CN110888265A - 电子装置 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 308
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 135
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 90
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 46
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 36
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 34
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 33
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 27
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N iron(II,III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 450
- 239000000306 component Substances 0.000 description 68
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 64
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 52
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 46
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 43
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 41
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 description 39
- 230000008569 process Effects 0.000 description 34
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 26
- 101100273664 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) ccp-1 gene Proteins 0.000 description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 18
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 16
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 14
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 12
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 10
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 102100036464 Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Human genes 0.000 description 8
- 101000713904 Homo sapiens Activated RNA polymerase II transcriptional coactivator p15 Proteins 0.000 description 8
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 8
- 229910004444 SUB1 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 8
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 229910004438 SUB2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 101100311330 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) uap56 gene Proteins 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- -1 region Substances 0.000 description 7
- 101150018444 sub2 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 6
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100440271 Caenorhabditis elegans ccf-1 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 2
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004611 CdZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000764773 Inna Species 0.000 description 1
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003087 TiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003134 ZrOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002121 nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002055 nanoplate Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N tioxidazole Chemical compound CCCOC1=CC=C2N=C(NC(=O)OC)SC2=C1 HLLICFJUWSZHRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N zirconium nitride Chemical compound [Zr]#N ZVWKZXLXHLZXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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Abstract
电子装置包括：光源构件，所述光源构件配置为提供第一光；颜色转换构件，所述颜色转换构件设置在光源构件上并包括将第一光转换成第二光的第一转换材料和将第一光转换成第三光的第二转换材料；和低折射率层，所述低折射率层设置在光源构件上并设置在颜色转换构件的上部和下部中的至少一个上。低折射率层包括：基质部件；多个中空无机颗粒，所述多个中空无机颗粒分散在基质部件中；和多个空隙部件，所述多个空隙部件由基质部件限定。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年9月11日提交的韩国专利申请第10-2018-0108387号的优先权，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
本发明构思的示例性实施方式涉及电子装置，并且更具体地，涉及包括低折射率层的电子装置。
背景技术
正在开发用于在多媒体装置，比如电视、移动电话、平板电脑、航海设备或游戏控制台等中提供图像信息的各种电子装置。尤其，在包括液晶显示装置、有机电致发光显示装置等的电子装置中，正在引入量子点来提高显示质量。
为了使用量子点进一步提高电子装置中的光效率，正在使用利用低折射率材料的光学构件。
发明内容
本发明构思的示例性实施方式提供了电子装置，所述电子装置包括低折射率层，所述低折射率层包括可在提高强度的同时提供良好的低折射特性的中空无机颗粒和空隙部件。
本发明构思的示例性实施方式还提供了电子装置，其中具有高强度的低折射率层提供在显示构件上，所述低折射率层可提高可靠性和光学特征。
根据示例性实施方式，电子装置包括：光源构件，所述光源构件配置为提供第一光；颜色转换构件，所述颜色转换构件设置在光源构件上并包括将第一光转换成第二光的第一转换材料和将第一光转换成第三光的第二转换材料；和低折射率层，所述低折射率层设置在光源构件上并设置在颜色转换构件的上部和下部中的至少一个上。低折射率层包括：基质部件；多个中空无机颗粒，所述多个中空无机颗粒分散在基质部件中；和多个空隙部件，所述多个空隙部件由基质部件限定。
在示例性实施方式中，中空无机颗粒中的每一个包括填充有空气的核部件和围绕核部件的壳部件。
在示例性实施方式中，壳部件包括SiO2、MgF2和Fe3O4中的至少一种。
在示例性实施方式中，空隙部件具有球形形状和约1nm至约5nm的平均直径。
在示例性实施方式中，中空无机颗粒具有球形形状和约20nm至约200nm的平均直径。
在示例性实施方式中，基质部件包括丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中的至少一种。
在示例性实施方式中，低折射率层在约400nm至约700nm的波长内具有约95％或更大的透射率，并且在约632nm的波长处具有约1.1至约1.5的折射率。
在示例性实施方式中，第一光是蓝光，第一转换材料是将蓝光转换成绿光的第一量子点，并且第二转换材料是将蓝光转换成红光的第二量子点。
在示例性实施方式中，电子装置进一步包括设置在颜色转换构件上的显示元件。
在示例性实施方式中，显示元件包括液晶元件。
在示例性实施方式中，光源构件包括引导面板和设置在引导面板的一侧处的光源。低折射率层设置在引导面板和颜色转换构件之间。
在示例性实施方式中，低折射率层直接设置在引导面板上。
在示例性实施方式中，电子装置进一步包括设置在颜色转换构件的顶面和底面中的至少一个上的屏障层。
在示例性实施方式中，颜色转换构件包括在平面上彼此间隔开的多个颜色转换部件。多个颜色转换部件包括：第一颜色转换部件，所述第一颜色转换部件包括第一转换材料；第二颜色转换部件，所述第二颜色转换部件包括第二转换材料；和第三颜色转换部件，所述第三颜色转换部件配置为透射第一光。
在示例性实施方式中，颜色转换构件进一步包括阻光部件，所述阻光部件设置在彼此间隔开的第一颜色转换部件至第三颜色转换部件之间。
在示例性实施方式中，电子装置进一步包括反射层，所述反射层设置在多个颜色转换部件的上部和下部中的至少一个上。反射层透射第一光并反射第二光和第三光。
在示例性实施方式中，低折射率层设置在反射层和多个颜色转换部件之间并覆盖多个颜色转换部件。
在示例性实施方式中，反射层设置在低折射率层和多个颜色转换部件之间并覆盖多个颜色转换部件。
在示例性实施方式中，颜色转换构件进一步包括屏障层，所述屏障层设置在多个颜色转换部件的上部和下部中的至少一个上。
在示例性实施方式中，屏障层设置在低折射率层和多个颜色转换部件之间并覆盖多个颜色转换部件。
在示例性实施方式中，颜色转换构件进一步包括光学滤波器层，所述光学滤波器层配置为透射第二光和第三光中的至少一种。
在示例性实施方式中，光学滤波器层包括：第一光学滤波器层，所述第一光学滤波器层设置在第一颜色转换部件上；和第二光学滤波器层，所述第二光学滤波器层设置在第二颜色转换部件上。
在示例性实施方式中，第一光学滤波器层透射绿光，并且第二光学滤波器层透射红光。
在示例性实施方式中，电子装置进一步包括：第一基础基板，所述第一基础基板设置在光源构件上；第二基础基板，所述第二基础基板设置在光源构件上并面向第一基础基板；和液晶层，所述液晶层设置在光源构件上的第一基础基板和第二基础基板之间。颜色转换构件设置在液晶层和第二基础基板之间。
在示例性实施方式中，低折射率层设置在液晶层和颜色转换构件之间或设置在颜色转换构件和第二基础基板之间。
在示例性实施方式中，电子装置进一步包括：第一偏振层，所述第一偏振层设置在光源构件和第一基础基板之间或设置在第一基础基板和液晶层之间；和第二偏振层，所述第二偏振层设置在液晶层和第二基础基板之间。
在示例性实施方式中，光源构件包括有机电致发光元件。
在示例性实施方式中，颜色转换构件进一步包括挡板(dam)部件，所述挡板部件将多个颜色转换部件彼此分开，并且设置在多个颜色转换部件的相邻颜色转换部件之间。
在示例性实施方式中，颜色转换构件进一步包括设置在多个颜色转换部件上的颜色滤波器层。颜色滤波器层包括：多个滤波器部件，所述多个滤波器部件配置为发射具有各种颜色的光；和阻光部件，所述阻光部件配置为将滤波器部件彼此分开并设置在滤波器部件的相邻滤波器部件之间。
根据示例性实施方式，电子装置包括：光源构件，所述光源构件配置为提供第一光；颜色转换构件，所述颜色转换构件设置在光源构件上并包括将第一光转换成第二光的第一转换材料和将第一光转换成第三光的第二转换材料；和低折射率层，所述低折射率层设置在光源构件上并设置在颜色转换构件的上部和下部中的至少一个上。低折射率层包括：基质部件；多个中空无机颗粒，所述多个中空无机颗粒分散在基质部件中并包括多个第一空隙；和由基质部件限定的多个第二空隙。第一空隙的平均直径大于第二空隙的平均直径。
在示例性实施方式中，低折射率层包括多个第一空隙和多个第二空隙。第一空隙的体积之和的第一体积大于第二空隙的体积之和的第二体积。
根据示例性实施方式，电子装置包括：显示元件；引导面板，所述引导面板设置在显示元件下面；光源构件，所述光源构件设置为邻近引导面板的至少一个表面；颜色转换构件，所述颜色转换构件设置在引导面板和显示元件之间；和低折射率层，所述低折射率层设置在引导面板和颜色转换构件之间。低折射率层包括：基质部件；多个中空无机颗粒，所述多个中空无机颗粒分散在基质部件中；和多个空隙部件，所述多个空隙部件由基质部件限定。
在示例性实施方式中，光源构件包括配置为发射蓝光的发光元件。颜色转换构件包括：绿色量子点，所述绿色量子点由蓝光激发而发射绿光；和红色量子点，所述红色量子点由蓝光和绿光中的至少一种激发而发射红光。
在示例性实施方式中，中空无机颗粒中的每一个包括填充有空气的核部件和限定核部件的壳部件，并且核部件的平均直径大于空隙部件的平均直径。
附图说明
参考附图，通过详细描述其示例性实施方式，本发明构思的上面和其他特征将变得更明显，其中：
图1是根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置的分解透视图。
图2是根据本发明构思的示例性实施方式的显示构件的分解透视图。
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的横截面图。
图4是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的方法的流程图。
图5A至5C是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的方法中的工艺的视图。
图6是图2的线I-I’的部分的横截面图。
图7是阐释图6的区域BB的横截面图。
图8是根据本发明构思的示例性实施方式的显示构件的分解透视图。
图9是根据本发明构思的示例性实施方式的颜色转换构件的平面图。
图10是阐释对应图8的线II-II’的部分的横截面图。
图11是阐释图10的区域CC的横截面图。
图12是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的图11的区域CC的横截面图。
图13是根据本发明构思的示例性实施方式的显示构件的分解透视图。
图14是阐释对应图13的线III-III’的部分的横截面图。
图15是阐释图14的区域EE的横截面图。
图16是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的图15的区域EE的横截面图。
图17是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的图15的区域EE的横截面图。
图18A是阐释通过评估根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的耐久性获得的结果的图。
图18B是阐释通过测量根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的折射率值获得的结果的图。
图19A和19B是阐释通过评估根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的耐久性获得的结果的图像。
图20A和20B是分别阐释通过评估根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的透湿性获得的结果的图。
具体实施方式
下文将参考附图更充分地描述本发明构思的示例性实施方式。在整个附图中，相同的参考数值可指相同的元件。
应理解，当组件，比如膜、区域、层或元件，被称为在另一组件“上”，“连接至”、“联接至”或“邻近”另一组件时，其可直接在另一组件上，连接至、联接至或邻近另一组件，或可存在中间组件。还应理解，当组件被称为在两个组件“之间”时，其可为两个组件之间的唯一组件，或也可存在一个或多个中间组件。还应理解，当组件被称为“覆盖”另一组件时，其可为覆盖另一组件的唯一组件，或一个或多个中间组件也可覆盖另一组件。
本文，术语“直接设置”可意指在一个层、膜、区域或板等和另一个层、膜、区域或板等之间不存在中间层、膜、区域或板等。例如，“直接设置”可意指不使用另外构件比如粘合构件，而设置在两个层或两个构件之间。
应理解，术语“第一”、“第二”或“第三”等在本文中用于区分一个元件与另一元件，并且元件不受这些术语的限制。因此，一个示例性实施方式中的“第一”元件可在另一示例性实施方式中被描述为“第二”元件。此外，单数形式的术语可包括复数形式，除非相反指出。
为了便于描述，空间相对术语，比如“下方”、“下面”、“下”、“之下”、“上面”或“上”等可在本文中用于描述如图所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。应理解，空间相对术语旨在包括除了图中描绘的定向之外，设备在使用或操作中的不同定向。例如，如果将图中的设备翻转，描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”或“之下”的元件则会定向在其他元件或特征的“上面”。因此，示例性术语“下面”、“下方”和“之下”可包括上面和下面两个定向。另外，还应理解，当层被称为在两个层“之间”时，其可为两个层之间的唯一层，或也可存在一个或多个中间层。
如本文使用的术语“约”或“近似”包括所叙述的值和在特定值的偏差的可接受范围内的平均值，该平均值为本领域普通技术人员考虑到所提及的测量和特定数量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)而确定。例如，“约”可意指由本领域普通技术人员所理解的在一个或多个标准偏差内。此外，应理解，虽然参数可在本文中描述为具有“约”某一值，但根据示例性实施方式，该参数可精确地为某一值或由本领域普通技术人员将会理解的在测量误差内的近似某一值。
应理解，每个示例性实施方式中的特征或方面的描述通常应认为可用于其他示例性实施方式中的其他类似特征或方面，除非上下文另外明确指出。
下文，将参考附图描述根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层和包括该低折射率层的电子装置。
图1是根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置的分解透视图。图2是根据本发明构思的示例性实施方式的显示构件的分解透视图。例如，图2是根据本发明构思的示例性实施方式的图1的电子装置DS中提供的显示构件DP的分解透视图。
根据示例性实施方式的电子装置DS可包括根据电信号激活的各种元件，比如显示元件、触摸元件或探测元件。根据示例性实施方式的电子装置DS可包括窗口构件WP、显示构件DP和容纳构件HAU。
根据示例性实施方式的电子装置DS可为包括显示构件DP并提供图像的显示装置。例如，根据示例性实施方式的电子装置DS可为液晶显示装置或有机电致发光显示装置。
在图1和下述图中，阐释了第一方向轴DR1、第二方向轴DR2和第三方向轴DR3。本文所述的方向轴是相对概念，并且为了便于描述，第三方向轴DR3的方向可限定为其中向使用者提供图像的方向。第一方向轴DR1和第二方向轴DR2可彼此垂直。第三方向轴DR3可为相对于由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面的法线方向。在图1中，由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面可为提供在其上图像的显示表面。
在根据示例性实施方式的电子装置DS中，窗口构件WP可设置在显示构件DP上。窗口构件WP可由包括例如玻璃、蓝宝石或塑料的材料制造。窗口构件WP可包括透光区域TA，所述透光区域TA透射从显示构件DP提供的图像；和阻光区域BA，所述阻光区域BA设置为邻近透光区域TA，并且通过其不透射图像。透光区域TA可设置在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上的电子装置DS的中心部分中。阻光区域BA可设置在透光区域TA的外周并且具有围绕透光区域TA的框架形状。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，窗口构件WP可仅包括透光区域TA，并且可省略阻光区域BA。此外，在示例性实施方式中，阻光区域BA可仅设置在透光区域TA的至少一侧上而不是围绕透光区域TA。
与图1不同，在根据示例性实施方式的电子装置DS中可省略窗口构件WP。
在根据示例性实施方式的电子装置DS中，显示构件DP可设置在窗口构件WP的下面。显示构件DP可包括液晶显示元件或有机电致发光显示元件。
显示构件DP的显示图像的表面限定为平面上的显示表面。显示表面包括显示区域DA，其中图像显示在显示表面上；和非显示区域NDA，其中不显示图像。显示区域DA可限定在平面上显示构件DP的中心处，以与窗口构件WP的透光区域TA重叠。
容纳构件HAU可设置在显示构件DP的下面，以容纳显示构件DP。容纳构件HAU可设置为覆盖显示构件DP，从而暴露作为显示构件DP的显示表面的顶面。在示例性实施方式中，容纳构件HAU可覆盖显示构件DP的侧面和底面，并暴露显示构件DP的整个顶面。在示例性实施方式中，除了覆盖显示构件DP的侧面和底面之外，容纳构件HAU还可覆盖顶面的一部分。
参考图2，根据示例性实施方式的电子装置DS(参考图1)可包括显示构件DP，所述显示构件可包括低折射率层LRL。根据示例性实施方式的电子装置DS可包括：光源构件LP；颜色转换构件CCP，所述颜色转换构件CCP设置在光源构件LP上；和根据示例性实施方式的低折射率层LRL，所述低折射率层LRL设置在光源构件LP和颜色转换构件CCP之间。在根据示例性实施方式的电子装置DS中提供的低折射率层LRL可为转换光路径的层。例如，低折射率层LRL可用于提取与相邻层或构件有关的光。
在根据示例性实施方式的电子装置DS中提供的根据示例性实施方式的显示构件DP可包括光源构件LP和显示元件DD。显示构件DP可包括：颜色转换构件CCP，所述颜色转换构件CCP设置在光源构件LP上；和低折射率层LRL，所述低折射率层LRL设置在光源构件LP和颜色转换构件CCP之间。
在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在光源构件LP上并可设置在颜色转换构件CCP的上部和下部中的至少一个上。在示例性实施方式中，低折射率层LRL可直接设置在引导面板GP上。例如，低折射率层LRL可与引导面板GP直接接触。
光源构件LP可包括光源单元LU和引导面板GP。光源单元LU可提供第一光。光源单元LU可包括电路板PB和设置在电路板PB上的发光元件LD。光源单元LU在本文中也可称为光源。在示例性实施方式中，光源单元LU设置在引导面板GP的一侧处。
电路板PB可向安装的发光元件LD提供电源。例如，电路板PB可向安装的发光元件LD提供调光信号和驱动电压。电路板PB可包括至少一个绝缘层和至少一个电路层。例如，电路板PB可为金属基印刷电路板(MCPCB)。
多个发光元件LD可设置在电路板PB上。发光元件LD可响应从电路板PB供应的电压而发射光。发光元件LD的每一个可包括具有下述结构的发光二极管：其中n-型半导体层、有源层和p-型半导体层顺序层压，并且当施加驱动电压时通过电子和空穴的复合而发射光。
在示例性实施方式中，多个发光元件LD可发射具有相同波长范围的光。相反，在示例性实施方式中，光源单元LU可包括发射具有彼此不同波长范围的光的多个发光元件LD。在示例性实施方式中，发光元件LD可发射具有波长范围在约440nm至约460nm的中心波长的第一光。在示例性实施方式中，发光元件LD可发射蓝光。
光源构件LP可包括引导面板GP。光源单元LU可设置在引导面板GP的至少一侧上。从光源单元LU发射的第一光可入射到引导面板GP的至少一侧。然后，可在引导面板GP中引导第一光并将其提供至显示元件DD。例如，从光源单元LU发射的蓝光可入射到引导面板GP并透射到颜色转换构件CCP。此后，转换波长的光可从颜色转换构件CCP提供到显示元件DD。
在图2的示例性实施方式中，尽管邻近光源单元LU的引导面板GP的一侧具有向邻近光源单元LU的引导面板GP的一个侧面逐渐倾斜的横截面，但本发明构思不限于此。
引导面板GP可由在可见光区域中具有高光透射率的材料制造。例如，引导面板GP可为玻璃。可选地，引导面板GP可由透明的聚合物树脂，比如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制造。在示例性实施方式中，引导面板GP可具有约1.4至约1.55的折射率。
从发光元件LD发射的光可入射到引导面板GP。发射图案部件CP可进一步设置在引导面板GP的底面上。发射图案部件CP可设置在引导面板GP的底面上并具有向容纳构件HAU凸起地突出的形状。例如，发射图案部件CP可具有向容纳构件HAU凸起的透镜形状。但是，本发明构思不限于此。
发射图案部件CP可由折射率不同于引导面板GP的折射率的材料制造。发射图案部件CP可将从光源单元LU入射到引导面板GP的一个侧面的光透射到引导面板GP的另一侧面，或改变入射光的方向以使朝向引导面板GP的底面入射的光透射朝向发射表面，所述发射表面为引导面板GP的顶面。发射图案部件CP可改变向引导面板GP的底面提供的光的路径，以允许光发射至显示元件DD。
在根据示例性实施方式的显示构件DP中，低折射率层LRL可设置在光源构件LP上。低折射率层LRL可设置在引导面板GP上。
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的横截面图。图4是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的方法的流程图。图5A至5C是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的方法中的工艺的视图。
图3是根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层LRL的横截面图。参考图3，低折射率层LRL可包括基质部件MX、中空无机颗粒HP和空隙部件VD。如图3中所示，低折射率层LRL可包括多个中空无机颗粒HP和多个空隙部件VD。
多个中空无机颗粒HP可散布在整个基质部件MX中，并且多个空隙部件VD可由基质部件MX限定。例如，空隙部件VD可对应未填充有基质部件MX的部分。
基质部件MX可包括聚合物材料。基质部件MX可包括丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中至少一种。例如，基质部件MX可包括选自丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中的一种聚合物材料，或多种聚合物材料的组合。此外，基质部件MX可包括硅氧烷聚合物、倍半硅氧烷聚合物、被氟原子取代的丙烯酸类聚合物、被氟原子取代的聚硅氧烷类聚合物、被氟原子取代的氨基甲酸乙酯类聚合物和被氟原子取代的二酰亚胺聚合物中的至少一种。
基质部件MX可由例如丙烯酸类树脂、聚硅氧烷类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂或二酰亚胺类树脂制造。基质部件MX可通过在高温工艺或紫外线处理工艺中固化聚合物树脂，比如，例如，丙烯酸类树脂、聚硅氧烷类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂或二酰亚胺类树脂而形成。
在示例性实施方式中，低折射率层LRL中包括的中空无机颗粒HP中的每一个可具有核壳形状。在示例性实施方式中，中空无机颗粒HP中的每一个可具有球形形状。中空无机颗粒HP中的每一个可包括核部件CR和围绕核部件CR的壳部件SL。核部件CR可由壳部件SL限定。例如，壳部件SL可围绕核部件CR，并且核部件CR可由壳部件SL的内壁限定。在示例性实施方式中，由壳部件SL的内壁限定的壳部件SL的整个内部空间可对应核部件CR。壳部件SL可为由无机材料制造的层。壳部件SL可包括例如SiO2、MgF2和Fe3O4中的至少一种。例如，在根据示例性实施方式的低折射率层LRL中，中空无机颗粒HP可为中空二氧化硅。
每个中空无机颗粒HP中的壳部件SL可包括限定核部件CR并由例如，SiO2、MgF2和Fe3O4中的至少一种制造的无机层，和围绕无机层的外表面的有机层。有机层可用来增强中空无机颗粒HP在基质部件MX中的分散性。例如，有机层可设置在壳部件SL的外表面上，以允许中空无机颗粒HP均匀分散在基质部件MX中，而不使中空无机颗粒HP聚集。
中空无机颗粒HP的核部件CR可填充有空气。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，核部件CR可填充有具有低折射特征的液体或气体。在示例性实施方式中，核部件CR可为由壳部件SL限定的空隙。
在示例性实施方式中，中空无机颗粒HP可具有球形形状。此外，每个中空无机颗粒HP的横截面可具有圆形形状。中空无机颗粒HP可具有约20nm至约200nm的平均直径。参考图3，中空无机颗粒HP的直径DHP可表示直到壳部件SL的最外部分的直径。在示例性实施方式中，低折射率层LRL中包括的中空无机颗粒HP可具有约20nm至约200nm的平均直径，这导致低折射率层LRL提高的/优化的厚度和折射率值。
在中空无机颗粒HP中，壳部件SL可具有约7nm至约10nm的厚度DSL。壳部件SL可具有约7nm至约10nm的厚度DSL，以保持中空无机颗粒HP的强度同时增加/最大化核部件CR的体积。
在中空无机颗粒HP中，核部件CR可填充有空气，或在核部件CR中可包括低折射率材料，以控制低折射率层LRL的折射率。例如，中空无机颗粒HP可具有约1.0至约1.3的折射率。
在示例性实施方式中，低折射率层LRL可包括多个空隙部件VD。空隙部件VD可为由基质部件MX限定的部分。基质部件MX可不填充到空隙部件VD中。因此，空隙部件VD的每一个可为空的。例如，每个空隙部件VD可为限定为由基质部件MX围绕的空的空间。每个空隙部件VD可为填充有空气的部分。填充有空气的每个空隙部件VD可为低折射率层LRL的折射率降低的部分。
每个空隙部件VD可为具有球形形状的空间。参考图3，空隙部件VD的每一个可具有约1nm至约5nm的平均直径DVD。在示例性实施方式中，低折射率层LRL可包括空隙部件VD和中空无机颗粒HP，并因此可在保持低折射率值的同时，具有高耐久性。
在根据示例性实施方式的低折射率层LRL中，由基质部件MX限定的每个空隙部件VD可为开孔，并且由壳部件SL限定的每个核部件CR可为闭孔。
对应开孔的空隙部件VD可为未填充有基质部件MX的部分，并且空隙部件VD的边界可由基质部件MX限定。这里，在示例性实施方式中，未提供用于划分空隙部件VD和基质部件MX的单独边界材料。此外，相比之下，对应闭孔的核部件CR可为由壳部件SL限定的中空无机颗粒HP的内部空间。
在根据示例性实施方式的包括中空无机颗粒HP和空隙部件VD的低折射率层LRL中，作为由中空无机颗粒HP提供的孔的核部件CR可限定为第一空隙，并且空隙部件VD可限定为第二空隙。例如，根据示例性实施方式的低折射率层LRL可包括具有第一空隙的中空无机颗粒HP和具有第二空隙的空隙部件VD。
在示例性实施方式中，第一空隙和第二空隙中的每一个可具有球形形状。在示例性实施方式中，第一空隙可具有的平均直径大于第二空隙的平均直径。参考图3，第一空隙可具有对应核部件CR的直径DCR的直径，并且第二空隙可具有对应空隙部件VD的平均直径DVD的直径。中空无机颗粒HP的直径DCR可表示直到壳部件SL的最内部分的直径。
在根据示例性实施方式的低折射率层LRL中，多个第一空隙的总体积可大于多个第二空隙的总体积。例如，作为第一空隙的体积之和的第一体积可大于作为第二空隙的体积之和的第二体积。因此，在示例性实施方式中，由所有中空无机颗粒HP提供的第一空隙的总体积可大于由所有空隙部件VD提供的第二空隙的总体积。
根据示例性实施方式的低折射率层LRL可包括所有的对应由壳部件SL限定的闭孔的第一空隙和对应由基质部件MX限定的空隙部件VD的第二空隙。
在根据示例性实施方式的低折射率层LRL中，空隙部件VD可由孔诱导材料(例如，成孔剂)制造。根据示例性实施方式的低折射率层LRL可通过将聚合物树脂、孔诱导材料和中空无机颗粒HP混合，并且然后通过在高温下经过热处理工艺或紫外线(UV)处理工艺固化聚合物树脂而形成。
图4是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层LRL的方法的流程图。制造低折射率层LRL的方法可包括混合聚合物树脂和孔诱导材料以制造预涂覆溶液的工艺(S100)，将中空无机颗粒混合到预涂覆溶液中以制造涂覆溶液的工艺(S200)，和在施加涂覆溶液之后进行热处理的工艺(S300)。
制造预涂覆溶液的工艺(S100)可为将形成基质部件MX的聚合物树脂与形成空隙部件VD的孔诱导材料混合的工艺。预涂覆溶液可为其中聚合物树脂和孔诱导材料掺混的溶液，或其中聚合物树脂和孔诱导材料以共聚物的形式聚合的溶液。
聚合物树脂可包括例如丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中的至少一种。例如，聚合物树脂可包括选自丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中的一种聚合物材料，或多种聚合物材料的组合。聚合物树脂可包括例如硅氧烷聚合物、倍半硅氧烷聚合物、被氟原子取代的丙烯酸类聚合物、被氟原子取代的聚硅氧烷类聚合物、被氟原子取代的氨基甲酸乙酯类聚合物和被氟原子取代的二酰亚胺聚合物中的至少一种。例如，硅氧烷聚合物可包括有机改性硅酸盐或与硅烷类单体缩聚的聚合物。
预涂覆溶液中包括的孔诱导材料可为线性型或树枝状高分子型。
例如，线性型孔诱导材料可为可由化学结构
表示的单分子的烃(x、y和n各自独立地为1或更大的整数)、支链聚(对二甲苯)、线性聚(对亚苯基)、线性聚丁二烯、支链聚乙烯、聚碳酸酯、聚酰胺酰亚胺、聚邻苯二酰胺或聚甲基苯乙烯等。
树枝状高分子型孔诱导材料可包括核部分和结合至核部分的支链部分，以便以规则的支链结构连接并具有向外扩散的形状。树枝状高分子型孔诱导材料的核部分可为，例如，环硅氧烷、环糊精或苯等。在树枝状高分子型孔诱导材料中，由化学结构
表示的烃基可应用于支链部分。
例如，当聚合物树脂和孔诱导材料以掺混态提供在预涂覆溶液中时，聚合物树脂和孔诱导材料可处在没有任何化学键合的混合状态。
例如，当预涂覆溶液以共聚物形式的聚合状态提供在预涂覆溶液中时，上述孔诱导材料中的至少一种可接枝聚合到上述聚合物树脂材料中的至少一种。当聚合物树脂和孔诱导材料以共聚物形式的聚合状态提供时，孔诱导材料可以以将聚合物树脂材料彼此连接的桥形式聚合。当接枝聚合时，通过侧链键合至聚合物树脂的多种孔诱导材料可彼此相同或不同。当以桥形式聚合时，将聚合物树脂材料彼此连接的多种孔诱导材料可彼此相同或不同。
在下述化学结构中，A-1和A-2表示其中硅氧烷聚合物用作聚合物树脂，并且孔诱导材料接枝聚合的情况。
[A-1]
[A-2]
下述化学结构B-1和B-2表示其中硅氧烷聚合物用作聚合物树脂，并且孔诱导材料以硅氧烷聚合物之间的桥形式聚合的情况。
[B-1]
[B-2]
化学结构A-1、A-2、B-1和B-2表示其中聚合物树脂和孔诱导材料聚合以作为预涂覆溶液提供的情况。在化学结构A-1、A-2、B-1和B-2中，PG、PG1和PG2分别表示孔诱导材料。
参考图4，在制造低折射率层的方法中，在进行了制造预涂覆溶液的工艺(S100)之后，可进行将中空无机颗粒混合到预涂覆溶液中，以制造涂覆溶液的工艺(S200)。例如，聚合物树脂、孔诱导材料和中空无机颗粒可包括在涂覆溶液中。
在示例性实施方式中，与图4不同，制造预涂覆溶液的工艺(S100)和制造涂覆溶液的工艺(S200)可在相同工艺中进行。例如，聚合物树脂、孔诱导材料和中空无机颗粒可在相同的工艺中彼此混合并作为涂覆溶液提供。例如，在示例性实施方式中，制造预涂覆溶液的工艺(S100)和制造涂覆溶液的工艺(S200)可在基本上相同的时间在相同的工艺中进行。
例如，在涂覆溶液中，基于100wt％的聚合物树脂，孔诱导材料的含量可为约1wt％至约20wt％，并且中空无机颗粒的含量可为约10wt％至约60wt％。
当孔诱导材料的含量超过约20wt％时，根据示例性实施方式的由涂覆溶液制造的低折射率层中的空隙部件的比例可相对较高，而使低折射率层的强度劣化。此外，因为涂覆溶液中孔诱导材料的含量为约1wt％或更多，所以由孔诱导材料制造的空隙部件可引入到低折射率层中，以适当保持中空无机颗粒的含量，使得此后制造的低折射率层具有低折射率。例如，因为孔诱导材料与中空无机颗粒一起用于保持低折射率层的低折射率，所以由孔诱导材料制造的空隙部件可提供在低折射率层中，以部分降低中空无机颗粒的含量，从而降低制造成本。
基于聚合物树脂，当涂覆溶液中的中空无机颗粒的含量小于约10wt％时，由涂覆溶液制造的低折射率层的折射率值不能保持为低的。此外，基于聚合物树脂，当中空无机颗粒的含量超过约60wt％时，由涂覆溶液制造的低折射率层的雾度值可能增加。
参考图4，在制造根据示例性实施方式的低折射率层的方法中，在进行了制造涂覆溶液工艺(S200)之后，可进行施加涂覆溶液以热处理所施加的涂覆溶液的工艺(S300)。涂覆溶液的施加可通过各种方法比如，例如，狭缝涂覆、旋涂、辊涂、喷涂或喷墨打印等来进行。涂覆溶液的热处理可在约150℃至约250℃的温度下进行。聚合物树脂可通过涂覆溶液的热处理工艺来热固化以形成基质部件MX。这里，可热解并去除孔诱导材料以形成空隙部件VD。
图5A至5C是阐释制造根据本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的方法的视图。图5A阐释了在引导面板GP上提供涂覆溶液LRL-P1的工艺。图5B阐释了热处理所提供的涂覆溶液LRL-P1的工艺。图5C阐释了其中在图5A和5B的工艺之后，在引导面板GP上形成低折射率层LRL的状态。
参考图5A，含有聚合物树脂PR、孔诱导材料PG和中空无机颗粒HP的涂覆溶液LRL-P1可提供在引导面板GP上。
图5B阐释了热处理图5A的工艺中提供的涂覆溶液LRL-P1的工艺。热处理可在约150℃至约250℃的温度下进行。可通过热处理涂覆溶液LRL-P1形成预低折射率层LRL-P2。预低折射率层LRL-P2可表示其中进行热处理的状态。
涂覆溶液LRL-P1的聚合物树脂PR可通过热处理固化，以形成基质部件MX。孔诱导材料PG可通过热处理分解，以形成空的空隙部件VD。例如，孔诱导材料PG可在高温热处理条件下热解并排出气体GAS，并且由基质部件MX限定的空隙部件VD可提供在其中包括孔诱导材料PG的部分处。图5C阐释了热处理预低折射率层LRL-P2之后的状态。在图5C中，低折射率层LRL可设置在引导面板GP上，并包括基质部件MX、分散在基质部件MX中的多个中空无机颗粒HP和由基质部件MX限定的多个空隙部件VD。
如图5A至5C的实施例所示，尽管描述了制造当低折射率层LRL设置在引导面板GP上时的低折射率层LRL的工艺，但发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP的上部或下部上(见图2)。在该情况下，可通过参考图5A至5C描述的工艺提供低折射率层LRL。
通过参考图4和5A至5C描述的制造根据示例性实施方式的低折射率层的方法制造的低折射率层LRL，在约400nm至约700nm的波长内可具有约95％或更大的透射率，并且在约632nm的波长处具有约1.1至约1.5的折射率。
通过参考图4和5A至5C描述的制造根据示例性实施方式的低折射率层的方法制造的低折射率层LRL可具有良好的低折射率值和提高的耐久性。
在根据示例性实施方式的低折射率层LRL中，空隙部件VD可对应通过孔诱导材料PG的热解而形成的孔。因此，尽管在示例性实施方式中形成了空隙部件VD，但是即使在图4和5A至5C中的制造低折射率层的工艺之后，低折射率层的体积和厚度并未减少，以保持低折射率层LRL的尺寸安全性和耐久性。
参考根据示例性实施方式的图3、图4和5A至5C描述的低折射率层LRL可包括分散在基质部件MX中的所有中空无机颗粒HP和由基质部件MX限定的空隙部件VD。因此，可提高内部强度和可靠性特征，同时保持低折射率值。
图6是阐释根据示例性实施方式的显示构件DP的一部分的横截面图。图6是沿着图2的线I-I’截取的横截面图。图7是阐释图6的区域BB的详细横截面图。
参考图2、图6和图7，低折射率层LRL可设置在引导面板GP上。作为形成低折射率层LRL的涂覆方法，可实施参考图4和图5A描述的狭缝涂覆、旋涂、辊涂、喷涂或喷墨打印等。但是，形成低折射率层LRL的方法不限于此。例如，可通过各种方法比如，例如，转移法将低折射率层LRL直接提供在引导面板GP上。例如，低折射率层LRL可通过各种涂覆方法直接施加至引导面板GP，或可通过各种涂覆方法在分开的工艺中制造并且然后通过使用转移法提供在引导面板GP上。
低折射率层LRL可具有的折射率小于引导面板GP的折射率。低折射率层LRL可具有的折射率小于设置在低折射率层LRL上的颜色转换构件CCP的折射率。低折射率层LRL的折射率与引导面板GP的折射率之间的差可等于或大于约0.2。低折射率层LRL可具有的折射率小于引导面板GP的折射率。因此，从光源单元LU入射到引导面板GP的光可有效地转移到与光源单元LU相对间隔开的引导面板GP的另一侧面。
封盖层(未示出)可进一步设置在低折射率层LRL上。封盖层可为保护低折射率层LRL的保护层。封盖层可为包括例如硅氮化物、硅氧化物和硅氧氮化物中的至少一种的无机层。封盖层可直接设置在低折射率层LRL上。封盖层可作为单层或多层提供。
颜色转换构件CCP可设置在低折射率层LRL上。颜色转换构件CCP可包括设置在发光构件LP和显示元件DD之间的第一转换材料QD1和第二转换材料QD2。颜色转换构件CCP可转换从光源单元LU提供的第一光的波长。颜色转换构件CCP可包括将第一光波长转换成第二光的第一转换材料QD1，和将第一光波长转换成第三光的第二转换材料QD2。显示元件DD可包括第一基板SUB1、第二基板SUB2和设置在第一基板SUB1与第二基板SUB2之间的液晶层LCL。
颜色转换构件CCP可进一步包括：颜色转换层CCL，所述颜色转换层CCL包含第一转换材料QD1和第二转换材料QD2；和屏障层BL，所述屏障层BL设置在颜色转换层CCL的顶面和底面中的至少一个上。
屏障层BL可防止水分和/或氧(下文，称为水分/氧)渗透。屏障层BL可设置在颜色转换层CCL上，以防止颜色转换层CCL暴露于水分/氧。屏障层BL可覆盖颜色转换层CCL。
屏障层BL可包括至少一个无机层。例如，屏障层BL可包括无机材料。例如，屏障层BL可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铯氧化物、硅氧氮化物和确保透光率的金属薄膜中的至少一种。屏障层BL可进一步包括有机层。屏障层BL可为单层或多层。
颜色转换层CCL可直接设置在低折射率层LRL上。在该情况下，可在颜色转换层CCL的下表面上省略屏障层BL。低折射率层LRL可用作颜色转换层CCL的底面上的屏障层。参考图6，屏障层BL可设置在颜色转换层CCL上并可覆盖颜色转换层CCL。在示例性实施方式中，屏障层BL可完全覆盖颜色转换层CCL。
在示例性实施方式中，颜色转换构件CCP可包括：第一转换材料QD1，所述第一转换材料QD1将从光源单元LU提供的第一光波长转换成绿光；和第二转换材料QD2，所述第二转换材料QD2将第一光波长转换成红光。在示例性实施方式中，第一光可为蓝光，但不限于此。在示例性实施方式中，第二转换材料QD2可由第二光激发。
第一转换材料QD1可为绿色量子点，所述绿色量子点由蓝光(第一光)激发而发射绿光(第二光)；并且第二转换材料QD2可为红色量子点，所述红色量子点由绿光(第二光)激发而发射红光。
量子点可为转换从光源单元LU提供的光的波长的颗粒。每一个量子点可为具有几纳米尺寸的晶体结构的材料。量子点可由几百个至几千个原子组成，以提供其中由于小尺寸而带隙增加的量子约束效应。当具有能量大于带隙的能量的波长的光入射到量子点中时，量子点可吸收光并因此处于激发态而发射具有特定波长的光，从而变成基态。所发射的光具有对应带隙的能量。当调整量子点的尺寸和组分时，可调整由于量子约束效应引起的发光特征。根据量子点的颗粒尺寸，量子点可改变所发射的光的颜色。随着量子点的颗粒尺寸减小，可发射具有较短波长区域的光。例如，发射绿光的量子点可具有的颗粒尺寸小于发射红光的量子点的颗粒尺寸。
量子点可选自，例如，第II-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第IV族元素、第IV族化合物和其组合。
第II-VI族化合物可选自：选自由例如CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和其组合组成的组中的二元元素化合物；选自由例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和其组合组成的组中的三元元素化合物；和选自由例如HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和其组合组成的组中的四元元素化合物。
第III-V族化合物可选自：选自由例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和其组合组成的组中的二元元素化合物；选自由例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和其组合组成的组中的三元元素化合物；和选自由例如GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP和其组合组成的组中的四元元素化合物。
第IV-VI族化合物可选自：选自由例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和其组合组成的组中的二元元素化合物；选自由例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和其组合组成的组中的三元元素化合物；和选自由例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和其组合组成的组中的四元元素化合物。第IV族元素可选自由例如Si、Ge和其组合组成的组中。第IV族化合物可为选自由例如SiC、SiGe和其组合组成的组中的二元元素化合物。
这里，二元元素化合物、三元元素化合物和四元元素化合物可以以均匀浓度存在于颗粒中，或可以以其中浓度分布分成部分不同状态的状态存在于颗粒中。
量子点可具有核壳结构，其包括围绕核的壳。可选地，量子点可具有核/壳结构，其中一个量子点围绕另一个量子点。核和壳之间的界面可具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素朝向中心具有逐渐降低的浓度。
量子点可为颗粒，其具有纳米级的尺寸。量子点可具有的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)为约45nm或更小。在示例性实施方式中，量子点可具有的发射波长光谱的FWHM为约40nm或更小，或约30nm或更小。在该范围内，可提高颜色纯度和颜色再现性。通过量子点发射的光可在所有方向上发射以改善光学视角。
量子点可具有，例如，球形形状、锥体形状、多臂形状、立方纳米颗粒形状、纳米管形状、纳米线形状、纳米纤维形状或纳米板颗粒形状等。但是，量子点的形状不限于此。
在参考图2、图6和图7描述的显示构件DP中，可向显示元件DD提供白光。在根据示例性实施方式的显示构件DP中，从光源单元LU发射的、穿过颜色转换构件CCP，然后提供至显示元件DD的光可为白光。例如，从光源单元LU提供的蓝光、从第一转换材料QD1发射的绿光和从第二转换材料QD2发射的红光可彼此混合并提供至显示元件DD。
颜色转换构件CCP可包括第一转换材料QD1、第二转换材料QD2和基础树脂BR。基础树脂BR可为其中分散第一转换材料QD1和第二转换材料QD2的介质。基础树脂BR可包括称为粘合剂的各种树脂组分。但是，本发明构思不限于此。本文中，能够分散第一转换材料QD1和第二转换材料QD2的介质可称为基础树脂BR，而不论其名称、另外其他功能或构成材料等如何。基础树脂BR可为例如聚合物树脂。例如，基础树脂BR可包括丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、硅类树脂和环氧树脂中的至少一种。基础树脂BR可为透明树脂。
根据示例性实施方式的显示构件DP可具有良好的光学特征和提高的耐久性，因为在引导面板GP和颜色转换构件CCP之间设置了具有提高的强度同时保持低折射率的低折射率层LRL。例如，根据示例性实施方式的包括显示构件DP的电子装置DS(见图1)可具有良好的光学特征并且也具有提高的耐久性和可靠性。
图8是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置DS(见图1)中提供的显示构件的实施例的视图。图9是阐释图8的显示构件中提供的颜色转换构件的一部分的平面图。图10是阐释对应图8的线II-II’的部分的横截面图。图11是阐释图10的区域CC的横截面图。图12是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的图11的区域CC的横截面图。
根据示例性实施方式的显示构件DP-1可包括：面向彼此的第一基础基板BS1和第二基础基板BS2；和液晶层LCL，所述液晶层LCL设置在第一基础基板BS1和第二基础基板BS2之间(见图10)。例如，根据示例性实施方式的显示构件DP-1可包括光源构件LP-1上的显示元件DD-1。显示元件DD-1可为液晶显示元件，所述液晶显示元件包括设置在面向彼此的第一基础基板BS1和第二基础基板BS2之间的液晶层LCL。
参考图8至图12，显示元件DD-1可包括颜色转换构件CCP-1。颜色转换构件CCP-1可设置在液晶层LCL上。显示元件DD-1可包括：相对邻近光源构件LP-1的第一基板SUB1；第二基板SUB2，所述第二基板SUB2面向第一基板SUB1并包括颜色转换构件CCP-1；和液晶层LCL，所述液晶层LCL设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。
光源构件LP-1可为向显示元件DD-1提供光的背光单元。例如，尽管在示例性实施方式中，光源构件LP-1包括直接型背光单元或边缘型背光单元，但本发明构思的示例性实施方式不限于此。例如，光源构件LP-1没有限制，只要光源构件LP-1向显示元件DD-1提供光即可。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-1中，光源构件LP-1可向显示元件DD-1提供第一光。例如，光源构件LP-1可向显示元件DD-1提供蓝光。
第一基板SUB1可包括第一基础基板BS1和设置在第一基础基板BS1上的电路层CL(见图10)。
第一基础基板BS1可为提供在其上设置电路层CL的基础面的构件。第一基础基板BS1可为例如玻璃基板、金属基板或塑料基板。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第一基础基板BS1可为无机层、有机层或复合材料层。
在示例性实施方式中，电路层CL可设置在第一基础基板BS1上，并且电路层CL可包括多个晶体管。晶体管可分别包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层CL可包括开关晶体管和驱动晶体管，所述开关晶体管和驱动晶体管配置为驱动显示元件DD-1。
显示元件DD-1可进一步包括第一偏振层PL和第二偏振层ICP。第一偏振层PL可包括在第一基板SUB1中，并且第二偏振层ICP可包括在第二基板SUB2中。参考图8和图10，根据示例性实施方式的第一偏振层PL可设置在第一基础基板BS1的底面上。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第一偏振层PL可设置在第一基础基板BS1的上表面上。在该情况下，第一偏振层PL可设置在液晶层LCL和第一基础基板BS1之间。
第一偏振层PL可作为分开的构件提供，或可包括通过涂覆或沉积形成的偏振器。第一偏振层PL可例如通过施加含有二向色染料和液晶化合物的材料来形成。可选地，第一偏振层PL可包括线格栅型偏振器。
面向第一基板SUB1的第二基板SUB2可包括第二基础基板BS2、颜色转换构件CCP-1和低折射率层LRL。第二基板SUB2可进一步包括反射层RP、平坦化层OC和第二偏振层ICP。
第二基础基板BS2可为提供在其上设置颜色转换构件CCP-1的基础面的构件。第二基础基板BS2可为例如玻璃基板、金属基板或塑料基板。但是，本发明构思不限于此。例如，第二基础基板BS2可为无机层、有机层或复合材料层。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-1中，颜色转换构件CCP-1可包括在平面上彼此间隔开的多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可为颜色转换层CCL的部件。颜色转换构件CCP-1可进一步包括设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间的阻光部件BM。参考图9，多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可布置为在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上彼此间隔开。
参考图9，发射具有彼此不同颜色的光的第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可在第一方向轴DR1的方向上平行设置为彼此间隔开，并且发射具有相同颜色光的颜色转换部件可平行设置为彼此间隔开。图9阐释了根据示例性实施方式的第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的布置。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可具有彼此不同的区域或可以以Pentile结构对齐。
阻光部件BM可设置在设置为彼此间隔开的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间。阻光部件BM可为黑矩阵。阻光部件BM可含有包括黑色颜料或染料的有机阻光材料或无机阻光材料。阻光部件BM可防止漏光现象发生并区分彼此相邻设置的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间的边界。
阻光部件BM的至少一部分可设置为与彼此相邻的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3重叠。例如，阻光部件BM的至少一部分可设置为在由第一方向轴DR1和第三方向轴DR3限定的平面上，与彼此相邻的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3在阻光部件BM的厚度方向上重叠。
在示例性实施方式中，颜色转换构件CCP-1可包括：第一转换材料QD1，所述第一转换材料QD1吸收第一光以将第一光波长转换成第二光；和第二转换材料QD2，所述第二转换材料QD2吸收第一光以将第一光波长转换成第三光。例如，第一光可为蓝光，第二光可为绿光，并且第三光可为红光。
上述根据示例性实施方式的图6和图7的颜色转换构件CCP中包括的第一转换材料QD1和第二转换材料QD2的描述可同样适用于颜色转换构件CCP-1中包括的第一转换材料QD1和第二转换材料QD2。例如，第一转换材料QD1可为绿色量子点，并且第二转换材料QD2可为红色量子点。
颜色转换构件CCP-1可包括：第一颜色转换部件CCL1，所述第一颜色转换部件CCL1包括第一转换材料QD1；第二颜色转换部件CCL2，所述第二颜色转换部件CCL2包括第二转换材料QD2；和第三颜色转换部件CCL3，所述第三颜色转换部件CCL3透射第一光。例如，第一转换材料QD1可吸收第一光(蓝光)以发射绿光，并且第二转换材料QD2可吸收第一光(蓝光)以发射红光。例如，第一颜色转换部件CCL1可为发射绿光的第一发射区域，并且第二颜色转换部件CCL2可为发射红光的第二发射区域。
第三颜色转换部件CCL3可为不包括转换材料的部分。第三颜色转换部件CCL3可为透射从光源构件LP-1提供的第一光的部分。例如，第三颜色转换部件CCL3可为透射蓝光的区域。第三颜色转换部件CCL3可由例如聚合物树脂制造。例如，第三颜色转换部件CCL3可由丙烯酸类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、聚硅氧烷类树脂和环氧树脂等中的至少一种制造。第三颜色转换部件CCL3可由例如透明树脂或白色树脂制造。
第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可设置在第二基础基板BS2上。可提供在第二基础基板BS2的一个表面上图案化的第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3可设置在第二基础基板BS2的底面上。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-1中，低折射率层LRL可设置在光源构件LP-1和颜色转换构件CCP-1之间。参考图3至图5C描述的低折射率层LRL的描述可同样适用于这里描述的低折射率层LRL。例如，低折射率层LRL可包括：基质部件MX(见图3)；分散在基质部件MX(见图3)中的多个中空无机颗粒HP(见图3)；和由基质部件MX(见图3)限定的空隙部件VD(见图3)。低折射率层LRL的空隙部件VD可由孔诱导材料PG(见图5A)制造。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-1中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-1的下面，并且可转换从颜色转换构件CCP-1发射至显示构件DP-1的下侧的光的行进方向。例如，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-1的下面，并且可执行将从颜色转换构件CCP-1发射的光再次反射的光提取功能，以允许光行进到显示构件DP-1的上侧。因此，根据示例性实施方式的显示构件DP-1可具有提高的耐久性和光效率。
但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-1的上面。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-1中，第二基板SUB2可进一步包括反射层RP。反射层RP可设置在颜色转换构件CCP-1和液晶层LCL之间。反射层RP可透射第一光并反射第二光和第三光。反射层RP可为例如选择性透射-反射层。
反射层RP可透射从光源构件LP-1提供的第一光，并反射从颜色转换构件CCP-1的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3发射，而向显示构件DP-1的下侧行进的第二光和第三光，从而允许反射的光发射至显示构件DP-1的上侧。反射层RP可作为单层或其中层压多个层的层压体提供。
反射层RP可包括例如多个绝缘层。因此，反射层RP的透射波长范围和反射波长范围可根据层压的层之间的折射率差、每个层压的层的厚度和层压的层的数量来确定。
根据示例性实施方式的反射层RP可包括具有彼此不同的折射率的第一绝缘层和第二绝缘层。反射层RP可包括至少一个第一绝缘层和至少一个第二绝缘层。第一绝缘层和第二绝缘层中的每一个可以以交替层压的多个提供。
例如，金属氧化物材料可用作具有相对高折射率的绝缘层。具有高折射率的绝缘层可包括例如TiOx、TaOx、HfOx和ZrOx中的至少一种。具有相对低折射率的绝缘层可包括例如SiOx和SiNx。在示例性实施方式中，反射层RP可通过交替且重复地沉积SiNx和SiOx而形成。
参考图10和图11，反射层RP可设置在低折射率层LRL的下面。例如，低折射率层LRL可设置在反射层RP和颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间，以覆盖颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。
但是，本发明构思不限于此。例如，如图12中所示，反射层RP可设置在低折射率层LRL上。参考图12，颜色转换构件CCP-1a、反射层RP和低折射率层LRL可相对于第二基础基板BS2顺序设置。例如，反射层RP可设置在低折射率层LRL和颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间，以覆盖颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。
在示例性实施方式中，颜色转换构件CCP-1和CCP-1a可进一步包括光学滤波器层FP1和FP2，所述光学滤波器层FP1和FP2设置在包括第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的颜色转换层CCL上。光学滤波器层FP1和FP2可包括在光学滤波器层FP中。
光学滤波器层FP1和FP2可设置在包括第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的颜色转换层CCL上，以阻挡第一光并透射第二光或第三光。例如，光学滤波器层FP1和FP2可阻挡蓝光并透射绿光或红光。在示例性实施方式中，光学滤波器层FP1和FP2可设置在第一颜色转换部件CCL1和第二颜色转换部件CCL2上并且不设置在第三颜色转换部件CCL3上。
光学滤波器层FP1和FP2可提供为单层，或具有其中层压多个层的形状。例如，光学滤波器层FP1和FP2可为包括吸收蓝光的材料的单层，或光学滤波器层FP1和FP2可为下述结构：其中层压具有低折射率的绝缘膜和具有高折射率的绝缘膜，如反射层RP一样。
光学滤波器层FP1和FP2可包括颜料或染料，以阻挡具有特定波长的光。例如，在示例性实施方式中，光学滤波器层FP1和FP2中的每一个可为吸收蓝光以阻挡蓝光的黄色颜色滤波器层。
光学滤波器层FP1和FP2可包括：第一光学滤波器层FP1，所述第一光学滤波器层FP1设置在第一颜色转换部件CCL1上；和第二光学滤波器层FP2，所述第二光学滤波器层FP2设置在第二颜色转换部件CCL2上。第一光学滤波器层FP1可为阻挡蓝光并透射绿光的滤波器层。第二光学滤波器层FP2可为阻挡蓝光并透射红光的滤波器层。
第二基板SUB2可进一步包括平坦化层OC。在第二基板SUB2中，反射层RP或低折射率层LRL可设置为围绕颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的凹凸不平。例如，在制造根据示例性实施方式的显示构件DP-1的工艺中，在将颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3设置在第二基础基板BS2上之后，反射层RP和低折射率层LRL可设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3上。因此，反射层RP和低折射率层LRL可沿着包括颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的颜色转换层CCL的凹凸不平设置，而形成对应颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的每一个的凹凸不平的凹凸不平。平坦化层OC可设置在反射层RP或低折射率层LRL的下面。
平坦化层OC可设置为围绕反射层RP和低折射率层LRL的凹凸不平。平坦化层OC可设置为填充至邻近液晶层LCL的反射层RP或低折射率层LRL的底面的凹凸不平中，以使邻近第二偏振层ICP的表面平坦化。
第二偏振层ICP可包括在第二基板SUB2中。第二偏振层ICP可设置在液晶层LCL和颜色转换构件CCP-1之间。第二偏振层ICP可为盒内(in-cell)偏振器。第二偏振层ICP可通过施加含有二向色染料和液晶化合物的材料来形成。可选地，第二偏振层ICP可包括线格栅型偏振层。
尽管在参考图8至图12描述的电子装置和显示构件DP-1中，低折射率层LRL设置在颜色转换构件CCP-1和CCP-1a的下面，但本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-1和CCP-1a的上面。低折射率层LRL可设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的上面，以提高向外发射的光的效率。
在参考根据示例性实施方式的图8至图12描述的电子装置和显示构件DP-1中，可提供具有良好的低折射率值且强度提高的低折射率层LRL，以提高耐久性。此外，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-1和CCP-1a的上面或下面，以提高显示构件DP-1中的光提取效率。例如，包括根据示例性实施方式的显示构件DP-1的电子装置DS(见图1)可具有提高的耐久性和可靠性并且也具有优越的光学效率。
图13是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的电子装置DS(见图1)中提供的显示构件的实施例的视图。图14是沿着图13的线III-III’截取的横截面图。图15是阐释图14的区域EE的横截面图。图16和图17是阐释根据本发明构思的示例性实施方式的图15的区域EE的横截面图。
根据示例性实施方式的显示构件DP-2可包括：光源构件LP-2；设置在光源构件LP-2上的低折射率层LRL；和设置在低折射率层LRL上的颜色转换构件CCP-2。显示构件DP-2可包括电致发光显示元件。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-2中，光源构件LP-2可包括有机电致发光元件OEL。光源构件LP-2可包括第一基础基板BS1、电路层CL-2和封装构件TFE。
第一基础基板BS1可提供其上设置有机电致发光元件OEL的基础面。第一基础基板BS1可为例如玻璃基板、金属基板或塑料基板。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第一基础基板BS1可为无机层、有机层或复合材料层。
电路层CL-2可设置在第一基础基板BS1上，并且电路层CL-2可包括多个晶体管。晶体管可分别包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层CL-2可包括配置为驱动有机电致发光元件OEL的开关晶体管和驱动晶体管。
有机电致发光元件OEL可设置在电路层CL-2上。有机电致发光元件OEL可包括第一电极EL1、第二电极EL2和设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的多个有机层。有机电致发光元件OEL可包括设置在第一电极EL1和第二电极EL2之间的空穴传输区HTR、发光层EML和电子传输区ETR。
有机电致发光元件OEL可发射第一光。例如，有机电致发光元件OEL可发射蓝光。
参考图14，在根据示例性实施方式的显示构件DP-2中，有机电致发光元件OEL的发光层EML可作为公共层提供在第一基础基板BS1上。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，发光层EML可被图案化。例如，发光层EML可通过与像素限定层PDL分开而被图案化。发光层EML可被图案化，以对应第一颜色转换部件至第三颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3中的每一个。
有机电致发光元件OEL可设置在封装构件TFE上，并且封装构件TFE可设置在第二电极EL2上。封装构件TFE可直接设置在第二电极EL2上。封装构件TFE可作为单层或其中层压多个层的层压体提供。封装构件TFE可为例如薄膜封装层。封装构件TFE保护有机电致发光元件OEL。封装构件TFE可覆盖有机电致发光元件OEL。有机电致发光元件OEL可由封装构件TFE密封。
封装构件TFE可包括至少一个有机层和至少一个无机层。在封装构件TFE中，可以交替地设置至少一个无机层和至少一个有机层。例如，封装构件TFE可包括设置在两个无机层之间的有机层。在封装构件TFE中，无机层可包括无机材料比如，例如，铝氧化物或硅氮化物，并且有机层可包括丙烯酸酯类有机材料。
颜色转换构件CCP-2可设置在包括有机电致发光元件OEL的光源构件LP-2上。低折射率层LRL可设置在光源构件LP-2和颜色转换构件CCP-2之间。参考上述根据示例性实施方式的图3至图5C描述的低折射率层LRL可同样适用于这里描述的低折射率层LRL。例如，低折射率层LRL可包括基质部件MX(见图3)；分散在基质部件MX(见图3)中的多个中空无机颗粒HP(见图3)；和由基质部件MX(见图3)限定的的空隙部件VD(见图3)。低折射率层LRL的空隙部件VD可由孔诱导材料PG制造。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-2中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-2的下面以转换从颜色转换构件CCP-2发射至显示构件DP-2的下侧的光的行进方向。例如，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-2的下面，以执行将从颜色转换构件CCP-2发射的光再次反射的光提取功能，从而允许光行进到显示构件DP-2的上侧。因此，根据示例性实施方式的显示构件DP-2可具有提高的耐久性和光效率。
但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-2的上面。
在根据示例性实施方式的显示构件DP-2中，颜色转换构件CCP-2可包括在平面上彼此间隔开的多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。颜色转换构件CCP-2可进一步包括设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间的阻光部件BM。在根据示例性实施方式的显示构件DP-2中，阻光部件BM可设置为对应像素限定层PDL。例如，阻光部件BM可设置在对应其中设置像素限定层PDL的位置的位置中。
颜色转换构件CCP-2可包括颜色转换层CCL，所述颜色转换层CCL包括多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。参考上述根据示例性实施方式的图1至图12描述的显示构件DP和DP-1中提供的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3，阻光部件BM，以及第一转换材料QD1和第二转换材料QD2的描述可同样适用于这里描述的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3，阻光部件BM以及第一转换材料QD1和第二转换材料QD2。例如，颜色转换构件CCP-2可包括：第一转换材料QD1，所述第一转换材料QD1吸收第一光以将第一光波长转换成第二光；和第二转换材料QD2，所述第二转换材料QD2吸收第一光以将第一光波长转换成第三光。颜色转换构件CCP-2可包括：第一颜色转换部件CCL1，所述第一颜色转换部件CCL1包括第一转换材料QD1；第二颜色转换部件CCL2，所述第二颜色转换部件CCL2包括第二转换材料QD2；和第三颜色转换部件CCL3，所述第三颜色转换部件CCL3透射第一光。
屏障层BL可进一步设置在低折射率层LRL和颜色转换层CCL之间。屏障层BL可设置在颜色转换构件CCP-2中提供的颜色转换层CCL的上部和下部中的至少一个上，以防止颜色转换层CCL暴露于水分/氧。屏障层BL可覆盖颜色转换层CCL。参考上述根据示例性实施方式的图6和图7描述的显示构件DP的屏障层BL的描述可同样适用于这里描述的屏障层BL。例如，屏障层BL可包括至少一个无机层。颜色转换层CCL可直接设置在低折射率层LRL上。在该情况下，在颜色转换层CCL的底面上可省略屏障层BL。
根据示例性实施方式的显示构件DP-2可包括第二基础基板BS2。第二基础基板BS2可为提供基础面的构件，所述基础面面向第一基础基板BS1并在其上设置颜色转换构件CCP-2。第二基础基板BS2可为例如玻璃基板、金属基板或塑料基板。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，第二基础基板BS2可为无机层、有机层或复合材料层。
图16是阐释根据示例性实施方式的图13的显示构件DP-2的一部分的实施例的横截面图。例如，图16是阐释根据示例性实施方式的图15的区域EE的横截面图。
参考图16，根据示例性实施方式的颜色转换构件CCP-2a可设置在低折射率层LRL上，并包括多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3和光学滤波器层FP。颜色转换构件CCP-2a可进一步包括设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间的阻光部件BM，以及挡板部件DM。挡板部件DM可设置为与阻光部件BM重叠，并设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间。
挡板部件DM可由例如聚合物树脂制造。例如，挡板部件DM可通过图案化丙烯酸类树脂或二酰亚胺类树脂等来形成。挡板部件DM可被图案化，并且挡板部件DM之间的空间可填充有颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。例如，挡板部件DM可将彼此相邻的颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3彼此分开。
光学滤波器层FP可设置在第一颜色转换部件CCL1和第二颜色转换部件CCL2上。光学滤波器层FP可阻挡第一光并透射第二光和第三光。例如，光学滤波器层FP可阻挡蓝光并透射绿光或红光。在示例性实施方式中，光学滤波器层FP设置在第一颜色转换部件CCL1和第二颜色转换部件CCL2上，并且不设置在第三颜色转换部件CCL3上。
在图16的示例性实施方式中，与参考根据示例性实施方式的图11和图12描述的颜色转换构件CCP-1中提供的光学滤波器层FP1和FP2相比，光学滤波器层FP可整体地提供在第一颜色转换部件CCL1和第二颜色转换部件CCL2上。光学滤波器层FP可设置为与第一颜色转换部件CCL1、第二颜色转换部件CCL2和邻近颜色转换部件设置的阻光部件BM重叠。但是，本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，光学滤波器层FP的部件可设置为在平面上彼此间隔开，以对应第一颜色转换部件CCL1和第二颜色转换部件CCL2中的每一个。
在图16的示例性实施方式中，反射层RP可设置在低折射率层LRL和颜色转换构件CCP-2a之间。参考图8至图12描述的显示构件DP-1中提供的反射层RP的描述可同样适用于这里描述的反射层RP。例如，设置在根据示例性实施方式的颜色转换构件CCP-2a的下面的反射层RP可透射从光源构件LP-2提供的第一光并反射第二光和第三光。反射层RP为选择性透射-反射层。与图16所示的示例性实施方式不同，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可直接设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3中的每一个的下部上。例如，低折射率层LRL可设置在反射层RP与颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间。
图17是阐释根据示例性实施方式的图13的显示构件DP-2的一部分的实施例的横截面图。例如，图17是阐释根据示例性实施方式的图15的区域EE的横截面图。
参考图17，根据示例性实施方式的颜色转换构件CCP-2b可设置在低折射率层LRL上，并且可包括：颜色转换层CCL，所述颜色转换层CCL包括多个颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3；和颜色滤波器层CFL，所述颜色滤波器层CFL设置在颜色转换层CCL上。
颜色滤波器层CFL可包括与第一颜色转换部件CCL1重叠的第一滤波器部件CCF1；与第二颜色转换部件CCL2重叠的第二滤波器部件CCF2；和与第三颜色转换部件CCL3重叠的第三滤波器部件CCF3。
颜色滤波器层CFL可防止发生由于外部光引起的反射。在颜色滤波器层CFL中，第一滤波器部件CCF1可作为绿色滤波器提供，第二滤波器部件CCF2可作为红色滤波器提供，并且第三滤波器部件CCF3可作为蓝色滤波器提供。作为绿色滤波器提供的第一滤波器部件CCF1、作为红色滤波器提供的第二滤波器部件CCF2和作为蓝色滤波器提供的第三滤波器部件CCF3，可分别透射从第一颜色转换部件CCL1、第二颜色转换部件CCL2和第三颜色转换部件CCL3提供的光，并阻挡除了从相应颜色转换部件提供的光之外的光。
在图17的示例性实施方式中，颜色转换构件CCP-2b可进一步包括分别设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3上面和下面的屏障层BL-1和BL-2。屏障层BL-1和BL-2可保护颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3。参考根据示例性实施方式的图6和图7描述的显示构件DP的屏障层BL的描述可同样适用于这里描述的屏障层BL-1和BL-2。例如，屏障层BL-1和BL-2中的每一个可包括至少一个无机层。
第一屏障层BL-1可设置在低折射率层LRL与颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3之间，并且第二屏障层BL-2可设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3与颜色滤波器层CFL之间。可省略第一屏障层BL-1和第二屏障层BL-2中的至少一个。
尽管在参考图13至图17描述的电子装置和显示构件DP-2中，低折射率层LRL设置在颜色转换构件CCP-2、CCP-2a和CCP-2b的下面，但本发明构思不限于此。例如，在示例性实施方式中，低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-2、CCP-2a和CCP-2b的上面。低折射率层LRL可设置在颜色转换部件CCL1、CCL2和CCL3的上面，以提高向外发射的光的效率。
在参考根据示例性实施方式的图13至图17描述的电子装置和显示构件DP-2中，可提供提高了强度的低折射率层LRL，以提高电子装置和显示构件DP-2的耐久性。低折射率层LRL可设置在颜色转换构件CCP-2、CCP-2a和CCP-2b的上面或下面，以提高光提取效率。例如，包括根据示例性实施方式的显示构件DP-2的电子装置DS(见图1)可具有提高的耐久性和可靠性，并且也具有优越的光学效率。
图18A是阐释通过评估根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的耐久性获得的结果的图。图18B是阐释通过测量根据比较例和本发明构思的示例性实施方式的低折射率层的折射率值获得的结果的图。
下面表1显示了比较例和示例性实施方式中所用的低折射率层中的中空无机颗粒和孔诱导材料中的每一种的含量，以及孔诱导材料的含量比例，其用于图18A的粘附力测试和图18B的折射率测量。在表1中，孔诱导材料的含量比例意指基于中空无机颗粒和孔诱导材料的总重量，孔诱导材料的重量的比例。
[表1]
参考表1，当用于形成基质部件的聚合物树脂为100时，通过包含约40wt％的孔诱导材料而不包含中空无机颗粒来制备根据比较例的低折射率层。实施方式1对应其中在形成低折射率层的过程中，当用于形成基质部件的聚合物树脂为100时，中空无机颗粒的含量为约33wt％，且孔诱导材料的含量为约17wt％的情况。实施方式2对应基于100的聚合物树脂，通过包含约38wt％的中空无机颗粒和约14wt％的孔诱导材料形成的低折射率层。实施方式3对应基于100的聚合物树脂，通过包含约38wt％的中空无机颗粒和约12wt％的孔诱导材料形成的低折射率层。实施方式4对应基于100的聚合物树脂，通过包含约40wt％的中空无机颗粒和约10wt％的孔诱导材料形成的低折射层。
图18A阐释了当使用根据比较例和示例性实施方式的低折射率层时通过测试强度获得的结果。这里，通过螺栓牵拉测试来测量图18A的图中显示的粘附力值。测试中使用的样品为其中层压玻璃基板/低折射率层/硅氧烷无机层的层压体。在样品中，利用表1中所示的根据比较例和示例性实施方式的中空无机颗粒和中空诱导材料的含量制备低折射率层。通过图18A的螺栓牵拉测试相对比较了根据比较例和示例性实施方式的低折射率层的强度。
参考图18A的结果，当与比较例相比时，示例性实施方式中显示了更高的粘附力值。在比较例中，粘附力的平均值为约15MPa，而在示例性实施方式1至4中，粘附力值是当与根据比较例的粘附力值相比时的两倍或更多倍。从根据比较例和示例性实施方式的粘附力值的结果可见，根据示例性实施方式的电子装置中提供的低折射率层具有优越的强度。例如，可见，当与根据比较例的不包括中空无机颗粒的低折射率层相比时，根据示例性实施方式的包括由孔诱导材料和中空无机颗粒制造的空隙部件的低折射率层提高了强度。参考图18A，可见，根据示例性实施方式的低折射率层通过包括含量比例为约5％至约35％的孔诱导材料提高了强度。
相对于形成低折射率层的总含量，例如100的聚合物树脂、中空无机颗粒和孔诱导材料，中空无机颗粒和孔诱导材料的总含量为约40％至约60％。例如，在制造低折射率层时，当聚合物树脂的含量为约40％或更小时(当中空无机颗粒和孔诱导材料的总含量为约60％或更大时)，形成低折射率层的基质部件的聚合物树脂的含量可相对较小，以使基质部件收缩。因此，除了由孔诱导材料制造的空隙部件之外，可能由于基质部件的收缩而产生空隙部件，这可能使低折射率层的强度劣化。在制造低折射率层时，聚合物树脂的含量超过约60％(当中空无机颗粒和孔诱导材料的总含量为约40％或更小时)，包括在低折射率层中的中空无机颗粒和孔诱导材料的含量可相对较小，因此，可能难以保持低折射率值。
再次参考图18A，在示例性实施方式3和4中，可见，粘附力值高达约50MPa或更大。因此，可见，当与其中以大于约25％的含量比例包括孔诱导材料的情况相比时，根据示例性实施方式的低折射率层提高了强度。例如，根据示例性实施方式，低折射率层可包括中空无机颗粒和由孔诱导材料形成的空隙部件，如上所述。在制造低折射率层时，孔诱导材料的含量比例可为约15％至约25％，这可进一步提高电子装置的耐久性。
图18B阐释了以表1中所示的比较例和示例性实施方式中提出的中空无机颗粒和孔诱导材料的含量形成的低折射率层的折射率值。参考图18B，可见，根据示例性实施方式1至4的低折射率层具有约1.20至约1.25的折射率值。
因此，参考图18A和图18B，当与比较例相比时，在示例性实施方式(例如示例性实施方式1至4)中，形成低折射率层使得孔诱导材料的含量比例降低，并且进一步包括中空无机颗粒。因此，可见，在保持低折射率值的同时保持了高粘附力值。例如，当与比较例相比时，可见，以约5％至约35％的孔诱导材料的含量比例，在示例性实施方式中提高了强度特征，同时保持了约1.25的低折射率特征。
图19A和图19B是阐释通过评估表1中的根据比较例和示例性实施方式3的低折射率层的耐久性获得的结果的图像。图19A和图19B分别阐释了比较例和示例性实施方式3中的低折射率层的胶带测试的结果。比较例对应其中使用包括基质部件和空隙部件但不包括中空无机颗粒的低折射率层的情况，而示例性实施方式3对应其中使用包括所有的基质部件、空隙部件和中空无机颗粒的低折射率层的情况。
在胶带测试中，根据比较例和示例性实施方式3的低折射率层形成在作为基础材料的玻璃基板上，并且画出交叉影线并切割，然后，将胶带粘附到用画出交叉影线并切割的低折射率层，以比较剩余的低折射率层的状态。
图19A是阐释在胶带测试之后根据比较例的包括基质部件和空隙部件的低折射率层的表面的图像。在图19A中，相对黑的部分对应低折射率层分层的部分DTP，而相对亮的部分对应胶带测试之后剩余的低折射率层。当比较图19A和19B时，可见，在比较例中，分层的部分DTP出现在各个部分，而示例性实施方式3中的低折射率层LRL未分层并在胶带测试之后保持。显示图19A中的结果的比较例代表胶带测试中的水平1B，而显示图19B中的结果的示例性实施方式3代表胶带测试中的水平5B。在胶带测试中，水平1B对应其中去除大于约65％的画出交叉影线并切割的部分的情况，而水平5B对应其中通过胶带测试未去除画出交叉影线并切割的部分的情况。
因此，参考图19A和图19B中的结果，可见，当与其中根据比较例的不包括中空无机颗粒的情况比较时，在其中空隙部件的含量相对降低并且进一步包括中空无机颗粒的根据示例性实施方式的低折射率层的情况下提高了粘附力和内部强度。
图20A和图20B分别是阐释通过评估根据比较例和示例性实施方式3的低折射率层的透湿性获得的结果的图。在比较例的情况下，透湿性(g/m2/天)为约19.1，而在示例性实施方式3的情况下，透湿性(g/m2/天)为约17.7。例如，在示例性实施方式3的情况下，当与比较例相比时，可见，空隙部件的比重相对减小而降低了透湿性。例如，参考图20A和图20B中的结果，可见，在其中空隙部件的含量相对降低且进一步包括中空无机颗粒的示例性实施方式3的情况下，提高了可靠性。
此外，将比较例和示例性实施方式3的低折射率层在高温和高湿条件下进行可靠性测试。在示例性实施方式3的情况下，在85℃/85％条件下，没有出现变色和污点。
下面表2显示了根据比较例和示例性实施方式3的耐久性和可靠性评估结果。
[表2]
| 类别 | 比较例 | 实施方式3 |
| 粘附力(MPa) | 15MPa | 65MPa |
| 胶带测试 | 1B | 5B |
| 透湿性(g/m<sup>2</sup>/天) | 19.1g/m<sup>2</sup>/天 | 17.7g/m<sup>2</sup>/天 |
| WHTS(85℃/85％) | 出现变色和染色 | 未出现变色和染色 |
根据示例性实施方式的电子装置由于包括包含中空无机颗粒和空隙部件的低折射率层，因此可具有优越的光效率和提高的耐久性，并且具有提高的内部强度同时仍具有良好的低折射率值。
例如，根据示例性实施方式的电子装置可在显示元件中包括空隙部件的孔诱导材料和中空无机颗粒的含量比例优化了的低折射率层，从而实现提高的光效率和耐久性。
根据示例性实施方式的电子装置可包括包含中空无机颗粒和空隙部件两者的低折射率层，从而实现提高的可靠性同时保持低折射率。
根据示例性实施方式的电子装置可包括具有良好的折射率和高强度的低折射率层，其可提高光效率和颜色再现性，从而提高了显示质量。
虽然参考发明构思的示例性实施方式具体显示并描述了本发明构思，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由下述权利要求限定的本发明构思的精神和范围的情况下，可对其形式和细节作出各种改变。
Claims (29)
1.一种电子装置，所述电子装置包括：
光源构件，所述光源构件配置为提供第一光；
颜色转换构件，所述颜色转换构件设置在所述光源构件上，并包括将所述第一光转换成第二光的第一转换材料和将所述第一光转换成第三光的第二转换材料；和
低折射率层，所述低折射率层设置在所述光源构件上，并设置在所述颜色转换构件的上部和下部中的至少一个上，
其中所述低折射率层包括基质部件、分散在所述基质部件中的多个中空无机颗粒和由所述基质部件限定的多个空隙部件。
2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述中空无机颗粒的每一个包括填充有空气的核部件和围绕所述核部件的壳部件。
3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述壳部件包括SiO2、MgF2和Fe3O4中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述空隙部件具有球形形状和1nm至5nm的平均直径。
5.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述中空无机颗粒具有球形形状和20nm至200nm的平均直径。
6.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述基质部件包括丙烯酸类聚合物、聚硅氧烷类聚合物、氨基甲酸乙酯类聚合物和二酰亚胺类聚合物中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述低折射率层在400nm至700nm的波长内具有95％或更大的透射率，并且在632nm的波长处具有1.1至1.5的折射率。
8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一光为蓝光，所述第一转换材料为将所述蓝光转换成绿光的第一量子点，并且所述第二转换材料为将所述蓝光转换成红光的第二量子点。
9.根据权利要求1所述的电子装置，进一步包括：
设置在所述颜色转换构件上的显示元件。
10.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述显示元件包括液晶元件。
11.根据权利要求9所述的电子装置，其中所述光源构件包括：
引导面板；和
设置在所述引导面板的一侧处的光源，
其中所述低折射率层设置在所述引导面板和所述颜色转换构件之间。
12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述低折射率层直接设置在所述引导面板上。
13.根据权利要求11所述的电子装置，进一步包括：
设置在所述颜色转换构件的顶面和底面中的至少一个上的屏障层。
14.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述颜色转换构件包括在平面上彼此间隔开的多个颜色转换部件，其中所述多个颜色转换部件包括：
第一颜色转换部件，所述第一颜色转换部件包括所述第一转换材料；
第二颜色转换部件，所述第二颜色转换部件包括所述第二转换材料；和
第三颜色转换部件，所述第三颜色转换部件配置为透射所述第一光。
15.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述颜色转换构件进一步包括设置在彼此间隔开的所述第一颜色转换部件至所述第三颜色转换部件之间的阻光部件。
16.根据权利要求14所述的电子装置，进一步包括：
反射层，所述反射层设置在所述多个颜色转换部件的上部和下部中的至少一个上，
其中所述反射层透射所述第一光并且反射所述第二光和所述第三光。
17.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述低折射率层设置在所述反射层和所述多个颜色转换部件之间，并覆盖所述多个颜色转换部件。
18.根据权利要求16所述的电子装置，其中所述反射层设置在所述低折射率层和所述多个颜色转换部件之间，并覆盖所述多个颜色转换部件。
19.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述颜色转换构件进一步包括屏障层，所述屏障层设置在所述多个颜色转换部件的上部和下部中的至少一个上。
20.根据权利要求19所述的电子装置，其中所述屏障层设置在所述低折射率层和所述多个颜色转换部件之间，并覆盖所述多个颜色转换部件。
21.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述颜色转换构件进一步包括光学滤波器层，所述光学滤波器层配置为透射所述第二光和所述第三光中的至少一种。
22.根据权利要求21所述的电子装置，其中所述光学滤波器层包括：
第一光学滤波器层，所述第一光学滤波器层设置在所述第一颜色转换部件上；和
第二光学滤波器层，所述第二光学滤波器层设置在所述第二颜色转换部件上。
23.根据权利要求22所述的电子装置，其中所述第一光学滤波器层透射绿光，并且所述第二光学滤波器层透射红光。
24.根据权利要求14所述的电子装置，进一步包括：
第一基础基板，所述第一基础基板设置在所述光源构件上；
第二基础基板，所述第二基础基板设置在所述光源构件上，并且面向所述第一基础基板；和
液晶层，所述液晶层设置在所述光源构件上的所述第一基础基板和所述第二基础基板之间，
其中所述颜色转换构件设置在所述液晶层和所述第二基础基板之间。
25.根据权利要求24所述的电子装置，其中所述低折射率层设置在所述液晶层和所述颜色转换构件之间，或设置在所述颜色转换构件和所述第二基础基板之间。
26.根据权利要求24所述的电子装置，进一步包括：
第一偏振层，所述第一偏振层设置在所述光源构件和所述第一基础基板之间或设置在所述第一基础基板和所述液晶层之间；和
第二偏振层，所述第二偏振层设置在所述液晶层和所述第二基础基板之间。
27.根据权利要求14所述的电子装置，其中所述光源构件包括有机电致发光元件。
28.根据权利要求27所述的电子装置，其中所述颜色转换构件进一步包括挡板部件，所述挡板部件将所述多个颜色转换部件彼此分开，并且设置在所述多个颜色转换部件的相邻颜色转换部件之间。
29.根据权利要求27所述的电子装置，其中所述颜色转换构件进一步包括颜色滤波器层，所述颜色滤波器层设置在所述多个颜色转换部件上，并且所述颜色滤波器层包括：
多个滤波器部件，所述多个滤波器部件配置为发射具有各种颜色的光；和
阻光部件，所述阻光部件配置为将所述多个滤波器部件彼此分开，并且设置在所述多个滤波器部件的相邻滤波器部件之间。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180108387A KR102529662B1 (ko) | 2018-09-11 | 2018-09-11 | 전자 장치 |
| KR10-2018-0108387 | 2018-09-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110888265A true CN110888265A (zh) | 2020-03-17 |
Family
ID=67734482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910856217.5A Pending CN110888265A (zh) | 2018-09-11 | 2019-09-11 | 电子装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11231541B2 (zh) |
| EP (1) | EP3623863A1 (zh) |
| KR (1) | KR102529662B1 (zh) |
| CN (1) | CN110888265A (zh) |
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| US11953782B2 (en) | 2021-12-28 | 2024-04-09 | Lg Display Co., Ltd. | Display panel including composite sheet |
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| US11585501B2 (en) | 2016-10-20 | 2023-02-21 | Axis Lighting Inc. | Couplers for light fixtures |
| US10215380B2 (en) | 2016-10-20 | 2019-02-26 | Axis Lighting Inc. | Couplers for light fixtures |
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- 2019-06-05 US US16/432,205 patent/US11231541B2/en active Active
- 2019-08-22 EP EP19192988.4A patent/EP3623863A1/en active Pending
- 2019-09-11 CN CN201910856217.5A patent/CN110888265A/zh active Pending
-
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|---|---|
| US20200081173A1 (en) | 2020-03-12 |
| US11231541B2 (en) | 2022-01-25 |
| KR102529662B1 (ko) | 2023-05-10 |
| KR20200030156A (ko) | 2020-03-20 |
| EP3623863A1 (en) | 2020-03-18 |
| US11609371B2 (en) | 2023-03-21 |
| US20220123247A1 (en) | 2022-04-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |