KR101019355B1 - 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판 - Google Patents
양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판 Download PDFInfo
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- 229920003023 plastic Polymers 0.000 title claims abstract description 73
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims abstract description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 8
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 5
- 238000011160 research Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229920006352 transparent thermoplastic Polymers 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000003637 basic solution Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
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Abstract
본 발명은 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 그 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판에 관한 것이다.
양극 산화, 알루미늄, 나노 크기 패턴, 투광성 플라스틱, 모스아이 패턴, 태양광 수렴, 태양전지 발전
Description
양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판에 관한 것이다.
태양전지를 생활 주변에 이용하려는 연구가 활발하게 연구되고 있다. 현재는 주로 태양전지의 전력 변환 효율을 높이려는 소재나 전력 변환 장치에 대한 연구에 집중되고 있다. 한편 볼록렌즈가 빛을 수렴시키는 작용이 있는 것은 잘 알려진 사실이다. 이 경우 볼록렌즈의 크기가 클수록 수렴된 태양광의 강도는 커지지만 열작용에 의하여 온도가 올라가므로 태양 전지의 기전력은 도리어 감소된다. 볼록렌즈의 태양광의 수렴작용은 태양열에 의한 발화장치에서 이용하고 있다. 그러나 양면이 볼록한 렌즈 형태로는 태양전지 보호 유리판에 밀착시킬 수 없으므로 한쪽 만 볼록한 형태인 반구형의 가공이 필요하다. 따라서 크기가 작아서 태양전지의 온도를 올리지 않고 태양광을 수렴시키는 나노 크기의 반구형 렌즈가 필요하게 된다.
투광성 플라스틱 표면에 나노 크기의 반구형 패턴을 형성시키는 가공은 용이하지 않다. 나노 크기란 10-9 미터 크기를 의미하는 것으로 이렇게 미세한 가공을 할 수 있는 기계가 없기 때문이다.
양극산화알루미늄(Anodized Aluminium Oxide : 이하, AAO라 함)은 알루미늄을 양극 산화시켜 산화된 알루미늄 표면에 규칙적으로 배열된 나노미터크기(30∼100㎚)의 기공이 형성되는 알루미늄 기판을 말한다.
상기 AAO는 나노튜브(nanotube)나 나노와이어(nanowire) 등의 나노 구조를 만드는 틀로서 사용되며, AAO 템플레이트 자체가 나노 마스크로 활용될 수도 있다. 이러한 알루미늄의 양극산화 기술은 오랜 역사를 갖는다. 이미 1923년에 내부 알루미늄의 보호와 장식용을 목적으로 상업적인 알루미늄의 표면을 양극산화시키는 기술이 보고되어 있다. 양극산화 과정에서 자발적으로 생성된 나노기공을 포함하는 구조 또한 알루마이트(alumite)라는 상업화된 이름으로 널리 알려져 있다.
최근에는 나노 구조에 대한 산업적인 요구와 관심이 나날이 커지면서, 미세 다층구조, 나노선재, 나노입자 등에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며, 이들 나노 구조에 대한 전기화학적인 제조법은 경제적인 비용절감과 조작의 간편함 그리고 복잡한 형상에 대한 유연성 때문에 새롭게 각광받고 있다. 이러한 연구동향에 맞추어 AAO는 강산 분위기에서 양극산화된 알루미늄 산화막으로서 규칙성과 이방성이 큰 나노기공을 보유한 다공성 재료라는 특성 때문에 최근에 새롭게 조명되고 있다.
기공의 직경이 5㎚에서 300㎚, 길이가 1㎛에서 50㎛까지 양극산화 변수를 제어하여 조절이 가능하며, 기공의 밀도도 109∼1011㎝-2로 고밀도 나노선재를 제조할 수 있는 템플레이트 재료이다. 특히 나노기공들이 비교적 규칙적이고 거의 평행하게 배치되어 있어 이방성을 갖는 나노선재를 전기화학적으로 제조하는 데에 가장 이상적인 템플레이트라 할 수 있다.
현재 AAO의 구조와 생성에 대해서는 아직 명확히 정립된 바가 없으며 나노선재의 템플레이트 재료로서 각광받으면서 많은 연구가 진행되고 있다. 전해액 중에서 알루미늄 양극으로 하여 전류를 흘려주면 초기에 Al2O3의 경계층(barrier layer)이 생기고 이때 전압이 충분하면 이 막이 국소적으로 파괴되면서 열이 발생한다. 이 열은 더욱 국소적인 침식을 가속시켜 미세한 다공성의 피막이 되며 전류가 흐른다. 이때 발생되는 산소는 내부의 Al과 결합해 새로운 경계층이 생기고 이러한 과정을 여러 번 반복하면서 피막이 성장한다는 Keller 등의 설명이 설득력 있게 받아들여지고 있다. Keller 등은 정육각형의 셀이 형성되고 그 중심에 한 개의 나노기공이 존재하며 기공의 지름이 전해액에 따라서 정해진다고 하였다.
이와 관련하여, 도 1a 내지 1e를 참조하여 종래기술에 따른 양극산화알루미늄 템플레이트의 제작과정을 설명하면 다음과 같다. 우선, 소정의 두께를 갖는 고순도 알루미늄 기판(10)을 전해연마(electro-polishing)를 통해 표면을 경면연마한다(도 1a 참조). 다음, 상기 경면연마된 알루미늄 기판(10)을 전해액을 사용하여 1차 양극산화를 수행하여 나노기공(30)을 갖는 AAO 막(20)을 형성시킨다(도 1b 참조). 이를 NaOH와 같은 통상의 염기성 용액에서 에칭하여 초기 산화막(20; negative oxide)을 제거하고 에칭부(40)를 형성시킨다(도 1c 참조). 다음, 예를 들어, 황산과 같은 전해액을 사용하여 전해질의 종류와 농도를 고정한 후, 온도, 양극산화 전압 등의 변수를 조절하여 AAO 막(50)의 나노기공(60)의 특성을 제어하면 서 2차 양극산화를 수행한다(도 1d 참조). 이때 양극산화 시간으로 AAO의 두께, 즉 나노기공(60)의 길이를 결정한다. 마지막으로, 이를 확장 용액(widening solution)이라고 알려져 있는 일부 산성용액을 이용하여 부분적인 용해를 일으켜 산화막(50)에 형성된 나노기공(60)의 직경을 넓힘으로써 기공(60)의 길이와 산화막(50)의 성질이 동일한 상태에서 직경이 다양한 AAO를 제작한다(도 1e 참조).
이로부터 제작되는, 기공구조를 갖는 AAO 템플레이트의 주사현미경 사진(×500)을 도 2에 나타내었다.
(본 결과물은 교육인적자원부의 출연금으로 수행한 지방기업 주문형 인력양성사업의 연구결과입니다. This work is resulted from the project of Human Resources Development for Industrial Demand financially supported by the Ministry of Education and Human Resources Development(OE))
(본 결과물은 교육인적자원부의 출연금으로 수행한 지방기업 주문형 인력양성사업의 연구결과입니다. This work is resulted from the project of Human Resources Development for Industrial Demand financially supported by the Ministry of Education and Human Resources Development(OE))
본 발명은 크기가 작아서 태양전지의 온도를 올리지 않고 태양광을 수렴시키는 나노 크기의 반구형 렌즈가 구비된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판을 제공하기 위함이다.
또한, 본 발명은 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판을 제공하기 위함이다.
이러한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명은 양극산화된 알루미늄 표면에 투광성 열가소성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법이다.
본 발명은 (a) 알루미늄 기판 상에 복수의 나노크기의 기공을 갖는 양극산화 피막이 형성된 통상의 양극산화 알루미늄(Anodized Aluminum Oxide : AAO) 템플레이트(Template)를 제공하는 단계와;
(b) 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트 상면에 투명한 열가소성 플라스틱 판넬을 위치 시킨 후 가열 압착 수단으로 가열 압착 시켜서 상기 투광성 플라스틱 판넬 하면에 돌기를 형성하는 단계와;
(c) 돌기가 형성된 투광성 플라스틱 판넬을 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트(Template) 상면으로부터 이탈 시키는 단계;를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱은 양극산화된 알루미늄 표면에 투광성 열가소성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 형성시킨다.
본 발명에 따른 태양전지판은, 실리콘 태양전지 소자층과; 상기 실리콘 태양전지 소자층 상부에 구비되고, 그 하면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴 형태의 돌기부가 형성된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개와; 상기 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개 상면에 구비되는 보호 유리 덮개;를 포함하여 구성된다.
본 발명에 따른 경우, 태양 전지에 나노 크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된 투광성 플라스틱 보호막을 설치하여 흐린 날씨의 미약한 태양광을 수렴시켜 전력을 발생하도록 할 수 있다. 플라스틱 표면에 나노크기의 패턴을 형성시키면 접착력이 생기므로 밀착력 있는 포장재로 사용 할 수 있게 된다. 따라서 접착제를 사 용하지 않으면서도 접착력이 있는 보호 필름이 될 수 있다.
또한, 본 발명에 따르는 경우 종래 기술의 문제점이 해결되며, 본 발명은 크기가 작아서 태양전지의 온도를 올리지 않고 태양광을 수렴시키는 나노 크기의 반구형 렌즈가 구비된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판이 제공된다.
이하 본 발명에 의한 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판을 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 상세히 설명한다.
본 발명에 있어서 반구형란 수학적으로 엄밀하게 해석되는 반구에 한정되는 것은 아니며 반구헤 가까운 볼록한 형태의 미세한 돌기도 포함하는 개념이다.
본 발명은 나노 크기의 다공성 패턴이 있는 양극산화된 알루미늄 표면에 투광용 플라스틱을 가열 압착시켜 플라스틱 표면에 반구형의 나노 크기 모스아이 패 턴을 형성시키는 방법 및 표면에 반구형의 나노 크기 모스아이 패턴이 형성된 투광성 플라스틱에 관한 것이다. 양극산화 알루미늄 표면에 나노 크기의 다공성 구멍이 형성되고, 여기에 투광용 플라스틱 재료를 놓고 가열 압착시키면 플라스틱의 열가소성에 의하여 그 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된다. 반구형 모스아이 패턴이 표면에 형성된 투광용 플라스틱을 태양전지의 보호용 피막으로 사용하면 볼록렌즈와 같이 태양광을 수렴시키는 작용을 하므로 흐린 날씨에서의 약한 태양광에서도 태양 전지의 온도를 상승시키는 일 없이 발전할 수 있도록 하여 주는 이점이 있다.
도 3은 본 발명의 일실시에에 따른 양극산화된 알루미늄 표면에 형성된 나노크기의 다공성 피막의 현미경 사진, 도 4는 가열압착으로 투광성 플라스틱 표면에 형성된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴 사진, 도 5는 투명 플라스틱 표면에 형성된 반구형 패턴의 태양광 수렴 작용 모식도이고, 도 6은 나노크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된 투명 플라스틱을 보호용으로 덮은 태양전지 모식도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 양극산화된 알루미늄 표면에는 약 50~100 나노미터 크기의 패턴이 잘 형성되어 있는 것을 알 수 있다. 이 패턴 위에 폴리카보네이트 같은 투명한 열가소성 플라스틱을 가열 압착시키면 플라스틱 표면에 나노 크기의 돌기가 형성되게 된다. 이 돌기의 형상이 반구형이 될 정도만 가열 압착시켜 패 턴을 형성시키는 것이다. 작업 온도는 120℃ 압력은 5kg/mm2로서 반구형의 연속적인 패턴이 형성된다.
본 발명에 의하면 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱은 양극산화된 알루미늄 표면에 투광성 열가소성 플라스틱 판넬을 가열 압착시켜 제조된다.
본 발명에서 나노크기란 통상적으로 나노미터 단위를 사용하여 표시하는 것이 일반적인 정도의 크기로서 단순히 그 크기가 미세함을 의미하며 정확하게 크기 정도를 수치상으로 한정하는 것은 아니다. 나노크기란 통상적으로 1nm ~ 1000nm 사의 차원을 갖는 크기 정도를 의미하는 것으로 한다.
본 발명의 제조방법은, (a) 알루미늄 기판 상에 복수의 나노크기의 기공을 갖는 양극산화 피막이 형성된 통상의 양극산화 알루미늄(Anodized Aluminum Oxide : AAO) 템플레이트(Template)를 제공하는 단계와,
(b) 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트 상면에 열가소성 플라스틱 판넬을 위치 시킨 후 가열 압착 수단으로 가열 압착 시켜서 투광성 플라스틱 판넬 하면에 돌기를 형성하는 단계와,
(c) 돌기가 형성된 투광성 플라스틱 판넬을 상기 양극산화 알루미늄 템플레 이트(Template) 상면으로부터 이탈 시키는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 열가소성 플라스틱 판넬은 폴리카보네이트 판넬인 것이 바람직하다. 양극산화된 알루미늄 표면에는 50 ~ 100 나노미터 크기의 기공이 형성되어 있고, 모스아이(Moth eye) 패턴 한개의 입경은 50 ~ 100 나노미터 크기인 것이 바람직하다. 입경이 너무 크면 태양전지에서 원하는 목적을 달성하 수 없으며(온도 증가 등으로 인해) 너무 작으며 집열 또는 태양열 수렴기능이 떨어지거나 제조 생산시 애로점이 있다.
본 발명의 일실시예에 있어서, 플라스틱 판넬이 폴리카보네이트 판넬인 경우 가열 압착 시키는 단계는 작업 온도 110 ~ 130℃, 압력 3 ~ 6 kg/mm2에서 수행되는 것이 바람직한데, 온도가 너무 높으면 너무 플라스틱이 너무 연화되어 정확한 성형에 장애가 발생하고 온도가 낮으면 소성이 작아 성형이 어려운 문제점이 있다. 압력은 플라스틱이 갖는 소성의 정도에 따라 적당한 압력을 가하면 된다.
도 4는 가열 압착으로 투광성 플라스틱 표면에 형성된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴의 사진이다. 이렇게 형성된 반구형의 모스아이 패턴은 빛을 모으는 수렴작용을 하게 된다. 도 6은 나노크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된 투명 플라스틱을 보호용으로 덮은 태양전지의 구성 개략도 이다.
본 발명에 따른 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판은, 실리콘 태양전지 소자층과, 상기 실리콘 태양전지 소자층 상부에 구비되고, 하면(태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개의 하면)에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴 형태의 돌기부가 형성된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개와, 상기 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개 상면에 구비되는 보호 유리 덮개를 포함하여 구성된다. 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱은 전술한 방법으로 제조된다.
본 발명에 따른 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판은, 실리콘 태양전지 소자층과, 상기 실리콘 태양전지 소자층 상부에 구비되고, 그 하면에 나노크기의 돌기부가 형성된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개와, 상기 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개 상면에 구비되는 보호 유리 덮개를 포함하여 구성된다. 나노크기의 돌기부가 형성된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개는 전술한 제조 방법으로 제조된다.
도5는 투명 플라스틱 표면에 형성된 반구형 패턴의 태양광을 수렴하는 작용의 모식도이다. 태양 전지에 나노 크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된 투광성 플라스틱 보호막을 설치하여 흐린 날씨의 미약한 태양광을 수렴시켜 전력을 발생하도록 할 수 있다.
본 발명은, (a) 알루미늄 기판 상에 복수의 나노크기의 기공을 갖는 양극산화 피막이 형성된 통상의 양극산화 알루미늄(Anodized Aluminum Oxide : AAO) 템플레이트(Template)를 제공하는 단계와;
(b) 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트 상면에 투광성 플라스틱 판넬을 위치 시킨 후 가열 압착 수단으로 가열 압착 시켜서 상기 투광성 플라스틱 판넬 하면에 돌기를 형성하는 단계와;
(c) 돌기가 형성된 상기 투광성 플라스틱 판넬을 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트(Template) 상면으로부터 이탈 시키는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법이다.
본 발명은, (a) 알루미늄 기판 상에 복수의 나노크기의 기공을 갖는 양극산화 피막이 형성된 통상의 양극산화 알루미늄(Anodized Aluminum Oxide : AAO) 템플레이트(Template)를 제공하는 단계와;
(b) 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트 상면에 투광성 플라스틱 판넬을 위치 시킨 후 가열 압착 수단으로 가열 압착 시켜서 상기 투광성 플라스틱 판넬 하면에 돌기를 형성하는 단계와;
(c) 돌기가 형성된 상기 투광성 플라스틱 판넬을 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트(Template) 상면으로부터 이탈 시키는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법이다.
본 발명은 상기에서 언급한 바람직한 실시예와 관련하여 설명됐지만, 본 발명의 범위가 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 이하의 특허청구범위에 의하여 정하여지는 것으로 본 발명과 균등 범위에 속하는 다양한 수정 및 변형을 포함할 것이다.
아래의 특허청구범위에 기재된 도면부호는 단순히 발명의 이해를 보조하기 위한 것으로 권리범위의 해석에 영향을 미치지 아니함을 밝히며 기재된 도면부호에 의해 권리범위가 좁게 해석되어서는 안될 것이다.
도 1a 내지 1e는 종래기술에 따른 양극산화알루미늄 템플레이트의 제작과정을 설명하기 위한 도면.
도 2는 양극산화 알루미늄 템플레이트의 기공구조를 나타낸 주사전자현미경(SEM) 사진(×500).
도 3은 본 발명의 일실시에에 따른 양극산화된 알루미늄 표면에 형성된 나노크기의 다공성 피막의 현미경 사진.
도 4는 가열압착으로 투광성 플라스틱 표면에 형성된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴 사진.
도 5는 투명 플라스틱 표면에 형성된 반구형 패턴의 태양광 수렴 작용 모식도.
도 6은 나노크기의 반구형 모스아이 패턴이 형성된 투명 플라스틱을 보호용으로 덮은 태양전지 모식도.
Claims (4)
- 삭제
- (a) 알루미늄 기판 상에 복수의 나노크기의 기공을 갖는 양극산화 피막이 형성된 통상의 양극산화 알루미늄(Anodized Aluminum Oxide : AAO) 템플레이트(Template)를 제공하는 단계와;(b) 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트 상면에 투광성 플라스틱 판넬을 위치 시킨 후 가열 압착 수단으로 가열 압착 시켜서 상기 투광성 플라스틱 판넬 하면에 돌기를 형성하는 단계와;(c) 돌기가 형성된 상기 투광성 플라스틱 판넬을 상기 양극산화 알루미늄 템플레이트(Template) 상면으로부터 이탈 시키는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법.
- 제2항의 제조 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱.
- 실리콘 태양전지 소자층과;상기 실리콘 태양전지 소자층 상부에 구비되고, 하면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴 형태의 돌기부가 형성된 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개와;상기 태양전지 보호용 투광성 플라스틱 덮개 상면에 구비되는 보호 유리 덮개;를 포함하여 구성되되,상기 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱은 제2항의 제조 방법으로 제조된 것임을 특징으로 하는 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090009215A KR101019355B1 (ko) | 2009-02-05 | 2009-02-05 | 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100089996A KR20100089996A (ko) | 2010-08-13 |
KR101019355B1 true KR101019355B1 (ko) | 2011-03-07 |
Family
ID=42755715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101019355B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101355828B1 (ko) * | 2011-11-08 | 2014-01-28 | 제이엠티(주) | 솔라셀의 표면에 나노패턴을 형성하는 방법 및 그에 따라 제작된 솔라셀 |
KR101537901B1 (ko) * | 2014-04-30 | 2015-07-23 | 한국교통대학교산학협력단 | 고방열성 투명 시트 및 그 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050094030A (ko) * | 2004-03-17 | 2005-09-26 | 광주과학기술원 | 아조벤젠 필름을 이용한 반사방지막 또는 반사막 및 그의제조방법 |
KR20070122079A (ko) * | 2006-06-23 | 2007-12-28 | 삼성전자주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP2008153570A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Sharp Corp | 太陽電池の基体およびその製造方法、太陽電池モジュール |
KR100855682B1 (ko) | 2007-04-16 | 2008-09-03 | 고려대학교 산학협력단 | 태양전지의 실리콘 표면 텍스쳐링 방법 |
-
2009
- 2009-02-05 KR KR1020090009215A patent/KR101019355B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050094030A (ko) * | 2004-03-17 | 2005-09-26 | 광주과학기술원 | 아조벤젠 필름을 이용한 반사방지막 또는 반사막 및 그의제조방법 |
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JP2008153570A (ja) | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Sharp Corp | 太陽電池の基体およびその製造方法、太陽電池モジュール |
KR100855682B1 (ko) | 2007-04-16 | 2008-09-03 | 고려대학교 산학협력단 | 태양전지의 실리콘 표면 텍스쳐링 방법 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100089996A (ko) | 2010-08-13 |
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