JP3981838B2 - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
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Description
そして、有機EL素子は、広い視野角、高速応答性、高コントラストなどの優れた特徴を有しているため、グラフィックディスプレイのピクセル、テレビ映像ディスプレイや表面光源(Surface Light Source)のピクセルとして用いられる。
更に、バックライトが不要で、液晶表示装置(LCD)に比べて電力消費が少ないという長所もある。
前記アクティブマトリックスはパッシブマトリックスとは異なり、ガラス面に発光させる時(通常、ボトムエミッションという)、TFT(Thin Film Transistor)の大きさや数が多くなるほど開口率が幾何級数的に減り、ディスプレイ素子としての使用が難しくなる。
トップエミッション方式の有機電界発光素子は、TFT及び貯蔵キャパシターを含む基板と、基板上に形成される反射層と、前記反射層上に順次に形成される有機発光層と透明電極層とを含むものである。前記有機発光層からの発光は、前記反射層によって反射され、基板と反対側の面の方向に放出される。このため、前記TFTによる開口率の低下が発生しない。
即ち、透明基板11上に非晶質シリコンを形成する。
そして、前記非晶質シリコンの表面にレーザーを照射することによって、非晶質シリコンを溶融し、再結晶化して、多結晶シリコン膜を形成する。
そして、半導体膜12aを含む全面に、ゲート絶縁膜12bを形成する。
そして、フォトリソグラフィ及び食刻工程により、前記ゲート絶縁膜12b上の半導体膜12aの中央部分に対応し、重畳する領域に、ゲート電極12cを形成する。
そして、前記注入された不純物を活性化させるために加熱処理を実施して、半導体膜12aにソース領域12d及びドレイン領域12eを形成され、それによってTFT12を完成する。
そして、ソース電極12d及びドレイン電極12eに接続するために、前記第1絶縁膜13とゲート絶縁膜12bを貫いてコンタクト14が、それぞれ第1絶縁膜13に形成され、それから、第2絶縁膜15がコンタクト14を含む全面に形成される。
そして、フォトリソグラフィ及び食刻の工程により、前記ドレイン電極12eに連結されるコンタクト14の表面が露出するように、前記平坦化絶縁膜16及び第2絶縁膜15を選択的に除去して、ビアホール17を形成する。
そして、図1Dに示すように、アノード電極がピクセル単位で分離されるように、フォトリソグラフィ及び食刻の工程により、前記アノード電極用物質18を選択的に除去してアノード電極18aを形成し、発光部を除いた部分に絶縁膜21を形成する。
そして、図1Fに示すように、前記有機EL層22上にカソード電極23を形成して、従来技術に係るトップ−エミッション方式のアクティブマトリックス有機EL素子が完成する。
ここで、上述した従来技術の問題を図2a乃至図2dに基づいて、より詳細に説明する。
即ち、図2Aに示すように、前記アノード電極用物質18上にフォトレジスト19を塗布し、ピクセルの周縁部が露出するようにパターニングされたマスク20を透明基板11上に配置する。
そして、前記マスク20を除去し、前記フォトレジスト19を現像すると、図2bに示すように、フォトレジスト19の露光した部位が除去される。
この時、フォトレジスト19を除去する過程で、ストリッパー内の処理過程の影響と、アノード電極18aと平坦化絶縁膜16間の弱い接着力の問題のため、前記アノード電極18aが図2Dに示すように、平坦化絶縁膜16から剥がれる。
第二に、アノード電極分離のための複雑なフォトリソグラフィ工程(フォトリソグラフィレジスト塗布工程、マスクアライン工程、露光及び現象工程、アノード電極分離、フォトレジスト除去工程)が不要になり、工程を簡素化することができ、結局、工程効率を向上させることができる。
即ち、透明基板31上に非晶質シリコンを形成する。
そして、非晶質シリコンの表面にレーザーを照射することにより、非晶質シリコンを溶融し再結晶化して多結晶シリコン膜を形成した後、フォトリソグラフィ及び食刻の工程で、前記多結晶シリコン膜を島形状にパターニングし、半導体膜32aを形成する。
そして、フォトリソグラフィ及び食刻の工程により前記金属膜をパターニングし、ゲート絶縁膜32b上の半導体膜32aの中央部分に対応し重畳する領域に、ゲート電極32cを形成する。
そして、前記注入された不純物を活性化させるために加熱処理を実施し、半導体膜32aにソース領域32d及びドレイン領域32eを形成し、TFT32を完成する。
そして、ソース電極32d及びドレイン電極32eに接続するために、前記第1絶縁膜33とゲート絶縁膜32bを貫いてコンタクト34が、それぞれ第1絶縁膜33に形成され、それから、第2絶縁膜15がコンタクト34を含む全面に形成される。
そして前記ドレイン電極32eに接続されるコンタクト34の表面が露出するように、前記平坦化絶縁膜36と第2絶縁膜35を選択的に除去し、ビアホール37を形成する。
又、隔壁38の実施例をよく見ると、図5Aのような逆台形状、或いは図5B及び図5Cのような形態で形成することができ、図5D及び図5Eのように、二つ以上の多層で形成することもできる。
そして、隔壁38の材料として、有機物、無機物、メタル又はこれらの混合物のうち、少なくとも一つを使用することができる。
前記アノード電極用物質としては、反射率に優れた導電性物質、特にCr、Cu、 W、 Au、 Ni、 Al、 AlNd、 Ag、 Ti、 Taなどのメタルや、これらの合金又はこれらを用いた多層膜を使用する。
前記絶縁膜40としては、無機絶縁体又は有機絶縁体を用いることができる。この時、絶縁膜40として無機絶縁体を用いる場合には、例えばSiNx、 SiOxを使用するが好ましく、有機絶縁体を使用する場合には、例えばポリイミド(polyimide)、ポリアクリル(polyacryl)、ノボラック(novolac)系列の物質を使用することが好ましい。
よって、本発明の技術的範囲は実施例に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求範囲によって定められなければならない。
32 TFT
33 第1絶縁膜
34 コンタクト
35 第2絶縁膜
36 平坦化絶縁膜
37 ビアホール
38 隔壁
39 アノード電極
40 絶縁膜
Claims (14)
- 基板上にピクセル単位でTFTを形成する段階と、
前記TFTを含む基板の全面に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記第1絶縁膜を貫いて各TFTに接続されるビアホールを形成する段階と、
前記第1絶縁膜領域のうち、アノード電極を分離させる位置に隔壁を形成する段階と、
前記ビアホールと隔壁を含む第1絶縁膜の全面にアノード電極用物質を成膜して、前記隔壁によって分離されるアノード電極を形成する段階と、
前記各ピクセルの発光領域を除いた全面に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜を含むアノード電極の全面に有機EL層とカソード電極を順に形成する段階とを含むことを特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 前記隔壁は、上部の幅を下部の幅に比べて広く形成することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁は、有機物、無機物、メタル又はこれらの混合物のうち、少なくとも一つを用いて形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁を形成する段階は、ネガティブフォトレジスト又は食刻の工程のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁は、前記TFTに対応する第1絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁は、オーバーハング構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁は、逆台形状であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 前記隔壁は、少なくとも二つの層からなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子の製造方法。
- 基板上にピクセル単位で形成されたTFTと、
前記TFTを含む基板の全面に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜の所定の位置に形成されたビアホールと、
前記第1絶縁膜領域のうち、アノード電極を分離させる位置に形成された隔壁と、
前記隔壁によって分離され、隔壁間に形成され、前記ビアホールを通して前記TFTに接続されたアノード電極と、
前記各ピクセルの発光領域を除いた全面に形成された第2絶縁膜と、
前記各ピクセルの発光領域の前記アノード上に形成された有機EL層と、
前記有機EL層上に形成されたカソード電極とを含むことを特徴とする有機EL素子。 - 前記隔壁は、上部の幅が下部の幅に比べて広く形成されていることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 前記隔壁は、有機物、無機物、メタル又はこれらの混合物のうち、少なくとも一つを用いて形成されていることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 前記隔壁は、オーバーハング構造を有することを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 前記隔壁は、逆台形状であることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
- 前記隔壁は、少なくとも二つの層からなることを特徴とする請求項9に記載の有機EL素子。
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