CN108074959B - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN108074959B
CN108074959B CN201711120024.0A CN201711120024A CN108074959B CN 108074959 B CN108074959 B CN 108074959B CN 201711120024 A CN201711120024 A CN 201711120024A CN 108074959 B CN108074959 B CN 108074959B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
disposed
display area
oled device
walls
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711120024.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108074959A (zh
Inventor
朴钟赞
吴知桓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN108074959A publication Critical patent/CN108074959A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108074959B publication Critical patent/CN108074959B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02065—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being a planarization of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/821—Patterning of a layer by embossing, e.g. stamping to form trenches in an insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本文中公开了一种有机发光显示(OLED)装置，该OLED装置包括：基板，该基板具有有效显示区和包围有效显示区的非有效显示区；第一平整层，该第一平整层使有效显示区和非有效显示区中的电路元件上的表面平坦化；有机发光元件，该有机发光元件在第一平整层上；封装元件，该封装元件在有机发光元件和第一平整层上，封装元件具有第一无机层、第二无机层和在第一无机层和第二无机层之间的有机层；以及结构，该结构在非有效显示区中并且与第一平整层分隔开。所述结构包括：第一层，该第一层由与第一平整层相同的材料制成；多个壁，该多个壁在第一层上并且彼此分隔开；以及第二层，该第二层填充多个壁之间的空间。

Description

有机发光显示装置
技术领域
本公开涉及有机发光显示(OLED)装置，并且更具体地，涉及在非有效显示区(inactive area)中具有带有用于设置线的平坦表面的附加空间的OLED装置。
背景技术
显示装置行业已经得到了快速发展。已经开发了更薄、更轻且功耗更低的各种显示装置。
这些显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置、电泳显示(EPD)装置、等离子体显示(PDP)装置和电润湿显示(EWD)装置。在这些装置中，OLED装置作为具有自发光特性的下一代显示装置而出现，因为OLED装置在视角、对比度、响应时间、功耗等方面表现出优于LCD装置的优良性能。
近来，因为OLED装置具有更小的尺寸和更高的分辨率，所以所需信号线的数量增加。然而，用于布置它们的空间或封装尺寸(footprint)不充足。在此情形下，重要的问题是要确保有充足空间来布置各种信号线和其它元件。
发明内容
本公开的发明人已经研究出在OLED装置中设置用于感测用户触摸输入的触摸感测电极的方案，并且已经通过将这种触摸感测电极设置在封装元件上而实现了OLED装置中的触摸感测单元。当触摸感测电极设置在封装元件上时，触摸线或用于向触摸感测电极发送信号/从触摸感测电极接收信号的布线可设置在非有效显示区中。然而，由设置在其中的各种组件形成了陡峭高度差(即，表面不规则)。因此，在非有效显示区中，形成在封装元件上的触摸线不能正常形成或会断开。为了克服上述问题，本公开的发明人已经设计出具有新颖结构的OLED装置。
鉴于以上，本公开的一方面将提供一种OLED装置，该OLED装置在非有效显示区中包括在封装元件上具有平坦表面的区域，以允许将导电层设置在该区域中，使得可利用导电层作为各种线。
本公开的另一方面将提供一种OLED装置，该OLED装置能够通过形成设置在非有效显示区中用于与布置在有效显示区(active area)中的组件一起提供封装元件上的平坦表面的结构来避免附加的工艺或成本。
根据本公开的实施方式，一种OLED装置包括：基板，该基板具有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；第一平整层，该第一平整层提供在所述有效显示区和所述非有效显示区中的电路元件上的平坦表面；有机发光元件，该有机发光元件在所述第一平整层上；封装元件，该封装元件设置在所述有机发光元件和所述第一平整层上，所述封装元件包括第一无机层、第二无机层和在所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层；以及结构，该结构在所述非有效显示区中并且与所述第一平整层分隔开。所述结构包括：第一层，该第一层由与所述第一平整层相同的材料制成；多个壁，该多个壁设置在所述第一层上并且彼此分隔开；以及第二层，该第二层填充所述多个壁之间的空间。
根据本公开的另一实施方式，一种OLED装置包括：基板，在该基板上限定有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；至少一个平整层，该至少一个平整层设置在所述有效显示区中；有机发光元件，该有机发光元件设置在所述至少一个平整层上；封装元件，该封装元件覆盖所述有机发光元件并且包括有机层；以及结构，该结构被配置成抑制有机层溢出并且提供平坦的顶表面。
将参照附图来详细地描述本公开的示例性实施方式的细节。
根据本公开的实施方式，可在OLED装置的非有效显示区中设置具有用于另外设置线的平坦表面的区域。
另外，根据本公开的实施方式，通过结构，在OLED装置的非有效显示区中设置带有平坦表面的区域，使得与触摸感测电极连接的触摸线可设置在该区域中，由此提高触摸线的制造可靠性。
另外，根据本公开的实施方式，设置在用于提供平坦表面的非有效显示区中的结构与有效显示区中设置的组件一起形成，使得可在没有附加工艺或成本的情况下形成结构。
应该注意，本公开的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员将根据以下描述而清楚本公开的其它效果。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它方面、特征和其它优点，在附图中：
图1是用于例示根据本公开的示例性实施方式的有机发光显示(OLED)装置的示意性平面图；
图2是根据本公开的示例性实施方式的OLED装置的有效显示区的部分的截面图；
图3是根据本公开的示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图；
图4是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区的部分的截面图；
图5是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图；
图6是根据比较例的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图；以及
图7、图8、图9、图10和图11是根据本公开的示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。
具体实施方式
根据下面参考附图对实施方式的描述，本公开的优点和特征以及实现它们的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施方式，而是可按各种不同方式来实现。提供示例性实施方式，以彻底地公开当前技术特征并且将各种特征充分传达给本领域的技术人员，以便实践本发明。要注意，本公开的范围可由权利要求书限定。
在附图中给出的元件的附图标记、尺寸、比率、角度、数量仅仅是说明性的而不是限制性的。在通篇说明书中，相同的参考标号表示相同的元件。另外，在描述本公开时，可省略对公知技术的描述，以便不会不必要地混淆本公开的主旨。要注意，除非另有具体说明，否则说明书和权利要求书中使用的术语“包括”、“具有”、“包含”不应该被解释为限于此后列出的含义。除非另有具体说明，否则在提及单数名词(例如，“一”、“一个”和“该”)时使用不定冠词或定冠词的情况下，这包括该名词的复数。
对于具有特定值的元件，即使没有明确声明，也将它们解释为包括误差范围。
在描述诸如“元件A在元件B上”、“元件A在元件B上方”、“元件A在元件B下方”和“元件A在元件B旁边”的位置关系时，在元件A和B之间可设置另一个元件C，除非明确使用了术语“直接”或“正好”。
如本文中使用的，短语“元件A在元件B上”是指元件A可直接设置在元件B上和/或元件A可经由另一个元件C间接设置在元件B上。
在说明书和权利要求书中，术语“第一”、“第二”等用于区分类似元件，而不必用于描述顺序或时间顺序。这些术语仅仅用于将一个元件与另一个元件区分开。因此，如本文中使用的，在本公开的技术思路内，第一元件可以是第二元件。
在通篇说明书中，相同的参考标号表示相同的元件。
附图不成比例，并且附图中各种元件的相对尺寸是示意性描绘的，而不一定成比例。
本公开的各种实施方式的特征可被部分或全部地组合。如本领域的技术人员将清楚理解的，技术上各种交互和操作是可能的。各种示例性实施方式可被单独或组合地实践。
在下文中，将参照附图来详细地描述本公开的实施方式。
图1是用于例示根据本公开的实施方式的有机发光显示(OLED)装置的示意性平面图。为了便于例示，图1只示出OLED装置100的各种元件之中的基板101、封装元件120和阻挡膜140。下面，将参照图2和图3来描述OLED装置100的其它元件。
如图1中所示，OLED装置100包括置有像素阵列的有效显示区A/A。虽然图1只示出了一个有效显示区A/A，但是可形成多于一个有效显示区。
参照图1，可以在有效显示区A/A周围设置非有效显示区I/A。具体地，非有效显示区I/A可包围有效显示区A/A。虽然在图1中非有效显示区I/A被示出为包围矩形的有效显示区A/A，但是有效显示区A/A和非有效显示区I/A的形状和布置不限于图1中示出的形状和布置。
有效显示区A/A和非有效显示区I/A可具有与包括OLED装置100的电子装置的设计一致的形状。例如，有效显示区A/A可具有多边形(即，具有直边)或圆形(即，具有曲边)的各种形状，并且非有效显示区I/A可具有与有效显示区A/A的至少一些部分或全部相邻或包围有效显示区A/A的至少一些部分或全部的形状。
有效显示区A/A中的每个像素可与像素驱动电路关联。像素驱动电路可包括至少一个开关晶体管和至少一个驱动晶体管。每个像素驱动电路可与诸如选通线和数据线的信号线电连接，以便与设置在非有效显示区I/A中的选通驱动器、数据驱动器等通信。
可在非有效显示区I/A中用至少一个薄膜晶体管来实现选通驱动器。驱动器由于其结构和布置而被称为GIP(面板中选通)。在非有效显示区I/A中还可实现数据驱动器。另外，诸如数据IC(集成电路)的一些组件可安装在单独的PCB上，并且可经由诸如柔性印刷电路板(FPCB)、膜上芯片(COF)、载带封装(TCP)等电路膜与设置在非有效显示区I/A中的连接接口(焊盘、凸块、引脚等)联接。PCB可设置在基板101的后基板上，但是不限于此。
OLED装置100可在有效显示区A/A中包括用于生成各种信号或用于驱动像素的各种附加元件。用于驱动像素的附加元件可包括逆变电路、多路复用器、静电放电(ESD)电路等。OLED装置100还可包括与除了驱动像素之外的附加功能关联的附加元件。例如，OLED装置100可包括用于提供触摸感测特征、用户认证特征(例如，指纹扫描特征)、多级压力感测特征、触觉反馈特征等的附加元件。
基板101在其上支承OLED装置100的各种元件。基板101可由诸如玻璃、塑料等透明绝缘材料制成。在基板101上，可限定上述有效显示区A/A和非有效显示区I/A。
有机发光元件130可设置在基板101上的有效显示区A/A中，并且封装元件120可设置在有机发光元件上以将其覆盖。封装元件120保护有机发光元件130免受湿气或氧气的影响。阻挡膜140设置在封装元件120上。下面将参照图2和图3来详细描述有机发光元件130、封装元件120和阻挡膜140。
OLED装置100可包括多个像素，并且每个像素可包括多个子像素。子像素是表现一种颜色的最小单位。一个子像素可包括多个晶体管、电容器和多条线。一个子像素可由两个晶体管和一个电容器组成，这可被称为2T1C，但这并非限制。例如，子像素可以是4T1C、7T1C或6T2C类型。就这方面而言，T表示设置在一个子像素中的晶体管的数量，C表示设置在一个子像素中的电容器的数量。
图2是根据本公开的示例性实施方式的OLED装置的有效显示区的部分的截面图。图2是与OLED装置100的有效显示区A/A中的一个像素对应的区域的示意性截面图。
基板101在其上支承OLED装置100的各种元件。基板101可由诸如玻璃和塑料的透明绝缘材料制成。当基板101由塑料制成时，可使用诸如聚酰亚胺(PI)类或聚碳酸酯(PC)类材料的材料。特别地，由于聚酰亚胺(PI)可应用于高温工艺和涂覆工艺，所以PI是常用的。
可在基板101上设置缓冲层102。缓冲层102保护电极和电线免受从基板101或其它层漏出的诸如碱离子的杂质影响。缓冲层102可由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多个层制成。
如图2中所示，缓冲层102包括多缓冲器102-1和有源缓冲器102-2。多缓冲器102-1可通过交替堆叠二氧化硅(SiO2)和硅氮化物(SiNx)形成，可抑制渗透到基板101中的湿气和/或氧气的扩散。有源缓冲器102-2保护薄膜晶体管110的有源层111，可抑制各种缺陷。有源缓冲器102-2可由非晶硅(a-Si)等形成。虽然在图2中缓冲层102被示出为包括多缓冲器102-1和有源缓冲器102-2二者，但这仅仅是例示性的。缓冲层102可只包括其中的一个。另外，根据设计规格，可消除缓冲层102。
薄膜晶体管110包括有源层111、栅极112、源极113和漏极114。参照图2，有源层111设置在要形成薄膜晶体管110的沟道的缓冲层102上。有源层111可由诸如多晶硅、非晶硅和氧化物半导体的各种材料形成。在有源层111上设置栅绝缘层103。栅绝缘层103被设置为使有源层111与栅极112绝缘。栅绝缘层103可由诸如硅氧化物和硅氮化物的无机材料制成，并且可由单层或多层组成。在栅绝缘层103上设置栅极112。在栅极112上设置层间绝缘层104。层间绝缘层104可由诸如硅氧化物和硅氮化物的无机材料制成，并且可由单层或多层组成。在层间绝缘层104上设置源极113和漏极114。源极113和漏极114中的每个经由形成在层间绝缘层104中和栅绝缘层103中的接触孔与有源层111电连接。尽管为了便于例示在图2中将薄膜晶体管110示出为共面结构，但这仅仅是例示性的。
在源极113和漏极114上，设置用于保护源极113和漏极114的钝化层108。钝化层108由诸如硅氧化物和硅氮化物的无机材料制成，并且可由单层或多层组成。要注意，钝化层108不是必要元件，因此可根据OLED装置100的设计而被消除。
虽然为了便于例示在图2中只示出用于驱动有机发光元件130的各种器件之中的驱动薄膜晶体管110，但是这仅仅是例示性的。也就是说，诸如用于驱动有机发光元件130的开关薄膜晶体管、用于补偿的薄膜晶体管和电容器的各种元件可设置在有效显示区A/A中，可构成电路元件112'和114'。
可在薄膜晶体管110上设置第一平整层105-1。第一平整层105-1是用于在包括薄膜晶体管110的电路元件112'和114’上提供平坦表面并且保护薄膜晶体管110的绝缘层。第一平整层105-1可由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂等之中的至少一种形成，但是不限于此。
在第一平整层105-1上，可设置用作导线或电极的各种金属层。例如，如图2中所示，可在第一平整层105-1上设置连接电极14-1，连接电极14-1用于将薄膜晶体管110(经由接触孔)与阳极131电连接。
可在第一平整层105-1上设置第二平整层105-2。第二平整层105-2在第一平整层105-1上提供平坦表面。第二平整层105-2可由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基类树脂、聚苯硫醚类树脂等之中的至少一种形成，但是不限于此。
根据本公开的示例性实施方式，OLED装置100包括两个平整层105-1和105-2，因为随着OLED装置100的分辨率变高，各种线和元件的数量增加。也就是说，在高分辨率OLED装置中，必须在更窄的空间中设置更大数量的线和元件，因此可使用两个平整层105-1和105-2来增加用于设置线和元件的空间。因此，通过在第一平整层105-1和第二平整层105-2之间设置诸如连接电极114-1的各种金属层，能够更容易地设计线、电极和元件。另外，当将介电材料用于第一平整层105-1和第二平整层105-2时，第一平整层105-1和/或第二平整层105-2可用于在金属层之间形成电容器的电容。
可在第一平整层105-1和第二平整层105-2上设置有机发光元件130。有机发光元件130包括阳极131、阳极131上的有机发光层132和有机发光层132上的阴极133。阳极131可经由连接电极114-1与薄膜晶体管110的漏极114电连接。当OLED装置100是顶部发光型OLED装置时，阳极131可例如由具有高反射率的反射层和反射层上的透明导电层形成。另外，当OLED器件100是顶部发光型OLED装置时，阴极133可由透明导电层形成，并且可例如由非常薄的金属材料形成。有机发光层132可由发射特定颜色(即，红色、绿色或蓝色)的光的单个发光层组成，或者可由用于发射白光的多个发光层组成。除了有机发光层132之外，还可设置电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。这些层可以是不同的或者其功能中的一些可被组合到同一层中。另外，如图2中所示，有机发光层132可形成在每个像素中，或者可被形成为跨过整个有效显示区A/A或遍及整个有效显示区A/A的单个连续工件。当有机发光元件130的有机发光层132发射白光时，可在有机发光元件130上或有机发光元件130下形成滤色器或者颜色提升器。
可在有效显示区A/A中的除了发光区域之外的其它区域中，在第二平整层105-2上设置堤岸106(或堤岸结构)。也就是说，堤岸106可只覆盖阳极131的一部分以便暴露阳极131的其它部分，使得阳极131的暴露部分可被定义为发光区域。堤岸106可由诸如硅氧化物和硅氮化物的无机绝缘材料或诸如BCB、丙烯醛基类树脂和酰亚胺类树脂的有机绝缘材料制成。
可在堤岸106上设置间隔体107。间隔体107用于避免在形成有机发光元件130的有机发光层132的制造工艺中使用的精细金属掩模(FMM)直接与堤岸106或阳极130直接接触时会出现的有机发光元件130的受损。间隔体107可由与堤岸106的材料相同的材料或不同的材料制成。另外，间隔体107和堤岸106可在同一工艺期间一起形成。当间隔体107设置在堤岸106上时，阴极133可被设置成覆盖间隔体107和堤岸106。
在第一平整层105-1和第二平整层105-2和有机发光元件130上，设置封装元件120。封装元件120减少了渗透到有机发光元件130和各种电极和线中的氧气和湿气。例如，如果有机发光元件130被暴露于湿气或氧气，则发光区域会收缩(即，会出现像素收缩)，或者在发光区域中会形成黑斑。为了克服这些问题，可将封装元件120设置在有机发光元件130上。
封装元件120可包括第一无机层121、第一无机层121上的有机层122和有机层122上的第二无机层123。也就是说，有机层122设置在第一无机层121和第二无机层123之间。有机层122可被第一无机层121和第二无机层123包围。第一无机层121和第二无机层123用于抑制水分或氧气的渗透。有机层122可覆盖(在制造期间产生或引入的)异物或碎屑，以提供第二无机层123的平坦表面。如上所述，通过用多个无机层121和123和有机层122构成封装元件120，湿气或氧气会经过的路径变长并且变得更复杂，使得能够抑制或尽可能晚地延迟湿气或氧气的渗透。
第一无机层121由无机材料制成。例如，第一无机层121可由诸如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)和铝氧化物(AlOz)中的一种的无机材料制成。可通过诸如化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)的真空沉积方法来形成第一无机层121，但是不限于此。
有机层122可覆盖在制造工艺期间会产生的异物或颗粒。有机层122可由有机材料(例如，硅的碳氧化物(SiOCz)亚克力(silicon oxycarbon(SiOCz)acryl)或环氧类树脂)制成。可通过诸如喷墨涂覆和狭缝涂覆的各种涂覆方法来形成有机层122。
第二无机层123由无机材料制成。例如，第二无机层123可由诸如硅氧化物、硅氮化物和铝氧化物中的一种的无机材料制成。可通过诸如化学气相沉积或原子层沉积的真空沉积方法来形成第二无机层123，但是不限于此。
可在封装元件120上设置阻挡膜140。阻挡膜140封装其下方的包括有机发光元件130的元件。例如，阻挡膜160可以是延迟膜(retarded film)或光学各向同性膜。如果阻挡膜140具有光学各向同性性能，则它没有相位延迟地透射入射到其上的光。另外，还可在阻挡膜140上或阻挡膜140下设置有机层或无机层。阻挡膜140上或阻挡膜140下形成的有机层或无机层用于防止湿气或氧气的渗透。在阻挡膜140和封装元件120之间设置粘合层145。粘合层145将封装元件120附接至阻挡膜140。粘合层145可以是可热固化的、可光固化的或可天然固化的粘合剂。例如，粘合层145可由诸如B-PSA(阻挡压敏粘合剂)的材料制成。
在阻挡膜140上还可设置偏光膜、顶部覆盖件等。在一些示例性实施方式中，根据OLED装置100的设计，可消除阻挡膜140和粘合层145。
图3是根据本公开的示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图3示出了OLED装置100的有效显示区A/A和非有效显示区I/A的部分。将不描述以上参照图2描述的相同元件。
在非有效显示区I/A中，在基板101上设置电路元件112'和114'。电路元件112'和114'可由与用于形成在有效显示区A/A中的薄膜晶体管110的导电材料相同的材料制成。例如，电路元件112'和114’可与薄膜晶体管110的栅极112、源极113和漏极114经由同一工艺由相同材料制成。电路元件112'和114'可包括例如GIP(面板中选通)和各种线。
在非有效显示区I/A中，在电路元件112'和114'上方形成各种绝缘层。例如，如图3中所示，第一平整层105-1和第二平整层105-2可从有效显示区A/A连续延伸。
在第一平整层105-1上，可设置具有各种功能的金属层(诸如，如图2中所示的连接电极114-1或如图3中所示的第二连接线114-2)。可在第一平整层105-1上设置用于设置和保护这些金属层的无机材料层109-1和109-2。例如，无机材料层109-1和109-2可以是由无机材料制成的缓冲层和保护层。无机材料层109-1和109-2可包括用于对第一平整层105-1中产生的任何气体进行脱气的开口。在一些实施方式中，根据OLED装置100的设计，可消除无机材料层109-1和109-2。
在非有效显示区I/A中，在比电路元件112'和114’更远的外侧设置电力线114”。电力线114”可以是例如地电压线Vss。虽然电力线114”被示出为由与图3中的源极113和漏极114相同的材料制成，但是这仅仅是例示性的。它可由与栅极112相同的材料制成。第一平整层105-1设置在电路元件112'和114'上方，以在电路元件112'和114'上提供平坦表面。
当电力线114”是地电压线Vss时，电力线114”在非有效显示区I/A中与阴极133电连接。具体地，如图3中所示，阴极133可接触与阳极131借助同一工艺由相同材料制成的第一连接线131’，第一连接线131’可接触与连接电极114-1借助同一工艺由相同材料制成的第二连接线114-2，并且第二连接线114-2可与电力线114”接触，使得电力线114”可与阴极133电连接。第一连接线131'可包括便于将第一平整层105-1和第二平整层105-2中产生的气体进行脱气的开口。
除了第一平整层105-1和第二平整层105-2之外，在非有效显示区I/A中还设置结构150(例如，多个坝(dam))。结构150可抑制封装元件120的有机层122溢出。也就是说，如图3中所示，结构150可防止在制造工艺期间过度应用封装元件120的有机层122。另外，结构150可提供平坦的顶表面。如本文中使用的，术语“平坦表面”意指完全平坦的表面或具有一定平坦度的基本平坦的表面，从而可在其上正常地形成尽管有一些高度差但不断开的导电层。
参照图3，结构150包括第一层151、第一层151上的多个壁154和填充多个壁154之间的空间的第二层152。
第一层151由与第一平整层105-1相同的材料制成。也就是说，第一层151可与第一平整层105-1借助同一工艺由相同材料形成。因为第一层151可与第一平整层105-1借助同一工艺由相同材料制成，所以第一层151可用作增加结构150的高度的附属层。虽然第一平整层105-1被示出为设置在图3中的电力线114'’、钝化层108和无机层109-1和109-2上，但是根据OLED装置100的设计，可不将电力线114'’、钝化层108和无机层109-1和109-2中的至少一些设置在第一平整层105-1下方。虽然在图3中示出的示例中第一层151由与第一平整层105-1相同的材料形成，但是在其它实现方式中，第一层151可由与第二平整层105-2相同的材料形成。
多个壁154在第一层151上彼此分隔开。例如，如图3中所示，多个壁154中的一个可设置在与第一平整层105-1和第二平整105-2相邻的第一层151上，而另一个壁可设置在与基板101的外侧相邻的第一层151上。如随后将描述的，为了获得足够空间来形成第二层152，多个壁154可在第一层151上尽可能远地彼此分隔开。虽然在图3中示出两个壁154，但是多个壁154的数量不限于两个。
多个壁154可由与设置在有效显示区A/A中的一个或更多个绝缘图案相同的材料制成。例如，多个壁154可包括下层154-1和上层154-2，下层154-1由与堤岸106相同的材料制成，上层154-2由与间隔体107相同的材料制成。第一壁154的下层154-1可与堤岸106借助同一工艺由相同材料制成，并且第一壁154的上层154-2可与间隔体106借助同一工艺由相同材料制成。然而，这仅仅是例示性的。例如，多个壁154的下层154-1可由与第二平整层105-2相同的材料制成，并且多个壁154的上层154-2可由与堤岸106或间隔体106相同的材料制成。另外，多个壁154可包括下层154-1、中间层和上层154-2，下层154-1由与第二平整层105-2相同的材料制成，中间层由与堤岸106相同的材料制成，并且上层154-2由与间隔体107相同的材料制成。
第二层152可以是设置在第一平整层105-1上的填充多个壁154之间的空间的填充层。如图3中所示，当封装元件120的第一无机层121和第二无机层123被形成为使得它们覆盖第一平整层105-1和结构150的多个壁154时，第二层152设置第一无机层121和第二无机层123上在多个壁154之间以填充多个壁154之间的空间。
第二层152可由能够使结构150的顶表面平坦的材料制成。例如，第二层152可由有机材料制成并且可由与封装元件120的有机层122相同的材料制成。当第二层152由与封装元件120的有机层122相同的材料制成时，可通过喷墨涂覆来形成第二层152。
在一些实施方式中，第二层152可被形成为使得设置在多个壁154上的第二无机层123的顶表面高于第二层152的顶表面。如上所述，当第二层152由有机材料形成时，可通过喷墨涂覆来形成第二层152。在这种情况下，向多个壁154之间的空间施加有机材料。这样做时，用有机材料准确地填充多个壁154之间的空间以实现设置在多个壁154上的第二无机层123和第二层152的平坦顶表面是非常困难的。也就是说，通过准确地调节将涂覆在多个壁154之间的空间中的有机材料的量，能够提供设置在多个壁154上的第二无机层123和第二层152的平坦顶表面。然而，会存在加工裕度(processing margin)，使得有机材料会溢出多个壁154之间的空间。当发生这种情况时，有机材料可沿着结构150的侧表面流动，或者可渗透到封装元件120的第一无机层121和第二无机层123之间。渗透到第一无机层121和第二无机层123之间的有机材料可提供湿气或氧气可经过的路径。因此，考虑到制造加工裕度，期望涂覆较少量的有机材料。因此，设置在多个壁154上的第二无机层123的顶表面可高于第二层152的顶表面。
在根据本公开的示例性实施方式的OLED装置100中，结构150设置在非有效显示区I/A中，从而可抑制有机层122溢出。也就是说，由于在形成有机层122的工艺中抑制有机材料过量施加到基板101的外侧，因此结构150控制有机材料的流动，以限定被施加有机材料以形成有机层122的区域。
另外，在根据本公开的示例性实施方式的OLED装置100中，结构150可在非有效显示区I/A中提供平坦的顶表面。因为近来OLED装置具有更小的尺寸和更高的分辨率，所以所需线的数量增加。然而，用于设置它们的空间不充足。特别地，在非有效显示区I/A中设置各种组件，使得存在多个陡峭高度差。当沿着陡峭高度差设置线时，该线不能正常形成或者会断开。在根据本公开的示例性实施方式的OLED装置100中，可使用结构150在非有效显示区I/A中设置附加平坦区域，使得可提供用于设置各种线的附加空间。通过这样做，能够避免线断开，并且因为不必增大非有效显示区I/A的尺寸来提供用于设置线的空间，所以能够减小边框的尺寸。
另外，在根据本公开的示例性实施方式的OLED装置100中，可以简化用于制造结构150的工艺。具体地，由于结构150的第一层151和多个壁154由与设置在有效显示区A/A中的绝缘图案相同的材料制成，因此可在形成绝缘图案时形成第一层151和多个壁154。另外，结构150的第二层152可由与封装元件120的有机层122相同的材料形成，因此可通过使用制造封装元件120的有机层122所用的有机材料用同一制造设备来形成第二层152。结果，可抑制封装元件120的有机层122溢出，可简化制造提供平坦表面的结构150的工艺，并且还可降低制造成本。
图4是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区的部分的截面图。图5是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图4和图5中示出的OLED装置200与图1、图2和图3中示出的OLED装置100基本相同，不同的是，在封装元件120上设置多个触摸感测电极261，并且在结构150上设置触摸线262；因此，将省略冗余的描述。
参照图4，可在有效显示区A/A中，在封装元件120上设置多个导电图案。多个导电图案可以是多个触摸感测电极261。也就是说，多个触摸感测电极261形成在封装元件120的第二无机材料层123上。如图4中所示，多个触摸感测电极261可按多个块的形式形成。在这种情况下，多个触摸感测电极261可由诸如ITO的透明导电材料制成。在一些实施方式中，多个触摸感测电极261可被制成金属网。也就是说，多个触摸感测电极261中的每个可由金属材料制成，并且它们可按平面上的网形式布置。
参照图5，可在设置在非有效显示区I/A中的结构150上设置导电层。导电层可以是触摸线262。触摸线262可与设置在有效显示区A/A中的触摸感测电极261电连接，以向触摸感测电极261发送信号/从触摸感测电极261接收信号。
在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置200中，触摸感测电极261可直接形成在封装元件120上，而不是附接附加的触摸面板。因此，与制造且附接附加的触摸面板的方法相比，可简化形成触摸感测电极261的工艺，并且可制造轻薄的OLED装置。
另外，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置200中，结构150提供平坦的顶表面。因此，可在结构150上形成没有因非有效显示区I/A中的高度差而断开或受损的导电层(诸如，触摸线262)。结果，能够可靠地制造触摸线262，并且能够形成用于形成触摸线262的空间，从而能够减小非有效显示区I/A的尺寸。
下文中，将参照图6更详细地描述根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置200的效果。
图6是根据比较例的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图6中示出的OLED装置1000与图4至图5中示出的OLED装置100基本相同，不同的是，消除了结构150的第一层151和第二层152；并且，因此，将省略冗余描述。
参照图6，在根据比较例的OLED装置1000中，仅在非有效显示区I/A中设置多个壁154。因此，与图4和图5中示出的还包括由与第一平整层105-1和第二平整层105-2相同的材料制成的第一层151的OLED装置100相比，在根据比较例的OLED装置1000中，有机材料有可能在形成封装元件120的有机层122的处理期间溢出。
另外，参照图6，在根据比较例的OLED装置1000中，消除了用于填充多个壁154之间的空间的第二层152。因此，在根据比较例的OLED装置1000中，存在通过多个壁154形成的大高度差的区域X。因此，与图4和图5中示出的还包括用于填充多个壁154之间的空间的第二层152的OLED装置100相比，在根据比较例的OLED装置1000中，形成在多个壁154上的诸如触摸线262的导电层有可能被断开或不正常地形成。为了避免这种情况，在根据比较例的OLED装置100中，诸如触摸线262的导电层可设置在多个壁154的外侧上。然而，这导致非有效显示区I/A的尺寸增大。
相比之下，相比于图6中示出的OLED装置1000，图4和图5中示出的OLED装置100在形成封装元件120的有机材料层122的工艺期间，可抑制向着基板101的外侧过量施加有机材料。另外，可看出，图4和图5中示出的OLED装置100可在非有效显示区I/A中提供附加的平坦区域，以提供用于设置各种线的附加空间。
图7是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图7中示出的OLED装置300与图1、图2和图3中示出的OLED装置100基本相同，不同的是，结构350还包括第三层353；并且因此，将省略冗余描述。
参照图7，除了第一平整层105-1和第二平整层105-2之外，在非有效显示区I/A中还设置结构150。结构350包括第一层151、第一层151上的第三层353、第一层151和第三层353上的多个壁154和填充多个壁154之间的空间的第二层152。也就是说，结构350还包括在第一层151和多个壁154之间的第二层152。
第一层151由与第一平整层105-1相同的材料制成，并且第三层353由与第二平整层105-2相同的材料制成。也就是说，第一层151与第一平整层105-1借助同一工艺由相同材料形成，并且第三层151与第二平整层105-2借助同一工艺由相同材料形成。
参照图7，第三层353设置在第一层151上以覆盖第一层151的顶表面和底表面。因此，第三层353的顶表面可比第一层151的顶表面更宽。
多个壁154在第一层151上彼此分隔开。例如，如图3中所示，多个壁154中的一个可设置在与第一平整层105-1和第二平整105-2相邻的第三层353上，而另一个壁可设置在与基板101的外侧相邻的第三层353上。第一壁154的下层154-1可与堤岸106借助同一工艺由相同材料制成，并且第一壁154的上层154-2可与间隔体106借助同一工艺由相同材料制成。
第二层152可设置在第三层353上，并且可用于填充多个壁154之间的空间。如图7中所示，当封装元件120的第一无机层121和第二无机层123被形成为使得它们覆盖第一层151和第三层353以及结构350的多个壁154时，第二层152设置第一无机层121和第二无机层123上在多个壁154之间以填充多个壁154之间的空间。
如图4和图5中所示，在有效显示区A/A中，触摸线可设置在OLED装置300的结构350上，并且触摸感测电极可设置在封装元件120上。
在根据该示例性实施方式的OLED装置300中，结构350包括第一层151和第三层153，第一层151由与第一平整层105-1相同的材料制成，第三层353设置在第一层151上并且由与第二平整层105-2相同的材料制成。结构350的多个壁154设置在第一层151和第三层353上。因此，还可增大结构350的高度，使得能够在形成封装元件120的有机材料层122的处理期间抑制有机材料溢出。
另外，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置300中，第三层353设置在第一层151上，以便覆盖第一层151的顶表面和侧表面。因此，第三层353的顶表面的面积大于第一层151的顶表面的面积。因此，与在第一层151上设置多个壁154相比，当在第三层353上设置多个壁154时，多个壁154之间的间隔增大。因此，要被第二层152填充的空间进一步增大，使得结构350的平坦顶表面的面积增大。结果，可设置诸如触摸线262的导电层的区域变大。
图8是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图8中示出的OLED装置400与图7中示出的OLED装置300基本相同，不同的是，前者还包括第一平整层105-1和第二平整层105-2上的壁460；并且因此，将省略冗余描述。
参照图8，在第一平整层105-1和第二平整层105-2上设置壁460。例如，壁460可包括下层461和上层462，下层461由与堤岸106相同的材料制成，上层462由与间隔体107相同的材料制成。当壁460设置在第一平整层105-1和第二平整层105-2上时，为了形成封装元件120的有机层122而施加的有机材料会受壁460限制。
如图4和图5中所示，在有效显示区A/A中，触摸线可设置在OLED装置400的结构350上，并且触摸感测电极可设置在封装元件120上。
图9是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图9中示出的OLED装置500与图7中示出的OLED装置400基本相同，不同的是，结构550和封装元件520不同；并且因此，将省略冗余描述。
参照图9，结构550的第二层552直接设置在结构550的第三层353上。也就是说，第二层552可填充多个壁154之间的空间，使得它与结构550的多个壁154和第三层353接触。因此，封装元件520的第一无机层521和第二无机层523可被形成为覆盖多个壁154和第二层552。也就是说，第二层552设置在第一无机层521和第二无机层523下方的多个壁154之间，使得第一无机层521和第二无机层523完全覆盖整个结构550。因此，结构550的有机材料可被第一无机层521和第二无机层523覆盖，而没有暴露于外部。
如图4和图5中所示，在有效显示区A/A中，触摸线可设置在OLED装置500的结构550上，并且触摸感测电极可设置在封装元件520上。
在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置500中，结构550的第二层552与第三层353接触。也就是说，第二层552与第三层353的顶表面和多个壁154的侧表面接触，使得它可填充多个壁154之间的空间。结果，封装元件520的第一无机层521和第二无机层523可完全覆盖整个结构550，使得结构550的有机材料没有暴露于外部。以这种方式，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置500中，可使用结构550来抑制封装元件520的有机层122的溢出。另外，在非有效显示区I/A中设置平坦的顶表面，并且结构550的第一层151、多个壁154、第二层552和第三层353可被设置在非有效显示区I/A中的封装元件520的第一无机层521和第二无机层523覆盖，由此有效阻挡湿气和氧气的渗透。
图10是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图10中示出的OLED装置600与图7中示出的OLED装置300基本相同，不同的是，结构650和封装元件620不同；并且因此，将省略冗余描述。
参照图10，封装元件620的第一无机层621被设置成包围结构650的第三层353和多个壁154。也就是说，第一无机层621被设置成包围第三层353的顶表面和侧表面以及多个壁154的顶表面和侧表面。
结构650的第二层652被设置成填充多个壁154之间的空间。第二层652被形成为填充被第一无机层621覆盖的多个壁154之间的空间。第二层652与封装元件620的有机层122借助同一工艺由相同材料制成。也就是说，在通过喷墨涂覆等形成封装元件620的有机层122的处理期间，可通过在多个壁154之间涂覆有机材料来形成第二层652。
在结构650上设置封装元件620的第二无机层623。也就是说，第二无机层623可被形成为覆盖多个壁154和第二层652，使得整个结构650被完全覆盖。因此，结构650的有机材料可被第二无机层623覆盖，而没有暴露于外部。
如图4和图5中所示，在有效显示区A/A中，触摸线可设置在OLED装置600的结构650上，并且触摸感测电极可设置在封装元件620上。
在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置600中，封装元件620的第二无机层623可完全覆盖整个结构650，使得结构650的有机材料没有暴露于外部。结果，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置600中，可使用结构650来抑制封装元件620的有机层122的溢出，并且在非有效显示区I/A中设置平坦的顶表面。另外，设置在非有效显示区I/A中的封装元件620的第二无机层623覆盖结构650的第一层151、多个壁154、第二层652和第三层353，使得可更高效地阻挡湿气和氧气的渗透。
另外，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置600中，结构650的第二层652可与封装元件620的有机层122一起形成。也就是说，在制造封装元件620的有机层122的工艺期间，封装元件620的有机层122也可设置在结构650的多个壁154之间，使得可同时形成封装元件620的有机层122和结构650的第二层652。因此，可简化在OLED装置600中形成结构650的工艺。
图11是根据本公开的另一个示例性实施方式的OLED装置的有效显示区和非有效显示区的部分的截面图。图11中示出的OLED装置700与图1、图2和图3中示出的OLED装置100基本相同，不同的是，消除了第二平整层105-2，进而消除了一些组件；并且因此，将省略冗余描述。
如上所述，因为OLED装置被开发成支持更高的分辨率，所以各种线和元件的数量增加，因此可使用两个平整层来增大可设置各种线和元件的空间。然而，平整层的数量不一定限于两个，并且可根据OLED装置的设计而变化。
参照图11，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置700中，只在有效显示区A/A和非有效显示区I/A中设置第一平整层105-1。虽然OLED装置700只包括一个平整层105-1，但是结构150可包括由与第一平整层105-1相同的材料制成的第一层151、第一层151上的多个壁154和用于填充壁154之间的间隔的第二层152。因此，在根据本公开的该示例性实施方式的OLED装置700中，可控制封装元件120的有机层122溢出，并且可设置具有平坦表面的区域，在该区域中可设置诸如触摸线262的导电层。
如图4和图5中所示，在有效显示区A/A中，触摸线可设置在OLED装置700的结构150上，并且触摸感测电极可设置在封装元件120上。
本公开的示例性实施方式还可如下地描述：
根据本公开的一方面，一种OLED装置包括：基板，该基板具有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；第一平整层，该第一平整层使所述有效显示区和所述非有效显示区中的电路元件上的表面平坦化；有机发光元件，该有机发光元件在所述第一平整层上；封装元件，该封装元件在所述有机发光元件和所述第一平整层上，所述封装元件具有第一无机层、第二无机层和在所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层；以及结构，该结构在所述非有效显示区中并且与所述第一平整层分隔开。所述结构包括：第一层，该第一层由与所述第一平整层相同的材料制成；多个壁，该多个壁在所述第一层上并且彼此分隔开；以及第二层，该第二层填充所述多个壁之间的空间。
所述第一无机层和所述第二无机层可覆盖所述第一层和所述多个壁。
所述第二层可设置在所述第一无机层和所述第二无机层上并且在所述多个壁之间。
所述第二层可设置在所述第一无机层和所述第二无机层之间并且在所述多个壁之间。
所述第二层可设置在所述第一无机层和所述第二无机层下方并且在所述多个壁之间。
设置在所述多个壁上的所述第二无机层的顶表面可以高于所述第二层的顶表面。
所述第二层可由与所述有机层相同的材料制成。
所述OLED装置还可包括：第二平整层，该第二平整层设置在所述第一平整层上或所述第一平整层下。
所述结构还可包括第三层，所述第三层设置在所述第一层上或者在所述第一层和所述多个壁之间，并且由与所述第二平整层相同的材料制成。
设置在所述第一层和所述第三层上的层可覆盖设置在其下方的层的顶表面和侧表面。
该OLED装置还可包括：一个壁，该一个壁设置在所述第一平整层和所述第二平整层上，其中，所述有机层设置在所述一个壁的内侧上。
所述多个壁可由与所述有效显示区中的所述第一平整层上设置的至少一个绝缘图案相同的材料制成。
OLED装置还可包括：堤岸，该堤岸设置在所述第二平整层上并且覆盖所述有机发光元件的阳极的一部分；以及间隔体，该间隔体设置在所述堤岸上。所述多个壁中的每个壁可包括由与所述堤岸相同的材料制成的下层和由与所述间隔体相同的材料制成的上层。
所述OLED装置还可包括导电层，该导电层在所述结构上。
所述OLED装置还可包括：多个触摸感测电极，该多个触摸感测电极在所述封装元件上，并且所述导电层可以是连接至所述多个触摸感测电极的触摸线。
根据本公开的另一方面，一种OLED装置包括：基板，在该基板上限定有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；至少一个平整层，该至少一个平整层设置在所述有效显示区中；有机发光元件，该有机发光元件设置在所述至少一个平整层上；封装元件，该封装元件覆盖所述有机发光元件并且包括有机层；以及结构，该结构被配置成抑制有机层溢出并且提供平坦的顶表面。
所述结构还可包括：至少一个附属层，该至少一个附属层由与所述至少一个平整层相同的材料制成；多个壁，该多个壁设置在所述附属层上；以及填充层，该填充层设置在所述多个壁之间的空间中，以提供平坦的顶表面。
所述OLED装置还可包括导电层，该导电层设置在所述结构上以与所述封装元件上的导电图案电连接。
至此，已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施方式。然而，本公开不限于示例性实施方式，并且可在不脱离本公开的技术构思的情况下，对其进行修改和变化。因此，本文中描述的示例性实施方式仅仅是例示性的，并不旨在限制本公开的范围。本公开的技术构思不受示例性实施方式的限制。本公开所寻求的保护范围由随附要求书限定并且其所有等同物被理解为在本公开的真实范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求2016年11月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0152279的优先权，该专利申请的公开内容以引用方式并入本文中。

Claims (16)

1.一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：
基板，该基板具有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；
第一平整层，该第一平整层使所述有效显示区和所述非有效显示区中的电路元件上的表面平坦化；
有机发光元件，该有机发光元件在所述第一平整层上；
封装元件，该封装元件在所述有机发光元件和所述第一平整层上，所述封装元件具有第一无机层、第二无机层和在所述第一无机层和所述第二无机层之间的有机层；以及
在所述非有效显示区中并且与所述第一平整层分隔开的结构，
其中，所述结构包括：
第一层，该第一层由与所述第一平整层相同的材料制成；
多个壁，该多个壁在所述第一层上并且彼此分隔开；以及
第二层，该第二层填充所述多个壁之间的空间，并且
其中，所述OLED装置还包括导电层，所述导电层在所述结构的所述壁和所述第二层上方。
2.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第一无机层和所述第二无机层覆盖所述第一层和所述多个壁。
3.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第二层设置在所述第一无机层和所述第二无机层上并且在所述多个壁之间。
4.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第二层设置在所述第一无机层和所述第二无机层之间并且在所述多个壁之间。
5.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，所述第二层设置在所述第一无机层和所述第二无机层下方并且在所述多个壁之间。
6.根据权利要求2所述的OLED装置，其中，设置在所述多个壁上的所述第二无机层的顶表面高于所述第二层的顶表面。
7.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述第二层由与所述有机层相同的材料制成。
8.根据权利要求1所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
第二平整层，该第二平整层设置在所述第一平整层上或所述第一平整层下。
9.根据权利要求8所述的OLED装置，其中，所述结构还包括第三层，所述第三层设置在所述第一层上或者在所述第一层和所述多个壁之间，并且由与所述第二平整层相同的材料制成。
10.根据权利要求9所述的OLED装置，其中，设置在所述第一层和所述第三层上的层覆盖设置在其下方的层的顶表面和侧表面。
11.根据权利要求9所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
一个壁，该一个壁设置在所述第一平整层和所述第二平整层上，
其中，所述有机层设置在所述一个壁的内侧上。
12.根据权利要求1所述的OLED装置，其中，所述多个壁由与所述有效显示区中的所述第一平整层上设置的至少一个绝缘图案相同的材料制成。
13.根据权利要求11所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
堤岸，该堤岸设置在所述第二平整层上并且覆盖所述有机发光元件的阳极的一部分；以及
间隔体，该间隔体设置在所述堤岸上，
其中，所述多个壁中的每个壁包括由与所述堤岸相同的材料制成的下层和由与所述间隔体相同的材料制成的上层。
14.根据权利要求1所述的OLED装置，该OLED装置还包括：
多个触摸感测电极，该多个触摸感测电极在所述封装元件上，
其中，所述导电层是连接至所述多个触摸感测电极的触摸线。
15.一种有机发光显示OLED装置，该OLED装置包括：
基板，在该基板上限定有有效显示区和包围所述有效显示区的非有效显示区；
至少一个平整层，该至少一个平整层设置在所述有效显示区中；
有机发光元件，该有机发光元件设置在所述至少一个平整层上；
封装元件，该封装元件覆盖所述有机发光元件并且包括有机层；
被配置成抑制有机层溢出并且提供平坦的顶表面的结构；以及
导电层，该导电层设置在所述结构上以与所述封装元件上的导电图案电连接。
16.根据权利要求15所述的OLED装置，其中，所述结构还包括：
至少一个附属层，该至少一个附属层由与所述至少一个平整层相同的材料制成；
多个壁，该多个壁设置在所述附属层上；以及
填充层，该填充层设置在所述多个壁之间的空间中，以提供平坦的顶表面。
CN201711120024.0A 2016-11-15 2017-11-14 有机发光显示装置 Active CN108074959B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0152279 2016-11-15
KR1020160152279A KR102567001B1 (ko) 2016-11-15 2016-11-15 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108074959A CN108074959A (zh) 2018-05-25
CN108074959B true CN108074959B (zh) 2021-12-14

Family

ID=60262774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711120024.0A Active CN108074959B (zh) 2016-11-15 2017-11-14 有机发光显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10431771B2 (zh)
EP (1) EP3321965B1 (zh)
KR (1) KR102567001B1 (zh)
CN (1) CN108074959B (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6807178B2 (ja) * 2016-07-07 2021-01-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
KR20180060851A (ko) 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102310172B1 (ko) * 2017-05-25 2021-10-06 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102438255B1 (ko) * 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107275515B (zh) * 2017-06-20 2019-12-03 深圳市华星光电技术有限公司 Oled器件封装方法、结构、oled器件及显示屏
US10340475B2 (en) * 2017-08-28 2019-07-02 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED panel fabrication method and OLED panel
US10581028B2 (en) * 2017-11-29 2020-03-03 Sakai Display Products Corporation Method for producing organic electroluminescent display device
CN107863376B (zh) * 2017-12-11 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板、显示面板及显示装置
CN110021640A (zh) 2018-01-08 2019-07-16 三星显示有限公司 电致发光装置
KR102572136B1 (ko) * 2018-01-08 2023-08-29 삼성디스플레이 주식회사 윈도우를 갖는 전계 발광 장치
CN110085133A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN110663120B (zh) * 2018-04-28 2022-12-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法
CN108962947B (zh) * 2018-07-04 2020-11-27 上海天马微电子有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
KR102601818B1 (ko) * 2018-07-19 2023-11-14 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 구비하는 표시장치
WO2020021654A1 (ja) * 2018-07-25 2020-01-30 シャープ株式会社 表示装置
CN109065763B (zh) * 2018-08-03 2020-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板的封装方法及显示装置
CN109087935B (zh) * 2018-08-20 2021-09-10 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
US10541380B1 (en) * 2018-08-30 2020-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves
JP7150527B2 (ja) * 2018-08-31 2022-10-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及び表示装置の製造方法
KR102578168B1 (ko) * 2018-10-01 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200039085A (ko) 2018-10-04 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널
KR102593535B1 (ko) * 2018-10-26 2023-10-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102626223B1 (ko) 2018-10-26 2024-01-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11818912B2 (en) 2019-01-04 2023-11-14 Apple Inc. Organic light-emitting diode display panels with moisture blocking structures
KR20200097374A (ko) 2019-02-07 2020-08-19 삼성디스플레이 주식회사 전자 패널 및 이를 포함하는 전자 장치
CN109904342B (zh) * 2019-02-19 2021-04-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN112768502B (zh) * 2019-03-29 2022-08-02 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN110190098B (zh) * 2019-05-28 2022-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板、显示模组和显示装置
CN110561878A (zh) * 2019-08-28 2019-12-13 宿州市天艺钢化玻璃有限公司 一种夹层玻璃的生产工艺
KR20210046118A (ko) * 2019-10-17 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210049245A (ko) * 2019-10-24 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
KR20210083917A (ko) * 2019-12-27 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220022931A (ko) * 2020-08-19 2022-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널과 그의 제조 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105280677A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN105742322A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 三星显示有限公司 显示装置
US20160204373A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102162085B1 (ko) * 2014-02-05 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102223676B1 (ko) * 2014-06-24 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP6307384B2 (ja) * 2014-08-11 2018-04-04 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102396296B1 (ko) * 2015-03-06 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102314470B1 (ko) * 2015-03-09 2021-10-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102362189B1 (ko) * 2015-04-16 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102477299B1 (ko) * 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101763616B1 (ko) * 2015-07-29 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102571085B1 (ko) * 2016-04-04 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102615113B1 (ko) * 2016-05-10 2023-12-19 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR20180047295A (ko) * 2016-10-31 2018-05-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20180060851A (ko) * 2016-11-29 2018-06-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105280677A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 乐金显示有限公司 有机发光显示装置
CN105742322A (zh) * 2014-12-30 2016-07-06 三星显示有限公司 显示装置
US20160204373A1 (en) * 2015-01-14 2016-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180054385A (ko) 2018-05-24
EP3321965B1 (en) 2021-07-28
CN108074959A (zh) 2018-05-25
KR102567001B1 (ko) 2023-08-11
EP3321965A1 (en) 2018-05-16
US10431771B2 (en) 2019-10-01
US20180138450A1 (en) 2018-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108074959B (zh) 有机发光显示装置
CN108123062B (zh) 有机发光显示装置
US11575109B2 (en) Display device
US10707429B2 (en) Flexible display panel and flexible display apparatus
EP3651002B1 (en) Display device
US9922909B2 (en) Display device
KR20200046221A (ko) 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치를 제조하기 위한 마스크
EP3113241B1 (en) Organic light emitting display device
CN107134471B (zh) 显示装置和挠性显示装置
KR20180068011A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN112805771B (zh) 显示基板及显示装置
CN107086232B (zh) 显示装置
KR20180078571A (ko) 터치 내장형 표시장치
KR20220083644A (ko) 유기발광 표시장치
KR101959623B1 (ko) 표시 장치
KR20180054386A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20160140074A (ko) 유기발광 표시장치
CN113130603A (zh) 显示装置
KR20180047295A (ko) 유기 발광 표시 장치
CN115835691A (zh) 基板、显示面板和包括该显示面板的显示装置
US20220238625A1 (en) Displaying base plate and display panel
US20240122012A1 (en) Display device
CN111816076B (zh) 显示面板
KR102626240B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20180047281A (ko) 표시장치와 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant