JP2014072126A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。
【解決手段】画素電極と対向電極との間に第１有機発光層を挟持してなる第１有機発光素子と、第１有機発光素子が設けられた基板と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、第１有機発光素子の基板側若しくは基板とは反対側において、基板の法線方向から見て、少なくとも第１有機発光素子の画素電極と重なる位置に、第１有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第１フォトクロミック層が設けられている。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

近年、液晶ディスプレイに変わり、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する。）ディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは、自発光であり、表示品質が高く、応答性能に優れ、薄型軽量化が可能、といった利点を有している。

有機ＥＬディスプレイの場合は、非表示状態で透明なディスプレイ（以下、透明ディスプレイと称する。）が可能である。使用する有機材料が薄膜で透過率が高く、且つ、一対の透明電極を用いることで、透過率の高い透明ディスプレイが可能となる。

例えば、下記の特許文献１には、画素ごとに表示状態と非表示状態とが切り替わる第１の表示パネルと、第１の表示パネルの背面に重ねられた第２の表示パネルと、第２の表示パネルの表示状態を制御する制御手段と、を備えた表示装置が開示されている。第２の表示パネルが一部の領域ごとに光透過率を変化させる手段を有する。第２の表示パネルの透過性を制御して遮光状態にすることにより、第１のパネルの表示内容の視認性を向上させることができる。

特開２００８−８３５１０号公報

特許文献１には、第１の表示パネルとして有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた表示素子を用い、第２の表示パネルとして透過型の液晶表示パネルを用いることが記載されている。特許文献１では、遮光領域を画面の上半分、下半分のように比較的大きな領域として設定している。そのため、画像だけをくっきり浮き上がらせることができない。画像の周囲には黒い遮光領域がブロック状に形成され、表示装置の背後の物体が十分に視認できなくなる。したがって、透明ディスプレイとしての機能が十分に発揮できないという課題がある。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
（１）すなわち、本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、画素電極と対向電極との間に第１有機発光層を挟持してなる第１有機発光素子と、前記第１有機発光素子が設けられた基板と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記第１有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第１有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第１有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第１フォトクロミック層が設けられている。

（２）上記（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１有機発光素子の前記第１フォトクロミック層が設けられた側とは反対側に、前記第１有機発光素子から発せられた光によって励起され蛍光を発する蛍光体層が設けられていてもよい。

（３）上記（２）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１フォトクロミック層の前記第１有機発光素子とは反対側に、前記第１有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長の光を反射若しくは吸収し、可視光の少なくとも一部を透過する第１バンドパスフィルターが設けられていてもよい。

（４）上記（２）または（３）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記蛍光体層の前記第１有機発光素子とは反対側に、前記第１有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長の光を反射若しくは吸収し、前記蛍光体層の発光スペクトルのピーク波長の光を透過する第２バンドパスフィルターが設けられていてもよい。

（５）上記（２）から（４）までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在してもよい。

（６）上記（１）から（５）までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１フォトクロミック層は、前記基板の法線方向から見て、前記画素電極よりも大きな面積を有していてもよい。

（７）上記（１）から（６）までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記基板と前記第１有機発光素子との間に前記第１フォトクロミック層が設けられ、前記第１フォトクロミック層と前記基板との間に、前記第１有機発光素子と接続された薄膜トランジスタが設けられていてもよい。

（８）上記（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１有機発光素子の前記第１フォトクロミック層が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第２有機発光素子が設けられ、前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子とは互いに独立に発光が制御されてもよい。

（９）上記（８）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記基板上に前記第１有機発光素子と隣接して第３有機発光素子が設けられ、前記第３有機発光素子は画素電極と対向電極との間に第３有機発光層を挟持してなり、前記第３有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在し、前記第３有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第３有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第３有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第３フォトクロミック層が設けられていてもよい。

（１０）上記（１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第１有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が可視光領域に存在し、前記基板上に前記第１有機発光素子と隣接して第３有機発光素子が設けられ、前記第３有機発光素子は画素電極と対向電極との間に第３有機発光層を挟持してなり、前記第３有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在し、前記第３有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第３有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第３有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第３フォトクロミック層が設けられていてもよい。

（１１）本発明の一態様における有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、画素電極と対向電極との間に第４有機発光層を挟持してなる第４有機発光素子と、前記第４有機発光素子が設けられた基板と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、前記第４有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第４有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第４有機発光素子から発せられた光によって電流を生じる光電変換層と、前記光電変換層によって生じた電流によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収するエレクトロクロミック層と、が設けられている。

（１２）上記（１１）に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、前記第４有機発光素子の前記エレクトロクロミック層が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第５有機発光素子が設けられ、前記第４有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在し、前記第５有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が可視光領域に存在してもよい。

本発明の態様によれば、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。

第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 有機発光素子の要部を例示する断面図である。 第１フォトクロミック層の大きさを説明するための図である。 第１フォトクロミック層の作用を説明するための図である。 比較例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の作用を説明するための図である。 第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の作用を説明するための図である。 第１実施形態の第１変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第１実施形態の第２変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第２実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第３実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第４実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第５実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第６実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 有機発光層を例示する平面図である。 第７実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 有機発光層及び第３フォトクロミック層の配置構成を示す平面図である。 第７実施形態の第１変形例に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置における有機発光層及び第３フォトクロミック層の配置構成を示す平面図である。 第８実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第９実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 第１０実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の断面図である。 有機発光素子の発光強度及び外光の強度の関係と視認性との関係を示す図である。

[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図８を用いて説明する。
なお、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。

図１は、第１実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と称する）の断面図である。なお、以下の説明においては、有機ＥＬ表示装置１として、表示画像が表示されない非表示状態で透明なディスプレイ（以下、透明ディスプレイと称する。）を挙げて説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、第１有機発光素子１１と、第１有機発光素子１１が設けられた基板１０と、基板１０の第１有機発光素子１１とは反対側に設けられた第１フォトクロミック層１５と、を備えている。

なお、図１においては、便宜上、第１有機発光素子１１及び第１フォトクロミック層１５をそれぞれ１つずつ図示している。実際の有機ＥＬ表示装置１には、第１有機発光素子１１及び第１フォトクロミック層１５をそれぞれ複数設けられており、文字などの表示画像を形成できるように構成されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第１有機発光素子１１の発光光を基板１０とは反対側（上側）から取り出すトップエミッション型である。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は、可視光領域（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）に存在する。第１有機発光素子１１は、例えば、赤色光、緑色光及び青色光等の色光を発する。第１有機発光素子１１から発せられた色光は視認側から射出される。これにより、フルカラー表示が可能となる。

第１有機発光素子１１は、画素電極１２と対向電極１４との間に第１有機発光層１３を挟持してなる。

画素電極１２は基板１０と第１有機発光層１３との間に形成されており、対向電極１４は第１有機発光層１３上に形成されている。

画素電極１２及び対向電極１４の形成材料としては、公知の電極材料を用いることができる。画素電極１２及び対向電極１４の形成材料として好ましくは、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide：酸化インジウム錫)、ＩＺＯ(Indium Tin Oxide:酸化インジウム亜鉛)や酸化スズ、酸化亜鉛等の酸化物や他の透明性を有する導電材料が例示できる。

画素電極１２及び対向電極１４の膜厚は、５〜３０ｎｍが好ましい。画素電極１２及び対向電極１４の膜厚が５ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。一方、画素電極１２及び対向電極１４の膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下するため、無点灯時の透明度が低下するおそれがある。

基板１０としては、ガラス基板が例示できる。基板１０の厚みは、０．１ｍｍ〜３ｍｍであることが好ましい。

図２は、第１有機発光素子１１の要部を例示する断面図である。
図２に示す第１有機発光素子１１は、基板１０上に、画素電極１２、第１有機発光層１３、対向電極１４がこの順に積層されて構成されている。図２に示す例では、第１有機発光層１３は、画素電極１２側から、対向電極１４側へかけて、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆがこの順に積層され、概略構成されている。正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆの各層は、単層構造でも多層構造でもよい。

なお、第１有機発光層１３は、上記の構成に限定されるものではなく、発光層の単層構造であっても、発光層と電荷輸送層との多層構造であってもよい。第１有機発光層１３の構成としては、具体的に、下記のものが挙げられる。
（１）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔輸送層及び発光層がこの順に積層された構成
（２）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された構成
（３）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された構成
（４）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層がこの順に積層された構成
（５）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された構成
（６）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層及び電子輸送層がこの順に積層された構成
（７）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された構成
（８）画素電極１２側から対向電極１４側へかけて、正孔注入層、正孔輸送層、電子防止層、発光層、正孔防止層、電子輸送層及び電子注入層がこの順に積層された構成
これら発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層および電子注入層の各層は、単層構造または多層構造のいずれであってもよい。

正孔注入層１３ａは、画素電極１２からの正孔の注入を効率よく行うものである。
正孔輸送層１３ｂは、発光層１３ｃへの正孔の輸送を効率よく行うものである。
電子輸送層１３ｅは、発光層１３ｃへの電子の輸送を効率よく行うものである。
電子注入層１３ｆは、対向電極１４からの電子の注入を効率よく行うものである。
これらの層は、キャリア注入輸送層に該当する。

正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆの各層は、有機薄膜でも無機薄膜でもよい。

正孔注入層１３ａ及び正孔輸送層１３ｂの形成材料としては、公知のものを用いることができる。
正孔注入層１３ａ及び正孔輸送層１３ｂの形成材料として好ましくは、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物や無機ｐ型半導体材料；ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、４，４’−（シクロヘキサン−１，１−ジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＴＡＰＣ）、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン）−９，９’−スピロビフルオレン（ＤＰＡＳ）、Ｎ１，Ｎ１’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（Ｎ１−フェニル−Ｎ４，Ｎ４−ジ−ｍ−トリルベンゼン−１，４−ジアミン）（ＤＮＴＰＤ）、Ｎ３，Ｎ３，Ｎ３”’， Ｎ３”’−テトラ−ｐ−トリル−［１，１’：２’，１”：２”，１”’−クオーターフェニル］−３，３”’−ジアミン（ＢＴＰＤ）、４，４’−（ジフェニルシランジイル）ビス（Ｎ，Ｎ−ジ−ｐ−トリルアニリン）（ＤＴＡＳｉ）、２，２−ビス（４−カルバゾール−９−イルフェニル）アダマンティン（Ａｄ−Ｃｚ）等の芳香族第三級アミン化合物；ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子含窒素化合物；ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン−樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ−ＣＳＡ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子化合物；２−メチル−９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＭＡＤＮ）等の芳香族炭化水素化合物等が例示できる。

正孔注入層１３ａの形成材料としては、画素電極１２からの正孔の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、正孔輸送層１３ｂの形成材料よりも、ＨＯＭＯのエネルギー準位が低い材質が好ましい。
正孔輸送層１３ｂの形成材料としては、正孔注入層１３ａの形成材料よりも、正孔の移動度が高いものが好ましい。

正孔注入層１３ａ及び正孔輸送層１３ｂは、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。
正孔の注入性及び輸送性をより向上させるためには、正孔注入層１３ａ及び正孔輸送層１３ｂは、アクセプターを含むことが好ましい。

アクセプターは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。
アクセプターとして無機材料を用いる場合、好ましくは、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、イリジウム（Ｉｒ）、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ_３）、六フッ化ヒ酸イオン（ＡｓＦ_６ ⁻）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）、ヨウ素（Ｉ）、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）、酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等が例示できる。
アクセプターとして有機材料を用いる場合、好ましくは、７，７，８，８，−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱＦ_４）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮＥ）、ヘキサシアノブタジエン（ＨＣＮＢ）、ジシクロジシアノベンゾキノン（ＤＤＱ）等のシアノ基を有する化合物；トリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）、ジニトロフルオレノン（ＤＮＦ）等のニトロ基を有する化合物；フルオラニル；クロラニル；ブロマニル等が例示できる。

アクセプターは、これらのなかでも、正孔濃度を増加させる効果がより高いことから、シアノ基を有する化合物が好ましい。

正孔注入層１３ａの膜厚は、１〜５００ｎｍであることが好ましい。
正孔輸送層１３ｂの膜厚は、５〜５００ｎｍであることが好ましい。

発光層１３ｃの形成材料は、公知のものでよく、有機発光材料のみでもよいし、発光性のドーパントとホスト材料との組み合わせでもよく、さらに任意に正孔輸送材料、電子輸送材料、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。また、上記の各材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散されていてもよい。発光効率及び耐久性の観点からは、発光層１３ｃの形成材料としては、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

有機発光材料は、低分子発光材料及び高分子発光材料等に分類でき、蛍光材料又は燐光材料等に分類されるものでもよい。

発光層１３ｃに用いる低分子有機材料（ホスト材料を含む）として好ましくは、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物；チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料；アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等の蛍光発光有機金属錯体；ＢｅＢｑ（ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体）；４，４’−ビス−（２，２−ジ−ｐ−トリル−ビニル）−ビフェニル（ＤＴＶＢｉ）；トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオノ）（モノフェナントロリン）Ｅｕ（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））；ジフェニルエチレン誘導体；トリス［４−（９−フェニルフルオレン−９−イル）フェニル］アミン（ＴＦＴＰＡ）等のトリフェニルアミン誘導体；ジアミノカルバゾール誘導体；ビススチリル誘導体；芳香族ジアミン誘導体；キナクリドン系化合物；ペリレン系化合物；クマリン系化合物；ジスチリルアリーレン誘導体（ＤＰＶＢｉ）；オリゴチオフェン誘導体（ＢＭＡ−３Ｔ）；４，４’−ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、ジフェニル−ジ（ｏ−トリル）シラン（ＵＧＨ１）、１，４−ビストリフェニルシリルベンゼン（ＵＧＨ２）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）、トリフェニル−（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン（ＴＰＳｉ−Ｆ）等のシラン誘導体；９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）、３，６−ビス（トリフェニルシリル）カルバゾール（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾリル−３，５−ベンゼン（ｍ−ＣＰ）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ１）、３，６−ジ（９−カルバゾリル）−９−（２−エチルヘキシル）カルバゾール（ＴＣｚ１）、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＳｉｍＣＰ）、ビス（３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ジフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ２）、３−（ジフェニルホスホリル）−９−（４−ジフェニルホスホリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２１）、２，２−ビス（４−カルバゾリルフェニル）−１，１−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、３，６−ビス（ジフェニルホスホリル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（ＰＰＯ２）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニル−カルバゾール（ＣｚＴＰ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＣ）、９−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール（ＤＦＣ）、２，２’−ビス（４−カルバゾール−９−イル）フェニル）−ビフェニル（ＢＣＢＰ）、９，９’−（（２，６−ジフェニルベンゾ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ジフラン−３，７−ジイル）ビス（４，１−フェニレン））ビス（９Ｈ−カルバゾール）（ＣＺＢＤＦ）等のカルバゾール誘導体；４−（ジフェニルフォスフォイル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン（ＨＭ−Ａ１）等のアニリン誘導体；１，３−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｍＤＰＦＢ）、１，４−ビス（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ベンゼン（ｐＤＰＦＢ）、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン（ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＢＤＡＦ）、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＢＳＢＦ）、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン（ＢＰＰＦ）、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン（２，２’−Ｓｐｉｒｏ−Ｐｙｅ）、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン（ＴＤＡＦ）、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン（ＴＳＢＦ）、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド（ＳＰＰＯ１）等のフルオレン誘導体；１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン（ｍ−Ｂｐｙｅ）等のピレン誘導体；プロパン−２，２’−ジイルビス（４，１−フェニレン）ジベンゾエート（ＭＭＡ１）等のベンゾエート誘導体；４，４’−ビス（ジフェニルフォスフィンオキサイド）ビフェニル（ＰＯ１）、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン（ＰＰＴ）等のフォスフィンオキサイド誘導体；４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル（ＢＳＴ）等のターフェニル誘導体；２，４−ビス（フェノキシ）−６−（３−メチルジフェニルアミノ）−１，３，５−トリアジン（ＢＰＭＴ）等トリアジン誘導体が例示できる。

発光層１３ｃに用いる高分子有機材料として好ましくは、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）（ＤＯ−ＰＰＰ）、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ^３＋）、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体；ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体；ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）等のカルバゾール誘導体等が例示できる。

有機発光材料は、低分子発光材料が好ましく、低消費電力化の観点から、発光効率が高い燐光材料が好ましい。

発光性のドーパントのうち、紫外発光材料であれば、ｐ−クォーターフェニル、３，５，３，５テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルセクシフェニル、３，５，３，５テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クィンクフェニル等の蛍光発光材料等が例示できる。
青色発光材料であれば、スチリル誘導体等の蛍光発光材料；ビス［（４，６−ジフルオロフェニル）−ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒｐｉｃ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルポリジナト）テトラキス（１−ピラゾイル）ボレート イリジウム（ＩＩＩ）（ＦＩｒ６）等の燐光発光有機金属錯体等が例示できる。
緑色発光材料であれば、トリス（２−フェニルピリジナート）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）等の燐光発光有機金属錯体等が例示できる。

発光層１３ｃの膜厚は、５〜５００ｎｍであることが好ましい。

正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆの形成材料としては、公知のものを用いることができる。
正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆの形成材料として好ましくは、低分子材料であれば、ｎ型半導体である無機材料；１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン（Ｂｐｙ−ＯＸＤ）、１，３−ビス（５−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）フェニル）−１，３，４−オキサジアゾールー２−イル）ベンゼン（ＯＸＤ７）等のオキサジアゾール誘導体；３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体；チオピラジンジオキシド誘導体；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；ジフェノキノン誘導体；フルオレノン誘導体；ベンゾジフラン誘導体；８−ヒドロキシキノリノラート−リチウム（Ｌｉｑ）等のキノリン誘導体；２，７−ビス[２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル]−９，９−ジメチルフルオレン（Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）等のフルオレン誘導体；１，３，５−トリ[（３−ピリジル）−フェン−３−イル]ベンゼン（ＴｍＰｙＰＢ）、１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン（ＴｐＰｙＰＢ）等のベンゼン誘導体；２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリイル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）等のベンゾイミダゾール誘導体；３，５−ジ（ピレン−１−イル）ピリジン（ＰＹ１）等のピリジン誘導体；３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル（ＢＰ４ｍＰｙ）等のビフェニル誘導体；４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）等のフェナントロリン誘導体；トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン（３ＴＰＹＭＢ）等のトリフェニルボラン誘導体；ジフェニルビス（４−（ピリジン−３−イル）フェニル）シラン（ＤＰＰＳ）等のテトラフェニルシラン誘導体が例示できる。また、高分子材料であれば、ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ−ＯＸＺ）、ポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等が例示できる。特に、電子注入層１３ｆの材質としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物；酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が例示できる。

電子注入層１３ｆの形成材料としては、陰極からの電子の注入及び輸送をより効率よく行う観点から、電子輸送層１３ｅの形成材料よりも、ＬＵＭＯのエネルギー準位が高いものが好ましい。
電子輸送層１３ｅの形成材料としては、電子注入層１３ｆの形成材料よりも、電子の移動度が高いものが好ましい。

電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆは、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよい。
電子の輸送及び注入性をより向上させるためには、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆは、ドナーを含むことが好ましい。

ドナーは、公知のものでよく、無機材料及び有機材料のいずれでもよい。
ドナーとして無機材料を用いる場合、好ましくは、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属；希土類元素；アルミニウム（Ａｌ）；銀（Ａｇ）；銅（Ｃｕ）；インジウム（Ｉｎ）等が例示できる。
ドナーとして有機材料を用いる場合、好ましくは、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン等の置換基を有していてもよい縮合多環化合物、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）類、ジベンゾフラン、フェノチアジン、カルバゾール等が例示できる。

芳香族３級アミン骨格を有する化合物としては、アニリン類；フェニレンジアミン類；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス−（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン等のベンジジン類；トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’４”−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ）−トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン類；Ｎ，Ｎ’−ジ−（４−メチル−フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミンのトリフェニルジアミン類が例示できる。

縮合多環化合物が「置換基を有する」とは、縮合多環化合物中の一つ以上の水素原子が、水素原子以外の基（置換基）で置換されていることを指す。なお、置換基の数は特に限定されず、すべての水素原子が置換基で置換されていてもよい。そして、置換基の位置も特に限定されない。
置換基としては、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数２〜１０のアルケニル基、炭素数２〜１０のアルケニルオキシ基、炭素数６〜１５のアリール基、炭素数６〜１５のアリールオキシ基、水酸基、ハロゲン原子等が例示できる。
アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基が例示できる。
環状のアルキル基は、単環状及び多環状のいずれでも良く、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
アルコキシ基としては、アルキル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。
アルケニル基としては、炭素数が２〜１０のアルキル基において、炭素原子間の一つの単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換されたものが例示できる。
アルケニルオキシ基としては、アルケニル基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。
アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、環員数は特に限定されず、好ましいものとしては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基が例示できる。
アリールオキシ基としては、アリール基が酸素原子に結合した一価の基が例示できる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。

ドナーは、これらのなかでも、電子濃度を増加させる効果がより高いことから、芳香族３級アミン骨格を有する化合物、置換基を有していてもよい縮合多環化合物、アルカリ金属が好ましい。

電子輸送層１３ｅの膜厚は、５〜５００ｎｍであることが好ましい。
電子注入層１３ｆの膜厚は、０．１〜１００ｎｍであることが好ましい。

なお、ここまで、第１有機発光層１３を構成する各層の形成材料について説明したが、例えば、ホスト材料は正孔輸送材料又は電子輸送材料としても使用でき、正孔輸送材料及び電子輸送材料もホスト材料として使用できる。

図１に戻り、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光素子１１の基板１０側において、基板１０の法線方向から見て、第１有機発光素子１１の画素電極１２と重なる位置に設けられている。第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光素子１１から発せられた光（色光）によって変色し、外光の少なくとも一部を吸収する。ここで外光とは、第１有機発光素子１１の外部から視認側に向かう光である。外光としては、太陽光、照明光等が挙げられる。

図３は、第１フォトクロミック層１５の大きさを説明するための図である。図３は、画素電極１２及び第１フォトクロミック層１５を、基板１０の法線方向から見た図である。

図３に示すように、第１フォトクロミック層１５は、基板１０の法線方向から見て、画素電極１２よりも大きい面積を有している。具体的には、基板１０の法線方向から見て、画素電極１２は矩形であり、第１フォトクロミック層１５は画素電極１２よりも大きいサイズの矩形である。画素電極１２は、第１フォトクロミック層１５の概ね中心に位置している。画素電極１２の周辺部には、第１フォトクロミック層１５の外周部が配置されている。

第１フォトクロミック層１５は、フォトクロミック材料を含む層である。

ここで、クロミック材料は、光や電気、熱等のエネルギーを与えることにより、分子内で可逆的な異性化反応が起こし、この構造変化により吸収、発光、電気的特性等が変化するものである。クロミック材料は、膜等の固体状態で使用しても良く、気体、液体状態でも使用できる。

クロミック材料のうちフォトクロミック材料は、紫外光や可視光線等により異性体へと構造変化を起こすものである。例えば、フォトクロミック材料は、通常の状態(第１状態)において無色透明の特性を示すが、紫外線等の光を照射することにより第１状態から異性化構造の発色状態（第２状態）に変化する。更に、この第２状態に、発色状態での吸収帯に対応する光や熱等のエネルギーを与えることにより発色状態から再び無色透明に消色する。このようなフォトクロミック材料は、第１状態と第２状態で可逆的な異性化反応を起こすことができる。

発色状態の色相は、フォトクロミック材料の分子構造を制御することによって変化させることができる。

フォトクロミック材料としては、アゾベンゼン誘導体の４‐（ジメチルアミノ）アゾベンゼン、スピロピラン誘導体の１‐（２‐ヒドロキシエチル）‐３，３−ジメチルインドリノ‐６’‐ニトロベンゾピリロスピラン、１，３，３−トリメチルインドリノベンゾピリロスピラン、１，３，３−トリメチルインドリノ‐６’‐ブロモベンゾピリロスピラン、１，３，３−トリメチルインドリノ‐８’‐メトキシベンゾピリロスピラン、１，３，３−トリメチルインドリノ‐Ｂ‐ナフトピリロスピラン、１，３，３−トリメチルインドリノ‐６’‐ニトロベンゾピリロスピラン等やジアリールエテン誘導体のシス−１，２−ジシアノ‐ビス（２，４，５−トリメチル‐３−チエニル）エテン、１，２−ビス[２−メチルベンゾ[ｂ]チオフェン‐３−イル]−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロ‐１−シクロペンテン、１，２−ビス（２，４−ジメチル‐５‐フェニル‐３−チエニル）−３，３，４，４，５，５−ヘキサフルオロ‐１−シクロペンテン、２，３−ビス（２，４，５‐トリメチル‐３−チエニル）マレイン アニヒドリド、２，３−ビス（２，４，５‐トリメチル‐３−チエニル）マレイミド等やビオロゲン化合物の４，４’ビピリジル、１，１’ジフェニル‐４，４’‐ビピリジウム ジクロライド等やフルギド化合物の２‐[１−｛５‐メチル‐２‐（４‐ピリジル）‐４‐オキサゾリル｝エチルイデン]‐３‐イソプロピルイデン‐無水コハク酸等やパラシクロファン骨格を有するビス（ジフェニルイミダゾール）［２．２］パラシクロファン、ビス（３，３’，４，４’−テトラメトキシジフェニルイミダゾール）［２．２］パラシクロファンなどの有機材料が例示できる。

なお、第１フォトクロミック層１５は、高分子材料とフォトクロミック材料とを混合し、成膜できる。高分子材料としては、例えば、エチレン系、エステル系、エチレン系、アクリル系、エポキシ系、ビニル系、イミド系、アニリン系、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、及びポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）ポリ（２−デシルオキシ−１、４−フェニレン）、ポリ［２、５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１、４−フェニル−アルト−１、４−フェニルレン］ジブロマイド、ポリ［２−（２’−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１、４−フェニレンビニレン］等が挙げられる。
溶剤としては、上記高分子材料を溶解又は分散することができる溶剤であればよく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、クロロホルム、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等が挙げられる。

なお、本実施形態では、クロミック材料としてフォトクロミック材料について説明したが、これに限らない。例えば、クロミック材料としては、エレクトロクロミック材料、クロミックミラー材料、サーモクロミック材料、ソルバクロミック材料、ピエゾクロミック材料、ベイポクロミック材料等も使用できる。

図４は、第１フォトクロミック層１５の作用を説明するための図である。
図４に示すように、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３から発せられた光によって変色する。例えば、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３が発光しない状態（非発光状態）では無色透明であり、第１有機発光層１３が発光する状態（発光状態）では黒色に変色する。このような構成により、発光状態において第１フォトクロミック層１５により外光を吸収可能になっている。

なお、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３が非発光状態のときに、無色透明であることに限らず、半透明であったり、若干の色味がかかっていたりしてもよい。すなわち、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３が非発光状態のときに、有機ＥＬ表示装置１の背後の物体を視認可能な程度に透けていればよい。

また、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３が発光状態のときに、黒色であることに限らず、灰色であったり、その他の色であったりしてもよい。すなわち、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光層１３が発光状態のときに、外光（可視光）の少なくとも一部を吸収可能になっていればよい。

（有機ＥＬ表示装置の製造方法）
有機ＥＬ表示装置１は、例えば、以下の方法で製造できる。

まず、基板１０の一面に、第１フォトクロミック層１５を形成する。第１フォトクロミック層１５は、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザ転写法等により形成できる。

次に、基板１０の第１フォトクロミック層１５が形成された面とは反対側の面に、スパッタリング法、真空蒸着法等により画素電極１２を形成する。

次に、画素電極１２上に、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、正孔防止層１３ｄ、電子輸送層１３ｅ及び電子注入層１３ｆをこの順に積層し、第１有機発光層１３を形成する。これら第１有機発光層１３を構成する各層は、公知のウエットプロセス、ドライプロセス、レーザ転写法等により形成できる。

ウエットプロセスとしては、各層を構成する上記の各形成材料を溶媒に溶解又は分散させた液体を用いるスピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法；インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法が例示できる。液体は、レベリング剤、粘度調整剤等の、液体の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。
ドライプロセスとしては、各層を構成する上記の各形成材料を用いる抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等が例示できる。

第１有機発光層１３を形成後は、第１有機発光層１３上に、真空蒸着法等により対向電極１４を形成する。
以上の工程により、第１有機ＥＬ表示装置１が得られる。

図５は、比較例に係る有機ＥＬ表示装置の作用を説明するための図である。
図６は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の作用を説明するための図である。
図５及び図６では、第１有機発光素子１１の上側を視認側とする。
図５及び図６において、符号Ｌ１は第１有機発光素子１１から発せられた光（以下、発光光と称することがある）であり、符号Ｌ２は外光である。なお、図５及び図６においては、便宜上、基板１０の図示を省略している。

図５に示すように、比較例に係る有機ＥＬ表示装置には、第１フォトクロミック層１５が設けられていない。この場合、外界が明るいと、外光Ｌ２が強く観測されることになり、発光光Ｌ１の視認性が低下する。つまり、外光Ｌ２が気になり、発光光Ｌ１を良好に観測することができなくなる。その結果、表示画像の視認性が低下してしまう。
なお、発光光Ｌ１の強度を外光Ｌ２の強度に比して格段に大きくする方法も考えられるが、現実的ではない。

これに対し、図６に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置には、第１フォトクロミック層１５が設けられている。この場合、外界が明るくても、外光Ｌ２が第１フォトクロミック層１５で吸収され、遮光される。そのため、外光Ｌ２が気になることはなく、発光光Ｌ１を良好に観測することができる。よって、表示画像の視認性の低下を抑制することができる。

また、第１フォトクロミック層１５が第１有機発光素子１１から発せられた光によって変色するため、第１フォトクロミック層１５の変色タイミングを第１有機発光素子１１の発光タイミングに同期させることができる。例えば、第１有機発光素子１１の発光光が時間順次に切り替わる場合、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光素子１１の発光光が切り替わるタイミングに同期して、無色透明の状態と黒色の状態とが切り替わる。よって、第１フォトクロミック層１５の透光性（透明度）を容易に制御できる。

さらに、複数の第１有機発光素子１１のうちの一部の第１有機発光素子１１を発光させて文字などの表示画像を形成する場合、複数の第１フォトクロミック層１５のうち、発光した第１有機発光素子１１の画素電極１２と重なる位置に配置された第１フォトクロミック層１５が選択的に変色する。つまり、複数の第１フォトクロミック層１５のうち、発光した第１有機発光素子１１の画素電極１２と重なる位置に配置された第１フォトクロミック層１５は黒色になり、それ以外の発光しない第１有機発光素子１１の画素電極１２と重なる位置に配置された第１フォトクロミック層１５は無色透明のままとなる。そのため、この無色透明の領域では、有機ＥＬ表示装置１の背後の物体を十分に視認することができる。よって、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。

また、第１フォトクロミック層１５が基板１０の法線方向から見て画素電極１２よりも大きい面積を有しているため、表示画像の視認性の低下を確実に抑制することができる。例えば、外光が有機ＥＬ表示装置１に対して斜めに入射する場合、第１フォトクロミック層１５が基板１０の法線方向から見て画素電極１２よりも小さい面積を有していると、外光の一部が透過して視認性が低下してしまう。また、第１フォトクロミック層１５が基板１０の法線方向から見て画素電極１２と同じ面積であっても、外光が基板１０の法線方向に対して斜めに入射するときには同様の問題が生ずる。これに対し、本実施形態では、第１フォトクロミック層１５が基板１０の法線方向から見て画素電極１２よりも大きい面積を有しているため、上述のような問題を解消することができる。

［第１実施形態の第１変形例］
図７は、第１実施形態の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置１Ａの断面図である。

上記第１実施形態では、第１フォトクロミック層１５が、基板１０の第１有機発光素子１１とは反対側に設けられていた。
これに対し、本変形例では、第１フォトクロミック層１５Ａが、基板１０と画素電極１２との間に設けられている。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ａにおいても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。

［第１実施形態の第２変形例］
図８は、第１実施形態の第２変形例に係る有機ＥＬ表示装置１Ｂの断面図である。

上記第１実施形態では、第１フォトクロミック層１５が、第１有機発光素子１１の基板１０側に設けられていた。また、上記第１実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、第１有機発光素子１１の発光光を基板１０とは反対側（上側）から取り出すトップエミッション型であった。
これに対し、本変形例では、第１フォトクロミック層１５Ｂが、第１有機発光素子１１の基板１０とは反対側に設けられている。具体的には、第１フォトクロミック層１５Ｂが、対向電極１４の第１有機発光層１３とは反対側の面に設けられている。また、本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｂは、第１有機発光素子１１の発光光を基板１０の側（下側）から取り出すボトムエミッション型である。

本変形例の有機ＥＬ表示装置１Ｂにおいても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。

［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態について、図９を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１実施形態と同一であり、第１有機発光素子１１の第１フォトクロミック層１５が設けられた側とは反対側に、第１有機発光素子１１から発せられた光によって励起され蛍光を発する蛍光体層１６が設けられている点が第１実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略し、蛍光体層１６について説明する。

図９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２の断面図である。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は紫外線領域（波長１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内）に存在する。以下の説明においては、発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在する光を「紫外光」と称する。

蛍光体層１６は、第１有機発光素子１１から発せられた紫外光によって励起され蛍光を発する。蛍光体層１６としては、例えば、紫外光を励起光として赤色光を発する赤色蛍光体層と、紫外光を励起光として緑色光を発する緑色蛍光体層と、紫外光を励起光として青色光を発する青色蛍光体層と、を備えたものが例示できる。

ただし、第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長が青色光領域に存在する場合、すなわち励起光として青色光を適用する場合には、青色蛍光体層を設けずに、励起光を青色画素からの発光としてもよい。

蛍光体層１６は、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）または無機材料中に分散された構成であってもよい。

蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。このような蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料に分類される。以下に、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料の具体的な化合物を例示するが、蛍光体材料はこれらの材料に限定されるものではない。

有機系蛍光体材料としては、青色蛍光色素として、スチルベンゼン系色素：１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、トランス−４，４’−ジフェニルスチルベンゼン、クマリン系色素：７−ヒドロキシ−４−メチルクマリン等が挙げられる。
また、緑色蛍光色素としては、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
また、赤色蛍光色素としては、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、および、ローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。

無機系蛍光体材料としては、青色蛍光体として、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｓｎ^４＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇＡｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、ＳｒＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、ＣａＧａ_２Ｓ_４：Ｃｅ^３＋、（Ｂａ、Ｓｒ）（Ｍｇ、Ｍｎ）Ａｌ_１０Ｏ_１７：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ_２、Ｍｇ）_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ^２＋、ＢａＡｌ_２ＳｉＯ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、ＢａＭｇ_２Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、（Ｂａ，Ｃａ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｂａ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_３ＭｇＳｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。
また、緑色蛍光体としては、（ＢａＭｇ）Ａｌ_１６Ｏ_２７：Ｅｕ^２＋、Ｍｎ^２＋、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ^２＋、（ＳｒＢａ）Ａl_１２Ｓｉ_２Ｏ_８：Ｅｕ^２＋、（ＢａＭｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋、Ｓｒ_２Ｐ_２Ｏ_７−Ｓｒ_２Ｂ_２Ｏ_５：Ｅｕ^２＋、（ＢａＣａＭｇ）_５（ＰＯ_４）_３Ｃｌ：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２Ｓｉ_３Ｏ_８−２ＳｒＣｌ_２：Ｅｕ^２＋、Ｚｒ_２ＳｉＯ_４、ＭｇＡｌ_１１Ｏ_１９：Ｃｅ^３＋、Ｔｂ^３＋、Ｂａ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、Ｓｒ_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ_４：Ｅｕ^２＋等が挙げられる。
また、赤色蛍光体としては、Ｙ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、ＹＡｌＯ_３：Ｅｕ^３＋、Ｃａ_２Ｙ_２（ＳｉＯ_４）_６：Ｅｕ^３＋、ＬｉＹ_９（ＳｉＯ_４）_６Ｏ_２：Ｅｕ^３＋、ＹＶＯ_４：Ｅｕ^３＋、ＣａＳ：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_３：Ｅｕ^３＋、Ｇｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｅｕ^３＋、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ_４：Ｅｕ^３＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_５．５Ｆ：Ｍｎ^４＋、Ｍｇ_４ＧｅＯ_６：Ｍｎ^４＋、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＷＯ_４）_６．２５、Ｋ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５、Ｎａ_５Ｅｕ_２．５（ＭｏＯ_４）_６．２５等が挙げられる。

蛍光体層１６は、上記の蛍光体材料と樹脂材料を溶剤に溶解、分散させた蛍光体層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法、スプレーコート法等の塗布法、インクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法、マイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセス、上記の材料を抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、または、レーザー転写法等により形成することができる。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置２においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、蛍光体層１６として、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層を備えたものを用いることにより、フルカラー表示が可能となる。

［第３実施形態］
以下、本発明の第３実施形態について、図１０を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第２実施形態と同一であり、第１フォトクロミック層１５の第１有機発光素子１１とは反対側に、第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長の光を反射若しくは吸収し、可視光の少なくとも一部を透過する第１バンドパスフィルター１７が設けられている点が第２実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略し、第１バンドパスフィルター１７について説明する。

図１０は、第３実施形態に係る有機ＥＬ表示装置３の断面図である。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は、第２実施形態と同様に、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。すなわち、励起光として紫外光を適用する。

第１バンドパスフィルター１７としては、励起光の波長帯域外の光を透過させる特性を持つものを用いる。つまり、第１バンドパスフィルター１７は、励起光の波長帯域に光の非透過帯域を有し、且つ、可視光の波長帯域に光の透過帯域を有する。例えば、励起光が紫外光の場合は、紫外線領域の光（波長１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の光）を反射若しくは吸収し、可視光領域の光（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）を透過する機能を有する。第１バンドパスフィルター１７は、例えば金や銀等の薄膜、あるいは誘電体多層膜によって構成されていればよい。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置３においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、第１バンドパスフィルター１７により、外部からの紫外光（第１フォトクロミック層１５の下方からの紫外光）が第１フォトクロミック層１５に入射することを抑制できる。そのため、第１フォトクロミック層１５が外部からの紫外光によって変色することを抑制できる。よって、第１フォトクロミック層１５が第１有機発光素子１１の発光光以外の光で変色するといった誤動作を抑制できる。

［第４実施形態］
以下、本発明の第４実施形態について、図１１を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第３実施形態と同一であり、蛍光体層１６の第１有機発光素子１１とは反対側に、第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長の光を反射若しくは吸収し、蛍光体層１６の発光スペクトルのピーク波長の光を透過する第２バンドパスフィルター１８が設けられている点が第３実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略し、第２バンドパスフィルター１８について説明する。

図１１は、第４実施形態に係る有機ＥＬ表示装置４の断面図である。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は、第３実施形態と同様に、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。すなわち、励起光として紫外光を適用する。

第２バンドパスフィルター１８としては、励起光の波長帯域外の光を透過させる特性を持つものを用いる。つまり、第２バンドパスフィルター１８は、励起光の波長帯域に光の非透過帯域を有し、且つ、蛍光の波長帯域に光の透過帯域を有する。例えば、励起光が紫外光の場合は、紫外光（波長１０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内の光）を反射若しくは吸収し、蛍光（例えば、赤色領域の光、緑色領域の光及び青色領域の光）を透過する機能を有する。第２バンドパスフィルター１８は、例えば金や銀等の薄膜、あるいは誘電体多層膜によって構成されていればよい。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置４においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、第２バンドパスフィルター１８により、外部からの紫外光（蛍光体層１６の上方からの紫外光）が第１フォトクロミック層１５に入射することを抑制できる。そのため、第１フォトクロミック層１５が外部からの紫外光によって変色することを抑制できる。よって、第１フォトクロミック層１５が第１有機発光素子１１の発光光以外の光で変色するといった誤動作を抑制できる。

なお、図１１では、バンドパスフィルターとして２つのバンドパスフィルター（第１バンドパスフィルター１７及び第２バンドパスフィルター１８）を備えた構成を示したが、これに限らない。例えば、第１フォトクロミック層１５の第１有機発光素子１１とは反対側に第１バンドパスフィルター１７が設けられていなくてもよい。すなわち、バンドパスフィルターとして１つのバンドパスフィルター（第２バンドパスフィルター１８）が設けられた構成であってもよい。

［第５実施形態］
以下、本発明の第５実施形態について、図１２を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１実施形態の第１変形例と同一であり、基板１０と第１有機発光素子１１との間に第１フォトクロミック層６８が設けられ、第１フォトクロミック層６８と基板１０との間に、第１有機発光素子１１と接続された薄膜トランジスタ６０（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）が設けられている点が第１実施形態の第１変形例と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略する。

図１２は、第５実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５の断面図である。
基板１０の第１フォトクロミック層６８の面には、ゲート電極６１、ゲート絶縁膜６２、半導体層６３、ソース電極６４及びドレイン電極６５を有するＴＦＴ６０が形成されている。

基板１０上には、ゲート電極６１が形成されている。ゲート電極６１の材料としては、例えばＷ（タングステン）／ＴａＮ（窒化タンタル）の積層膜、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）等が用いられる。

基板１０上には、ゲート電極６１を覆うようにゲート絶縁膜６２が形成されている。ゲート絶縁膜６２の材料としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜等が用いられる。

ゲート絶縁膜６２上には、ゲート電極６１と対向するように半導体層６３が形成されている。半導体層６３の材料としては、例えばＣＧＳ（Continuous Grain Silicon：連続粒界シリコン）、ＬＰＳ（Low-temperature Poly-Silicon：低温多結晶シリコン）、α−Ｓｉ（Amorphous Silicon：非結晶シリコン）、インジウム、ガリウム、及び亜鉛から構成される酸化物であるＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系半導体）等の半導体材料が用いられる。

ゲート絶縁膜６２上には、ソース電極６４及びドレイン電極６５が形成されている。ソース電極６４は、半導体層６３のソース領域に接続されている。ドレイン電極６５は、半導体層６３のドレイン領域に接続されている。ソース電極６４及びドレイン電極６５の材料としては、上述のゲート電極６１と同様の導電性材料が用いられる。

ゲート絶縁膜６２上には、半導体層６３、ソース電極６４及びドレイン電極６５を覆うように層間絶縁膜６６が形成されている。層間絶縁膜６６の材料としては、例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、もしくはこれらの積層膜等が用いられる。

層間絶縁膜６６と第１フォトクロミック層６８とには、コンタクトホール６５ｈが、層間絶縁膜６６と第１フォトクロミック層６８とを貫通して形成されている。ドレイン電極６５は、コンタクトホール６５ｈを介して、第１有機発光素子１１の画素電極１２に接続されている。

この構成により、ＴＦＴ６０がオン状態となったとき、ソース電極６４に供給された画像信号が、半導体層６３、ドレイン電極６５を経て画素電極１２に供給される。

第１フォトクロミック層６８上には、第１有機発光素子１１の側面を囲み、画素を区画するエッジカバー（隔壁）６７が形成されている。エッジカバー６７は、画素電極１２のエッジ部において、画素電極１２と対向電極１４の間でリークを起こすことを防止する目的で設けられている。エッジカバー６７は、絶縁材料を用いて、電子線（ＥＢ）蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、エッジカバー６７は、公知のドライ法またはウエット法のフォトリソグラフィー法によりパターン化することができる。なお、エッジカバー６７の形成方法は、これらの形成方法に限定されるものではない。

第１フォトクロミック層６８上には、画素電極１２及びエッジカバー６７を覆うように有機発光層１３が形成されている。有機発光層１３上には対向電極１４が形成されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置５においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、第１フォトクロミック層６８により、第１有機発光素子１１の発光光のうちＴＦＴ６０の半導体層６３に向かう光を遮光することができ、半導体層６３に光が入射することを抑制できる。よって、リーク電流を抑制できる。

［第６実施形態］
以下、本発明の第６実施形態について、図１３を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１実施形態と同一であり、第１有機発光素子１１の第１フォトクロミック層１５が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第２有機発光素子２１が設けられている点、第１有機発光素子１１と第２有機発光素子２１とは互いに独立に発光が制御される点が第１実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略する。

図１３は、第６実施形態に係る有機ＥＬ表示装置６の断面図である。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。本実施形態の第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光素子１１から発せられた紫外光によって変色する。

本実施形態の第２有機発光素子２１の発光スペクトルのピーク波長は、可視光領域（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）に存在する。第２有機発光素子２１は、例えば、赤色光、緑色光及び青色光等の色光を発する。第２有機発光素子２１から発せられた色光は視認側から射出される。これにより、フルカラー表示が可能となる。

第２有機発光素子２１は、画素電極２２と対向電極２４との間に第２有機発光層２３を挟持してなる。

第２有機発光素子２１において、画素電極２２は第１有機発光素子１１の対向電極１４と第２有機発光層２３との間に形成されており、対向電極２４は第２有機発光層２３上に形成されている。第２有機発光層２３は、例えば図１４に示すように、赤色光を発する赤色有機発光層２３Ｒと、緑色光を発する緑色有機発光層２３Ｇと、青色光を発する青色有機発光層２３Ｂと、を備えている。

有機ＥＬ表示装置６には、第１有機発光素子１１及び第２有機発光素子２１を制御する制御部２０が設けられている。制御部２０は、第１有機発光素子１１及び第２有機発光素子２１の発光制御を互いに独立して制御する。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置６においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、制御部２０により、第１フォトクロミック層１５の変色タイミングを第１有機発光素子１１の発光タイミングに同期させることができる。例えば、第２有機発光素子２１の発光光（色光）が時間順次に切り替わる場合、第２有機発光素子２１の発光光（紫外光）の切り替わるタイミングは、第１有機発光素子１１の色光が切り替わるタイミングに同期する。これにより、第１フォトクロミック層１５は、第１有機発光素子１１の発光光が切り替わるタイミングに同期して、無色透明の状態と黒色の状態とが切り替わる。よって、第１フォトクロミック層１５の透光性（透明度）を容易に制御できる。

また、第１有機発光素子１１からの発光光（紫外光）を、第１フォトクロミック層１５を変色させる光として適用することができる。一方、第２有機発光素子２１からの発光光（色光）を、表示画像を得るための光として適用することができる。そのため、第１有機発光素子１１の発光光の波長領域を適宜調整することによって、第１フォトクロミック層１５の形成材料の選択の自由度を高めることができる。

なお、上記第２実施形態のように蛍光体層を設けた場合には、発光光と励起光を分けることで、赤色蛍光体層、緑色蛍光体層及び青色蛍光体層に共通の励起用の第２有機発光素子を設けることができる。この場合、フォトクロミック層も各蛍光体層で共通化できるため、各蛍光体層ごとにフォトクロミック層を別々の材料で形成する場合に比べて、製造が容易になる。

［第７実施形態］
以下、本発明の第７実施形態について、図１５を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第６実施形態と同一であり、基板１０上に第１有機発光素子１１と隣接して第３有機発光素子３１が設けられている点が第６実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略し、第３有機発光素子３１について説明する。

図１５は、第７実施形態に係る有機ＥＬ表示装置７の断面図である。図１５においては、便宜上、第１有機発光素子１１が設けられた基板１０と第３有機発光素子３１が設けられた基板１０とを２つに分けて示しているが、実際は一つの基板１０からなっている。

第３有機発光素子３１は、画素電極３２と対向電極３４との間に第３有機発光層３３を挟持してなる。

第３有機発光素子３１の発光スペクトルのピーク波長は、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。

第３有機発光素子３１の基板１０側において、基板１０の法線方向から見て、第３有機発光素子３１の画素電極３２と重なる位置には、第３フォトクロミック層３５が設けられている。第３フォトクロミック層３５は、第３有機発光素子３１から発せられた光（紫外光）によって変色し、外光の少なくとも一部を吸収する。例えば、第３フォトクロミック層３５は、第３有機発光層３３が発光しない状態（非発光状態）では無色透明であり、第３有機発光層３３が発光する状態（発光状態）では黒色に変色する。

図１６は、第２有機発光層２３及び第３フォトクロミック層３５の配置構成を示す平面図である。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置７は、図１６に示すように、赤色光を発する赤色有機発光層２３Ｒと、緑色光を発する緑色有機発光層２３Ｇと、青色光を発する青色有機発光層２３Ｂと、黒色に変色する第３フォトクロミック層３５と、を備えている。平面視において、赤色有機発光層２３Ｒ、緑色有機発光層２３Ｇ、青色有機発光層２３Ｂ及び第３フォトクロミック層３５は、互いに間隔を空けて配置されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置７においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、黒色表示が可能となる。

なお、本実施形態では、第３フォトクロミック層３５が、第３有機発光素子３１の基板１０側に設けられている例を挙げて説明したが、これに限らない。第３フォトクロミック層３５が、第３有機発光素子３１の基板１０とは反対側に設けられていてもよい。具体的には、第３フォトクロミック層３５が、対向電極３４の第３有機発光層３３とは反対側の面に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置７はボトムエミッション型となる。

［第７実施形態の第１変形例］
図１７は、第７実施形態の第１変形例に係る有機ＥＬ表示装置７Ａにおける第２有機発光層２３及び第３フォトクロミック層３５Ａの配置構成を示す平面図である。

上記第７実施形態では、平面視において、赤色有機発光層２３Ｒ、緑色有機発光層２３Ｇ、青色有機発光層２３Ｂ及び第３フォトクロミック層３５が、互いに間隔を空けて配置されていた。
これに対し本変形例では、図１７に示すように、平面視において、赤色有機発光層２３Ｒ、緑色有機発光層２３Ｇ及び青色有機発光層２３Ｂが互いに間隔を空けて配置されており、第３フォトクロミック層３５Ａが赤色有機発光層２３Ｒ、緑色有機発光層２３Ｇ及び青色有機発光層２３Ｂの間隔を埋めるように赤色有機発光層２３Ｒ、緑色有機発光層２３Ｇ及び青色有機発光層２３Ｂの周囲を囲んで配置されている。

本変形例の有機ＥＬ表示装置７Ａにおいても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができ、さらに黒色表示が可能となる。

［第８実施形態］
以下、本発明の第８実施形態について、図１８を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第１実施形態と同一であり、基板１０上に第１有機発光素子１１と隣接して第３有機発光素子３１が設けられている点が第１実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略し、第３有機発光素子３１について説明する。

図１８は、第８実施形態に係る有機ＥＬ表示装置８の断面図である。図１８においては、便宜上、第１有機発光素子１１が設けられた基板１０と第３有機発光素子３１が設けられた基板１０とを２つに分けて示しているが、実際は一つの基板１０からなっている。

本実施形態の第１有機発光素子１１の発光スペクトルのピーク波長は可視光領域（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）に存在する。第１有機発光素子１１は、例えば、赤色光、緑色光及び青色光等の色光を発する。第１有機発光素子１１から発せられた色光は視認側から射出される。これにより、フルカラー表示が可能となる。

第３有機発光素子３１は、画素電極３２と対向電極３４との間に第３有機発光層３３を挟持してなる。

第３有機発光素子３１の発光スペクトルのピーク波長は、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。

第３有機発光素子３１の基板１０側において、基板１０の法線方向から見て、第３有機発光素子３１の画素電極３２と重なる位置には、第３フォトクロミック層３５が設けられている。第３フォトクロミック層３５は、第３有機発光素子３１から発せられた光（紫外光）によって変色し、外光の少なくとも一部を吸収する。例えば、第３フォトクロミック層３５は、第３有機発光層３３が発光しない状態（非発光状態）では無色透明であり、第３有機発光層３３が発光する状態（発光状態）では黒色に変色する。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置８においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、黒色表示が可能となる。

なお、本実施形態では、第３フォトクロミック層３５が、第３有機発光素子３１の基板１０側に設けられている例を挙げて説明したが、これに限らない。第３フォトクロミック層３５が、第３有機発光素子３１の基板１０とは反対側に設けられていてもよい。具体的には、第３フォトクロミック層３５が、対向電極３４の第３有機発光層３３とは反対側の面に設けられていてもよい。この場合、有機ＥＬ表示装置８はボトムエミッション型となる。

［第９実施形態］
以下、本発明の第９実施形態について、図１９を用いて説明する。
上記実施形態（第１実施形態から第８実施形態）においては、クロミック層としてフォトクロミック層を備えていた。これに対し、本実施形態においては、クロミック層としてエレクトロクロミック層を備えている。以下、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０１について説明する。

図１９は、第９実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０１の断面図である。

図１９に示すように、有機ＥＬ表示装置１０１は、第４有機発光素子４１と、第４有機発光素子４１が設けられた基板１０と、第４有機発光素子４１の基板１０側に設けられた光電変換層４０と、光電変換層４０と基板１０との間に設けられたエレクトロクロミック層４５と、エレクトロクロミック層４５と基板１０との間に設けられた電極４６と、を備えている。

なお、図１９においては、便宜上、第４有機発光素子４１及びエレクトロクロミック層４５をそれぞれ１つずつ図示している。実際の有機ＥＬ表示装置１０１には、第４有機発光素子４１及びエレクトロクロミック層４５をそれぞれ複数設けられており、表示画像を形成できるように構成されている。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１は、第４有機発光素子４１の発光光を基板１０とは反対側（上側）から取り出すトップエミッション型である。

本実施形態の第４有機発光素子４１の発光スペクトルのピーク波長は、可視光領域（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）に存在する。第４有機発光素子４１は、例えば、赤色光、緑色光及び青色光等の色光を発する。第４有機発光素子４１から発せられた色光は視認側から射出される。これにより、フルカラー表示が可能となる。

第４有機発光素子４１は、画素電極４２と対向電極４４との間に第４有機発光層４３を挟持してなる。

画素電極４２は光電変換層４０と第４有機発光層４３との間に形成されており、対向電極４４は第４有機発光層４３上に形成されている。電極４６は、接地されている。

光電変換層４０とエレクトロクロミック層４５とは、第４有機発光素子４１の基板１０側において、基板１０の法線方向から見て、第４有機発光素子４１の画素電極４２と重なる位置に設けられている。光電変換層４０は、第４有機発光素子４１から発せられた光（色光）によって電流を生じる。エレクトロクロミック層４５は、光電変換層４０によって生じた電流によって変色し、外光の少なくとも一部を吸収する。

エレクトロクロミック層４５は、エレクトロクロミック材料を含む層である。

クロミック材料のうちエレクトロクロミック材料は、電気エネルギーにより分子内で可逆的な異性化反応を起こし、この構造変化により吸収特性が変化するものである。エレクトロクロミック材料と光電変換素子を組み合わせることにより、フォトクロミック材料のような特性をエレクトロクロミック材料で得ることができる。

エレクトロクロミック材料としては、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化モリブデン、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化ロジウム、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化イリジウム又は、これらの酸化物に水素又はリチウム、ナトリウム若しくはカリウムがドーピングされたのから形成される材料が例示できる。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０１によれば、外界が明るくても、外光がエレクトロクロミック層４５で吸収され、遮光される。そのため、外光が気になることはなく、発光光を良好に観測することができる。よって、表示画像の視認性の低下を抑制することができる。

また、光電変換層４０が第４有機発光素子４１から発せられた光によって電流を生じ、エレクトロクロミック層４５が光電変換層４０によって生じた電流によって変色するため、エレクトロクロミック層４５の変色タイミングを第４有機発光素子４１の発光タイミングに同期させることができる。例えば、第４有機発光素子４１の発光光が時間順次に切り替わる場合、エレクトロクロミック層４５は、第４有機発光素子４１の発光光が切り替わるタイミングに同期して、無色透明の状態と黒色の状態とが切り替わる。よって、エレクトロクロミック層４５の透光性（透明度）を容易に制御できる。

さらに、複数の第４有機発光素子４１のうちの一部の第４有機発光素子４１を発光させて文字などの表示画像を形成する場合、複数のエレクトロクロミック層４５のうち、発光した第４有機発光素子４１の画素電極４２と重なる位置に配置されたエレクトロクロミック層４５が選択的に変色する。つまり、複数のエレクトロクロミック層４５のうち、発光した第４有機発光素子４１の画素電極４２と重なる位置に配置されたエレクトロクロミック層４５は黒色になり、それ以外の発光しない第４有機発光素子４１の画素電極４２と重なる位置に配置されたエレクトロクロミック層４５は無色透明のままとなる。そのため、この無色透明の領域では、有機ＥＬ表示装置１０１の背後の物体を十分に視認することができる。よって、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。

［第１０実施形態］
以下、本発明の第１０実施形態について、図２０を用いて説明する。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の基本構成は第９実施形態と同一であり、第４有機発光素子４１のエレクトロクロミック層４５が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第５有機発光素子５１が設けられている点が第９実施形態と異なる。そのため、本実施形態では、有機ＥＬ表示装置の基本構成の説明は省略する。

図２０は、第１０実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０２の断面図である。

本実施形態の第４有機発光素子４１の発光スペクトルのピーク波長は、紫外線領域（波長１０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内）に存在する。本実施形態の光電変換層４０は、第４有機発光素子４１から発せられた紫外光によって電流を生じる。

第５有機発光素子５１は、画素電極５４と対向電極４４との間に第５有機発光層５３を挟持してなる。第５有機発光素子５１において、画素電極５４は第５有機発光層５３上に形成されている。第５有機発光素子５１の対向電極４４と、第４有機発光素子４１の対向電極４４とは、一体化されている。対向電極４４は共通電極として機能する。

本実施形態の第５有機発光素子５１の発光スペクトルのピーク波長は、可視光領域（波長３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲内の光）に存在する。第５有機発光素子５１は、例えば、赤色光、緑色光及び青色光等の色光を発する。第５有機発光素子５１から発せられた色光は視認側から射出される。これにより、フルカラー表示が可能となる。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１０２においても、透明ディスプレイとしての機能を十分に発揮することができる。さらに、第５有機発光素子５１の対向電極４４と第４有機発光素子４１の対向電極４４とが一体化されており、対向電極４４が共通電極として機能するため、エレクトロクロミック層４５の変色タイミングを第５有機発光素子５１の発光タイミングに同期させることができる。例えば、第５有機発光素子５１の発光光（色光）が時間順次に切り替わる場合、第４有機発光素子４１の発光光（紫外光）の切り替わるタイミングは、第５有機発光素子５１の色光が切り替わるタイミングに同期する。これにより、光電変換層４０は、第４有機発光素子４１の発光光が切り替わるタイミングに同期して、第４有機発光素子４１から発せられた光によって電流を生じる。エレクトロクロミック層４５は、光電変換層４０によって生じた電流によって変色するため、第４有機発光素子４１の発光光が切り替わるタイミングに同期して、無色透明の状態と黒色の状態とが切り替わる。よって、エレクトロクロミック層４５の透光性（透明度）を容易に制御できる。

また、第４有機発光素子４１からの発光光（紫外光）を、光電変換層４０に電流を生じさせる光として適用することができる。一方、第５有機発光素子５１からの発光光（色光）を、表示画像を得るための光として適用することができる。そのため、第４有機発光素子４１の発光光の波長領域を適宜調整することによって、光電変換層４０の形成材料の選択の自由度を高めることができる。

なお、本実施形態では、第５有機発光素子５１の対向電極４４と第４有機発光素子４１の対向電極４４とが一体化されており、対向電極４４が共通電極として機能する例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第５有機発光素子５１の対向電極と第４有機発光素子４１の対向電極４４とが別部材により構成されていてもよい。この場合には、第４有機発光素子４１及び第５有機発光素子５１の発光制御を互いに独立して制御する制御部を設けるとよい。

以上、図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されないことは言うまでもない。上記の実施形態において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
その他、有機ＥＬ表示装置の各構成部材の材料、数、配置等に関する具体的な構成は上記実施形態に限ることなく、適宜変更が可能である。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

[実施例]
実施例に係る有機ＥＬ表示装置として、フォトクロミック層を備えた有機ＥＬ表示装置を用いた。本実施例に係る有機ＥＬ表示装置は、上記第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２に対応する。
以下、本実施例に係る有機ＥＬ表示装置の作製方法について説明する。
（フォトクロミック層の作製方法）
フォトクロミック層の形成工程においては、フォトクロミック材料のビス（ジフェニルイミダゾール）［２．２］パラシクロファン０．５ｇに、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）２ｇを加え、１００ｍｌのクロロホルム中に溶解したフォトクロミック溶液を作製した。基板としては、０．７ｍｍの厚みのガラス基板を用いた。
次に、作製したフォトクロミック溶液を基板上にスピンコート法で成膜した。その後、８０℃で３０分間プリベークし、膜厚１００μｍのフォトクロミック層を形成した。

（有機発光素子の作製方法）
基板のフォトクロミック層が形成された側とは反対側の面に、画素電極の形成材料（ＩＺＯ）を、膜厚１１０ｎｍとなるようスパッタ法により成膜し、画素電極を形成した。
次に、基板をインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^−４Ｐａ以下の真空まで減圧して、有機発光層の各有機層の成膜を行った。
まず、正孔注入材料としてＮ，Ｎ’−ｄｉ−ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’-ジフェニル-１，１’−ビフェニル-１，１’-ビフェニル-４，４’-ジアミン（α-ＮＰＤ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚３０ｎｍの正孔注入層を形成した。
次いで、正孔輸送材料として４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚１０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
次いで、正孔輸送層上の所望の画素位置に、青色の発光層（厚さ：２５ｎｍ）を形成した。この青色の発光層は、１，４-ビス-トリフェニルシリル-ベンゼン（ＵＧＨ−２）（ホスト材料）と、トリス（１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｍｂ）_３）（青色燐光発光ドーパント）とを、それぞれ０．９Å/sec、０．１Å/ secの蒸着速度で共蒸着することによって作製した。
次いで、有機発光層の上に、２，９−ジメチルー４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて、正孔防止層（厚さ：１０ｎｍ）を形成した。
次いで、電子輸送層上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて電子注入層（厚さ：０．５ｎｍ）を形成した。
以上の処理によって、有機発光層の各有機層を成膜した。
この後、対向電極を形成した。具体的には、まず基板を金属蒸着用チャンバーに固定し、対向電極形成用のシャドーマスクと基板とをアライメントした。なお、当該シャドーマスクは、反射電極のストライプと対抗する向きに２ｍｍ幅のストライプ状に対向電極を形成できるように開口部が空いているマスクである。次いで、有機ＥＬ層の表面に、真空蒸着法により、マグネシウムと銀とをそれぞれ０．１Å/sec、０．９Å/secの蒸着速度で共蒸着し、マグネシウム銀を所望のパターンで形成（厚さ：１ｎｍ）した。さらに、対向電極での配線抵抗による電圧降下を抑制する目的で、銀を１Å／secの蒸着速度で所望のパターンで形成（厚さ：１９ｎｍ）した。以上の処理によって、対向電極を形成した。
この対向電極上に（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）及び１ｍｏｌ％−ルブレン及び０．８５ｍｏｌ％−-キナクリドン誘導体（ＤＥＱを蛍光体層として蒸着した。有機発光素子の発光光である紫外光により、ＤＥＱの黄色い発光を得ることができる。

[比較例]
比較例に係る有機ＥＬ表示装置として、フォトクロミック層を備えていない有機ＥＬ表示装置を用いた。比較例に係る有機ＥＬ表示装置の作製方法において、フォトクロミック層の作製方法以外の方法は、実施例と同様とした。

（視認性の評価）
以上のように作製した実施例及び比較例に係る有機ＥＬ表示装置のそれぞれについて、有機ＥＬ表示装置の下面側（視認側とは反対側）から外光として４００ｌｍの白色光を入射させ、有機発光素子を所定の輝度に発光させた場合の視認性を確認した。有機発光素子の発光輝度は、低輝度（１０ｃｄ／ｍ^２）、中輝度（１００ｃｄ／ｍ^２）、高輝度（１０００ｃｄ／ｍ^２）の３つの輝度を設定した。

視認性の評価結果を表１に示す。

視認性については、目視により、以下の評価基準に基づき評価した。
「○（ｇｏｏｄ）」：外光が気にならず、有機発光素子の発光光が良好に観測できる。
「△（ｆａｉｒ）」：外光が気になるが、有機発光素子の発光光が普通に観測できる。
「×（ｂａｄ）」：外光が気になり、有機発光素子の発光光が観測しにくい。

表１に示すように、比較例の評価結果から、以下のことが確認された。有機発光素子の発光輝度が低輝度（１０ｃｄ／ｍ^２）の場合、外光が気になり、有機発光素子の発光光が観測しにくい。有機発光素子の発光輝度が中輝度（１００ｃｄ／ｍ^２）の場合、外光が気になるが、有機発光素子の発光光が普通に観測できる。有機発光素子の発光輝度が高輝度（１０００ｃｄ／ｍ^２）の場合、外光が気にならず、有機発光素子の発光光が良好に観測できる。

これに対し、実施例の評価結果から、以下のことが確認された。有機発光素子の発光輝度が低輝度（１０ｃｄ／ｍ^２）、中輝度（１００ｃｄ／ｍ^２）、高輝度（１０００ｃｄ／ｍ^２）のいずれの場合においても、外光が気にならず、有機発光素子の発光光が良好に観測できる。

このように、実施例に係る有機ＥＬ表示装置によれば、有機発光素子の発光輝度に関わらず、比較例に係る有機ＥＬ表示装置よりも高い視認性を得ることができることが分かった。

図２１は、有機発光素子の発光強度及び外光の強度の関係と視認性との関係を示す図である。図２１において、横軸は有機発光素子の発光強度及び外光の強度の関係を示し、縦軸は視認性を示す。符号Ｌ１は有機発光素子の発光強度であり、符号Ｌ２は外光の強度である。

横軸に示す有機発光素子の発光強度及び外光の強度の関係において、Ｌ１＜＜Ｌ２は、外光の強度に対して有機発光素子の発光強度を極端に小さくしたときである。Ｌ１＝Ｌ２は、外光の強度と有機発光素子の発光強度とを同じくしたときである。Ｌ１＞＞Ｌ２は、外光の強度に対して有機発光素子の発光強度を極端に大きくしたときである。

図２１に示すように、比較例においては、有機発光素子の発光強度を大きくするに従って、視認性が高くなる。これにより、フォトクロミック層を備えていない有機ＥＬ表示装置において視認性を高めるには、有機発光素子の発光強度を大きくする必要があることが分かる。

これに対し、実施例においては、有機発光素子の発光強度に関わらず、コンスタントに高い視認性を得ることができる。これにより、フォトクロミック層を備えた有機ＥＬ表示装置によれば、有機発光素子の発光強度を大きくしなくても、高い視認性が得られることが分かる。

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に利用可能である。

１，１Ａ，１Ｂ，２，３，４，５，６，７，７Ａ，８，９，１０１，１０２…有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）、１０…基板、１１…第１有機発光素子、１２…画素電極、１３…第１有機発光層、１４…対向電極、１５，１５Ａ，１５Ｂ…第１フォトクロミック層、１６…蛍光体層、１７…第１バンドパスフィルター、１８…第２バンドパスフィルター、２１…第２有機発光素子、３１…第３有機発光素子、３５，３５Ａ…第３フォトクロミック層、４０…光電変換層、４５…エレクトロクロミック層、５１…第５有機発光素子、６０…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）

Claims (5)

1. 画素電極と対向電極との間に第１有機発光層を挟持してなる第１有機発光素子と、前記第１有機発光素子が設けられた基板と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   前記第１有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第１有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第１有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第１フォトクロミック層が設けられている有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記第１有機発光素子の前記第１フォトクロミック層が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第２有機発光素子が設けられ、
   前記第１有機発光素子と前記第２有機発光素子とは互いに独立に発光が制御される請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. 前記第１有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が可視光領域に存在し、
   前記基板上に前記第１有機発光素子と隣接して第３有機発光素子が設けられ、
   前記第３有機発光素子は画素電極と対向電極との間に第３有機発光層を挟持してなり、
   前記第３有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在し、
   前記第３有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第３有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第３有機発光素子から発せられた光によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収する第３フォトクロミック層が設けられている請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 画素電極と対向電極との間に第４有機発光層を挟持してなる第４有機発光素子と、前記第４有機発光素子が設けられた基板と、を備えた有機ＥＬ表示装置であって、
   前記第４有機発光素子の前記基板側若しくは前記基板とは反対側において、前記基板の法線方向から見て、少なくとも前記第４有機発光素子の画素電極と重なる位置に、前記第４有機発光素子から発せられた光によって電流を生じる光電変換層と、前記光電変換層によって生じた電流によって変色し、可視光の少なくとも一部を吸収するエレクトロクロミック層と、が設けられている有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. 前記第４有機発光素子の前記エレクトロクロミック層が設けられた側とは反対側に、可視光を発する第５有機発光素子が設けられ、
   前記第４有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が紫外線領域に存在し、
   前記第５有機発光素子の発光スペクトルのピーク波長が可視光領域に存在する請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

Images