, 그리고 상기 제2 중앙부와 상기 제2 외곽부 사이의 중첩부를 포함하며, 상기 제2 발광층은 상기 제2 외곽부 및 중첩부 아래에 배치될 수 있다.
상기 중첩부는 상기 제1 외곽부와 서로 중첩할 수 있다.
상기 제1 외곽부에 위치하는 상기 제1 발광층의 일부는 상기 중첩부에 위치하는 상기 제2 발광층의 일부와 서로 중첩할 수 있다.
상기 제2 기판 위에 편광층을 형성하는 단계, 상기 편광층 위에 제1 하드 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 하드 코팅층 위에 터치 센서를 형성하는 단계, 상기 터치 센서 위에 제2 하드 코팅층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 기판의 제2 중앙부는 전면 발광의 윈도우(window)로 사용하고, 제2 기판의 제2 외곽부 및 중첩부는 배면 발광의 기판으로 동시에 사용함으로써 발광 영역을 최대화할 수 있다.
또한, 제1 기판의 제1 발광층의 일부와 제2 기판의 제2 발광층의 일부를 서로 중첩시키고, 제1 화소 또는 제2 화소간의 중앙부 간격과 제1 화소와 제2 화소간의 경계부 간격을 실질적으로 동일하게 형성함으로써, 제1 화소와 제2 화소간의 경계부가 시인되지 않게 하여 전면 발광하는 제1 발광층과 배면 발광하는 제2 발광층이 서로 구별되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 얇은 유리로 이루어진 제1 기판 및 제2 기판을 화학 강화시키거나, 제2 기판 위에 제1 하드 코팅층 및 제2 하드 코팅층을 형성함으로써, 표시 장치의 유연성과 경도를 동시에 만족시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 일단부의 확대 단면도이다.
도 4는 도 1의 A 부분의 확대 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 도 3의 B 부분의 확대 단면도이다.
도 7, 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구체적인 단면도이다.
도 11은 도 10의 B 부분의 확대 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 일단부의 확대 단면도이다.
도 4는 도 1의 A 부분의 확대 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 6은 도 3의 B 부분의 확대 단면도이다.
도 7, 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구체적인 단면도이다.
도 11은 도 10의 B 부분의 확대 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 명세서 전체에서 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 발명이 없는 한 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 명세서 전체에서 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "상에" 또는 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분의 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 또한, "~ 상에" 또는 "~ 위에"라 함은 대상 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것을 의미하며, 반드시 중력 방향을 기준으로 상측에 위치하는 것을 의미하지 않는다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
또한, 첨부 도면에 도시된 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT)와 커패시터(capacitor)의 갯수에 한정되지 않으며, 표시 장치는 하나의 화소에 복수개의 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 구비할 수 있으며, 별도의 배선이 더 형성되거나 기존의 배선이 생략되어 다양한 구조를 갖도록 형성할 수도 있다. 여기서, 화소는 화상을 표시하는 최소 단위를 말하며, 표시 장치는 복수의 화소들을 통해 화상을 표시한다.
그러면 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 도면을 참고로 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 평면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 2의 일단부의 확대 단면도이고, 도 4는 도 1의 A 부분의 확대 평면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이고, 도 6은 도 3의 B 부분의 확대 단면도이다.
우선, 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 제1 기판(110), 제1 기판(110) 위에 형성되어 있는 제1 발광층(120), 제1 발광층(120)을 덮고 있는 제1 봉지층(130), 제1 기판(110)과 대향하고 있으며 제1 기판(110)을 덮고 있는 제2 기판(210), 제2 기판(210) 아래에 형성되어 있는 제2 발광층(220), 제2 발광층(220) 및 제2 기판(210)을 덮고 있는 제2 봉지층(230), 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230) 사이에 개재되어 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230)을 서로 부착시키는 점착층(300)을 포함한다.
제1 기판(110)은 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리를 포함할 수 있다. 유연성을 향상시키기 위해 제1 기판(110)을 폴리 이미드(PI)와 같은 폴리머로 형성하는 경우에는 폴리머를 경화시킬 때 불순물이 많이 발생하여 공정 결함이 크고, 표면 전하가 많아 정전기가 발생하여 이물 관리가 필요하게 되는 문제가 있었다. 그러나, 제1 기판(110)을 얇은 유리로 형성하는 경우에는 이러한 불순물 및 정전기가 없어 별도의 이물 관리가 필요하지 않다. 또한, 제1 기판(110)을 얇은 유리로 형성하는 경우에는 폴리 이미드 대비하여 강도가 크므로 충격 신뢰성도 높다.
제1 기판(110)은 제1 중앙부(PA1), 제1 중앙부(PA1)를 둘러싸고 있는 제1 외곽부(PB1)를 포함한다. 이러한 제1 기판(110)은 화학 강화 유리일 수 있다. 화학 강화 유리는 유리의 기본 조성 성분 중 하나인 나트륨 인자를 칼륨 인자로 치환함으로써 유리의 표면에 압축 응력을 생성시켜 표면 경도를 강화시킨 유리이다.
도 3에 도시한 바와 같이, 제1 발광층(120)은 제1 기판(110)의 제1 중앙부(PA1) 및 제1 외곽부(PB1)에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 제1 발광층(120)은 전면(前面)으로 발광하는 복수개의 제1 화소(PX1)를 포함한다. 이러한 복수개의 제1 화소(PX1)는 제1 중앙부(PA1)에 대응하는 위치에만 형성되어 있다.
제1 봉지층(130)은 유기막과 무기막이 교대로 적층된 박막 봉지층일 수 있으며, 투명할 수 있다.
제2 기판(210)은 제1 기판(110)보다 큰 면적을 가지며 제1 기판(110)을 모두 덮고 있다. 이러한 제2 기판(210)은 제1 기판(110)의 제1 중앙부(PA1)과 중첩하고 있는 제2 중앙부(PA2), 제1 기판(110)과 중첩하고 있지 않는 제2 외곽부(PB2), 그리고, 제1 기판(110)의 제1 외곽부(PB1)와 중첩하고 있는 중첩부(PC)를 포함한다.
제2 기판(210)은 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리를 포함할 수 있다. 유연성을 향상시키기 위해 제2 기판(210)을 폴리 이미드(PI)와 같은 폴리머로 형성하는 경우에는 폴리머를 경화시킬 때 불순물이 많이 발생하여 공정 결함이 크고, 표면 전하가 많아 정전기가 발생하여 이물 관리가 필요하게 되는 문제가 있었다. 그러나, 제2 기판(210)을 얇은 유리로 형성하는 경우에는 이러한 불순물 및 정전기가 없어 별도의 이물 관리가 필요하지 않다. 또한, 제2 기판(210)을 얇은 유리로 형성하는 경우에는 폴리 이미드 대비하여 강도가 크므로 충격 신뢰성도 높다.
이러한 제2 기판(210)은 칼륨 인자를 포함하는 화학 강화 유리일 수 있다. 화학 강화 유리는 일반 강화 유리 대비하여 얇고 1.7 배 이상 강하며, 일반적인 강화 처리로 인한 수축 또는 뒤틀림 등의 현상이 없다.
제2 발광층(220)은 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)에 대응하는 위치에 형성되어 있다. 제2 발광층(220)은 제2 기판(210)을 통해 배면(背面)으로 발광하는 복수개의 제2 화소(PX2)를 포함한다. 이러한 복수개의 제2 화소(PX2)는 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)에 대응하는 위치에 형성되어 있다.
제2 봉지층(230)은 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)에 대응하는 위치에서는 제2 발광층(220)을 덮고 있으나, 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)에 대응하는 위치에서는 제2 중앙부(PA2)의 표면과 직접 접촉하고 있다. 이러한 제2 봉지층(230)은 유기막과 무기막이 교대로 적층된 박막 봉지층일 수 있으며, 투명할 수 있다.
점착층(300)은 광학용 투명 접착층(OCA, Optically Clear Adhesive)으로서, 빛을 97% 이상 투과해 유리와 같은 기능을 하면서 접착성도 동시에 가진다.
제1 발광층(120)에서 발생한 빛(L1)은 전면으로 조사되어 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)를 통과하고, 제2 발광층(220)에서 발생한 빛(L2)은 배면으로 조사되어 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)를 통과한다. 따라서, 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2), 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)의 모든 영역을 통해 빛이 통과하므로 제2 기판(210)에 비발광 영역이 존재하지 않게 된다.
이와 같이, 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)는 전면 발광의 윈도우(window)로 사용되고, 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)는 배면 발광의 기판으로 동시에 사용됨으로써 발광 영역을 최대화할 수 있다.
한편, 제2 기판(210)의 중첩부(PC)와 제1 기판(110)의 제1 외곽부(PB1)는 서로 중첩하고 있다. 따라서, 제1 발광층(120)의 일부와 제2 발광층(220)의 일부는 서로 중첩하게 된다. 이 때, 제1 외곽부(PB1)에 대응하는 위치의 제1 발광층(120)에는 제1 화소(PX1)가 형성되어 있지 않다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 복수개의 제1 화소(PX1) 중 인접하는 제1 화소(PX1)간의 간격 또는 복수개의 제2 화소(PX2) 중 인접하는 제2 화소(PX2)간의 간격을 중앙부 간격(d1x, d1y)이라 하고, 복수개의 제2 화소(PX2) 중 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 화소(PT2)와 복수개의 제1 화소(PX1) 중 제2 최외곽 화소(PT2)와 평면상 가장 인접한 제1 인접 화소(PT1)간의 간격을 경계부 간격(d2x, d2y)이라 할 때, 중앙부 간격(d1x, d1y)과 경계부 간격(d2x, d2y)은 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
구체적으로, 제1 인접 화소(PT1)와 가로 방향으로 평면상 가장 인접하고 있는 제2 최외곽 화소(PT2)간의 가로 경계부 간격(d2x)은 제1 화소(PX1) 또는 제2 화소(PX2)간의 가로 방향 간격인 가로 중앙부 간격(d1x)와 실질적으로 동일하다. 그리고, 제1 인접 화소(PT1)와 세로 방향으로 평면상 가장 인접하고 있는 제2 최외곽 화소(PT2)간의 세로 경계부 간격(d2y)은 제1 화소(PX1) 또는 제2 화소(PX2)간의 세로 방향 간격인 세로 중앙부 간격(d1y)와 실질적으로 동일할 수 있다.
이와 같이, 제1 화소(PX1) 또는 제2 화소(PX2)간의 중앙부 간격(d1x, d1y)과 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부 간격(d2x, d2y)을 실질적으로 동일하게 형성함으로써, 서로 다른 기판에 위치하고 있는 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부가 시인되지 않게 하여 전면 발광하는 제1 발광층(120)과 배면 발광하는 제2 발광층(220)이 서로 구별되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 제1 화소(PX1)의 휘도와 제2 화소(PX2)의 휘도를 서로 동일하게 함으로써 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부가 시인되지 않게 하여 표시 품질을 향상시킬 수도 있다.
또한, 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230)은 모두 투명하므로 제1 기판(110)과 제2 기판(210)이 일부 중첩되어도 중첩부(PC)가 시인되지 않아 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
이하에서 제1 발광층(120)과 제2 발광층(220)의 구체적인 구조에 대해 도 5 및 도 6을 참고하여 상세하게 설명한다. 이 때, 구동 트랜지스터를 중심으로 설명하며, 스위칭 트랜지스터는 구동 트랜지스터의 적층 구조와 대부분 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 하나의 화소의 등가 회로도이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 복수개의 신호선(21, 71, 72), 복수개의 신호선에 연결되어 있으며 대략 행렬(matrix)의 형태로 배열된 복수개의 화소(PX)를 포함한다. 복수개의 화소(PX)는 제1 발광층(120)에 형성되어 있는 제1 화소(PX1)와 제2 발광층(220)에 형성되어 있는 제2 화소(PX2)를 포함한다.
신호선(21, 71, 72)은 스캔 신호(Sn)를 전달하는 복수개의 스캔선(21), 스캔선(21)과 교차하며 데이터 신호(Dm)를 전달하는 복수개의 데이터선(71), 그리고 구동 전압(ELVDD)을 전달하는 복수개의 구동 전압선(72)을 포함한다. 스캔선(21)은 대략 행 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하고 데이터선(71)과 구동 전압선(72)은 대략 열 방향으로 뻗어 있으며 서로가 거의 평행하다.
각 화소(PX)는 복수개의 신호선(21, 71, 72)에 각각 연결되어 있는 복수개의 트랜지스터(T1, T2), 스토리지 커패시터(storage capacitor, Cst) 및 유기 발광 다이오드(organic light emitting diode, OLD)를 포함한다.
트랜지스터(T1, T2)는 데이터선(71)에 연결되어 있는 스위칭 트랜지스터(switching transistor)(T1), 유기 발광 다이오드(OLD)에 연결되어 있는 구동 트랜지스터(driving transistor)(T2)을 포함한다. 구동 트랜지스터(T2)는 제1 발광층(120)에 형성되어 있는 제1 구동 트랜지스터(T21)와 제2 발광층(220)에 형성되어 있는 제2 구동 트랜지스터(T22)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(T1)는 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스캔선(21)에 연결되어 있고, 입력 단자는 데이터선(71)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 구동 트랜지스터(T2)에 연결되어 있다. 스위칭 트랜지스터(T1)는 스캔선(21)에 인가되는 스캔 신호(Sn)에 응답하여 데이터선(71)에 인가되는 데이터 신호(Dm)를 구동 트랜지스터(T2)에 전달한다.
구동 트랜지스터(T2) 또한 제어 단자, 입력 단자 및 출력 단자를 가지는데, 제어 단자는 스위칭 트랜지스터(T1)에 연결되어 있고, 입력 단자는 구동 전압선(72)에 연결되어 있으며, 출력 단자는 유기 발광 다이오드(OLD)에 연결되어 있다. 구동 트랜지스터(T2)는 제어 단자와 출력 단자 사이에 걸리는 전압에 따라 그 크기가 달라지는 구동 전류(Id)를 흘린다.
스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자와 입력 단자 사이에 연결되어 있다. 이 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(T2)의 제어 단자에 인가되는 데이터 신호를 충전하고 스위칭 트랜지스터(T1)가 턴 오프(turn off)된 뒤에도 이를 유지한다.
유기 발광 다이오드(OLD)는 구동 트랜지스터(T2)의 출력 단자에 연결되어 있는 애노드(anode), 공통 전압(ELVSS)에 연결되어 있는 캐소드(cathode)를 가진다. 유기 발광 다이오드(OLD)는 구동 트랜지스터(T2)의 구동 전류(Id)에 따라 세기를 달리하여 발광함으로써 영상을 표시한다. 유기 발광 다이오드(OLD)는 제1 발광층(120)에 형성되어 있는 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)와 제2 발광층(220)에 형성되어 있는 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)를 포함한다.
스위칭 트랜지스터(T1) 및 구동 트랜지스터(T2)는 n 채널 전계 효과 트랜지스터(field effect transistor, FET) 또는 p 채널 전계 효과 트랜지스터일 수 있다. 그리고, 트랜지스터(T1, T2), 스토리지 커패시터(Cst) 및 유기 발광 다이오드(OLD)의 연결 관계는 바뀔 수 있다.
도 6은 도 3의 B 부분의 확대 단면도이다.
도 6에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110) 위에는 제1 버퍼층(121)이 형성되어 있다. 제1 버퍼층(121)은 다결정 규소를 형성하기 위한 결정화 공정 시 제1 기판(110)으로부터 불순물을 차단하여 다결정 규소의 특성을 향상시키고, 제1 기판(110)을 평탄화시켜 제1 버퍼층(121) 위에 형성되는 제1 반도체(122)의 스트레스를 완화시키는 역할을 한다. 이러한 제1 버퍼층(121)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성될 수 있다.
제1 버퍼층(121) 위에는 제1 반도체(122)가 형성되어 있다. 이러한 제1 반도체(122)는 다결정 규소 또는 산화물 반도체로 이루어질 수 있다.
제1 반도체(122) 위에는 이를 덮는 제1 게이트 절연막(123)이 형성되어 있다. 제1 게이트 절연막(123)은 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성될 수 있다.
제1 게이트 절연막(123) 위에는 제1 게이트 전극(G1)이 형성되어 있다. 제1 게이트 전극(G1)은 스캔선(21)의 일부이며, 제1 반도체(122)와 중첩한다.
제1 게이트 전극(G1) 위에는 이를 덮는 제1 층간 절연막(124)이 형성되어 있다. 제1 층간 절연막(124)은 제1 게이트 절연막(123)과 마찬가지로 질화 규소(SiNx) 또는 산화 규소(SiO2) 따위로 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(124) 위에는 제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1)이 형성되어 있다. 제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1)은 각각 제1 반도체(122)의 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있다. 제1 게이트 전극(G1), 제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1)은 제1 구동 트랜지스터(T21)를 이룬다.
제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1) 위에는 이를 덮는 제1 보호막(125)이 형성되어 있다.
제1 보호막(125) 위에는 리튬(Li), 칼슘(Ca), 플루오르화리튬/칼슘(LiF/Ca), 플루오르화리튬/알루미늄(LiF/Al), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 또는 금(Au) 등의 반사 도전 물질을 포함하는 제1 화소 전극(127)이 형성되어 있다. 제1 화소 전극(127)은 제1 보호막(125)에 형성된 접촉 구멍(125a)을 통해서 제1 구동 트랜지스터(T21)의 제1 드레인 전극(D1)과 전기적으로 연결되어 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)의 애노드가 된다.
제1 보호막(125) 및 제1 화소 전극(127)의 가장자리부 위에는 제1 격벽(126)이 형성되어 있다. 제1 격벽(126)은 제1 화소 전극(127)을 노출하는 제1 화소 개구부(126a)를 가진다. 제1 격벽(126)은 폴리아크릴계(polyacrylates) 또는 폴리이미드계(polyimides) 등의 수지와 실리카 계열의 무기물 등을 포함하여 이루어질 수 있다.
제1 격벽(126)의 제1 화소 개구부(126a)에는 제1 유기 발광층(128)이 형성되어 있다. 제1 유기 발광층(128)은 발광층, 정공 수송층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다. 제1 유기 발광층(128)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드인 제1 화소 전극(127) 위에 위치하고 그 위로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
제1 격벽(126) 및 제1 유기 발광층(128) 위에는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZnO(산화 아연) 또는 In2O3(Indium Oxide) 등의 투명 도전 물질로 만들어진 제1 공통 전극(129)이 형성되어 있다. 제1 공통 전극(129)은 제1 유기 발광 다이오드(OLD)의 캐소드가 된다. 제1 화소 전극(127), 제1 유기 발광층(128) 및 제1 공통 전극(129)은 함께 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)를 이룬다. 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)는 반사 도전 물질을 포함하는 제1 화소 전극(127)과 투명 도전 물질을 포함하는 제1 공통 전극(129)을 포함하므로 제1 유기 발광층(128)에서 발광한 빛(L1)은 제1 화소 전극(127)에서는 반사되고 제1 공통 전극(129)은 통과하게 된다. 따라서, 제1 유기 발광층(128)에서 발광한 빛(L1)은 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)를 통과하게 된다.
한편, 제2 기판(210) 아래에는 제2 버퍼층(221)이 형성되어 있다. 제2 버퍼층(221) 위에는 제2 반도체(222)가 형성되어 있다. 제2 반도체(222) 아래에는 제2 반도체(222)를 덮는 제2 게이트 절연막(223)이 형성되어 있다. 제2 게이트 절연막(223) 위에는 제2 게이트 전극(G2)이 형성되어 있다. 제1 게이트 전극(G1)은 스캔선(21)의 일부이며, 제2 반도체(222)와 중첩한다.
제2 게이트 전극(G2) 아래에는 이를 덮는 제2 층간 절연막(224)이 형성되어 있다. 제2 층간 절연막(224) 아래에는 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)이 형성되어 있다. 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)은 각각 제2 반도체(222)의 소스 영역 및 드레인 영역과 연결되어 있다. 제2 게이트 전극(G2), 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)은 제2 구동 트랜지스터(T22)를 이룬다.
제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2) 아래에는 이를 덮는 제2 보호막(225)이 형성되어 있다.
제2 보호막(225) 아래에는 투명 도전 물질을 포함하는 제2 화소 전극(227)이 형성되어 있다. 제2 화소 전극(227)은 제2 보호막(225)에 형성된 접촉 구멍(225a)을 통해서 제2 구동 트랜지스터(T22)의 제2 드레인 전극(D2)과 전기적으로 연결되어 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)의 애노드가 된다.
제2 보호막(225) 및 제2 화소 전극(227)의 가장자리부 아래에는 제2 격벽(226)이 형성되어 있다. 제2 격벽(226)은 제1 화소 전극(127)을 노출하는 제2 화소 개구부(226a)를 가진다.
제2 격벽(226)의 제2 화소 개구부(226a)에는 제2 유기 발광층(228)이 형성되어 있다. 제2 유기 발광층(228)은 발광층, 정공 수송층(hole injection layer, HIL), 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 전자 주입층(electron injection layer, EIL) 중 하나 이상을 포함하는 복수층으로 형성된다. 제2 유기 발광층(228)이 이들 모두를 포함할 경우 정공 주입층이 애노드인 제2 화소 전극(227) 아래에 위치하고 그 아래로 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층이 차례로 적층될 수 있다.
제2 격벽(226) 및 제2 유기 발광층(228) 아래에는 반사 도전 물질로 만들어진 제2 공통 전극(229)이 형성되어 있다. 제2 공통 전극(229)은 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)의 캐소드가 된다. 제2 화소 전극(227), 제2 유기 발광층(228) 및 제2 공통 전극(229)은 함께 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)를 이룬다. 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)는 투명 도전 물질을 포함하는 제2 화소 전극(227)과 반사 도전 물질을 포함하는 제2 공통 전극(229)을 포함하므로 제2 유기 발광층(228)에서 발광한 빛(L2)은 제2 화소 전극(227)은 통과하고 제2 공통 전극(229)에서는 반사하게 된다. 따라서, 제2 유기 발광층(228)에서 발광한 빛(L2)은 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)를 통과하게 된다.
제1 구동 트랜지스터(T21)와 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)를 포함하는 제1 화소(PX1)는 제1 기판(110)의 제1 중앙부(PA1)에 대응하는 위치에만 형성되어 있으며, 제1 기판(110)의 제1 외곽부(PB1)에 대응하는 위치에는 형성되어 있지 않다. 그리고, 제2 구동 트랜지스터(T22)와 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)를 포함하는 제2 화소(PX2)는 제2 기판(210)의 중첩부(PC) 및 제2 외곽부(PB2)에 대응하는 위치에 형성되어 있다.
또한, 제1 인접 화소(PT1)와 가로 방향으로 평면상 가장 인접하고 있는 제2 최외곽 화소(PT2)간의 가로 경계부 간격(d2x)은 제1 화소(PX1)간의 가로 방향 간격인 가로 중앙부 간격(d1x)와 실질적으로 동일하다. 이와 같이, 제1 화소(PX1)간의 중앙부 간격(d1x)과 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부 간격(d2x)을 실질적으로 동일하게 형성함으로써, 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부가 시인되지 않게 하여 전면 발광하는 제1 발광층(120)과 배면 발광하는 제2 발광층(220)이 서로 구별되지 않도록 할 수 있다. 따라서, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
한편, 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230) 사이에는 점착층(300)이 형성되어 있다. 이 때, 제2 발광층(220)의 단부를 덮는 제2 봉지층(230)은 제2 발광층(220)의 측벽을 경사지게 덮고 있으며, 연속하여 제2 봉지층(230)은 제2 기판(210)의 표면과 접촉하고 있다.
그리고, 제2 기판(210) 위에는 외광 반사를 제거하기 위한 편광층(240)이 형성되어 있다. 편광층(240)은 제2 기판(210) 위에 형성되어 있으며 빛을 차단하는 차광 부재(241), 차광 부재(241)의 복수개의 차광 개구부(241a)에 형성되어 있는 색필터(242)를 포함한다. 차광 부재(241)는 크롬(Cr) 등의 금속이나 유기물로 형성될 수 있으며, 색필터(242)는 차광 부재(241)와 일부 중첩할 수 있다.
편광층(240) 위에는 제1 하드 코팅층(250)이 형성되어 있다. 제1 하드 코팅층(250)은 실록산계 화합물을 포함하며, 실록산계 화합물은 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산 또는 폴리에테르 변성 하이드록시 관능기의 폴리디메틸실록산 중 어느 하나가 단독으로 혹은 2종 이상이 혼합하여 이루어지며, 구체적으로 실록산계 화합물의 예로서, BYK-306(BYK chemi제), BYK-307, BYK-308, BYK-310, BYK-330, BYK-333, BYK-341, BYK-344 등을 들 수 있다.
제1 하드 코팅층(250) 위에는 터치 센서(Touch Sensor)(260)가 형성되어 있다. 터치 센서(260)는 표시 장치의 입력 장치로서 사용자가 손 또는 펜 등으로 화면을 직접 접촉하여 정보를 입력한다. 이러한 터치 센서(260)는 서로 이격된 두 개의 전극에서 접촉에 따른 정전 용량 변화가 일어난 위치를 감지하는 정전 용량 방식(Capacitive type)일 수 있다.
터치 센서(260) 위에는 제2 하드 코팅층(270)이 형성되어 있다. 제2 하드 코팅층(270)은 실록산계 화합물을 포함하며, 실록산계 화합물은 폴리에테르 변성 폴리디메틸실록산 또는 폴리에테르 변성 하이드록시 관능기의 폴리디메틸실록산 중 어느 하나가 단독으로 혹은 2종 이상이 혼합하여 이루어지며, 구체적으로 실록산계 화합물의 예로서, BYK-306(BYK chemi제), BYK-307, BYK-308, BYK-310, BYK-330, BYK-333, BYK-341, BYK-344 등을 들 수 있다.
이와 같이, 제1 하드 코팅층(250) 및 제2 하드 코팅층(270)을 형성함으로써, 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리 기판인 제2 기판(210)의 경도를 향상시킬 수 있다. 이 때, 제2 하드 코팅층(270)은 생략할 수도 있다.
상기 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 이하에서 도면을 참고하여 상세히 설명한다.
도 7, 도 8 및 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.
우선, 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)에서 나트륨 인자를 칼륨 인자로 치환함으로써 제1 기판(110) 및 제2 기판(210)을 화학 강화시킨다. 화학 강화시키는 방법으로는 이온 교환 슬러리를 이용하는 슬러리 공정(slurry process), 질산 칼륨염의 제사용이 가능한 디핑 공정(dipping process), 산화물계 첨가물이나 증류수를 포함하지 않아 원료 절감 효과와 공정의 단순화를 얻을 수 있는 도포 공정(deposition process) 등이 사용된다.
제1 기판(110) 및 제2 기판(210)은 유리로 이루어져 있으며, 유리의 기본 조성 성분 중 하나인 나트륨 인자를 칼륨 인자로 치환함으로써 유리의 표면에 압축 응력을 생성시켜 표면 경도를 강화시키게 된다. 따라서, 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리를 제1 기판(110) 및 제2 기판(220)을 제조하여 유연성을 향상시키면서 경도를 향상시킬 수 있다.
다음으로, 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 기판(110) 위에 전면 발광하는 제1 발광층(120)을 형성한다. 그리고, 제1 발광층(120)을 덮는 제1 봉지층(130)을 형성한다.
다음으로, 도 9에 도시한 바와 같이, 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC) 위에 제2 기판(210)을 통과하여 배면 발광하는 제2 발광층(220)을 형성한다. 그리고, 제2 발광층(220)을 덮는 제2 봉지층(230)을 형성한다.
다음으로, 도 2에 도시한 바와 같이, 제2 기판(210)을 뒤집고, 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230) 사이에 점착층(300)을 개재시켜 제1 봉지층(130)과 제2 봉지층(230)을 부착시킨다.
이 때, 제1 발광층(120)의 일부와 제2 발광층(220)의 일부를 서로 중첩시킨다. 이 때, 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)에는 제2 발광층(220)이 위치하지 않으므로, 제2 기판(210)의 제2 중앙부(PA2)에 위치하는 점착층(300)의 두께(t1)는 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)에 위치하는 점착층의 두께(t2)보다 클 수 있다.
그리고, 제1 화소(PX1) 또는 제2 화소(PX2)간의 중앙부 간격(d1x, d1y)과 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부 간격(d2x, d2y)을 실질적으로 동일하게 형성함으로써, 서로 다른 기판에 위치하고 있는 제1 화소(PX1)와 제2 화소(PX2)간의 경계부가 시인되지 않게 하여 전면 발광하는 제1 발광층(120)과 배면 발광하는 제2 발광층(220)이 서로 구별되지 않도록 할 수 있다.
그리고, 제2 기판(210) 위에 차례로 편광층(240), 제1 하드 코팅층(250), 터치 센서(260) 및 제2 하드 코팅층(270)을 형성한다. 이와 같이, 제1 하드 코팅층(250) 및 제2 하드 코팅층(270)을 형성함으로써, 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 얇은 유리 기판인 제2 기판(210)의 경도를 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 일 실시예에서는 제1 외곽부에 대응하는 위치의 제1 발광층에는 제1 화소가 형성되어 있지 않았으나, 제1 외곽부에 대응하는 위치의 제1 발광층에제1 화소가 형성되어 있는 다른 실시예도 가능하다.
이하에서, 도 10 및 도 11을 참고하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대해 상세히 설명한다.
도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 구체적인 단면도이고, 도 11은 도 10의 B 부분의 확대 단면도이다.
도 10 및 도 11에 도시된 다른 실시예는 도 1 내지 도 7에 도시된 일 실시예와 비교하여 제1 외곽부에 대응하는 위치의 제1 발광층에 제1 화소가 형성된 것만을 제외하고 실질적으로 동일한 바 반복되는 설명은 생략한다.
도 10 및 도 11에 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 구동 트랜지스터(T21)와 제1 유기 발광 다이오드(OLD1)를 포함하는 제1 화소(PX1)가 제1 기판(110)의 제1 중앙부(PA1)와 제1 외곽부(PB1)에 대응하는 위치에 모두 형성되어 있다. 그리고, 제2 구동 트랜지스터(T22)와 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)를 포함하는 제2 화소(PX2)는 제2 기판(210)의 중첩부(PC) 및 제2 외곽부(PB2)에 대응하는 위치에 형성되어 있다.
이 때, 제1 외곽부(PB1)에 대응하는 위치에 형성되어 있는 제1 화소(PX1)의제1 유기 발광 다이오드(OLD1)는 반사 도전 물질을 포함하는 제1 화소 전극(127)과 투명 도전 물질을 포함하는 제1 공통 전극(129)을 포함하므로 제1 유기 발광층(128)에서 발광한 빛(L1)은 제1 화소 전극(127)에서는 반사되고 제1 공통 전극(129)은 통과하게 된다. 따라서, 제1 유기 발광층(128)에서 발광한 빛(L1)은 점착층(300)을 통과하게 된다.
그리고, 제2 보호막(225) 아래에는 투명 도전 물질을 포함하는 제2 화소 전극(227)이 형성되어 있다. 제2 격벽(226)의 제2 화소 개구부(226a)에는 제2 유기 발광층(228)이 형성되어 있다. 제2 격벽(226) 및 제2 유기 발광층(228) 아래에는 반투과 물질로 만들어진 제2 공통 전극(229)이 형성되어 있다. 제2 화소 전극(227), 제2 유기 발광층(228) 및 제2 공통 전극(229)은 함께 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)를 이룬다.
이와 같이, 제2 기판(210)의 중첩부(PC)에 대응하는 위치에 형성되어 있는 제2 화소(PX2)의 제2 유기 발광 다이오드(OLD2)는 투명 도전 물질을 포함하는 제2 화소 전극(227)과 반투과 물질을 포함하는 제2 공통 전극(229)을 포함하므로 제2 유기 발광층(228)에서 발광한 빛(L2)은 제2 화소 전극(227)은 통과하고 제2 공통 전극(229)에서는 반사하게 된다. 따라서, 제2 유기 발광층(228)에서 발광한 빛(L2)은 제2 기판(210)의 제2 외곽부(PB2) 및 중첩부(PC)를 통과하게 된다.
또한, 제2 기판(210)의 중첩부(PC)에 대응하는 위치에 형성되어 있는 제2 화소(PX2)의 제2 공통 전극(229)은 반투과 물질을 포함하므로, 제1 유기 발광층(128)에서 발광하여 점착층(300)을 통과한 빛(L1)도 제2 기판(210)의 중첩부(PC)를 통과하게 된다.
제2 기판(210)의 중첩부(PC)에서는 제1 유기 발광층(128)에서 발광한 빛(L1)과 제2 유기 발광층(228)에서 발광한 빛(L2)을 조합하여 다양한 색상을 구현할 수 있다.
또한, 상기 일 실시예에서는 제1 기판(110)에 제1 유기 발광 다이오드가 형성되는 것으로 설명하였으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며 제1 기판(110)에 액정 표시 장치를 형성시켜 본 발명을 구현하는 것도 가능하다.
본 발명을 앞서 기재한 바에 따라 바람직한 실시예를 통해 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 한, 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 본 발명이 속하는 기술 분야에 종사하는 자들은 쉽게 이해할 것이다.
110: 제1 기판 120: 제1 발광층
130: 제1 봉지층 210: 제2 기판
220: 제2 발광층 230: 제2 봉지층
240: 편광층 250: 제1 하드 코팅층
260: 터치 센서 270: 제2 하드 코팅층
PA1: 제1 중앙부 PB1: 제1 외곽부
PA2: 제2 중앙부 PB2: 제2 외곽부
PC: 중첩부
130: 제1 봉지층 210: 제2 기판
220: 제2 발광층 230: 제2 봉지층
240: 편광층 250: 제1 하드 코팅층
260: 터치 센서 270: 제2 하드 코팅층
PA1: 제1 중앙부 PB1: 제1 외곽부
PA2: 제2 중앙부 PB2: 제2 외곽부
PC: 중첩부
Claims (26)
- 제1 기판,
상기 제1 기판 위에 형성되어 있으며 전면(前面) 발광하는 제1 발광층,
상기 제1 기판과 대향하고 있으며 상기 제1 기판을 덮고 있는 제2 기판, 그리고
상기 제2 기판 아래에 형성되어 있으며 배면(背面) 발광하는 제2 발광층
을 포함하며,
상기 제1 기판은 제1 중앙부, 그리고 상기 제1 중앙부를 둘러싸는 제1 외곽부를 포함하고,
상기 제2 기판은 제2 중앙부, 상기 제2 중앙부를 둘러싸는 제2 외곽부, 그리고 상기 제2 중앙부와 상기 제2 외곽부 사이의 중첩부를 포함하고,
상기 제2 중앙부는 상기 제1 중앙부와 중첩하고, 상기 중첩부는 상기 제1 외곽부와 중첩하고, 상기 제2 외곽부는 상기 제1 기판과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은 상기 제1 중앙부 및 상기 제1 외곽부 위에 위치하고,
상기 제2 발광층은 상기 제2 외곽부 및 상기 중첩부 아래에 위치하는 표시 장치. - 삭제
- 제1항에서,
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 유리를 포함하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 기판 및 제2 기판은 칼륨 인자를 포함하는 화학 강화 유리인 표시 장치. - 삭제
- 제1항에서,
상기 제1 외곽부에 위치하는 상기 제1 발광층의 일부는 상기 중첩부에 위치하는 상기 제2 발광층의 일부와 서로 중첩하는 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 발광층을 덮고 있는 제1 봉지층,
상기 제2 발광층 및 제2 기판을 덮고 있는 제2 봉지층, 그리고
상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층을 서로 부착시키고 있는 점착층
을 더 포함하는 표시 장치. - 제7항에서,
상기 제2 기판의 제2 중앙부는 상기 제2 봉지층과 접촉하고 있는 표시 장치. - 제7항에서,
상기 제2 기판의 제2 중앙부에 위치하는 상기 점착층의 두께는 상기 제2 기판의 제2 외곽부 및 중첩부에 위치하는 점착층의 두께보다 큰 표시 장치. - 제1항에서,
상기 제1 발광층은 복수개의 제1 화소를 포함하고, 상기 제2 발광층은 복수개의 제2 화소를 포함하며,
상기 복수개의 제2 화소 중 최외곽에 위치하는 제2 최외곽 화소와 상기 복수개의 제1 화소 중 상기 제2 최외곽 화소와 평면상 가장 인접한 인접 제1 화소간의 간격인 경계부 간격은 상기 복수개의 제1 화소 중 인접하는 제1 화소간의 간격인 중앙부 간격과 실질적으로 동일한 표시 장치. - 제10항에서,
상기 제1 화소는 상기 제1 중앙부에만 위치하고 있는 표시 장치. - 제10항에서,
상기 제1 화소는 상기 제1 중앙부 및 제1 외곽부에 위치하고 있는 표시 장치. - 제10항에서,
상기 제1 화소는
상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 제1 구동 트랜지스터,
상기 제1 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 제1 유기 발광 다이오드
를 포함하고,
상기 제2 화소는
상기 제2 기판 아래에 형성되어 있는 제2 구동 트랜지스터,
상기 제2 구동 트랜지스터에 연결되어 있는 제2 유기 발광 다이오드
를 포함하며,
상기 제1 유기 발광 다이오드 및 상기 제2 유기 발광 다이오드에서 발광된 빛은 모두 상기 제2 기판을 통과하여 조사되는 표시 장치. - 제13항에서,
상기 제2 기판 위에 형성되어 있는 편광판을 더 포함하는 표시 장치. - 제14항에서,
상기 편광판은
상기 제2 기판 위에 형성되어 있으며 복수개의 차광 개구부를 가지는 차광 부재,
상기 차광 개구부에 형성되어 있는 색필터를 포함하는 표시 장치. - 제14항에서,
상기 편광판 위에 형성되어 있는 제1 하드 코팅층을 더 포함하는 표시 장치. - 제16항에서,
상기 제1 하드 코팅층 위에 형성되어 있는 터치 센서를 더 포함하는 표시 장치. - 제17항에서,
상기 터치 센서 위에 형성되어 있는 제2 하드 코팅층을 더 포함하는 표시 장치. - 제1 기판 위에 전면 발광하는 제1 발광층을 형성하는 단계,
상기 제1 발광층을 덮는 제1 봉지층을 형성하는 단계,
제2 기판의 제2 외곽부 및 중첩부 위에 배면 발광하는 제2 발광층을 형성하는 단계,
상기 제2 발광층을 덮는 제2 봉지층을 형성하는 단계, 그리고
상기 제2 기판을 뒤집어서 상기 제1 봉지층과 제2 봉지층 사이에 점착층을 개재시켜 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층을 부착시키는 단계
를 포함하며,
상기 제1 기판은 제1 중앙부, 그리고 상기 제1 중앙부를 둘러싸는 제1 외곽부를 포함하고,
상기 제2 기판은 제2 중앙부, 상기 제2 중앙부를 둘러싸는 제2 외곽부, 그리고 상기 제2 중앙부와 상기 제2 외곽부 사이의 중첩부를 포함하고,
상기 제2 중앙부는 상기 제1 중앙부와 중첩하고, 상기 중첩부는 상기 제1 외곽부와 중첩하고, 상기 제2 외곽부는 상기 제1 기판과 중첩하지 않고,
상기 제1 발광층은 상기 제1 중앙부 및 상기 제1 외곽부 위에 위치하고,
상기 제2 발광층은 상기 제2 외곽부 및 상기 중첩부 아래에 위치하는 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에서,
상기 제1 기판 및 제2 기판을 화학 강화시키는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에서,
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 50㎛ 내지 100㎛의 두께를 가지는 유리를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 삭제
- 삭제
- 제19항에서,
상기 제1 외곽부에 위치하는 상기 제1 발광층의 일부는 상기 중첩부에 위치하는 상기 제2 발광층의 일부와 서로 중첩하는 표시 장치의 제조 방법. - 제19항에서,
상기 제2 기판 위에 편광층을 형성하는 단계,
상기 편광층 위에 제1 하드 코팅층을 형성하는 단계,
를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제25항에서,
상기 제1 하드 코팅층 위에 터치 센서를 형성하는 단계,
상기 터치 센서 위에 제2 하드 코팅층을 형성하는 단계
를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
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