KR102601818B1 - 터치 센서를 구비하는 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 실시예에 의하면, 기판, 기판 상에 배치되는 복수의 화소가 배치되는 표시영역, 기판 상에 배치되는 복수의 패드가 배치되는 패드영역, 기판상에 배치되되, 표시영역과 상기 패드영역 사이에 배치되는 복수의 먹스회로를 포함하는 회로영역, 표시영역 상에 배치되는 복수의 터치전극을 포함하는 터치센서부, 터치전극과 상기 패드를 연결하는 복수의 터치전극라인을 포함하되, 먹스회로는 상기 복수의 터치배선과 상기 복수의 터치전극을 선택하여 연결하는 표시장치를 제공할 수 있다.

Description

터치 센서를 구비하는 표시장치{DISPLAY APPARATUS WITH TOUCH SENSOR}
본 실시예들은 터치 센서를 구비하는 표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 액정표시장치(LCD: Liquid Crystal Display Device), 플라즈마표시장치(Plasma Display Device), 유기발광표시장치(OLED: Organic Light Emitting Display Device) 등과 같은 여러 가지 타입의 표시장치가 활용되고 있다.
상기의 표시장치 중 유기발광표시장치는 자발광소자이고 응답속도, 시야각, 색재현성 등이 매우 우수하고 얇게 구형할 수 있어 최근에 각광받고 있다.
또한, 표시장치는 키보드, 마우스 등의 다양한 입력장치를 통해 전달받은 입력신호에 대응하여 동작할 수 있다. 표시장치는 터치패널을 이용하여 화면을 터치하여 직관적이고 편리하게 사용자의 명령을 입력할 있다. 터치패널은 표시장치의 화면 상에 배치되고 사용자가 표시장치의 화면의 특정 지점을 터치함으로써 표시장치는 사용자의 명령을 입력받게 될 수 있다. 그리고, 터치패널을 표시장치에 내장하여 표시장치와 일체화되고 있다. 또한, 표시장치에 일체화된 터치패널을 터치센서라고 칭할 수 있다.
터치센서는 복수의 터치전극을 포함하며, 터치전극들은 터치배선을 통해 터치구동신호를 전달받아 터치감지신호를 출력할 수 있다. 최근에 표시장치의 크기가 커지는 경향이 있어 표시장치에 배치되는 터치전극의 수가 많아 터치전극에 터치구동신호를 전달하는 터치배선의 수가 점점더 많아지는 경향이 있다. 이로 인해, 터치 드라이브 회로에서 출력되는 터치구동신호의 수 역시 많아져야 한다. 또한, 표시장치 상의 여러 지점에 발생되는 터치를 인식하기 위해 복수의 터치구동신호가 동시에 출력되도록 할 수 있다. 이러한 이유로, 터치 드라이브 회로는 많은 수의 터치구동신호를 출력하여야 하며 이로 인해 터치 드라이브 회로의 크기가 커지는 문제가 발생하게 된다.
본 실시예들의 목적은 얇은 두께를 갖는 터치센서를 구비하는 표시장치를 제공하는 것이다.
본 실시예들의 목적은 터치 드라이브 회로의 크기를 줄일 수 있는 터치센서를 구비하는 표시장치를 제공하는 것이다.
일측면에서 본 실시예들은, 기판, 기판 상에 배치되는 복수의 화소가 배치되는 표시영역, 기판 상에 배치되는 복수의 패드가 배치되는 패드영역, 기판 상에 배치되되, 표시영역과 상기 패드영역 사이에 배치되는 복수의 먹스회로를 포함하는 회로영역, 표시영역 상에 배치되는 복수의 터치전극을 포함하는 터치센서부, 터치전극과 상기 패드를 연결하는 복수의 터치전극라인을 포함하되, 먹스회로는 상기 복수의 터치배선과 상기 복수의 터치전극을 선택하여 연결하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 실시예들에 의하면, 두께를 얇게 구현할 수 있는 터치센서를 구비하는 표시장치를 제공할 수 있다.
본 실시예들에 의하면, 터치 드라이브 회로의 크기를 줄일 수 있는 터치센서를 구비하는 표시장치를 제공함으로써, 제조비용을 절감할 수 있다.
도 1은 본 실시예 따른 터치센서부를 구비하는 표시장치의 일 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 3은 도 1에 도시된 표시패널에 포함된 기판의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3에 도시된 기판 상에 배치되는 터치센서부의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 5는 기판에 형성된 먹스회로와 터치전극의 연결관계의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5에 도시된 먹스회로의 일 실시예를 나타내는 논리회로도이다.
도 7은 도 2에 도시된 제1기판에 터치센서부가 결합된 상태에서 비표시영역의 단면의 제1실시예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 도 2에 도시된 제1기판에 터치센서부가 결합된 상태에서 비표시영역의 단면의 제2실시예를 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에 터치 패널(TSP)이 내장되는 구조의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
도 1은 본 실시예 따른 터치센서부를 구비하는 표시장치의 일 실시예를 나타내는 구조도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(100)는 표시패널(110), 터치센서부(120), 회로부(130) 및 제어부(140)를 포함할 수 있다. 또한, 표시장치(100)는 액정표시장치, 유기발광표시장치일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
표시패널(110)은 도 2에 도시되어 있는 기판(111a) 상에 복수의 게이트라인(미도시)과 복수의 데이터라인(미도시)이 교차하도록 배치되며, 복수의 게이트라인과 복수의 데이터라인이 교차하는 영역에 복수의 화소(미도시)가 배치되어 형성될 수 있다. 표시장치(100)가 유기발광표시장치인 경우 표시패널(110)의 각 화소는 발광소자와 발광소자에 구동전류를 공급하는 화소회로(미도시)를 포함할 수 있다. 발광소자는 유기발광다이오드(Organic light emitting diode: OLED)일 수 있다. 발광소자는 애노드전극과 유기발광다이오드는 유기막과 유기막에 전류가 흐르게 하는 애노드전극과 캐소드전극을 포함할 수 있다. 화소회로는 전원 또는 신호를 전달하는 배선과 연결될 수 있다.
화소회로는 게이트신호를 전달하는 게이트라인과 데이터신호를 전달하는 데이터라인과 연결될 수 있다. 또한, 화소회로는 게이트신호에 대응하여 데이터신호를 전달받아 구동전류를 생성하고 유기발광다이오드에 공급할 수 있다. 또한, 화소회로는 별도의 전원선(미도시)과 연결되어 구동전류를 공급받을 수 있다. 하지만, 화소회로에 연결되는 배선은 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트신호와 데이터신호는 디스플레이구동신호라고 칭할 수 있다. 하지만, 디스플레이 구동신호가 이에 한정되는 것은 아니다.
터치센서부(120)는 표시패널(110)을 터치하면 터치된 지점을 감지할 수 있다. 터치센서부(120)는 표시패널(110) 상에 배치되는 복수의 터치전극을 포함할 수 있다. 또한, 복수의 터치전극은 터치라인과 연결되고 터치라인에서 터치신호를 송수신할 수 있다. 터치신호는 터치구동신호와 터치감지신호일 수 있다. 여기서, 터치센서부(120)은 표시패널(110) 상에 하나의 구성요소로 도시되어 있지만 이는 개념적인 것이며 이에 한정되는 것은 아니다.
회로부(130)는 표시패널(110)과 터치센서부(120)에 디스플레이구동신호와 터치신호를 각각 전달할 수 있다. 회로부(130)는 디스플레이구동신호를 공급하는 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치신호를 송수신하는 터치 드라이브 회로(130b)를 포함할 수 있다. 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)는 집적회로(Integrated circuit)일 수 있다.
디스플레이 드라이브 회로(130a)는 게이트신호를 출력하는 게이트드라이버와 데이터신호를 출력하는 데이터신호를 출력하는 데이터드라이버를 포함할 수 있다. 디스플레이 드라이브 회로(130a)는 게이트 제어신호와 데이터제어신호를 전달받아 게이트드라이버와 데이터드라이버가 동작할 수 있다. 표시패널(110)에 게이트인 패널(Gate in panel:GIP)이 배치되어 있는 경우 게이트 드라이버는 게이트인패널(GIP)을 제어하여 게이트인패널(GIP)은 게이트 드라이버로부터 제어신호를 전달받아 게이트신호를 생성하여 게이트라인으로 전달되게 할 수 있다. 게이트제어신호는 클럭, 스타트펄스, 동기신호 등일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 터치 드라이브 회로(130b)는 터치제어신호를 전달받아 터치센싱부(120)와 터치신호를 송수신할 수 있다. 터치신호는 터치구동신호와 터치센싱신호를 포함할 수 있다.
여기서, 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)의 수가 각각 2개인 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 회로부(130)는 FPCB(Flexible prnited circuit board:131)에 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)가 각각 배치될 수 있다. 여기서는 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)가 교번적으로 배치되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)의 수가 동일한 것으로 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, FPCB(131)는 기판(111)과 SPCB(Source prinited circuit board: 132)에 연결되어 SPCB(132)를 통해 전달받은 구동제어신호와 터치제어신호를 각각 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)에 전달할 수 있다. 하지만, 회로부(130)의 배치가 이에 한정되는 것은 아니며, 회로부(130)는 기판(111a) 상에서 일영역에 배치될 수 있다.
제어부(140)는 디스플레이 드라이브 회로(130a)와 터치 드라이브 회로(130b)를 제어할 수 있다. 제어부(140)는 드라이빙제어신호와 터치제어신호를 출력할 수 있다. 제어부(140)는 구동제어부(140a)와 터치제어부(140b)를 포함할 수 있다. 구동제어부(140a)는 T-CON(Timing contoller)이고, 터치제어부(140b)는 MCU(Micro controll unit)일 수 있다.
터치제어부(140a)와 구동제어부(140b)는 CPCB(Control printed circuit board: 141)에 배치되고 CPCB(141)는 FFC(Flexible flat circuit: 142)를 통해 회로부(130)와 연결될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 표시장치의 일 실시예를 나타내는 개념도이다.
도 2를 참조하면, 표시장치(100)는 기판(111a) 상에 소자층과 소자층을 보호하는 인캡을 포함하는 인캡/소자층(111b)이 배치될 수 있다. 소자층은 픽셀들을 포함되어 있는 박막트랜지스터(TFT), 캐패시터, 발광소자를 포함할 수 있고 인캡은 유기막 및/또는 무기막을 포함하며, 소자층 상부에서 발광소자를 보호할 수 있다. 그리고, 인캡/소자층(111b) 상부에 터치전극/터치전극라인(121)이 배치될 수 있다. 터치전극/터치전극라인(121)은 도 1에 도시된 터치센서부(120)에 대응할 수 있다. 여기서, 터치전극/터치전극라인(121)은 인캡/소자층(111b) 상의 동일한 층에 형성되어 있는 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 터치전극은 터치구동전극과 터치감지전극을 포함할 수 있다. 터치전극/터치전극라인(121)이 터치구동전극과 터치감지전극을 포함하게 되면, 터치구동전극과 터치감지전극은 절연막을 사이에 두고 서로 다른 층에 배치될 수 있다. 또한, 터치구동전극과 터치감지전극은 동일한 층에 배치될 수 있지만, 터치구동전극들 또는 터치감지전극들은 각각 브릿지를 통해 연결될 수 있다. 또한, 브릿지는 동일한 층에 배치되어 있는 터치구동전극과 터치감지전극과 절연막을 사이에 두고 서로 다른층에 배치되어 터치구동전극과 터치감지전극이 연결되지 않도록 할 수 있다.
터치전극라인은 신호를 터치전극에 전달하는 배선 또는 터치전극에서 발생된 신호를 전달받는 배선일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
여기서, 터치전극/터치전극라인(121)은 인캡/소자층(111b)의 상부에 직접 부착되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 인캡/소자층(111b) 상부에 버퍼층이 배치되고 버퍼층 상부에 터치전극/터치전극라인(121)이 배치됨으로써 터치전극/터치전극라인(121)의 형성과정에서 인캡/소자층(111b)손상되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 터치전극/터치전극라인(121)이 배치되어 있는 인캡/소자층(111b)상에 커버글라스(111c)가 배치될 수 있다. 커버글라스(111c)는 접착제(111d)에 의해 터치전극/터치전극라인(121) 상에 고정될 수 있다. 또한, 기판(111a)의 하부에는 백플레이트(1110e)가 배치될 수 있다. 또한, 기판(111a) 상에는 박막트랜지스터(TFT)가 배치될 때, 신호를 전달하는 배선들이 형성될 수 있다.
또한, 인캡/소자층(111b) 상에 터치전극/터치전극라인(121)이 배치되게 함으로써 표시장치(100)의 두께를 얇게 구현할 수 있다
도 3은 도 1에 도시된 터치센서부의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 3은 참조하면, 터치센서부(120)는 복수의 터치전극(TE)이 매트릭스 형태로 배치되어 있고, 각 터치전극(TE)에는 터치전극라인(TL1,…,TLk)이 배치될 수 있다. 하나의 터치전극에 하나의 터치전극라인이 연결되며 터치전극라인은 상부에 배치되어 있는 터치전극(TE)과 오버랩될 수 이다. 터치전극(TE)은 투명전극일 수 있다. 투명전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 터치전극(TE)은 불투명한 금속성 물질로 형성될 수 있다. 터치전극(TE)이 불투명한 금속성 물질로 형성되는 경우 복수의 개구부가 형성되어 있는 메쉬형태로 구현될 수 있다. 터치전극(TE)의 개구부는 표시패널(110)의 발광층에 대응하는 위치에 배치되어 터치전극(TE)에 의해 표시패널(110)의 개구율 저하를 방지할 수 있다. 여기서, 터치전극(TE)의 형상은 사각형인 것으로 도시되어 있지만 이에 한정되는 것은 아니다. 터치전극라인(TL1,…,TLk)은 외부장치(미도시)에서 생성된 터치구동신호를 터치전극(TE)로 전달할 수 있고 터치전극(TE)으로부터 터치센싱신호를 전달받아 외부장치로 전달 할 수 있다. 외부장치는 도 1에 도시된 터치드라이브회로(130b)일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기와 같이 형성된 터치전극(TE)의 수는 표시패널(110)의 크기에 대응하여 결정될 수 있다. 터치전극(TE)의 수가 많으면 터치전극(TE)과 연결되는 터치전극라인(TL1,…,TLk)의 수 역시 많아지게 된다. 또한, 여기에서 터치센서부(120)는 셀프캡 방식인 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시패널(110)에 배치되는 터치센서부(120)는 뮤추얼 캡 방식을 채용할 수 있다.
도 4는 도 1에 도시된 표시패널에 포함된 기판의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 4를 참조하면, 기판(111a)은 표시영역(AA)과 비표시영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 기판(111a)은 재질이 플라스틱 또는 유리를 포함할 수 있다. 표시영역(AA)에는 복수의 게이트라인과 복수의 데이터라인이 배치되고 게이트라인과 데이터라인이 교차하여 정의되는 영역에 서브화소가 배치될 수 있다. 비표시영역(NAA)은 표시영역(AA)의 주변에 배치될 수 있고, 서브화소에 인가되는 신호 및/또는 전압을 전달하는 배선이 배치될 수 있다. 또한, 표시영역(AA)의 제2방향에 배치되어 있는 비표시영역(NAA)에는 기판(111a)이 구부러지는 영역인 밴딩영역(111R), 복수의 먹스회로(410)가 배치되는 회로영역(111M), 복수의 패드가 배치되어 있는 패드영역(111P)으로 구분될 수 있다.
밴딩영역(111R)은 기판(111a) 상에 형성되고 기판(111a)이 구부러질 수 있도록 하거나 구부러질 때 손상이 발생되지 않도록 하는 구조가 배치될 수 있는 영역이다. 회로영역(111M)은 복수의 회로소자들이 배치되어 있는 영역이다. 회로소자들은 제1방향으로 배치될 수 있다. 회로영역(111M)에는 복수의 먹스회로가 제1방향으로 배치될 수 있다. 회로영역(111M)에 배치되어 있는 복수의 먹스회로는 각각 하나의 입력단과 복수의 출력단을 포함하며, 선택적으로 하나의 입력단과 적어도 하나의 출력단을 연결하도록 할 수 있다. 패드영역(111P)은 복수의 패드가 배치되어 있는 영역이다. 패드영역(111P)에 배치되어 있는 복수의 패드는 터치신호를 공급하는 패드와 디스플레이신호를 공급하는 패드를 포함할 수 있다. 패드영역(111P)에서 복수의 패드는 제1방향으로 배치될 수 있다. 그리고, 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P)은 비표시영역(NAA)에서 제2방향으로 배치될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 회로영역(111M)에 먹스회로를 형성하게 되면, 터치신호를 공급하는 패드의 수를 작게 구현하게 할 수 있다. 따라서, 기판 상에 배치되는 디스플레이 신호를 공급하는 패드의 수를 증가시킬 수 있어 고해상도 및 대면적 표시장치의 설계에 유리한 효과가 있다. 디스플레이신호를 공급하는 패드는 패드영역(111P)에 배치될 수 있다.
도 5는 기판에 형성된 먹스회로와 터치전극의 연결관계의 일 실시예를 나타내는 평면도이다.
도 5를 참조하면, 기판(111a)에 대응하여 배치되어 있는 복수의 터치전극(TE)에는 각각 터치전극라인(TL1,…,TLk)이 이 연결될 수 있다. 그리고, 복수의 먹스회로(410)가 터치전극라인(TL1,…,TLk)과 연결될 수 있다. 또한, 먹스회로(410)는 각각 복수의 터치배선(TW1,…,TWl)과 연결될 수 있다. 여기서는 하나의 먹스회로가 4개의 터치전극라인과 연결되어 있는 것으로 도시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 복수의 먹스회로(410)는 각각 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)과 연결될 수 있다. 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)에는 병렬로 먹스회로(410)가 연결될 수 있다. 따라서, 복수의 먹스회로(410)는 동시에 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)으로 전달되는 제1선택신호와 제2선택신호를 전달받을 수 있다. 먹스회로(410)는 연결되어 있는 터치전극라인(TL1,…,TLk)을 선택하여 터치배선(TW1)으로부터 입력된 터치신호를 선택된 터치전극라인으로 공급할 수 있다. 여기서, 도 4의 회로영역(111M)에 복수의 먹스회로(410)이 배치되지만 회로영역(111M)에 배치되는 것은 먹스회로(410)에 한정되는 것은 아니다.
복수의 터치전극라인(TL1,…,TLk)과 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)은 일단은 먹스회로(410)와 연결되고 타단은 패드와 연결될 수 있다. 기판(111a)과 먹스회로(410) 사이에 배치되어 있는 복수의 터치전극라인(TL1,…,TLk)은 도 4의 밴딩영역(111R)에 대응되는 위치에 배치되고 먹스회로(410)은 도 4의 회로영역(111M)에 배치될 수 있다. 또한, 복수의 터치배선(TW1,…,TWl)과 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)은 패드와 연결될 수 있고 복수의 터치배선(TW1,…,TWl)과 제1선택신호라인(S0) 및 제2선택신호라인(S1)과 패드는 패드영역(111P)에 배치될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 6은 도 5에 도시된 먹스회로의 일 실시예를 나타내는 논리회로도이다.
도 6을 참조하면, 먹스회로(410)는 4개의 AND 연산기(411,412,413,414), 4개의 NOT 연산기(421,422,423,424)를 포함할 수 있다. 또한, 먹스회로(410)은 제1선택신호라인(S0)와 제2선택신호라인(S1)과 연결되어 제1선택신호와 제2선택신호를 전달받을 수 있다.
제1 AND 연산기(411)는 3개의 입력단을 포함하며, 첫번째 입력단은 터치배선(TWl)과 연결되고, 두번째 및 세번째 입력단은 각각 제1 NOT 연산기(421)와 제2 NOT 연산기(422)를 통해 제1선택신호라인(S0)과 제2선택신호라인(S1)에 연결될 수 있다. 또한, 제1 AND 연산기(411)는 제1터치전극라인(TL1)과 출력단이 연결될 수 있다.
제2 AND 연산기(412)는 3개의 입력단을 포함하며, 첫번째 입력단은 터치배선(TW1)과 연결되고, 두번째 입력단은 제3 NOT 연산기(423)를 통해 제1선택신호라인(S0)에 연결될 수 있다. 그리고, 세번째 입력단은 제2선택신호라인(S1)에 연결될 수 있다. 또한, 제2 AND 연산기(412)는 제2터치전극라인(TL2)과 출력단이 연결될 수 있다.
제3 AND 연산기(413)는 3개의 입력단을 포함하며, 첫번째 입력단은 터치배선(TW1)과 연결되고, 두번째 입력단은 제1선택신호라인(S0)에 연결될 수 있다. 그리고, 세번째 입력단은 제4 NOT 연산기(424)를 통해 제2선택신호라인(S1)에 연결될 수 있다. 또한, 제3 AND 연산기(413)는 제3터치전극라인(TL3)과 출력단이 연결될 수 있다.
제4 AND 연산기(414)는 3개의 입력단을 포함하며, 첫번째 입력단은 터치배선(TWl)과 연결되고, 두번째 입력단은 제1선택신호라인(S0)에 연결되고, 세번째 입력단은 제2선택신호라인(S1)에 연결될 수 있다. 또한, 제4 AND 연산기(414)는 제4터치전극라인(TL4)과 출력단이 연결될 수 있다.
상기와 같이 연결되는 먹스회로(410)는 제1선택신호라인(S0)를 통해 전달되는 제1선택신호와 제2선택신호라인(S1)을 통해 전달되는 제2선택신호에 대응하여 터치배선을 통해 전달되는 터치신호를 제1터치전극라인 내지 제4터치전극라인(TL1 내지 TL4) 중 하나의 터치전극라인으로 공급할 수 있다. 또한, 터치신호는 하이신호인 것으로 가정하여 설명한다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 소정의 주파수를 갖는 신호일 수 있다. 또한, 제1선택신호와 제2선택신호는 주파수와 위상이 동일한 신호일 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1내지 제4 AND 연산기(411 내지 414)는 AND 연산을 수행하기 때문에 입력되는 신호가 전부 하이 상태의 신호인 경우 하이상태의 신호를 출력하게 될 수 있다. 따라서, 터치배선(TWl)을 통해 터치신호가 전달될 때, 제1선택신호와 제2선택신호가 모두 로우상태의 신호로 전달되게 되면, 제1AND 연산기(411)에는 제1선택신호와 제2선택신호가 모두 제1 및 제2 NOT 연산기(421,422)를 통해 하이 상태의 신호로 제1 AND 연산기(411)에 전달되지만, 제2 내지 제4 AND 연산기(412,413,414)는 제1선택신호 및/또는 제2선택신호를 로우 상태의 신호로 전달받을 수 있어 제2 내지 제4 AND 연산기(412,413,414)는 로우 상태의 신호를 출력하게 될 수 있다. 따라서, 제1터치전극라인(TL1)은 터치신호를 출력할 수 있지만, 제2 내지 제4 터치전극라인(TL2 내지 TL4)는 터치신호를 출력하지 않게 된다.
그리고, 제1선택신호는 로우 상태의 신호이고 제2선택신호는 하이 상태의 신호가 되면, 제2 AND 연산기(412)는 제3 NOT 연산기(423)에 의해 제1선택신호가 하이상태로 전환되어 입력됨으로써, 하이상태의 터치신호를 제2터치전극라인(TL2)로 출력하게 되지만 제1 AND 연산기(411), 제3 및 제4 AND 연산기(413,414)는 로우 상태의 신호를 출력하게 될 수 있다.
그리고, 제1선택신호는 하이 상태의 신호이고 제2선택신호는 로우 상태의 신호가 되면, 제3 AND 연산기(413)는 제4 NOT 연산기(424)에 의해 제2선택신호가 하이상태로 전환되어 입력됨으로써, 하이상태의 터치신호를 제3터치전극라인(TL3)로 출력하게 되지만 제1 및 제2 AND 연산기(411,412), 제4 AND 연산기(414)는 로우 상태의 신호를 출력하게 될 수 있다.
또한, 제1 및 제2선택신호가 하이 상태의 신호가 되면, 제4 AND 연산기(414)는 하이 상태의 제1 및 제2선택신호를 전달받게 되어, 하이 상태의 터치신호를 제4터치전극라인(TL4)로 출력하게 되지만 제1 내지 제3 AND 연산기(411 내지 413)은 로우 상태의 신호를 출력하게 될 수 있다.
따라서, 제1선택신호와 제2선택신호를 이용하여 하나의 터치전극라인에 터치신호를 인가할 수 있어 터치신호를 인가하는 터치배선의 수가 터치전극라인의 수보다 더 적게 구현될 수 있다. 이로 인해, 표시패널의 크기가 크더라도 터치배선의 수를 증가시키지 않을 수 있어 터치 드라이브 회로의 크기를 줄일 수 있어 표시장치의 제조비용을 절감할 수 있다.
도 7은 도 2에 도시된 제1기판에 터치센서부가 결합된 상태에서 비표시영역의 단면의 제1실시예를 나타내는 단면도이고, 도 8은 도 2에 도시된 제1기판에 터치센서부가 결합된 상태에서 비표시영역의 단면의 제2실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 기판(111a) 상에 표시영역(AA), 밴딩영역(111R), 회로영역(111M) 및 패드영역(111P)이 배치될 수 있다.
기판(111a) 상에는 복수의 메탈층과 복수의 절연막 등을 이용하여 표시영역(AA), 밴딩영역(111R), 회로영역(111M) 및 패드영역(111P)을 형성할 수 있으며, 증착 과정에 따라 표시영역(AA)에서 화소회로를 형성할 때, 회로영역(111M)이 형성되고, 그 후에 밴딩영역(111R)과 패드영역(111P)이 배치될 수 있다. 표시영역(AA)이 완료된 후 터치센서부(120)를 형성할 때 터치전극, 터치전극라인, 터치 배선 중 터치전극라인과, 터치배선을 동시에 동일한 메탈층을 이용하여 형성할 수 있다. 표시영역(AA)에서 터치전극라인을 형성한 후 그 상부에 절연막을 배치하고 절연막에 컨텍홀을 형성하여 터치전극라인이 터치전극이 일지점과 접촉하게 할 수 있다.
기판(111a) 상에 형성되는 표시영역(AA), 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P)의 형성되는 과정을 보다 구체적으로 설명한다. 기판(111a) 상에 제1버퍼층(1111a) 및 제2버퍼층(1111b)이 배치될 수 있다. 그리고, 마스크를 이용하여 회로영역(111M)을 형성한다. 회로영역(111M)에서 제1버퍼층(1111a) 및 제2버퍼층(1111b)이 순차적으로 형성되고, 제2버퍼층(1111b) 상부에 매탈층(M1)이 형성될 수 있다. 도 6에 도시되어 있는 먹스회로(410)의 복수의 AND 연산기(411 내지 414)와 NOT 연산기(421 내지 424)는 복수의 트랜지스터를 포함할 수 있고, 제1메탈층(M1)은 먹스회로(410)에 포함되어 있는 복수의 트랜지스터의 소스/드레인 전극에 대응할 수 있다. 또한, 표시영역(AA)에도 제1메탈층(M1)이 배치될 수 있다. 표시영역(AA)에 형성된 제1메탈층(M1)은 화소회로의 복수의 트랜지스터의 소스/드레인전극에 대응할 수 있다.
그리고, 제1메탈층(M1) 상에 제1절연막(1112)이 패터닝되어 배치될 수 있다. 제1절연막(1112) 상에 게이트메탈층(GM)가 배치될 수 있다. 또한, 게이트메탈층(GM)이 패터닝되어 배치될 수 있다. 게이트메탈층(GM)은 복수의 트랜지스터의 게이트전극에 대응할 수 있다. 여기에 도시되어 있지는 않지만 게이트 메탈층(GM) 아래에 반도체 소자로 이루어진 액티브층이 배치되고 액티브 층과 게이트메탈층은 또다른 절연막으로 이격되어 있을 수 있다. 액티브층의 위치는 이에 한정되는 것은 아니다. 게이트메탈층(GM) 상에 제2절연막(1113)이 패터닝되어 배치되고 제2절연막(1113) 상에 제2메탈층(M2)이 배치될 수 있다. 제2메탈층(M2) 상에 제3절연막(1114)이 배치될 수 있다.
그리고, 마스크를 이용하여 제3메탈층(M3)를 형성할 수 있다. 제3메탈층(M3)은 표시영역(AA)과 회로영역(111M)에서 제3절연막(1114) 상에 배치될 수 잇다. 하지만, 제3메탈층(M3)은 밴딩영역(111R)과 패드 영역(111P)에서는 제1버퍼층(1111a) 상에 배치될 수 있다. 이때, 회로영역(111M)을 배치하는 과정에서 밴딩영역(111R)과 패드영역(111P)에서 제2버퍼층(1111b)은 전부 식각되고 제1버퍼층(1111a)의 일부가 식각될 수 있다. 제3메탈층(M3)은 유기발광다이오드의 애노드 전극을 형성할 때 형성될 수 있다. 또한, 제3메탈층(M3)은 애노드전극과 동일한 물질로 형성할 수 있다. 제3메탈층(M3) 상부에 제4절연막(1115)을 형성할 수 있다. 제4절연막(1115)은 표시영역(AA), 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P)에 배치될 수 있다. 그리고, 제4절연막(1115)이 식각되고 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P) 각각에서 일부가 식각되어 하부에 배치되어 있는 제3메탈층(M3)가 노출되도록 할 수 있다.
그리고, 표시영역(AA) 상에 발광층(1116), 캐소드전극(1117), 인캡(1118), 제1터치버퍼층(1119), 제2터치버퍼층(1120)을 형성하고 그 상부에 금속으로 된 터치전극연결부(미도시)을 배치할 수 있다. 그리고, 터치전극라인 상에 제5절연막(1121)을 형성하고 식각하여 터치전극연결부의 일부, 제3메탈층(M3)의 일부가 노출되도록 할 수 있다. 그리고, 표시영역(AA), 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P)에 제4메탈층(M4)을 형성할 수 있다. 제4메탈층(M4)는 밴딩영역(111R), 회로영역(111M) 상부에서 끊어져 있는 구성을 가질 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 제4메탈층(M4)은 밴딩영역(111R)과 버퍼영역(111M) 상에서는 터치전극라인이 될 수 있고, 패드영역(111P) 상에서는 터치배선이 될 수 있다.
제4메탈층(M4)는 밴딩영역(111R)에서 끊어져 있지 않고 연결되어 있을 수 있다. 또한, 제4메탈층(M4)은 하부에 배치되어 있는 제2메탈층(M2)와 적어도 두지점에서 접촉할 수 있다. 이로 인해, 밴딩영역(111R)이 구부러져 손상을 받아 제2메탈층(M2)이 단선되는 경우 상부에 배치되어 있는 제4메탈층(M4)을 통해 터치신호가 터치전극으로 공급될 수 있고 제4메탈층(M4)이 단선되는 경우 하부에 배치되어 있는 제2메탈층(M2)를 통해 터치신호가 터치전극으로 공급될 수 있어 밴딩에 의해 손상을 받더라도 터치신호가 공급될 수 있게 할 수 있다. 또한, 제4절연막(1115)은 유기막으로 형성될 수 있다. 유기막은 소프트한 재질이기 때문에 제4절연막(1115)은 기판(111a)이 구부러질 때 보다 부드럽게 구부러지도록 함으로써 밴딩영역(111R)이 밴딩될 때 제2메탈층(M2)과 제4메탈층(M4)에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
여기는 도시되어 있지 않지만, 제4메탈층(M4) 상에 절연막이 배치되고 그 상부에 터치전극이 배치될 수 있다. 상기와 같이 구현된 표시장치는 제3메탈층(M3)과 제4메탈층(M4)에 의해 형성된 터치전극라인과 먹스회로 등에 의해 표시장치 상의 터치전극으로 터치신호가 전달되게 할 수 있다.
여기서, 밴딩영역(111R)이 표시영역(AA)과 회로영역(111M) 사이에 배치되어 있지만, 도 8과 같이 회로영역(111M)이 밴딩영역(111R)과 표시영역(AA) 사이에 배치될 수 있다.
그리고, 기판(111a) 상에 표시영역(AA)을 형성하는 과정에서, 밴딩영역(111R), 회로영역(111M), 패드영역(111P)가 형성될 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있다.
여기서는 터치센서부(120)가 셀프캡 방식으로 터치전극이 형성되어 있는 것을 도시하고 있지만, 이에 한정되는 것은 아니며, 터치센서부(120)의 터치전극이 뮤추얼 캡 방식으로 배치되어 있는 것도 가능하다. 터치전극이 뮤츄얼 캡 방식으로 배치되는 경우 도 7의 설명에서 언급한 터치전극연결부가 배치되는 위치에 터치감지전극 또는 터치구동전극을 연결하는 브릿지가 형성되고 터치감지전극과 터치구동전극이 터치전극라인과 같이 배치되게 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 디스플레이 패널(DISP)에 터치 패널(TSP)이 내장되는 구조의 일 실시예를 나타내는 사시도이다.
도 9를 참조하면, 디스플레이 패널(DISP)의 액티브 영역(AA)에는, 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된다. 각 서브픽셀(SP)은, 발광소자(ED)와, 발광소자(ED)를 구동하기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해주기 위한 제2 트랜지스터(T2)와, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해주기 위한 스토리지 캐패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 전압이 인가될 수 있는 제1 노드(N1), 발광소자(ED)와 전기적으로 연결되는 제2 노드(N2) 및 구동 전압 라인(DVL)으로부터 구동 전압(VDD)이 인가되는 제3 노드(N3)를 포함할 수 있다. 제1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있고, 제3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다. 이러한 제1 트랜지스터(T1)는 발광소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터라고도 칭할 수 있다.
발광소자(ED)는 제1 전극(예: 애노드 전극), 발광층 및 제2 전극(예: 캐소드 전극)을 포함할 수 있다. 제1 전극은 제1 트랜지스터(T1)의 제2 노드(N2)와 전기적으로 연결되고, 제2 전극은 기저 전압(VSS)이 인가될 수 있다. 또한, 발광소자(ED)에서 발광층은 복수의 층을 포함할 수 있다. 또한, 발광층은 유기물을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광소자(ED)는 유기발광다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode)일 수 있다.
제2트랜지스터(T2)는, 게이트 라인(GL)을 통해 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어되며, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 제2 트랜지스터(T2)는 스위칭 트랜지스터라고도 칭할 수 있다. 제2트랜지스터(T2)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)에서 공급된 데이터 전압(VDATA)을 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)에 전달한다.
스토리지 캐패시터(Cst)는 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
각 서브픽셀(SP)은 도시된 바와 같이 2개의 트랜지스터(T1, T2)와 1개의 캐패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 가질 수 있으며, 경우에 따라서, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 1개 이상의 캐패시터를 더 포함할 수도 있다.
스토리지 캐패시터(Cst)는, 제1 트랜지스터(T1)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재할 수 있는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 제1 트랜지스터(T1)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)일 수 있다.
제1 트랜지스터(T1) 및 제2 트랜지스터(T2) 각각은 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.
한편, 전술한 바와 같이, 디스플레이 패널(DISP)에는 발광소자(ED), 2개 이상의 트랜지스터(T1, T2) 및 1개 이상의 캐패시터(Cst) 등의 회로소자가 배치된다. 이러한 회로소자(특히, 발광소자(ED))는 외부의 수분이나 산소 등에 취약하기 때문에, 외부의 수분이나 산소가 회로소자(특히, 발광소자(ED))로 침투되는 것을 방지하기 위한 인캡(ENCAP)이 디스플레이 패널(DISP)에 배치될 수 있다.
이러한 인캡(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다.
예를 들어, 인캡(ENCAP)이 다수의 층으로 이루어진 경우, 인캡(ENCAP)은 하나 이상의 무기 인캡과 하나 이상의 유기 인캡을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 인캡(ENCAP)은 제1 무기 인캡, 유기 인캡 및 제2 무기 인캡을 포함하여 구성될 수 있다. 여기서, 유기 인캡은 제1 무기 인캡과 제2 무기 인캡 사이에 위치할 수 있다.
제1 무기 인캡은 발광소자(ED)와 가장 인접하도록 제2 전극(예: 캐소드 전극) 상에 형성될 수 있다. 이러한 제1 무기 인캡은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 무기 인캡이 저온 분위기에서 증착되므로, 제1 무기 인캡의 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 발광층(유기 발광층)이 손상되는 것을 방지할 수 있다.
유기 인캡은 제1 무기 인캡보다 작은 면적으로 형성될 수 있으며, 제1 무기 인캡의 양 끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 이러한 유기 인캡은 터치 디스플레이 장치의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충역할을 하며, 평탄화 성능을 강화할 수 있다. 이 유기 인캡은, 일 예로, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC) 등과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다.
제 2 무기 인캡은 유기 인캡 상에 유기 인캡 및 제1 무기 인캡 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 제2 무기 인캡은 외부의 수분이나 산소가 제1 무기 인캡 및 유기 인캡으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단할 수 있다. 이러한 제2 무기 인캡은, 일 예로, 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 무기 절연 재질로 형성될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서는, 터치 패널(TSP)이 인캡(ENCAP) 상에 형성될 수 있다.
즉, 터치 디스플레이 장치에서, 터치 패널(TSP)을 이루는 다수의 터치전극(TE) 등의 터치 센서 구조는 인캡(ENCAP) 상에 배치될 수 있다.
터치 센싱 시, 터치전극(TE)에는 터치 구동 신호 또는 터치 센싱 신호가 인가될 수 있다. 따라서, 터치 센싱 시, 인캡(ENCAP)을 사이에 두고 배치되는 터치전극(TE)과 캐소드 전극 사이에는 전위차가 형성되어 불필요한 기생 캐패시턴스가 형성될 수 있다. 이러한 기생 캐패시턴스는 터치 감도를 저하시킬 수 있기 때문에, 기생 캐패시턴스를 저하시키기 위하여, 터치전극(TE)과 캐소드 전극 간의 거리는, 패널 두께, 패널 제작 공정 및 디스플레이 성능 등을 고려하여 일정 값(예: 5㎛) 이상이 되도록 설계될 수 있다. 이를 위해, 일 예로, 인캡(ENCAP)의 두께는 최소 5㎛ 이상으로 설계될 수 있다.
이상에서의 설명 및 첨부된 도면은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 나타낸 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 구성의 결합, 분리, 치환 및 변경 등의 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 표시장치
110: 표시패널
111: 기판
120: 터치센서부
130: 회로부
130a: 드라이브 IC
130b: 터치 IC
131: FPCB
132: SPCB
140: 제어부
140a: 구동제어부
140b: 터치제어부
141: CPCB
142: FFC

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되는 복수의 화소가 배치되는 표시영역;
    상기 기판 상에 배치되는 복수의 패드가 배치되는 패드영역;
    상기 기판 상에 배치되되, 상기 표시영역과 상기 패드영역 사이에 배치되는 복수의 먹스회로를 포함하는 회로영역;
    상기 표시영역 상에 배치되는 복수의 터치전극을 포함하는 터치센서부;
    상기 터치전극과 상기 패드를 연결하는 복수의 터치전극라인을 포함하되,
    상기 먹스회로는 복수의 터치배선과 상기 복수의 터치전극을 선택하여 연결하며,
    상기 표시영역의 주변 영역인 비표시영역은 상기 패드영역, 상기 회로영역, 상기 표시영역과 상기 패드영역의 사이 영역인 밴딩영역으로 구분되고,
    상기 밴딩영역은 상기 기판이 구부러질 수 있는 영역이며,
    상기 밴딩영역에는,
    상기 기판 상에 형성되는 제1버퍼층;
    상기 제1버퍼층 상에 형성되는 제1배선;
    상기 제1배선 상에 형성되는 절연막; 및
    상기 절연막 상에 배치되는 제2배선이 배치되며,
    상기 제1배선과 상기 제2배선은 상기 절연막에 형성된 컨텍홀을 통해 적어도 두 지점에서 접촉되는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 표시영역은 발광층과 상기 발광층을 보호하는 인캡을 더 포함하고, 상기 터치전극은 상기 인캡 상에 배치되는 표시장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인캡 상에 제2버퍼층이 형성되고 상기 터치전극은 상기 제2버퍼층 상에 배치되는 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 회로영역과 상기 패드영역 사이 또는 상기 표시영역과 회로영역 사이에 상기 밴딩영역이 배치되는 표시장치.
  5. 삭제
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2배선은 상기 터치전극라인인 표시장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 먹스회로는 선택신호에 대응하여 하나의 터치신호를 적어도 두개의 터치전극라인 중 하나를 선택하여 전달하는 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 먹스회로는 터치신호, 제1선택신호 및 제2선택신호를 전달받고, 상기 제1선택신호와 상기 제2선택신호를 NOT 연산을 하여 상기 터치신호와 AND 연산을 하여 제1터치전극라인으로 출력하는 제1 AND 연산기;
    상기 터치신호, 상기 제1선택신호 및 상기 제2선택신호를 전달받고, 상기 제1선택신호를 NOT 연산을 하여 상기 터치신호 및 상기 제2선택신호와 AND 연산을 하여 제2터치전극라인으로 출력하는 제2 AND 연산기;
    상기 터치신호, 상기 제1선택신호 및 상기 제2선택신호를 전달받고, 상기 제2선택신호를 NOT 연산을 하여 상기 터치신호 및 상기 제1선택신호와 AND 연산을 하여 제3터치전극라인으로 출력하는 제3 AND 연산기; 및
    상기 터치신호, 상기 제1선택신호 및 상기 제2선택신호를 전달받고, 상기 제1선택신호, 상기 제2선택신호, 상기 터치신호와 AND 연산을 하여 제4터치전극라인으로 출력하는 제4 AND 연산기를 포함하는 표시장치.
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