JP2001109396A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造プロセス等の問題で、数ある表示画素の
中には、薄膜トランジスタが常時流れ続けてしまい、輝
点が発生してしまう問題があった。 【解決手段】 薄膜トランジスタ４の電流流路をＥＬ素
子２０から分離したり、薄膜トランジスタ４の電流流路
とＥＬ素子２０を構成する陽極６とを接続したり、ＥＬ
素子２０を構成する陽極６と陰極２５を接続したり、更
には保持容量８を構成する保持容量電極２とＥＬ素子２
０を構成する陽極６とを接続し、前記保持容量電極と前
記陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の光学的しきい値よ
りも低く設定したりすることで、ＥＬ素子の発光を止め
る。
中には、薄膜トランジスタが常時流れ続けてしまい、輝
点が発生してしまう問題があった。 【解決手段】 薄膜トランジスタ４の電流流路をＥＬ素
子２０から分離したり、薄膜トランジスタ４の電流流路
とＥＬ素子２０を構成する陽極６とを接続したり、ＥＬ
素子２０を構成する陽極６と陰極２５を接続したり、更
には保持容量８を構成する保持容量電極２とＥＬ素子２
０を構成する陽極６とを接続し、前記保持容量電極と前
記陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の光学的しきい値よ
りも低く設定したりすることで、ＥＬ素子の発光を止め
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エレクトロルミネ
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
ッセンス素子及び薄膜トランジスタを備えたエレクトロ
ルミネッセンス表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、エレクトロルミネッセンス（Elec
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
tro Luminescence：以下、「ＥＬ」と称する。）素子
を用いたＥＬ表示装置が、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示
装置として注目されており、例えば、そのＥＬ素子を駆
動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Th
in Film Transistor：以下、「ＴＦＴ」と称する。）を
備えたＥＬ表示装置の研究開発も進められている。
【０００３】図８に有機ＥＬ表示装置の表示画素を示
し、図１０に図８のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図
１１に図８のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。尚、図９
は、等価回路図である。
し、図１０に図８のＡ−Ａ線に沿った断面図を示し、図
１１に図８のＢ−Ｂ線に沿った断面図を示す。尚、図９
は、等価回路図である。
【０００４】図に示すように、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬとに囲まれた領域に表示画素が形成され
ている。両信号線の交点付近にはスイッチング素子であ
る第１のＴＦＴ１が備えられており、そのＴＦＴ１のソ
ースは、保持容量電極２と容量を構成する容量電極３を
兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ
４のゲート１５に接続されている。第２のＴＦＴ４のソ
ースは有機ＥＬ素子の陽極６に接続され、他方のドレイ
ンは有機ＥＬ素子を駆動する駆動ラインＶＬに接続され
ている。
インラインＤＬとに囲まれた領域に表示画素が形成され
ている。両信号線の交点付近にはスイッチング素子であ
る第１のＴＦＴ１が備えられており、そのＴＦＴ１のソ
ースは、保持容量電極２と容量を構成する容量電極３を
兼ねるとともに、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦＴ
４のゲート１５に接続されている。第２のＴＦＴ４のソ
ースは有機ＥＬ素子の陽極６に接続され、他方のドレイ
ンは有機ＥＬ素子を駆動する駆動ラインＶＬに接続され
ている。
【０００５】また、前記保持容量電極２はクロム等から
成っており、上層のゲート絶縁膜７を介して第１のＴＦ
Ｔ１のソースと一体の容量電極３と重畳し、前記ゲート
絶縁膜７を誘電体層として電荷を蓄積している。この保
持容量８は、第２のＴＦＴ４のゲート５に印加される電
圧を保持している。
成っており、上層のゲート絶縁膜７を介して第１のＴＦ
Ｔ１のソースと一体の容量電極３と重畳し、前記ゲート
絶縁膜７を誘電体層として電荷を蓄積している。この保
持容量８は、第２のＴＦＴ４のゲート５に印加される電
圧を保持している。
【０００６】続いて、スイッチング用の第１のＴＦＴ１
について図８と１０を参照しながら説明する。
について図８と１０を参照しながら説明する。
【０００７】まず石英ガラス、無アルカリガラス等から
なる透明な絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる第１のゲート
電極１１が設けられている。この第１のゲート電極１１
は、図８のようにゲートラインＧＬと一体で例えば左右
に複数本並行に延在されている。また図１０の第１のゲ
ート電極１１の右隣には、第１のゲート電極１１と同一
工程で作られた保持容量電極２が形成されている。この
保持容量電極２は、図８の様に容量を構成するため、第
１のＴＦＴ１と第２のＴＦＴ４の間で、拡大された部分
を有し、これらは左右に延在された保持容量ラインＣＬ
と一体で構成されている。
なる透明な絶縁性基板１０上に、クロム（Ｃｒ）、モリ
ブデン（Ｍｏ）などの高融点金属からなる第１のゲート
電極１１が設けられている。この第１のゲート電極１１
は、図８のようにゲートラインＧＬと一体で例えば左右
に複数本並行に延在されている。また図１０の第１のゲ
ート電極１１の右隣には、第１のゲート電極１１と同一
工程で作られた保持容量電極２が形成されている。この
保持容量電極２は、図８の様に容量を構成するため、第
１のＴＦＴ１と第２のＴＦＴ４の間で、拡大された部分
を有し、これらは左右に延在された保持容量ラインＣＬ
と一体で構成されている。
【０００８】続いて、ゲート絶縁膜７を介して多結晶シ
リコン（ｐ−Ｓｉと称する。）膜からなる第１の能動層
１２が形成されている。この能動層１２は、ＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造が採用されている。即ち、ゲ
ートの両側に低濃度領域が設けられ、更に外側には、高
濃度のソース領域及びドレイン領域が設けられている。
前記能動層１２の上には、ストッパ絶縁膜１３が設けら
れている。このストッパ絶縁膜１３は、能動層１２への
イオン注入阻止膜であり、ここではＳｉ酸化膜から成
る。
リコン（ｐ−Ｓｉと称する。）膜からなる第１の能動層
１２が形成されている。この能動層１２は、ＬＤＤ（Li
ghtly Doped Drain）構造が採用されている。即ち、ゲ
ートの両側に低濃度領域が設けられ、更に外側には、高
濃度のソース領域及びドレイン領域が設けられている。
前記能動層１２の上には、ストッパ絶縁膜１３が設けら
れている。このストッパ絶縁膜１３は、能動層１２への
イオン注入阻止膜であり、ここではＳｉ酸化膜から成
る。
【０００９】そして、ゲート絶縁膜７、能動層１２及び
ストッパ絶縁膜１３上には、例えば、順にＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１４が
設けられ、ドレインに設けたコンタクトホールＣ１を介
してドレイン電極と成るドレインラインＤＬが電気的に
接続されている。更に全面には、表面の凹凸を平坦にす
るため、例えば有機樹脂から成る平坦化膜ＰＬＮが形成
されている。ＥＬ表示装置は、電流駆動なので、ＥＬ層
が均一な膜厚でなければならない。膜厚が薄い部分で電
流集中が発生するからである。従って少なくともこの形
成領域は、かなりの平坦性が要求されるため、前記平坦
化膜ＰＬＮが採用される。
ストッパ絶縁膜１３上には、例えば、順にＳｉＯ2膜、
ＳｉＮ膜及びＳｉＯ2膜が積層された層間絶縁膜１４が
設けられ、ドレインに設けたコンタクトホールＣ１を介
してドレイン電極と成るドレインラインＤＬが電気的に
接続されている。更に全面には、表面の凹凸を平坦にす
るため、例えば有機樹脂から成る平坦化膜ＰＬＮが形成
されている。ＥＬ表示装置は、電流駆動なので、ＥＬ層
が均一な膜厚でなければならない。膜厚が薄い部分で電
流集中が発生するからである。従って少なくともこの形
成領域は、かなりの平坦性が要求されるため、前記平坦
化膜ＰＬＮが採用される。
【００１０】次に、有機ＥＬ素子を駆動する第２のＴＦ
Ｔ４について図８と図１１を参照して説明する。
Ｔ４について図８と図１１を参照して説明する。
【００１１】前述した絶縁性基板１０上には、前記第１
のゲート１１と同一材料の第２のゲート電極１５が設け
られており、ゲート絶縁膜７を介して第２の能動層１６
が設けられている。前述と同様に能動層の上にはストッ
パ絶縁膜１７が設けられている。
のゲート１１と同一材料の第２のゲート電極１５が設け
られており、ゲート絶縁膜７を介して第２の能動層１６
が設けられている。前述と同様に能動層の上にはストッ
パ絶縁膜１７が設けられている。
【００１２】前記能動層１６には、ゲート電極１５上方
に真性又は実質的に真性であるチャネルと、このチャネ
ルの両側に、ｐ型不純物のソース領域及びドレイン領域
が設けられｐ型チャネルＴＦＴを構成している。
に真性又は実質的に真性であるチャネルと、このチャネ
ルの両側に、ｐ型不純物のソース領域及びドレイン領域
が設けられｐ型チャネルＴＦＴを構成している。
【００１３】そして全面には、前述した層間絶縁膜１４
が形成されている。そしてコンタクトホールＣ２を介し
て駆動ラインＶＬが電気的に接続されている。更に全面
には、前述した平坦化膜ＰＬＮが形成され、コンタクト
ホールＣ３によりソースが露出されている。そしてこの
コンタクトホールを介してＩＴＯ（Indium Thin Oxid
e）から成る透明電極（有機ＥＬ素子の陽極）６が形成
されている。
が形成されている。そしてコンタクトホールＣ２を介し
て駆動ラインＶＬが電気的に接続されている。更に全面
には、前述した平坦化膜ＰＬＮが形成され、コンタクト
ホールＣ３によりソースが露出されている。そしてこの
コンタクトホールを介してＩＴＯ（Indium Thin Oxid
e）から成る透明電極（有機ＥＬ素子の陽極）６が形成
されている。
【００１４】有機ＥＬ素子２０は、前記陽極６、ＭＴＤ
ＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l）から成る第１ホール輸送層２１、及びＴＰＤ（4,4,4
-tris(3-methylphenylph enylamino)triphenylanine）
からなる第２ホール輸送層２２、キナクリドン（Quinac
ridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノ
リノール−ベリリウム錯体）から成る発光層２３及びＢ
ｅｂｑ2から成る電子輸送層２４からなる発光素子層Ｅ
Ｍ、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極２５が
この順番で積層形成された構造であり、有機ＥＬ素子の
実質全面に設けられている。
ＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)bipheny
l）から成る第１ホール輸送層２１、及びＴＰＤ（4,4,4
-tris(3-methylphenylph enylamino)triphenylanine）
からなる第２ホール輸送層２２、キナクリドン（Quinac
ridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2（10-ベンゾ〔ｈ〕キノ
リノール−ベリリウム錯体）から成る発光層２３及びＢ
ｅｂｑ2から成る電子輸送層２４からなる発光素子層Ｅ
Ｍ、マグネシウム・インジウム合金から成る陰極２５が
この順番で積層形成された構造であり、有機ＥＬ素子の
実質全面に設けられている。
【００１５】有機ＥＬ素子の発光原理および動作は、陽
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
【００１６】このように、第１のＴＦＴ１のソースＳか
ら供給された電荷が保持容量８に蓄積され、第２のＴＦ
Ｔ４のゲート１５に印加され、その電圧に応じて有機Ｅ
Ｌ素子を電流駆動し、発光する。
ら供給された電荷が保持容量８に蓄積され、第２のＴＦ
Ｔ４のゲート１５に印加され、その電圧に応じて有機Ｅ
Ｌ素子を電流駆動し、発光する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】前述した第１のＴＦＴ
１または第２のＴＦＴ４は、プロセス上の問題から、電
流が流れ続けてしまう不良が発生してしまう問題があっ
た。そのため、本来ＥＬ素子には、電流が流れない時で
も、電流が流れてしまい正確な表示ができない問題があ
った。完成品において、黒表示の一部が白表示となる輝
点は、厳しくチェックされ、不良扱いとなっていた。そ
のため、ＥＬ表示装置の歩留まりが低下することにな
り、ＥＬ表示装置のコストを上昇させてしまう問題があ
った。
１または第２のＴＦＴ４は、プロセス上の問題から、電
流が流れ続けてしまう不良が発生してしまう問題があっ
た。そのため、本来ＥＬ素子には、電流が流れない時で
も、電流が流れてしまい正確な表示ができない問題があ
った。完成品において、黒表示の一部が白表示となる輝
点は、厳しくチェックされ、不良扱いとなっていた。そ
のため、ＥＬ表示装置の歩留まりが低下することにな
り、ＥＬ表示装置のコストを上昇させてしまう問題があ
った。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みてなされ、第１に、薄膜トランジスタの電流流路を
ＥＬ素子から分離することで解決するものである。
鑑みてなされ、第１に、薄膜トランジスタの電流流路を
ＥＬ素子から分離することで解決するものである。
【００１９】第２に、薄膜トランジスタの電流流路とＥ
Ｌ素子を構成する陽極とを接続することで解決するもの
である。
Ｌ素子を構成する陽極とを接続することで解決するもの
である。
【００２０】第３に、ＥＬ素子を構成する陽極と陰極を
接続することで解決するものである。
接続することで解決するものである。
【００２１】第４に、保持容量を構成する保持容量電極
とＥＬ素子を構成する陽極とを接続し、前記保持容量電
極と前記陽極との電位差は、前記ＥＬ素子の光学的しき
い値よりも低く設定されていることで解決するものであ
る。
とＥＬ素子を構成する陽極とを接続し、前記保持容量電
極と前記陽極との電位差は、前記ＥＬ素子の光学的しき
い値よりも低く設定されていることで解決するものであ
る。
【００２２】第５に、前記電流流路は、前記薄膜トラン
ジスタのソース領域でなることで解決するものである。
ジスタのソース領域でなることで解決するものである。
【００２３】第６に、前記電流流路と前記ＥＬ素子との
分離、前記薄膜トランジスタの電流流路と前記ＥＬ素子
を構成する陽極との接続、前記ＥＬ素子を構成する陽極
と陰極の接続または前記保持容量を構成する保持容量電
極と前記ＥＬ素子を構成する陽極との接続は、レーザー
により形成されていることで解決するものである。
分離、前記薄膜トランジスタの電流流路と前記ＥＬ素子
を構成する陽極との接続、前記ＥＬ素子を構成する陽極
と陰極の接続または前記保持容量を構成する保持容量電
極と前記ＥＬ素子を構成する陽極との接続は、レーザー
により形成されていることで解決するものである。
【００２４】第７に、陽極とソース領域との間には、陽
極とソース領域を接続する電極が形成され、前記電極と
ＥＬ素子を構成する陰極とが接続されることで解決する
ものである。
極とソース領域を接続する電極が形成され、前記電極と
ＥＬ素子を構成する陰極とが接続されることで解決する
ものである。
【００２５】第８に、保持容量の下層の電極は、薄膜ト
ランジスタのゲートと同層に形成され、ＥＬ素子を構成
する陽極との重畳部を有し、前記重畳部と前記陽極が接
続されることで解決するものである。
ランジスタのゲートと同層に形成され、ＥＬ素子を構成
する陽極との重畳部を有し、前記重畳部と前記陽極が接
続されることで解決するものである。
【００２６】第９に、接続は、レーザーにより成される
ことで解決するものである。
ことで解決するものである。
【００２７】第１０に、保持容量ラインを構成する保持
容量の電極とＥＬ素子を構成する陽極との電位差は、前
記ＥＬ素子の光学的しきい値よりも低く設定されている
ことで解決するものである。
容量の電極とＥＬ素子を構成する陽極との電位差は、前
記ＥＬ素子の光学的しきい値よりも低く設定されている
ことで解決するものである。
【００２８】本発明は、発明が解決しようとする課題の
欄にも述べたように、輝点を防止するものであり、例え
ば、一例として、ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トラン
ジスタのソース領域をレーザにより溶断し、ＥＬ素子と
薄膜トランジスタを分離すれば、たとえ薄膜トランジス
タが不良で電流を流しても、その電流はＥＬ素子には流
れない。そのため輝点の発生は無くなる。
欄にも述べたように、輝点を防止するものであり、例え
ば、一例として、ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トラン
ジスタのソース領域をレーザにより溶断し、ＥＬ素子と
薄膜トランジスタを分離すれば、たとえ薄膜トランジス
タが不良で電流を流しても、その電流はＥＬ素子には流
れない。そのため輝点の発生は無くなる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明は、数ある表示画素の中で
輝点を発生する表示画素を黒表示にするものであり、輝
点を発生する表示画素を外的に加工するものである。
輝点を発生する表示画素を黒表示にするものであり、輝
点を発生する表示画素を外的に加工するものである。
【００３０】まず全体の構成が判るように、図４から図
６を参照して、表示画素について説明する。尚、図６に
は、前記外的に加工した所が示されているが、正常動作
をするＥＬ素子として説明していく。
６を参照して、表示画素について説明する。尚、図６に
は、前記外的に加工した所が示されているが、正常動作
をするＥＬ素子として説明していく。
【００３１】図４は、ＥＬ表示装置の特に表示画素を平
面的に示したもので、点線で囲まれ点でハッチングした
領域は、ゲート材料で形成された領域、実線で囲まれハ
ッチングされていない部分は、Ｐ−Ｓｉ層、実線で囲ま
れ斜め点でハッチングした部分は、透明電極材料で成る
部分である。更に実線で囲まれ斜め線でハッチングされ
た部分が、Ａｌを主材料とする金属材料で形成された部
分である。
面的に示したもので、点線で囲まれ点でハッチングした
領域は、ゲート材料で形成された領域、実線で囲まれハ
ッチングされていない部分は、Ｐ−Ｓｉ層、実線で囲ま
れ斜め点でハッチングした部分は、透明電極材料で成る
部分である。更に実線で囲まれ斜め線でハッチングされ
た部分が、Ａｌを主材料とする金属材料で形成された部
分である。
【００３２】図５は、図４のＡ−Ａ線断面図であり、図
６は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。なお、本実施の形
態においては、第１、第２のＴＦＴ１、４ともに、ボト
ムゲート型のＴＦＴを採用しており、能動層としてｐ−
Ｓｉ膜を用いている。またゲート電極１１、１５は、シ
ングルゲート構造であが、ダブルゲート構造でも良い。
６は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。なお、本実施の形
態においては、第１、第２のＴＦＴ１、４ともに、ボト
ムゲート型のＴＦＴを採用しており、能動層としてｐ−
Ｓｉ膜を用いている。またゲート電極１１、１５は、シ
ングルゲート構造であが、ダブルゲート構造でも良い。
【００３３】また図４に於いて、ゲートラインＧＬ、ド
レインラインＤＬおよび駆動ラインＶＬで囲まれて成る
ものを表示画素と呼ぶ。
レインラインＤＬおよび駆動ラインＶＬで囲まれて成る
ものを表示画素と呼ぶ。
【００３４】では、図４〜図６を参照し、有機ＥＬ表示
装置を具体的に説明していく。
装置を具体的に説明していく。
【００３５】まず、少なくとも表面が絶縁性を有する透
明基板１０がある。本実施の形態では、ＥＬ素子を水分
から保護するため、メタルキャップ（カン）がＥＬ材料
を封止するように上面に設置されている。このメタルキ
ャップＣＡＰが設置されているため発光光は、前記透明
基板１０から取り出すため、基板１０は、透明である必
要があるが、発光光を上方から取り出す場合は、透明で
ある必要はない。ここでは、ガラスや合成樹脂などから
成る透明基板１０を採用している。
明基板１０がある。本実施の形態では、ＥＬ素子を水分
から保護するため、メタルキャップ（カン）がＥＬ材料
を封止するように上面に設置されている。このメタルキ
ャップＣＡＰが設置されているため発光光は、前記透明
基板１０から取り出すため、基板１０は、透明である必
要があるが、発光光を上方から取り出す場合は、透明で
ある必要はない。ここでは、ガラスや合成樹脂などから
成る透明基板１０を採用している。
【００３６】この透明基板１０の上には、図４の表示画
素の上側辺に沿って、左右にゲートラインＧＬが設けら
れている。また保持容量８の下層電極として作用する保
持容量電極２が設けられると共に、この保持容量電極２
をお互いにつなぐため、保持容量ラインＣＬが左右に延
在されている。これら両ラインＧＬ、ＣＬは、同層でな
るため、点でハッチングしてある。また材料としては、
上層にＰ−Ｓｉを採用する理由からＣｒやＴａ等の高融
点金属が採用される。ここでは、約１０００〜２０００
ÅのＣｒがスパッタリングにて形成されている。またパ
ターニングの際は、ステップカバレージが考慮され、側
辺はテーパー形状に加工されている。
素の上側辺に沿って、左右にゲートラインＧＬが設けら
れている。また保持容量８の下層電極として作用する保
持容量電極２が設けられると共に、この保持容量電極２
をお互いにつなぐため、保持容量ラインＣＬが左右に延
在されている。これら両ラインＧＬ、ＣＬは、同層でな
るため、点でハッチングしてある。また材料としては、
上層にＰ−Ｓｉを採用する理由からＣｒやＴａ等の高融
点金属が採用される。ここでは、約１０００〜２０００
ÅのＣｒがスパッタリングにて形成されている。またパ
ターニングの際は、ステップカバレージが考慮され、側
辺はテーパー形状に加工されている。
【００３７】続いて、全面にはゲート絶縁膜７と半導体
層が積層されて形成されている。ここでは、前記ゲート
絶縁膜７、第１の能動層１２、第２の能動層１６および
保持容量８の上層電極である容量電極３の材料であるａ
−Ｓｉも含めてプラズマＣＶＤで形成されている。具体
的には、下層より約５００ÅのＳｉ窒化膜、約１３００
ÅのＳｉ酸化膜および約５００Åのａ−Ｓｉが連続プラ
ズマＣＶＤで形成される。
層が積層されて形成されている。ここでは、前記ゲート
絶縁膜７、第１の能動層１２、第２の能動層１６および
保持容量８の上層電極である容量電極３の材料であるａ
−Ｓｉも含めてプラズマＣＶＤで形成されている。具体
的には、下層より約５００ÅのＳｉ窒化膜、約１３００
ÅのＳｉ酸化膜および約５００Åのａ−Ｓｉが連続プラ
ズマＣＶＤで形成される。
【００３８】このａ−Ｓｉは、約４００度の窒素雰囲気
中で脱水素アニールが行われ、その後、エキシマレーザ
によりＰ−Ｓｉ化される。また符号１３、１７は、Ｓｉ
酸化膜から成るストッパ絶縁膜であり、能動層１２、１
６のイオン注入時のマスクとなる。第１のＴＦＴ１は、
第１のストッパ絶縁膜１３をマスクにしてＰ（リン）イ
オンが注入され、Ｎチャンネル型のソース、ドレインが
形成され、第２のＴＦＴ４は、第２のストッパ絶縁膜１
７をマスクにしてＢ（ボロン）イオンが注入されてＰチ
ャンネル型のソース、ドレインが形成されている。
中で脱水素アニールが行われ、その後、エキシマレーザ
によりＰ−Ｓｉ化される。また符号１３、１７は、Ｓｉ
酸化膜から成るストッパ絶縁膜であり、能動層１２、１
６のイオン注入時のマスクとなる。第１のＴＦＴ１は、
第１のストッパ絶縁膜１３をマスクにしてＰ（リン）イ
オンが注入され、Ｎチャンネル型のソース、ドレインが
形成され、第２のＴＦＴ４は、第２のストッパ絶縁膜１
７をマスクにしてＢ（ボロン）イオンが注入されてＰチ
ャンネル型のソース、ドレインが形成されている。
【００３９】また図４のように、ホトリソグラフィ技術
によりＰ−Ｓｉ層がパターニングされている。つまり第
１のＴＦＴ１のＰ−Ｓｉ層は、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬの左上交差部の下方で、ドレインライン
ＤＬと重畳し、ゲート電極１１の上層を延在した後、保
持容量電極２と重畳する容量電極３として延在されてい
る。またこの容量電極３は、第２のＴＦＴ４のゲート電
極１５と電気的に接続するために用いられる接続配線３
０の右端下層に延在される。一方、第２のＴＦＴ４のＰ
−Ｓｉ層は、右側の駆動ラインＶＬの下層から第２のゲ
ート電極１５の上層を延在し、透明電極から成る陽極６
の下層に延在されている。
によりＰ−Ｓｉ層がパターニングされている。つまり第
１のＴＦＴ１のＰ−Ｓｉ層は、ゲートラインＧＬとドレ
インラインＤＬの左上交差部の下方で、ドレインライン
ＤＬと重畳し、ゲート電極１１の上層を延在した後、保
持容量電極２と重畳する容量電極３として延在されてい
る。またこの容量電極３は、第２のＴＦＴ４のゲート電
極１５と電気的に接続するために用いられる接続配線３
０の右端下層に延在される。一方、第２のＴＦＴ４のＰ
−Ｓｉ層は、右側の駆動ラインＶＬの下層から第２のゲ
ート電極１５の上層を延在し、透明電極から成る陽極６
の下層に延在されている。
【００４０】そして全面には、層間絶縁膜１４が形成さ
れている。この層間絶縁膜１４は、下から約１０００Å
のＳｉ酸化膜、約３０００ÅのＳｉ窒化膜、１０００Å
のＳｉ酸化膜の三層構造が連続ＣＶＤで形成されてい
る。この層間絶縁膜は、少なくとも一層有れば良い。膜
厚もこれに限らない。
れている。この層間絶縁膜１４は、下から約１０００Å
のＳｉ酸化膜、約３０００ÅのＳｉ窒化膜、１０００Å
のＳｉ酸化膜の三層構造が連続ＣＶＤで形成されてい
る。この層間絶縁膜は、少なくとも一層有れば良い。膜
厚もこれに限らない。
【００４１】次に、層間絶縁膜１４の上層には、図４の
斜め線でハッチングしたドレインラインＤＬ、駆動ライ
ンＶＬおよび接続配線３０が形成される。当然コンタク
トが形成され、ドレインラインＤＬと第１のＴＦＴ１の
半導体層１２とのコンタクト孔Ｃ１、駆動ラインＶＬと
第２のＴＦＴ４の半導体層１６とのコンタクト孔Ｃ２、
接続配線３０と容量電極３とのコンタクト孔Ｃ４は、そ
れぞれの半導体層が露出されている。また接続配線３０
と第２のゲート電極１５のコンタクト孔Ｃ５は、前述の
コンタクト孔とは異なり、ゲート絶縁膜が余分に積層さ
れているため、更にエッチングされＣｒが露出されてい
る。このライン材料は、下層に１０００ÅのＭｏ、上層
に７０００ÅのＡｌ、更にその上にＭｏが積層された構
造であり、Ｍｏは、バリア層である。尚コンタクト孔Ｃ
３は、後述する。
斜め線でハッチングしたドレインラインＤＬ、駆動ライ
ンＶＬおよび接続配線３０が形成される。当然コンタク
トが形成され、ドレインラインＤＬと第１のＴＦＴ１の
半導体層１２とのコンタクト孔Ｃ１、駆動ラインＶＬと
第２のＴＦＴ４の半導体層１６とのコンタクト孔Ｃ２、
接続配線３０と容量電極３とのコンタクト孔Ｃ４は、そ
れぞれの半導体層が露出されている。また接続配線３０
と第２のゲート電極１５のコンタクト孔Ｃ５は、前述の
コンタクト孔とは異なり、ゲート絶縁膜が余分に積層さ
れているため、更にエッチングされＣｒが露出されてい
る。このライン材料は、下層に１０００ÅのＭｏ、上層
に７０００ÅのＡｌ、更にその上にＭｏが積層された構
造であり、Ｍｏは、バリア層である。尚コンタクト孔Ｃ
３は、後述する。
【００４２】更に約１〜３μｍの平坦化膜ＰＬＮ１が全
面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮ１は、後述す
る平坦化膜ＰＬＮ２の採用と一緒に表面を平坦にする。
その理由は、従来例でも述べた有機ＥＬ用の膜にある。
この膜は、第１のホール輸送層２１、第２ホール輸送層
２２、発光層２３及び電子輸送層２４から成る。またホ
ール輸送層は、一層から構成されても良い。従って、有
機層が非常に薄い膜の積層体である。またＥＬ素子は、
電流駆動であるため、これらの膜厚が極めて均一に形成
されないと、膜厚の薄い部分を介して電流が大量に流
れ、その部分にひときわ輝く輝点が発生すると同時に、
このポイントは、有機膜の劣化を発生し、最悪の場合破
壊に至る。従って、この破壊を防止するには、陽極６を
含む全面ができるだけ平坦である必要がある。
面に形成されている。この平坦化膜ＰＬＮ１は、後述す
る平坦化膜ＰＬＮ２の採用と一緒に表面を平坦にする。
その理由は、従来例でも述べた有機ＥＬ用の膜にある。
この膜は、第１のホール輸送層２１、第２ホール輸送層
２２、発光層２３及び電子輸送層２４から成る。またホ
ール輸送層は、一層から構成されても良い。従って、有
機層が非常に薄い膜の積層体である。またＥＬ素子は、
電流駆動であるため、これらの膜厚が極めて均一に形成
されないと、膜厚の薄い部分を介して電流が大量に流
れ、その部分にひときわ輝く輝点が発生すると同時に、
このポイントは、有機膜の劣化を発生し、最悪の場合破
壊に至る。従って、この破壊を防止するには、陽極６を
含む全面ができるだけ平坦である必要がある。
【００４３】前記平坦化膜は、アクリル系の液状樹脂が
塗布され、平坦にされてから硬化されている。またアク
リル系の樹脂は、水蒸気がトラップされやすい材料であ
るため、ＳＯＧ膜を採用しても良い。
塗布され、平坦にされてから硬化されている。またアク
リル系の樹脂は、水蒸気がトラップされやすい材料であ
るため、ＳＯＧ膜を採用しても良い。
【００４４】ここでは、陽極６と第２のＴＦＴ４のソー
スが接続されるため、平坦化膜ＰＬＮ１および層間絶縁
膜１４が開口され、第２の能動層１６が露出されたコン
タクト孔Ｃ３が形成されている。
スが接続されるため、平坦化膜ＰＬＮ１および層間絶縁
膜１４が開口され、第２の能動層１６が露出されたコン
タクト孔Ｃ３が形成されている。
【００４５】更に陽極６が形成された上には、更に第２
の平坦化膜ＰＬＮ２が形成される。ここも第１の平坦化
膜ＰＬＮ１と同様に、ＳＯＧ膜が採用されるが、前述し
たアクリル系の樹脂を採用しても良い。そして陽極６に
対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取り除かれ、その上
にはＥＬ素子を構成する有機層が形成されている。まず
陽極６の上には、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphen
ylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層２
１、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-meth ylphenylphenylam
ino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層２２、
キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2
（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）か
ら成る発光層２３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層２
４からなる発光素子層ＥＭ、マグネシウム・銀（Ａｇ）
合金、ＡｌとＬｉの合金またはＡｌ／ＬｉＦ等から成る
陰極２５が積層形成された構造である。有機層の膜厚
は、前述してあるのでそれを参照。また、陰極２５はＡ
ｌ／ＬｉＦの合金を採用し、その膜厚は１０００〜２０
００Åである。
の平坦化膜ＰＬＮ２が形成される。ここも第１の平坦化
膜ＰＬＮ１と同様に、ＳＯＧ膜が採用されるが、前述し
たアクリル系の樹脂を採用しても良い。そして陽極６に
対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取り除かれ、その上
にはＥＬ素子を構成する有機層が形成されている。まず
陽極６の上には、ＭＴＤＡＴＡ（4,4-bis(3-methylphen
ylphenylamino)biphenyl）から成る第１ホール輸送層２
１、及びＴＰＤ（4,4,4-tris(3-meth ylphenylphenylam
ino)triphenylanine）からなる第２ホール輸送層２２、
キナクリドン（Quinacridone）誘導体を含むＢｅｂｑ2
（10-ベンゾ〔ｈ〕キノリノール−ベリリウム錯体）か
ら成る発光層２３及びＢｅｂｑ2から成る電子輸送層２
４からなる発光素子層ＥＭ、マグネシウム・銀（Ａｇ）
合金、ＡｌとＬｉの合金またはＡｌ／ＬｉＦ等から成る
陰極２５が積層形成された構造である。有機層の膜厚
は、前述してあるのでそれを参照。また、陰極２５はＡ
ｌ／ＬｉＦの合金を採用し、その膜厚は１０００〜２０
００Åである。
【００４６】更に、表示領域のＥＬ層、または全てのＥ
Ｌ層をカバーするメタルキャップが形成されている。Ｅ
Ｌ層は、水を吸湿すると劣化し、水の浸入に対して保護
が必要となるからである。
Ｌ層をカバーするメタルキャップが形成されている。Ｅ
Ｌ層は、水を吸湿すると劣化し、水の浸入に対して保護
が必要となるからである。
【００４７】有機ＥＬ素子の発光原理および動作は、陽
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
極６から注入されたホールと、陰極２５から注入された
電子とが発光層ＥＭの内部で再結合し、発光層ＥＭを形
成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励
起子が放射失活する過程で発光層から光が放たれ、この
光が透明な陽極から透明絶縁基板を介して外部へ放出さ
れて発光する。
【００４８】本発明のポイントは、表示画素がマトリッ
クス状に数多くある中に於いて、輝点となる表示画素を
光らせなくすることである。
クス状に数多くある中に於いて、輝点となる表示画素を
光らせなくすることである。
【００４９】つまり図１に示すように、薄膜トランジス
タの電流流路をＥＬ素子から分離することであり、詳し
くは、第２のＴＦＴ４の電流流路を外的に絶縁分離する
ことである。
タの電流流路をＥＬ素子から分離することであり、詳し
くは、第２のＴＦＴ４の電流流路を外的に絶縁分離する
ことである。
【００５０】また図２に示すように、薄膜トランジスタ
の電流流路とＥＬ素子を構成する陽極とを接続すること
であり、またＥＬ素子を構成する陽極と陰極を接続する
ことである。
の電流流路とＥＬ素子を構成する陽極とを接続すること
であり、またＥＬ素子を構成する陽極と陰極を接続する
ことである。
【００５１】更には、図３に示すように、保持容量を構
成する容量電極とＥＬ素子を構成する陽極とを接続し、
前記容量電極と前記陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の
光学的しきい値よりも低く設定することである。
成する容量電極とＥＬ素子を構成する陽極とを接続し、
前記容量電極と前記陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の
光学的しきい値よりも低く設定することである。
【００５２】これらは、外からレーザ光を照射し、この
エネルギーにより分断したり、逆に接続したりするもの
である。
エネルギーにより分断したり、逆に接続したりするもの
である。
【００５３】では、図１の構成を図４と図６を参照して
説明してゆく。尚、図６には、図面の都合上、図２の解
決構造も一緒に示してある。
説明してゆく。尚、図６には、図面の都合上、図２の解
決構造も一緒に示してある。
【００５４】図４で示す太丸で示した領域は、レーザを
照射する領域（スポット）を示す部分であり、図１の分
離構造は、ＬＭ１のスポットにレーザが照射される。
照射する領域（スポット）を示す部分であり、図１の分
離構造は、ＬＭ１のスポットにレーザが照射される。
【００５５】このスポットＬＭ１は、図６の第２のＴＦ
Ｔ４のソース領域に示されている。つまり透明基板１０
の裏面から、Ｐ−Ｓｉでなるソース領域にレーザ照射を
し、このエネルギーにより電流流路を分離（分断）して
いる。これにより、第２のＴＦＴ４からＥＬ素子２０へ
供給される電流は断たれ、輝点を無くすことができる。
またレーザ照射のスポットは、ドレイン領域でも良い。
Ｔ４のソース領域に示されている。つまり透明基板１０
の裏面から、Ｐ−Ｓｉでなるソース領域にレーザ照射を
し、このエネルギーにより電流流路を分離（分断）して
いる。これにより、第２のＴＦＴ４からＥＬ素子２０へ
供給される電流は断たれ、輝点を無くすことができる。
またレーザ照射のスポットは、ドレイン領域でも良い。
【００５６】続いて、図２のように、ＥＬ素子２０の陽
極６と陰極２５を接続した構成について、図６のＬＭ２
を参照して説明する。
極６と陰極２５を接続した構成について、図６のＬＭ２
を参照して説明する。
【００５７】ここでは、ＳＥで示す電極が形成されると
良い。この電極ＳＥは、層間絶縁膜１４をエッチングし
て、ソース領域が露出されるコンタクトＣ３に形成され
る電極であり、ソース領域と陽極６を接続するためのも
のである。材料は、駆動ラインＶＬやドレインラインＤ
Ｌと同一材料で成る。そしてソース領域よりもサイズが
大きく形成され、このはみ出した部分に基板裏面からレ
ーザが照射され、電極ＳＥと陰極１５が短絡されてい
る。また基板裏面からコンタクトＣ３に直接レーザ照射
をしても電極ＳＥと陰極１５の短絡は可能である。これ
によりＥＬ素子２０の陽極６と陰極１５は、同電位とな
り、光は発生しなくなる。
良い。この電極ＳＥは、層間絶縁膜１４をエッチングし
て、ソース領域が露出されるコンタクトＣ３に形成され
る電極であり、ソース領域と陽極６を接続するためのも
のである。材料は、駆動ラインＶＬやドレインラインＤ
Ｌと同一材料で成る。そしてソース領域よりもサイズが
大きく形成され、このはみ出した部分に基板裏面からレ
ーザが照射され、電極ＳＥと陰極１５が短絡されてい
る。また基板裏面からコンタクトＣ３に直接レーザ照射
をしても電極ＳＥと陰極１５の短絡は可能である。これ
によりＥＬ素子２０の陽極６と陰極１５は、同電位とな
り、光は発生しなくなる。
【００５８】更に図３のように、保持容量ラインＣＬと
一体で保持容量を構成する電極（ここでは保持容量電極
２）とＥＬ素子２０のを構成する陽極６とを接続した構
成について、図７のＬＭ３と図４を参照して説明する。
一体で保持容量を構成する電極（ここでは保持容量電極
２）とＥＬ素子２０のを構成する陽極６とを接続した構
成について、図７のＬＭ３と図４を参照して説明する。
【００５９】ここでは、図４のように、保持容量８を構
成する保持容量電極２の一部を陽極６の下層に延在し、
この延在された保持容量電極２と陽極６で重畳部を構成
しておく。そして図７のように、この重畳部を透明基板
１０の裏からレーザ照射し、保持容量電極２と陽極６を
短絡させる。
成する保持容量電極２の一部を陽極６の下層に延在し、
この延在された保持容量電極２と陽極６で重畳部を構成
しておく。そして図７のように、この重畳部を透明基板
１０の裏からレーザ照射し、保持容量電極２と陽極６を
短絡させる。
【００６０】ここで重要な点は、保持容量ラインＣＬと
前記陰極２５との電位差である。例えばこのＥＬ素子の
光学的しきい値は、４．５Ｖであり、保持容量ラインＣ
Ｌの電圧を１２ボルト、陰極Ｖｃｄを−５ボルトに設定
すると、電位差は、１７ボルト発生し、ＥＬ素子２０
は、発光してしまう。従って、電位差は、ＥＬ素子２０
が発光を開始する電位差（光学的しきい値と呼ぶ）より
も小さくなければならない。例えば保持容量ラインＣＬ
を０ボルト、陰極２５を−４ボルトに設定すれば、発光
は開始しない。またＥＬ素子は、色々なタイプがあり、
前述した４．５ボルトに光学的しきい値は限定されな
い。
前記陰極２５との電位差である。例えばこのＥＬ素子の
光学的しきい値は、４．５Ｖであり、保持容量ラインＣ
Ｌの電圧を１２ボルト、陰極Ｖｃｄを−５ボルトに設定
すると、電位差は、１７ボルト発生し、ＥＬ素子２０
は、発光してしまう。従って、電位差は、ＥＬ素子２０
が発光を開始する電位差（光学的しきい値と呼ぶ）より
も小さくなければならない。例えば保持容量ラインＣＬ
を０ボルト、陰極２５を−４ボルトに設定すれば、発光
は開始しない。またＥＬ素子は、色々なタイプがあり、
前述した４．５ボルトに光学的しきい値は限定されな
い。
【００６１】以上、ボトムゲート型構造で説明してきた
が、本発明は、トップゲート型構造でも採用でき、第２
の実施の形態として以下に簡単に説明する。
が、本発明は、トップゲート型構造でも採用でき、第２
の実施の形態として以下に簡単に説明する。
【００６２】トップゲート型構造の平面パターンは、ボ
トムゲート型構造と実質同じであるので図４を代用す
る。また図４のＡ−Ａ線に対応する断面図を図１２に、
Ｂ−Ｂ線に対応する断面図を図１３に示した。これより
トップゲート型の図面は、符号の下二桁を前実施の形態
と同じ数字にしている。
トムゲート型構造と実質同じであるので図４を代用す
る。また図４のＡ−Ａ線に対応する断面図を図１２に、
Ｂ−Ｂ線に対応する断面図を図１３に示した。これより
トップゲート型の図面は、符号の下二桁を前実施の形態
と同じ数字にしている。
【００６３】簡単に説明すれば、全面には絶縁層ＩＬが
形成される。この絶縁層ＩＬは、下層に５００ÅのＳｉ
窒化膜、上層に１０００ÅのＳｉ酸化膜が積層されたも
のである。尚、Ｓｉ窒化膜は、ガラスから溶出する不純
物のストッパとして働く。
形成される。この絶縁層ＩＬは、下層に５００ÅのＳｉ
窒化膜、上層に１０００ÅのＳｉ酸化膜が積層されたも
のである。尚、Ｓｉ窒化膜は、ガラスから溶出する不純
物のストッパとして働く。
【００６４】続いて、第１のＴＦＴ１０１の能動層１１
２、この能動層１１２が延在されて成る保持容量８の下
層電極、第２のＴＦＴ１０４の第２の能動層１１６の形
成部分に半導体層（Ｐ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉ）が形成さ
れている。
２、この能動層１１２が延在されて成る保持容量８の下
層電極、第２のＴＦＴ１０４の第２の能動層１１６の形
成部分に半導体層（Ｐ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉ）が形成さ
れている。
【００６５】更には、全面にゲート絶縁膜１０７が積層
され、この上にゲート電極１１１、ゲート電極１１１と
一体のゲートラインＧＬが形成されると同時に、保持容
量１０８の上層電極が前記ゲート電極と同一材料で同層
に形成されている。この保持容量１０８の上層電極は、
図４の保持容量電極２に相当し、保持容量ラインＣＬも
含めて一体で左右に延在して形成される。ここでゲート
電極材料は、前述した高融点金属材料の他にＡｌを主成
分とした材料を用いても良い。Ａｌが使用できる理由と
して、層間絶縁膜１１４がプラズマＣＶＤ等で低温成膜
できるからである。
され、この上にゲート電極１１１、ゲート電極１１１と
一体のゲートラインＧＬが形成されると同時に、保持容
量１０８の上層電極が前記ゲート電極と同一材料で同層
に形成されている。この保持容量１０８の上層電極は、
図４の保持容量電極２に相当し、保持容量ラインＣＬも
含めて一体で左右に延在して形成される。ここでゲート
電極材料は、前述した高融点金属材料の他にＡｌを主成
分とした材料を用いても良い。Ａｌが使用できる理由と
して、層間絶縁膜１１４がプラズマＣＶＤ等で低温成膜
できるからである。
【００６６】また能動層である半導体層は、前記ゲート
電極材料で形成されたパターンをマスクとして不純物が
注入される。もちろんＰチャンネルとＮチャンネルのＴ
ＦＴがあるため、一方はレジストにてマスクされる（こ
れはボトムゲート型構造でも同様である。）。そして不
純物が注入された後に半導体層がパターニングされる。
また保持容量電極１０２の下層の半導体層は、不純物が
注入されない。しかしここに前記第１のゲート電極１１
１に加わる電圧、あるいはそれ以上の電圧を加え、半導
体層にチャンネルを発生させることで電極として活用し
ている。
電極材料で形成されたパターンをマスクとして不純物が
注入される。もちろんＰチャンネルとＮチャンネルのＴ
ＦＴがあるため、一方はレジストにてマスクされる（こ
れはボトムゲート型構造でも同様である。）。そして不
純物が注入された後に半導体層がパターニングされる。
また保持容量電極１０２の下層の半導体層は、不純物が
注入されない。しかしここに前記第１のゲート電極１１
１に加わる電圧、あるいはそれ以上の電圧を加え、半導
体層にチャンネルを発生させることで電極として活用し
ている。
【００６７】更に層間絶縁膜１１４が形成された後、ド
レインラインＤＬ、駆動ラインＶＬが形成され、その上
に第１の平坦化膜ＰＬＮ１が形成された後に陽極１０６
として透明電極が形成される。この陽極１０６と第２の
ＴＦＴ１０４とのコンタクトＣ３は、駆動ラインＶＬと
同層にソース電極ＳＥが形成される。またダイレクトに
コンタクトしても良い。また陽極１０６が形成された
後、第１の平坦化膜ＰＬＮ１と陽極１０６の凹凸をなだ
らかにするため、第２の平坦化膜ＰＬＮ２が形成され、
この陽極１０６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取
り除かれている。
レインラインＤＬ、駆動ラインＶＬが形成され、その上
に第１の平坦化膜ＰＬＮ１が形成された後に陽極１０６
として透明電極が形成される。この陽極１０６と第２の
ＴＦＴ１０４とのコンタクトＣ３は、駆動ラインＶＬと
同層にソース電極ＳＥが形成される。またダイレクトに
コンタクトしても良い。また陽極１０６が形成された
後、第１の平坦化膜ＰＬＮ１と陽極１０６の凹凸をなだ
らかにするため、第２の平坦化膜ＰＬＮ２が形成され、
この陽極１０６に対応する第２の平坦化膜ＰＬＮ２が取
り除かれている。
【００６８】またＥＬ素子２０は、前実施の形態と同様
なので説明は省略する。
なので説明は省略する。
【００６９】図１３には、前実施の形態で説明したスポ
ットＬＭ１、ＬＭ２が示されている。両者とも、レーザ
照射で実現され、ＬＭ１では、ソース領域（またはドレ
イン領域）が分断され、ＬＭ２では、電極ＳＥが陰極と
短絡している。この電極ＳＥは、前実施の形態と同様に
ソース領域よりも大きく形成され、はみ出した部分にレ
ーザ照射しても良いし、コンタクトＣ３の部分をレーザ
照射してもよい。またスポットＬＭ３の図面は、省略し
たが、保持容量ラインＣＬの一部を陽極６の下層に配置
して保持容量ラインＣＬと陽極を重畳させ、この重畳部
をレーザ照射して、保持容量ラインＣＬと陽極６を接続
させても良い。
ットＬＭ１、ＬＭ２が示されている。両者とも、レーザ
照射で実現され、ＬＭ１では、ソース領域（またはドレ
イン領域）が分断され、ＬＭ２では、電極ＳＥが陰極と
短絡している。この電極ＳＥは、前実施の形態と同様に
ソース領域よりも大きく形成され、はみ出した部分にレ
ーザ照射しても良いし、コンタクトＣ３の部分をレーザ
照射してもよい。またスポットＬＭ３の図面は、省略し
たが、保持容量ラインＣＬの一部を陽極６の下層に配置
して保持容量ラインＣＬと陽極を重畳させ、この重畳部
をレーザ照射して、保持容量ラインＣＬと陽極６を接続
させても良い。
【００７０】以上、ボトムゲート型ＴＦＴとトップゲー
ト型ＴＦＴの２タイプを説明してきたが、両者ともに第
２の平坦化膜ＰＬＮ２は、省略しても良い。また半導体
膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は
非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。更に有
機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機
ＥＬ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得ら
れる。
ト型ＴＦＴの２タイプを説明してきたが、両者ともに第
２の平坦化膜ＰＬＮ２は、省略しても良い。また半導体
膜としてｐ−Ｓｉ膜を用いたが、微結晶シリコン膜又は
非晶質シリコン膜等の半導体膜を用いても良い。更に有
機ＥＬ表示装置について説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、発光層が無機材料から成る無機
ＥＬ表示装置にも適用が可能であり、同様の効果が得ら
れる。
【００７１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、薄膜
トランジスタの電流流路をＥＬ素子から分離したり、薄
膜トランジスタの電流流路とＥＬ素子を構成する陽極と
を接続したり、ＥＬ素子を構成する陽極と陰極を接続し
たり、更には保持容量を構成する保持容量電極とＥＬ素
子を構成する陽極とを接続し、前記保持容量電極と前記
陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の光学的しきい値より
も低く設定したりすることで、ＥＬ素子の発光を止める
ことができる。
トランジスタの電流流路をＥＬ素子から分離したり、薄
膜トランジスタの電流流路とＥＬ素子を構成する陽極と
を接続したり、ＥＬ素子を構成する陽極と陰極を接続し
たり、更には保持容量を構成する保持容量電極とＥＬ素
子を構成する陽極とを接続し、前記保持容量電極と前記
陽極との電位差を、前記ＥＬ素子の光学的しきい値より
も低く設定したりすることで、ＥＬ素子の発光を止める
ことができる。
【００７２】従って、数あるＥＬ素子の中で、輝点を発
生するＥＬ素子のみを上述した構造にすることで、輝点
の発生を無くすことができる。よって従来不良として廃
棄していたＥＬ表示装置を救済することができ、歩留ま
りの向上を実現できる。
生するＥＬ素子のみを上述した構造にすることで、輝点
の発生を無くすことができる。よって従来不良として廃
棄していたＥＬ表示装置を救済することができ、歩留ま
りの向上を実現できる。
【図１】本発明のＥＬ表示装置を説明する回路図であ
る。
る。
【図２】本発明のＥＬ表示装置を説明する回路図であ
る。
る。
【図３】本発明のＥＬ表示装置を説明する回路図であ
る。
る。
【図４】本発明のＥＬ表示装置を説明するための図であ
る。
る。
【図５】図４のＡ−Ａ線の断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ線の断面図である。
【図８】従来のＥＬ表示装置の図である。
【図９】図８の等価回路図である。
【図１０】図８のＡ−Ａ線の断面図である。
【図１１】図８のＢ−Ｂ線の断面図である。
【図１２】図４のＡ−Ａ線に相当するトップゲート型Ｔ
ＦＴを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
ＦＴを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
【図１３】図４のＢ−Ｂ線に相当するトップゲート型Ｔ
ＦＴを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
ＦＴを採用したＥＬ表示装置の断面図である。
１ 第１のＴＦＴ ２ 保持容量電極 ３ 容量電極 ４ 第２のＴＦＴ ６ 陽極 ８ 保持容量 １４ 層間絶縁膜 ２０ ＥＬ素子 ＧＬ ゲートライン ＤＬ ドレインライン ＣＬ 保持容量ライン ＶＬ 駆動ラインＶＬ ＰＬＮ１、ＰＬＮ２ 平坦化膜 ＬＭ１、ＬＭ２、ＬＭ３ レーザ照射スポット
Claims (10)
- 【請求項１】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トランジス
タとを有するＥＬ表示装置に於いて、前記薄膜トランジ
スタの電流流路を前記ＥＬ素子から分離することを特徴
とするＥＬ表示装置。 - 【請求項２】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トランジス
タとを有するＥＬ表示装置に於いて、前記薄膜トランジ
スタの電流流路と前記ＥＬ素子を構成する陽極とを接続
することを特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項３】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トランジス
タとを有するＥＬ表示装置に於いて、前記ＥＬ素子を構
成する陽極と陰極を接続することを特徴とするＥＬ表示
装置。 - 【請求項４】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥＬ
素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トランジス
タと、前記薄膜トランジスタのゲートに電圧を与える保
持容量とを有するＥＬ表示装置に於いて、前記保持容量
を構成する保持容量電極と前記ＥＬ素子を構成する陽極
とを接続し、前記保持容量電極と前記陽極との電位差
は、前記ＥＬ素子の光学的しきい値よりも低く設定され
ていることを特徴とするＥＬ表示装置。 - 【請求項５】 前記電流流路は、前記薄膜トランジスタ
のソース領域である請求項１または請求項２に記載のＥ
Ｌ表示装置。 - 【請求項６】 前記電流流路と前記ＥＬ素子との分離、
前記薄膜トランジスタの電流流路と前記ＥＬ素子を構成
する陽極との接続、前記ＥＬ素子を構成する陽極と陰極
の接続または前記保持容量を構成する保持容量電極と前
記ＥＬ素子を構成する陽極との接続は、レーザーにより
形成されている請求項１から請求項５のいずれかに記載
のＥＬ表示装置。 - 【請求項７】 絶縁性を有する基板上に形成され、半導
体層から成るソース領域およびドレイン領域を有する薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層に形成
され、前記陽極が前記ソース領域と接続されたＥＬ素子
とを有するＥＬ表示装置に於いて、 前記陽極と前記ソース領域との間には、前記陽極と前記
ソース領域を接続する電極が形成され、前記電極と前記
ＥＬ素子を構成する陰極とが接続されることを特徴とす
るＥＬ表示装置。 - 【請求項８】 絶縁性を有する基板上に形成され、半導
体層から成るソース領域およびドレイン領域を有する薄
膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層に形成
され、前記陽極が前記ソース領域と接続されたＥＬ素子
と、前記ＥＬ素子のゲートに電圧を与える保持容量とを
有するＥＬ表示装置に於いて、 前記保持容量の下層の電極は、前記薄膜トランジスタの
ゲートと同層に形成され、前記ＥＬ素子を構成する陽極
との重畳部を有し、前記重畳部と前記陽極が接続される
ことを特徴としたＥＬ表示装置。 - 【請求項９】 前記接続は、レーザーにより成されるこ
とを特徴とする請求項７または請求項８に記載のＥＬ表
示装置。 - 【請求項１０】 絶縁性を有する基板上に形成されたＥ
Ｌ素子と、前記ＥＬ素子に電流を供給する薄膜トランジ
スタと、前記薄膜トランジスタのゲートに電圧を与える
保持容量とを有するＥＬ表示装置に於いて、前記保持容
量ラインを構成する保持容量の電極と前記ＥＬ素子を構
成する陽極との電位差は、前記ＥＬ素子の光学的しきい
値よりも低く設定されていることを特徴とするＥＬ表示
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28317699A JP4278244B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28317699A JP4278244B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001109396A true JP2001109396A (ja) | 2001-04-20 |
| JP4278244B2 JP4278244B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=17662150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28317699A Expired - Lifetime JP4278244B2 (ja) | 1999-10-04 | 1999-10-04 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4278244B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006339A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌパネルの減光化方法およびｅｌパネル |
| JP2007149688A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置と表示装置の製造方法 |
| JP2007192959A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2013225130A (ja) * | 2005-01-31 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-10-04 JP JP28317699A patent/JP4278244B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004006339A (ja) * | 2002-04-26 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｅｌパネルの減光化方法およびｅｌパネル |
| JP4508547B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2010-07-21 | 三洋電機株式会社 | Ｅｌパネルの減光化方法およびｅｌパネル |
| JP2013225130A (ja) * | 2005-01-31 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8629440B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixels correction structure |
| US9257453B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including first to sixth transistors and light-emitting element |
| US9613988B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having narrower wiring regions |
| US10573705B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixel correction |
| US10700156B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11362165B2 (en) | 2005-01-31 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11910676B2 (en) | 2005-01-31 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2007149688A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置と表示装置の製造方法 |
| JP2007192959A (ja) * | 2006-01-18 | 2007-08-02 | Sony Corp | 表示装置 |
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