JPH11329753A - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
有機ｅｌ素子Info
- Publication number
- JPH11329753A JPH11329753A JP10123558A JP12355898A JPH11329753A JP H11329753 A JPH11329753 A JP H11329753A JP 10123558 A JP10123558 A JP 10123558A JP 12355898 A JP12355898 A JP 12355898A JP H11329753 A JPH11329753 A JP H11329753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- conductive metal
- electrode layer
- oxide film
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板と反対側から光を取り出すことができる有
機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】発光層上に導電性金属層50を形成し、その
表面を陽極酸化処理して透明な陽極酸化膜51を形成する
ことで導電性金属層50を薄くして透明な第２電極層５を
形成した構成とした。陽極酸化処理によればスパッタリ
ングのような高温とならないため、有機ＥＬ素子の劣化
なく透明な第２電極層を形成することができる。
機ＥＬ素子を提供する。 【解決手段】発光層上に導電性金属層50を形成し、その
表面を陽極酸化処理して透明な陽極酸化膜51を形成する
ことで導電性金属層50を薄くして透明な第２電極層５を
形成した構成とした。陽極酸化処理によればスパッタリ
ングのような高温とならないため、有機ＥＬ素子の劣化
なく透明な第２電極層を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発光層に有機材料を
用いた有機ＥＬ素子に関し、詳しくは発光効率の高い有
機ＥＬ素子の構造に関する。
用いた有機ＥＬ素子に関し、詳しくは発光効率の高い有
機ＥＬ素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】表示用ディスプレイデバイスとしては、
ブラウン管（Cathode Ray Tube）、液晶（Liquid Cryst
al）、プラズマ（Plasma）、発光ダイオード（Light Em
ittingDiode）及びＥＬ（Electro Luminescence）など
が従来より知られ、ＴＶ、パーソナルコンピュータなど
各種ディスプレイに広く利用されている。
ブラウン管（Cathode Ray Tube）、液晶（Liquid Cryst
al）、プラズマ（Plasma）、発光ダイオード（Light Em
ittingDiode）及びＥＬ（Electro Luminescence）など
が従来より知られ、ＴＶ、パーソナルコンピュータなど
各種ディスプレイに広く利用されている。
【０００３】この中でもＥＬは自発光形であり、また薄
膜を用いることができるために薄い表示素子として期待
されている。そして薄膜型直流ＥＬとして、有機薄膜Ｅ
Ｌが近年注目を集めている。例えばフルカラー用ディス
プレイとするためには、赤、緑、青の３原色を効率よく
発光する素子が必要であるが、無機ＥＬでは青色につい
ては発光効率の低い材料しかない。しかし有機ＥＬによ
れば、青色も効率よく発光できる素子が開発されてい
る。
膜を用いることができるために薄い表示素子として期待
されている。そして薄膜型直流ＥＬとして、有機薄膜Ｅ
Ｌが近年注目を集めている。例えばフルカラー用ディス
プレイとするためには、赤、緑、青の３原色を効率よく
発光する素子が必要であるが、無機ＥＬでは青色につい
ては発光効率の低い材料しかない。しかし有機ＥＬによ
れば、青色も効率よく発光できる素子が開発されてい
る。
【０００４】有機薄膜ＥＬ素子は、図５に示すように、
ガラス基板 100と、ガラス基板 100上に形成された透明
電極膜 101と、透明電極膜 101上に形成された正孔輸送
層 102と、正孔輸送層 102上に形成された発光体層 103
と、発光体層 103上に形成された電子輸送層 104と、電
子輸送層 104上に形成された背面電極層 105とから構成
され、正孔輸送層 102、発光体層 103及び電子輸送層 1
04で発光層 200が構成されている。
ガラス基板 100と、ガラス基板 100上に形成された透明
電極膜 101と、透明電極膜 101上に形成された正孔輸送
層 102と、正孔輸送層 102上に形成された発光体層 103
と、発光体層 103上に形成された電子輸送層 104と、電
子輸送層 104上に形成された背面電極層 105とから構成
され、正孔輸送層 102、発光体層 103及び電子輸送層 1
04で発光層 200が構成されている。
【０００５】この有機薄膜ＥＬ素子では、電子輸送層 1
04への正孔の注入あるいは正孔輸送層 102への電子の注
入により再結合発光が生じる。このように発光ダイオー
ドと類似した注入発光であるため発光電圧が約10Ｖと低
いことが特徴である。そして電子輸送層 104と正孔輸送
層 102の間に発光体層 103を介在させて機能を分離する
ことにより、発光体層 103の材料を広い範囲から選択す
ることが可能となった。
04への正孔の注入あるいは正孔輸送層 102への電子の注
入により再結合発光が生じる。このように発光ダイオー
ドと類似した注入発光であるため発光電圧が約10Ｖと低
いことが特徴である。そして電子輸送層 104と正孔輸送
層 102の間に発光体層 103を介在させて機能を分離する
ことにより、発光体層 103の材料を広い範囲から選択す
ることが可能となった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで上記した有機
薄膜ＥＬ素子においては、一般的に背面電極層 105が仕
事関数の低い金属で構成され不透明であるため、発光層
200の発光はガラス基板100側から取り出される構造と
なっている。しかしガラス基板 100を通して光を得る場
合、臨界角以上の角度で界面に入射した光は全反射によ
ってガラス基板 100内に閉じこめられ、反射を繰り返し
ながらガラス基板 100の端部まで移動し端面から逃げて
ロスとなってしまう。そのため発光効率は最大でも15％
が限界であり、さらに発光効率を向上させることが望ま
れている。
薄膜ＥＬ素子においては、一般的に背面電極層 105が仕
事関数の低い金属で構成され不透明であるため、発光層
200の発光はガラス基板100側から取り出される構造と
なっている。しかしガラス基板 100を通して光を得る場
合、臨界角以上の角度で界面に入射した光は全反射によ
ってガラス基板 100内に閉じこめられ、反射を繰り返し
ながらガラス基板 100の端部まで移動し端面から逃げて
ロスとなってしまう。そのため発光効率は最大でも15％
が限界であり、さらに発光効率を向上させることが望ま
れている。
【０００７】また、ガラス基板 100をそのまま通過する
光と、界面で反射してから通過する光との光路差によ
り、発光部周辺に光の滲みが生じて表示品質が低下する
という不具合もある。そこでガラス基板 100と反対側の
表面から光を取り出すことが考えられる。例えば特開昭
63-37594号公報には、背面電極層 105をＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜からなる透明電極とした無機ＥＬ素子が
開示されている。
光と、界面で反射してから通過する光との光路差によ
り、発光部周辺に光の滲みが生じて表示品質が低下する
という不具合もある。そこでガラス基板 100と反対側の
表面から光を取り出すことが考えられる。例えば特開昭
63-37594号公報には、背面電極層 105をＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）膜からなる透明電極とした無機ＥＬ素子が
開示されている。
【０００８】ところがＩＴＯ膜を形成するのに用いられ
る高周波スパッタリングなどにおいては、膜形成時に約
300℃の高温となるため、耐熱温度が約 150℃の有機Ｅ
Ｌ素子では、有機層が損傷するためこの方法を採用する
ことはできない。有機ＥＬ素子では、背面電極層は蒸着
法などで形成される比較的厚い不透明な金属電極とさ
れ、ガラス基板と反対側から光を取り出すことは困難と
されている。
る高周波スパッタリングなどにおいては、膜形成時に約
300℃の高温となるため、耐熱温度が約 150℃の有機Ｅ
Ｌ素子では、有機層が損傷するためこの方法を採用する
ことはできない。有機ＥＬ素子では、背面電極層は蒸着
法などで形成される比較的厚い不透明な金属電極とさ
れ、ガラス基板と反対側から光を取り出すことは困難と
されている。
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
ものであり、基板と反対側から光を取り出すことができ
る有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
ものであり、基板と反対側から光を取り出すことができ
る有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の有機ＥＬ素子の特徴は、基板と、基板上に形成され
た第１電極層と、第１電極層上に形成され有機物よりな
る発光層と、発光層上に形成された透明な第２電極層と
よりなり、第２電極層は透明な導電性金属層と導電性金
属層表面に形成された透明な陽極酸化膜とから構成さ
れ、発光層からの出力光を第２電極層表面側から取り出
すように構成されたことにある。
明の有機ＥＬ素子の特徴は、基板と、基板上に形成され
た第１電極層と、第１電極層上に形成され有機物よりな
る発光層と、発光層上に形成された透明な第２電極層と
よりなり、第２電極層は透明な導電性金属層と導電性金
属層表面に形成された透明な陽極酸化膜とから構成さ
れ、発光層からの出力光を第２電極層表面側から取り出
すように構成されたことにある。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の有機ＥＬ素子では、基板
と反対側の表面に透明な第２電極層をもつため、発光層
からの光が透過可能となり、基板と反対側の陽極酸化膜
表面側から光を取り出すことができる。したがって基板
内での光のロスが生じないため、発光効率が向上する。
また反射により光路差ができるような現象もないため、
発光部周辺の光の滲み現象も防止され表示品質が向上す
る。
と反対側の表面に透明な第２電極層をもつため、発光層
からの光が透過可能となり、基板と反対側の陽極酸化膜
表面側から光を取り出すことができる。したがって基板
内での光のロスが生じないため、発光効率が向上する。
また反射により光路差ができるような現象もないため、
発光部周辺の光の滲み現象も防止され表示品質が向上す
る。
【００１２】基板としては、透明である必要がなく、金
属板など不透明な材料でも用いることができる。基板と
して導電性の金属板を用いれば、基板が第１電極層を兼
ねることができるので、製造工数を低減することができ
る。また金属はガラスより熱伝導率が高いので、放熱性
が向上するという効果も生まれる。基板として従来と同
様にガラス基板を用いることもできるが、ガラス基板内
を光が透過しないように、基板と第１電極層の間に光反
射層を設けることが望ましい。この場合、第１電極層が
光反射層を兼ねるように構成することも容易である。な
お、ガラス基板の第１電極層と反対側表面に反射層を設
けてもよいが、光路差による滲みが生じるようになるの
で好ましくない。
属板など不透明な材料でも用いることができる。基板と
して導電性の金属板を用いれば、基板が第１電極層を兼
ねることができるので、製造工数を低減することができ
る。また金属はガラスより熱伝導率が高いので、放熱性
が向上するという効果も生まれる。基板として従来と同
様にガラス基板を用いることもできるが、ガラス基板内
を光が透過しないように、基板と第１電極層の間に光反
射層を設けることが望ましい。この場合、第１電極層が
光反射層を兼ねるように構成することも容易である。な
お、ガラス基板の第１電極層と反対側表面に反射層を設
けてもよいが、光路差による滲みが生じるようになるの
で好ましくない。
【００１３】第１電極層としては、従来と同様にＩＴ
Ｏ、ＡＺＯ（Ａｌ添加ＺｎＯ）、ＳｎＯ2 などの薄膜を
用いてもよいし、Ａｌ膜など不透明の導電性金属薄膜を
用いることもできる。これは基板に成膜すればよいの
で、高周波スパッタリング法など高温が作用する成膜法
を用いても差し支えない。また上述したように、第１電
極層が光反射層を兼ねるようにすれば、発光効率を一層
高めることができるので好ましい。この第１電極層の厚
さは一般に10〜 300ｎｍの範囲とするのが好ましいが、
特に制限されない。
Ｏ、ＡＺＯ（Ａｌ添加ＺｎＯ）、ＳｎＯ2 などの薄膜を
用いてもよいし、Ａｌ膜など不透明の導電性金属薄膜を
用いることもできる。これは基板に成膜すればよいの
で、高周波スパッタリング法など高温が作用する成膜法
を用いても差し支えない。また上述したように、第１電
極層が光反射層を兼ねるようにすれば、発光効率を一層
高めることができるので好ましい。この第１電極層の厚
さは一般に10〜 300ｎｍの範囲とするのが好ましいが、
特に制限されない。
【００１４】発光層は、従来と同様に正孔輸送層と、正
孔輸送層上に形成された発光体層と、発光体層上に形成
された電子輸送層とから構成することができる。このう
ち正孔輸送層としては、従来と同様にトリフェニルジア
ミン誘導体などの第３級アミン誘導体、（ジ）スチリル
ベンゼン（ピラジン）誘導体、ジオレフィン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体などのジ（トリ）アゾール誘導
体、キノサリン誘導体、フラン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、ナフタセン誘導体、クマリン系化合物、キナク
リドン誘導体、インドール系化合物、ピレン系化合物、
アントラセン系化合物などが例示される。
孔輸送層上に形成された発光体層と、発光体層上に形成
された電子輸送層とから構成することができる。このう
ち正孔輸送層としては、従来と同様にトリフェニルジア
ミン誘導体などの第３級アミン誘導体、（ジ）スチリル
ベンゼン（ピラジン）誘導体、ジオレフィン誘導体、オ
キサジアゾール誘導体などのジ（トリ）アゾール誘導
体、キノサリン誘導体、フラン系化合物、ヒドラゾン系
化合物、ナフタセン誘導体、クマリン系化合物、キナク
リドン誘導体、インドール系化合物、ピレン系化合物、
アントラセン系化合物などが例示される。
【００１５】発光体層としては、蛍光染料として知られ
る種々の物質があり、トリスキノリノアルミニウム錯
体、ジスチリルビフェニル誘導体、オキサジアゾール誘
導体などが例示される。また電子輸送層としては、ポリ
シラン、オキサジアゾール誘導体、トリスキノリノアル
ミニウム錯体などが例示される。
る種々の物質があり、トリスキノリノアルミニウム錯
体、ジスチリルビフェニル誘導体、オキサジアゾール誘
導体などが例示される。また電子輸送層としては、ポリ
シラン、オキサジアゾール誘導体、トリスキノリノアル
ミニウム錯体などが例示される。
【００１６】正孔輸送層の厚さは、従来と同様に10〜 1
00ｎｍとするのが望ましい。この範囲より薄いとピンホ
ールが多くなるとともにダークスポットが多発し、この
範囲より厚くなると発光効率が低下する。また発光体層
の厚さは、従来と同様に10〜100ｎｍとするのが望まし
い。この範囲より薄いとピンホールが多くなるとともに
ダークスポットが多発し、この範囲より厚くなると発光
効率が低下する。そして電子輸送層の厚さは、従来と同
様に10〜 100ｎｍとするのが望ましい。この範囲より薄
いとピンホールが多くなるとともにダークスポットが多
発し、この範囲より厚くなると発光効率が低下する。
00ｎｍとするのが望ましい。この範囲より薄いとピンホ
ールが多くなるとともにダークスポットが多発し、この
範囲より厚くなると発光効率が低下する。また発光体層
の厚さは、従来と同様に10〜100ｎｍとするのが望まし
い。この範囲より薄いとピンホールが多くなるとともに
ダークスポットが多発し、この範囲より厚くなると発光
効率が低下する。そして電子輸送層の厚さは、従来と同
様に10〜 100ｎｍとするのが望ましい。この範囲より薄
いとピンホールが多くなるとともにダークスポットが多
発し、この範囲より厚くなると発光効率が低下する。
【００１７】なお発光層において、正孔輸送層と電子輸
送層の位置は、どちらが第１電極層側に位置してもよ
い。ただし、電子輸送層側は必ず仕事関数の小さい金属
電極と接触させなければならない。この発光層を構成す
る各層は、それぞれ真空蒸着法、ラングミュアブロジェ
ット蒸着法、ディップコーティング法、スピンコーティ
ング法、真空気体蒸着法、有機分子線エピタキシ法など
を用いて形成することができる。
送層の位置は、どちらが第１電極層側に位置してもよ
い。ただし、電子輸送層側は必ず仕事関数の小さい金属
電極と接触させなければならない。この発光層を構成す
る各層は、それぞれ真空蒸着法、ラングミュアブロジェ
ット蒸着法、ディップコーティング法、スピンコーティ
ング法、真空気体蒸着法、有機分子線エピタキシ法など
を用いて形成することができる。
【００１８】第２電極層は、透明な導電性金属層と導電
性金属層表面に形成された透明な陽極酸化膜とから構成
されている。もし第２電極層をＩＴＯやＡＺＯなどから
形成しようとすると、高周波スパッタリングなどの薄膜
形成法を用いざるを得ず、高温又は蒸発原子の高エネル
ギーの作用により発光層が損傷してしまう。つまり従来
の有機ＥＬ素子における背面電極は、スパッタリング法
によるＩＴＯが形成できないこともあり、不透明な金属
電極が用いられていた。
性金属層表面に形成された透明な陽極酸化膜とから構成
されている。もし第２電極層をＩＴＯやＡＺＯなどから
形成しようとすると、高周波スパッタリングなどの薄膜
形成法を用いざるを得ず、高温又は蒸発原子の高エネル
ギーの作用により発光層が損傷してしまう。つまり従来
の有機ＥＬ素子における背面電極は、スパッタリング法
によるＩＴＯが形成できないこともあり、不透明な金属
電極が用いられていた。
【００１９】そこで本発明では、蒸着法などで比較的厚
い導電性金属層を形成し、それを陽極酸化処理すること
で透明な陽極酸化膜を形成し、かつそれによって導電性
金属層自体の厚さを薄くして透明な第２電極層を形成す
るようにしたものである。上記した導電性金属層は、Ｉ
ｎ−Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｓｂなどの導電性金属か
ら形成することができる。またＴｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ
などの金属も用いることができる。この導電性金属層
は、蒸着法など高温が作用しない方法により形成するこ
とができる。
い導電性金属層を形成し、それを陽極酸化処理すること
で透明な陽極酸化膜を形成し、かつそれによって導電性
金属層自体の厚さを薄くして透明な第２電極層を形成す
るようにしたものである。上記した導電性金属層は、Ｉ
ｎ−Ｓｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｓｂなどの導電性金属か
ら形成することができる。またＴｉ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ
などの金属も用いることができる。この導電性金属層
は、蒸着法など高温が作用しない方法により形成するこ
とができる。
【００２０】陽極酸化膜の厚さは、 100〜 300ｎｍの範
囲とするのが好ましい。この厚さが1000ｎｍを越えると
透明性が低下し、有機ＥＬ素子の発光効率が低下するよ
うになる。なお陽極酸化膜は強度が高いので、その存在
により有機ＥＬ素子を保護することができる。したがっ
て陽極酸化膜の厚さは、上記範囲内でできるだけ厚く形
成することが望ましい。
囲とするのが好ましい。この厚さが1000ｎｍを越えると
透明性が低下し、有機ＥＬ素子の発光効率が低下するよ
うになる。なお陽極酸化膜は強度が高いので、その存在
により有機ＥＬ素子を保護することができる。したがっ
て陽極酸化膜の厚さは、上記範囲内でできるだけ厚く形
成することが望ましい。
【００２１】陽極酸化膜を形成した後の導電性金属層の
厚さは、10〜 100ｎｍの範囲とするのが好ましい。この
厚さが 150ｎｍを越えると透明性が低下し、有機ＥＬ素
子の発光効率が低下するようになる。陽極酸化膜を形成
するには、通常の陽極酸化処理で行うことができる。陽
極酸化処理によれば、陽極酸化膜が形成されていない部
分に電流が流れて酸化が進行することから、ピンホール
などの欠陥のない均一な酸化膜を形成することができ
る。また陽極酸化膜の厚さは印加電圧により制御するこ
とができるので、厚さの制御はきわめて精度高く容易に
行うことができる。
厚さは、10〜 100ｎｍの範囲とするのが好ましい。この
厚さが 150ｎｍを越えると透明性が低下し、有機ＥＬ素
子の発光効率が低下するようになる。陽極酸化膜を形成
するには、通常の陽極酸化処理で行うことができる。陽
極酸化処理によれば、陽極酸化膜が形成されていない部
分に電流が流れて酸化が進行することから、ピンホール
などの欠陥のない均一な酸化膜を形成することができ
る。また陽極酸化膜の厚さは印加電圧により制御するこ
とができるので、厚さの制御はきわめて精度高く容易に
行うことができる。
【００２２】
【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。 （実施例１）図１に本実施例の有機ＥＬ素子の模式的断
面図を示す。この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１と、ガ
ラス基板１上に形成されＡｌからなる厚さ150〜 300ｎ
ｍの反射層２と、反射層２上に形成されＩＴＯからなる
厚さ 300ｎｍの第１電極層３と、第１電極層３上に形成
された発光層４と、発光層４上に形成された第２電極層
５とから構成されている。
る。 （実施例１）図１に本実施例の有機ＥＬ素子の模式的断
面図を示す。この有機ＥＬ素子は、ガラス基板１と、ガ
ラス基板１上に形成されＡｌからなる厚さ150〜 300ｎ
ｍの反射層２と、反射層２上に形成されＩＴＯからなる
厚さ 300ｎｍの第１電極層３と、第１電極層３上に形成
された発光層４と、発光層４上に形成された第２電極層
５とから構成されている。
【００２３】上記構成のうち発光層４は、第１電極層３
上に形成された正孔輸送層40と、正孔輸送層40上に形成
された発光体層41と、発光体層41上に形成された電子輸
送層42とから構成されている。正孔輸送層40はトリフェ
ニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）から 700ｎｍに形成さ
れ、発光体層41はキナクリドンを 0.1体積％含む8-hydr
okyquinoline aluminium（ＡＬＱ）から 700ｎｍに形成
され、電子輸送層42はキナクリドンを 0.1体積％含むＡ
ＬＱから 500ｎｍに形成されている。
上に形成された正孔輸送層40と、正孔輸送層40上に形成
された発光体層41と、発光体層41上に形成された電子輸
送層42とから構成されている。正孔輸送層40はトリフェ
ニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）から 700ｎｍに形成さ
れ、発光体層41はキナクリドンを 0.1体積％含む8-hydr
okyquinoline aluminium（ＡＬＱ）から 700ｎｍに形成
され、電子輸送層42はキナクリドンを 0.1体積％含むＡ
ＬＱから 500ｎｍに形成されている。
【００２４】また第２電極層５は、発光層４上に形成さ
れた導電性金属層50と、導電性金属層50上に形成された
陽極酸化膜51とから構成されている。そして導電性金属
層50は、図２に示すように、電子輸送層42上に形成され
た厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52と、Ａｌ−Ｌｉ合金
層52上に形成された厚さ 500ÅのＡｌ層53とから構成さ
れ、陽極酸化膜51はＡｌ2 Ｏ3 から構成されている。
れた導電性金属層50と、導電性金属層50上に形成された
陽極酸化膜51とから構成されている。そして導電性金属
層50は、図２に示すように、電子輸送層42上に形成され
た厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52と、Ａｌ−Ｌｉ合金
層52上に形成された厚さ 500ÅのＡｌ層53とから構成さ
れ、陽極酸化膜51はＡｌ2 Ｏ3 から構成されている。
【００２５】以下、この有機ＥＬ素子の製造方法を説明
し、構成の詳細な説明に代える。先ずガラス基板１を用
意し、その表面に高周波スパッタリングによりＡｌから
反射層２を成膜した。次いで反射層２の表面に高周波ス
パッタリングによりＩＴＯから第１電極層３を成膜し
た。次に真空蒸着法を用いて、第１電極層３上に正孔輸
送層40、発光体層41及び電子輸送層42をこの順にそれぞ
れ成膜し、発光層４を形成した。
し、構成の詳細な説明に代える。先ずガラス基板１を用
意し、その表面に高周波スパッタリングによりＡｌから
反射層２を成膜した。次いで反射層２の表面に高周波ス
パッタリングによりＩＴＯから第１電極層３を成膜し
た。次に真空蒸着法を用いて、第１電極層３上に正孔輸
送層40、発光体層41及び電子輸送層42をこの順にそれぞ
れ成膜し、発光層４を形成した。
【００２６】そして発光層４の電子輸送層42の表面に、
厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52を形成した。さらにＡ
ｌ−Ｌｉ合金層52の表面に金属Ａｌを蒸着し、厚さ2000
ÅのＡｌ層53を形成した。これにより合計厚さ2500Åの
導電性金属層50が形成された。こうして作製された素子
８を、図３に示すように、１重量％のリン酸水溶液から
なる電解液７中に浸漬し、素子８を陽極とするとともに
素子８とほぼ同面積を有するＡｌ板９を陰極として、 1
00Ｖの直流電圧を印加して陽極酸化を行った。
厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52を形成した。さらにＡ
ｌ−Ｌｉ合金層52の表面に金属Ａｌを蒸着し、厚さ2000
ÅのＡｌ層53を形成した。これにより合計厚さ2500Åの
導電性金属層50が形成された。こうして作製された素子
８を、図３に示すように、１重量％のリン酸水溶液から
なる電解液７中に浸漬し、素子８を陽極とするとともに
素子８とほぼ同面積を有するＡｌ板９を陰極として、 1
00Ｖの直流電圧を印加して陽極酸化を行った。
【００２７】ここで形成される陽極酸化膜の膜厚は、図
４に示すように印加電圧に応じて決まり、印加電圧が 1
00Ｖであれば形成される陽極酸化膜の膜厚は1500Åとな
る。したがって素子８のＡｌよりなる厚さ2000Åの導電
性金属層50は、表面から1500Åの厚さの範囲が陽極酸化
され、Ａｌ2 Ｏ3 よりなる陽極酸化膜51が形成された。
またＡｌ−Ｌｉ合金層52と陽極酸化膜６の間には、厚さ
500ÅのＡｌ層53が残存している。
４に示すように印加電圧に応じて決まり、印加電圧が 1
00Ｖであれば形成される陽極酸化膜の膜厚は1500Åとな
る。したがって素子８のＡｌよりなる厚さ2000Åの導電
性金属層50は、表面から1500Åの厚さの範囲が陽極酸化
され、Ａｌ2 Ｏ3 よりなる陽極酸化膜51が形成された。
またＡｌ−Ｌｉ合金層52と陽極酸化膜６の間には、厚さ
500ÅのＡｌ層53が残存している。
【００２８】得られた有機ＥＬ素子では、第１電極層２
と第２電極層５への直流電圧の印加により発光層４が発
光する。一方、厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52と厚さ
500ÅのＡｌ層53はともに透明であり、厚さ1500Åの陽
極酸化膜51も透明であるため、第２電極層５は透明とな
っている。したがって発光層４からの光は第２電極層５
を透過して発光する。またガラス基板１側へ向かった光
は、反射層２で反射し第２電極層５を透過して発光す
る。これにより本実施例の有機ＥＬ素子では、高い発光
効率が得られる。また陽極酸化膜51は強度が高く、かつ
導電性金属層50との付着性に優れているため、発光層４
は陽極酸化膜51によって保護され耐久性に優れている。
と第２電極層５への直流電圧の印加により発光層４が発
光する。一方、厚さ 500ÅのＡｌ−Ｌｉ合金層52と厚さ
500ÅのＡｌ層53はともに透明であり、厚さ1500Åの陽
極酸化膜51も透明であるため、第２電極層５は透明とな
っている。したがって発光層４からの光は第２電極層５
を透過して発光する。またガラス基板１側へ向かった光
は、反射層２で反射し第２電極層５を透過して発光す
る。これにより本実施例の有機ＥＬ素子では、高い発光
効率が得られる。また陽極酸化膜51は強度が高く、かつ
導電性金属層50との付着性に優れているため、発光層４
は陽極酸化膜51によって保護され耐久性に優れている。
【００２９】なお本実施例では反射層２を設けている
が、第１電極層３を設けず反射層２で第１電極層３の機
能を兼ねてもよい。また反射層２を設けなくてもよい。
後者の場合は全体が透明となり光はガラス基板１側から
も発光する。したがってシースルーの有機ＥＬ素子とし
て用いることができ、別の用途に用いることができる。 （実施例２）本実施例の有機ＥＬ素子は、第２電極層５
の構成が異なること以外は実施例１と同様の構成であ
る。すなわち第２電極層５は、発光層４側からＭｇ−Ａ
ｇ合金層及びＩｎ−Ｓｎ層の順に積層されてなる導電性
金属層50と、ＩＴＯからなる陽極酸化膜51とから構成さ
れている。
が、第１電極層３を設けず反射層２で第１電極層３の機
能を兼ねてもよい。また反射層２を設けなくてもよい。
後者の場合は全体が透明となり光はガラス基板１側から
も発光する。したがってシースルーの有機ＥＬ素子とし
て用いることができ、別の用途に用いることができる。 （実施例２）本実施例の有機ＥＬ素子は、第２電極層５
の構成が異なること以外は実施例１と同様の構成であ
る。すなわち第２電極層５は、発光層４側からＭｇ−Ａ
ｇ合金層及びＩｎ−Ｓｎ層の順に積層されてなる導電性
金属層50と、ＩＴＯからなる陽極酸化膜51とから構成さ
れている。
【００３０】この有機ＥＬ素子は実施例１と同様にして
形成され、実施例１と同様の作用効果を奏する。 （実施例３）本実施例の有機ＥＬ素子も、第２電極層５
の構成が異なること以外は実施例１と同様の構成であ
る。すなわち第２電極層５は、発光層４側からＭｇ−Ａ
ｇ合金層及びＴｉ層の順に積層されてなる導電性金属層
50と、ＴｉＯ2 からなる陽極酸化膜51とから構成されて
いる。
形成され、実施例１と同様の作用効果を奏する。 （実施例３）本実施例の有機ＥＬ素子も、第２電極層５
の構成が異なること以外は実施例１と同様の構成であ
る。すなわち第２電極層５は、発光層４側からＭｇ−Ａ
ｇ合金層及びＴｉ層の順に積層されてなる導電性金属層
50と、ＴｉＯ2 からなる陽極酸化膜51とから構成されて
いる。
【００３１】この有機ＥＬ素子は実施例１と同様にして
形成され、実施例１と同様の作用効果を奏する。
形成され、実施例１と同様の作用効果を奏する。
【００３２】
【発明の効果】すなわち本発明の有機ＥＬ素子によれ
ば、スパッタリングのような高温とならない陽極酸化処
理により発光層の劣化なく透明な第２電極を形成してい
るので、従来困難とされていた基板と反対側表面からの
発光が可能となり、従来に比べて光のロスが低減され発
光効率が向上する。
ば、スパッタリングのような高温とならない陽極酸化処
理により発光層の劣化なく透明な第２電極を形成してい
るので、従来困難とされていた基板と反対側表面からの
発光が可能となり、従来に比べて光のロスが低減され発
光効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例の有機ＥＬ素子の模式的断面
図である。
図である。
【図２】図１の要部拡大図である。
【図３】本発明の一実施例の有機ＥＬ素子の製造時に用
いた陽極酸化装置を示す説明図である。
いた陽極酸化装置を示す説明図である。
【図４】実施例で用いた陽極酸化法における印加電圧と
陽極酸化膜の膜厚との関係を示すグラフである。
陽極酸化膜の膜厚との関係を示すグラフである。
【図５】従来の有機ＥＬ素子の模式的断面図である。
１：ガラス基板 ２：反射層 ３：第
１電極層 ４：発光層 ５：第２電極層 40：正
孔輸送層 41：発光体層 42：電子輸送層 50：導
電性金属層 51：陽極酸化膜
１電極層 ４：発光層 ５：第２電極層 40：正
孔輸送層 41：発光体層 42：電子輸送層 50：導
電性金属層 51：陽極酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基板と、該基板上に形成された第１電極
層と、該第１電極層上に形成され有機物よりなる発光層
と、該発光層上に形成された透明な第２電極層とよりな
り、該第２電極層は透明な導電性金属層と該導電性金属
層表面に形成された透明な陽極酸化膜とから構成され、
該発光層からの出力光を該第２電極層表面側から取り出
すように構成されたことを特徴とする有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12355898A JP3546697B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12355898A JP3546697B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11329753A true JPH11329753A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3546697B2 JP3546697B2 (ja) | 2004-07-28 |
Family
ID=14863572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12355898A Expired - Fee Related JP3546697B2 (ja) | 1998-05-06 | 1998-05-06 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3546697B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004031324A (ja) * | 2002-06-22 | 2004-01-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US6716662B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method for organic electroluminescent device |
| JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2005203352A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Ｅｌディスプレイ装置とその製造方法 |
| WO2005094134A1 (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 |
| JP2006286493A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sony Corp | 表示素子、表示装置および表示素子の製造方法 |
| JP2007165214A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP2008078038A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US8084081B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same |
| CN111864124A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-10-30 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件 |
-
1998
- 1998-05-06 JP JP12355898A patent/JP3546697B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7867053B2 (en) | 2000-02-03 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2018092947A (ja) * | 2000-02-03 | 2018-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9419066B2 (en) | 2000-02-03 | 2016-08-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2016040786A (ja) * | 2000-02-03 | 2016-03-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電気器具 |
| JP2014060179A (ja) * | 2000-02-03 | 2014-04-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2012146687A (ja) * | 2000-02-03 | 2012-08-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7683535B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| US7745993B2 (en) | 2000-02-03 | 2010-06-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light emitting device comprising reflective film |
| US6716662B2 (en) | 2001-08-30 | 2004-04-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Production method for organic electroluminescent device |
| JP2004031324A (ja) * | 2002-06-22 | 2004-01-29 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| US8860011B2 (en) | 2003-01-24 | 2014-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and electronic book including double-sided light emitting display panel |
| US8084081B2 (en) | 2003-01-24 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting emitting device, manufacturing method of the same, electronic apparatus having the same |
| US9324773B2 (en) | 2003-01-24 | 2016-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel including a plurality of lighting emitting elements |
| JP2005044799A (ja) * | 2003-07-10 | 2005-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機電界発光素子 |
| JP2005203352A (ja) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Chi Mei Optoelectronics Corp | Ｅｌディスプレイ装置とその製造方法 |
| US7888856B2 (en) | 2004-03-29 | 2011-02-15 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device and display apparatus containing the same, method for making organic electroluminescence device and method for making display apparatus |
| WO2005094134A1 (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに表示装置 |
| JP2006286493A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Sony Corp | 表示素子、表示装置および表示素子の製造方法 |
| JP2007165214A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP2008078038A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| CN111864124A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-10-30 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件 |
| CN111864124B (zh) * | 2020-09-02 | 2023-03-21 | 合肥福纳科技有限公司 | 量子点发光器件的制备方法及量子点发光器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3546697B2 (ja) | 2004-07-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4898560B2 (ja) | 有機発光装置 | |
| JP2001052878A (ja) | 透明カソード及びそれを含む有機発光ダイオード | |
| JPH1187068A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPH11195487A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH06290873A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JP2003272855A (ja) | 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル | |
| JP4755728B2 (ja) | 有機ｅｌ素子に用いられるアノード構造体およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子 | |
| JPH0831573A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP3546697B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US20100176378A1 (en) | Fabrication Method for Organic Light Emitting Device and Organic Light Emitting Device Fabricated by the Same Method | |
| EP2765624A1 (en) | Transparent conductive film, and organic light-emitting device comprising same | |
| JPH08222373A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH11316376A (ja) | 自発光表示素子 | |
| JPH1140365A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JP2003338382A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH11126689A (ja) | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 | |
| KR20020076171A (ko) | 고품질 디스플레이가 가능한 유기 발광 소자 | |
| US20090051280A1 (en) | Light-emitting device, method for manufacturing light-emitting device, and substrate processing apparatus | |
| JPH11111466A (ja) | 有機ｅｌ素子の電極 | |
| JPH11162646A (ja) | 有機エレクトロルミネッセント素子 | |
| JPH11121172A (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH0693256A (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JPH11329727A (ja) | Ｒｇｂ発光有機ｅｌ素子 | |
| JP2004281189A (ja) | 上面発光型有機エレクトロルミネセンス表示素子およびその製造方法 | |
| US10243147B2 (en) | Organic light-emitting element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040323 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040405 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |