KR20070122079A - 유기전계발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

유기전계발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

유기전계발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 유기전계발광소자는, 기판; 기판 상에 적층되는 애노드전극; 애노드전극 상에 적층되는 것으로, 상부에는 다수의 돌기부가 형성된 유기 발광층; 및 유기 발광층 상에 상기 돌기부들을 덮도록 적층되는 것으로, 금속으로 이루어진 캐소드전극;를 구비한다.

Description

유기전계발광소자 및 그 제조방법{Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same}
도 1은 종래 일반적인 유기전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 단면을 개략적으로 도시한 것이다.
도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 제조하기 위하여 사용되는 다공성 마스크의 제작방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 12는 도 8 내지 도 11에 도시된 방법에 의한 제작된 다공성 마스크를 도시한 사진이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110... 기판 112... 애노드전극
114... 유기 발광층 114a... 돌기부
116... 캐소드전극 150... 다공성 마스크
150a... 기공 230,230'... 알루미늄기판
240... 제1 알루미늄 산화물층 240a... 제1 기공
250... 제2 알루미늄 산화물층 250a... 제2 기공
본 발명은 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 발광효율 및 수명을 증대시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광소자(organic electro luminescence device)는 애노드전극으로부터 공급되는 홀(hole)과 캐소드전극으로부터 공급되는 전자(electron)가 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 발광층 내에서 결합하여 빛을 방출함으로서 화상을 형성하는 디스플레이 소자이다. 이러한 유기전계 발광소자는 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 얇은 두께, 낮은 제조 비용 및 높은 콘트라스트(contrast) 등과 같은 우수한 디스플레이 특성을 나타냄으로써 차세대 평판 디스플레이 소자(flat panel display device)로서 각광을 받고 있다.
도 1에는 종래 일반적인 유기전계발광소자의 단면이 개략적으로 도시되어 있다. 도 1을 참조하면, 투명한 기판(10) 상에 ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질로 이루어진 애노드전극(12)이 형성되어 있다. 그리고, 상기 애노드전극(12) 상에는 유기물질로 이루어진 유기 발광층(14)이 형성되어 있으며, 이 유기 발광층(14) 상에는 금속으로 이루어진 캐소드전극(16)이 형성되어 있다. 상기 와 같은 구조에서 애노드전극(12)과 캐소드전극(16) 사이에 소정 전압이 인가되면 유기 발광층(14)으로부터 가시광이 발생되며, 이렇게 발생된 가시광은 애노드전극 (12)및 기판(10)을 통하여 외부로 출사됨으로써 화상을 형성하게 된다. 그러나, 상기와 같은 구조의 유기전계발광소자에서는, 서로 다른 굴절률을 가지는 기판(10), 애노드전극(12), 유기 발광층(14) 및 캐소드전극(16)이 판상(planar) 구조로 적층되어 있으므로, 유기 발광층(14)에서 발생된 가시광 중 일부는 각 층 사이의 계면을 투과하지 못하고 손실되는 문제점이 있다. 구체적으로는, 유기 발광층(14)에서 발생된 가시광의 40% 정도는 유기 발광층(14)과 애노드전극(12) 사이의 계면에서 전반사됨으로써 손실되고, 또한 상기 가시광의 40%는 유기 발광층(14)과 금속으로 이루어진 캐소드전극(16) 사이의 평편한 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬 공명(SPR; Surface Plasmon Resonance) 현상에 의하여 캐소드전극(16)에 흡수되어 열로 소모되는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 발광효율 및 수명을 증대시킬 수 있는 유기전계발광소자 및 그 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여,
본 발명의 구현예에 따른 유기전계발광소자는,
기판;
상기 기판 상에 적층되는 애노드전극;
상기 애노드전극 상에 적층되는 것으로, 상부에는 다수의 돌기부가 형성된 유기 발광층; 및
상기 유기 발광층 상에 상기 돌기부들을 덮도록 적층되는 것으로, 금속으로 이루어진 캐소드전극;를 구비한다.
상기 돌기부들의 피치는 50nm ~ 600nm가 될 수 있으며, 상기 돌기부들의 높이는 50nm ~ 600nm가 될 수 있다.
본 발명의 다른 구현예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법은,
기판 상에 애노드전극을 적층하는 단계;
상부에 다수의 돌출부가 형성된 유기 발광층을 상기 애노드전극 상에 적층하는 단계; 및
상기 유기 발광층 상에 금속으로 이루어진 캐소드전극을 상기 돌출부들을 덮도록 적층하는 단계;를 포함한다.
여기서, 상기 애노드전극 상에 상기 유기발광층을 적층하는 단계는,
상기 애노드전극 상에 유기발광물질을 증착하여 소정 두께의 베이스층을 형성하는 단계; 다수의 기공이 관통되어 형성된 다공성 마스크를 상기 베이스층의 상부에 마련하는 단계; 및 상기 다공성 마스크의 기공들을 통하여 상기 베이층의 상면에 유기발광물질을 증착함으로써 상기 베이스층의 상면에 상기 돌기부들을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 다공성 마스크는 알루미늄 산화물로 이루어질 수 있다. 이 경우, 상기 다공성 마스크는, 알루미늄 기판을 준비하는 단계; 상기 알루미늄 기판의 표면을 양극산화시켜 다수의 기공이 형성된 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 산화물층을 알루미늄 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함할 수 있다. 상기 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄 기판의 표면을 1차로 양극산화시켜 다수의 제1 기공이 형성된 제1 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 알루미늄 산화물층을 제거한 다음, 상기 알루미늄 기판의 표면을 2차로 양극산화시켜 다수의 제2 기공이 형성된 제2 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소들의 크기는 설명의 명료성을 위하여 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 한 층이 기판이나 다른 층 위에 존재한다고 설명될 때, 그 층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 위에 존재할 수도 있고, 그 사이에 제3의 층이 존재할 수도 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판(110) 상에 애노드전극(112)이 소정 두께로 적층되어 있다. 여기서, 상기 기판(110)으로는 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 애노드전극(112)은 투명한 도전성 물질, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 상기 애노드전극(112) 상에는 유기발광물질로 이루어진 유기 발광층(114)이 적층되어 있다. 본 실시예에서, 상기 유기 발광층(114)의 상부에는 다수의 돌기부(114a)가 형성되어 있다. 여기서, 상기 돌기부들(114a)의 피치(d)는 유기 발광층(114)으로부터 발생되는 가시광의 파장에 의존하게 되는데, 구체적으로 대략 50nm ~ 600nm 정도가 될 수 있다. 그리고, 상기 돌기부들(114a)의 높이(h)는 대략 50nm ~ 600nm 정도가 될 수 있다. 도면에서는 상기 돌기부(114a)가 반구형의 형상을 가지는 경우가 도시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않고 돌기부(114a)는 다양한 형상을 가질 수 있다. 또한, 도면에서는 돌기부(114a)가 좌우 대칭인 형상으로 도시되어 있으나, 본 실시예는 이에 한정되지 않고 상기 돌기부(114a)는 좌우 비대칭인 형상으로 형성될 수도 있다.
상부에 돌기부들(114a)이 형성된 유기 발광층(114) 상에는 금속으로 이루어진 캐소드전극(116)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 캐소드전극(116)은 상기 돌기부들(114a)을 덮도록 형성된다. 이에 따라, 상기 유기 발광층(114)의 상면과 접하는 캐소드전극(116)의 하면은 상기 유기 발광층(114)의 돌기부들(114a)에 대응하는 굴곡된 형상을 가지게 된다.
상기와 같은 구조의 유기전계발광소자에서, 애노드전극(112)과 캐소드전극 (116)사이에 소정 전압이 인가되면 유기 발광층(114) 내부에서는 애노드전극9112)으로부터 공급되는 홀들과 캐소드전극(116)으로부터 공급되는 전자들이 서로 결합함으로써 가시광을 방출하게 된다. 그리고, 이렇게 방출된 가시광은 투명한 애노드전극(112) 및 기판(110)을 통하여 외부로 출사됨으로써 화상을 형성하게 된다. 한편, 본 실시예에서는 유기 발광층(114)의 상부에 돌기부들(114a)을 주기적으로 형성되고, 이 돌기부들(114a)을 덮도록 금속으로 이루어진 캐소드전극(116)을 형성함 으로써 유기 발광층(114)과 캐소드전극(116) 사이의 계면은 돌기부들(114a)에 대응하는 굴곡된 형상을 가지게 된다. 이 경우, 유기 발광층(114)으로부터 발생된 가시광 중 캐소드전극(116)을 향하여 진행하는 가시광은 금속으로 이루어진 캐소드전극(116)과 유기 발광층(114) 사이의 계면에서 표면 플라즈몬(Surface Plasmon)이 여기(excitation)됨으로 인하여 유기 발광층(114) 쪽으로 다시 반사되게 된다. 이와 같이, 유기 발광층과 캐소드전극이 편평한 판상(planar)으로 적층되는 종래 유기전계발광소자에서는 유기 발광층으로부터 발생되는 가시광 중 캐소드전극 쪽으로 진행하는 가시광은 열로써 소모되는데 반하여, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자에서는 유기 발광층(114)과 캐소드전극(116) 사이의 계면이 규칙적으로 굴곡된 형상을 가짐으로써 유기 발광층(114)으로부터 발생되는 가시광 중 캐소드전극(116) 쪽으로 진행하는 가시광은 유기 발광층(114) 쪽으로 반사되어 애노드전극(112) 및 기판(110)을 투과하여 외부로 출사된다. 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 종래보다 유기 발광층으로부터 발생되는 가시광이 손실되는 양이 줄어들게 되어 발광효율이 향상될 수 있다. 또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자는 종래 보다 입력 에너지를 줄일 수 있으므로, 소자의 수명을 증대시킬 수 있다.
이하에서는 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법에 대하여 설명한다. 도 3 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3을 참조하면, 먼저 기판(110)을 준비한다. 상기 기판(110)으로는 일반적 으로 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판이 사용될 수 있다. 그리고, 상기 기판(110) 상에 애노드전극(112)을 소정 두께로 형성한다. 상기 애노드전극(112)은 기판(110) 상에 예를 들면, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전성 물질을 증착함으로써 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 애노드전극(112) 상에 후술하는 유기 발광층(도 6의 114)의 베이스부(114b)를 형성한다. 상기 베이스부(114b)는 상기 애노드전극(112) 상에 유기 발광물질을 소정 두께로 증착함으로써 형성될 수 있다. 여기서, 상기 애노드전극(112) 상에 형성되는 베이스부(114b)의 두께는 종래 유기전계발광소자에서 형성되는 유기 발광층 두께의 대략 2/3 정도가 될 수 있다.
다음으로, 도 5를 참조하면, 상기 베이스부(114a) 상부에 다공성 마스크(150)를 마련한다. 여기서, 상기 다공성 마스크(150)에는 기공들(150a)이 주기적으로 관통되어 형성되어 있다. 상기 다공성 마스크(150)에 형성된 기공들(150a)의 크기는 후술하는 돌기부들(도 6의 114a)의 크기보다는 커야 하며, 또한 상기 다공성 마스크(150)는 후술되는 유기발광물질의 증착 공정에서 증착된 유기발광물질에 의하여 기공들(150a)이 막히지 않을 정도의 높이로 베이스부(114b)로부터 이격되게 설치되어야 한다.
본 실시예에서, 상기 다공성 마스크(150)는 알루미늄 산화물로 이루어질 수 있다. 이와 같은 알루미늄 산화물로 이루어진 다공성 마스크를 제작하는 공정이 도 8 내지 도 11에 도시되어 있다. 도 8를 참조하면, 먼저 알루미늄기판(230)을 준비한다. 이어서, 도 9를 참조하면, 알루미늄기판(230)을 1차로 양극산 화(anodization)시킴으로써 알루미늄기판(230)의 표면에 제1 알루미늄 산화물층(240)을 형성한다. 이 경우, 상기 제1 알루미늄 산화물층(240)에는 다수의 제1 기공(240a)이 형성되는데, 이때 형성되는 제1 기공들(240a)은 불규칙한 형상을 가지게 된다. 한편, 상기 제1 알루미늄 산화물층(240)이 형성된 알루미늄기판(230')의 표면은 규칙적으로 굴곡된 형상으로 형성된다. 다음으로, 도 10을 참조하며, 식각 등을 통하여 알루미늄기판(230')으로부터 상기 제1 알루미늄 산화물층(240)을 제거한다. 이어서, 도 11을 제1 알루미늄 산화물층(240)이 제거된 알루미늄기판(230')을 2차로 양극산화시킴으로써 알루미늄기판(230)의 굴곡된 표면 상에 제2 알루미늄 산화물층(250)을 형성한다. 이 경우, 상기 제2 알루미늄 산화물층(250)에는 다수의 제2 기공(250a)이 형성되고, 이러한 제2 기공들(250a)은 규칙적인 형상을 가지게 된다. 이와 같이 규칙적인 형상의 제2 기공들(250a)이 형성된 제2 알루미늄 산화물층(250)을 알루미늄기판(230)으로부터 분리하게 되면 도 5에 도시된 바와 같은 다공성 마스크가 제작된다. 도 12에는 상기와 같은 방법으로 제작된 알루미늄 산화물로 이루어진 다공성 마스크를 찍은 사진이 도시되어 있다.
도 6을 참조하면, 베이스부(114b)의 상부에 마련된 다공성 마스크(150)를 이용하여 베이스부(114b)의 상면에 다수의 돌기부(114a)를 형성한다. 이에 따라, 애노드전극(112) 상에는 베이스부(114b)와 돌기부들(114a)로 이루어진 유기 발광층(114)이 형성된다. 상기 돌기부들(114a)은 유기발광물질을 상기 다공성 마스크(150)의 기공들(150a)을 통하여 상기 베이스부(114b)의 상면에 증착함으로써 형성될 수 있다. 이때, 형성되는 돌기부들(114a)의 피치는 유기 발광층(114)으로부터 발생되는 가시광의 파장에 의존하게 되는데, 구체적으로 대략 50nm ~ 600nm 정도가 될 수 있다. 그리고, 상기 돌기부들(114a)의 높이 대략 50nm ~ 600nm 정도가 될 수 있다. 한편, 도면에서는 상기 돌기부(114a)가 반구형으로 형성되는 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 상기 돌기부(114a)는 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 도면에서는 돌기부(114a)가 좌우 대칭인 형상으로 형성된 경우가 도시되어 있으나, 이에 한정되지 않고 상기 돌기부(114a)는 좌우 비대칭인 형상으로 형성될 수도 있다.
도 7을 참조하면, 도 6에 도시된 다공성 마스크(150)를 제거한 다음, 돌기부들(150a)이 형성된 유기 발광층(114)의 상면에 금속으로 이루어진 캐소드전극(116)을 형성하게 되면 본 발명의 실시예에 따른 유기전계발광소자가 완성된다. 상기 캐소드전극(116)은 상기 유기 발광층(114)의 상면에 상기 돌기부들(114a)을 덮도록 금속물질을 소정 두께로 증착함으로써 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 유기 발광층(114)의 상면과 접하는 캐소드전극(116)의 하면에는 상기 돌기부들(114a)에 대응하는 굴곡된 형상을 가지게 된다.
이상에서 본 발명에 따른 바람직한 실시예가 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 의하면 유기 발광층의 상부에 돌기부들을 형성하고, 상기 유기 발광층의 상면을 덮도록 금속으로 이루어진 캐소드전극을 형성함으로써 유기 발광층으로부터 발생되어 캐소드전극 쪽으로 진행하는 가시광이 표면 플라즈몬의 여기에 의하여 유기 발광층 쪽으로 다시 반사될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광층으로부터 발생되는 가시광이 손실되는 양이 줄어들게 되어 발광효율이 향상될 수 있으며, 또한 소자의 수명도 증대시킬 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 적층되는 애노드전극;
    상기 애노드전극 상에 적층되는 것으로, 상부에는 다수의 돌기부가 형성된 유기 발광층; 및
    상기 유기 발광층 상에 상기 돌기부들을 덮도록 적층되는 것으로, 금속으로 이루어진 캐소드전극;를 구비하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기부들의 피치는 50nm ~ 600nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 돌기부들의 높이는 50nm ~ 600nm인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 투명한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  6. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명한 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자.
  7. 기판 상에 애노드전극을 적층하는 단계;
    상부에 다수의 돌출부가 형성된 유기 발광층을 상기 애노드전극 상에 적층하는 단계; 및
    상기 유기 발광층 상에 금속으로 이루어진 캐소드전극을 상기 돌출부들을 덮도록 적층하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 애노드전극 상에 상기 유기발광층을 적층하는 단계는,
    상기 애노드전극 상에 유기발광물질을 증착하여 소정 두께의 베이스층을 형성하는 단계;
    다수의 기공이 관통되어 형성된 다공성 마스크를 상기 베이스층의 상부에 마련하는 단계; 및
    상기 다공성 마스크의 기공들을 통하여 상기 베이층의 상면에 유기발광물질을 증착함으로써 상기 베이스층의 상면에 상기 돌기부들을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 돌기부들은 50nm ~ 600nm의 피치를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 돌기부들은 50nm ~ 600nm의 높이를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 다공성 마스크는 알루미늄 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 다공성 마스크는, 알루미늄 기판을 준비하는 단계; 상기 알루미늄 기판 의 표면을 양극산화시켜 다수의 기공이 형성된 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 알루미늄 산화물층을 알루미늄 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 방법에 의하여 제작되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계는, 상기 알루미늄 기판의 표면을 1차로 양극산화시켜 다수의 제1 기공이 형성된 제1 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 알루미늄 산화물층을 제거한 다음, 상기 알루미늄 기판의 표면을 2차로 양극산화시켜 다수의 제2 기공이 형성된 제2 알루미늄 산화물층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  14. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판은 투명한 유리기판 또는 플라스틱기판인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  15. 제 7 항에 있어서,
    상기 애노드전극은 상기 기판 상에 투명한 도전성 물질을 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 투명한 도전성 물질은 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  17. 제 7 항에 있어서,
    상기 캐소드전극은 상기 유기 발광층 상에 금속물질을 상기 돌기부들을 덮도록 증착함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101019355B1 (ko) * 2009-02-05 2011-03-07 조양전기공업(주) 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2637480B1 (en) 2010-11-02 2021-09-15 Oji Holdings Corporation Organic light emitting diode, image display device, and illuminating device
GB2493698B (en) * 2011-08-08 2018-02-28 Univ Nottingham Trent Surface plasmon resonance in thin films
WO2013108618A1 (ja) 2012-01-19 2013-07-25 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
JP2015144110A (ja) 2013-12-25 2015-08-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
CN109449310A (zh) * 2018-10-31 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
CN109599503B (zh) * 2019-01-04 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置
US11583810B2 (en) * 2020-12-14 2023-02-21 Industrial Technology Research Institute Porous substrate structure and manufacturing method thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4472073B2 (ja) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及びその作製方法
JP2003257662A (ja) * 2002-03-04 2003-09-12 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP4136799B2 (ja) * 2002-07-24 2008-08-20 富士フイルム株式会社 Ｅｌ表示素子の形成方法
KR100504530B1 (ko) * 2003-06-23 2005-08-01 엘지전자 주식회사 유기 전계 소자 및 그 제조 방법
TWI260945B (en) * 2003-05-16 2006-08-21 Toyota Ind Corp Light-emitting apparatus and method for forming the same
EP1578173A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-21 C.R.F. Società Consortile per Azioni Light emitting device comprising porous alumina and manufacturing process thereof
TW200536431A (en) * 2004-04-19 2005-11-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting diode and method of fabricating the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101019355B1 (ko) * 2009-02-05 2011-03-07 조양전기공업(주) 양극 산화된 알루미늄 표면에 투광성 플라스틱 판넬을 가열압착시켜 표면에 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는태양전지 보호용 투광성 플라스틱을 제조하는 방법, 그 방법으로 제조된 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱, 및 나노크기의 반구형 모스아이 패턴을 갖는 태양전지 보호용 투광성 플라스틱이 구비된 태양전지판

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