KR100818270B1 - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 기판;상기 기판 상에 적층되는 것으로, 상면이 평탄하게 형성되는 애노드전극;상기 애노드전극의 상면에 적층되는 것으로, 상부에는 다수의 돌기부가 형성된 유기 발광층; 및상기 유기 발광층의 상면에 상기 돌기부들을 덮도록 적층되는 것으로, 금속으로 이루어진 캐소드전극;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항에 있어서,상기 돌기부들의 피치는 50nm ~ 600nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 돌기부들의 높이는 50nm ~ 600nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 제 6 항에 있어서,상기 투명한 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
- 기판 상에 상면이 평탄한 애노드전극을 형성하는 단계;상부에 다수의 돌기부가 형성된 유기 발광층을 상기 애노드전극의 상면에 적층하는 단계; 및상기 유기 발광층의 상면에 금속으로 이루어진 캐소드전극을 상기 돌기부들을 덮도록 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항에 있어서,상기 애노드전극 상에 상기 유기발광층을 적층하는 단계는,상기 애노드전극 상에 유기발광물질을 증착하여 소정 두께의 베이스층을 형성하는 단계;다수의 기공이 관통되어 형성된 다공성 마스크를 상기 베이스층의 상부에 마련하는 단계; 및상기 다공성 마스크의 기공들을 통하여 상기 베이층의 상면에 유기발광물질을 증착함으로써 상기 베이스층의 상면에 상기 돌기부들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 돌기부들은 50nm ~ 600nm의 피치를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 돌기부들은 50nm ~ 600nm의 높이를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,상기 다공성 마스크는 알루미늄 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 다공성 마스크는, 알루미늄 기판을 준비하는 단계; 상기 알루미늄 기판 의 표면을 양극산화시켜 다수의 기공이 형성된 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 산화물층을 알루미늄 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 방법에 의하여 제작되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄 기판의 표면을 1차로 양극산화시켜 다수의 제1 기공이 형성된 제1 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 알루미늄 산화물층을 제거한 다음, 상기 알루미늄 기판의 표면을 2차로 양극산화시켜 다수의 제2 기공이 형성된 제2 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 기판은 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 애노드전극은 상기 기판 상에 투명한 도전성 물질을 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 투명한 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 캐소드전극은 상기 유기 발광층 상에 금속물질을 상기 돌기부들을 덮도록 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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