1232589 玖、發明說明： L發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種有機電致發光元件及其製造方 法、與顯示裝置及其製造方法，特別是有關於一種發光效 5 果佳之有機電致發光元件及其製造方法、與具有如此有機 電致發光元件之顯示裝置。 L先前技術3 近年來，採用有機電致發光元件(EL)之顯示裝置與習知 之CRT、LCD相比，可為薄型化且重量輕之顯示裝置而大 10受矚目。有機電致發光元件是屬於自行發光型態，因此具 視覺辨識性高，沒有視角依賴性，可使用具可徺性之薄膜 基板等，與液晶顯示裝置相比，具有重量輕且薄等各種優 點。進而，為實現高精密度顯示，連有機電致發光元件在 内，並持續研發具有薄膜電晶體等之開關元件之主動矩陣 15 型顯示裝置。 習知之採用有機電致發光元件之顯示裝置，例如在由玻 璃基板所構成之絕緣性基板上形成有由IT〇(摻雜有錫之氧 化銦）等之透明導電賴構成之陽極。陽極上形成有一含有 藉電子與電洞之再鍵結而產生光之發光層的有機電致發光 2〇層。有機電致發光層上形成有—由A1⑹膜或吨鎮)★ (銀)合金膜等所構成之陰極。按此，於絕緣性基板上形成有 陽極、有機電致發光層及陰極之有機電致發光元件。又， 於主動矩陣型顯示裝置令，用以控制施加在有機電致 讀之薄膜電晶鮮H件細彡成純賴基板盘有 1232589 顯示裝置係成為一 有機電致發光層之 機電致發光元件之間。具有如此構造之 底部發光型，即，由絕緣性基板側取出 發光層中所產生之光。 成發光波長不同之發光層。例如 ^像素區分別形 為像素之_的級雜密胁騎㈣口有成 b等各色之發光層依諸m、g、b之順^x形成r、g、 之方式形成者。 B之順序，移動蒸鍍光罩 10 15 底部發光型顯示裝置時，如上述，由絕緣性基板側 =電致發光元件中所產生之光。為此，當絕緣性基板斑 有機電致發光s制形成有_元件時，丨像素巾所佔有^ 發光面積間關元件之存在而反倒實質上變小，而具有— 不能獲得較高之發光效率的難處。 針對有關於如此發纽率之難處，已嘗試提出一種所項 按獅發光型構造解紅方法，卩卩：由卿成有開關元件 之、’、巴緣性基板側相反之側’ g卩，由陰極側取出發光層中所 產生之光(如參考專利文獻1、2)。 專利文獻1中所揭示之頂部發光型顯示裝置中，使用具 有光穿透性之陰極，且使用具有光反射性之Cr (鉻）薄膜作 為陽極，以令發光層所產生之光朝陰極側反射，並由陰極 取出光。惟，α光之反射率不是很高，因此不能足以將發 光層產生之光朝陰極側反射。 又，專利文獻2所揭示之頂部發光型顯示裝置中，在一 由A1膜形成之反射層上直接形成一由ΙΤ〇膜所形成之電極 20 1232589 層。惟，A1膜與ΙΤΌ膜在電性連接上不佳，因此難以利用 反射層作為電極。 為此，在反射層下設置開關元件，便使電極層與開關元 件間之連接有困難。 5 本發明之目的係於提供-種可實現高發光效率之有機 電致發光元件及其製造方法，以及具有如此有機電致發光 元件之顯示裝置。 專利文獻1 ·日本專利公報特開2〇〇1_85163號 專利文獻2:日本專利公報特開平η_329753號 10 明内容】 15 依本發明之-觀點’可提供—種有機電致發光元件，其 係包含有：陽極，具有：第1導電膜，係具有光反射性， 形成於基板上者；及，第2導電膜，係具有光穿透性，形 成於刚述第1 ^電膜上覆蓋前述第丨導電膜者；有機電 致發光層，係、形成於前述陽極上者；1，陰極係具有光 穿透性，形成於前述有機電致發光層上者。 又，依本發明之另-觀點，亦可提供—種有機電致發光 元件’其係包含有：陽極，具有：第丨導電膜，係具有光 反射性’形成於基板上者；第2導_，係具有光穿透性， 形成於前述第1導電祺上且覆蓋前述第i導電膜者；及， 第：導電膜，係部分形成於前述第1導電膜與前述第2導 电膜之間，各電性連接於前述第1導電膜及前述第2導電 膜者；有機電致發光層’係形成於前述陽極上者，·及，陰 極係具有光穿透性，形成於前述有機電致發光層上者。 20 1232589 又，依本發明之另一觀點，可提供一種有機電致發光元 件，其係包含有：陽極，具有：第1導電膜，係具有光反 射性，形成於基板上者；絕緣層，係具有光穿透性，形成 於前述第1導電膜上者；及，第2導電膜，係具有光穿透 5 性，形成於前述絕緣層上者；有機電致發光層，係形成於 前述陽極上者；及，陰極，係具有光穿透性，形成於前述 有機電致發光層上者。 又，依本發明之另一觀點，可提供一種有機電致發光元 件之製造方法，該方法係包含有以下步驟，即：於基板上 10 形成陽極之步驟，其中該陽極具有一具備光反射性之第1 導電膜；及，一具備光穿透性且形成於前述第1導電膜以 覆蓋前述第1導電膜之第2導電膜；於前述第1導電膜上 形成有機電致發光層之步驟；及，於前述有機電致發光層 上形成具有光穿透性之陰極之步驟。 15 又，依本發明之另一觀點，可提供一種顯示裝置之製造 方法，其係包含有以下步驟，即：於基板上形成開關元件； 於形成有前述開關元件之前述基板上形成第1絕緣層；於 前述第1絕緣層上形成具有光反射性之第1導電膜；於形 成有前述第1導電膜之前述第1絕緣層上形成具有第1開 20 口部且由具有光穿透性之感光性樹脂構成之第2絕緣層； 令前述第2絕緣層作為遮蔽，蝕刻前述第1絕緣層，形成 到達前述開關元件之電極之第2開口部；於前述第2絕緣 層上形成藉前述第1開口部及前述第2開口部而與前述開 關元件之電極做電性連接且具有光穿透性第2導電膜之陽 1232589 極；於前述陽極上形成有機電致發光層；及，於前述有機 電致發光層上形成具有光穿透性之陰極。 依本發明’藉構造成_種具有形成於基板上且具有光反 射性之第1導電膜及形成於前述第1導電膜上且覆蓋該第1 5導電膜並具有光穿透性之第2導電膜之陽極，便可於陰極 側取出有機電致發光層中所產生之光，因此可實現高發光 效率且沒有元件特性劣化者。 又，依本發明，在第1導電膜與第2導電膜間部分形成 一與第1導電膜及第2導電膜各自做電性連接之第3導電 10膜，以確保第1導電膜與第2導電膜間之導通，因此可由 第1導電膜向有機電致發光層植入電洞。 又，依本發明，形成一陽極，該陽極包含有在形成於基 板上且具有光反射性之第1導電膜上隔著一具有光穿透性 之絕緣層形成具有光穿透性之第2導電膜，且藉陽極下之 15第1導電膜’由陰極側取出有機電致發光層中所產生之光， 因此可在不使元件特性劣化下實現高發光效率者。 【方式3 (第1實施形態） 用第1至4圖說明本發明第1實施形態之顯示裝置及其 20製造方法。第1圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之概 略圖’第2圖係顯示採用有機電致發光元件之底部發光型 顯示裝置構造之概略圖；第3及4圖係顯示本實施形態之 顯不裝置的;ίέ造方法之步驟截面圖。
首先用苐1圖說明本實施形態之顯示裝置構造。第1A 1232589 圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之俯視圖；第1B圖係 第1A圖之X-X’線處截面圖。本實施形態之顯示裝置係一 種具有形成在絕緣性基板上之有機電致發光元件之被動矩 陣型顯示裝置。此外，第1圖係顯示1像素部分之構造者， 5 不過實際上有多數像素配置成矩陣狀者。 如第1B圖所示，在由玻璃基板所形成之絕緣性基板1〇 上’形成有一由具有光反射性之A1膜形成之光反射膜12。 在光反射膜12上形成有一由具有光穿透性2IT〇膜構成之 10 15 20 透明導電膜14。此外，在本說明書中，「具有光反射性」意 指：光之反射率大於50%，且以80%以上者為佳者。又，「具 有光穿透性」意指：光之穿透率大於5〇%，且以go%以上 者為佳者。如此，絕緣性基板10上形成有一具有光反射膜 12與透明導電膜Η之陽極16。陽極16上形成有一依序積 層電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子 植入層而成之有機電致發光層18。有機電致發光層18上形 成有-由具有光穿透性之A1 / ITQ積層朗構成之陰極 20。如此’在絕緣性基板上10上形成有一具有陽極16、有 機電致發光層18及陰極20之有機電致發光元件。 如第1A圖所示，陽極16係於絕緣性基板H)上沿預定 方向（第1A圖中為上下方向）狂仙 伸形成。透明導電膜14係 形成較光反射膜12還寬。藉此， 和 棺此，先反射膜12係藉透明導 電膜14覆蓋。陰極20係於形成右 战有1W極16之絕緣性基板1〇 上，沿一與陽極16正交之方向f (弟1A圖中為左右方向）延 伸形成。在其等陽極16與险极 極20相交叉之區域的兩者間 10 1232589 形成有一有機電致發光層18，其係較交又區還寬之矩形狀 者。如此，構建成一形成有具有上述構造之有機電致發光 元件之像素區。 依本實施形態之顯示裝置，其主要特徵在於有機電致發 5光元件中，陽極16包含有具有光反射性之光反射膜12與 具有光穿透性之透明導電膜14,且光反射膜藉透明導電 膜丨4所覆蓋者。 依本實施形態之顯示裝置，有電子由陰極20植入於有 機電致發光層18，有電洞由陽極16之透明導電膜14而植 10 入於有機電致發光層18。所植入之電子係藉電子輸送層而 運輸至發光層，而所植入之電洞則藉電洞輸送層而運輸至 發光層。如此被運輸至發光層之電子及電洞在發光層再結 合，而產生發光。發光層中所產生之光則藉光反射膜12而 反射到陰極20側後，再由具有光穿透性之陰極2〇側取出 15 之0 按此，依本實施形態之顯示裝置，藉光反射膜12之存 在，形成一由與絕緣性基板1〇相反之側的陰極2()側取出 光之頂部發光型。因此，在絕緣性基板1〇與有機電致發光 元件間形成有另一元件時，亦可由形成有另_元件之區域 20取出光。即，可在不受另一元件限制有機電致發光元件之 發光面積下實現高發光效率。例如，在於形成有薄膜電晶 體等之開關元件之絕緣性基板上，隔著層間絕緣膜形成有 機電致發光元件時，便可在不因開關元件而限制發光面積 之下實現高發光效率。 1232589 相對於如此頂部發光型之本實施形態的顯示裝置，第 圖所示之顯示裝置係一採用有機電致發光元件之底部私光 型顯示裝置。第2A圖係顯示採用有機電致發光元件之底部 發光型顯示裝置構造之俯視圖、第2B圖係第2A圖之χ_ 5 X，線截面圖。此外，第2圖係顯示1像素部分之構造者， 不過實際上有多數像素配置成矩陣狀者。 如第2圖所示，由玻璃基板形成之絕緣性基板1〇〇上形 成有一由ΙΤΟ膜所構成之陽極1〇2。在陽極1〇2上形成有 一依序積層電洞輸送層、發光層、及電子輸送層而構成之 10有機電致發光層1〇4。在有機電致發光層1〇4上形成有一由 Α1膜或Mg-Ag合金膜等所構成之陰極1〇6。如此，在絕緣 性基板100上形成有一具有陽極102、有機電致發光層104 及陰極106之有機電致發光元件。 第2圖所示之底部發光型顯示裝置中，有機電致發光層 15 1 中所產生之光可由絕緣性基板1 〇〇側取出。為此，在絕 緣性基板10與有機電致發光元件間形成有一開關元件等另 一元件時，該有機電致發光元件之發光面積受另一元件所 限制，因此要像本實施形態之顯示裝置般實現高發光效率 是很困難的。 20 又，依本實施形態之顯示裝置，陽極16中，由A1膜構 成之光反射膜12係藉由IT0膜所構成之透明導電膜14覆 蓋，以使其表面不露於外者。藉此，可防止在製程中對ITO 膜施灯圖案化時使A1膜構成之光反射膜12遭到腐蝕者。 即有此問題發生，IT0膜之圖案化上採用驗性顯影液，因 12 1232589 此A1膜表面露出，便造成A1膜及ιτ〇膜兩者曝晒於顯影 液中，便因電池效應而使A1膜被脑。依本實施形態之顯 不裝置’形成由ιτο膜構成之透明導電膜14以覆蓋由A1 膜所構成之光反射膜12者，因此可防止因電池效應之光反 5 射膜12的腐蝕。 X 發生’即：在由A1膜構成之光反射膜 12與由ITQ膜構成之伽導電膜14之間，因對於有機電 致發光το件之驅動電壓施加時之發熱，而產生晶鬚。如此 晶鬚可能成為電極間短路原因之一。惟，依本實施形態之 10顯不裝置，因為形成有由ITO膜所構成之透明導電膜14 以覆蓋由A1膜所構成之光反射膜12，所以可防範因晶鬚所 造成之陽極16與陰極2〇間之短路者。 此外’ A1膜係具有較迄今所採用之Cr膜還高之反射 率，正適於做為有機電致發光元件之光反射膜。另一方面， 15使用A1膜作為光反射麟，即發生如上述之課題。因此依 本實施形態之顯示裝置，藉形成ITO膜以覆蓋A1膜，可在 沒有腐蝕或電極間短路等之缺點下，實現一較習知還高之 發光效率者。 進而’有機電致發光層18係與習知有機電致發光元件 20同樣，形成在由ΠΌ膜構成之透明導電膜14上。為此，以 有機電致發切18而言，照樣利用原來的與習知有機電致 發光元件同樣材料及構造之有機電致發光層，可構建成一 具有南發光致率之頂部發光型顯示裝置。 ’ 用弟3圖及第4圖說明本貫施形悲之顯示裳置的 13 1232589 製造方法。 首先，在由玻璃基板構成之絕緣性基板1〇上，藉諸如 濺鍍法，形成諸如膜厚150nm之A1膜22 (參考第3A圖卜 接著’藉微影及餘刻，將A1膜22圖案化，使其形成預 5定形狀。按此，在絕緣性基板1〇上形成一由A1膜22所構 成之光反射膜12 (參考第3B圖）。 接著，在形成有光反射膜12之絕緣性基板1〇上，藉諸 如/賤錢法’形成一諸如膜厚70nm之ITO膜24 (參考第3C 圖）。 10 接著，藉微影及蝕刻，將ITO膜24施行圖案化，形成 預定形狀。此時，將ΓΓΟ膜24施行圖案化，形成可覆蓋光 反射膜12之形狀及大小，俾使光反射膜12之表面不致外 露者。如此形成一由IT0膜24構成之透明導電膜14 (參考 第4A圖）。對IT〇膜24施行圖案化之間，不會使位於叮〇 15膜24下之由Α1膜22構成的光反射膜12之表面露出，因 此可防止因電池效應所造成之光反射膜12之腐蝕者。 接著，在形成有光反射膜12及透明導電膜14之陽極 16的絕緣性基板10上，藉諸如真空蒸鍍法，隔著預定大小 開口之瘵鍍用光罩，依序形成諸如膜厚40nm之2-ΤΝΑΤΑ (，’4參(2-萘基苯基胺基)三苯基胺)膜、諸如膜厚1〇nm 之 a NPD(N，N’ 一二萘基一Ν，Ν，一二苯基一[u，一聯苯 基]~4,4，、二胺）膜、摻雜有諸如少量之t(npa)py(1，3,6,8一四 (N萘基〜—苯基胺基）嵌二萘）之諸如膜厚3〇nm之 Alq3(二（8〜羥基喳啉酸)鋁）膜、諸如膜厚20nm之Alq3膜、 14 1232589 及諸如膜厚0.5nm之UF膜。
如此’形成有機電致發光層18,其具有由2 — TNATA 膜所構成之電洞植入層、由a —NPD膜所構成之電洞輸送 層、由換雜有RnpQpy之Alq3膜所構成之發光層、由Alq3 膜所構成之電子輸送層，及，由LiF膜所構成之電子植入 層（參考第4B圖）。 接著’在形成有有機電致發光層18之絕緣性基板1〇 上，藉諸如真空蒸鍍法及濺鍍法，隔著預定形狀開口之光 罩依序形成諸如膜厚10nm之A1膜及諸如膜厚3〇nm之 1〇 IT〇膜，而形成一 A1/ITO積層膜。 如此便形成一由Α1/ΙΤ〇積層膜構成之陰極2〇 (參考第 4C 圖）。 如此便製得第1圖所示之顯示裝置。 如上，依本實施形態，在採用有機電致發光元件之顯示 15裝置中，陽⑨16具備有光反射性之光反射膜12及有光穿 透性之透明導電膜14，因此可實現—具有高發光效率之頂 部發光型顯示裝置。 又，光反射膜u係藉透明導電膜μ所覆蓋，因此可抑 制光反射膜12腐蚀以及光反射膜12與透明導電膜14間所 2〇產生之晶鬚等所造成之元件特性劣化等。 又，有機電致發光層18係、與習知有機電致發光元件同 樣，形成在透明導電膜14之上，因此對有機電致發光層18 而。可^樣使用具有與習知有機電致發光元件同樣材料 及構造之有機電致發光層。 15 1232589 (第2實施形態） 利用第5至7圖說明本發明第2實施形態之顯示裝置。 第5圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之概略圖、第6 圖及第7圖係顯示本實施形態之顯示裝置的製造方法的步 5 驟截面圖。此外，針對與第1圖、第3圖、及第4圖所示 之第1實施形態的顯示裝置及其製造方法同樣之構成要素 附上同一標號，並省略或簡化說明。 本實施形態之顯示裝置，與第1實施形態之顯示裝置同 樣，為一具有形成於絕緣性基板上之有機電致發光元件之 10 被動矩陣型顯示裝置，其基本構成係與第1實施形態之顯 示裝置同樣。依本實施形態之顯示装置係於可確保光反射 膜12與透明導電膜14間之導通以及來自光反射膜12之電 洞植入之特徵，而與第1實施形態之顯示裝置相異。 首先，用第5圖說明本實施形態之顯示裝置構造。第
5八圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之俯視圖、第5B 圖係第5 A圖之X — X線截面圖。此外，第5圖係顯示1 像素部分之構造者，不過實際上有多數像素配置成矩陣狀 者。 如第5B圖所示，在由玻璃基板所構成之絕緣性基板1〇 上形成由一具有光反射性之A1膜構成之光反射膜12。在光 反射祺12之周緣部上形成有由一具有光反射性之Mo(鉬） 膜構成之失層膜30。在於周緣部上形成有夾層膜30之光反 射膜12上形成由一具有光穿透性之ITO膜構成之透明導電 膜14。失層膜30係一與光反射膜12及透明導電膜14各自 16 1232589 做電性連接者，藉該夾層膜 〜曰』队音迈明導電膜14與光 反：膜12間之電性連接，確保著兩者之間的導通。如此， 在、、、巴緣性基板1〇上形成有—陽極32，該陽極Μ具有光反 γ、2透明‘電膜14及用以改善兩者之電性連接之夹層 ' 在陽極32上形成有一依序積層有電洞植入層、電洞 輸送層、發光層、電子輸送層、電子植人層而成之有機電 致發光層18。在有機電致發光層18上形成有—由具有光穿 透性之聰〇積層膜構成之陰極2〇。如此在絕緣性基板 10 15 20 10上形成有—具有陽極32、有機電致發光層U及陰極⑼ 之有機電致發光元件。 如第5Α圖所示，陽極32係於絕緣性基才反1〇上沿預定 方向（第5Α圖中為上下方向）延伸而形成者。夹層膜％係 於光反射膜12之周緣部上形成為框狀者。透明導電膜μ 係形成較形成有夹層膜3G之光反射膜12之寬度還大。藉 此“形成有夾層膜3〇之光反射膜η係藉透明導電膜Μ所 覆陰極20係於形成有陽極I6之絕緣性基板10上沿一 :陽極16正交之方向(第5Α圖中為左右方向)延伸而:成 〜在其等陽極32與陰極2G相交叉之區域間，形成有一 寬^較交叉區還大之矩形有機電致發光層18。如此便構建 成形成有具有上述構造之有機電致發光元件之像素區。 依本貫施形態之顯示裝置，有_主要特徵，即 電致發光元射，令陽極包含有：具有光反射性之光反射 臊12、形成於該光反射膜12之周緣部上，且與光反射膜 2及光反射膜丨2上所形成之透明導電膜14各呈電性連 17 1232589 接，以確保兩者間之導通之夾層膜3〇、及具有光穿透性且 形成在周緣部上形成有失層膜3〇之光反射膜12上之透明 導電膜14，又光反射膜12藉透明導電膜14所覆蓋者。 A1膜與ITO膜在電性連接上不甚良好，因此依第1實 5加形怨之顯示裝置，在陽極16中，便有可能無法充分確保 由A1膜所構成之光反射膜12與由IT〇膜所構成之透明導 電膜14間之導通者。 在本實施形態之顯示裝置中，陽極32之周緣部成為一 Al/Mo/ITO構造。為此，藉與A1膜及ΙΤ〇膜各做電性連接 10且由Mo膜所構成之夾層膜30,使改善由Α1膜構成之光反 射膜12與由ITO膜構成之透明導電膜η間之電性連接， 確保兩者間之導通者。因此，可將電洞由光反射膜12植入 於有機電致發光層18。又，夾層膜30係形成光反射膜12 之周緣部上，因此可藉其反射率比夾層膜30還高之光反射 15 膜12,使有機電致發光層18之發光層中產生之光充分反射 到陰極20側。 又，形成透明導電膜14以覆蓋其周緣部上形成有炎層 膜30之光反射膜12，因此與第1實施形態之顯示裝置同 樣，可防止光反射膜12之腐蝕。又，可防止··因驅動電壓 20 施加時之發熱等使光反射膜12與透明導電膜14間所產生 之晶鬚所造成之陽極32與陰極20間之短路。又，對於有 機電致發光層18而言，可照樣使用習知有機電致發光元件 之有機電致發光層。 其次’用第6圖及第7圖說明本貫施形怨之顯示裝置的 18 1232589 製造方法。 首先’藉諸如濺鍍法，在由玻璃基板形成之基板ίο上 形成一諸如膜厚150nm之A1膜22。 接著，在A1膜22上，藉諸如濺鍍法形成一諸如膜厚 5 l〇nm之Mo膜34(參考第从圖）。 之後，在Mo膜34上，藉諸如旋塗法，形成光阻膜36。 接著’在Mo膜34上，藉諸如旋塗法，形成光阻膜36。隨 後’為了使A1膜22剩下，用微影法對光阻膜36施行圖案 化* ’以將光阻膜36留著，俾覆蓋光反射膜12之形成預定 1〇區者。此時，為使Mo膜34剩下，便在令用以覆蓋夾層膜 30之形成預定區之光阻膜36的周緣部之膜厚較厚之狀態 下除去Mo膜34，並於令用以覆蓋為使A1膜22留下之區 域的光阻膜36之周緣部以外之部分膜厚較薄之狀態下使光 阻膜36剩下（參考第6B圖）。 15 上述光阻膜3ό膜厚的厚薄設定，係可藉以諸如微影中 所使用之光罩來調整曝光量來達成。具體而言，例如微影 中所使用之光罩，將一用以對可使Mo膜34剩下以覆蓋夾 層膜30之形成預定區之光阻膜36施行曝光之部分做成通 糸的開口，並使一可對將Mo膜34除去以使可覆蓋用以將 2〇 A1膜22留下之區域的光阻膜36施行曝光之部分形成為間 隙狀。使用如此之光罩時，對光阻膜36進行顯影時，用以 覆蓋除去Mo膜34後留下A1膜22之區域之光阻膜％變 成—與用以覆蓋夾層…0之形成就區之光阻膜36相比 車父下’其曝光較不足者。如此，改變部分光阻膜36之曝光 19 1232589 量，便可設定光阻膜36膜厚之厚薄者。 其次，令其膜厚設定厚薄之光阻膜36作為遮蔽，藉諸 如濕式蝕刻，將位於陽極32之形成區以外之不要的Μ膜 22、Mo膜34予以除去（參考第6(：圖）。濕式钱刻係可使用 5將諸如磷酸、硝酸、乙酸及水加以混合之蝕刻液。 接著，藉諸如灰化處理，對光阻膜36進行回蝕刻，除 去一用以將Mo膜34除去以覆蓋將Ai膜22留下之區域之 光阻膜36膜厚較薄之部分，以於光阻膜％形成開口部 另一方面，令用以覆蓋夾層膜30之形成預定區之光阻膜％ 10膜厚較厚之部分留下（參考第6D圖）。 接著，令形成有開口部38之光阻膜36作為光罩，藉諸 如濕式蝕刻，將露出於開口部38底部之M〇膜34予以除 去。施行濕式蝕刻時，與第6C圖中除去不要的M〇膜％ 及A1膜22之形態同樣，可使用將諸如磷酸、硝酸、乙酸 15 及水加以混合之姓刻液。 隨後’將做為遮蔽使用之光阻膜36予以除去。 如此，形成有由A1膜22構成之光反射膜12，和形成 於光反射膜12周緣部上且由Mo膜34構成之夾層膜3〇 (參 考第7A圖）。 乂 20 其次，在形成有光反射膜12及夾層膜30之絕緣性基板 10上’藉諸如濺鍍法，形成諸如膜厚70nm之ITO膜24(參 考第7B圖）。 ’ 接著，藉微影及蝕刻，將IT〇膜24圖案化以形成為預 定形狀。此時’在不使其周緣部上形成有夹層膜3〇之光反 20 1232589 射膜12之表面裸露之狀態下，對ITO膜24施行圖案化， 以使之形成可覆蓋光反射膜12之形狀及大小者。如此，形 成由ΙΤΟ膜24構成之透明導電膜14(參考第圖” 之後，使用與第4Β圖及第4C圖所示之第丨實施形態 之顯示裝置之製造方法同樣之方法，各形成有機電 層18、陰極20，便製造出第5圖所示之本實施形二 裝置。 、員不 10 15 20 如此，依本實施形態，在一使用有有機電致發光元 顯示裝置中，使陽極32包含有具有光反射性之光X反：件之 及具有光穿透性之透明導電膜14，因此可薈 ^ 12 只 ’η ··1"目， 光效率之頂部發光型顯示裝置。 ^向發 又，光反射膜12藉透明導電膜14所覆蓋，因口 光反射膜12之腐触及因光反射膜12與透明導電:可抑制 產生之晶鬚所造成之元件特性劣化。 、間所 進而，由於光反射膜12之周緣部上形戍有— 反射膜12及形成在光反射膜12上之透明導電興、與光 性連接以確保兩者間之導通之夾層膜3〇，因此了將各做電 光反射膜12植入於有機電致發光層18。 ：電洞由 又，有機電致發光層18,與習知有機電致發光_ 樣形成於透明導電膜14上，因此對於有機：疋件同
t 欵發光層IS 而吕’可照樣使用與習知有機電致發光元件同 構造之有機電致發光層。 ’之材料及 (第3實施形態） 利用第8圖說明本發明第3實施形態之 不裝置及其製 21 1232589 造方法。第8圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之概略 圖。此外，針對與第1及5圖各自所示之第1及第2實施 形態的顯示裝置及其製造方法同樣之構成要素附上同一標 號，並省略或簡化說明。 5 本實施形態之顯示裝置係一種被動矩陣型顯示裝置，於 形成有一形成在絕緣性基板上之有機電致發光元件之1像 素之内具有：由位於與絕緣性基板相對側之陰極側取出有 機電致發光層產生之光的上面發光部，及，由陰極側及絕 緣性基板側之兩側取出有機電致發光層之發光層所發生之 10 光的兩面發光部。 以下用第8圖說明本實施形態之顯示裝置構造。第8A 圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之俯視圖；第8B圖係 第8A圖之X—X '線截面圖；第8C圖係第8A圖之Y —Y 一 線截面圖。此外，第8圖係顯示1像素部分之構造者，實 15 際上是有多數像素配置成矩陣狀者。 如第8A圖所示，由玻璃基板形成之絕緣性基板10上， 與第1及第2實施形態之顯示裝置同樣，形成有透明導電 膜14、有機電致發光層18及陰極20。透明導電膜14與陰 極20相交叉之像素區係藉與透明導電膜14之延伸方向正 20 交之境界，分成略等面積之2個區域。靠境界的一邊區域 上設有一上面發光部40,其係在透明導電膜14之下形成光 反射膜12，且形成有具有光反射膜12及透明導電膜14之 陽極32。而靠境界之另一邊區域則設有兩面發光部44，其 不形成光反射膜12,且形成有由透明導電膜14構成之陽極 22 1232589 42者。 上面發光部40係具有第8B圖所示之截面構造。第犯 圖所示之截面構造係形成一與第2實施形態之顯示裝置同 樣之截面構造。即，絕緣性基板10上形成有一 c ^田具有光反 …之A1膜構成之光反射膜12。在光反射膜12之周緣部 上形成有一由具有光反射性之Mo膜構成之夹層臈。在 忒周緣部上形成有夾層膜3〇之光反射膜12上形成有一由 具有光穿透性之ITO膜構成之透明導電膜14。夹層膜3〇 係一可與光反射膜12及透明導電膜14各做電性連接者， 1〇藉該夾層膜30,可改善透明導電膜Η與光反射膜12之電 眭連接，且確保兩者間之導通。如此，在絕緣性基板上 形成有一具備光反射膜12、透明導電膜14及用以改善兩者 電性連接之夾層膜30之陽極32。陽極32上形成有一依序 積層電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、及 15電子植入層而成之有機電致發光層18。在有機電致發光層 18上形成有一由具有光穿透性之Ai/IT〇積層膜構成之陰 極20。如此在上面發光部4〇中之絕緣性基板⑺上形成有 具有光反射膜12之陽極32、有機電致發光層18、及陰 極20之有機電致發光元件。上面發光部4〇上，有機電致 ^光層18中所產生之光係從光反射膜12而朝陰極剔則反 射，且由具有光穿透性之陰極20側取出之。 兩面么光邛44係具有第8C圖所示之截面構造。即，絕 緣性基板10上形成有一由與上面發光部4〇共通之透明導 電膜14構成之陽極42。與上面發光部4〇不同，在兩面發 23 1232589 不形成光反射膜12，而是在绝緣性基板10上 直接形成透料電膜14。在陽極42上形成* —盘上面 5 10 部4〇共通之有機電致發光層18。有機電致發光層μ :則 形成有-與上面發光部4G共通且具有光穿透性之陰極 20。如此-來’兩面發光部44中之絕緣性基板⑺上形成 有一具有陽極42、有機電致發光層18、及陰極20之有機 電致發光凡件。在兩面發光部44,有機電致發光層18中所 產生之光’在不形成光反射膜12之狀態下，而由陰極加 側及絕緣性基板1〇側的兩邊取出。 如此’亦可在同—像素内設置形成有光反射膜12之區 域以及不形成光射膜12之區域，即，在-與陽極32、42 共通之透明導電膜14與陰極2G重疊之發光區上形成部分 光反射膜12 ’以於同_像素内設置上面發光型及兩面 型之區域。 此外’在本實施形態中將上面發光部4〇與兩面發光部 44構建成互成略為同一形狀者，但這兩個發光部仞、料 之形狀並不限於此。藉著適當變更於同一像素内部分形成 之光反射膜12的形狀，便可將兩發光部4〇、44之形狀做 成預定之形狀。藉此，可因應顯示裝置之用途及功能等， 2〇將壳度等之發光特性設定成預定形態者。 又在本貫施形態中，對於上面發光部40中使用有與 第2灵知幵》恶之顯示裝置同樣之陽極，但亦可於上面發 光部40中使用與不形成夾層膜3〇之第i實施形態之顯示 衣置同樣之陽極16。 24 1232589 又，在本實施形態中 在同像素内形成部分光反射膜 12，但亦可針對配置成矩陣狀之多數像素， 設置形成有光 反射膜12之像素及不形成光反射膜12之德 <像素，使上面發 光型像素及兩面發光型像素混合存在者。 5 (第4實施形態） 用第9圖說明本發明第4實施形態之顯示裝置及其製造 方法。第9圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之截面圖。 又，針對與第1圖、第3圖及第4圖所示之第丨實施形鮮 之顯示裝置及其製造方法同樣之構成要素，附上同一標 10 號，並省略或簡略其說明。 本實施形態之顯示裝置之主要特徵係於：在第i實施形 態之顯示裝置中，絕緣性基板10之表面形成有光滑的凹凸 者。 即，如第9圖所示，由玻璃基板形成之絕緣性基板10 15的表面上形成有光滑的凹凸。在表面形成有平滑凹凸之絕 緣性基板10上，與第1實施形態之顯示裝置同樣，形成有： 具有光反射膜12及透明導電膜14之陽極16、有機電致發 光層18及陰極20。 本實施形態之顯示裝置上’藉於絕緣性基板10之表面 2〇所形成之光滑凹凸，以使之與一形成在未形成凹凸之平坦 表面之絕緣性基板上之形態相比，形成在具有凹凸之絕 緣性基板1〇上之陽極16、有機電致發光層18及陰極2〇 之面積較大。藉此便玎進一步提昇發光欵率。 在絕緣性基板10表面形成凹凸之方法係可採用如下所 25 1232589 述之方法。 例如使用硫酸等溶劑，對絕緣性基板1G之表面進⑽ 刻，便可直接在絕緣性基板10之表面上形成凹凸者。 或，以樹脂等塗抹絕緣性基板1G後，制曝光法，於 5絕緣性基板10上形成由樹脂構成之預定圖案，俾於絕緣性 基板10表面开》成可藉樹脂等有無狀態之凹凸者。 本實施形態之顯示裝置係用上述般之手&，在絕緣性基 板10表面上形成光滑凹凸後，再進行與第3A圖至第 圖及第4A圖至第4C圖所示之第丨實施形態之顯示裝置的 10 製造方法同樣的方法予以製造。 如此，依本實施形態，在形成有一有機電致發光元件之 絕緣性基板10表面形成光滑凹凸，因此可進一步提昇發光 效率 此外，關於本實施形態，在第1實施形態之顯示筆置 15中，針對絕緣性基板10表面上形成有光滑凹凸之形態進八 說明，但針對第2及第3實施形態之顯示裝置，與上迷同 樣’在絕緣性基板10表面上形成光滑凹凸，亦可進—米提 昇發光效率者。 (第5實施形態） 20 用第1〇圖至第13圖說明本發明第5實施形態之顯示| 置及其製造方法。第10圖係顯示本實施形態之顯示裝置構 造之載面圖、第11圖係顯示使用有機電致發光元件以及用 薄膜電晶體作為開關元件之底部發光型顯示裝置構造例t 載面圖、第12圖及第13圖係顯示本實施形態之顯示農置 26 1232589 的製造方法之步驟截面圖。此外，針對與第5圖至第7圖 所示之第2實施形態的顯示裝置及其製造方法同樣之構成 要素，附上同一標號，並省略或簡略其說明。 本實施形態之顯示裝置係一主動矩陣型顯示裝置，其係 5設有與第2實施形態之顯示裝置同樣之有機電致發光元 以及設置薄膜電晶體作為開關元件，藉該薄膜電晶體 以控制施加於有機電致發光元件之驅動電壓者。以下，用 第10圖說明本實施形態之顯示裝置構造。又，第1〇圖係 顯示i像素部分之構造者，但實際上有多數像素配置成矩 10 陣狀者。 由玻璃基板構成之絕緣性基板10上形成有一由氧化石夕 膜構成之缓衝層46。在緩衝層46上形成有—由料膜構成 之通道層48。通道層48上，隔著由氧化石夕膜構成之問極絕 緣膜50，而形成有閘極52。在閘極52兩側之通道層48上 15各形成有源極區54及沒極區56。如此，在絕緣性基板1〇 上形成有-薄膜電晶體，其具有形成在閉極52、通道層似 之源極區54及沒極區56,以控制施加於有機電致發光元件 之驅動電壓。 在形成有薄膜電晶體之絕緣抖其化^ _ 巴緣〖生基板1〇上形成有層間 20緣膜58。在層間絕緣膜58上久形士本 工合形成有一隔著接觸孔6〇而 連接於源極區54之源極62，乃— 及一隔考接觸孔64而連接於 汲極區56之汲極66。 、 在形成有源極62及汲極66 ⑽之層間絕緣膜58上形成右 層間絕緣膜68。在層間絕緣膜 ^ 又腺68上形成有一到達源極62 27 1232589 之接觸孔70。 在形成有接觸孔70之層間絕緣膜68上，在含有接觸孔 70之區域，形成有—由具有光反射性之A1^構成之光反射 膜12。在光反射膜12之周緣部上形成有一由具有光反射性 5之1^0膜構成之夾層膜30。在其周緣部上形成有夾層膜30 之光反射膜12上形成有一由具有光穿透性之汀〇膜構成之 透明導電膜14。夾層膜30係與光反射膜12及透明導電膜 14各做電性連接者，藉該夹層膜，可改善透明導電膜μ 與光反射膜12之電性連接，且確保兩者間之導通者。如此 10 一來便於層間絕緣膜68上形成有一具有光反射膜12、透明 ‘電膜14及用以確保兩者間之導通之夾層膜3〇之陽極 32。陽極32係藉形成於層間絕緣膜68之接觸孔70而與薄 膜電晶體之源極62做電性連接。 陽極32上形成有一依序積層電洞植入層、電洞輸送 15層、發光層、電子輸送層、電子植入層而成之有機電致發 光層18。有機電致發光層18上形成有一由具有光穿透性之 Α1/ΙΤΟ積層膜所構成之陰極2〇。如此一來便於層間絕緣膜 68上形成有一具有陽極32、有機電致發光層18及陰極20 之有機電致元件。 2〇 本實施形態之顯示裝置係成為一頂部發光型者，藉光反 射膜12之存在，俾由與絕緣性基板10相反側之陰極20側 取出光者。因此，藉形成於絕緣性基板10上之薄膜電晶體， 可使發光面積不受限制下實現高發光效率。 對於如此頂部發光型本實施形態之顯示裝置，第U圖 28 1232589 所不之兹音-Y，.. «4： xjr, Μ、不衣置係一使用有機電致發光元件並用薄膜電晶 體作為開關元件之底部發光型顯示裝置。又，第u圖係顯 不像素部分之結構者，但實際上是有多數像素配置成矩 陣狀者。 5 如宽 1 , 11圖所示，在由玻璃基板構成之絕緣性基板1〇〇 上形成有一緩衝層108。緩衝層108上則形成有一通道層 。在通道層11〇上隔著閘極絕緣膜112而形成有閘極 M。在閘極1H兩側之通道層11()上各形成有源極區116 及/及極區118。如此一來，便於絕緣性基板100上形成有一 10具有閘極114、形成於通道層110之源極區116及汲極區 118之薄膜電晶體。 在形成有薄膜電晶體之絕緣性基板100上形成有—層 間絕緣膜12〇。在層間絕緣膜120上個別形成有一藉接觸孔 122而與源極區116連接之源極124及一藉接觸孔126而與 15丨及極區118連接之汲極128。 在形成有源極124及及極128之層間絕緣膜120上形成 有一層間絕緣膜130。在層間絕緣膜130形成有一到達源極 !24之接觸孔132。 在形成有接觸孔132之層間絕緣膜130上，於含有接觸 20 孔132之區域中，形成有一具有由ITO膜構成且透明之陽 極102、有機電致發光層104、及A1膜或Mg-Ag合金膜等 構成之陰極106之有機電致發光元件。陽極102係藉形成 在層間絕緣膜130之接觸孔132而與薄膜電晶體之源極ι24 做電性連接。 29 1232589 第11圖所示之底部發光型顯示裝置中，在有機電致發 光層104中所產生之光係由絕緣性基板1⑻側取出。為此， 因形成於絕緣性基板1〇與有機電致發光元件間之薄膜電晶 體，而使有機電致發光元件之發光面積受到限制，要如同 5本實施形態之顯示裝置，實現高發光效率者，是困難的。 又，依本實施形態之顯示裝置，其具有與第2實施形態 之顯示裝置同樣構造之陽極32，因此藉夾層膜3〇，可改善 由A1膜構成之光反射膜12與1丁〇膜構成之透明導電膜14 間之電性連接，確保兩者間之導通。藉此，可使電洞由與 10薄膜電晶體之源極62做電性連接之光反射膜12而植入於 有機電致發光層18。又，形成透明導電膜14，以覆蓋於在 其周緣部上形成有夾層膜30之光反射膜12,因此可防止光 反射膜12之腐蝕。又，可防止因驅動電壓施加時之發熱而 使於光反射膜12與透明導電膜14間所產生之晶鬚所造成 15 之陽極32與陰極20間之短路者。又，對於有機電致發光 層18可照樣使用具有與習知有機電致發光元件之有機電致 發光層同樣之材料及構造之有機電致發光層。 其次，用第12圖及第13圖說明本實施形態之顯示裝置 的製造方法。 20 首先，在由玻璃基板所構成之絕緣性基板1〇上’藉諸 如CVD法，形成一由諸如膜厚300nm之氧化石夕膜構成之 緩衝層46。 其次，在緩衝層46上’藉諸如CVD法形成一諸如膜厚 4〇nm之聚矽膜。此外’亦可形成非晶矽膜取代聚石夕膜’藉 30 1232589 雷射退火法，使其晶體化，來形成聚石夕膜。 接著’藉微影及乾式_，對聚销施行圖案化，以形 成-由聚销所構成之通道層48 (參考第i2A圖）。 接著，在形成有通道層48之緩衝層46上，藉諸如cvd 5法形成一諸如獏厚l〇〇nm之氧化矽膜。 妾著藉諸如濺鑛法，形成一諸如膜厚3〇〇nm之八刪 (鋁〜鉉合金)膜。 -人藉说影及乾式姓刻，對氧化賴及A腕膜施行 =案化’在通道層48上形成_由氧切膜構成之閘極絕緣 膜50及由A1Nd膜構成之閘極52。 接著，以_ 52作為魏，脑如離子獻法，㈣ 離子做離子數，在閘極52兩歉通道層Μ各形成源極 區54及汲極區56。 如此-來，在絕緣性基板10上形成一具有閘極52、形 15 Ϊ於通道層48之源極區54及没極區56之薄膜電晶體(參 考第12Β圖）。 其—人，在形成有薄膜電晶體之絕緣性基板1〇上，藉諸 法形成一由諸如膜厚3〇〇nm之氮化矽膜構成之層 間絕緣膜58。 著藉微影及乾式蝕刻，在層間絕緣膜58上各形成 到達源極區54之接觸孔6G及到達汲極11 56之接觸孔64 (參考第12圖）。 会接著，藉諸如濺鍍法，在形成有接觸孔6〇 、64之層間 、巴、象膜58上形成諸如膜厚lOOnm/lOOnm/ioOnm之 31 1232589
Ti(鈦)/Al/Ti 臈。
接著，藉微影及乾式蝕刻，對Ti/Al/Ti膜施行圖案化， 各形成由Ti/Al/Ti膜構成之源極62及汲極66 (參考第nA 圖）。 5 接著，藉諸如CVD法，在形成有源極μ及汲極％之 層間絕緣膜58上，形成由諸如琪厚3 G#m之感光性樹脂 構成之層間絕緣膜68。 接著，藉微影法，在層間絕緣膜68形成一到達源極62 之接觸孔70(參考第13B圖）。 10 接著，在形成有接觸孔70之層間絕緣膜68上，進行與 第2實施形態之顯示纟置的製造方法同樣之方法，而形成 一藉接觸孔70而與源極62連接之陽極32、有機電致發光 層18及陰極20(參考第13C圖）。 如此一來便製出第1〇圖所示之本實施形態之顯示裝 15 置。 如此，依本實施形態，在採用有機電致發光元件之主動 矩陣型顯不裝置中，使陽極32包含有一具有光反射性之光 反射膜12、及具有光穿透性之透明導電膜14，因此不會受 到有機電致發光元件下所形成之薄膜電晶體所造成之限 20制，可實現一具有高發光效率之頂部發光型顯示裝置。 又，光反射膜12係藉透明導電膜14所覆蓋，因此可抑 制因光反射膜12之腐蝕或光反射膜12與透明導電膜14間 所產生之晶鬚等所造成之元件特性劣化者。 進而，在光反射膜12之周緣部上形成有一夾層膜3〇， 32 1232589 其各與光反射膜12及光反射膜12上所形成之透明導電膜 14做電性連接，以確保兩者間之導通者，因此可使電洞由 與薄膜電晶體之源極62做電性連接之光反射膜12植入於 有機電致發光層18。 5 又，有機電致發光層18係與習知有機電致發光元件同 樣，开>成於透明導電膜14上，因此以有機電致發光層18 而吕，可照樣使用與習知有機電致發光元件同樣之材料及 構造之有機電致發光層。 此外，在本實施形態中，在層間絕緣膜68上，形成有 10與第2貫施形態之顯示襄置同樣之有機電致發光元件，但 亦可形成與第1或第3實施形態之顯示裝置同樣之有機電 致發光元件。此外，如第1實施形態之顯示裝置，未在光 反射膜12與透明導電膜14間形成夾層膜3〇時，宜藉不在 到達源極62之接觸孔70内填入光反射膜12等之方法，使 15透明導電膜14直接連接於源極62者。 又’在第4實施形態之顯示裝置中，與於絕緣性基板 表面形成光滑凹凸之形態同樣，亦可在層間絕緣膜68 之表面形成光滑凹凸，在形成有光滑凹凸之層間絕緣膜68 上形成有機電致發光元件。 20 (第6實施形態） 用第14圖至第18圖說明本發明之第6實施形態之顯示 裝置。第14圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之截面 圖、第15圖係顯示本實施形態之顯示裴置特性之線圖、第 16圖係顯示用Cr膜作為陽極之顯示裝置構造之截面圖、第 33 1232589 17及18 ffi係顯林實麵態之顯示裝置的製造方法之步 驟截面圖。此外，針對第1圖、第3圖及第4圖所示之第1 貝之』π衣置及其製造方法同樣之構成要素附與同 一標號，並省略或簡略其說明。 5 10 15 20 本’、靶形怨之顯示裝置，與第1實施形態之顯示裝置同 樣，係減1成於絕緣性基板上之有機電致發光元件之 被動矩陣卵Μ置，其基本構成健第i實卿態之顯 示装置同樣者本貫施形態之顯示裝置係與第1實施形態 之顯不裝置不同點係於：於光反射膜上隔著具有光穿透性 之絕緣層而形成有藉透明導電膜構成之陽極者。 首先m4圖，本實施形態之顯示裝置構造。此 外，第14圖係顯示1像素部分之構造者，但實際上是有多 數像素配置成矩陣狀者。 如第14圖所不’在由玻璃基板構成之絕緣性基板10上 形成有有歧料之A1麟叙光反賴72。光反 射膜72係可以具有預定形狀者形成在每_像素亦可形成 於配列有像素之顯示區之全面者。 在光反射m 72上形成有__由具有光穿透性之感光性樹 脂構成之絕緣膜74。作為絕緣層74之材料喊光性樹脂， 可使用諸^鱗系樹H緣層74係職可覆蓋光反射 膜72之狀悲，以使光反射膜72表面不裸露者。 在絕緣層74上形成有一由具有光穿透性之ιτ〇之透明 導電膜構成之陽極76。在陽極76上形成有—依序積層有電 洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子輪送層、電子植入 34 1232589 層而成之有機電致發光層18。在有機電致發光層18上形成 有一依序積層以較薄之膜厚形成且具有光穿透性之A1膜、 以較薄之膜厚形成且具有光穿透性之人§膜、及，由具有光 牙透性之ITO膜構成之透明導電膜而成之陰極2〇。如此一 5來，便於絕緣性基板10上隔著光反射膜72及絕緣層74而 形成有一具有陽極76、有機電致發光層18、及陰極2〇之 有機電致發光元件。 在本貫加形悲之顯示裝置中，令電子由陰極2〇植入於 有機電致發光層18,且令電洞由陽極76植入於有機電致發 光層18所植入之笔子係藉電子輸送層而運輸於發光層， 所植入之電洞係藉電洞輸送層而輸送於發光層。如此使被 輸於毛光層之電子與電洞在發光層中進行再結合而產生 發光。在發光層中所產生之光係於陽極76側及陰極2〇側 釋出在1¾極76側釋出之光係以具有光穿透性之絕緣層74 15為中介而藉光反射膜72而朝陰極20側反射，隔著絕緣層 74、陽極76及有機電致發光層18，由具有光穿透性之陰極 20側取出者。朝陰極20側釋出之光照樣由具有光穿透性之 陰極20侧取出者。依此，使於發光層中所產生之光係由具 有光穿透性之陰極20側取出者。 20 如此，依本實施形態之顯示裝置，藉於由透明導電膜構 成之陽極76下隔著絕緣層74而形成之光反射膜72之存 在而成為一由與絕緣性基板10相反之側的陰極側取 出光之頂部發光型之形態。因此，與第丨實施形態之顯示 衣置同樣，在絕緣性基板10與有機電致發光元件間形成另 35 1232589 一元件時，亦可由形成有另一元件之區域取出光者。即， 有機電致發光元件之發光面積不會受另一元件所限制，可 實現高發光效率者。 又，在光反射膜72下形成另一元件時，亦可形成一較 5陽極76與陰極20相重疊之發光區還寬之光反射膜72。如 此，藉形成兔度較大之光反射膜72，俾抑制有機電致發光 元件之發光受另一元件之特性所影響者。 此外，形成於陽極76與光反射膜72間之具有光穿透性 之絕緣層74的膜厚係以設定於1//m以上者為佳。這是因 10為設定絕緣層74的膜厚小於1 v m時，便在絕緣層74發生 光干擾的影響所造成之減光’而衍生有不能獲得足夠的發 光效率之虞。 第15圖係一顯示比較兩種顯示裝置特性之結果的線 圖’即’針對本實施形態之顯示裝置及第16圖所示之使用 15由Cr膜構成之陽極之顯示裝置，改變植入於有機電致發光 層之電流密度後測量其等亮度，比較兩顯示裝置之特性 者°第15圖所示之線圖的橫軸表示植入於有機電致發光層 之電流密度’縱軸表示所測定之顯示裝置的亮度。又，在 第15圖所示之線圖中，以•記號所示之標點係顯示針對本 2〇貫施形態之顯示裝置的測定結果，以〇記號所示之標點係 顯不針對第16圖所示之使用由Cr膜構成之陽極之顯示裝 置的測定結果。 本實施形態之顯示裝置中，光反射膜72是使用膜厚 l〇〇nm之A1膜，絕緣層74是使用膜厚3 〇//m之丙烯酸系 36 1232589 樹脂層，陽極76是使用膜厚70nm之ITO膜。又，有機電 致發光層18是使用依序積層由膜厚ΐ4〇ηιη之2-ΤΝΑΤΑ膜 構成之電洞植入層、由膜厚l〇nm之α-NPD膜構成之電洞 輸送層、由摻雜少量t(npa)py之膜厚30nm的Alq3膜構成 5之發光層、由膜厚20nm之Alq3膜構成之電子輸送層、及 由0.5nm之LiF膜構成之電子植入層而成者。又，陰極2〇 是使用依序積層膜厚1.5nm之A1膜、膜厚15nm之Ag膜、 及膜厚35nm之ITO膜而成者。 與本實施形態之顯示裝置比較特性之第16圖所示之顯 10示裝置係一陽極使用Cr膜之頂部發光型顯示裝置。如圖所 示，在由玻璃基板構成之絕緣性基板1〇〇上形成有一由Cr 膜構成之陽極134。陽極134上形成有有機電致發光層 104。有機電致發光層1〇4上形成有陰極I%。除了在絕緣 性基板1〇〇上直接形成陽極134之點以及陽極134使用& 15膜之點外，其餘針對有機電致發光層104、陰極1〇6之材料 及構造係與比較過特性之本實施形態之顯示裝置同樣者。 由第15圖所示之線圖可知：在同一電流植入密度上， 本貫施形悲之顯示裝置得到比第16圖所示之陽極使用
Cr膜之顯示裝置之形態還高2倍左右之亮度。因此，依於 20由透明導電膜構成之陽極76下隔著具有光穿透性之絕緣層 74而开y成有光反射膜72之本實施形態之顯示裳置，與單純 陽極使用Cr·膜之形態相比較，可說是有效地提昇發光效率 者。 又/、第1貫％开久恕之顯示裝置同樣，在本實施形態之 37 1232589 顯示裝置中，有機電致發光層18係與習知有機電致發光元 件同樣，形成在由透明導電膜構成之陽極76上。為此，有 機電致發光層18可照樣使用與習知之有機電致發光元件同 樣之材料及構造之有機電致發光層，構建成一具有高發光 5 效率之頂部發光型顯示裝置。 又，依本實施形態之顯示裝置，在由透明導電膜構成之 陽極76與由A1膜構成之光反射膜72構成之間夾設有絕緣 膜74，而光反射膜72則藉絕緣層74覆蓋，以使其表面不 呈裸露者。因此，與第1實施形態之顯示裝置同樣，對製 10 造步驟中之ΓΤΟ膜施行圖案化時，可防止藉由A1膜構成之 光反射膜72之電池效應所造成之腐蝕者。 進而，在由A1膜構成之光反射膜72與由透明導電膜構 成之陽極76間形成有絕緣層74。為此，不會如同使用在 A1膜上直接形成有ιτ〇膜之陽極之形態，發生因驅動電壓 15施加於有機電致發光元件時之發熱等而成為電極間短路原 因所在之晶鬚者。 其次，用第17圖及第18圖說明本實施形態之顯示裝置 的製造方法。 首先，在由玻璃基板構成之絕緣性基板⑺上，藉諸如 2〇 ’賤鍍法形成一諸如膜厚150nm之A1膜。亦可因應所需，藉 微影及蝕刻，對A1膜於每一像素中施行圖案化以形成預定 形狀。或，亦可在成為配列有像素之顯示區之絕緣性基板 1〇之全面上剩餘A1膜。如此一來便於絕緣性基板1〇上形 成由A1膜構成之光反射膜72 (參考第17A圖）。 38 1232589 其次’在光反射膜72上，藉諸如旋塗法而塗佈諸如内 烯酸系感光性樹脂。P遠後用預定光罩，對所塗佈之感光性 樹脂曝光後，再用預定顯影液將業經曝光之感光性樹 行顯影。如此，藉微影，形成一諸如由麟3.0難之^光 5性樹脂構成之絕緣層74 (參考第圖）。在此，、絕緣層μ 係形成可覆蓋光反_ 72之狀態，以使光反_ Μ之表 面不致裸露者。 在本貝/悲中，疋藉感光性樹脂而形成絕緣層Μ， 因此可以得到具有平坦性高之表面的絕緣層74，因此可在 10平坦性高之表面上形成有機電致發光元件。 其次，在絕緣層74上，藉諸如濺鍍法形成一諸如膜厚 70nm之ΓΓΟ膜78(參考第nc圖）。 接著，藉微影及蝕刻，對汀〇膜78施行圖案化以使之 形成預定形狀。如此，便於絕緣層74上形成由IT〇膜Μ 15構成之陽極76 (參考第18Α圖）。在對ΙΤΟ膜78施行圖案 化之間，由Α1膜構成之光反射膜72係藉絕緣膜74所覆蓋， 使其表面不露出者。因此，可防止因電池效應造成之光反 射膜72的腐蝕。 其次，在形成有陽極76之絕緣層74上，藉諸如真空蒸 20鍵法’以開口有預定大小之蒸錢遮蔽為中介，而依序形成 有諸如膜厚14〇nm之2-ΤΝΑΤΑ膜、諸如膜厚10nm之a-NPD 膜、諸如摻雜有少量t(npa)py之諸如膜厚30nm的Alq3膜、 諸如膜厚20nm之Alq3膜及諸如〇.5nm之LiF膜。 如此一來，便於陽極76上形成有具有··由2-TNATA膜 39 1232589 構成之電洞植入層、由α-NPD膜構成之電洞輸送層、由摻 雜有t(npa)py之Alq;膜構成之發光層、由Alq3膜構成之電 子輸送層、由LiF膜構成之電子植入層之有機電致發光層 18 (參考第18B圖）。 5 其次，在有機電致發光層18上，藉諸如真空蒸鍵法及 濺錢法，以開口有預定形狀之遮蔽為中介，依序形成諸如 膜厚1.5nm之A1膜、諸如膜厚15nm之Ag膜、及諸如膜 厚35nm之ITO膜，而形成Al/Ag/ITO積層膜。 如此一來，形成由Al/Ag/ITO積層膜構成之陰極20 (參 10 考第18C圖）。 如此一來便製得一第14圖所示之顯示裝置。 如此，藉本貫施形悲，在採用有機電致發光元件之顯示 裝置中，在由透明導電膜構成之陽極76下以具有光穿透性 之絕緣層74為中介而形成具有光反射性之光反射膜72,便 15 可實現一具有高發光效率之頂部發光型顯示裝置。 又，光反射膜72藉絕緣層74而覆蓋，因此可抑制因光 反射膜72腐姓等所造成之元件特性劣化者。 又，有機電致發光層18係與習知有機電致發光元件同 樣，形成在由透明導電膜構成之陽極76上，以有機電致發 20光層18而έ，可照樣使用與習知有機電致發光元件同樣之 材料及構造之有機電致發光層。 此外，針對本實施形態之顯示裝置，與第3實施形態之 顯示裝置之形Μ樣，在同1細設有^彡成有光反射 膜72之區域及未形成光反射膜乃之區域，即，在陽極％ 40 1232589 與陰極20相重疊之發光區部分形成有光反射膜72,因此亦 可將上面發光型區域及兩面發光型之區域設於同一像素 内。 又，與第4實施形態之顯示裝置之形態同樣，亦可於絕 5 緣性基板10表面上形成光滑凹凸，在形成有光滑凹凸之絕 緣性基板10上，形成光反射膜72、絕緣層74、及有機電 致發光元件。或，亦可在絕緣層74之表面形成光滑凹凸， 在形成有光滑凹凸之絕緣層74上形成有機電致發光元件。 藉於絕緣性基板10或絕緣層74之表面上形成之光滑凹 10 凸，因此與第4實施形態之顯示裝置同樣，陽極76、有機 電致發光層18及陰極20之面比起未形成凹凸之平坦表面 之絕緣性基板10上形成之形態還大，可進一步提升發光效 率。 (第7實施形態） 15 用第19圖至第22圖說明本發明第7實施形態之顯示裝 置。第19圖係顯示本實施形態之顯示裝置構造之截面圖、 第20圖至第22圖係顯示本實施形態之顯示裝置的製造方 法之步驟截面圖。此外，針對第10圖、第12圖至第14圖、 第17圖及第18圖所示之第5及第6實施形態之顯示裝置 20 及其製造方法同樣之構成要素，附與同一標號，並省略或 簡略說明。 本實施形態之顯示裝置係一主動矩陣型顯示裝置，其係 設有與第6實施形態之顯示裝置同樣之有機電致發光元 件，並與第5實施形態之顯示裝置同樣設有薄膜電晶體作 41 1232589 10 15 20 為開關元件’藉該薄膜電晶體控制施加於有機電致發光元 件之驅動電壓者。以下，用第d圖朗本實施形態之顯示 裝置構造。此外’第19圖係顯示！像素部分之構造者，實 際上使多數像素配置成矩陣狀者。 &在由玻璃基板構成之絕緣性基板1〇 i，與帛5實施形 悲之顯示裝置同樣，以由氧切膜構成之緩衝層从為中介 :形成有薄膜電晶體，該薄膜電晶體係具有問極&形成機雷（S 48之源極區54及及極區56，用以控制施加於有 機電致發光元件之驅動電壓者。在形成有薄膜電晶體之絕緣性基板iq上侃有一層間、、、巴緣膝5 8 〇在層間絕緣膜$ s 中八 、上個別形成有以接觸孔60為 =接於源極區54之源極62、及以接觸孔糾為中 "而連接於汲極區56之汲極的。在形成有源極62及汲極％ 層間絕緣膜8〇。 m m 58上&成有 在層間絕緣膜80上形成古一 成之光反。在紅^有統祕之A1模構 8〇之薄料晶體上之_^ 72上形成有使層間絕緣膜 光反射膜72之開口部82=^開”.此外，形成在 膜80之薄膜電晶體之區域•二要為—使形成有層間絕緣 膜80之源極62上的區域I' : ’只要至少可使層間絕緣 部82之光反射心可者即可。形成有如此之開口 狀者，亦可來占/ 母像素中形成有具有預定形 由先反： 路出之層間絕緣膜80上形
42 1232589 成有由具有光穿透性之感光性樹脂之絕緣層74。以絕緣層 74材料之感光性樹脂而言，採用諸如丙烯酸系樹脂。絕緣 層74係形成為覆盍光反射膜72者，俾不使光反射膜72表 面裸露者。 5 在絕緣層74及層間絕緣膜80中形成有到達源極62之 接觸孔70。 在形成有接觸孔70之絕緣層74上，於含有接觸孔7〇 之區域上，形成有一由具有光穿透性之IT〇之透明導電膜 構成之陽極76。陽極76係以形成在絕緣層74及層間絕緣 10膜80之接觸孔70為中介，而與薄膜電晶體之源極62做電 性連接。 在陽極76上形成有依序積層電洞植入層、電洞輸送 層、發光層、電子輸送層、電子植入層而成之有機電致發 光層18。在有機電致發光層18上形成有一依序積層：以較 15薄膜厚形成且具有光穿透性之Α1膜、以較薄膜厚形成且具 有光穿透性之Ag膜、及具有光穿透性且由ΙΤ〇膜構成之 透明導電膜而成之陰極20。如此，在光反射膜72上隔著絕 緣層74而形成有具有陽極76、有機電致發光層18及陰極 20之有機電致發光元件。 20 依本實施形態之顯不裝置，在由透明導電膜構成之陽極 76上隔著具有光穿透性之絕緣層74而形成之光反射膜72 之存在，而成為一可由與絕緣性基板10相反之側的陰極2〇 側取出光之頂部發光型者。因此，藉於絕緣性基板1〇上所 形成之薄膜電晶體，發光面積不受限制下，可實現高發光 43 !232589 欵率者。 至I又’在本實施形態之顯示裝置中，在光反射膜”形成 :使層間絕緣膜80之源極62上之區域露出的開口部 5與、、，且使由透明導電膜構成之陽極76藉接觸孔7()而直接 、’、極62做電性連接。藉此，不經由難以確保與陽極％ 電性連接之導電膜下，使電洞可由與薄膜電晶體之源 U 做電性連接之光反射膜72植人於有機電致發光層 又，形成絕緣層74，以覆蓋光反射膜72時，便可防止 ίο使反射膜72之腐姓。又’對於有機電致發光層18可照樣 鲁 、自知有機電致發Stl件之有機電致發光層同樣材料 構造之有機電致發光層。 此外’在每—像素上形成每_像素具有預定形狀之光反 射膜72時，宜形成其寬度較陽極76與陰極20相重疊之發 光區還大之光反射膜72。如此將光反射膜72形成寬幅者; 15可抑制有機電致發光元件之發光受到薄膜電晶體特性 響者。 μ 其次，用第20圖至第22圖說明本實施形態之顯示裝£ # 的製造方法。 首先，同樣按第ΠΑ圖至第12C圖及第UA圖所示之 、 20第5實施形態之顯示裝置的製造方法，在絕緣性基板10上 · 形成薄膜電晶體、及源極62迄至汲極66(參考第2〇a圖）。 其次，藉諸如CVD法，在形成有源極62及汲極％之 層間絕緣膜58上形成諸如由膜厚3〇〇nm之氧化矽膜構成之 層間絕緣膜80(參考第20B圖）。此外，對於層間絕緣膜8〇， 44 1232589 除了氧化矽膜外，還可使用氮化矽膜等無機絕緣膜、由樹 脂形成之絕緣膜等等。 接著，在層間絕緣膜80上，藉諸如濺艘法形成一諸如 膜厚150nm之A1膜84。 5 接著，藉微影，對A1膜84施行圖案化，使其形成預定 形狀，且於A1膜84上形成至少將層間絕緣膜8〇的源極62 上之區域露出的開口部82。A1膜84係可於每一像素下被 施行圖案化，以具有預定形狀，亦可剩餘在配列有像素之 顯示區的全面上。如此一來便形成由A1膜84構成之光反 10射膜72 (參考第21A圖）。又，第21A圖係顯示一將層間絕 緣膜80之薄膜電晶體上之區域露出的開口部μ形成在光 反射膜72之形態。 其次，由光反射膜72及開口部露出之層間絕緣膜 80上，藉旋塗法塗佈感光性樹脂，形成感光性樹脂層86 (參 15 考第21B圖）。 用預定光罩將感光性樹脂層86曝光後，再用預定顯影 液，將業經曝光之感光性樹脂層86顯影，在感光性樹脂層 86形成一使層間絕緣膜8()之源極62上的區域之開口部 88。如此一來，藉微影而形成一由形成有開口部88且具有 2〇感光性樹脂層86構成之絕緣層74 (參考第21C圖）。在此， 、、巴、、彖層74係形成一覆蓋光反射膜72之狀態，以使光反射 膜72表面不致裸露者。 接著’藉乾式蝕刻，以形成有開口部88之絕緣層74為 遮敗，在層間絕緣膜8〇上形成一到達源極62之開口部9〇。 45 1232589 如此一來，形成一使形成在層間絕緣獏8〇之開口部9〇 與形成在絕緣層74之開口部88相連接而成之接觸孔7〇(參 考第22A圖）。此外，對於接觸孔7〇可事先適當設定光反 射膜72之開口部82的大小、絕緣層74之開口部88的大 5小、钮刻條件等，以使光反賴72不露出者為佳。這是根 據如下理由。即，使光反射膜72 一裸露於接觸孔7〇時， 便使之後形成之陽極76與光反射膜72相接觸，兩者之間 形成寄生電容’因此為了避免因如此寄生電容所造成之元 件特性劣化而所致者。 0 如此，在本實施形態之顯示裝置之製造方法中，藉感光 性樹脂形成絕緣層74,對於蝕刻層間絕緣膜8〇時之遮蔽亦 利用絕緣層74,因此可以較少步驟次數形成到接觸孔74 為止。此外，對於絕緣層74，亦可使用氧化矽膜等具有光 _穿透性之無機絕緣膜。此時，除了形成由無機絕緣膜構成 》之絕緣層74之步驟外，還需要在絕緣層74及層間絕緣膜 8〇形成用以形成接觸孔70用之蝕刻遮蔽時所用之光阻膜 之步驟、及除去光阻膜之步驟。為此，其步驟次數與藉感 光性樹脂形成絕緣膜74之形態比較下較多。 其次’在形成有接觸孔7〇之絕緣膜74上，按第6實施 3形態之顯示裝置的製造方法同樣進行，形成藉接觸孔7〇而 與源極62連接之陽極76、有機電致發光層18及陰極2〇 (參 考第22B圖）。 依此製造第19圖所示之本實施形態之顯示裝置。 如此，依本實施形態，在使用有機電致發光元件之顯示 46 1232589 裝置中，在由透明導電膜構成之陽極76下，隔著具有光穿 透性之絕緣層74，形成具有光反射性之光反射膜72，因此 不文到形成在有機電致發光元件下之薄膜電晶體之限制 下’實現具有高發光效率之頂部發光型顯示裝置。 5 又，光反射膜72係藉絕緣層74覆蓋者，因此可抑制因 光反射膜72之腐蝕等造成之元件特性劣化。 進而，有機電致發光層18係與習知有機電致發光元件 同樣，仍形成在陽極70上，因此以有機電致發光層18而 言’照樣可使用與習知有機電致發光元件同樣之材料及構 10 造之有機電致發光層。 (變形貫施形態） 本發明係不限於上述實施形態，且可做各種形態。 例如在上述實施形態中，針對絕緣性基板1〇是使用玻 璃基板之形態進行說明，但絕緣性基板10並不限於玻璃基 15板。亦可使用諸如聚碳酸酯、聚乙烯對苯二甲酸酯等樹脂 薄膜作為絕緣性基板10。用樹脂薄膜作為絕緣性基板10 時，便可實現一種具有可撓性之彈性顯示裝置。又，對於 只構建成頂部發光型顯示裝置時，絕緣性基板亦未必要像 玻璃基板等具有光穿透性之物。惟，如第3實施形態之顯 20示裝置時，當同一基板上設有上面發光部40及兩面發光部 44之時，勢必使用具有光穿透性之基板作為絕緣性基板1〇。 又，在上述實施形態中，針對光反射膜12周緣部上形 成有夾層膜30之形態進行說明，但夾層膜3〇未必要形成 在光反射膜12之周緣部上，亦可部分形成在光反射膜12 47 !232589 之預定區域上。 又，在上述實施形態中，用以將有機電致發光層18之 發光層中產生之光朝陰極20側反射之光反射膜12、72是 使用A1膜之形態進行說明，但是光反射膜12、72並不限 5 於A1膜。對於光反射膜12、72，除了 A1或以A1為主要成 分之合金外，亦可使用由諸如Ag、Nd(鈥）、Si(矽）、Ti、 w(鶴）、Cu(銅）、Nb(铌）、Ta(組）、C(碳）、或至少以上述元 素中任一種為主要成分之合金構成且具有光反射性之導電 膜。 10 又’在上述實施形態中，針對使用Mo膜以作為改善由 A1膜構成之光反射膜12與由ITO膜構成之透明導電膜14 間之電性連接，確保兩者間之導通用之夾層膜3〇之形態進 行說明，但夾層膜30並不限於Mo膜者。對於夾層膜3〇， 除了 Mo或以Mo為主要成分之合金外，還可使用諸如w、 15 Ta、Tl、Cr、或至少以上述元素中任一種為主要成分之合 金等之高融點金屬構成之導電膜。 又，關於上述實施形態，針對使用ITO膜作為形成於光 反射膜12上之透明導電膜14及陽極76之形態進行說明， 但透明導電膜14、陽極76並不限定於IT0膜者。以透明 20導電膜14而言，除了 ϊτο膜外，還可使用諸如IZO(摻雜 有鋅之氧化銦）膜、ΖηΟ(氧化鋅）膜等具有光穿透性之導電 膜0 又，關於上述實施形態，是針對使用依序積層由 2-ΤΝΑΤΑ膜構成之電洞植入層、由a-NPD膜構成之電洞輸 48 1232589 送層、由摻雜有t(npa)py之Alq3膜構成之發光層、由Alq3 膜構成之電子輸送層、及由LiF膜構成之電子植入層而成 者作為有機電致發光層18之形態進行說明，但有機電致發 光層18之構造及材料係不限於此。有機電致發光層18之 5構造上可適用只有發光層之單層構造、電洞輸送層與發光 層或發光層與電子輸送層之2層構造、以及電洞輸送層、 發光層與電子輸送層之3層構造。又，對於用以構成有機 電致發光層18之電洞植入層、電洞輸送層、發光層、電子 輸送層、電子植入層之材料上可使用各種有機電致發光材 10 料。 又’關於上述實施形態，針對使用A1/ITO積層膜、 Al/Ag/ΠΌ積層膜作為陰極20之形態進行說明，但陰極2〇 並不限於使用A1/ITO積層膜、Al/Ag/ITO積層膜者。陰極 2〇係除了使用A1/ITO積層膜、Al/Ag/ITO積層膜之外，還 15有諸如IT〇單膜、IZO膜、ZnO膜、A1單膜、Ag單膜或 其等積層膜等具有穿透性之導電膜。又，用A1膜、Ag膜 專作為陰極20時，為使其具有光穿透性，乃必須薄薄地形 成其等膜者。 又，關於上述實施形態，是針對由感光性樹脂構成者作 20為絕緣層74之形態進行說明，但絕緣層74只要是利用具 有光穿透性之物質即可，並不限於由感光性樹脂構成者。 以絕緣層74而言，除了由感光性樹脂構成之物質，還可利 用氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等具有光穿透性 機絕緣膜。又，絕緣層74，只要是使用具有光穿透性者， 49 1232589 並不需要非得無色，亦可用聚醯胺等之有色樹脂形成者當 做絕緣層74。 又’關於上述實施形態，是針對使用頂閘型態作為薄膜 電晶體之形態進行，但亦可使用底閘型態作為薄膜電晶 5體。又，針對通道層48是使用聚矽膜之形態進行說明，但 亦可在通道層48使用非晶矽膜。 又’關於上述實施形態，是針對使用薄膜電晶體作為開 關元件之形態進而說明，亦可使用其餘種類之開關元件。 例如亦可使用利用有二端子元件之二極體的MIM (金屬一 1〇纟巴緣膜〜金屬）構造之開關元件。 [產業上可利用性] 本發明之有機電致發光元件及其製造方法與顯示裝置 係實現一發光效率佳之有機電致發光元件及其製造方法與 使用如此有機電致發光元件之顯示裝置。因此可有效應用 於顯示特性佳且低耗費電力之顯示裝置。 式簡單說明】 第1A、1B圖係顯示本發明第1實施形態之顯示裝置構 造之概略圖。 第2A、2B圖係顯示採用有機電致發光元件之底部發光 2〇型顯示裝置構造例之概略圖。 第3A至3C圖係顯示製造本發明第1實施形態之顯示 &置之方法的步驟截面圖（其一）。 第4A至4C圖係顯示製造本發明第1實施形態之顯示 裝置之方法的步驟截面圖（其二）。 50 1232589 第5A、5B圖係顯示本發明第2實施形態之顯示裝置構 造之概略圖。 第6A至6D圖係顯示製造本發明第2實施形態之顯示 裝置之方法的步驟截面圖（其一）。 5 第7A至7C圖係顯示製造本發明第2實施形態之顯示 裝置之方法的步驟截面圖（其二）。 第8A至8C圖係顯示本發明第3實施形態之顯示裝置 構造之概略圖。 第9圖係顯示本發明第4實施形態之顯示裝置構造之概 10 略圖。 第10圖係顯示本發明第5實施形態之顯示裝置構造之 概略圖。 第11圖係一顯示底部發光型顯示裝置構造例之截面 圖，該顯不裝置採用有機電發光元件並使用薄膜電晶體作 15 為開關元件者。 第12A至12C圖係顯示製造本發明第5實施形態之顯 示裝置之方法的步驟截面圖（其一）。 第13A至13C圖係顯示製造本發明第$實施形態之顯 示裝置之方法的步驟截面圖（其二）。 20 第14圖係顯示本發明第6實施形態之顯示裝置構造之 截面圖。 第15圖係顯示本發明第6實施形態之顯示裝置特性之 線圖。 第16圖係顯示使用Cr膜作為陽極之顯示裝置構造之截 51 1232589 面圖。 第17A至17C圖係顯示製造本發明第6實施形態之顯 示裝置之方法的步驟截面圖（其一）。 第18A至18C圖係顯示製造本發明第6實施形態之顯 5 示裝置之方法的步驟截面圖（其二）。 第19圖係顯示本發明第7實施形態之顯示裝置構造之 截面圖。 第20A至20C圖係顯示製造本發明第7實施形態之顯 示裝置之方法的步驟截面圖（其一）。 10 第21A至21C圖係顯示製造本發明第7實施形態之顯 示裝置之方法的步驟截面圖（其二）。 第22A、22B圖係顯示製造本發明第7實施形態之顯示 裝置之方法的步驟截面圖（其三）。 【圖式之主要元件代表符號表】 10，100…絕緣性基板 Π，72...光反射膜 14.. .透明導電膜 16,32,42,76，102，134.··陽極 18,104. ·.有機電ί夂發光層 20，106···陰極 22,84··.Α1 膜 24,78 …ΙΤΟ 膜 30.. .夾層膜 1232589 34.. .Mo 膜 36".光阻膜 38.82.88.90.. ·開口部 40…上面發光部 44…兩面發光部 46，108···緩衝層 48，110...通道層 50，112…閘極絕緣膜 52，114…閘極 54，116…源極區 56,118… >及極·區 58,68,80，120，130...層間絕緣膜 60,64,70，122，126，132...接觸孔 62，124···源極 66,128···雜 74···絕緣層 86…感光性樹脂層